JPH10326786A - Method and device for manufacturing semiconductor and chip carrying jig - Google Patents

Method and device for manufacturing semiconductor and chip carrying jig

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JPH10326786A
JPH10326786A JP9135653A JP13565397A JPH10326786A JP H10326786 A JPH10326786 A JP H10326786A JP 9135653 A JP9135653 A JP 9135653A JP 13565397 A JP13565397 A JP 13565397A JP H10326786 A JPH10326786 A JP H10326786A
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chip
semiconductor chip
semiconductor
bonding
jig
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Shigehiko Yamamiya
重彦 山宮
Kazuhiro Seiki
和裕 清木
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Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Hitachi Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a stud bump bonding technology which can reduce the product cost by suppressing the capital investment. SOLUTION: A chip carrying jig comprises a base member 2b through which a plurality of base-side openings 2c having areas smaller than that of the main surface of a semiconductor chip are formed, a lid member 2d through which a plurality of lid-side openings 2e having areas smaller than that of the main surface of the chip are formed, a chip housing member 2f in which a plurality of chip housing openings 2g having areas slightly larger than that of the main surface of the chip are formed, connecting members 2h which detachably connect the lid member 2d, and a subbase member 2i to which the connecting members 2h are attached. A plurality of chip holding sections 2a is segmented by putting the chip housing member 2f between the base and the lid members 2b and 2d while the base-side openings 2c, lid-side openings 2e, and chip housing openings 2g are aligned with each other and, in addition, the lid member 2d is detachably attached by means of the connecting members 2h.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造技術に
関し、特に、スタッドバンプボンディング技術を用いて
半導体チップの表面電極にバンプを形成する半導体製造
方法および装置ならびにチップ搬送治具に関する。
The present invention relates to a semiconductor manufacturing technique, and more particularly to a semiconductor manufacturing method and apparatus for forming bumps on a surface electrode of a semiconductor chip by using a stud bump bonding technique, and a chip transport jig.

【0002】[0002]

【従来の技術】以下に説明する技術は、本発明を研究、
完成するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。
2. Description of the Related Art The technology described below studies the present invention,
Upon completion, they were examined by the inventor, and the outline is as follows.

【0003】TCP(Tape Carrier Package) やCSP
(Chip Size Package)などの半導体装置においては、半
導体チップのパッド(表面電極)にバンプを形成する工
程が必要となる。
[0003] TCP (Tape Carrier Package) and CSP
In a semiconductor device such as a (Chip Size Package), a step of forming a bump on a pad (surface electrode) of a semiconductor chip is required.

【0004】バンプを形成する方法としては、前工程す
なわちダイシング前の半導体ウェハ上で個々の半導体チ
ップの表面電極に対して蒸着装置を用いて金(Au)バ
ンプを蒸着によって形成する方法や、ダイシング前の半
導体ウェハ上の個々の半導体チップあるいはダイシング
後の良品の半導体チップに対して、スタッドバンプボン
ディング技術(ワイヤボンディングを応用した接合技術
のことであり、以降、スタッドボンディングと呼ぶ)を
用いて金バンプを形成する方法などが知られている。
[0004] As a method of forming a bump, there is a method of forming a gold (Au) bump by vapor deposition using a vapor deposition apparatus on a surface electrode of an individual semiconductor chip on a semiconductor wafer before dicing, that is, dicing. Gold is applied to individual semiconductor chips on the previous semiconductor wafer or to non-defective semiconductor chips after dicing by using stud bump bonding technology (joining technology using wire bonding, hereinafter referred to as stud bonding). Methods for forming bumps and the like are known.

【0005】なお、スタッドボンディングを行う際に
は、スタッドボンディング専用のスタッドボンディング
装置を用い、ダイシング後に良品の半導体チップを前記
スタッドボンディング装置に搬送してバンプ形成を行っ
ている。
When performing stud bonding, a stud bonding device dedicated to stud bonding is used, and after dicing, a non-defective semiconductor chip is transported to the stud bonding device to form bumps.

【0006】また、前記スタッドボンディング装置を用
いてダイシング前の半導体ウェハの個々の半導体チップ
に対してスタッドボンディングを行う場合もある。
In some cases, stud bonding is performed on individual semiconductor chips of a semiconductor wafer before dicing using the stud bonding apparatus.

【0007】ここで、半導体チップのパッドに金バンプ
を形成する技術については、例えば、日経BP社、19
93年5月31日発行、「実践講座VLSIパッケージ
ング技術(下)」香山晋、成瀬邦彦(監修)、84〜8
5頁に記載されている。
Here, a technique for forming a gold bump on a pad of a semiconductor chip is described in, for example, Nikkei BP, 19
Published on May 31, 1993, "Practical Course VLSI Packaging Technology (2)", Susumu Kayama and Kunihiko Naruse (supervised), 84-8
It is described on page 5.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】ところが、前記した技
術の蒸着装置またはスタッドボンディング装置において
は、大口径(例えば、8インチ)の半導体ウェハに対応
した装置が設備として準備されていない。
However, in the vapor deposition apparatus or the stud bonding apparatus of the above-mentioned technology, an apparatus corresponding to a semiconductor wafer having a large diameter (for example, 8 inches) is not prepared as equipment.

【0009】したがって、大口径の半導体ウェハに対し
てスタッドボンディングを行う場合は、ダイシング後の
良品チップに対してスタッドボンディング装置を用いて
スタッドボンディングしている。
Therefore, when performing stud bonding to a large-diameter semiconductor wafer, stud bonding is performed using a stud bonding apparatus on a non-defective chip after dicing.

【0010】ただし、スタッドボンディング装置におい
ては、チップ搬送技術が確立されておらず、その結果、
半導体チップの搬送形態が統一されていないことが問題
とされる。
[0010] However, in the stud bonding apparatus, the chip transfer technology has not been established, and as a result,
It is a problem that the transport mode of the semiconductor chips is not unified.

【0011】また、大口径の半導体ウェハに対応した蒸
着装置またはスタッドボンディング装置を準備すること
は多額の設備投資が必要となり、この設備投資の発生が
問題とされる。
Further, preparing a vapor deposition apparatus or a stud bonding apparatus corresponding to a large-diameter semiconductor wafer requires a large capital investment, and this capital investment is a problem.

【0012】本発明の目的は、設備投資を抑制して製品
コストを低減可能なスタッドバンプボンディング技術を
実現する半導体製造方法および装置ならびにチップ搬送
治具を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing method and apparatus and a chip transport jig which realize a stud bump bonding technique capable of suppressing a capital investment and reducing a product cost.

【0013】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
SUMMARY OF THE INVENTION Among the inventions disclosed in the present application, the outline of a representative one will be briefly described.
It is as follows.

【0015】すなわち、本発明の半導体製造方法は、金
属細線の先端に形成されたボールをヒートブロック上で
キャピラリによって半導体チップの表面電極に押し付け
て接合させた後、前記金属細線の前記ボールから所定距
離離れた箇所をリードフレームのリード部に接合して前
記半導体チップと前記リードフレームの前記リード部と
をワイヤボンディングする工程と、前記半導体チップを
保持する複数のチップ保持部が設けられかつ前記リード
フレームに対応した形状に形成されたチップ搬送治具を
用い、前記ヒートブロック上において前記チップ搬送治
具の前記チップ保持部に前記半導体チップを保持した状
態で、金属細線の先端に形成されたボールを前記キャピ
ラリによって前記半導体チップの表面電極に押し付けて
接合させた後、前記ボール近傍で前記金属細線を切断し
て前記表面電極にバンプを形成する工程とを有するもの
である。
That is, according to the semiconductor manufacturing method of the present invention, after the ball formed at the tip of the fine metal wire is pressed and bonded to the surface electrode of the semiconductor chip by a capillary on a heat block, a predetermined number of balls are formed from the fine metal wire. A step of wire bonding the semiconductor chip and the lead part of the lead frame by joining a separated part to a lead part of a lead frame; and a plurality of chip holding parts for holding the semiconductor chip, A ball formed at the tip of a thin metal wire while holding the semiconductor chip in the chip holding portion of the chip conveying jig on the heat block using a chip conveying jig formed in a shape corresponding to a frame. Is pressed against and bonded to the surface electrode of the semiconductor chip by the capillary, And cutting the fine metal wire ball near and a step of forming a bump on the surface electrode.

【0016】また、本発明の半導体製造装置は、半導体
チップを搭載したリードフレームまたは前記半導体チッ
プを支持しかつ前記リードフレームもしくは前記半導体
チップを加熱可能なヒートブロックと、金属細線の先端
に形成されたボールを前記ヒートブロックによって支持
された前記半導体チップの表面電極に押し付けて接合さ
せるキャピラリとを有し、前記リードフレームを用いて
半導体装置を組み立てる際には、前記金属細線の前記ボ
ールを前記ヒートブロック上で前記キャピラリによって
前記半導体チップの前記表面電極に押し付けて接合させ
た後、前記金属細線の前記ボールから所定距離離れた箇
所を前記リードフレームのリード部に接合し、かつ、半
導体チップの表面電極にバンプを形成する際には、前記
ヒートブロック上において、前記リードフレームに対応
した形状に形成されたチップ搬送治具のチップ保持部に
前記半導体チップを保持した状態で、前記金属細線の前
記ボールを前記キャピラリによって前記半導体チップの
表面電極に押し付けて接合させた後、前記ボール近傍で
前記金属細線を切断して前記表面電極に前記バンプを形
成するものである。
Further, the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention is formed on a lead frame on which a semiconductor chip is mounted or a heat block supporting the semiconductor chip and capable of heating the lead frame or the semiconductor chip, and a tip of the thin metal wire. And a capillary for pressing and bonding the ball to the surface electrode of the semiconductor chip supported by the heat block, and assembling the semiconductor device using the lead frame. After the capillary is pressed against and bonded to the surface electrode of the semiconductor chip by the capillary, a portion of the fine metal wire separated from the ball by a predetermined distance is bonded to the lead portion of the lead frame, and the surface of the semiconductor chip When forming bumps on the electrodes, In a state where the semiconductor chip is held in the chip holding portion of the chip transfer jig formed in a shape corresponding to the lead frame, the ball of the thin metal wire is pressed against the surface electrode of the semiconductor chip by the capillary. After bonding, the thin metal wire is cut near the ball to form the bump on the surface electrode.

