JPH103871A - 読み取り機能を有する表示素子 - Google Patents

読み取り機能を有する表示素子

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JPH103871A
JPH103871A JP15436196A JP15436196A JPH103871A JP H103871 A JPH103871 A JP H103871A JP 15436196 A JP15436196 A JP 15436196A JP 15436196 A JP15436196 A JP 15436196A JP H103871 A JPH103871 A JP H103871A
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anode
reading function
reading
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JP15436196A
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Shigeo Ito
茂生 伊藤
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Futaba Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】機械的な作動部分がなく早く精確に読み取りを
行える読み取り機能付きの表示装置を提供する。 【解決手段】 背面基板3の内面の電界放出形陰極5
は、陰極導体6とアモルファスシリコンからなる抵抗層
7と絶縁層8とゲート9を有する。陰極導体とゲートは
帯状でマトリクスを構成する。前面基板2の内面の陽極
12は、透光性の陽極導体13にドット状の蛍光体層1
7を被着させた複数の画素Pを有する。各画素Pの中央
の穴15内には検出電極20がある。各画素には共通に
電圧が印加される。検出電極20は共通接続される。前
面基板2の外側に原稿の画像面を密着させ、画素Pを順
次発光駆動する。蛍光体層17からの光は原稿の画像の
反射率に応じて反射し、外囲器4内の電界放出形陰極5
の抵抗層7に当たる。抵抗層の抵抗が変化し、エミッシ
ョン電流が増加する。これを検出電極20が検出する。
発光する画素Pの移動により1画面分が読み取られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電界放出形陰極を
電子源とする読み取り機能を備えた表示素子に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】図5は従来の一般的な読み取り装置の構
成を示している。読み取り手段100は、原稿101の
搬送方向と直交する方向を長手方向とする投光部102
と、投光部102から出て原稿101で反射した光を受
ける受光部103とを有している。図示しない搬送機構
により、画像面を下にした原稿101と、原稿101の
下方にある読み取り手段100を、相対的に移動させ
る。読み取り手段100の投光部102が原稿101の
画像に光を照射し、反射光を受光部103が受ける。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】2次元である原稿10
1の画像に対し、1次元の読み取り手段100を相対的
に移動させて読み取りを行う従来の読み取り装置によれ
ば、原稿101または読み取り手段100を相対的に移
動させる移動手段が必要である。また読み取り手段10
0そのものも、投光部102と受光部103はそれぞれ
独立した部材で構成されているので、必然的に装置の大
型化、複雑化、高価格化が避けられない。また、原稿1
01と読み取り手段100を機械的に相対移動させなけ
ればならず、搬送に不精確さを生じやすい。また、読み
取りに要する時間が長い。
【0004】本発明は、機械的な作動部分がないため読
み取りを早く精確に行うことができる読み取り機能付き
の表示装置を提供することを目的としている。
【0005】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載された読
み取り機能を有する表示素子は、陰極導体と、前記陰極
導体の上に形成された光導電材料からなる抵抗層と、前
記抵抗層の上に形成されたエミッタと、前記エミッタの
近傍に配置されたゲートとを有する電界放出形陰極を有
している。また、陽極導体と、前記陽極導体の上に被着
された蛍光体層とを有し、所定のパターンに形成されて
