JPH1049927A - ディスク状記録媒体、そのデータ記録方法およびそれらを使用するディスク装置 - Google Patents

ディスク状記録媒体、そのデータ記録方法およびそれらを使用するディスク装置

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JPH1049927A
JPH1049927A JP20507796A JP20507796A JPH1049927A JP H1049927 A JPH1049927 A JP H1049927A JP 20507796 A JP20507796 A JP 20507796A JP 20507796 A JP20507796 A JP 20507796A JP H1049927 A JPH1049927 A JP H1049927A
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JP
Japan
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data
disk
data area
recording medium
temperature sensor
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JP20507796A
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Kazuyuki Yamamoto
一幸 山本
Osami Morita
修身 森田
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】ディスクの製造のための作業工程、作業時間を
少なくして生産性を上げ、生産コストを抑制する。 【解決手段】磁気ディスク10のサーボ領域SARやR
OMデータ領域DARには、サーボ情報やデータに対応
して凹凸パターンを形成する。磁性層10bへの着磁は
不要である。浮上スライダ33に誘導型ヘッド21A及
びMR型ヘッド21Bの複合型ヘッド21を搭載する。
ヘッド21Bを、サーボ領域SARやROMデータ領域
DARより夫々サーボ情報やデータを読み出すための温
度センサとしても使用する。ヘッド21Bを構成するM
R素子がサーボ領域SARやROMデータ領域DARを
通過すると、凹凸パターンによる熱抵抗の変化によって
MR素子の温度が変化し、その抵抗値が変化する。これ
により、サーボ領域SARやROMデータ領域DARに
おけるヘッド21Bの再生信号として、夫々凹凸パター
ンに対応したサーボ情報やデータが得られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、コンピュータシ
ステムの外部記憶装置として使用されるハードディスク
装置等に適用して好適なディスク状記録媒体、そのデー
タ記録方法およびそれらを使用するディスク装置に関す
る。詳しくは、データ領域にデータを温度変化を発生し
得る態様で記録し、そのデータ領域より温度センサによ
ってデータを再生可能とすることによって、製造のため
の作業工程、作業時間を少なくして量産性を上げ、生産
コストを抑制しようとしたディスク状記録媒体等に係る
ものである。
【0002】
【従来の技術】図17は、ハードディスク装置100の
概略構成を示している。ハードディスク装置100の主
要な機械要素として、シャーシ101と、このシャーシ
101上に設置されるヘッドアクチュエータ102およ
びスピンドルモータ103と、このスピンドルモータ1
03に取り付けられた磁気ディスク104と、この磁気
ディスク104等を密閉するためのトップカバー105
とが挙げられる。この場合、ヘッドアクチュエータ10
2をR方向に移動(シーク)させて、ヘッドアクチュエ
ータ102の先端に装着された磁気ヘッド106を磁気
ディスク104上の任意のトラックに位置決めし、デー
タの書き込みや読み出しをする。なお、Q方向は、磁気
ディスク104の回転方向である。
【0003】ここで、磁気ディスク104には、図18
に示すように、回転方向にサーボ領域SARおよびデー
タ領域DARが交互に設けられている。すなわち、トラ
ックが回転方向に複数(図示のものでは64)のセグメ
ント(フレーム)に均等に区分され、各セグメントの先
頭にはサーボ情報を記録するためのサーボ領域SARが
配され、続いてデータを記録するためのデータ領域DA
Rが配されている。サーボ領域SARは、磁気ヘッド1
06のスキュー角度に対応して、磁気ディスク104の
内周から外周にかけて、直線ではなく、円弧を描いてい
る。
【0004】サーボ領域SARには、サーボ情報が予め
記録される。サーボ情報は、磁気ディスク101の回転
に同期したクロック信号を得るためのクロックマーク、
トラックアドレス情報を得るためのパターン、磁気ヘッ
ドのトラッキング情報を得るためのパターン等で構成さ
れる。
【0005】データ領域DARには、512バイト等の
セクターと呼ばれる単位でデータが記録される。そし
て、各セクターのデータにはセクターID(Sector Ide
ntification Code)やECC(誤り訂正符号)等が付加
されて記録される。セクターIDは、ヘッド番号、トラ
ック番号、セクター番号等の他に、そのセクターがディ
フェクト等により使用不能であることを示す情報等も持
っている。
【0006】従来、磁気ディスクのサーボ領域には、サ
ーボライタと呼ばれる装置を使用してサーボ情報が記録
される。このサーボ情報の記録作業(サーボライト動
作)には、数十分もの時間がかかる。
【0007】そこで、本出願人は、先に、サーボライト
動作を不要とする磁気ディスク(ハードディスク媒体)
としてPERM(Pre-Embossed Rigid Magnetic)ディ
スクを提唱した。これは、図19に示すように、例え
ば、非磁性体基板104aのサーボ領域SARの部分に
サーボ情報に対応して凹凸パターンを形成した後に、そ
の非磁性体基板104a上に磁性層104bを形成し、
さらにその凹部、凸部をそれぞれ反対方向に磁化するこ
とで(矢印で磁化の向きを図示)、サーボ領域SARに
サーボ情報を記録してなるものである。
【0008】また、PERMディスクの派生技術として
PERM−ROM(Read Only Memory)が提案されてい
る。これは、データ領域DARの一部または全部にデー