【0017】さらに、本発明のチップ搬送治具は、半導
体チップを保持する複数のチップ保持部が設けられると
ともに、半導体装置を組み立てる際に用いるリードフレ
ームに対応した形状に形成され、半導体製造装置のヒー
トブロックへの前記半導体チップの搬入出時の搬送の際
と、金属細線の先端に形成されたボールを前記半導体チ
ップの表面電極に押し付けて接合させる際と、接合後、
前記ボール近傍で前記金属細線を切断して前記表面電極
にバンプを形成する際とに、前記チップ保持部に前記半
導体チップを保持し得るものである。
Further, the chip transport jig of the present invention is provided with a plurality of chip holders for holding a semiconductor chip and is formed in a shape corresponding to a lead frame used when assembling a semiconductor device. When the semiconductor chip is transported into and out of the heat block when the semiconductor chip is carried in and out, and when the ball formed at the tip of the fine metal wire is pressed against the surface electrode of the semiconductor chip and bonded, after bonding,
When the thin metal wire is cut near the ball to form a bump on the surface electrode, the semiconductor chip can be held by the chip holding portion.

【0018】これにより、リードフレームを用いてワイ
ヤボンディングを行う半導体製造装置(ワイヤボンディ
ング装置)の搬送系においてもこのチップ搬送治具を使
用することができる。
Thus, the chip transfer jig can also be used in a transfer system of a semiconductor manufacturing apparatus (wire bonding apparatus) for performing wire bonding using a lead frame.

【0019】その結果、前記半導体製造装置において、
半導体チップの表面電極にバンプを形成するスタッドボ
ンディングを行うためのチップ搬送技術を確立すること
ができる。
As a result, in the semiconductor manufacturing apparatus,
A chip transfer technique for performing stud bonding for forming a bump on a surface electrode of a semiconductor chip can be established.

【0020】これにより、前記半導体製造装置によっ
て、前記チップ搬送治具を用いてスタッドボンディング
を行うことが可能になる。
Thus, the semiconductor manufacturing apparatus can perform stud bonding using the chip transport jig.

【0021】したがって、大口径の半導体ウェハに対し
てもダイシングを行って良品の半導体チップを取得し、
この良品の半導体チップを前記チップ搬送治具によって
保持して搬送することにより、新たな設備投資を行うこ
となく前記半導体製造装置によってスタッドボンディン
グすることが可能になる。
Therefore, dicing is performed on a large-diameter semiconductor wafer to obtain a good semiconductor chip.
By holding and transporting this good semiconductor chip by the chip transport jig, stud bonding can be performed by the semiconductor manufacturing apparatus without making new capital investment.

【0022】その結果、大口径の半導体ウェハ用の蒸着
装置やスタッドボンディング装置を購入したり、また
は、既存の装置を改良せずに済むため、設備投資を大幅
に抑制でき、これにより、製品(半導体チップ)のコス
トを低減できる。
As a result, it is not necessary to purchase a vapor deposition apparatus or a stud bonding apparatus for a large-diameter semiconductor wafer, or to improve an existing apparatus. Semiconductor chip).

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0024】図1は本発明の半導体製造装置の構造の実
施の形態の一例を示す斜視図、図2は本発明によるチッ
プ搬送治具の構造の実施の形態の一例を示す図であり、
(a)は平面図、(b)は(a)のX−X断面を示す断
面図、図3は本発明のチップ搬送治具による半導体チッ
プの保持状態の実施の形態の一例を一部破断して示す部
分拡大平面図、図4は本発明の半導体製造装置によって
ワイヤボンディングが行われるリードフレームの構造の
実施の形態の一例を示す図であり、(a)は平面図、
(b)は(a)のA部の詳細を示す部分拡大平面図、図
5は本発明の半導体製造装置によってチップ搬送治具を
用いて行うスタッドボンディング方法の実施の形態の一
例を示す部分断面図、図6は本発明の半導体製造装置に
よるワイヤボンディング方法の実施の形態の一例を示す
部分断面図である。
FIG. 1 is a perspective view showing one embodiment of the structure of the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention, and FIG. 2 is a diagram showing one embodiment of the structure of the chip transport jig according to the present invention.
(A) is a plan view, (b) is a cross-sectional view showing the XX section of (a), and FIG. 3 is a partly broken example of an embodiment of a state of holding a semiconductor chip by a chip conveying jig of the present invention. FIG. 4 is a view showing an example of an embodiment of a structure of a lead frame in which wire bonding is performed by the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention, and FIG.
FIG. 5B is a partially enlarged plan view showing details of a portion A of FIG. 5A, and FIG. 5 is a partial cross section showing an example of an embodiment of a stud bonding method performed by a semiconductor manufacturing apparatus of the present invention using a chip carrying jig. FIG. 6 and FIG. 6 are partial sectional views showing an example of an embodiment of a wire bonding method by the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention.

【0025】図1に示す本実施の形態における半導体製
造装置は、その構造はワイヤボンディング装置と同じも
のであるが、図2に示すチップ搬送治具2を用いること
により、スタッドバンプボンディング(ワイヤボンディ
ングを応用してバンプを形成する技術)を行うことを可
能にしたものである。
Although the structure of the semiconductor manufacturing apparatus according to the present embodiment shown in FIG. 1 is the same as that of the wire bonding apparatus, stud bump bonding (wire bonding) is performed by using the chip transport jig 2 shown in FIG. (A technique of forming a bump by applying the above method).

【0026】すなわち、本実施の形態の前記半導体製造
装置は、ワイヤボンディングとスタッドバンプボンディ
ングの両方を行うことを可能にした超音波熱圧着式のワ
イヤボンディング装置である。
That is, the semiconductor manufacturing apparatus according to the present embodiment is an ultrasonic thermocompression-type wire bonding apparatus capable of performing both wire bonding and stud bump bonding.

【0027】図1〜図6を用いて、図1に示す本実施の
形態の半導体製造装置(ワイヤボンディング装置)の基
本構造について説明すると、ボンディングを行うボンデ
ィングヘッド部4と、半導体チップ1を搭載したリード
フレーム3(図4参照)または半導体チップ1を保持し
たチップ搬送治具2を供給するローダ部5と、前記リー
ドフレーム3または前記チップ搬送治具2を搬送するフ
ィーダ部6と、前記リードフレーム3または前記チップ
搬送治具2を収容するアンローダ部7と、ボンディング
ヘッド部4を搭載したXYテーブル8とからなる。
The basic structure of the semiconductor manufacturing apparatus (wire bonding apparatus) of the present embodiment shown in FIG. 1 will be described with reference to FIGS. 1 to 6. The bonding head unit 4 for bonding and the semiconductor chip 1 are mounted. A loader unit 5 for supplying a chip transport jig 2 holding the lead frame 3 (see FIG. 4) or the semiconductor chip 1, a feeder unit 6 for transporting the lead frame 3 or the chip transport jig 2, and the lead An unloader section 7 for accommodating the frame 3 or the chip transfer jig 2 and an XY table 8 on which a bonding head section 4 is mounted.

【0028】さらに、詳細構造について説明すると、フ
ィーダ部6には、ボンディング時に、半導体チップ1を
搭載したリードフレーム3または半導体チップ1を支持
し、かつリードフレーム3もしくは半導体チップ1を加
熱可能なヒートブロック6a(ヒートステージともい
う)と、ヒートブロック6aを加熱する加熱手段である
ヒータ6bとが設置されている。
To explain the detailed structure, the feeder 6 supports the lead frame 3 on which the semiconductor chip 1 is mounted or the semiconductor chip 1 at the time of bonding and can heat the lead frame 3 or the semiconductor chip 1 at the time of bonding. A block 6a (also referred to as a heat stage) and a heater 6b serving as a heating unit for heating the heat block 6a are provided.

【0029】なお、図5に示すように、ヒートブロック
6aのステージ部6dには、スタッドボンディングを行
う際に半導体チップ1を吸着固定するための真空吸着系
6cが設けられている。
As shown in FIG. 5, the stage 6d of the heat block 6a is provided with a vacuum suction system 6c for sucking and fixing the semiconductor chip 1 when performing stud bonding.

【0030】また、ボンディングヘッド部4には、金な
どからなるボンディングワイヤ4a(金属細線)の先端
に形成されたボール4bをヒートブロック6aによって
支持された半導体チップ1のパッド1b(表面電極)に
押し付けて接合させるキャピラリ4cと、ボンディング
ワイヤ4aを把持して所定長さ引き出すクランパ4d
と、半導体チップ1のパッド1bなどの位置検出を行う
カメラ4eとが設置されている。
In the bonding head 4, a ball 4b formed at the tip of a bonding wire 4a (fine metal wire) made of gold or the like is applied to a pad 1b (surface electrode) of the semiconductor chip 1 supported by a heat block 6a. Capillary 4c to be pressed and bonded, and clamper 4d to hold bonding wire 4a and pull out by a predetermined length
And a camera 4e for detecting the position of the pad 1b of the semiconductor chip 1 and the like.

【0031】さらに、図1に示すように、カメラ4eに
は出力装置であるモニタ9が接続されている。
Further, as shown in FIG. 1, a monitor 9 as an output device is connected to the camera 4e.

