JPH10510943A - 高臨界温度のビスマス相を備えた長尺超伝導体の製造方法及びこの方法により製造された超伝導体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 この発明の方法により銀材料からなるマトリックスに埋め込まれ、Ｂ_i２２１２及び／又は２２２３相の高Ｔ_c超伝導材料からなる少なくとも１つの導線コアを備えた超伝導体が作られる。このために銀マトリックス材と超伝導材料の半製品からなる構造がその断面を減少される。次いで、このようにして得られた線材が酸素を含む雰囲気中で焼成される。この発明によればこの焼成には比較的高い温度（Ｔ１）と比較的低い温度（Ｔ２）との間で周期的に変動する温度が使用される。その場合高い方の温度（Ｔ１）は形成すべき相の破壊温度（Ｔｚ）より最高でも７Ｋ高く、低い方の温度（Ｔ２）は最高でも９Ｋ低くされる。

Description

【発明の詳細な説明】 高臨界温度のビスマス相を備えた長尺超伝導体の 製造方法及びこの方法により製造された超伝導体 この発明は、銀材料からなるマトリックスに埋め込まれ、ビスマス系２２１２ 及び／又は２２２３型の高Ｔ_c相を持つ超伝導材料からなる少なくとも１つの導 線コアを備えた長尺単芯或いは多芯超伝導体の製造方法に関する。この方法は以 下の工程で実施される。即ち、 ・マトリックス材料と、超伝導材料の半製品からなる少なくとも１つのコアとか らなる構造が作られ、 ・この構造が特に断面を減少させる変形処理によって線材に移行され、 ・この線材が、高Ｈ_c相を形成するために酸素を含む雰囲気中において制御され た溶融プロセスで焼成処理される。 さらにこの発明は、この方法により製造される超伝導体に関する。 このような方法並びにこの方法により製造された超伝導体は「スーパーコンダ クタ・サイエンス・テクノロジー」第５巻、１９９２年、第５９１乃至５９８頁 に記載されている。 ７７Ｋ以上の高臨界温度Ｔ_cを持ち、それ故高Ｔ_c超伝導材料（略称：ＨＴＳＬ 材料）とも呼ばれる公知の超伝導金属酸化物化合物としては、特に、ビスマス系 Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ（略称：ＢＳＣＣＯ）或いはＢｉ（Ｐｂ）−Ｓｒ− Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ（略称：Ｂ（Ｐ）ＳＣＣＯ）をベースとした銅酸化物がある。こ の物質系の内部には結晶単位セル内の銅−酸素−格子面（−層）の数によって区 別される２つの超伝導相が生ずる。概略組成Ｂｉ₂Ｓｒ₂ＣａＣ_u2Ｏ₈₊yを持つ一 方の超伝導相は約８５Ｋの臨界温度Ｔ_cを有し（いわゆる２重層／いわゆる８５ Ｋ相もしくは２２１２相）、他方の概略組成Ｂｉ₂Ｓｒ₂Ｃａ₂Ｃｕ₃Ｏ_10+xを持つ 超伝導相の臨界温度は約１１０Ｋ（いわゆる３重層或いはいわゆる１１０Ｋ相も しくは２２２３相）である。 このＨＴＳＬ材料で線或いはテープ状の長尺超伝導体を作ることが試みられて いる。このために好適と見做されている方法は、原理的には従来の金属超伝導材 料Ｎｂ₃Ｓｎからなる超伝導体の製造から公知のいわゆる「パウダー・イン・チ ューブ」法である（例えばドイツ連邦共和国特許出願広告第１２５７４３６号明 細書参照）。この方法に従ってＨＴＳＬ材料で超伝導体を製造するためにはパイ プ状の支持体もしくは常伝導物質特に銀或いは銀合金からなるマトリックスに、 一般にまだ或いは僅かな部分しか所望の高Ｔ_c相を含まないＨＴＳＬ材料の半製 品からなる粉末が入れられる。このようにして得られた構成は、次いで場合によ っては少なくとも１回の熱処理で中断される変形処理により所望の最終寸法にさ れる。