JPH10325951A - Liquid crystal display device - Google Patents

Liquid crystal display device

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Publication number
JPH10325951A
JPH10325951A JP9134669A JP13466997A JPH10325951A JP H10325951 A JPH10325951 A JP H10325951A JP 9134669 A JP9134669 A JP 9134669A JP 13466997 A JP13466997 A JP 13466997A JP H10325951 A JPH10325951 A JP H10325951A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
substrate
black matrix
sealing material
crystal display
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9134669A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akira Ishii
彰 石井
Toshio Sato
敏男 佐藤
Junichi Owada
淳一 大和田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Hitachi Consumer Electronics Co Ltd
Japan Display Inc
Original Assignee
Hitachi Device Engineering Co Ltd
Hitachi Ltd
Hitachi Consumer Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Device Engineering Co Ltd, Hitachi Ltd, Hitachi Consumer Electronics Co Ltd filed Critical Hitachi Device Engineering Co Ltd
Priority to JP9134669A priority Critical patent/JPH10325951A/en
Publication of JPH10325951A publication Critical patent/JPH10325951A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent light leakage on the periphery of a display window and the peeling of a substrate at a sealing part and to make the device excellent in display quality and reliability by constituting a black matrix so that it may cover over an area between a display area and sealing material, it may be partially overlapped on the outside of the sealing material and it may cover over an area between the sealing material and the end of a 2nd substrate. SOLUTION: The black matrix BM is partially overlapped on the inside of the sealing material SL and covers over the area between the display area AR and the material SL. Then, it is partially overlapped on the outside of the material SL and y covers over the area between the material SL and the end of an upper transparent glass substrate SUB2. By arranging the black matrix BM at the end of the color filter substrate SUB2 on the outside of the material SL, light from a backlight BL is absorbed by the black matrix BM provided at the end of the substratae SUB2 and trouble that the light is seen on the periphery of the display window WD is eliminated, so that the liquid crystal display device excellent in the display quality is obtained.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、それぞれ薄膜を設
けた面が互いに対向するように、2枚の絶縁基板を所定
の間隙を隔てて重ね合わせ、両基板間の周縁部に枠状に
設けたシール材により両基板を接着すると共に、該シー
ル材の内側の両基板間に液晶を封止してなる液晶表示素
子を有し、一方の基板にブラックマトリクス(遮光膜)
を設けた液晶表示装置(すなわち、液晶表示モジュー
ル)に係り、特に、表示領域外側における周辺額縁部の
光漏れを低減する技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: stacking two insulating substrates with a predetermined gap therebetween so that the surfaces on which thin films are provided face each other; A liquid crystal display element in which liquid crystal is sealed between the two substrates inside the sealing material while the two substrates are adhered to each other with a sealing material, and a black matrix (light shielding film) is provided on one of the substrates.
More particularly, the present invention relates to a technique for reducing light leakage in a peripheral frame portion outside a display area.

【0002】[0002]

【従来の技術】アクティブ・マトリクス方式の液晶表示
装置は、マトリクス状に配列された複数の画素電極のそ
れぞれに対応して非線形素子(スイッチング素子)を設
けたものである。各画素における液晶は理論的には常時
駆動(デューティ比 1.0)されているので、時分割駆動
方式を採用している、いわゆる単純マトリクス方式と比
べてアクティブ方式はコントラストが良く、特にカラー
液晶表示装置では欠かせない技術となりつつある。スイ
ッチング素子として代表的なものとしては薄膜トランジ
スタ(TFT)がある。
2. Description of the Related Art An active matrix type liquid crystal display device is provided with a non-linear element (switching element) corresponding to each of a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix. Since the liquid crystal in each pixel is theoretically always driven (duty ratio 1.0), the active method has better contrast than the so-called simple matrix method that employs the time-division driving method. Then it is becoming an indispensable technology. A typical switching element is a thin film transistor (TFT).

【0003】なお、薄膜トランジスタを使用したアクテ
ィブ・マトリクス方式の液晶表示装置は、例えば特開平
5−257142号公報で知られている。また、画素電
極の周囲を樹脂からなる遮光膜で覆う構成は、特開平4
−342229号および特開平5−72540号公報で
知られている。
An active matrix type liquid crystal display device using thin film transistors is known, for example, from Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-257142. A configuration in which the periphery of a pixel electrode is covered with a light-shielding film made of resin is disclosed in
-342229 and JP-A-5-72540.

【0004】液晶表示装置は、例えば、表示用透明画素
電極と配向膜等をそれぞれ積層した面が対向するように
所定の間隙を隔てて2枚のガラス等からなる透明絶縁基
板を重ね合わせ、該両基板間の周縁部に枠状に設けたシ
ール材により、両基板を貼り合わせると共に、シール材
の一部に設けた液晶封入口から両基板間のシール材の内
側に液晶を封入、封止し、さらに両基板の外側に偏光板
を設けてなる液晶表示素子(すなわち、液晶表示パネ
ル、液晶表示部、LCD:リキッド クリスタルディス
プレイ)と、液晶表示素子の下に配置され、液晶表示素
子に光を供給するバックライトと、液晶表示素子の外周
部の外側に配置した液晶表示素子の駆動用回路基板と、
これらの各部材を保持するモールド成形品である枠状体
と、これらの各部材を収納し、液晶表示窓があけられた
金属製シールドケース(フレーム)等から構成されてい
る。
In a liquid crystal display device, for example, two transparent insulating substrates made of glass or the like are overlapped with a predetermined gap so that the surfaces on which a transparent pixel electrode for display and an alignment film are laminated face each other. The two substrates are bonded together with a frame-shaped sealing material provided on the peripheral edge between the two substrates, and liquid crystal is sealed and sealed inside the sealing material between the two substrates from the liquid crystal filling port provided in a part of the sealing material. Further, a liquid crystal display element (ie, a liquid crystal display panel, a liquid crystal display section, an LCD: a liquid crystal display) in which a polarizing plate is provided outside the two substrates, and a liquid crystal display element disposed below the liquid crystal display element, And a circuit board for driving the liquid crystal display element disposed outside the outer periphery of the liquid crystal display element,
It is composed of a frame-shaped body which is a molded product holding these members, a metal shield case (frame) which accommodates these members and has a liquid crystal display window opened.

【0005】従来の液晶表示素子では、カラーフィルタ
を設ける方の基板(以下、カラーフィルタ基板と称す)
の対向基板(薄膜トランジスタを設ける方の基板。以
下、TFT基板と称す)側の面に、ブラックマトリクス
を形成している。ブラックマトリクスは、上下の両基板
に設けた透明画素電極で構成される各画素の周囲に格子
状に形成され、この格子により1画素の有効表示領域が
仕切られており、これにより、各画素の輪郭をはっきり
させ、コントラストを向上することができる。
In a conventional liquid crystal display device, a substrate on which a color filter is provided (hereinafter, referred to as a color filter substrate).
A black matrix is formed on the surface of the counter substrate (the substrate on which the thin film transistor is provided; hereinafter, referred to as a TFT substrate). The black matrix is formed in a grid around each pixel composed of transparent pixel electrodes provided on both the upper and lower substrates, and the grid partitions an effective display area of one pixel. The contour can be made clear and the contrast can be improved.

【0006】従来は、ブラックマトリクスの材料として
は、クロム(Cr)等の金属膜が用いられていた。な
お、広い面積にわたって形成されるブラックマトリクス
を設けた基板側が表示画面側(観察側)となる場合は、
該ブラックマトリクスがCrのように反射性の金属材料
から形成されていると、表示画面側の外部の光(以下、
外光と称す)がブラックマトリクスで外側(観察側)に
反射し、画面が見にくくなり(鏡のようになり)、コン
トラストが低下し、表示品質が低下する問題があった。
この問題を解消するため、ブラックマトリクスを、黒色
等に着色した低反射の有機系樹脂で形成することが提案
されている。この場合、有機系樹脂と基板との接着強度
が低いので、液晶表示素子の製造工程における基板の切
断工程等により、シール材を設けた部分(以下、シール
部と称す)にストレスがかかり、シール部におけるブラ
ックマトリクスと基板との界面で剥離が発生しやすい。
したがって、この黒色有機系樹脂膜とシール材との重な
り幅は最小限にすることが望ましい。
Conventionally, a metal film such as chromium (Cr) has been used as a material of the black matrix. When the substrate side provided with the black matrix formed over a large area is the display screen side (observation side),
If the black matrix is formed of a reflective metal material such as Cr, external light on the display screen side (hereinafter referred to as
External light) is reflected outward (observation side) by the black matrix, making the screen difficult to see (like a mirror), reducing the contrast, and deteriorating the display quality.
To solve this problem, it has been proposed to form the black matrix with a low-reflection organic resin colored black or the like. In this case, since the adhesive strength between the organic resin and the substrate is low, stress is applied to a portion provided with a sealing material (hereinafter referred to as a sealing portion) due to a substrate cutting process in a liquid crystal display element manufacturing process, and the like. Separation easily occurs at the interface between the black matrix and the substrate in the portion.
Therefore, it is desirable to minimize the overlap width between the black organic resin film and the sealing material.

【0007】なお、シール部にブラックマトリクスを配
置しないと、シール部で光漏れが生じ、表示品質が低下
する問題がある。この問題を解消するため、シール材と
して黒色の顔料を添加した樹脂を使用し、シール材に遮
光性を持たせることが提案されている(本出願人による
特願平7−267129号参照)。
[0007] If the black matrix is not arranged in the seal portion, light leakage occurs in the seal portion, and there is a problem that display quality is degraded. In order to solve this problem, it has been proposed to use a resin to which a black pigment is added as a sealing material and make the sealing material have a light-shielding property (see Japanese Patent Application No. 7-267129 filed by the present applicant).

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】さらに、従来の液晶表
示装置においては、バックライトからの光が、シール材
の外側のカラーフィルタ基板の端部のガラス面で乱反射
して、表示領域の周辺額縁部、すなわち、表示窓の周辺
で見えたり、あるいは、シールドケースと液晶表示素子
とのすき間が広い場合、斜めから見ると光漏れが見え、
表示品質が低下する問題がある。
Further, in the conventional liquid crystal display device, the light from the backlight is irregularly reflected on the glass surface at the end of the color filter substrate outside the sealing material, and the peripheral frame of the display area is formed. Part, that is, visible around the display window, or if the gap between the shield case and the liquid crystal display element is wide, light leakage is visible when viewed from an angle,
There is a problem that display quality is deteriorated.

