JPH10332481A - 高誘電体装置 - Google Patents
高誘電体装置Info
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- JPH10332481A JPH10332481A JP14741297A JP14741297A JPH10332481A JP H10332481 A JPH10332481 A JP H10332481A JP 14741297 A JP14741297 A JP 14741297A JP 14741297 A JP14741297 A JP 14741297A JP H10332481 A JPH10332481 A JP H10332481A
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- high dielectric
- capacitor
- film
- dielectric
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】小型、軽量、低消費電力および高信頼性で、温
度または赤外線を検知できる高誘電体装置を提供するこ
と。 【解決手段】交流電源３と高誘電体２からなる平行板コ
ンデンサ１と電流計４で高誘電体装置が構成され、変位
電流ｉd の振幅を電流計で測定することで温度を計測す
る。
度または赤外線を検知できる高誘電体装置を提供するこ
と。 【解決手段】交流電源３と高誘電体２からなる平行板コ
ンデンサ１と電流計４で高誘電体装置が構成され、変位
電流ｉd の振幅を電流計で測定することで温度を計測す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、温度または赤外
線の変化に応じて、比誘電率が変化し、且つ、比誘電率
−電圧特性曲線においてヒステリシス損失が極めて小さ
く、比誘電率が高い高誘電体を利用した電子装置であっ
て、具体的には高誘電体材料を用いた温度または赤外線
を検知できる高誘電体装置に関する。
線の変化に応じて、比誘電率が変化し、且つ、比誘電率
−電圧特性曲線においてヒステリシス損失が極めて小さ
く、比誘電率が高い高誘電体を利用した電子装置であっ
て、具体的には高誘電体材料を用いた温度または赤外線
を検知できる高誘電体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１２は従来の温度センサとその測定範
囲を示す図である。温度の測定方法は大別すると接触式
と非接触式とに分類される。接触式温度センサは図１２
に示すように極低温から１８００℃付近まで各種のセン
サが用意されている（センサの辞典−朝倉書店−参
照）。一方、非接触式温度センサは数百℃以上の測定に
使用され、光温度計、放射温度計、２色温度計などがあ
る。また、測定原理で分類すると、機械式（バイメタル
など）、電気抵抗式、熱電対式（ゼーベック効果利
用）、焦電効果式などがあるが、いずれも温度センサに
ついては小型、軽量、低消費電力および高信頼性の要求
は強い。また、遠隔操作などの要求を考えれば接触式、
非接触式の両用可能なものが望ましい。
囲を示す図である。温度の測定方法は大別すると接触式
と非接触式とに分類される。接触式温度センサは図１２
に示すように極低温から１８００℃付近まで各種のセン
サが用意されている（センサの辞典−朝倉書店−参
照）。一方、非接触式温度センサは数百℃以上の測定に
使用され、光温度計、放射温度計、２色温度計などがあ
る。また、測定原理で分類すると、機械式（バイメタル
など）、電気抵抗式、熱電対式（ゼーベック効果利
用）、焦電効果式などがあるが、いずれも温度センサに
ついては小型、軽量、低消費電力および高信頼性の要求
は強い。また、遠隔操作などの要求を考えれば接触式、
非接触式の両用可能なものが望ましい。
【０００３】また、測定温度範囲を、室温を中心にせい
ぜい±２００℃の範囲で、且つ、センサのシステム化も
意図するならば、上記要求を満たす温度センサとしては
熱電効果を利用したものが望ましい。物質によって吸収
された赤外線（または熱）によってその物質の温度が上
昇し、その結果引き起こされる様々な熱電効果を利用し
て赤外線（または熱）をセンシングすることができる。
利用される熱電効果としては、電気抵抗の変化、起電力
の発生、焦電効果などがある。電気抵抗の変化を利用し
た赤外線（または熱）センサはボロメ−タといわれてお
り、サ−ミスタやＰｔ，Ａｕ，Ｎｉなどの金属薄膜の電
気抵抗の温度依存性を利用する。赤外線（または熱）の
吸収による熱電対の温接点（熱電対の接点部で温度によ
り熱起電力を発生させる箇所）の温度上昇に基づく熱起
電力を利用することもできる。熱起電力は小さいので多
数の熱電対を直列接続した構造が熱電堆（熱電対を堆
積、つまり数段に重ねたもの）として用いられることが
多い。
ぜい±２００℃の範囲で、且つ、センサのシステム化も
意図するならば、上記要求を満たす温度センサとしては
熱電効果を利用したものが望ましい。物質によって吸収
された赤外線（または熱）によってその物質の温度が上
昇し、その結果引き起こされる様々な熱電効果を利用し
て赤外線（または熱）をセンシングすることができる。
利用される熱電効果としては、電気抵抗の変化、起電力
の発生、焦電効果などがある。電気抵抗の変化を利用し
た赤外線（または熱）センサはボロメ−タといわれてお
り、サ−ミスタやＰｔ，Ａｕ，Ｎｉなどの金属薄膜の電
気抵抗の温度依存性を利用する。赤外線（または熱）の
吸収による熱電対の温接点（熱電対の接点部で温度によ
り熱起電力を発生させる箇所）の温度上昇に基づく熱起
電力を利用することもできる。熱起電力は小さいので多
数の熱電対を直列接続した構造が熱電堆（熱電対を堆
積、つまり数段に重ねたもの）として用いられることが
多い。
【０００４】一方、焦電効果は強誘電体に見られ、電圧
を印加しない状態でも、自発分極の温度変化依存性によ
り、温度変化があると表面電荷が生じる現象に基づいて
いる。温度変化ΔＴにより、静電容量Ｃの両端に発生し
た表面電荷ΔＱによる電圧ΔＶ＝ΔＱ／Ｃを測定する。
ΔＱは自発分極Ｐs の変化量ΔＰS に等しい。焦電効果
は無電圧の状態でも、温度変化があれば現れるため、赤