その後このようにして得られた線或いはテープ状の線材は、その超伝導特 性を調整或いは最適化するためにもしくは所望の高Ｔ_c相を形成するために、少 なくとも部分的に酸素を含む雰囲気例えば空気中で少なくとも１回の焼成処理が 行われる（例えば「スーパーコンダクタ・サイエンス・テクノロジー」第４巻、 １９９１年、第１６５乃至１７１頁参照）。 このようなテープ或いは線状の高Ｔ_c超伝導体或いはその超伝導体半製品の多 数をそれ自体は公知の方法で束ねると、多数の超伝導線コアを備えた導線いわゆ る多芯或いはマルチフィラメント導線を得ることができ、これらは技術的な適用 に対して一連の利点を持っている（例えば１９９３年１０月２６〜２９日に広島 において開催された「超伝導に関する国際シンポジウム」（ＩＳＳ’９３）にお けるエム・ウイルヘルムなどの寄稿論文「マルチフィラメントＢｉＰｂＳｒＣａ ＣｕＯ−２２２３型テープの製造及び特性」参照）。 冒頭に挙げた「スーパーコンダクタ・サイエンス・テクノロジー」第５巻の文 献には、このような反応焼成したテープ状導線コアの組織特性は部分的な溶融及 びそれに続いてセラミックスを制御して結晶化することにより改善され、これに より臨界電流が高められ、臨界電流密度の磁界依存性が減少されるということが 記載されている。このような方法はＰＦＤＲプロセス（phase formation-decomp osition-recovery process）という名称で知られている。この方法によれば適当 な組成の硝酸塩混合物が８３０℃で仮焼され、空気中において８４５℃で反応焼 成した後で主として２重層化合物及びアルカリ土類銅酸化物を提供する。この反 応生成物で銀被覆を持つテープ状の線材が「パウダー・イン・チューブ」法によ り作られ、３重層の超伝導相を形成するために８３５乃至８３８℃で焼成される 。反応焼成とこの第一の後焼成との間で８６０℃で導線コアを一回短時間溶融す るのは、コア密度をより高くし、２重層の残部及び粒間の少数相を３層マトリッ クス中に微細に分布させるためである。このようにしていわゆるピンニングセン ターが得られ、７７Ｋにおいて超伝導の高い磁界強度が保証される。８３８℃で の第一の後焼成に続いてさらに固められ、８３８℃で後焼成される。 しかしながらＰＦＤＲ法での技術的規模の超伝導体の製造は、最適溶融量の設 定が非常に臨界的であるので、問題があるように思われる。溶融量の正確な量は 、しかしながら、導線コアの高い密度とその電流容量に対して決定的である。コ アセラミックスの所定の組成においては溶融量は温度及び焼成時間に、しかしま た導線寸法に関係する。コアの体積が大きければ大きい程、溶融温度はそれだけ 低くなければならない。しかしながら、迅速で均質な物質分布のために従って透 孔や異相のない成長のために必要な低粘性溶融物は、超伝導相がＢ（Ｐ）ＳＣＣ Ｏ超伝導体において再び破壊する温度範囲において初めて充分な量が生ずる。公 知のＰＦＤＲプロセスの場合のように、８６０℃の比較的高い溶融温度が予定さ れる場合には、所望の超伝導相の破壊はそれに続いて比較的低い温度レベルで焼 成してももはや回復（逆行）できないという危険がある。 それ故、この発明の課題は、上述の問題が特に超伝導相の破壊の危険に関して 少なくとも減少される方法を提供することにある。 この課題はこの発明によれば、第一の比較的高い温度レベルと第二の比較的低 い温度レベルとの間で周期的に変動する温度により少なくとも１回の焼成処理が 行われ、その際第一の温度レベルは形成すべき高Ｔ_c相の破壊温度より最高でも ７℃高く、第二の温度レベルはこの破壊温度より最高でも９℃低くすることによ って解決される。