JPH10319229A - 色素転写及びリフトオフによりカラーフィルタ配列を製造する方法 - Google Patents
色素転写及びリフトオフによりカラーフィルタ配列を製造する方法Info
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- JPH10319229A JPH10319229A JP1146598A JP1146598A JPH10319229A JP H10319229 A JPH10319229 A JP H10319229A JP 1146598 A JP1146598 A JP 1146598A JP 1146598 A JP1146598 A JP 1146598A JP H10319229 A JPH10319229 A JP H10319229A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 第一の基板上にカラーフィルタ配列を製造す
る方法を提供する。 【解決手段】 第一の基板の選択された領域にわたり開
口を形成するために第一の基板上にフォトレジスト層を
堆積し、パターン化し；第一の基板の凹部のパターンを
形成するためにマスクとして用いるパターン化されたフ
ォトレジスト層の開口を通してエッチングし；第二の基
板上に熱転写可能な色素材料を有する転写色素層を設
け、熱転写色素層が転写可能な関係にあるが、第一の基
板から離間されるように第二の基板を位置決めし；第二
の基板を実質的に全ての熱転写色素材料が第一の基板上
のパターン化されたフォトレジストに離間された距離を
越えて転写するように充分加熱し；パターン化されたフ
ォトレジスト層を第一の基板の選択された領域にわたり
開口の位置に熱転写可能な色素材料を後に残すように除
去する。
る方法を提供する。 【解決手段】 第一の基板の選択された領域にわたり開
口を形成するために第一の基板上にフォトレジスト層を
堆積し、パターン化し；第一の基板の凹部のパターンを
形成するためにマスクとして用いるパターン化されたフ
ォトレジスト層の開口を通してエッチングし；第二の基
板上に熱転写可能な色素材料を有する転写色素層を設
け、熱転写色素層が転写可能な関係にあるが、第一の基
板から離間されるように第二の基板を位置決めし；第二
の基板を実質的に全ての熱転写色素材料が第一の基板上
のパターン化されたフォトレジストに離間された距離を
越えて転写するように充分加熱し；パターン化されたフ
ォトレジスト層を第一の基板の選択された領域にわたり
開口の位置に熱転写可能な色素材料を後に残すように除
去する。
Description
【０００１】関連する出願の相互参照 本出願はＬ．Ｃ．Ｒｏｂｅｒｔｓ等により１９９７年１
月２４日に出願された米国特許０８／７８９５９０、”
Ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ Ｍａｋｉｎｇ Ｃｏｌｏｒ Ｆｉ
ｌｔｅｒ Ｂｙ Ｔｒａｎｓｆｅｒｒｉｎｇ Ｃｏｌｏ
ｒａｎｔ Ｍａｔｅｒｉａｌ”の部分継続出願である。
月２４日に出願された米国特許０８／７８９５９０、”
Ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ Ｍａｋｉｎｇ Ｃｏｌｏｒ Ｆｉ
ｌｔｅｒ Ｂｙ Ｔｒａｎｓｆｅｒｒｉｎｇ Ｃｏｌｏ
ｒａｎｔ Ｍａｔｅｒｉａｌ”の部分継続出願である。
【０００２】本発明は、Ｌｉｔｔｍａｎ等により１９９
６年４月１６日に出願された米国特許０８／６４８７７
２、”Ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ Ｆｏｒｍｉｎｇ ａｎ Ｏ
ｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ
Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ”；Ｔａｎｇ等により１
９９７年１月２４日に出願された米国特許０８／７８８
５３７、”Ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｎｇ
Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌａｙｅｒｓ ｉｎ Ｏｒｇａｎｉ
ｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｅｖｉｃｅ
ｓ”；Ｌ．Ｃ．Ｒｏｂｅｒｔｓにより１９９７年１月２
４日に出願された米国特許０８／７８８５３２、”Ｍｅ
ｔｈｏｄ ｏｆ Ｍａｋｉｎｇ ＣｏｌｏｒＦｉｌｔｅ
ｒ Ｂｙ Ｃｏｌｏｒａｎｔ Ｔｒａｎｓｆｅｒ ａｎ
ｄ Ｅｔｃｈ”；Ｌ．Ｃ．Ｒｏｂｅｒｔｓ等により１９
９７年１月２４日に出願された米国特許０８／７８８１
０８、”Ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ Ｍａｋｉｎｇ Ｃｏｌｏ
ｒＦｉｌｔｅｒ Ａｒｒａｙｓ Ｂｙ Ｔｒａｎｓｆｅ
ｒｒｉｎｇ Ｔｗｏ ｏｒＭｏｒｅ Ｃｏｌｏｒａｎｔ
ｓ Ｓｉｍｕｌｔａｎｅｏｕｓｌｙ”；Ｌ．Ｃ．Ｒｏｂ
ｅｒｔｓ等により１９９７年１月２４日に出願された米
国特許０８／７８７７３２、”Ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ Ｍ
ａｋｉｎｇ Ｃｏｌｏｒ ＦｉｌｔｅｒＢｙ Ｃｏｌｏ
ｒａｎｔ Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｕｓｉｎｇ Ｃｈｅｍｉ
ｃａｌＭｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ”に
関連し、これらの開示をここに参考として引用する。
６年４月１６日に出願された米国特許０８／６４８７７
２、”Ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ Ｆｏｒｍｉｎｇ ａｎ Ｏ
ｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ
Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ”；Ｔａｎｇ等により１
９９７年１月２４日に出願された米国特許０８／７８８
５３７、”Ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｎｇ
Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌａｙｅｒｓ ｉｎ Ｏｒｇａｎｉ
ｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｅｖｉｃｅ
ｓ”；Ｌ．Ｃ．Ｒｏｂｅｒｔｓにより１９９７年１月２
４日に出願された米国特許０８／７８８５３２、”Ｍｅ
ｔｈｏｄ ｏｆ Ｍａｋｉｎｇ ＣｏｌｏｒＦｉｌｔｅ
ｒ Ｂｙ Ｃｏｌｏｒａｎｔ Ｔｒａｎｓｆｅｒ ａｎ
ｄ Ｅｔｃｈ”；Ｌ．Ｃ．Ｒｏｂｅｒｔｓ等により１９
９７年１月２４日に出願された米国特許０８／７８８１
０８、”Ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ Ｍａｋｉｎｇ Ｃｏｌｏ
ｒＦｉｌｔｅｒ Ａｒｒａｙｓ Ｂｙ Ｔｒａｎｓｆｅ
ｒｒｉｎｇ Ｔｗｏ ｏｒＭｏｒｅ Ｃｏｌｏｒａｎｔ
ｓ Ｓｉｍｕｌｔａｎｅｏｕｓｌｙ”；Ｌ．Ｃ．Ｒｏｂ
ｅｒｔｓ等により１９９７年１月２４日に出願された米
国特許０８／７８７７３２、”Ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ Ｍ
