JPH1048680A - 分極反転させられた非線形光学材料の製造方法 - Google Patents
分極反転させられた非線形光学材料の製造方法Info
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- JPH1048680A JPH1048680A JP20836196A JP20836196A JPH1048680A JP H1048680 A JPH1048680 A JP H1048680A JP 20836196 A JP20836196 A JP 20836196A JP 20836196 A JP20836196 A JP 20836196A JP H1048680 A JPH1048680 A JP H1048680A
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Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 非線形光学材料および該非線形光学材料
の表面に間隔をおいて接触している高粘度の液状導電性
材料を含む非線形光学材料構造物に、電圧を印加して、
非線形光学材料を分極反転させることからなる分極反転
させられた非線形光学材料の製造方法。 【効果】 粘度の高い液状導電性材料を使用するので、
該導電性材料と非線形光学材料との接触面積を容易かつ
正確に制御することができ、所望の分極反転幅を得るこ
とができる。また、非線形光学材料上に絶縁膜を形成せ
ず電流を通すことができるので、絶縁膜の絶縁不良の問
題はなく、空気層を絶縁層とすることでより高い絶縁性
が確保される。また、厚い非線形光学材料を用いたとし
ても、特に液体金属を用い温度を上昇させることによっ
て、印加電圧を非線形光学材料が破壊されないような大
きさに、且つ分極反転を起こさせる範囲に設定すること
が可能となる。
の表面に間隔をおいて接触している高粘度の液状導電性
材料を含む非線形光学材料構造物に、電圧を印加して、
非線形光学材料を分極反転させることからなる分極反転
させられた非線形光学材料の製造方法。 【効果】 粘度の高い液状導電性材料を使用するので、
該導電性材料と非線形光学材料との接触面積を容易かつ
正確に制御することができ、所望の分極反転幅を得るこ
とができる。また、非線形光学材料上に絶縁膜を形成せ
ず電流を通すことができるので、絶縁膜の絶縁不良の問
題はなく、空気層を絶縁層とすることでより高い絶縁性
が確保される。また、厚い非線形光学材料を用いたとし
ても、特に液体金属を用い温度を上昇させることによっ
て、印加電圧を非線形光学材料が破壊されないような大
きさに、且つ分極反転を起こさせる範囲に設定すること
が可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、分極反転構造を有
する非線形光学材料の製造方法に関する。さらに詳しく
は、粘度の高い導電性材料を介して非線形光学材料に電
圧をかけることによって、所望のパターンどおりに分極
反転させられた非線形光学材料を得ることができる製造
方法に関する。
する非線形光学材料の製造方法に関する。さらに詳しく
は、粘度の高い導電性材料を介して非線形光学材料に電
圧をかけることによって、所望のパターンどおりに分極
反転させられた非線形光学材料を得ることができる製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】非線形光学材料とは、光の波長を変換し
たり、電圧を印加すると該材料の屈折率が変化したりす
るなどの非線形光学現象を示す材料である。非線形光学
材料は、その機能を利用して波長変換、光シャッター、
光変調器、光路切換えスイッチ、光ＩＣおよび光メモリ
ーなどの非線形光エレクトロニクス素子としての応用が
期待されている。非線形光学材料としては、例えば強誘
電体結晶および有機非線形光学材料などが含まれる。強
誘電体結晶とは、自発分極を生じる（外から電場を加え
なくても、結晶の表面に正または負の分極電荷が現れ
る）結晶で、外からの電場によって分極が反転可能な結
晶である。有機非線形光学材料とは、有機材料の中でレ
ーザ光などの強い光があたると、その強電界によって分
子内部の電荷に非対称な振動（非線形振動）が起こり、
非線形光学現象を示す材料である。非線形光学材料に電
圧をかけてある間隔をおいて分極反転させたものは、該
材料に入射および出射（変換）される光の波長に適した
周期を形成することで、効率良く入射光の波長を変換
（波長変換）することができる。
たり、電圧を印加すると該材料の屈折率が変化したりす
るなどの非線形光学現象を示す材料である。非線形光学
材料は、その機能を利用して波長変換、光シャッター、
光変調器、光路切換えスイッチ、光ＩＣおよび光メモリ
ーなどの非線形光エレクトロニクス素子としての応用が
期待されている。非線形光学材料としては、例えば強誘
電体結晶および有機非線形光学材料などが含まれる。強
誘電体結晶とは、自発分極を生じる（外から電場を加え
なくても、結晶の表面に正または負の分極電荷が現れ
る）結晶で、外からの電場によって分極が反転可能な結
晶である。有機非線形光学材料とは、有機材料の中でレ
ーザ光などの強い光があたると、その強電界によって分
子内部の電荷に非対称な振動（非線形振動）が起こり、
非線形光学現象を示す材料である。非線形光学材料に電
圧をかけてある間隔をおいて分極反転させたものは、該
材料に入射および出射（変換）される光の波長に適した
周期を形成することで、効率良く入射光の波長を変換
（波長変換）することができる。
【０００３】このような分極反転構造を有する非線形光
学材料は、非線形光学材料の非反転領域上に絶縁膜を設
け、これに金属膜を介して、あるいは電解液を介して、
電圧を印加することによって製造されている。
学材料は、非線形光学材料の非反転領域上に絶縁膜を設
け、これに金属膜を介して、あるいは電解液を介して、
