JPH104123A - 電子回路装置の製造方法及びそれを用いて製造された電子回路装置 - Google Patents
電子回路装置の製造方法及びそれを用いて製造された電子回路装置Info
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- JPH104123A JPH104123A JP15270196A JP15270196A JPH104123A JP H104123 A JPH104123 A JP H104123A JP 15270196 A JP15270196 A JP 15270196A JP 15270196 A JP15270196 A JP 15270196A JP H104123 A JPH104123 A JP H104123A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体チップが実装された電子回路装置の製
造方法及びそれを用いて製造された電子回路装置に関
し、電子部品の実装密度及び電子部品の接続の信頼性を
向上させることができる電子回路装置の製造方法及びそ
れを用いて製造された電子回路装置を提供することを目
的とする。 【解決手段】 半導体チップの接続パッドにバンプを生
成し、半導体チップのバンプが生成された面を基板に対
向させ、金属粒子が混合されたボンディング樹脂を介し
て半導体チップをバンプが基板上の接続パッドに接触す
るように位置決めした後、半導体チップと基板とをモー
ルドすることにより、モールド樹脂の圧力によりバンプ
と接続パッドとを圧着し、半導体チップと基板とを接続
する。
造方法及びそれを用いて製造された電子回路装置に関
し、電子部品の実装密度及び電子部品の接続の信頼性を
向上させることができる電子回路装置の製造方法及びそ
れを用いて製造された電子回路装置を提供することを目
的とする。 【解決手段】 半導体チップの接続パッドにバンプを生
成し、半導体チップのバンプが生成された面を基板に対
向させ、金属粒子が混合されたボンディング樹脂を介し
て半導体チップをバンプが基板上の接続パッドに接触す
るように位置決めした後、半導体チップと基板とをモー
ルドすることにより、モールド樹脂の圧力によりバンプ
と接続パッドとを圧着し、半導体チップと基板とを接続
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子回路装置の製造
方法及びそれを用いて製造された電子回路装置に係り、
特に、半導体チップが実装された電子回路装置の製造方
法及びそれを用いて製造された電子回路装置に関する。
方法及びそれを用いて製造された電子回路装置に係り、
特に、半導体チップが実装された電子回路装置の製造方
法及びそれを用いて製造された電子回路装置に関する。
【０００２】近年、電子回路やシステムの小型化、高性
能化が進む中、ＭＣＭ（Mult-ChipModule ）、ハイブリ
ッドＩＣ等の電子回路装置にはさらなる小型化、高性能
化が求められている。このため、ＭＣＭ、ハイブリッド
ＩＣ等の電子回路装置を構成する各部品の基板への高密
度実装が必要とされている。
能化が進む中、ＭＣＭ（Mult-ChipModule ）、ハイブリ
ッドＩＣ等の電子回路装置にはさらなる小型化、高性能
化が求められている。このため、ＭＣＭ、ハイブリッド
ＩＣ等の電子回路装置を構成する各部品の基板への高密
度実装が必要とされている。
【０００３】
【従来の技術】従来、ＭＣＭ、ハイブリッドＩＣ等の電
子回路装置では、半導体チップは基板上にダイボンディ
ングされ、金（Au）やアルミ（Al）等からなるワイヤを
用いて基板に接続されていた。
子回路装置では、半導体チップは基板上にダイボンディ
ングされ、金（Au）やアルミ（Al）等からなるワイヤを
用いて基板に接続されていた。
【０００４】図５に従来のハイブリッドＩＣの半導体チ
ップと基板との接続方法の一例を説明するための図を示
す。同図中、１は半導体チップ、２は基板を示す。半導
体チップ１は、回路が形成された面１ａ側を上方（矢印
Ｚ1 方向）に向けて基板２上に設定された半導体チップ
搭載エリアＡ1 に接着剤等を用いてダイボンディングさ
れる。
ップと基板との接続方法の一例を説明するための図を示
す。同図中、１は半導体チップ、２は基板を示す。半導
体チップ１は、回路が形成された面１ａ側を上方（矢印
Ｚ1 方向）に向けて基板２上に設定された半導体チップ
搭載エリアＡ1 に接着剤等を用いてダイボンディングさ
れる。
【０００５】半導体チップ１は基板２にダイボンディン
グされた後、回路形成面１ａに生成されたチップ側接続
パッド１ｂと基板２上の半導体チップ１を搭載する搭載
領域Ａ1 の周囲に形成された基板側接続パッド２ａとを
ワイヤボンディングされ、ワイヤ３により接続し、半導
体チップ１と基板２との電気的導通が計られる。