ａｋｉｎｇ Ｃｏｌｏｒ ＦｉｌｔｅｒＢｙ Ｃｏｌｏ
ｒａｎｔ Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｕｓｉｎｇ Ｃｈｅｍｉ
ｃａｌＭｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ”に
関連し、これらの開示をここに参考として引用する。
【０００３】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示器のような
表示器応用に適切であり、画像センサに用いられるのに
特に適したカラーフィルタ配列を製造する方法に関す
る。
表示器応用に適切であり、画像センサに用いられるのに
特に適したカラーフィルタ配列を製造する方法に関す
る。
【０００４】
【従来の技術】カラーフィルタ配列では異なる色の別の
層が形成されなければならない。しばしばこれらの層は
色素材料として染料（ｄｙｅ）を用いて形成され、これ
は制御された厚さを有する染料受容層に吸収され、正確
な量の染料は適切な色を達成するよう用いられなければ
ならない。例えばＰａｃｅ等による米国特許第４７６４
６７０号、Ｓｎｏｗ等による米国特許第４８７６１６７
号、ＤｅＢｏｅｒ等による米国特許第５５７６２６５号
にはそのような処理が記載されている。この処理に関連
する付加的な問題は染料受容層が染料の導入で膨張し、
非常に小さなフィルタ要素の製造を達成しうる最小の寸
法を制限することである。この処理での他の問題は染料
は光に曝すと退色することである。加えて染料は染料受
容層に拡散し、フィルタ要素の端の鮮鋭度（ｅｄｇｅ
ｓｈａｒｐｎｅｓｓ）が失われる。
層が形成されなければならない。しばしばこれらの層は
色素材料として染料（ｄｙｅ）を用いて形成され、これ
は制御された厚さを有する染料受容層に吸収され、正確
な量の染料は適切な色を達成するよう用いられなければ
ならない。例えばＰａｃｅ等による米国特許第４７６４
６７０号、Ｓｎｏｗ等による米国特許第４８７６１６７
号、ＤｅＢｏｅｒ等による米国特許第５５７６２６５号
にはそのような処理が記載されている。この処理に関連
する付加的な問題は染料受容層が染料の導入で膨張し、
非常に小さなフィルタ要素の製造を達成しうる最小の寸
法を制限することである。この処理での他の問題は染料
は光に曝すと退色することである。加えて染料は染料受
容層に拡散し、フィルタ要素の端の鮮鋭度（ｅｄｇｅ
ｓｈａｒｐｎｅｓｓ）が失われる。
【０００５】図１を参照するに蒸発した有機色素からコ
ーティングを製造する方法を示す。基板１０２は開口マ
スク１０４に隣接して配置される。開口マスクは基板の
一部分にわたる開口を提供する。コーティングを提供す
る有機色素は原料（ソース）のボート１００に配置さ
れ、これは電流を加えることにより加熱される。あるい
はボートは適切に配置された熱源からの放射により加熱
される。減圧下での加熱により色素は蒸気になり、ソー
スから出てマスク１０５に衝突する。マスク１０５の開
口を通過した色素蒸気の一部分は線１０３に沿ってその
間で移動し、基板１０２及びマスク１０４に堆積する。
ーティングを製造する方法を示す。基板１０２は開口マ
スク１０４に隣接して配置される。開口マスクは基板の
一部分にわたる開口を提供する。コーティングを提供す
る有機色素は原料（ソース）のボート１００に配置さ
れ、これは電流を加えることにより加熱される。あるい
はボートは適切に配置された熱源からの放射により加熱
される。減圧下での加熱により色素は蒸気になり、ソー
スから出てマスク１０５に衝突する。マスク１０５の開
口を通過した色素蒸気の一部分は線１０３に沿ってその
間で移動し、基板１０２及びマスク１０４に堆積する。
【０００６】部分的な真空で堆積された層を含み、物理
的蒸着（ＰＶＤ）としばしば称されるこの技術に関して
多くの問題が存在する。ある場合には画素にわたり堆積
された色素の厚さ及び均一性の制御が困難である。色素
の真空蒸着の処理は典型的には均一なコーティングを形
成するためにソース又はマスクの適切な配置又は基板を
動かすことを必要とする。しかしながら色素材料はマス
クに堆積し、真空定着物は望ましくない汚染を引き起こ
し、色素を浪費し、頻繁な清掃を必要とする剥離を引き
起こす。加えて定着物を移動することは基板を汚染する
望ましくない微粒子を発生する。
的蒸着（ＰＶＤ）としばしば称されるこの技術に関して
多くの問題が存在する。ある場合には画素にわたり堆積
された色素の厚さ及び均一性の制御が困難である。色素
の真空蒸着の処理は典型的には均一なコーティングを形
成するためにソース又はマスクの適切な配置又は基板を
動かすことを必要とする。しかしながら色素材料はマス
クに堆積し、真空定着物は望ましくない汚染を引き起こ
し、色素を浪費し、頻繁な清掃を必要とする剥離を引き
起こす。加えて定着物を移動することは基板を汚染する
望ましくない微粒子を発生する。
【０００７】ＰＶＤ処理によりカラーフィルタ配列を製
造する他の問題はソースと基板の間の大きな間隔を必要
とし、これは大きな容器と充分な真空に到達させるため
の大きなポンプを必要とし、材料の低い使用率の原因と
なり、マスク上に堆積する付随する汚染問題を生ずるマ
スクを必要とする。均一なコーティング用にある場合に
必要となる基板に関して非常に特徴的な軸を外れたソー
ス位置は材料の使用率を非常に悪化させる。更にまた一
回のポンプダウンで複数の基板をコーティングするため
にソースへの補給問題が存在する。加えて多数の層が堆
積されるときに処理は多数のサイクルで多数の色素コー
ティングでの層の厚さを注意深くモニタする必要があ
る。
造する他の問題はソースと基板の間の大きな間隔を必要
とし、これは大きな容器と充分な真空に到達させるため
の大きなポンプを必要とし、材料の低い使用率の原因と
なり、マスク上に堆積する付随する汚染問題を生ずるマ
スクを必要とする。均一なコーティング用にある場合に
必要となる基板に関して非常に特徴的な軸を外れたソー
ス位置は材料の使用率を非常に悪化させる。更にまた一
回のポンプダウンで複数の基板をコーティングするため
にソースへの補給問題が存在する。加えて多数の層が堆
積されるときに処理は多数のサイクルで多数の色素コー
ティングでの層の厚さを注意深くモニタする必要があ
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は上記の
問題を解決し、低コストで高品質な透明基板の光フィル
タ領域にわたり均一な色素を供給するカラーフィルタ配
列を製造する改善された方法を提供することにある。
問題を解決し、低コストで高品質な透明基板の光フィル
タ領域にわたり均一な色素を供給するカラーフィルタ配
列を製造する改善された方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この目的は ａ） 第一の基板の選択された領域にわたり開口を形成
するために第一の基板上にフォトレジスト層を堆積し、
パターン化し； ｂ） 第二の基板上に熱転写可能な色素材料を有する転
写色素層を設け、熱転写色素層が転写可能な関係にある
が、第一の基板から離間して第二の基板を位置決めし； ｃ） 第二の基板を実質的に全ての熱転写色素材料が第
一の基板上のパターン化されたフォトレジストに離間し
た距離を越えて転写するように充分加熱し； ｄ） パターン化されたフォトレジスト層を第一の基板
の選択された領域にわたり開口の位置に熱転写可能な色
素材料を後に残すように除去する 各段階からなる第一の基板上にカラーフィルタ配列を製