タに対応して凹凸パターンを形成した後に、上述したサ
ーボ領域SARと同様に着磁してROM部分を形成する
ものである。サーボ情報やデータを表す凹凸は光ディス
クと同様なスタンパを用いて作成できるため、通常のサ
ーボライト、データライトという非常に時間のかかる工
程が不要になる。
【0009】図20は、データ領域DARの全部にRO
M部分を形成したROMディスク(磁気ディスク)10
4Aを示している。また、図21は、内周側のデータ領
域DARにROM部分を形成し、外周側のデータ領域D
ARは従来の磁気ディスクと同様に磁気的にデータを記
録再生し得るRAM(Random Access Memory)部分を形
成したROM−RAM混在ディスク(磁気ディスク)1
04Bを示している。
【0010】また、近年では、磁気ディスクをカートリ
ッジ化することにより、交換可能(可換式)にしたハー
ドディスク装置も実用化されている。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したP
ERMディスクを用いたとしても、着磁行程には数十秒
〜数分程度の作業時間が必要となる。そのため、量産性
がよくなく、生産コストが上昇するという不都合があ
る。
【0012】そこで、この発明では、製造のための作業
工程、作業時間を少なくして生産性を上げ、生産コスト
を抑制し得るディスク状記録媒体等を提供するものであ
る。
【0013】
【課題を解決するための手段】この発明に係るディスク
状記録媒体は、トラックにデータを記録するためのデー
タ領域が設けられ、このデータ領域の一部または全部に
はデータが温度変化を発生し得る態様で記録されるもの
である。
【0014】また、この発明に係るデータ記録方法は、
トラックにデータを記録するためのデータ領域が設けら
れているディスク状記録媒体において、データ領域の一
部または全部にデータを温度変化を発生し得る態様で記
録するものである。
【0015】また、この発明に係るディスク装置は、ト
ラックにデータを記録するためのデータ領域が設けら
れ、このデータ領域の一部または全部にデータが温度変
化を発生し得る態様で記録されるディスク状記録媒体を
取り扱うものであって、データ領域の一部または全部よ
りデータを再生する温度センサを備えるものである。
【0016】ディスク状記録媒体のトラックにデータを
記録するためのデータ領域が設けられている。そして、
データ領域の一部または全部に、データが温度変化を発
生し得る態様で記録される。例えば、データ領域の一部
または全部に、データに対応した凹凸パターン、データ
に対応して熱抵抗を異にする複数の部材を配列したパタ
ーン、データに対応して熱伝導率または摩擦係数を異に
する複数の部材を配列したパターン等が形成される。
【0017】温度センサは、例えばディスク状記録媒体
の表面に対して一定の浮上量で浮上する浮上スライダや
ディスク状記録媒体の表面を摺動する摺動スライダに搭
載される。例えば、ディスク状記録媒体のデータ領域の
一部または全部にデータに対応して凹凸パターンが形成
されている場合、浮上スライダに搭載された温度センサ
がそのデータ領域の一部または全部を通過すると、凹凸
による熱抵抗の変化によって検出温度が変化することか
ら、結果的に温度センサによってデータが再生される。
【0018】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、この
発明の実施の形態について説明する。本実施の形態は、
この発明をハードディスク装置に適用したものである。
【0019】図1は、実施の形態における磁気ディスク
10の概略構成を示している。この磁気ディスク10に
は、回転方向にサーボ領域SARおよびデータ領域DA
Rが交互に設けられている。すなわち、トラックが回転
方向に複数(図示のものでは64)のセグメント(フレ
ーム)に均等に区分され、各セグメントの先頭にはサー
ボ情報を記録するためのサーボ領域SARが配され、続
いてデータを記録するためのデータ領域DARが配され
ている。サーボ領域SARは、後述するヘッドのスキュ
ー角度に対応して、磁気ディスク10の内周から外周に
かけて、直線ではなく、円弧を描いている。
【0020】サーボ領域SARには、サーボ情報が予め
記録される。サーボ情報は、磁気ディスク10の回転に
同期したクロック信号を得るためのクロックマーク、ト
ラックアドレス情報を得るためのパターン、ヘッドのト
ラッキング情報を得るためのパターン等で構成される。
【0021】データ領域DARには、512バイト等の
セクターと呼ばれる単位でデータが記録される。そし
て、各セクターのデータにはセクターID(Sector Ide
ntification Code)やECC(誤り訂正符号)等が付加
されて記録される。セクターIDは、ヘッド番号、トラ
ック番号、セクター番号等の他に、そのセクターがディ
フェクト等により使用不能であることを示す情報等も持
っている。
【0022】ここで、サーボ領域SARおよびROM部
分を構成する内周側のデータ領域DARには、それぞれ
温度変化を発生し得る態様でサーボ情報およびデータが
予め記録される。すなわち、図2A,Bに示すように、
非磁性体基板10aのサーボ領域SARおよびROM部
分を構成する内周側のデータ領域DARに、それぞれサ
ーボ情報およびデータに対応して凹凸パターンがスタン
ピングにより一括形成される。そしてその後に、非磁性
体基板10aの全体に磁性層10bが形成され、RAM
部分を構成する外周側のデータ領域DARに磁気的にデ
ータを記録再生可能とされる。なお、サーボ領域SAR
およびROM部分を構成する内周側のデータ領域DAR
には、後述するように磁性層10bは不要であり、マス
キングをして磁性層10bが形成されないようにしても
よい。
【0023】図3は、実施の形態としてのハードディス
ク装置20を示している。
【0024】ハードディスク装置20は、磁気ディスク
10のRAM部分を構成する外周側のデータ領域DAR
にデータを書き込むためのインダクティブ型ヘッド21
Aと、そのデータ領域DARやROM部分を構成する内
周側のデータ領域DARよりデータを読み出すと共に、
磁気ディスク10のサーボ領域SARよりサーボ情報を
読み出すための磁気抵抗効果(MR:Magneto-Resistiv
e)型ヘッド21Bとを有している。
【0025】これらヘッド21A,21Bは、例えば、
