JPH10333186A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH10333186A JPH10333186A JP15306697A JP15306697A JPH10333186A JP H10333186 A JPH10333186 A JP H10333186A JP 15306697 A JP15306697 A JP 15306697A JP 15306697 A JP15306697 A JP 15306697A JP H10333186 A JPH10333186 A JP H10333186A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体層への外光入射を抑制でき、コントラ
ストの低下を最小限に抑えた液晶表示装置をを提供す
る。 【解決手段】 前透明基板１２の後面に、フッ化カルシ
ウム（ＣａＦ2）に希土類元素をドープした結晶などの
フォトクロミック物質でなるフォトクロミック膜１７を
形成することにより、この後方にあるＴＦＴ２８を構成
する半導体層２４へ強い外光が入射するのを抑制するこ
とができる。このため、半導体層２４のリーク電流の増
加を抑制することができ、液晶表示装置の画面のコント
ラストが低下するのを抑制することができる。
ストの低下を最小限に抑えた液晶表示装置をを提供す
る。 【解決手段】 前透明基板１２の後面に、フッ化カルシ
ウム（ＣａＦ2）に希土類元素をドープした結晶などの
フォトクロミック物質でなるフォトクロミック膜１７を
形成することにより、この後方にあるＴＦＴ２８を構成
する半導体層２４へ強い外光が入射するのを抑制するこ
とができる。このため、半導体層２４のリーク電流の増
加を抑制することができ、液晶表示装置の画面のコント
ラストが低下するのを抑制することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、液晶表示装置に
関し、さらに詳しくは、スイッチング素子を備えるアク
ティブ駆動される液晶表示装置に関する。
関し、さらに詳しくは、スイッチング素子を備えるアク
ティブ駆動される液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、図５に示すような反射型の液晶表
示装置が知られている。この液晶表示装置は、同図に示
すように、対をなす前透明基板１と後透明基板２との間
に液晶３を封止したものである。前透明基板１の後面に
は、透明なＩＴＯ（indium tin oxide）でなる共通電極
４が形成されている。また、この共通電極４の後面に
は、ブラックマトリクス５が形成されている。さらに、
共通電極４およびブラックマトリクス５の後面には、こ
れら覆うように表示領域に亙って前配向膜６が形成され
ている。後透明基板２の前面には、ＩＴＯでなる画素電
極７が所定の配列で形成されると共に、画素電極７毎に
スイッチング素子としてのＴＦＴ８が配置・形成されて
いる。このＴＦＴ８は、ゲート電極８Ａ、ゲート絶縁膜
８Ｂ、例えばアモルファスシリコンでなる半導体層８
Ｃ、ソース電極８Ｄ、ドレイン電極８Ｅなどから構成さ
れている。半導体層８Ｃとソース電極８Ｄ、ドレイン電
極８Ｅとの間には、ｎ+層８Ｆが形成されている。そし
て、これら画素電極７やＴＦＴ８は、後配向膜９で覆わ
れている。前透明基板１側と後透明基板２側とは、図示
しないシール材を介して貼り合わされ、前配向膜６と後
配向膜９とシール材とで構成される空隙に液晶３が封入
されて構成されている。なお、平面的に見ると、上記し
たブラックマトリクス５は、画素電極７どうしの間の領
域に対向するように配置・形成されたものであり、ＴＦ
Ｔ８もこのブラックマトリクス５と対向するようになっ
ている。また、後透明基板２の後面には反射膜１０が形
成されている。
示装置が知られている。この液晶表示装置は、同図に示
すように、対をなす前透明基板１と後透明基板２との間
に液晶３を封止したものである。前透明基板１の後面に
は、透明なＩＴＯ（indium tin oxide）でなる共通電極
４が形成されている。また、この共通電極４の後面に
は、ブラックマトリクス５が形成されている。さらに、
共通電極４およびブラックマトリクス５の後面には、こ
れら覆うように表示領域に亙って前配向膜６が形成され
ている。後透明基板２の前面には、ＩＴＯでなる画素電
極７が所定の配列で形成されると共に、画素電極７毎に
スイッチング素子としてのＴＦＴ８が配置・形成されて
