JPH10326855A - Lead frame and semiconductor device using the same - Google Patents

Lead frame and semiconductor device using the same

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JPH10326855A
JPH10326855A JP9135367A JP13536797A JPH10326855A JP H10326855 A JPH10326855 A JP H10326855A JP 9135367 A JP9135367 A JP 9135367A JP 13536797 A JP13536797 A JP 13536797A JP H10326855 A JPH10326855 A JP H10326855A
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JP
Japan
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lead
dam bar
pitch
lead frame
punch
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Application number
JP9135367A
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Japanese (ja)
Inventor
Tadahiro Nakamichi
忠弘 中道
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
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    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
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    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a lead frame which can cope with reduction in the width of an outer lead accompanied with fabrication of multi pin structure, in lead frames for resin packaged semiconductor device, etc. SOLUTION: Dam bar parts are formed noncontinuously to connect leads with each other. Dam bars 8 for connecting outer leads 7 with each other are formed not linearly but staggeredly. Thus, thanks to the staggered arrangement rather than a linear arrangement, a pitch of a dam bar 8 becomes two times larger than that of the conventional linear arrangement. Therefore, a punch for punching out a dam bar and a die pocket for removing metallic pieces of separated dam bar may be arranged staggeredly at a pitch two times larger than conventionally, thereby realizing such a structure that the punch and receiving mould can work easily.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は樹脂封止型半導体装
置等のリードフレームに関する。
The present invention relates to a lead frame for a resin-encapsulated semiconductor device or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】リードフレームを用いた半導体装置とし
ては、周知のように集積回路が形成された半導体チップ
をリードフレームのアイランドに接着剤などにより取り
付け、半導体チップ上の複数の電極パッドとこれに対応
したリードとを金属細線で接続し、次いで半導体チップ
とその周辺を合成樹脂などにより一体的に樹脂成型して
封止する。樹脂成型されたパッケージの外側において、
各リードを電気的に独立させるために、最初にダムバー
と呼ばれるリードとリードとの接続部を切り離した後、
次にリードフレームの外枠から切り離し、必要に応じて
リードを適宜折り曲げや切断して、半導体装置を製造し
ている。
2. Description of the Related Art As a semiconductor device using a lead frame, as is well known, a semiconductor chip on which an integrated circuit is formed is attached to an island of the lead frame with an adhesive or the like, and a plurality of electrode pads on the semiconductor chip and a plurality of electrode pads are formed. The corresponding leads are connected by thin metal wires, and then the semiconductor chip and its periphery are integrally molded with a synthetic resin or the like and sealed. On the outside of the resin molded package,
In order to make each lead electrically independent, first disconnect the connection between the lead called a dam bar and the lead,
Next, the semiconductor device is cut off from the outer frame of the lead frame, and the lead is appropriately bent or cut as necessary to manufacture a semiconductor device.

【0003】図4は従来における半導体装置用のリード
フレームの平面図である。
FIG. 4 is a plan view of a conventional lead frame for a semiconductor device.