【0009】本発明の目的は、この問題を解決し、表示
窓の周辺における光漏れとシール部における基板の剥が
れを防止し、表示品質と信頼性に優れた液晶表示装置を
提供することにある。
An object of the present invention is to solve this problem and to provide a liquid crystal display device which is excellent in display quality and reliability by preventing light leakage around a display window and peeling of a substrate in a seal portion. .

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明は、絶縁基板上に複数の画素電極をマトリク
ス状に配置して表示領域を形成した第1基板と、絶縁基
板からなり、上記第1基板に液晶層を介して重ね合わさ
れた第2基板と、上記第1および第2基板の周縁部に設
けられ、上記表示領域の外側で上記液晶層の存在する領
域を取り囲み、上記第1および第2基板の間に設けら
れ、それらを固定するシール材と、上記第1および第2
基板の周囲を覆い、上記表示領域を露出させる開口部を
有し、遮光性の枠体からなるシールドケースと、上記第
1または第2基板の対向基板と反対側の面に光を照射す
る照明光手段とを具備してなり、上記第2基板の上記第
1基板側の面に上記画素電極の周囲を覆う遮光膜からな
るブラックマトリクスを設け、上記ブラックマトリクス
は上記シール材の内側と一部重なり、上記表示領域と上
記シール材の間の領域を覆い、かつ、上記ブラックマト
リクスは上記シール材の外側と一部重なり、上記シール
材と上記第2基板の端部の間の領域を覆うことを特徴と
する。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention comprises a first substrate in which a plurality of pixel electrodes are arranged in a matrix on an insulating substrate to form a display area, and an insulating substrate. A second substrate superimposed on the first substrate via a liquid crystal layer, and a peripheral portion of the first and second substrates, wherein the second substrate surrounds a region where the liquid crystal layer exists outside the display region; A sealing member provided between the first and second substrates to fix them, and the first and second substrates
A shield case that covers the periphery of the substrate and has an opening that exposes the display area and is made of a light-shielding frame; A black matrix comprising a light-shielding film covering the periphery of the pixel electrode on the surface of the second substrate on the first substrate side, wherein the black matrix is partially and partially inside the sealing material. Overlapping, covering an area between the display area and the seal material, and the black matrix partially overlapping the outside of the seal material, and covering an area between the seal material and an end of the second substrate. It is characterized by.

【0011】また、絶縁基板上に金属層からなる複数の
走査信号線と複数の映像信号線を絶縁層を介して交差さ
せてマトリクス状に配置し、上記複数の走査信号線と複
数の映像信号線の各交差部に対応して画素電極および薄
膜トランジスタで構成される画素を設け、表示領域を形
成した第1基板と、絶縁基板からなり、上記第1基板に
液晶層を介して重ね合わされた第2基板と、上記第1お
よび第2基板の周縁部に設けられ、上記表示領域の外側
で上記液晶層の存在する領域を取り囲み、上記第1およ
び第2基板の間に設けられ、それらを固定するシール材
と、上記第1および第2基板の周囲を覆い、上記表示領
域を露出させる開口部を有し、遮光性の枠体からなるシ
ールドケースとを具備してなり、上記複数の走査信号線
と複数の映像信号線は上記シール材が取り囲む領域の外
側に延在して外部回路に接続され、上記第2基板上に上
記薄膜トランジスタを覆う遮光膜からなるブラックマト
リクスを設け、上記ブラックマトリクスは上記シール材
の内側と一部重なり、上記表示領域と上記シール材の間
の領域を覆い、かつ、上記ブラックマトリクスは上記シ
ール材の外側と一部重なり、上記シール材と上記第2基
板の端部の間の領域を覆うことを特徴とする。
A plurality of scanning signal lines made of a metal layer and a plurality of video signal lines are arranged in a matrix on an insulating substrate so as to intersect with each other with an insulating layer interposed therebetween. A pixel composed of a pixel electrode and a thin film transistor is provided corresponding to each intersection of the lines, a first substrate having a display region formed thereon, and an insulating substrate, the first substrate being overlapped with the first substrate via a liquid crystal layer. Two substrates and a peripheral portion of the first and second substrates, which surrounds a region where the liquid crystal layer exists outside the display region, is provided between the first and second substrates, and fixes them. And a shielding case that covers the periphery of the first and second substrates, has an opening that exposes the display area, and is made of a light-shielding frame. Lines and multiple video signals Is provided outside the region surrounded by the sealing material and connected to an external circuit, and a black matrix comprising a light-shielding film covering the thin film transistor is provided on the second substrate, and the black matrix is in contact with the inside of the sealing material. The black matrix partially overlaps and covers an area between the display area and the seal material, and the black matrix partially overlaps the outside of the seal material and covers an area between the seal material and an end of the second substrate. It is characterized by the following.

【0012】また、上記シール材は黒色の顔料を添加し
た樹脂からなることを特徴とする。
Further, the sealing material is made of a resin to which a black pigment is added.

【0013】また、上記ブラックマトリクスは黒色の顔
料を添加した樹脂からなることを特徴とする。
Further, the black matrix is made of a resin to which a black pigment is added.

【0014】さらに、上記シール材の一部に設けられ、
該シール材の内側の上記両基板間に液晶を注入する液晶
封入口部にも、上記ブラックマトリクスを配置したこと
を特徴とする。
[0014] Further, it is provided on a part of the sealing material,
The black matrix is also arranged at a liquid crystal filling opening for injecting liquid crystal between the two substrates inside the sealing material.

【0015】本発明では、ブラックマトリクスを、シー
ル材の外側の第2基板の端部に配置したことにより、バ
ックライトからの光が該基板端部に設けたブラックマト
リクスで吸収され、表示窓の周辺で光が見える問題を解
決することができ、表示品質の優れた液晶表示装置を提
供することができる。
According to the present invention, since the black matrix is disposed at the end of the second substrate outside the sealing material, light from the backlight is absorbed by the black matrix provided at the end of the substrate, and the display window is closed. The problem that light can be seen in the periphery can be solved, and a liquid crystal display device with excellent display quality can be provided.

【0016】また、基板面と垂直方向から見た場合、シ
ール材のほぼ全周にわたって、基板やシール材に対して
接着強度の低い有機系樹脂からなるブラックマトリクス
をシール部において一部設けず、該ブラックマトリクス
とシール材とが重なる部分と重ならない部分を設けたの
で、該重ならない部分においては、例えば基板/保護膜
/シール材の接着強度の高い組み合わせとなり、シール
部の接着強度を向上することができる。
When viewed from a direction perpendicular to the substrate surface, a black matrix made of an organic resin having low adhesive strength to the substrate or the sealing material is not provided in the sealing portion over substantially the entire circumference of the sealing material. Since a portion where the black matrix and the sealing material overlap and a portion where the sealing material does not overlap are provided, in the non-overlapping portion, for example, a combination of high bonding strength of the substrate / protective film / sealing material is provided, and the bonding strength of the sealing portion is improved. be able to.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
の形態について詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0018】《アクティブ・マトリクス液晶表示装置》
以下、縦電界方式・アクティブ・マトリクス方式のカラ
ー液晶表示装置にこの発明を適用した実施の形態を説明
する。なお、以下で説明する図面で、同一機能を有する
ものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略す
る。
<< Active matrix liquid crystal display device >>
An embodiment in which the present invention is applied to a vertical electric field type / active matrix type color liquid crystal display device will be described below. In the drawings described below, those having the same functions are denoted by the same reference numerals, and the repeated description thereof will be omitted.

【0019】《液晶表示モジュールMDLの全体構成》
図5は、液晶表示モジュールMDLの分解斜視図であ
る。
<< Overall Configuration of Liquid Crystal Display Module MDL >>
FIG. 5 is an exploded perspective view of the liquid crystal display module MDL.

【0020】SHDは金属板からなるシールドケース
(メタルフレームとも称す)、WDは表示窓、SPC1
〜4は絶縁スペーサ、FPC1、2は多層フレキシブル
回路基板(FPC1はゲート側回路基板、FPC2はド
レイン側回路基板)、HSはドレイン側回路基板FPC
2のグランドとシールドケースSHDとの電気的接続を
取るために設けられる金属箔からなるフレームグラン
ド、PCBはインターフェイス回路基板、ASBはアッ
センブルされた駆動回路基板付き液晶表示素子、PNL
は重ね合わせた2枚の透明絶縁基板の一方の基板上に駆
動ICを搭載した液晶表示素子(液晶表示パネルとも称
す)、GC1およびGC2はゴムクッション、PRSは
プリズムシート(本例では2枚の光学シートで構成され
ている。)、SPSは拡散シート、GLBは導光板、R
FSは反射シート、SLVは拡散シートSPSおよびプ
リズムシートPRSを固定するスリーブ、MCAは一体
成型により形成された下側ケース(モールドケース)、
LPは蛍光管、LSは蛍光管LPの光を導光板GLB側
に反射する反射器、LPC1、2はランプケーブル、L
CTはインバータ用の接続コネクタ、GBは蛍光管LP
を支持するゴムブッシュである。
SHD is a shield case (also called a metal frame) made of a metal plate, WD is a display window, SPC1
4 are insulating spacers, FPC1 and 2 are multilayer flexible circuit boards (FPC1 is a gate-side circuit board, FPC2 is a drain-side circuit board), HS is a drain-side circuit board FPC
2, a frame ground made of metal foil provided for establishing electrical connection between the ground and the shield case SHD, PCB is an interface circuit board, ASB is an assembled liquid crystal display element with a drive circuit board, PNL
Is a liquid crystal display element (also referred to as a liquid crystal display panel) in which a driving IC is mounted on one of two superposed transparent insulating substrates, GC1 and GC2 are rubber cushions, and PRS is a prism sheet (in this example, two sheets of liquid crystal display panel). SPS is a diffusion sheet, GLB is a light guide plate, R
FS is a reflection sheet, SLV is a sleeve for fixing the diffusion sheet SPS and the prism sheet PRS, MCA is a lower case (mold case) formed by integral molding,
LP is a fluorescent tube, LS is a reflector that reflects the light of the fluorescent tube LP to the light guide plate GLB side, LPCs 1 and 2 are lamp cables, L
CT is the connector for the inverter, GB is the fluorescent tube LP
It is a rubber bush that supports.