いる。このＴＦＴ８は、ゲート電極８Ａ、ゲート絶縁膜
８Ｂ、例えばアモルファスシリコンでなる半導体層８
Ｃ、ソース電極８Ｄ、ドレイン電極８Ｅなどから構成さ
れている。半導体層８Ｃとソース電極８Ｄ、ドレイン電
極８Ｅとの間には、ｎ+層８Ｆが形成されている。そし
て、これら画素電極７やＴＦＴ８は、後配向膜９で覆わ
れている。前透明基板１側と後透明基板２側とは、図示
しないシール材を介して貼り合わされ、前配向膜６と後
配向膜９とシール材とで構成される空隙に液晶３が封入
されて構成されている。なお、平面的に見ると、上記し
たブラックマトリクス５は、画素電極７どうしの間の領
域に対向するように配置・形成されたものであり、ＴＦ
Ｔ８もこのブラックマトリクス５と対向するようになっ
ている。また、後透明基板２の後面には反射膜１０が形
成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の液晶表示装置においては、アモルファスシリコ
ンでなる半導体層８Ｃに外部より強い光が入射すると、
光電流が流れてリーク電流が増加し、これにより液晶表
示装置のコントラスト比が低下してしまうという問題が
ある。具体的には、液晶表示装置の正常な状態の画面は
図６に示すようなイメージであるが、強い光が入射して
いる状態では図７に示すようなイメージになり、コント
ラスト比が低下する。この外部からの光を遮断するため
に、ブラックマトリクス５を備えているものの、強い直
射日光が当たると、ブラックマトリクス５自体を透過す
る光や、ブラックマトリクス５の斜め方向から入射する
光（迷光）などが生じ、この問題を回避することは困難
であった。
た従来の液晶表示装置においては、アモルファスシリコ
ンでなる半導体層８Ｃに外部より強い光が入射すると、
光電流が流れてリーク電流が増加し、これにより液晶表
示装置のコントラスト比が低下してしまうという問題が
ある。具体的には、液晶表示装置の正常な状態の画面は
図６に示すようなイメージであるが、強い光が入射して
いる状態では図７に示すようなイメージになり、コント
ラスト比が低下する。この外部からの光を遮断するため
に、ブラックマトリクス５を備えているものの、強い直
射日光が当たると、ブラックマトリクス５自体を透過す
る光や、ブラックマトリクス５の斜め方向から入射する
光（迷光）などが生じ、この問題を回避することは困難
であった。
【０００４】この発明が解決しようとする課題は、外部
からの光が入射することにより起こる、液晶表示装置の
コントラスト比の低下を最小限に抑えるにはどのような
手段を講じればよいかという点にある。
からの光が入射することにより起こる、液晶表示装置の
コントラスト比の低下を最小限に抑えるにはどのような
手段を講じればよいかという点にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
一対の相対向する、前透明基板と後透明基板との間に液
晶が封止され、前記後透明基板側に半導体層を有するス
イッチング素子が形成されると共に、前記スイッチング
素子の前方に、前記半導体層への外光の入射を、前記外
光の波長または強度に応じて抑制する感光性遮光層を配
置したことを特徴としている。
一対の相対向する、前透明基板と後透明基板との間に液
晶が封止され、前記後透明基板側に半導体層を有するス
イッチング素子が形成されると共に、前記スイッチング
素子の前方に、前記半導体層への外光の入射を、前記外
光の波長または強度に応じて抑制する感光性遮光層を配
置したことを特徴としている。
【０００６】請求項１記載の発明においては、感光性遮
光層が外光の波長または強度に応じて外光の入射を抑制
する作用があるため、スイッチング素子の半導体層へ強
い外光が入射することを抑えることができる。このた
め、半導体層に光電流が流れるのを抑制してリーク電流
が増加するのを抑制することができ、液晶表示装置の画
面のコントラストが外光入射により低下するのを抑える
ことができる。
光層が外光の波長または強度に応じて外光の入射を抑制
する作用があるため、スイッチング素子の半導体層へ強
い外光が入射することを抑えることができる。このた
め、半導体層に光電流が流れるのを抑制してリーク電流
が増加するのを抑制することができ、液晶表示装置の画
面のコントラストが外光入射により低下するのを抑える
ことができる。
【０００７】請求項２記載の発明は、一対の相対向す
る、前透明基板と後透明基板との間に液晶が封止され、
前記後透明基板に形成された薄膜トランジスタの半導体