造する方法により達成される。
するために第一の基板上にフォトレジスト層を堆積し、
パターン化し； ｂ） 第二の基板上に熱転写可能な色素材料を有する転
写色素層を設け、熱転写色素層が転写可能な関係にある
が、第一の基板から離間して第二の基板を位置決めし； ｃ） 第二の基板を実質的に全ての熱転写色素材料が第
一の基板上のパターン化されたフォトレジストに離間し
た距離を越えて転写するように充分加熱し； ｄ） パターン化されたフォトレジスト層を第一の基板
の選択された領域にわたり開口の位置に熱転写可能な色
素材料を後に残すように除去する 各段階からなる第一の基板上にカラーフィルタ配列を製
造する方法により達成される。
【００１０】この目的はまた ａ） 第一の基板の選択された領域にわたり開口を形成
するために第一の基板上にフォトレジスト層を堆積し、
パターン化し； ｂ） 第一の基板の凹部のパターンを形成するためにマ
スクとして用いるパターン化されたフォトレジスト層の
開口を通してエッチングし； ｃ） 第二の基板上に熱転写可能な色素材料を有する転
写色素層を設け、熱転写色素層が転写可能な関係にある
が、第一の基板から離間して第二の基板を位置決めし； ｄ） 第二の基板を実質的に全ての熱転写色素材料が第
一の基板上のパターン化されたフォトレジストに離間し
た距離を越えて転写するように充分加熱し； ｅ） パターン化されたフォトレジスト層を第一の基板
の選択された領域にわたり開口の位置に熱転写可能な色
素材料を後に残すように除去する 各段階からなる上記と同様なカラーフィルタ配列を製造
する方法により達成される。
するために第一の基板上にフォトレジスト層を堆積し、
パターン化し； ｂ） 第一の基板の凹部のパターンを形成するためにマ
スクとして用いるパターン化されたフォトレジスト層の
開口を通してエッチングし； ｃ） 第二の基板上に熱転写可能な色素材料を有する転
写色素層を設け、熱転写色素層が転写可能な関係にある
が、第一の基板から離間して第二の基板を位置決めし； ｄ） 第二の基板を実質的に全ての熱転写色素材料が第
一の基板上のパターン化されたフォトレジストに離間し
た距離を越えて転写するように充分加熱し； ｅ） パターン化されたフォトレジスト層を第一の基板
の選択された領域にわたり開口の位置に熱転写可能な色
素材料を後に残すように除去する 各段階からなる上記と同様なカラーフィルタ配列を製造
する方法により達成される。
【００１１】この目的はまた ａ） 基板の選択された領域にわたり開口を形成するた
めに第一の基板上にフォトレジスト層を堆積し、パター
ン化し； ｂ） 第一の基板の凹部のパターンを形成するためにマ
スクとして用いるパターン化されたフォトレジスト層の
開口を通してエッチングし； ｃ） 第一の基板の第二の選択された領域にわたり開口
を形成するためにパターン化されたフォトレジスト層上
に第二のフォトレジストを配置し、パターン化し； ｄ） 第二の基板上に熱転写可能な色素材料を有する熱
転写色素層を設け、熱転写色素層が転写可能な関係にあ
るが、第一の基板から離間して第二の基板を位置決め
し； ｅ） 第二の基板を実質的に全ての熱転写色素材料が第
一の基板上のパターン化されたフォトレジストに離間さ
れた距離を越えて転写するように充分加熱し； ｆ） 両方のパターン化されたフォトレジスト層を第一
の基板の第二の選択された領域にわたり開口の位置に熱
転写可能な色素材料を後に残すように除去する 各段階からなる上記と同様なカラーフィルタ配列を製造
する方法により達成される。
めに第一の基板上にフォトレジスト層を堆積し、パター
ン化し； ｂ） 第一の基板の凹部のパターンを形成するためにマ
スクとして用いるパターン化されたフォトレジスト層の
開口を通してエッチングし； ｃ） 第一の基板の第二の選択された領域にわたり開口
を形成するためにパターン化されたフォトレジスト層上
に第二のフォトレジストを配置し、パターン化し； ｄ） 第二の基板上に熱転写可能な色素材料を有する熱
転写色素層を設け、熱転写色素層が転写可能な関係にあ
るが、第一の基板から離間して第二の基板を位置決め
し； ｅ） 第二の基板を実質的に全ての熱転写色素材料が第
一の基板上のパターン化されたフォトレジストに離間さ
れた距離を越えて転写するように充分加熱し； ｆ） 両方のパターン化されたフォトレジスト層を第一
の基板の第二の選択された領域にわたり開口の位置に熱
転写可能な色素材料を後に残すように除去する 各段階からなる上記と同様なカラーフィルタ配列を製造
する方法により達成される。
【００１２】
【発明の実施の形態】図の縮尺は正確でなく、説明を明
確にするために示されているものである。図１を参照す
るに、堆積される材料を含む加熱されたソース１００、
基板１０２、材料の蒸気を路１０３及びその間の領域に
制限するマスク１０４、１０５を含む従来のＰＶＤが示
される。
確にするために示されているものである。図１を参照す
るに、堆積される材料を含む加熱されたソース１００、
基板１０２、材料の蒸気を路１０３及びその間の領域に
制限するマスク１０４、１０５を含む従来のＰＶＤが示
される。
【００１３】図２は矢印２０５により示されるように第
二の基板２０１に対して第一の基板２００にコーティン
グとして堆積された材料を転写し、それは開口２０４を
通して作用する放射熱２０３により示されるように熱源
２０２での加熱によりなされる配置を示す。カラーフィ
ルタ配列は染料受容ポリマーを全く必要とせずに蒸発し
た色素を用いて製造される。そのようなカラーフィルタ
配列を製造するために、典型的なプロセスは以下の通り
である：フォトレジスト層はガラス又は他の透明材料の
ような基板上にコーティングされる。その後にフォトレ
ジストは色素材料を受容するよう選択された領域にわた
る開口の配置を形成するようパターン化される。次に一
般に有機染料又は顔料である色素はパターン化されたフ
ォトレジスト層にわたり堆積され、選択された領域にわ
たる開口に色素材料を堆積する。次にリフトオフ処理が
なされ、パターン化されたフォトレジスト層及びフォト
レジスト層上にオーバーレイされた色素材料は基板から
除去される。リフトオフ溶剤はそれが色素材料にいかな
る影響も与えずにフォトレジスト層を溶解又は柔軟化す
るように選択される。あるいは超音波バス技術が用いら
れてもよい。この技術で基板は溶剤のバスに浸漬され、
超音波エネルギーが色素材料を選択された領域に残し
て、フォトレジスト層及びオーバーレイ色素材料を効果
的に除去するようバスに印加される。基板上に接着を促
進するよう又は接着促進層を提供するよう基板表面を処
理することが好ましい。
二の基板２０１に対して第一の基板２００にコーティン
グとして堆積された材料を転写し、それは開口２０４を
通して作用する放射熱２０３により示されるように熱源
２０２での加熱によりなされる配置を示す。カラーフィ
ルタ配列は染料受容ポリマーを全く必要とせずに蒸発し
た色素を用いて製造される。そのようなカラーフィルタ
配列を製造するために、典型的なプロセスは以下の通り
である：フォトレジスト層はガラス又は他の透明材料の
ような基板上にコーティングされる。その後にフォトレ
ジストは色素材料を受容するよう選択された領域にわた
る開口の配置を形成するようパターン化される。次に一
般に有機染料又は顔料である色素はパターン化されたフ
ォトレジスト層にわたり堆積され、選択された領域にわ
たる開口に色素材料を堆積する。次にリフトオフ処理が
なされ、パターン化されたフォトレジスト層及びフォト
レジスト層上にオーバーレイされた色素材料は基板から
除去される。リフトオフ溶剤はそれが色素材料にいかな
