JP2000171805A - Liquid crystal display device - Google Patents

Liquid crystal display device

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JP2000171805A
JP2000171805A JP34186898A JP34186898A JP2000171805A JP 2000171805 A JP2000171805 A JP 2000171805A JP 34186898 A JP34186898 A JP 34186898A JP 34186898 A JP34186898 A JP 34186898A JP 2000171805 A JP2000171805 A JP 2000171805A
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Japan
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liquid crystal
substrate
display device
film
crystal display
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Application number
JP34186898A
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Japanese (ja)
Inventor
Katsumi Matsumoto
克巳 松本
Kayao Takemoto
一八男 竹本
Toshio Miyazawa
敏夫 宮沢
Hideki Nakagawa
英樹 中川
Kenji Kitajima
賢二 北島
Katsutoshi Saito
勝俊 斉藤
Shigeo Nakamura
重雄 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Hitachi Consumer Electronics Co Ltd
Japan Display Inc
Original Assignee
Hitachi Device Engineering Co Ltd
Hitachi Ltd
Hitachi Consumer Electronics Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To eliminate the breakdown of circuits, etc., which occur in the concentration of local stresses to columnar spacers by contact of the columnar spacers with a counter substrate. SOLUTION: This liquid crystal display device has a first substrate SUB1 which has many pixel electrodes AL-P formed in a matrix form, a second substrate SUB2 which is disposed to face apart a prescribed spacing to this first substrate SUB1 and has transparent electrodes ITO-C, a liquid crystal layer SL which consists of a liquid crystal composition encapsulated into the opposite spacing between the first substrate and the second substrate, alignment layers OR11, OR12 which are deposited on the respective surfaces of the first substrate and the second substrate in contact with the liquid crystal layer and control the alignment of the liquid crystal composition and the plural columnar spacers SPC-P which are formed to project so as to hold the opposite spacing with the second substrate in the display region of the first substrate at a prescribed value. The area at the front ends of the columnar spacers in contact with the inside surface of the second substrate is made smaller than the area of the base parts connected to the inside surface of the first substrate.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に係
り、特に光抜けを回避して液晶層の間隙を所定値に保持
する柱状スペーサを備えた液晶表示装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to a liquid crystal display device having a columnar spacer for keeping a gap between liquid crystal layers at a predetermined value while avoiding light leakage.

【0002】[0002]

【従来の技術】投射型表示装置やノート型コンピユー
タ、あるいはディスプレイモニター用の高精細かつカラ
ー表示が可能な表示装置として液晶パネルを用いた表示
装置が広く採用されている。
2. Description of the Related Art A display device using a liquid crystal panel has been widely used as a projection display device, a notebook computer, or a display device capable of high-definition and color display for a display monitor.

【0003】液晶パネルを用いた表示装置(液晶表示装
置)には、各内面に互いに交差する如く形成された平行
電極を形成した一対の基板で液晶層を挟持した液晶パネ
ルを用いた単純マトリクス型と、一対の基板の一方に画
素単位で選択するためのスイッチング素子を有する液晶
表示素子(以下、液晶パネルとも言う)を用いたアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置とが知られている。
A display device using a liquid crystal panel (a liquid crystal display device) includes a simple matrix type using a liquid crystal panel in which a liquid crystal layer is sandwiched between a pair of substrates on which parallel electrodes formed so as to intersect with each other are formed. An active matrix type liquid crystal display device using a liquid crystal display element (hereinafter, also referred to as a liquid crystal panel) having a switching element for selecting a pixel in one of a pair of substrates is known.

【0004】アクティブマトリクス型液晶表示装置は、
ツイステッドネマチック(TN)方式に代表されるよう
に、画素選択用の電極群が上下一対の基板のそれぞれに
形成した液晶パネルを用いた、所謂縦電界方式液晶表示
装置(一般に、TN方式アクティブマトリクス型液晶表
示装置と称する)と、画素選択用の電極群が上下一対の
基板の一方のみに形成されている液晶パネルを用いた、
所謂横電界方式液晶表示装置(一般に、IPS方式液晶
表示装置と称する)とがある。
An active matrix type liquid crystal display device is
A so-called vertical electric field type liquid crystal display device (generally, a TN type active matrix type) using a liquid crystal panel in which an electrode group for pixel selection is formed on a pair of upper and lower substrates as represented by a twisted nematic (TN) type. A liquid crystal panel in which an electrode group for pixel selection is formed only on one of a pair of upper and lower substrates,
There is a so-called in-plane switching mode liquid crystal display device (generally referred to as an IPS mode liquid crystal display device).

【0005】また、液晶表示装置の応用機器の一つとし
て投射型表示装置が知られている。液晶パネルを用いた
投射型液晶表示装置は、小型の液晶パネルに生成した画
像を拡大光学系でスクリーン上に投影して大画面表示を
得るものである。この種の投射型液晶表示装置には、透
過型と反射型とがあり、透過型は液晶パネルを構成する
2枚の絶縁基板を共にガラス板等の透明基板で構成し、
背面から照明光を照射し、透過した変調光を投射光学系
で拡大投影するものである。一方、反射型は一方の絶縁
基板を反射板として表面側から照明光を照射して生成し
た画像で変調された反射光を投射光学系で拡大投影する
ものである。
[0005] A projection display device is known as one of applied devices of the liquid crystal display device. A projection type liquid crystal display device using a liquid crystal panel projects an image generated on a small liquid crystal panel onto a screen by an enlargement optical system to obtain a large screen display. This type of projection type liquid crystal display device includes a transmission type and a reflection type, and the transmission type is configured such that two insulating substrates forming a liquid crystal panel are both formed of a transparent substrate such as a glass plate,
Illumination light is emitted from the back, and the transmitted modulated light is enlarged and projected by a projection optical system. On the other hand, the reflection type uses a projection optical system to enlarge and project reflected light modulated by an image generated by irradiating illumination light from the front side with one insulating substrate as a reflection plate.

【0006】なお、ノート型コンピユータ、あるいはデ
ィスプレイモニター用の直視型液晶表示装置にも、液晶
パネルを構成する一方の絶縁基板を反射板として表示面
側からの光を利用するようにしたものも知られている。
[0006] Note that a notebook computer or a direct-view type liquid crystal display device for a display monitor is also known in which one of the insulating substrates constituting the liquid crystal panel is used as a reflection plate to utilize light from the display surface side. Have been.

【0007】液晶表示装置を構成する液晶パネルは、一
般に2枚のガラス基板等の絶縁基板の貼り合わせ間隙に
液晶組成物からなる液晶層を挟持し、その周縁をシール
剤で封止してある。2枚の絶縁基板間の間隙は、例えば
4〜7μm程度の極めて狭いギャップ(セルギャップと
称する)であり、このセルギャップを保持するための一
方法として、直径が略均一なビーズをランダムに分散さ
せている。
In a liquid crystal panel constituting a liquid crystal display device, a liquid crystal layer made of a liquid crystal composition is generally sandwiched in a gap between two insulating substrates such as glass substrates, and the periphery thereof is sealed with a sealant. . The gap between the two insulating substrates is an extremely narrow gap (referred to as a cell gap) of, for example, about 4 to 7 μm. One method for maintaining the cell gap is to randomly disperse beads having a substantially uniform diameter. Let me.

【0008】セルギャップを確実に制御するためにはビ
ーズの分散量を多くした方が良いが、ビーズ分散はラン
ダムであり、均一性がないため、局部的に密集した個所
ができると光抜けが大きくなり、さらにビーズの周囲で
は液晶の配向が乱れることによるコントラスト低下が局
所的に大きくなる等の副作用があるため、その分散量は
一般に150個/mm2 程度とされている。
To reliably control the cell gap, it is better to increase the amount of dispersion of beads. However, since the dispersion of beads is random and non-uniform, light leakage occurs when locally densely formed portions are formed. In general, the dispersion amount is set to about 150 particles / mm 2 because there is a side effect such as a decrease in contrast due to disordered liquid crystal alignment around the beads.

【0009】このビーズの材料には有機ポリマや石英が
使用できるが、石英ビーズの場合は、セルギャップ出し
時のプレス工程で絶縁基板に形成した保護膜、電極、あ
るいはTFT等のスイッチング素子を破壊したり、液晶
組成物との熱膨張係数の差で温度変化に伴って気泡が生
じる等の問題がある。そのため、一般には有機ポリマが
用いられる。
Organic beads or quartz can be used as a material for the beads. In the case of quartz beads, a protective film, an electrode, or a switching element such as a TFT formed on an insulating substrate in a pressing step at the time of setting a cell gap is destroyed. There is a problem that bubbles occur due to a change in temperature due to a difference in thermal expansion coefficient from the liquid crystal composition. Therefore, generally, an organic polymer is used.

【0010】直視型の液晶パネルでは、絶縁基板に応力
がかかり易いため、分散したビーズが移動することがあ
る。このため、液晶層は大気に対して負圧をかけた状態
にしておくことが望ましいが、完成した液晶パネルに常
時負圧をかけた状態を持たせることは製造プロセス的に
難しい。
In a direct-view type liquid crystal panel, stress is easily applied to an insulating substrate, so that dispersed beads may move. For this reason, it is desirable that the liquid crystal layer be kept under a negative pressure with respect to the atmosphere. However, it is difficult to keep the completed liquid crystal panel constantly under a negative pressure in terms of the manufacturing process.

【0011】一方、投射型表示装置に用いる小型の液晶
表示装置では、その液晶パネルの絶縁基板間にビーズを
分散させた場合、表示領域内に存在するビーズがスクリ
ーン上に拡大投影され、表示品質を劣化させるという問
題がある。そのため、液晶パネルの表示領域の周辺にの
みビーズあるいはファイバを入れ、セルギャップを周辺
のみで保持するビーズレス方式も知られている。しか
し、このビーズレス方式では、表示領域でのセルギャッ
プを所定値に保持することが困難であるため、歩留りの
低下や画質劣化を招く。
On the other hand, in a small liquid crystal display device used for a projection type display device, when beads are dispersed between insulating substrates of the liquid crystal panel, beads existing in a display area are enlarged and projected on a screen, and display quality is improved. There is a problem that it deteriorates. Therefore, a beadless system in which beads or fibers are inserted only around the display area of the liquid crystal panel and the cell gap is held only around the periphery is also known. However, in the beadless method, it is difficult to maintain the cell gap in the display area at a predetermined value, which causes a decrease in yield and a deterioration in image quality.

【0012】さらに、近年は、表示の高速化の要求でセ
ルギャップをさらに狭くする、所謂狭ギャップ化が望ま
れ、ギャップ制御の精度として0.1μm以下とするこ
とが要求されている。この狭ギャップ化に伴い、ビーズ
の加工精度もさらに向上させる必要があるが、これも極
めて困難であり、特に、反射型では透過型の半分のセル
ギャップとなるため、さらに困難である。
Further, in recent years, the demand for higher display speeds has made it necessary to further narrow the cell gap, that is, to narrow the cell gap, and it is required that the precision of the gap control be 0.1 μm or less. Along with the narrowing of the gap, it is necessary to further improve the processing accuracy of the beads, but this is also extremely difficult, and it is particularly difficult in the reflection type since the cell gap is half that of the transmission type.

【0013】このようなセルギャップの問題を解決する
ため、絶縁基板上にホトリソグラフィ技法で2枚の絶縁
基板間を橋絡するような支柱状のスペーサ(以下、柱状
スペーサと言う)を表示領域の特定個所(画素間あるい
はブラックマトリクス直下等、表示に影響を与えない個
所)に形成することが提案されている。
In order to solve such a cell gap problem, a columnar spacer (hereinafter, referred to as a columnar spacer) which bridges between two insulating substrates by a photolithography technique is provided on the insulating substrate. It is proposed to be formed at a specific location (a location that does not affect display, such as between pixels or immediately below a black matrix).

【0014】この柱状スペーサを用いたことで、ビーズ
を分散させた場合に生じるビーズの局部的な片寄りや移
動が無くなる。さらに、ホトリソグラフィ技法の加工精
度はビーズの加工精度に対して桁違いに良好であるた
め、柱状スペーサの高さがこの柱状スペーサ材料(ホト
レジスト)の塗布時の膜厚のみで決まり、セルギャップ
の精度は飛躍的に向上することが期待できる。
By using this columnar spacer, local deviation or movement of the beads caused when the beads are dispersed is eliminated. Furthermore, since the processing accuracy of the photolithography technique is orders of magnitude better than the processing accuracy of beads, the height of the columnar spacer is determined only by the film thickness when the columnar spacer material (photoresist) is applied. The accuracy can be expected to improve dramatically.

