JPH10340970A - Bga semiconductor device - Google Patents

Bga semiconductor device

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JPH10340970A
JPH10340970A JP14958797A JP14958797A JPH10340970A JP H10340970 A JPH10340970 A JP H10340970A JP 14958797 A JP14958797 A JP 14958797A JP 14958797 A JP14958797 A JP 14958797A JP H10340970 A JPH10340970 A JP H10340970A
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tape
adhesive
semiconductor device
type semiconductor
reinforcing member
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Shuichi Shibazaki
修一 柴崎
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    • H05K3/363Assembling flexible printed circuits with other printed circuits by soldering

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent short-circuit failures due to crush of a solder bump on a board, at the time of mounting. SOLUTION: On the surface of a heat dissipating plate 10 to which surface a semiconductor chip 1 has been fixed, a stiffener 8 is stuck by using an adhesive agent 9. A flexible tape 2 is stuck on the stiffener 8 by using an adhesive agent 7. The semiconductor chip 1 is electrically connected with a solder bump 6, via an inner lead 3, a land 5, etc., which are formed on a tape 2. In order to let a pressure generated inside the adhesive agent 7 escape to the outside, trenches 8a which open to the outer peripheral end of the stiffener 8 are formed, on the sticking surface of the stiffener 8 using the adhesive agent 7.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップと可
撓性を有するテープとを組み合せたボールグリッドアレ
イ(BGA)型半導体装置に関する。
The present invention relates to a ball grid array (BGA) type semiconductor device in which a semiconductor chip and a flexible tape are combined.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体チップとキャリアとの熱膨張率の
不一致の問題を解決するのに、キャリアを非常に薄い可
撓性材料にすると効果があることがわかっている。この
ような可撓性材料としては、ポリイミドを主成分とする
テープが一般的に用いられ、この種のBGA型半導体装
置をテープBGAという。
2. Description of the Related Art It has been found that it is effective to use a very thin flexible material for a carrier in order to solve the problem of thermal expansion coefficient mismatch between a semiconductor chip and a carrier. As such a flexible material, a tape mainly composed of polyimide is generally used, and this type of BGA type semiconductor device is called a tape BGA.

【0003】図14は、従来のテープBGAの構造を示
す概略断面図である。図14に示すように、このテープ
BGAは、テープ102、補強材108および放熱板1
10が互いに接着剤107,109により重ね合わされ
て貼り付けられている。補強材108はスティフナーと
も呼ばれ、テープBGAの実装用基板120への実装不
良の一因となるテープ102の反りを防止するためのも
ので、金属等、テープ102よりも変形しにくい材質で
構成される。テープ102および補強材108の中央部
にはデバイスホールが形成されている。半導体チップ1
01はデバイスホールに収納され、放熱ペースト111
によって放熱板110に固着されている。
FIG. 14 is a schematic sectional view showing the structure of a conventional tape BGA. As shown in FIG. 14, the tape BGA is composed of a tape 102, a reinforcing member 108, and a heat sink 1
10 are pasted on each other with adhesives 107 and 109. The reinforcing member 108 is also called a stiffener, and is used to prevent the warpage of the tape 102, which causes a mounting failure of the tape BGA on the mounting substrate 120, and is made of a material such as metal which is less deformable than the tape 102. Is done. A device hole is formed at the center of the tape 102 and the reinforcing member 108. Semiconductor chip 1
01 is stored in the device hole,
Is fixed to the heat radiating plate 110.

【0004】テープ102には、図15に示すように複
数のランド105がマトリックス状に形成されている。
そして、図16に示すように、ランド105は、テープ
102に形成された配線103aおよびデバイスホール
102a内に突出したインナーリード103を介して、
半導体チップ101の電極101aと接続されている。
A plurality of lands 105 are formed on the tape 102 in a matrix as shown in FIG.
Then, as shown in FIG. 16, the lands 105 are formed via the wirings 103a formed on the tape 102 and the inner leads 103 projecting into the device holes 102a.
It is connected to the electrode 101a of the semiconductor chip 101.

【0005】再び図14を参照すると、デバイスホール
内で放熱板110に固着され、インナーリード103が
接続された半導体チップ101は、樹脂112により封
止されている。また、テープ102に形成されたランド
105上には半田バンプ106が形成されている。
Referring again to FIG. 14, the semiconductor chip 101 fixed to the heat sink 110 in the device hole and connected to the inner lead 103 is sealed with a resin 112. Further, solder bumps 106 are formed on lands 105 formed on the tape 102.

【0006】このテープBGAを実装用基板120に実
装する場合は、実装用基板120のランド121上に半
田ペースト122を塗布しておき、テープBGAの半田
バンプ106を実装用基板120のランド121に位置
合せし、半田バンプ106の融点以上の温度に加熱す
る。これにより、テープBGAが実装用基板120に実
装される。
When mounting the tape BGA on the mounting substrate 120, a solder paste 122 is applied on the lands 121 of the mounting substrate 120, and the solder bumps 106 of the tape BGA are mounted on the lands 121 of the mounting substrate 120. It is positioned and heated to a temperature equal to or higher than the melting point of the solder bump 106. As a result, the tape BGA is mounted on the mounting substrate 120.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】上述したテープBGA
では、実装用基板への実装時には200℃以上まで加熱
される。従って、テープと補強材との間の接着剤が水分
を吸収している場合には、図17に示すように、接着剤
107中に含まれる水分が沸騰してテープ102と補強
材108との間に気泡125が発生する。テープ102
は可撓性を有し、しかも、テープBGAの実装時には半
田バンプ106は加熱により溶融しているため、気泡1
25が発生すると、気泡125の圧力によってテープ1
02が実装用基板120に向かって湾曲し、その部分の
半田バンプ106が押し潰されてしまう。半田バンプ1
06が押し潰されると、半田バンプ106は実装用基板
120の面内方向に広がり、最悪の場合には隣接する半
田バンプ106と接触してショート不良が発生してしま
う。
The above-mentioned tape BGA
Then, at the time of mounting on a mounting substrate, the substrate is heated to 200 ° C. or higher. Therefore, when the adhesive between the tape and the reinforcing material absorbs moisture, as shown in FIG. 17, the moisture contained in the adhesive 107 boils and the tape 102 and the reinforcing material 108 Air bubbles 125 are generated in between. Tape 102
Are flexible, and when the tape BGA is mounted, the solder bumps 106 are melted by heating.
When 25 is generated, the pressure of the bubble 125 causes the tape 1
02 curves toward the mounting substrate 120, and the solder bumps 106 at that portion are crushed. Solder bump 1
When 06 is crushed, the solder bumps 106 spread in the in-plane direction of the mounting substrate 120 and, in the worst case, come into contact with the adjacent solder bumps 106 to cause a short circuit failure.

