JPH10321567A - 研磨方法および装置 - Google Patents
研磨方法および装置Info
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- JPH10321567A JPH10321567A JP13212897A JP13212897A JPH10321567A JP H10321567 A JPH10321567 A JP H10321567A JP 13212897 A JP13212897 A JP 13212897A JP 13212897 A JP13212897 A JP 13212897A JP H10321567 A JPH10321567 A JP H10321567A
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 被処理物における被研磨膜の残膜量を監視し
ながら被研磨膜の研磨を行うことを可能にする。 【解決手段】 研磨時に半導体ウェハ1を支持して回転
するとともに表面に研磨パッド4が設けられた研磨盤3
と、研磨盤3を回転させる研磨盤回転手段8と、研磨時
に回転しながら半導体ウェハ1を研磨パッド4に押さえ
付けて保持する加圧ヘッド6と、加圧ヘッド6を回転さ
せる加圧ヘッド回転手段9と、研磨中の半導体ウェハ1
の残膜量を検出する超音波探触子5とからなり、超音波
探触子5によって研磨中の半導体ウェハ1の残膜量を監
視しながら半導体ウェハ1の被研磨膜の研磨を行う。
ながら被研磨膜の研磨を行うことを可能にする。 【解決手段】 研磨時に半導体ウェハ1を支持して回転
するとともに表面に研磨パッド4が設けられた研磨盤3
と、研磨盤3を回転させる研磨盤回転手段8と、研磨時
に回転しながら半導体ウェハ1を研磨パッド4に押さえ
付けて保持する加圧ヘッド6と、加圧ヘッド6を回転さ
せる加圧ヘッド回転手段9と、研磨中の半導体ウェハ1
の残膜量を検出する超音波探触子5とからなり、超音波
探触子5によって研磨中の半導体ウェハ1の残膜量を監
視しながら半導体ウェハ1の被研磨膜の研磨を行う。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造技術に
関し、特に、化学的機械研磨において研磨中の被研磨膜
の残膜量を監視する研磨技術に関する。
関し、特に、化学的機械研磨において研磨中の被研磨膜
の残膜量を監視する研磨技術に関する。
【0002】
【従来の技術】以下に説明する技術は、本発明を研究、
完成するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。
完成するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。
【0003】半導体ウェハの製造工程で使用される半導
体製造装置の一例として、半導体ウェハの表面に形成さ
れた被研磨膜である層間絶縁膜や金属膜を研磨する化学
的機械研磨装置いわゆるCMP(Chemical Mechanical
Polishing)装置が用いられている。
体製造装置の一例として、半導体ウェハの表面に形成さ
れた被研磨膜である層間絶縁膜や金属膜を研磨する化学
的機械研磨装置いわゆるCMP(Chemical Mechanical
Polishing)装置が用いられている。
【0004】前記CMP装置は、供給されたスラリ(研
磨剤を含む研磨液)と被研磨膜とにおいて化学的結合
(化学反応)を起こさせ、これに機械的な荷重を加える
ことによって被研磨膜を除去して研磨を行うものであ
り、被研磨膜の平坦化に用いられることが多い。
磨剤を含む研磨液)と被研磨膜とにおいて化学的結合
(化学反応)を起こさせ、これに機械的な荷重を加える
ことによって被研磨膜を除去して研磨を行うものであ
り、被研磨膜の平坦化に用いられることが多い。
【0005】すなわち、CMP装置は、化学反応作用と
機械研磨作用とを利用して半導体ウェハの表面に形成さ
れた被研磨膜を研磨し、この被研磨膜を平坦化するもの
である。
機械研磨作用とを利用して半導体ウェハの表面に形成さ
れた被研磨膜を研磨し、この被研磨膜を平坦化するもの
である。
【0006】なお、高密度な半導体集積回路の形成が求
められているため、平坦化能力の高いCMP法が使用さ
れつつあるが、その研磨量の安定化および半導体ウェハ
における研磨量の面内均一性の確保には、研磨パッドの
耐久性やウェハ加圧圧力などの管理が必須である。
められているため、平坦化能力の高いCMP法が使用さ
れつつあるが、その研磨量の安定化および半導体ウェハ
における研磨量の面内均一性の確保には、研磨パッドの
耐久性やウェハ加圧圧力などの管理が必須である。
【0007】ここで、半導体ウェハ上の被研磨膜を研磨
してこの被研磨膜を平坦にする方法およびCMP装置に
ついては、例えば、株式会社工業調査会、1993年6
月1日発行、「電子材料1993年6月号」、41〜6
2頁に記載されている。
してこの被研磨膜を平坦にする方法およびCMP装置に
ついては、例えば、株式会社工業調査会、1993年6
月1日発行、「電子材料1993年6月号」、41〜6
2頁に記載されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記した技
術においては、CMP装置を用いて研磨を行う際の研磨
条件出し、特に、研磨速度の設定が困難であることが問
題とされる。
術においては、CMP装置を用いて研磨を行う際の研磨
条件出し、特に、研磨速度の設定が困難であることが問
題とされる。
【0009】さらに、研磨後の残膜量(残膜厚)の計測
に時間が掛かることが問題とされる。
に時間が掛かることが問題とされる。
【0010】本発明の目的は、被処理物における被研磨
膜の残膜量を監視しながら被研磨膜を研磨する研磨方法
および装置を提供することにある。
膜の残膜量を監視しながら被研磨膜を研磨する研磨方法
および装置を提供することにある。
【0011】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【0012】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【0013】すなわち、本発明の研磨方法は、被処理物
に形成された被研磨膜を研磨するものであり、残膜量検
出手段によって研磨中の前記被研磨膜の残膜量を監視し
ながら前記被研磨膜を研磨するものである。