【0032】これにより、本実施の形態の半導体製造装
置(ワイヤボンディング装置)は、リードフレーム3を
用いて図6に示すようなQFP(Quad Flat Package)な
どの半導体装置10を組み立てる際には、ボンディング
ワイヤ4aのボール4bをヒートブロック6a上でキャ
ピラリ4cによって半導体チップ1のパッド1bに押し
付けて接合させた後、ボンディングワイヤ4aのボール
4bから所定距離離れた箇所をリードフレーム3のリー
ド部3aに接合し、その後、ボンディングワイヤ4aを
所定位置で切断する。
As a result, the semiconductor manufacturing apparatus (wire bonding apparatus) of the present embodiment uses the lead frame 3 to assemble the semiconductor device 10 such as a QFP (Quad Flat Package) as shown in FIG. After the ball 4b of the bonding wire 4a is pressed and bonded to the pad 1b of the semiconductor chip 1 by the capillary 4c on the heat block 6a, a portion separated by a predetermined distance from the ball 4b of the bonding wire 4a is connected to the lead portion 3a of the lead frame 3. After bonding, the bonding wire 4a is cut at a predetermined position.

【0033】さらに、TCP(Tape Carrier Package)
やCSP(Chip Size Package)などを組み立てる場合、
半導体チップ1のパッド1bにバンプ1cを形成する際
には、ヒートブロック6a上において、リードフレーム
3に対応した形状に形成されたチップ搬送治具2のチッ
プ保持部2aに半導体チップ1を保持した状態で、ボン
ディングワイヤ4aのボール4bをキャピラリ4cによ
って半導体チップ1のパッド1bに押し付けて接合させ
た後、ボール4b近傍でボンディングワイヤ4aを切断
してパッド1bにバンプ1cを形成する。
Further, TCP (Tape Carrier Package)
When assembling or CSP (Chip Size Package)
When the bumps 1c are formed on the pads 1b of the semiconductor chip 1, the semiconductor chip 1 is held on the chip holder 2a of the chip transport jig 2 formed on the heat block 6a in a shape corresponding to the lead frame 3. In this state, after bonding the ball 4b of the bonding wire 4a to the pad 1b of the semiconductor chip 1 by pressing it with the capillary 4c, the bonding wire 4a is cut near the ball 4b to form a bump 1c on the pad 1b.

【0034】すなわち、前記半導体製造装置は、リード
フレーム3を用いた半導体装置10を製造する際には、
ワイヤボンディングを行い、TCPやCSPを製造する
際には、チップ搬送治具2を用いてスタッドボンディン
グを行う。
That is, when manufacturing the semiconductor device 10 using the lead frame 3, the semiconductor manufacturing apparatus
When wire bonding is performed and TCP or CSP is manufactured, stud bonding is performed using the chip transfer jig 2.

【0035】ここで、ボンディングワイヤ4aの材料
は、金に限らず、銅などであってもよいが、ただし、金
のボンディングワイヤ4aを使用する方が好ましい。
The material of the bonding wire 4a is not limited to gold, but may be copper or the like. However, it is preferable to use the gold bonding wire 4a.

【0036】さらに、本実施の形態の半導体チップ1に
おいては、その主面1a(図5参照)の長手方向の中央
付近に30個程度のパッド1bが一列に配置されてい
る。
Further, in the semiconductor chip 1 of the present embodiment, about 30 pads 1b are arranged in a row near the center in the longitudinal direction of the main surface 1a (see FIG. 5).

【0037】次に、本実施の形態のチップ搬送治具2
(図2参照)の構造について説明する。
Next, the chip transport jig 2 of the present embodiment
The structure of FIG. 2 will be described.

【0038】前記チップ搬送治具2は、半導体チップ1
を保持して搬送するものであり、TCPやCSPを製造
する時にワイヤボンディング装置によってスタッドボン
ディングを行う際に用いるものである。
The chip transport jig 2 includes a semiconductor chip 1
Is held and transported, and is used when performing stud bonding by a wire bonding apparatus when manufacturing TCP or CSP.

【0039】前記チップ搬送治具2の基本的な構造は、
半導体チップ1を保持する複数のチップ保持部2aが設
けられるとともに、半導体装置10を組み立てる際に用
いるリードフレーム3に対応した形状に形成されてい
る。
The basic structure of the chip transfer jig 2 is as follows.
A plurality of chip holders 2a for holding the semiconductor chip 1 are provided, and are formed in a shape corresponding to the lead frame 3 used when assembling the semiconductor device 10.

【0040】これにより、このチップ搬送治具2は、図
1に示す半導体製造装置(ワイヤボンディング装置)の
ヒートブロック6aのステージ部6dへの半導体チップ
1の搬入出時の搬送の際と、ボンディングワイヤ4aの
先端に形成されたボール4bを半導体チップ1のパッド
1bに押し付けて接合させる際と、接合後、ボール4b
近傍でボンディングワイヤ4aを切断してパッド1bに
バンプ1cを形成する際とに、チップ保持部2aに半導
体チップ1を保持するものである。
Thus, the chip transfer jig 2 is used for transferring the semiconductor chip 1 to the stage 6d of the heat block 6a of the semiconductor manufacturing apparatus (wire bonding apparatus) shown in FIG. When the ball 4b formed at the tip of the wire 4a is pressed against the pad 1b of the semiconductor chip 1 to join the ball 4b,
When the bonding wire 4a is cut in the vicinity to form the bump 1c on the pad 1b, the semiconductor chip 1 is held on the chip holding portion 2a.

【0041】なお、チップ搬送治具2は、リードフレー
ム3に対応した形状に形成されたものである。本実施の
形態においては、リードフレーム3の外形形状が長方形
であり、これに対応してチップ搬送治具2も同形状の長
方形に形成され、図2と図4に示すように、チップ搬送
治具2の外形寸法がリードフレーム3の外形寸法と全く
同じサイズに形成されている(本実施の形態では、両者
とも44mm×140mm)。
The chip transfer jig 2 is formed in a shape corresponding to the lead frame 3. In the present embodiment, the outer shape of the lead frame 3 is rectangular, and accordingly, the chip conveying jig 2 is also formed in the same rectangular shape, and as shown in FIGS. The outer dimensions of the fixture 2 are formed to be exactly the same as the outer dimensions of the lead frame 3 (in the present embodiment, both are 44 mm × 140 mm).

【0042】ただし、長方形のチップ搬送治具2におい
ては、少なくともその幅だけが、長方形のリードフレー
ム3の幅と同じサイズであればよく、長さは異なってい
てもよい。
However, in the rectangular chip carrying jig 2, at least only its width is required to be the same size as the width of the rectangular lead frame 3, and the length may be different.

【0043】また、リードフレーム3は、図4に示すよ
うに、半導体チップ1を搭載するダイパッド部3bと、
その周囲に設けられたリード部3aと、ダイパッド部3
bおよびリード部3aを支持する枠部3dとからなる単
位フレーム部3cが繰り返して複数個(図4に示す場合
は、5個)設けられたものである。
As shown in FIG. 4, the lead frame 3 has a die pad 3b on which the semiconductor chip 1 is mounted,
A lead portion 3a provided therearound and a die pad portion 3
A plurality of (five in the case shown in FIG. 4) unit frame portions 3c each including a frame portion b and a frame portion 3d supporting the lead portion 3a are provided.

【0044】ここで、本実施の形態のチップ搬送治具2
の詳細構成について説明すると、半導体チップ1の主面
1aより小さい面積の複数のベース側開口部2cが設け
られたベース部材2bと、半導体チップ1の主面1aよ
り小さい面積の複数の蓋側開口部2eが形成された蓋部
材2dと、半導体チップ1の主面1aより若干大きい面
積の複数のチップ収容開口部2gが形成されたチップ収
容部材2fと、蓋部材2dを着脱自在に接続する接続部
材2hと、接続部材2hを取り付けるサブベース部材2
iとからなり、それぞれにおける複数のベース側開口部
2cと蓋側開口部2eとチップ収容開口部2gとの位置
を合わせた状態で、チップ収容部材2fがベース部材2
bと蓋部材2dとの間に設けられて複数のチップ保持部
2aが区画形成されるとともに、このチップ保持部2a
を覆う蓋部材2dが接続部材2hによって着脱自在に取
り付けられている。
Here, the chip transport jig 2 of the present embodiment
A detailed description will be given of a base member 2b provided with a plurality of base side openings 2c having an area smaller than the main surface 1a of the semiconductor chip 1, and a plurality of lid side openings having an area smaller than the main surface 1a of the semiconductor chip 1. A connection for detachably connecting the lid member 2d having the portion 2e formed thereon, a chip housing member 2f having a plurality of chip housing openings 2g having an area slightly larger than the main surface 1a of the semiconductor chip 1, and a lid member 2d. Member 2h and sub-base member 2 for attaching connection member 2h
i, and in a state where the positions of the plurality of base-side openings 2c, the lid-side openings 2e, and the chip-accommodating openings 2g are aligned, the chip-accommodating member 2f is
b and the lid member 2d, a plurality of chip holders 2a are defined and defined.
Is detachably attached by a connection member 2h.

【0045】なお、チップ収容部材2fとサブベース部
材2iは、ベース部材2bにそれぞれスポット溶接によ
って固定されている。
The chip housing member 2f and the sub base member 2i are fixed to the base member 2b by spot welding.

【0046】さらに、接続部材2hは、粘着シートなど
によって蓋部材2dに固着されている。
Further, the connection member 2h is fixed to the lid member 2d by an adhesive sheet or the like.

【0047】また、本実施の形態では、ベース部材2
b、蓋部材2dおよびチップ収容部材2fにおいて、そ
れぞれの開口部、すなわち、ベース側開口部2cと蓋側
開口部2eとチップ収容開口部2gとが2列配列で各列
13個ずつ合計26個設けられており、1つ1つの開口
部の位置が合うように配置されている。
In this embodiment, the base member 2
b, in the lid member 2d and the chip housing member 2f, the respective openings, that is, the base side opening 2c, the lid side opening 2e, and the chip housing opening 2g are arranged in two rows in a total of thirteen in each row, a total of 26 pieces. It is provided so that the position of each opening may be matched.

