JPH10326953A - 電子回路基板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】電子回路基板の電極の微細度を低下させること
なく、また、リペア耐性を低下させることなく、はんだ
接続用電極の変形や変色を防止して、良好な電極パター
ンを形成する。 【解決手段】はんだ接続用電極を有する電子回路基板に
おいて、前記はんだ接続用電極を構成する金属層５を、
はんだを構成する金属に容易に濡れ、かつはんだを構成
する金属と合金化もしくは金属間化合物を形成する第１
の金属と、前記はんだを構成する金属に容易に濡れず、
かつ溶出しない第２の金属と、炭素とを含有する金属で
構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、大形電子計算機に
用いられる電子回路基板とその製造方法にかかり、特
に、はんだ接続用電極を有する電子回路基板とその製造
方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】大型電子計算機をはじめとする電子回路
基板では、ＬＳＩなど多数の電子回路部品を搭載し、電
子回路を構成している。電子回路基板に電子回路部品を
搭載する構造として、たとえば、図７に示すものが提案
されている。

【０００３】すなわち、電子回路基板には、絶縁体１お
よび金属体２からなる基板１１上に、薄膜絶縁層１２、
薄膜配線層１３、薄膜絶縁層１４、を介して金属体２と
導通するはんだ接続用電極１５が形成され、このはんだ
接続用電極１５上に、はんだ７を介して電子回路部品４
１を接続するようにしたものである。

【０００４】このような構造においては、電子回路基板
に電子回路部品４１を搭載する場合、予め電子回路部品
４１側に形成されはんだ７の突起をはんだ接続用電極１
５上に載置し、加熱してはんだ７を溶融させ、はんだ７
をはんだ接続用電極１５に濡れさせた後、凝固させてい
る。このとき、はんだ７とはんだ接続用電極１５の間に
は、はんだ７を構成する金属とはんだ接続用電極を構成
する金属の合金あるいは、金属間化合物が形成される。

【０００５】これらの電子回路部品は、電子回路基板に
搭載した後、電子回路の論理変更や、不良部品の交換な
どのため、電子回路基板から取外し、別の電子回路部品
を搭載（リペア）する可能性がある。このリペアの際に
は、電子回路基板と電子回路部品を接続しているはんだ
を加熱して再溶融させ、電子回路基板から電子回路部品
を取外し、さらに、はんだ接続用電極上に残るはんだを
除去する必要がある。

【０００６】このため、電子回路部品のリペアを行なう
度に、はんだと合金化あるいは金属間化合物を形成した
はんだ接続用電極の一部がはんだと共に除去されること
になる。そして、リペアを繰り返すことにより、はんだ
接続用電極は次第にその膜厚を減らし、最終的には消失
することになる。はんだ接続用電極が消失すると、電子
回路部品を搭載することは不可能になる。

【０００７】このような問題を未然に防止するには、は
んだ接続用電極をリペアの許容回数で消費される厚さよ
り十分に厚い金属層として形成しておくことが挙げられ
る。

【０００８】一方、近年の大型電子計算機においては、
電子回路部品の配線の高密度化、あるいは電子回路部品
を伝播する信号の高速化が進んでおり、その電子回路部
品を搭載する電子回路基板も、電子回路部品の性能に見
合った高密度、低抵抗配線を要求されている。

【０００９】また、電子回路基板の配線パターンや、は
んだ接続用電極を構成する金属膜の形成方法に関して
も、不純物混入の可能性が比較的高く、また、ウエット
プロセスであるが故に各種の不良の因子と成り得るめっ
き法に代わって、スパッタリングや蒸着などの物理蒸着
法あるいは化学蒸着法を用いることが要求されるように
なってきた。

【００１０】前記スパッタリング法などにより形成した
膜の残留応力は、めっき法などにより形成した膜の残留
応力に比べ非常に大きいため、膜厚を厚くすると、膜の
端部に大きな張力が発生するため、近接する基板などに
割れが生じる危険性がある。また、スパッタリング法に
よる成膜速度は、めっき法による成膜速度に比較して遅
いため、同じ膜厚を得ようとすると生産性が低下する。