外線量（入射量のこと）の交流成分を測定できる。
を印加しない状態でも、自発分極の温度変化依存性によ
り、温度変化があると表面電荷が生じる現象に基づいて
いる。温度変化ΔＴにより、静電容量Ｃの両端に発生し
た表面電荷ΔＱによる電圧ΔＶ＝ΔＱ／Ｃを測定する。
ΔＱは自発分極Ｐs の変化量ΔＰS に等しい。焦電効果
は無電圧の状態でも、温度変化があれば現れるため、赤
外線量（入射量のこと）の交流成分を測定できる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記のよう
な、機械式は接点の摩耗や精度の点で、また電気抵抗式
は消費電力が大きい点で問題がある。熱電対式は簡便な
方法であるが、これは温接点部の断線や劣化などで信頼
性に問題がある。また、ボロメ−タや熱電堆は低消費電
力や高信頼性の観点から課題があり、センサのシステム
化にも適していない。
な、機械式は接点の摩耗や精度の点で、また電気抵抗式
は消費電力が大きい点で問題がある。熱電対式は簡便な
方法であるが、これは温接点部の断線や劣化などで信頼
性に問題がある。また、ボロメ−タや熱電堆は低消費電
力や高信頼性の観点から課題があり、センサのシステム
化にも適していない。
【０００６】さらに、強誘電体の焦電効果を利用した温
度計は温度変化をつくるために、入射赤外線を機械的な
チョッパを用いて断続させる必要があり、この機械的な
チョッパの信頼性にも課題が残り、また熱平衡状態の温
度を測定するためには基準温度が必要となるなど複雑な
機構が必要となるという問題がある。また表面電荷の変
化量ΔＱは外界の影響を直接受けやすく、信頼性の点で
課題がある。
度計は温度変化をつくるために、入射赤外線を機械的な
チョッパを用いて断続させる必要があり、この機械的な
チョッパの信頼性にも課題が残り、また熱平衡状態の温
度を測定するためには基準温度が必要となるなど複雑な
機構が必要となるという問題がある。また表面電荷の変
化量ΔＱは外界の影響を直接受けやすく、信頼性の点で
課題がある。
【０００７】この発明の目的は、前記の課題を解決し
て、小型、軽量、低消費電力および高信頼性で、温度ま
たは赤外線を検知できる高誘電体装置を提供することに
ある。
て、小型、軽量、低消費電力および高信頼性で、温度ま
たは赤外線を検知できる高誘電体装置を提供することに
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに、赤外線の照射を受けて、比誘電率が変化する高誘
電体材料を電極間に狭持して形成されたコンデンサを有
し、コンデンサに照射される赤外線量の変化によりコン
デンサの容量を変化させ、温度または赤外線のいずれか
を検知する構成とする。
めに、赤外線の照射を受けて、比誘電率が変化する高誘
電体材料を電極間に狭持して形成されたコンデンサを有
し、コンデンサに照射される赤外線量の変化によりコン
デンサの容量を変化させ、温度または赤外線のいずれか
を検知する構成とする。
【０００９】電源と前記コンデンサとを有し、前記コン
デンサの両電極に電圧を印加し、赤外線量の変化により
前記コンデンサに誘起される電荷量を変化させること
で、温度または赤外線のいずれかを検知する構成とす
る。電源とコイルと前記コンデンサとを有し、前記コイ
ルと前記コンデンサとを直列に接続し、赤外線量の変化
により前記コンデンサの容量を変化させて、前記コンデ
ンサと前記コイルで構成される電気回路の共振周波数を
変化させ、温度または赤外線のいずれかを検知する構成
としてもよい。
デンサの両電極に電圧を印加し、赤外線量の変化により
前記コンデンサに誘起される電荷量を変化させること
で、温度または赤外線のいずれかを検知する構成とす
る。電源とコイルと前記コンデンサとを有し、前記コイ
ルと前記コンデンサとを直列に接続し、赤外線量の変化
により前記コンデンサの容量を変化させて、前記コンデ
ンサと前記コイルで構成される電気回路の共振周波数を
変化させ、温度または赤外線のいずれかを検知する構成
としてもよい。
【００１０】赤外線の照射により、比誘電率が変化する
高誘電体材料で、ゲート絶縁膜を形成したＭＩＳ構造の
スイッチングデバイスを有し、、温度の変化によりゲー
ト絶縁膜内に誘起される電荷量を変化させることで、ス
イッチングデバイスのしきい値を変化させて、温度また
は赤外線のいずれかを検知する構成とするとよい。前記
の高誘電体材料がＰｂ、Ｌａ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｂａ
およびＳｎのうち少なくとも一つの元素を含む酸化物で
あるとよい。
高誘電体材料で、ゲート絶縁膜を形成したＭＩＳ構造の
スイッチングデバイスを有し、、温度の変化によりゲー
ト絶縁膜内に誘起される電荷量を変化させることで、ス
イッチングデバイスのしきい値を変化させて、温度また
は赤外線のいずれかを検知する構成とするとよい。前記
の高誘電体材料がＰｂ、Ｌａ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｂａ
およびＳｎのうち少なくとも一つの元素を含む酸化物で
あるとよい。
【００１１】前記の高誘電体装置の中核を構成するコン
デンサについて次に説明する。コンデンサの容量を温度
で変化させるために、コンデンサを形成する誘電体に温
度依存性が大きい高誘電体材料を用いる。高誘電体材料
の比誘電率が温度変化するということは比誘電率が温度
の関数となっているということである。このような高誘
電体材料を誘電体とした、サイズ一定のコンデンサを形
成し、このコンデンサの両端電極に一定の電圧Ｖ0 （波
高値が一定の交流電圧のこと）を印加しておくと、その
コンデンサに蓄積される電荷量ＱはＱ＝ＣＶ0 で表され
る。Ｃ＝εr Ｓ／ｄ（Ｃ：コンデンサの容量、εr ：高
誘電体材料の比誘電率、Ｓ：コンデンサの面積、ｄ：誘
電体の厚さ）であるから、
デンサについて次に説明する。コンデンサの容量を温度
で変化させるために、コンデンサを形成する誘電体に温
度依存性が大きい高誘電体材料を用いる。高誘電体材料
の比誘電率が温度変化するということは比誘電率が温度
の関数となっているということである。このような高誘
電体材料を誘電体とした、サイズ一定のコンデンサを形
成し、このコンデンサの両端電極に一定の電圧Ｖ0 （波