図4に概略を示すように複合型ヘッド21として形成さ
れる。すなわち、ヘッド21A,21Bは、Al23Ti
C基板23上に薄膜プロセスで形成される。
【0026】MR型ヘッド21Bは、MR素子24を縦
型に用いると共に、そのMR素子をシールド磁性コア2
5,26で挟んだシールド型MR再生ヘッド構造とされ
る。MR素子24としては、例えばパーマロイ膜をAl
23の絶縁体を介して2層化したものが使用される。M
R素子24の先端側(磁気ディスク10の表面に対向す
る側)に電極27が接続されると共に、その後端側に電
極28が接続されている。
【0027】そして、電極27は接地され、電極28が
抵抗器29を介して電源端子+Bに接続される。これに
より、電極28から電極27に向かってセンス電流IS
としての定電流が流れ、電極28と抵抗器29との接続
点からMR素子24の抵抗変化に応じて変化する信号、
つまり再生信号を得ることが可能となる。
【0028】なお、MR素子24は、磁界に対する抵抗
変化が基本的に2乗特性であるので、上下対称性のよい
出力を得るために、リード30によってMR素子24の
短辺方向にバイアス電流IBを流し、MR素子24の長
辺方向にバイアス磁界を印加している。
【0029】一方、インダクティブ型ヘッド21Aは、
上述したシールド磁性コア26とライトコア31とで書
き込みギャップWGを得る構造とされる。コイル部に関
しては図示を省略している。上述せずも、MR型ヘッド
21Bに係る読み出しギャップRGは、シールド磁性コ
ア25,26によって得られる。なお、書き込み幅WW
は、ライトコア31の幅で決まり、読み出し幅RWはM
R素子24の幅で決まる。
【0030】上述したヘッド21A,21B、つまり複
合型ヘッド21は、図5に示すように、回転自在のピボ
ットに保持されたアーム(図示せず)の一端に固定され
ているサスペンション32の先端に取り付けられた浮上
スライダ33に搭載される。実際には、この浮上スライ
ダ33は、上述した複合型ヘッド21が形成されるAl2
3TiC基板23がスライダ形状に加工されて形成され
る。
【0031】サスペンション32は、浮上スライダ33
に荷重を付与するためのものである。なお、アームの他
端には、駆動モータとしてのボイスコイルモータ(VC
M:Voice Coil Motor)34が取り付けられている。浮
上スライダ33は、磁気ディスク10が回転している状
態では、その表面に対して一定の浮上量hで浮上するよ
うに構成されている。
【0032】上述したように、本実施の形態では、MR
型ヘッド21Bを、磁気ディスク10のサーボ領域SA
RおよびROM部分を構成する内周側のデータ領域DA
Rよりそれぞれサーボ情報およびデータを読み出すため
にも使用される。この場合、MR型ヘッド21Bを構成
するMR素子24(図4参照)は温度センサとして使用
される。すなわち、抵抗体としてのMR素子24の抵抗
値が温度が高くなるほど大きくなることを利用するもの
である。浮上スライダ33に搭載されたMR素子24が
磁気ディスク10のサーボ領域SARやROM部分を構
成する内周側のデータ領域DARを通過すると、凹凸パ
ターンによってMR素子24と磁気ディスク10との熱
抵抗が変化し、その凹凸パターンに応じてMR素子24
の温度、従って抵抗値が変化する。これにより、MR素
子24、従ってMR型ヘッド21Bによってサーボ情報
やデータが再生されることとなる。
【0033】ここで、本出願人は、基本的には図5に示
すような構成で、浮上スライダ33に複合ヘッド21の
代わりに抵抗体で形成した温度センサを搭載すると共
に、磁気ディスク10の代わりにバンプディスクを配置
し、浮上スライダ33の浮上量を変化させて温度センサ
の検出出力を測定した。
【0034】図6は、この測定に使用した温度センサ4
0の概略構成を示している。この温度センサ40は、以
下のように形成した。まず、浮上スライダ33の後端に
熱伝導率が60〜80W/mKのパーマロイを蒸着法に
よって膜厚60nmで被着した。次に、ドライエッチン
グ法によってパーマロイ層をエッチングし、縦10μ
m、横2.5μmの抵抗体41を作成した。次に、抵抗
体41の先端側、後端側にそれぞれ銅の電極42,43
を形成した。そして、電極42を接地し、電極43を抵
抗器44を介して電源端子+Bに接続することで、電極
43から電極42に向かってセンス電流としての定電流
を流し、電極43と抵抗器44との接続点から検出出力
を得るようした。
【0035】また、この測定に使用したバンプディスク
50は、半径20mm、24mm、28mmのそれぞれ
の位置に半径方向に一直線上に配置するように、直径が
30μmで高さが40nmのバンプが3個形成されてな
るものである。そして、測定には、半径28mmに位置
するバンプを使用して行った。
【0036】なお、浮上スライダ33に荷重を与えるサ
スペンション32として、米国ハッチンソン社製のTy
pe1950を使用した。また、温度センサ40を搭載
した浮上スライダ33の浮上量を変化させるために、バ
ンプディスク50の回転速度を変化させて、浮上スライ
ダ33との相対速度を変化させた。相対速度が大きいほ
ど浮上スライダ33の浮上量は大きくなる。
【0037】図7は、浮上スライダ33の浮上量と温度
センサ40の検出出力との関係を示している。
【0038】浮上量がバンプの高さ(40nm)よりも
大きい場合、検出出力が小さくなる。これに対して、浮
上量がバンプの高さよりも小さい場合、検出出力は極端
に大きくなる。また、浮上量がバンプ高さより大きい場
合、下に凸の電圧波形となる。図8Aは、図7のHa付
近の電圧波形を示している。これに対して、浮上量がバ
ンプの高さよりも小さい場合、上に凸の電圧波形とな
る。図8Bは、図7のHb付近の電圧波形を示してい
る。
【0039】この理由は、以下のように考えることがで
きる。浮上量がバンプ高さより小さい場合は、温度セン
サ40を構成する抵抗体41とバンプが衝突することに
より、抵抗体41に熱が発生し、その熱で抵抗体41の
抵抗値が大きくなる。したがって、検出出力は大きくな
る。浮上量がバンプ高さより大きい場合は、抵抗体41
はバンプには衝突しないが、バンプの上を通過する際、
ディスク面と抵抗体41の距離がバンプ高さの分だけ小
さくなる。そのため、抵抗体41とバンプディスク50
との間の熱抵抗が小さくなり、抵抗体41の熱がディス