【0008】そこで本発明は、実装時の半田バンプの潰
れによるショート不良を防止するBGA型半導体装置を
提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a BGA type semiconductor device for preventing a short circuit due to crushing of a solder bump during mounting.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明のBGA型半導体装置は、半導体チップと、前記
半導体チップと電気的に接続される複数の半田バンプが
形成された、可撓性を有するテープと、接着剤により前
記テープに貼り付けられて前記テープを支持する板状の
補強材とを有し、前記補強材および前記接着剤の少なく
とも一方に、前記接着剤の内部に生じる圧力を外部へ逃
がす圧力放出構造が設けられている。
In order to achieve the above object, a BGA type semiconductor device according to the present invention comprises a semiconductor chip and a plurality of solder bumps electrically connected to the semiconductor chip. And a plate-like reinforcing material attached to the tape with an adhesive and supporting the tape, and a pressure generated inside the adhesive on at least one of the reinforcing material and the adhesive. Pressure release structure for releasing the pressure to the outside.

【0010】BGA型半導体装置は、実装用基板への実
装時に、半田バンプの融点以上の温度である200℃以
上に加熱される。このとき、補強板とテープとを貼り付
ける接着剤中に水分が含まれていると、この水分が沸騰
して気泡が発生し、接着剤の内部には気泡による圧力が
発生する。ここで、本発明のBGA型半導体装置には、
補強材および接着剤の少なくとも一方に、上記圧力を外
部に逃がす圧力放出構造が設けられているので、気泡は
圧力放出構造から外部に逃げる。これにより、気泡の圧
力によるテープの変形が防止され、結果的に半田バンプ
の潰れが防止される。
The BGA type semiconductor device is heated to 200 ° C. or higher, which is higher than the melting point of the solder bump, when mounted on the mounting substrate. At this time, if moisture is contained in the adhesive for attaching the reinforcing plate and the tape, the moisture is boiled to generate air bubbles, and a pressure due to the air bubbles is generated inside the adhesive. Here, the BGA type semiconductor device of the present invention includes:
Since at least one of the reinforcing member and the adhesive is provided with a pressure release structure for releasing the pressure to the outside, the air bubbles escape to the outside from the pressure release structure. Thereby, the deformation of the tape due to the pressure of the bubbles is prevented, and as a result, the crushing of the solder bumps is prevented.

【0011】圧力放出構造は、前記補強材の前記接着剤
による貼り付け面に、前記補強材の外周端に開口して形
成した溝で構成してもよい。この場合には、電気特性試
験を行う際に半田バンプと試験機のプローブピンとの接
触を安定にするために、溝の幅を半田バンプが形成され
るランドの直径よりも小さくしたり、上記圧力が逃げる
通路を確実に確保するために、溝の深さを、補強材とテ
ープとの貼り付け時に両者の加圧により接着剤が溝に押
し出されても溝が完全には埋まらない深さとすることが
好ましい。
[0011] The pressure release structure may be formed by a groove formed on the surface of the reinforcing member to which the adhesive is adhered, the opening being formed at an outer peripheral end of the reinforcing member. In this case, in order to stabilize the contact between the solder bumps and the probe pins of the tester when performing the electrical characteristic test, the width of the groove is made smaller than the diameter of the land on which the solder bumps are formed, or the above pressure is applied. In order to ensure a path for the groove to escape, the depth of the groove should be such that the groove is not completely filled even when the adhesive is extruded into the groove due to the pressure of both when the reinforcing material and the tape are attached. Is preferred.

【0012】または、補強材のテープが貼り付けられた
面と反対の面に、半導体チップの熱を放出するための放
熱板が接着剤により貼り付けられるとともに、補強材に
は、複数の貫通穴が補強材の外形に沿って形成され、補
強材と放熱板とを貼り付ける接着剤は貫通穴よりも内側
の領域に設けられて前記領域の外側では放熱板と補強材
との間に隙間が形成され、これら貫通穴および隙間で圧
力放出構造を構成してもよい。この場合には、補強材と
テープとを貼り付ける接着剤に、補強材に形成された貫
通穴と同じ位置に貫通穴を形成してもよい。また、貫通
穴の直径を、半田バンプが形成されるランドの直径より
も小さくするのが好ましい。
Alternatively, a heat radiating plate for releasing heat of the semiconductor chip is attached to the surface opposite to the surface to which the tape of the reinforcing material is attached by an adhesive, and the reinforcing material has a plurality of through holes. Is formed along the outer shape of the reinforcing material, and the adhesive for attaching the reinforcing material and the heat radiating plate is provided in a region inside the through hole, and a gap is formed between the heat radiating plate and the reinforcing material outside the region. The pressure release structure may be formed with these through holes and gaps. In this case, a through-hole may be formed at the same position as the through-hole formed in the reinforcing material in the adhesive for attaching the reinforcing material and the tape. Preferably, the diameter of the through hole is smaller than the diameter of the land on which the solder bump is formed.

【0013】または、接着剤は、補強材とテープとの間
に接着剤の外周端に通じる通路を形成するパターンで設
けられ、この通路により圧力放出構造を構成してもよ
い。この場合にも、通路の幅を、半田バンプが形成され
るランドの直径よりも小さくするのが好ましい。
Alternatively, the adhesive may be provided in a pattern that forms a passage leading to the outer peripheral end of the adhesive between the reinforcing material and the tape, and this passage may constitute a pressure release structure. Also in this case, it is preferable that the width of the passage is smaller than the diameter of the land where the solder bump is formed.

【0014】または、補強材のテープが貼り付けられた
面と反対の面に、半導体チップの熱を放出するための放
熱板が接着剤により貼り付けられるとともに、補強材お
よび補強材とテープとを貼り付ける接着剤のうち少なく
とも補強材には、補強材の外周端から内側へ延びる切り
抜き部が形成され、この切り抜き部により圧力放出構造
を構成してもよい。この場合にも、切り抜き部の幅を、
半田バンプが形成されるランドの直径よりも小さくする
ことが好ましい。
Alternatively, a heat radiating plate for releasing heat of the semiconductor chip is attached to the surface opposite to the surface to which the reinforcing material tape is attached by an adhesive, and the reinforcing material and the reinforcing material and the tape are bonded together. At least the reinforcing material of the adhesive to be attached may have a cutout portion extending inward from the outer peripheral end of the reinforcing material, and the cutout portion may constitute a pressure release structure. Also in this case, the width of the cutout
It is preferable that the diameter is smaller than the diameter of the land on which the solder bump is formed.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態について
図面を参照して説明する。
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0016】(第1の実施形態)図1は、本発明のBG
A型半導体装置の第1の実施形態の概略断面図である。
図2は、図1に示したBGA型半導体装置に用いられる
補強材の平面図である。なお、図1に示した断面は、図
2のA−A線に相当する部分での断面である。
(First Embodiment) FIG. 1 shows a BG according to the present invention.
FIG. 1 is a schematic sectional view of a first embodiment of an A-type semiconductor device.
FIG. 2 is a plan view of a reinforcing member used in the BGA type semiconductor device shown in FIG. The cross section shown in FIG. 1 is a cross section at a portion corresponding to the line AA in FIG.