高値が一定の交流電圧のこと）を印加しておくと、その
コンデンサに蓄積される電荷量ＱはＱ＝ＣＶ0 で表され
る。Ｃ＝εr Ｓ／ｄ（Ｃ：コンデンサの容量、εr ：高
誘電体材料の比誘電率、Ｓ：コンデンサの面積、ｄ：誘
電体の厚さ）であるから、
【００１２】
【数１】 コンデンサのサイズ（Ｓ、ｄ）及び印加される電圧Ｖ0
が一定であり、その値をＡ（＝ＳＶ0 ／ｄ）とすると、
が一定であり、その値をＡ（＝ＳＶ0 ／ｄ）とすると、
【００１３】
【数２】 Ｑ（Ｔ）＝Ａεr （Ｔ） （２） となる。即ち、コンデンサに蓄積される電荷量は温度の
関数として表される。ここで、焦電効果型（強誘電体の
場合に現れる効果）と異なる点は、自発分極による電荷
発生ではなく、外部から印加された一定の電圧Ｖ0 で誘
起された電荷発生という点である。
関数として表される。ここで、焦電効果型（強誘電体の
場合に現れる効果）と異なる点は、自発分極による電荷
発生ではなく、外部から印加された一定の電圧Ｖ0 で誘
起された電荷発生という点である。
【００１４】比誘電率の温度依存性を利用して、コンデ
ンサの容量やＭＩＳ構造スイッチングデバイスのしきい
値電圧を変化させ、温度または赤外線を検知する高誘電
体装置とすることができる。その応用例として、温度セ
ンサ、赤外線センサおよび感温スイッチなどがある。
ンサの容量やＭＩＳ構造スイッチングデバイスのしきい
値電圧を変化させ、温度または赤外線を検知する高誘電
体装置とすることができる。その応用例として、温度セ
ンサ、赤外線センサおよび感温スイッチなどがある。
【００１５】
【発明の実施の形態】図１はこの発明の第１実施例の高
誘電体装置である。これは変位電流検出法による温度ま
たは赤外線を検知する高誘電体装置である。交流電源３
と高誘電体２からなる平行板コンデンサ１と電流計４で
高誘電体装置が構成されている。ここで、高誘電体２と
は強誘電体ではなく、従って焦電効果が極めて小さく
（焦電効果なしと見做せる）、電圧を印加することで分
極する比誘電率が高い（１００から１０００程度）誘電
体のことをいう。
誘電体装置である。これは変位電流検出法による温度ま
たは赤外線を検知する高誘電体装置である。交流電源３
と高誘電体２からなる平行板コンデンサ１と電流計４で
高誘電体装置が構成されている。ここで、高誘電体２と
は強誘電体ではなく、従って焦電効果が極めて小さく
（焦電効果なしと見做せる）、電圧を印加することで分
極する比誘電率が高い（１００から１０００程度）誘電
体のことをいう。
【００１６】高誘電体２（高い比誘電率εr をもつ誘電
体）からなる平行板コンデンサ１の両端に交流電源３で
交流電圧Ｖ0 （Ｖ0 ＝ｖ0sinωt ）を加えた場合、閉回
路に変位電流ｉd が流れる。ｉd は（１）式から、次式
で表される。ただし、Ｑは電荷量、Ｓは平行板コンデン
サ１の面積、ｄは平行板コンデンサの電極間距離、Ｃは
平行板コンデンサの容量、ωr は角周波数、ｖ0 は電圧
波高値、Ｃは平行板コンデンサの容量、ｔは時間、Ｔは
高誘電体２の温度である。
体）からなる平行板コンデンサ１の両端に交流電源３で
交流電圧Ｖ0 （Ｖ0 ＝ｖ0sinωt ）を加えた場合、閉回
路に変位電流ｉd が流れる。ｉd は（１）式から、次式
で表される。ただし、Ｑは電荷量、Ｓは平行板コンデン
サ１の面積、ｄは平行板コンデンサの電極間距離、Ｃは
平行板コンデンサの容量、ωr は角周波数、ｖ0 は電圧
波高値、Ｃは平行板コンデンサの容量、ｔは時間、Ｔは
高誘電体２の温度である。
【００１７】
【数３】 （３）式から、変位電流の振幅〔Ｓｖ0 ωεr （Ｔ）／
ｄ〕を電流計で測定することで、比誘電率の値が判る。
この比誘電率の値から、高誘電体装置は温度を計測でき
るセンサとなる。またセンサ部である平行板コンデンサ
に赤外線を照射することによって赤外線を検知するセン
サやその赤外線量を計測する測定装置として用いること
ができる。
ｄ〕を電流計で測定することで、比誘電率の値が判る。
この比誘電率の値から、高誘電体装置は温度を計測でき
るセンサとなる。またセンサ部である平行板コンデンサ
に赤外線を照射することによって赤外線を検知するセン
サやその赤外線量を計測する測定装置として用いること
ができる。
【００１８】図２はこの発明の第２実施例の高誘電体装
置である。これはＬＣ共振（直列共振回路）法よる温度
または赤外線を検知する高誘電体装置である。交流電源
３と、高誘電体２からなる平行板コンデンサ１と、コイ
ル５および電流計４とで高誘電体装置が構成されてい
る。ただし、図中の内部抵抗ｒは平行板コンデンサ１や
コイル５などに内蔵される抵抗である。
置である。これはＬＣ共振（直列共振回路）法よる温度
または赤外線を検知する高誘電体装置である。交流電源
３と、高誘電体２からなる平行板コンデンサ１と、コイ
ル５および電流計４とで高誘電体装置が構成されてい
る。ただし、図中の内部抵抗ｒは平行板コンデンサ１や
コイル５などに内蔵される抵抗である。
【００１９】高誘電体２からなる平行板コンデンサ１と
コイル５とが直列接続された回路を、外部の交流電源３
により一定振幅の交流電圧で励振する。励振周波数が回
路固有の共振周波数に近づくと回路に蓄積されるエネル
ギ−が極めて大きくなる。いま、コイル５のインダクタ
ンス値Ｌを固定した場合でも、平行板コンデンサ１の比
誘電率が赤外線（または熱）で変化すると、回路固有の
共振周波数もそれに伴って変化する。この変化した共振
周波数から赤外線量（または熱や温度）を一義的に求め
ることができる。即ち、この直列共振回路にＶ0 ＝ｖ0
ｅｘｐ(jωt)の波高値一定の定電圧の交流電源３を接続
すると、回路のインピ−ダンスＺ＝ｊωＬ＋１／ｊωＣ
＋ｒを流れる電流Ｉ0 ＝ｉ0 ｅｘｐ(jωt)）は、
コイル５とが直列接続された回路を、外部の交流電源３
により一定振幅の交流電圧で励振する。励振周波数が回
路固有の共振周波数に近づくと回路に蓄積されるエネル
ギ−が極めて大きくなる。いま、コイル５のインダクタ
ンス値Ｌを固定した場合でも、平行板コンデンサ１の比
誘電率が赤外線（または熱）で変化すると、回路固有の
共振周波数もそれに伴って変化する。この変化した共振
周波数から赤外線量（または熱や温度）を一義的に求め
ることができる。即ち、この直列共振回路にＶ0 ＝ｖ0