クの方に放出され、抵抗体41の抵抗値が小さくなる。
したがって、検出出力は小さくなる。
【0040】なお、浮上量とバンプ高さがほぼ同じ場合
は、バンプに近付く放熱の効果と、バンプとの衝突によ
る吸熱の効果が混在していると思われる。
【0041】上述せずも、本実施の形態において、MR
型ヘッド21Bは浮上スライダ33に搭載されており、
磁気ディスク10のディスク面に接触することはない。
そのため、サーボ領域SARやROM部分を構成する内
周側のデータ領域DARを通過する際には、凹凸パター
ンによってMR素子24と磁気ディスク10との間の熱
抵抗が変化し、凹凸パターンに応じてMR素子24の温
度、従って抵抗値が変化する。よって、MR型ヘッド2
1Bの再生信号として凹凸パターンに対応したサーボ情
報やデータが得られることとなる。
【0042】図9は、サーボ領域SARやROM部分を
構成する内周側のデータ領域DARからのMR型ヘッド
21Bの再生信号SMRを示しており、凹部に対応して電
圧値が大きくなり、凸部に対応して電圧値が小さくな
る。
【0043】なお、上述せずも、磁気ディスク10の材
質や浮上スライダ33の浮上量hの選び方次第では、M
R型ヘッド21Bと磁気ディスク10との間の空気絶縁
が破壊され、空中放電が起きる可能性がある。これに対
しては、MR型ヘッド21Bの先端側の電極27の電位
と磁気ディスク10の表面電位との差を空中放電が起き
ない程度に設定しておけばよい。例えば、図4に示すよ
うにMR型ヘッド21Bの先端側の電極27が接地され
る場合(図4参照)、磁気ディスク10の表面電位を接
地電位またはその近傍電位となるようにすればよい。
【0044】また、図3に戻って、ハードディスク装置
20は、ホストコンピュータと接続するためのインタフ
ェース部60と、装置全体の動作を制御するためのマイ
クロプロセッサ(MPU)61と、このマイクロプロセ
ッサ61の動作プログラム等を格納したROM(Read-O
nly Memory)62とを有している。この場合、ホストコ
ンピュータより送られてくるライトコマンドやリードコ
マンドは、インタフェース部60を介してマイクロプロ
セッサ61に供給される。
【0045】また、ハードディスク装置20は、ホスト
コンピュータよりインタフェース部60を介して送られ
てくる書き込みデータWDを一時的に記憶する書き込み
データバッファ63と、このバッファ63より書き込み
タイミングで読み出された書き込みデータWDに対して
誤り訂正符号の付加処理、ディジタル変調処理等を施し
て記録データを得る書き込みデータ処理回路64とを有
している。ディジタル変調方式としては、例えばMFM
(Modified Frequency Modulation)方式やRLL(Run
Length Limited)方式等が使用されている。
【0046】また、ハードディスク装置20は、 デー
タ処理回路64より出力される記録データに対して書き
込み補償をする書き込み補償回路65と、この書き込み
補償回路65の出力データに対応した記録電流信号を得
てインダクティブ型ヘッド21Aに供給する記録アンプ
66とを有している。書き込み補償回路65では、高密
度記録の際に発生する磁化反転干渉による読み出し信号
のピークシフトに対して書き込み時の磁化反転タイミン
グの微少補正が行われる。
【0047】また、ハードディスク装置20は、読み出
し時に磁気ディスク10よりMR型ヘッド21Bで再生
される信号SMRを増幅するための再生アンプ70と、こ
の再生アンプ70の出力信号に対して読み出し補償をす
る読み出し補償回路71とを有している。読み出し補償
回路71では、波形等化によってピークシフトの減少化
が行われる。
【0048】また、ハードディスク装置20は、読み出
し補償回路71より出力される検出パルスに対してディ
ジタル復調処理、誤り訂正処理等をして読み出しデータ
RDを得る読み出しデータ処理回路73と、このデータ
処理回路73より出力される読み出しデータRDを一時
的に格納する読み出しデータバッファ74とを有してい
る。データ処理回路73では、上述したセクターIDの
抽出も行われる。そして、このセクターIDはマイクロ
プロセッサ61に供給される。
【0049】なお、ROM部分のデータ領域DARより
再生される信号SMRの波形は、RAM部分のデータ領域
DARより再生される信号SMRの波形を積分したような
波形となる。そのため、ROM部分の再生であるかRA
M部分の再生であるかにより、マイクロプロセッサ61
の制御によって、データ処理回路73の処理が変更され
る。
【0050】また、ハードディスク装置20は、ボイス
コイルモータ34の動作を制御して、ヘッド21A,2
1Bを磁気ディスク10上の目標トラックに位置決めす
るための位置制御回路80と、再生アンプ70より出力
されるサーボ領域SARの再生信号よりサーボ情報を検
出するためのサーボ情報検出器81とを有している。こ
のサーボ情報検出器81で得られるトラックアドレス情
報TADやトラッキング情報TRAは位置制御回路80
に供給される。なお、位置制御回路80には、書き込み
時や読み出し時にマイクロプロセッサ61より目標トラ
ックアドレス情報ADOが与えられる。
【0051】また、ハードディスク装置20は、磁気デ
ィスク10の回転に同期したクロック信号CLKを生成
するクロック生成回路82と、磁気ディスク10上にお
ける種々の情報点位置を示すタイミング信号を発生する
タイミング発生回路83とを有している。
【0052】クロック生成回路82では、サーボ情報検
出器82より供給されるクロックゲート信号によりクロ
ックマークの再生孤立波形が抽出され、それに基づいて
磁気ディスク10の回転に同期したクロック信号CLK
の生成が行われる。このクロック生成回路82で生成さ
れるクロック信号CLKは、サーボ情報検出器81やタ
イミング発生回路83に供給されると共に、その他の必
要な箇所に供給される。
【0053】タイミング発生回路83には、サーボ情報
検出器81より原点位置を示す信号STPが供給される
と共に、上述したようにクロック生成回路82よりクロ
ック信号CLKが供給される。タイミング発生回路83
では、原点位置からのクロック数がカウントされ、その
カウント値に基づいて種々のタイミング信号が発生され
る。
【0054】図3に示すハードディスク装置20の動作
を説明する。
【0055】電源投入直後または同期はずれ後に、以下
