JPH10332365A

JPH10332365A - 測距装置

Info

Publication number: JPH10332365A
Application number: JP9136811A
Authority: JP
Inventors: Kenji Nakamura; 研史中村; Kazusane Kageyama; 和実陰山; Yoshito Tanaka; 義人田中
Original assignee: Minolta Co Ltd
Current assignee: Minolta Co Ltd
Priority date: 1997-05-27
Filing date: 1997-05-27
Publication date: 1998-12-18
Also published as: US6081672A

Abstract

(57)【要約】【課題】メモリ容量を増大させることなく、より広い
測距領域から測距情報を得ることができる測距装置を提
供する。【解決手段】測距対象の光学像から複数の画素信号を
含む画像信号を得て、得られた画像信号の各々を複数に
分けて順次取り出す受光部３と、受光部３により取り出
された画像信号に含まれるデータ列をそれぞれ記憶する
左右メモリ４１Ｌ，４１Ｒと、左右メモリ４１Ｌ，４１
Ｒに記憶された各データ列を用いて、前記測距対象まで
の距離に相当する測距データを得る測距データ演算部５
とによって構成されている測距装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、カメラやビデオカ
メラ等に採用され、被写体までの距離を測定する測距装
置に関するものである。

【０００２】

【従来技術】従来、カメラ等に用いられる被写体までの
距離を測定する測距装置として、位相差検出方式を採用
するものが知られている。

【０００３】この測距装置は、一対の光電変換素子列
（ラインセンサ）を、基準部（左センサ）及び参照部
（右センサ）として備えるとともに、これらの左センサ
及び右センサの各々の素子数、即ち画素数に対応した記
憶容量を有する左メモリ及び右メモリを備えた構成にな
っている。

【０００４】このような構成において、左センサ及び右
センサで受光して得られた被写体像（測距情報）を画素
データとしてそれぞれのメモリに取り込み、次いで、取
り込んだ画素データ列に対して複数領域へのブロック分
けを行った後、各ブロック毎に左センサと右センサ間の
画素データに対して相関値を求める演算を実行し、得ら
れた複数の相関値を用いて、測距対象までの距離に相当
する測距データを算出するようにしている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の測
距装置では、測距のための情報量を増大させて測距精度
を向上させるためには、広い測距領域から被写体像であ
る測距情報を受光する必要があることから、左センサ及
び右センサには、光電変換素子が多数使用されている。
このように、光電変換素子の素子数を増大させると、こ
れに対応して左メモリ及び右メモリの記憶容量も増大さ
せる必要があり、勢いメモり容量の増大を強いられる。
一方、メモリ容量を抑制すれば、測距領域の範囲拡張が
制限されてしまい、精度的に一定の限界が生じるという
相反する問題がある。

【０００６】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、メモリ容量を増大させることなく、より広い測距領
域から測距情報を得ることができる測距装置を提供する
ことを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めの本発明は、受光量に応じたレベルの受光信号を出力
する光電変換素子により構成される一対の光電変換素子
列と、前記一対の光電変換素子列に受光動作を行わせる
受光制御手段とを有し、前記一対の光電変換素子列の各
々における各素子で、測距対象からの光を受光して得ら
れる前記受光信号を用いて、前記測距対象までの距離を
測定する測距装置において、前記一対の光電変換素子列
の一方における複数の分割領域のうちの１領域に含まれ
る素子からの受光信号を、各領域毎に取り出すととも
に、他方の光電変換素子列に対し、前記一方の光電変換
素子列の複数の分割領域のうちの１領域に対応する領域
に含まれる素子からの受光信号を取り出す信号取出手段
と、前記信号取出手段により前記一対の光電変換素子列
の対応する各領域から取り出された受光信号を記憶する
記憶手段と、前記記憶手段に記憶された受光データを用
いて、前記距離に相当する測距データを算出する算出手
段とを備えたものである。

【０００８】この構成では、前記信号取出手段が、前記
一対の光電変換素子列の一方における複数の分割領域の
うちの１領域に含まれる素子からの受光信号を、各領域
毎に取り出すとともに、他方の光電変換素子列に対し、
前記一方の光電変換素子列の複数の分割領域のうちの１
領域に対応する領域に含まれる素子からの受光信号を取
り出すので、前記記憶手段に記憶された各受光データの
データ容量は、前記一対の光電変換素子列の各々におけ
る複数の分割領域の全てから取り出された受光信号から
得られるデータよりも少なくなる。これにより、前記記
憶手段に記憶容量の少ないメモリを使用することが可能
になる。