【0017】本実施形態のBGA型半導体装置は、半導
体チップ1と、半導体チップ1が実装される基板として
の機能を有するテープ2と、テープ2の変形を抑えるた
めにテープ2を支持するスティフナーと呼ばれる補強材
8と、半導体チップ1の動作により発生する熱を外部に
放出するための放熱板10とで構成される。
The BGA type semiconductor device of the present embodiment comprises a semiconductor chip 1, a tape 2 having a function as a substrate on which the semiconductor chip 1 is mounted, and a stiffener supporting the tape 2 for suppressing the deformation of the tape 2. And a radiating plate 10 for releasing heat generated by the operation of the semiconductor chip 1 to the outside.

【0018】半導体チップ1は、放熱板10の中央部
に、放熱ペースト11によって固定されている。放熱板
10の半導体チップ1が固定された面には補強材8が接
着剤9により貼り付けられ、さらに補強材8の表面に
は、テープ2が接着剤7によって貼り付けられている。
補強材8およびテープ2の中央部にはそれぞれデバイス
ホールが形成され、この中に半導体チップ1が収納され
る。デバイスホール内に収納された半導体チップ1は、
樹脂12により封止されている。
The semiconductor chip 1 is fixed to a central portion of a heat radiating plate 10 by a heat radiating paste 11. A reinforcing material 8 is adhered to the surface of the heat sink 10 to which the semiconductor chip 1 is fixed with an adhesive 9, and a tape 2 is adhered to the surface of the reinforcing material 8 with an adhesive 7.
Device holes are respectively formed in the central portions of the reinforcing member 8 and the tape 2, and the semiconductor chip 1 is accommodated therein. The semiconductor chip 1 housed in the device hole is
It is sealed with resin 12.

【0019】接着剤7,9は、熱硬化性または熱可塑性
のもので、熱圧着法により、放熱板10と補強材8、お
よび補強板8とテープ2とが貼り付けられる。
The adhesives 7, 9 are thermosetting or thermoplastic, and the heat radiating plate 10 and the reinforcing material 8, and the reinforcing plate 8 and the tape 2 are adhered by a thermocompression bonding method.

【0020】テープ2は、ポリイミドを主成分とするも
ので、可撓性を有する。テープ2には、デバイスホール
内に突出して半導体チップ1の電極(不図示)と接続さ
れるインナーリード3や、BGA型半導体装置を実装用
基板(不図示)に実装するときの端子となる半田バンプ
6が形成されるランド5や、インナーリード3とランド
5とを接続する配線(不図示)が形成されている。これ
により、半導体チップ1は、インナーリード3、配線お
よびランド5を介して半田バンプ6と電気的に接続され
る。
The tape 2 is mainly composed of polyimide and has flexibility. The tape 2 includes an inner lead 3 protruding into the device hole and connected to an electrode (not shown) of the semiconductor chip 1, and a solder serving as a terminal when the BGA type semiconductor device is mounted on a mounting substrate (not shown). The lands 5 on which the bumps 6 are formed and the wiring (not shown) for connecting the inner leads 3 to the lands 5 are formed. As a result, the semiconductor chip 1 is electrically connected to the solder bumps 6 via the inner leads 3, the wirings and the lands 5.

【0021】補強材8は、テープ2よりも変形しにくい
材質、例えば金属などで構成される。補強材8の、テー
プ2への貼り付け面には、図2に示すように、複数の溝
8aが格子状に形成されている。各溝8aはそれぞれ補
強材8の外周端に開口し、補強材8が接着剤7によりテ
ープ2に貼り付けられた状態では、溝8aが形成された
領域はBGA型半導体装置の外部と連通する構成となっ
ている。溝8aは、エッチングなどにより形成すること
ができる。
The reinforcing member 8 is made of a material that is less deformable than the tape 2, for example, metal. As shown in FIG. 2, a plurality of grooves 8a are formed in a lattice shape on the surface of the reinforcing material 8 to be attached to the tape 2. Each groove 8a is opened at the outer peripheral end of the reinforcing member 8, and when the reinforcing member 8 is attached to the tape 2 with the adhesive 7, the area where the groove 8a is formed communicates with the outside of the BGA type semiconductor device. It has a configuration. The groove 8a can be formed by etching or the like.

【0022】上記のように補強材8に溝8aを形成する
ことで、補強材8とテープ2とを貼り付ける接着剤7が
水分を吸収していた場合に、BGA型半導体装置の実装
時に加えられる熱でこの水分が沸騰して気泡が発生して
も、気泡は溝8aを通ってBGA型半導体装置の外部へ
逃げることができる。その結果、テープ2は変形せず、
半田バンプ6の潰れも発生しなくなるので、BGA型半
導体装置の実装時の隣接する半田バンプ同士の接触によ
るショート不良を防止することができる。
By forming the groove 8a in the reinforcing member 8 as described above, when the adhesive 7 for attaching the reinforcing member 8 and the tape 2 absorbs moisture, it is added when mounting the BGA type semiconductor device. Even if the moisture is boiled by the applied heat and bubbles are generated, the bubbles can escape to the outside of the BGA type semiconductor device through the groove 8a. As a result, the tape 2 does not deform,
Since the crushing of the solder bumps 6 does not occur, short-circuit failure due to contact between adjacent solder bumps at the time of mounting the BGA type semiconductor device can be prevented.

【0023】ところで、BGA型半導体装置の電気特性
試験を行うとき、半田バンプ6に試験機のプローブピン
を押し当てて試験機とBGA型半導体装置とを電気的に
接続する。ここで、図3に示すように、補強材8’に形
成される溝8a’の幅がテープ2’のランド5’の直径
よりも大きい場合、溝8a’の位置とランド5’の位置
が一致すると、溝8a’の上でテープ2’がたわみ、溝
8a’の上にある半田バンプ6’がプローブピン18と
うまく接触しなくなくおそれがある。これにより、プロ
ーブピン18と半田バンプ6’との導通が不安定にな
り、正確な電気特性試験が行えなくなってしまう。
When an electrical characteristic test of the BGA type semiconductor device is performed, a probe pin of the tester is pressed against the solder bumps 6 to electrically connect the tester and the BGA type semiconductor device. Here, as shown in FIG. 3, when the width of the groove 8a 'formed in the reinforcing member 8' is larger than the diameter of the land 5 'of the tape 2', the position of the groove 8a 'and the position of the land 5' are different. If they match, the tape 2 'may bend over the groove 8a' and the solder bump 6 'over the groove 8a' may not be in good contact with the probe pin 18. As a result, conduction between the probe pins 18 and the solder bumps 6 'becomes unstable, and an accurate electrical characteristic test cannot be performed.