【0048】したがって、ベース部材2b、蓋部材2d
およびチップ収容部材2fとを組み立てた際にチップ搬
送治具2に形成されるチップ保持部2aも2列配列で各
列13個ずつ合計26個形成されることになる。
Therefore, the base member 2b and the lid member 2d
Also, when assembling with the chip accommodating member 2f, the chip holding parts 2a formed on the chip transport jig 2 are also formed in a two-row arrangement, and a total of 26 chip holding parts are formed, 13 in each row.

【0049】なお、ベース部材2b、蓋部材2dおよび
チップ収容部材2fにおいて、それぞれの開口部は、必
ずしも2列配列されていることはなく、それぞれが統一
された形態の配列であれば、1列配列であってもよく、
また、3列以上の配列であってもよい。
In the base member 2b, the lid member 2d, and the chip accommodating member 2f, the openings are not necessarily arranged in two rows, but may be arranged in one row if they are arranged in a unified form. May be an array,
Also, an arrangement of three or more rows may be used.

【0050】したがって、その際にチップ搬送治具2に
形成されるチップ保持部2aについても、1列配列であ
ってもよく、また、3列以上の配列であってもよく、さ
らに、その配列形態や設置数も特に限定されるものでは
ない。
Accordingly, the chip holding portions 2a formed on the chip conveying jig 2 at that time may be arranged in one row, three or more rows. The form and the number of installations are not particularly limited.

【0051】また、チップ収容部材2fに形成されてい
るチップ収容開口部2gは、半導体チップ1の主面1a
より若干大きい面積で、かつ半導体チップ1の外周形状
に対応した形状、すなわち長方形(半導体チップ1が正
方形であれば、チップ収容開口部2gも正方形に形成さ
れる)に形成されている。
The chip housing opening 2g formed in the chip housing member 2f is formed on the main surface 1a of the semiconductor chip 1.
It has a slightly larger area and a shape corresponding to the outer peripheral shape of the semiconductor chip 1, that is, a rectangle (if the semiconductor chip 1 is a square, the chip receiving opening 2g is also formed in a square).

【0052】したがって、チップ収容開口部2gによっ
て形成されるチップ保持部2aも、半導体チップ1より
若干大きい程度の長方形のものである。
Accordingly, the chip holding portion 2a formed by the chip housing opening 2g is also a rectangular one slightly larger than the semiconductor chip 1.

【0053】これによって、チップ保持部2aに半導体
チップ1を収容した際には、半導体チップ1は、その周
囲に小さな間隙を有した状態でチップ保持部2aに保持
される。
Thus, when the semiconductor chip 1 is accommodated in the chip holder 2a, the semiconductor chip 1 is held by the chip holder 2a with a small gap around the semiconductor chip 1.

【0054】また、ベース側開口部2cと蓋側開口部2
eは、両者とも半導体チップ1の主面1aの面積よりは
小さく形成されている。したがって、半導体チップ1の
搬送中などにこれらの開口部から半導体チップ1が飛び
出すことはない。
The base side opening 2c and the lid side opening 2
e is smaller than the area of the main surface 1a of the semiconductor chip 1 in both cases. Therefore, the semiconductor chip 1 does not jump out of these openings during transportation of the semiconductor chip 1 or the like.

【0055】なお、ベース側開口部2cは、スタッドボ
ンディング時の半導体チップ1の真空吸着時に用いられ
るものであり、これにより、半導体チップ1の裏面(主
面1aと反対側の面)をヒートブロック6aのステージ
部6dによって直接支持できる。
The base side opening 2c is used for vacuum suction of the semiconductor chip 1 at the time of stud bonding, so that the back surface (the surface opposite to the main surface 1a) of the semiconductor chip 1 is heat-blocked. It can be directly supported by the stage 6d of 6a.

【0056】さらに、蓋側開口部2eは、スタッドボン
ディング時のキャピラリ4c(図1参照)のパッド1b
への接合時に用いるものである。
Further, the lid-side opening 2e is connected to the pad 1b of the capillary 4c (see FIG. 1) at the time of stud bonding.
It is used at the time of joining.

【0057】これにより、蓋部材2dは、ボンディング
ポイントを避けた(開口した)形状に形成されている。
Thus, the lid member 2d is formed in a shape (opened) avoiding the bonding point.

【0058】また、チップ収容部材2fは、必ずしも、
ベース部材2bと別ピース(一体でないこと)で設けら
れている必要はなく、ベース部材2bに一体で形成され
ていてもよい。その場合、ベース側開口部2cとチップ
収容開口部2gとは、連結して設けられる。
The chip accommodating member 2f is not necessarily
It is not necessary to be provided as a separate piece (not integral) with the base member 2b, and it may be formed integrally with the base member 2b. In that case, the base side opening 2c and the chip housing opening 2g are provided in a connected manner.

【0059】ここで、本実施の形態は、接続部材2hが
薄板状の磁石の場合である。ただし、接続部材2hは、
蓋部材2dを着脱自在に取り付けられるものであれば、
例えば、嵌め込み式のピン部材やねじ部材などであって
もよい。
In this embodiment, the connecting member 2h is a thin plate-shaped magnet. However, the connecting member 2h is
If the lid member 2d can be detachably attached,
For example, a fitting-type pin member or a screw member may be used.

【0060】さらに、ベース部材2b、蓋部材2d、チ
ップ収容部材2fおよびサブベース部材2iは、例え
ば、ステンレス鋼によって形成され、本実施の形態にお
いては、サブベース部材2iのみ磁石からなる接続部材
2hと接合しなければならないため、磁性を有するよう
に磁性処理されており、他の部材は、非磁性に形成され
ている。
Further, the base member 2b, the lid member 2d, the chip accommodating member 2f, and the sub-base member 2i are made of, for example, stainless steel. In the present embodiment, the connecting member 2h made of only the sub-base member 2i is made of a magnet. Therefore, it is magnetically treated so as to have magnetism, and the other members are formed non-magnetic.

【0061】図1〜図6を用いて、本実施の形態の半導
体製造方法について説明する。
A semiconductor manufacturing method according to the present embodiment will be described with reference to FIGS.

【0062】なお、前記半導体製造方法は、図1に示す
本実施の形態の半導体製造装置(ワイヤボンディング装
置)を用いて、ワイヤボンディングとスタッドボンディ
ングとを行うものである。
In the semiconductor manufacturing method, wire bonding and stud bonding are performed using the semiconductor manufacturing apparatus (wire bonding apparatus) of the present embodiment shown in FIG.

【0063】ここで、図5に示すスタッドボンディング
の状態は、チップ搬送治具2におけるチップ保持部2a
が1列に配置された場合であり、スタッドボンディング
そのものの方法については、チップ保持部2aが1列配
置の治具であっても、多列配置の治具であっても全く同
じである(図2に示すチップ搬送治具2は、2列配置の
もの)。
Here, the stud bonding state shown in FIG.
Are arranged in one row, and the method of stud bonding itself is exactly the same whether the chip holding portion 2a is a jig arranged in one row or a jig arranged in multiple rows. The chip conveying jig 2 shown in FIG. 2 is arranged in two rows).

【0064】まず、ワイヤボンディングを行う場合につ
いて説明する。
First, the case of performing wire bonding will be described.

【0065】すなわち、図4に示すリードフレーム3を
用いてQFPなどの半導体装置10を組み立てる際に、
前記半導体製造装置によってワイヤボンディングを行
う。
That is, when assembling the semiconductor device 10 such as a QFP using the lead frame 3 shown in FIG.
Wire bonding is performed by the semiconductor manufacturing apparatus.

【0066】最初に、ダイパッド部3bに半導体チップ
1を搭載したリードフレーム3をローダ部5からヒート
ブロック6aのステージ部6dに搬送する。
First, the lead frame 3 having the semiconductor chip 1 mounted on the die pad 3b is transferred from the loader 5 to the stage 6d of the heat block 6a.

【0067】その後、カメラ4eによって、半導体チッ
プ1とリードフレーム3との画像を取り込み、半導体チ
ップ1のパッド1bの位置およびリードフレーム3のリ
ード部3aの位置を検出する。
Thereafter, images of the semiconductor chip 1 and the lead frame 3 are captured by the camera 4e, and the positions of the pads 1b of the semiconductor chip 1 and the positions of the lead portions 3a of the lead frame 3 are detected.

【0068】さらに、ヒータ6bによってヒートブロッ
ク6aのステージ部6dを所望の温度に加熱し、これに
より、リードフレーム3を介して半導体チップ1も所望
の温度に加熱する。
Further, the stage 6 d of the heat block 6 a is heated to a desired temperature by the heater 6 b, whereby the semiconductor chip 1 is also heated to the desired temperature via the lead frame 3.

【0069】続いて、クランパ4dによって金から成る
ボンディングワイヤ4aを所定長さだけ引き出すととも
に、半導体チップ1のパッド1bの位置の検出結果に基
づいてXYテーブル8を移動させてキャピラリ4cの位
置出しを行う。
Subsequently, the bonding wire 4a made of gold is pulled out by a predetermined length by the clamper 4d, and the XY table 8 is moved based on the detection result of the position of the pad 1b of the semiconductor chip 1 to locate the capillary 4c. Do.

【0070】その後、図6に示すように、このボンディ
ングワイヤ4aの先端に形成されたボール4bをヒート
ブロック6a上でキャピラリ4cによって半導体チップ
1のパッド1bに押し付けて接合させる。
Thereafter, as shown in FIG. 6, the ball 4b formed at the tip of the bonding wire 4a is pressed onto the pad 1b of the semiconductor chip 1 by means of the capillary 4c on the heat block 6a to be joined.

