JPH1046337A - 成膜装置 - Google Patents

成膜装置

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JPH1046337A
JPH1046337A JP20444596A JP20444596A JPH1046337A JP H1046337 A JPH1046337 A JP H1046337A JP 20444596 A JP20444596 A JP 20444596A JP 20444596 A JP20444596 A JP 20444596A JP H1046337 A JPH1046337 A JP H1046337A
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JP
Japan
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substrate
driving mechanism
vacuum chamber
substrate holder
film forming
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JP20444596A
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English (en)
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Makoto Sasaki
真 佐々木
Hiroyasu Kawano
浩康 川野
Tomohisa Yagi
友久 八木
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板の表面に膜を形成する成膜装置に関し、
成膜作業の効率化を目的とする。 【解決手段】 真空チャンバー80内に配置され,基板1
を保持する基板ホルダー70と、前記真空チャンバー80内
の気圧(真空度)の変化対応に伸縮して前記基板1を前
記基板ホルダー70に圧接させる基板駆動機構50と、を具
備してなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄板状の基板の表
面に金属等を堆積させて膜を形成するスパッタリング装
置や真空蒸着装置などの成膜装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図8は成膜装置の基本構造を説明するた
めの図である。図中、80は真空チャンバー、1は膜を堆
積させる基板、70は基板1と接触することによって当該
基板1の温度を制御する基板ホルダー、60は基板1を基
板ホルダー70に固定するための基板固定機構、85は真空
チャンバーの基台部、71は基板ホルダー70を基台部85に
固定するための支柱、82は基板1に堆積させる堆積物質
Gの物質源Fを収容する容器、90は真空ポンプ、をそれ
ぞれ示す。
【0003】以下この成膜装置によって基板1上に膜を
形成する成膜工程を説明する。 (1) まず基板固定機構60を用いて基板1を基板ホルダー
70に固定する。これによって基板ホルダー70から基板1
側へ熱が移動して該基板1の温度は所期の温度に制御さ
れる。なお、基板ホルダー70の温度は成膜条件対応に設
定されるが、この基板ホルダー70の温度を制御する手段
については特定しない。
【0004】(2) 真空チャンバー80を閉じる。これによ
って真空チャンバー80の内部は密閉状態となる。 (3) 真空ポンプ90によって真空チャンバー80内を減圧す
る。
【0005】(4) 基板1が所期の温度となり、さらに真
空チャンバー80内が減圧によって成膜可能な気圧(真空
度)になると容器82内の物質源Fから堆積物質Gを飛ば
せて基板1の表面に堆積物質Gの膜を形成する。
【0006】さて、真空成膜を効率化するためには、基
板1の温度を精度良く制御することが重要である。これ
は、基板1の表面温度が堆積する膜の物性を決定する上
で重要な因子となるからである。この装置の場合、基板
1の温度制御は基板ホルダー70を介して行われることか
ら、基板1と基板ホルダー70の密着度を高めてやること
が基板1の温度制御の精度向上につながる。
【0007】図9は基板を基板ホルダーに固定する基板
固定機構の従来構造を説明するための図である。この基
板固定機構60は、ねじ挿通穴65を備えた爪63と、前記ね
じ挿通穴65を挿通して基板ホルダー70のねじ穴72に螺入