【0024】そこで、図1に示したように溝8aの幅を
ランド5の直径よりも小さくして、溝8aの位置とラン
ド5の位置が一致した場合でもランド5は少なくとも一
部が補強材8で支持される構成とした。これにより、電
気特性試験を行う際の、テープ2のたわみによる半田バ
ンプ6とプローブピンとの接触不良を防止することがで
きる。
Therefore, as shown in FIG. 1, the width of the groove 8a is made smaller than the diameter of the land 5, and even when the position of the groove 8a coincides with the position of the land 5, at least a part of the land 5 is a reinforcing material. 8 was adopted. Thereby, it is possible to prevent the contact failure between the solder bumps 6 and the probe pins due to the bending of the tape 2 when performing the electrical characteristic test.

【0025】また、溝8aの幅は溝8aのピッチの1/
2とし、溝8aの深さは接着剤7の厚さの2倍よりも大
きくしている。上述したように、補強材8とテープ2と
は熱硬化性または熱可塑性の接着剤7で熱圧着法により
貼り付けられる。熱圧着前の状態では、図4(a)に示
すように、接着剤7は補強材8に形成された溝8aの中
に侵入していないが、補強材8とテープ2との加圧によ
り接着剤7が補強材8により押し潰されていく。接着剤
7が押し潰されると、余分な接着剤7は溝8aの中に押
し出され、溝8aは次第に接着剤7で埋められていく。
The width of the groove 8a is 1 / the pitch of the groove 8a.
2, and the depth of the groove 8a is larger than twice the thickness of the adhesive 7. As described above, the reinforcing member 8 and the tape 2 are attached by a thermocompression bonding method using a thermosetting or thermoplastic adhesive 7. In the state before the thermocompression bonding, as shown in FIG. 4A, the adhesive 7 does not enter into the groove 8a formed in the reinforcing member 8, but due to the pressure between the reinforcing member 8 and the tape 2, The adhesive 7 is crushed by the reinforcing material 8. When the adhesive 7 is crushed, the excess adhesive 7 is pushed into the groove 8a, and the groove 8a is gradually filled with the adhesive 7.

【0026】ここで、上述のように溝8aの幅とピッチ
との関係および溝8aの深さと接着剤7の厚さとの関係
を規定しているので、図4(b)に示すように、接着剤
7が補強材8とテープ2との間で完全に押し潰され、全
ての接着剤7が溝8aに押し出されたとしても、溝8a
は完全には埋まらずに空間が残り、実装時に接着剤7中
に気泡が発生した場合の気泡の逃げ道が確保される。な
お、溝8aの幅とピッチとの関係および溝8aの深さと
接着剤7の厚さとの関係は上記の値に限られるものでは
なく、補強材7とテープ2との間の接着剤7が全て溝に
押し出されたとしても溝8aが完全には埋まらないよう
な関係となるように規定されていればよい。
Since the relationship between the width and the pitch of the groove 8a and the relationship between the depth of the groove 8a and the thickness of the adhesive 7 are defined as described above, as shown in FIG. Even if the adhesive 7 is completely squashed between the reinforcing member 8 and the tape 2 and all the adhesive 7 is extruded into the groove 8a, the groove 8a
Is not completely buried, leaving a space, and a space for air bubbles to escape when air bubbles are generated in the adhesive 7 during mounting is secured. Note that the relationship between the width and pitch of the groove 8a and the relationship between the depth of the groove 8a and the thickness of the adhesive 7 are not limited to the above values, and the adhesive 7 between the reinforcing member 7 and the tape 2 is not limited to the above value. It is sufficient that the groove 8a is defined so as not to be completely buried even if all of the groove 8a is extruded into the groove.

【0027】また、本実施形態では、図2に示したよう
に、複数の溝8aが格子状に形成された補強材8を用い
た例を示したが、溝8aの形状や配列はこれに限られる
ものではない。例えば、図5に示すように、外周端から
内側に延びる複数の溝15aが形成された補強材15を
用いてもよい。
Further, in the present embodiment, as shown in FIG. 2, an example is shown in which the reinforcing material 8 in which a plurality of grooves 8a are formed in a lattice shape is used, but the shape and arrangement of the grooves 8a are not limited thereto. It is not limited. For example, as shown in FIG. 5, a reinforcing member 15 having a plurality of grooves 15a extending inward from the outer peripheral end may be used.

【0028】(第2の実施形態)図6は、本発明のBG
A型半導体装置の第2の実施形態の概略断面図である。
図7は、図6に示したBGA型半導体装置に用いられる
補強材の平面図である。なお、図6に示した断面は、図
7のB−B線に相当する部分での断面である。
(Second Embodiment) FIG. 6 shows a BG of the present invention.
FIG. 5 is a schematic sectional view of a second embodiment of the A-type semiconductor device.
FIG. 7 is a plan view of a reinforcing member used in the BGA type semiconductor device shown in FIG. The cross section shown in FIG. 6 is a cross section at a portion corresponding to line BB in FIG.

【0029】本実施形態では、図7に示すように、複数
の貫通穴28aが形成された補強材28を用いている。
貫通穴28aは、補強材28の外周端とデバイスホール
28bとの間のほぼ中間部に、補強材28の外形に沿っ
て形成されている。貫通穴28aは、エッチングや打ち
抜きなどにより形成することができる。貫通穴28aの
直径は、テープ22に形成されたランド25の直径より
も小さい。これは、第1の実施形態と同様に、このBG
A型半導体装置の電気特性試験の際のプローブピンの接
触不良を防止するためである。
In this embodiment, as shown in FIG. 7, a reinforcing member 28 having a plurality of through holes 28a is used.
The through hole 28a is formed along the outer shape of the reinforcing member 28 at a substantially intermediate portion between the outer peripheral end of the reinforcing member 28 and the device hole 28b. The through hole 28a can be formed by etching, punching, or the like. The diameter of the through hole 28 a is smaller than the diameter of the land 25 formed on the tape 22. This is similar to the first embodiment.
This is to prevent a contact failure of the probe pin at the time of the electrical characteristic test of the A-type semiconductor device.