【００１１】したがって、スパッタリング法ではんだ接
続用電極を形成する場合、はんだ接続用電極を厚くし
て、リペアの許容回数を大きくすることは困難である。

【００１２】このような問題を解決するものとして、た
とえば、特開平６−７７２８６号公報に開示されたはん
だ接続用金属層が提案されている。このはんだ接続用金
属層は、たとえば、ＮｉとＷの組成比が９３ａｔ％対７
ａｔ％のＮｉ−Ｗ合金で構成され、微量不純物として
０．００１５重量％の炭素を含有している。

【００１３】このはんだ接続用金属層は、その厚さを増
加させることなく、リペアの許容回数を大幅に増加さ
せ、かつ良好なはんだ接続を行なうことができる。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】このような電子回路基
板のはんだ接続用電極は、図８に示す工程で形成され
る。 （ａ）に示すように、基板１１は、ガラスマトリ
ックスと分散粒子から成るガラスセラミックスで構成さ
れた絶縁体１に、Ｃｕからなる金属体２で所要の回路パ
ターンが形成されている。

【００１５】（ｂ）に示すように、前記基板１１上にポ
リイミドなどの絶縁材料からなる第１の薄膜絶縁層１２
を形成する。（ｃ）に示すように、第１の薄膜絶縁層１
２の上に第１の薄膜配線層１３を形成する。（ｄ）に示
すように、第１の薄膜配線層の上に、ポリイミドなどの
絶縁材料からなる第２の薄膜絶縁層１４を形成する。

【００１６】（ｅ）に示すように、スパッタリング法に
より、基板１１の全面に、Ｎｉ−Ｗ合金のはんだ接続用
金属層５を形成する。（ｆ）に示すように、たとえば、
酸系エッチング液に対して耐久性がある環化ゴム系のネ
ガ型レジストを塗布し、フォトリソグラフィプロセスを
用いることにより、レジストパターン６を形成する。

【００１７】（ｇ）に示すように、硝酸およびフッ化ア
ンモニウムを含有する酸系のエッチング液を使用しては
んだ接続用金属層５のウエットエッチングを行ない、は
んだ接続用金属層５の不要部分を除去する。（ｈ）に示
すように、レジストを剥離して、はんだ接続用電極１５
を形成する。なお、露出したはんだ接続用電極１５上
に、はんだの濡れ性を確保するための無電解Ａｕめっき
を施してもよい。

【００１８】前記（ｇ）工程において使用されるエッチ
ング液は、有機物に対する浸透性が非常に強く、レジス
ト材にも容易に浸透する。このため、レジスト材とし
て、酸に対する耐食性が高く、かつ前記エッチング液の
浸透性が比較的低いものを選択しているが、このような
レジスト材を用いても、エッチング液の浸透を完全に抑
えることはできない。

【００１９】このため、図９の（ａ）に示すように、第
１の薄膜配線層１３上に、第２の薄膜絶縁層１４と、は
んだ接続用金属層５が形成され、さらにその上にレジス
トパターン６の形成が完了した状態で、基板をエッチン
グ液に浸漬すると、（ｂ）に示すように、はんだ接続用
金属層５のエッチングが行なわれると同時に、エッチン
グ液８がレジストパターン６内に浸透して、エッチング
液の浸透層２３が形成される。この浸透層２３の深さ
は、基板をエチング液８に浸漬している時間に比例して
深くなる。

【００２０】そして、（ｃ）に示すように、はんだ接続
用金属層５のエッチングが完了する頃には、エッチング
液８の一部がレジストパターン８を透過してレジストパ
ターン６の下にあるはんだ接続用金属層５の一部を溶解
することがある。このように、レジストパターン６の下
にあるはんだ接続用金属層５が溶解されると、はんだ接
続用電極の形状不良となる。

【００２１】エッチング液がレジストパターンに浸透
し、レジストパターンの下にある金属層を腐食し始める
までの時間（以下、浸透時間という）は、レジストパタ
ーンの厚さに対して図１０の（ａ）に示すような関係に
ある。すなわち、レジストパターンが厚くなるほど浸透
時間が長くなる。したがって、はんだ接続用電極の形状
不良の発生を防止する最も簡単な方法は、レジストパタ
ーンの膜厚を厚くすることである。