【０００９】なお、前記受光制御手段は、前記信号取出
手段が前記複数の分割領域の全てに対して受光信号の取
り出しを終了した後に、前記一対の光電変換素子列に対
して受光動作を行わせるものであってもよい。この構成
では、前記複数の分割領域の全てに対して、前記受光信
号の取り出しが終了する毎に、前記測距データが得られ
る。

【００１０】また、前記受光制御手段は、前記複数の分
割領域の各領域に対する前記信号取出手段による受光信
号の取り出しが終了する毎に、前記一対の光電変換素子
列に対して受光動作を行わせるものであってもよい。こ
の構成では、前記複数の分割領域の全てに対して前記受
光信号の取り出しが終了するまでに、前記測距データが
得られる。

【００１１】また、前記複数の分割領域は、少なくとも
２つ以上であればよい。この構成では、前記記憶手段に
記憶された各受光データのデータ容量は、前記一対の光
電変換素子列の各々の複数の分割領域の全てから取り出
された受光信号から得られるデータに対して、少なくと
も２分の１程度以下のものになる。

【００１２】また、前記測距演算手段は、前記記憶手段
に記憶された受光データを更に複数の領域毎にそれぞれ
読み出して、各領域毎に前記測距演算を実行するもので
あってもよい。この構成では、前記分割領域に対して、
遠近の被写体が存在している場合でも、適切な測距デー
タが得られる。

【００１３】また、前記測距演算手段は、前記一対の光
電変換素子列の各々における少なくとも１つの領域から
前記測距データが得られたときは、以降の前記測距演算
の実行を中止するものであってもよい。この構成では、
以降の前記測距演算の実行が中止されるので、中止され
た分だけ前記測距演算の処理時間が短縮される。

【００１４】また、前記信号取出手段は、前記一対の光
電変換素子列の各々における中央側の領域から前記受光
信号の取り出しを行うものであってもよい。この構成で
は、前記測距対象が、中央側の領域に位置している場
合、或いは中央側の領域にかかるように左右のどちらか
一方の側に位置している場合、前記一対の光電変換素子
列の各々における中央側の領域に対して、前記信号取出
手段による信号の取り出しが終了すると、前記測距デー
タが得られる。

【００１５】また、前記記憶手段は、一対の記憶手段で
あり、前記一対の記憶手段の記憶容量は、前記一対の光
電変換素子列の各々における複数の分割領域内の素子数
に対応した記憶容量となる。なお、一対の記憶手段の
「一対」とは、動作的に一対であればよく、物理的に一
対でなくてもよい。従って、メモリとしては、１個のメ
モリでもよい。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明がカメラに適用された場合
の第１の実施形態について、その構成図である図１を参
照しながら説明する。カメラ１は、測距光学系２、一対
の左右ラインセンサ３１Ｌ，３１Ｒ等を有する受光部
３、受光データ記憶部４、及び測距データ演算部５によ
り構成される測距系を備えるとともに、駆動信号生成部
６、駆動部７、及び撮像レンズ８１等を有する撮像部８
を備えている。なお、左右ラインセンサ３１Ｌ，３１Ｒ
および図略のＡ／Ｄ変換器等を除く受光部３、測距デー
タ演算部５及び駆動信号生成部６は、例えばマイクロコ
ンピュータで構成されており、受光データ記憶部４に対
して、所定の画像データの書き込み又は読み出しの指示
を行うものである。