【0030】また、補強材28と放熱板30とを貼り付
けるための接着剤29は、貫通穴28aよりも内側の領
域のみに設けられている。これにより、貫通穴28aよ
りも外側の領域では補強材28と放熱板30との間に隙
間が形成され、貫通穴28aはこの隙間を介して外部と
連通する。
The adhesive 29 for attaching the reinforcing member 28 and the heat radiating plate 30 is provided only in a region inside the through hole 28a. Thereby, a gap is formed between the reinforcing member 28 and the heat radiating plate 30 in a region outside the through hole 28a, and the through hole 28a communicates with the outside through this gap.

【0031】その他、半導体チップ21が放熱板30に
固定されていること、補強材28は接着剤27によって
テープ22と貼り付けられていること、テープ22には
インナーリード23やランド25などが形成され、ラン
ド25上に半田バンプ26が形成されていること、およ
び半導体チップ1が樹脂32で封止されていること等は
第1の実施形態と同様である。
In addition, the semiconductor chip 21 is fixed to the heat radiating plate 30, the reinforcing member 28 is attached to the tape 22 by an adhesive 27, and the tape 22 has inner leads 23 and lands 25 formed thereon. The fact that the solder bumps 26 are formed on the lands 25 and that the semiconductor chip 1 is sealed with the resin 32 are the same as in the first embodiment.

【0032】上記のように補強材28に貫通穴28aを
形成することで、補強材28とテープ22とを貼り付け
る接着剤27が水分を吸収していた場合に、BGA型半
導体装置の実装時に加えられる熱でこの水分が沸騰して
気泡が発生しても、気泡は貫通穴28aおよび放熱板3
0と補強材28との間の隙間を通ってBGA型半導体装
置の外部へ逃げることができる。その結果、テープ22
は変形せず、半田バンプ26の潰れも発生しなくなるの
で、BGA型半導体装置の実装時の隣接する半田バンプ
同士の接触によるショート不良を防止することができ
る。
By forming the through-holes 28a in the reinforcing member 28 as described above, when the adhesive 27 for attaching the reinforcing member 28 and the tape 22 absorbs moisture, the mounting of the BGA type semiconductor device may be prevented. Even if the moisture is boiled by the applied heat and bubbles are generated, the bubbles are formed in the through hole 28a and the heat sink 3
It is possible to escape to the outside of the BGA type semiconductor device through the gap between the reinforcing member 28 and the zero. As a result, the tape 22
Is not deformed and the solder bumps 26 are not crushed, so that short-circuit failure due to contact between adjacent solder bumps at the time of mounting the BGA type semiconductor device can be prevented.

【0033】(第3の実施形態)図8は、本発明のBG
A型半導体装置の第3の実施形態の概略断面図である。
図9は、図8に示したBGA型半導体装置に用いられ
る、接着剤が転写された補強材の平面図である。なお、
図8に示した断面は、図9のC−C線に相当する部分で
の断面である。
(Third Embodiment) FIG. 8 shows a BG according to the present invention.
It is a schematic sectional drawing of 3rd Embodiment of A type semiconductor device.
FIG. 9 is a plan view of a reinforcing material to which an adhesive has been transferred, which is used in the BGA type semiconductor device shown in FIG. In addition,
The cross section shown in FIG. 8 is a cross section at a portion corresponding to line CC in FIG.

【0034】本実施形態では、補強材48としては、半
導体チップ41を収納するデバイスホールが中央部に形
成されただけの板状の部材を用いており、補強材48と
テープ42とを貼り付けるための接着剤47のパターン
に特徴がある。
In this embodiment, as the reinforcing member 48, a plate-like member having a device hole for accommodating the semiconductor chip 41 formed only at the center is used, and the reinforcing member 48 and the tape 42 are attached. The pattern of the adhesive 47 is characteristic.

【0035】すなわち、図9に示すように、接着剤47
は、補強材48上にマトリックス状に分散配置される。
このような補強材48は、図9に示したパターンで配置
された接着剤47を転写することで作成する。これによ
り、補強材48とテープ42との間には、図2に示した
補強材8の溝8aのパターンと同様の、このBGA型半
導体装置の外部(具体的には、接着剤47の外周端)へ
通じる通路48aが形成される。また、通路48aの幅
は、電気特性試験時の半田バンプ46とプローブピンと
の接触を安定にするために、テープ42に形成されるラ
ンド45の直径よりも小さいものとされる。
That is, as shown in FIG.
Are dispersed and arranged in a matrix on the reinforcing member 48.
Such a reinforcing material 48 is created by transferring the adhesive 47 arranged in the pattern shown in FIG. As a result, between the reinforcing member 48 and the tape 42, the outside of the BGA type semiconductor device (specifically, the outer periphery of the adhesive 47) has the same pattern as the groove 8a of the reinforcing member 8 shown in FIG. A passage 48a leading to the end is formed. The width of the passage 48a is smaller than the diameter of the land 45 formed on the tape 42 in order to stabilize the contact between the solder bump 46 and the probe pin during the electrical characteristic test.

【0036】従って、接着剤47中の水分がこのBGA
型半導体装置の実装時に加えられる熱により沸騰して接
着剤47中に気泡が発生しても、発生した気泡は通路4
8aを通って外部へ逃げることができる。その結果、テ
ープ42の変形は発生せず、隣接する半田バンプ同士の
接触によるショート不良を防止することができる。
Therefore, the moisture in the adhesive 47 is
Even if bubbles are generated in the adhesive 47 by boiling due to heat applied at the time of mounting the semiconductor device, the generated bubbles are
It can escape to the outside through 8a. As a result, deformation of the tape 42 does not occur, and short-circuit failure due to contact between adjacent solder bumps can be prevented.

【0037】その他の構成については第1の実施形態と
同様であるのでその説明は省略する。
The rest of the configuration is the same as in the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

【0038】本実施形態では、図9に示したように、通
路48aが格子状に形成されるようなパターンで接着剤
47を転写した補強材48を用いた例を示したが、通路
48aの形状や配列すなわち接着剤47のパターンはこ
れに限られるものではない。例えば、図10に示すよう
に、複数の通路55aが外周端から内側に延びるような
パターンで接着剤56が転写された補強材55を用いて
もよい。
In the present embodiment, as shown in FIG. 9, an example is shown in which the reinforcing material 48 to which the adhesive 47 is transferred in a pattern such that the passages 48a are formed in a lattice pattern is used. The shape and arrangement, that is, the pattern of the adhesive 47 is not limited to this. For example, as shown in FIG. 10, a reinforcing material 55 to which an adhesive 56 is transferred in a pattern in which a plurality of passages 55a extend inward from the outer peripheral end may be used.