層より前方に、フォトクロミック材料層が配置されたこ
とを特徴としている。請求項２記載の発明においては、
フォトクロミック材料層が外光の入射に伴い暗色化また
は変色して外光の入射を抑制する作用がある。このた
め、薄膜トランジスタの半導体層へ強い外光が入射する
ことを抑え、リーク電流が増加するのを抑制することが
でき、液晶表示装置の画面のコントラストが外光入射に
より低下するのを抑えることができる。
る、前透明基板と後透明基板との間に液晶が封止され、
前記後透明基板に形成された薄膜トランジスタの半導体
層より前方に、フォトクロミック材料層が配置されたこ
とを特徴としている。請求項２記載の発明においては、
フォトクロミック材料層が外光の入射に伴い暗色化また
は変色して外光の入射を抑制する作用がある。このた
め、薄膜トランジスタの半導体層へ強い外光が入射する
ことを抑え、リーク電流が増加するのを抑制することが
でき、液晶表示装置の画面のコントラストが外光入射に
より低下するのを抑えることができる。
【０００８】請求項３記載の発明は、前記フォトクロミ
ック材料層が、前記透明基板であることを特徴としてい
る。
ック材料層が、前記透明基板であることを特徴としてい
る。
【０００９】請求項４記載の発明は、一対の相対向す
る、前透明基板と後透明基板との間に液晶が封止され、
前記後透明基板に形成された薄膜トランジスタの半導体
層より前方に、前記半導体層より移動度ギャップの狭い
半導体膜を配置したことを特徴としている。
る、前透明基板と後透明基板との間に液晶が封止され、
前記後透明基板に形成された薄膜トランジスタの半導体
層より前方に、前記半導体層より移動度ギャップの狭い
半導体膜を配置したことを特徴としている。
【００１０】請求項４記載の発明においては、半導体層
より移動度ギャップの狭い半導体膜を前方に配置したこ
とにより、外光の入射に伴い半導体膜の光透過率を低下
させることができ、外光が半導体層へ入射するのを抑制
することができる。このため、半導体層でのリーク電流
が増加するのを抑制することができ、液晶表示装置の画
面のコントラストが外光入射により低下するのを抑える
ことができる。
より移動度ギャップの狭い半導体膜を前方に配置したこ
とにより、外光の入射に伴い半導体膜の光透過率を低下
させることができ、外光が半導体層へ入射するのを抑制
することができる。このため、半導体層でのリーク電流
が増加するのを抑制することができ、液晶表示装置の画
面のコントラストが外光入射により低下するのを抑える
ことができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、この発明に係る液晶表示装
置の詳細を図面に示す各実施形態に基づいて説明する。 （実施形態１）図１は、本発明に係る液晶表示装置の実
施形態１を示す要部断面図である。本実施形態は、反射
型と透過型の両方の機能を選択的に用いることができる
液晶表示装置に本発明を適用したものである。同図中、
１１は本実施形態の液晶表示装置を示している。この液
晶表示装置１１は、対をなす前透明基板１２と後透明基
板１３との間に液晶１４を封止して大略構成される液晶
表示部１５と、その後方に配置されたバックライトシス
テム１６と、からなる。
置の詳細を図面に示す各実施形態に基づいて説明する。 （実施形態１）図１は、本発明に係る液晶表示装置の実
施形態１を示す要部断面図である。本実施形態は、反射
型と透過型の両方の機能を選択的に用いることができる
液晶表示装置に本発明を適用したものである。同図中、
１１は本実施形態の液晶表示装置を示している。この液
晶表示装置１１は、対をなす前透明基板１２と後透明基
板１３との間に液晶１４を封止して大略構成される液晶
表示部１５と、その後方に配置されたバックライトシス
テム１６と、からなる。
【００１２】まず、液晶表示部１５の構成について説明
する。前透明基板１２の後面には、表示領域全体に亙っ
て、感光性遮光層としての、例えばフッ化カルシウム
（ＣａＦ2）に希土類元素をドープした結晶などのフォ
トクロミック物質でなるフォトクロミック膜１７が形成
されている。このフォトクロミック膜１７は、光の波長
または強度に応じて光の透過率が変化する作用がある。
フォトクロミック膜１７の後面には、同じく表示領域全
体に亙って、ＩＴＯでなる共通電極１８が形成されてい
る。この共通電極１８の後面には、後記する画素電極２
３に対向する領域に所定の色配列に従ってカラーフィル
タ層１９が配置・形成されている。また、カラーフィル