【００１７】測距光学系２は、一対の左右レンズ２１
Ｌ，２１Ｒ、一対の左右ミラー２２Ｌ，２２Ｒ、及びプ
リズム２３により構成されている。左右レンズ２１Ｌ，
２１Ｒは、それぞれ、後述する撮像レンズ８１の光軸と
平行な光軸を有し、所定の距離だけ離されて配置されて
いる。左右ミラー２２Ｌ，２２Ｒは、それぞれ、左右レ
ンズ２１Ｌ，２１Ｒの後方の所定位置に、左右レンズ２
１Ｌ，２１Ｒの光軸に対し４５度傾斜して配置されてい
る。そしてプリズム２３は、左右ミラー２２Ｌ，２２Ｒ
間に配置され、プリズム２３の両面側には、入射光を直
角に反射する反射面２３Ｌ，２３Ｒが形成されており、
左右レンズ２１Ｌ，２１Ｒの光軸間の寸法を狭めて、反
射光を後方に案内するものである。この構成により、同
一の被写体から到来する光は、左右ラインセンサ３１
Ｌ，３１Ｒの受光面上に結像される。

【００１８】受光部３は、左右ラインセンサ３１Ｌ，３
１Ｒ、受光制御部３２、取出制御部３３及び信号処理部
３４により構成されており、カメラ１と測距対象（被写
体）との間の距離に相当する測距データを演算により算
出するために用いられる、被写体の画像情報を得るため
のものである。

【００１９】左右ラインセンサ３１Ｌ，３１Ｒは、それ
ぞれプリズム２３の後方にあって、左右レンズ２１Ｌ，
２１Ｒの結像位置に、所定の距離だけ離れて一列に配置
されている。左右ラインセンサ３１Ｌ，３１Ｒは、それ
ぞれ、所要数の受光素子（光電変換素子）がライン状に
配列されたものであり、各素子の受光面に結像する被写
体像の光量に応じた電荷を蓄積するものである。即ち、
各受光素子は画素に対応し、各受光素子から得られた画
素信号（受光信号）が集まって被写体のライン状の画像
信号が形成されるようになっている。

【００２０】受光制御部３２は、左右ラインセンサ３１
Ｌ，３１Ｒの各受光素子に対して、所定のタイミング
で、所要時間だけ、電荷蓄積動作を行わせるものであ
る。

【００２１】取出制御部３３は、後述する取り出し開始
アドレス及び取り出し画素数に応じて、時系列的に、左
右ラインセンサ３１Ｌ，３１Ｒの各々の領域の一部から
画像信号を取り出し、取り出された画像信号を信号処理
部３４に転送させるものである。

【００２２】信号処理部３４は、左右ラインセンサ３１
Ｌ，３１Ｒから送られてくる画像信号の各々に、所定の
アナログ処理（信号増幅やオフセット調整等）を施し、
この処理が施された各画像信号をディジタル値である画
像データ（受光データ）にＡ／Ｄ変換するものである。

【００２３】受光データ記憶部４は、左右メモリ４１
Ｌ，４１Ｒにより構成され、これらの左右メモリ４１
Ｌ，４１Ｒは、それぞれ所要数の画素データが記憶可能
な記憶容量を有している。そして、これらの左右メモリ
４１Ｌ，４１Ｒに記憶された所要数の画素データ、即ち
画像データを用いて、後述する測距データ算出のための
演算処理が実行される。

【００２４】上記構成において、左右ラインセンサ３１
Ｌ，３１Ｒで得られた画像信号と受光データ記憶部４に
記憶される画像データとの関係について、その説明図で
ある図２（ａ）、及び図１を参照しながら説明する。左
右ラインセンサ３１Ｌ，３１Ｒの受光領域は、それぞ
れ、ほぼ均等に複数の取出領域に分割されるように取り
扱われる。本実施形態では、左右ラインセンサ３１Ｌ，
３１Ｒの受光領域は、それぞれ、図２（ａ）に示される
ように、第１取出領域，第２取出領域，第３取出領域の
３つの取出領域に分割されるように取り扱われる。即
ち、左右ラインセンサ３１Ｌ，３１Ｒの第１，２又は３
取出領域から、それぞれ、画像信号が取り出され、信号
処理部３４により所定の処理が施された後に、左右メモ
リ４１Ｌ，４１Ｒに記憶される構成になっている。より
具体的には、例えば、取出制御部３３の取出開始アドレ
ス及び取出画素数に応じて、左右ラインセンサ３１Ｌ，
３１Ｒの各々の第１，２，３取出領域に対して、（左ラ
インセンサ３１Ｌの第１取出領域：右ラインセンサ３１
Ｒの第１取出領域）、（左ラインセンサ３１Ｌの第２取
出領域：右ラインセンサ３１Ｒの第２取出領域）、（左
ラインセンサ３１Ｌの第３取出領域：右ラインセンサ３
１Ｒの第３取出領域）というように、取り出しの対象と
なる取出領域が特定される。そして、これらの特定され
た取出領域の各々から画像信号が取り出された後、取り
出された画像信号は、それぞれ、信号処理部３４で所定
の処理が施された後、左右メモリ４１Ｌ，４１Ｒに記憶
される。これに対応して、左右メモリ４１Ｌ，４１Ｒに
は、それぞれ、左右ラインセンサ３１Ｌ，３１Ｒの画素
に相当する受光素子の個数に対して、ほぼ１／３程度の
記憶容量を有するものが採用されており、これによって
記憶容量の低減が図られている。