【0015】[0015]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな柱状スペーサを用いた液晶パネルでは、一方の基板
(駆動回路基板:薄膜トランジスタTFT方式ではFT
F基板)と他方の基板(対向基板:カラーの場合はカラ
ーフィルタ基板)との熱膨張差で発生する応力、柱状ス
ペーサと接触する対向基板の内面の凹凸に起因する当該
柱状スペーサへの局部的な応力集中が生じ、柱状スペー
サの位置変動や離脱、あるいは電極や配線あるいは駆動
回路への食い込みが発生し、液晶パネルの表示不良を招
くという問題がある。
However, in a liquid crystal panel using such a columnar spacer, one substrate (drive circuit substrate: FT in a thin film transistor TFT system) is used.
The stress generated due to the difference in thermal expansion between the F substrate and the other substrate (counter substrate: a color filter substrate in the case of a color), and local to the column spacer caused by irregularities on the inner surface of the counter substrate that comes into contact with the column spacer. Stress concentration occurs, and the position and displacement of the columnar spacers or bites into the electrodes, wirings, or drive circuits occur, which causes a problem of display failure of the liquid crystal panel.

【0016】本発明の目的は、上記従来技術の問題を解
消して、柱状スペーサの形状を改良して対向基板との接
触に起因する当該柱状スペーサへの局部的応力の集中を
なくした液晶表示装置を提供することにある。
An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art and to improve the shape of the columnar spacer to eliminate the concentration of local stress on the columnar spacer due to the contact with the counter substrate. It is to provide a device.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、液晶表示装置を構成する液晶パネルの一
方の絶縁基板の内面に形成した柱状スペーサの先端の面
積を小さくし、この柱状スペーサと接する他方の基板と
の接触面積を小さくした。
In order to achieve the above object, the present invention reduces the area of the tip of a columnar spacer formed on the inner surface of one insulating substrate of a liquid crystal panel constituting a liquid crystal display device. The contact area with the other substrate in contact with the spacer was reduced.

【0018】すなわち、本発明による柱状スペーサは、
一方の基板、例えば駆動基板にホトリソグラフィ技法で
形成される。この柱状スペーサは、駆動基板側の断面に
は、当該駆動基板との密着性と応力分散性から、ある程
度大きな面積を持たせ、他方の基板、例えば対向基板側
の先端部面積は液晶層のギャップを保持できうる範囲内
で極力小さくする。
That is, the columnar spacer according to the present invention comprises:
It is formed by photolithography on one substrate, for example, a driving substrate. This columnar spacer has a somewhat large area in the cross section on the driving substrate side due to adhesion to the driving substrate and stress dispersibility, and the area of the tip of the other substrate, for example, the opposing substrate side is the gap of the liquid crystal layer. Is reduced as much as possible within a range that can be maintained.

【0019】柱状スペーサの上記先端部の形状は、表面
が丸みを帯びたドーム形とするのが好ましい。この先端
部表面の形状は、柱状スペーサの全体形状に係わらず
に、半球状、楕円球状、その他の曲面形状でよく、ある
いは柱状スペーサが角柱状の場合は、その上面の角を丸
めた形状であってよい。
The shape of the tip of the columnar spacer is preferably a dome shape with a rounded surface. The shape of the tip surface may be a hemisphere, an elliptical sphere, or any other curved surface, regardless of the overall shape of the columnar spacer, or, if the columnar spacer is prismatic, have a rounded upper surface. May be.

【0020】本発明の典型的な構成を記述すれば、次の
とおりである。すなわち、 (1)マトリクス状に形成した多数の画素電極を有する
第1の基板と、第1の基板に対して所定の間隙をもって
対向させた透明電極を有する第2の基板と、第1の基板
と第2の基板の対向間隙に封入した液晶組成物からなる
液晶層と、第1の基板と第2の基板の液晶層に接する各
面に成膜した液晶組成物の配向を制御する配向膜と、第
1の基板の表示領域に第2の基板との対向間隙を所定値
に保持する如く突出して形成された複数の柱状スペーサ
を有し、前記柱状スペーサの前記第2の基板の内面と接
する先端部の面積を前記第1の基板の内面と連結する基
部の面積より小とした。
A typical configuration of the present invention is described as follows. That is, (1) a first substrate having a large number of pixel electrodes formed in a matrix, a second substrate having a transparent electrode opposed to the first substrate with a predetermined gap, and a first substrate Layer composed of a liquid crystal composition sealed in a gap between the first substrate and the second substrate, and an alignment film for controlling the alignment of the liquid crystal composition formed on each surface of the first substrate and the second substrate in contact with the liquid crystal layer And a plurality of columnar spacers formed in the display area of the first substrate so as to protrude so as to maintain a facing gap with the second substrate at a predetermined value, and an inner surface of the columnar spacer of the second substrate. The area of the contacting tip is smaller than the area of the base connected to the inner surface of the first substrate.

【0021】この構成により、表示領域内でのセルギャ
ップが均一化されると共に、基板内面の凹凸による柱状
スペーサとの接触圧力に起因する局部的な応力の発生を
緩和することができる。したがって、表示領域における
電極や薄膜トランジスタ、その他の機能構造の破壊が回
避され、製造歩留り、並びに信頼性が向上する。
According to this structure, the cell gap in the display area can be made uniform, and the local stress caused by the contact pressure with the columnar spacer due to the unevenness of the inner surface of the substrate can be reduced. Therefore, destruction of the electrodes, thin film transistors, and other functional structures in the display region is avoided, and the manufacturing yield and reliability are improved.

【0022】(2)(1)の柱状スペーサをホトリソグ
ラフィー技法で形成されたレジスト材料から構成した。
(2) The columnar spacer of (1) was formed of a resist material formed by photolithography.

【0023】このようにして形成された柱状スペーサに
よれば、その形状、高さが等しく、かつ正確なセルギャ
ップを得ることができる。
According to the columnar spacer formed in this way, it is possible to obtain an accurate cell gap having the same shape and height.

【0024】なお、本発明は、上記の構成に限るもので
はなく、本発明の技術思想を逸脱することなく種々の変
更が可能である。
It should be noted that the present invention is not limited to the above configuration, and various changes can be made without departing from the technical idea of the present invention.

【0025】[0025]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につ
き、実施例の図面を参照して詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.

【0026】図1は本発明による液晶表示装置の第一実
施例を説明する液晶パネルの模式断面図である。この液
晶パネルは液晶投射型液晶表示装置に用いる反射型液晶
パネルで、DSUBは第1の基板である単結晶シリコン
基板SUB1で構成した下側の基板(駆動基板)、US
UBは第2の基板である透明ガラス基板SUB2で構成
した上側の基板(対向基板)、LCは液晶組成物からな
る液晶層、ORI1は下側の配向膜、ORI2は上側の
配向膜、AL−Pは画素電極、TMは端子部、PSV1
は保護膜、SPC−Pは柱状スペーサ、SPC−Sは帯
状スペーサ、SLはシール剤、SHFは遮光膜である。
FIG. 1 is a schematic sectional view of a liquid crystal panel for explaining a first embodiment of a liquid crystal display device according to the present invention. This liquid crystal panel is a reflection type liquid crystal panel used for a liquid crystal projection type liquid crystal display device, and DSUB is a lower substrate (drive substrate) composed of a single crystal silicon substrate SUB1 as a first substrate, US
UB is an upper substrate (counter substrate) composed of a transparent glass substrate SUB2 as a second substrate, LC is a liquid crystal layer made of a liquid crystal composition, ORI1 is a lower alignment film, ORI2 is an upper alignment film, and AL- P is a pixel electrode, TM is a terminal, PSV1
Is a protective film, SPC-P is a columnar spacer, SPC-S is a strip spacer, SL is a sealant, and SHF is a light shielding film.

【0027】なお、この液晶パネルは薄膜トランジスタ
TFTで構成したアクティブマトリクス型を想定したも
のであり、駆動基板DSUBには画素電極AL−Pのみ
示してあるが、画素選択用のスイッチング素子として薄
膜トランジスタTFT、保持容量等が形成されている。
This liquid crystal panel is assumed to be of an active matrix type composed of thin film transistors TFT, and only the pixel electrodes AL-P are shown on the drive substrate DSUB, but the thin film transistors TFT and TFT are used as switching elements for pixel selection. A storage capacitor and the like are formed.

【0028】対向電極ITO−C、配向膜ORI2が形
成された対向基板USUBと画素電極AL−Pと保護膜
PSV1および配向膜ORI1が形成された駆動基板D
SUBの間に液晶組成物からなる液晶層LCが挟持され
る。画素電極AL−Pは電極であると共に反射機能を有
し、対向基板USUB側から入射した光を再度対向基板
USUBから出射させる。
A counter substrate USUB on which a counter electrode ITO-C and an alignment film ORI2 are formed, a driving substrate D on which a pixel electrode AL-P, a protective film PSV1, and an alignment film ORI1 are formed.
A liquid crystal layer LC made of a liquid crystal composition is sandwiched between the SUBs. The pixel electrode AL-P is an electrode and has a reflection function, and emits light incident from the counter substrate USUB again from the counter substrate USUB.

【0029】駆動基板DSUBには、その画素電極を避
けた位置の保護膜PSV1の上に柱状スペーサSPC−
Pが形成され、両基板の貼り合わせ周辺すなわち画素電
極AL−P等が形成された表示領域の外周には帯状スペ
ーサSPC−Sが形成されている。帯状スペーサSPC
−Sの幅寸法は柱状スペーサSPC−Pの径寸法より大
きく、2枚の基板を貼り合わせてプレスした際の押圧力
を受けて周辺のセルギャップを正確にセルギャップする
と共に、柱状スペーサSPC−Pと協動して表示領域の
セルギャップを所定値に制御する。
The driving substrate DSUB has a columnar spacer SPC-on the protective film PSV1 at a position avoiding the pixel electrode.
P is formed, and band-shaped spacers SPC-S are formed on the periphery of the attachment of the two substrates, that is, on the outer periphery of the display area where the pixel electrodes AL-P and the like are formed. Strip spacer SPC
The width dimension of -S is larger than the diameter dimension of the columnar spacer SPC-P, and the pressing force when two substrates are bonded and pressed to each other to accurately set the cell gap in the peripheral cell gap. The cell gap of the display area is controlled to a predetermined value in cooperation with P.

【0030】すなわち、両基板を重ね合わせてプレスし
たとき、柱状スペーサSPC−Pと帯状スペーサSPC
−Sの高さにより、基板間の間隙すなわち液晶層のセル
ギャップが正確に制御される。そして、表示領域への液
晶層の封入は、両基板の重ね合わせ前に表示領域に液晶
組成物をドリップし、シール剤SLで貼り合わせる時に
余剰の液晶組成物を溢れさせてプレスする方法と、帯状
スペーサSPC−Sの一部に開口を形成しておき、両基
板を重ね合わせ、帯状スペーサSPC−Sの外縁に沿っ
てフィラーを含有しないシール剤SLを塗布して紫外線
照射等で半硬化させた後、雰囲気を負圧とした状態で上
記開口から液晶組成物を注入し、その後プレスおよび加
熱処理してシール剤SLの完全硬化を行ってセルギャッ
プを設定する方法とが採用できる。
That is, when the two substrates are overlapped and pressed, the columnar spacer SPC-P and the band-shaped spacer SPC
The gap between the substrates, that is, the cell gap of the liquid crystal layer is accurately controlled by the height of -S. A method of sealing the liquid crystal layer in the display region is to drip the liquid crystal composition in the display region before the two substrates are overlapped, and to overflow and press the surplus liquid crystal composition when bonding with the sealing agent SL, An opening is formed in a part of the band-shaped spacer SPC-S, the two substrates are overlapped, a sealing agent SL containing no filler is applied along the outer edge of the band-shaped spacer SPC-S, and semi-cured by ultraviolet irradiation or the like. After that, the liquid crystal composition is injected from the opening in a state where the atmosphere is kept under a negative pressure, and then the sealing agent SL is completely cured by pressing and heating to set the cell gap.

【0031】なお、図示していないが、投射型液晶表示
装置の場合は端子部TMにスイッチング素子をドライブ
する信号を接続するフレキシブルプリント基板の端子が
接続される。
Although not shown, in the case of a projection type liquid crystal display device, a terminal of a flexible printed board for connecting a signal for driving a switching element is connected to a terminal portion TM.

【0032】図2は本発明による液晶表示装置の第二実
施例を説明する液晶パネルの模式断面図である。この液
晶パネルは第2の基板である対向基板USUBに遮光膜
(ブラックマトリクス)BMで区画した3色のカラーフ
ィルタFILを形成し、その上層に共通電極ITO−C
と配向膜ORI2を成膜した点を除いて前記第一実施例
と同様である。
FIG. 2 is a schematic sectional view of a liquid crystal panel for explaining a second embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention. In this liquid crystal panel, a color filter FIL of three colors partitioned by a light shielding film (black matrix) BM is formed on a counter substrate USUB as a second substrate, and a common electrode ITO-C is formed thereon.
It is the same as the first embodiment except that an orientation film ORI2 is formed.

