JPH10302647A - Ａｃ型プラズマディスプレイパネル - Google Patents
Ａｃ型プラズマディスプレイパネルInfo
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- JPH10302647A JPH10302647A JP11073197A JP11073197A JPH10302647A JP H10302647 A JPH10302647 A JP H10302647A JP 11073197 A JP11073197 A JP 11073197A JP 11073197 A JP11073197 A JP 11073197A JP H10302647 A JPH10302647 A JP H10302647A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＡＣ型プラズマディスプレイパネルの表示不
良をなくし、確実で安定な表示動作を行わせる。 【解決手段】 表面基板１の内面に誘電体層２および保
護膜層３で覆われた対を成す走査電極４群と維持電極５
群とを配列し、背面基板６の内面に複数の易放電性絶縁
材料からなる易放電性皮膜層１７で覆われたデータ電極
８群を配列する。易放電性皮膜層１７上にデータ電極８
群と平行して隔壁９群を設ける。隔壁９群の壁面と易放
電性皮膜層１７の表面の一方に蛍光体１０を設けて、走
査電極４群および維持電極５群とデータ電極８群とが直
交するように表面基板１と背面基板６とを放電空間１１
を挟んで対向して配置する。
良をなくし、確実で安定な表示動作を行わせる。 【解決手段】 表面基板１の内面に誘電体層２および保
護膜層３で覆われた対を成す走査電極４群と維持電極５
群とを配列し、背面基板６の内面に複数の易放電性絶縁
材料からなる易放電性皮膜層１７で覆われたデータ電極
８群を配列する。易放電性皮膜層１７上にデータ電極８
群と平行して隔壁９群を設ける。隔壁９群の壁面と易放
電性皮膜層１７の表面の一方に蛍光体１０を設けて、走
査電極４群および維持電極５群とデータ電極８群とが直
交するように表面基板１と背面基板６とを放電空間１１
を挟んで対向して配置する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はテレビおよび広告表
示盤等の画像表示に用いるＡＣ型プラズマディスプレイ
パネルに関するものである。
示盤等の画像表示に用いるＡＣ型プラズマディスプレイ
パネルに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】まず、従来のＡＣ型プラズマディスプレ
イパネルについて、図６を用いて説明する。
イパネルについて、図６を用いて説明する。
【０００３】このパネルは図６に示すように、表面基板
１および背面基板６を、放電空間１１を挟んで対向配置
し、表面基板１の内面には誘電体層２および保護膜層３
で覆われた対をなすストライプ状の走査電極４と維持電
極５とからなる走査維持電極群が平行配列されている。
また、背面基板６の内面には、走査維持電極群と直交す
るように、皮膜層７で覆われたストライプ状のデータ電
極８群が平行配列され、さらに皮膜層７上にデータ電極
８群と平行して隔壁９群が設けられ、少なくとも隔壁９
群の壁面と皮膜層７の表面の一方に蛍光体１０が設けら
れている（図６には蛍光体を一部のみ示す）。
１および背面基板６を、放電空間１１を挟んで対向配置
し、表面基板１の内面には誘電体層２および保護膜層３
で覆われた対をなすストライプ状の走査電極４と維持電
極５とからなる走査維持電極群が平行配列されている。
また、背面基板６の内面には、走査維持電極群と直交す
るように、皮膜層７で覆われたストライプ状のデータ電
極８群が平行配列され、さらに皮膜層７上にデータ電極
８群と平行して隔壁９群が設けられ、少なくとも隔壁９
群の壁面と皮膜層７の表面の一方に蛍光体１０が設けら
れている（図６には蛍光体を一部のみ示す）。
【０００４】このパネルは表面基板１側から画像表示を
見るものであって、誘電体層２は蛍光体１０からの可視
光が透過しやすいように、通常透明なガラスで形成され
ている。また、皮膜層７は、データ電極８群と蛍光体１
０とが反応しないように分離する役目と蛍光体１０から
背面基板６側に出射する可視光を表面基板１側に反射さ
せる役目とを持ち、通常白色のガラス等で形成されてい
る。
見るものであって、誘電体層２は蛍光体１０からの可視
光が透過しやすいように、通常透明なガラスで形成され
ている。また、皮膜層７は、データ電極８群と蛍光体１
０とが反応しないように分離する役目と蛍光体１０から
背面基板６側に出射する可視光を表面基板１側に反射さ
せる役目とを持ち、通常白色のガラス等で形成されてい
る。