【0071】この際、本実施の形態の半導体製造装置
(ワイヤボンディング装置)は、超音波熱圧着式である
ため、キャピラリ4cとヒートブロック6aとによって
熱圧着を行うとともに、キャピラリ4cによってボンデ
ィングワイヤ4aのボール4b近傍に超音波振動を印加
する。
At this time, since the semiconductor manufacturing apparatus (wire bonding apparatus) of the present embodiment is of an ultrasonic thermocompression bonding type, it performs thermocompression bonding with the capillary 4c and the heat block 6a, and performs bonding bonding 4a with the capillary 4c. Is applied to the vicinity of the ball 4b.

【0072】これにより、ファーストボンディングを終
了する。
Thus, the first bonding is completed.

【0073】その後、再び、キャピラリ4cによって、
ボンディングワイヤ4aのボール4bから所定距離離れ
た箇所をリードフレーム3のリード部3aに熱圧着によ
って接合する。
Then, again, by the capillary 4c,
A portion of the bonding wire 4a away from the ball 4b by a predetermined distance is bonded to the lead portion 3a of the lead frame 3 by thermocompression.

【0074】続いて、ボンディングワイヤ4aのリード
部3a付近のクランパ4d側を切断し、これにより、セ
カンドボンディングを終了する。
Then, the side of the clamper 4d near the lead portion 3a of the bonding wire 4a is cut, thereby completing the second bonding.

【0075】なお、半導体チップ1の他のパッド1b
と、これに対応したリードフレーム3の他のリード部3
aとに対してこのワイヤボンディングの動作を繰り返し
て行い、半導体チップ1とリードフレーム3のリード部
3aとをボンディングワイヤ4aによって電気的に接続
するワイヤボンディングを終了する。
The other pads 1b of the semiconductor chip 1
And other lead portions 3 corresponding to the lead frame 3
This wire bonding operation is repeatedly performed for a, and the wire bonding for electrically connecting the semiconductor chip 1 and the lead portion 3a of the lead frame 3 with the bonding wires 4a is completed.

【0076】その後、ワイヤボンディングが終了したリ
ードフレーム3をアンローダ部7に搬送し、順次、この
アンローダ部7に収容していく。
Thereafter, the lead frame 3 on which the wire bonding has been completed is transported to the unloader section 7, and is sequentially accommodated in the unloader section 7.

【0077】次に、TCPまたはCSPを組み立てる際
に、前記半導体製造装置によってスタッドボンディング
を行う場合、すなわち、図5(b)に示す半導体チップ
1のパッド1bにバンプ1cを形成する場合を説明す
る。
Next, a case where stud bonding is performed by the semiconductor manufacturing apparatus when assembling the TCP or CSP, that is, a case where bumps 1c are formed on the pads 1b of the semiconductor chip 1 shown in FIG. 5B will be described. .

【0078】まず、半導体チップ1を保持する複数(本
実施の形態では26個)のチップ保持部2aが設けら
れ、かつリードフレーム3と同じ外形寸法に形成された
図2に示すチップ搬送治具2を準備する。
First, a chip transfer jig shown in FIG. 2 provided with a plurality of (26 in this embodiment) chip holding portions 2 a for holding the semiconductor chip 1 and formed to have the same outer dimensions as the lead frame 3. Prepare 2

【0079】さらに、チップ搬送治具2の蓋部材2dを
取り外す。その後、ダイシングされ、かつ検査によって
良品と判定された半導体チップ1をチップ搬送治具2の
チップ保持部2aに収容する。
Further, the lid member 2d of the chip transfer jig 2 is removed. Thereafter, the semiconductor chip 1 that has been diced and determined to be non-defective by inspection is housed in the chip holding portion 2a of the chip transport jig 2.

【0080】収容後、蓋部材2dに取り付けられた接続
部材2hをサブベース部材2iに接続させることによ
り、蓋部材2dによってチップ保持部2aに蓋をする。
After the housing, the connecting member 2h attached to the lid member 2d is connected to the sub base member 2i, so that the chip holding portion 2a is covered by the lid member 2d.

【0081】この際、チップ保持部2aにおいて、接着
剤などの接合材は使用していないため、図3に示すよう
に、半導体チップ1は自由度を有した状態で保持されて
いる。
At this time, since a bonding material such as an adhesive is not used in the chip holding portion 2a, the semiconductor chip 1 is held with a degree of freedom as shown in FIG.

【0082】その後、半導体チップ1を保持したチップ
搬送治具2をローダ部5にセットする。
Thereafter, the chip transport jig 2 holding the semiconductor chip 1 is set on the loader unit 5.

【0083】続いて、チップ搬送治具2をローダ部5か
らヒートブロック6aのステージ部6dに搬送する。
Subsequently, the chip transfer jig 2 is transferred from the loader section 5 to the stage section 6d of the heat block 6a.

【0084】その後、ヒートブロック6aに設けられた
真空吸着系6cを作動させる。つまり、チップ搬送治具
2のチップ保持部2aに半導体チップ1を保持した状態
で、チップ搬送治具2のベース部材2bに設けられたベ
ース側開口部2cを介して半導体チップ1を真空吸着す
ることにより、ヒートブロック6aのステージ部6d上
に半導体チップ1を吸着支持(固定)する。
Thereafter, the vacuum suction system 6c provided on the heat block 6a is operated. That is, in a state where the semiconductor chip 1 is held in the chip holding portion 2a of the chip transfer jig 2, the semiconductor chip 1 is vacuum-sucked through the base side opening 2c provided in the base member 2b of the chip transfer jig 2. Thus, the semiconductor chip 1 is suction-supported (fixed) on the stage section 6d of the heat block 6a.

【0085】さらに、カメラ4eによって、半導体チッ
プ1の画像を取り込み、半導体チップ1のパッド1bの
位置を検出する。
Further, the image of the semiconductor chip 1 is captured by the camera 4e, and the position of the pad 1b of the semiconductor chip 1 is detected.

【0086】続いて、ヒータ6bによってヒートブロッ
ク6aのステージ部6dを所望の温度に加熱し、これに
より、半導体チップ1を直接その裏面側から所望の温度
に加熱する。
Subsequently, the stage 6d of the heat block 6a is heated to a desired temperature by the heater 6b, thereby heating the semiconductor chip 1 directly to the desired temperature from the back side.

【0087】その後、クランパ4dによって金から成る
ボンディングワイヤ4aを所定長さだけ引き出すととも
に、半導体チップ1のパッド1bの位置の検出結果に基
づいてXYテーブル8を移動させてキャピラリ4cの位
置出しを行う。
Thereafter, the bonding wire 4a made of gold is pulled out by a predetermined length by the clamper 4d, and the XY table 8 is moved based on the detection result of the position of the pad 1b of the semiconductor chip 1 to locate the capillary 4c. .

【0088】さらに、図5に示すように、ヒートブロッ
ク6aのステージ部6d上においてチップ搬送治具2の
チップ保持部2aに半導体チップ1を保持した状態で、
ボンディングワイヤ4aの先端に形成されたボール4b
をキャピラリ4cによって半導体チップ1のパッド1b
に押し付けて接合させる。
Further, as shown in FIG. 5, the semiconductor chip 1 is held on the chip holder 2a of the chip transport jig 2 on the stage 6d of the heat block 6a.
Ball 4b formed at the tip of bonding wire 4a
To the pad 1b of the semiconductor chip 1 by the capillary 4c.
Press to join.

【0089】この際、ボンディングワイヤ4aの先端に
形成されたボール4bをキャピラリ4cによってチップ
搬送治具2の蓋部材2dに設けられた蓋側開口部2eを
介して半導体チップ1のパッド1bに押し付けて接合さ
せる。
At this time, the ball 4b formed at the tip of the bonding wire 4a is pressed against the pad 1b of the semiconductor chip 1 by the capillary 4c through the lid side opening 2e provided in the lid member 2d of the chip transport jig 2. To join.

【0090】ここで、本実施の形態の半導体製造装置
(ワイヤボンディング装置)は、超音波熱圧着式である
ため、キャピラリ4cとヒートブロック6aとによって
熱圧着を行うとともに、キャピラリ4cによってボンデ
ィングワイヤ4aのボール4b近傍に超音波振動を印加
する。
Here, since the semiconductor manufacturing apparatus (wire bonding apparatus) of the present embodiment is of an ultrasonic thermocompression bonding type, thermocompression bonding is performed by the capillary 4c and the heat block 6a, and the bonding wire 4a is formed by the capillary 4c. Is applied to the vicinity of the ball 4b.

【0091】その後、ボール4b近傍でボンディングワ
イヤ4aを切断し、これにより、半導体チップ1のパッ
ド1bに図5(b)に示すバンプ1cを形成できる。
Thereafter, the bonding wires 4a are cut in the vicinity of the balls 4b, whereby the bumps 1c shown in FIG. 5B can be formed on the pads 1b of the semiconductor chip 1.

【0092】バンプ1cの形成後、ヒートブロック6a
における半導体チップ1の真空吸着を停止する。
After the formation of the bump 1c, the heat block 6a
Of the semiconductor chip 1 is stopped.

【0093】続いて、同様の手順を繰り返すことによ
り、順次、前記半導体チップ1における他のパッド1
b、さらには、他の半導体チップ1のパッド1bにバン
プ1cの形成を行う。
Subsequently, by repeating the same procedure, the other pads 1 in the semiconductor chip 1 are successively arranged.
b, and further, a bump 1c is formed on a pad 1b of another semiconductor chip 1.

【0094】所定数の半導体チップ1に対してバンプ1
cの形成を行った後、バンプ1cの形成を終了した半導
体チップ1をチップ保持部2aに保持した状態を維持し
て、チップ搬送治具2ごとアンローダ部7に搬送し、順
次、このアンローダ部7に収容していく。
For a given number of semiconductor chips 1, bumps 1
After the formation of the bumps 1c, the semiconductor chip 1 on which the formation of the bumps 1c has been held is held in the chip holding section 2a, and the entire chip transfer jig 2 is transferred to the unloader section 7. 7

【0095】本実施の形態の半導体製造方法および装置
ならびにチップ搬送治具によれば、以下のような作用効
果が得られる。
According to the semiconductor manufacturing method and apparatus and the chip transport jig of the present embodiment, the following operational effects can be obtained.