【0021】BLは蛍光管LP、反射器LS、導光板G
LB、反射シートRFS、拡散シートSPSプリズムシ
ートPRSで構成されるバックライトで、液晶表示パネ
ルPNLの裏面に均一な光を供給し、液晶表示パネルP
NLの表面から見る観測者が、液晶の光透過率の変化を
画像表示として認識するために設けられている。
BL denotes a fluorescent tube LP, a reflector LS, and a light guide plate G.
LB, a reflection sheet RFS, and a diffusion sheet SPS. A backlight composed of a prism sheet PRS. The backlight supplies uniform light to the back surface of the liquid crystal display panel PNL.
It is provided so that an observer viewed from the surface of the NL can recognize a change in the light transmittance of the liquid crystal as an image display.

【0022】図5に示すように下側ケースMCA、バッ
クライトBL、駆動回路基板付き液晶表示素子ASB、
シールドケースSHD等が積み重ねられて液晶表示モジ
ュールMDLが組み立てられる。
As shown in FIG. 5, a lower case MCA, a backlight BL, a liquid crystal display element ASB with a drive circuit board,
The liquid crystal display module MDL is assembled by stacking the shield cases SHD and the like.

【0023】《マトリクス部の概要》図7は、液晶表示
素子の画素部の平面図である。
<< Outline of Matrix Section >> FIG. 7 is a plan view of a pixel section of a liquid crystal display device.

【0024】図8は、画素部を中央にして(B)、両側
(A)、(C)にそれぞれ液晶表示素子角付近と映像信
号端子部付近を示す断面図である。図8(B)は図7の
8−8で切った断面に相当する。
FIG. 8 is a sectional view showing the vicinity of the liquid crystal display element angle and the vicinity of the video signal terminal on both sides (A) and (C) with the pixel portion at the center (B). FIG. 8B corresponds to a cross section taken along line 8-8 in FIG.

【0025】各画素は隣接する2本の走査信号線(ゲー
ト信号線または水平信号線)GLと、隣接する2本の映
像信号線(ドレイン信号線または垂直信号線)DLとの
交差領域内(4本の信号線で囲まれた領域内)に配置さ
れている。各画素は薄膜トランジスタTFT、透明画素
電極ITO1および保持容量素子Caddを含む。走査信
号線GLは左右方向に延在し、上下方向に複数本配置さ
れている。映像信号線DLは上下方向に延在し、左右方
向に複数本配置されている。
Each pixel is located within an intersection area between two adjacent scanning signal lines (gate signal lines or horizontal signal lines) GL and two adjacent video signal lines (drain signal lines or vertical signal lines) DL. (In a region surrounded by four signal lines). Each pixel includes a thin film transistor TFT, a transparent pixel electrode ITO1, and a storage capacitor Cadd. The scanning signal lines GL extend in the left-right direction, and a plurality of scanning signal lines GL are arranged in the up-down direction. The video signal lines DL extend in the up-down direction, and a plurality of video signal lines DL are arranged in the left-right direction.

【0026】図8に示すように、液晶層LCを基準にし
て下部透明ガラス基板SUB1側には薄膜トランジスタ
TFTおよび透明画素電極ITO1が形成され、上部透
明ガラス基板SUB2側にはカラーフィルタFIL、遮
光用ブラックマトリクスパターンBMが形成されてい
る。透明ガラス基板SUB1、SUB2の両面にはディ
ップ処理等によって形成された酸化シリコン膜SIOが
設けられている。
As shown in FIG. 8, a thin film transistor TFT and a transparent pixel electrode ITO1 are formed on the lower transparent glass substrate SUB1 side with respect to the liquid crystal layer LC, and a color filter FIL and a light-shielding element are formed on the upper transparent glass substrate SUB2 side. A black matrix pattern BM is formed. A silicon oxide film SIO formed by dipping or the like is provided on both surfaces of the transparent glass substrates SUB1 and SUB2.

【0027】上部透明ガラス基板SUB2の内側(液晶
LC側)の表面には、ブラックマトリクスBM、カラー
フィルタFIL、保護膜PSV2、共通透明画素電極I
TO2(COM)および上部配向膜ORI2が順次積層
して設けられている。
On the inner (liquid crystal LC side) surface of the upper transparent glass substrate SUB2, a black matrix BM, a color filter FIL, a protective film PSV2, and a common transparent pixel electrode I are provided.
TO2 (COM) and an upper alignment film ORI2 are sequentially laminated.

【0028】《マトリクス周辺の概要》図4は上下のガ
ラス基板SUB1、SUB2を含む液晶表示素子(液晶
表示パネル)PNLのマトリクス(AR)周辺部を誇張
した平面を、図3は図4のパネル左上角部に対応するシ
ール部SL付近の拡大平面を示す図である。また、図8
は前述のように画素部における断面を中央にして、左側
に図3の8a−8a切断線における断面を、右側に映像
信号駆動回路が接続されるべき外部接続端子DTM付近
の断面を示す図である。
<< Outline of Matrix Peripheral >> FIG. 4 is an exaggerated plan view of a matrix (AR) peripheral portion of a liquid crystal display element (liquid crystal display panel) PNL including upper and lower glass substrates SUB1 and SUB2, and FIG. It is a figure showing the enlarged plane near seal part SL corresponding to the upper left corner. FIG.
FIG. 3 is a diagram showing a cross section taken along the line 8a-8a in FIG. 3 with the cross section in the pixel portion at the center as described above, and a cross section near the external connection terminal DTM to which the video signal drive circuit is to be connected on the right. is there.

【0029】このパネルの製造では、小さいサイズであ
ればスループット向上のため、1枚のガラス基板で複数
個分のデバイスを同時に加工してから分割し、大きいサ
イズであれば製造設備の共用のためどの品種でも標準化
された大きさのガラス基板を加工してから各品種に合っ
たサイズに小さくし、いずれの場合も一通りの工程を経
てからガラスを切断する。図3、図4は後者の例を示す
もので、図4は上下基板SUB1、SUB2の切断後
を、図3は切断前を表しており、LNは両基板の切断前
の縁を、CT1とCT2はそれぞれ基板SUB1、SU
B2の切断すべき位置を示す。いずれの場合も、完成状
態では外部接続端子群Tg、Td(添字略)が存在する
(図で上下辺と左辺の)部分はそれらを露出するように
上側基板SUB2の大きさが下側基板SUB1よりも内
側に制限されている。端子群Tg、Tdはそれぞれ後述
する走査回路接続用端子GTM、映像信号回路接続用端
子DTMとそれらの引出配線部を集積回路チップCHI
が搭載されたテープキャリアパッケージTCPの単位に
複数本まとめて名付けたものである。各群のマトリクス
部から外部接続端子部に至るまでの引出配線は、両端に
近づくにつれ傾斜している。これは、パッケージTCP
の配列ピッチおよび各パッケージTCPにおける接続端
子ピッチに表示パネルPNLの端子DTM、GTMを合
わせるためである。
In the manufacture of this panel, in order to improve the throughput if the size is small, a plurality of devices are simultaneously processed on one glass substrate and then divided, and if the size is large, the manufacturing equipment is shared. For each type, a glass substrate of a standardized size is processed and then reduced to a size suitable for each type. In each case, the glass is cut after passing through a single process. FIGS. 3 and 4 show the latter example. FIG. 4 shows the upper and lower substrates SUB1 and SUB2 after cutting, and FIG. 3 shows the state before cutting. CT2 is the substrate SUB1, SU
Indicates the position of B2 to be cut. In any case, in the completed state, the size of the upper substrate SUB2 is reduced so that the external connection terminal groups Tg and Td (subscripts are omitted) (the upper and lower sides and the left side in the drawing) are exposed. More restricted inside. The terminal groups Tg and Td respectively include a scanning circuit connection terminal GTM and a video signal circuit connection terminal DTM, which will be described later, and their leading wiring portions are integrated circuit chips CHI.
Are collectively named for the unit of the tape carrier package TCP on which is mounted. The lead wiring from the matrix section of each group to the external connection terminal section is inclined as approaching both ends. This is the package TCP
This is for adjusting the terminals DTM and GTM of the display panel PNL to the arrangement pitch of the display panel PNL and the connection terminal pitch of each package TCP.

【0030】なお、図3に示すように、ガラスを切断し
基板SUB1を分離する前は、薄膜トランジスタの静電
破壊防止のため、端子群Tg、Td内の端子はそれぞれ
ショート線SHg、SHdにより短絡されており、ショ
ート線SHg、SHd同士も接続部PRTで電気的に結
合している。
As shown in FIG. 3, before cutting the glass and separating the substrate SUB1, the terminals in the terminal groups Tg and Td are short-circuited by short lines SHg and SHd, respectively, in order to prevent electrostatic breakdown of the thin film transistor. The short lines SHg and SHd are also electrically connected to each other at the connection part PRT.

【0031】透明ガラス基板SUB1、SUB2の間に
はその縁に沿って、液晶封入口INJを除き、液晶LC
を封止するようにシールパターンSLが形成される。シ
ール材は例えばエポキシ樹脂からなる。上部透明ガラス
基板SUB2側の共通透明画素電極ITO2は、少なく
とも一箇所において、本例ではパネルの4角で銀ペース
ト材AGPによって下部透明ガラス基板SUB1側に形
成されたその引出配線INTに接続されている。この引
出配線INTは後述するゲート端子GTM、ドレイン端
子DTMと同一製造工程で形成される。
Between the transparent glass substrates SUB1 and SUB2, along the edge thereof, except for the liquid crystal filling port INJ, the liquid crystal LC
Is formed to seal the sealing pattern SL. The sealing material is made of, for example, an epoxy resin. The common transparent pixel electrode ITO2 on the upper transparent glass substrate SUB2 side is connected to the lead-out wiring INT formed on the lower transparent glass substrate SUB1 side by a silver paste material AGP at four corners of the panel in this example at least at one position. I have. The lead wiring INT is formed in the same manufacturing process as the later-described gate terminal GTM and drain terminal DTM.

【0032】配向膜ORI1、ORI2、透明画素電極
ITO1、共通透明画素電極ITO2、それぞれの層
は、シールパターンSLの内側に形成される。偏光板P
OL1、POL2はそれぞれ下部透明ガラス基板SUB
1、上部透明ガラス基板SUB2の外側の表面に形成さ
れている。液晶LCは液晶分子の向きを設定する下部配
向膜ORI1と上部配向膜ORI2との間でシールパタ
ーンSLで仕切られた領域に封入されている。下部配向
膜ORI1は下部透明ガラス基板SUB1側の保護膜P
SV1の上部に形成される。
The alignment films ORI1 and ORI2, the transparent pixel electrode ITO1, and the common transparent pixel electrode ITO2 are formed inside the seal pattern SL. Polarizing plate P
OL1 and POL2 are each a lower transparent glass substrate SUB
1. Formed on the outer surface of the upper transparent glass substrate SUB2. The liquid crystal LC is sealed in a region partitioned by the seal pattern SL between the lower alignment film ORI1 and the upper alignment film ORI2 for setting the direction of the liquid crystal molecules. The lower alignment film ORI1 is a protective film P on the lower transparent glass substrate SUB1 side.
It is formed above the SV1.