【0004】ワイヤーホ゛ンタ゛ーにより、金属細線を電極パッド
と対応するリードに接続した後、モールド装置と呼ばれ
る樹脂封入装置を用いて図4におけるPの領域を樹脂封
入する。さらに、一般にダムバーと呼ばれるリードとリ
ードとの接続部分を打抜きパンチと受け型を用いたプレ
ス加工にて連続的にうちぬき、各リードをリードフレー
ムの外枠から切りはなすことで、各リードを電気的に独
立させた後、必要に応じてリードを適宜折り曲げや切断
して一個の半導体装置とする。
After connecting the fine metal wires to the leads corresponding to the electrode pads by a wire counter, the region P in FIG. 4 is sealed with a resin using a resin sealing device called a molding device. Furthermore, the connection between the leads, commonly called a dam bar, is punched out continuously by punching and pressing using a receiving die, and each lead is cut off from the outer frame of the lead frame to electrically connect each lead. After that, the leads are bent or cut as needed to form one semiconductor device.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の半
導体装置においては、最近のパッケージの多ピン化に伴
い、電極パッドとそれに対応したリード数が増加し、イ
ンナーリードの幅そのものとリードピッチが益々小さく
なる傾向にある。それにともない、アウターリードの幅
とピッチも益々小さくなる傾向にある。例えば、一般に
QFP(quard flat package)と呼ばれるパッケージにおい
てはその外形が28mm角の208ピンの場合には、アウ
ターリード幅が0.2mm,アウターリードピッチが0.5mm、
リードとリードとの間隔は0.3mmである。この場合にパ
ッケージ外形の1辺の長さ28mmの長さのなかに52ピ
ンのリードが配置されることとなり、リードとリードを
接続するダムバーを抜くためには,0.3mm長さで0.5mmピ
ッチの精度の高い打抜きパンチと受け型が要求されるこ
とが明白である。さらに、同一の外形でピン数を256
ピンとした場合にはアウターリード幅が0.15mm,アウタ
ーリードピッチが0.4mm、リードとリードとの間隔は0.2
5mmである。この場合にパッケージ外形の1辺の長さ2
8mmの長さのなかに64ピンのリードが配置されること
となり、リードとリードを接続するダムバーを抜くため
は,0.25mm長さで0.4mmピッチの精度の高い打抜きパンチ
と受け型が要求されることが明白である。ダムバーを打
抜く際には多数のリードをそのリード幅を損なうことな
く均等に打抜く必要があるために、打抜きパンチの高い
精度が要求されるのはもとより、ダムバーを打抜くとき
の受け型においても同じく高い精度を要求される。この
ようにリード幅が狭く、かつリードピッチが狭くなれば
なるほど、ダムバーと呼ばれるリードとリードとの接続
部分をプレスにて連続的にうち抜くには精度の高い打抜
きパンチと受け型が必要となり、金型の作成費用が益々
高価となり、且つその制作日数が益々長くなるという問
題を有していた。
In the conventional semiconductor device as described above, with the recent increase in the number of pins in the package, the number of electrode pads and the number of leads corresponding thereto increase, and the width of the inner lead itself and the lead pitch are increased. Tend to become smaller and smaller. Accordingly, the width and pitch of the outer leads also tend to become smaller. For example, in general
In a package called QFP (quard flat package), when the outer shape is 208 pins of 28 mm square, the outer lead width is 0.2 mm, the outer lead pitch is 0.5 mm,
The distance between the leads is 0.3 mm. In this case, a 52-pin lead is placed within a length of 28 mm on each side of the package outer shape. To remove the dam bar connecting the lead and the lead, a 0.5 mm pitch with a length of 0.3 mm is required. It is clear that a punch and a receiving die with high precision are required. Furthermore, the number of pins is 256 for the same outer shape.
When using pins, the outer lead width is 0.15 mm, the outer lead pitch is 0.4 mm, and the distance between leads is 0.2
5 mm. In this case, the length of one side of the package outer shape 2
A 64-pin lead will be placed in the length of 8 mm, and in order to remove the dam bar connecting the lead and lead, a punch with a precision of 0.25 mm long and 0.4 mm pitch and a receiving die are required. It is clear that When punching a dam bar, it is necessary to punch a large number of leads evenly without impairing the lead width, so high accuracy of the punch is required as well as a receiving die for punching a dam bar. High precision is also required. As the lead width becomes narrower and the lead pitch becomes narrower, a punch with high precision and a receiving die are required to continuously punch out the connection between the lead called a dam bar and the lead with a press, There has been a problem that the cost of making the mold becomes more expensive, and the number of production days becomes longer.