前記電界放出形陰極に対向して配置された陽極を有して
いる。さらに、前記陽極の近傍に所定のパターンで配置
され、前記陽極から出た光が読み取り対象で反射して前
記電界放出形陰極の抵抗層に照射された際に、前記電界
放出形陰極において生じるエミッション電流の変化を検
出する複数の検出電極を有している。
【0006】請求項2に記載された読み取り機能を有す
る表示素子は、請求項1記載の読み取り機能を有する表
示素子において、前記陽極が複数個の画素から構成され
ることを特徴としている。
【0007】請求項3に記載された読み取り機能を有す
る表示素子は、請求項2記載の読み取り機能を有する表
示素子において、前記画素を同時に発光させることによ
って前記読み取り対象を読み取るために、前記検出電極
が個別にエミッション電流の変化を検出できるように互
いに独立していることを特徴としている。
【0008】請求項4に記載された読み取り機能を有す
る表示素子は、請求項2記載の読み取り機能を有する表
示素子において、前記画素を所定の方向に並ぶ複数の画
素の行ごとに同時に発光させることによって前記読み取
り対象を読み取るために、前記画素の行と直交する方向
に並ぶ複数の画素の列ごとにエミッション電流の変化を
検出できるように前記検出電極が前記画素の列ごとに互
いに接続されていることを特徴としている。
【0009】請求項5に記載された読み取り機能を有す
る表示素子は、請求項2記載の読み取り機能を有する表
示素子において、前記画素を所定の方向に並ぶ複数の画
素の行ごとに同時に発光させることによって前記読み取
り対象を読み取るために、前記検出電極が個別にエミッ
ション電流の変化を検出できるように互いに独立してい
ることを特徴としている。
【0010】請求項6に記載された読み取り機能を有す
る表示素子は、請求項2記載の読み取り機能を有する表
示素子において、前記画素を一個づつ順に発光させるこ
とによって前記読み取り対象を読み取るために、前記検
出電極が共通に接続されていることを特徴としている。
【0011】請求項7に記載された読み取り機能を有す
る表示素子は、請求項2記載の読み取り機能を有する表
示素子において、前記画素を一個づつ順に発光させるこ
とによって前記読み取り対象を読み取るために、所定の
方向に並ぶ複数の画素の行ごとにエミッション電流の変
化を検出できるように前記検出電極が前記画素の行ごと
に互いに接続されていることを特徴としている。
【0012】請求項8に記載された読み取り機能を有す
る表示素子は、請求項2記載の読み取り機能を有する表
示素子において、前記画素を一個づつ順に発光させるこ
とによって前記読み取り対象を読み取るために、前記検
出電極が個別にエミッション電流の変化を検出できるよ
うに互いに独立していることを特徴としている。
【0013】請求項9に記載された読み取り機能を有す
る表示素子は、請求項1記載の読み取り機能を有する表
示素子において、前記陽極が、異なる色彩に発光する複
数種類の画素から構成されることを特徴としている。
【0014】請求項10に記載された読み取り機能を有
する表示素子は、請求項9記載の読み取り機能を有する
表示素子において、前記検出電極の読み取り位置の面上
に画素に応じた透光性フィルターが形成されたことを特
徴としている。
【0015】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態の第1の例を
図1及び図2を参照して説明する。本表示装置1は、ア
モルファスシリコンの抵抗層を有する電界放出形陰極
と、表示部である陽極と、陽極の近傍に設けられた検出
電極とを有している。検出電極は、本表示装置1で原稿
を読み取る際に読み取り信号の検出に使用するものであ
り、読み取り対象で反射した陽極からの光が電界放出形
陰極の抵抗層に照射された際に該抵抗層の抵抗を変化さ
せ、これによって生じるエミッション電流の変化を検出
するものである。
【0016】本表示装置1は、透光性と絶縁性を有する
前面基板2と、絶縁性を有する背面基板3とを所定の微
小間隔をおいて対面させ、両基板2,3の外周の隙間を
封着ガラス等のスペーサ部材で封着し、内部を高真空状
態とした外囲器4を有している。
【0017】外囲器4の内部において、背面基板3の内
面には電子放出源である電界放出形陰極5が設けられて
いる。背面基板3の内面には、アルミニウム等の導電性
の薄膜からなる陰極導体6が形成されている。本例にお
いては、陰極導体6は帯状であり、所定間隔をおいて互
いに平行に複数本が形成されている。前記各陰極導体6
の上には、例えばアモルファスシリコン等の光導電材料
からなる抵抗層7が所定間隔をおいて形成されている。