【0096】すなわち、チップ搬送治具2が複数のチッ
プ保持部2aを有しかつリードフレーム3に対応した形
状に形成されていることにより、リードフレーム3を用
いてワイヤボンディングを行う半導体製造装置(ワイヤ
ボンディング装置)の搬送系においてもこのチップ搬送
治具2を使用することができる。
That is, since the chip transporting jig 2 has a plurality of chip holding portions 2a and is formed in a shape corresponding to the lead frame 3, a semiconductor manufacturing apparatus for performing wire bonding using the lead frame 3 ( The chip transfer jig 2 can also be used in a transfer system of a wire bonding apparatus).

【0097】これにより、前記半導体製造装置におい
て、半導体チップ1のパッド1bにバンプ1cを形成す
るスタッドボンディングを行うためのチップ搬送技術を
確立することができる。
Thus, in the semiconductor manufacturing apparatus, a chip transfer technique for performing stud bonding for forming bumps 1c on pads 1b of the semiconductor chip 1 can be established.

【0098】その結果、前記半導体製造装置によって、
チップ搬送治具2を用いてスタッドボンディングを行う
ことが可能になる。
As a result, with the semiconductor manufacturing apparatus,
Stud bonding can be performed using the chip transport jig 2.

【0099】つまり、チップ搬送治具2を用いることに
より、前記半導体製造装置(ワイヤボンディング装置)
が、ワイヤボンディングとスタッドボンディングの両方
を行うことができる。
That is, by using the chip transfer jig 2, the semiconductor manufacturing apparatus (wire bonding apparatus)
However, both wire bonding and stud bonding can be performed.

【0100】さらに、スタッドボンディングを行う際に
は、チップ搬送治具2を用いるため、前記半導体製造装
置においてワイヤボンディングとスタッドボンディング
との使い分けを容易に行うことができる。
Further, when performing the stud bonding, the chip transport jig 2 is used, so that the semiconductor manufacturing apparatus can easily use the wire bonding and the stud bonding properly.

【0101】したがって、大口径の半導体ウェハに対し
てもダイシングを行って良品の半導体チップ1を取得
し、この良品の半導体チップ1をチップ搬送治具2によ
って保持して搬送することにより、新たな設備投資を行
うことなく前記半導体製造装置によってスタッドボンデ
ィングすることが可能になる。
Therefore, a good semiconductor chip 1 is obtained by dicing even a large-diameter semiconductor wafer, and the good semiconductor chip 1 is held and transferred by the chip transfer jig 2 so that a new semiconductor chip 1 is obtained. Stud bonding can be performed by the semiconductor manufacturing apparatus without capital investment.

【0102】これにより、大口径の半導体ウェハ用の蒸
着装置やスタッドボンディング装置を購入したり、また
は、既存の装置を改良せずに済むため、設備投資を大幅
に抑制でき、その結果、製品(半導体チップ1)のコス
トを低減できる。
As a result, it is not necessary to purchase a vapor deposition apparatus or a stud bonding apparatus for a large-diameter semiconductor wafer, or to improve an existing apparatus, so that capital investment can be greatly suppressed, and as a result, the product ( The cost of the semiconductor chip 1) can be reduced.

【0103】また、チップ搬送治具2が、そのチップ保
持部2aを覆う蓋部材2dを有するとともに、ベース部
材2bに形成されたベース側開口部2cおよび蓋部材2
dに形成された蓋側開口部2eの大きさが半導体チップ
1の主面1aの面積より小さく形成されていることによ
り、搬送中の半導体チップ1のチップ保持部2aからの
飛び出しを防ぐことができる。
The chip conveying jig 2 has a lid member 2d for covering the chip holding portion 2a, a base side opening 2c formed in the base member 2b, and a lid member 2d.
Since the size of the lid-side opening 2e formed in the semiconductor chip 1 is smaller than the area of the main surface 1a of the semiconductor chip 1, it is possible to prevent the semiconductor chip 1 during transportation from jumping out of the chip holding portion 2a. it can.

【0104】その結果、スタッドボンディングを行う上
での半導体チップ1の搬送性を向上させることができる
とともに、半導体チップ1の歩留りを向上できる。
As a result, the transportability of the semiconductor chip 1 in performing the stud bonding can be improved, and the yield of the semiconductor chip 1 can be improved.

【0105】さらに、この蓋部材2dに複数の蓋側開口
部2eが設けられていることにより、半導体チップ1を
チップ搬送治具2のチップ保持部2aに保持した状態
で、キャピラリ4cによって支持されたボンディングワ
イヤ4aの先端のボール4bを蓋側開口部2eを介して
半導体チップ1のパッド1bに接合させることができ
る。
Further, since the lid member 2d is provided with a plurality of lid side openings 2e, the semiconductor chip 1 is supported by the capillary 4c while being held by the chip holding portion 2a of the chip transfer jig 2. The ball 4b at the tip of the bonding wire 4a can be bonded to the pad 1b of the semiconductor chip 1 via the lid-side opening 2e.

【0106】これにより、蓋部材2dを取り付けた状態
のままスタッドボンディングを行うことができる。
Thus, stud bonding can be performed with the lid member 2d attached.

【0107】また、チップ搬送治具2のベース部材2b
に複数のベース側開口部2cが設けられていることによ
り、半導体チップ1をチップ搬送治具2のチップ保持部
2aに保持した状態で、前記半導体製造装置(ワイヤボ
ンディング装置)のヒートブロック6aによってベース
側開口部2cを介して半導体チップ1を真空吸着するこ
とができる。
Further, the base member 2b of the chip transfer jig 2
Is provided with a plurality of base-side openings 2c, so that the semiconductor chip 1 is held by the chip holding portion 2a of the chip transfer jig 2 while being heated by the heat block 6a of the semiconductor manufacturing apparatus (wire bonding apparatus). The semiconductor chip 1 can be vacuum-sucked through the base-side opening 2c.

【0108】これにより、チップ搬送治具2のチップ保
持部2aに半導体チップ1を保持した状態のままヒート
ブロック6aによって半導体チップ1を真空吸着支持す
ることができる。
As a result, the semiconductor chip 1 can be vacuum-adsorbed and supported by the heat block 6a while the semiconductor chip 1 is held in the chip holding portion 2a of the chip transfer jig 2.

【0109】その結果、チップ搬送治具2のチップ保持
部2aに半導体チップ1を保持したままスタッドボンデ
ィングを行うことができる。
As a result, stud bonding can be performed while holding the semiconductor chip 1 in the chip holding portion 2a of the chip transfer jig 2.

【0110】さらに、スタッドボンディングを行う際
に、ヒートブロック6aによって直接半導体チップ1を
支持することにより、効率良く半導体チップ1を加熱す
ることができるとともに、チップ搬送治具2のベース部
材2bは直接加熱されないため、このベース部材2bの
熱変形を低減できる。
Further, when the stud bonding is performed, the semiconductor chip 1 can be efficiently heated by directly supporting the semiconductor chip 1 by the heat block 6a, and the base member 2b of the chip carrying jig 2 can be directly heated. Since the base member 2b is not heated, thermal deformation of the base member 2b can be reduced.

【0111】その結果、チップ搬送治具2におけるチッ
プ保持性を高めることができる。
As a result, the chip holding property of the chip transfer jig 2 can be improved.

【0112】また、蓋部材2dが磁石によって着脱自在
に取り付けられていることにより、蓋部材2dの着脱を
容易に行うことができる。
Further, since the lid member 2d is detachably attached by the magnet, the lid member 2d can be easily attached and detached.

【0113】その結果、半導体チップ1のチップ保持部
2aからの取り出しや収容を素早くかつ容易に行うこと
ができる。
As a result, the semiconductor chip 1 can be quickly and easily taken out of and stored in the chip holding portion 2a.

【0114】さらに、チップ搬送治具2のチップ保持部
2aにおいて半導体チップ1を収容・保持する際に、接
着剤などの接合材を使用していないため、前記同様、半
導体チップ1のチップ保持部2aからの取り出しや収容
を素早くかつ容易に行うことができるとともに、半導体
チップ1に傷が形成されることを低減できる。
Further, when the semiconductor chip 1 is accommodated and held in the chip holding portion 2a of the chip transfer jig 2, no bonding material such as an adhesive is used. Extraction and accommodation from 2a can be performed quickly and easily, and formation of scratches on semiconductor chip 1 can be reduced.

【0115】また、チップ搬送治具2においてチップ保
持部2aが複数列(本実施の形態では2列)に設けられ
ていることにより、1つのチップ搬送治具2によって一
度に多数(本実施の形態では26個)の半導体チップ1
を搬送することができる。
Further, since the chip holding portions 2a are provided in a plurality of rows (two rows in the present embodiment) in the chip transport jig 2, a large number (one in the present embodiment) can be provided at one time by one chip transport jig 2. Semiconductor chip 1)
Can be transported.

【0116】これにより、スタッドボンディングの処理
を効率良く行うことができる。
As a result, the stud bonding process can be performed efficiently.

【0117】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言う
までもない。
Although the invention made by the inventor has been specifically described based on the embodiments of the present invention, the present invention is not limited to the embodiments of the invention, and does not depart from the gist of the invention. It is needless to say that various changes can be made.

【0118】例えば、前記実施の形態においては、チッ
プ搬送治具がスタッドボンディングのために用いられる
治具の場合について説明したが、前記チップ搬送治具の
代わりとして図4に示すリードフレーム3を用いること
もできる。
For example, in the above embodiment, the case where the chip transport jig is a jig used for stud bonding has been described, but the lead frame 3 shown in FIG. 4 is used instead of the chip transport jig. You can also.