【0033】図3は図1または図2に示した液晶パネル
の柱状スペーサの配置を説明する平面図である。柱状ス
ペーサの配置は画素電極との位置関係で示す。
FIG. 3 is a plan view for explaining the arrangement of the column spacers of the liquid crystal panel shown in FIG. 1 or FIG. The arrangement of the columnar spacers is indicated by the positional relationship with the pixel electrodes.

【0034】表示領域に形成される柱状スペーサSPC
−Pは、画素電極AL−P間のクロスする場所に設け
る。この実施例では、画素電極間スペースに柱状スペー
サSPC−Pを設けることにより、開口率の大幅な減少
はない。この柱状スペーサSPC−Pは全ての画素電極
間に設けなくてもよいが、全画素電極間スペースに一本
ずつ柱状スペーサSPC−Pを設けることで、ビーズを
用いる場合に比べてスペーサの設置数が桁違いに多くな
り、強力なセルギャップ制御機能が発揮され、両基板の
位置ずれが起こることはない。
Columnar spacer SPC formed in display area
−P is provided at a place where the pixel electrode AL-P crosses. In this embodiment, the provision of the columnar spacer SPC-P in the space between the pixel electrodes does not significantly reduce the aperture ratio. The columnar spacers SPC-P may not be provided between all the pixel electrodes. However, by providing one columnar spacer SPC-P in the space between all the pixel electrodes, the number of spacers to be installed can be reduced as compared with the case where beads are used. Is increased by orders of magnitude, a powerful cell gap control function is exhibited, and no displacement between the two substrates occurs.

【0035】なお、画素電極が配置された表示領域の外
周の画素電極と同一の層で形成された遮光膜SHFの上
に帯状スペーサSPC−Sが形成してある。この帯状ス
ペーサSPC−Sは表示領域の外周を包囲して形成さ
れ、その幅サイズは柱状スペーサSPC−Pの径サイズ
よりも大きい。そして、この帯状スペーサSPC−Sは
液晶層LCを封止する機能を有し、従来では液晶層に接
するように配置されていたシール剤SLはこの帯状スペ
ーサSPC−Sの外縁に塗布される(図1、図2参
照)。
A strip spacer SPC-S is formed on a light-shielding film SHF formed of the same layer as the pixel electrodes on the outer periphery of the display area where the pixel electrodes are arranged. The band-shaped spacer SPC-S is formed so as to surround the outer periphery of the display area, and its width is larger than the diameter of the columnar spacer SPC-P. The band-shaped spacer SPC-S has a function of sealing the liquid crystal layer LC, and the sealant SL, which is conventionally arranged so as to be in contact with the liquid crystal layer, is applied to the outer edge of the band-shaped spacer SPC-S ( 1 and 2).

【0036】柱状スペーサSPC−Pと帯状スペーサS
PC−Sはフォトリソグラフィ技法で同時に形成され
る。これらのスペーサの材料としては、株式会社JSR
製の化学増幅型ネガタイプレジスト「BPR−113」
(商品名)を用いた。このレジスト材料は、従来の液晶
パネルに用いられているビーズ材料と良く似た材料から
なり、熱硬化後は液晶組成物に溶けたり膨潤したりする
ことがなく、液晶組成物との相性もよく、加工性も良好
である。
The columnar spacer SPC-P and the band spacer S
PC-S is formed simultaneously by photolithography technique. Materials for these spacers include JSR Corporation
Amplified Negative Type Resist "BPR-113"
(Trade name) was used. This resist material is made of a material very similar to the bead material used in conventional liquid crystal panels, does not dissolve or swell in the liquid crystal composition after thermosetting, and has good compatibility with the liquid crystal composition. Good workability.

【0037】図4は本実施例の柱状スペーサ断面の顕微
鏡写真の模写図である。図示されたように、柱状スペー
サSPC−Pは駆動基板(第1の基板)SUB1の回路
CCT上に形成されており、基部の面積は当該駆動基板
との密着性と応力分散性から、ある程度大きな面積を持
たせ、他方の基板である対向基板側の先端部面積は液晶
層のギャップを保持できうる範囲内で極力小さい丸みを
帯びたドーム形としてある。
FIG. 4 is a photomicrograph of a section of a columnar spacer according to this embodiment. As shown in the figure, the columnar spacer SPC-P is formed on the circuit CCT of the driving substrate (first substrate) SUB1, and the area of the base is somewhat large due to the adhesion to the driving substrate and the stress dispersion. The area of the front end portion on the side of the opposing substrate, which is the other substrate, is a rounded dome shape as small as possible within a range that can maintain the gap of the liquid crystal layer.

【0038】この柱状スペーサSPC−P(および、帯
状スペーサSPC−S)は、例えば、柱状スペーサおよ
び帯状スペーサの材料となる前記「BPR−113」
を、画素電極AL−Pが形成された駆動基板DSUBの
保護膜PSV1(図1参照)の上にスピンコート法で塗
布し、i線にて露光し、現像して形成される。
The column spacer SPC-P (and the band spacer SPC-S) is, for example, the "BPR-113" which is a material of the column spacer and the band spacer.
Is applied on the protective film PSV1 (see FIG. 1) of the drive substrate DSUB on which the pixel electrodes AL-P are formed by spin coating, exposed by i-line, and developed.

【0039】図5は本実施例の柱状スペーサを用いて2
枚の基板を圧接して張り合わせた場合の状態を説明する
模式図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view of the second embodiment using the columnar spacer of this embodiment.
It is a schematic diagram explaining the state at the time of pressing and bonding two substrates.

【0040】この図では、対向基板の内面に凸部がある
場合を示す。同図(a)に示したように、対向基板SU
B2の内面に形成された共通電極や配向膜、あるいはカ
ラーフィルタに起因する凸部Pが存在したとき、柱状ス
ペーサがその基部と先端部との面積が同じな単なる円柱
状あるいは角柱状である場合は、矢印で示した両基板の
圧着力で柱状スペーサが形成位置から離脱したり、ある
いはその下層に形成されている駆動回路等を破壊する恐
れがあった。しかし、本実施例では、柱状スペーサSP
C−Pの先端の面積が小さく形成されているため、同図
(b)に示したように、凸部Pに当たった柱状スペーサ
SPC−Pは、その先端部が潰れることで圧着力による
応力が緩和される。
This figure shows a case where the opposing substrate has a convex portion on the inner surface. As shown in FIG.
In the case where there is a common electrode or an alignment film formed on the inner surface of B2, or a projection P caused by a color filter, the columnar spacer is a simple columnar or prismatic having the same area at the base and the tip. There is a possibility that the columnar spacer may be separated from the formation position by the pressing force of the two substrates indicated by the arrows, or the drive circuit and the like formed thereunder may be destroyed. However, in this embodiment, the columnar spacer SP
Since the area of the tip of CP is formed small, the columnar spacer SPC-P hitting the convex part P is subjected to a stress due to the crimping force due to the collapse of the tip as shown in FIG. Is alleviated.

【0041】また、駆動基板と対向基板との熱膨張率差
などにより、柱状スペーサと対向基板の間に応力が発生
した場合でも、両者の接触面積が小さいことで液晶層の
ギャップ(セルギャップ)を保ったまま接触部が容易に
ずれる。
Even when stress is generated between the columnar spacer and the opposing substrate due to a difference in the coefficient of thermal expansion between the driving substrate and the opposing substrate, the gap (cell gap) of the liquid crystal layer is small due to the small contact area between them. The contact part is easily displaced while maintaining the condition.

【0042】そのため、柱状スペーサの形成位置からの
離脱、あるいはその下層に形成されている駆動回路等の
破壊が回避される。
Therefore, separation from the formation position of the columnar spacer or destruction of the drive circuit and the like formed thereunder can be avoided.

【0043】そして、柱状スペーサおよび帯状スペーサ
が形成された駆動基板DSUBの帯状スペーサSPC−
Sで囲まれた内側に液晶組成物を注入する。なお、図2
に示したクローズドループ形状の帯状スペーサSPC−
Sの場合は、液晶組成物をドロップする。この駆動基板
DSUBの上に接触しないように共通基板USUBを載
置して脱気処理する。脱気後、両基板をプレスで加圧
し、密着させる。このとき、余剰の液晶組成物は帯状ス
ペーサSPC−Sからはみ出す。はみ出した液晶組成物
を洗い流し、帯状スペーサSPC−Sの外縁と両基板の
間にフィラーを含有しないシール剤SLを塗布して硬化
させる。
Then, the strip spacer SPC- of the drive substrate DSUB on which the column spacer and the strip spacer are formed.
The liquid crystal composition is injected into the inside surrounded by S. Note that FIG.
Closed loop band spacer SPC-
In the case of S, the liquid crystal composition is dropped. The common substrate USUB is placed on the drive substrate DSUB so as not to come into contact with the drive substrate DSUB and deaeration processing is performed. After degassing, both substrates are pressed by a press and brought into close contact. At this time, the excess liquid crystal composition protrudes from the strip spacer SPC-S. The protruding liquid crystal composition is washed away, and a sealant SL containing no filler is applied between the outer edge of the strip spacer SPC-S and the two substrates to be cured.

【0044】このように本実施例により、柱状スペーサ
SPC−Pおよび帯状スペーサSPC−Sにより、表示
領域とシール部分のセルギャップは等しくなり、柱状ス
ペーサSPS−Pによる回路破壊等が回避され、またセ
ルギャップ差による表示むらの発生が防止される。
As described above, according to this embodiment, the column spacer SPC-P and the strip spacer SPC-S make the cell gap between the display region and the seal portion equal, thereby avoiding a circuit breakdown or the like due to the column spacer SPS-P. The occurrence of display unevenness due to the cell gap difference is prevented.

【0045】さらに、本実施例のように、シール剤SL
の内側に帯状スペーサSPC−Sを配置したことで、液
晶層LCを構成する液晶組成物がシール剤と接触せず、
未硬化のシール剤による液晶組成物の汚染が防止される
と共に、シール剤にフィラーを含有させる必要が無いた
め、2枚の絶縁基板の接着時の押圧で電極引き出し端子
が断線したり、その他の薄膜が破壊されることがない。
Further, as in this embodiment, the sealing agent SL
The liquid crystal composition constituting the liquid crystal layer LC does not come in contact with the sealant by disposing the band-shaped spacer SPC-S inside the
The contamination of the liquid crystal composition by the uncured sealant is prevented, and it is not necessary to include a filler in the sealant. The thin film is not destroyed.

【0046】図6は本発明による液晶表示装置の液晶パ
ネルの他の構成例を説明する平面図である。この構成例
は、表示領域の外周に形成される帯状スペーサSPC−
Sの一部に間隙を設け、これを液晶注入口INJとした
ものである。その他の構成は前記図3に示した構成と同
様であるので、説明は省略する。以下、この実施例の液
晶パネルの制作方法を説明する。
FIG. 6 is a plan view for explaining another configuration example of the liquid crystal panel of the liquid crystal display device according to the present invention. In this configuration example, a strip spacer SPC-
A gap is provided in a part of S, which is used as a liquid crystal injection port INJ. The other configuration is the same as the configuration shown in FIG. 3 and thus the description is omitted. Hereinafter, a method of manufacturing the liquid crystal panel of this embodiment will be described.

【0047】駆動基板DSUBは、帯状スペーサSPC
−Sに液晶注入口INJを設けた以外は前記第1実施例
と同様に形成される。この駆動基板DSUBに対向基板
USUBを貼り合わせ、プレスで加圧して両者を密着さ
せる。この状態で雰囲気を減圧して脱気し、液晶注入口
INJから液晶組成物を注入する。
The driving substrate DSUB is a belt-shaped spacer SPC
Except that the liquid crystal injection port INJ is provided in -S, it is formed in the same manner as in the first embodiment. The opposing substrate USUB is bonded to the driving substrate DSUB, and the two are brought into close contact with each other by pressing with a press. In this state, the atmosphere is decompressed and degassed, and the liquid crystal composition is injected from the liquid crystal inlet INJ.

【0048】その後、この液晶注入口INJを含めて帯
状スペーサSPC−Sの外縁にシール剤を塗布し硬化さ
せる。このときの柱状スペーサSPS−Pの作用は図5
で説明したとおりである。
Thereafter, a sealant is applied to the outer edge of the strip spacer SPC-S including the liquid crystal inlet INJ and is cured. The operation of the columnar spacer SPS-P at this time is shown in FIG.
As described in the above.

【0049】また、帯状スペーサSPC−Sの外縁にシ
ール剤を塗布する前に液晶注入口INJに同種のシール
剤を塗布して封止するようにしてもよい。この液晶注入
口INJは一個として示したが、2以上の液晶注入口I
NJを並設してもよい。本実施例により、前記第1実施
例と同様の効果を得ることができる。
Further, before applying the sealant to the outer edge of the strip spacer SPC-S, the same type of sealant may be applied to the liquid crystal inlet INJ and sealed. Although this liquid crystal inlet INJ is shown as one, two or more liquid crystal inlets I
NJs may be provided side by side. According to this embodiment, the same effects as those of the first embodiment can be obtained.