ｅｘｐ(jωt)の波高値一定の定電圧の交流電源３を接続
すると、回路のインピ−ダンスＺ＝ｊωＬ＋１／ｊωＣ
＋ｒを流れる電流Ｉ0 ＝ｉ0 ｅｘｐ(jωt)）は、
【００２０】
【数４】Ｉ0 ＝│ｉ0 │ｅｘｐ(-ｊθ）として │ｉ0 │＝ｖ0 ／ｒ〔１＋Ｑ0 2（ω／ω0 −ω0 ／ω）2 〕1/2 θ ＝ｔａｎ-1Ｑ0 （ω／ω0 −ω0 ／ω） （４） ただし、ω0 -2＝ＬＣ，Ｑ0 ＝ω0 Ｌ／ｒ＝１／ω0 ｒ
Ｃで与えられる。共振点でインピ−ダンスは最小、電流
は最大となる。この最大電流点を電流計で検出すること
により、コンデンサの容量Ｃすなわ高誘電体の比誘電率
εr が求まり、比誘電率εr の温度依存性から温度が求
まる。平行板コンデンサとコイルとを並列接続し、回路
のインピ−ダンスが最大、電流（または電圧）が最大と
なる共振点から求めることも勿論可能である。このよう
に、共振周波数から温度を計測できるセンサとなる。ま
たセンサ部である平行板コンデンサに赤外線を照射する
ことによって赤外線を検知するセンサやその赤外線量を
計測する測定装置として用いることができる。
Ｃで与えられる。共振点でインピ−ダンスは最小、電流
は最大となる。この最大電流点を電流計で検出すること
により、コンデンサの容量Ｃすなわ高誘電体の比誘電率
εr が求まり、比誘電率εr の温度依存性から温度が求
まる。平行板コンデンサとコイルとを並列接続し、回路
のインピ−ダンスが最大、電流（または電圧）が最大と
なる共振点から求めることも勿論可能である。このよう
に、共振周波数から温度を計測できるセンサとなる。ま
たセンサ部である平行板コンデンサに赤外線を照射する
ことによって赤外線を検知するセンサやその赤外線量を
計測する測定装置として用いることができる。
【００２１】図３は図１および図２の高誘電体装置で適
用される平行板コンデンサの要部断面構造である。この
図で断面構造図と共に製造工程の概要も説明する。Si基
板１１上に 400nm厚のSiO2膜１２を熱酸化で形成した
後、平行板コンデンサ１の一方の電極であるTi膜１３及
びPt膜１４を連続スパッタ蒸着する（膜厚はそれぞれ 5
0nm ,1μｍ）。次に、高誘電体であるPZT [Pb(Zr0.5T
0.5)O3] 膜１５を 100nmスパッタ蒸着した後、引き続き
平行板コンデンサ１の他方の電極であるPt膜１６を 1μ
ｍスパッタ蒸着する。高誘電体であるPLZT膜１５の面積
は１ｍｍ 2 程度である。
用される平行板コンデンサの要部断面構造である。この
図で断面構造図と共に製造工程の概要も説明する。Si基
板１１上に 400nm厚のSiO2膜１２を熱酸化で形成した
後、平行板コンデンサ１の一方の電極であるTi膜１３及
びPt膜１４を連続スパッタ蒸着する（膜厚はそれぞれ 5
0nm ,1μｍ）。次に、高誘電体であるPZT [Pb(Zr0.5T
0.5)O3] 膜１５を 100nmスパッタ蒸着した後、引き続き
平行板コンデンサ１の他方の電極であるPt膜１６を 1μ
ｍスパッタ蒸着する。高誘電体であるPLZT膜１５の面積
は１ｍｍ 2 程度である。
【００２２】図４は図３で製作された高誘電体の比誘電
率と温度の関係を示す図である。高誘電体に５Ｖ印加
し、比誘電率の温度特性を温度範囲２０℃から２００℃
まで測定した。その結果、図で示すように、比誘電率は
温度に対して直線関係にあることが判った。この関係を
利用して、温度を検知することができる。図５は共振周
波数の温度依存性を測定する回路図である。平行板コン
デンサ１とコイル５と交流電源３からなる回路で高誘電
体装置を構成する。高誘電体２からなる平行板コンデン
サ１を恒温槽７にセットし、５Ｖの交流電圧を印加しな
がら、恒温槽７の温度を上昇させて、共振周波数の変化
を測定する。
率と温度の関係を示す図である。高誘電体に５Ｖ印加
し、比誘電率の温度特性を温度範囲２０℃から２００℃
まで測定した。その結果、図で示すように、比誘電率は
温度に対して直線関係にあることが判った。この関係を
利用して、温度を検知することができる。図５は共振周
波数の温度依存性を測定する回路図である。平行板コン
デンサ１とコイル５と交流電源３からなる回路で高誘電
体装置を構成する。高誘電体２からなる平行板コンデン
サ１を恒温槽７にセットし、５Ｖの交流電圧を印加しな
がら、恒温槽７の温度を上昇させて、共振周波数の変化
を測定する。
【００２３】図６は共振周波数の温度依存性を示す図で
ある。恒温槽温度が高くなると共振周波数は直線的に減
少することが判った。このことは共振周波数を温度に変
換して、温度を計測できるセンサとして用いることがで
きる。また、この回路に流れる変位電流を測定すること
で、温度を検知することも可能である。尚、図１、図２
でセンサ部である平行板コンデンサを二次元的に配列し
て赤外線イメ−ジセンサとすることもできる。さらに、
その温度上昇がわずかで感度が低い場合には、赤外線吸
収率の高い膜を、センサ部である平行板コンデンサに被
覆して、感度向上を図ることもできる。
ある。恒温槽温度が高くなると共振周波数は直線的に減
少することが判った。このことは共振周波数を温度に変
換して、温度を計測できるセンサとして用いることがで
きる。また、この回路に流れる変位電流を測定すること
で、温度を検知することも可能である。尚、図１、図２
でセンサ部である平行板コンデンサを二次元的に配列し
て赤外線イメ−ジセンサとすることもできる。さらに、
その温度上昇がわずかで感度が低い場合には、赤外線吸
収率の高い膜を、センサ部である平行板コンデンサに被
覆して、感度向上を図ることもできる。
【００２４】図７はこの発明の第３実施例の高誘電体装
置のブロック図である。この図はＭＯＳ法による温度ま
たは赤外線量を計測する高誘電体装置である。センサ部
２１と制御・駆動部２３と表示部２４から構成され、セ
ンサ部２１は高誘電体のゲート酸化膜を有するＭＯＳ構
造スイッチングデバイス２２（ＭＯＳＦＥＴなど）で、
制御・駆動部２３は制御ＩＣ２８および駆動ＩＣ２７
で、そして表示部２１はＶth−温度変換回路２５と温度
ディスプレイ２６（例えば、℃で温度表示する）で構成
されている。ＭＯＳ構造スイッチングデバイス２２が一
定のドレイン電流となるように制御・駆動部２３でコン
トロ−ルする。その時のしきい値電圧（Ｖ th）は表示部