グされた後、回路形成面１ａに生成されたチップ側接続
パッド１ｂと基板２上の半導体チップ１を搭載する搭載
領域Ａ1 の周囲に形成された基板側接続パッド２ａとを
ワイヤボンディングされ、ワイヤ３により接続し、半導
体チップ１と基板２との電気的導通が計られる。
【０００６】基板２は半導体チップ１及び他の電子部品
が搭載された後、リードフレームに取り付けられる。基
板２とリードフレームとが電気的に接続された後、半導
体チップ１及び基板２が樹脂モールドされパッケージン
グされる。
が搭載された後、リードフレームに取り付けられる。基
板２とリードフレームとが電気的に接続された後、半導
体チップ１及び基板２が樹脂モールドされパッケージン
グされる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、従来の電子
回路装置では半導体チップと基板との接続はダイボンデ
ィング及びワイヤボンディングにより行われていたた
め、基板の半導体チップ搭載部分の周囲に接続パッドを
形成するためのスペースが必要となり、基板面積が大き
くなってしまう。
回路装置では半導体チップと基板との接続はダイボンデ
ィング及びワイヤボンディングにより行われていたた
め、基板の半導体チップ搭載部分の周囲に接続パッドを
形成するためのスペースが必要となり、基板面積が大き
くなってしまう。
【０００８】また、ワイヤボンディングにより接続を行
っているため、モールドによるパッケージング時にモー
ルド樹脂の流入によりワイヤが押し流され、ショートや
断線が生じ歩留まり、装置の信頼性を低下させていた。
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、電子部品の
実装密度及び電子部品の接続の信頼性を向上させること
ができる電子回路装置の製造方法及びそれを用いて製造
された電子回路装置を提供することを目的とする。
っているため、モールドによるパッケージング時にモー
ルド樹脂の流入によりワイヤが押し流され、ショートや
断線が生じ歩留まり、装置の信頼性を低下させていた。
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、電子部品の
実装密度及び電子部品の接続の信頼性を向上させること
ができる電子回路装置の製造方法及びそれを用いて製造
された電子回路装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１は、電
子部品を被搭載部材上の所定の搭載エリアに搭載し、該
電子部品と該被搭載部材とを電気的に接続し、該電子部
品を該被搭載部材とともにモールドしてなる電子回路装
置の製造方法において、前記電子部品の接続パッドと前
記被搭載部材上に前記電子部品の接続パッドに対応して
設けられた接続パッドとの間にバンプを配置した後、前
記電子部品及び前記被搭載部材をモールドし、モールド
材の圧力により前記半導体チップの接続パッドと前記被
搭載部材の接続パッドとを前記バンプを介して圧着し、
前記電子部品と前記被搭載部材とを接続することを特徴
とする請求項１によれば、電子部品と被搭載部材とをバ
ンプにより電気的及び機械的に接続しているため、接続
パッドを電子部品の搭載面上に形成できるので、電子部
品の搭載面積を小さくでき、電子部品の高密度実装が可
能となる。また、電子部品と被搭載部材との接続はモー
ルド時のモールド材の圧力により接続パッドがバンプに
圧着することにより行われるため、モールド時に接続パ
ッドがずれることがなく、電子部品と被搭載部材との接
続を確実に行え、接続の信頼性を向上させることができ
る。さらに、電子部品の被搭載部材への接続とモールド
とを同時に行えるため、製造工程を簡略化できる。
子部品を被搭載部材上の所定の搭載エリアに搭載し、該
電子部品と該被搭載部材とを電気的に接続し、該電子部
品を該被搭載部材とともにモールドしてなる電子回路装
置の製造方法において、前記電子部品の接続パッドと前
記被搭載部材上に前記電子部品の接続パッドに対応して
設けられた接続パッドとの間にバンプを配置した後、前
記電子部品及び前記被搭載部材をモールドし、モールド
材の圧力により前記半導体チップの接続パッドと前記被
搭載部材の接続パッドとを前記バンプを介して圧着し、
前記電子部品と前記被搭載部材とを接続することを特徴
とする請求項１によれば、電子部品と被搭載部材とをバ
ンプにより電気的及び機械的に接続しているため、接続
パッドを電子部品の搭載面上に形成できるので、電子部
品の搭載面積を小さくでき、電子部品の高密度実装が可
能となる。また、電子部品と被搭載部材との接続はモー
ルド時のモールド材の圧力により接続パッドがバンプに
圧着することにより行われるため、モールド時に接続パ
ッドがずれることがなく、電子部品と被搭載部材との接
続を確実に行え、接続の信頼性を向上させることができ