その場合破壊温度は、この温度においてＢｉ₂Ｓｒ₂ＣｕＯ_x（ いわゆる１層）の相がコア材料に初めて出現することが観察されることにより正 確に求められる。 公知のＰＦＤＲ法による場合のように、この発明による方法によれば、コアセ ラミックスの比較的高い密度の導線が作られる。さらに、等温性でなくこの発明 のように周期的に変動する温度で焼成された導線は、高い密度にも係わらず比較 的高い臨界電流密度を持っていることが示されている。従ってその場合、所望の Ｂｉ系超伝導相は最終製品には少なくとも充分に存在しているものと思われる。 さらにこの発明による方法においては、過熱温度は好ましいことにかなり低く、 正確にかつ再現可能に調整される。 この発明による方法の有利な実施態様は従属請求項から明らかである。 この発明を、以下に図面を参照してさらに詳しく説明する。図１においてはこ の発明により焼成される線材の横断面が示され、図２及び図３はそれぞれその焼 成処理における温度経過をダイアグラムとして示している。 ビスマス（Ｂ_i）系の高Ｔ_c超伝導材料で長尺の超伝導体を製造するためのこの 発明による方法は、それ自体は公知の「パウダー・イン・チューブ」法を基にし ている。この方法により、Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−ＯをベースとするＨＴＳＬ 材料を備えた例えば線或いはテープのような長尺の超伝導体が得られる。その場 合ＨＴＳＬ材料には、特にいわゆる２２２３相が５０重量％以上で存在している ものとする。このようなＨＴＳＬ材料を作るためには、上記物質系の５つの元素 から出発するだけで可能である。しかしこの発明による方法に対して選ばれた物 質系はＨＴＳＬ材料のベースを形成しさえすればよく、もしくは基本型であるか ら、この発明による方法は、従って前記元素の各々が部分的に或いはまた完全に 周期表のそれぞれの元素族の他の元素によって公知のごとく置換されることも含 まれるものとする。例えばＢｉは部分的にＳｂによって或いは特に２２２３相の 形成を促進するＰｂによって置換されてもよい。アルカリ土金属Ｓｒ及びＣａに 代わって例えばＢａも考えらえる。さらにＣｕを例えばＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ或いは Ａｌのような少量の他の金属によって部分的に置換することも行われる。さらに また、この物質系に反応メカニズムを改善するのに役立つ付加材料（添加物）を 加えることも含まれるものとする。例えばＡｇ或いはＡｇ₂Ｏの添加は、所望の 高Ｈ_c相を形成する際に反応に積極的に関与するが、この相自体の結晶構造に取 り込まれないことも公知である。しかしながら実施例としては以下では、６つの 成分Ｂｉ、Ｐｂ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｃｕ及びＯを持つＨＴＳＬ材料を基本とし、この 場合個々の成分の避けがたい不純物も含まれているものとする。 ＨＴＳＬ材料の対応の粉末状半製品を作るために、１１０Ｋもしくは２２２３ 相の形成を可能とする公知の量設定がら出発する。この高Ｔ_c相の化学当量を保 証するために、物質系Ｂｉ−Ｐｂ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏの個々の成分の酸化物 及び／又は炭酸塩粉末、例えばＢｉ₂Ｏ₃、ＰｂＯ、ＳｒＣＯ₃、ＣａＯ及びＣｕ Ｏからなる粉末がこの粉末の個々の成分比１．８：０．４：２．０：（１．８乃 至２．２）：３．０：１０．３で合成される。