【0050】なお、上記した各構成例とも、駆動基板D
SUBに単結晶シリコン基板を用いた反射型として説明
したが、両基板をガラス基板とした透過型の場合、ある
いは表示面積の大きい直視型の液晶表示装置の場合でも
同様にして構成できる。
In each of the above-described configuration examples, the driving substrate D
Although the reflection type using a single crystal silicon substrate for the SUB has been described, the same configuration can be applied to a transmission type in which both substrates are glass substrates or a direct-view type liquid crystal display device having a large display area.

【0051】次に、本発明を具体化した事例について説
明する。図7は本発明による液晶表示装置を具体化した
投射型液晶表示装置の全体構成の説明図であって、
(a)は一部破断した平面図、(b)は(a)のA−A
線に沿った断面である。
Next, a case in which the present invention is embodied will be described. FIG. 7 is an explanatory diagram of the overall configuration of a projection type liquid crystal display device embodying the liquid crystal display device according to the present invention,
(A) is a partially broken plan view, (b) is AA of (a).
It is a cross section along the line.

【0052】図7に示したように、この投射型液晶表示
装置は、第2の基板DSUBに柱状スペーサSPC−P
および帯状スペーサSPC−Sを有し、第1の基板US
UBと第2の基板DSUBの間に液晶層LCを挟持して
上記柱状スペーサSPC−Pおよび帯状スペーサSPC
−Sで所要のセルギャップを制御し、帯状スペーサSP
C−Sの外縁にシール剤SLを塗布し硬化させて両基板
を接着してなる反射型の液晶パネルを、樹脂材料のモー
ルド成形品を好適とするパッケージPCGのキャビティ
内に収納し、その一端縁に信号および電力を給電するた
めのフレキシブルプリント基板FPCの一端を接続する
と共に、表面ガラスWGで蓋をし上記キャビティを密閉
して構成される。
As shown in FIG. 7, this projection type liquid crystal display device has a columnar spacer SPC-P on a second substrate DSUB.
And a first substrate US having a band-shaped spacer SPC-S
The liquid crystal layer LC is sandwiched between the UB and the second substrate DSUB, and the columnar spacer SPC-P and the band-shaped spacer SPC are sandwiched.
-S controls the required cell gap and sets the band-shaped spacer SP
A reflective liquid crystal panel formed by applying and curing a sealant SL on the outer edge of the CS and adhering the two substrates to each other is housed in a cavity of a package PCG suitable for a molded product of a resin material. One end of a flexible printed circuit board FPC for supplying a signal and power to the edge is connected, and the cavity is closed by covering with a surface glass WG.

【0053】パッケージPCGの背面には金属製の放熱
板PPBが、その周辺を当該パッケージ本体PCGの下
部4辺に埋設した状態で設置され、液晶パネルは放熱板
PPBとの間に比較的弾性を有する放熱シートDPHを
介して収納される。したがって、液晶パネルの背面は放
熱シートDPHにより放熱板PPBに密着し、放熱効果
が十分に得られる構造となっている。
On the back of the package PCG, a metal heat radiating plate PPB is installed with its periphery buried in the lower four sides of the package main body PCG, and the liquid crystal panel has relatively elasticity with the heat radiating plate PPB. It is stored via the heat dissipation sheet DPH. Therefore, the rear surface of the liquid crystal panel is in close contact with the heat radiating plate PPB by the heat radiating sheet DPH, and has a structure in which a sufficient heat radiating effect can be obtained.

【0054】パッケージPCGのキャビティ内部に収納
した液晶パネルは、その第1の基板USUBの裏側で接
着材ADHにより当該パッケージPCGの底部内周に形
成された段部に固定され、また、表面ガラスWGを接着
材でパッケージPCGとフレキシブルプリント基板FP
Cを固定するためのスペース板SPBに固定される。な
お、スペース板SPBはフレキシブルプリント基板FP
Cに図示しない接着剤を用いて固定されている。
The liquid crystal panel housed inside the cavity of the package PCG is fixed to the step formed on the inner periphery of the bottom of the package PCG by the adhesive ADH on the back side of the first substrate USUB. With adhesive PCG and flexible printed circuit board FP
It is fixed to a space plate SPB for fixing C. The space plate SPB is a flexible printed circuit board FP
C is fixed using an adhesive (not shown).

【0055】図8は図7で説明した液晶表示装置を用い
て構成した投射型液晶表示装置の構成例を説明するため
の模式図であって、筺体CAS内に液晶表示装置(液晶
モジュール)MOD、照明光源LSS、照明レンズ系L
NS、第1の偏光板POL1、反射鏡MIL、結像レン
ズ系FLN、第2の偏光板POL2、光学絞りILS、
および投射光学系PLNを収納してなる。
FIG. 8 is a schematic diagram for explaining a configuration example of a projection type liquid crystal display device using the liquid crystal display device described with reference to FIG. 7, and a liquid crystal display device (liquid crystal module) MOD is provided in a casing CAS. , Illumination light source LSS, illumination lens system L
NS, a first polarizing plate POL1, a reflecting mirror MIL, an imaging lens system FLN, a second polarizing plate POL2, an optical diaphragm ILS,
And the projection optical system PLN.

【0056】光源装置LSSからの照射光は照明レンズ
系LNSと第1の偏光板POL1と反射鏡MILにより
液晶表示装置MODを構成する液晶パネルPNLの表面
に入射する。液晶パネルPNLに入射した光は液晶パネ
ルPNLの画素電極AL−Pで画像信号に対応した変調
がなされ、反射した光が結像レンズ系FLNと第2の偏
光板Pd2と光学絞りILS、投射光学系PLNを介し
てスクリーンSCN上に拡大投射される。
The irradiation light from the light source device LSS is incident on the surface of the liquid crystal panel PNL constituting the liquid crystal display device MOD by the illumination lens system LNS, the first polarizing plate POL1, and the reflecting mirror MIL. The light incident on the liquid crystal panel PNL is modulated according to the image signal by the pixel electrode AL-P of the liquid crystal panel PNL, and the reflected light is reflected by the imaging lens system FLN, the second polarizing plate Pd2, the optical diaphragm ILS, and the projection optics. The image is enlarged and projected on the screen SCN via the system PLN.

【0057】次に、本発明を直視型液晶表示装置に適用
した例をアクティブマトリクス型液晶表示装置について
説明する。
Next, an example in which the present invention is applied to a direct-view type liquid crystal display device will be described for an active matrix type liquid crystal display device.

【0058】図9はアクティブマトリクス型液晶表示装
置を構成する液晶パネルの平面図であり、第1および第
2の絶縁基板である上下の透明ガラス基板SUB2(カ
ラーフィルタ基板),SUB1(アクティブマトリクス
基板)を含む液晶パネルPNLのマトリクスAR周辺の
要部平面図、図10は図9に示した液晶パネルの左上角
部に対応するシール部SL付近の拡大平面図である。
FIG. 9 is a plan view of a liquid crystal panel constituting an active matrix type liquid crystal display device. The upper and lower transparent glass substrates SUB2 (color filter substrate) and SUB1 (active matrix substrate) which are first and second insulating substrates. ), And FIG. 10 is an enlarged plan view near the seal portion SL corresponding to the upper left corner of the liquid crystal panel shown in FIG.

【0059】また、図11は液晶パネルの要部断面であ
って、(a)は図9の線19a−19aに沿った断面
図、(b)はTFT部分の断面図、(c)は映像信号線
駆動回路が接続されるべき外部接続端子DTM付近の断
面図を示す。
FIGS. 11A and 11B are cross-sectional views of main parts of the liquid crystal panel. FIG. 11A is a cross-sectional view taken along line 19a-19a in FIG. 9, FIG. 11B is a cross-sectional view of a TFT portion, and FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view showing the vicinity of an external connection terminal DTM to which a signal line driving circuit is to be connected.

【0060】この液晶パネルの製造では、小さいサイズ
であればスループット向上のため1枚のガラス基板で複
数個分を同時に加工してから分離し、大きいサイズであ
れば製造設備の共用のため、どの品種でも標準化された
大きさのガラス基板を加工してから各品種に合ったサイ
ズに小さくし、いずれの場合も一通りの工程を経てから
ガラス基板を切断する。
In the manufacture of this liquid crystal panel, if the size is small, a plurality of glass substrates are simultaneously processed on a single glass substrate and then separated in order to improve the throughput. A glass substrate of a standardized size is also processed for a product type, and then reduced to a size suitable for each product type. In each case, the glass substrate is cut after passing through one process.

【0061】図9、図11の両図とも、上下のガラス基
板SUB2,SUB1の切断後を、図10は切断前を示
しており、LNはガラス基板の切断線の縁を、CT1と
CT2はそれぞれガラス基板SUB1,SUB2の切断
すべき位置を示す。
9 and 11 show the upper and lower glass substrates SUB2 and SUB1 after cutting, and FIG. 10 shows the state before cutting. LN indicates the edge of the cutting line of the glass substrate, and CT1 and CT2 indicate the edges. The positions where the glass substrates SUB1 and SUB2 are to be cut are shown.

【0062】いずれの場合も、完成状態では外部接続端
子群Tg、Td(添字略)が存在する部分(図では上下
辺と左辺)は、それらを露出するように上側ガラス基板
SUB2の大きさが下側ガラス基板SUB1よりも内側
に制限されている。
In any case, in the completed state, the portions (the upper and lower sides and the left side in the figure) where the external connection terminal groups Tg and Td (subscripts are omitted) have a size of the upper glass substrate SUB2 such that they are exposed. It is limited inside the lower glass substrate SUB1.

【0063】外部接続端子群Tg、Tdはそれぞれ走査
回路接続用端子GTM、映像信号回路接続用端子DTM
とそれらの引出配線部を駆動回路チップが搭載されたテ
ープキャリアパッケージの単位に複数本まとめて名付け
たものである。各群のマトリクス部から外部接続端子部
に至るまでの引出配線は、両端に近づくにつれて傾斜し
ている。これは、テープキャリアパッケージの配列ピッ
チ及び各テープキャリアパッケージにおける接続端子ピ
ッチに液晶パネルPNLの端子DTM、GTMを合わせ
るためである。
The external connection terminal groups Tg and Td are a scanning circuit connection terminal GTM and a video signal circuit connection terminal DTM, respectively.
And a plurality of these lead-out wiring portions are collectively named for a unit of a tape carrier package on which a drive circuit chip is mounted. The lead wiring from the matrix part of each group to the external connection terminal part is inclined as approaching both ends. This is for adjusting the terminals DTM and GTM of the liquid crystal panel PNL to the arrangement pitch of the tape carrier package and the connection terminal pitch of each tape carrier package.

【0064】透明ガラス基板SUB1,SUB2の間の
表示領域ARには柱状スペーサSPC−Pが、またシー
ル部には、その縁に沿って液晶封入口INJを除いて液
晶LCを封止するように帯状スペーサSPC−Sが形成
されている。そして、帯状スペーサSPC−Sの外縁に
はシール剤SLが塗布されている。このシール剤は例え
ばエポキシ樹脂からなる。なお、柱状スペーサSPC−
Pは画素の境界に形成されているので、図11には示さ
れていない。
The columnar spacer SPC-P is provided in the display area AR between the transparent glass substrates SUB1 and SUB2, and the liquid crystal LC is sealed along the edge of the sealing portion except for the liquid crystal filling opening INJ. A strip spacer SPC-S is formed. The sealing agent SL is applied to the outer edge of the strip spacer SPC-S. This sealant is made of, for example, an epoxy resin. The columnar spacer SPC-
P is not shown in FIG. 11 because it is formed at the boundary between pixels.

【0065】上部透明ガラス基板SUB2側の共通透明
画素電極ITO2は、少なくとも一箇所において、ここ
では液晶パネルの四隅で銀ペースト材AGPによって下
部透明ガラス基板SUB1側に形成された引出配線IN
Tに接続されている。この引出配線INTはゲート端子
GTM、ドレン端子DTMと同一製造工程で形成され
る。
The common transparent pixel electrode ITO2 on the upper transparent glass substrate SUB2 side is connected to the lead-out wiring IN formed on the lower transparent glass substrate SUB1 side by a silver paste material AGP at at least one position, here, at four corners of the liquid crystal panel.
Connected to T. The lead wiring INT is formed in the same manufacturing process as the gate terminal GTM and the drain terminal DTM.