【００２５】なお、左右アドレス３１Ｌ，３１Ｒからの
画像信号の取り出しが、先頭の受光素子からしか行われ
ないラインセンサの場合には、取出制御部３３は、上記
の取出開始アドレス及び取出画素数に応じて、左右メモ
リ４１Ｌ，４１Ｒ側の書き込みのタイミングを制御する
構成にしてもよい。例えば、左右メモリ４１Ｌ，４１Ｒ
は、取り込むべき領域（第１，２又は３取出領域）の画
像データが信号処理部３４から送られてくる間だけ、デ
ータの取り込みを行えばよい。

【００２６】また、取出制御部３３は、本実施形態で
は、第１取出領域，第２取出領域，第３取出領域の順番
で取出領域を指定するための取出開始アドレス及び取出
画素数を用いるようにしているが、これに限らず、例え
ば、第２取出領域，第１取出領域，第３取出領域などの
順番で取出領域を指定するための取出開始アドレス及び
取出画素数を用いてもよい。

【００２７】また、取出制御部３３は、図２（ａ）に示
されるように、均等乃至はほぼ均等に分割された第１，
２又は３取出領域に対して、特定の取出領域を指定する
ための取出開始アドレス及び取出画素数を用いる構成に
したが、これに限らず、図２（ｂ）に示されるように、
隣接する取出領域を一部重複させて分割された第１，２
又は３取出領域に対して、特定の取出領域を指定する取
出開始アドレス及び取出画素数を用いる構成にしてもよ
い。

【００２８】更に、第１取出領域，第２取出領域，第３
取出領域の各々に含まれる画素に相当する受光素子数
は、互いに異なっていてもよいが、同じ数にする方がメ
モリ容量の低減上好ましい。

【００２９】図１に戻って、測距データ演算部５は、読
出制御部５１、相関演算部５２及び距離演算部５３によ
り構成されている。

【００３０】読出制御部５１は、左右メモリ４１Ｌ，４
１Ｒに対して、測距演算に用いられる画素データの読み
出しを指示するものである。本実施形態では、左右メモ
リ４１Ｌ，４１Ｒの各記憶画素数を“ｎ”とすると、読
出制御部５１は、左右メモリ４１Ｌ，４１Ｒに対して、
複数（ｎ以下の所定数）の画素データを含むデータ列か
らなるブロックが、それぞれ、交互に１ピッチ（１画素
に対応）ずつ、左右メモリ４１Ｌ，４１Ｒの一端から他
端にシフトするように、その画素ブロックの先頭画素ア
ドレス（読み出し開始アドレス）を指定し、この先頭画
素アドレスの指定により特定されるブロック内のデータ
列を相関演算部５２に読み込ませる構成にされている。
より具体的には、読出制御部５１は、左メモリ４１Ｌに
対して、先頭開始アドレスが、第１番目の画素アドレ
ス，第１番目の画素アドレス，第２番目の画素アドレ
ス，第２番目の画素アドレス，…のように順次指定さ
れ、一方、右メモリ４１Ｒに対しては、第ｎ番目の画素
アドレス，第ｎ−１番目の画素アドレス，第ｎ−１番目
の画素アドレス，第ｎ−２番目の画素アドレス，第ｎ−
２番目の画素アドレス，…のように、先頭開始アドレス
を順次対応させて指定するものである。ただし、第１番
目の画素アドレスは、各メモリの始端の画素アドレスを
示し、第ｎ番目の画素アドレスは、各メモリの終端の画
素アドレスを示す。この結果、上記指定により特定され
る各ブロックは、それぞれ交互に、左右メモリ４１Ｌ，
４１Ｒの始端、終端から他端側に１ピッチずつシフトす
るようになる。