形成すべき超伝導の高Ｔ_c相の化 学当量に対する粉末混合物の組成の僅かなずれは、望ましい相の少なくとも部分 的な形成が保証される限り一般に可能とされる。上記の粉末混合物はその場合公 知のように例えば２段階で、即ち３乃至４時間約８００℃で、続いて例えば１６ 時間約８２０℃で仮焼される。このようにして得られた材料は、続いて例えばプ ラネットボールミルで粉砕される。これは、「前駆体」或いは「仮焼体」とも称 される粉末状のＨＴＳＬ材料の半製品であり、ＨＴＳＬ材料の成分の全く異なる 多数の化合物、例えばアルカリ土類鉛酸塩（Ｃａ，Ｓｒ）₂ＰｂＯ₄、種々の組成 のアルカリ土類銅酸化物（Ｃａ，Ｓｒ）_xＣｕ_yＯ_x+y、ＣａＯ、ＣｕＯ並びにペ ロブスカイト（Ｂｉ，Ｐｂ）₂Ｓｒ₂ＣｕＯ_x（＝いわゆる１層）及び（Ｂｉ，Ｐ ｂ）₂Ｓｒ₂ＣａＣｕ₂Ｏ_y（＝いわゆる２重層）を示す。 このようにして作られたＨＴＳＬ材料の半製品は、次いで特別なマトリックス 材からなるパイプ状支持体に入れられ、そこで圧縮される。マトリックス材とし ては銀或いは銀合金が好適である。なぜならこれらの材料を通して、特に高い温 度において拡散メカニズムに基づき酸素の移送が可能であるからである。 パイプ状支持体とこれによって包囲された半製品材料のコアとからなるこのよ うにして得られた構成は、次いで、少なくとも１つの特に断面を減少させる変形 処理及び所望の２２２３相を形成するための特別な焼成処理を受ける。一般に、 超伝導体の所望の最終形状を形成するためには一連の多数の変形処理が、超伝導 材料の高Ｔ_c相を形成するために複数の焼成処理が必要である。そしてこの中の 少なくとも１回はこの発明に従って行われる。多数の焼成処理の間に少なくとも １回の変形処理例えば単軸方向プレスが、特に超伝導材料の組織度の改善を得る ために行われる。 少なくとも１つの変形処理としては、例えば押し出し、ローラー加圧、圧延、 鍛伸、引き抜き等全ての公知の方法が考えられる。これらを組み合わせることも できる。この処理は室温においてもまた高温においても行うことができる。この 場合処理された半製品材料からなるコアに加えられる圧力は、３乃至２０ｋバー ル、好ましくは５乃至１０ｋバールになるように調整されるのがよい。このよう にして高密度の導線コアが銀マトリックス中に得られる。少なくとも１つの変形 処理後に、所望の最終製品に少なくとも大幅に対応した形状特にテープ状の複合 体の形での線材が得られる。 超伝導材料の半製品の仮焼及びこの半製品のマトリックス材からなるパイプ中 での加工の上述の工程で作られるのは単芯線だけではない。むしろこの工程はそ れ自体は公知の束線技術により多芯もしくはマルチフィラメント導線の製造に対 しても基礎とされる。この技術によれば、例えばそれぞれ仮焼された半製品材料 からなる１つのコアを含む複数の支持パイプを被覆パイプ特にマトリックス材中 にも束ねることが可能である。この構造はそれから少なくとも１回変形され、多 芯線材とされる。予め変形された及び／又は場合によっては予め焼成された単芯 線材が対応の被覆パイプに入れられ、それから少なくとも１つの変形処理により 多芯線材に加工することも勿論可能である。 一連のプレス及び圧延加工の後に得られるこの発明により作られるテープ状超 伝導体の多芯線材の一実施例を図１において断面で示す。線材は全体を２で示す 。半製品材料からなる例えば１９個の導線コア３ｉ（１≦ｉ≦１９）は銀からな るマトリックス４に埋め込まれている。線材２は、例えばテープ形状に対して代 表的な以下の寸法を持っている。 テープの厚さＤ： １００μｍ乃至５００μｍ、 好ましくは２００μｍ乃至３５０μｍ、 テープの幅Ｂ： ２ｍｍ乃至６ｍｍ、 好ましくは３．