【0039】(第4の実施形態)図11は、本発明のB
GA型半導体装置の第4の実施形態の概略断面図であ
る。図12は、図11に示したBGA型半導体装置に用
いられる補強材および接着剤の、両者を貼り合わせた状
態での平面図である。なお、図11に示した断面は、図
12のD−D線に相当する部分での断面である。
(Fourth Embodiment) FIG.
It is a schematic sectional drawing of 4th Embodiment of GA type semiconductor device. FIG. 12 is a plan view showing a state in which the reinforcing material and the adhesive used in the BGA type semiconductor device shown in FIG. 11 are bonded together. Note that the cross section shown in FIG. 11 is a cross section at a portion corresponding to line DD in FIG.

【0040】本実施形態では、補強材68の形状および
補強材68とテープ62とを貼り付けるための接着剤6
7の形状に特徴がある。すなわち、補強材68には、そ
の外周端から内側へ延びる複数の切り抜き部68aが形
成されている。また、接着剤67にも、補強材68と同
様のパターンで外周端から内側へ延びる複数の切り抜き
部67aが形成されており、補強材68と接着剤67と
は同じ形状となっている。このような補強材68および
接着剤67は、両者を同時に打ち抜くことで作成でき
る。また、切り抜き部67a,68aの幅は、電気特性
試験時の半田バンプ66とプローブピンとの接触を安定
にするために、テープ62に形成されるランド65の直
径よりも小さいものとされる。
In this embodiment, the shape of the reinforcing member 68 and the adhesive 6 for attaching the reinforcing member 68 and the tape 62 are used.
Characteristic is the shape of 7. That is, the reinforcing member 68 is formed with a plurality of cutouts 68a extending inward from the outer peripheral end. The adhesive 67 also has a plurality of cutouts 67a extending inward from the outer peripheral end in the same pattern as the reinforcing material 68, and the reinforcing material 68 and the adhesive 67 have the same shape. Such a reinforcing material 68 and an adhesive 67 can be formed by punching both at the same time. The width of the cutouts 67a and 68a is smaller than the diameter of the land 65 formed on the tape 62 in order to stabilize the contact between the solder bump 66 and the probe pin during the electrical characteristic test.

【0041】その他の構成については第1の実施形態と
同様であるので、その説明は省略する。なお、図11
は、デバイスホールから外れた位置での断面であるため
図11には半導体チップは描かれていないが、半導体チ
ップが放熱板70の中央部に固定され、テープ62に形
成されたインナーリード(不図示)を介してランド65
と接続される点も、上述した各実施形態と同様である。
The other configuration is the same as that of the first embodiment, and a description thereof will be omitted. Note that FIG.
The semiconductor chip is not shown in FIG. 11 because it is a cross section at a position deviated from the device hole. However, the semiconductor chip is fixed to the central portion of the heat sink 70 and the inner leads (not Land 65 via the illustrated)
Is connected to the same as in the above-described embodiments.

【0042】上記のように接着剤67および補強材68
に切り抜き部67a,68aを形成することで、図11
に示すように、放熱板70と補強材68とを貼り付ける
ための接着剤69とテープ62との間には、外部へ連通
する通路76が形成される。従って、接着剤67中の水
分がこのBGA型半導体装置の実装時に加えられる熱に
より沸騰して接着剤67中に気泡が発生しても、発生し
た気泡は通路76を通って外部へ逃げることができる。
その結果、テープ62の変形は発生せず、隣接する半田
バンプ同士の接触によるショート不良を防止することが
できる。
As described above, the adhesive 67 and the reinforcing material 68
By forming cutout portions 67a and 68a in FIG.
As shown in FIG. 7, a passage 76 communicating with the outside is formed between the adhesive 69 for attaching the heat radiating plate 70 and the reinforcing member 68 to the tape 62. Therefore, even if the moisture in the adhesive 67 boils due to the heat applied at the time of mounting the BGA type semiconductor device to generate bubbles in the adhesive 67, the generated bubbles may escape to the outside through the passage 76. it can.
As a result, no deformation of the tape 62 occurs, and short-circuit failure due to contact between adjacent solder bumps can be prevented.

【0043】本実施形態では、接着剤67および補強材
68の両者に切り抜き部67a,68aを形成した例を
示したが、補強材68のみに切り抜き部68aを設けて
も、結果的には第1の実施形態と同様の効果が得られ
る。
In this embodiment, the cutout portions 67a, 68a are formed in both the adhesive 67 and the reinforcing material 68. However, even if the cutout portions 68a are provided only in the reinforcing material 68, the cutout portions 68a are obtained. The same effect as that of the first embodiment can be obtained.

【0044】(第5の実施形態)図13は、本発明のB
GA型半導体装置の第5の実施形態の概略断面図であ
る。
(Fifth Embodiment) FIG.
It is a schematic sectional drawing of 5th Embodiment of a GA type semiconductor device.

【0045】本実施形態は第2の実施形態を応用した形
態であり、第2の実施形態と比較すると、補強材88と
テープ82とを貼り付けるための接着剤87の形状に特
徴がある。すなわち、接着剤87には、補強材88に形
成された貫通穴88aと同じ位置に貫通穴87aが形成
されており、補強材88と接着剤87とは同じ形状とな
っている。このような補強材88および接着剤87は、
両者を同時に打ち抜くことで作成できる。また、補強材
88と放熱板90とを貼り付けるための接着剤89は、
貫通穴87a,88aよりも内側の領域のみに設けられ
ている。これにより、貫通穴87a,88aよりも外側
の領域では補強材88と放熱板90との間に隙間が形成
され、貫通穴87a,88aはこの隙間を介して外部と
連通する。その他の構成については第2の実施形態と同
様であるので、その説明は省略する。
This embodiment is an application of the second embodiment, and is characterized by the shape of the adhesive 87 for attaching the reinforcing member 88 and the tape 82 as compared with the second embodiment. That is, the through hole 87a is formed in the adhesive 87 at the same position as the through hole 88a formed in the reinforcing member 88, and the reinforcing member 88 and the adhesive 87 have the same shape. Such reinforcing material 88 and adhesive 87 are
It can be created by punching both at the same time. The adhesive 89 for attaching the reinforcing member 88 and the heat sink 90 is
It is provided only in the area inside the through holes 87a and 88a. As a result, a gap is formed between the reinforcing member 88 and the heat radiating plate 90 in a region outside the through holes 87a, 88a, and the through holes 87a, 88a communicate with the outside via the gap. The other configuration is the same as that of the second embodiment, and the description is omitted.