の初期同期の確立動作が行われる。この場合、磁気ディ
スク10よりMR型ヘッド21Bで再生される信号SMR
は再生アンプ70に供給されて増幅される。そして、ク
ロック生成回路82では、磁気ディスク10のサーボ領
域SARの再生信号よりクロックマークの再生孤立波形
を抽出し、それに基づいて内部に持つPLL(Phase-Lo
cked Loop)の位相を更新し、磁気ディスク10の回転
に同期したクロック信号CLKを得る。
【0056】上述した初期同期の確立後に、書き込み/
読み出しの動作が行われる。まず、書き込み動作を説明
する。マイクロプロセッサ61は、ホストコンピュータ
より送られてくるライトコマンドを受信すると、ROM
62に記憶されている変換テーブルを利用してコマンド
中の論理ブロック番号を磁気ディスク10の物理位置
(ヘッド番号、トラック番号、セクター番号)に変換す
る。これにより、目標トラックアドレスや書き込み開始
セクターを認識する。
【0057】そして、マイクロプロセッサ61は、位置
制御回路80に目標トラックアドレス(トラック番号)
をセットしてトラックシークの動作を開始させる。トラ
ックシーク動作は、以下のように行われる。
【0058】すなわち、位置制御回路80は、サーボ情
報検出器81で得られるトラックアドレス情報TADに
よるヘッド21A,21Bの現在地のトラックアドレス
と目標トラックアドレスを比較し、現在地のトラックア
ドレスが目標トラックアドレスと一致するようにボイス
コイルモータ34を制御する。また、現在地のトラック
アドレスが目標トラックアドレスと一致した後、位置制
御回路80は、サーボ情報検出器81で得られるトラッ
キング情報TRAに基づき、ヘッド21A,21Bが目
標トラックの中心に位置するようにボイスコイルモータ
34を制御する。ヘッド21A,21Bが目標トラック
の中心に位置する状態となることでトラックシークが完
了する。
【0059】トラックシークが完了した後に、マイクロ
プロセッサ61は、読み出しデータ処理回路73で抽出
されるセクターIDを参照して、書き込みの開始セクタ
ーにアクセスし、ホストコンピュータより転送されてき
て書き込みデータバッファ63に一時的に記憶されてい
た書き込みデータWDの読み出しを開始する。そして、
書き込みデータ処理回路64では書き込みデータバッフ
ァ108より読み出された書き込みデータWDに対して
誤り訂正符号の付加処理、ディジタル変調処理等が施さ
れて記録データが形成され、この記録データは書き込み
補償回路65で書き込み補償されて記録アンプ66に供
給される。
【0060】そして、記録アンプ66より書き込みデー
タWDに対応した記録電流信号が出力され、この記録電
流信号がインダクティブ型ヘッド21Aに供給される。
これにより、ホストコンピュータより転送されてきた書
き込みデータWDが、ライトコマンドで指定された磁気
ディスク10のRAM部分の所定セクターに、インダク
ティブ型ヘッド21Aによって記録される。
【0061】次に、読み出し動作を説明する。マイクロ
プロセッサ61は、ホストコンピュータより送られてき
たリードコマンドを受信すると、ROM62に記憶され
ている変換テーブルを利用してコマンド中の論理ブロッ
ク番号を磁気ディスク10の物理位置(ヘッド番号、ト
ラック番号、セクター番号)に変換する。これにより、
目標トラックアドレスや読み出し開始セクターを認識す
る。
【0062】そして、マイクロプロセッサ61は、位置
制御回路80に目標トラックアドレス(トラック番号)
をセットしてトラックシークの動作を開始させる。トラ
ックシーク動作は、上述した書き込み時と同様に行われ
る。
【0063】読み出し時には、磁気ディスク10のデー
タ領域DARよりMR型ヘッド21Bで再生される信号
が再生アンプ70に供給されて増幅され、その後に読み
出し補償回路71で読み出し補償されて読み出しデータ
処理回路73に供給される。そして、データ処理回路7
3では、読み出し補償回路71の出力信号に対してディ
ジタル復調処理、誤り訂正処理等が施されて読み出しデ
ータRDが得られる。
【0064】トラックシークが完了した後に、マイクロ
プロセッサ61は、読み出しデータ処理回路73で抽出
されるセクターIDを参照して、読み出し開始セクター
にアクセスする。そして、マイクロプロセッサ61は、
読み出し開始セクターにアクセスした後に、読み出しデ
ータ処理回路73より出力される読み出しデータRD
を、読み出しデータバッファ74を介してホストコンピ
ュータに転送する。これにより、リードコマンドで指定
された磁気ディスク10のRAM部分やROM部分の所
定セクターより読み出しデータRDが得られ、この読み
出しデータRDがホストコンピュータに転送される。
【0065】このように本実施の形態においては、磁気
ディスク10のサーボ領域SARおよびROM部分を構
成する内周側のデータ領域DARに、それぞれサーボ情
報およびデータに対応して凹凸パターンが形成され、こ
のサーボ領域SARおよびデータ領域DARより浮上ス
ライダ33に搭載されたMR型ヘッド21Bを温度セン
サとして使用することで、それぞれサーボ情報およびデ
ータを再生するものである。サーボ領域SARおよびR
OM部分を構成する内周側のデータ領域DARの凹部、
凸部をそれぞれ反対方向に磁化する着磁行程が不要とな
り、磁気ディスク10の量産性が向上し、生産コストを
低減できる。なお、MR型ヘッド21Bは、MR素子2
4を使用して構成したものを示したが、GMR(Giant
MR)素子を使用して構成してもよい。
【0066】ところで、上述実施の形態においては、複
合型ヘッド21が浮上スライダ33に搭載されたものを
示したが、図10に示すように、複合型ヘッド21を磁
気ディスク10の表面を摺動する摺動スライダ91に搭
載するようにしてもよい。この図10において、図5と
対応する部分には同一符号を付して示している。摺動ス
ライダ91の切り欠き部92はディスク面との接触面積
を小さくして摺動抵抗を低減するためのものである。
【0067】図10に示すように複合型ヘッド21を摺
動スライダ91に搭載するハードディスク装置20Aで
は、MR素子24が磁気ディスク10のサーボ領域SA
RやROM部分を構成する内周側のデータ領域DARを
通過する際、凸部では摩擦による吸熱でMR素子24の
温度が上昇してその抵抗値が大きくなり、凹部では所定