に形成された被研磨膜を研磨するものであり、残膜量検
出手段によって研磨中の前記被研磨膜の残膜量を監視し
ながら前記被研磨膜を研磨するものである。
【0014】これにより、研磨の条件管理を不要にする
ことができ、その結果、研磨速度の設定を不要にするこ
とができる。
ことができ、その結果、研磨速度の設定を不要にするこ
とができる。
【0015】さらに、研磨中に被研磨膜の残膜量を監視
するため、研磨後に残膜量の計測を行わなくて済む。こ
れにより、膜厚管理の工数を低減できるとともに、研磨
工程の作業時間を短縮させることができる。
するため、研磨後に残膜量の計測を行わなくて済む。こ
れにより、膜厚管理の工数を低減できるとともに、研磨
工程の作業時間を短縮させることができる。
【0016】なお、本発明の研磨方法は、前記被処理物
が半導体ウェハであるとともに、前記残膜量検出手段と
して超音波を発受信する超音波探触子を用い、前記超音
波探触子による超音波を前記半導体ウェハの前記被研磨
膜が形成された面と反対の裏面側から前記半導体ウェハ
に照射するものである。
が半導体ウェハであるとともに、前記残膜量検出手段と
して超音波を発受信する超音波探触子を用い、前記超音
波探触子による超音波を前記半導体ウェハの前記被研磨
膜が形成された面と反対の裏面側から前記半導体ウェハ
に照射するものである。
【0017】また、本発明の研磨装置は、被処理物に形
成された被研磨膜の研磨を行うものであり、研磨時に前
記被処理物を支持しかつ表面に研磨パッドが設けられた
研磨盤と、研磨時に前記被処理物を前記研磨パッドに押
さえ付けて保持する加圧保持部材と、研磨中の前記被研
磨膜の残膜量を検出する残膜量検出手段とを有し、前記
残膜量検出手段によって研磨中の前記被研磨膜の残膜量
を監視しながら前記被研磨膜の研磨を行うものである。
成された被研磨膜の研磨を行うものであり、研磨時に前
記被処理物を支持しかつ表面に研磨パッドが設けられた
研磨盤と、研磨時に前記被処理物を前記研磨パッドに押
さえ付けて保持する加圧保持部材と、研磨中の前記被研
磨膜の残膜量を検出する残膜量検出手段とを有し、前記
残膜量検出手段によって研磨中の前記被研磨膜の残膜量
を監視しながら前記被研磨膜の研磨を行うものである。
【0018】さらに、本発明の研磨装置は、前記残膜量
検出手段が超音波を発受信する超音波探触子であり、前
記超音波探触子が前記加圧保持部材に設けられているも
のである。
検出手段が超音波を発受信する超音波探触子であり、前
記超音波探触子が前記加圧保持部材に設けられているも
のである。
【0019】なお、本発明の研磨装置は、前記被処理物
が半導体ウェハである。
が半導体ウェハである。
【0020】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。
に基づいて詳細に説明する。
【0021】図1は本発明による研磨装置(CMP装
置)の構造の実施の形態の一例を示す構成概念図、図2
は図1に示す研磨装置における被研磨膜の残膜量計測方
法の実施の形態の一例を一部断面にして示す計測原理
図、図3は本発明の研磨装置を用いた半導体装置の製造
手順の一例を示す拡大部分断面図である。
置)の構造の実施の形態の一例を示す構成概念図、図2
は図1に示す研磨装置における被研磨膜の残膜量計測方
法の実施の形態の一例を一部断面にして示す計測原理
図、図3は本発明の研磨装置を用いた半導体装置の製造
手順の一例を示す拡大部分断面図である。
【0022】図1に示す本実施の形態の研磨装置は、C
MP装置(化学的機械研磨装置)とも呼ばれ、図2に示
す研磨剤2aを含んだ研磨液であるスラリ2と半導体ウ
ェハ1(被処理物)の表面1aに形成された被研磨膜1
cとにおいて化学反応を起こさせ、これに機械的な荷重
を加えることによって被研磨膜1cの研磨を行うもので
ある。
MP装置(化学的機械研磨装置)とも呼ばれ、図2に示
す研磨剤2aを含んだ研磨液であるスラリ2と半導体ウ
ェハ1(被処理物)の表面1aに形成された被研磨膜1
cとにおいて化学反応を起こさせ、これに機械的な荷重
を加えることによって被研磨膜1cの研磨を行うもので
ある。
【0023】なお、半導体製造工程において、前記CM
P装置は、半導体ウェハ1に形成された層間絶縁膜(本
実施の形態では図3に示すSiO2 などの酸化膜16)
や配線メタル膜である金属膜15(図3参照)などの被
研磨膜1cを研磨するものであり、この被研磨膜1cの
平坦化に用いられることが多い。
P装置は、半導体ウェハ1に形成された層間絶縁膜(本
実施の形態では図3に示すSiO2 などの酸化膜16)
や配線メタル膜である金属膜15(図3参照)などの被
研磨膜1cを研磨するものであり、この被研磨膜1cの
平坦化に用いられることが多い。
【0024】図1および図2を用いて、図1に示すCM
P装置の構成について説明すると、研磨時に半導体ウェ
ハ1を支持して回転するとともに表面3aに研磨布やポ
リウレタンなどからなる研磨パッド4が設けられた研磨
盤3(回転定盤ともいう)と、研磨盤3を回転させる研
磨盤回転手段8と、研磨時に回転しながら半導体ウェハ
1を研磨パッド4に押さえ付けて保持する加圧ヘッド6
(ウェハキァリアとも呼ばれる加圧保持部材)と、加圧
ヘッド6を回転させる加圧ヘッド回転手段9と、研磨中
の半導体ウェハ1の残膜量(残膜厚)を検出する残膜量
検出手段である超音波探触子5とからなり、超音波探触
子5によって研磨中の半導体ウェハ1の残膜量を監視し
ながら半導体ウェハ1の被研磨膜1cの研磨を行うもの
である。
P装置の構成について説明すると、研磨時に半導体ウェ
ハ1を支持して回転するとともに表面3aに研磨布やポ
リウレタンなどからなる研磨パッド4が設けられた研磨
盤3(回転定盤ともいう)と、研磨盤3を回転させる研
磨盤回転手段8と、研磨時に回転しながら半導体ウェハ
1を研磨パッド4に押さえ付けて保持する加圧ヘッド6
(ウェハキァリアとも呼ばれる加圧保持部材)と、加圧
ヘッド6を回転させる加圧ヘッド回転手段9と、研磨中
の半導体ウェハ1の残膜量(残膜厚)を検出する残膜量
検出手段である超音波探触子5とからなり、超音波探触
子5によって研磨中の半導体ウェハ1の残膜量を監視し
ながら半導体ウェハ1の被研磨膜1cの研磨を行うもの
である。
【0025】なお、超音波探触子5は、超音波11を発
受信するものであり、本実施の形態のCMP装置におい
ては、超音波探触子5が加圧ヘッド6に設けられてい
る。
