JPH1040512A - Manufacture of thin film magnetic head - Google Patents

Manufacture of thin film magnetic head

Info

Publication number
JPH1040512A
JPH1040512A JP19760196A JP19760196A JPH1040512A JP H1040512 A JPH1040512 A JP H1040512A JP 19760196 A JP19760196 A JP 19760196A JP 19760196 A JP19760196 A JP 19760196A JP H1040512 A JPH1040512 A JP H1040512A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
magnetic pole
gap
coil
pole layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP19760196A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshiyuki Umemoto
美之 梅本
Satoji Murakami
諭二 村上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
FDK Corp
Original Assignee
FDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by FDK Corp filed Critical FDK Corp
Priority to JP19760196A priority Critical patent/JPH1040512A/en
Publication of JPH1040512A publication Critical patent/JPH1040512A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a product without any fluctuation of magnetic characteristics by forming a gap layer immediately before forming an upper magnetic pole layer to make clear the reference point of a gap depth. SOLUTION: A lower magnetic pole layer 3 is formed on a substrate 1 and an insulating layer 4 and a coil layer 6 are formed thereon repeatedly for the required number of layers. Thereafter, a gap layer 8 is formed and an upper magnetic pole layer 7 is formed thereon. Moreover, a lower magnetic pole layer 3 is formed on the substrate 1 and the insulating layer 4 and the coil layer 6 are formed thereon repeatedly for the required number of layers. Thereafter, a non-conductive and non-magnetic gap layer 8 is formed on the lower magnetic pole layer 3, power source is fed using the gap layer 8 as the lower conductive film to form the upper magnetic pole layer 7 by the electroplating.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に形成した
下部磁性層の上に絶縁層およびコイル層を順次積層し、
その上に上部磁性層を形成する薄膜磁気ヘッドの製造方
法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, comprising: sequentially laminating an insulating layer and a coil layer on a lower magnetic layer formed on a substrate;
The present invention relates to a method for manufacturing a thin-film magnetic head on which an upper magnetic layer is formed.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、薄膜磁気ヘッドを基板上に形成す
る場合、図4の(a)の構造を、図1の(b)に示す工
程に従い形成していた。要部を説明すると、下部磁極層
23を形成(S21)した後に、ギャップ層24として
アルミナ膜を形成(S22)する。このギャップ層24
の上にメッキベースを形成してレジストを塗布・露光・
現像して穴を開け、メッキベースとの間に通電して当該
穴の部分にCuなどの導体を電気メッキしてコイル層2
6を形成し、レジストを除去した後に不要なメッキベー
スをイオンミルによって除去することを必要なコイル層
数分繰り返す(S23ないしS28)。そして、最上部
に上部磁極層27を形成、保護膜を形成、および端子を
形成していた(S29ないしS35)。
2. Description of the Related Art Conventionally, when a thin film magnetic head is formed on a substrate, the structure shown in FIG. 4A has been formed according to the process shown in FIG. The main part will be described. After forming the lower magnetic pole layer 23 (S21), an alumina film is formed as the gap layer 24 (S22). This gap layer 24
Form a plating base on top
A hole is formed by developing, and a current such as Cu is electroplated in a portion of the hole by applying a current between the plating base and the coil layer 2.
After forming resist 6 and removing the resist, unnecessary plating bases are removed by an ion mill for the required number of coil layers (S23 to S28). Then, the upper magnetic pole layer 27 was formed on the uppermost portion, the protective film was formed, and the terminals were formed (S29 to S35).