【００２２】しかし、レジストパターンの膜厚は、図１
０の（ｂ）に示すように、加工限界寸法（以下、解像度
という）と密接に関係しており、微細な配線構造が要求
される電子回路基板の加工においては、レジストパター
ンの膜厚を厚くすることはできない。

【００２３】しかも、レジスト材自体の特性上、塗布可
能な膜厚には限界がある。たとえ膜厚を厚く塗布したと
しても、図１０の（ｃ）に示すように、同一基板内の膜
厚のばらつきが大きくなり、基板全面に亘って良好な加
工を行なうことができなくなる。

【００２４】また、Ｎｉ−Ｗ合金の薄膜ではんだ接続用
電極を形成した場合、その薄膜は、基本的に引っ張り応
力を有し、その大きさは膜厚に比例する。そして、はん
だ接続用電極の周縁部直下にある下地に張力が作用す
る。このため、はんだ接続用電極の膜厚を厚くすると、
図１１に示すように、はんだ接続用電極１５の直下の下
地を形成する薄膜絶縁層１２に、クラック１２１が発生
する危険性がある。

【００２５】上記の事情に鑑み、本発明の目的は、はん
だ接続用金属層をフォトリソグラフィ法を用いて加工さ
れたはんだ接続用電極を有する電子回路基板において、
パターンの解像度を低下させることなく、はんだ接続用
電極の形状不良の発生を防止することができる電子回路
基板およびその製造方法を提供することにある。

【００２６】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本願の第１、第２の発明は、はんだ接続用電極を構
成する金属層を、はんだを構成する金属に容易に濡れ、
かつはんだを構成する金属と合金化もしくは金属間化合
物を形成する第１の金属と、前記はんだを構成する金属
に容易に濡れず、かつ溶出しない第２の金属と、炭素と
を含有する金属で構成した。

【００２７】また、本願の第３の発明は、前記金属層の
炭素含有量を、０．００５重量％以上１０重量％以下と
した。

【００２８】また、本願の第４の発明は、前記金属層を
構成する第１の金属をＮｉとし、第２の金属をＷとし
て、Ｎｉ−Ｗ合金で構成した。

【００２９】また、本願の第５の発明は、前記第１の金
属Ｎｉと、第２の金属Ｗとの組成比を、２０ａｔ％≦Ｎ
ｉ＜１００ａｔ％、０＜Ｗ≦８０ａｔ％とした。

【００３０】また、本願の第６、第７の発明は、はんだ
接続用電極を構成する金属層を、はんだを構成する金属
に容易に濡れ、かつはんだを構成する金属と合金化もし
くは金属間化合物を形成する第１の金属と、前記はんだ
を構成する金属に容易に濡れず、かつ溶出しない第２の
金属と、炭素とを含有する金属で形成する。

【００３１】また、本願の第８の発明は、前記金属層を
炭素含有量が、０．００５重量％以上１０重量％以下の
金属で形成する。

【００３２】また、本願の第９の発明は、前記金属層を
構成する第１の金属をＮｉとし、第２の金属をＷとし
て、Ｎｉ−Ｗ合金で形成する。

【００３３】さらに、はんだ接続用電極を、前記第１の
金属Ｎｉと、第２の金属Ｗとの組成比を、２０ａｔ％≦
Ｎｉ＜１００ａｔ％、０＜Ｗ≦８０ａｔ％としたＮｉ−
Ｗ合金で形成する。

【００３４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図１は、本発明にかかるはんだ接
続用金属層のエッチング工程を示す工程図である。な
お、電子回路基板全体の製造工程は、前記図８に開示し
た工程と同じである。

【００３５】同図において、１３は第１の薄膜配線層。
１４は第２の薄膜絶縁層。５ははんだ接続用金属層。６
はレジストパターンである。

【００３６】第１の薄膜配線層１３は、スパッタリング
法で基板全面に亘って積層成膜されたＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ
からなる積層膜をウエットエッチングして形成されてい
る。積層膜のそれぞれの膜厚は、０．０７５μｍ、３μ
ｍ、０．０７５μｍである。