【0006】本発明は、上記のような問題点を解決すべ
くなされたもので、多ピン化に伴うアウターリード幅の
狭小化に対応できるリードフレームを提供することにあ
る。さらに、ダムバーと呼ばれるリードとリードとの接
続部分を精度良く、容易にプレスにて連続的にうちぬく
ことを提供することに有る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a lead frame capable of coping with a reduction in the outer lead width accompanying the increase in the number of pins. Another object of the present invention is to provide a method of easily and continuously pressing a lead-to-lead connection portion called a dam bar with high precision and ease.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を達成
するためになされたものである。請求項1に記載のリー
ドフレームは、半導体素子を搭載するためのアイランド
とこのアイランドの周囲に先端が集まるように配置され
た複数のリードとを有するリードフレームにおいて、少
なくともその1辺のリードとリードとを接続する接続部
分が直線的ではなく、少なくとも1つおきにずれている
ことを特徴とする。従って、例えばダムバーを連続的に
設計した場合には、パッケージの外形が28mm角の20
8ピンの場合には、アウターリード幅が0.2mm、アウタ
ーリードピッチは0.5mmであるので、ダムバーの打抜き
パンチは0.5mmピッチの精度を要するのに対して、本発
明のごとくダムバーを1つ置きに千鳥配置に設計した場
合には、ダムバーの打抜きパンチは2倍の1.0mmピッチ
の荒い精度でよいが、アウターリード幅0.2mm、アウタ
ーリードピッチは0.5mmの同一パッケージを製造するこ
とが可能である。よって、リードとリードを接続するダ
ムバーを打抜くための打抜きパンチのピッチは0.5mmで
はなく、2倍のピッチ1.0mmであればよく、すなわちパ
ンチとパンチとの間隔を2倍にとれるということであ
る。よって、打抜きパンチ精度をパンチそのものの寸法
精度とパンチ間のピッチとに分けて考えれば、パンチ間
のピッチは2倍となり、その加工精度が半分に低減され
ることが明白である。したがって、金型の作成費用を低
減することが可能であり、且つその制作日数を短縮する
ことが可能である。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to achieve the above object. 2. The lead frame according to claim 1, wherein the lead frame comprises an island for mounting a semiconductor element and a plurality of leads arranged so that the tips gather around the island. Are connected not linearly but at least every other one. Therefore, for example, when dam bars are continuously designed, the outer shape of the package is 20 mm square.
In the case of 8 pins, since the outer lead width is 0.2 mm and the outer lead pitch is 0.5 mm, the punching of the dam bar requires an accuracy of 0.5 mm pitch. In the case of a staggered design, the punching of the dam bar is twice as rough as 1.0mm pitch, but the same package with outer lead width of 0.2mm and outer lead pitch of 0.5mm can be manufactured. It is possible. Therefore, the pitch of the punch for punching the dam bar connecting the leads is not 0.5 mm but a double pitch of 1.0 mm, that is, the interval between the punches can be doubled. is there. Therefore, if the punching accuracy is divided into the dimensional accuracy of the punch itself and the pitch between the punches, it is clear that the pitch between the punches is doubled and the processing accuracy is reduced by half. Therefore, it is possible to reduce the cost of producing the mold and shorten the number of production days.