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】上述の工程のうち、コ
イル層26を形成するのに電気メッキ法を用いる関係
で、不要なメッキベースをイオンミルによって除去する
ことを必要なコイル層数分繰り返していたため、図4の
(a)のA部を拡大した図4の(b)に示すように、当
該イオンミルによって不要なメッキベースをオーバーエ
ッチするためにその下のB部の絶縁層も一緒に少しづつ
削られてしまい、なだらかとなると共に厚さも徐々に薄
くなってしまい、薄膜磁気ヘッドのギャップデプスを決
定する際に、基準点があいまいになり、加工デプスのバ
ラツキの要因などとなり、磁気特性のバラツキが大きく
なってしまうという問題が発生した。
In the above-described steps, since the electroplating method is used to form the coil layer 26, unnecessary plating bases are removed by an ion mill for the required number of coil layers. Therefore, as shown in FIG. 4B, which is an enlargement of the portion A of FIG. 4A, the insulating layer of the portion B under the ion mill is also slightly removed in order to overetch an unnecessary plating base by the ion mill. The thin film magnetic head becomes smoother and thinner gradually, and the thickness of the thin film magnetic head gradually becomes thinner. There has been a problem that the variation increases.

【0004】本発明は、これらの問題を解決するため、
ギャップ層を上部磁極層の形成の直前に形成し、コイル
層を電気メッキ法で形成後に不要となるメッキベースを
イオンミルで除去するときの当該ギャップ層が削られな
いようにし、ギャップデプスの基準点を明らかにし磁気
特性のバラツキのない製品の製造を実現することを目的
としている。
[0004] The present invention solves these problems,
The gap layer is formed immediately before the formation of the upper magnetic pole layer, and the gap layer is not cut off when an unnecessary plating base is removed by an ion mill after the coil layer is formed by the electroplating method. The purpose of the present invention is to clarify and realize the manufacture of a product having no variation in magnetic characteristics.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】図1ないし図3を参照し
て課題を解決するための手段を説明する。 図1ないし
図3において、基板1は、薄膜磁気ヘッドを形成するた
めの基板(例えばウェハ)である。
Means for solving the problem will be described with reference to FIGS. 1 to 3. 1 to 3, a substrate 1 is a substrate (for example, a wafer) for forming a thin-film magnetic head.

【0006】下部磁極層3は、基板1上に形成した下部
磁極層である。絶縁層4は、コイル層6を絶縁するもの
である。コイル層6は、導体で形成したコイルである。
The lower magnetic pole layer 3 is a lower magnetic pole layer formed on the substrate 1. The insulating layer 4 is for insulating the coil layer 6. The coil layer 6 is a coil formed of a conductor.

【0007】ギャップ層8は、コイル層4を積層した上
に形成する導電性かつ非磁性のギャップ層である。上部
磁極層7は、ギャップ層8の上に形成した上部磁極層で
ある。
The gap layer 8 is a conductive and non-magnetic gap layer formed on the coil layers 4 laminated. The upper magnetic pole layer 7 is an upper magnetic pole layer formed on the gap layer 8.

【0008】次に、製造方法を説明する。基板1上に下
部磁極層3を形成し、その上に絶縁層4およびコイル層
6を必要な層数分繰り返し形成した後、ギャップ層8を
形成し、その上に上部磁極層7を形成するようにしてい
る。
Next, a manufacturing method will be described. After forming the lower magnetic pole layer 3 on the substrate 1 and repeatedly forming the required number of insulating layers 4 and coil layers 6 thereon, the gap layer 8 is formed, and the upper magnetic pole layer 7 is formed thereon. Like that.

【0009】また、基板1上に下部磁極層3を形成し、
その上に絶縁層4およびコイル層6を必要な層数分繰り
返し形成した後、下部磁極層3の上に導電性かつ非磁性
体のギャップ層8を形成し、当該ギャップ層8を下地導
電膜として通電し上部磁極層7を電気メッキによって形
成するようにしている。
Further, a lower magnetic pole layer 3 is formed on a substrate 1,
After the required number of insulating layers 4 and coil layers 6 are repeatedly formed thereon, a conductive and non-magnetic gap layer 8 is formed on the lower magnetic pole layer 3, and the gap layer 8 is formed as an underlying conductive film. And the upper magnetic pole layer 7 is formed by electroplating.