【００３１】相関演算部５２は、左右メモリ４１Ｌ，４
１Ｒから読み出されたデータ列を用いて、相関演算の処
理を実行するものである。本実施形態では、相関演算部
５２は、左右メモリ４１Ｌ，４１Ｒから、それぞれ読出
制御部５１により指定された先頭画素アドレスによって
特定されるブロック内のデータ列を読み込み、両データ
列を用いて相関値を算出する構成にされている。より具
体的には、相関演算部５２は、読み込んだデータ列間の
各画素データのレベル差を求め、求めたレベル差の総和
を相関値として求めるものである。この結果、読出制御
部５１により先頭画素アドレスが指定された回数分だけ
の相関値が、相関演算部５２によって最終的に求められ
ることとなる。

【００３２】距離演算部５３は、相関演算部５２により
最終的に求められた複数の相関値を用いて、測距データ
を求めるものである。本実施形態では、距離演算部５３
は、最終的に求められた複数の相関値において、相関性
が最大となり、且つ極小となる相関値を与えたピッチ数
のデータを用いて、所定の演算により測距データ（デフ
ォーカス量）を求める構成にされている。なお、ピッチ
数のデータに所定の補間演算を施し、この補間演算によ
り得られたピッチ数のデータを用いて、測距データを求
める構成にしてもよい。

【００３３】駆動信号生成部６は、距離演算部５３によ
り求められた測距データ（デフォーカス量）を用いて、
撮像レンズ８１を合焦位置へ駆動するための駆動信号を
生成するものである。

【００３４】駆動部７は、駆動信号生成部６により生成
された駆動信号に応じて、撮像レンズ８１を駆動するも
のである。

【００３５】撮像部８は、所定の結像位置に被写体像を
結像する撮影レンズ８１と、その結像位置にフィルム８
２を巻き上げ可能に収納し、駆動する機構部とにより構
成されている。なお、フィルム８２に代えて、その結像
位置に受光面が配置されるＣＣＤエリアセンサー等の固
体撮像素子と、この固体撮像素子で取り込まれた画像情
報を、磁気テープ、磁気・光磁気ディスク等の記憶媒体
又はＲＡＭ・メモリカード等の半導体記憶素子等の記憶
手段に記録する記録手段とを設けてもよい。

【００３６】次に、測距シーケンスについて、第１の測
距シーケンスを示すフローチャートである図３、及び図
１を参照しながら説明する。

【００３７】左右ラインセンサ３１Ｌ，３１Ｒは、受光
制御部３２の制御信号に応じたタイミングで、それぞれ
の受光面に蓄積された電荷をリセットした後、電荷の蓄
積を開始する（ステップ＃１０）。

【００３８】電荷の蓄積開始後、所要時間が経過する
と、電荷の蓄積を終了させる制御信号が、受光制御部３
２から左右ラインセンサ３１Ｌ，３１Ｒに送出される
（ステップ＃２０）。これによって、受光動作が終了し
たとして、左右ラインセンサ３１Ｌ，３１Ｒから信号処
理部３４への画像信号の転送が開始される。

【００３９】電荷蓄積終了後、取出制御部３３は、まず
第１取出領域を指定するための取出開始アドレス及び取
出画素数を用いて、左右ラインセンサ３１Ｌ，３１Ｒの
各々に対して、電荷の取出領域を指定する（ステップ＃
３０）。そしてこの指定により特定される左右ラインセ
ンサ３１Ｌ，３１Ｒの各取出領域から、それぞれ別々
に、画像信号としての電荷が取り出されて、信号処理部
３４を介して左右メモリ４１Ｌ，４１Ｒに記憶される
（ステップ＃４０）。

【００４０】この後、読出制御部５１から左右メモリ４
１Ｌ，４１Ｒの各々に先頭画素アドレスの指定が行われ
る（ステップ＃５０）。これらの指定により特定される
ブロック内のデータ列は、それぞれ別々に、相関演算部
５２に読み込まれ、そこで、読み込まれたデータ列間の
各対応する画素位置の画素データのレベル差が求めら
れ、これらのレベル差の総和が相関値として求められる
（ステップ＃６０）。