２４のＶth−温度変換回路２５で出力・変換され、温度
が温度ディスプレイ２６（液晶ディスプレイ）で表示さ
れる。尚、Ｖth−温度変換回路２５では、予め高誘電率
材料が示す比誘電率の温度特性としきい値電圧の関係が
後述の（６）式で示すような関係式で較正されている。
制御・駆動部２３と表示部２４が温度の影響をうけない
ように、センサ部２１とはＡｕ線などのリ−ド線（長さ
〜５ｍ）で遠隔されており、温度を検知する部分（セン
サ部２３）のみが発熱体近傍に設置されるようにする。
置のブロック図である。この図はＭＯＳ法による温度ま
たは赤外線量を計測する高誘電体装置である。センサ部
２１と制御・駆動部２３と表示部２４から構成され、セ
ンサ部２１は高誘電体のゲート酸化膜を有するＭＯＳ構
造スイッチングデバイス２２（ＭＯＳＦＥＴなど）で、
制御・駆動部２３は制御ＩＣ２８および駆動ＩＣ２７
で、そして表示部２１はＶth−温度変換回路２５と温度
ディスプレイ２６（例えば、℃で温度表示する）で構成
されている。ＭＯＳ構造スイッチングデバイス２２が一
定のドレイン電流となるように制御・駆動部２３でコン
トロ−ルする。その時のしきい値電圧（Ｖ th）は表示部
２４のＶth−温度変換回路２５で出力・変換され、温度
が温度ディスプレイ２６（液晶ディスプレイ）で表示さ
れる。尚、Ｖth−温度変換回路２５では、予め高誘電率
材料が示す比誘電率の温度特性としきい値電圧の関係が
後述の（６）式で示すような関係式で較正されている。
制御・駆動部２３と表示部２４が温度の影響をうけない
ように、センサ部２１とはＡｕ線などのリ−ド線（長さ
〜５ｍ）で遠隔されており、温度を検知する部分（セン
サ部２３）のみが発熱体近傍に設置されるようにする。
【００２５】つぎに、ＭＯＳ構造スイッチングデバイス
２２がＯＮするしきい値電圧Ｖthの温度依存性にいつい
て説明する。ＭＯＳ構造スイッチングデバイス２２のし
きい値電圧Ｖthは次式で与えられる。
２２がＯＮするしきい値電圧Ｖthの温度依存性にいつい
て説明する。ＭＯＳ構造スイッチングデバイス２２のし
きい値電圧Ｖthは次式で与えられる。
【００２６】
【数５】 ここで、ΦMSはゲ−ト電極と半導体との仕事関数の差、
φf は半導体表面ポテンシャル、ＱSSは界面電荷密度、
ＱB は半導体表面の空乏層領域内の電荷密度、ＣO はゲ
−ト酸化膜（ここでいうゲート酸化膜は図８のPST 膜３
６を含む）の容量である。ＭＯＳ構造を物理的に決定し
てやれば、ＱSSはプロセス的な変動はあるものの、
ΦMS，φf ，ＱB ，ＣO は一義的に決まる。従って、プ
ロセス的に管理された状況下ではＱSSもある一定の値に
押さえこむことが出来るため、ゲ−ト酸化膜の変わりに
高誘電体の比誘電率εr を用い、ＭＯＳ構造を物理的決
定すれば、Ｖthは次式で表される。
φf は半導体表面ポテンシャル、ＱSSは界面電荷密度、
ＱB は半導体表面の空乏層領域内の電荷密度、ＣO はゲ
−ト酸化膜（ここでいうゲート酸化膜は図８のPST 膜３
６を含む）の容量である。ＭＯＳ構造を物理的に決定し
てやれば、ＱSSはプロセス的な変動はあるものの、
ΦMS，φf ，ＱB ，ＣO は一義的に決まる。従って、プ
ロセス的に管理された状況下ではＱSSもある一定の値に
押さえこむことが出来るため、ゲ−ト酸化膜の変わりに
高誘電体の比誘電率εr を用い、ＭＯＳ構造を物理的決
定すれば、Ｖthは次式で表される。
【００２７】
【数６】 Ｖth＝ａ−ｂ（εr ) -1 （６） ここで、ａ，ｂはＭＯＳ構造で決定される定数であるた
め、Ｖthは比誘電率の値から一義的に決定される。この
ことから、比誘電率が温度の関数であり、Ｖthの値は比
誘電率の関数であることから、Ｖthの値から温度や赤外
線量を計測することができる。
め、Ｖthは比誘電率の値から一義的に決定される。この
ことから、比誘電率が温度の関数であり、Ｖthの値は比
誘電率の関数であることから、Ｖthの値から温度や赤外
線量を計測することができる。
【００２８】図８は図７の高誘電体装置に適用されるＭ
ＯＳ構造スイッチングデバイスの製造工程を示す。先
ず、ｐ型Ｓｉ基板３１（ド−パント濃度； 2×1016c
m-3）を初期酸化（酸化膜厚〜 1μｍ）した後、ＭＯＳ
部形成領域以外のSiO2膜３２を残し、ＭＯＳ部形成領域
を通常のフォトプロセスで開口し、該領域にソ−ス領域
３３およびドレイン領域３４（ｎ+ ；ド−パント濃度〜
2×1020cm-3）を形成する（同図ａ）。次に、ゲ−トSi
O2膜３５（膜厚〜 1nm）、高誘電体膜であるPST 膜３６
（膜厚〜10μｍ）、Pt膜３７（膜厚〜 0.5μｍ) を連続
して形成する（同図ｂ）。ゲ−トSiO2膜３５はドライ酸
素雰囲気中でランプ加熱により急熱急冷の短時間変化
（RTO;Rapid Thermal Oxidation)を行うことにより、1n
m 厚成長させた。加熱条件は 800℃, 7secである。
ＯＳ構造スイッチングデバイスの製造工程を示す。先
ず、ｐ型Ｓｉ基板３１（ド−パント濃度； 2×1016c
m-3）を初期酸化（酸化膜厚〜 1μｍ）した後、ＭＯＳ
部形成領域以外のSiO2膜３２を残し、ＭＯＳ部形成領域
を通常のフォトプロセスで開口し、該領域にソ−ス領域
３３およびドレイン領域３４（ｎ+ ；ド−パント濃度〜
2×1020cm-3）を形成する（同図ａ）。次に、ゲ−トSi
O2膜３５（膜厚〜 1nm）、高誘電体膜であるPST 膜３６
（膜厚〜10μｍ）、Pt膜３７（膜厚〜 0.5μｍ) を連続
して形成する（同図ｂ）。ゲ−トSiO2膜３５はドライ酸
素雰囲気中でランプ加熱により急熱急冷の短時間変化
（RTO;Rapid Thermal Oxidation)を行うことにより、1n
m 厚成長させた。加熱条件は 800℃, 7secである。
【００２９】つぎに、高誘電体膜であるPST 膜３６ [ P
b(Sc0.5Ta0.5)O3; lead scandium tantalate ]の形成方
法について述べる。先ず、scandium acetate[Sc(OAc)3
xH2O] を60℃, 2h 真空中で無水物化処理した後、2-me
thoxyethanolと混合した。次に適当な量の tantalum et
hoxide溶液を加え、加熱、還流して、ST前駆体溶液をつ
くる。そのST前駆体溶液に１当量のH2O を加えて加水分