タ層１９どうしの間には、例えばＣｒＯ2／Ｃｒの２層
構造でなるブラックマトリクス２０が形成されている。
そして、カラーフィルタ層１９およびブラックマトリク
ス２０を覆うように、前配向膜２１が形成されている。
する。前透明基板１２の後面には、表示領域全体に亙っ
て、感光性遮光層としての、例えばフッ化カルシウム
（ＣａＦ2）に希土類元素をドープした結晶などのフォ
トクロミック物質でなるフォトクロミック膜１７が形成
されている。このフォトクロミック膜１７は、光の波長
または強度に応じて光の透過率が変化する作用がある。
フォトクロミック膜１７の後面には、同じく表示領域全
体に亙って、ＩＴＯでなる共通電極１８が形成されてい
る。この共通電極１８の後面には、後記する画素電極２
３に対向する領域に所定の色配列に従ってカラーフィル
タ層１９が配置・形成されている。また、カラーフィル
タ層１９どうしの間には、例えばＣｒＯ2／Ｃｒの２層
構造でなるブラックマトリクス２０が形成されている。
そして、カラーフィルタ層１９およびブラックマトリク
ス２０を覆うように、前配向膜２１が形成されている。
【００１３】後透明基板１３の前面には、ゲート電極２
１および図示しないゲートラインなどが例えばＡｌ膜で
形成されている。また、後透明基板１３とゲート電極２
１などを覆うように、例えばＳｉＮでなるゲート絶縁膜
２２が形成されている。ゲート絶縁膜２２の前面には、
マトリクス状に画素電極２３が配置・形成されている。
また、ゲート絶縁膜２２の上には、ゲート電極２１の上
方に位置するように、アモルファスシリコンでなる半導
体層２４が画素領域毎に、島状にパターン形成されてい
る。この半導体層２４上には、半導体層２４の中央を横
断するように、ＳｉＮでなるチャネルストッパとしての
ブロッキング層２５が形成されている。また、半導体層
２４およびブロッキング層２５の上には、ブロッキング
層２５上でソース側とドレイン側とに分離されるｎ+−
Ｓｉ層２６が形成されている。さらに、ソース側のｎ+
−Ｓｉ層２６の上には、画素電極２３に接続するように
ソース電極２７Ｓが形成されている。また、ドレイン側
のｎ+−Ｓｉ層２６の上には、図示しないドレインライ
ンと一体的に接続されるドレイン電極２７Ｄが形成され
ている。これらゲート電極２１、ゲート絶縁膜２２、半
導体層２４、ｎ+−Ｓｉ層２６、ソース電極２７Ｓ、お
よびドレイン電極２７Ｄにより、ＴＦＴ２８が構成され
ている。そして、ＴＦＴ２８を含む、画素電極２３どう
しの間の領域を覆うように、オーバーコート膜２９が形
成されている。なお、画素電極２３の周縁は、オーバー
コート膜２９で覆われている。さらに、このように形成
された後透明基板１３側の前面には、後配向膜３０が表
示領域の全域に亙って形成されている。一方、後透明基
板１３の後面には、ハーフミラー３１が設けられてい
る。
１および図示しないゲートラインなどが例えばＡｌ膜で
形成されている。また、後透明基板１３とゲート電極２
１などを覆うように、例えばＳｉＮでなるゲート絶縁膜
２２が形成されている。ゲート絶縁膜２２の前面には、
マトリクス状に画素電極２３が配置・形成されている。
また、ゲート絶縁膜２２の上には、ゲート電極２１の上
方に位置するように、アモルファスシリコンでなる半導
体層２４が画素領域毎に、島状にパターン形成されてい
る。この半導体層２４上には、半導体層２４の中央を横
断するように、ＳｉＮでなるチャネルストッパとしての
ブロッキング層２５が形成されている。また、半導体層
２４およびブロッキング層２５の上には、ブロッキング
層２５上でソース側とドレイン側とに分離されるｎ+−
Ｓｉ層２６が形成されている。さらに、ソース側のｎ+
−Ｓｉ層２６の上には、画素電極２３に接続するように
ソース電極２７Ｓが形成されている。また、ドレイン側
のｎ+−Ｓｉ層２６の上には、図示しないドレインライ
ンと一体的に接続されるドレイン電極２７Ｄが形成され
ている。これらゲート電極２１、ゲート絶縁膜２２、半
導体層２４、ｎ+−Ｓｉ層２６、ソース電極２７Ｓ、お
よびドレイン電極２７Ｄにより、ＴＦＴ２８が構成され
ている。そして、ＴＦＴ２８を含む、画素電極２３どう
しの間の領域を覆うように、オーバーコート膜２９が形
成されている。なお、画素電極２３の周縁は、オーバー
コート膜２９で覆われている。さらに、このように形成
された後透明基板１３側の前面には、後配向膜３０が表
示領域の全域に亙って形成されている。一方、後透明基
板１３の後面には、ハーフミラー３１が設けられてい