電圧を印加することによって製造されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、金属膜を介
して電圧をかける方法は、非線形光学材料への電圧の印
加を真空中または絶縁油中で行わなければならず、また
非線形光学材料に電圧を印加するリード線は点（微小面
積）で金属膜と接触しているため、電荷の供給が不均一
になるという問題があった。さらに金属膜は非常に薄
く、材料表面の所々で抵抗が変わるという問題もあっ
た。一方、電解液を介して電圧を印加する方法は、絶縁
膜と電解液とが直接接しているため、電解液が絶縁膜に
侵入し、その侵入した電解液によって絶縁膜が膨潤して
膜の絶縁性が低下してしまい、その結果、分極反転領域
が絶縁膜が配置されている領域より広がってしまい、ひ
どい時には該材料全体が分極反転してしまうという問題
があった。分極反転領域と非分極反転領域との面積配分
は、製品の特性に直接影響をもたらすので、設計したと
おりの分極反転領域をもつ非線形光学材料が得られるこ
とが望まれる。
して電圧をかける方法は、非線形光学材料への電圧の印
加を真空中または絶縁油中で行わなければならず、また
非線形光学材料に電圧を印加するリード線は点（微小面
積）で金属膜と接触しているため、電荷の供給が不均一
になるという問題があった。さらに金属膜は非常に薄
く、材料表面の所々で抵抗が変わるという問題もあっ
た。一方、電解液を介して電圧を印加する方法は、絶縁
膜と電解液とが直接接しているため、電解液が絶縁膜に
侵入し、その侵入した電解液によって絶縁膜が膨潤して
膜の絶縁性が低下してしまい、その結果、分極反転領域
が絶縁膜が配置されている領域より広がってしまい、ひ
どい時には該材料全体が分極反転してしまうという問題
があった。分極反転領域と非分極反転領域との面積配分
は、製品の特性に直接影響をもたらすので、設計したと
おりの分極反転領域をもつ非線形光学材料が得られるこ
とが望まれる。
【０００５】本発明の目的は、分極反転させるべき領域
を正確にコントロールして、設計どおりの分極反転領域
をもつ非線形光学材料を得る方法を提供することであ
る。
を正確にコントロールして、設計どおりの分極反転領域
をもつ非線形光学材料を得る方法を提供することであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記目的を
達成するために鋭意検討を行った結果、金属膜あるいは
電解液の代わりに高粘度の液状導電性材料を用いること
によって、非線形光学材料の分極反転させようとする領
域を正確かつ容易にコントロールできることを発見し、
本発明を完成するに至った。
達成するために鋭意検討を行った結果、金属膜あるいは
電解液の代わりに高粘度の液状導電性材料を用いること
によって、非線形光学材料の分極反転させようとする領
域を正確かつ容易にコントロールできることを発見し、
本発明を完成するに至った。
【０００７】即ち、本発明は、（１）非線形光学材料お
よび該非線形光学材料の表面に間隔をおいて接触してい
る高粘度の液状導電性材料を含む非線形光学材料構造物
に、電圧を印加して、非線形光学材料を分極反転させる
ことからなる分極反転させられた非線形光学材料の製造
方法、（２）液状導電性材料を導電性ブロックで加圧す
ることにより非線形光学材料との接触面積を変化させる
上記（１）記載の分極反転させられた非線形光学材料の
製造方法、（３）非線形光学材料にかかる液状導電性材
料の重さを変化させることにより非線形光学材料との接
触面積を変化させる上記（１）記載の分極反転させられ
た非線形光学材料の製造方法、（４）非線形光学材料の
表面に、間隔をおいて絶縁膜が設けられている上記
（２）または（３）記載の分極反転させられた非線形光
学材料の製造方法、（５）液状導電性材料が、スリット
状膜を通って非線形光学材料の表面に接触している上記
（２）または（３）記載の分極反転させられた非線形光
学材料の製造方法、（６）液状導電性材料が、粘度１×
１０-2ポアズ以上で、かつ表面張力１００ダイン／ｃｍ
以上である上記（１）〜（５）のいずれかに記載の分極
反転させられた非線形光学材料の製造方法、（７）液状
導電性材料が、液体金属である上記（６）記載の分極反
転させられた非線形光学材料の製造方法、（８）液体金
属が、水銀またはガリウムである上記（７）記載の分極
反転させられた非線形光学材料の製造方法、および
（９）非線形光学材料が強誘電体結晶である上記（１）
〜（５）のいずれかに記載の分極反転させられた非線形
光学材料の製造方法に関する。
よび該非線形光学材料の表面に間隔をおいて接触してい
る高粘度の液状導電性材料を含む非線形光学材料構造物
に、電圧を印加して、非線形光学材料を分極反転させる
ことからなる分極反転させられた非線形光学材料の製造
方法、（２）液状導電性材料を導電性ブロックで加圧す
ることにより非線形光学材料との接触面積を変化させる
上記（１）記載の分極反転させられた非線形光学材料の
製造方法、（３）非線形光学材料にかかる液状導電性材
料の重さを変化させることにより非線形光学材料との接
触面積を変化させる上記（１）記載の分極反転させられ
た非線形光学材料の製造方法、（４）非線形光学材料の
表面に、間隔をおいて絶縁膜が設けられている上記
（２）または（３）記載の分極反転させられた非線形光
学材料の製造方法、（５）液状導電性材料が、スリット
状膜を通って非線形光学材料の表面に接触している上記
（２）または（３）記載の分極反転させられた非線形光
学材料の製造方法、（６）液状導電性材料が、粘度１×
１０-2ポアズ以上で、かつ表面張力１００ダイン／ｃｍ
以上である上記（１）〜（５）のいずれかに記載の分極
反転させられた非線形光学材料の製造方法、（７）液状
導電性材料が、液体金属である上記（６）記載の分極反
転させられた非線形光学材料の製造方法、（８）液体金
属が、水銀またはガリウムである上記（７）記載の分極
反転させられた非線形光学材料の製造方法、および
（９）非線形光学材料が強誘電体結晶である上記（１）
〜（５）のいずれかに記載の分極反転させられた非線形