解し、48時間エ−ジングして 24 時間還流した。同様に
して、anhydrous lead acetate[Pb(OAc)2 3H2O] に2-me
thoxyethanolを混合し、4 時間還流加熱した後、真空蒸
留してPb前駆体溶液つくる。このPb前駆体溶液を透明な
粘性のある液体となるまでその操作を繰り返した後、以
前に準備されたST前駆体溶液と、この Pb 前駆体溶液を
室温で混合攪拌した。このようにしてできたPST 溶液を
前記ウェハ上に塗布、スピンコ−トした後、700 ℃でベ
−クした。この操作を繰り返し、PST 膜３６の膜厚が10
μｍになるようにした。引き続き、スパッタ法によりPt
膜３７を 0.5μｍ厚形成した（同図ｂ）。次に、通常の
フォトプロセスでゲ−ト部のみにゲ−トSiO2膜／PST 膜
３６／Pt膜３７が残るようにエッチング加工した。エッ
チャントはPST 膜２６／Pt膜３７は王水、ゲ−トSiO2膜
３５は希フッ酸であった（同図ｃ）。ゲ−ト酸化膜とし
て直接高誘電体膜を形成せずに、シリコン酸化膜を介在
させたのはゲート酸化膜とＳｉ界面の界面電荷制御のた
めである。この場合、ゲ−トキャパシタはゲートSiO2膜
３５と高誘電体膜であるPST 膜３６との直列接続となる
ため、高誘電体膜の誘電率変化に敏感になるように、ゲ
ートSiO2膜３５の膜厚は高誘電体膜厚に比べて極端に薄
くする必要がある。そのため、ゲートSiO2膜３５の膜厚
は１ｎｍ，高誘電体膜であるPST 膜３６の膜厚を１０μ
ｍとした。次に炉温度 400℃でSiH4とO2ガスを導入し、
SiO2膜をＣＶＤ法で 1μｍ堆積して、CVD-LTO 膜３８を
形成した後、ソ−ス領域３３、ドレイン領域３４、ゲ−
トのコンタクトホ−ル部を通常のフォトプロセスで開口
し、ソース電極３９、ドレイン電極４０およびゲート電
極４１を、Alをスパッタ蒸着（厚さ 1μｍ）と、通常の
フォトプロセスにより形成する（同図ｄ）。また最終保
護膜が必要な場合はその後プラズマＣＶＤSiN:H 膜を被
覆させる。尚、ここでは、シリコン表面を直接被覆する
酸化膜のことをゲートSiO2膜３５としたが、このゲート
SiO2膜３５と前記の高誘電体膜であるPST 膜３６とを含
めた酸化膜が真のゲート酸化膜である。つまり、前記の
しきい値電圧（Ｖth）に影響を及ぼすゲート酸化膜は、
この真のゲート酸化膜のことである。
b(Sc0.5Ta0.5)O3; lead scandium tantalate ]の形成方
法について述べる。先ず、scandium acetate[Sc(OAc)3
xH2O] を60℃, 2h 真空中で無水物化処理した後、2-me
thoxyethanolと混合した。次に適当な量の tantalum et
hoxide溶液を加え、加熱、還流して、ST前駆体溶液をつ
くる。そのST前駆体溶液に１当量のH2O を加えて加水分
解し、48時間エ−ジングして 24 時間還流した。同様に
して、anhydrous lead acetate[Pb(OAc)2 3H2O] に2-me
thoxyethanolを混合し、4 時間還流加熱した後、真空蒸
留してPb前駆体溶液つくる。このPb前駆体溶液を透明な
粘性のある液体となるまでその操作を繰り返した後、以
前に準備されたST前駆体溶液と、この Pb 前駆体溶液を
室温で混合攪拌した。このようにしてできたPST 溶液を
前記ウェハ上に塗布、スピンコ−トした後、700 ℃でベ
−クした。この操作を繰り返し、PST 膜３６の膜厚が10
μｍになるようにした。引き続き、スパッタ法によりPt
膜３７を 0.5μｍ厚形成した（同図ｂ）。次に、通常の
フォトプロセスでゲ−ト部のみにゲ−トSiO2膜／PST 膜
３６／Pt膜３７が残るようにエッチング加工した。エッ
チャントはPST 膜２６／Pt膜３７は王水、ゲ−トSiO2膜
３５は希フッ酸であった（同図ｃ）。ゲ−ト酸化膜とし
て直接高誘電体膜を形成せずに、シリコン酸化膜を介在
させたのはゲート酸化膜とＳｉ界面の界面電荷制御のた
めである。この場合、ゲ−トキャパシタはゲートSiO2膜
３５と高誘電体膜であるPST 膜３６との直列接続となる
ため、高誘電体膜の誘電率変化に敏感になるように、ゲ
ートSiO2膜３５の膜厚は高誘電体膜厚に比べて極端に薄
くする必要がある。そのため、ゲートSiO2膜３５の膜厚
は１ｎｍ，高誘電体膜であるPST 膜３６の膜厚を１０μ
ｍとした。次に炉温度 400℃でSiH4とO2ガスを導入し、
SiO2膜をＣＶＤ法で 1μｍ堆積して、CVD-LTO 膜３８を
形成した後、ソ−ス領域３３、ドレイン領域３４、ゲ−
トのコンタクトホ−ル部を通常のフォトプロセスで開口
し、ソース電極３９、ドレイン電極４０およびゲート電
極４１を、Alをスパッタ蒸着（厚さ 1μｍ）と、通常の
フォトプロセスにより形成する（同図ｄ）。また最終保
護膜が必要な場合はその後プラズマＣＶＤSiN:H 膜を被
覆させる。尚、ここでは、シリコン表面を直接被覆する
酸化膜のことをゲートSiO2膜３５としたが、このゲート
SiO2膜３５と前記の高誘電体膜であるPST 膜３６とを含
めた酸化膜が真のゲート酸化膜である。つまり、前記の
しきい値電圧（Ｖth）に影響を及ぼすゲート酸化膜は、
この真のゲート酸化膜のことである。
【００３０】尚、この実施例では高誘電体膜は一種類だ
けであるが、異なる種類の高誘電体膜を複数層積層して
も勿論構わない。図９は図８の高誘電体膜の誘電率の温
度依存性性を示す図である。この図からわかるように、
０℃を境にして同じ誘電率を与える温度が２つ（０℃以
下と０℃以上）存在する。そのため、この高誘電体膜を
用いる限り測定すべきものの温度が０℃以下か以上かを
別の手段で検出しておく必要がある。
けであるが、異なる種類の高誘電体膜を複数層積層して
も勿論構わない。図９は図８の高誘電体膜の誘電率の温
度依存性性を示す図である。この図からわかるように、
０℃を境にして同じ誘電率を与える温度が２つ（０℃以
下と０℃以上）存在する。そのため、この高誘電体膜を
用いる限り測定すべきものの温度が０℃以下か以上かを
別の手段で検出しておく必要がある。
【００３１】図１０は図７の表示部で示される温度（セ
ンサ表示温度）と恒温槽温度を示した図である。図７の
センサ部を構成するＭＯＳ構造スイッチングデバイス２