前記抵抗層7の上面及び前記背面基板3の上面には、絶
縁層8が形成されている。絶縁層8は、例えばシリコン
を熱酸化させて作製したSiO2 膜や、CVD法等で作
製したSiOx 膜等からなる。前記絶縁層8の上面に
は、例えばニオブ等からなるゲート9が形成されてい
る。ゲート9は帯状であり、前記抵抗層7の上方におい
て前記陰極導体6と直交するように、所定間隔をおいて
互いに平行に複数本が形成されている。互いに直交する
帯状の陰極導体6と帯状のゲート9の各交点において、
ゲート9と絶縁層8にはそれぞれ多数の空孔10がエッ
チングによって形成されている。各空孔10の底に露出
した抵抗層7の上には、例えばモリブデン等からなるコ
ーン形状のエミッタ11がそれぞれ形成されている。エ
ミッタ11の先端は、ゲート9に形成された穴の内周面
に近接している。絶縁層8の空孔10の底にある抵抗層
7の一部は、ゲート9の穴から上方に露出している。
【0018】前記電界放出形陰極5においては、マトリ
クスを構成する陰極導体6とゲート9の各交点に、多数
のエミッタ11からなるエミッタ群が構成される。そし
て、陰極導体6又はゲート9のいずれか一方に走査信号
を与えるとともに、他方の電極に走査信号に同期した選
択信号を与えれば、所望の位置のエミッタ群を選択して
電子を放出させることができる。
【0019】外囲器4の内部において、前面基板2の内
面には表示部である陽極12が設けられている。前面基
板2の内面には、図2に示すように透光性を有する陽極
導体13が形成されている。陽極導体13はアルミニウ
ム等の導電性の薄膜をメッシュ状に形成したものであ
る。又は、ITO( Indium Tin Oxide )等の透明導電膜
によって構成してもよい。陽極導体13は、所定間隔を
おいて互いに平行に形成された複数本の帯状部14を有
している。陽極導体13の各帯状部14は、帯状の前記
陰極導体6に対向して形成されている。陽極導体13の
各帯状部14には、透孔部としての方形の穴15が所定
間隔で形成されている。共通の帯状部14において隣接
する穴15,15は溝16によってつなげられている。
陽極導体13の各帯状部14において、各穴15の周囲
にはそれぞれ蛍光体層17が被着されて多数のドット状
の画素Pを形成している。帯状部14の長手方向及びこ
れに直交する方向について、各画素Pは所定のピッチ配
置されている。各画素Pは、電界放出形陰極5の各エミ
ッタ群に対応している。本例においては、陽極導体13
の複数本の帯状部14は、配線導体18によって共通に
接続されており、駆動時には各画素Pには共通の駆動電
圧が印加される。
【0020】陽極12の各帯状部14の各穴15の内部
には、陽極導体13とは絶縁された方形の検出電極20
がそれぞれ形成されている。検出電極20の材質は陽極
導体13と同一であり、同工程で製造できる。隣接する
検出電極20は、溝16内に設けられた配線21によっ
て接続されて帯状部14の外に導出されており、さらに
隣接する帯状部14の検出電極20の集団と配線22に
よって共通に接続されている。本例においては、検出電
極20は陽極12の各画素Pごとに設けられ、各検出電
極20は互いに共通に接続されて導出されている。
【0021】前記検出電極20が検出した信号は、読み
取った原稿の画像を構成するデータとして、図示しない
画像情報記憶手段に記憶される。
【0022】前記表示装置1において表示を行う場合に
は、電界放出形陰極5において陰極導体6又はゲート9
のいずれか一方に走査信号を与えるとともに、他方の電
極に走査信号に同期した選択信号を与え、所望の位置の
エミッタ群を選択して電子を放出させる。陽極導体13
には共通の正電位を印加しておく。電界放出形陰極5の
駆動によって陽極12の各画素Pは所望のパターンで駆
動される。前記表示装置1はいわゆるダイナミック駆動
タイプの表示装置である。
【0023】前記表示装置1において画像の読み取りを
行う場合には、前面基板2の外側に読み取るべき原稿の
画像面を密着させ、この状態で陽極12を発光駆動す
る。本例においては、電界放出形陰極5側、すなわち陰
極導体6とゲート9をマトリクス駆動することにより、
陽極12の各画素Pを行または列方向に1個づつ順次移
動しながら発光させることができる。陽極12の各画素
Pの蛍光体層17から出た光は、透光性の陽極導体13
と前面基板2を透過し、原稿の画像の当該画素Pに対応
する位置に入射する。入射した光は、光が入射した位置
における画像の反射率に応じて反射し、再び前面基板2
を通り、陽極導体13の帯状部14の穴15から外囲器
4内に戻る。この反射光は、前記画素Pの下方にある電