【0046】上記のように接着剤87および補強材88
に貫通穴87a,88aを形成することで、これら貫通
穴87a,88aおよび補強材88と放熱板90との隙
間により、接着剤89とテープ82との間には外部へ連
通する通路が形成される。従って、接着剤87中の水分
がこのBGA型半導体装置の実装時に加えられる熱によ
り沸騰して接着剤87中に気泡が発生しても、発生した
気泡は貫通穴87a,88aおよび上記隙間を通って外
部へ逃げることができる。その結果、テープ82の変形
は発生せず、隣接する半田バンプ同士の接触によるショ
ート不良を防止することができる。
As described above, the adhesive 87 and the reinforcing member 88
By forming the through holes 87a, 88a in the through hole, a passage communicating with the outside is formed between the adhesive 89 and the tape 82 by the through holes 87a, 88a and the gap between the reinforcing member 88 and the heat sink 90. You. Therefore, even if moisture in the adhesive 87 boils due to the heat applied during mounting of the BGA type semiconductor device and bubbles are generated in the adhesive 87, the generated bubbles pass through the through holes 87a and 88a and the gap. To escape to the outside. As a result, no deformation of the tape 82 occurs, and short-circuit failure due to contact between adjacent solder bumps can be prevented.

【0047】[0047]

【発明の効果】以上説明したように本発明のBGA型半
導体装置は、補強材とテープとを貼り付けるための接着
剤の内部に発生する圧力を外部に逃がす圧力放出構造が
設けられていることにより、実装用基板への実装時に接
着剤の内部で発生する圧力によるテープの変形を防止す
ることができる。その結果、半田バンプは押し潰され
ず、半田バンプの潰れによるショート不良を防止するこ
とができる。
As described above, the BGA type semiconductor device of the present invention is provided with the pressure release structure for releasing the pressure generated inside the adhesive for attaching the reinforcing material and the tape to the outside. Accordingly, it is possible to prevent the tape from being deformed due to the pressure generated inside the adhesive when the tape is mounted on the mounting substrate. As a result, the solder bumps are not crushed, and a short circuit due to the crushing of the solder bumps can be prevented.

【0048】圧力放出構造は、補強材に形成した溝、補
強材および接着剤のうち少なくとも補強材に形成した貫
通穴、接着剤のパターンで形成された通路、あるいは、
補強材および接着剤のうち少なくとも補強材に形成され
た切り抜き部で構成することができる。特に、これら溝
の幅、貫通穴の直径、通路の幅、切り抜き部の幅を、半
田バンプが形成されるランドの直径よりも小さくするこ
とで、このBGA型半導体装置の電気特性試験時の、試
験機のプローブピンと半田バンプとの接触を安定させる
ことができる。
The pressure release structure includes a groove formed in the reinforcing material, a through hole formed in at least the reinforcing material out of the reinforcing material and the adhesive, a passage formed in the pattern of the adhesive, or
It can be constituted by a cutout formed in at least the reinforcing material of the reinforcing material and the adhesive. In particular, by making the width of the groove, the diameter of the through hole, the width of the passage, and the width of the cut-out portion smaller than the diameter of the land on which the solder bump is formed, The contact between the probe pins of the tester and the solder bumps can be stabilized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のBGA型半導体装置の第1の実施形態
の概略断面図である。
FIG. 1 is a schematic sectional view of a first embodiment of a BGA type semiconductor device of the present invention.

【図2】図1に示したBGA型半導体装置に用いられる
補強材の平面図である。
FIG. 2 is a plan view of a reinforcing member used in the BGA type semiconductor device shown in FIG.

【図3】電気特性試験を行う際の、半田バンプとプロー
ブピンとの接触不良を説明するための図である。
FIG. 3 is a diagram for explaining a contact failure between a solder bump and a probe pin when performing an electrical characteristic test.

【図4】図1に示したBGA型半導体装置の補強材とテ
ープとの熱圧着前後の状態を示す断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a state before and after thermocompression bonding of a reinforcing material and a tape of the BGA type semiconductor device shown in FIG. 1;

【図5】本発明のBGA型半導体装置の第1の実施形態
に用いられる補強材の変形例の平面図である。
FIG. 5 is a plan view of a modified example of the reinforcing member used in the first embodiment of the BGA type semiconductor device of the present invention.

【図6】本発明のBGA型半導体装置の第2の実施形態
の概略断面図である。
FIG. 6 is a schematic sectional view of a second embodiment of the BGA type semiconductor device of the present invention.

【図7】図6に示したBGA型半導体装置に用いられる
補強材の平面図である。
FIG. 7 is a plan view of a reinforcing member used for the BGA type semiconductor device shown in FIG.

【図8】本発明のBGA型半導体装置の第3の実施形態
の概略断面図である。
FIG. 8 is a schematic sectional view of a third embodiment of the BGA type semiconductor device of the present invention.

【図9】図8に示したBGA型半導体装置に用いられ
る、接着剤が転写された補強材の平面図である。
FIG. 9 is a plan view of a reinforcing material to which an adhesive is transferred, which is used in the BGA type semiconductor device shown in FIG.

【図10】本発明のBGA型半導体装置の第2の実施形
態に用いられる、接着剤が転写された補強材の変形例の
平面図である。
FIG. 10 is a plan view of a modified example of a reinforcing material to which an adhesive has been transferred, used in a second embodiment of the BGA type semiconductor device of the present invention.

【図11】本発明のBGA型半導体装置の第4の実施形
態の概略断面図である。
FIG. 11 is a schematic sectional view of a fourth embodiment of the BGA type semiconductor device of the present invention.

【図12】図11に示したBGA型半導体装置に用いら
れる補強材および接着剤の、両者を貼り合わせた状態で
の平面図である。
12 is a plan view showing a state in which a reinforcing material and an adhesive used in the BGA type semiconductor device shown in FIG. 11 are bonded together.

【図13】本発明のBGA型半導体装置の第5の実施形
態の概略断面図である。
FIG. 13 is a schematic sectional view of a fifth embodiment of the BGA type semiconductor device of the present invention.

【図14】従来のテープBGAの構造を示す概略断面図
である。
FIG. 14 is a schematic sectional view showing the structure of a conventional tape BGA.

【図15】図14に示したテープBGAのテープの平面
図である。
15 is a plan view of the tape of the tape BGA shown in FIG.