【００４１】ステップ＃５０，＃６０の処理は、読出制
御部５１による指定が、残りの先頭画素アドレスの全て
に対して、終了するまで繰り返される（ステップ＃７
０）。

【００４２】ステップ＃７０の繰り返し処理が終了する
と、距離演算部５３によって、相関値演算部５２で求め
られた複数の相関値から、相関性が最大となり、且つ極
小となる相関値を与えるピッチ数が求められ、このピッ
チ数のデータを用いて測距データが求められる（ステッ
プ＃８０）。

【００４３】この後、ステップ＃３０からステップ＃８
０までの処理が、第２取出領域，第３取出領域に対し
て、終了するまで繰り返される（ステップ＃９０）。

【００４４】ステップ＃９０の繰り返し処理が終了すれ
ば、距離演算部５３によって、求められた測距データか
ら最終的な測距データが選択される（ステップ＃１０
０）。この場合、距離演算部５３は、得られた測距デー
タの各々に所定の信頼性の演算を施した後に、そのうち
で最も信頼性の高い値を示す測距データを選択する、又
は最も小さい測距データを選択する構成にしてもよい。
或いは、近似する値を示す測距データを選択し、平均等
により測距データを得る構成にしてもよい。

【００４５】本発明がカメラに適用された場合の第２の
実施形態について、その構成図である図４を参照しなが
ら説明する。但し、第１の実施形態と同一である部分に
ついては、同一符号を用いてその説明を省略し、異なる
部分について説明する。カメラ１１では、測距データ演
算部１５は、第１の実施形態と同様に動作する読出制御
部１５１、相関演算部１５２及び距離演算部１５３に加
えて、読出領域指定部１５０を備える。

【００４６】読出領域指定部１５０は、読出制御部１５
１に対して、測距演算に用いられる画素データが読み出
される左右メモリ４１Ｌ，４１Ｒの読出領域を指定する
ものである。即ち、左右メモリ４１Ｌ，４１Ｒの読出領
域が、それぞれ左右メモリ４１Ｌ，４１Ｒの領域内を一
端から他端側へシフトしていくように指定される。

【００４７】読出制御部１５１は、読出領域指定部１５
０により指定された左右メモリ４１Ｌ，４１Ｒの各々の
読出領域に対して、第１の実施形態と同様に、測距演算
に用いられる画素データの読み出しを指示するものであ
る。

【００４８】相関演算部１５２は、左右メモリ４１Ｌ，
４１Ｒから読み出されたデータ列を用いて、第１の実施
形態と同様に、相関演算の処理を実行するものである。

【００４９】距離演算部１５３は、第１の実施形態と同
様に、相関演算部１５２によって最終的に求められた複
数の相関値を用いて、測距データを求めるものである。

【００５０】次に、主として第１の実施形態と異なる処
理について、第２の測距シーケンスを示すフローチャー
トである図５、及び図４を参照しながら説明する。即
ち、図５において、ステップ＃１４５から第１の実施形
態における処理とは異なるものとなるが、ステップ＃３
０からステップ＃１９０の繰り返し処理が第１の実施形
態のものと異なるため、ステップ＃３０から説明する。

【００５１】電荷蓄積終了後、取出制御部３３は、まず
第１取出領域を指定するための取出開始アドレス及び取
出画素数を用いて、左右ラインセンサ３１Ｌ，３１Ｒの
各々に対して、電荷の取出領域を指定する（ステップ＃
３０）。そしてこの指定により特定される左右ラインセ
ンサ３１Ｌ，３１Ｒの各取出領域から、それぞれ別々
に、画像信号としての電荷が取り出されて、信号処理部
３４を介して左右メモリ４１Ｌ，４１Ｒに記憶される
（ステップ＃４０）。

【００５２】この後、読出制御部１５１に対して、第１
読出領域からの画素データが記憶された左右メモリ４１
Ｌ，４１Ｒの各読出領域が、読出領域指定部１５０によ
り指定される（ステップ＃１４５）。これにより、左右
メモリ４１Ｌ，４１Ｒの各々における読出領域が特定さ
れる。