光学材料の製造方法に関する。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の方法による、非線形光学
材料を分極反転させる工程で形成される非線形光学材料
構造物の一実施態様を図１に示す。非線形光学材料４の
ひとつの表面にある間隔で絶縁膜３が設けられ、この面
は高粘度の液状導電性材料１と接触している。さらに液
状導電性材料１は、非線形光学材料４との接触面積をコ
ントロールするための導電性ブロック２と接しており、
該導電性ブロック２の加圧力によって、液状導電性材料
１と非線形光学材料４との接触面積がコントロールされ
る。一方、非線形光学材料の絶縁膜３が設けられている
面に対向する面には導電性ブロック２が配置され、こう
して電圧印加回路が形成されている。
材料を分極反転させる工程で形成される非線形光学材料
構造物の一実施態様を図１に示す。非線形光学材料４の
ひとつの表面にある間隔で絶縁膜３が設けられ、この面
は高粘度の液状導電性材料１と接触している。さらに液
状導電性材料１は、非線形光学材料４との接触面積をコ
ントロールするための導電性ブロック２と接しており、
該導電性ブロック２の加圧力によって、液状導電性材料
１と非線形光学材料４との接触面積がコントロールされ
る。一方、非線形光学材料の絶縁膜３が設けられている
面に対向する面には導電性ブロック２が配置され、こう
して電圧印加回路が形成されている。
【０００９】また、本発明における非線形光学材料構造
物の別の実施態様を図２に示す。非線形光学材料４のひ
とつの表面に、所望の間隔で溝加工されたスリット状膜
８が空気層９を挟んで配置されている。スリット状膜８
の空気層９と接する面に対向する面上に配置されている
高粘度の液状導電性材料１は導電性ブロック２と接して
おり、該導電性ブロック２の加圧力によって、スリット
状膜８に設けられたスリットから押出され、所望の間隔
をおいて非線形光学材料の表面と接触している。一方、
非線形光学材料の液状導電性材料１が接触している面に
対向する面には導電性ブロック２が配置され、こうして
電圧印加回路が形成されている。なお、空気層９は空気
に代えて真空あるいは絶縁油で満たされていてもよい。
物の別の実施態様を図２に示す。非線形光学材料４のひ
とつの表面に、所望の間隔で溝加工されたスリット状膜
８が空気層９を挟んで配置されている。スリット状膜８
の空気層９と接する面に対向する面上に配置されている
高粘度の液状導電性材料１は導電性ブロック２と接して
おり、該導電性ブロック２の加圧力によって、スリット
状膜８に設けられたスリットから押出され、所望の間隔
をおいて非線形光学材料の表面と接触している。一方、
非線形光学材料の液状導電性材料１が接触している面に
対向する面には導電性ブロック２が配置され、こうして
電圧印加回路が形成されている。なお、空気層９は空気
に代えて真空あるいは絶縁油で満たされていてもよい。
【００１０】本発明によれば、液状導電性材料と非線形
光学材料との接触面積は、上記した導電性ブロックによ
る加圧の他に、液状導電性材料自身の重さを変化させる
ことによってもコントロールすることができる。例え
ば、図３に示すように、非線形光学材料４の表面と接触
する液状導電性材料１が入った容器１０を通路１２を介
して別の容器１１と連結させる。液状導電性材料１は容
器１０と１１の間を通路１２を通って自由に行き来でき
るので、容器１１中の液状導電性材料の液面の高さを変
化させることによって、容器１０中の液状導電性材料１
の量、即ち重さを変化させることができる。この重さの
変化により、液状導電性材料１と非線形光学材料４との
接触面積をコントロールすることができる。
光学材料との接触面積は、上記した導電性ブロックによ
る加圧の他に、液状導電性材料自身の重さを変化させる
ことによってもコントロールすることができる。例え
ば、図３に示すように、非線形光学材料４の表面と接触
する液状導電性材料１が入った容器１０を通路１２を介
して別の容器１１と連結させる。液状導電性材料１は容
器１０と１１の間を通路１２を通って自由に行き来でき
るので、容器１１中の液状導電性材料の液面の高さを変
化させることによって、容器１０中の液状導電性材料１
の量、即ち重さを変化させることができる。この重さの
変化により、液状導電性材料１と非線形光学材料４との
接触面積をコントロールすることができる。
【００１１】図１〜３に示されるような非線形光学材料
構造物に電圧をかけることによって、液状導電性材料１
が非線形光学材料４の面と接触している部分だけ選択的
に分極反転が起こる。このようにして、非線形光学材料
の分極反転領域５と非分極反転領域６がある間隔で配置
されている非線形光学材料が得られる。
構造物に電圧をかけることによって、液状導電性材料１
が非線形光学材料４の面と接触している部分だけ選択的
に分極反転が起こる。このようにして、非線形光学材料
の分極反転領域５と非分極反転領域６がある間隔で配置
されている非線形光学材料が得られる。
【００１２】本発明で使用される液状導電性材料の粘度
および表面張力は、非線形光学材料の表面に設けられて
いる絶縁膜にしみ込まない程度および非線形光学材料表
面で流れださない程度である必要がある。液状導電性材
料の粘度および表面張力は、絶縁膜間に液状導電性材料
が入り込み、非線形光学材料表面と接触できるように水
の粘度および表面張力よりも大きいことが好ましい。そ
のため、液状導電性材料の粘度（相対粘度、２０℃、１
気圧）は１×１０-2ポアズ以上、表面張力（２０℃、１
気圧）は１００ダイン／ｃｍ以上が好ましい。
および表面張力は、非線形光学材料の表面に設けられて
いる絶縁膜にしみ込まない程度および非線形光学材料表
面で流れださない程度である必要がある。液状導電性材
料の粘度および表面張力は、絶縁膜間に液状導電性材料
が入り込み、非線形光学材料表面と接触できるように水
の粘度および表面張力よりも大きいことが好ましい。そ
のため、液状導電性材料の粘度（相対粘度、２０℃、１
気圧）は１×１０-2ポアズ以上、表面張力（２０℃、１