【0008】また、本発明における半導体装置は、請求
項2に記載の如く、請求項1記載のリードフレームと、
複数の電極パッドを有する半導体チップと、前記電極パ
ッドと前記リードフレームの各々のリードとを接続する
金属細線と、前記半導体及び前記金属細線及び一部の前
記リードを封止する封止部と、を有することを特徴とす
る。従って、打抜きパンチのピッチは2倍であることか
ら、パッケージの製造工程においては、トリミングと呼
ばれるダムバーの打抜き装置および打抜きパンチと受け
型の保守が容易になる。例えば、ダムバーが連続的に設
計された従来のリードフレームの場合に、28mm角の2
08ピンの場合には、アウターリード幅が0.2mm、,ア
ウターリードピッチは0.5mm、リードとリードの間隔つ
まりダムバーの長さは0.3mmであるから、打抜く際には
0.3mm長さのダムバーが連続的に金属屑となってリード
から切り離されるために、受け型の貫通穴に落下し、途
中付着することなく、連続的に真空など利用して1つ残
らず完全に除去しなければならない。一度打抜かれたダ
ムバーが受型上に残れば、連続的に搬送される次のパッ
ケージのリードに付着したり、リードの形状を損なうな
ど害を及ぼす他、打抜きパンチや受け型そのものの消耗
を促進することとなる。このように、パッケージの製造
工程においては、トリミング装置と呼ばれるダムバーの
打抜き装置および打抜きパンチと受け型の保守が容易で
ないことは周知の事実である。したがって、本発明によ
れば、打抜きパンチのピッチが2倍となるので、切り離
されたダムバーの金属屑は完全に除去しやすい構造とな
り、半導体製造工程において、トリミングと呼ばれるダ
ムバーの打抜き装置および打抜きパンチと受け型の保守
が容易となり、保守のための工数は低減し、製造単価の
低減を図ることができる。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device comprising: the lead frame according to the first aspect;
A semiconductor chip having a plurality of electrode pads, a thin metal wire connecting the electrode pad and each lead of the lead frame, a sealing portion for sealing the semiconductor and the thin metal wire and some of the leads, It is characterized by having. Therefore, since the pitch of the punches is doubled, in the package manufacturing process, the maintenance of the dam bar punching device called trimming and the punches and receiving dies are facilitated. For example, in the case of a conventional lead frame in which a dam bar is designed continuously, a 28 mm square 2
In the case of 08 pins, the outer lead width is 0.2 mm, the outer lead pitch is 0.5 mm, and the distance between the leads, that is, the length of the dam bar is 0.3 mm.
Since the 0.3mm long dam bar is continuously cut off from the lead as metal scrap, it falls into the through hole of the receiving mold and does not adhere on the way. Must be removed. If the dam bar once punched remains on the receiving mold, it will cause harm, such as attaching to the lead of the next package that is continuously transported, damaging the shape of the lead, and promoting consumption of the punch and the receiving die itself. Will be done. As described above, it is a well-known fact that it is not easy to maintain a dam bar punching device called a trimming device and a punching punch and a receiving mold in a package manufacturing process. Therefore, according to the present invention, the pitch of the punch is doubled, so that the metal waste of the separated dam bar can be easily removed completely. In the semiconductor manufacturing process, a dam bar punching device called a trimming and a punch punch are provided. In addition, the maintenance of the receiving mold becomes easy, the number of man-hours for maintenance is reduced, and the manufacturing unit price can be reduced.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】本発明の実施形態について、以下
の図面をもとに説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described with reference to the following drawings.

【0010】図1は本発明の第一の実施例で、半導体装
置に用いるリードフレームの平面図である。図1はその
一部を示している。実際には一定方向(同図では右方
向)に連続的に同じものが形成されて、長尺状になるよ
うに形成されている。1はリードフレーム外枠であり、
同図に示す上下及び左右の最端位置に示されている枠状
のものを指し、後に説明する内部の各々の部位を支持し
ている。また外枠のうち、同図の上下に位置する箇所に
は、搬送時の搬送用穴(スプロケットホール)が適宜設
けられている。2はアイランドであり、半導体チップが
載置かつ固定される場所である。このアイランドは外枠
からみてその内領域に位置するものであり、一般的には
リードフレームの中心位置にその一部(一般的には中央
部であるが、必ずしもそうとは限らない)が存在する。
3は吊りリードであり、外枠からアイランドに向けて伸
びてアイランドを支持する。本例ではアイランドの対称
位置となる角部4箇所がそれぞれ支持されるように、四
箇所設けてある。但し、この吊りリード3は角部4箇所
に設けなければならないという限定はなく、適宜設けれ
ばよい。この点はすでに周知の範囲を利用すればよい。
4はインナーリードであり、同図にも示すように複数設
けられ、外枠の4辺からアイランド方向に向けてそれぞ
れ延設されている。このリードは後に半導体チップが実
装されたときに半導体チップの各電極パッド5aと接続
されて、電気的に導通がとられるものである。通常、モ
ールド成形される領域pの内側のリードをインナーリー
ドとよび、領域pの外側に位置するリードをアウターリ
ードと呼ぶ。
FIG. 1 is a plan view of a lead frame used in a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention. FIG. 1 shows a part thereof. Actually, the same thing is formed continuously in a certain direction (right direction in the figure), and formed to be long. 1 is a lead frame outer frame,
It refers to a frame-shaped object shown at the top and bottom and left and right end positions shown in the same figure, and supports internal parts described later. In the outer frame, holes for transporting (sprocket holes) at the time of transport are appropriately provided at positions located above and below in the figure. An island 2 is a place where the semiconductor chip is mounted and fixed. This island is located in the inner area as viewed from the outer frame, and generally has a part (generally, but not necessarily, the center) at the center position of the lead frame. I do.
Reference numeral 3 denotes a suspension lead, which extends from the outer frame toward the island and supports the island. In this example, four corners are provided so as to be supported at four corners that are symmetrical positions of the island. However, there is no limitation that the suspension leads 3 must be provided at four corners, and they may be provided as appropriate. In this regard, a known range may be used.
Reference numeral 4 denotes an inner lead, which is provided in a plurality as shown in the figure, and extends from four sides of the outer frame toward the island, respectively. These leads are connected to the respective electrode pads 5a of the semiconductor chip when the semiconductor chip is mounted later, and are electrically connected. Usually, a lead inside the region p to be molded is called an inner lead, and a lead located outside the region p is called an outer lead.