２を図示されていない恒温槽にセットし、恒温槽の温度
を−１００℃から＋１００℃まで可変して、温度ディス
プレイ２６が示す温度を検証した。一つの恒温槽温度に
対して２つのディスプレイ値（センサ表示温度）がある
のは、前記のように図８の高誘電体膜が図９のような特
性（同じ比誘電率を与える温度は２つ）をもつために起
こる現象である。図１０のうち、●印は真の温度、○印
は虚（同じ誘電率を与える別の温度）の温度で、データ
処理により、０℃を境に真の温度が表示されるようにす
ることで、●印だけをとることができる。そうすること
で、恒温槽温度（被測定温度のこと）とセンサ表示温度
とを一致させることができる。
ンサ表示温度）と恒温槽温度を示した図である。図７の
センサ部を構成するＭＯＳ構造スイッチングデバイス２
２を図示されていない恒温槽にセットし、恒温槽の温度
を−１００℃から＋１００℃まで可変して、温度ディス
プレイ２６が示す温度を検証した。一つの恒温槽温度に
対して２つのディスプレイ値（センサ表示温度）がある
のは、前記のように図８の高誘電体膜が図９のような特
性（同じ比誘電率を与える温度は２つ）をもつために起
こる現象である。図１０のうち、●印は真の温度、○印
は虚（同じ誘電率を与える別の温度）の温度で、データ
処理により、０℃を境に真の温度が表示されるようにす
ることで、●印だけをとることができる。そうすること
で、恒温槽温度（被測定温度のこと）とセンサ表示温度
とを一致させることができる。
【００３２】つぎに、前記のＭＯＳ構造スイッチングデ
バイスをスイッチとして利用した場合の例を示す。ただ
し、ここではＭＯＳ構造スイッチングデバイスの高誘電
体膜としてPZT を用い、（６）式でａ＝4V，ｂ＝1000V,
Vth＝3V となるように設計した。1.064 μｍの発振波
長をもつＹＡＧレ−ザをゲ−ト部に照射すると、スイッ
チング動作を示した。
バイスをスイッチとして利用した場合の例を示す。ただ
し、ここではＭＯＳ構造スイッチングデバイスの高誘電
体膜としてPZT を用い、（６）式でａ＝4V，ｂ＝1000V,
Vth＝3V となるように設計した。1.064 μｍの発振波
長をもつＹＡＧレ−ザをゲ−ト部に照射すると、スイッ
チング動作を示した。
【００３３】図１１は赤外線照射によるスイッチング動
作波形を示す。上図は横軸が時間で縦軸は赤外線の光量
である。また下図は横軸が時間で縦軸は電流である。Ｙ
ＡＧレーザ光で赤外線を照射して、ＭＯＳ構造スイッチ
ングデバイス（ＭＯＳスイッチのこと）のゲート酸化膜
を構成している高誘電体膜を昇温させる。高誘電体膜が
昇温すると、ＭＯＳスイッチのしきい値が低下して、Ｍ
ＯＳスイッチに徐々に電流が流れる。ＭＯＳスイッチの
加熱・放熱の関係で応答が遅いようだが、ＯＮ、ＯＦＦ
のスイッチング動作をしているのが判る。このことか
ら、スイッチング速度には限界があるが、赤外線を検知
するスイッチとして利用できる。またこのように光を使
ったスイッチのために、遠隔操作という点で利用度が高
いと考えられる。
作波形を示す。上図は横軸が時間で縦軸は赤外線の光量
である。また下図は横軸が時間で縦軸は電流である。Ｙ
ＡＧレーザ光で赤外線を照射して、ＭＯＳ構造スイッチ
ングデバイス（ＭＯＳスイッチのこと）のゲート酸化膜
を構成している高誘電体膜を昇温させる。高誘電体膜が
昇温すると、ＭＯＳスイッチのしきい値が低下して、Ｍ
ＯＳスイッチに徐々に電流が流れる。ＭＯＳスイッチの
加熱・放熱の関係で応答が遅いようだが、ＯＮ、ＯＦＦ
のスイッチング動作をしているのが判る。このことか
ら、スイッチング速度には限界があるが、赤外線を検知
するスイッチとして利用できる。またこのように光を使
ったスイッチのために、遠隔操作という点で利用度が高
いと考えられる。
【００３４】また前記のＭＯＳ構造スイッチングデバイ
スをスイッチとして利用した場合の別の例を次に示す。
ＭＯＳ構造スイッチングデバイスの高誘電体膜にPST 膜
を用い、（６）式でａ＝4V，ｂ＝2500V, Vth＝3V とな
るように設計した。ＭＯＳ構造スイッチングデバイスを
ヒ−タのスイッチに用いることにより、70℃近傍でＯＮ
−ＯＦＦを繰り返すため恒温装置の温度センサ付スイッ
チとして動作できることが判った。
スをスイッチとして利用した場合の別の例を次に示す。
ＭＯＳ構造スイッチングデバイスの高誘電体膜にPST 膜
を用い、（６）式でａ＝4V，ｂ＝2500V, Vth＝3V とな
るように設計した。ＭＯＳ構造スイッチングデバイスを
ヒ−タのスイッチに用いることにより、70℃近傍でＯＮ
−ＯＦＦを繰り返すため恒温装置の温度センサ付スイッ
チとして動作できることが判った。
【００３５】
【発明の効果】この発明によれば、高誘電体材料を利用
してコンデンサまたはＭＯＳ構造スイッチングデバイス
を製作し、このコンデンサまたはＭＯＳ構造スイオッチ
ングデバイスを電気回路に組み込むことで、小型、軽
量、低消費電力および高信頼性の温度または赤外線を検
知する高誘電体装置を製作することができる。
してコンデンサまたはＭＯＳ構造スイッチングデバイス
を製作し、このコンデンサまたはＭＯＳ構造スイオッチ
ングデバイスを電気回路に組み込むことで、小型、軽
量、低消費電力および高信頼性の温度または赤外線を検
知する高誘電体装置を製作することができる。
【図１】この発明の第１実施例の高誘電体装置の説明図
【図２】この発明の第２実施例の高誘電体装置の説明図
【図３】図１および図２の高誘電体装置で適用される平
行板コンデンサの要部断面構造図
行板コンデンサの要部断面構造図
【図４】図３で製作された高誘電体の比誘電率と温度の
関係を示す図
関係を示す図
【図５】共振周波数の温度依存性を測定する回路図
【図６】共振周波数の温度依存性を示す図
【図７】この発明の第３実施例の高誘電体装置のブロッ
ク図
ク図
【図８】図７の高誘電体装置に適用されるＭＯＳ構造ス
イッチングデバイスの製造工程で、（ａ）ないし（ｅ）
は各工程での素子断面図
イッチングデバイスの製造工程で、（ａ）ないし（ｅ）
は各工程での素子断面図
【図９】図８の高誘電体膜の誘電率の温度依存性性を示
す図
す図
【図１０】図７の表示部で示される温度（センサ表示温
度）と恒温槽温度を示した図
度）と恒温槽温度を示した図