気圧）は１００ダイン／ｃｍ以上が好ましい。
【００１３】液状導電性材料の具体例としては、水銀、
ガリウムおよびセシウム等の液体金属、スズ、ビスマ
ス、カドミウム、鉛等を主成分とする融点の低い（好ま
しくは１００℃以下の）ハンダ合金およびヒューズ用合
金等が挙げられる。なかでも低融点の水銀、ガリウムが
好ましい。分極反転の条件としては、水銀の場合、融点
が−３８．９℃のため室温で反転させ、ガリウムの場
合、融点が２９．８℃のため３０℃以上で反転させる。
ガリウムおよびセシウム等の液体金属、スズ、ビスマ
ス、カドミウム、鉛等を主成分とする融点の低い（好ま
しくは１００℃以下の）ハンダ合金およびヒューズ用合
金等が挙げられる。なかでも低融点の水銀、ガリウムが
好ましい。分極反転の条件としては、水銀の場合、融点
が−３８．９℃のため室温で反転させ、ガリウムの場
合、融点が２９．８℃のため３０℃以上で反転させる。
【００１４】導電性ブロックを構成する導電性材料は電
気抵抗の小さい、具体的には抵抗率が３μΩｃｍ以下の
金属材料が好ましく、例えば、銀、銅、金、アルミニウ
ム等が挙げられる。
気抵抗の小さい、具体的には抵抗率が３μΩｃｍ以下の
金属材料が好ましく、例えば、銀、銅、金、アルミニウ
ム等が挙げられる。
【００１５】スリット状膜は、液状導電性材料の加圧力
に耐え、微細なスリットの形成が可能な材料であれば特
に制限されず、その絶縁性および導電性は特に問われな
い。例えば、シリコンの異方性エッチングを利用して作
製されるシリコン基板等が挙げられる。また、スリット
膜に形成されるスリットの幅やその間隔は、製品に要求
される特性によって適宜決められる。
に耐え、微細なスリットの形成が可能な材料であれば特
に制限されず、その絶縁性および導電性は特に問われな
い。例えば、シリコンの異方性エッチングを利用して作
製されるシリコン基板等が挙げられる。また、スリット
膜に形成されるスリットの幅やその間隔は、製品に要求
される特性によって適宜決められる。
【００１６】非線形光学材料構造物に印加する電圧は、
直流電圧でもパルスでも良い。電圧を印加する方向は、
分極反転が起こりやすい方向が一般的である。しかし製
品の要求される特性によっては、この限りではない。
直流電圧でもパルスでも良い。電圧を印加する方向は、
分極反転が起こりやすい方向が一般的である。しかし製
品の要求される特性によっては、この限りではない。
【００１７】印加電圧の範囲は、例えば以下のようにし
て決定する。図４に非線形光学材料のひとつの表面にあ
る間隔で絶縁膜３が設けられ、液状導電性材料１上の導
電性ブロック２を介して、非線形光学材料４に電圧を印
加する構成である。この構成で、非線形光学材料の厚さ
をｄ1 、絶縁膜の厚さをｄ2、非線形光学材料の誘電率
をε1 、絶縁膜の誘電率をε2 、非線形光学材料の屈折
率をｎ1 、絶縁膜の屈折率をｎ2 と規定する。
て決定する。図４に非線形光学材料のひとつの表面にあ
る間隔で絶縁膜３が設けられ、液状導電性材料１上の導
電性ブロック２を介して、非線形光学材料４に電圧を印
加する構成である。この構成で、非線形光学材料の厚さ
をｄ1 、絶縁膜の厚さをｄ2、非線形光学材料の誘電率
をε1 、絶縁膜の誘電率をε2 、非線形光学材料の屈折
率をｎ1 、絶縁膜の屈折率をｎ2 と規定する。
【００１８】図４は図５のような等価回路で置き換える
ことができる。この等価回路で、印加電圧をＶR 、非線
形光学材料にかかる電圧をＶ1 、絶縁膜にかかる電圧を
Ｖ2 とすると、絶縁膜のない非線形光学材料部分の電圧
はＶ1＝ＶR 、絶縁膜のある部分ではＶ1 ＝ＶR −Ｖ2
である。従って、ＶR が分極反転する下限電圧ＶS にな
っても、絶縁膜のある部分ではＶ1 は下限電圧に達せ
ず、分極反転が起こらない。しかし絶縁膜のある部分の
電圧ＶR −Ｖ2 が下限電圧ＶS になれば、ここでも反転
を起こすので不都合である。つまり、ＶS ≦ＶR で且つ
ＶS ＞ＶR −Ｖ2 である必要がある。即ち、ある間隔の
分極反転を形成するための印加電圧ＶR は、ＶS ≦ＶR
＜ＶS ＋Ｖ2 の範囲から選択される。この時のＶ2 は等
価回路から、
ことができる。この等価回路で、印加電圧をＶR 、非線
形光学材料にかかる電圧をＶ1 、絶縁膜にかかる電圧を
Ｖ2 とすると、絶縁膜のない非線形光学材料部分の電圧
はＶ1＝ＶR 、絶縁膜のある部分ではＶ1 ＝ＶR −Ｖ2
である。従って、ＶR が分極反転する下限電圧ＶS にな
っても、絶縁膜のある部分ではＶ1 は下限電圧に達せ
ず、分極反転が起こらない。しかし絶縁膜のある部分の
電圧ＶR −Ｖ2 が下限電圧ＶS になれば、ここでも反転
を起こすので不都合である。つまり、ＶS ≦ＶR で且つ
ＶS ＞ＶR −Ｖ2 である必要がある。即ち、ある間隔の
分極反転を形成するための印加電圧ＶR は、ＶS ≦ＶR
＜ＶS ＋Ｖ2 の範囲から選択される。この時のＶ2 は等
価回路から、
【００１９】
【数１】
【００２０】となる。また、印加電圧を分極反転可能な
電圧の近傍に設定することにより、非線形光学材料の破
壊を防ぐことができる。
電圧の近傍に設定することにより、非線形光学材料の破
壊を防ぐことができる。
【００２１】例えば、ＶS を１０．３ｋＶと仮定し、ｄ
1 ＝５００μｍ、ｄ2 ＝６μｍ、ｎ 1 ＝２．１５、ｎ2
＝１．６０である場合、Ｖ2 は０．２２ｋＶとなり、印
加電圧の範囲は、１０．３ｋＶ≦ＶR ＜１０．５２ｋＶ
となる。
1 ＝５００μｍ、ｄ2 ＝６μｍ、ｎ 1 ＝２．１５、ｎ2
＝１．６０である場合、Ｖ2 は０．２２ｋＶとなり、印
加電圧の範囲は、１０．３ｋＶ≦ＶR ＜１０．５２ｋＶ
となる。
【００２２】反転電流の大きさは、非線形光学材料の反
転周期または反転面積等により決定されるが、５μＡ／
ｍｍ2 以下が好ましい。
転周期または反転面積等により決定されるが、５μＡ／
ｍｍ2 以下が好ましい。
【００２３】本発明で使用される非線形光学材料として
は、ＬｉＴａＯ3 （ＬＴ）、ＬｉＮｂＯ3 （ＬＮ）、Ｋ
ＴｉＯＰＯ4 （ＫＴＰ）、ＬｉＮｂＰ4 Ｏ12（ＬＮ