【0033】この液晶表示装置は、下部透明ガラス基板
SUB1側、上部透明ガラス基板SUB2側で別個に種
々の層を積み重ね、シールパターンSLを基板SUB2
側に形成し、下部透明ガラス基板SUB1と上部透明ガ
ラス基板SUB2とを重ね合せ、シール材SLの開口部
INJから液晶LCを注入し、注入口INJをエポキシ
樹脂などで封止し、上下基板を切断することによって組
み立てられる。
In this liquid crystal display device, various layers are separately stacked on the lower transparent glass substrate SUB1 side and the upper transparent glass substrate SUB2 side, and a seal pattern SL is formed on the substrate SUB2.
The lower transparent glass substrate SUB1 and the upper transparent glass substrate SUB2 are overlapped, liquid crystal LC is injected from the opening INJ of the sealing material SL, the injection port INJ is sealed with epoxy resin or the like, and the upper and lower substrates are Assembled by cutting.

【0034】《薄膜トランジスタTFT》つぎに、図8
に戻り、TFT基板SUB1側の構成を詳しく説明す
る。
<< Thin Film Transistor TFT >> Next, FIG.
Returning to, the configuration on the TFT substrate SUB1 side will be described in detail.

【0035】薄膜トランジスタTFTは、ゲート電極G
Tに正のバイアスを印加すると、ソース−ドレイン間の
チャネル抵抗が小さくなり、バイアスを零にすると、チ
ャネル抵抗は大きくなるように動作する。
The thin film transistor TFT has a gate electrode G
When a positive bias is applied to T, the channel resistance between the source and the drain decreases, and when the bias is set to zero, the channel resistance increases.

【0036】各画素には複数(2つ)の薄膜トランジス
タTFT1、TFT2が冗長して設けられる。薄膜トラ
ンジスタTFT1、TFT2のそれぞれは、実質的に同
一サイズ(チャネル長、チャネル幅が同じ)で構成さ
れ、ゲート電極GT、ゲート絶縁膜GI、i型(真性、
intrinsic、導電型決定不純物がドープされていない)
非晶質シリコン(Si)からなるi型半導体層AS、一
対のソース電極SD1、ドレイン電極SD2を有す。な
お、ソース、ドレインは本来その間のバイアス極性によ
って決まるもので、この液晶表示装置の回路ではその極
性は動作中反転するので、ソース、ドレインは動作中入
れ替わると理解されたい。しかし、以下の説明では、便
宜上一方をソース、他方をドレインと固定して表現す
る。
Each pixel is provided with a plurality (two) of thin film transistors TFT1 and TFT2 redundantly. Each of the thin film transistors TFT1 and TFT2 has substantially the same size (channel length and channel width are the same), and includes a gate electrode GT, a gate insulating film GI, and an i-type (intrinsic,
intrinsic, not doped with conductivity determining impurities)
It has an i-type semiconductor layer AS made of amorphous silicon (Si), a pair of source electrode SD1, and a drain electrode SD2. It should be understood that the source and the drain are originally determined by the bias polarity between them, and in the circuit of this liquid crystal display device, the polarity is inverted during the operation, so that the source and the drain are interchanged during the operation. However, in the following description, one is fixed and the other is fixed as a drain for convenience.

【0037】《ゲート電極GT》ゲート電極GTは走査
信号線GLから垂直方向に突出する形状で構成されてい
る(T字形状に分岐されている)。ゲート電極GTは薄
膜トランジスタTFT1、TFT2のそれぞれの能動領
域を越えるよう突出している。薄膜トランジスタTFT
1、TFT2のそれぞれのゲート電極GTは、一体に
(共通のゲート電極として)構成されており、走査信号
線GLに連続して形成されている。本例では、ゲート電
極GTは、単層の第2導電膜g2で形成されている。第
2導電膜g2としては例えばスパッタで形成されたアル
ミニウム(Al)膜が用いられ、その上にはAlの陽極
酸化膜AOFが設けられている。
<< Gate Electrode GT >> The gate electrode GT is configured to protrude vertically from the scanning signal line GL (branched into a T-shape). The gate electrode GT protrudes beyond the respective active areas of the thin film transistors TFT1 and TFT2. Thin film transistor TFT
1. The respective gate electrodes GT of the TFT 2 are integrally formed (as a common gate electrode) and are formed continuously with the scanning signal line GL. In this example, the gate electrode GT is formed of a single-layer second conductive film g2. As the second conductive film g2, for example, an aluminum (Al) film formed by sputtering is used, and an anodic oxide film AOF of Al is provided thereon.

【0038】このゲート電極GTはi型半導体層ASを
完全に覆うよう(下方からみて)それより大き目に形成
され、i型半導体層ASに外光やバックライト光が当た
らないよう工夫されている。
The gate electrode GT is formed to be larger than it (as viewed from below) so as to completely cover the i-type semiconductor layer AS, and is designed so that external light or backlight does not hit the i-type semiconductor layer AS. .

【0039】《走査信号線GL》走査信号線GLは第2
導電膜g2で構成されている。この走査信号線GLの第
2導電膜g2はゲート電極GTの第2導電膜g2と同一
製造工程で形成され、かつ一体に構成されている。ま
た、走査信号線GL上にもAlの陽極酸化膜AOFが設
けられている。
<< Scanning Signal Line GL >> The scanning signal line GL is
It is composed of a conductive film g2. The second conductive film g2 of the scanning signal line GL is formed in the same manufacturing process as the second conductive film g2 of the gate electrode GT, and is integrally formed. An anodic oxide film AOF of Al is also provided on the scanning signal line GL.

【0040】《絶縁膜GI》絶縁膜GIは、薄膜トラン
ジスタTFT1、TFT2において、ゲート電極GTと
共に半導体層ASに電界を与えるためのゲート絶縁膜と
して使用される。絶縁膜GIはゲート電極GTおよび走
査信号線GLの上層に形成されている。絶縁膜GIとし
ては例えばプラズマCVDで形成された窒化シリコン膜
が選ばれ、1200〜2700Åの厚さに(本例では、
2000Å程度)形成される。ゲート絶縁膜GIは図3
に示すように、マトリクス部ARの全体を囲むように形
成され、周辺部は外部接続端子DTM、GTMを露出す
るよう除去されている。絶縁膜GIは走査信号線GLと
映像信号線DLの電気的絶縁にも寄与している。
<< Insulating Film GI >> The insulating film GI is used as a gate insulating film for applying an electric field to the semiconductor layer AS together with the gate electrode GT in the thin film transistors TFT1 and TFT2. The insulating film GI is formed above the gate electrode GT and the scanning signal line GL. As the insulating film GI, for example, a silicon nitride film formed by plasma CVD is selected and has a thickness of 1200 to 2700 ° (in this example,
(About 2000 °). FIG. 3 shows the gate insulating film GI.
As shown in (1), it is formed so as to surround the whole of the matrix part AR, and the peripheral part is removed so as to expose the external connection terminals DTM and GTM. The insulating film GI also contributes to electrical insulation between the scanning signal lines GL and the video signal lines DL.

【0041】《i型半導体層AS》i型半導体層AS
は、本例では薄膜トランジスタTFT1、TFT2のそ
れぞれに独立した島となるよう形成され、非晶質シリコ
ンで、200〜2200Åの厚さに(本例では、200
0Å程度の膜厚)で形成される。層d0はオーミックコ
ンタクト用のリン(P)をドープしたN+型非晶質シリ
コン半導体層であり、下側にi型半導体層ASが存在
し、上側に導電層d2(d3)が存在するところのみに
残されている。
<< i-type semiconductor layer AS >> i-type semiconductor layer AS
Is formed to be an independent island for each of the thin film transistors TFT1 and TFT2 in this example, and is made of amorphous silicon to a thickness of 200 to 2200 ° (in this example, 200 mm).
(A film thickness of about 0 °). The layer d0 is an N + -type amorphous silicon semiconductor layer doped with phosphorus (P) for ohmic contact, where the i-type semiconductor layer AS is present below and the conductive layer d2 (d3) is present above. Only left.

【0042】i型半導体層ASは走査信号線GLと映像
信号線DLとの交差部(クロスオーバ部)の両者間にも
設けられている。この交差部のi型半導体層ASは交差
部における走査信号線GLと映像信号線DLとの短絡を
低減する。
The i-type semiconductor layer AS is also provided between both intersections (crossover portions) between the scanning signal lines GL and the video signal lines DL. The i-type semiconductor layer AS at the intersection reduces a short circuit between the scanning signal line GL and the video signal line DL at the intersection.

【0043】《透明画素電極ITO1》透明画素電極I
TO1は液晶表示部の画素電極の一方を構成する。
<< Transparent Pixel Electrode ITO1 >> Transparent Pixel Electrode I
TO1 constitutes one of the pixel electrodes of the liquid crystal display section.

【0044】透明画素電極ITO1は薄膜トランジスタ
TFT1のソース電極SD1および薄膜トランジスタT
FT2のソース電極SD1の両方に接続されている。こ
のため、薄膜トランジスタTFT1、TFT2のうちの
1つに欠陥が発生しても、その欠陥が副作用をもたらす
場合はレーザ光等によって適切な箇所を切断し、そうで
ない場合は他方の薄膜トランジスタが正常に動作してい
るので放置すれば良い。透明画素電極ITO1は第1導
電膜d1によって構成されており、この第1導電膜d1
はスパッタリングで形成された透明導電膜(Indium-Tin
-Oxide ITO:ネサ膜)からなり、1000〜200
0Åの厚さに(本例では、1400Å程度の膜厚)形成
される。
The transparent pixel electrode ITO1 is connected to the source electrode SD1 of the thin film transistor TFT1 and the thin film transistor T1.
It is connected to both source electrodes SD1 of FT2. Therefore, even if a defect occurs in one of the thin film transistors TFT1 and TFT2, if the defect causes a side effect, an appropriate portion is cut off by a laser beam or the like, and if not, the other thin film transistor operates normally. You can leave it. The transparent pixel electrode ITO1 is composed of a first conductive film d1.
Is a transparent conductive film (Indium-Tin) formed by sputtering.
-Oxide ITO: Nesa film), 1000-200
It is formed to a thickness of 0 ° (about 1400 ° in this example).