る影響も与えずにフォトレジスト層を溶解又は柔軟化す
るように選択される。あるいは超音波バス技術が用いら
れてもよい。この技術で基板は溶剤のバスに浸漬され、
超音波エネルギーが色素材料を選択された領域に残し
て、フォトレジスト層及びオーバーレイ色素材料を効果
的に除去するようバスに印加される。基板上に接着を促
進するよう又は接着促進層を提供するよう基板表面を処
理することが好ましい。
【００１４】リフトオフ処理はより詳細には以下の通り
である：フォトレジスト層は次に材料を堆積する所望の
場所を開くために適切な波長の電磁気的な放射への画像
毎の露出と、それに続く現像によりパターン化される。
材料は開かれた領域と残りのフォトレジストの両方に堆
積され、それに続きフォトレジストが下にある基板から
分離され、所望の堆積が所定の位置に残るようリフトオ
フするよう溶媒内で溶解され、又は膨張するようにされ
る。リフトオフ処理及び用いられる典型的な材料の説明
はニューヨークのＰｌｅｎｕｍ Ｐｒｅｓｓから１９８
９年に出版されたＷ．Ｍ．Ｍｏｒｅａｎによる「半導体
リソグラフィ」、の１２章に記載されている。
である：フォトレジスト層は次に材料を堆積する所望の
場所を開くために適切な波長の電磁気的な放射への画像
毎の露出と、それに続く現像によりパターン化される。
材料は開かれた領域と残りのフォトレジストの両方に堆
積され、それに続きフォトレジストが下にある基板から
分離され、所望の堆積が所定の位置に残るようリフトオ
フするよう溶媒内で溶解され、又は膨張するようにされ
る。リフトオフ処理及び用いられる典型的な材料の説明
はニューヨークのＰｌｅｎｕｍ Ｐｒｅｓｓから１９８
９年に出版されたＷ．Ｍ．Ｍｏｒｅａｎによる「半導体
リソグラフィ」、の１２章に記載されている。
【００１５】図３を参照するに透明基板３００が示さ
れ、領域３０１は色素材料を受容し、それを通してフィ
ルタされた光が通過することが示される。当業者にはよ
く知られているように基板は異なる層により構成され
る。図４を参照するに接着促進層３０２は有機ポリマー
のスピンコーティング又はスピンオングラス、又は化学
蒸着を含む多くの技術により形成される。接着促進層３
０２は画素上の接着促進層３０２に凹部を形成するよう
パターン化される。あるいは接着促進層３０２はパター
ン化されたフォトレジスト層３０３の形成後に塗布され
てもよい。
れ、領域３０１は色素材料を受容し、それを通してフィ
ルタされた光が通過することが示される。当業者にはよ
く知られているように基板は異なる層により構成され
る。図４を参照するに接着促進層３０２は有機ポリマー
のスピンコーティング又はスピンオングラス、又は化学
蒸着を含む多くの技術により形成される。接着促進層３
０２は画素上の接着促進層３０２に凹部を形成するよう
パターン化される。あるいは接着促進層３０２はパター
ン化されたフォトレジスト層３０３の形成後に塗布され
てもよい。
【００１６】図５を参照するに、スピンコーティングさ
れたフォトレジスト層３０３は選択された領域３０４に
わたり開口を提供するようパターン化される。そのよう
なパターン化技術は当業者にはよく知られている。典型
的にはフォトレジスト層３０３はその特定の領域を照明
する光に画像的（ｉｍａｇｅｗｉｓｅ）に露出される。
それから現像段階は所望のパターンを提供するよう選択
された領域３０４にわたり開口を形成されるよう用いら
れる。
れたフォトレジスト層３０３は選択された領域３０４に
わたり開口を提供するようパターン化される。そのよう
なパターン化技術は当業者にはよく知られている。典型
的にはフォトレジスト層３０３はその特定の領域を照明
する光に画像的（ｉｍａｇｅｗｉｓｅ）に露出される。
それから現像段階は所望のパターンを提供するよう選択
された領域３０４にわたり開口を形成されるよう用いら
れる。
【００１７】図６に示されるように第二の基板３０５が
提供され、色素を有する層３０６が基板３０５上に形成
される（この基板は典型的にはステンレススチールであ
るが、熱に強い他の基板材料も用いられる）。典型的に
は色素層３０６は物理的蒸着により形成され、これは色
素より高い揮発性を有する材料を含まない制御された厚
さの均一な層を提供する。色素層３０６は熱のようなエ
ネルギーの印加で転写可能な有機色素材料である。本発
明の好ましい実施例では色素材料は減少された圧力下で
加熱により蒸発し、一定の速度で熱源上を通過するステ
ンレススチール箔の移動する細片上に凝集する。
提供され、色素を有する層３０６が基板３０５上に形成
される（この基板は典型的にはステンレススチールであ
るが、熱に強い他の基板材料も用いられる）。典型的に
は色素層３０６は物理的蒸着により形成され、これは色
素より高い揮発性を有する材料を含まない制御された厚
さの均一な層を提供する。色素層３０６は熱のようなエ
ネルギーの印加で転写可能な有機色素材料である。本発
明の好ましい実施例では色素材料は減少された圧力下で
加熱により蒸発し、一定の速度で熱源上を通過するステ
ンレススチール箔の移動する細片上に凝集する。
【００１８】図７を参照するに、第二の基板３０５及び
色素層３０６は基板３００及び選択された領域３０４に
関して配置されるのが示される。プロセスでは色素層３
０６の実質的に全てが基板３０５及び選択された領域３
０４上に転写されることが望ましい。図８に示されるよ
うに転写された色素材料はここで符号３０７で表され
る。この転写を提供するために熱が基板３０５に印加さ
れる。典型的に基板３０５は鉄又はアルミニウムのよう
な材料、ポリイミドフィルムのような耐熱性プラスチッ
クにより構成される。加熱はしばしば基板３０５のコー
トされていない側を基板３０５又は色素層３０６により
吸収及び放射のない崩壊プロセスにより熱に変換される
波長の電磁波照射に曝すことによりなされる。電磁気的
放射は延在されたランプソースからのように同時に大き
な領域にわたり印加され、又はそれはレーザーによるよ
うなスキャンされたビームを印加するようにしてなされ
る。画像毎の光露出は加熱及び色素層３０６の部分のみ
の転写に用いられる。色素材料を転写するために基板３
０５を加熱するために用いられる他の方法は特に基板３
０５が全部又は部分的に金属で形成されているときに基
板３０５に電流を通過させることによる。更に他方法は
基板３０５は金属ブロック、高温ローラー又は所望の温
度に余熱又は加熱され、直接熱接触により基板３０５に
熱を転送可能な他の装置と直接接触することにより加熱
される。色素の転写のための典型的な距離及び圧力は約
０．１Ｔｏｒｒ以下の圧力で約０．１ｍｍから３ｍｍ、
約０．００１Ｔｏｒｒ以下の圧力で約５０ｍｍまでの距
離である。
色素層３０６は基板３００及び選択された領域３０４に
関して配置されるのが示される。プロセスでは色素層３
０６の実質的に全てが基板３０５及び選択された領域３
０４上に転写されることが望ましい。図８に示されるよ
うに転写された色素材料はここで符号３０７で表され
る。この転写を提供するために熱が基板３０５に印加さ
れる。典型的に基板３０５は鉄又はアルミニウムのよう
な材料、ポリイミドフィルムのような耐熱性プラスチッ
クにより構成される。加熱はしばしば基板３０５のコー
トされていない側を基板３０５又は色素層３０６により
吸収及び放射のない崩壊プロセスにより熱に変換される
波長の電磁波照射に曝すことによりなされる。電磁気的
放射は延在されたランプソースからのように同時に大き
な領域にわたり印加され、又はそれはレーザーによるよ
うなスキャンされたビームを印加するようにしてなされ
る。画像毎の光露出は加熱及び色素層３０６の部分のみ