【図１１】スイッチング動作波形を示す図
【図１２】従来の温度センサとその測定範囲を示す図
１ 平行板コンデンサ ２ 高誘電体 ３ 交流電源 ４ 電流計 ５ コイル ６ 内部抵抗 ７ 恒温槽 １１ Si基板 １２ SiO2膜 １３ Ti膜 １４ Pt膜 １５ PZT 膜 １６ Pt膜 １７ Ptワイヤ １８ Ptワイヤ ２１ センサ部 ２２ ＭＯＳ構造スイッチングデバイス ２３ 制御・駆動部 ２４ 表示部 ２５ Ｖth−温度変換回路 ２６ 温度ディスプレイ ２７ 駆動ＩＣ ２８ 制御ＩＣ ３１ Si基板 ３２ SiO2膜 ３３ ソース領域 ３４ ドレイン領域 ３５ ゲートSiO2膜 ３６ PST 膜 ３７ Pt膜 ３８ CVD-LTO 膜 ３９ ソース電極 ４０ ドレイン電極 ４１ ゲート電極
Claims (5)
- 【請求項１】赤外線の照射を受けて、比誘電率が変化す
る高誘電体材料を電極間に狭持して形成されたコンデン
サを有し、コンデンサに照射される赤外線量の変化によ
りコンデンサの容量を変化させ、温度または赤外線のい
ずれかを検知することを特徴とする高誘電体装置。 - 【請求項２】電源と前記コンデンサとを有し、前記コン
デンサの両電極に電圧を印加し、赤外線量の変化により
コンデンサに誘起される電荷量を変化させることで、温
度または赤外線のいずれかを検知することを特徴とする
請求項１記載の高誘電体装置。 - 【請求項３】電源とコイルと前記コンデンサとを有し、
前記コイルと前記コンデンサとを直列に接続し、赤外線
量の変化により前記コンデンサの容量を変化させて、前
記コンデンサと前記コイルで構成される電気回路の共振
周波数を変化させ、温度または赤外線のいずれかを検知
することを特徴とする請求項１記載の高誘電体装置。 - 【請求項４】赤外線の照射を受けて、比誘電率が変化す
る高誘電体材料で、ゲート絶縁膜を形成したＭＩＳ構造
のスイッチングデバイスを有し、温度の変化によりゲー
ト絶縁膜内に誘起される電荷量をを変化させることで、
スイッチングデバイスのしきい値を変化させて、温度ま
たは赤外線のいずれかを検知することを特徴とする高誘
電体装置。 - 【請求項５】高誘電体材料がＰｂ、Ｌａ、Ｚｒ、Ｔｉ、
Ｔａ、ＢａおよびＳｎのうち少なくとも一つの元素を含
む酸化物であることを特徴とする請求項１ないし４のい
ずれかに記載の高誘電体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14741297A JPH10332481A (ja) | 1997-06-05 | 1997-06-05 | 高誘電体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14741297A JPH10332481A (ja) | 1997-06-05 | 1997-06-05 | 高誘電体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10332481A true JPH10332481A (ja) | 1998-12-18 |
Family
ID=15429725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14741297A Pending JPH10332481A (ja) | 1997-06-05 | 1997-06-05 | 高誘電体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10332481A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002090228A (ja) * | 2000-09-19 | 2002-03-27 | Japan Atom Energy Res Inst | 温度勾配の変化を検出するセンサー及び測定装置 |
| JP2002124708A (ja) * | 2000-08-09 | 2002-04-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜形成方法、高誘電体容量形成方法、誘電ボロメータおよび赤外線検出素子 |
| WO2004079311A1 (ja) * | 2003-03-07 | 2004-09-16 | Fujitsu Limited | 電磁放射線センサ及びその製造方法 |
| JP2005352870A (ja) * | 2004-06-11 | 2005-12-22 | Hochiki Corp | 熱感知器 |
-
1997
- 1997-06-05 JP JP14741297A patent/JPH10332481A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002124708A (ja) * | 2000-08-09 | 2002-04-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜形成方法、高誘電体容量形成方法、誘電ボロメータおよび赤外線検出素子 |
| JP2002090228A (ja) * | 2000-09-19 | 2002-03-27 | Japan Atom Energy Res Inst | 温度勾配の変化を検出するセンサー及び測定装置 |
| WO2004079311A1 (ja) * | 2003-03-07 | 2004-09-16 | Fujitsu Limited | 電磁放射線センサ及びその製造方法 |
| US7365327B2 (en) | 2003-03-07 | 2008-04-29 | Fujitsu Limited | Electromagnetic radiation sensor and method for fabricating the same |
| JP2005352870A (ja) * | 2004-06-11 | 2005-12-22 | Hochiki Corp | 熱感知器 |
| JP4603299B2 (ja) * | 2004-06-11 | 2010-12-22 | ホーチキ株式会社 | 熱感知器 |
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