【0011】そして各々のアウターリードとアウターリ
ードを接続するダムバーと呼ばれる部分を直線的ではな
く、千鳥形状に形成している。ダムバー8の幅は通常お
よそ0.2mmくらいである。従って、例えば、28mm角20
8ピンのプラスチックパッケージでは、アウターリード
幅が0.2mm、,アウターリードピッチは0.5mm、リードと
リードの間隔つまりダムバーの長さは0.3mmであるか
ら、千鳥形状に配列された内側のダムバーのピッチおよ
び外側のダムバーのピッチはリードピッチの2倍である
1.0mmとなり、切り離すダムバーの大きさは長さ0.3mm幅
0.2mmである。このように、ダムバーを直線的ではなく
千鳥形状に配置することで、ダムバーのピッチは従来の
図4のように直線的に配置したときのダムバーピッチに
比べ、2倍となる。したがって、ダムバーを打抜くため
の打抜きパンチのピッチと、切り離したダムバーの金属
屑を除去するために設ける受け型のポケットのピッチも
従来の2倍の千鳥配置で設ければ良いために、パンチと
受け型の加工ははるかに加工しやすい構造となる。
A portion called a dam bar connecting each outer lead is formed not in a straight line but in a staggered shape. The width of the dam bar 8 is usually about 0.2 mm. Therefore, for example, a 28 mm square 20
In an 8-pin plastic package, the outer lead width is 0.2 mm, the outer lead pitch is 0.5 mm, and the lead-to-lead spacing, that is, the length of the dam bar is 0.3 mm. The pitch and the pitch of the outer dam bar are twice the lead pitch
1.0mm, the size of the dam bar to be separated is 0.3mm long
0.2 mm. By arranging the dam bars in a staggered shape instead of linearly, the pitch of the dam bars is twice as large as the dam bar pitch when the dam bars are linearly arranged as shown in FIG. Accordingly, the pitch of the punch for punching the dam bar and the pitch of the pocket of the receiving mold provided for removing the metal dust of the separated dam bar may be provided in a staggered arrangement twice as large as the conventional one. The receiving die has a structure that is much easier to process.

【0012】図2は、本発明の第二の実施例で、半導体
装置に用いるリードフレームの平面図である。
FIG. 2 is a plan view of a lead frame used in a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention.

【0013】ダムバーはリードの延設方向にたいして、
直行する方向で3列で形成され、それぞれのリードを接
続している。この場合には、それぞれの列のダムバーの
ピッチは、リードピッチの3倍のピッチで設計されてい
るために、ダムバー打抜き工程に要する打抜きパンチと
受け型の加工はさらに容易となることが明らかである。
[0013] The dam bar extends in the direction in which the lead extends.
It is formed in three columns in a direction perpendicular to each other, and connects the respective leads. In this case, since the pitch of the dam bars in each row is designed to be three times the lead pitch, it is clear that the machining of the punches and the receiving dies required for the dam bar punching process is further facilitated. is there.