の熱抵抗による放熱でMR素子24の温度が下降してそ
の抵抗値が小さくなる。したがって、サーボ領域SAR
やデータ領域DARの凹凸パターンに応じてMR素子2
4の抵抗値が変化し、MR型ヘッド21Bの再生信号と
して凹凸パターンに対応したサーボ情報やデータが得ら
れることとなる。図11は、サーボ領域SARやROM
部分を構成する内周側のデータ領域DAR通過する際の
MR型ヘッド21Bの再生信号SMRを示しており、凹部
に対応して電圧値が小さくなり、凸部に対応して電圧値
が大きくなる。
【0068】また、上述実施の形態においては、RAM
部分を構成する外周側のデータ領域DARよりデータを
再生するMR型ヘッド21Bを温度センサとして使用す
ることでサーボ領域SARやROM部分を構成する内周
側のデータ領域DARよりサーボ情報やデータを再生す
るようにしたものであるが、RAM部分を構成する外周
側のデータ領域DARよりデータを再生するヘッドとは
別個に、温度センサを浮上スライダや摺動スライダに搭
載するようにしてもよい。
【0069】この場合、温度センサとしては、図6に示
すような温度センサ40が考えられるが、図12に示す
ように抵抗体41の形状をV字型としてもよい。この図
12において、図6と対応する部分には、同一符号を付
して示している。このように抵抗体41をV字型にくび
れさせることにより、温度センサのスケールダウンと同
様の効果を得ることができる。
【0070】すなわち、温度センサをスケールダウンす
ることで、熱に対する応答を速くでき(体積はスケール
の3乗に比例し、表面積はスケールの2乗に比例するこ
と等に起因)、また温度変化の幅が大きくなって検出出
力が大きくなる。よって、ディスクが小型、高容量であ
る場合、それに合わせて温度センサを小型とする程、そ
の温度センサは応答性、S/Nに優れたものとなり、小
型、高容量のディスクに好適なものとなる。
【0071】また、図12に示すように抵抗体41の形
状をV字型とする場合、ディスク面側に位置する頂点4
1a近傍の温度変化が大きくなる。抵抗体41を流れる
電流は頂点41a近傍を確実に流れるので、頂点41a
近傍の温度変化を抵抗値の変化として検出できる。頂点
41a近傍を微細に加工する程、応答性、S/Nに優れ
た温度センサ40を得ることができる。
【0072】なお、図12に示すように抵抗体41の形
状をV字型とする場合、この抵抗体41の磁気ディスク
10の表面に対向する面の電位を磁気ディスク10の表
面電位、例えば接地電位と同一とすることは困難であ
る。この場合には、抵抗体41の磁気ディスク10の表
面に対向する面の電位と磁気ディスク10の表面電位と
の差を空中放電が起きない程度に設定しておけばよい。
【0073】また、上述実施の形態においては、ROM
部分とRAM部分とを有する磁気ディスク10に関して
説明したが、図13に示すようにROM部分のみを有す
るディスク10Aも考えられる。
【0074】このディスク10Aには、磁気ディスク1
0と同様に、回転方向にサーボ情報を記録するためのサ
ーボ領域SARとデータを記録するためのデータ領域D
ARとが交互に設けられている。ここで、サーボ領域S
ARおよびデータ領域DARには、それぞれ温度変化を
発生し得る態様でサーボ情報およびデータが予め記録さ
れる。すなわち、図14に示すように、非磁性体基板1
0aのサーボ領域SARおよびデータ領域DARに、そ
れぞれサーボ情報およびデータに対応して凹凸パターン
がスタンピングにより一括形成される。このディスク1
0Aは、ROM部分のみを有するものであることから、
上述した磁気ディスク10のように磁性層10bを形成
する必要はない。
【0075】このように構成されるディスク10Aに関
しては、図6や図12に示すような温度センサ40を浮
上スライダや摺動スライダに搭載することで、サーボ領
域SARおよびデータ領域DARよりそれぞれサーボ情
報およびデータを再生することができる。
【0076】また、上述実施の形態においては、磁気デ
ィスク10のサーボ領域SARやデータ領域DARにサ
ーボ情報やデータに対応して凹凸パターンを形成するも
のを示したが、温度変化を発生し得る態様としては、図
15に示すように熱抵抗を異にする複数の部材を配列し
たパターンを形成するようにしてもよい。図15におい
て、図5と対応する部分には同一符号を付して示してい
る。
【0077】この場合、ディスク93は、アモルファス
基板93aを使用して構成され、サーボ領域SARやデ
ータ領域DARには、サーボ情報やデータに応じて非晶
質状態(アモルファス状態)より結晶状態93bに変化
させることで、サーボ情報やデータの記録が行われてい
る。また、浮上スライダ33には、図6や図12に示す
ような温度センサ40が搭載される。
【0078】図15に示すハードディスク装置20Bで
は、温度センサ40がサーボ領域SARやデータ領域D
ARを通過する際には、熱抵抗を異にする複数の部材を
配列したパターンによる熱抵抗の変化によって抵抗体4
1の温度が変化し、その抵抗値が変化する。よって、温
度センサ40の再生信号として熱抵抗を異にする複数の
部材を配列したパターンに対応したサーボ情報やデータ
が得られることとなる。
【0079】なお、図15に示すハードディスク装置2
0Bにおけるディスク93では、複数の部材が同一物質
の異なる相(非晶質状態および結晶状態)で構成される
ものを示したが、複数の異なる物質で構成するようにし
てもよい。
【0080】また、図15に示すハードディスク装置2
0Bでは、温度センサ40を浮上スライダ33に搭載し
たものであるが、この温度センサ40を摺動スライダに
搭載するものであってもよい(図10参照)。その場合
にも、温度センサ40がサーボ領域SARやデータ領域
DARを通過する際、温度センサ40の再生信号とし
て、熱抵抗を異にする複数の部材を配列したパターンに
対応したサーボ情報やデータを得ることができる。
【0081】次に、図16は、さらに他の実施の形態を
示している。図16に示すハードディスク装置20Cで
は、サーボ領域SARやデータ領域DARに、熱伝導率
または摩擦係数を異にする複数の部材を配列したパター
ンを形成するものである。図16において、図10と対
応する部分には同一符号を付して示している。
【0082】この場合、ディスク94は、アモルファス
基板94aを使用して構成され、サーボ領域SARやデ
ータ領域DARには、サーボ情報やデータに応じて非晶