る。さらに、電子部品の被搭載部材への接続とモールド
とを同時に行えるため、製造工程を簡略化できる。
【００１０】請求項２は、前記電子部品と前記被搭載部
材との間に金属粒子が混合されたボンディング樹脂を介
在させて前記電子部品及び前記被搭載部材を位置決めし
た後モールドすることを特徴とする。請求項２によれ
ば、電子部品と被搭載部材との間に金属粒子が混合され
たボンディング樹脂を介在させ、モールドを行うことに
より、バンプと接続パッドとが確実に接続できる。
材との間に金属粒子が混合されたボンディング樹脂を介
在させて前記電子部品及び前記被搭載部材を位置決めし
た後モールドすることを特徴とする。請求項２によれ
ば、電子部品と被搭載部材との間に金属粒子が混合され
たボンディング樹脂を介在させ、モールドを行うことに
より、バンプと接続パッドとが確実に接続できる。
【００１１】請求項３は、前記電子部品が半導体チップ
であることを特徴とする。請求項３によれば、電子部品
を接続パッドの多い半導体チップとすることにより、高
密度化、接続の信頼性を効果的に行える。請求項４は、
前記被搭載部材がプリント配線板であることを特徴とす
る。
であることを特徴とする。請求項３によれば、電子部品
を接続パッドの多い半導体チップとすることにより、高
密度化、接続の信頼性を効果的に行える。請求項４は、
前記被搭載部材がプリント配線板であることを特徴とす
る。
【００１２】請求項４によれば、被搭載部材を複数の電
子部品が搭載されるプリント配線板とすることにより、
電子部品の搭載スペースを小さくできるため、高密度化
を効果的に行える。請求項５は、前記被搭載部材が他の
半導体チップであることを特徴とする。
子部品が搭載されるプリント配線板とすることにより、
電子部品の搭載スペースを小さくできるため、高密度化
を効果的に行える。請求項５は、前記被搭載部材が他の
半導体チップであることを特徴とする。
【００１３】請求項５によれば、被搭載部材は他の半導
体チップとすることにより、パッケージングしたときの
外形状を小型化できる。請求項６は、上記請求項１乃至
４のいずれか一項記載の電子回路装置の製造方法を用い
て製造された電子回路装置である。
体チップとすることにより、パッケージングしたときの
外形状を小型化できる。請求項６は、上記請求項１乃至
４のいずれか一項記載の電子回路装置の製造方法を用い
て製造された電子回路装置である。
【００１４】請求項６によれば、上記の製造方法により
製造することにより小型で、信頼性の高い電子回路装置
を得ることができる。
製造することにより小型で、信頼性の高い電子回路装置
を得ることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】図１及び図２に本発明の一実施例
の電子回路装置の製造工程図を示す。本実施例ではハイ
ブリッドＩＣの製造方法を説明する。図１及び図２にお
いて、１１は特許請求の範囲の電子部品に相当する半導
体チップ、１２は特許請求の範囲の被搭載部材に相当す
る基板、１３はバンプを示す。
の電子回路装置の製造工程図を示す。本実施例ではハイ
ブリッドＩＣの製造方法を説明する。図１及び図２にお
いて、１１は特許請求の範囲の電子部品に相当する半導
体チップ、１２は特許請求の範囲の被搭載部材に相当す
る基板、１３はバンプを示す。
【００１６】半導体チップ１１はシリコンなどからなる
半導体基板１１ａの一面Ｓ１側にはリン（P ）、砒素
（As）、アンチモン（Sb）；ホウ素（B ）、インジウム
（In）などの不純物をドーピングしたり、アルミなどの
配線を形成することにより回路部１１ｂが形成されてい
る。半導体基板１１ａの回路面Ｓ１側の周縁部には回路
部１１ｂを基板１２と接続するための接続パッド１１ｃ
が形成されている。
半導体基板１１ａの一面Ｓ１側にはリン（P ）、砒素
（As）、アンチモン（Sb）；ホウ素（B ）、インジウム
（In）などの不純物をドーピングしたり、アルミなどの
配線を形成することにより回路部１１ｂが形成されてい
る。半導体基板１１ａの回路面Ｓ１側の周縁部には回路
部１１ｂを基板１２と接続するための接続パッド１１ｃ
が形成されている。
【００１７】接続パッド１１ｃ上には図１（ｂ）に示す
ように球状のバンプ１３が形成される。バンプ１３の形
成は、まず、バンプ材料粒子をフラックスに混合した材
料をスクリーン印刷などにより接続パッド１１ｃ上に塗
布する。次に、バンプ材料粒子をフラックスに混合した
材料を加熱することによりフラックスを蒸発させて、バ
ンプ材料粒子を溶融させる。溶融したバンプ材料には表
面張力が働くことにより球状に成形される。球状のバン
プ材料を冷却することにより球状のバンプ１３が形成さ
れる。またバンプの別な形成方法としては、ワイヤボン
ディングの技術を利用してワイヤの先端に形成されたボ
ールを半導体チップ上の接続パッドに圧着後、ワイヤを