されるねじ61と、からなるもので、前記爪63によって基
板1を基板ホルダー70側へ押圧して固定する。この場
合、爪63が基板1を基板ホルダー70側へ押圧する押圧力
は、前記ねじ61の締めつけトルクによって決まることに
なる。
【0008】図10は成膜装置の一変形例を示す図であっ
て、該成膜装置は、一つの基板ホルダー70Aに複数の基
板1を配置して成膜を行うように構成されている。この
成膜装置は、Oを回転中心として基板ホルダー70Aを矢
印R方向に回転させながら容器82の上方に位置している
各基板1の表面に物質源Fから飛び出した堆積物質Gを
堆積させて成膜する。この成膜装置の場合は、真空チャ
ンバー(図示せず)内を一回減圧するだけで複数の基板
1に堆積物質Gを堆積させることができるので量産に適
している。なお、この成膜装置も、図9に開示した基板
固定機構60を用いて各基板1を基板ホルダー70Aに固定
する。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】図8,図9,図10を用
いて説明した成膜装置は、爪63とねじ61とで構成された
基板固定機構60を用いて基板1を基板ホルダー70,70A
に押圧して固定するようになっている。このため、基板
1を交換するときは全てのねじ61を一旦緩めて基板1の
交換を行った後に再びこれらのねじ61を所定のトルクで
締めつけて基板1を基板ホルダー70,70Aに固定するこ
とになる。しかしながら、基板1を交換する度毎に全て
のねじ61を一本づつ緩めたり,締めつけたりするのは作
業者に大きな負担を強いることになる。従って、この基
板固定機構60を用いて基板1の着脱を行うと極めて作業
効率が悪い。
【0010】特に、この基板固定機構60においては、爪
63の押圧力がねじ61の締め付けトルクに依存することか
ら、ねじ61の締めつけトルクが過大であると基板1が破
損するし、逆にねじ61の締めつけトルクが過少であると
熱の流通が不充分になって基板1を所定温度に制御する
ことができない。このため、作業者はねじ61の締めつけ
トルクには特に神経を使うことになるので作業効率が悪
くなる。
【0011】本発明は、基板交換作業の効率化を実現す
るために創案されたものである。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明による成膜装置
は、図1に開示しているように、真空チャンバー80内に
配置された基板1を保持する基板ホルダー70と、前記真
空チャンバー80内の真空度対応に伸縮して前記基板1を
基板ホルダー70に圧接させる基板駆動機構50と、を具備
してなるものである。
【0013】前記基板駆動機構50は、気体Mの体積が外
部圧力対応に変化する現象を利用してこの体積の変化を
背丈Hの変化に変換するように構成されている。即ち基
板駆動機構50は、真空チャンバー80内を減圧してシリン
ダー部材51とピストン部材53とによって密封状態で配置
されている気体Mの体積が膨張したときはピストン部材
53がシリンダー部材51から突出してその背丈がH1 で示
すように高くなる。このため、ピストン部材53上に載置
されている基板1は上方へ持ち上げられて基板ホルダー
70に圧接する。また、逆に真空チャンバー80内の圧力を
常圧に戻してやると気体Mは元の体積に戻ってピストン
部材53がシリンダー部材51内に引き込まれるので基板駆
動機構50は元の背丈Hに戻り、基板1を基板ホルダー70
から引き離す。
【0014】この成膜装置は、基板1を基板ホルダー70
に圧接させる操作が前記真空チャンバー80内の真空度を
変化させることによって自動的に実行される構造である
ことを特徴とする。
【0015】
【発明の実施の形態】図1(a) と(b) は本発明による成
膜装置の構成原理を説明するための図(その1)であ
る。図中、1は膜を堆積させる基板、70は基板1と接触
することによって当該基板1の温度を制御する基板ホル
ダー、50は真空チャンバー80内の真空度の変化対応に伸
縮して基板1を基板ホルダー70に圧接させる基板駆動機
構、51と53は基板駆動機構50の構成部材であるシリンダ
ー部材とピストン部材、52はピストン部材53が嵌合状態
で係入するピストン係入部、Mはシリンダー部材51とピ
ストン部材53とによって密封された状態で配置されてい
る気体、75は基板駆動機構50を支持してこれを基板ホル
ダー70に固定する支持部材、をそれぞれ示す。
【0016】なお、本発明は基板1を基板ホルダー70に
圧接させる基板駆動機構の改良に関する発明である。図