【0066】配向膜ORI1,ORI2、透明画素電極
ITO1、共通透明画素電極ITO2、それぞれの層
は、帯状スペーサSPC−Sの内側に形成されている。
下部透明ガラス基板SUB1、上部透明ガラス基板SU
B2の外側の表面には偏光板POL1,POL2がそれ
ぞれ形成されている。
The layers of the alignment films ORI1 and ORI2, the transparent pixel electrode ITO1, and the common transparent pixel electrode ITO2 are formed inside the strip spacer SPC-S.
Lower transparent glass substrate SUB1, upper transparent glass substrate SU
Polarizing plates POL1 and POL2 are formed on the outer surface of B2.

【0067】液晶LCは液晶組成物の液晶分子の向きを
設定する下部配向膜ORI1と上部配向膜ORI2との
間で帯状スペーサSPC−Sで区画された表示領域AR
に封入されている。下部配向膜ORI1は下部透明ガラ
ス基板SUB1側の保護膜PSV1の上部に形成されて
いる。
The liquid crystal LC has a display area AR partitioned by a strip spacer SPC-S between a lower alignment film ORI1 and an upper alignment film ORI2 for setting the direction of liquid crystal molecules of the liquid crystal composition.
It is enclosed in. The lower alignment film ORI1 is formed above the protective film PSV1 on the lower transparent glass substrate SUB1 side.

【0068】この液晶パネルPNLは、透明ガラス基板
SUB1側、上部透明ガラス基板SUB2側で別個に種
々の層を積み重ね、下部透明ガラス基板SUB1と上部
透明ガラス基板SUB2とを重ね合わせ、帯状スペーサ
SPC−Sの開口部INJ(液晶注入口)から液晶を注
入し、その後シール剤SLで封止し、上下の透明ガラス
基板を切断することによって組立られる。
In the liquid crystal panel PNL, various layers are separately stacked on the transparent glass substrate SUB1 side and the upper transparent glass substrate SUB2 side, and the lower transparent glass substrate SUB1 and the upper transparent glass substrate SUB2 are overlapped to form a strip spacer SPC-. The liquid crystal is injected from the opening INJ (liquid crystal injection port) of the S, then sealed with the sealant SL, and the upper and lower transparent glass substrates are cut and assembled.

【0069】図11に示した薄膜トランジスタTFT
は、ゲート電極GTに正のバイアスを印加すると、ソー
ス−ドレイン間のチャネル抵抗が小さくなり、バイアス
を零にするとチャネル抵抗は大きくなるように動作す
る。
The thin film transistor TFT shown in FIG.
Operates such that when a positive bias is applied to the gate electrode GT, the channel resistance between the source and the drain decreases, and when the bias is reduced to zero, the channel resistance increases.

【0070】各画素の薄膜トランジスタTFTは、画素
内において2つ(複数)に分割されれている。図11で
は一個のみ示してある。2つの薄膜トランジスタTFT
のそれぞれは、実質的に同一サイズ(チャネル長、チャ
ネル幅が同じ)で構成されている。この分割された薄膜
トランジスタTFTのそれぞれは、ゲート電極GT、ゲ
ート絶縁膜GI、i型(真性、intrinsic、導
電型決定不純物がドープされていない)非晶質シリコン
(Si)からなるi型半導体層AS、一対のソース電極
SD1、ドレイン電極SD2を有する。なお、ソース、
ドレインは本来その間のバイアス極性によって決まるも
ので、この液晶表示装置の回路では、その極性は動作中
反転するので、ソース、ドレインは動作中入れ替わると
理解されたい。しかし、以下の説明では、便宜上、一方
をソース、他方をドレインと固定して表現する。
The thin film transistor TFT of each pixel is divided into two (a plurality) in the pixel. In FIG. 11, only one is shown. Two thin film transistors TFT
Are substantially the same size (channel length and channel width are the same). Each of the divided thin film transistors TFT includes a gate electrode GT, a gate insulating film GI, and an i-type semiconductor layer AS made of i-type (intrinsic, intrinsic, not doped with a conductivity type determining impurity) amorphous silicon (Si). , A pair of source electrode SD1 and drain electrode SD2. The source,
It should be understood that the drain is originally determined by the bias polarity between them, and in the circuit of this liquid crystal display device, the polarity is inverted during operation, so that the source and drain are switched during operation. However, in the following description, for convenience, one is fixed as a source and the other is fixed as a drain.

【0071】ゲート電極GTは薄膜トランジスタTFT
のそれぞれの能動領域を越えるように突出しており、薄
膜トランジスタTFTのそれぞれのゲート電極GTは連
続して形成されている。ここでは、ゲート電極GTは、
単層の第2導電膜g2で形成されている。第2導電膜g
2は、例えばスパッタで形成されたアルミニウム(A
l)膜を用い、1000〜5500Å程度の膜厚で形成
する。また、ゲート電極GTの上にはアルミニウムの陽
極酸化膜AOFが設けられている。
The gate electrode GT is a thin film transistor TFT
And each gate electrode GT of the thin film transistor TFT is formed continuously. Here, the gate electrode GT is
It is formed of a single-layer second conductive film g2. Second conductive film g
2 is, for example, aluminum (A) formed by sputtering.
l) A film is formed with a thickness of about 1000 to 5500 °. Further, an anodic oxide film AOF of aluminum is provided on the gate electrode GT.

【0072】このゲート電極GTはi型半導体層ASを
完全に覆うように(下方から見て)それより大きめに形
成される。したがって、下部透明ガラス基板SUB1の
下方に蛍光管等のバックライトBLを取り付けた場合、
この不透明なアルミニウム膜からなるゲート電極GTが
影となってi型半導体層ASにはバックライトからの光
が当たらず、光照射による導電現象すなわち薄膜トラン
ジスタTFTのオフ特性劣化は起き難くなる。なお、ゲ
ート電極GTの本来の大きさは、ソース電極SD1とド
レイン電極SD2との間に跨がるのに最低限必要な(ゲ
ート電極GTとソース電極SD1、ドレイン電極SD2
との位置合わせ余裕分も含めて)幅を持ち、チャネル幅
Wを決めるその奥行き長さはソース電極SD1とドレイ
ン電極SD2との間の距離(チャネル長)Lとの比、す
なわち相互コンダクタンスgmを決定するファクタW/
Lをいくつにするかによって決められる。この液晶表示
装置におけるゲート電極GTの大きさは、もちろん、上
述した本来の大きさよりも大きくされる。
This gate electrode GT is formed larger than it so as to completely cover the i-type semiconductor layer AS (as viewed from below). Therefore, when a backlight BL such as a fluorescent tube is attached below the lower transparent glass substrate SUB1,
The gate electrode GT made of the opaque aluminum film becomes a shadow, and the light from the backlight does not shine on the i-type semiconductor layer AS. Note that the original size of the gate electrode GT is at least necessary to extend between the source electrode SD1 and the drain electrode SD2 (the gate electrode GT and the source electrode SD1, the drain electrode SD2).
(Including a margin for positioning), and the depth length that determines the channel width W is the ratio of the distance (channel length) L between the source electrode SD1 and the drain electrode SD2, that is, the mutual conductance gm. Factor W /
It is determined by what L is. The size of the gate electrode GT in this liquid crystal display device is, of course, made larger than the original size described above.

【0073】走査信号線は第2導電膜g2で構成されて
いる。この走査信号線の第2導電膜g2はゲート電極G
Tの第2導電膜g2と同一製造工程で形成され、かつ一
体に形成されている。また、走査信号線上にもアルミニ
ウムAlの陽極酸化膜AOFが設けられている。
The scanning signal line is composed of the second conductive film g2. The second conductive film g2 of this scanning signal line is connected to the gate electrode G
It is formed in the same manufacturing process as the second conductive film g2 of T, and is integrally formed. Also, an anodic oxide film AOF of aluminum Al is provided on the scanning signal lines.

【0074】絶縁膜GIは薄膜トランジスタTFTのそ
れぞれのゲート絶縁膜として使用され、ゲート電極GT
および走査信号線の上層に形成されている。絶縁膜GI
は、例えばプラズマCVDで形成された窒化シリコン膜
を用い、1200〜2700Åの膜厚(この液晶表示装
置では、2000Å程度の膜厚)で形成する。ゲート絶
縁膜GIは図9に示したように、マトリクス部ARの全
体を囲むように形成され、周辺部は外部接続端子DT
M,GTMを露出するように除去されている。
The insulating film GI is used as each gate insulating film of the thin film transistor TFT, and the gate electrode GT
And on the scanning signal line. Insulating film GI
Is formed using a silicon nitride film formed by, for example, plasma CVD, to a thickness of 1200 to 2700 ° (in this liquid crystal display device, a thickness of about 2000 °). As shown in FIG. 9, the gate insulating film GI is formed so as to surround the entire matrix portion AR, and the peripheral portion is provided with the external connection terminal DT.
M and GTM have been removed to expose them.

【0075】i型半導体層ASは、2つの薄膜トランジ
スタTFTのそれぞれのチャネル形成領域として使用さ
れる。i型半導体層ASは非晶質シリコン膜または多結
晶シリコン膜で形成し、200〜220Åの膜厚(この
液晶表示装置では、200Å程度の膜厚)で形成する。
The i-type semiconductor layer AS is used as a channel formation region of each of two thin film transistors TFT. The i-type semiconductor layer AS is formed of an amorphous silicon film or a polycrystalline silicon film and has a thickness of 200 to 220 ° (about 200 ° in this liquid crystal display device).

【0076】このi型半導体層ASは、供給ガスの成分
を変えてSi2 4 からなるゲート絶縁膜として使用さ
れる絶縁膜GIの形成に連続して、同じプラズマCVD
装置で、しかもそのプラズマCVD装置から外部に露出
することなく形成される。
The i-type semiconductor layer AS is formed by the same plasma CVD method by changing the composition of the supply gas and forming an insulating film GI used as a gate insulating film made of Si 2 N 4.
It is formed by an apparatus and without being exposed to the outside from the plasma CVD apparatus.

【0077】また、オーミックコンタクト用のリン
(P)を2.5%ドープしたN(+)型半導体層d0も
同様に連続して200〜500Åの膜厚(この液晶表示
装置では、300Å程度の膜厚)で形成する。しかる
後、下部透明ガラス基板SUB1はCVD装置から外部
に取り出され、写真処理技術によりN(+)型半導体層
d0およびi型半導体層ASは独立した島状にパターニ
ングされる。
Similarly, the N (+) type semiconductor layer d0 doped with 2.5% of phosphorus (P) for ohmic contact is continuously formed to a thickness of 200 to 500 ° (in this liquid crystal display device, about 300 °). (Film thickness). Thereafter, the lower transparent glass substrate SUB1 is taken out of the CVD apparatus, and the N (+)-type semiconductor layer d0 and the i-type semiconductor layer AS are patterned into independent islands by a photographic processing technique.

【0078】i型半導体層ASは、走査信号線と映像信
号線との交差部(クロスオーバ部)の両者間にも設けら
れている。この交差部のi型半導体層ASは交差部にお
ける走査信号線と映像信号線との短絡を低減する。
The i-type semiconductor layer AS is also provided between both intersections (crossover portions) of the scanning signal lines and the video signal lines. The i-type semiconductor layer AS at the intersection reduces a short circuit between the scanning signal line and the video signal line at the intersection.

【0079】透明画素電極ITO1(図1のAL−Pに
相当)は液晶パネルの画素電極の一方を構成する。透明
画素電極ITO1は2つの薄膜トランジスタTFTの各
ソース電極SD1に接続されている。このため、2つの
薄膜トランジスタTFTのうちの1つに欠陥が発生して
も、その欠陥が副作用をもたらす場合はレーザ光等によ
って適切な箇所を切断し、そうでない場合は他方の薄膜
トランジスタが正常に動作しているので放置すればよ
い。なお、2つの薄膜トランジスタTFTに同時に欠陥
が発生することは稀であり、このような冗長方式により
点欠陥や線欠陥の発生確率を極めて小さくすることがで
きる。
The transparent pixel electrode ITO1 (corresponding to AL-P in FIG. 1) forms one of the pixel electrodes of the liquid crystal panel. The transparent pixel electrode ITO1 is connected to each source electrode SD1 of two thin film transistors TFT. Therefore, even if a defect occurs in one of the two thin film transistors TFT, if the defect causes a side effect, an appropriate portion is cut by a laser beam or the like, otherwise, the other thin film transistor operates normally. You can leave it. It is rare that defects occur in two thin film transistors TFT at the same time, and the occurrence probability of point defects and line defects can be extremely reduced by such a redundant system.

【0080】透明画素電極ITO1は第1導電膜d1に
よって構成されている。この第1導電膜d1はスパッタ
リングで形成された透明導電膜(Indium−Tin
−Oxide ITO:ネサ膜)からなり、1000〜
2000Åの膜厚((この液晶表示装置では、1400
Å程度の膜厚)で形成される。
The transparent pixel electrode ITO1 is composed of the first conductive film d1. This first conductive film d1 is a transparent conductive film (Indium-Tin) formed by sputtering.
-Oxide ITO: Nesa film)
A film thickness of 2000 ° ((1400 in this liquid crystal display device)
(Å film thickness).