切り離すことにより球状のバンプを形成する方法があ
る。
ように球状のバンプ１３が形成される。バンプ１３の形
成は、まず、バンプ材料粒子をフラックスに混合した材
料をスクリーン印刷などにより接続パッド１１ｃ上に塗
布する。次に、バンプ材料粒子をフラックスに混合した
材料を加熱することによりフラックスを蒸発させて、バ
ンプ材料粒子を溶融させる。溶融したバンプ材料には表
面張力が働くことにより球状に成形される。球状のバン
プ材料を冷却することにより球状のバンプ１３が形成さ
れる。またバンプの別な形成方法としては、ワイヤボン
ディングの技術を利用してワイヤの先端に形成されたボ
ールを半導体チップ上の接続パッドに圧着後、ワイヤを
切り離すことにより球状のバンプを形成する方法があ
る。
【００１８】基板１２はセラミック基板または焼成基
板、ガラエポ基板などからなり両面にプリント配線１２
ｃが形成されている。基板１２には、半導体チップ１１
及び他の電子部品１２ｂが搭載され、半導体チップ１１
及び他の電子部品１２ｂをプリント配線１２ｃにより接
続することにより所望の電子回路が形成されている。半
導体チップ１１及び他の電子部品１２ｂにより形成され
た回路は、基板１２の下面側の外縁部に形成された外部
接続パッド１２ｄによりリードフレーム１５に接続され
る。
板、ガラエポ基板などからなり両面にプリント配線１２
ｃが形成されている。基板１２には、半導体チップ１１
及び他の電子部品１２ｂが搭載され、半導体チップ１１
及び他の電子部品１２ｂをプリント配線１２ｃにより接
続することにより所望の電子回路が形成されている。半
導体チップ１１及び他の電子部品１２ｂにより形成され
た回路は、基板１２の下面側の外縁部に形成された外部
接続パッド１２ｄによりリードフレーム１５に接続され
る。
【００１９】基板１２の半導体チップ１１が搭載される
領域Ａ11には半導体チップ１１を搭載したときに半導体
チップ１１に形成された接続パッド１１ｃ及びバンプ１
３が対向する位置に接続パッド１２ａが形成されてい
る。半導体チップ１１と基板１２との接続は、まず、図
１（ｄ）に示すように基板１２のチップ搭載領域Ａ11に
金属粒子が混合されたボンディング樹脂１４を塗布す
る。次に、図１（ｅ），（ｆ）に示すように半導体チッ
プ１１の接続パッド１１ｃ及びバンプ１３が基板１２上
に形成された接続パッド１２ａと一致するように半導体
チップ１１を基板１２のチップ搭載領域Ａ11に搭載す
る。
領域Ａ11には半導体チップ１１を搭載したときに半導体
チップ１１に形成された接続パッド１１ｃ及びバンプ１
３が対向する位置に接続パッド１２ａが形成されてい
る。半導体チップ１１と基板１２との接続は、まず、図
１（ｄ）に示すように基板１２のチップ搭載領域Ａ11に
金属粒子が混合されたボンディング樹脂１４を塗布す
る。次に、図１（ｅ），（ｆ）に示すように半導体チッ
プ１１の接続パッド１１ｃ及びバンプ１３が基板１２上
に形成された接続パッド１２ａと一致するように半導体
チップ１１を基板１２のチップ搭載領域Ａ11に搭載す
る。
【００２０】半導体チップ１１は金属粒子混合ボンディ
ング樹脂１４を介して基板１２のチップ搭載領域Ａ11に
搭載され、金属粒子混合ボンディング樹脂１４により接
続パッド１１ｃ及びバンプ１３と基板１２上に形成され
た接続パッド１２ａとが一致する所望の位置に位置決め
される。
ング樹脂１４を介して基板１２のチップ搭載領域Ａ11に
搭載され、金属粒子混合ボンディング樹脂１４により接
続パッド１１ｃ及びバンプ１３と基板１２上に形成され
た接続パッド１２ａとが一致する所望の位置に位置決め
される。
【００２１】金属粒子混合ボンディング樹脂１４により
半導体チップ１１が仮に位置決め保持された基板１２は
図２（ａ）に示すようにリードフレーム１５に固定され
る。このとき、リードフレーム１５に保持された基板１
２は、基板１２の外縁部に形成された外部接続パッド１
２ｄがリードフレーム１５のリード１５ａにボンディン
グされる。
半導体チップ１１が仮に位置決め保持された基板１２は
図２（ａ）に示すようにリードフレーム１５に固定され
る。このとき、リードフレーム１５に保持された基板１
２は、基板１２の外縁部に形成された外部接続パッド１
２ｄがリードフレーム１５のリード１５ａにボンディン
グされる。
【００２２】半導体チップ１１が仮止めされた基板１２
がボンディングされたリードフレーム１５は図２（ｂ）
に示すようにモールド型１６に装着される。このとき、
半導体チップ１１及び基板１２がモールド型１６により
形成される型部１７に収容される。
がボンディングされたリードフレーム１５は図２（ｂ）
に示すようにモールド型１６に装着される。このとき、
半導体チップ１１及び基板１２がモールド型１６により
形成される型部１７に収容される。
【００２３】モールド型１６は上型１６ａと下型１６ｂ