受信するものであり、本実施の形態のCMP装置におい
ては、超音波探触子5が加圧ヘッド6に設けられてい
る。
【0026】ここで、超音波探触子5は、図2に示すよ
うに、例えば、円筒形のものであり、電流を印加すると
固有振動の超音波11を発振するジルコニア(酸化ジル
コニウム)などの振動子5aと超音波11を集中する集
中レンズ5bとを有している。
うに、例えば、円筒形のものであり、電流を印加すると
固有振動の超音波11を発振するジルコニア(酸化ジル
コニウム)などの振動子5aと超音波11を集中する集
中レンズ5bとを有している。
【0027】なお、超音波探触子5から発振される超音
波11は、被研磨膜1cの残膜量の分解能を向上させる
ため、100MHz〜150MHz程度の高周波が好ま
しい。
波11は、被研磨膜1cの残膜量の分解能を向上させる
ため、100MHz〜150MHz程度の高周波が好ま
しい。
【0028】さらに、本実施の形態のCMP装置におけ
る残膜量の計測可能範囲は、例えば、数μm〜数百μm
程度であるが、特に、厚さ1〜2μmの被研磨膜1cに
対しての残膜量の計測を行うことが有効である。
る残膜量の計測可能範囲は、例えば、数μm〜数百μm
程度であるが、特に、厚さ1〜2μmの被研磨膜1cに
対しての残膜量の計測を行うことが有効である。
【0029】また、この超音波探触子5は、超音波制御
部10によって制御され、かつこの超音波制御部10が
超音波11の照射とその反射である超音波反射12の取
り込みとを行い、そこで研磨中における被研磨膜1cの
残膜量を算出する。
部10によって制御され、かつこの超音波制御部10が
超音波11の照射とその反射である超音波反射12の取
り込みとを行い、そこで研磨中における被研磨膜1cの
残膜量を算出する。
【0030】なお、本実施の形態のCMP装置において
は、研磨中は、半導体ウェハ1の表面1a側にはスラリ
2が供給され、これにより、超音波反射12の受信が適
切に行えなくなるため、被研磨膜1cに超音波11を照
射するにあたり、超音波11を半導体ウェハ1の被研磨
膜1cが形成された面と反対の面すなわち裏面1d側か
ら半導体ウェハ1に照射する。
は、研磨中は、半導体ウェハ1の表面1a側にはスラリ
2が供給され、これにより、超音波反射12の受信が適
切に行えなくなるため、被研磨膜1cに超音波11を照
射するにあたり、超音波11を半導体ウェハ1の被研磨
膜1cが形成された面と反対の面すなわち裏面1d側か
ら半導体ウェハ1に照射する。
【0031】これにより、超音波探触子5は、加圧ヘッ
ド6に取り付けられている。
ド6に取り付けられている。
【0032】なお、本実施の形態では、図2に示すよう
に、半導体ウェハ1の裏面1d側から、被研磨膜1cに
対して超音波11をほぼ垂直に照射する場合について説
明する。したがって、超音波探触子5は、被研磨膜1c
に対してほぼ垂直に超音波11を照射するように加圧ヘ
ッド6に取り付けられている。
に、半導体ウェハ1の裏面1d側から、被研磨膜1cに
対して超音波11をほぼ垂直に照射する場合について説
明する。したがって、超音波探触子5は、被研磨膜1c
に対してほぼ垂直に超音波11を照射するように加圧ヘ
ッド6に取り付けられている。
【0033】また、超音波制御部10においては、被研
磨膜1cの両側の界面1eから反射する2つの超音波反
射12を超音波探触子5によって受信し、かつ、この受
信結果を受信時間として取り込み、この2つの超音波反
射12の受信時間差T(図2参照)によって被研磨膜1
cの残膜量を求める。
磨膜1cの両側の界面1eから反射する2つの超音波反
射12を超音波探触子5によって受信し、かつ、この受
信結果を受信時間として取り込み、この2つの超音波反
射12の受信時間差T(図2参照)によって被研磨膜1
cの残膜量を求める。
【0034】なお、被研磨膜1cの両側の界面1eから
反射した2つの超音波反射12は、時間差を生じて反射
するため、超音波制御部10においては、超音波探触子
5を介して受信した2つの超音波反射12の受信時間差
Tを検知することができ、この受信時間差Tによって被
研磨膜1cの残膜量(残膜厚)を算出する。
反射した2つの超音波反射12は、時間差を生じて反射
するため、超音波制御部10においては、超音波探触子
5を介して受信した2つの超音波反射12の受信時間差
Tを検知することができ、この受信時間差Tによって被
研磨膜1cの残膜量(残膜厚)を算出する。
【0035】さらに、超音波制御部10に取り込む超音
波反射12の受信時間の範囲を、予め超音波制御部10
に設定しておく。
波反射12の受信時間の範囲を、予め超音波制御部10
に設定しておく。
【0036】つまり、実験などによって予め求めた各膜
ごとの膜厚による音速(超音波11が伝わる速度)を超
音波制御部10に登録しておき、これにより、受信時間
が所定範囲内のものだけを超音波制御部10において認
識する。
ごとの膜厚による音速(超音波11が伝わる速度)を超
音波制御部10に登録しておき、これにより、受信時間
が所定範囲内のものだけを超音波制御部10において認
識する。
【0037】その結果、超音波制御部10には、所定の
界面1eからの超音波反射12以外の超音波11の反射
を取り込まないようにすることができる。
界面1eからの超音波反射12以外の超音波11の反射
を取り込まないようにすることができる。
【0038】さらに、超音波制御部10においては、前
記音速と受信時間差Tとから残膜量を算出する。
記音速と受信時間差Tとから残膜量を算出する。
【0039】また、本実施の形態のCMP装置におい
て、半導体ウェハ1の被研磨膜1cの研磨を行う際に、
超音波探触子5と被研磨膜1cとの間に金属膜15(図
3参照)が形成されている場合には、超音波反射12の
強度を低下させる可能性が大きい。
て、半導体ウェハ1の被研磨膜1cの研磨を行う際に、
超音波探触子5と被研磨膜1cとの間に金属膜15(図
3参照)が形成されている場合には、超音波反射12の
強度を低下させる可能性が大きい。
【0040】したがって、超音波11を照射する残膜量
の監視箇所(半導体ウェハ1上のモニタ箇所)は、前記
金属膜15が比較的形成されていないウェハ端部とする
ことが好ましい。
の監視箇所(半導体ウェハ1上のモニタ箇所)は、前記
金属膜15が比較的形成されていないウェハ端部とする
ことが好ましい。
【0041】なお、半導体ウェハ1の配線層(例えば、
前記金属膜15など)のレイアウトによって前記ウェハ