【0010】これらの際に、ギャップ層8をTi、Ti
C、Taによって形成するようにしている。従って、ギ
ャップ層8を上部磁極層7の形成の直前に形成すること
により、従来のコイル層6を電気メッキ法で形成後に不
要となるメッキベースをイオンミルで除去するときにギ
ャップ層が削られないようにでき、ギャップデプスの基
準点を明らかにし磁気特性のバラツキのない製品の製造
を実現することが可能となる。
At this time, the gap layer 8 is made of Ti, Ti
C and Ta are formed. Therefore, by forming the gap layer 8 immediately before the formation of the upper magnetic pole layer 7, the gap layer is not removed when an unnecessary plating base is removed by an ion mill after the conventional coil layer 6 is formed by the electroplating method. As a result, it is possible to clarify the reference point of the gap depth and realize the manufacture of a product having no variation in magnetic characteristics.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】次に、図1から図3を用いて本発
明の実施の形態および動作を順次詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, an embodiment and operation of the present invention will be sequentially described in detail with reference to FIGS.

【0012】図1は、本発明と従来技術の工程説明図を
示す。ここで、図1の(a)の本発明の工程説明図と、
図1の(b)の従来技術の工程説明図とでほぼ同じ工程
は横方向に対応づけて配置して判り易くしてあります。
FIG. 1 is a process explanatory view of the present invention and the prior art. Here, FIG. 1 (a) is a process explanatory view of the present invention,
Almost the same processes as those of the prior art process diagram shown in FIG. 1B are arranged in a horizontal direction so as to be easily understood.

【0013】図1の(a)は、本発明の工程説明図を示
す。図1の(a)において、S1は、下部磁極層の形成
を行う。これは、後述する図2の(a)において、基板
1の上に図示外の絶縁層(Al23膜)を形成し、更に
その上にNiFe膜の下部磁極層3を形成する。
FIG. 1 (a) shows a process explanatory view of the present invention. In FIG. 1A, S1 forms a lower magnetic pole layer. In this method, an insulating layer (Al 2 O 3 film) (not shown) is formed on the substrate 1 and a lower magnetic pole layer 3 of a NiFe film is further formed thereon, as shown in FIG.

【0014】S2は、絶縁層の形成を行う。これは、後
述する図2の(a)の下部磁極層3の上に絶縁層4を形
成する。S3は、導体層の形成を行う。これは、後述す
る図2の(a)のコイル層6を形成する。コイル層6の
形成は、下部磁極層3の上に絶縁層を形成し、その上に
メッキベースとなる薄いTi膜を形成しその上にレジス
トを塗布・露光・現像してコイル層6を電気メッキする
ための穴を開ける。そして、メッキベースとの間に通電
して穴の中にCuなどのコイル層6を電気メッキし、レ
ジストを溶剤で除去した後、不要なメッキベースをイオ
ンミルで除去し、コイル層6を1層分形成する。
In step S2, an insulating layer is formed. This forms an insulating layer 4 on the lower magnetic pole layer 3 of FIG. In step S3, a conductor layer is formed. This forms a coil layer 6 shown in FIG. To form the coil layer 6, an insulating layer is formed on the lower magnetic pole layer 3, a thin Ti film serving as a plating base is formed thereon, and a resist is coated, exposed, and developed on the coil layer 6 to make the coil layer 6 electric. Drill holes for plating. Then, the coil layer 6 such as Cu is electroplated in the hole by applying a current to the plating base, the resist is removed with a solvent, and the unnecessary plating base is removed with an ion mill to form one layer of the coil layer 6. To form.

【0015】S4は、必要数の積層を行う。これは、S
2およびS3の工程を、必要なコイル層分繰り返し積層
する。例えば後述する図2の(a)の場合には、2回繰
り返し2層のコイル層を積層する。
In step S4, a required number of layers are stacked. This is S
Steps 2 and S3 are repeated for required coil layers. For example, in the case of FIG. 2A described later, two coil layers are repeated twice.