【００５３】ステップ＃１８０では、第１の実施形態の
ステップ＃５０から＃７０と同様の動作によって、測距
データが算出される。

【００５４】この後、ステップ＃１４５及びステップ＃
１８０の処理が、読出領域に対して、終了するまで繰り
返される（ステップ＃１８５）。

【００５５】更に、ステップ＃３０からステップ＃１８
５の処理が、第２取出領域，第３取出領域に対して、終
了するまで繰り返される（ステップ＃１９０）。

【００５６】ステップ＃１９０の繰り返し処理が終了す
ると、得られた測距データから最終的な測距データが、
距離演算部１５３により選択される（ステップ＃２０
０）。

【００５７】なお、第１の実施形態では、左右ラインセ
ンサ３１Ｌ，３１Ｒの各受光素子に対して、受光制御部
３２は、図３に示されるように、所定のタイミングで、
所要時間だけ、電荷蓄積の動作を行わせる構成にした
が、これに限らず、図６に示されるように、第１取出領
域，第２取出領域，第３取出領域の各取出領域を指定す
る毎に、所定のタイミングで、所要時間だけ、電荷蓄積
の動作を行わせる構成にしてもよい。また、図３に対す
る図６の変更は、図５のフローチャートに対しても適用
可能である。即ち、図５において、ステップ＃１９０の
“Ｎ”の分岐先をステップ＃３０からステップ＃１０に
変更してもよい。

【００５８】更に、第１の実施形態では、図３に示され
るように、ステップ＃３０からステップ＃８０までの処
理は、取出制御部３３による第１取出領域，第２取出領
域，第３取出領域の全ての取出領域の指定が終了するま
で、繰り返されるが（ステップ＃９０）、必ずしもこれ
に限らず、その繰り返しの処理は、所定の信頼性の基準
を満たす測距データが、ステップ＃８０で得られた段階
で、終了するものであってもよい。例えば、図７に示さ
れるように、ステップ＃８０で得られた測距データが所
定の信頼性の基準を満たすか否かの判定がなされ（ステ
ップ＃８２）、満たさないと判定された場合には、ステ
ップ＃９０に進み、満たすと判定された場合には、満た
すと判定された測距データを最終の測距データとして処
理を終了させる（ステップ＃８４）ものにしてもよい。
なお、この場合の領域指定順序は、第２，第１，第３の
順のように中心の領域から取り出すようにすればよい。
また、ステップ＃１００に進む場合は、所定の信頼性の
基準を満たす測距データがステップ＃８２で検出されな
かったことを意味するが、この場合でも、ステップ＃１
００を設けることにより、所定の信頼性の基準は満たさ
ないものの、得られた測距データから最も信頼性の高い
測距データを選択することができる効果が生じる。この
結果、ステップ＃８２の所定の信頼性の基準を高めに設
定することが可能となり、ステップ＃８４のように、処
理を途中で終了させても信頼性の高い測距データが得ら
れる測距装置を実現することができる。なお、図３に対
する図７の変更は、図５のフローチャートに対しても適
用可能である。

【００５９】

【発明の効果】以上のことから明らかなように、請求項
１記載の発明によれば、メモリ容量を増大させることな
く、より広い測距領域から測距情報を得ることができ
る。

【００６０】請求項２記載の発明によれば、複数の取出
領域の全てから、受光信号の取り出しが終了すると、測
距データを得ることができる。

【００６１】請求項３記載の発明によれば、複数の取出
領域の全てに対して、受光信号の取り出しが終了するま
でに、測距データを得ることができる。

【００６２】請求項４記載の発明によれば、一対の光電
変換素子列の複数の取出領域の全ての素子数に対応する
記憶容量に対して、少なくとも２分の１程度以下の記憶
容量の記憶手段を使用することができる。

【００６３】請求項５記載の発明によれば、取出領域に
対して、遠近の被写体が存在する場合であっても適切な
測距データを得ることができる。

【００６４】請求項６記載の発明によれば、中止された
分だけ測距演算の処理時間を短縮させることができる。

【００６５】請求項７記載の発明によれば、中央側の領
域に測距対象が位置している可能性が高いため、一対の
光電変換素子列の各々における中央側の領域に対して、
信号取り出し制御手段による受光信号の取り出しが終了
すれば、測距データを得ることができる。