端部に超音波11の照射箇所を設定できない場合には、
ウェハ内周部に超音波11の照射専用箇所を設定し、こ
の照射専用箇所に、超音波11の照射を行って残膜量を
計測してもよい。
前記金属膜15など)のレイアウトによって前記ウェハ
端部に超音波11の照射箇所を設定できない場合には、
ウェハ内周部に超音波11の照射専用箇所を設定し、こ
の照射専用箇所に、超音波11の照射を行って残膜量を
計測してもよい。
【0042】また、本実施の形態におけるCMP装置に
は、研磨時の被研磨膜1cの残膜量が予め設定された目
標残膜量に到達した時点で被研磨膜1cの研磨を終了さ
せる残膜量管理部7が設けられている。
は、研磨時の被研磨膜1cの残膜量が予め設定された目
標残膜量に到達した時点で被研磨膜1cの研磨を終了さ
せる残膜量管理部7が設けられている。
【0043】さらに、前記CMP装置には、ノズル17
を介して半導体ウェハ1の被研磨膜1cにスラリ2を供
給するスラリ供給手段14が設置されるとともに、この
スラリ供給手段14、加圧ヘッド回転手段9および研磨
盤回転手段8を制御して被研磨膜1cの研磨全般を制御
する研磨制御部13が設けられている。
を介して半導体ウェハ1の被研磨膜1cにスラリ2を供
給するスラリ供給手段14が設置されるとともに、この
スラリ供給手段14、加圧ヘッド回転手段9および研磨
盤回転手段8を制御して被研磨膜1cの研磨全般を制御
する研磨制御部13が設けられている。
【0044】これにより、超音波制御部10において算
出された被研磨膜1cの残膜量(残膜厚)は、残膜量管
理部7にフィードバックされ、残膜量管理部7において
予め設定された目標残膜量に到達した時点で被研磨膜1
cの研磨を終了させる信号を残膜量管理部7から研磨制
御部13に送信する。
出された被研磨膜1cの残膜量(残膜厚)は、残膜量管
理部7にフィードバックされ、残膜量管理部7において
予め設定された目標残膜量に到達した時点で被研磨膜1
cの研磨を終了させる信号を残膜量管理部7から研磨制
御部13に送信する。
【0045】なお、各制御部は、必ずしも別々に設けら
れている必要はなく、一体型の制御部であってもよい。
れている必要はなく、一体型の制御部であってもよい。
【0046】また、本実施の形態によるCMP装置は、
1枚の半導体ウェハ1の研磨が行われる程度の大きさの
ものであり、これにより、加圧ヘッド6も1枚の半導体
ウェハ1を保持する程度の大きさであるとともに、研磨
盤3も1枚の半導体ウェハ1を研磨する程度の大きさで
ある。
1枚の半導体ウェハ1の研磨が行われる程度の大きさの
ものであり、これにより、加圧ヘッド6も1枚の半導体
ウェハ1を保持する程度の大きさであるとともに、研磨
盤3も1枚の半導体ウェハ1を研磨する程度の大きさで
ある。
【0047】したがって、本実施の形態のCMP装置
は、枚葉処理式のものである。
は、枚葉処理式のものである。
【0048】なお、加圧ヘッド6は半導体ウェハ1の搬
入出を真空吸着によって行うため、回転とともに昇降か
つ水平移動可能に設置されており、研磨盤3は回転可能
に設置されている。
入出を真空吸着によって行うため、回転とともに昇降か
つ水平移動可能に設置されており、研磨盤3は回転可能
に設置されている。
【0049】また、加圧ヘッド6の動作と研磨盤3の動
作とは、研磨制御部13によって制御される。
作とは、研磨制御部13によって制御される。
【0050】さらに、スラリ2は、例えば、被研磨膜1
cがSiO2 などの酸化膜16(図3参照)である場
合、アルカリ性の溶媒(一例としてアルカリ水溶液)に
研磨剤2aであるSiO2 を混ぜたものであり、被研磨
膜1cがタングステンやアルミニウムなどの金属膜15
(図3参照)の場合、酸性の前記溶媒に研磨剤2aであ
るAl2 O3 を混ぜたものである。
cがSiO2 などの酸化膜16(図3参照)である場
合、アルカリ性の溶媒(一例としてアルカリ水溶液)に
研磨剤2aであるSiO2 を混ぜたものであり、被研磨
膜1cがタングステンやアルミニウムなどの金属膜15
(図3参照)の場合、酸性の前記溶媒に研磨剤2aであ
るAl2 O3 を混ぜたものである。
【0051】また、本実施の形態によるCMP装置に取
り付けられた加圧ヘッド6は、伝熱性が高く耐食性に優
れた材料、例えば、ステンレス鋼などによって形成され
ており、研磨中、回転運動と揺動運動とを行う。
り付けられた加圧ヘッド6は、伝熱性が高く耐食性に優
れた材料、例えば、ステンレス鋼などによって形成され
ており、研磨中、回転運動と揺動運動とを行う。
【0052】本実施の形態の研磨方法について説明す
る。
る。
【0053】なお、前記研磨方法は、図1に示すCMP
装置を用いたものであり、半導体製造工程において、半
導体ウェハ1に形成された被研磨膜1cをその残膜量を
監視しながら研磨するものである。
装置を用いたものであり、半導体製造工程において、半
導体ウェハ1に形成された被研磨膜1cをその残膜量を
監視しながら研磨するものである。
【0054】まず、加圧ヘッド6に超音波探触子5が取
り付けられた前記CMP装置を準備する。
り付けられた前記CMP装置を準備する。
【0055】続いて、加圧ヘッド6を上昇させた後、所
定箇所に収容されかつ被研磨膜1cが形成された半導体
ウェハ1の上方まで加圧ヘッド6を移動させる。
定箇所に収容されかつ被研磨膜1cが形成された半導体
ウェハ1の上方まで加圧ヘッド6を移動させる。
【0056】そこで、加圧ヘッド6を下降させ、加圧ヘ
ッド6によって真空吸着を行うことにより、半導体ウェ
ハ1をピックアップし、再び、加圧ヘッド6によって研
磨盤3上の所定の位置まで半導体ウェハ1を搬送する。
ッド6によって真空吸着を行うことにより、半導体ウェ
ハ1をピックアップし、再び、加圧ヘッド6によって研
磨盤3上の所定の位置まで半導体ウェハ1を搬送する。
【0057】その後、半導体ウェハ1を保持した加圧ヘ
ッド6を下降させ、真空吸着を停止して半導体ウェハ1
を研磨盤3上に載置する。
ッド6を下降させ、真空吸着を停止して半導体ウェハ1
を研磨盤3上に載置する。
【0058】続いて、研磨制御部13によって加圧ヘッ
ド回転手段9と研磨盤回転手段8とスラリ供給手段14
とを制御しつつ、超音波制御部10によって超音波探触
子5を制御して半導体ウェハ1の被研磨膜1cを研磨す
る。
ド回転手段9と研磨盤回転手段8とスラリ供給手段14
とを制御しつつ、超音波制御部10によって超音波探触