【0016】S5は、絶縁層の形成を行う。これは、コ
イル層6の積層が終了したので、その上に絶縁層4を形
成する。S6は、メッキ導体層の形成を行う。これは、
右側に記載した図2の(a)に示すように、積層を終了
したコイル層6の上の絶縁層4上にメッキ導体層(ギャ
ップ層8)を形成する。
In step S5, an insulating layer is formed. Since the lamination of the coil layer 6 is completed, the insulating layer 4 is formed thereon. In step S6, a plated conductor layer is formed. this is,
As shown in FIG. 2A on the right side, a plated conductor layer (gap layer 8) is formed on the insulating layer 4 on the coil layer 6 which has been stacked.

【0017】S7は、上部磁極層のバックギャップ部の
エッチングを行う。これは、右側に記載した図2の
(b)、(c)に示すように、レジスト9を塗布・露光
・現像してバックギャップ部10の部分に穴を開け、イ
オンミルによってこの穴の部分のみS6で形成したギャ
ップ層8を除去する。
In step S7, the back gap portion of the upper magnetic pole layer is etched. As shown in FIGS. 2B and 2C described on the right side, a hole is formed in the back gap portion 10 by applying, exposing, and developing a resist 9 and only the hole portion is formed by an ion mill. The gap layer 8 formed in S6 is removed.

【0018】S8は、パターニングする。S9は、上部
磁極層のメッキを行う。これらS8およびS9は、右側
に記載した図2の(d)に示すように、レジストを塗布
・露光・現像して上部磁極層7を形成する部分に穴を開
け、S6で形成したメッキ導体層(ギャップ層8)に通
電し当該穴の部分に磁性体(例えばNiFe)を電気メ
ッキして形成した後、レジストを溶剤で除去し、図示の
ように上部磁極層7を形成する。
In step S8, patterning is performed. In step S9, the upper magnetic pole layer is plated. In steps S8 and S9, as shown in (d) of FIG. 2 described on the right side, a hole is formed in a portion where the upper magnetic pole layer 7 is formed by applying, exposing and developing a resist, and the plated conductor layer formed in S6 is formed. (Gap layer 8) is energized to form a magnetic material (e.g., NiFe) in the hole by electroplating, and then the resist is removed with a solvent to form upper magnetic pole layer 7 as shown.

【0019】S10は、不要部分の除去を行う。これ
は、右側に記載した図2の(f)、(g)に示すよう
に、不要部分を除去する。S11は、銅端子の形成を行
う。これは、右側に記載した図3の(h)に示すよう
に、銅端子10を形成する。
In step S10, unnecessary portions are removed. This removes unnecessary portions as shown in FIGS. 2F and 2G described on the right side. In step S11, a copper terminal is formed. This forms a copper terminal 10 as shown in FIG.

【0020】S12は、保護膜の形成を行う。これは、
右側に記載した図3の(i)に示すように、全面に保護
膜11を形成する。S13は、平面化する。これは、右
側に記載した図3の(i)に示すように、S12で保護
膜11を形成した後、平面研削し、銅端子10のみが露
出するようにする。
In step S12, a protective film is formed. this is,
As shown in FIG. 3I on the right side, a protective film 11 is formed on the entire surface. In step S13, the surface is flattened. This is, as shown in FIG. 3 (i) described on the right side, after forming the protective film 11 in S12, surface grinding is performed so that only the copper terminal 10 is exposed.

【0021】S14は、金端子の形成を行う。これは、
右側に記載した図3の(j)に示すように、銅端子10
の上に金端子12を形成(蒸着)する。以上の工程によ
って、薄膜磁気ヘッドのウェハ上の工程を完了すること
となる。ここで、本発明は、ギャップ層8を上部磁極層
7の形成する直前に形成しているため、コイル層6を電
気メッキした後にメッキベースをイオンミルで除去する
ときに従来のギャップ層が少しづつ除去される事態を無
くし(即ち既述した図4の(b)のギャップデプスの基
準点がなだらかになる事態を無くし)、加工デプスのバ
ラツキの要因を無くして正確に加工デプスを製造するこ
とが可能となる。
In step S14, a gold terminal is formed. this is,
As shown in (j) of FIG.
A gold terminal 12 is formed (evaporated) on the substrate. Through the above steps, the steps on the wafer of the thin-film magnetic head are completed. Here, in the present invention, since the gap layer 8 is formed immediately before the upper magnetic pole layer 7 is formed, the conventional gap layer is gradually removed when the plating base is removed by the ion mill after the coil layer 6 is electroplated. It is possible to eliminate the situation in which the machining depth is removed (that is, eliminate the situation in which the reference point of the gap depth in FIG. 4B becomes smooth), and eliminate the cause of the variation in the machining depth to accurately produce the machining depth. It becomes possible.