とに分割されており、上型１６ａと下型１６ｂとを組み
合わせることにより形成される型部１７が形成される。
モールド型１６の上型１６ａと下型１６ｂとの間にはリ
ードフレーム１５が型部１７に半導体チップ１１及び基
板１２の搭載部分が位置するように挟持される。
とに分割されており、上型１６ａと下型１６ｂとを組み
合わせることにより形成される型部１７が形成される。
モールド型１６の上型１６ａと下型１６ｂとの間にはリ
ードフレーム１５が型部１７に半導体チップ１１及び基
板１２の搭載部分が位置するように挟持される。
【００２４】モールド型１６の上型１６ａと下型１６ｂ
との間にリードフレーム１５が挟持され、型部１７に半
導体チップ１１及び基板１２が収容されると、次に、型
部１７に挿通された樹脂供給口１６ｃからモールド樹脂
１８が所定の圧力で供給される。モールド樹脂１８によ
り型部１７内に圧力が発生する。
との間にリードフレーム１５が挟持され、型部１７に半
導体チップ１１及び基板１２が収容されると、次に、型
部１７に挿通された樹脂供給口１６ｃからモールド樹脂
１８が所定の圧力で供給される。モールド樹脂１８によ
り型部１７内に圧力が発生する。
【００２５】このとき、発生する圧力は、図２に示すよ
うにモールド型１６の型部１７の内壁から型部１７の中
心方向に向かって発生する。この圧力により半導体チッ
プ１１と基板１２とが圧着され、バンプ１３が半導体チ
ップ１１の接続パッド１１ｃと基板１２の接続パッド１
２ａとに圧着され、接続パッド１１ｃ及び接続パッド１
２ａに圧着固定される。
うにモールド型１６の型部１７の内壁から型部１７の中
心方向に向かって発生する。この圧力により半導体チッ
プ１１と基板１２とが圧着され、バンプ１３が半導体チ
ップ１１の接続パッド１１ｃと基板１２の接続パッド１
２ａとに圧着され、接続パッド１１ｃ及び接続パッド１
２ａに圧着固定される。
【００２６】図３に本発明の一実施例の要部の断面図を
示す。図３は半導体チップ１１と基板１２との間の断面
図を示す。図３に示すように半導体チップ１１はモール
ド樹脂１８により矢印Ｚ1 方向に圧力を受け、基板１２
はモールド樹脂１８により矢印Ｚ2 方向に圧力を受け
る。従って、バンプ１３は半導体チップ１１と基板１２
とに押圧され、半導体チップ１１に形成された接続パッ
ド１１ｃと基板１２に形成された接続パッド１２ａとに
圧着固定される。
示す。図３は半導体チップ１１と基板１２との間の断面
図を示す。図３に示すように半導体チップ１１はモール
ド樹脂１８により矢印Ｚ1 方向に圧力を受け、基板１２
はモールド樹脂１８により矢印Ｚ2 方向に圧力を受け
る。従って、バンプ１３は半導体チップ１１と基板１２
とに押圧され、半導体チップ１１に形成された接続パッ
ド１１ｃと基板１２に形成された接続パッド１２ａとに
圧着固定される。
【００２７】このとき、複数のバンプ１３で高さにばら
つき（高さｈ1 ＞ｈ2 ）がある場合でも、半導体チップ
１１と基板１２との間に金属粒子混合ボンディング樹脂
１４が介在し、金属粒子混合ボンディング樹脂１４に混
合された金属粒子１４ａを挟んでバンプ１３と基板１２
の接続パッド１２ａとが接続されるため、半導体チップ
１１と基板１２との接続をバンプ１３により確実に行う
ことができる。
つき（高さｈ1 ＞ｈ2 ）がある場合でも、半導体チップ
１１と基板１２との間に金属粒子混合ボンディング樹脂
１４が介在し、金属粒子混合ボンディング樹脂１４に混
合された金属粒子１４ａを挟んでバンプ１３と基板１２
の接続パッド１２ａとが接続されるため、半導体チップ
１１と基板１２との接続をバンプ１３により確実に行う
ことができる。
【００２８】図４に本発明の一実施例のモールド成形条
件を説明するための図を示す。モールド成形の条件は、
図４に示すように半導体チップ１１及び基板１２を１０
０℃以上に予熱し、また、モールド型（金型）１６を１
７６℃に加熱した状態で上型１６ａと下型１６ｂとによ
り１２０kgf/cm2 以上でリードフレーム１５をクランプ
する。さらに、エポキシ樹脂よりなるモールド樹脂１８
を３７〜４２kgf/cm2 の圧力で型部１７に圧入し、１６
０〜１７０秒クランプし続ける。エポキシ樹脂の硬化温
度は１８０℃であり、モールド型１６の温度はエポキシ
樹脂の硬化温度１８０℃よりわずかに低い１７６℃に設
定されているため、型部１７に流入されたエポキシ樹脂
は型部１７内でゆっくり歪みが発生しないように冷却さ
れる。
件を説明するための図を示す。モールド成形の条件は、
図４に示すように半導体チップ１１及び基板１２を１０
０℃以上に予熱し、また、モールド型（金型）１６を１
７６℃に加熱した状態で上型１６ａと下型１６ｂとによ
り１２０kgf/cm2 以上でリードフレーム１５をクランプ
する。さらに、エポキシ樹脂よりなるモールド樹脂１８
を３７〜４２kgf/cm2 の圧力で型部１７に圧入し、１６