子5を制御して半導体ウェハ1の被研磨膜1cを研磨す
る。
【0059】すなわち、研磨剤2aが含まれたスラリ2
をスラリ供給手段14によって研磨盤3の研磨パッド4
上に供給し、かつ、加圧ヘッド回転手段9によって加圧
ヘッド6を回転させるとともに、研磨盤回転手段8によ
って研磨盤3を回転させた後、加圧ヘッド6によって半
導体ウェハ1を研磨盤3の研磨パッド4に押し付けて半
導体ウェハ1に形成された被研磨膜1cの研磨を開始す
る。
をスラリ供給手段14によって研磨盤3の研磨パッド4
上に供給し、かつ、加圧ヘッド回転手段9によって加圧
ヘッド6を回転させるとともに、研磨盤回転手段8によ
って研磨盤3を回転させた後、加圧ヘッド6によって半
導体ウェハ1を研磨盤3の研磨パッド4に押し付けて半
導体ウェハ1に形成された被研磨膜1cの研磨を開始す
る。
【0060】また、研磨の開始とともに、加圧ヘッド6
に取り付けられた超音波探触子5(残膜量検出手段)に
よって、超音波11を半導体ウェハ1の裏面1d側から
被研磨膜1cに照射する。
に取り付けられた超音波探触子5(残膜量検出手段)に
よって、超音波11を半導体ウェハ1の裏面1d側から
被研磨膜1cに照射する。
【0061】この際、被研磨膜1cの両側の界面1eか
ら反射する2つの超音波反射12を超音波探触子5によ
って受信し、この受信結果が受信時間として超音波制御
部10に取り込まれる。
ら反射する2つの超音波反射12を超音波探触子5によ
って受信し、この受信結果が受信時間として超音波制御
部10に取り込まれる。
【0062】さらに、超音波制御部10において、受信
した2つの超音波反射12の受信時間差T(図2参照)
によって被研磨膜1cの残膜量を求める。
した2つの超音波反射12の受信時間差T(図2参照)
によって被研磨膜1cの残膜量を求める。
【0063】これにより、研磨中の被研磨膜1cの残膜
量を監視しながら被研磨膜1cを研磨できる。
量を監視しながら被研磨膜1cを研磨できる。
【0064】なお、取り込む超音波反射12の受信時間
の範囲を、予め超音波制御部10に設定しておく。
の範囲を、予め超音波制御部10に設定しておく。
【0065】つまり、実験などによって予め求めた各膜
ごとの音速(超音波11が伝わる速度)を超音波制御部
10に登録しておき、これにより、受信時間が所定範囲
内のものだけを超音波制御部10において認識する。
ごとの音速(超音波11が伝わる速度)を超音波制御部
10に登録しておき、これにより、受信時間が所定範囲
内のものだけを超音波制御部10において認識する。
【0066】その結果、所定の界面1eからの超音波反
射12以外の超音波11の反射については取り込まない
ようにすることができる。
射12以外の超音波11の反射については取り込まない
ようにすることができる。
【0067】その後、研磨中の被研磨膜1cの残膜量を
超音波制御部10と残膜量管理部7とによって常時監視
しながら被研磨膜1cの研磨を進行させる。
超音波制御部10と残膜量管理部7とによって常時監視
しながら被研磨膜1cの研磨を進行させる。
【0068】なお、被研磨膜1cの研磨量すなわち残膜
量が、残膜量管理部7において予め設定された目標残膜
量に到達したら、直ちに研磨を終了させる信号を残膜量
管理部7から研磨制御部13に送信する。
量が、残膜量管理部7において予め設定された目標残膜
量に到達したら、直ちに研磨を終了させる信号を残膜量
管理部7から研磨制御部13に送信する。
【0069】これにより、研磨制御部13によって、加
圧ヘッド6の加圧・回転および研磨盤3の回転を停止さ
せ、被研磨膜1cの研磨を終了する。
圧ヘッド6の加圧・回転および研磨盤3の回転を停止さ
せ、被研磨膜1cの研磨を終了する。
【0070】次に、図1〜図3を用いて、本実施の形態
のCMP装置(研磨装置)を用いた半導体装置の製造方
法(図3参照)について説明する。
のCMP装置(研磨装置)を用いた半導体装置の製造方
法(図3参照)について説明する。
【0071】本実施の形態では、半導体ウェハ1上にタ
ングステンなどによって金属膜15を形成し、この上に
形成したSiO2 などの層間絶縁膜である酸化膜16を
前記CMP装置を用いて平坦化する場合を説明する。
ングステンなどによって金属膜15を形成し、この上に
形成したSiO2 などの層間絶縁膜である酸化膜16を
前記CMP装置を用いて平坦化する場合を説明する。
【0072】まず、半導体ウェハ1上にスパッタ処理な
どによって金属膜15を形成し、図3(a)に示すよう
に、これに露光およびエッチングして所望(配線パター
ンに応じた)の形状に形成する。
どによって金属膜15を形成し、図3(a)に示すよう
に、これに露光およびエッチングして所望(配線パター
ンに応じた)の形状に形成する。
【0073】その後、図3(b)に示すように、CVD
(Chemical Vapor Deposition)処理によって、金属膜1
5上に酸化膜16を形成する。
(Chemical Vapor Deposition)処理によって、金属膜1
5上に酸化膜16を形成する。
【0074】続いて、図3(c)に示すように、本実施
の形態の研磨装置すなわちCMP装置によって、酸化膜
16を研磨し、その平坦化を行う。
の形態の研磨装置すなわちCMP装置によって、酸化膜
16を研磨し、その平坦化を行う。
【0075】ここでは、前記研磨方法と同様の方法で研
磨する。
磨する。
【0076】すなわち、残膜量検出手段である超音波探
触子5によって酸化膜16に超音波11を照射し、その
界面1eからの超音波11の反射である超音波反射12
を受信する。
触子5によって酸化膜16に超音波11を照射し、その
界面1eからの超音波11の反射である超音波反射12
を受信する。
【0077】この際、酸化膜16の両側の界面1eから
の2つの超音波反射12の受信時間差Tによって酸化膜
16の残膜量(残膜厚)を算出する。
の2つの超音波反射12の受信時間差Tによって酸化膜
16の残膜量(残膜厚)を算出する。
【0078】そして、酸化膜16の研磨量すなわち残膜
量が、残膜量管理部7において予め設定された目標残膜
量に到達したら、直ちに研磨を終了させる信号を残膜量
管理部7から研磨制御部13に送信し、これにより、被
研磨膜1cの研磨を終了する。
量が、残膜量管理部7において予め設定された目標残膜
量に到達したら、直ちに研磨を終了させる信号を残膜量
管理部7から研磨制御部13に送信し、これにより、被