【0022】図2および図3は、本発明の具体例説明図
を示す。図2の(a)は、絶縁層4およびコイル層6を
積層した上にギャップ層8を形成した状態を示す。これ
は、図1の(a)で説明したように、S1ないしS6の
工程によって、基板1上に、下部磁極層3、絶縁層4と
コイル層6を2層積層し絶縁層4で覆い、その上に導電
性のギャップ層(メッキ導電層)8を形成した状態であ
る。このように、下部磁極層3と上部磁極層7との間の
ギャップ層8を、コイル層6の形成後に形成したことに
より、当該コイル層6の形成時にイオンミルで下地導電
層を除去する際の従来のギャップ層の部分的な除去を無
くし、従来の図4の(b)のBの部分が滑らかにする事
態を無くし、ギャップデプスの加工のバラツキを無くす
ことが可能となる。
FIG. 2 and FIG. 3 show explanatory views of a specific example of the present invention. FIG. 2A shows a state where the gap layer 8 is formed on the insulating layer 4 and the coil layer 6 which are stacked. As described with reference to FIG. 1A, the lower magnetic pole layer 3, the insulating layer 4 and the coil layer 6 are laminated on the substrate 1 by the steps S1 to S6 and covered with the insulating layer 4, In this state, a conductive gap layer (plated conductive layer) 8 is formed thereon. As described above, since the gap layer 8 between the lower magnetic pole layer 3 and the upper magnetic pole layer 7 is formed after the formation of the coil layer 6, the gap layer 8 is removed when the underlying conductive layer is removed by an ion mill during the formation of the coil layer 6. It is possible to eliminate the conventional partial removal of the gap layer, eliminate the conventional situation of smoothing the portion B in FIG. 4B, and eliminate variations in gap depth processing.

【0023】図2の(b)は、図2の(a)の全面にレ
ジストを塗布・露光・現像してバックギャップ部10を
設ける部分に穴を開けた状態を示す。図2の(c)は、
図2の(b)の状態でイオンミルでバックギャップ部1
0のギャップ層8を除去した後、レジストを除去した状
態を示す。
FIG. 2B shows a state in which a resist is applied, exposed and developed on the entire surface of FIG. (C) of FIG.
In the state of FIG.
This shows a state in which the resist has been removed after the zero gap layer 8 has been removed.

【0024】図2の(d)は、上部磁極層7を形成した
状態を示す。これは、図2の(c)の状態で、全面のレ
ジストを塗布・露光・現像して上部磁極層7を電気メッ
キする部分のみ穴を開け、ギャップ層8に通電して穴の
内部に電気メッキし、レジストを除去した状態である。
FIG. 2D shows a state in which the upper magnetic pole layer 7 has been formed. This is because, in the state shown in FIG. 2C, a hole is formed only in a portion where the upper magnetic pole layer 7 is to be electroplated by applying, exposing, and developing a resist on the entire surface, and electricity is supplied to the gap layer 8 so that the inside of the hole is charged This is a state where plating is performed and the resist is removed.

【0025】図2の(e)は、図2の(d)を上面から
見た図を示す。ここで、下部磁極層3の上にギャップ層
8を介して上部磁極層7を形成、およびバックギャップ
部10で下部磁極層3と上部磁極層7とが接続されてい
る様子を示す。
FIG. 2E is a view of FIG. 2D as viewed from above. Here, a state in which the upper magnetic pole layer 7 is formed on the lower magnetic pole layer 3 via the gap layer 8 and the lower magnetic pole layer 3 and the upper magnetic pole layer 7 are connected at the back gap portion 10 is shown.