０〜１７０秒クランプし続ける。エポキシ樹脂の硬化温
度は１８０℃であり、モールド型１６の温度はエポキシ
樹脂の硬化温度１８０℃よりわずかに低い１７６℃に設
定されているため、型部１７に流入されたエポキシ樹脂
は型部１７内でゆっくり歪みが発生しないように冷却さ
れる。
【００２９】エポキシ樹脂を型部１７に流入させて１６
０〜１７０秒経過後、モールド型１６の上型１６ａと下
型１６ｂとを離間させてモールド型１６からリードフレ
ーム１５を取り出す。取り出されたリードフレーム１５
には、半導体チップ１１及び基板１２が保持された部分
にモールド樹脂１８が型部１７の形状にとりつき、パッ
ケージ１９が形成される。
０〜１７０秒経過後、モールド型１６の上型１６ａと下
型１６ｂとを離間させてモールド型１６からリードフレ
ーム１５を取り出す。取り出されたリードフレーム１５
には、半導体チップ１１及び基板１２が保持された部分
にモールド樹脂１８が型部１７の形状にとりつき、パッ
ケージ１９が形成される。
【００３０】モールド樹脂１８を構成するエポキシ樹脂
は硬化時間が４時間に設定されており、４時間かけてゆ
っくりと硬化される。モールド樹脂１８が硬化した後、
リードフレーム１５からリード１５ａが切り放され、さ
らに、パッケージ１９から延出したリード１５ａを下方
に折曲させた後、水平に折曲させ、リード１５ａが接続
可能な形状とされ、図２（ｃ）に示すようなパッケージ
１９から外部との接続を行うためのリード１５ａが延出
した形状に変形される。さらに、パッケージ１９の表面
にＩＣの型番２０が印刷されてハイブリッドＩＣが完成
される。
は硬化時間が４時間に設定されており、４時間かけてゆ
っくりと硬化される。モールド樹脂１８が硬化した後、
リードフレーム１５からリード１５ａが切り放され、さ
らに、パッケージ１９から延出したリード１５ａを下方
に折曲させた後、水平に折曲させ、リード１５ａが接続
可能な形状とされ、図２（ｃ）に示すようなパッケージ
１９から外部との接続を行うためのリード１５ａが延出
した形状に変形される。さらに、パッケージ１９の表面
にＩＣの型番２０が印刷されてハイブリッドＩＣが完成
される。
【００３１】以上、本実施例によれば、半導体チップ１
１と基板１２とをバンプ１３を介して接続することによ
り、半導体チップ１１と基板１２との間にワイヤが不要
となるため、モールド時にモールド樹脂の流れによりワ
イヤが切断する等の不具合が生じることがなくなり、従
って、電子回路装置製造の歩留まり、信頼性を向上でき
る。
１と基板１２とをバンプ１３を介して接続することによ
り、半導体チップ１１と基板１２との間にワイヤが不要
となるため、モールド時にモールド樹脂の流れによりワ
イヤが切断する等の不具合が生じることがなくなり、従
って、電子回路装置製造の歩留まり、信頼性を向上でき
る。
【００３２】また、基板１２側の接続パッド１２ａを半
導体チップ１１の外形より内側に配置できるため、基板
１２の半導体チップ１１を搭載する領域Ａ11を半導体チ
ップ１１の外形とほぼ一致する大きさにでき、他の電子
部品１２ｂを半導体チップ１１に近接して配置できる。
従って、基板１２に搭載できる電子部品を高密度に搭載
でき、基板１２を小型化できることからハイブリッドＩ
Ｃ自体を小型化できる。さらに、接続パッド１１ｃ，１
２ａを半導体チップ１１の外縁部だけでなく、半導体チ
ップ１１の下部にも配置できるため、接続パッド１１
ｃ，１２ａを狭ピッチ化でき、多ピン化が可能となり、
より高機能の半導体チップを搭載できるようになる。
導体チップ１１の外形より内側に配置できるため、基板
１２の半導体チップ１１を搭載する領域Ａ11を半導体チ
ップ１１の外形とほぼ一致する大きさにでき、他の電子
部品１２ｂを半導体チップ１１に近接して配置できる。
従って、基板１２に搭載できる電子部品を高密度に搭載
でき、基板１２を小型化できることからハイブリッドＩ
Ｃ自体を小型化できる。さらに、接続パッド１１ｃ，１
２ａを半導体チップ１１の外縁部だけでなく、半導体チ
ップ１１の下部にも配置できるため、接続パッド１１
ｃ，１２ａを狭ピッチ化でき、多ピン化が可能となり、
より高機能の半導体チップを搭載できるようになる。
【００３３】また、本実施例によれば、半導体チップ１
１と基板１２とを対向させる際に半導体チップ１１と基
板１２との間に金属粒子混合ボンディング樹脂１４を介
在させることによりモールド前に半導体チップ１１と基
板１２との位置決めを行え、バンプ１３と接続パッド１
１ｃ及び１２ａとの位置を正確に位置決めした後、モー
ルドを行えるため、半導体チップ１１の接続パッド１１
ｃと基板１２の接続パッド１２ａとの接続を確実に行え
る。
１と基板１２とを対向させる際に半導体チップ１１と基
板１２との間に金属粒子混合ボンディング樹脂１４を介
在させることによりモールド前に半導体チップ１１と基