【００３７】第２の薄膜絶縁層１４は、ワニス状態のポ
リイミド前駆体を基板上に滴下し、これをスピン回転機
により基板上に均一に塗布し、ついで、プリベークを実
施した後、レジストとしてポジ型レジストを用い、エッ
チング液としてアルカリ性の現像液を用いたフォトリソ
グラフィ方式により、ポリイミドにスルーホールを形成
し、レジストを剥離し、さらに、加熱してポリイミドの
膜を硬化させることにより形成する。

【００３８】はんだ接続用金属層５は、Ｎｉ、Ｗおよび
炭素により構成され、たとえば、プレーナマグネトロン
方式のスパッタリング装置を用い、スパッタリング時の
Ａｒガス圧力０．４Ｐａ、放電電力はＲＦ１．０ＫＷの
成膜条件で、厚さ２μｍに成膜されている。このはんだ
接続用金属層５のＮｉとＷの組成比は、２０≦Ｎｉ≦１
００ａｔ％、０≦Ｗ≦８０ａｔ％で、０．００５重量％
以上１０重量％以下の炭素を含有している。

【００３９】レジストパターン６は、環化ゴム系のネガ
形レジストをはんだ接続用金属層５の上に滴下し、基板
を高速で回転させることによりはんだ接続用金属層５の
上に均一に塗布する。レジスト材は、平坦な部分での厚
さＴが６μｍとなる厚さとした。このとき、第２の薄膜
絶縁層１４のスルーホールの上部におけるレジスト材の
厚さｔは３μｍ程度になる。ついで、露光、現像など、
フトリソグラフィプロセスを経て形成される。

【００４０】このようにして、はんだ接続用金属層５の
上にレジストパターン６が形成された基板を、図１の
（ｂ）に示すように、硝酸およびフッ化アンモニウムを
含む酸系の水溶液で構成されるエッチング液８ないに浸
漬し、基板の表面にたいし水平方向に振幅５ｃｍ、周波
数０．５Ｈｚの揺動を行なった。

【００４１】このエッチング時間は、露出しているはん
だ接続用金属層５をエッチングし終わるのに必要な時間
（以下、ジャストエッチング時間）に、膜残りを未然に
防止するための時間（ジャストエッチング時間の１０％
程度）加算した時間とする。

【００４２】図２は、はんだ接続用金属層のエッチング
速度を比較したものであり、５１は本願発明によるはん
だ接続用金属層を構成する合金、すなわち、Ｎｉ、Ｗお
よび炭素からなり、ＮｉとＷの組成比が９３ａｔ％：７
ａｔ％で、０．０６重量％の炭素を含有するＮｉ−Ｗ合
金のエッチング特性を示す。５２は従来のはんだ接続用
金属層を構成する合金、すなわち、ＮｉとＷからなり、
ＮｉとＷの組成比が９３ａｔ％対７ａｔ％で、微量不純
物として０．００１５重量％の炭素を含有するＮｉ−Ｗ
合金のエッチング特性を示す。

【００４３】同図から明らかなように、従来のはんだ接
続用金属層を形成する合金のエッチング速度は、６．０
ｎｍ／ｓｅｃであり、厚さ２μｍのはんだ接続用金属層
をエッチングするのに３３０秒要し、エッチング時間と
しては３６５秒必要になる。このため、前記図１０
（ｃ）に示すようにエッチング液がレジストパターンを
透過してはんだ接続要金属層を腐食することになる。

【００４４】一方、図２に符号５１で示すように、Ｎｉ
−Ｗ合金に所定量の炭素を含む合金のエッチング速度
は、８．５ｎｍ／ｓｅｃであり、従来のＮｉ−Ｗ合金に
比べ４０％ほどエッチング速度が早くなっているため、
厚さ２μｍのはんだ接続用金属層５を溶解するのに２３
５秒で済むことになる。この時間に、約１０％の余裕時
間を加え、２６０秒（４分２０秒）をエッチング時間と
して設定する。