1(a) と(b) に示すように、本発明による成膜装置は、
真空チャンバー80内の基板1と接触することによって該
基板1の温度制御を行う基板ホルダー70と、前記真空チ
ャンバー80内の気圧(以下真空度と称する)の変化対応
に背丈がH〜H1 の範囲で変化する基板駆動機構50と、
を具備してなるもので、特に前記基板1を前記基板ホル
ダー70に圧接させる制御が、前記真空チャンバー80内の
真空度の変化によって自動的に実行される構造であるこ
とを特徴とする。
【0017】以下この成膜装置を用いて基板上に膜を形
成する工程について説明する。 (1) まず膜を堆積させる基板1を基板駆動機構50のピス
トン部材53の上に図1(a) に示すように載置する。この
ときは基板ホルダー70とピストン部材53間には所定の隙
間Sが形成されているので基板1の交換はこのときに行
う。なお、この図1(a) と(b) の場合は、基板駆動機構
50が1個だけ開示されているが、この基板駆動機構50は
複数箇所に設けられている。
【0018】(2) 図示しない真空ポンプ90(図8参照)
を作動させて真空チャンバー80内を減圧する。 (3) 真空チャンバー80内を減圧して真空度が高くなると
前記気体Mの体積が膨張してピストン部材53を矢印U方
向に押し上げる。これによって当初Hであった基板駆動
機構50の背丈はH1 と高くなる〔図1(a) と(b) 参
照〕。
【0019】(4) 基板駆動機構50の背丈がH1 と高くな
ったことによってピストン部材53上に載置されている基
板1は矢印U方向に上昇し、基板ホルダー70に圧接す
る。なお、基板駆動機構50の背丈が伸びてH1 になって
いるときは基板1が基板ホルダー70に圧接していなけれ
ばならないが、この圧接力は基板駆動機構50内に充填さ
れている気体Mの充填量を制御することによって調整さ
れる。
【0020】(5) 基板1が所期の温度となり、真空チャ
ンバー80内が成膜可能な真空度になると、図8に開示し
た容器82内の物質源Fから堆積物質Gを飛ばせて基板1
の表面に堆積物質Gの膜を形成する。
【0021】以上の説明から明らかなように、この成膜
装置は、基板1を基板ホルダー70に圧接させる制御が真
空チャンバー80内の真空度を変化させることによって自
動的に実行される点に特徴がある。
【0022】また、この成膜装置は、気体Mの体積膨張
によって生じる押圧力を利用して基板1を基板ホルダー
70に圧接させるという方式であることから、ピストン部
材53と基板1と基板ホルダー70はそれぞれソフトタッチ
で接触する。このため、この成膜装置の場合は、基板1
が損傷するといった事故は殆ど発生しない。
【0023】ところで、本実施例では気体Mにアルゴン
を用いているが、気体Mは物理的,化学的に安定度の高
い気体であれば良い。このため、気体Mの種類について
は特定しない。
【0024】なお、前記基板駆動機構50は、ピストン部
材53とシリンダー部材51によって気体Mを密封すること
になるため、ピストン部材53とピストン係入部52が摺動
する部分には気密性を維持するためのシリコングリス等
が塗布される。
【0025】図2(a) と(b) は本発明による成膜装置の
構成原理を説明するための図(その2)である。図2
(a) と(b) に示す成膜装置は、ベローズ状の袋40の中に
気体Mを密封した構造の基板駆動機構50Aを装備してい
る以外は図1に開示した成膜装置と同じである。
【0026】前記ベローズ状の袋40は、内部に密封され
ている気体Mの膨張/収縮によってその背丈が軸心Z方
向に伸縮するので、この基板駆動機構50Aの動作は図1
で説明した基板駆動機構50と同じである。
【0027】図3(a) と(b) は本発明の第1実施例を説
明するための図であって、図3(a)は基板駆動機構が動
作する前の状態を示し、図3(b) は基板駆動機構が動作
して基板を基板ホルダーに圧接させている状態を示す。
【0028】この第1実施例に開示した成膜装置は、基
板ホルダー70の上面側に配置された基板駆動機構50によ
って当該基板ホルダー70の下面側に配置されている基板
1を駆動するようになっている。なお、この第1実施例
に開示した技術は、基板1のサイズが大きくて基板配置
側に基板駆動機構50を配置するスペースが少ない場合に
適用される。この技術を適用すると基板ホルダー70に密
接している基板駆動機構50に膜が成膜されるといった現
象は発生しない。
【0029】この成膜装置は、一方の端部が基板駆動機
構50のピストン部材53に固定され他方の端部が基板押圧