【0045】《ソース電極SD1、ドレイン電極SD
2》ソース電極SD1、ドレイン電極SD2のそれぞれ
は、N+型半導体層d0に接触する第2導電膜d2とそ
の上に形成された第3導電膜d3とから構成されてい
る。
<< Source electrode SD1, Drain electrode SD
2 >> Each of the source electrode SD1 and the drain electrode SD2 is composed of a second conductive film d2 in contact with the N + type semiconductor layer d0 and a third conductive film d3 formed thereon.

【0046】第2導電膜d2はスパッタで形成したクロ
ム(Cr)膜を用い、500〜1000Åの厚さに(本
例では、600Å程度)で形成される。Cr膜は膜厚を
厚く形成するとストレスが大きくなるので、2000Å
程度の膜厚を越えない範囲で形成する。Cr膜はN+
半導体層d0との接着性を良好にし、第3導電膜d3の
AlがN+型半導体層d0に拡散することを防止する
(いわゆるバリア層の)目的で使用される。第2導電膜
d2として、Cr膜の他に高融点金属(Mo、Ti、T
a、W)膜、高融点金属シリサイド(MoSi2、Ti
Si2、TaSi2、WSi2)膜を用いてもよい。
The second conductive film d2 is formed of a chromium (Cr) film formed by sputtering and has a thickness of about 500 to 1000 ° (about 600 ° in this example). Since the stress increases when the Cr film is formed with a large film thickness, the thickness of the
It is formed in a range that does not exceed a certain thickness. Cr film was good adhesion between the N + -type semiconductor layer d0, is used in the 3 Al of the conductive film d3 is prevented from diffusing into the N + -type semiconductor layer d0 (so-called barrier layer) purposes. As the second conductive film d2, in addition to the Cr film, a high melting point metal (Mo, Ti, T
a, W) film, refractory metal silicide (MoSi 2 , Ti)
Si 2 , TaSi 2 , WSi 2 ) film may be used.

【0047】第3導電膜d3はAlのスパッタリングで
3000〜5000Åの厚さに(本例では、4000Å
程度)形成される。Al膜はCr膜に比べてストレスが
小さく、厚い膜厚に形成することが可能で、ソース電極
SD1、ドレイン電極SD2および映像信号線DLの抵
抗値を低減したり、ゲート電極GTやi型半導体層AS
に起因する段差乗り越えを確実にする(ステップカバー
レッジを良くする)働きがある。
The third conductive film d3 is formed to a thickness of 3000 to 5000 ° by sputtering of Al (4000 ° in this example).
Degree) is formed. The Al film has a smaller stress than the Cr film and can be formed to have a large thickness, and can reduce the resistance values of the source electrode SD1, the drain electrode SD2 and the video signal line DL, and can reduce the gate electrode GT and the i-type semiconductor. Layer AS
Has the function of ensuring that the vehicle gets over a step (improves step coverage).

【0048】第2導電膜d2、第3導電膜d3を同じマ
スクパターンでパターニングした後、同じマスクを用い
て、あるいは第2導電膜d2、第3導電膜d3をマスク
として、N+型半導体層d0が除去される。つまり、i
型半導体層AS上に残っていたN+型半導体層d0は第
2導電膜d2、第3導電膜d3以外の部分がセルフアラ
インで除去される。このとき、N+型半導体層d0はそ
の厚さ分は全て除去されるようエッチングされるので、
i型半導体層ASも若干その表面部分がエッチングされ
るが、その程度はエッチング時間で制御すればよい。
After patterning the second conductive film d2 and the third conductive film d3 with the same mask pattern, using the same mask or using the second conductive film d2 and the third conductive film d3 as masks, an N + type semiconductor layer is formed. d0 is removed. That is, i
In the N + type semiconductor layer d0 remaining on the type semiconductor layer AS, portions other than the second conductive film d2 and the third conductive film d3 are removed by self-alignment. At this time, since the N + type semiconductor layer d0 is etched so as to remove the entire thickness thereof,
The surface of the i-type semiconductor layer AS is also slightly etched, but the extent may be controlled by the etching time.

【0049】《映像信号線DL》映像信号線DLはソー
ス電極SD1、ドレイン電極SD2と同層の第2導電膜
d2、第3導電膜d3で構成されている。
<< Video Signal Line DL >> The video signal line DL is composed of the second conductive film d2 and the third conductive film d3 in the same layer as the source electrode SD1 and the drain electrode SD2.

【0050】《保護膜PSV1》薄膜トランジスタTF
Tおよび透明画素電極ITO1上には保護膜PSV1が
設けられている。保護膜PSV1は主に薄膜トランジス
タTFTを湿気等から保護するために形成されており、
透明性が高くしかも耐湿性の良いものを使用する。保護
膜PSV1は例えばプラズマCVD装置で形成した酸化
シリコン膜や窒化シリコン膜で形成されており、1μm
程度の膜厚で形成する。
<< Protective Film PSV1 >> Thin Film Transistor TF
A protective film PSV1 is provided on T and the transparent pixel electrode ITO1. The protective film PSV1 is mainly formed to protect the thin film transistor TFT from moisture and the like.
Use a material with high transparency and good moisture resistance. The protective film PSV1 is formed of, for example, a silicon oxide film or a silicon nitride film formed by a plasma CVD device, and has a thickness of 1 μm.
It is formed with a film thickness of about.

【0051】保護膜PSV1は図3に示すように、マト
リクス部ARの全体を囲むように形成され、周辺部は外
部接続端子DTM、GTMを露出するよう除去され、ま
た上基板側SUB2の共通電極COMを下側基板SUB
1の外部接続端子接続用引出配線INTに銀ペーストA
GPで接続する部分も除去されている。保護膜PSV1
とゲート絶縁膜GIの厚さ関係に関しては、前者は保護
効果を考え厚くされ、後者はトランジスタの相互コンダ
クタンスgmを薄くされる。したがって、図3に示すよ
うに、保護効果の高い保護膜PSV1は周辺部もできる
だけ広い範囲に亘って保護するようゲート絶縁膜GIよ
りも大きく形成されている。
As shown in FIG. 3, the protective film PSV1 is formed so as to surround the entire matrix portion AR, the peripheral portion is removed so as to expose the external connection terminals DTM and GTM, and the common electrode of the upper substrate side SUB2 is formed. COM is the lower substrate SUB
Silver paste A on the lead-out wiring INT for connecting the external connection terminal 1
Portions connected by GP are also removed. Protective film PSV1
And the thickness of the gate insulating film GI, the former is made thicker in consideration of the protective effect, and the latter is made thinner in the transconductance gm of the transistor. Therefore, as shown in FIG. 3, the protective film PSV1 having a high protective effect is formed larger than the gate insulating film GI so as to protect the peripheral portion as much as possible.

【0052】《ブラックマトリクスBM》上部透明ガラ
ス基板SUB2側には、外部光またはバックライト光が
i型半導体層ASに入射しないよう遮光膜としてブラッ
クマトリクスBMが設けられている。ブラックマトリク
スBMの閉じた多角形の輪郭線は、その内側がブラック
マトリクスBMが形成されない開口を示している。ブラ
ックマトリクスBMはカーボンブラック、黒色の有機顔
料等を添加した例えばアクリル、エポキシ、ポリイミド
樹脂等の有機系樹脂からなり、0.5〜2.5μm(本
例では1.6μm程度)の厚さに形成される。
<< Black Matrix BM >> On the upper transparent glass substrate SUB2 side, a black matrix BM is provided as a light shielding film so that external light or backlight light does not enter the i-type semiconductor layer AS. A closed polygonal outline of the black matrix BM indicates an opening in which the black matrix BM is not formed. The black matrix BM is made of an organic resin such as acryl, epoxy, or polyimide resin to which carbon black, a black organic pigment or the like is added, and has a thickness of 0.5 to 2.5 μm (about 1.6 μm in this example). It is formed.

【0053】したがって、薄膜トランジスタTFT1、
TFT2のi型半導体層ASは上下にあるブラックマト
リクスBMおよび大き目のゲート電極GTによってサン
ドイッチにされ、外部の自然光やバックライト光が当た
らなくなる。ブラックマトリクスBMは各画素の周囲に
格子状に形成され、この格子で1画素の有効表示領域が
仕切られている。したがって、各画素の輪郭がブラック
マトリクスBMによってはっきりとし、コントラストが
向上する。つまり、ブラックマトリクスBMはi型半導
体層ASに対する遮光とブラックマトリクスとの2つの
機能をもつ。
Therefore, the thin film transistors TFT1,
The i-type semiconductor layer AS of the TFT 2 is sandwiched between the upper and lower black matrices BM and the large gate electrode GT, so that external natural light or backlight does not shine. The black matrix BM is formed in a grid around each pixel, and an effective display area of one pixel is partitioned by the grid. Therefore, the outline of each pixel is made clear by the black matrix BM, and the contrast is improved. That is, the black matrix BM has two functions of light shielding for the i-type semiconductor layer AS and black matrix.

【0054】透明画素電極ITO1のラビング方向の根
本側のエッジ部分もブラックマトリクスBMによって遮
光されているので、上記部分にドメインが発生したとし
ても、ドメインが見えないので、表示特性が劣化するこ
とはない。
The edge of the transparent pixel electrode ITO1 on the root side in the rubbing direction is also shielded from light by the black matrix BM. Therefore, even if a domain is generated in the above-mentioned portion, the domain is not seen, so that the display characteristics are not deteriorated. Absent.

【0055】ブラックマトリクスBMは図4で斜線を付
して示したように、表示領域ARの周辺部にも額縁状に
形成され、そのパターンはドット状に複数の開口を設け
たマトリクス部のパターンと連続して形成されている。
また、該領域のブラックマトリクスBMは、シール材S
Lの内側、すなわち、液晶側の一部と重なっている。さ
らに、後で詳述するように、ブラックマトリクスBM
は、シール材SLの外側の一部と重なり、透明ガラス基
板SUB2の端部領域にも形成されている。なお、周辺
部のシール部では、シール材SLは遮光性であり、これ
らのブラックマトリクスBMとともに、パソコン等の実
装機に起因する反射光等の漏れ光がマトリクス部に入り
込むのを防いでいる。
As shown by hatching in FIG. 4, the black matrix BM is also formed in a frame shape around the display area AR, and its pattern is a pattern of a matrix section provided with a plurality of openings in a dot shape. Is formed continuously.
Further, the black matrix BM in the region is formed of a sealing material S
It overlaps with the inside of L, that is, a part of the liquid crystal side. Further, as described later in detail, the black matrix BM
Overlaps with a part of the outside of the sealing material SL and is also formed in an end region of the transparent glass substrate SUB2. In the peripheral seal portion, the seal material SL has a light-shielding property, and prevents leakage light such as reflected light due to a mounting machine such as a personal computer from entering the matrix portion together with the black matrix BM.