界放出形陰極5のエミッタ群に照射される。
【0024】反射光が空孔10の底の抵抗層7に当たる
と、抵抗層7内に電子とホールのキャリアが生成され、
光電流が流れることによって抵抗層7の見かけ上の抵抗
が減少する。陰極導体6に印加されている陰極電圧から
抵抗層7による電圧降下分が差し引かれてエミッタ11
に加わることとなるが、その抵抗層7の抵抗値が減少し
て電圧降下が減少するので、エミッタ11の電位が低下
することとなる。これによって、エミッタ11とゲート
9間の電圧が上昇するため、エミッタ11から放出され
る電子が増加してエミッション電流が増加することにな
る。
【0025】このエミッション電流の変化は、前記検出
電極20によって検出される。本例では、陽極12の各
画素Pは1個づつ順次移動しながら発光し、2個以上の
画素Pが同時に発光することがないので、共通接続した
検出電極20からの信号は、マトリクス駆動されている
電界放出形陰極5の駆動タイミングと照合することによ
って特定の画素Pにおける検出電流として特定され、記
憶手段に記憶される。1画面分の読み取りは、機械的な
手段に比べてはるかに早く終了する。記憶手段に記憶し
たデータを用いれば、読み取った原稿の画像を何らかの
画像形成手段によって用紙上に再生したり、又は本表示
装置1を含む画像表示装置によって表示することもでき
る。
【0026】なお、前実施例では、各画素Pと対応して
検出電極を設けたが、複数個のドット状の発光部分ごと
に1個の検出電極を設けてもよい。いずれにしても、検
出電極及びその配線と、陽極導体及びその配線とは、互
いに絶縁状態となるようなパターンで形成する。
【0027】本発明の実施の形態の第2の例を図3を参
照して説明する。本表示装置31は、陽極12の各画素
Pを1個づつ順次移動しながら発光させる点においては
前記第1の例と同様であるが、1個の画素Pを選択する
ための電極構造が異なる。また、電極構造の差異に伴っ
て検出電極20の接続構造も異なる。
【0028】図3に示すように、本例の陽極12は、第
1の例と同様の構成の複数の帯状部14を有している。
但し、本例の帯状部14は電気的に互いに独立してお
り、それぞれ時分割信号を与えられるようになってい
る。また、検出電極20も第1の例と略同様の構成であ
るが、帯状部14の長手方向に沿って並ぶ検出電極20
毎に共通接続されており、他の帯状部14の検出電極2
0とは電気的に独立している。
【0029】図示はしないが、本例の電界放出形陰極
は、第1の例の電界放出形陰極5と同様、陰極導体と、
アモルファスシリコン等の光導電材料からなる抵抗層
と、絶縁層と、ゲートを有している。但し本例において
は、ゲートは共通に接続されている。従って、ゲートは
帯状でなく絶縁層の上にベタ状に形成されていてもよ
い。そして、第1の例と同様の帯状の陰極導体が、陽極
12の帯状部14とマトリクスを構成している。
【0030】表示を行う場合、又は読み取りを行う場合
には、陽極12の帯状部14と陰極導体の何れか一方を
走査するとともに、他方に選択信号を加えることによ
り、所望の位置のエミッタ群を選択して電子を放出させ
る。本例によっても、第1の例と略同様の作用・効果を
得ることができる。
【0031】本例においては、帯状部14に蛍光体層1
7を所定間隔をおいて被着させて画素Pを構成し、帯状
部14に形成した穴15に検出電極20を設けた。この
ような陽極12及び検出電極20の構成は一例にすぎな
い。本例において、陽極12及び検出電極20の構成を
図4に示すようにすることもできる。図4では、ドット
状の陽極導体25に蛍光体層26を被着してなるドット
状の画素P27を所定間隔で縦横に複数個配列し、陰極
導体6と交差する一方の方向に沿って互いに画素Pを共
通接続している。正方形の画素Pの一隅は小さく正方形
に切りかかれており、その部分に小さい正方形の検出電
極28が配置されている。各検出電極28は、画素Pの
共通接続と同一の方向に沿って共通接続されている。
【0032】以上説明した各例においては、陽極の各画
素Pを1個づつ順次移動しながら発光させていたので、
第1の例においては検出電極20をすべて共通接続し、
また第2の例においては列毎に共通接続していた。しか
しながら、もちろん個々の検出電極20をそれぞれ独立
にしてもよい。
【0033】以上説明した各例においては、読み取り時
に陽極12の各画素Pを1個づつ順次移動しながら発光
させていたが、読み取り時の陽極12の発光パターンは
これに限らない。例えば、陽極12を構成する画素Pを
所定方向のラインごとに同時に信号を与え、このライン
をラインと直交する方向に順次移動させていくように発