Ｐ）、ＫＮｂＯ3 （ＫＮ）、ＢａＮａＮｂ5 Ｏ15（ＢＮ
Ｎ）、ＫＴｉＯＡｓＯ4 （ＫＴＡ）、β−ＢａＢ2 Ｏ4
（ＢＢＯ）、ＬｉＢ3 Ｏ7 （ＬＢＯ）およびＫＨ2 ＰＯ
4（ＫＤＰ）などの強誘電体結晶およびメタニトロアニ
リン（ｍＮＡ）、２−メチル−４−ニトロアニリン（Ｍ
ＮＡ）、４−ブロモ−４’−メトキシカルコン（カルコ
ン）、ジシアノビニルアニソール、３，５−ジメチル−
１−（４−ニトロフェニル）ピラゾール（ＤＭＮＰ）、
Ｎ−メトキシメチル−４−ニトロアニリン（ＭＭＮ
Ａ）、４’−ニトロベンジリデン−３−アセタミノ−４
−メトキシアニリン（ＭＮＢＡ）、Ｌ−アルギニンフォ
スフェート・１水和物（ＬＡＰ）、２−アダマンチルア
ミノ−５−ニトロピリジン（ＡＡＮＰ）およびポールド
ポリマーなどの有機非線形光学材料が挙げられる。
は、ＬｉＴａＯ3 （ＬＴ）、ＬｉＮｂＯ3 （ＬＮ）、Ｋ
ＴｉＯＰＯ4 （ＫＴＰ）、ＬｉＮｂＰ4 Ｏ12（ＬＮ
Ｐ）、ＫＮｂＯ3 （ＫＮ）、ＢａＮａＮｂ5 Ｏ15（ＢＮ
Ｎ）、ＫＴｉＯＡｓＯ4 （ＫＴＡ）、β−ＢａＢ2 Ｏ4
（ＢＢＯ）、ＬｉＢ3 Ｏ7 （ＬＢＯ）およびＫＨ2 ＰＯ
4（ＫＤＰ）などの強誘電体結晶およびメタニトロアニ
リン（ｍＮＡ）、２−メチル−４−ニトロアニリン（Ｍ
ＮＡ）、４−ブロモ−４’−メトキシカルコン（カルコ
ン）、ジシアノビニルアニソール、３，５−ジメチル−
１−（４−ニトロフェニル）ピラゾール（ＤＭＮＰ）、
Ｎ−メトキシメチル−４−ニトロアニリン（ＭＭＮ
Ａ）、４’−ニトロベンジリデン−３−アセタミノ−４
−メトキシアニリン（ＭＮＢＡ）、Ｌ−アルギニンフォ
スフェート・１水和物（ＬＡＰ）、２−アダマンチルア
ミノ−５−ニトロピリジン（ＡＡＮＰ）およびポールド
ポリマーなどの有機非線形光学材料が挙げられる。
【００２４】上記強誘電体結晶としては、分極反転形状
が分極反転領域全面で均一であり、結晶基板の裏面まで
形状が維持される点および材料特性が良く（非線形光学
定数が大きい）、製品の波長変換効率が高い点から、Ｌ
ｉＴａＯ3 、ＬｉＮｂＯ3 およびＫＴｉＯＰＯ4 を使用
することが好ましい。
が分極反転領域全面で均一であり、結晶基板の裏面まで
形状が維持される点および材料特性が良く（非線形光学
定数が大きい）、製品の波長変換効率が高い点から、Ｌ
ｉＴａＯ3 、ＬｉＮｂＯ3 およびＫＴｉＯＰＯ4 を使用
することが好ましい。
【００２５】上記有機非線形光学材料としては、材料特
性が良い（非線形光学定数が大きい）点から、ＭＮＢ
Ａ、ＭＮＡおよびカルコンを使用することが好ましい。
性が良い（非線形光学定数が大きい）点から、ＭＮＢ
Ａ、ＭＮＡおよびカルコンを使用することが好ましい。
【００２６】上記強誘電体結晶の製造法は、特に制限は
ないが、例えばＬｉＮｂＯ3 単結晶を例にすれば、Ｌｉ
2 ＯおよびＮｂ2 Ｏ5 の融液に、ＬｉＮｂＯ3 結晶の種
を接触させ、その種をゆっくりと引き上げることによっ
て、種を核にＬｉＮｂＯ3 を単結晶成長させる溶融引き
上げ法などが挙げられる。
ないが、例えばＬｉＮｂＯ3 単結晶を例にすれば、Ｌｉ
2 ＯおよびＮｂ2 Ｏ5 の融液に、ＬｉＮｂＯ3 結晶の種
を接触させ、その種をゆっくりと引き上げることによっ
て、種を核にＬｉＮｂＯ3 を単結晶成長させる溶融引き
上げ法などが挙げられる。
【００２７】上記有機非線形光学材料の製造法は、結晶
組成の融液から引き上げ結晶を成長させる溶融法および
有機物を融点以上に加熱し、ゆっくり降温して結晶成長
させる融液法などがある。例えば、ＡＡＮＰは、窒素ガ
スとＡＡＮＰ粉末とをガラスアンプルに封じ込め、炉中
でＡＡＮＰの融点以上に加熱した後、温度を降下させて
結晶育成する融液法などで製造できる。
組成の融液から引き上げ結晶を成長させる溶融法および
有機物を融点以上に加熱し、ゆっくり降温して結晶成長
させる融液法などがある。例えば、ＡＡＮＰは、窒素ガ
スとＡＡＮＰ粉末とをガラスアンプルに封じ込め、炉中
でＡＡＮＰの融点以上に加熱した後、温度を降下させて
結晶育成する融液法などで製造できる。
【００２８】本発明で使用される非線形光学材料には不
純物が含まれてもよい。強誘電体結晶に含まれうる不純
物としては、希土類元素、金属酸化物および金属元素な
どが挙げられる。有機非線形光学材料に含まれうる不純
物としては、有機色素などが挙げられる。また、製品の
要求される特性に応じて、不純物を非線形光学材料にド
ーピングしてもよい。
純物が含まれてもよい。強誘電体結晶に含まれうる不純
物としては、希土類元素、金属酸化物および金属元素な
どが挙げられる。有機非線形光学材料に含まれうる不純
物としては、有機色素などが挙げられる。また、製品の
要求される特性に応じて、不純物を非線形光学材料にド
ーピングしてもよい。
【００２９】希土類元素としては、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄ
ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕなどが挙げられ
る。金属酸化物としては、酸化マグネシウムなどが挙げ
られる。金属元素としては、鉄、ニッケル、クロム、コ
バルト、アルミニウム、シリコン、チタンおよび亜鉛な
どが挙げられる。
ｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄ
ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕなどが挙げられ
る。金属酸化物としては、酸化マグネシウムなどが挙げ
られる。金属元素としては、鉄、ニッケル、クロム、コ
バルト、アルミニウム、シリコン、チタンおよび亜鉛な
どが挙げられる。
【００３０】非線形光学材料に不純物をドーピングする
方法は、自体既知の方法で行われ、例えば、強誘電体結
晶の場合はその育成時に同時に行う、または結晶表面に
ドーピング材料を堆積して、熱処理を行って結晶内部に
拡散させる方法などが挙げられる。有機非線形光学材料
の場合は、その育成時に同時に行うか、または材料表面