【図16】図14に示したテープBGAのテープと半導
体チップとの接続を説明するための要部概略平面図であ
る。
16 is a schematic plan view of a main part for describing connection between the tape of the tape BGA shown in FIG. 14 and a semiconductor chip;

【図17】図14に示したテープBGAの半田バンプの
ショート不良を説明する断面図である。
17 is a cross-sectional view illustrating a short-circuit failure of a solder bump of the tape BGA shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,21,41 半導体チップ 2,22,42,62,82 テープ 3,23 インナーリード 5,25,45,65 ランド 6,26,46,66,86 半田バンプ 7,9,27,29,47,56,67,69、87,
89 接着剤 8,15,28,48,55,68,88 補強材 8a,15a 溝 10,30,70 放熱板 11 放熱ペースト 28a,87a、88a 貫通穴 28b デバイスホール 48a,55a,76 通路 67a,68a 切り抜き部
1,21,41 Semiconductor chip 2,22,42,62,82 Tape 3,23 Inner lead 5,25,45,65 Land 6,26,46,66,86 Solder bump 7,9,27,29,47 , 56, 67, 69, 87,
89 Adhesive 8, 15, 28, 48, 55, 68, 88 Reinforcement 8a, 15a Groove 10, 30, 70 Heatsink 11 Heatsink 28a, 87a, 88a Through hole 28b Device hole 48a, 55a, 76 Passage 67a, 68a cutout

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体チップと、 前記半導体チップと電気的に接続される複数の半田バン
プが形成された、可撓性を有するテープと、 接着剤により前記テープに貼り付けられて前記テープを
支持する板状の補強材とを有し、 前記補強材および前記接着剤の少なくとも一方に、前記
接着剤の内部に生じる圧力を外部へ逃がす圧力放出構造
が設けられているBGA型半導体装置。
1. A semiconductor chip, a flexible tape on which a plurality of solder bumps electrically connected to the semiconductor chip are formed, and a tape attached to the tape with an adhesive to support the tape. A BGA-type semiconductor device, comprising: a plate-shaped reinforcing member; and at least one of the reinforcing member and the adhesive, which is provided with a pressure release structure for releasing pressure generated inside the adhesive to the outside.
【請求項2】 前記圧力放出構造は、前記補強材の前記
接着剤による貼り付け面に、前記補強材の外周端に開口
して形成された溝である請求項1に記載のBGA型半導
体装置。
2. The BGA type semiconductor device according to claim 1, wherein the pressure release structure is a groove formed on a surface of the reinforcing member to which the adhesive is adhered, the opening being formed at an outer peripheral end of the reinforcing member. .
【請求項3】 前記半田バンプは前記テープに形成され
たランド上に形成され、前記溝の幅は前記ランドの直径
よりも小さい請求項2に記載のBGA型半導体装置。
3. The BGA type semiconductor device according to claim 2, wherein said solder bump is formed on a land formed on said tape, and said groove has a width smaller than a diameter of said land.
【請求項4】 前記溝の深さは、前記補強材と前記テー
プとの貼り付け時に両者の加圧により前記接着剤が前記
溝に押し出されても前記溝が完全には埋まらない深さで
ある請求項2または3に記載のBGA型半導体装置。
4. The depth of the groove is such that the groove is not completely buried even when the adhesive is extruded into the groove by pressurization of the reinforcing material and the tape when both are adhered. The BGA type semiconductor device according to claim 2 or 3.
【請求項5】 前記補強材の前記テープが貼り付けられ
た面と反対の面に、前記半導体チップの熱を放出するた
めの放熱板が接着剤により貼り付けられ、 前記補強材には、複数の貫通穴が前記補強材の外形に沿
って形成され、 前記補強材と前記放熱板とを貼り付ける接着剤は前記貫
通穴よりも内側の領域に設けられて、前記領域の外側で
は前記放熱板と前記補強材との間に隙間が形成され、 前記圧力放出構造は、前記貫通穴と前記隙間とで構成さ
れる請求項1に記載のBGA型半導体装置。
5. A radiating plate for releasing heat of the semiconductor chip is attached to a surface of the reinforcing member opposite to a surface to which the tape is attached, using an adhesive. A through hole is formed along the outer shape of the reinforcing member, and an adhesive for adhering the reinforcing member and the heat sink is provided in a region inside the through hole, and the heat sink outside the region. 2. The BGA type semiconductor device according to claim 1, wherein a gap is formed between the reinforcing member and the reinforcing member, and wherein the pressure release structure includes the through hole and the gap.
【請求項6】 前記補強材と前記テープとを貼り付ける
接着剤には、前記補強材に形成された貫通穴と同じ位置
に貫通穴が形成されている請求項5に記載のBGA型半
導体装置。
6. The BGA type semiconductor device according to claim 5, wherein a through-hole is formed at the same position as a through-hole formed in said reinforcing material, in an adhesive for bonding said reinforcing material and said tape. .
【請求項7】 前記半田バンプは前記テープに形成され
たランド上に形成され、前記貫通穴の直径は前記ランド
の直径よりも小さい請求項5または6に記載のBGA型
半導体装置。
7. The BGA type semiconductor device according to claim 5, wherein the solder bump is formed on a land formed on the tape, and a diameter of the through hole is smaller than a diameter of the land.
【請求項8】 前記接着剤は、前記補強材と前記テープ
との間に前記接着剤の外周端に通じる通路を形成するパ
ターンで設けられ、前記通路により前記圧力放出構造が
構成される請求項1に記載のBGA型半導体装置。
8. The adhesive according to claim 1, wherein the adhesive is provided between the reinforcing member and the tape in a pattern forming a passage communicating with an outer peripheral end of the adhesive, and the passage constitutes the pressure release structure. 2. The BGA type semiconductor device according to 1.
【請求項9】 前記半田バンプは前記テープに形成され
たランド上に形成され、前記通路の幅は前記ランドの直
径よりも小さい請求項8に記載のBGA型半導体装置。
9. The BGA type semiconductor device according to claim 8, wherein the solder bump is formed on a land formed on the tape, and a width of the passage is smaller than a diameter of the land.
【請求項10】 前記補強材の前記テープが貼り付けら
れた面と反対の面に、前記半導体チップの熱を放出する
ための放熱板が接着剤により貼り付けられるとともに、
前記補強材および前記補強材と前記テープとを貼り付け
る前記接着剤のうち少なくとも補強材には、前記補強材
の外周端から内側へ延びる切り抜き部が形成され、前記
切り抜き部により前記圧力放出構造が構成される請求項
1に記載のBGA型半導体装置。
10. A heat radiating plate for releasing heat of the semiconductor chip is attached to a surface of the reinforcing member opposite to a surface to which the tape is attached, with an adhesive,
At least the reinforcing material of the reinforcing material and the adhesive for attaching the reinforcing material and the tape is formed with a cutout portion extending inward from an outer peripheral end of the reinforcing material, and the pressure release structure is formed by the cutout portion. The BGA type semiconductor device according to claim 1, wherein:
【請求項11】 前記半田バンプは前記テープに形成さ
れたランド上に形成され、前記切り抜き部の幅は前記ラ
ンドの直径よりも小さい請求項10に記載のBGA型半
導体装置。
11. The BGA type semiconductor device according to claim 10, wherein said solder bump is formed on a land formed on said tape, and a width of said cutout is smaller than a diameter of said land.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2004312005A (en) * 2003-04-02 2004-11-04 Stmicroelectronics Inc System and method for releasing pressure from cap-sealed integrated circuit package
JP2005268762A (en) * 2004-02-16 2005-09-29 Toppan Printing Co Ltd Multilayer circuit wiring board and mounting substrate using wiring board
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