質状態(アモルファス状態)より結晶状態94bに変化
させることで、サーボ情報やデータの記録が行われてい
る。また、摺動スライダ91には、図6や図12に示す
ような温度センサ40が搭載される。
【0083】図16に示すハードディスク装置20Cで
は、温度センサ40がサーボ領域SARやデータ領域D
ARを通過する際には、熱伝導率または摩擦係数を異に
する複数の部材を配列したパターンによる放熱や吸熱の
変化によって抵抗体41の温度が変化し、その抵抗値が
変化する。よって、温度センサ40の再生信号として,
熱伝導率または摩擦係数を異にする複数の部材を配列し
たパターンに対応したサーボ情報やデータが得られるこ
ととなる。
【0084】なお、図16に示すハードディスク装置2
0Cにおけるディスク94では、複数の部材が同一物質
の異なる相(非晶質状態および結晶状態)で構成される
ものを示したが、複数の異なる物質で構成するようにし
てもよい。
【0085】また、上述した実施の形態における磁気デ
ィスク10、ディスク10A、さらにはディスク93,
94は、上述せずもカートリッジ化することで交換可能
(可搬式)とすることができる。
【0086】また、上述実施の形態においては、サンプ
ルサーボ方式のものを示したが、この発明は連続溝サー
ボ方式のものにも適用できることは勿論である。
【0087】
【発明の効果】この発明によれば、データ領域の一部ま
たは全部にデータを温度変化を発生し得る態様で記録
し、そのデータ領域の一部または全部より温度センサに
よってデータを再生可能とするものである。したがっ
て、例えば磁気ディスクのROM部分のデータ領域にデ
ータを記録するための着磁工程が不要となり、その製造
のための作業工程、作業時間を少なくして量産性を上
げ、生産コストを抑制することができる。また、温度セ
ンサは小型になるほど応答性が向上し、またS/Nが大
きくなるため、小型、高密度のディスク装置を実現でき
る利益がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態における磁気ディスクの概略構成を
示す図である。
【図2】サーボ領域、データ領域の構成を示す図であ
る。
【図3】実施の形態としてのハードディスク装置を示す
回路ブロック図である。
【図4】インダクティブ型ヘッドとMR型ヘッドよりな
る複合型ヘッドの概略構成を示す図である。
【図5】複合型ヘッドを搭載した浮上スライダを示す図
である。
【図6】温度センサの概略構成を示す図である。
【図7】浮上スライダの浮上量と温度センサの検出出力
との関係を示す図である。
【図8】温度センサの検出出力の電圧波形を示す図であ
る。
【図9】サーボ領域、データ領域(ROM部分)のMR
型ヘッドの再生信号を示す図である。
【図10】他の実施の形態としてのハードディスク装置
の要部を示す図である。
【図11】サーボ領域、データ領域(ROM部分)のM
R型ヘッドの再生信号を示す図である。
【図12】他の温度センサの概略構成を示す図である。
【図13】ROM部分のみを有するディスクの概略構成
を示す図である。
【図14】サーボ領域、データ領域の構成を示す図であ
る。
【図15】他の実施の形態としてのハードディスク装置
の要部を示す図である。
【図16】他の実施の形態としてのハードディスク装置
の要部を示す図である。
【図17】ハードディスク装置の概略構成を示す斜視図
である。
【図18】磁気ディスクの概略構成を示す図である。
【図19】PERMディスクの構成例を示す図である。
【図20】ROMディスク(磁気ディスク)の概略構成
を示す図である。
【図21】ROM−RAM混在ディスク(磁気ディス
ク)の概略構成を示す図である。
【符号の説明】
10・・・磁気ディスク、10A,93,94・・・デ
ィスク、10a・・・非磁性体基板、10b・・・磁性
層、20,20A,20B,20C・・・ハードディス
ク装置、21・・・複合型ヘッド、21A・・・インダ
クティブ型装置、21B・・・磁気抵抗効果(MR)型
ヘッド、24・・・MR素子、33・・・浮上スライ
ダ、34・・・ボイスコイルモータ(VCM)、60・
・・インタフェース部、61・・・マイクロプロセッサ
(MPU)、64・・・書き込みデータ処理回路、65
・・・書き込み補償回路、71・・・読み出し補償回
路、73・・・読み出しデータ処理回路、80・・・位
置制御回路、81・・・サーボ情報検出器、82・・・
クロック生成回路、83・・・タイミング発生回路、9
1・・・摺動スライダ

Claims (24)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 トラックにデータを記録するためのデー
    タ領域が設けられ、 上記データ領域の一部または全部には上記データが温度
    変化を発生し得る態様で記録されることを特徴とするデ
    ィスク状記録媒体。
  2. 【請求項2】 上記データ領域の一部または全部には、
    上記データに対応して凹凸パターンが形成されることを
    特徴とする請求項1に記載のディスク状記録媒体。
  3. 【請求項3】 上記データ領域の一部または全部には、
    上記データに対応して熱抵抗を異にする複数の部材を配
    列したパターンが形成されることを特徴とする請求項1
    に記載のディスク状記録媒体。
  4. 【請求項4】 上記複数の部材は、同一物質の異なる相
    であることを特徴とする請求項3に記載のディスク状記
    録媒体。
  5. 【請求項5】 上記データ領域の一部または全部には、
    上記データに対応して熱伝導率を異にする複数の部材を
    配列したパターンが形成されることを特徴とする請求項
    1に記載のディスク状記録媒体。
  6. 【請求項6】 上記複数の部材は、同一物質の異なる相
    であることを特徴とする請求項5に記載のディスク状記
    録媒体。
  7. 【請求項7】 上記データ領域の一部または全部には、
    上記データに対応して摩擦係数を異にする複数の部材を
    配列したパターンが形成されることを特徴とする請求項
    1に記載のディスク状記録媒体。
  8. 【請求項8】 上記複数の部材は、同一物質の異なる相
    であることを特徴とする請求項7に記載のディスク状記
    録媒体。
  9. 【請求項9】 トラックにデータを記録するためのデー