【0119】すなわち、リードフレーム3のダイパッド
部3bに半導体チップ1をペースト剤などによって仮固
定し、本実施の形態の半導体製造装置(ワイヤボンディ
ング装置)によってスタッドボンディングした後、リー
ドフレーム3のダイパッド部3bから半導体チップ1を
取り外すものであり、チップ搬送治具の代わりを成す。
That is, the semiconductor chip 1 is temporarily fixed to the die pad portion 3b of the lead frame 3 with a paste or the like, and is stud-bonded by the semiconductor manufacturing apparatus (wire bonding apparatus) of the present embodiment. The semiconductor chip 1 is detached from 3b, and takes the place of a chip transport jig.

【0120】また、前記実施の形態においては、半導体
製造装置が超音波熱圧着式のワイヤボンディング装置の
場合について説明したが、前記半導体製造装置は、熱圧
着式のワイヤボンディング装置であってもよい。
Further, in the above-described embodiment, the case where the semiconductor manufacturing apparatus is an ultrasonic thermocompression bonding wire bonding apparatus has been described, but the semiconductor manufacturing apparatus may be a thermocompression bonding wire bonding apparatus. .

【0121】[0121]

【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
Advantageous effects obtained by typical ones of the inventions disclosed by the present application will be briefly described as follows.
It is as follows.

【0122】(1).チップ搬送治具が複数のチップ保
持部を有しかつリードフレームに対応した形状に形成さ
れていることにより、半導体製造装置(ワイヤボンディ
ング装置)において、半導体チップの表面電極にバンプ
を形成するスタッドボンディングを行うためのチップ搬
送技術を確立することができる。
(1). Since the chip transport jig has a plurality of chip holding portions and is formed in a shape corresponding to a lead frame, stud bonding for forming a bump on a surface electrode of a semiconductor chip in a semiconductor manufacturing apparatus (wire bonding apparatus). A chip transfer technique for performing the above can be established.

【0123】(2).前記(1)により、前記半導体製
造装置によって、前記チップ搬送治具を用いてスタッド
ボンディングを行うことが可能になる。したがって、前
記半導体製造装置が、ワイヤボンディングとスタッドボ
ンディングの両方を行うことができる。これにより、大
口径の半導体ウェハに対しても新たな設備投資を行うこ
となく前記半導体製造装置によってスタッドボンディン
グすることが可能になる。つまり、大口径の半導体ウェ
ハ用の蒸着装置やスタッドボンディング装置を購入した
り、または既存の装置を改良せずに済むため、設備投資
を大幅に抑制でき、その結果、製品(半導体チップ)の
コストを低減できる。
(2). According to the above (1), the semiconductor manufacturing apparatus can perform stud bonding using the chip transport jig. Therefore, the semiconductor manufacturing apparatus can perform both wire bonding and stud bonding. As a result, it is possible to perform stud bonding with a semiconductor manufacturing apparatus even on a large-diameter semiconductor wafer without making new capital investment. In other words, it is not necessary to purchase a vapor deposition device or a stud bonding device for a large-diameter semiconductor wafer, or to improve an existing device, thereby greatly reducing capital investment and, as a result, the cost of a product (semiconductor chip). Can be reduced.

【0124】(3).スタッドボンディングを行う際に
は、チップ搬送治具を用いるため、前記半導体製造装置
においてワイヤボンディングとスタッドボンディングと
の使い分けを容易に行うことができる。
(3). When the stud bonding is performed, since the chip transport jig is used, the semiconductor manufacturing apparatus can easily use the wire bonding and the stud bonding properly.

【0125】(4).チップ搬送治具が、そのチップ保
持部を覆う蓋部材を有するとともに、ベース部材に形成
されたベース側開口部および蓋部材に形成された蓋側開
口部の大きさが半導体チップの主面の面積より小さく形
成されていることにより、搬送中の半導体チップのチッ
プ保持部からの飛び出しを防ぐことができる。その結
果、スタッドボンディングを行う上での半導体チップの
搬送性を向上でき、かつ半導体チップ1の歩留りを向上
できる。
(4). The chip transport jig has a lid member that covers the chip holding portion, and the size of the base side opening formed in the base member and the size of the lid side opening formed in the lid member is the area of the main surface of the semiconductor chip. By being formed smaller, it is possible to prevent the semiconductor chip during transportation from jumping out of the chip holding portion. As a result, the transportability of the semiconductor chip in performing the stud bonding can be improved, and the yield of the semiconductor chip 1 can be improved.

【0126】(5).チップ搬送治具の蓋部材に複数の
蓋側開口部が設けられていることにより、蓋部材を取り
付けた状態のままでスタッドボンディングを行うことが
できる。
(5). Since the plurality of lid-side openings are provided in the lid member of the chip transfer jig, stud bonding can be performed with the lid member attached.

【0127】(6).チップ搬送治具のベース部材に複
数のベース側開口部が設けられていることにより、チッ
プ搬送治具のチップ保持部に半導体チップを保持した状
態のままヒートブロックによって半導体チップを真空吸
着支持することができる。その結果、チップ搬送治具の
チップ保持部に半導体チップを保持したままスタッドボ
ンディングを行うことができる。
(6). By providing a plurality of base-side openings in the base member of the chip transfer jig, the semiconductor chip is vacuum-suction-supported by the heat block while the semiconductor chip is held in the chip holding portion of the chip transfer jig. Can be. As a result, stud bonding can be performed while holding the semiconductor chip in the chip holding portion of the chip transport jig.

【0128】(7).スタッドボンディングを行う際
に、ヒートブロックによって直接半導体チップを支持す
ることにより、チップ搬送治具のベース部材は直接加熱
されないため、このベース部材の熱変形を低減できる。
その結果、チップ搬送治具におけるチップ保持性を高め
ることができる。
(7). When the semiconductor chip is directly supported by the heat block when performing the stud bonding, the base member of the chip transfer jig is not directly heated, so that the thermal deformation of the base member can be reduced.
As a result, it is possible to improve the chip holding property of the chip transport jig.

【0129】(8).蓋部材が磁石によって着脱自在に
取り付けられていることにより、蓋部材の着脱を容易に
行うことができる。その結果、半導体チップのチップ保
持部からの取り出しや収容を素早くかつ容易に行うこと
ができる。
(8). Since the lid member is detachably attached by the magnet, the lid member can be easily attached and detached. As a result, the semiconductor chip can be quickly and easily taken out and stored in the chip holding section.

【0130】(9).チップ搬送治具においてチップ保
持部が複数列に設けられていることにより、1つのチッ
プ搬送治具によって一度に多数の半導体チップを搬送で
きる。これにより、スタッドボンディングの処理を効率
良く行うことができる。
(9). Since the chip holding units are provided in a plurality of rows in the chip transfer jig, a large number of semiconductor chips can be transferred at once by one chip transfer jig. Thereby, the stud bonding process can be performed efficiently.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の半導体製造装置の構造の実施の形態の
一例を示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing an example of an embodiment of the structure of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.

【図2】(a),(b)は本発明によるチップ搬送治具の
構造の実施の形態の一例を示す図であり、(a)は平面
図、(b)は(a)のX−X断面を示す断面図である。
FIGS. 2A and 2B are diagrams showing an example of an embodiment of the structure of a chip transport jig according to the present invention, wherein FIG. 2A is a plan view and FIG. It is sectional drawing which shows X cross section.

【図3】本発明のチップ搬送治具による半導体チップの
保持状態の実施の形態の一例を一部破断して示す部分拡
大平面図である。
FIG. 3 is a partially enlarged plan view showing an example of an embodiment of a state in which a semiconductor chip is held by a chip transport jig of the present invention, with a part cut away.

【図4】(a),(b)は本発明の半導体製造装置によっ
てワイヤボンディングが行われるリードフレームの構造
の実施の形態の一例を示す図であり、(a)は平面図、
(b)は(a)のA部の詳細を示す部分拡大平面図であ
る。
4A and 4B are diagrams showing an example of an embodiment of a lead frame structure in which wire bonding is performed by the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention, wherein FIG. 4A is a plan view,
FIG. 2B is a partially enlarged plan view showing details of a portion A in FIG.

【図5】(a),(b)は本発明の半導体製造装置によっ
てチップ搬送治具を用いて行うスタッドボンディング方
法の実施の形態の一例を示す部分断面図である。
FIGS. 5A and 5B are partial cross-sectional views showing an example of an embodiment of a stud bonding method performed by a semiconductor manufacturing apparatus of the present invention using a chip transport jig.