【0081】2つの薄膜トランジスタTFTのそれぞれ
のソース電極SD1とドレイン電極SD2とは、i型半
導体層AS上にそれぞれ離隔して設けられている。
The source electrode SD1 and the drain electrode SD2 of each of the two thin film transistors TFT are provided separately on the i-type semiconductor layer AS.

【0082】ソース電極SD1、ドレイン電極SD2の
それぞれは、N(+)型半導体層d0に接触する下層側
から、第2導電膜d2、第3導電膜d3を順次重ね合わ
せて構成されている。ソース電極SD1の第2導電膜d
2および第3導電膜d3は、ドレイン電極SD2の第2
導電膜d2および第3導電膜d3と同一製造工程で形成
される。
Each of the source electrode SD1 and the drain electrode SD2 is formed by sequentially stacking a second conductive film d2 and a third conductive film d3 from the lower side in contact with the N (+) type semiconductor layer d0. Second conductive film d of source electrode SD1
The second and third conductive films d3 are the second conductive films d3.
The conductive film d2 and the third conductive film d3 are formed in the same manufacturing process.

【0083】第2導電膜d2はスパッタで形成したクロ
ム(Cr)膜を用い、500〜1000Åの膜厚(この
液晶表示装置では、600Å程度の膜厚)で形成され
る。Cr膜は後述する第3導電膜d3のアルミニウムA
lがN(+)型半導体層d0に拡散することを防止する
所謂バリア層を構成する。第2導電膜d2として、Cr
膜の他に、高融点金属(Mo、Ti、Ta、W等)の
膜、高融点金属シリサイド(MoSi2 、TiSi2
TaSi2 、WSi2 等)の膜を用いることもできる。
The second conductive film d2 is formed by using a chromium (Cr) film formed by sputtering and having a thickness of 500 to 1000 ((about 600 液晶 in this liquid crystal display device). The Cr film is aluminum A of a third conductive film d3 described later.
A so-called barrier layer for preventing l from diffusing into the N (+) type semiconductor layer d0 is formed. Cr as the second conductive film d2
In addition to the film, a film of a high melting point metal (Mo, Ti, Ta, W, etc.), a high melting point metal silicide (MoSi 2 , TiSi 2 ,
TaSi 2 , WSi 2, etc.) can also be used.

【0084】第3導電膜d3はアルミニウムAlのスパ
ッタリングで3000〜5000Åの膜厚(この液晶パ
ネルでは、4000Å程度の膜厚)で形成される。アル
ミニウムAl膜はクロムCr膜に比べてストレスが小さ
く、厚い膜厚に形成することが可能で、ソース電極SD
1、ドレイン電極SD2および映像信号線DLの抵抗値
を低減するように構成されている。第3導電膜d3とし
て順アルミニウムの他に、シリコンや銅(Cu)を添加
物として含有させたアルミニウム膜を用いることもでき
る。
The third conductive film d3 is formed by sputtering aluminum Al to a thickness of 3000 to 5000 ° (about 4000 ° in this liquid crystal panel). The aluminum Al film has a smaller stress than the chromium Cr film and can be formed in a thick film.
1. The configuration is such that the resistance values of the drain electrode SD2 and the video signal line DL are reduced. As the third conductive film d3, an aluminum film containing silicon or copper (Cu) as an additive in addition to normal aluminum can be used.

【0085】第2導電膜d2、第3導電膜d3を同じマ
スクパターンでパターニングした後、同じマスクを用い
て、あるいは第2導電膜d2、第3導電膜d3をマスク
として、N(+)型半導体層d0が除去される。つま
り、i型半導体層AS上に残っていたN(+)型半導体
層d0は第2導電膜d2、第3導電膜d3以外の部分が
セルファラインで除去される。このとき、N(+)型半
導体層d0はその厚さ分は全て除去されるようにエッチ
ングされるので、i型半導体層ASも若干その表面部分
がエッチングされるが、そのエッチング程度はエッチン
グの処理時間で制御すればよい。
After patterning the second conductive film d2 and the third conductive film d3 with the same mask pattern, using the same mask or using the second conductive film d2 and the third conductive film d3 as a mask, an N (+) type The semiconductor layer d0 is removed. That is, in the N (+)-type semiconductor layer d0 remaining on the i-type semiconductor layer AS, portions other than the second conductive film d2 and the third conductive film d3 are removed by self-alignment. At this time, since the N (+)-type semiconductor layer d0 is etched so as to remove all of its thickness, the i-type semiconductor layer AS is also slightly etched at its surface. What is necessary is just to control by processing time.

【0086】ソース電極SD1は透明画素電極ITO1
に接続されている。ソース電極SD1は、i型半導体層
ASの段差(第2導電膜d2の膜厚、陽極酸化膜AOF
の膜厚、i型半導体層ASの膜厚およびN(+)型半導
体層d0の膜厚を加算した膜厚に相当する段差)に沿っ
て構成されている。具体的には、ソース電極SD1はi
型半導体層ASの段差に沿って形成された第2導電膜d
2と、この第2導電膜d2の上部に形成した第3導電膜
d3とで構成されている。ソース電極SD1の第3導電
膜d3は第2導電膜d2のCr膜がストレスの増大から
厚くできず、i型半導体層ASの段差を乗り越えられな
いので、このi型半導体層ASを乗り越えるために構成
されている。つまり、第3導電膜d3は厚くするとこと
でステップカバレッジを向上している。第3導電膜d3
は厚く形成できるので、ソース電極SD1の抵抗値(ド
レイン電極SD2や映像信号線DLについても同様)の
低減に大きく寄与している。
The source electrode SD1 is a transparent pixel electrode ITO1.
It is connected to the. The source electrode SD1 is formed by a step of the i-type semiconductor layer AS (the thickness of the second conductive film d2, the anodic oxide film AOF).
, The thickness of the i-type semiconductor layer AS, and the thickness of the N (+)-type semiconductor layer d0). Specifically, the source electrode SD1 is i
Conductive film d formed along the step of the semiconductor layer AS
2 and a third conductive film d3 formed on the second conductive film d2. Since the third conductive film d3 of the source electrode SD1 cannot increase the thickness of the Cr film of the second conductive film d2 due to an increase in stress and cannot climb over the step of the i-type semiconductor layer AS, the third conductive film d3 needs to get over the i-type semiconductor layer AS. It is configured. That is, the step coverage is improved by increasing the thickness of the third conductive film d3. Third conductive film d3
Can be formed thick, which greatly contributes to a reduction in the resistance value of the source electrode SD1 (the same applies to the drain electrode SD2 and the video signal line DL).

【0087】薄膜トランジスタTFTおよび透明画素電
極ITO1上には保護膜PSV1が設けられている。保
護膜PSV1は主に薄膜トランジスタTFTを湿気から
保護するために形成されており、透明性が高く、しかも
耐湿性の良いものを使用する。保護膜PSV1は、例え
ばプラズマCVD装置で形成した酸化シリコン膜や窒化
シリコン膜で形成されており、1μm程度の膜厚で形成
される。
A protective film PSV1 is provided on the thin film transistor TFT and the transparent pixel electrode ITO1. The protective film PSV1 is formed mainly for protecting the thin film transistor TFT from moisture, and a film having high transparency and good moisture resistance is used. The protective film PSV1 is formed of, for example, a silicon oxide film or a silicon nitride film formed by a plasma CVD device, and has a thickness of about 1 μm.

【0088】保護膜PSV1は、図10に示したよう
に、マトリクス部ARの全体を囲むように形成され、周
辺部は外部接続端子DTM,GTMを露出するように除
去され、また上側透明ガラス基板SUB2の共通電極C
OM(図1の透明電極ITO−Cに相当)を下側透明ガ
ラス基板SUB1の外部接続端子接続用引出配線INT
に銀ペーストAGPで接続する部分も除去されている。
保護膜PSV1とゲート絶縁膜GIの厚さ関係に関して
は、前者は保護効果を考えて厚くされ、後者はトランジ
スタの相互コンダクタンスgmを考慮して薄くされる。
従って、図9に示したように、保護効果の高い保護膜P
SV1は周辺部もできるだけ広い範囲にわたって保護す
るようゲート絶縁膜GIより大きく形成されている。
As shown in FIG. 10, the protective film PSV1 is formed so as to surround the entire matrix portion AR, the peripheral portion is removed so as to expose the external connection terminals DTM and GTM, and the upper transparent glass substrate is formed. Common electrode C of SUB2
OM (corresponding to the transparent electrode ITO-C in FIG. 1) is connected to a lead-out wiring INT for connecting an external connection terminal of the lower transparent glass substrate SUB1.
The part connected with silver paste AGP is also removed.
Regarding the thickness relationship between the protective film PSV1 and the gate insulating film GI, the former is made thicker in consideration of the protective effect, and the latter is made thinner in consideration of the transconductance gm of the transistor.
Therefore, as shown in FIG.
The SV1 is formed larger than the gate insulating film GI so as to protect the peripheral portion as much as possible.

【0089】上部透明ガラス基板SUB2側には、外部
光がチャネル形成領域として使用されるi型半導体層A
Sに入射しないように遮光膜BMが設けられている。
On the side of the upper transparent glass substrate SUB2, an i-type semiconductor layer A in which external light is used as a channel formation region is provided.
The light shielding film BM is provided so as not to enter S.

【0090】遮光膜BMは光に対する遮光性が高い膜、
例えばアルミニウム膜やクロム膜等で形成される。この
液晶表示装置では、クロム膜がスパッタリングで130
0Å程度の膜厚に形成される。なお、この遮光膜は図1
における遮光膜SHFとは異なる。
The light-shielding film BM has a high light-shielding property against light,
For example, it is formed of an aluminum film, a chromium film, or the like. In this liquid crystal display device, the chromium film is formed by sputtering at 130
It is formed to a thickness of about 0 °. This light-shielding film is shown in FIG.
Is different from the light shielding film SHF.

【0091】したがって、薄膜トランジスタTFTのi
型半導体層ASは上下にある遮光膜BMおよび大きめの
ゲート電極GTによってサンドイッチにされ、その部分
は外部の自然光やバックライト光が当たらなくなる。遮
光膜BMは図11にハッチングで示したように、画素の
周囲に形成され、つまり遮光膜BMは格子状に形成され
(所謂、ブラックマトリクス)、この格子で一画素の有
効表示領域が仕切られている。この遮光膜BMにより、
各画素の輪郭がハッキリとし、コントラストが向上す
る。つまり、遮光膜BMはi型半導体層ASに対する遮
光とカラーフィルタFIL(R),FIL(G),FI
L(B)の間を区画してコントラストを向上するための
ブラックマトリクスとの2つの機能をもつ。
Therefore, the i of the thin film transistor TFT
The type semiconductor layer AS is sandwiched between the upper and lower light shielding films BM and the large gate electrode GT, and the portion is not exposed to external natural light or backlight. As shown by hatching in FIG. 11, the light-shielding film BM is formed around the pixel, that is, the light-shielding film BM is formed in a lattice shape (a so-called black matrix), and an effective display area of one pixel is partitioned by the lattice. ing. With this light shielding film BM,
The outline of each pixel is clear, and the contrast is improved. In other words, the light-shielding film BM shields the i-type semiconductor layer AS from light and transmits color filters FIL (R), FIL (G), FI
It has two functions: a black matrix for improving contrast by partitioning between L (B).

【0092】また、透明画素電極ITO1のラビング方
向の根本側のエッジ部に対向する部分が遮光膜BMによ
って遮光されているから、上記部分にドメインが発生し
たとしても、ドメインが見えないので、表示特性が劣化
することはない。
Also, since the portion of the transparent pixel electrode ITO1 facing the edge on the root side in the rubbing direction is shielded from light by the light-shielding film BM, even if a domain is generated in the above-mentioned portion, the domain is not visible. The characteristics do not deteriorate.

【0093】なお、バックライトを上部透明ガラス基板
SUB2側に取り付け、下部透明ガラス基板SUB1を
観察側(外部露出側)とすることもできる。
Note that the backlight can be attached to the upper transparent glass substrate SUB2 side, and the lower transparent glass substrate SUB1 can be the observation side (externally exposed side).