る。
【００１４】このような構成の前透明基板１２側と後透
明基板１３側とは、画素電極２３とカラーフィルタ層１
９との位置が対応し、かつＴＦＴ２８がブラックマトリ
クス２０に対向するように配置され、図示しないシール
材を介して貼り合わされている。そして、このシール材
と前後配向膜２１、３０とで形成される空隙に、液晶１
４が封止されている。
明基板１３側とは、画素電極２３とカラーフィルタ層１
９との位置が対応し、かつＴＦＴ２８がブラックマトリ
クス２０に対向するように配置され、図示しないシール
材を介して貼り合わされている。そして、このシール材
と前後配向膜２１、３０とで形成される空隙に、液晶１
４が封止されている。
【００１５】このような構成の液晶表示部１５の後方に
は、例えば図示しない光源と導光板と反射板などでなる
バックライトシステム１６が配置されて、液晶表示装置
１１が構成されている。なお、図示しないが、本実施形
態の液晶表示装置では、液晶表示モードに従って適宜偏
光板を備える構成としてもよい。
は、例えば図示しない光源と導光板と反射板などでなる
バックライトシステム１６が配置されて、液晶表示装置
１１が構成されている。なお、図示しないが、本実施形
態の液晶表示装置では、液晶表示モードに従って適宜偏
光板を備える構成としてもよい。
【００１６】本実施形態においては、前透明基板１２の
後面の表示領域の全域に亙ってフォトクロミック膜１７
が形成されているため、液晶表示装置１１の前方から強
い光が入射しても、フォトクロミック膜１７が光の照射
を受けることにより変色または暗色化して光の透過率を
小さくすることができる。このため、強い光がブラック
マトリクス２０を透過したり、カラーフィルタ層１９に
対して斜めに強い光が入射すること（迷光）を抑制で
き、半導体層２４へ強い外光が入射するのを抑制するこ
とができる。このように、半導体層２４への光入射を抑
制したことにより、光電流が流れリーク電流が増加する
ことを抑制することができ、表示におけるコントラスト
が低下することを抑制することができる。この液晶表示
装置１１を反射型液晶表示装置として使用する場合、上
記したような強い外光（例えば太陽光）による影響を防
ぐことができる。なお、本実施形態では、フォトクロミ
ック膜１７の作用によりコントラストが若干全体的に低
下するが、コントラストの低下を最小限に抑えることが
できる。このように、本実施形態では、入射してきた強
い光を遮断することができるため、強い光により決定的
にコントラストが低下するのを防止できる。なお、この
液晶表示装置１１を透過型液晶表示装置として使用する
場合は、バックライトシステム１６から照射される光を
用いて液晶表示を行えばよい。
後面の表示領域の全域に亙ってフォトクロミック膜１７
が形成されているため、液晶表示装置１１の前方から強
い光が入射しても、フォトクロミック膜１７が光の照射
を受けることにより変色または暗色化して光の透過率を
小さくすることができる。このため、強い光がブラック
マトリクス２０を透過したり、カラーフィルタ層１９に
対して斜めに強い光が入射すること（迷光）を抑制で
き、半導体層２４へ強い外光が入射するのを抑制するこ
とができる。このように、半導体層２４への光入射を抑
制したことにより、光電流が流れリーク電流が増加する
ことを抑制することができ、表示におけるコントラスト
が低下することを抑制することができる。この液晶表示
装置１１を反射型液晶表示装置として使用する場合、上
記したような強い外光（例えば太陽光）による影響を防
ぐことができる。なお、本実施形態では、フォトクロミ
ック膜１７の作用によりコントラストが若干全体的に低
下するが、コントラストの低下を最小限に抑えることが
できる。このように、本実施形態では、入射してきた強
い光を遮断することができるため、強い光により決定的
にコントラストが低下するのを防止できる。なお、この
液晶表示装置１１を透過型液晶表示装置として使用する
場合は、バックライトシステム１６から照射される光を
用いて液晶表示を行えばよい。
【００１７】なお、本実施形態では、前透明基板１２の
後面にフォトクロミック膜１７を配置したが、フォトク
ロミック膜１７に代えて、半導体層２４を形成するアモ
ルファスシリコンより移動度ギャップの狭い半導体膜、
例えばアモルファスゲルマニウム（ａ−Ｇｅ）膜を配置
してもよい。このような半導体膜は、光の入射により光
の透過性が低くなる性質があるため、本実施形態と同様
に半導体層２４へ強い外光が入射するのを抑制する作用