【0056】《カラーフィルタFIL》カラーフィルタ
FILは画素に対向する位置に赤、緑、青の繰り返しで
ストライプ状に形成される。カラーフィルタFILは透
明画素電極ITO1の全てを覆うように大き目に形成さ
れ、ブラックマトリクスBMはカラーフィルタFILお
よび透明画素電極ITO1のエッジ部分と重なるよう透
明画素電極ITO1の周縁部より内側に形成されてい
る。
<< Color Filter FIL >> The color filter FIL is formed in a stripe shape by repeating red, green and blue at a position facing the pixel. The color filter FIL is formed to be large so as to cover all of the transparent pixel electrode ITO1, and the black matrix BM is formed inside the periphery of the transparent pixel electrode ITO1 so as to overlap with the color filter FIL and the edge of the transparent pixel electrode ITO1. I have.

【0057】カラーフィルタFILはつぎのように形成
することができる。まず、上部透明ガラス基板SUB2
の表面にアクリル系樹脂等の染色基材を形成し、フォト
リソグラフィ技術で赤色フィルタ形成領域以外の染色基
材を除去する。この後、染色基材を赤色染料で染め、固
着処理を施し、赤色フィルタRを形成する。つぎに、同
様な工程を施すことによって、緑色フィルタG、青色フ
ィルタBを順次形成する。
The color filter FIL can be formed as follows. First, the upper transparent glass substrate SUB2
A dye base material such as an acrylic resin is formed on the surface of the substrate, and the dye base material other than the red filter formation region is removed by photolithography. Thereafter, the dyed substrate is dyed with a red dye and subjected to a fixing treatment to form a red filter R. Next, a green filter G and a blue filter B are sequentially formed by performing a similar process.

【0058】《保護膜PSV2》保護膜PSV2はカラ
ーフィルタFILの着色材が液晶LCに漏れることを防
止するために設けられている。保護膜PSV2は例えば
アクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂材料で形成さ
れている。
<< Protective Film PSV2 >> The protective film PSV2 is provided to prevent the colorant of the color filter FIL from leaking into the liquid crystal LC. The protective film PSV2 is formed of, for example, a transparent resin material such as an acrylic resin or an epoxy resin.

【0059】《共通透明画素電極ITO2》共通透明画
素電極ITO2は、下部透明ガラス基板SUB1側に画
素ごとに設けられた透明画素電極ITO1に対向し、液
晶LCの光学的な状態は各画素電極ITO1と共通透明
画素電極ITO2との間の電位差(電界)に応答して変
化する。この共通透明画素電極ITO2にはコモン電圧
Vcomが印加されるように構成されている。本例では、
コモン電圧Vcomは映像信号線DLに印加される最小レ
ベルの駆動電圧Vdminと最大レベルの駆動電圧Vdmax
との中間直流電位に設定されるが、映像信号駆動回路で
使用される集積回路の電源電圧を約半分に低減したい場
合は、交流電圧を印加すれば良い。なお、共通透明画素
電極ITO2の平面形状は図3、図4を参照されたい。
<< Common Transparent Pixel Electrode ITO2 >> The common transparent pixel electrode ITO2 is opposed to the transparent pixel electrode ITO1 provided for each pixel on the lower transparent glass substrate SUB1 side, and the optical state of the liquid crystal LC is determined by each pixel electrode ITO1. In response to a potential difference (electric field) between the pixel electrode and the common transparent pixel electrode ITO2. The common transparent pixel electrode ITO2 is configured to apply a common voltage Vcom. In this example,
The common voltage Vcom has a minimum level driving voltage Vdmin and a maximum level driving voltage Vdmax applied to the video signal line DL.
However, if it is desired to reduce the power supply voltage of the integrated circuit used in the video signal drive circuit to about half, an AC voltage may be applied. Note that the plan shape of the common transparent pixel electrode ITO2 should be referred to FIGS.

【0060】《ブラックマトリクスBMとシール材S
L》図1(a)は、本発明の一実施の形態の液晶表示素
子PNLのカラーフィルタ基板SUB2の液晶封入口I
NJ近傍の要部概略平面図、図1(b)は(a)のA−
A切断線に対応する部分の液晶表示素子PNLの概略断
面図である。
<< Black Matrix BM and Sealing Material S
L >> FIG. 1A shows a liquid crystal charging port I of a color filter substrate SUB2 of a liquid crystal display element PNL according to an embodiment of the present invention.
FIG. 1B is a schematic plan view of a main portion near the NJ, and FIG.
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the liquid crystal display element PNL corresponding to a section line A.

【0061】SUB2は上部透明ガラス基板(カラーフ
ィルタ基板)、BMは黒色等に着色された有機系樹脂か
らなるブラックマトリクス(遮光膜)、FIL(R)、
(G)、(B)はそれぞれ赤色、緑色、青色のカラーフ
ィルタ、SLは遮光性を持たせたシール材、INJは液
晶封入口、CPは液晶封入口INJの封止材、(b)に
おいて、SUB1は下部透明ガラス基板(TFT基
板)、LCは液晶層である。なお、図1では、カラーフ
ィルタFILの保護膜、薄膜トランジスタ、両基板の間
隙(ギャップ)を規定するスペーサ、両基板に設ける透
明画素電極、配向膜、偏光板等は図示省略してあるが、
液晶表示素子PNLの断面構造の詳細は、図8に示され
る。また、ブラックマトリクスBMは、図1(a)にお
いて右上がりの斜線(図3では右下がり)を付してあ
り、シール材SLは、右下がりの斜線を付してある。
SUB2 is an upper transparent glass substrate (color filter substrate), BM is a black matrix (light shielding film) made of an organic resin colored black or the like, FIL (R),
(G) and (B) are red, green, and blue color filters, respectively, SL is a sealing material having a light-shielding property, INJ is a liquid crystal sealing opening, CP is a sealing material for the liquid crystal sealing opening INJ, and in FIG. , SUB1 is a lower transparent glass substrate (TFT substrate), and LC is a liquid crystal layer. In FIG. 1, a protective film of the color filter FIL, a thin film transistor, a spacer for defining a gap between both substrates, a transparent pixel electrode provided on both substrates, an alignment film, a polarizing plate, and the like are omitted.
FIG. 8 shows details of the sectional structure of the liquid crystal display element PNL. In addition, the black matrix BM is indicated by an oblique line that rises to the right in FIG. 1A (downward in FIG. 3), and the sealing material SL is indicated by an oblique line that descends to the right.

【0062】図6はシールドケースSHD側から見た平
面図および側面図である。
FIG. 6 is a plan view and a side view as viewed from the shield case SHD side.

【0063】図2は液晶表示モジュールMDLの端部、
すなわち、液晶表示素子PNLを構成する1対の上下透
明ガラス基板SUB1、SUB2を接着し、かつ、該両
基板間に液晶を封止しているシール部近傍の端部の概略
断面図である。図2は図6に示す平面図の2−2で切っ
た断面に相当する。
FIG. 2 shows an end of the liquid crystal display module MDL,
That is, it is a schematic cross-sectional view of an end near a seal portion where a pair of upper and lower transparent glass substrates SUB1 and SUB2 constituting the liquid crystal display element PNL are adhered and a liquid crystal is sealed between the two substrates. FIG. 2 corresponds to a cross section taken along line 2-2 of the plan view shown in FIG.

【0064】PSV2は保護膜、GTM、DTMは配線
(外部接続用端子)、POL1、POL2は偏光板、A
Rは表示領域(マトリクス部)、SHDは金属製シール
ドケース、WDはシールドケースSHDの開口で構成さ
れる表示窓、BLLはバックライト光である。
PSV2 is a protective film, GTM and DTM are wiring (external connection terminals), POL1 and POL2 are polarizing plates, A
R is a display area (matrix section), SHD is a metal shield case, WD is a display window formed by an opening of the shield case SHD, and BLL is backlight light.

【0065】本実施の形態では、ブラックマトリクスB
Mは、カーボンブラック、黒色の有機顔料等を添加した
例えばアクリル、エポキシ、ポリイミド樹脂等の有機系
樹脂膜からなる。また、遮光性のシール材SLは、三核
体以上のフェノール樹脂を硬化剤とし、黒色の着色剤を
加えた熱硬化型エポキシ樹脂膜からなる。なお、ブラッ
クマトリクスBMとシール材SLとの光学特性、つま
り、遮光性、色調等は同等としてある。すなわち、ブラ
ックマトリクスBMと遮光性シール材SLの可視光域に
おける吸光度(OD値)は1.5〜3.5の範囲であ
り、C光源で換算した色調はx、yが共に0.2〜0.
5の範囲であった。
In this embodiment, the black matrix B
M is formed of an organic resin film such as an acrylic, epoxy, or polyimide resin to which carbon black, a black organic pigment, or the like is added. Further, the light-shielding sealing material SL is formed of a thermosetting epoxy resin film in which a phenol resin having three or more nuclei is used as a curing agent and a black coloring agent is added. Note that the optical characteristics of the black matrix BM and the sealing material SL, that is, the light shielding properties, the color tone, and the like are the same. That is, the absorbance (OD value) of the black matrix BM and the light-blocking sealing material SL in the visible light range is in the range of 1.5 to 3.5, and the color tone converted by the C light source is such that both x and y are 0.2 to 0.2. 0.
5 range.

【0066】本実施の形態では、ブラックマトリクスB
Mがシール材SLの内側と一部重なり、表示領域ARと
シール材SLの間の領域を覆い、かつ、シール材SLの
外側と一部重なり、該シール材SLと上部透明ガラス基
板SUB2の端部の間の領域を覆っている。このよう
に、ブラックマトリクスBMをシール材SLの外側のカ
ラーフィルタ基板SUB2の端部に配置したことによ
り、バックライトBLからの光が該基板SUB2端部に
設けたブラックマトリクスBMで吸収され、表示窓WD
の周辺で光が見える問題を解決することができ、表示品
質の優れた液晶表示装置を提供することができる。
In this embodiment, the black matrix B
M partially overlaps with the inside of the sealing material SL, covers an area between the display area AR and the sealing material SL, and partially overlaps with the outside of the sealing material SL, and the sealing material SL and the edge of the upper transparent glass substrate SUB2. Covering the area between the parts. By arranging the black matrix BM at the end of the color filter substrate SUB2 outside the sealing material SL in this manner, light from the backlight BL is absorbed by the black matrix BM provided at the end of the substrate SUB2, and display is performed. Window WD
Can solve the problem that light can be seen in the periphery of the liquid crystal display, and can provide a liquid crystal display device with excellent display quality.