の転写に用いられる。色素材料を転写するために基板３
０５を加熱するために用いられる他の方法は特に基板３
０５が全部又は部分的に金属で形成されているときに基
板３０５に電流を通過させることによる。更に他方法は
基板３０５は金属ブロック、高温ローラー又は所望の温
度に余熱又は加熱され、直接熱接触により基板３０５に
熱を転送可能な他の装置と直接接触することにより加熱
される。色素の転写のための典型的な距離及び圧力は約
０．１Ｔｏｒｒ以下の圧力で約０．１ｍｍから３ｍｍ、
約０．００１Ｔｏｒｒ以下の圧力で約５０ｍｍまでの距
離である。
【００１９】図９はリフトオフプロセスの後のカラーフ
ィルタ配列を示す。リフトオフプロセスはフォトレジス
ト層３０３の望ましくない部分及びフォトレジスト層３
０３の望ましくない部分の上の色素材料３０７の部分を
除去し、後に色素材料３０８を選択された領域上に残す
ために必要とされる。複数の色でカラーフィルタ配列を
製造するために上記の段階は画素上に堆積される各新た
な色素層を繰り返すために必要である。
ィルタ配列を示す。リフトオフプロセスはフォトレジス
ト層３０３の望ましくない部分及びフォトレジスト層３
０３の望ましくない部分の上の色素材料３０７の部分を
除去し、後に色素材料３０８を選択された領域上に残す
ために必要とされる。複数の色でカラーフィルタ配列を
製造するために上記の段階は画素上に堆積される各新た
な色素層を繰り返すために必要である。
【００２０】代替的な方法ではフォトレジスト層が透明
な基板上にコーティングされ、続けてパターン化された
後に基板はマスクとしてパターン化されたフォトレジス
トを用いてエッチングされる。基板上に接着促進層が存
在する場合には接着促進層のみをエッチングすることが
好ましい。それから色素材料はエッチング段階が用いら
れる場合にはパターン化されたフォトレジスト層、フォ
トレジストの開口、接着促進層及び基板の凹部にわたり
堆積される。その後にリフトオフプロセスはパターン化
されたフォトレジスト層及びオーバーレイ色素材料を除
去するために用いられる。
な基板上にコーティングされ、続けてパターン化された
後に基板はマスクとしてパターン化されたフォトレジス
トを用いてエッチングされる。基板上に接着促進層が存
在する場合には接着促進層のみをエッチングすることが
好ましい。それから色素材料はエッチング段階が用いら
れる場合にはパターン化されたフォトレジスト層、フォ
トレジストの開口、接着促進層及び基板の凹部にわたり
堆積される。その後にリフトオフプロセスはパターン化
されたフォトレジスト層及びオーバーレイ色素材料を除
去するために用いられる。
【００２１】図１０を参照するに透明基板４００が示さ
れ、ここで色素材料を受ける領域４０１と続けてエッチ
ングされる接着促進層４０２が示される。当業者にはよ
く知られているが基板（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）という用
語は異なる層からの構成物を含む。図１１を参照するに
フォトレジスト４０３の層が接着促進層４０２上に形成
される。
れ、ここで色素材料を受ける領域４０１と続けてエッチ
ングされる接着促進層４０２が示される。当業者にはよ
く知られているが基板（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）という用
語は異なる層からの構成物を含む。図１１を参照するに
フォトレジスト４０３の層が接着促進層４０２上に形成
される。
【００２２】図１２に示されるようにフォトレジストは
選択された領域４０４にわたり開口を形成し、接着促進
層４０２の残りの部分にわたりパターン化されたフォト
レジスト層４０５を残すよう露光され、現像される。図
１３に示されるようにパターン化されたフォトレジスト
層４０５の開口はここで符号４０６で示される下の層に
凹部のパターンを形成するよう下にある層のエッチング
用にマスクとして用いられる。
選択された領域４０４にわたり開口を形成し、接着促進
層４０２の残りの部分にわたりパターン化されたフォト
レジスト層４０５を残すよう露光され、現像される。図
１３に示されるようにパターン化されたフォトレジスト
層４０５の開口はここで符号４０６で示される下の層に
凹部のパターンを形成するよう下にある層のエッチング
用にマスクとして用いられる。
【００２３】図１４に示されるように色素材料は色素材
料４０７を得るようパターン化されたフォトレジスト層
４０５及び下の層４０６の凹部上に堆積される。図１５
を参照するに選択された領域４０４上にない色素材料４
０７の一部分及びパターン化されたフォトレジスト層４
０５はパターン化されたフォトレジスト層４０６及び色
素材料４０７を選択された領域４０４上に残すためにリ
フトオフプロセスにより除去される。
料４０７を得るようパターン化されたフォトレジスト層
４０５及び下の層４０６の凹部上に堆積される。図１５
を参照するに選択された領域４０４上にない色素材料４
０７の一部分及びパターン化されたフォトレジスト層４
０５はパターン化されたフォトレジスト層４０６及び色
素材料４０７を選択された領域４０４上に残すためにリ
フトオフプロセスにより除去される。
【００２４】カラーフィルタ配列を複数の色で形成する
ために段階１１から１５は順次選択された画素にわたり
堆積される新たな色素層それぞれに対して繰り返される
必要がある。図１６を参照するに、基板５００が示さ
れ、ここで示された領域５０１は色素材料を受容する。
基板５００は異なる層の複合物でありうる。
ために段階１１から１５は順次選択された画素にわたり
堆積される新たな色素層それぞれに対して繰り返される
必要がある。図１６を参照するに、基板５００が示さ
れ、ここで示された領域５０１は色素材料を受容する。
基板５００は異なる層の複合物でありうる。
【００２５】図１７に示されるように、順次エッチング
される接着促進層５０２は基板５００及び選択された領
域５０１上に形成され、フォトレジスト５０３の層はそ
の上に形成される。図１８に示されるように、フォトレ
ジスト層５０３は接着促進層５０２の残りにわたりパタ
ーン化されたフォトレジスト層５０４を残すように選択
された領域５０１にわたり開口を形成するよう露光さ
れ、現像される。
される接着促進層５０２は基板５００及び選択された領
域５０１上に形成され、フォトレジスト５０３の層はそ
の上に形成される。図１８に示されるように、フォトレ
ジスト層５０３は接着促進層５０２の残りにわたりパタ
ーン化されたフォトレジスト層５０４を残すように選択
された領域５０１にわたり開口を形成するよう露光さ
れ、現像される。
【００２６】図１９に示されるように、パターン化され
たフォトレジスト層５０４の開口はその下の接着促進層
５０２に凹部５０５のパターンを形成するようその下の
層のエッチング用のマスクとして用いられる。図２０に
示されるように、第二のフォトレジスト層５０６はパタ
ーン化されたフォトレジスト層５０４及び接着促進層５
０２の凹部に形成され、第二のフォトレジスト層５０６
は第二の選択された領域５０７にわたる開口を形成する
よう露光され、現像される。
たフォトレジスト層５０４の開口はその下の接着促進層
５０２に凹部５０５のパターンを形成するようその下の
層のエッチング用のマスクとして用いられる。図２０に
示されるように、第二のフォトレジスト層５０６はパタ
ーン化されたフォトレジスト層５０４及び接着促進層５
０２の凹部に形成され、第二のフォトレジスト層５０６
は第二の選択された領域５０７にわたる開口を形成する
よう露光され、現像される。