【図6】本発明の半導体製造装置によるワイヤボンディ
ング方法の実施の形態の一例を示す部分断面図である。
FIG. 6 is a partial cross-sectional view showing one example of an embodiment of a wire bonding method using the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体チップ 1a 主面 1b パッド(表面電極) 1c バンプ 2 チップ搬送治具 2a チップ保持部 2b ベース部材 2c ベース側開口部 2d 蓋部材 2e 蓋側開口部 2f チップ収容部材 2g チップ収容開口部 2h 接続部材 2i サブベース部材 3 リードフレーム 3a リード部 3b ダイパッド部 3c 単位フレーム部 3d 枠部 4 ボンディングヘッド部 4a ボンディングワイヤ(金属細線) 4b ボール 4c キャピラリ 4d クランパ 4e カメラ 5 ローダ部 6 フィーダ部 6a ヒートブロック 6b ヒータ 6c 真空吸着系 6d ステージ部 7 アンローダ部 8 XYテーブル 9 モニタ 10 半導体装置 REFERENCE SIGNS LIST 1 semiconductor chip 1a main surface 1b pad (surface electrode) 1c bump 2 chip transport jig 2a chip holding portion 2b base member 2c base side opening 2d lid member 2e lid side opening 2f chip housing member 2g chip housing opening 2h connection Member 2i Sub-base member 3 Lead frame 3a Lead part 3b Die pad part 3c Unit frame part 3d Frame part 4 Bonding head part 4a Bonding wire (thin metal wire) 4b Ball 4c Capillary 4d Clamper 4e Camera 5 Loader part 6 Feeder part 6a Heat block 6b Heater 6c Vacuum suction system 6d Stage unit 7 Unloader unit 8 XY table 9 Monitor 10 Semiconductor device

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 21/92 604Z ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI H01L 21/92 604Z

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 金属細線の先端に形成されたボールをヒ
ートブロック上でキャピラリによって半導体チップの表
面電極に押し付けて接合させた後、前記金属細線の前記
ボールから所定距離離れた箇所をリードフレームのリー
ド部に接合して前記半導体チップと前記リードフレーム
の前記リード部とをワイヤボンディングする工程と、 前記半導体チップを保持する複数のチップ保持部が設け
られかつ前記リードフレームに対応した形状に形成され
たチップ搬送治具を用い、前記ヒートブロック上におい
て前記チップ搬送治具の前記チップ保持部に前記半導体
チップを保持した状態で、金属細線の先端に形成された
ボールを前記キャピラリによって前記半導体チップの表
面電極に押し付けて接合させた後、前記ボール近傍で前
記金属細線を切断して前記表面電極にバンプを形成する
工程とを有することを特徴とする半導体製造方法。
After a ball formed at the tip of a thin metal wire is pressed against a surface electrode of a semiconductor chip by a capillary on a heat block and joined, a portion of the thin metal wire which is separated from the ball by a predetermined distance is connected to a lead frame. A step of wire bonding the semiconductor chip and the lead part of the lead frame by bonding to a lead part, and a plurality of chip holding parts for holding the semiconductor chip are provided and formed in a shape corresponding to the lead frame. With the semiconductor chip held in the chip holding portion of the chip conveying jig on the heat block using the chip conveying jig, the ball formed at the tip of the thin metal wire is moved by the capillary to the semiconductor chip. After pressing and bonding to the surface electrode, cutting the thin metal wire near the ball Semiconductor manufacturing method characterized by a step of forming bumps on the surface electrode.
【請求項2】 請求項1記載の半導体製造方法であっ
て、前記半導体チップの前記表面電極に前記バンプを形
成する際に、前記チップ搬送治具の前記チップ保持部に
前記半導体チップを保持した状態で、前記チップ搬送治
具のベース部材に設けられたベース側開口部を介して前
記半導体チップを真空吸着することにより、前記ヒート
ブロック上に前記半導体チップを支持することを特徴と
する半導体製造方法。
2. The semiconductor manufacturing method according to claim 1, wherein when forming the bump on the front surface electrode of the semiconductor chip, the semiconductor chip is held by the chip holding portion of the chip transport jig. In the state, the semiconductor chip is supported on the heat block by vacuum-suctioning the semiconductor chip through a base-side opening provided in a base member of the chip transfer jig. Method.
【請求項3】 請求項1または2記載の半導体製造方法
であって、前記半導体チップの前記表面電極に前記バン
プを形成する際に、前記チップ搬送治具の前記チップ保
持部に前記半導体チップを保持した状態で、金属細線の
先端に形成されたボールを前記キャピラリによって前記
チップ搬送治具の蓋部材に設けられた蓋側開口部を介し
て前記半導体チップの表面電極に押し付けて接合させる
ことを特徴とする半導体製造方法。
3. The semiconductor manufacturing method according to claim 1, wherein when forming the bump on the front surface electrode of the semiconductor chip, the semiconductor chip is mounted on the chip holding portion of the chip transport jig. In the held state, the capillary formed by pressing the ball formed at the tip of the thin metal wire against the surface electrode of the semiconductor chip through the lid side opening provided in the lid member of the chip transport jig is joined. A semiconductor manufacturing method characterized by the above-mentioned.
【請求項4】 半導体チップを搭載したリードフレーム
または前記半導体チップを支持し、かつ前記リードフレ
ームもしくは前記半導体チップを加熱可能なヒートブロ
ックと、 金属細線の先端に形成されたボールを前記ヒートブロッ
クによって支持された前記半導体チップの表面電極に押
し付けて接合させるキャピラリとを有し、 前記リードフレームを用いて半導体装置を組み立てる際
には、前記金属細線の前記ボールを前記ヒートブロック
上で前記キャピラリによって前記半導体チップの前記表
面電極に押し付けて接合させた後、前記金属細線の前記
ボールから所定距離離れた箇所を前記リードフレームの
リード部に接合し、かつ、半導体チップの表面電極にバ
ンプを形成する際には、前記ヒートブロック上におい
て、前記リードフレームに対応した形状に形成されたチ
ップ搬送治具のチップ保持部に前記半導体チップを保持
した状態で、前記金属細線の前記ボールを前記キャピラ
リによって前記半導体チップの表面電極に押し付けて接
合させた後、前記ボール近傍で前記金属細線を切断して
前記表面電極に前記バンプを形成することを特徴とする
半導体製造装置。
4. A lead frame on which a semiconductor chip is mounted or a heat block supporting the semiconductor chip and capable of heating the lead frame or the semiconductor chip, and a ball formed at the tip of a thin metal wire is formed by the heat block. A capillary that is pressed against and bonded to a surface electrode of the semiconductor chip that is supported. After pressing and bonding to the surface electrode of the semiconductor chip, bonding a portion of the fine metal wire separated from the ball by a predetermined distance to a lead portion of the lead frame, and forming a bump on the surface electrode of the semiconductor chip. The lead frame on the heat block After holding the semiconductor chip in the chip holding portion of the chip transfer jig formed in a corresponding shape, pressing the ball of the thin metal wire against the surface electrode of the semiconductor chip by means of the capillary, and joining the ball. The semiconductor manufacturing apparatus, wherein the thin metal wire is cut in the vicinity of a ball to form the bump on the surface electrode.
【請求項5】 請求項4記載の半導体製造装置であっ
て、前記半導体チップの前記表面電極に前記バンプを形
成する際に用いられる前記チップ搬送治具において、複
数の前記チップ保持部が区画形成されるとともに、前記
チップ保持部を覆う蓋部材が着脱自在に取り付けられて
いることを特徴とする半導体製造装置。
5. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 4, wherein in the chip transport jig used when forming the bump on the surface electrode of the semiconductor chip, a plurality of the chip holding portions are formed in a partitioned manner. And a lid member for covering the chip holding portion is detachably attached.
【請求項6】 半導体チップを保持して搬送するチップ
搬送治具であって、前記半導体チップを保持する複数の
チップ保持部が設けられるとともに、半導体装置を組み
立てる際に用いるリードフレームに対応した形状に形成
され、半導体製造装置のヒートブロックへの前記半導体
チップの搬入出時の搬送の際と、金属細線の先端に形成
されたボールを前記半導体チップの表面電極に押し付け
て接合させる際と、接合後、前記ボール近傍で前記金属
細線を切断して前記表面電極にバンプを形成する際と
に、前記チップ保持部に前記半導体チップを保持し得る
ことを特徴とするチップ搬送治具。
6. A chip transport jig for holding and transporting a semiconductor chip, comprising: a plurality of chip holders for holding said semiconductor chip; and a shape corresponding to a lead frame used when assembling a semiconductor device. When the semiconductor chip is transported into and out of the heat block of the semiconductor manufacturing apparatus at the time of loading and unloading, and when the ball formed at the tip of the fine metal wire is pressed against the surface electrode of the semiconductor chip and bonded, A chip transport jig capable of holding the semiconductor chip on the chip holding portion when the metal thin wire is cut near the ball to form a bump on the surface electrode.
【請求項7】 請求項6記載のチップ搬送治具であっ
て、複数の前記チップ保持部が区画形成されるととも
に、前記チップ保持部を覆う蓋部材が着脱自在に取り付
けられていることを特徴とするチップ搬送治具。
7. The chip transporting jig according to claim 6, wherein a plurality of said chip holding portions are defined and a lid member for covering said chip holding portions is detachably attached. Chip transport jig.
【請求項8】 請求項6または7記載のチップ搬送治具
であって、前記半導体チップの主面より小さい面積の複
数のベース側開口部が設けられたベース部材と、前記半
導体チップの前記主面より小さい面積の複数の蓋側開口
部が形成された蓋部材と、前記半導体チップの前記主面
より若干大きい面積の複数のチップ収容開口部が形成さ
れたチップ収容部材とを有し、それぞれの前記ベース側
開口部と前記蓋側開口部と前記チップ収容開口部との位
置を合わせた状態で、前記チップ収容部材が前記ベース
部材と前記蓋部材との間に設けられて複数の前記チップ
保持部が形成されるとともに、前記蓋部材が着脱自在に
取り付けられていることを特徴とするチップ搬送治具。
8. The chip transport jig according to claim 6, wherein said base member provided with a plurality of base-side openings having an area smaller than a main surface of said semiconductor chip; A lid member formed with a plurality of lid side openings having an area smaller than the surface, and a chip housing member formed with a plurality of chip housing openings having an area slightly larger than the main surface of the semiconductor chip, In a state where the positions of the base side opening, the lid side opening, and the chip housing opening are aligned, the chip housing member is provided between the base member and the cover member, and the plurality of chips are provided. A chip conveying jig, wherein a holding portion is formed and the lid member is detachably attached.
【請求項9】 請求項6,7または8記載のチップ搬送
治具であって、前記蓋部材が磁石によって着脱自在に取
り付けられていることを特徴とするチップ搬送治具。
9. The chip conveying jig according to claim 6, wherein said lid member is detachably attached by a magnet.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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USD971955S1 (en) * 2020-10-19 2022-12-06 Splunk Inc. Display screen or portion thereof having a graphical user interface for a process control editor

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