【０００５】次に、このパネルの電極配列について図７
を用いて説明する。このパネルの電極配列は、図７に示
すようにＮ行×Ｍ列のマトリックス構成であり、行方向
にはＮ行の維持電極群ＳＵＳ1〜ＳＵＳNおよび走査電極
群ＳＣＮ1〜ＳＣＮNが配列されており、また列方向には
Ｍ列のデータ電極群Ｄ1〜ＤMが配列されている。
を用いて説明する。このパネルの電極配列は、図７に示
すようにＮ行×Ｍ列のマトリックス構成であり、行方向
にはＮ行の維持電極群ＳＵＳ1〜ＳＵＳNおよび走査電極
群ＳＣＮ1〜ＳＣＮNが配列されており、また列方向には
Ｍ列のデータ電極群Ｄ1〜ＤMが配列されている。
【０００６】次に、このパネルの駆動方法について、パ
ネルの駆動タイミング図である図８を用いて説明する。
ネルの駆動タイミング図である図８を用いて説明する。
【０００７】まず、書き込み期間において、データ電極
Ｄ1〜ＤMのうちデータを書き込むデータ電極に正の書き
込みパルス電圧＋Ｖｗ（Ｖ）を印加し、これと同時に、
１行目の走査電極ＳＣＮ1に負の走査パルス電圧−Ｖｓ
（Ｖ）を印加して、データを書き込むデータ電極と１行
目の走査電極ＳＣＮ1との交差部において書き込み放電
を起こし、交差部の保護膜層３上に正電荷を蓄積する。
Ｄ1〜ＤMのうちデータを書き込むデータ電極に正の書き
込みパルス電圧＋Ｖｗ（Ｖ）を印加し、これと同時に、
１行目の走査電極ＳＣＮ1に負の走査パルス電圧−Ｖｓ
（Ｖ）を印加して、データを書き込むデータ電極と１行
目の走査電極ＳＣＮ1との交差部において書き込み放電
を起こし、交差部の保護膜層３上に正電荷を蓄積する。
【０００８】次に、データ電極Ｄ1〜ＤMのうちデータを
書き込むデータ電極に正の書き込みパルス電圧＋Ｖｗ
（Ｖ）を印加し、これと同時に、２行目の走査電極ＳＣ
Ｎ2に負の走査パルス電圧−Ｖｓ（Ｖ）を印加して、デ
ータを書き込むデータ電極と２行目の走査電極ＳＣＮ2
との交差部において書き込み放電を起こし、交差部の保
護膜層３上に正電荷を蓄積する。
書き込むデータ電極に正の書き込みパルス電圧＋Ｖｗ
（Ｖ）を印加し、これと同時に、２行目の走査電極ＳＣ
Ｎ2に負の走査パルス電圧−Ｖｓ（Ｖ）を印加して、デ
ータを書き込むデータ電極と２行目の走査電極ＳＣＮ2
との交差部において書き込み放電を起こし、交差部の保
護膜層３上に正電荷を蓄積する。
【０００９】以上のような動作が順次行われ、最後に、
データ電極Ｄ1〜ＤMのうちデータを書き込むデータ電極
に正の書き込みパルス電圧＋Ｖｗ（Ｖ）を印加し、これ
と同時に、Ｎ行目の走査電極ＳＣＮNに負の走査パルス
電圧−Ｖｓ（Ｖ）を印加し、データを書き込むデータ電
極とＮ行目の走査電極ＳＣＮNとの交差部において書き
込み放電を起こし、交差部の保護膜層３上に正電荷を蓄
積する。
データ電極Ｄ1〜ＤMのうちデータを書き込むデータ電極
に正の書き込みパルス電圧＋Ｖｗ（Ｖ）を印加し、これ
と同時に、Ｎ行目の走査電極ＳＣＮNに負の走査パルス
電圧−Ｖｓ（Ｖ）を印加し、データを書き込むデータ電
極とＮ行目の走査電極ＳＣＮNとの交差部において書き
込み放電を起こし、交差部の保護膜層３上に正電荷を蓄
積する。
【００１０】以上の動作によりパネルの書き込み動作が
行われる。次に、維持期間において、まず全ての維持電
極群ＳＵＳ1〜ＳＵＳNに負の維持パルス電圧−Ｖｓ
（Ｖ）を印加して、書き込み放電を起こした箇所におい
て正電荷による維持放電を開始する。続いて、全ての走
査電極群ＳＣＮ1〜ＳＣＮNに負の維持パルス電圧−Ｖｓ
（Ｖ）を印加する。交互にこの動作を継続して維持パル
ス電圧を印加することにより、書き込み放電を起こした
箇所において、維持放電が継続して行われ、画面の表示
が行われる。
行われる。次に、維持期間において、まず全ての維持電
極群ＳＵＳ1〜ＳＵＳNに負の維持パルス電圧−Ｖｓ
（Ｖ）を印加して、書き込み放電を起こした箇所におい
て正電荷による維持放電を開始する。続いて、全ての走
査電極群ＳＣＮ1〜ＳＣＮNに負の維持パルス電圧−Ｖｓ
（Ｖ）を印加する。交互にこの動作を継続して維持パル
ス電圧を印加することにより、書き込み放電を起こした
箇所において、維持放電が継続して行われ、画面の表示
が行われる。
【００１１】最後の消去期間において、全ての維持電極
群ＳＵＳ1〜ＳＵＳNに負の消去パルス電圧−Ｖｓ（Ｖ）
を印加して、消去放電を起こして維持放電を停止し、画
面の表示を終了する。
群ＳＵＳ1〜ＳＵＳNに負の消去パルス電圧−Ｖｓ（Ｖ）
を印加して、消去放電を起こして維持放電を停止し、画
面の表示を終了する。
【００１２】以上の一連の動作が確実、安定に行われる
ためには、書き込み期間における書き込み放電におい
て、次に続く維持放電が容易に開始できるように、保護
膜層３上に高い電圧で、かつ、多量の正電荷が蓄積され
る必要がある。この観点から、書き込み放電における正
電荷について詳しく説明する。