があり、同様の効果を得ることができる。
後面にフォトクロミック膜１７を配置したが、フォトク
ロミック膜１７に代えて、半導体層２４を形成するアモ
ルファスシリコンより移動度ギャップの狭い半導体膜、
例えばアモルファスゲルマニウム（ａ−Ｇｅ）膜を配置
してもよい。このような半導体膜は、光の入射により光
の透過性が低くなる性質があるため、本実施形態と同様
に半導体層２４へ強い外光が入射するのを抑制する作用
があり、同様の効果を得ることができる。
【００１８】（実施形態２）図２は、本発明に係る液晶
表示装置の実施形態２を示す要部断面図である。本実施
形態では、フォトクロミック膜を用いずに、前透明基板
に代えてフォトクロミック材料でなるフォトクロミック
基板１２Ａが用いられている。本実施形態における他の
構成は、上記した実施形態１と同様である。本実施形態
における作用および効果は、上記した実施形態１と同様
である。
表示装置の実施形態２を示す要部断面図である。本実施
形態では、フォトクロミック膜を用いずに、前透明基板
に代えてフォトクロミック材料でなるフォトクロミック
基板１２Ａが用いられている。本実施形態における他の
構成は、上記した実施形態１と同様である。本実施形態
における作用および効果は、上記した実施形態１と同様
である。
【００１９】（実施形態３）図３（Ａ）は、本発明に係
る液晶表示装置の実施形態３を示す要部断面図である。
本実施形態の液晶表示装置においては、前透明基板１２
側にはフォトクロミック膜が無く、同図に示すように、
後透明基板１３側の、ブラックマトリクス２０に対向す
る領域にフォトクロミック膜１７がオーバーコート膜２
９を覆うように形成されている。本実施形態における他
の構成は、上記した実施形態１と同様である。本実施形
態では、前透明基板１２側にフォトクロミック膜が無い
ため、ＴＦＴ２８を覆うフォトクロミック膜１７が暗色
化しても、ＩＴＯでなる共通電極１８を透過する光には
影響がなく、フォトクロミック膜１７に起因するコント
ラストの低下を抑制できる。また、フォトクロミック１
７が半導体層２４に近い位置にあるため、斜めから入射
する光も入射しにくくなり、半導体層２４に光電流が流
れてリーク電流が増加するのを抑制することができる。
なお、本実施形態では、フォトクロミック膜１７がＴＦ
Ｔ２８を覆うように形成されているが、フォトクロミッ
ク膜１７に代えて、半導体層２４を形成するアモルファ
スシリコンより移動度ギャップの狭い半導体膜、例えば
アモルファスゲルマニウム（ａ−Ｇｅ）膜を形成しても
よい。このような半導体膜は、光の入射により光の透過
性が低くなるため、本実施形態と同様に半導体層２４へ
強い外光が入射するのを抑制する作用があり、同様の効
果を得ることができる。また、ドレインライン、ゲート
ライン上にフォトクロミック膜１７を形成してもよい。
さらに、図３Ｂに示すように、前透明基板１２側のＴＦ
Ｔ２８、ドレインライン、ゲートラインの対向部のみに
フォトクロミック膜１７を形成してもよい。ドレインラ
イン、ゲートラインは低抵抗のため、Ａｌ等の光反射性
金属を適用しているが、強い光量の外光が入射した場
合、フォトクロミック膜１７が暗化するので、ドレイン
ライン、ゲートラインの反射によるちらつきを防止する
ことができる。
る液晶表示装置の実施形態３を示す要部断面図である。
本実施形態の液晶表示装置においては、前透明基板１２
側にはフォトクロミック膜が無く、同図に示すように、
後透明基板１３側の、ブラックマトリクス２０に対向す
る領域にフォトクロミック膜１７がオーバーコート膜２
９を覆うように形成されている。本実施形態における他
の構成は、上記した実施形態１と同様である。本実施形
態では、前透明基板１２側にフォトクロミック膜が無い
ため、ＴＦＴ２８を覆うフォトクロミック膜１７が暗色
化しても、ＩＴＯでなる共通電極１８を透過する光には
影響がなく、フォトクロミック膜１７に起因するコント
ラストの低下を抑制できる。また、フォトクロミック１
７が半導体層２４に近い位置にあるため、斜めから入射
する光も入射しにくくなり、半導体層２４に光電流が流
れてリーク電流が増加するのを抑制することができる。
なお、本実施形態では、フォトクロミック膜１７がＴＦ
Ｔ２８を覆うように形成されているが、フォトクロミッ
ク膜１７に代えて、半導体層２４を形成するアモルファ
スシリコンより移動度ギャップの狭い半導体膜、例えば
アモルファスゲルマニウム（ａ−Ｇｅ）膜を形成しても
よい。このような半導体膜は、光の入射により光の透過