【0026】図2の(f)は、図2の(e)のA−A’
の部分の断面図を示す。この断面図から、下部磁極層3
の上にギャップ層8が形成され、その上に上部磁極層7
が形成されている様子が判明する。
FIG. 2F shows AA ′ of FIG. 2E.
FIG. From this sectional view, the lower magnetic pole layer 3
The gap layer 8 is formed on the upper magnetic pole layer 7
Is formed.

【0027】図2の(g)は、不要部分を除去した後の
状態を示す。図3の(h)は、図2の(g)に続いて銅
端子10を形成した状態を示す。右下の断面図に銅端子
10の様子を示す。
FIG. 2 (g) shows a state after unnecessary portions have been removed. FIG. 3H shows a state in which the copper terminal 10 has been formed following FIG. 2G. The state of the copper terminal 10 is shown in the lower right cross-sectional view.

【0028】図3の(i)は、保護膜11を全面に形成
した状態を示す。これは、図3の(h)の状態で、全面
に保護膜11を形成したものである。図3の(j)は、
平面研削した後に金端子12を銅端子10の上に形成し
た状態を示す。
FIG. 3I shows a state in which the protective film 11 is formed on the entire surface. This is obtained by forming the protective film 11 on the entire surface in the state shown in FIG. (J) of FIG.
The state where the gold terminal 12 was formed on the copper terminal 10 after the surface grinding was shown.

【0029】[0029]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ギャップ層8を上部磁極層7の形成の直前に形成する構
成を採用しているため、従来のコイル層6を電気メッキ
法で形成後に不要となるメッキベースをイオンミルで除
去するときにギャップ層が削られないようにでき、ギャ
ップデプスの基準点を明らかにし磁気特性のバラツキの
ない製品の製造することができる。また、ギャップ層8
を導電性の非磁性体の物質で形成しているため、当該ギ
ャップ層8を、上部磁極層7を電気メッキするときのメ
ッキベース(電気メッキ用の電極)として兼用でき、メ
ッキベースを形成する工程を削減できる。
As described above, according to the present invention,
Since the configuration in which the gap layer 8 is formed immediately before the formation of the upper magnetic pole layer 7 is adopted, the gap layer becomes unnecessary when an unnecessary plating base is removed by an ion mill after the conventional coil layer 6 is formed by the electroplating method. It can be prevented from being scraped, the reference point of the gap depth is clarified, and a product having no variation in magnetic characteristics can be manufactured. Also, the gap layer 8
Is formed of a conductive non-magnetic substance, the gap layer 8 can also be used as a plating base (electroplating electrode) when the upper magnetic pole layer 7 is electroplated, thereby forming a plating base. The number of processes can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明と従来技術の工程説明図である。FIG. 1 is a process explanatory view of the present invention and a conventional technique.

【図2】本発明の具体例説明図(その1)である。FIG. 2 is an explanatory view (part 1) of a specific example of the present invention.

【図3】本発明の具体例説明図(その2)である。FIG. 3 is an explanatory view (part 2) of a specific example of the present invention.

【図4】従来技術の説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram of a conventional technique.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1:基板(ウェハ) 3:下部磁極層 4:絶縁層 6:コイル層 7:上部磁極層 8:ギャップ層(メッキ導体層) 9:レジスト 10:バックギャップ部 11:銅端子 12:金端子 1: substrate (wafer) 3: lower magnetic pole layer 4: insulating layer 6: coil layer 7: upper magnetic pole layer 8: gap layer (plated conductor layer) 9: resist 10: back gap portion 11: copper terminal 12: gold terminal