ためには、書き込み期間における書き込み放電におい
て、次に続く維持放電が容易に開始できるように、保護
膜層３上に高い電圧で、かつ、多量の正電荷が蓄積され
る必要がある。この観点から、書き込み放電における正
電荷について詳しく説明する。
【００１３】図９は図６のＡ−Ａ線に沿って切断した断
面図を示す。この図は、あるデータ電極８とある走査電
極４との交差部を示した断面図である。この図９におい
て、保護膜層３を含む誘電体層２の静電容量をＣｄ
（Ｆ）、放電空間１１の静電容量をＣｇ（Ｆ）、蛍光体
１０の静電容量をＣｐ（Ｆ）、皮膜層７の静電容量をＣ
ｃ（Ｆ）とすると、データ電極８と走査電極４との間の
静電容量の等価回路は図１０のように表される。
面図を示す。この図は、あるデータ電極８とある走査電
極４との交差部を示した断面図である。この図９におい
て、保護膜層３を含む誘電体層２の静電容量をＣｄ
（Ｆ）、放電空間１１の静電容量をＣｇ（Ｆ）、蛍光体
１０の静電容量をＣｐ（Ｆ）、皮膜層７の静電容量をＣ
ｃ（Ｆ）とすると、データ電極８と走査電極４との間の
静電容量の等価回路は図１０のように表される。
【００１４】したがって、図１１（ａ）に示すように、
書き込み期間において、データ電極８に＋Ｖｗ（Ｖ）、
走査電極４に−Ｖｓ（Ｖ）を印加すると、放電空間１１
にかかる電圧ＶｇはＶｇ＝（Ｖｗ＋Ｖｓ）×Ｃｄ×Ｃｐ
×Ｃｃ／（Ｃｇ×Ｃｐ×Ｃｃ＋Ｃｄ×Ｃｐ×Ｃｃ＋Ｃｄ
×Ｃｇ×Ｃｃ＋Ｃｄ×Ｃｇ×Ｃｐ）となり、この電圧Ｖ
ｇが放電開始電圧以上に設定されているので書き込み放
電が起きる。
書き込み期間において、データ電極８に＋Ｖｗ（Ｖ）、
走査電極４に−Ｖｓ（Ｖ）を印加すると、放電空間１１
にかかる電圧ＶｇはＶｇ＝（Ｖｗ＋Ｖｓ）×Ｃｄ×Ｃｐ
×Ｃｃ／（Ｃｇ×Ｃｐ×Ｃｃ＋Ｃｄ×Ｃｐ×Ｃｃ＋Ｃｄ
×Ｃｇ×Ｃｃ＋Ｃｄ×Ｃｇ×Ｃｐ）となり、この電圧Ｖ
ｇが放電開始電圧以上に設定されているので書き込み放
電が起きる。
【００１５】また、図１１（ｂ）に示すように、放電が
始まると放電電流によりＣｄ、Ｃｐ、Ｃｃが充電される
結果、放電空間１１にかかる電圧が低下し、放電停止電
圧Ｖｅになると放電が停止する。このとき、保護膜層３
を含む誘電体層２の静電容量Ｃｄにかかる電圧ＶｄはＶ
ｄ＝（Ｖｗ＋Ｖｓ−Ｖｅ）×Ｃｐ×Ｃｃ／（Ｃｐ×Ｃｃ
＋Ｃｄ×Ｃｃ＋Ｃｄ×Ｃｐ）となり、またＣｄに蓄積さ
れる正電荷ＱｄはＱｄ＝（Ｖｗ＋Ｖｓ−Ｖｅ）×Ｃｄ×
Ｃｐ×Ｃｃ／（Ｃｐ×Ｃｃ＋Ｃｄ×Ｃｃ＋Ｃｄ×Ｃｐ）
となる。これらのＶｄ、Ｑｄが大きい程、上述のパネル
の表示動作が確実、安定に行われる。
始まると放電電流によりＣｄ、Ｃｐ、Ｃｃが充電される
結果、放電空間１１にかかる電圧が低下し、放電停止電
圧Ｖｅになると放電が停止する。このとき、保護膜層３
を含む誘電体層２の静電容量Ｃｄにかかる電圧ＶｄはＶ
ｄ＝（Ｖｗ＋Ｖｓ−Ｖｅ）×Ｃｐ×Ｃｃ／（Ｃｐ×Ｃｃ
＋Ｃｄ×Ｃｃ＋Ｃｄ×Ｃｐ）となり、またＣｄに蓄積さ
れる正電荷ＱｄはＱｄ＝（Ｖｗ＋Ｖｓ−Ｖｅ）×Ｃｄ×
Ｃｐ×Ｃｃ／（Ｃｐ×Ｃｃ＋Ｃｄ×Ｃｃ＋Ｃｄ×Ｃｐ）
となる。これらのＶｄ、Ｑｄが大きい程、上述のパネル
の表示動作が確実、安定に行われる。
【００１６】ここで、Ｖｗ＋Ｖｓ、Ｖｅは放電特性によ
り決まる値であるのでこれらを除外して、Ｖｄ、Ｑｄが
大きくなる条件を検討する。
り決まる値であるのでこれらを除外して、Ｖｄ、Ｑｄが
大きくなる条件を検討する。
【００１７】例えば、Ｃｃがｍ倍（ｍ＞１）になったと
きの保護膜層３を含む誘電体層２の静電容量Ｃｄにかか
る電圧Ｖｄ#およびＣｄに蓄積される正電荷Ｑｄ#と元の
値とを比較するとＶｄ#／Ｖｄ＝Ｑｄ#／Ｑｄ＝１＋（ｍ
−１）×Ｃｄ×Ｃｐ／（Ｃｐ×ｍ×Ｃｃ＋Ｃｄ×ｍ×Ｃ
ｃ＋Ｃｄ×Ｃｐ）＞１となる。上式からＣｄ、Ｃｐ、Ｃ
ｃは対称であるので、ＣｄまたはＣｐがｍ倍（ｍ＞１）
になったときも、Ｖｄ #／Ｖｄ＝Ｑｄ#／Ｑｄ＞１とな
る。
きの保護膜層３を含む誘電体層２の静電容量Ｃｄにかか
る電圧Ｖｄ#およびＣｄに蓄積される正電荷Ｑｄ#と元の
値とを比較するとＶｄ#／Ｖｄ＝Ｑｄ#／Ｑｄ＝１＋（ｍ
−１）×Ｃｄ×Ｃｐ／（Ｃｐ×ｍ×Ｃｃ＋Ｃｄ×ｍ×Ｃ
ｃ＋Ｃｄ×Ｃｐ）＞１となる。上式からＣｄ、Ｃｐ、Ｃ
ｃは対称であるので、ＣｄまたはＣｐがｍ倍（ｍ＞１）
になったときも、Ｖｄ #／Ｖｄ＝Ｑｄ#／Ｑｄ＞１とな
る。
【００１８】したがって、Ｃｄ、Ｃｐ、Ｃｃのいずれか
が大きくなればＶｄ、Ｑｄが大きくなることがわかる。
が大きくなればＶｄ、Ｑｄが大きくなることがわかる。
【００１９】ただし、誘電体層２は透明なガラスで形成
しなければならないのでその誘電率が決まっているた
め、保護膜層３を含む誘電体層２の静電容量Ｃｄを大き
くするためには誘電体層２の厚みを薄くしなければなら
ない。しかし、誘電体層２は書き込み期間における走査