研磨膜1cの研磨を終了する。
【0079】本実施の形態の研磨方法および装置によれ
ば、以下のような作用効果が得られる。
ば、以下のような作用効果が得られる。
【0080】すなわち、超音波探触子5(残膜量検出手
段)によって研磨中の被研磨膜1cの残膜量(残膜厚)
を監視しながら被研磨膜1cを研磨することにより、研
磨の条件管理を不要にすることができる。
段)によって研磨中の被研磨膜1cの残膜量(残膜厚)
を監視しながら被研磨膜1cを研磨することにより、研
磨の条件管理を不要にすることができる。
【0081】これにより、研磨速度の設定を不要にする
ことができる。
ことができる。
【0082】さらに、研磨中に被研磨膜1cの残膜量を
監視するため、研磨後に前記残膜量の計測を行わなくて
済む。これにより、膜厚管理の工数を低減できるととも
に、研磨工程の作業時間を短縮させることができる。
監視するため、研磨後に前記残膜量の計測を行わなくて
済む。これにより、膜厚管理の工数を低減できるととも
に、研磨工程の作業時間を短縮させることができる。
【0083】また、研磨中の被研磨膜1cの残膜量を管
理できるため、残膜量に応じて研磨速度を最適に制御す
る研磨量制御機能を有することができる。
理できるため、残膜量に応じて研磨速度を最適に制御す
る研磨量制御機能を有することができる。
【0084】すなわち、研磨全般において、比較的粗研
磨が可能な研磨の初期段階を高速研磨とし、仕上げ研磨
を必要とする終期段階を低速研磨にする制御を行うこと
ができ、これにより、研磨処理の作業時間の短縮化を図
ることができる。
磨が可能な研磨の初期段階を高速研磨とし、仕上げ研磨
を必要とする終期段階を低速研磨にする制御を行うこと
ができ、これにより、研磨処理の作業時間の短縮化を図
ることができる。
【0085】なお、本実施の形態では、超音波探触子5
による超音波11を半導体ウェハ1の裏面1d側から半
導体ウェハ1に照射するとともに、被研磨膜1cの両側
の界面1eからの2つの超音波反射12を超音波探触子
5によって受信し、この2つの超音波反射12の受信時
間差Tによって被研磨膜1cの残膜量を求める。
による超音波11を半導体ウェハ1の裏面1d側から半
導体ウェハ1に照射するとともに、被研磨膜1cの両側
の界面1eからの2つの超音波反射12を超音波探触子
5によって受信し、この2つの超音波反射12の受信時
間差Tによって被研磨膜1cの残膜量を求める。
【0086】これにより、半導体ウェハ1のCMP研磨
において研磨中の半導体ウェハ1の被研磨膜1cの残膜
量を計測することができる。
において研磨中の半導体ウェハ1の被研磨膜1cの残膜
量を計測することができる。
【0087】その結果、加圧ヘッド6のトルク管理によ
る膜厚制御やレーザ光を用いた膜厚制御では行えなかっ
た半導体ウェハ1の研磨中の被研磨膜1cの膜厚モニタ
を行うことが可能になる。
る膜厚制御やレーザ光を用いた膜厚制御では行えなかっ
た半導体ウェハ1の研磨中の被研磨膜1cの膜厚モニタ
を行うことが可能になる。
【0088】さらに、研磨時の被研磨膜1cの残膜量が
予め設定された目標残膜量に到達した時点で被研磨膜1
cの研磨を終了させる残膜量管理部7を有することによ
り、被研磨膜1cの過剰研磨を防止することができる。
予め設定された目標残膜量に到達した時点で被研磨膜1
cの研磨を終了させる残膜量管理部7を有することによ
り、被研磨膜1cの過剰研磨を防止することができる。
【0089】これにより、被研磨膜1cの過剰研磨によ
る半導体ウェハ1の不良発生を未然に防ぐことができ、
その結果、半導体ウェハ1の歩留りを向上できる。
る半導体ウェハ1の不良発生を未然に防ぐことができ、
その結果、半導体ウェハ1の歩留りを向上できる。
【0090】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言う
までもない。
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言う
までもない。
【0091】例えば、前記実施の形態においては、半導
体ウェハ1の被研磨膜1cに対して超音波11をほぼ垂
直に照射する場合について説明したが、図4に示す他の
実施の形態のCMP装置のように、被研磨膜1cに対し
て超音波11を傾斜させてもよい。
体ウェハ1の被研磨膜1cに対して超音波11をほぼ垂
直に照射する場合について説明したが、図4に示す他の
実施の形態のCMP装置のように、被研磨膜1cに対し
て超音波11を傾斜させてもよい。
【0092】すなわち、図4に示すCMP装置は、被研
磨膜1cに対して超音波11を傾斜させて照射するよう
に超音波探触子5が加圧ヘッド6に取り付けられたもの
であり、この場合、発信用の超音波探触子5と受信用の
超音波探触子5とが設けられている。
磨膜1cに対して超音波11を傾斜させて照射するよう
に超音波探触子5が加圧ヘッド6に取り付けられたもの
であり、この場合、発信用の超音波探触子5と受信用の
超音波探触子5とが設けられている。
【0093】これにより、超音波反射12の受信時、垂
直照射の場合よりも、2つめの超音波反射12の遅延時
間が長くなる(受信時間差Tを長くすることができる)
ため、超音波探触子5の周波数が同じであれば、被研磨
膜1cの残膜量(残膜厚)の分解能を高くすることがで
きる。
直照射の場合よりも、2つめの超音波反射12の遅延時
間が長くなる(受信時間差Tを長くすることができる)
ため、超音波探触子5の周波数が同じであれば、被研磨
膜1cの残膜量(残膜厚)の分解能を高くすることがで
きる。
【0094】その結果、垂直照射の場合よりも、被研磨
膜1cの残膜量を高精度に計測することができる。
膜1cの残膜量を高精度に計測することができる。
【0095】また、前記実施の形態においては、残膜量
検出手段として超音波探触子5を用いる場合について説
明したが、研磨装置(CMP装置)が、研磨中の被処理
物の被研磨膜1cを求める残膜量検出手段として、加圧
保持部材の被研磨膜1cの厚さ方向への移動量を検出す
るモニタ手段(例えば、カメラ)などの加圧保持部材位
置検出手段を備えているものであってもよい。
検出手段として超音波探触子5を用いる場合について説
明したが、研磨装置(CMP装置)が、研磨中の被処理
物の被研磨膜1cを求める残膜量検出手段として、加圧
保持部材の被研磨膜1cの厚さ方向への移動量を検出す
るモニタ手段(例えば、カメラ)などの加圧保持部材位