【0067】また、シール材SLのほぼ全周にわたっ
て、ガラス基板やシール材に対して接着強度の低い有機
系樹脂からなるブラックマトリクスBMを一部設けず、
該ブラックマトリクスBMとシール材SLとが重なる部
分と重ならない部分を設けたので、該重ならない部分に
おいては、例えばガラス基板SUB2/保護膜PSV2
/シール材SLの接着強度の高い組み合せとなり、シー
ル部の接着強度を向上することができる。
Further, a black matrix BM made of an organic resin having a low adhesive strength to the glass substrate or the sealing material is not provided partially over almost the entire circumference of the sealing material SL.
Since a portion where the black matrix BM and the sealing material SL do not overlap with each other is provided, in the portion where the black matrix BM does not overlap, for example, the glass substrate SUB2 / protective film PSV2
/ The combination of the sealing material SL and the adhesive strength is high, and the adhesive strength of the seal portion can be improved.

【0068】また、シール材SLの全周において、シー
ル材SLとブラックマトリクスBMとのオーバーラップ
の有無があると、液晶表示素子の両基板SUB1、SU
B2のギャップむらが発生し、表示むらが生じる。これ
らのことから、ブラックマトリクスBMとシール材SL
とは液晶封入口(図4のINJ)以外のほぼ全周におい
てオーバーラップ部を形成している。
Further, if there is any overlap between the sealing material SL and the black matrix BM over the entire circumference of the sealing material SL, both substrates SUB1 and SU of the liquid crystal display element are determined.
B2 gap unevenness occurs, and display unevenness occurs. From these, the black matrix BM and the sealing material SL
Means that an overlap portion is formed substantially all around except for the liquid crystal sealing port (INJ in FIG. 4).

【0069】さらに、液晶表示素子の外周部を被覆する
シールドケースSHDによるシール部のマスキングが不
要となるので、表示領域の広い、小型、大画面の液晶表
示素子が得られる。
Further, since the masking of the seal portion by the shield case SHD covering the outer peripheral portion of the liquid crystal display element becomes unnecessary, a liquid crystal display element having a large display area, a small size and a large screen can be obtained.

【0070】本実施の形態では、透明ガラス基板SUB
2上に、カーボンブラック、黒色の有機顔料等を添加し
た例えばアクリル、エポキシ、ポリイミド樹脂等の有機
系樹脂からなるブラックマトリクスBMを所定のパター
ンに形成し、その上に、カラーフィルタFIL(R)、
(G)、(B)をそれぞれ所定のパターンに形成した。
すなわち、表示領域ARのブラックマトリクスBMは、
図1に示すごとく、格子状に1画素ずつに仕切られてお
り、各画素毎にカラーフィルタFIL(R)、(G)、
(B)が形成されている。また、表示領域ARの周辺部
は、当該液晶表示素子PNLをモジュールMDLに組み
込んだとき、バックライトBLからの光漏れを防止する
ため、適度な幅で額縁状に、かつ、液晶封入口INJ部
を遮光するパターンに形成されている。また、シール材
SLの外側の基板SUB2領域にも、ブラックマトリク
スBMのパターンが形成されているのは既述の通りであ
る。さらに、図1(a)に示されるように、ブラックマ
トリクスBMのパターンは、液晶封入口INJの部分に
も前記額縁状パターンと一体に形成され、液晶封入口I
NJ部における光漏れも防止している。
In this embodiment, the transparent glass substrate SUB
2, a black matrix BM made of an organic resin such as acrylic, epoxy, polyimide resin or the like to which carbon black, a black organic pigment or the like is added is formed in a predetermined pattern, and a color filter FIL (R) is formed thereon. ,
(G) and (B) were each formed in a predetermined pattern.
That is, the black matrix BM of the display area AR is
As shown in FIG. 1, each pixel is partitioned into a grid, and color filters FIL (R), (G),
(B) is formed. Further, when the liquid crystal display element PNL is incorporated in the module MDL, a peripheral portion of the display area AR is formed in a frame shape with an appropriate width and a liquid crystal sealing opening INJ portion in order to prevent light leakage from the backlight BL. Are formed in a pattern that shields the light. Also, as described above, the pattern of the black matrix BM is also formed in the substrate SUB2 region outside the sealing material SL. Further, as shown in FIG. 1A, the pattern of the black matrix BM is also formed integrally with the frame-shaped pattern at the portion of the liquid crystal filling opening INJ, and the liquid crystal filling opening IJ is formed.
Light leakage in the NJ section is also prevented.

【0071】なお、カラーフィルタFILとしては、各
々の色調に合わせた有機顔料を添加した光硬化型ネガレ
ジストを用い、フォトリソグラフィ技術により、順次形
成した。その後、着色樹脂からの不純物の溶出防止、お
よび表面平坦性を確保するために、アクリル、エポキシ
樹脂等をスピンコート、ロールコート、転写印刷法等に
より塗布を行い、熱処理を施し、硬化させ、ブラックマ
トリクスBMとカラーフィルタFILの上に保護膜PS
V1を形成した。
The color filters FIL were formed by photolithography using a photocurable negative resist to which an organic pigment added to each color tone was added. After that, in order to prevent the elution of impurities from the colored resin, and to ensure surface flatness, acrylic, epoxy resin, etc. are applied by spin coating, roll coating, transfer printing, etc., heat-treated, cured, and blackened. Protective film PS on matrix BM and color filter FIL
V1 was formed.

【0072】つぎに、この上に、酸化インジウムを主成
分とする透明導電膜をスパッタリング法により成膜し
て、透明画素電極ITO2を形成した。
Next, a transparent conductive film containing indium oxide as a main component was formed thereon by sputtering to form a transparent pixel electrode ITO2.

【0073】つぎに、この基板の透明画素電極ITO2
上に、配向膜ORI2を転写印刷法により転写形成した
後、180〜220℃で熱処理を行った。
Next, the transparent pixel electrode ITO2 on this substrate
After the transfer of the alignment film ORI2 by transfer printing, a heat treatment was performed at 180 to 220 ° C.

【0074】また、対向基板である薄膜トランジスタT
FTを形成した基板にも配向膜ORI1を形成した後、
同様の熱処理を行った。
Further, a thin film transistor T as an opposite substrate
After forming the orientation film ORI1 on the substrate on which the FT is formed,
The same heat treatment was performed.

【0075】ついで、両基板に配向処理を施した後、い
ずれか一方の基板に、三核体以上のフェノール樹脂を硬
化剤とした熱硬化型エポキシ樹脂を主成分とし、遮光材
として、カーボンブラック、有色例えば黒色の有機顔
料、あるいは無機顔料を内添した遮光性シール材SLを
スクリーン印刷法、ディスペンサ塗布法等により形成し
た。なお、シール材SLは、透明画素電極の端子部と接
触するので(図8参照)、絶縁性が要求され、ここでは
硬化後における電気抵抗が108Ω・cm以上となるよ
うにし、かつ、光学特性が所定の値となるよう、調整し
たものを用いた。
Then, after subjecting both substrates to an orientation treatment, one of the substrates is mainly composed of a thermosetting epoxy resin containing a trinuclear or higher phenol resin as a curing agent, and carbon black is used as a light shielding material. A light-shielding sealing material SL internally containing a colored, for example, black organic pigment or inorganic pigment was formed by a screen printing method, a dispenser coating method, or the like. Since the sealing material SL comes into contact with the terminal of the transparent pixel electrode (see FIG. 8), it is required to have an insulating property. In this case, the electric resistance after curing is set to 10 8 Ω · cm or more. The optical characteristics were adjusted so as to have a predetermined value.

【0076】その後、溶媒乾燥を行い、上下基板のギャ
ップを制御する多数個のスペーサSPを一方の基板の全
面に分散した後、対向基板と組み合わせ、0.5〜1.
0kg/cm2の加重を加え、150〜180℃、1〜
4時間の熱硬化処理を行った。なお、硬化が完了した基
板のシール材SLの可視光域における吸光度(OD値)
は1.5〜3.5の範囲であり、C光源で換算した色調
はx、yが共に0.2〜0.5の範囲であり、ブラック
マトリクスBMと同等であった。
After that, solvent drying is performed, and a large number of spacers SP for controlling the gap between the upper and lower substrates are dispersed over the entire surface of one of the substrates.
A load of 0 kg / cm 2 is applied,
The thermosetting treatment was performed for 4 hours. The absorbance (OD value) in the visible light range of the sealing material SL of the cured substrate.
Was in the range of 1.5 to 3.5, and the color tone converted with the C light source was such that both x and y were in the range of 0.2 to 0.5, which was equivalent to that of the black matrix BM.

【0077】つぎに、貼り合わせた両基板を所定の寸法
に切断し、基板間の隙間に液晶封入口INJから液晶L
Cを注入し、該液晶封入口INJを光硬化型樹脂等から
なる封止材CPで封止する。
Next, the bonded substrates are cut to a predetermined size, and the liquid crystal L is inserted into the gap between the substrates through the liquid crystal filling opening INJ.
C is injected, and the liquid crystal sealing opening INJ is sealed with a sealing material CP made of a photocurable resin or the like.

【0078】その後、両基板の外側に偏光板POL1、
POL2を貼り付け、液晶表示素子を完成させた。
Thereafter, the polarizers POL1, POL1,
POL2 was attached to complete the liquid crystal display device.

【0079】この液晶表示素子を点灯させた結果、表示
領域外の部分では、バックライトから照射される光が、
シール材SLの部分でブラックマトリクスBMと同等に
遮光されており、さらに、液晶封入口INJ部において
もブラックマトリクスBMで遮光されており、液晶表示
素子の周辺額縁部からの光漏れを最小限にすることがで
き、表示品質の良好なカラー液晶表示素子を得ることが
できた。
As a result of turning on the liquid crystal display element, light radiated from the backlight in a portion outside the display area is
The portion of the sealing material SL is shielded from light as much as the black matrix BM, and the portion of the liquid crystal sealing opening INJ is also shielded from light by the black matrix BM, thereby minimizing light leakage from the peripheral frame of the liquid crystal display element. As a result, a color liquid crystal display device having good display quality was obtained.