電極４に印加する負の走査パルス電圧−Ｖｓ（Ｖ）に対
する耐電圧を持たさなければならないため、所定の厚み
にしなければならない。
しなければならないのでその誘電率が決まっているた
め、保護膜層３を含む誘電体層２の静電容量Ｃｄを大き
くするためには誘電体層２の厚みを薄くしなければなら
ない。しかし、誘電体層２は書き込み期間における走査
電極４に印加する負の走査パルス電圧−Ｖｓ（Ｖ）に対
する耐電圧を持たさなければならないため、所定の厚み
にしなければならない。
【００２０】また、蛍光体１０の厚みを薄くするとこの
静電容量Ｃｐが大きくなるが、高い輝度を得るために所
定の厚みにしなければならない。
静電容量Ｃｐが大きくなるが、高い輝度を得るために所
定の厚みにしなければならない。
【００２１】したがって、白色ガラス等で形成されてい
る皮膜層７の厚みをできるだけ薄くして静電容量Ｃｃを
大きくする方法が採られている。
る皮膜層７の厚みをできるだけ薄くして静電容量Ｃｃを
大きくする方法が採られている。
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来のパネルにおいては、図９に示した皮膜層７の厚みを
あまり薄くすると、次のような問題が発生する。すなわ
ち、図１２に示すように、データ電極８の形成工法によ
っては、データ電極の断面が一定の厚みにできないため
に皮膜層７の厚みが一定にならない。この結果、隔壁９
の高さが一定にならず、隔壁９と保護膜層３との間に隙
間が生じる等、精度の高いパネルの組立が得られないと
いう問題が生じる。また、皮膜層７の誘電率は透明ガラ
スで形成されている誘電体層２の誘電率と大差がないた
め、皮膜層７の厚みを薄くしたとしても、皮膜層の静電
容量Ｃｃを高めることには限度がある。
来のパネルにおいては、図９に示した皮膜層７の厚みを
あまり薄くすると、次のような問題が発生する。すなわ
ち、図１２に示すように、データ電極８の形成工法によ
っては、データ電極の断面が一定の厚みにできないため
に皮膜層７の厚みが一定にならない。この結果、隔壁９
の高さが一定にならず、隔壁９と保護膜層３との間に隙
間が生じる等、精度の高いパネルの組立が得られないと
いう問題が生じる。また、皮膜層７の誘電率は透明ガラ
スで形成されている誘電体層２の誘電率と大差がないた
め、皮膜層７の厚みを薄くしたとしても、皮膜層の静電
容量Ｃｃを高めることには限度がある。
【００２３】したがって、従来例のＡＣ型プラズマディ
スプレイパネルにおいては、前述の書き込み期間の書き
込み放電において保護膜層３上の正電荷を多くし、か
つ、この正電荷による電圧を高くすることには限界があ
る。
スプレイパネルにおいては、前述の書き込み期間の書き
込み放電において保護膜層３上の正電荷を多くし、か
つ、この正電荷による電圧を高くすることには限界があ
る。
【００２４】このため、書き込み放電が弱く、あとに続
く維持放電が容易に開始せず、パネルの動作が確実、安
定に行われないという問題があった。
く維持放電が容易に開始せず、パネルの動作が確実、安
定に行われないという問題があった。
【００２５】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような問題
を解決するためになされたもので、本発明のＡＣ型プラ
ズマディスプレイパネルは、放電空間を挟んで対向配置
した表面基板および背面基板の内、前記表面基板の内面
に誘電体層で覆われた対を成すストライプ状の走査電極
と維持電極とからなる走査維持電極群を配列し、前記背
面基板の内面に前記走査維持電極群と直交するように、
易放電性皮膜層で覆われたストライプ状のデータ電極群
を配列し、前記易放電性皮膜層上に前記データ電極群と
平行して隔壁群を設け、少なくとも前記隔壁群の壁面と
前記易放電性皮膜層の表面の一方に蛍光体を設けた構成
であって、前記易放電性皮膜層が複数の易放電性絶縁材
料の混合物からなるものである。
を解決するためになされたもので、本発明のＡＣ型プラ
ズマディスプレイパネルは、放電空間を挟んで対向配置
した表面基板および背面基板の内、前記表面基板の内面
に誘電体層で覆われた対を成すストライプ状の走査電極
と維持電極とからなる走査維持電極群を配列し、前記背
面基板の内面に前記走査維持電極群と直交するように、
易放電性皮膜層で覆われたストライプ状のデータ電極群
を配列し、前記易放電性皮膜層上に前記データ電極群と
平行して隔壁群を設け、少なくとも前記隔壁群の壁面と
前記易放電性皮膜層の表面の一方に蛍光体を設けた構成
であって、前記易放電性皮膜層が複数の易放電性絶縁材
料の混合物からなるものである。
【００２６】この構成により、易放電性皮膜層の静電容
量を容易に高めることができるので、書き込み放電にお
いて保護膜層上に正電荷が多く、かつ、電圧が高い正電