板１２との位置決めを行え、バンプ１３と接続パッド１
１ｃ及び１２ａとの位置を正確に位置決めした後、モー
ルドを行えるため、半導体チップ１１の接続パッド１１
ｃと基板１２の接続パッド１２ａとの接続を確実に行え
る。
【００３４】さらに、モールド時に接続パッド１１ｃと
接続パッド１２ａにバンプ１３を圧着する時に、バンプ
１３の高さにばらつきがあった場合にボンディング樹脂
１４に混入された金属粒子１４ａによりバンプ１３と接
続パッド１２ａとを確実に接続できる。
接続パッド１２ａにバンプ１３を圧着する時に、バンプ
１３の高さにばらつきがあった場合にボンディング樹脂
１４に混入された金属粒子１４ａによりバンプ１３と接
続パッド１２ａとを確実に接続できる。
【００３５】また、モールド樹脂１４の圧力により接続
パッド１１ｃ，１２ａ、バンプ１３が圧着され、接続が
行われるため、半導体チップ１１と基板１２とを確実に
且つ最短距離で接続でき、接続不良が発生しにくく、歩
留まり、信頼性を向上できる。
パッド１１ｃ，１２ａ、バンプ１３が圧着され、接続が
行われるため、半導体チップ１１と基板１２とを確実に
且つ最短距離で接続でき、接続不良が発生しにくく、歩
留まり、信頼性を向上できる。
【００３６】なお、本実施例では、ハイブリッドＩＣ及
びＭＣＭの製造方法について説明したが、ハイブリッド
ＩＣに限られるものではなく、半導体チップ同士を接続
する場合等にも適応できることは言うまでもない。ま
た、本実施例では、被搭載部材に搭載する電子部品とし
て半導体チップを用いたが他の電子部品でも同様に搭載
できることは言うまでもない。
びＭＣＭの製造方法について説明したが、ハイブリッド
ＩＣに限られるものではなく、半導体チップ同士を接続
する場合等にも適応できることは言うまでもない。ま
た、本実施例では、被搭載部材に搭載する電子部品とし
て半導体チップを用いたが他の電子部品でも同様に搭載
できることは言うまでもない。
【００３７】さらに、被搭載部材は基板に限ることはな
く、他の半導体チップ等でも良い。
く、他の半導体チップ等でも良い。
【００３８】
【発明の効果】上述の如く、本発明の請求項１によれ
ば、電子部品と被搭載部材とをバンプにより電気的及び
機械的に接続しているため、接続パッドを電子部品の搭
載面上に形成できるので、電子部品の搭載面積を小さく
でき、電子部品の高密度実装が可能となり、また、電子
部品と被搭載部材との接続はモールド時のモールド材の
圧力により接続パッドがバンプに圧着することにより行
われるため、モールド時に接続パッドがずれることがな
く、電子部品と被搭載部材との接続を確実に行え、接続
の信頼性を向上させることができ、さらに、電子部品の
被搭載部材への接続とモールドとを同時に行えるため、
製造工程を簡略化できる等の特長を有する。
ば、電子部品と被搭載部材とをバンプにより電気的及び
機械的に接続しているため、接続パッドを電子部品の搭
載面上に形成できるので、電子部品の搭載面積を小さく
でき、電子部品の高密度実装が可能となり、また、電子
部品と被搭載部材との接続はモールド時のモールド材の
圧力により接続パッドがバンプに圧着することにより行
われるため、モールド時に接続パッドがずれることがな
く、電子部品と被搭載部材との接続を確実に行え、接続
の信頼性を向上させることができ、さらに、電子部品の
被搭載部材への接続とモールドとを同時に行えるため、
製造工程を簡略化できる等の特長を有する。
【００３９】請求項２によれば、電子部品と被搭載部材
との間に金属粒子が混合されたボンディング樹脂を介在
させ、モールドを行うことにより、バンプと接続パッド
とが確実に接続できる等の特長を有する。請求項３によ
れば、電子部品を接続パッドの多い半導体チップとする
ことにより、高密度化、接続の信頼性を効果的に行える
等の特長を有する。
との間に金属粒子が混合されたボンディング樹脂を介在
させ、モールドを行うことにより、バンプと接続パッド
とが確実に接続できる等の特長を有する。請求項３によ
れば、電子部品を接続パッドの多い半導体チップとする
ことにより、高密度化、接続の信頼性を効果的に行える
等の特長を有する。
【００４０】請求項４によれば、被搭載部材を複数の電
子部品が搭載されるプリント配線板とすることにより、
電子部品の搭載スペースを小さくできるため、高密度化
を効果的に行える等の特長を有する。請求項５によれ
ば、被搭載部材は他の半導体チップとすることにより、
両方の半導体チップの形状をほぼ同じにできるため、パ
ッケージングしたときの外形状を小型化できる等の特長
を有する。
子部品が搭載されるプリント配線板とすることにより、
電子部品の搭載スペースを小さくできるため、高密度化
を効果的に行える等の特長を有する。請求項５によれ
ば、被搭載部材は他の半導体チップとすることにより、
両方の半導体チップの形状をほぼ同じにできるため、パ