【0094】遮光膜BMは周辺部にも額縁状のパターン
に形成され、そのパターンはドット状に複数の開口を設
けたマトリクス部のパターンと連続して形成されてい
る。この部分の遮光膜は図1の遮光膜SHFと同様の機
能を持つ。周辺部の遮光膜BMは帯状スペーサSPC−
Sを越えてシール剤SLの外側に延長され、パソコン等
の実装機器に起因する反射光等の漏れ光がマトリクス部
に入り込むのを防いでいる。他方、この遮光膜BMは上
側透明ガラス基板SUB2の縁よりも約0.3〜1.0
mm程内側に留められ、上側透明ガラス基板SUB2の
切断領域を避けて形成されている。
The light-shielding film BM is also formed in a peripheral portion in a frame-shaped pattern, and the pattern is formed continuously with the pattern of the matrix portion provided with a plurality of openings in a dot shape. The light shielding film in this portion has the same function as the light shielding film SHF in FIG. The light-shielding film BM in the peripheral portion is a strip spacer SPC-
S is extended outside the sealant SL beyond S to prevent leaked light such as reflected light from the mounting device such as a personal computer from entering the matrix portion. On the other hand, the light-shielding film BM is about 0.3 to 1.0
mm, and is formed so as to avoid the cutting area of the upper transparent glass substrate SUB2.

【0095】カラーフィルタFIL(R),FIL
(G),FIL(B)はアクリル樹脂等の樹脂材料で形
成される染色基材に染料を着色して構成されている。な
お、図10にはカラーフィルタFIL(B)は図示され
ていない。このカラーフィルタFIL(R),FIL
(G),FIL(B)は画素に対向する位置にストライ
プ状に形成され、赤(R)、緑(G)、青(B)の各色
に染め分けられている。このカラーフィルタFIL
(R),FIL(G),FIL(B)は透明画素電極I
TO1の全てを覆うように大きめに形成され、遮光膜B
MはカラーフィルタFIL(R),FIL(G),FI
L(B)および透明画素電極ITO1のエッジ部分と重
なるよう透明画素電極ITO1の周縁より内側に形成さ
れている。
Color filters FIL (R), FIL
(G) and FIL (B) are formed by coloring a dye on a dyed base material formed of a resin material such as an acrylic resin. FIG. 10 does not show the color filter FIL (B). The color filters FIL (R), FIL
(G) and FIL (B) are formed in stripes at positions facing the pixels, and are dyed into red (R), green (G), and blue (B). This color filter FIL
(R), FIL (G), FIL (B) are transparent pixel electrodes I
The light shielding film B is formed to be large so as to cover all of the TO1.
M is a color filter FIL (R), FIL (G), FI
It is formed inside the periphery of the transparent pixel electrode ITO1 so as to overlap L (B) and the edge of the transparent pixel electrode ITO1.

【0096】カラーフィルタFIL(R),FIL
(G),FIL(B)は次のように形成することもでき
る。先ず、上部透明ガラス基板SUB2の表面に染色基
材を形成し、フォトリソグラフィ技法で赤色フィルタ形
成領域以外の染色基材を除去する。この後、染色基材を
赤色染料で染め、固着処理を施し、赤色フィルタFIL
(R)を形成する。次に、同様な工程を施すことによっ
て、緑色フィルタFIL(G)、青色フィルタFIL
(B)を順次形成する。
Color filters FIL (R), FIL
(G) and FIL (B) can also be formed as follows. First, a dyed base material is formed on the surface of the upper transparent glass substrate SUB2, and the dyed base material other than the red filter forming region is removed by photolithography. Thereafter, the dyed base material is dyed with a red dye, fixed, and treated with a red filter FIL.
(R) is formed. Next, by performing similar steps, the green filter FIL (G) and the blue filter FIL
(B) is sequentially formed.

【0097】保護膜PSV2はカラーフィルタFIL
(R),FIL(G),FIL(B)を異なる色に染め
分けた染料が液晶層LCに漏れることを防止するために
設けられている。この保護膜PSV2は、例えばアクリ
ル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂材料で形成されてい
る。
The protective film PSV2 is a color filter FIL
This is provided in order to prevent the dye obtained by dyeing (R), FIL (G), and FIL (B) into different colors from leaking into the liquid crystal layer LC. This protective film PSV2 is formed of a transparent resin material such as an acrylic resin and an epoxy resin.

【0098】共通透明画素電極ITO2は、下部透明ガ
ラス基板SUB1側に画素毎に設けられた透明画素電極
ITO1に対向し、液晶層LCの光学的な状態は各画素
電極ITO1と共通透明画素電極ITO2との間の電位
差(電界)に応答して変化する。この共通透明画素電極
ITO2にはコモン電圧Vcomが印加されるように構
成されている。ここでは、コモン電圧Vcomは映像信
号線に印加されるローレベルの駆動電圧Vdminとハ
イレベルの駆動電圧Vdmaxとの中間電位に設定され
るが、映像信号駆動回路で使用される集積回路の電源電
圧を約半分に低減したい場合は、交流電圧を印加すれば
よい。
The common transparent pixel electrode ITO2 is opposed to the transparent pixel electrode ITO1 provided for each pixel on the lower transparent glass substrate SUB1 side, and the optical state of the liquid crystal layer LC is determined by each pixel electrode ITO1 and the common transparent pixel electrode ITO2. Changes in response to a potential difference (electric field) between them. The common transparent pixel electrode ITO2 is configured to apply a common voltage Vcom. Here, the common voltage Vcom is set to an intermediate potential between the low-level drive voltage Vdmin and the high-level drive voltage Vdmax applied to the video signal line, but the power supply voltage of the integrated circuit used in the video signal drive circuit If it is desired to reduce by about half, an AC voltage may be applied.

【0099】なお、ゲート端子GTMは酸化珪素SIO
層と接着性が良く、アルミニウムAlよりも耐電蝕性の
高いクロームCr層g1と、更にその表面を保護し画素
電極ITO1と同レベル(同層、同時形成)の透明導電
層d1とで構成されている。なお、ゲート絶縁膜GI上
およびその側面部に形成された導電層d2およびd3
は、導電層d2およびd3のエッチング時のピンホール
等が原因で導電層g2やg1が一緒にエッチングされな
いようにその領域をホトレジストで覆っていた結果とし
て残っているものである。又、ゲート絶縁膜GIを乗り
越えて右方向に延長されたITO層d1は同様な対策を
更に万全とさせたものである。
The gate terminal GTM is made of silicon oxide SIO
It is composed of a chromium Cr layer g1 that has good adhesion to the layer and has higher corrosion resistance than aluminum Al, and a transparent conductive layer d1 that protects the surface and has the same level (same layer and simultaneous formation) as the pixel electrode ITO1. ing. The conductive layers d2 and d3 formed on the gate insulating film GI and on side surfaces thereof
Is left as a result of covering the regions with photoresist so that the conductive layers g2 and g1 are not etched together due to pinholes or the like at the time of etching the conductive layers d2 and d3. In addition, the ITO layer d1 extending rightward beyond the gate insulating film GI is a thorough countermeasure.

【0100】ドレイン端子DTMは図9に示したように
端子群Td(添字省略)を構成し、下側透明ガラス基板
SUB1の切断線CT1を越えて更に延長され、製造過
程中は静電気破壊防止のためその全てが互いに配線SH
dによって短絡される。
The drain terminal DTM constitutes a terminal group Td (subscript omitted) as shown in FIG. 9 and is further extended beyond the cutting line CT1 of the lower transparent glass substrate SUB1 to prevent electrostatic breakdown during the manufacturing process. Therefore, all of them are interconnected by SH
shorted by d.

【0101】ドレイン端子DTMは前述したゲート端子
GTMと同様な理由でクロムCr層g1およびITO層
d1の2層で形成されており、ゲート絶縁膜GIを除去
した部分で映像信号線DLと接続されている。ゲート絶
縁膜GIの端部上に形成された半導体層ASはゲート絶
縁膜GIの縁をテーパ状に映像信号エッチングするため
のものである。ドレイン端子DTM上では外部回路との
接続を行うため保護膜PSV1は勿論、取り除かれてい
る。
The drain terminal DTM is formed of two layers of a chromium Cr layer g1 and an ITO layer d1 for the same reason as the gate terminal GTM described above, and is connected to the video signal line DL at a portion where the gate insulating film GI is removed. ing. The semiconductor layer AS formed on the edge of the gate insulating film GI is for etching the edge of the gate insulating film GI into a video signal in a tapered shape. On the drain terminal DTM, of course, the protective film PSV1 is removed for connection with an external circuit.

【0102】図12は本発明による液晶表示装置を具体
化した直視型液晶表示装置の全体構成の説明図である。
FIG. 12 is an explanatory diagram of the overall configuration of a direct-view type liquid crystal display device embodying the liquid crystal display device according to the present invention.

【0103】この液晶表示装置は液晶パネル、回路基
板、バックライト、その他の構成部材を一体化した液晶
表示装置(液晶表示モジュール)の具体的構造を説明す
るものである。
This liquid crystal display device describes a specific structure of a liquid crystal display device (liquid crystal display module) in which a liquid crystal panel, a circuit board, a backlight, and other components are integrated.

【0104】図12において、SHDは金属板からなる
上フレーム(シールドケース、メタルフレームとも言
う)、WDは表示窓、INS1〜3は絶縁シート、PC
B1〜3は回路基板(PCB1はドレイン側回路基板:
映像信号線駆動用回路基板、PCB2はゲート側回路基
板、PCB3はインターフェース回路基板)、JN1〜
3は回路基板PCB1〜3同士を電気的に接続するジョ
イナ、TCP1,TCP2はテープキャリアパッケー
ジ、PNLは前記実施例で説明した柱状スペーサと帯状
スペーサとで所定のセルギャップを設定した液晶パネ
ル、POLは上偏光板、GCはゴムクッション、ILS
は遮光スペーサ(図1における遮光膜SHFに相当)、
PRSはプリズムシート、SPSは拡散シート、GLB
は導光板、RFSは反射シート、MCAは樹脂の一体化
成形により形成された下フレーム(下側ケース:モール
ドフレーム)、MOはMCAの開口、BATは両面粘着
テープであり、図示の配置関係で拡散板部材を積み重ね
て液晶表示装置MDLが組立てられる。なお、導光板G
LBの1辺に沿って蛍光管LPと反射シートLSからな
る光源組立が設置され、蛍光管LPの端部に設けたゴム
クッションGC部分から引き出されるランプケーブルL
PCを介して図示しないバックライト電源から給電され
る。この導光板GLBと光源組立とでバックライトBL
が構成される。なお、光源組立は導光板GLBの2辺ま
たは4辺にも設置できる。
In FIG. 12, SHD is an upper frame (also referred to as a shield case or metal frame) made of a metal plate, WD is a display window, INS1 to 3 are insulating sheets, PC
B1 to B3 are circuit boards (PCB1 is a drain side circuit board:
A video signal line driving circuit board, PCB2 is a gate side circuit board, PCB3 is an interface circuit board), JN1
Reference numeral 3 denotes a joiner for electrically connecting the circuit boards PCB1 to PCB3, TCP1 and TCP2 denote a tape carrier package, PNL denotes a liquid crystal panel in which a predetermined cell gap is set by the column spacer and the band spacer described in the above embodiment, and POL. Is the upper polarizer, GC is the rubber cushion, ILS
Is a light shielding spacer (corresponding to the light shielding film SHF in FIG. 1),
PRS is prism sheet, SPS is diffusion sheet, GLB
Is a light guide plate, RFS is a reflection sheet, MCA is a lower frame (lower case: mold frame) formed by integral molding of resin, MO is an MCA opening, and BAT is a double-sided adhesive tape. The liquid crystal display device MDL is assembled by stacking the diffusion plate members. The light guide plate G
A light source assembly including a fluorescent tube LP and a reflection sheet LS is installed along one side of LB, and a lamp cable L pulled out from a rubber cushion GC provided at an end of the fluorescent tube LP.
Power is supplied from a backlight power supply (not shown) via a PC. The light guide plate GLB and the light source assembly are combined to form a backlight BL.
Is configured. The light source assembly can be installed on two or four sides of the light guide plate GLB.

【0105】この液晶表示装置(液晶表示モジュールM
DL)は、下フレームMCAと上フレームSHDの2種
の収納・保持部材からなる筺体を有し、絶縁シートIN
S1〜3、回路基板PCB1〜3、液晶パネルPNLを
収納固定し、導光板GLB等から構成されるバックライ
トを収納した下フレームMCAを上フレームSHDに合
体させてなる。
This liquid crystal display device (liquid crystal display module M)
DL) has a housing composed of two kinds of storage / holding members of a lower frame MCA and an upper frame SHD, and an insulating sheet IN
S1 to S3, circuit boards PCB1 to PCB3, and liquid crystal panel PNL are stored and fixed, and lower frame MCA storing a backlight composed of light guide plate GLB and the like is combined with upper frame SHD.