性が低くなるため、本実施形態と同様に半導体層２４へ
強い外光が入射するのを抑制する作用があり、同様の効
果を得ることができる。また、ドレインライン、ゲート
ライン上にフォトクロミック膜１７を形成してもよい。
さらに、図３Ｂに示すように、前透明基板１２側のＴＦ
Ｔ２８、ドレインライン、ゲートラインの対向部のみに
フォトクロミック膜１７を形成してもよい。ドレインラ
イン、ゲートラインは低抵抗のため、Ａｌ等の光反射性
金属を適用しているが、強い光量の外光が入射した場
合、フォトクロミック膜１７が暗化するので、ドレイン
ライン、ゲートラインの反射によるちらつきを防止する
ことができる。
【００２０】（実施形態４）図４は、本発明に係る液晶
表示装置の実施形態４を示す要部断面図である。上記し
た実施形態１および実施形態２においては、ブラックマ
トリクス２０がＣｒＯ2／Ｃｒの２層構造であったが、
本実施形態においてはブラックマトリクス２０ＡがＣｒ
膜のみで形成されている。通常、Ｃｒ膜は光反射性が高
いが、フォトクロミック膜１７がブラックマトリクス２
０Ａの前方に配置されているため、強い光が入射しても
フォトクロミック膜１７の作用により光透過率が抑制さ
れるため、光の反射を抑えることができ、ブラックマト
リクス２０Ａでの光の反射も抑制できる。本実施形態に
おける他の構成、作用、および効果は上記した実施形態
１と同様である。
表示装置の実施形態４を示す要部断面図である。上記し
た実施形態１および実施形態２においては、ブラックマ
トリクス２０がＣｒＯ2／Ｃｒの２層構造であったが、
本実施形態においてはブラックマトリクス２０ＡがＣｒ
膜のみで形成されている。通常、Ｃｒ膜は光反射性が高
いが、フォトクロミック膜１７がブラックマトリクス２
０Ａの前方に配置されているため、強い光が入射しても
フォトクロミック膜１７の作用により光透過率が抑制さ
れるため、光の反射を抑えることができ、ブラックマト
リクス２０Ａでの光の反射も抑制できる。本実施形態に
おける他の構成、作用、および効果は上記した実施形態
１と同様である。
【００２１】以上、実施形態１〜実施形態４について説
明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、
構成の要旨に付随する各種の変更が可能である。例え
ば、上記した各実施形態においては、後透明基板１３に
ハーフミラー３１を備え、液晶表示部１５の後方にバッ
クライトシステム１６を備える構成としたが、反射型の
液晶表示装置として、後透明基板１３に反射板を備え、
バックライトシステム１６を備えない構成としてもよい
し、透過型の液晶表示装置として、ハーフミラー３１を
備えずバックライトシステム１６を備えた構成としても
よい。
明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、
構成の要旨に付随する各種の変更が可能である。例え
ば、上記した各実施形態においては、後透明基板１３に
ハーフミラー３１を備え、液晶表示部１５の後方にバッ
クライトシステム１６を備える構成としたが、反射型の
液晶表示装置として、後透明基板１３に反射板を備え、
バックライトシステム１６を備えない構成としてもよい
し、透過型の液晶表示装置として、ハーフミラー３１を
備えずバックライトシステム１６を備えた構成としても
よい。
【００２２】なお、上記した実施形態では、フォトクロ
ミック材料としてフッ化カルシウム（ＣａＦ2）に希土
類元素をドープした結晶を用いたが、各種のフォトクロ
ミック材料やフォトクロミックガラスを適宜用いること
が可能である。また、半導体層２４より移動度ギャップ
の狭い半導体膜としてａ−Ｇｅを挙げたが、半導体層の
材料に応じて、より移動度ギャップの狭い半導体材料を
適宜用いることができる。
ミック材料としてフッ化カルシウム（ＣａＦ2）に希土
類元素をドープした結晶を用いたが、各種のフォトクロ
ミック材料やフォトクロミックガラスを適宜用いること
が可能である。また、半導体層２４より移動度ギャップ
の狭い半導体膜としてａ−Ｇｅを挙げたが、半導体層の
材料に応じて、より移動度ギャップの狭い半導体材料を
適宜用いることができる。
【００２３】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、この発
明によれば、外光が半導体層へ入射することを抑制し
て、コントラストの低下を最小限に抑えた液晶表示装置
を実現できるという効果を奏する。
明によれば、外光が半導体層へ入射することを抑制し