【0014】図3はダムバーを打抜く際のプレス工程の
断面図である。打抜きパンチ12の先端断面寸法は切り
離そうとするダムバー8の長さと幅を考慮して、例え
ば、28mm角208ピンのプラスチックパッケージでは0.
2mm幅の0.3mm長さとなり、ダムバーのピッチに合わせて
精度良く製作され、かつ、受け型10のポケット部とも
精度良く組み合うことが要求される。したがって、プラ
スチックパッケージの多ピン化と薄型狭小化にともな
い、打抜きパンチ12と受け型10のポケット部のピッ
チははますます小さくなり、より高度な加工精度を要求
されつつある。しかし、本発明によれば、上記ピッチを
大きくすることが可能であり、打抜きパンチ12と受け
型10の加工を容易とし、かつその製作日数を短縮を図
るものである。
FIG. 3 is a cross-sectional view of a pressing step for punching a dam bar. Considering the length and width of the dam bar 8 to be cut off, the tip cross-sectional dimension of the punch 12 is, for example, 0.2 mm in a 28 mm square 208 pin plastic package.
It is required to be 2 mm wide and 0.3 mm long, to be manufactured accurately according to the pitch of the dam bar, and to be accurately assembled with the pocket part of the receiving die 10. Therefore, with the increase in the number of pins and the reduction in thickness of the plastic package, the pitch between the punch 12 and the pocket portion of the receiving die 10 is becoming smaller and smaller, and higher processing accuracy is being demanded. However, according to the present invention, the pitch can be increased, the punching punch 12 and the receiving die 10 can be easily processed, and the number of manufacturing days can be reduced.

【0015】[0015]

【発明の効果】本発明によれば、リードフレームのリー
ド幅とリードピッチがいかに小さくあろうとも、リード
とリードを接続するダムバー部分が非連続的に形成され
ているために、その打抜き工程に要する打抜きパンチと
受け型の加工の容易性を提供すると共に、半導体装置の
製造工程に伴う保守性を向上させ、製造単価の低減に大
きく寄与する。
According to the present invention, no matter how small the lead width and lead pitch of the lead frame are, the dam bar portion connecting the leads is formed discontinuously, so that the punching process is not required. In addition to providing the required punching punch and the ease of processing of the receiving die, the maintainability associated with the semiconductor device manufacturing process is improved, and the manufacturing cost is greatly reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第一の実施例で、半導体装置用リード
フレームの平面図。
FIG. 1 is a plan view of a lead frame for a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第二の実施例で、半導体装置用リード
フレームの平面図。
FIG. 2 is a plan view of a lead frame for a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention.

【図3】従来技術の例で、半導体装置のダムバーの打抜
き工程の断面図。
FIG. 3 is a cross-sectional view of a step of punching out a dam bar of a semiconductor device in an example of the prior art.

【図4】従来技術の例で、半導体装置用リードフレーム
を示す図。 1 リードフレーム 2 アイランド 3 つりリード 4 インナーリード 5 ICチップ(半導体素子) 5a 電極パッド 6 金ワイヤ(金属細線) 7 アウターリード 8 ダムバー 8a ダムバー切断片 9 パッケージ 10 トリミング受け型 11 トリミング上型 12 トリミングパンチ 13 圧力
FIG. 4 is a view showing a lead frame for a semiconductor device in an example of the prior art. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Lead frame 2 Island 3 Hanging lead 4 Inner lead 5 IC chip (semiconductor element) 5a Electrode pad 6 Gold wire (fine metal wire) 7 Outer lead 8 Dam bar 8a Dam bar cut piece 9 Package 10 Trimming receiving mold 11 Trimming upper mold 12 Trimming punch 13 Pressure

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】半導体素子を搭載するためのアイランドと
このアイランドの周囲に先端が集まるように配置された
複数のリードとを有するリードフレームにおいて、少な
くともその1辺のリードとリードとを接続する接続部分
が直線的ではなく、少なくとも1つおきにずれているこ
とを特徴とするリードフレーム。
In a lead frame having an island for mounting a semiconductor element and a plurality of leads arranged so that the tips gather around the island, a connection for connecting at least one side of the lead to the lead. A lead frame, wherein the parts are not linear but are shifted at least every other one.
【請求項2】請求項1記載のリードフレームと、複数の
電極パッドを有する半導体チップと、前記電極パッドと
前記リードフレームの各々のリードとを接続する金属細
線と、前記半導体及び前記金属細線及び一部の前記リー
ドを封止する封止部とを有することを特徴とする半導体
装置。
2. The lead frame according to claim 1, a semiconductor chip having a plurality of electrode pads, a thin metal wire connecting the electrode pad and each lead of the lead frame, and the semiconductor and the thin metal wire. And a sealing portion for sealing some of the leads.
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