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基板上に形成した下部磁性層の上に絶縁層
およびコイル層を順次積層し、その上に上部磁性層を形
成する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、 上記絶縁層およびコイル層を順次積層した後、上記下部
磁極層および最上絶縁層の上にギャップ層を形成しその
上に上記上部磁極層を形成することを特徴とする薄膜磁
気ヘッドの製造方法。
1. A method of manufacturing a thin-film magnetic head comprising: sequentially laminating an insulating layer and a coil layer on a lower magnetic layer formed on a substrate, and forming an upper magnetic layer on the insulating layer and the coil layer. A method for manufacturing a thin-film magnetic head, comprising: laminating sequentially, forming a gap layer on the lower magnetic pole layer and the uppermost insulating layer, and forming the upper magnetic pole layer thereon.
【請求項2】基板上に形成した下部磁性層の上に絶縁層
およびコイル層を順次積層し、その上に上部磁性層を形
成する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、 上記絶縁層およびコイル層を順次積層した後、上記下部
磁極膜および最上絶縁層の上に導電性かつ非磁性体のギ
ャップ層を形成し、当該ギャップ層を下地導電膜として
通電し上記上部磁極層を電気メッキによって形成するこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
2. A method of manufacturing a thin-film magnetic head, comprising sequentially laminating an insulating layer and a coil layer on a lower magnetic layer formed on a substrate, and forming an upper magnetic layer thereon. After sequentially laminating, a conductive and non-magnetic gap layer is formed on the lower magnetic pole film and the uppermost insulating layer, and the upper magnetic pole layer is formed by electroplating by applying current to the gap layer as a base conductive film. A method for manufacturing a thin-film magnetic head, comprising:
【請求項3】上記ギャップ層をTi、TiC、Taによ
って形成したことを特徴とする請求項1あるいは請求項
2記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
3. A method according to claim 1, wherein said gap layer is formed of Ti, TiC, or Ta.
JP19760196A 1996-07-26 1996-07-26 Manufacture of thin film magnetic head Pending JPH1040512A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19760196A JPH1040512A (en) 1996-07-26 1996-07-26 Manufacture of thin film magnetic head

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19760196A JPH1040512A (en) 1996-07-26 1996-07-26 Manufacture of thin film magnetic head

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1040512A true JPH1040512A (en) 1998-02-13

Family

ID=16377197

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19760196A Pending JPH1040512A (en) 1996-07-26 1996-07-26 Manufacture of thin film magnetic head

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH1040512A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7215511B2 (en) 2004-03-31 2007-05-08 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Magnetic write head with gap termination less than half distance between pedestal and back gap

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7215511B2 (en) 2004-03-31 2007-05-08 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Magnetic write head with gap termination less than half distance between pedestal and back gap

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH11509990A (en) How to make a raised metal contact on an electrical circuit
US5539227A (en) Multi-layer wiring
JP3267049B2 (en) Manufacturing method of spiral inductor having air bridge wiring
JPS61124117A (en) Manufacture of printed coil
JPH02501253A (en) Induced metallization treatment with dissociated aluminum nitride ceramic
EP0529578A2 (en) Semi-additive circuitry with raised features using formed mandrels
JPH1040512A (en) Manufacture of thin film magnetic head
JPH0575237A (en) Conductor pattern formation
JP4052434B2 (en) Multilayer substrate and manufacturing method thereof
US4178635A (en) Planar and near planar magnetic bubble circuits
JP2004253430A (en) Method for manufacturing planar coil
KR100842780B1 (en) Magnetic head and method of producing the same
JPS63171412A (en) Manufacture of magnetic head with simplified electric connection
JPH06217482A (en) Formation of circuit pattern
JPH07142254A (en) Printed coil and its manufacture
US4175010A (en) Method of reinforcing a conductive base pattern by electroplating and device obtained by means of the method
JPH0582970A (en) Hybrid circuit board
JPH05292692A (en) Thin film coil for micro-motor and manufacture thereof
JPH1027318A (en) Production of thin film magnetic head
JPH07118849A (en) Formation of conductor thin-film pattern
US4280195A (en) Planar and near planar magnetic bubble circuits
JPS61254038A (en) Forming method for circuit pattern
JPS61254039A (en) Forming method for circuit pattern
JPH1186220A (en) Manufacture for thin film magnetic head
JPH08264953A (en) Wiring forming method of multilayer printed wiring board