て、コントラストの低下を最小限に抑えた液晶表示装置
を実現できるという効果を奏する。
【図１】本発明に係る液晶表示装置の実施形態１の要部
断面図。
断面図。
【図２】本発明に係る液晶表示装置の実施形態２の要部
断面図。
断面図。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明に係る液晶表示装置
の実施形態３の要部断面図。
の実施形態３の要部断面図。
【図４】本発明に係る液晶表示装置の実施形態４の要部
断面図。
断面図。
【図５】従来の液晶表示装置の要部断面図。
【図６】液晶表示装置の正常な状態での画面のイメージ
を示す説明図。
を示す説明図。
【図７】液晶表示装置に強い光が入射している状態での
画面のイメージを示す説明図。
画面のイメージを示す説明図。
１１ 液晶表示装置 １２ 前透明基板 １２Ａ フォトクロミック基板 １３ 後透明基板 １４ 液晶 １５ 液晶表示部 １７ フォトクロミック膜 ２０ ブラックマトリクス ２０Ａ ブラックマトリクス ２４ 半導体層 ２８ ＴＦＴ
Claims (4)
- 【請求項１】 一対の相対向する、前透明基板と後透明
基板との間に液晶が封止され、前記後透明基板側に半導
体層を有するスイッチング素子が形成されると共に、前
記スイッチング素子の前方に、前記半導体層への外光の
入射を、前記外光の波長または強度に応じて抑制する感
光性遮光層を配置したことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 一対の相対向する、前透明基板と後透明
基板との間に液晶が封止され、前記後透明基板に形成さ
れた薄膜トランジスタの半導体層より前方に、フォトク
ロミック材料層が配置されたことを特徴とする液晶表示
装置。 - 【請求項３】 前記フォトクロミック材料層は、前記透
明基板であることを特徴とする請求項２記載の液晶表示
装置。 - 【請求項４】 一対の相対向する、前透明基板と後透明
基板との間に液晶が封止され、前記後透明基板に形成さ
れた薄膜トランジスタの半導体層より前方に、前記半導
体層より移動度ギャップの狭い半導体膜を配置したこと
を特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15306697A JPH10333186A (ja) | 1997-05-28 | 1997-05-28 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15306697A JPH10333186A (ja) | 1997-05-28 | 1997-05-28 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10333186A true JPH10333186A (ja) | 1998-12-18 |
Family
ID=15554248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15306697A Pending JPH10333186A (ja) | 1997-05-28 | 1997-05-28 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10333186A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009013921A1 (ja) * | 2007-07-24 | 2009-01-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | 液晶表示装置及びその製造方法 |
-
1997
- 1997-05-28 JP JP15306697A patent/JPH10333186A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009013921A1 (ja) * | 2007-07-24 | 2009-01-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| US8072559B2 (en) | 2007-07-24 | 2011-12-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
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