部材35に固定された動力伝導機構30を介して基板1を基
板ホルダー70に圧接させるように構成されている。
【0030】前記動力伝導機構30は、基板ホルダー70側
に設けられた貫通穴73を挿通する形でピストン部材53と
基板押圧部材35とを連結することによって基板ホルダー
70の上面側に配置された基板駆動機構50の動作(背丈が
H〜H1 の範囲で変化する現象)を当該基板ホルダー70
の下面側に配置されている基板1に伝導することを可能
にしている。なお、この成膜装置によって基板1上に成
膜する工程は図1で説明したとおりである。
【0031】この成膜装置は、シリンダー部材51とピス
トン部材53と気体Mとからなる基板駆動機構50を装備し
た装置構成になっているが、この基板駆動機構50の代わ
りに図2で説明した基板駆動機構50Aを用いても同様の
効果が得られる。
【0032】図4は本発明の第2実施例を説明するため
の図である。この第2実施例に開示した成膜装置は、動
力伝導機構30Aの構造のみが前記第1実施例に開示した
成膜装置と異なる。即ちこの動力伝導機構30Aは、ピス
トン部材53と基板押圧部材35を連結する動力伝導機構30
Aが、シリンダー部材51の底部に設けられた挿通穴56と
基板ホルダー70A側に設けられた貫通穴73を挿通する形
で設けられている。
【0033】図4から明らかなように、この成膜装置の
場合は、動力伝導機構30Aの形状が極めて簡単で製作し
易い点に特徴がある。なお、この基板駆動機構50Bは、
気体Mの漏洩を防止するために挿通穴56と動力伝導機構
30Aが摺動する部分に気密を確保するためのグリス等が
塗布される。
【0034】図5(a) と(b) と(c) と(d) は基板押圧部
材の構造例を説明するための図である。図5(a) と(b)
に開示しているのは、例えば金属板或いは硬質プラスチ
ック等で構成された基板押圧部材35である。この基板押
圧部材35は動力伝導機構30の伝導体31に固定ねじ36を用
いて固定される。この基板押圧部材35は、前記固定ねじ
36を緩めることによって図5(b) に示すように矢印R方
向或いは矢印R’方向に回転して先端位置を変えること
ができる。
【0035】次の図5(c) に開示しているのは、弾力性
を有する金属或いはプラスチック等で構成された基板押
圧部材35Aである。この基板押圧部材35Aを用いると基
板1を押圧するときに弾力性が作用するので基板1を損
傷する危険性が少なくなる。
【0036】また、図5(d) に開示されている基板押圧
部材35Bは、基板1と接触する側の面に軟質ゴム,スポ
ンジ等からなる緩衝材38が配置されている。このため、
この基板押圧部材35Bを用いると、基板1を押圧すると
きにクッション性が作用するので基板1を損傷する危険
性がない。
【0037】図6(a) と(b) は基板押圧部材の一変形例
を示す図であって、(a) は模式的要部側断面図、(b) は
模式的要部斜視図である。この基板押圧部材35Cは、リ
ング状(環状)に形成されているので基板1の外周部分
を全面的に保持することになる。なお、該基板押圧部材
35Cは複数個(この実施例では2個)の基板駆動機構50
によって駆動されて基板1を基板ホルダー70に圧接させ
る。
【0038】この基板押圧部材35Cは基板1を均等に押
圧することになるので基板1に加えられる押圧力が特定
部分に集中しない。このため、この基板押圧部材35Cを
用いると成膜工程中に基板1が損傷する危険性がより少
なくなる。
【0039】図7(a) と(b) と(c) と(d) は本発明の一
応用例を説明するための図である。図中、50Cは基板駆
動機構、20はピストン部材53の作用方向を変換させる作
用方向変換部材、25は作用方向変換部材20の作用方向を
制御するガイド、をそれぞれ示す。
【0040】この成膜装置は、基板駆動機構50Cの背丈
H〜H1 の変化が、力の作用方向を変換させる作用方向
変換部材20を介して基板1に伝導される構造であること
を特徴とするものである。
【0041】以下基板1が基板ホルダー70に圧接するま
での工程を説明する。 (1) まず基板1を基板駆動機構50Cのピストン部材53の
先端部分に設けられている作用方向変換部材20の斜面22
上に載置する〔図7(a) 参照〕。このときの基板駆動機
構50Cの背丈は図中Hで示すように動作前の背丈Hであ
る。
【0042】(2) 真空チャンバー(図示せず)内を減圧
する。これによって基板駆動機構50Cに内蔵されている
気体Mが膨張してピストン部材53を図7(b) に示すよう
に矢印S方向に押し出す。このときの基板駆動機構50C