    タ領域が設けられているディスク状記録媒体において、 上記データ領域の一部または全部に上記データを温度変
    化を発生し得る態様で記録することを特徴とするデータ
    記録方法。
  10. 【請求項10】 トラックにデータを記録するためのデ
    ータ領域が設けられ、上記データ領域の一部または全部
    に上記データが温度変化を発生し得る態様で記録される
    ディスク状記録媒体を取り扱うものであって、 上記データ領域の一部または全部より上記データを再生
    する温度センサを備えることを特徴とするディスク装
    置。
  11. 【請求項11】 上記データ領域の一部または全部には
    上記データに対応して凹凸パターンが形成され、 上記温度センサは上記ディスク状記録媒体の表面に対し
    て一定の浮上量で浮上する浮上スライダに搭載され、 上記温度センサは上記データ領域の一部または全部を通
    過するときの熱抵抗の変化による温度変化を検出するこ
    とで上記データを再生することを特徴とする請求項10
    に記載のディスク装置。
  12. 【請求項12】 上記データ領域の一部または全部には
    上記データに対応して凹凸パターンが形成され、 上記温度センサは上記ディスク状記録媒体の表面を摺動
    する摺動スライダに搭載され、 上記温度センサは上記データ領域の一部または全部を通
    過するときの温度変化を検出することで上記データを再
    生することを特徴とする請求項10に記載のディスク装
    置。
  13. 【請求項13】 上記データ領域の一部または全部には
    上記データに対応して熱抵抗を異にする複数の部材を配
    列したパターンが形成され、 上記温度センサは上記ディスク状記録媒体の表面に対し
    て一定の浮上量で浮上する浮上スライダに搭載され、 上記温度センサは上記データ領域の一部または全部を通
    過するときの熱抵抗の変化による温度変化を検出するこ
    とで上記データを再生することを特徴とする請求項10
    に記載のディスク装置。
  14. 【請求項14】 上記データ領域の一部または全部には
    上記データに対応して熱抵抗を異にする複数の部材を配
    列したパターンが形成され、 上記温度センサは上記ディスク状記録媒体の表面を摺動
    する摺動スライダに搭載され、 上記温度センサは上記データ領域の一部または全部を通
    過するときの温度変化を検出することで上記データを再
    生することを特徴とする請求項10に記載のディスク装
    置。
  15. 【請求項15】 上記データ領域の一部または全部には
    上記データに対応して熱伝導率を異にする複数の部材を
    配列したパターンが形成され、 上記温度センサは上記ディスク状記録媒体の表面を摺動
    する摺動スライダに搭載され、 上記温度センサは上記データ領域の一部または全部を通
    過するときの温度変化を検出することで上記データを再
    生することを特徴とする請求項10に記載のディスク装
    置。
  16. 【請求項16】 上記データ領域の一部または全部には
    上記データに対応して摩擦係数を異にする複数の部材を
    配列したパターンが形成され、 上記温度センサは上記ディスク状記録媒体の表面を摺動
    する摺動スライダに搭載され、 上記温度センサは上記データ領域の一部または全部を通
    過するときの温度変化を検出することで上記データを再
    生することを特徴とする請求項10に記載のディスク装
    置。
  17. 【請求項17】 上記温度センサは温度変化に対応して
    抵抗値が変化する抵抗体を使用して構成され、 上記抵抗体に定電流を流し、その抵抗体の両端電圧を検
    出出力とすることを特徴とする請求項10に記載のディ
    スク装置。
  18. 【請求項18】 上記温度センサは、上記ディスク状記
    録媒体の表面に対して一定の浮上量で浮上する浮上スラ
    イダに搭載され、 上記温度センサは、温度変化に対応して抵抗値が変化す
    る抵抗体を使用して構成され、上記抵抗体に定電流を流
    し、その抵抗体の両端電圧を検出出力とするものであ
    り、 上記抵抗体の上記ディスク状記録媒体の表面に対向する
    面の電位が上記ディスク状記録媒体の表面の電位と同一
    とされることを特徴とする請求項10に記載のディスク
    装置。
  19. 【請求項19】 上記温度センサは、上記ディスク状記
    録媒体の表面に対して一定の浮上量で浮上する浮上スラ
    イダに搭載され、 上記温度センサは、温度変化に対応して抵抗値が変化す
    る抵抗体を使用して構成され、上記抵抗体に定電流を流
    し、その抵抗体の両端電圧を検出出力とするものであ
    り、 上記抵抗体の上記ディスク状記録媒体の表面に対向する
    面の電位と上記ディスク状記録媒体の表面の電位との差
    が空中放電を開始する電位差よりも常に小さくなるよう
    に設定されることを特徴とする請求項10に記載のディ
    スク装置。
  20. 【請求項20】 上記抵抗体が上記データ領域の一部ま
    たは全部を通過するとき、上記抵抗体の特定の一部分の
    みが温度変化によって抵抗値が変化することを特徴とす
    る請求項17に記載のディスク装置。
  21. 【請求項21】 上記抵抗体としてV字形状の抵抗体が
    使用され、 上記V字形状の抵抗体は、その谷部分が上記ディスク状
    記録媒体の表面に対向するように配設されることを特徴
    とする請求項17に記載のディスク装置。
  22. 【請求項22】 上記抵抗体として磁気抵抗効果素子を
    使用することを特徴とする請求項17に記載のディスク
    装置。
  23. 【請求項23】 上記データ領域の所定部分に上記デー
    タが磁気的に記録され、 上記磁気抵抗効果素子を上記データ領域の所定部分より
    データを再生する再生手段として使用することを特徴と
    する請求項22に記載のディスク装置。
  24. 【請求項24】 上記ディスク状記録媒体は交換可能な
    ディスク状記録媒体であることを特徴とする請求項10
    に記載のディスク装置。
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