【００４５】エッチング液に浸漬すると、エッチング液
８は、レジストパターン８内に浸透していく。しかし、
前記図１１（ａ）に示すように、厚さ３μｍのレジスト
パターン６をエッチング液が透過するのに５分かかる。

【００４６】したがって、図１の（ｃ）に示すように、
エッチング液８がレジストパターン６を透過する前に、
はんだ接続用金属層５の露出部分のエッチングが終了す
るため、レジストパターン６に覆われたはんだ接続用金
属層５が、エッチング液８に腐食される前にエッチング
を完了することができる。そして、レジストパターン６
を除去することにより、はんだ接続用電極を形成する。

【００４７】図３は、はんだ接続用電極のエッチング特
性の炭素含有量依存性を示すもので、同図において、３
１は、ＮｉとＷの組成比が９３ａｔ％：７ａｔ％で、
０．０００４重量％の炭素を含有し、溶解方式により製
造されたスパッタリングターゲットにより形成された合
金薄膜。なお、この炭素量は、微量不純物として合金中
に混入したものである。

【００４８】３２は、ＮｉとＷの組成比が９３ａｔ％：
７ａｔ％で、０．０４重量％の炭素を含有し、溶解方式
により製造されたスパッタリングターゲットにより形成
された合金薄膜。３１は、ＮｉとＷの組成比が９３ａｔ
％：７ａｔ％で、０．０６重量％の炭素を含有し、粉末
焼結方式により製造されたスパッタリングターゲットに
より形成された合金薄膜。３２は、ＮｉとＷの組成比が
９３ａｔ％：７ａｔ％で、０．４５重量％の炭素を含有
し、溶解方式により製造されたスパッタリングターゲッ
トにより形成された合金薄膜。

【００４９】同図から明らかなように、合金薄膜のエッ
チング速度は、スパッタリングターゲットの製造方法に
関係なく、Ｎｉ−Ｗ合金に含まれる炭素の量に依存し、
炭素の含有量が多くなるほどエッチング速度が大きくな
っている。

【００５０】すなわち、Ｎｉ−Ｗ合金は、純Ｎｉの結晶
格子が本来有する面心立方構造の一部の格子点がＷに置
換された置換形固溶体を形成する。Ｎｉ−Ｗ合金に炭素
を含有させることにより、金属中の一部に化合物ＮｉＣ
あるいは、炭素侵入形の固溶体を形成する。

【００５１】この物質は、薄膜の結晶成長を阻むもの
で、膜内では結晶粒の粒界近傍に偏在する。そしてこの
物質は、純粋なＮｉ−Ｗ合金に比べ、前記エッチング液
に溶けやすい性質を持つため、エッチング液に浸漬した
際、他の部分に比べ早くエッチングされる結果、膜全体
としてのエッチング速度を早くすることができる。

【００５２】図４は、はんだ接続用金属層が含有する炭
素の深さ方向の濃度勾配を比較したものであり、６１は
本願発明のＮｉ−Ｗ合金、６２は従来のＮｉ−Ｗ合金で
ある。なお、測定は、ＳＩＭＳ（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ
Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）によ
る。

【００５３】同図から明らかなように、本願発明におけ
るＮｉ−Ｗ合金からなるはんだ接続用金属層は、従来の
Ｎｉ−Ｗ合金からなるはんだ接続用金属層に比べ、深さ
方向全体に亘って１０倍以上の炭素を含有している。

【００５４】図５は、はんだ接続用電極へのはんだの拡
散状態を示すものである。同図において、１５ははんだ
接続用電極。７ははんだ。７１ははんだ７がはんだ接続
用電極に拡散した拡散層である。

【００５５】はんだ接続した場合に、図示したように、
はんだ７の一部がはんだ接続電極１５内に拡散するが、
同時に、はんだ接続用電極の一部もはんだ７内に拡散す
る。そして、この拡散距離ｌが大きいほど互いの拡散量
が多くなる。したがって、拡散距離ｌが小さいほどはん
だ接続用電極１５のリペア耐性が良好であると判断する
ことができる。