より拡散させる方法などが挙げられる。
方法は、自体既知の方法で行われ、例えば、強誘電体結
晶の場合はその育成時に同時に行う、または結晶表面に
ドーピング材料を堆積して、熱処理を行って結晶内部に
拡散させる方法などが挙げられる。有機非線形光学材料
の場合は、その育成時に同時に行うか、または材料表面
より拡散させる方法などが挙げられる。
【００３１】非線形光学材料の厚さは特に制限はない
が、研磨などの加工のしやすさ、プロセスにおける取り
扱いやすさ、または分極反転時における電子なだれ破壊
をさせない点から、通常、１００〜３，０００μｍであ
り、好ましくは、波長変換で大出力光をとりだすため
に、入射光パワーが多く入れられる（大きなビーム径の
入射光が入れられる）点から厚い方が良い。
が、研磨などの加工のしやすさ、プロセスにおける取り
扱いやすさ、または分極反転時における電子なだれ破壊
をさせない点から、通常、１００〜３，０００μｍであ
り、好ましくは、波長変換で大出力光をとりだすため
に、入射光パワーが多く入れられる（大きなビーム径の
入射光が入れられる）点から厚い方が良い。
【００３２】非線形光学材料の抗電界（分極反転が起こ
る電界）は、該材料の厚さによらず一定（Ｖc ）である
ので材料の厚さをｔとすると、分極反転に要する印加電
圧はＶc ｔとなる。しかし、材料の厚さが大きくなると
印加電圧がそれだけ大きくなり、そのため非線形光学材
料の破壊が起こってしまう。抗電界は一般に、温度に対
し反比例の関係があるので、材料の厚さが大きい場合に
は非線形光学材料の温度を上昇させればよいが、水溶液
の液体電極（電解液）を用いた場合は、最高でも１００
℃までしか温度を上昇させることができない。しかしな
がら、高粘度の液状導電性材料、特に液体金属を用いれ
ば１００℃以上まで温度上昇させることができる。この
ため、厚い非線形光学材料でも温度を上昇させることに
よって、結晶破壊を起こさない低い電圧で分極反転させ
ることができる。
る電界）は、該材料の厚さによらず一定（Ｖc ）である
ので材料の厚さをｔとすると、分極反転に要する印加電
圧はＶc ｔとなる。しかし、材料の厚さが大きくなると
印加電圧がそれだけ大きくなり、そのため非線形光学材
料の破壊が起こってしまう。抗電界は一般に、温度に対
し反比例の関係があるので、材料の厚さが大きい場合に
は非線形光学材料の温度を上昇させればよいが、水溶液
の液体電極（電解液）を用いた場合は、最高でも１００
℃までしか温度を上昇させることができない。しかしな
がら、高粘度の液状導電性材料、特に液体金属を用いれ
ば１００℃以上まで温度上昇させることができる。この
ため、厚い非線形光学材料でも温度を上昇させることに
よって、結晶破壊を起こさない低い電圧で分極反転させ
ることができる。
【００３３】非線形光学材料の形状は、特に制限はな
い。ただし、反転前の非線形光学材料は自発分極の方向
が単一であることが望ましい。
い。ただし、反転前の非線形光学材料は自発分極の方向
が単一であることが望ましい。
【００３４】本発明で絶縁膜を使用する場合、該絶縁膜
は、屈折率（比誘電率）が１．０（１．０）〜２．０
（４．０）程度の小さいもの、更に膜厚を大きくとれる
ものが好ましい。これは、屈折率が小さいものほど、ま
た膜厚が大きいものほど、絶縁膜のある場所とない場所
での非線形光学材料にかかる電圧差が大きくなり、分極
反転領域を制限しやすくなるためである。絶縁膜として
は、例えばフェノールノボラック樹脂などの感光性有機
高分子膜（以下、「レジスト」という）、石英（ＳｉＯ
2 ）やアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）などの酸化物、およびポ
リイミドなどの有機高分子膜などが挙げられる。絶縁膜
の膜厚は特に制限されないが、通常、０．５〜２０μｍ
であればよい。
は、屈折率（比誘電率）が１．０（１．０）〜２．０
（４．０）程度の小さいもの、更に膜厚を大きくとれる
ものが好ましい。これは、屈折率が小さいものほど、ま
た膜厚が大きいものほど、絶縁膜のある場所とない場所
での非線形光学材料にかかる電圧差が大きくなり、分極
反転領域を制限しやすくなるためである。絶縁膜として
は、例えばフェノールノボラック樹脂などの感光性有機
高分子膜（以下、「レジスト」という）、石英（ＳｉＯ
2 ）やアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）などの酸化物、およびポ
リイミドなどの有機高分子膜などが挙げられる。絶縁膜
の膜厚は特に制限されないが、通常、０．５〜２０μｍ
であればよい。
【００３５】非線形光学材料を分極反転させるために、
製品の要求される特性に応じて、該材料の少なくともひ
とつの面に、液状導電性材料が導電性ブロックの加圧ま
たは該液状導電性材料の液面の高さを変化させることに
よって接触させられる。通常、分極反転が始まる面（分
極反転が起こりやすい面）に接触させられるが、それに
限らず、例えば板状の形状を有する材料は、その両面に
接触させられてもよいし、多面体の場合は、対抗する両
面、直交する両面、さらに３つ以上の複数面に接触させ
られてもよい。
製品の要求される特性に応じて、該材料の少なくともひ
とつの面に、液状導電性材料が導電性ブロックの加圧ま
たは該液状導電性材料の液面の高さを変化させることに
よって接触させられる。通常、分極反転が始まる面（分
極反転が起こりやすい面）に接触させられるが、それに
限らず、例えば板状の形状を有する材料は、その両面に
接触させられてもよいし、多面体の場合は、対抗する両
面、直交する両面、さらに３つ以上の複数面に接触させ
られてもよい。
【００３６】液状導電性材料が非線形光学材料に接触し
ている部分の幅（Ｄ）とその間隔（Ｗ）は、製品の特性
によって任意に設計され、通常、Ｗ、Ｄともに１〜１０
０μｍ程度である。その配置は、例えばＷ、Ｄがそれぞ
れ１０、２０、３０次いで４０μｍとなるように規則的
に増加するように、またはＷ、Ｄが１０、２０、５０、