荷を蓄積することができるため、維持放電の開始が容易
になる。
量を容易に高めることができるので、書き込み放電にお
いて保護膜層上に正電荷が多く、かつ、電圧が高い正電
荷を蓄積することができるため、維持放電の開始が容易
になる。
【００２７】
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態について図
面を用いて説明する。
面を用いて説明する。
【００２８】図１に示すように、本発明にかかるＡＣ型
プラズマディスプレイパネルは、表面基板１および背面
基板６を、放電空間１１を挟んで対向配置し、表面基板
１の内面に誘電体層２および保護膜層３で覆われた対を
なすストライプ状の走査電極４と維持電極５とからなる
走査維持電極群を平行配列している。また、背面基板６
の内面には、走査維持電極群と直交して、複数の易放電
性絶縁材料の混合物で形成した易放電性皮膜層（高誘電
率皮膜層）１７で覆われたストライプ状のデータ電極８
群を平行配列し、さらに易放電性皮膜層１７上にデータ
電極８群間にデータ電極８群と平行して隔壁９群を設
け、少なくとも隔壁９群の壁面と易放電性皮膜層１７の
表面の一方に蛍光体１０を設けている（図１には蛍光体
を一部のみ示す）。
プラズマディスプレイパネルは、表面基板１および背面
基板６を、放電空間１１を挟んで対向配置し、表面基板
１の内面に誘電体層２および保護膜層３で覆われた対を
なすストライプ状の走査電極４と維持電極５とからなる
走査維持電極群を平行配列している。また、背面基板６
の内面には、走査維持電極群と直交して、複数の易放電
性絶縁材料の混合物で形成した易放電性皮膜層（高誘電
率皮膜層）１７で覆われたストライプ状のデータ電極８
群を平行配列し、さらに易放電性皮膜層１７上にデータ
電極８群間にデータ電極８群と平行して隔壁９群を設
け、少なくとも隔壁９群の壁面と易放電性皮膜層１７の
表面の一方に蛍光体１０を設けている（図１には蛍光体
を一部のみ示す）。
【００２９】このパネルは表面基板１側から画像表示を
見るものであって、誘電体層２は蛍光体１０からの可視
光が透過しやすいように通常透明なガラスで形成されて
いる。また、易放電性皮膜層１７は、データ電極８群と
蛍光体１０とが反応しないように分離する役目を持って
いる。
見るものであって、誘電体層２は蛍光体１０からの可視
光が透過しやすいように通常透明なガラスで形成されて
いる。また、易放電性皮膜層１７は、データ電極８群と
蛍光体１０とが反応しないように分離する役目を持って
いる。
【００３０】このパネルの一例としての電極配列図は図
７に示す従来のものと同じであり、したがって、その説
明は省略する。
７に示す従来のものと同じであり、したがって、その説
明は省略する。
【００３１】また、このパネルの一例としての駆動方法
についても図８に示す従来の駆動タイミング図を用いて
説明したものと同じであり、したがって、その動作説明
は省略する。
についても図８に示す従来の駆動タイミング図を用いて
説明したものと同じであり、したがって、その動作説明
は省略する。
【００３２】パネルの表示動作が確実、安定に行われる
ためには、書き込み期間の書き込み放電において、次に
続く維持放電が容易に開始できるように、保護膜層３上
の正電荷が多く、かつ、この正電荷による電圧が高くな
る必要がある。この観点から、書き込み放電における正
電荷について詳しく説明する。
ためには、書き込み期間の書き込み放電において、次に
続く維持放電が容易に開始できるように、保護膜層３上
の正電荷が多く、かつ、この正電荷による電圧が高くな
る必要がある。この観点から、書き込み放電における正
電荷について詳しく説明する。
【００３３】図２に図１のＡ−Ａ線に沿って切断した断
面図を示す。この図は、あるデータ電極８とある走査電
極４との交差部を示した断面図である。この図におい
て、保護膜層３を含む誘電体層２の静電容量をＣｄ
（Ｆ）、放電空間１１の静電容量をＣｇ（Ｆ）、蛍光体
１０の静電容量をＣｐ（Ｆ）、易放電性皮膜層１７の静
電容量をＣｓ（Ｆ）とすると、データ電極８と走査電極
４との間の静電容量の等価回路は図３のように表され
る。
面図を示す。この図は、あるデータ電極８とある走査電
極４との交差部を示した断面図である。この図におい
て、保護膜層３を含む誘電体層２の静電容量をＣｄ
（Ｆ）、放電空間１１の静電容量をＣｇ（Ｆ）、蛍光体
１０の静電容量をＣｐ（Ｆ）、易放電性皮膜層１７の静
電容量をＣｓ（Ｆ）とすると、データ電極８と走査電極
４との間の静電容量の等価回路は図３のように表され
る。
【００３４】したがって、図４（ａ）に示すように、書
き込み期間において、データ電極８に＋Ｖｗ（Ｖ）、走
査電極４に−Ｖｓ（Ｖ）を印加すると、放電空間１１に
かかる電圧ＶｇはＶｇ＝（Ｖｗ＋Ｖｓ）×Ｃｄ×Ｃｐ×
Ｃｓ／（Ｃｇ×Ｃｐ×Ｃｓ＋Ｃｄ×Ｃｐ×Ｃｓ＋Ｃｄ×