５ｍｍ乃至４．５ｍｍ、 導線コアの厚さｄ： １０μｍ乃至５０μｍ、 好ましくは２０μｍ乃至３５μｍ、 導線コアの幅ｂ： ３０μｍ乃至２００μｍ、 好ましくは１５０μｍ乃至１８０μｍ。 テープ状単芯線材の代表的な寸法は以下のとおりである。 ５０μｍ≦Ｄ≦４００μｍ、好ましくは１００μｍ≦Ｄ≦２００μｍ、 １．５ｍｍ≦Ｂ≦５ｍｍ、好ましくは２ｍｍ≦Ｂ≦３ｍｍ、 １０μｍ≦ｄ≦４０μｍ、好ましくは２０μｍ≦ｄ≦３０μｍ、 ５００μｍ≦ｂ≦４．５ｍｍ、好ましくは１．５ｍｍ≦Ｂ≦２．５ｍｍ。 図１に示される構造を持つ線材は、一般にまだ所望の超伝導特性を示していな い。即ち、その少なくとも１つのコアにはまだ所望の超伝導相、特に２２２３型 の相が充分な純度でかつ高い臨界電流密度を保証する組織をもって存在していな い。それ故この発明によれば、線材の少なくとも１回の焼成処理が周期的に変動 する（準「揺動性」）非等温性の温度で行われる。この焼成処理は酸素を含む雰 囲気中で、例えば空気中或いは酸素分圧が１乃至２００ｍバールのその他の雰囲 気中で行われる。 図２にはこの温度経過を概略的にダイアグラムで示す。このダイアグラムにお いて横軸方向に時間ｔ（任意の単位）が、そして縦軸方向に焼成温度Ｔ（１℃の 単位）が取られている。ダイアグラムにおいてＴ１は高い方の温度レベルにある 第一の温度、Ｔ２は比較的低い温度レベルにある第二の温度、ΔＴ（＝Ｔ１−Ｔ ２）は両焼成温度Ｔ１、Ｔ２の間の温度差（＝揺動振幅）、Δｔは揺動周期の期 間で、温度Ｔ１及びＴ２の両焼成時間間隔の和、（ｄＴ／ｄｔ）は温度Ｔ２から 温度Ｔ１への平均加熱率、（ｄＴ^*／ｄｔ）は温度Ｔ２から温度Ｔ１への平均冷 却率である。 その場合温度Ｔ１は、形成すべき高Ｔ_c相の破壊温度Ｔｚより高く、焼成時間 間隔において高い方の温度Ｔ１で低粘性の溶融物が発生し、これが個々の相の間 の接合部の全位置に侵入し、これらの位置への反応に必要な粒子の移送を保証す る程度にされる。従って、２２１２型及び／又は２２２３型の超伝導相は高い方 の温度Ｔ１において既に溶融或いは破壊し始める。これにそれぞれ続く低い方の 温度Ｔ２（破壊温度Ｔｚより低い）での焼成時間間隔において超伝導相は回復し 、全ての方向に成長する。なぜなら超伝導相は完全に再び高粘性になった溶融物 により濡れており、大きな距離にわたる粒子の移送はもはや必要ないからである 。温度の設定は、時間が経過するにつれて低い方の焼成温度Ｔ２を持つ時間間隔 内に超伝導相が高い方の焼成温度Ｔ１の時間間隔で失った以上に生じるように選 ば れなければならない。異なる温度レベルに滞留する時間はその場合種々異なって いる。さらに、線材のいわゆる反応焼成としての第一の焼成は低い方の焼成温度 の時間間隔で始まることが保証されなければならない。というのは、線材の第一 の高温加熱の際半製品材料が余りに急激に溶融するとマトリックスの銀材料との 境界面に組織化された鉛を含むＢ_i２２１２結晶の生成を阻止するおそれがある からである。この結晶は種として全体の超伝導コアにおける良好な組織の形成に 対して重要である。遅くとも第一の高温加熱の際に殆ど完全に、なお存在してい るおそれのある１層の相が、しかもまだ一回も溶融温度Ｔｚに達しない前の温度 で速やかに消失する。 反応及び回復焼成のためには、この発明によれば、以下の非等温性の温度設定 が行われる。 ・第一の高温の方の焼成温度Ｔ１は銀材料からなるマトリックスにおけるセラミ ックス超伝導材料の破壊温度Ｔzより最高でも７Ｋ、好ましくは最高でも５Ｋ、 特に最高でも３Ｋ高いものとする。