２０μｍとなるように不規則に配置されていてもよい。
ＷとＤは同じ値でも違う値でもよいが、好ましくはＷが
Ｄより大きい値で、かつ分極反転領域と非分極反転領域
とが周期的に配置されているように設定するのが良い。
ている部分の幅（Ｄ）とその間隔（Ｗ）は、製品の特性
によって任意に設計され、通常、Ｗ、Ｄともに１〜１０
０μｍ程度である。その配置は、例えばＷ、Ｄがそれぞ
れ１０、２０、３０次いで４０μｍとなるように規則的
に増加するように、またはＷ、Ｄが１０、２０、５０、
２０μｍとなるように不規則に配置されていてもよい。
ＷとＤは同じ値でも違う値でもよいが、好ましくはＷが
Ｄより大きい値で、かつ分極反転領域と非分極反転領域
とが周期的に配置されているように設定するのが良い。
【００３７】
【実施例】以下実施例および比較例によって、本発明を
さらに詳しく説明する。ただし本発明はこれによって限
定されるものではない。
さらに詳しく説明する。ただし本発明はこれによって限
定されるものではない。
【００３８】実施例１ 強誘電体結晶としてＬｉＴａＯ3 （厚さ：０．５ｍｍ、
大きさ２ｃｍ×２ｃｍ、反転領域：２×１０ｍｍ2 ）
を、液状導電性材料としてガリウム（９０℃における粘
度および表面張力：１．６×１０-2ポアズ、７００ダイ
ン／ｃｍ）を、絶縁膜として感光性有機高分子（フォト
レジスト、厚さ：６μｍ）を、導電性ブロックとしてア
ルミニウムを用いて図１の強誘電体結晶構造物（Ｗ：５
μｍ、Ｄ：５μｍ）を製造した。これに印加電圧１０．
５ｋＶを印加し、反転電流がゼロとなった時点で印加を
止め、強誘電体結晶を得た。
大きさ２ｃｍ×２ｃｍ、反転領域：２×１０ｍｍ2 ）
を、液状導電性材料としてガリウム（９０℃における粘
度および表面張力：１．６×１０-2ポアズ、７００ダイ
ン／ｃｍ）を、絶縁膜として感光性有機高分子（フォト
レジスト、厚さ：６μｍ）を、導電性ブロックとしてア
ルミニウムを用いて図１の強誘電体結晶構造物（Ｗ：５
μｍ、Ｄ：５μｍ）を製造した。これに印加電圧１０．
５ｋＶを印加し、反転電流がゼロとなった時点で印加を
止め、強誘電体結晶を得た。
【００３９】実施例２ 強誘電体結晶としてＬｉＴａＯ3 （厚さ：０．５ｍｍ、
大きさ２ｃｍ×２ｃｍ、反転領域：２×１０μｍ）を、
液状導電性材料として水銀（常温常圧における粘度およ
び表面張力：１．６×１０-2ポアズ、５００ダイン／ｃ
ｍ）を、スリット膜として厚さ０．５ｍｍ、孔径５μｍ
のＳｉ基板を、導電性ブロックとしてアルミニウムを用
いて図２の強誘電体結晶構造物（Ｗ：５μｍ、Ｄ：５μ
ｍ）を製造した。これに印加電圧１０ｋＶを印加し、反
転電流がゼロとなった時点で印加を止め、強誘電体結晶
を得た。
大きさ２ｃｍ×２ｃｍ、反転領域：２×１０μｍ）を、
液状導電性材料として水銀（常温常圧における粘度およ
び表面張力：１．６×１０-2ポアズ、５００ダイン／ｃ
ｍ）を、スリット膜として厚さ０．５ｍｍ、孔径５μｍ
のＳｉ基板を、導電性ブロックとしてアルミニウムを用
いて図２の強誘電体結晶構造物（Ｗ：５μｍ、Ｄ：５μ
ｍ）を製造した。これに印加電圧１０ｋＶを印加し、反
転電流がゼロとなった時点で印加を止め、強誘電体結晶
を得た。
【００４０】実施例３ 導電性ブロック（アルミニウム）を用いて、液状導電性
材料（ガリウム）を加圧する代わりに、ガリウム自身の
重さを調節して、図３の強誘電体結晶構造物（Ｗ：５μ
ｍ、Ｄ：５μｍ）を製造した。
材料（ガリウム）を加圧する代わりに、ガリウム自身の
重さを調節して、図３の強誘電体結晶構造物（Ｗ：５μ
ｍ、Ｄ：５μｍ）を製造した。
【００４１】実施例１〜３で得られた強誘電体結晶に
は、それぞれ反転周期が１０μｍおよび反転幅が５μｍ
である周期状の分極反転構造が形成されていた。
は、それぞれ反転周期が１０μｍおよび反転幅が５μｍ
である周期状の分極反転構造が形成されていた。
【００４２】
【発明の効果】本発明の分極反転させられた非線形光学
材料構造物の製造方法によれば、粘度の高い液状導電性
材料と非線形光学材料との接触面積を容易かつ正確に制
御することができるので、非線形光学材料の非分極反転
領域が広がることなく、所望の分極反転幅を容易に得る
ことができる。特に本発明の一実施態様である絶縁膜が
非線形光学材料上に形成させている非線形光学材料構造
体を用いる方法は、絶縁膜が電解液等の浸み込みによっ
て絶縁膜の絶縁性が低下させられることがない。また、
本発明の他の実施態様である非線形光学材料上に絶縁膜
を形成せずスリット膜を通して粘度の高い液状導電性材
料を非線形光学材料の表面と接触させる方法では、絶縁
膜や電解液を用いないので絶縁膜の絶縁不良の問題はな
く、空気層を絶縁層とすることでより高い絶縁性が確保
され、さらにプロセスも簡略化される。また、厚い非線
形光学材料を用いたとしても、粘度の高い液状導電性材
料、特に液体金属を用い温度を上昇させることによっ
て、印加電圧を非線形光学材料が破壊されないような大
きさに、且つ分極反転を起こさせる範囲に設定すること
が可能となる。
材料構造物の製造方法によれば、粘度の高い液状導電性
材料と非線形光学材料との接触面積を容易かつ正確に制
御することができるので、非線形光学材料の非分極反転
領域が広がることなく、所望の分極反転幅を容易に得る
ことができる。特に本発明の一実施態様である絶縁膜が
非線形光学材料上に形成させている非線形光学材料構造
体を用いる方法は、絶縁膜が電解液等の浸み込みによっ
て絶縁膜の絶縁性が低下させられることがない。また、
本発明の他の実施態様である非線形光学材料上に絶縁膜
を形成せずスリット膜を通して粘度の高い液状導電性材
料を非線形光学材料の表面と接触させる方法では、絶縁
膜や電解液を用いないので絶縁膜の絶縁不良の問題はな
く、空気層を絶縁層とすることでより高い絶縁性が確保
され、さらにプロセスも簡略化される。また、厚い非線
形光学材料を用いたとしても、粘度の高い液状導電性材
料、特に液体金属を用い温度を上昇させることによっ
て、印加電圧を非線形光学材料が破壊されないような大
きさに、且つ分極反転を起こさせる範囲に設定すること