【0080】なお、図2において、例えば、シール材S
Lの幅は1.0mm、ブラックマトリクスBMとシール
材SLとの両側のオーバーラップ幅は0.3mm、した
がってブラックマトリクスBMとシール材SLとのオー
バーラップしない幅は0.4mm、基板SUB2の端部
とシール材SLの端部との間隔は0.3mm、したがっ
て基板SUB2の端部に設けたブラックマトリクスBM
の幅は0.6mmである。
In FIG. 2, for example, the sealing material S
L has a width of 1.0 mm, the overlap width on both sides of the black matrix BM and the sealing material SL is 0.3 mm, and therefore, the width of the black matrix BM and the sealing material SL that does not overlap is 0.4 mm, and the edge of the substrate SUB2. Is 0.3 mm, and therefore the black matrix BM provided at the end of the substrate SUB2
Is 0.6 mm in width.

【0081】以上本発明を実施の形態に基づいて具体的
に説明したが、本発明は、前記実施の形態に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々
変更可能であることは勿論である。例えば、本発明は、
縦電界方式や横電界方式のアクティブマトリクス方式の
液晶表示装置にも、COG(チップオンガラス)方式の
液晶表示装置にも、あるいは単純マトリクス方式の液晶
表示装置にも適用可能なことは言うまでもない。
Although the present invention has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and may be variously modified without departing from the gist thereof. Of course. For example, the present invention
It goes without saying that the present invention can be applied to an active matrix type liquid crystal display device of a vertical electric field type or a horizontal electric field type, a COG (chip-on-glass) type liquid crystal display device, or a simple matrix type liquid crystal display device.

【0082】[0082]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ブラックマトリクスをシール材の外側のカラーフィルタ
基板の端部に配置したことにより、バックライトからの
光が該基板端部に設けたブラックマトリクスで吸収さ
れ、表示窓の周辺で光が見える問題を解決することがで
き、表示品質の優れた液晶表示装置を提供することがで
きる。
As described above, according to the present invention,
By arranging the black matrix at the end of the color filter substrate outside the sealing material, light from the backlight is absorbed by the black matrix provided at the end of the substrate, solving the problem that light can be seen around the display window And a liquid crystal display device having excellent display quality can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(a)は本発明の一実施の形態のアクティブ・
マトリクス方式カラー液晶表示素子のカラーフィルタ基
板の液晶封入口近傍の要部概略平面図、(b)は(a)
のA−A切断線に対応する部分の液晶表示素子の概略断
面図である。
FIG. 1 (a) shows an active power supply according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2B is a schematic plan view of a main part of a color filter substrate of a matrix type color liquid crystal display element in the vicinity of a liquid crystal filling port, and FIG.
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the liquid crystal display element corresponding to a section line AA of FIG.

【図2】本発明の一実施の形態の液晶表示素子のシール
部近傍の端部の概略断面図である。
FIG. 2 is a schematic sectional view of an end near a seal portion of the liquid crystal display element according to the embodiment of the present invention.

【図3】液晶表示素子の上下透明ガラス基板の電気的接
続部を含む表示パネルの角部の拡大平面図である。
FIG. 3 is an enlarged plan view of a corner portion of a display panel including an electrical connection portion between upper and lower transparent glass substrates of a liquid crystal display element.

【図4】液晶表示素子のマトリクス周辺部の構成を説明
するための周辺部をやや誇張し、さらに具体的に説明す
るためのパネル平面図である。
FIG. 4 is a plan view of a panel for explaining the configuration of the matrix peripheral portion of the liquid crystal display element in a slightly exaggerated manner, and for explaining it more specifically;

【図5】液晶表示モジュールの分解斜視図である。FIG. 5 is an exploded perspective view of the liquid crystal display module.

【図6】液晶表示装置のシールドケース側から見た平面
図および側面図である。
FIG. 6 is a plan view and a side view of the liquid crystal display device as viewed from a shield case side.

【図7】液晶表示素子の画素部の平面図である。FIG. 7 is a plan view of a pixel portion of the liquid crystal display element.

【図8】(A)は液晶表示素子のパネル角付近の断面
図、(B)は液晶表示素子の画素部の断面図、(C)は
液晶表示素子の映像信号端子部付近の断面図である。
8A is a cross-sectional view of a liquid crystal display element near a panel angle, FIG. 8B is a cross-sectional view of a pixel portion of the liquid crystal display element, and FIG. 8C is a cross-sectional view of a liquid crystal display element near a video signal terminal; is there.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

SUB1…下部透明ガラス基板、SUB2…上部透明ガ
ラス基板、BM…ブラックマトリクス、PSV2…保護
膜、SL…シール材、LC…液晶層、AR…表示領域
(マトリクス部)、SHD…金属製シールドケース、W
D…表示窓、BLL…バックライト光。
SUB1: lower transparent glass substrate, SUB2: upper transparent glass substrate, BM: black matrix, PSV2: protective film, SL: sealing material, LC: liquid crystal layer, AR: display area (matrix section), SHD: metal shield case, W
D: display window, BLL: backlight light.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 29/786 H01L 29/78 612D 21/336 (72)発明者 大和田 淳一 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI H01L 29/786 H01L 29/78 612D 21/336 (72) Inventor Junichi Owada 3300 Hayano, Mobara-shi, Chiba Pref. Hitachi, Ltd. Electronic Devices, Ltd. Within the business division

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】絶縁基板上に複数の画素電極をマトリクス
状に配置して表示領域を形成した第1基板と、 絶縁基板からなり、上記第1基板に液晶層を介して重ね
合わされた第2基板と、 上記第1および第2基板の周縁部に設けられ、上記表示
領域の外側で上記液晶層の存在する領域を取り囲み、上
記第1および第2基板の間に設けられ、それらを固定す
るシール材と、 上記第1および第2基板の周囲を覆い、上記表示領域を
露出させる開口部を有し、遮光性の枠体からなるシール
ドケースと、 上記第1または第2基板の対向基板と反対側の面に光を
照射する照明光手段とを具備してなり、 上記第2基板の上記第1基板側の面に上記画素電極の周
囲を覆う遮光膜からなるブラックマトリクスを設け、 上記ブラックマトリクスは上記シール材の内側と一部重
なり、上記表示領域と上記シール材の間の領域を覆い、 かつ、上記ブラックマトリクスは上記シール材の外側と
一部重なり、上記シール材と上記第2基板の端部の間の
領域を覆うことを特徴とする液晶表示装置。
A first substrate having a display area formed by arranging a plurality of pixel electrodes in a matrix on an insulating substrate; and a second substrate comprising an insulating substrate and being superposed on the first substrate via a liquid crystal layer. A substrate, which is provided at a peripheral portion of the first and second substrates, surrounds a region where the liquid crystal layer exists outside the display region, is provided between the first and second substrates, and fixes them. A sealing material, a shield case which covers the periphery of the first and second substrates, has an opening exposing the display area, and is made of a light-shielding frame; and a counter substrate of the first or second substrate; An illumination light means for irradiating light to an opposite surface; and a black matrix comprising a light-shielding film covering the periphery of the pixel electrode on the surface of the second substrate on the first substrate side; The matrix is The black matrix partially overlaps the outside of the seal material, and covers the area between the seal material and the end of the second substrate. A liquid crystal display device covering an area.
【請求項2】絶縁基板上に金属層からなる複数の走査信
号線と複数の映像信号線を絶縁層を介して交差させてマ
トリクス状に配置し、上記複数の走査信号線と複数の映
像信号線の各交差部に対応して画素電極および薄膜トラ
ンジスタで構成される画素を設け、表示領域を形成した
第1基板と、 絶縁基板からなり、上記第1基板に液晶層を介して重ね
合わされた第2基板と、 上記第1および第2基板の周縁部に設けられ、上記表示
領域の外側で上記液晶層の存在する領域を取り囲み、上
記第1および第2基板の間に設けられ、それらを固定す
るシール材と、 上記第1および第2基板の周囲を覆い、上記表示領域を
露出させる開口部を有し、遮光性の枠体からなるシール
ドケースとを具備してなり、 上記複数の走査信号線と複数の映像信号線は上記シール
材が取り囲む領域の外側に延在して外部回路に接続さ
れ、 上記第2基板上に上記薄膜トランジスタを覆う遮光膜か
らなるブラックマトリクスを設け、 上記ブラックマトリクスは上記シール材の内側と一部重
なり、上記表示領域と上記シール材の間の領域を覆い、 かつ、上記ブラックマトリクスは上記シール材の外側と
一部重なり、上記シール材と上記第2基板の端部の間の
領域を覆うことを特徴とする液晶表示装置。
2. A plurality of scanning signal lines and a plurality of video signal lines made of a metal layer are arranged in a matrix on an insulating substrate so as to intersect via an insulating layer, and the plurality of scanning signal lines and the plurality of video signals are arranged. A pixel composed of a pixel electrode and a thin film transistor is provided corresponding to each intersection of the lines, a first substrate having a display area formed thereon, and an insulating substrate, the first substrate being overlapped with the first substrate via a liquid crystal layer. Two substrates, provided on the periphery of the first and second substrates, surrounding the region where the liquid crystal layer exists outside the display region, provided between the first and second substrates, and fixing them. And a shield case that covers the first and second substrates, has an opening that exposes the display area, and is made of a light-shielding frame. Line and multiple video signal lines A black matrix formed of a light-shielding film that extends outside the region surrounded by the sealing material and is connected to an external circuit; and that covers the thin film transistor on the second substrate; Overlapping, covering an area between the display area and the sealing material, and the black matrix partially overlapping the outside of the sealing material, and covering an area between the sealing material and an end of the second substrate. A liquid crystal display device characterized by the above-mentioned.
【請求項3】上記シール材は黒色の顔料を添加した樹脂
からなることを特徴とする請求項11または2記載の液
晶表示装置。
3. The liquid crystal display device according to claim 2, wherein said sealing material is made of a resin to which a black pigment is added.
【請求項4】上記ブラックマトリクスは黒色の顔料を添
加した樹脂からなることを特徴とする請求項1または2
記載の液晶表示装置。
4. The black matrix according to claim 1, wherein the black matrix is made of a resin to which a black pigment is added.
The liquid crystal display device as described in the above.
【請求項5】上記シール材の一部に設けられ、該シール
材の内側の上記両基板間に液晶を注入する液晶封入口部
にも、上記ブラックマトリクスを配置したことを特徴と
する請求項1または2記載の液晶表示装置。
5. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein said black matrix is also provided at a liquid crystal filling opening for injecting liquid crystal between said two substrates inside said seal material. 3. The liquid crystal display device according to 1 or 2.
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