【００２７】図２１に示されるように、色素層５０８は
第二の基板５０９上に形成される。図２２に示されるよ
うに、第二の基板５０９及び色素層５０８は色素材料が
基板５０９及び第二の選択された領域５０７上に転写さ
れるように基板５００及び第二の選択された領域５０７
に関して配置される。図２３に示されるように、ここで
５１０で示される色素材料はパターン化された第二のフ
ォトレジスト層５０６及び接着促進層５０２の凹部に転
写される。
第二の基板５０９上に形成される。図２２に示されるよ
うに、第二の基板５０９及び色素層５０８は色素材料が
基板５０９及び第二の選択された領域５０７上に転写さ
れるように基板５００及び第二の選択された領域５０７
に関して配置される。図２３に示されるように、ここで
５１０で示される色素材料はパターン化された第二のフ
ォトレジスト層５０６及び接着促進層５０２の凹部に転
写される。
【００２８】図２４に示されるように、パターン化され
たフォトレジスト層５０４、パターン化された第二のフ
ォトレジスト層５０６、その上の色素材料は接着促進層
５０２で、第二の選択された領域５０７にわたる凹部５
０５に色素材料５１０を残すようリフトオフプロセスに
より除去される。複数の色を有するカラーフィルタ配列
を製造するために段階２０から２４は順次選択された画
素にわたり堆積される新たな色素層それぞれに対して繰
り返される必要がある。
たフォトレジスト層５０４、パターン化された第二のフ
ォトレジスト層５０６、その上の色素材料は接着促進層
５０２で、第二の選択された領域５０７にわたる凹部５
０５に色素材料５１０を残すようリフトオフプロセスに
より除去される。複数の色を有するカラーフィルタ配列
を製造するために段階２０から２４は順次選択された画
素にわたり堆積される新たな色素層それぞれに対して繰
り返される必要がある。
【００２９】図３から９、１０から１５、１６から２４
に示されるプロセスで好ましい色素は以下のものを含
む：ピグメントブルー１５、ニッケルフタロシアニン
（ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、クロロアルミニウ
ムフタロシアニン、ヒドロオキシアルミニウムフタロシ
アニン、バナジルフタロシアニン、チタニルフタロシア
ニン、チタニルテトラフルオロフタロシアニンのような
フタロシアニン；ピグメントイエロー１１０、ピグメン
トイエロー１８５のようなイソインドリノン（ｉｓｏｉ
ｎｄｏｌｉｎｏｎｅ）；ピグメントイエロー１５１、ピ
グメントイエロー１５４、ピグメントイエロー１７５、
ピグメントイエロー１９４、ピグメントオレンジ３６、
ピグメントオレンジ６２、ピグメントレッド１７５、ピ
グメントレッド２０８のようなベンズイミダゾロン（ｂ
ｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｏｎｅ）；ピグメントイエロー
１３８のようなキノフタロン（ｑｕｉｎｏｐｈｔｈａｌ
ｏｎｅ）；ピグメントレッド１２２、ピグメントレッド
２０２、ピグメントバイオレット１９のようなキナクリ
ドン（ｑｕｉｎａｃｒｉｄｏｎｅ）；ピグメントレッド
１２３、ピグメントレッド１４９、ピグメント１７９、
ピグメントレッド２２４、ピグメントバイオレット２９
のようなペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）；ピグメントバ
イオレット２３のようなジオクサジン（ｄｉｏｘａｚｉ
ｎｅ）ピグメントレッド８８、ピグメントバイオレット
３８のようなチオインディゴ（ｔｈｉｏｉｄｉｇｏ）；
２，８−ジフルオロエピンドリジオンのようなエピンド
リジオン（ｅｐｉｎｄｏｌｉｄｉｏｎｅ）；ピグメント
レッド１６８のようなアンサンスロン（ａｎｔｈａｎｔ
ｈｒｏｎｅ）；イソバイオランスロンのようなイソバイ
オランスロン（ｉｓｏｖｉｏｌａｎｔｈｒｏｎｅ）；ピ
グメントイブルー６０のようなインダンスロン（ｉｎｄ
ａｎｔｈｒｏｎｅ）；ピグメントイエロー１９２のよう
なイミダゾベンジイミダゾロン（ｉｍｉｄａｚｏｂｅｎ
ｚｉｍｉｄａｚｏｌｏｎｅ）；ピグメントオレンジ６７
のようなピラゾロキナゾロン（ｐｙｒａｚｏｌｏｑｕｉ
ｎａｚｏｌｏｎｅ）；ピグメントレッド２５４、Ｉｒｇ
ａｚｉｎ ＤＰＰ Ｒｕｂｉｎ ＴＲ，Ｃｒｏｍｏｐｈ
ｔａｌ ＤＰＰ Ｏｒａｎｇｅ ＴＲのようなジケトピ
ロロロピロロール（ｄｉｋｅｔｏｐｙｒｒｏｌｏｐｙｒ
ｒｏｌｅ）；Ｃｈｒｏｍｏｐｈｔａｌ ＤＰＰ Ｆｌａ
ｍｅ Ｒｅｄ ＦＰ（全てチバガイギー社）；ピグメン
トレッド１７７のようなビスアミノアントロン（ｂｉｓ
ａｍｉｎｏａｎｔｈｒｏｎｅ）。
に示されるプロセスで好ましい色素は以下のものを含
む：ピグメントブルー１５、ニッケルフタロシアニン
（ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、クロロアルミニウ
ムフタロシアニン、ヒドロオキシアルミニウムフタロシ
アニン、バナジルフタロシアニン、チタニルフタロシア
ニン、チタニルテトラフルオロフタロシアニンのような
フタロシアニン；ピグメントイエロー１１０、ピグメン
トイエロー１８５のようなイソインドリノン（ｉｓｏｉ
ｎｄｏｌｉｎｏｎｅ）；ピグメントイエロー１５１、ピ
グメントイエロー１５４、ピグメントイエロー１７５、
ピグメントイエロー１９４、ピグメントオレンジ３６、
ピグメントオレンジ６２、ピグメントレッド１７５、ピ
グメントレッド２０８のようなベンズイミダゾロン（ｂ
ｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｏｎｅ）；ピグメントイエロー
１３８のようなキノフタロン（ｑｕｉｎｏｐｈｔｈａｌ
ｏｎｅ）；ピグメントレッド１２２、ピグメントレッド
２０２、ピグメントバイオレット１９のようなキナクリ
ドン（ｑｕｉｎａｃｒｉｄｏｎｅ）；ピグメントレッド
１２３、ピグメントレッド１４９、ピグメント１７９、
ピグメントレッド２２４、ピグメントバイオレット２９
のようなペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）；ピグメントバ
イオレット２３のようなジオクサジン（ｄｉｏｘａｚｉ
ｎｅ）ピグメントレッド８８、ピグメントバイオレット
３８のようなチオインディゴ（ｔｈｉｏｉｄｉｇｏ）；
２，８−ジフルオロエピンドリジオンのようなエピンド
リジオン（ｅｐｉｎｄｏｌｉｄｉｏｎｅ）；ピグメント
レッド１６８のようなアンサンスロン（ａｎｔｈａｎｔ
ｈｒｏｎｅ）；イソバイオランスロンのようなイソバイ
オランスロン（ｉｓｏｖｉｏｌａｎｔｈｒｏｎｅ）；ピ
グメントイブルー６０のようなインダンスロン（ｉｎｄ
ａｎｔｈｒｏｎｅ）；ピグメントイエロー１９２のよう
なイミダゾベンジイミダゾロン（ｉｍｉｄａｚｏｂｅｎ
ｚｉｍｉｄａｚｏｌｏｎｅ）；ピグメントオレンジ６７
のようなピラゾロキナゾロン（ｐｙｒａｚｏｌｏｑｕｉ
ｎａｚｏｌｏｎｅ）；ピグメントレッド２５４、Ｉｒｇ
ａｚｉｎ ＤＰＰ Ｒｕｂｉｎ ＴＲ，Ｃｒｏｍｏｐｈ
ｔａｌ ＤＰＰ Ｏｒａｎｇｅ ＴＲのようなジケトピ
ロロロピロロール（ｄｉｋｅｔｏｐｙｒｒｏｌｏｐｙｒ
ｒｏｌｅ）；Ｃｈｒｏｍｏｐｈｔａｌ ＤＰＰ Ｆｌａ
ｍｅ Ｒｅｄ ＦＰ（全てチバガイギー社）；ピグメン
トレッド１７７のようなビスアミノアントロン（ｂｉｓ
ａｍｉｎｏａｎｔｈｒｏｎｅ）。
【００３０】
【実施例】本発明は以下のように実施される。例１ 市販の銅フタロシアニンはそれを含むタンタルのボート
に電流を通すことにより加熱され、一方真空のベルジャ
ーで約６ｘ１０-5Ｔｏｒｒの減少された圧力を維持し