が可能となる。
【図１】本発明の非線形光学材料構造物の一実施例を模
式的に示す図である。
式的に示す図である。
【図２】本発明の非線形光学材料構造物の他の一実施例
を模式的に示す図である。
を模式的に示す図である。
【図３】本発明の非線形光学材料構造物の別の一実施例
を模式的に示す図である。
を模式的に示す図である。
【図４】本発明の非線形光学材料構造物に対する印加電
圧の範囲を説明するための模式図である。
圧の範囲を説明するための模式図である。
【図５】図４の等価回路図である。
１ 液状導電性材料 ２ 導電性ブロック ３ 絶縁膜 ４ 非線形光学材料 ５ 非線形光学材料の分極反転領域 ６ 非線形光学材料の非分極反転領域 ７ リード線 ８ スリット状膜 ９ 空気層 １０ 容器 １１ 容器 １２ 通路 Ｗ 導電性材料が非線形光学材料に接触している部分
の間隔 Ｄ 導電性材料が非線形光学材料に接触している部分
の幅 ｄ1 非線形光学材料の厚さ ｄ2 絶縁膜の厚さ
の間隔 Ｄ 導電性材料が非線形光学材料に接触している部分
の幅 ｄ1 非線形光学材料の厚さ ｄ2 絶縁膜の厚さ
Claims (9)
- 【請求項１】 非線形光学材料および該非線形光学材料
の表面に間隔をおいて接触している高粘度の液状導電性
材料を含む非線形光学材料構造物に、電圧を印加して、
非線形光学材料を分極反転させることからなる分極反転
させられた非線形光学材料の製造方法。 - 【請求項２】 液状導電性材料を導電性ブロックで加圧
することにより非線形光学材料との接触面積を変化させ
る請求項１記載の分極反転させられた非線形光学材料の
製造方法。 - 【請求項３】 非線形光学材料にかかる液状導電性材料
の重さを変化させることにより非線形光学材料との接触
面積を変化させる請求項１記載の分極反転させられた非
線形光学材料の製造方法。 - 【請求項４】 非線形光学材料の表面に、間隔をおいて
絶縁膜が設けられている請求項２または３記載の分極反
転させられた非線形光学材料の製造方法。 - 【請求項５】 液状導電性材料が、スリット状膜を通っ
て非線形光学材料の表面に接触している請求項２または
３記載の分極反転させられた非線形光学材料の製造方
法。 - 【請求項６】 液状導電性材料が、粘度１×１０-2ポア
ズ以上で、かつ表面張力１００ダイン／ｃｍ以上である
請求項１〜５のいずれかに記載の分極反転させられた非
線形光学材料の製造方法。 - 【請求項７】 液状導電性材料が、液体金属である請求
項６記載の分極反転させられた非線形光学材料の製造方
法。 - 【請求項８】 液体金属が、水銀またはガリウムである
請求項７記載の分極反転させられた非線形光学材料の製
造方法。 - 【請求項９】 非線形光学材料が強誘電体結晶である請
求項１〜５のいずれかに記載の分極反転させられた非線
形光学材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20836196A JP3754136B2 (ja) | 1996-08-07 | 1996-08-07 | 分極反転させられた非線形光学材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20836196A JP3754136B2 (ja) | 1996-08-07 | 1996-08-07 | 分極反転させられた非線形光学材料の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1048680A true JPH1048680A (ja) | 1998-02-20 |
| JP3754136B2 JP3754136B2 (ja) | 2006-03-08 |
Family
ID=16555026
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20836196A Expired - Fee Related JP3754136B2 (ja) | 1996-08-07 | 1996-08-07 | 分極反転させられた非線形光学材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3754136B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008107487A (ja) * | 2006-10-24 | 2008-05-08 | Seiko Epson Corp | 波長変換素子の製造方法、及び波長変換素子 |
| JP2008256969A (ja) * | 2007-04-05 | 2008-10-23 | Mitsubishi Electric Corp | 分極反転素子の製造方法 |
| CN107561817A (zh) * | 2017-10-13 | 2018-01-09 | 上海交通大学 | 铌酸锂薄膜纳米级周期性极化的方法 |
-
1996
- 1996-08-07 JP JP20836196A patent/JP3754136B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008107487A (ja) * | 2006-10-24 | 2008-05-08 | Seiko Epson Corp | 波長変換素子の製造方法、及び波長変換素子 |
| JP2008256969A (ja) * | 2007-04-05 | 2008-10-23 | Mitsubishi Electric Corp | 分極反転素子の製造方法 |
| CN107561817A (zh) * | 2017-10-13 | 2018-01-09 | 上海交通大学 | 铌酸锂薄膜纳米级周期性极化的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3754136B2 (ja) | 2006-03-08 |
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