Ｃｇ×Ｃｓ＋Ｃｄ×Ｃｇ×Ｃｐ）となり、この電圧Ｖｇ
が放電開始電圧以上に設定されているので書き込み放電
が起きる。
き込み期間において、データ電極８に＋Ｖｗ（Ｖ）、走
査電極４に−Ｖｓ（Ｖ）を印加すると、放電空間１１に
かかる電圧ＶｇはＶｇ＝（Ｖｗ＋Ｖｓ）×Ｃｄ×Ｃｐ×
Ｃｓ／（Ｃｇ×Ｃｐ×Ｃｓ＋Ｃｄ×Ｃｐ×Ｃｓ＋Ｃｄ×
Ｃｇ×Ｃｓ＋Ｃｄ×Ｃｇ×Ｃｐ）となり、この電圧Ｖｇ
が放電開始電圧以上に設定されているので書き込み放電
が起きる。
【００３５】また、図４（ｂ）に示すように、放電が始
まると放電電流によりＣｄ、Ｃｐ、Ｃｓが充電される結
果、放電空間１１にかかる電圧が低下し、放電停止電圧
Ｖｅになると放電が停止する。このとき、保護膜層３を
含む誘電体層２の静電容量Ｃｄにかかる電圧ＶｄはＶｄ
＝（Ｖｗ＋Ｖｓ−Ｖｅ）×Ｃｐ×Ｃｓ／（Ｃｐ×Ｃｓ＋
Ｃｄ×Ｃｓ＋Ｃｄ×Ｃｐ）となり、またＣｄに蓄積され
る正電荷ＱｄはＱｄ＝（Ｖｗ＋Ｖｓ−Ｖｅ）×Ｃｄ×Ｃ
ｐ×Ｃｓ／（Ｃｐ×Ｃｓ＋Ｃｄ×Ｃｓ＋Ｃｄ×Ｃｐ）と
なる。これらのＶｄ、Ｑｄが大きい程、上述のパネルの
動作が確実、安定に行われる。
まると放電電流によりＣｄ、Ｃｐ、Ｃｓが充電される結
果、放電空間１１にかかる電圧が低下し、放電停止電圧
Ｖｅになると放電が停止する。このとき、保護膜層３を
含む誘電体層２の静電容量Ｃｄにかかる電圧ＶｄはＶｄ
＝（Ｖｗ＋Ｖｓ−Ｖｅ）×Ｃｐ×Ｃｓ／（Ｃｐ×Ｃｓ＋
Ｃｄ×Ｃｓ＋Ｃｄ×Ｃｐ）となり、またＣｄに蓄積され
る正電荷ＱｄはＱｄ＝（Ｖｗ＋Ｖｓ−Ｖｅ）×Ｃｄ×Ｃ
ｐ×Ｃｓ／（Ｃｐ×Ｃｓ＋Ｃｄ×Ｃｓ＋Ｃｄ×Ｃｐ）と
なる。これらのＶｄ、Ｑｄが大きい程、上述のパネルの
動作が確実、安定に行われる。
【００３６】ここで、Ｖｗ＋Ｖｓ、Ｖｅは放電特性によ
り決まる値であるのでこれらを除外して、Ｖｄ、Ｑｄが
大きくなる条件を検討する。
り決まる値であるのでこれらを除外して、Ｖｄ、Ｑｄが
大きくなる条件を検討する。
【００３７】例えばＣｓがｍ倍（ｍ＞１）になったとき
の保護膜層３を含む誘電体層２の静電容量Ｃｄにかかる
電圧Ｖｄ#およびＣｄに蓄積される正電荷Ｑｄ#と元の値
とを比較するとＶｄ#／Ｖｄ＝Ｑｄ#／Ｑｄ＝１＋（ｍ−
１）×Ｃｄ×Ｃｐ／（Ｃｐ×ｍ×Ｃｓ＋Ｃｄ×ｍ×Ｃｓ
＋Ｃｄ×Ｃｐ）＞１となる。上式からＣｄ、Ｃｐ、Ｃｓ
は対称であるので、ＣｄまたはＣｐがｍ倍（ｍ＞１）に
なったときも、Ｖｄ#／Ｖｄ＝Ｑｄ#／Ｑｄ＞１となる。
の保護膜層３を含む誘電体層２の静電容量Ｃｄにかかる
電圧Ｖｄ#およびＣｄに蓄積される正電荷Ｑｄ#と元の値
とを比較するとＶｄ#／Ｖｄ＝Ｑｄ#／Ｑｄ＝１＋（ｍ−
１）×Ｃｄ×Ｃｐ／（Ｃｐ×ｍ×Ｃｓ＋Ｃｄ×ｍ×Ｃｓ
＋Ｃｄ×Ｃｐ）＞１となる。上式からＣｄ、Ｃｐ、Ｃｓ
は対称であるので、ＣｄまたはＣｐがｍ倍（ｍ＞１）に
なったときも、Ｖｄ#／Ｖｄ＝Ｑｄ#／Ｑｄ＞１となる。
【００３８】したがって、Ｃｄ、Ｃｐ、Ｃｓのいずれか
が大きくなればＶｄ、Ｑｄが大きくなることがわかる。
が大きくなればＶｄ、Ｑｄが大きくなることがわかる。
【００３９】ただし、誘電体層２は透明なガラスで形成
しなければならないのでその誘電率が決まっているた
め、保護膜層３を含む誘電体層２の静電容量Ｃｄを大き
くするためには誘電体層２の厚みを薄くしなければなら
ない。しかし、誘電体層２は、書き込み期間における走
査電極４に印加する負の走査パルス電圧−Ｖｓ（Ｖ）に
対する耐電圧を持たさなければならないため、所定の厚
みにしなければならない。
しなければならないのでその誘電率が決まっているた
め、保護膜層３を含む誘電体層２の静電容量Ｃｄを大き
くするためには誘電体層２の厚みを薄くしなければなら
ない。しかし、誘電体層２は、書き込み期間における走
査電極４に印加する負の走査パルス電圧−Ｖｓ（Ｖ）に
対する耐電圧を持たさなければならないため、所定の厚
みにしなければならない。
【００４０】また、蛍光体１０の厚みを薄くするとこの
静電容量Ｃｐが大きくなるが、高い輝度を得るために所
定の厚みにしなければならない。
静電容量Ｃｐが大きくなるが、高い輝度を得るために所
定の厚みにしなければならない。
【００４１】そこで、本発明のパネルにおいては、易放
電性皮膜層１７の厚みを薄くしないで、この易放電性皮
膜層１７をＢａＴｉＯ3またはＴｉとガラスとの混合物
で形成することにより、易放電性皮膜層１７自身の誘電
率を高くしてＣｓを大きくするものである。すなわち、
誘電体の静電容量は誘電率に比例し、厚みに反比例する
ので、例えば誘電率がｎ倍になれば、誘電率が元のまま
でその厚みを１／ｎにしたときと同じ静電容量が得られ
る。
電性皮膜層１７の厚みを薄くしないで、この易放電性皮
膜層１７をＢａＴｉＯ3またはＴｉとガラスとの混合物
で形成することにより、易放電性皮膜層１７自身の誘電
率を高くしてＣｓを大きくするものである。すなわち、