破壊温度Ｔｚは、定義的には、線材の最終製 品（銀テープ線材）の急冷後にＸ線回折法によりそれまでなお存在していない或 いは最早存在していないＢ_i２２０１相のセラミックスコアにおける形成を検証 できる温度である。破壊温度Ｔｚは酸素分圧及び線材配置に応じて約８００℃と ８８０℃との間である。第二の低温の方の焼成温度Ｔ２は、破壊温度Ｔｚより最 高でも９Ｋ、好ましくは最高でも７Ｋ、特に最高でも５Ｋ低いものとする。一般 に、Ｔ２とＴ１との間の温度範囲に対して平均焼成温度Ｔ_m＝（Ｔ１）／２＋（ Ｔ２）／２には、セラミックス超伝導材料の破壊温度Ｔ_zより０．５Ｋ乃至３Ｋ 低い温度が選ばれる。 ・焼成温度変動（揺動）の振幅ΔＴは１Ｋと１０Ｋとの間にあるものとする。 ・揺動周期Δｔの期間は２分と２００分との間にあるものとする。 ・時間ｔの関数としての温度経過は、好ましくは、時間・温度ダイアグラムにお いて１０Ｋ／分と０．０１Ｋ／分との間の加熱率（ｄＴ／ｄｔ）もしくは冷却率 （ｄＴ^*／ｄｔ）を持つサイン関数或いは台形関数として表されるものとする。 図３は、時間ｔ_o及び温度Ｔ２で周期的温度変化を始める単芯線材の具体的実 施例を、図２に対応する形で表したダイアグラムで示す。線材を製造するために ８ｍｍの外径で１ｍｍの壁厚の銀パイプが名目上の組成Ｂｉ_1.84Ｐｂ_0.35Ｓｒ_{2. 0} Ｃａ_2.1Ｃｕ_3.0Ｏ_10+xの仮焼物で充填され、０．５ｍｍの直径になるまで鍛伸 された。同一寸法（８ｍｍ外径、１ｍｍ壁厚）の第二の銀パイブで被覆した後こ の複合体は１．５ｍｍの直径まで鍛伸され、さらに１．３ｍｍの直径まで引き抜 きされ、最後に０．１ｍｍの厚さのテープに圧延された。この線材は次いで管形 炉において３回図３のダイアグラムに示す焼成処理を空気中で施され、各焼成処 理後に圧縮もしくは組織化のために１０ｋバールの圧力で単一軸方向にプレスさ れた。個々の焼成処理は以下の値で行われた。 Ｔ１＝８４１．４℃、Ｔ２＝８３８．１℃、Ｔｍ＝８３９．７５℃、 ΔＴ＝３．３Ｋ、 （ｄＴ／ｄＴ）＝（ｄＴ^*／ｄＴ）＝０．３Ｋ／ｍｉｎ、 Δｔ＝２２ｍｉｎ。 この場合破壊温度は約８４０℃であった。このようにして焼成された最終製品は ７７Ｋで零磁界において明らかに４×１０⁴以上の再現可能な臨界電流密度を示 した。 上述の実施例によれば、「パウダー・イン・チューブ」法による長く延伸され た特にテープ状の超伝導体がこの発明により焼成されることから出発した。しか しながらこの発明はこのような技術に限定されるものではなく、後から銀材料被 覆を超伝導材料の半製品の回りに構成するＢ_i２２１２相或いはＢ_i２２２３相の 超伝導体の製造にも同様に好適である。このように構成された被覆の例はドイツ 連邦共和国特許出願公開第４３０８６８１号明細書により明らかである。この刊 行物によれば半製品はシルクプロセス法によりテープ状の銀支持体の上にペース ト状に形成される。この半製品のまだ露出している表面部は、その場合、このよ うにして得られた構成がその後でこの発明に従って焼成されて線材にさらに加工 される前に、例えば箔状の被膜要素で密封されなければならない。 この発明による方法は主としてＢ_i２２２３相を持つ単芯或いは多芯超伝導体 の製造に限定されるものではない。同様にこの方法でもって、主としてＢ_i２２ １２相のみを持つ或いはＢ_i２２１２相及びＢ_i２２２３相の混合相を持つ超伝導 体も製造可能である。この場合にも溶融温度Ｔｚの前述の規定が当てはまる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヘルデルフアー、ヘルムート ドイツ連邦共和国 デー−90411 ニユル ンベルク ベツツエンシユタイナー シユ トラーセ 17 (72)発明者 ロアス、ベルンハルト ドイツ連邦共和国 デー−91058 エルラ ンゲン ザイデルシユタイク 55