光させてもよい。このような発光パターンをとる場合に
は、すべての検出電極20を共通接続することはできな
い。一度に発光する画素Pのラインと直交する方向(即
ち発光する画素Pのラインが移動していく方向)に沿っ
て共通接続するか、又は個々に信号を検出できるように
それぞれ独立にしてもよい。
【0034】また、読み取り時の陽極12の他の発光パ
ターンとしては、陽極12を構成するすべての画素Pを
同時に発光させる場合もある。この場合には、各検出電
極20は共通接続できず、個々に信号を検出できるよう
にそれぞれ独立にしなければならない。読み取り装置と
して作用させる場合、読み取り速度は、一度にすべての
画素を発光させる場合が最も早いが、構成が最も複雑で
ある。逆に画素Pを一つづつ発光させる場合は、構成は
簡単となるが、読み取り速度が遅くなってしまう。よっ
て一度に読み取る面積、読み取る際の解像度で表示装置
の構成を決めればよい。
【0035】第1及び第2の例のように、陽極12の各
画素Pを1個づつ順次移動しながら発光させるための電
極構造としては、前述の二例の他、次のような構造が採
用できる。まず、陰極導体をベタ状にして共通接続と
し、陽極導体13の帯状部14と帯状のゲートによって
マトリクスを構成し、各画素Pを発光させる構成として
もよい。ゲートの上に絶縁層を挟んで前記ゲートと直交
する方向に分割された帯状の第2のゲートを設け、第1
のゲートと第2のゲートでマトリクスを構成して各画素
Pを発光させる構成としてもよい。
【0036】以上の説明において、電界放出形陰極と陽
極12の電極の一部でマトリクスを組み、陽極12の各
画素Pを1個づつ順次移動しながら発光させたり、一ラ
インごとに画素Pを発光させるにはダイナミック駆動タ
イプの表示装置でもよ実現できるが、同時に全ての画素
Pを発光させたい場合には、表示面の発光点を構成する
各画素Pを個々に選択できる必要があり、陽極12又は
ゲート又は陰極導体のいずれかを画素状に分割して個別
に制御するスタティック駆動タイプの表示装置でないと
実現できない。この場合には、画素を1個づつ発光させ
ることもできるし、ライン毎に画素を同時発光させるこ
ともできる。各場合の、検出電極20の接続態様は、読
み取り時の陽極12の発光パターンに応じて定めること
となる。
【0037】その他、本発明が適用される電界放出形陰
極と陽極を有する表示装置としては、スタティック駆動
とダイナミック駆動の複合型でもよいし、ダイナミック
駆動の表示装置にメモリー機能を備えて実質的にスタテ
ィック駆動する形式の表示装置でもよい。これらいずれ
の場合にも、検出電極の構成は、読み取り時の陽極の発
光パターンに応じた構成となる。
【0038】読み取り機能を備えた本発明の表示装置の
構造は、フルカラーの表示が行える表示装置にも適用で
きる。即ち、それぞれR(赤),G(緑),B(青)の
各色に発光する蛍光体層が被着された3つの画素を1組
とした表示装置において、各色の画素ごとに順次選択し
てもよいし、所定の方向に並んだ同色の画素のライン毎
に走査するようにしてもよい。その場合、電界放出形陰
極の一つのエミッタ群とこれに対応する一つの検出電極
を各画素に対応させてもよいし、RGBの3つの画素の
組に対し、一つのエミッタ群とこれに対応する一つの検
出電極を対応させてもよい。少なくとも、読み取り時に
RGBの各画素がそれぞれ発光した際の各反射光のデー
タが取れればよい。その場合、抵抗層のアモルファスシ
リコンに対する各色毎の感度の差異は、読み取り時又は
データを用いて行う画像再生時に補正を行う。また、各
蛍光体層に応じて、検出電極の検出側上面に各色の透光
性フィルタを形成してもよい。
【0039】以上説明した本発明の表示素子は、読み取
り機能と表示機能の両方を有しており、FAX機能付き
読み取りセンサ付き表示装置としても使え、携帯型情報
端末等多目的に使用できる。また、光ペンによる書き込
み表示素子や金融機関等のATM等で使用される表示装
置のように、画面に接触することによって操作が行える
表示装置として使用することもできる。
【0040】
【発明の効果】本発明の読み取り機能を有する表示素子
によれば、陽極から出た光が読み取り対象で反射して電
界放出形陰極の抵抗層に照射された際に、電界放出形陰
極において生じるエミッション電流の変化を複数の検出
電極で検出するので、次のような効果が得られる。
【0041】(1) 表示機能と2次元情報読み取りの機能
を一つの装置で実現できる。
【0042】(2) 1次元の読み取り素子を移動させて行
う従来の装置に比べ、機械的な作動部分がないため読み
取りを高速で精確に行うことができる。また、機械的な