ッケージングしたときの外形状を小型化できる等の特長
を有する。
【００４１】請求項６によれば、上記の製造方法により
製造することにより小型で、信頼性の高い電子回路装置
を得ることができる等の特長を有する。
製造することにより小型で、信頼性の高い電子回路装置
を得ることができる等の特長を有する。
【図１】本発明の一実施例の製造工程図である。
【図２】本発明の一実施例の製造工程図である。
【図３】本発明の一実施例の要部の断面図である。
【図４】本発明の一実施例のモールド成形条件を説明す
るための図である。
るための図である。
【図５】従来の一例の要部の構成図である。
１１ 半導体チップ １１ａ 半導体基板 １１ｂ 回路部 １１ｃ 接続パッド １２ 基板 １２ａ 接続パッド １２ｂ 電子部品 １２ｃ プリント配線 １２ｄ 外部接続パッド １３ バンプ １４ 金属粒子混合ボンディング樹脂 １５ リードフレーム １５ａ リード １６ モールド型 １６ａ 上型 １６ｂ 下型 １７ 型部 １８ モールド樹脂 １９ パッケージ ２０ 型番
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中尾 滋 愛知県春日井市高蔵寺町二丁目1844番２ 富士通ヴィエルエスアイ株式会社内 (72)発明者 九鬼 一徳 愛知県春日井市高蔵寺町二丁目1844番２ 富士通ヴィエルエスアイ株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 電子部品を被搭載部材上の所定の搭載エ
リアに搭載し、該電子部品と該被搭載部材とを電気的に
接続し、該電子部品を該被搭載部材とともにモールドし
てなる電子回路装置の製造方法において、 前記電子部品の接続パッドと前記被搭載部材上に前記電
子部品の接続パッドに対応して設けられた接続パッドと
の間にバンプを配置した後、前記電子部品及び前記被搭
載部材をモールドし、モールド材の圧力により前記半導
体チップの接続パッドと前記被搭載部材の接続パッドと
を前記バンプを介して圧着し、前記電子部品と前記被搭
載部材とを接続することを特徴とする電子回路装置の製
造方法。 - 【請求項２】 前記電子部品と前記被搭載部材との間に
金属粒子が混合されたボンディング樹脂を介在させて前
記電子部品及び前記被搭載部材をモールドすることを特
徴とする請求項１記載の電子回路装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記電子部品は半導体チップであること
を特徴とする請求項１又は２記載の電子回路装置の製造
方法。 - 【請求項４】 前記被搭載部材は、プリント配線板であ
ることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項記載
の電子回路装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記被搭載部材は、他の半導体チップで
あることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項記
載の電子回路装置の製造方法。 - 【請求項６】 請求項１乃至４のいずれか一項記載の電
子回路装置の製造方法を用いて製造された電子回路装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15270196A JPH104123A (ja) | 1996-06-13 | 1996-06-13 | 電子回路装置の製造方法及びそれを用いて製造された電子回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15270196A JPH104123A (ja) | 1996-06-13 | 1996-06-13 | 電子回路装置の製造方法及びそれを用いて製造された電子回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH104123A true JPH104123A (ja) | 1998-01-06 |
Family
ID=15546265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15270196A Withdrawn JPH104123A (ja) | 1996-06-13 | 1996-06-13 | 電子回路装置の製造方法及びそれを用いて製造された電子回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH104123A (ja) |
-
1996
- 1996-06-13 JP JP15270196A patent/JPH104123A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030902 |