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．銀材料からなるマトリックスに埋め込まれ、ビスマス系２２１２及び／又は ２２２３型の高Ｔ_c相を持つ超伝導材料からなる少なくとも１つの導線コアを備 えた長尺単芯或いは多芯超伝導体の製造方法であって、 ・マトリックス材料と、超伝導材料の半製品からなる少なくとも１つのコアとか らなる構造が作られ、 ・この構造が特に断面を減少させる変形処理によって線材に移行され、 ・この線材が、高Ｔ_c相を形成するために酸素を含む雰囲気中において制御され た溶融プロセスで焼成処理される ものにおいて、高温の第一の温度レベル（Ｔ１）と低温の第二の温度レベル（Ｔ ２）との間で周期的に変動する温度で少なくとも１回の焼成処理が行われ、その 際第一の温度レベル（Ｔ１）は形成すべき高Ｔ_c相の破壊温度（Ｔｚ）より最高 でも７Ｋ高く、第二の温度レベル（Ｔ２）は破壊温度（Ｔｚ）より最高でも９Ｋ 低くすることを特徴とする超伝導体の製造方法。 ２．高温の方の温度（Ｔ１）が高Ｔ_c相の破壊温度（Ｔｚ）より最高でも５Ｋ、 特に最高でも３Ｋ高くされることを特徴とする請求項１に記載の方法。 ３．低温の方の温度（Ｔ２）が高Ｔ_c相の破壊温度（Ｔｚ）より最高でも７Ｋ、 特に最高でも５Ｋ低くされることを特徴とする請求項１又は２記載の方法。 ４．高温の方の温度（Ｔ１）と低温の方の温度（Ｔ２）との間の温度差（ΔＴ） が１乃至１０Ｋの間に設定されることを特徴とする請求項１乃至３の１つに記載 の方法。 ５．焼成処理の周期が２分乃至２００分の期間を持つようにされることを特徴と する請求項１乃至４の１つに記載の方法。 ６．低温の方の温度（Ｔ２）から高温の方の温度（Ｔ１）への平均加熱率（ｄＴ ／ｄｔ）並びに高温の方の温度（Ｔ１）から低温の方の温度（Ｔ２）への平均冷 却率（ｄＴ^*／ｄｔ）がそれぞれ０．０１Ｋ／分及び１０Ｋ／分の間に設定され ることを特徴とする請求項１乃至５の１つに記載の方法。 ７．高Ｔ_c相の形成のための線材（２）の焼成処理が１ｍバール及び２００ｍバ ールの間の酸素分圧で行われることを特徴とする請求項１乃至６の１つに記載の 方法。 ８．半製品材料を作るために高Ｔ_c相の前記の型の金属成分の少なくとも１つが 少なくとも部分的に他の金属成分によって、特にビスマス成分のビスマスが部分 的に鉛によって置換され、及び／又は高Ｔ_c相の少なくとも部分的な形成が保証 される限り、高Ｔ_c相の組成のベースと偏倚する化学当量が適用されることを特 徴とする請求項１乃至７の１つに記載の方法。 ９．マトリックス材料と半製品材料の少なくとも１つのコアとからなる構造がパ ウダー・イン・チューブ法により作られることを特徴とする請求項１乃至８の１ つに記載の方法。 １０．多数の焼成処理の間に線材に単一軸方向のプレス処理が施されることを特 徴とする請求項１乃至９の１つに記載の方法。 １１．銀材料からなるマトリックス中に埋め込まれ、ビスマス系２２１２及び／ 又は２２２３型の高Ｔ_c相を持つ超伝導材料からなる少なくとも１つの導線コア を備え、高温の第一の温度レベル（Ｔ１）と低温の第二の温度レベル（Ｔ２）と の間で周期的に変動する温度で少なくとも１回の焼成処理が行われ、その際第一 の温度レベル（Ｔ１）は形成される高Ｔ_c相の破壊温度（Ｔｚ）より最高でも７ Ｋ高く、第二の温度レベル（Ｔ２）は破壊温度（Ｔｚ）より最高でも９Ｋ低いこ とを特徴とする長尺単芯或いは多芯超伝導体。 １２．請求項２乃至１０の１による製造方法を特徴とする請求項１１記載の多芯 超伝導体。