誘電体の静電容量は誘電率に比例し、厚みに反比例する
ので、例えば誘電率がｎ倍になれば、誘電率が元のまま
でその厚みを１／ｎにしたときと同じ静電容量が得られ
る。
【００４２】次に、本発明の別の例として、易放電性皮
膜層１７としてＢａＴｉＯ3とガラスとの混合物で形成
されたＡＣ型プラズマディスプレイパネルについて説明
する。
膜層１７としてＢａＴｉＯ3とガラスとの混合物で形成
されたＡＣ型プラズマディスプレイパネルについて説明
する。
【００４３】通常ガラスの比誘電率は、ほぼ１０に近い
値であるが、ＢａＴｉＯ3の比誘電率は約１１５０〜３
０００であり、Ｔｉの比誘電率は約３０〜９０である。
したがって、ガラスにＢａＴｉＯ3またはＴｉを混合す
ることにより易放電性皮膜層１７の静電容量を飛躍的に
高めることができる。ガラスとＢａＴｉＯ3との混合物
において、ＢａＴｉＯ3の体積率と易放電性皮膜層の静
電容量倍率との関係を計算と実験で求めた結果を図５に
示す。ここで、ＢａＴｉＯ3の体積率はガラスとＢａＴ
ｉＯ3との混合物の体積に対するＢａＴｉＯ3の体積の割
合であり、静電容量倍率は従来のガラスの皮膜層を使用
した場合の静電容量を１としたときの相対値を表す。図
５から、例えば、ＢａＴｉＯ3の体積率が４０％の易放
電性皮膜層とすると、計算上その静電容量は３倍になる
ので、従来のパネルの皮膜層においてその膜厚を１／３
にしたことと等価となる。
値であるが、ＢａＴｉＯ3の比誘電率は約１１５０〜３
０００であり、Ｔｉの比誘電率は約３０〜９０である。
したがって、ガラスにＢａＴｉＯ3またはＴｉを混合す
ることにより易放電性皮膜層１７の静電容量を飛躍的に
高めることができる。ガラスとＢａＴｉＯ3との混合物
において、ＢａＴｉＯ3の体積率と易放電性皮膜層の静
電容量倍率との関係を計算と実験で求めた結果を図５に
示す。ここで、ＢａＴｉＯ3の体積率はガラスとＢａＴ
ｉＯ3との混合物の体積に対するＢａＴｉＯ3の体積の割
合であり、静電容量倍率は従来のガラスの皮膜層を使用
した場合の静電容量を１としたときの相対値を表す。図
５から、例えば、ＢａＴｉＯ3の体積率が４０％の易放
電性皮膜層とすると、計算上その静電容量は３倍になる
ので、従来のパネルの皮膜層においてその膜厚を１／３
にしたことと等価となる。
【００４４】実験では、ＢａＴｉＯ3の体積率が１５
％、３０％の場合のような易放電性皮膜層とすることに
より、パネルの表示動作が確実、かつ、安定になった。
また、ＢａＴｉＯ3の体積率が５０％より多くなると、
皮膜層の焼成時に発泡が生じ、静電容量倍率の特性が計
算値のようには高くならない。また、膜厚のばらつきが
増大するので、隔壁の形成や蛍光体の形成において加工
精度が得られない。
％、３０％の場合のような易放電性皮膜層とすることに
より、パネルの表示動作が確実、かつ、安定になった。
また、ＢａＴｉＯ3の体積率が５０％より多くなると、
皮膜層の焼成時に発泡が生じ、静電容量倍率の特性が計
算値のようには高くならない。また、膜厚のばらつきが
増大するので、隔壁の形成や蛍光体の形成において加工
精度が得られない。
【００４５】以上の実施の形態では、背面基板に形成さ
れたデータ電極を覆う皮膜層を有したＡＣ型プラズマデ
ィスプレイパネルについて説明したが、本発明は皮膜層
を有する他の構造のＡＣ型プラズマディスプレイパネル
においても実施できる。
れたデータ電極を覆う皮膜層を有したＡＣ型プラズマデ
ィスプレイパネルについて説明したが、本発明は皮膜層
を有する他の構造のＡＣ型プラズマディスプレイパネル
においても実施できる。
【００４６】また、表示動作において書き込み期間、維
持期間、消去期間を持った動作の例を示したが、本発明
は他の表示動作期間、例えば初期化期間を持った表示動
作を行うＡＣ型プラズマディスプレイパネルにおいても
実施できる。
持期間、消去期間を持った動作の例を示したが、本発明
は他の表示動作期間、例えば初期化期間を持った表示動
作を行うＡＣ型プラズマディスプレイパネルにおいても
実施できる。
【００４７】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、書き込み放電が強くなり、保護膜層上に電圧の高い
正電荷が多量に蓄積され、したがって、維持放電の開始
が容易に行われ、パネルの表示動作が確実、かつ、安定
に行える、というすぐれた効果を有するＡＣ型プラズマ
ディスプレイパネルを実現することができる。
ば、書き込み放電が強くなり、保護膜層上に電圧の高い
正電荷が多量に蓄積され、したがって、維持放電の開始
が容易に行われ、パネルの表示動作が確実、かつ、安定
に行える、というすぐれた効果を有するＡＣ型プラズマ
ディスプレイパネルを実現することができる。
【図１】本発明の一実施形態としてのＡＣ型プラズマデ