置検出手段を備えているものであってもよい。
【0096】すなわち、予め、被処理物の厚さと被研磨
膜1cの厚さとの合計の厚さを登録しておき、前記加圧
保持部材位置検出手段によって研磨開始時および研磨中
の前記加圧保持部の移動量を検知することにより、被研
磨膜1cの研磨量あるいは残膜量(残膜厚)を求めるも
のである。
膜1cの厚さとの合計の厚さを登録しておき、前記加圧
保持部材位置検出手段によって研磨開始時および研磨中
の前記加圧保持部の移動量を検知することにより、被研
磨膜1cの研磨量あるいは残膜量(残膜厚)を求めるも
のである。
【0097】これによっても、前記実施の形態のCMP
装置と同様に、研磨中の被研磨膜の残膜量(残膜厚)を
求めることが可能である。
装置と同様に、研磨中の被研磨膜の残膜量(残膜厚)を
求めることが可能である。
【0098】また、前記実施の形態においては、被処理
物が半導体ウェハ1の場合について説明したが、前記被
処理物はこれに限らず、図1、図2または図4に示す研
磨装置によって研磨可能な被研磨膜1cを有した被処理
物であれば、半導体ウェハ1以外の他の被処理物(例え
ば、コンパクトディスクやレーザディスクなど)であっ
てもよい。
物が半導体ウェハ1の場合について説明したが、前記被
処理物はこれに限らず、図1、図2または図4に示す研
磨装置によって研磨可能な被研磨膜1cを有した被処理
物であれば、半導体ウェハ1以外の他の被処理物(例え
ば、コンパクトディスクやレーザディスクなど)であっ
てもよい。
【0099】なお、前記実施の形態および前記他の実施
の形態で説明した研磨装置は、枚葉処理式のものである
が、前記研磨装置は、例えば、1つの研磨盤3に対して
複数の加圧ヘッド6が設置されたバッチ処理式のもので
あってもよい。
の形態で説明した研磨装置は、枚葉処理式のものである
が、前記研磨装置は、例えば、1つの研磨盤3に対して
複数の加圧ヘッド6が設置されたバッチ処理式のもので
あってもよい。
【0100】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【0101】(1).残膜量検出手段によって研磨中の
被研磨膜の残膜量を監視しながら被研磨膜を研磨するこ
とにより、研磨の条件管理を不要にすることができる。
これにより、研磨速度の設定を不要にすることができ
る。
被研磨膜の残膜量を監視しながら被研磨膜を研磨するこ
とにより、研磨の条件管理を不要にすることができる。
これにより、研磨速度の設定を不要にすることができ
る。
【0102】(2).研磨中に被研磨膜の残膜量を監視
するため、研磨後に残膜量の計測を行わなくて済む。こ
れにより、膜厚管理の工数を低減できるとともに、研磨
工程の作業時間を短縮させることができる。
するため、研磨後に残膜量の計測を行わなくて済む。こ
れにより、膜厚管理の工数を低減できるとともに、研磨
工程の作業時間を短縮させることができる。
【0103】(3).研磨中の被研磨膜の残膜量を管理
できるため、残膜量に応じて研磨速度を最適に制御する
ことができる。これにより、研磨の初期段階を高速研磨
とし、終期段階を低速研磨にする制御を行うことがで
き、その結果、研磨処理の作業時間の短縮化を図ること
ができる。
できるため、残膜量に応じて研磨速度を最適に制御する
ことができる。これにより、研磨の初期段階を高速研磨
とし、終期段階を低速研磨にする制御を行うことがで
き、その結果、研磨処理の作業時間の短縮化を図ること
ができる。
【0104】(4).被処理物を半導体ウェハとするこ
とにより、研磨中の半導体ウェハの被研磨膜の残膜量を
計測することができる。これにより、加圧保持部材によ
るトルク管理の膜厚制御やレーザ光を用いた膜厚制御で
は行えなかった半導体ウェハの研磨中の被研磨膜の膜厚
モニタを行うことが可能になる。
とにより、研磨中の半導体ウェハの被研磨膜の残膜量を
計測することができる。これにより、加圧保持部材によ
るトルク管理の膜厚制御やレーザ光を用いた膜厚制御で
は行えなかった半導体ウェハの研磨中の被研磨膜の膜厚
モニタを行うことが可能になる。
【0105】(5).研磨時の被研磨膜の残膜量が予め
設定された目標残膜量に到達した時点で被研磨膜の研磨
を終了させる制御を行うことにより、被研磨膜の過剰研
磨を防止することができる。これにより、被処理物が半
導体ウェハである場合には、被研磨膜の過剰研磨による
半導体ウェハの不良発生を未然に防ぐことができ、その
結果、半導体ウェハの歩留りを向上できる。
設定された目標残膜量に到達した時点で被研磨膜の研磨
を終了させる制御を行うことにより、被研磨膜の過剰研
磨を防止することができる。これにより、被処理物が半
導体ウェハである場合には、被研磨膜の過剰研磨による
半導体ウェハの不良発生を未然に防ぐことができ、その
結果、半導体ウェハの歩留りを向上できる。
【0106】(6).超音波探触子によって被研磨膜に
超音波を照射する際に、傾斜させて照射することによ
り、超音波反射の受信時に、垂直照射の場合より長い時
間差によって受信できるため、残膜量の分解能を高くす
ることができる。これにより、残膜量を高精度に計測す
ることができる。
超音波を照射する際に、傾斜させて照射することによ
り、超音波反射の受信時に、垂直照射の場合より長い時
間差によって受信できるため、残膜量の分解能を高くす
ることができる。これにより、残膜量を高精度に計測す
ることができる。
【図1】本発明による研磨装置(CMP装置)の構造の
実施の形態の一例を示す構成概念図である。
実施の形態の一例を示す構成概念図である。
【図2】図1に示す研磨装置における被研磨膜の残膜量
計測方法の実施の形態の一例を一部断面にして示す計測
原理図である。
計測方法の実施の形態の一例を一部断面にして示す計測
原理図である。
【図3】(a),(b),(c)は本発明の研磨装置を用い
た半導体装置の製造手順の一例を示す拡大部分断面図で
ある。
た半導体装置の製造手順の一例を示す拡大部分断面図で
ある。
【図4】本発明の他の実施の形態である研磨装置(CM
P装置)における被研磨膜の残膜量計測方法を一部断面
にして示す計測原理図である。
P装置)における被研磨膜の残膜量計測方法を一部断面
にして示す計測原理図である。