の背丈は図中H1 で示すようにHよりも大きくなってい
る。
【0043】(3) 基板駆動機構50Cの背丈が大きくなっ
て作用方向変換部材20が矢印S方向に移動したことによ
って該作用方向変換部材20の斜面22上に載置されている
前記基板1は矢印U方向に押し上げられて基板ホルダー
70に圧接する。
【0044】図7(c) は前記ガイド25の作用を示す図で
ある。この図7(c) から明らかなように、作用方向変換
部材20はその側面部分をこのガイド25によって摺動可能
に保持された形になっている。このため、矢印S方向に
移動するときに作用方向変換部材20の斜面22が面ブレを
起こすことがない。
【0045】図7(d) は作用方向変換部材20の斜面22に
緩衝材38を配置した状態を示す図である。このように作
用方向変換部材20の斜面22に緩衝材38が配置されている
と、この緩衝材38の作用によって作用方向変換部材20と
基板1の接触がソフトタッチとなるので基板1の損傷事
故を的確に回避することができる。
【0046】以上の説明から明らかなように、本発明に
よる成膜装置は、真空チャンバー内の真空度を変化させ
ることによって基板を基板ホルダーに圧接させる制御が
自動的に実行される。このため、この成膜装置を用いる
と成膜作業が著しく効率化される。
【0047】またこの成膜装置は、気体の膨張力を利用
して基板を基板ホルダーに圧接させるようになっている
ので両者がソフトタッチで接触する。このため、基板の
損傷事故が発生し難い。
【0048】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、基板を極めて安全且つ効率的に成膜装置にセ
ッティングすることができるので作業効率を飛躍的に向
上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の構成原理を説明するための図(その
1)
【図2】 本発明の構成原理を説明するための図(その
2)
【図3】 本発明の第1実施例を説明するための図
【図4】 本発明の第2実施例を説明するための図
【図5】 基板押圧部材の一構造例を示す図
【図6】 基板押圧部材の一変形例を示す図
【図7】 本発明の一応用例を説明するための図
【図8】 成膜装置の基本構造を説明するための図
【図9】 基板を基板ホルダーに固定する基板固定機構
の従来構造を説明するための図
【図10】 成膜装置の一変形例を示す図
【符号の説明】
1 基板、 20 作用方向変換部材、 22 斜面、 25 ガイド、 30,30A 動力伝導機構、 35 基板押圧部材、 38 緩衝材、 40 ベローズ状の袋、 50,50A,50B,50C 基板駆動機構、 51 シリンダー部材、 52 ピストン係入部、 53 ピストン部材、 60 基板固定機構、 61 ねじ、 63 爪、 65 ねじ挿通穴、 70,70A 基板ホルダー、 71 支柱、 73 貫通穴、 75 支持部材、 80 真空チャンバー、 82 容器、 F 物質源、 G 堆積物質、

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板の表面に膜を形成する成膜装置であ
    って、 真空チャンバー内に配置され,基板を保持する基板ホル
    ダーと、 前記真空チャンバー内の気圧の変化対応に伸縮して前記
    基板を前記基板ホルダーに圧接させる基板駆動手段と、 を具備してなることを特徴とする成膜装置。
JP20444596A 1996-08-02 1996-08-02 成膜装置 Withdrawn JPH1046337A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1029942A1 (en) * 1998-08-19 2000-08-23 Shibaura Mechatronics Corporation Drive mechanism for vacuum device and vacuum device

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EP1029942A1 (en) * 1998-08-19 2000-08-23 Shibaura Mechatronics Corporation Drive mechanism for vacuum device and vacuum device
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