【００５６】図６は、はんだ接続用電極の炭素含有量と
はんだ拡散距離の相関を示すものである。なお、はんだ
接続条件としては、加熱温度２４０℃、加熱時間１０
分、使用したはんだの組成は、Ｓｎ９７ａｔ％、Ａｇ３
ａｔ％である。

【００５７】同図から明らかなように、はんだ接続用電
極の炭素の含有量が、０．００５重量％以上０．１重量
％未満の領域においては、炭素含有量の差による拡散距
離の差はなく、はんだ接続用電極に炭素を含有させても
リペア耐性に関しては同等である。炭素含有量が０．１
重量％以上のものについては、はんだの拡散距離が小さ
くなり、リペア耐性が向上する。

【００５８】なお、上記の実施の形態では、はんだ接続
用金属層の成膜方法として、炭素を含有したＮｉ−Ｗ合
金をターゲットとしたスパッタリング成膜について説明
したが、複数のターゲットから同時に成膜することが可
能な、たとえば、２次元同時スパッタリング装置と、Ｎ
ｉターゲットとＷターゲット（ただしいずれかのターゲ
ットに炭素を含有させる）を用い、はんだ接続用金属層
が所望の組成になるように、それぞれに打ち込むＡｒイ
オンビーム量を制御するようにしてもよい。

【００５９】また、スパッタリング法以外の、真空蒸着
法や、化学蒸着法によって成膜してもよい。

【００６０】前記はんだ接続用金属層５の組成比は、リ
ペア回数の点から、Ｗの組成比が０＜Ｗ≦１５ａｔ％の
範囲が好ましい。このような組成とする場合、Ｗの組成
比が０≦Ｗ≦６ａｔ％のとき、Ｎｉ−Ｗ合金は室温で強
磁性を示すので、Ｎｉ−Ｗ合金から成るスパッタリング
ターゲットを用いて、プレーナマグネトロン方式のスパ
ッタリング装置で成膜するには、スパッタリング装置の
磁石の磁場が前記スパッタリングターゲット内に閉じ込
められないように、強力な磁場を発生する磁石を設ける
必要がある。

【００６１】また、薄膜材料の供給源としてのスパッタ
リングターゲットには、Ｎｉ、Ｗおよび炭素で構成さ
れ、Ｎｉ、Ｗおよび炭素の微細な粉末を均等に混ぜ、そ
れを加圧、焼成して板上に形成する粉末焼結法により製
造するか、それらを不活性ガス中で溶融させた後冷却、
固化させる溶解法で製造することができる。

【００６２】

【発明の効果】以上述べたごとく、本発明によれば、は
んだ接続用電極を形成するＮｉ−Ｗ合金に炭素を含有さ
せることにより、ウエットエッチングによるエッチング
速度を制御するようにしたので、電子回路基板の電極の
微細度を低下させることなく、また、リペア耐性を低下
させることなく、はんだ接続用電極の変形や変色を防止
して、良好な電極パターンを形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるはんだ接続用金属層のエッチング
工程を示す工程図。

【図２】はんだ接続用金属層のエッチング時間とエッチ
ング量の関係を示す特性図。

【図３】はんだ接続用金属層の炭素含有量とエッチング
速度の関係を示す特性図。

【図４】はんだ接続用金属層中の炭素含有量の分布を示
す特性図。

【図５】はんだ接続用金属層へのはんだの拡散状態を示
す模式図。

【図６】はんだ接続用金属層の炭素含有量とはんだの拡
散距離を示す特性図。

【図７】電子回路基板におけるはんだ接続構造を示す拡
大図。

【図８】電子回路基板の製造工程を示す工程図。

【図９】はんだ接続用金属層のエッチング工程を示す工
程図。

【図１０】レジストの膜厚とエッチング液の浸透時間、
加工限界寸法、基板内での膜厚のばらつきの関係を示す
特性図。

【図１１】はんだ接続用金属層の残留応力による下地の
破壊状態を示す模式図。

【符号の説明】

５…はんだ接続用金属層、６…レジストパターン、７…
はんだ、１１…基板、１２…薄膜絶縁層、１３…薄膜配
線層、１４…薄膜絶縁層、１５…はんだ接続用電極、４
１…電子部品。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 釼持 秋広 神奈川県秦野市堀山１番地 株式会社日立 製作所汎用コンピュータ事業部内 (72)発明者 手呂内 俊郎 神奈川県秦野市堀山１番地 株式会社日立 製作所汎用コンピュータ事業部内 (72)発明者 遊喜 芳文 神奈川県秦野市堀山１番地 株式会社日立 製作所汎用コンピュータ事業部内