1 半導体ウェハ(被処理物) 1a 表面 1c 被研磨膜 1d 裏面 1e 界面 2 スラリ(研磨液) 2a 研磨剤 3 研磨盤 3a 表面 4 研磨パッド 5 超音波探触子(残膜量検出手段) 5a 振動子 5b 集中レンズ 6 加圧ヘッド(加圧保持部材) 7 残膜量管理部 8 研磨盤回転手段 9 加圧ヘッド回転手段 10 超音波制御部 11 超音波 12 超音波反射 13 研磨制御部 14 スラリ供給手段 15 金属膜 16 酸化膜 17 ノズル
Claims (9)
- 【請求項1】 被処理物に形成された被研磨膜を研磨す
る研磨方法であって、残膜量検出手段によって研磨中の
前記被研磨膜の残膜量を監視しながら前記被研磨膜を研
磨することを特徴とする研磨方法。 - 【請求項2】 請求項1記載の研磨方法であって、前記
残膜量検出手段として超音波を発受信する超音波探触子
を用いることを特徴とする研磨方法。 - 【請求項3】 請求項1または2記載の研磨方法であっ
て、前記被処理物が半導体ウェハであるとともに、前記
残膜量検出手段として超音波を発受信する超音波探触子
を用い、前記超音波探触子による超音波を前記半導体ウ
ェハの前記被研磨膜が形成された面と反対の裏面側から
前記半導体ウェハに照射することを特徴とする研磨方
法。 - 【請求項4】 請求項3記載の研磨方法であって、前記
超音波探触子による超音波を前記半導体ウェハの前記裏
面側から前記半導体ウェハに照射するとともに、前記被
研磨膜の両側界面から反射する2つの超音波反射を前記
超音波探触子によって受信し、この2つの超音波反射の
受信時間差によって前記被研磨膜の残膜量を求めること
を特徴とする研磨方法。 - 【請求項5】 請求項1,2,3または4記載の研磨方
法であって、前記残膜量検出手段として超音波を発受信
する超音波探触子を用いるとともに、前記超音波探触子
によって前記被研磨膜に超音波を照射する際に、前記被
研磨膜に対して傾斜させて照射することを特徴とする研
磨方法。 - 【請求項6】 被処理物に形成された被研磨膜の研磨を
行う研磨装置であって、 研磨時に前記被処理物を支持し、かつ表面に研磨パッド
が設けられた研磨盤と、 研磨時に前記被処理物を前記研磨パッドに押さえ付けて
保持する加圧保持部材と、 研磨中の前記被研磨膜の残膜量を検出する残膜量検出手
段とを有し、 前記残膜量検出手段によって研磨中の前記被研磨膜の残
膜量を監視しながら前記被研磨膜の研磨を行うことを特
徴とする研磨装置。 - 【請求項7】 請求項6記載の研磨装置であって、研磨
時の前記被研磨膜の残膜量が予め設定された目標残膜量
に到達した時点で前記被研磨膜の研磨を終了させる残膜
量管理部を有することを特徴とする研磨装置。 - 【請求項8】 請求項6または7記載の研磨装置であっ
て、前記残膜量検出手段が超音波を発受信する超音波探
触子であり、前記超音波探触子が前記加圧保持部材に設
けられていることを特徴とする研磨装置。 - 【請求項9】 請求項6,7または8記載の研磨装置で
あって、前記被処理物が半導体ウェハであることを特徴
とする研磨装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13212897A JPH10321567A (ja) | 1997-05-22 | 1997-05-22 | 研磨方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13212897A JPH10321567A (ja) | 1997-05-22 | 1997-05-22 | 研磨方法および装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10321567A true JPH10321567A (ja) | 1998-12-04 |
Family
ID=15074057
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13212897A Pending JPH10321567A (ja) | 1997-05-22 | 1997-05-22 | 研磨方法および装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10321567A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100648564B1 (ko) * | 1999-07-05 | 2006-11-24 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 초평탄화·고정밀도 제어 연마 장치 및초평탄화·고정밀도 제어 연마 방법 |
US9502318B2 (en) | 2014-06-17 | 2016-11-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Polish apparatus, polish method, and method of manufacturing semiconductor device |
US11110541B2 (en) * | 2016-11-14 | 2021-09-07 | Keylex Corporation | Ultrasonic bonding machine |
-
1997
- 1997-05-22 JP JP13212897A patent/JPH10321567A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100648564B1 (ko) * | 1999-07-05 | 2006-11-24 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 초평탄화·고정밀도 제어 연마 장치 및초평탄화·고정밀도 제어 연마 방법 |
US9502318B2 (en) | 2014-06-17 | 2016-11-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Polish apparatus, polish method, and method of manufacturing semiconductor device |
US11110541B2 (en) * | 2016-11-14 | 2021-09-07 | Keylex Corporation | Ultrasonic bonding machine |
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