た。約０．２ミクロンのフタロシアニンが約２５ミクロ
ンの厚さを有するステンレススチール箔の一部分に堆積
された。コーティングされた箔はＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔ
ｒｏｎｉｃｓ Ｃｈｅｍｉｃａｌ社の１ミクロンのポリ
（メチルグルタルイミド）、”ＰＭＧＩ”でスピンコー
トされているシリコンウエーハから約３ｍｍ離れたとこ
ろに置かれ、次にパターン化され、現像されるフォトレ
ジストＡＺ５２１４ＩＲ（ヘキストセラニーズ社）を約
１．３ミクロンコーティングされ、箔のコーティングさ
れない側は３０ｍｍ離間されている熱ランプ（ゼネラル
エレクトリック社、部品番号ＱＨ５００Ｔ３／ＣＬ）の
列から約２５ｍｍの位置に置かれる。組立体は約６ｘ１
０Ｅ−５Ｔｏｒｒの真空に曝され、熱ランプはフタロシ
アニンをシリコンウエーハに転写するために６０秒間給
電される。水が真空容器から除去され、Ｂｒａｎｓｏｎ
社のモデル３２００超音波バスを用いて９０秒間アセト
ンのトレーで超音波に曝される。フォトレジストはこの
処理により完全に除去され、完全な銅フタロシアニンの
所望のパターンが残された。例２ 市販の銅フタロシアニンはそれを含むタンタルのボート
に電流を通すことにより加熱され、一方真空のベルジャ
ーで約６ｘ１０Ｅ−５Ｔｏｒｒの減少された圧力を維持
した。約０．２ミクロンのフタロシアニンが約２５ミク
ロンの厚さを有するステンレススチール箔の一部分に堆
積された。コーティングされた箔はガラス基板から約３
ｍｍの距離に置かれ、箔は２つの電極間に挟持された。
組立体は約０．１Ｔｏｒｒの真空に曝され、箔の端が約
２６０゜Ｃの温度に到達して、フタロシアニンをガラス
基板に転写するために約１０秒間（３０ボルトで）箔を
通して電流を流した。
に電流を通すことにより加熱され、一方真空のベルジャ
ーで約６ｘ１０-5Ｔｏｒｒの減少された圧力を維持し
た。約０．２ミクロンのフタロシアニンが約２５ミクロ
ンの厚さを有するステンレススチール箔の一部分に堆積
された。コーティングされた箔はＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔ
ｒｏｎｉｃｓ Ｃｈｅｍｉｃａｌ社の１ミクロンのポリ
（メチルグルタルイミド）、”ＰＭＧＩ”でスピンコー
トされているシリコンウエーハから約３ｍｍ離れたとこ
ろに置かれ、次にパターン化され、現像されるフォトレ
ジストＡＺ５２１４ＩＲ（ヘキストセラニーズ社）を約
１．３ミクロンコーティングされ、箔のコーティングさ
れない側は３０ｍｍ離間されている熱ランプ（ゼネラル
エレクトリック社、部品番号ＱＨ５００Ｔ３／ＣＬ）の
列から約２５ｍｍの位置に置かれる。組立体は約６ｘ１
０Ｅ−５Ｔｏｒｒの真空に曝され、熱ランプはフタロシ
アニンをシリコンウエーハに転写するために６０秒間給
電される。水が真空容器から除去され、Ｂｒａｎｓｏｎ
社のモデル３２００超音波バスを用いて９０秒間アセト
ンのトレーで超音波に曝される。フォトレジストはこの
処理により完全に除去され、完全な銅フタロシアニンの
所望のパターンが残された。例２ 市販の銅フタロシアニンはそれを含むタンタルのボート
に電流を通すことにより加熱され、一方真空のベルジャ
ーで約６ｘ１０Ｅ−５Ｔｏｒｒの減少された圧力を維持
した。約０．２ミクロンのフタロシアニンが約２５ミク
ロンの厚さを有するステンレススチール箔の一部分に堆
積された。コーティングされた箔はガラス基板から約３
ｍｍの距離に置かれ、箔は２つの電極間に挟持された。
組立体は約０．１Ｔｏｒｒの真空に曝され、箔の端が約
２６０゜Ｃの温度に到達して、フタロシアニンをガラス
基板に転写するために約１０秒間（３０ボルトで）箔を
通して電流を流した。
【００３１】
【発明の効果】本発明の利点は大きな範囲にわたる高品
質な均一性を有する蒸発性の材料の効果的な使用を含
む。他の利点は層の厚さの正確な制御が可能であり、堆
積真空容器のメンテナンスが少なくて済むことである。
加えて本発明は転写色素コーティングの調製中に色素の
蒸発による精製がなされ、これは次の堆積プロセスに対
して最小のモニタリングしか必要としない。更にまたよ
り高い圧力及びより小さな真空容器でのコーティングを
可能にし、これにより標準的なＰＶＤ技術に対して、よ
り速いサイクル時間とより低いコストの真空装置の使用
を許容する。
質な均一性を有する蒸発性の材料の効果的な使用を含
む。他の利点は層の厚さの正確な制御が可能であり、堆
積真空容器のメンテナンスが少なくて済むことである。
加えて本発明は転写色素コーティングの調製中に色素の
蒸発による精製がなされ、これは次の堆積プロセスに対
して最小のモニタリングしか必要としない。更にまたよ
り高い圧力及びより小さな真空容器でのコーティングを
可能にし、これにより標準的なＰＶＤ技術に対して、よ
り速いサイクル時間とより低いコストの真空装置の使用
を許容する。
【図１】従来の物理的蒸着（ＰＶＤ）用の典型的な配置
を示す。
を示す。
【図２】本発明による最終基板に対して中間基板から材
料を熱転写するための典型的な配置を示す。
料を熱転写するための典型的な配置を示す。
【図３】カラーフィルタ配列を製造する本発明による方
法の段階を示す。
法の段階を示す。
【図４】カラーフィルタ配列を製造する本発明による方
法の段階を示す。
法の段階を示す。
【図５】カラーフィルタ配列を製造する本発明による方
法の段階を示す。
法の段階を示す。
【図６】カラーフィルタ配列を製造する本発明による方
法の段階を示す。
法の段階を示す。
【図７】カラーフィルタ配列を製造する本発明による方
法の段階を示す。
法の段階を示す。
【図８】カラーフィルタ配列を製造する本発明による方
法の段階を示す。
法の段階を示す。
【図９】カラーフィルタ配列を製造する本発明による方
法の段階を示す。
法の段階を示す。
【図１０】図３から９に示されたのと類似のカラーフィ
ルタ配列を製造する本発明による方法の段階を示す。
ルタ配列を製造する本発明による方法の段階を示す。
【図１１】図３から９に示されたのと類似のカラーフィ
ルタ配列を製造する本発明による方法の段階を示す。
ルタ配列を製造する本発明による方法の段階を示す。
【図１２】図３から９に示されたのと類似のカラーフィ
ルタ配列を製造する本発明による方法の段階を示す。
ルタ配列を製造する本発明による方法の段階を示す。
【図１３】図３から９に示されたのと類似のカラーフィ
ルタ配列を製造する本発明による方法の段階を示す。
ルタ配列を製造する本発明による方法の段階を示す。
【図１４】図３から９に示されたのと類似のカラーフィ
ルタ配列を製造する本発明による方法の段階を示す。
ルタ配列を製造する本発明による方法の段階を示す。
【図１５】図３から９に示されたのと類似のカラーフィ
ルタ配列を製造する本発明による方法の段階を示す。
ルタ配列を製造する本発明による方法の段階を示す。
【図１６】図１０から１５に示されたのと類似のカラー
フィルタ配列を製造する本発明による方法の段階を示
す。
フィルタ配列を製造する本発明による方法の段階を示
す。
【図１７】図１０から１５に示されたのと類似のカラー
フィルタ配列を製造する本発明による方法の段階を示
す。
フィルタ配列を製造する本発明による方法の段階を示
す。
【図１８】図１０から１５に示されたのと類似のカラー
フィルタ配列を製造する本発明による方法の段階を示
す。
フィルタ配列を製造する本発明による方法の段階を示
す。
【図１９】図１０から１５に示されたのと類似のカラー
フィルタ配列を製造する本発明による方法の段階を示
す。