【００６６】請求項８記載の発明によれば、一対の光電
変換素子列の各々における複数の取出領域の全ての素子
数に対応した記憶容量よりも少ない記憶容量の記憶手段
を使用することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明がカメラに適用された場合の第１の実施
形態の構成図である。

【図２】（ａ）は、左右ラインセンサで得られた画像信
号と受光データ記憶部に記憶される画像データとの関係
についての説明図であり、（ｂ）は、別の複数領域によ
るそれらの関係についての説明図である。

【図３】第１の測距シーケンスを示すフローチャートで
ある。

【図４】本発明がカメラに適用された場合の第２の実施
形態の構成図である。

【図５】第２の測距シーケンスを示すフローチャートで
ある。

【図６】第１の測距シーケンスに対して、電荷蓄積の動
作のタイミングを変更したフローチャートである。

【図７】第１の測距シーケンスに対して、測距データの
信頼性を判定するステップ等が追加されたフローチャー
トである。

【符号の説明】

１カメラ２測距光学系３受光部４受光データ記憶部５，１５測距データ演算部６駆動信号生成部７駆動部８撮像部２１Ｌ左レンズ２１Ｒ右レンズ２２Ｌ左ミラー２２Ｒ右ミラー２３プリズム３１Ｌ左ラインセンサ３１Ｒ右ラインセンサ３２受光制御部３３取出制御部３４信号処理部４１Ｌ左メモリ４１Ｒ右メモリ５１読出制御部５２，１５２相関演算部５３，１５３距離演算部８１撮影レンズ８２フィルム

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】受光量に応じたレベルの受光信号を出力
する光電変換素子により構成される一対の光電変換素子
列と、前記一対の光電変換素子列に受光動作を行わせる
受光制御手段とを有し、前記一対の光電変換素子列の各
々における各素子で、測距対象からの光を受光して得ら
れる前記受光信号を用いて、前記測距対象までの距離を
測定する測距装置において、前記一対の光電変換素子列
の一方における複数の分割領域のうちの１領域に含まれ
る素子からの受光信号を、各領域毎に取り出すととも
に、他方の光電変換素子列に対し、前記一方の光電変換
素子列の複数の分割領域のうちの１領域に対応する領域
に含まれる素子からの受光信号を取り出す信号取出手段
と、前記信号取出手段により前記一対の光電変換素子列
の対応する各領域から取り出された受光信号を記憶する
記憶手段と、前記記憶手段に記憶された受光データを用
いて、前記距離に相当する測距データを算出する算出手
段とを備えたことを特徴とする測距装置。
【請求項２】前記受光制御手段は、前記信号取出手段
が前記複数の分割領域の全てに対して受光信号の取り出
しを終了した後に、前記一対の光電変換素子列に対して
受光動作を行わせるものであることを特徴とする請求項
１記載の測距装置。
【請求項３】前記受光制御手段は、前記複数の分割領
域の各領域に対する前記信号取出手段による受光信号の
取り出しが終了する毎に、前記一対の光電変換素子列に
対して受光動作を行わせるものであることを特徴とする
請求項１記載の測距装置。
【請求項４】前記複数の分割領域は、少なくとも２つ
以上であることを特徴とする請求項１記載の測距装置。
【請求項５】前記測距演算手段は、前記記憶手段に記
憶された受光データを更に複数の領域毎にそれぞれ読み
出して、各領域毎に前記測距演算を実行するものである
ことを特徴とする請求項１記載の測距装置。
【請求項６】前記測距演算手段は、前記一対の光電変
換素子列の各々における少なくとも１つの領域から前記
測距データが得られたときは、以降の前記測距演算の実
行を中止するものであることを特徴とする請求項４又は
５記載の測距装置。
【請求項７】前記信号取出手段は、前記一対の光電変
換素子列の各々における中央側の領域から前記受光信号
の取り出しを行うものであることを特徴とする請求項６
記載の測距装置。
【請求項８】前記記憶手段は、一対の記憶手段であ
り、前記一対の記憶手段は、それぞれ前記一対の光電変
換素子列の１領域内の素子数に対応した記憶容量を有す
るものであることを特徴とする請求項１記載の測距装
置。