駆動部分がないことから、モータ等の駆動手段が不要で
あり、低消費電力化及び小型化が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態の第1の例の断面図であ
る。
【図2】本発明の実施の形態の第1の例における陽極の
拡大図である。
【図3】本発明の実施の形態の第2の例における陽極の
拡大図である。
【図4】本発明の実施の形態の第2の例における陽極の
他の態様を例示する拡大図である。
【図5】従来の読み取り装置の構造の一例を模式的に示
す図である。
【符号の説明】
1 表示装置 5 電界放出形陰極 6 陰極導体 7 抵抗層 9 ゲート 11 エミッタ 12 陽極 13 陽極導体 17 蛍光体層 20,28 検出電極 P 画素

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 陰極導体と、前記陰極導体の上に形成さ
    れた光導電材料からなる抵抗層と、前記抵抗層の上に形
    成されたエミッタと、前記エミッタの近傍に配置された
    ゲートとを有する電界放出形陰極と、 陽極導体と、前記陽極導体の上に被着された蛍光体層と
    を有し、所定のパターンに形成されて前記電界放出形陰
    極に対向して配置された陽極と、 前記陽極の近傍に所定のパターンで配置され、前記陽極
    から出た光が読み取り対象で反射して前記電界放出形陰
    極の抵抗層に照射された際に、前記電界放出形陰極にお
    いて生じるエミッション電流の変化を検出する複数の検
    出電極と、 を有する読み取り機能を有する表示素子。
  2. 【請求項2】 前記陽極が、複数個の画素から構成され
    る請求項1記載の読み取り機能を有する表示素子。
  3. 【請求項3】 前記画素を同時に発光させることによっ
    て前記読み取り対象を読み取るために、前記検出電極が
    個別にエミッション電流の変化を検出できるように互い
    に独立している請求項2記載の読み取り機能を有する表
    示素子。
  4. 【請求項4】 前記画素を所定の方向に並ぶ複数の画素
    の行ごとに同時に発光させることによって前記読み取り
    対象を読み取るために、前記画素の行と直交する方向に
    並ぶ複数の画素の列ごとにエミッション電流の変化を検
    出できるように前記検出電極が前記画素の列ごとに互い
    に接続されている請求項2記載の読み取り機能を有する
    表示素子。
  5. 【請求項5】 前記画素を所定の方向に並ぶ複数の画素
    の行ごとに同時に発光させることによって前記読み取り
    対象を読み取るために、前記検出電極が個別にエミッシ
    ョン電流の変化を検出できるように互いに独立している
    請求項2記載の読み取り機能を有する表示素子。
  6. 【請求項6】 前記画素を一個づつ順に発光させること
    によって前記読み取り対象を読み取るために、前記検出
    電極が共通に接続されている請求項2記載の読み取り機
    能を有する表示素子。
  7. 【請求項7】 前記画素を一個づつ順に発光させること
    によって前記読み取り対象を読み取るために、所定の方
    向に並ぶ複数の画素の行ごとにエミッション電流の変化
    を検出できるように前記検出電極が前記画素の行ごとに
    互いに接続されている請求項2記載の読み取り機能を有
    する表示素子。
  8. 【請求項8】 前記画素を一個づつ順に発光させること
    によって前記読み取り対象を読み取るために、前記検出
    電極が個別にエミッション電流の変化を検出できるよう
    に互いに独立している請求項2記載の読み取り機能を有
    する表示素子。
  9. 【請求項9】 前記陽極が、異なる色彩に発光する複数
    種類の画素から構成される請求項1記載の読み取り機能
    を有する表示素子。
  10. 【請求項10】 前記検出電極の読み取り位置の面上に
    画素に応じた透光性フィルターが形成された請求項9記
    載の読み取り機能を有する表示素子。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2002065752A1 (fr) * 2001-02-09 2002-08-22 Nec Corporation Organe d'entrée d'image à fonction d'affichage intégrée
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