フィルタ配列を製造する本発明による方法の段階を示
す。
【図２０】図１０から１５に示されたのと類似のカラー
フィルタ配列を製造する本発明による方法の段階を示
す。
フィルタ配列を製造する本発明による方法の段階を示
す。
【図２１】図１０から１５に示されたのと類似のカラー
フィルタ配列を製造する本発明による方法の段階を示
す。
フィルタ配列を製造する本発明による方法の段階を示
す。
【図２２】図１０から１５に示されたのと類似のカラー
フィルタ配列を製造する本発明による方法の段階を示
す。
フィルタ配列を製造する本発明による方法の段階を示
す。
【図２３】図１０から１５に示されたのと類似のカラー
フィルタ配列を製造する本発明による方法の段階を示
す。
フィルタ配列を製造する本発明による方法の段階を示
す。
【図２４】図１０から１５に示されたのと類似のカラー
フィルタ配列を製造する本発明による方法の段階を示
す。
フィルタ配列を製造する本発明による方法の段階を示
す。
１００、２０２ 熱源 １０２、２００、２０１、３００、３０５、４００、５
００、５０９ 基板 １０３ 路 １０４、１０５ マスク ２０３ 放射熱 ２０４ 開口 ３０１、４０１、５０１ 領域 ３０２、４０２、５０２ 接着促進層 ３０３、４０３、５０３、５０４、５０６ フォトレジ
スト層 ３０４、４０４ 選択された領域 ３０６、５０８ 色素層 ３０７、３０８、４０７、５１０ 色素材料 ４０６ アンダーレイ層 ５０５ 凹部 ５０７ 第二の選択された領域
００、５０９ 基板 １０３ 路 １０４、１０５ マスク ２０３ 放射熱 ２０４ 開口 ３０１、４０１、５０１ 領域 ３０２、４０２、５０２ 接着促進層 ３０３、４０３、５０３、５０４、５０６ フォトレジ
スト層 ３０４、４０４ 選択された領域 ３０６、５０８ 色素層 ３０７、３０８、４０７、５１０ 色素材料 ４０６ アンダーレイ層 ５０５ 凹部 ５０７ 第二の選択された領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロバート ジー スパーン アメリカ合衆国，ニューヨーク 14580, ウェブスター，ハイタワー・ウェイ 716
Claims (5)
- 【請求項１】ａ） 第一の基板の選択された領域にわた
り開口を形成するために第一の基板上にフォトレジスト
層を堆積し、パターン化し； ｂ） 第二の基板上に熱転写可能な色素材料を有する転
写色素層を設け、熱転写色素層が転写可能な関係にある
が、第一の基板から離間して第二の基板を位置決めし； ｃ） 第二の基板を実質的に全ての熱転写色素材料が第
一の基板上のパターン化されたフォトレジストに離間し
た距離を越えて転写するように充分加熱し； ｄ） パターン化されたフォトレジスト層を第一の基板
の選択された領域にわたり開口の位置に熱転写可能な色
素材料を後に残すように除去する各段階からなる、第一
の基板上にカラーフィルタ配列を製造する方法。 - 【請求項２】ａ） 第一の基板の選択された領域にわた
り開口を形成するために第一の基板上にフォトレジスト
層を堆積し、パターン化し； ｂ） 第一の基板の凹部のパターンを形成するためにマ
スクとして用いるパターン化されたフォトレジスト層の
開口を通してエッチングし； ｃ） 第二の基板上に熱転写可能な色素材料を有する転
写色素層を設け、熱転写色素層が転写可能な関係にある
が、第一の基板から離間して第二の基板を位置決めし； ｄ） 第二の基板を実質的に全ての熱転写色素材料が第
一の基板上のパターン化されたフォトレジストに離間し
た距離を越えて転写するように充分加熱し； ｅ） パターン化されたフォトレジスト層を第一の基板
の選択された領域にわたり開口の位置に熱転写可能な色
素材料を後に残すように除去する 各段階からなる、第一の基板上にカラーフィルタ配列を
製造する方法。 - 【請求項３】ａ） 基板の選択された領域にわたり開口
を形成するために第一の基板上にフォトレジスト層を堆
積し、パターン化し； ｂ） 第一の基板の凹部のパターンを形成するためにマ
スクとして用いるパターン化されたフォトレジスト層の
開口を通してエッチングし； ｃ） 第一の基板の第二の選択された領域にわたり開口
を形成するためにパターン化されたフォトレジスト層上
に第二のフォトレジストを配置し、パターン化し； ｄ） 第二の基板上に熱転写可能な色素材料を有する熱
転写色素層を設け、熱転写色素層が転写可能な関係にあ
るが、第一の基板から離間して第二の基板を位置決め
し； ｅ） 第二の基板を実質的に全ての熱転写色素材料が第
一の基板上のパターン化されたフォトレジストに離間さ
れた距離を越えて転写するように充分加熱し； ｆ） 両方のパターン化されたフォトレジスト層を第一
の基板の第二の選択された領域にわたり開口の位置に熱
転写可能な色素材料を後に残すように除去する各段階か
らなる画素の配列を有する第一の基板上にカラーフィル
タ配列を製造する方法。 - 【請求項４】ａ） 配列の画素にわたり選択された開口
を形成するために第一の基板上にフォトレジスト層を堆
積し、パターン化し； ｂ） 第二の基板上に熱転写可能な色素材料を有する色
素層を設け、熱転写色素層が転写可能な関係にあるが、
第一の基板から離間して第二の基板を位置決めし； ｃ） 第二の基板を実質的に全ての熱転写色素材料が第
一の基板上のパターン化されたフォトレジストに離間さ
れた距離を越えて転写するように充分加熱し； ｄ） パターン化されたフォトレジスト層を配列の画素
にわたり選択された開口の位置に熱転写可能な色素材料
を後に残すように除去する 各段階からなる、画素の配列を有する第一の基板上にカ
ラーフィルタ配列を製造する方法。 - 【請求項５】 除去段階は選択された画素にわたり開口
の位置に色素材料を後に残すようにパターン化されたフ
ォトレジスト層をリフトオフすることを含む請求項４記
載の方法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US976219 | 1992-11-25 | ||
| US08/789,590 US5756240A (en) | 1997-01-24 | 1997-01-24 | Method of making color filter arrays by transferring colorant material |
| US789590 | 1997-01-24 | ||
| US08/976,219 US5900339A (en) | 1997-01-24 | 1997-11-21 | Method of making color filter arrays by transferring colorant and lift-off |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10319229A true JPH10319229A (ja) | 1998-12-04 |
Family
ID=27120930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1146598A Pending JPH10319229A (ja) | 1997-01-24 | 1998-01-23 | 色素転写及びリフトオフによりカラーフィルタ配列を製造する方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5900339A (ja) |
| EP (1) | EP0855744A3 (ja) |
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