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】はんだ接続用電極を有する電子回路基板に
   おいて、前記はんだ接続用電極を構成する金属層が、は
   んだを構成する金属に容易に濡れ、かつはんだを構成す
   る金属と合金化もしくは金属間化合物を形成する第１の
   金属と、前記はんだを構成する金属に容易に濡れず、か
   つ溶出しない第２の金属と、炭素とを含有する金属で構
   成されていることを特徴とする電子回路基板。
2. 【請求項２】はんだ接続用の金属層の少なくとも一部を
   薬液に溶解することにより形成されたはんだ接続用電極
   を有する電子回路基板において、前記はんだ接続用電極
   を構成する金属層が、はんだを構成する金属に容易に濡
   れ、かつはんだを構成する金属と合金化もしくは金属間
   化合物を形成する第１の金属と、前記はんだを構成する
   金属に容易に濡れず、かつ溶出しない第２の金属と、炭
   素とを含有する金属で構成されていることを特徴とする
   電子回路基板。
3. 【請求項３】前記金属層の炭素含有量が、０．００５重
   量％以上１０重量％以下であることを特徴とする請求項
   １もしくは請求項２に記載の電子回路基板。
4. 【請求項４】前記金属層を構成する第１の金属をＮｉと
   し、第２の金属をＷとして、Ｎｉ−Ｗ合金で構成したこ
   とを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記
   載の電子回路基板。
5. 【請求項５】前記金属層を構成する前記第１の金属Ｎｉ
   と、第２の金属Ｗとの組成比を、２０ａｔ％≦Ｎｉ＜１
   ００ａｔ％、０＜Ｗ≦８０ａｔ％としたことを特徴とす
   る請求項４に記載の電子回路基板。
6. 【請求項６】はんだ接続用電極を有する電子回路基板の
   製造方法において、前記はんだ接続用電極を構成する金
   属層を、はんだを構成する金属に容易に濡れ、かつはん
   だを構成する金属と合金化もしくは金属間化合物を形成
   する第１の金属と、前記はんだを構成する金属に容易に
   濡れず、かつ溶出しない第２の金属と、炭素とを含有す
   る金属で形成することを特徴とする電子回路基板の製造
   方法。
7. 【請求項７】はんだ接続用の金属層の少なくとも一部を
   薬液に溶解することにより形成されたはんだ接続用電極
   を有する電子回路基板の製造方法において、前記はんだ
   接続用電極を構成する金属層を、はんだを構成する金属
   に容易に濡れ、かつはんだを構成する金属と合金化もし
   くは金属間化合物を形成する第１の金属と、前記はんだ
   を構成する金属に容易に濡れず、かつ溶出しない第２の
   金属と、炭素とを含有する金属で形成することを特徴と
   する電子回路基板の製造方法。
8. 【請求項８】前記金属層を炭素含有量が、０．００５重
   量％以上１０重量％以下の金属で形成することを特徴と
   する請求項６もしくは請求項７に記載の電子回路基板の
   製造方法。
9. 【請求項９】前記金属層を構成する第１の金属をＮｉと
   し、第２の金属をＷとして、Ｎｉ−Ｗ合金で形成するこ
   とを特徴とする請求項６ないし請求項８のいずれかに記
   載の電子回路基板の製造方法。
10. 【請求項１０】前記金属層を構成する前記第１の金属Ｎ
    ｉと、第２の金属Ｗとの組成比を、２０ａｔ％≦Ｎｉ＜
    １００ａｔ％、０＜Ｗ≦８０ａｔ％としたＮｉ−Ｗ合金
    で形成することを特徴とする請求項９に記載の電子回路
    基板。