【0106】映像信号線駆動用回路基板PCB1には液
晶パネルPNLの各画素を駆動するための集積回路チッ
プ等の電子部品が搭載され、またインターフェース回路
基板PCB3には外部ホストコンピュータからの映像信
号の受入れ、タイミング信号等の制御信号を受け入れる
集積回路チップ、およびタイミングを加工してクロック
信号を生成するタイミングコンバータ(TCON)、低
電圧差動信号チップ、その他のコンデンサや抵抗器等の
電子部品が搭載される。
Electronic components such as an integrated circuit chip for driving each pixel of the liquid crystal panel PNL are mounted on the video signal line driving circuit board PCB1, and an interface circuit board PCB3 is provided with an image signal from an external host computer. An integrated circuit chip that accepts and receives control signals such as timing signals, and a timing converter (TCON) that processes timing to generate a clock signal, a low-voltage differential signal chip, and other electronic components such as capacitors and resistors Is done.

【0107】上記タイミングコンバータで生成されたク
ロック信号は映像信号線駆動用回路基板PCB1に搭載
された駆動回路チップ(集積回路チップ)に供給され
る。
The clock signal generated by the timing converter is supplied to a drive circuit chip (integrated circuit chip) mounted on the video signal line drive circuit board PCB1.

【0108】インターフェース回路基板PCB3および
映像信号線駆動用回路基板PCB1は多層配線基板であ
り、上記クロック信号ラインCLLはインターフェース
回路基板PCB3および映像信号線駆動用回路基板PC
B1の内層配線として形成される。
The interface circuit board PCB3 and the video signal line driving circuit board PCB1 are multilayer wiring boards, and the clock signal line CLL is connected to the interface circuit board PCB3 and the video signal line driving circuit board PC
It is formed as an inner wiring of B1.

【0109】なお、液晶パネルPNLにはTFTを駆動
するためのドレイン側回路基板PCB1、ゲート側回路
基板PCB2およびインターフェース回路基板PCB3
がテープキャリアパッケージTCP1,TCP2で接続
され、各回路基板間はジョイナJN1,2,3で接続さ
れている。
The liquid crystal panel PNL has a drain-side circuit board PCB1, a gate-side circuit board PCB2, and an interface circuit board PCB3 for driving TFTs.
Are connected by tape carrier packages TCP1 and TCP2, and the circuit boards are connected by joiners JN1, JN2, JN3.

【0110】この液晶表示装置により、表示むらがな
く、かつ高品質の画像表示を得ることがでぃる。
With this liquid crystal display device, it is possible to obtain a high quality image display without display unevenness.

【0111】図13は図12に示した液晶表示装置の実
装例を説明するノート型コンピユータの斜視図である。
FIG. 13 is a perspective view of a notebook computer for explaining a mounting example of the liquid crystal display device shown in FIG.

【0112】このノート型コンピユータ(可搬型パソコ
ン)はキーボード部(本体部)と、このキーボード部に
ヒンジで連結した表示部から構成される。キーボード部
にはキーボードとホスト(ホストコンピュータ)、CP
U等の信号生成機能を収納し、表示部には液晶パネルP
NLを有し、その周辺に駆動回路基板FPC1,FPC
2、コントロールチップTCONを搭載したPCB、お
よびバックライト電源であるインバータ電源基板IVな
どが実装される。
The notebook computer (portable personal computer) includes a keyboard section (main body section) and a display section hingedly connected to the keyboard section. Keyboard and host (host computer), CP
U and other signal generation functions, and the display unit has a liquid crystal panel P
Drive circuit boards FPC1 and FPC
2. A PCB on which the control chip TCON is mounted, and an inverter power supply board IV serving as a backlight power supply are mounted.

【0113】本発明による液晶表示装置を実装した上記
各電子機器は、その液晶パネルのセルギャップの変動が
極めて少ないため、表示むらが無く、高品質の画像表示
を得ることができる。
Each of the above electronic devices equipped with the liquid crystal display device according to the present invention has a very small change in the cell gap of the liquid crystal panel, so that it is possible to obtain a high quality image display without display unevenness.

【0114】[0114]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
第1の基板である駆動基板と第2の基板である対向基板
との熱膨張率差などにより、柱状スペーサと対向基板の
間に応力が発生した場合、両者の接触面積が小さいこと
で液晶層のギャップ(セルギャップ)を保ったまま接触
部が容易にずれる。
As described above, according to the present invention,
When a stress is generated between the columnar spacer and the opposing substrate due to a difference in thermal expansion coefficient between the driving substrate as the first substrate and the opposing substrate as the second substrate, the contact area between the columnar spacer and the opposing substrate is small, so that a liquid crystal layer is formed. The contact portion easily shifts while maintaining the gap (cell gap).

【0115】また、製造工程において、第2の基板であ
る対向基板の表面に微妙な凹凸があったり、あるいは柱
状スペーサの高さに微妙な違いがある場合でも、第1と
第2の基板の貼り合わせ時に局部的な応力が柱状スペー
サと対向基板にかかっても、両者の接触面積が小さいこ
とで当該接触部分で柱状スペーサが容易に潰れ、基板に
形成してある回路や電極、その他の機能膜を破壊するこ
とがない。
In the manufacturing process, even if there are fine irregularities on the surface of the opposing substrate as the second substrate, or if there is a slight difference in the height of the columnar spacer, Even if local stress is applied to the columnar spacer and the opposing substrate during bonding, the contact area between them is small, so that the columnar spacer is easily crushed at the contact portion, and the circuits, electrodes, and other functions formed on the substrate. Does not destroy the film.

【0116】このように、本発明によれば、柱状スペー
サの離脱や、基板間の押圧時に柱状スペーサを原因とし
た各種の破壊が回避され、信頼性の高い高品質の液晶表
示装置を提供することができる。
As described above, according to the present invention, detachment of the columnar spacers and various destructions caused by the columnar spacers during pressing between the substrates are avoided, and a highly reliable and high quality liquid crystal display device is provided. be able to.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明による液晶表示装置の一実施例を説明す
る液晶パネルの模式断面図である。
FIG. 1 is a schematic sectional view of a liquid crystal panel for explaining one embodiment of a liquid crystal display device according to the present invention.

【図2】本発明による液晶表示装置の第二実施例を説明
する液晶パネルの模式断面図である。
FIG. 2 is a schematic sectional view of a liquid crystal panel illustrating a second embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図3】図1または図2に示した液晶パネルの柱状スペ
ーサの配置を説明する平面図である。
FIG. 3 is a plan view illustrating an arrangement of columnar spacers of the liquid crystal panel shown in FIG. 1 or FIG.

【図4】本発明による柱状スペーサ断面の顕微鏡写真の
模写図である。
FIG. 4 is a schematic view of a micrograph of a cross section of a columnar spacer according to the present invention.

【図5】本実施例の柱状スペーサを用いて2枚の基板を
圧接して張り合わせた場合の状態を説明する模式図であ
る。
FIG. 5 is a schematic diagram illustrating a state in which two substrates are pressed against each other and bonded together using the columnar spacer of the present embodiment.

【図6】本発明による液晶表示装置の液晶パネルの他の
構成例を説明する平面図である。
FIG. 6 is a plan view illustrating another configuration example of the liquid crystal panel of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図7】本発明による液晶表示装置を具体化した投射型
液晶表示装置の全体構成の説明図である。
FIG. 7 is an explanatory diagram of an overall configuration of a projection type liquid crystal display device embodying the liquid crystal display device according to the present invention.

【図8】図7で説明した液晶表示装置を用いて構成した
投射型液晶表示装置の構成例を説明するための模式図で
ある。
FIG. 8 is a schematic diagram for explaining a configuration example of a projection type liquid crystal display device configured using the liquid crystal display device described in FIG. 7;

【図9】アクティブマトリクス型液晶表示装置を構成す
る液晶パネルの平面図である。
FIG. 9 is a plan view of a liquid crystal panel included in an active matrix type liquid crystal display device.

【図10】図9に示した液晶パネルの左上角部に対応す
るシール部SL付近の拡大平面図である。
10 is an enlarged plan view of the vicinity of a seal portion SL corresponding to the upper left corner of the liquid crystal panel shown in FIG.

【図11】本発明を適用したアクティブマトリクス型液
晶表示装置を構成する液晶パネルの要部断面である。
FIG. 11 is a sectional view of a main part of a liquid crystal panel constituting an active matrix type liquid crystal display device to which the present invention is applied.

【図12】本発明による液晶表示装置を具体化した直視
型液晶表示装置の全体構成の説明図である。
FIG. 12 is an explanatory diagram of the overall configuration of a direct-view type liquid crystal display device embodying the liquid crystal display device according to the present invention.

【図13】図12に示した液晶表示装置の実装例を説明
するノート型コンピユータの斜視図である。
FIG. 13 is a perspective view of a notebook computer for explaining a mounting example of the liquid crystal display device shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

USB 第1の基板である上側の基板(対向基板) DSB 第2の基板である下側の基板(駆動基板) LC 液晶組成物からなる液晶層 SUB2 対向基板を構成するガラス基板 ITO−C 透明電極(共通電極または対向電極) ORI2 上側の配向膜 SUB1 駆動基板を構成する単結晶シリコン基板また
はアクティブマトリクス基板 AL−P 画素電極 ORI1 下側の配向膜 TM 端子部 PSV1 保護膜 SPC−P 柱状スペーサ SPC−S 帯状スペーサ SL シール剤 SHF 遮光膜。
USB Upper substrate (counter substrate) as first substrate DSB Lower substrate (drive substrate) as second substrate LC Liquid crystal layer composed of liquid crystal composition SUB2 Glass substrate constituting counter substrate ITO-C transparent electrode (Common electrode or counter electrode) ORI2 Upper alignment film SUB1 Single crystal silicon substrate or active matrix substrate constituting drive substrate AL-P Pixel electrode ORI1 Lower alignment film TM Terminal PSV1 Protective film SPC-P Columnar spacer SPC- S Strip spacer SL Sealant SHF Light shielding film.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹本 一八男 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 宮沢 敏夫 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 中川 英樹 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 北島 賢二 千葉県茂原市早野3681番地 日立デバイス エンジニアリング株式会社内 (72)発明者 斉藤 勝俊 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 中村 重雄 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 Fターム(参考) 2H089 LA09 LA10 MA04X NA14 PA09 QA14 QA16 TA02 5C094 AA03 AA36 AA47 AA48 AA55 BA03 BA43 CA19 DA12 EA04 EA05 EC03 EC04 ED14 FB01 FB15 GB01 GB10  ──────────────────────────────────────────────────の Continuing on the front page (72) Inventor Kazuya Takemoto 3300 Hayano Mobara-shi, Chiba Prefecture Hitachi, Ltd.Electronic Device Division (72) Inventor Toshio Miyazawa 3300 Hayano Mobara-shi, Chiba Hitachi, Ltd.Electronics Inside the Device Division (72) Inventor Hideki Nakagawa 3300 Hayano, Mobara City, Chiba Prefecture Inside Electronic Device Division, Hitachi, Ltd. (72) Inventor Kenji Kitajima 3681 Hayano, Mobara City, Chiba Prefecture Hitachi Device Engineering Co., Ltd. (72) Inventor Katsutoshi Saito 3300 Hayano, Mobara-shi, Chiba Pref.Electronic Device Division, Hitachi, Ltd. QA14 QA16 TA02 5C0 94 AA03 AA36 AA47 AA48 AA55 BA03 BA43 CA19 DA12 EA04 EA05 EC03 EC04 ED14 FB01 FB15 GB01 GB10

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】マトリクス状に形成した多数の画素電極を
有する第1の基板と、第1の基板に対して所定の間隙を
もって対向させた透明電極を有する第2の基板と、第1
の基板と第2の基板の対向間隙に封入した液晶組成物か
らなる液晶層と、第1の基板と第2の基板の液晶層に接
する各面に成膜した液晶組成物の配向を制御する配向膜
と、第1の基板の表示領域に第2の基板との対向間隙を
所定値に保持する如く突出して形成された複数の柱状ス
ペーサを有し、前記柱状スペーサの前記第2の基板の内
面と接する先端部の面積が前記第1の基板の内面と連結
する基部の面積より小であることを特徴とする液晶表示
装置。
A first substrate having a large number of pixel electrodes formed in a matrix; a second substrate having a transparent electrode opposed to the first substrate with a predetermined gap;
The liquid crystal layer composed of a liquid crystal composition sealed in the gap between the first substrate and the second substrate, and the alignment of the liquid crystal composition formed on each surface of the first substrate and the second substrate that are in contact with the liquid crystal layer are controlled. An alignment film, and a plurality of columnar spacers formed in a display area of the first substrate so as to protrude so as to maintain a facing gap between the second substrate and the second substrate at a predetermined value. 2. A liquid crystal display device according to claim 1, wherein the area of the tip portion in contact with the inner surface is smaller than the area of the base portion connected to the inner surface of the first substrate.
【請求項2】前記柱状スペーサがホトリソグラフィー技
法で形成されたレジスト材料からなることを特徴とする
請求項1に記載の液晶表示装置。
2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein said columnar spacer is made of a resist material formed by photolithography.
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