ィスプレイパネルの一部切欠斜視図
ィスプレイパネルの一部切欠斜視図
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿って切断した断面図
【図３】図１のＡＣ型プラズマディスプレイパネルの静
電容量の等価回路図
電容量の等価回路図
【図４】図３の等価回路における放電による電圧関係と
電荷量を示す図
電荷量を示す図
【図５】本発明におけるガラスとＢａＴｉＯ3の混合物
において、ＢａＴｉＯ3の体積率と静電容量倍率との関
係を示す図
において、ＢａＴｉＯ3の体積率と静電容量倍率との関
係を示す図
【図６】従来のＡＣ型プラズマディスプレイパネルの一
部切欠斜視図
部切欠斜視図
【図７】従来のＡＣ型プラズマディスプレイパネルの電
極配列図
極配列図
【図８】従来のＡＣ型プラズマディスプレイパネルの駆
動タイミング図
動タイミング図
【図９】図６のＡ−Ａ線に沿って切断した断面図
【図１０】従来のＡＣ型プラズマディスプレイパネルの
静電容量の等価回路図
静電容量の等価回路図
【図１１】図１０の等価回路における放電による電圧関
係と電荷量を示す図
係と電荷量を示す図
【図１２】従来のＡＣ型プラズマディスプレイパネルの
皮膜層を薄くしたときのＡ−Ａ線に沿って切断した断面
図
皮膜層を薄くしたときのＡ−Ａ線に沿って切断した断面
図
１ 表面基板 ２ 誘電体層 ３ 保護膜層 ４ 走査電極 ５ 維持電極 ６ 背面基板 ７ 皮膜層 ８ データ電極 ９ 隔壁 １０ 蛍光体 １１ 放電空間 １７ 易放電性皮膜層（高誘電率皮膜層）
Claims (3)
- 【請求項１】 放電空間を挟んで対向配置した表面基板
および背面基板の内、前記表面基板の内面に誘電体層で
覆われた対を成すストライプ状の走査電極と維持電極と
からなる走査維持電極群を配列し、前記背面基板の内面
に前記走査維持電極群と直交するように、易放電性皮膜
層で覆われたストライプ状のデータ電極群を配列し、前
記易放電性皮膜層上に前記データ電極群と平行して隔壁
群を設け、少なくとも前記隔壁群の壁面と前記易放電性
皮膜層の表面の一方に蛍光体を設けた構成であって、前
記易放電性皮膜層が複数の易放電性絶縁材料の混合物か
らなることを特徴とするＡＣ型プラズマディスプレイパ
ネル。 - 【請求項２】 前記易放電性皮膜層がＢａＴｉＯ3また
はＴｉとガラスとの混合物からなることを特徴とする請
求項１に記載のＡＣ型プラズマディスプレイパネル。 - 【請求項３】 ＢａＴｉＯ3の含有量が体積率１５％以
上であることを特徴とする請求項２に記載のＡＣ型プラ
ズマディスプレイパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11073197A JP3692705B2 (ja) | 1997-04-28 | 1997-04-28 | Ａｃ型プラズマディスプレイパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11073197A JP3692705B2 (ja) | 1997-04-28 | 1997-04-28 | Ａｃ型プラズマディスプレイパネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10302647A true JPH10302647A (ja) | 1998-11-13 |
| JP3692705B2 JP3692705B2 (ja) | 2005-09-07 |
Family
ID=14543087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11073197A Expired - Lifetime JP3692705B2 (ja) | 1997-04-28 | 1997-04-28 | Ａｃ型プラズマディスプレイパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3692705B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001291492A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-19 | Koninkl Philips Electronics Nv | 低圧気体放電ランプ及びバックライト用装置 |
-
1997
- 1997-04-28 JP JP11073197A patent/JP3692705B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001291492A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-19 | Koninkl Philips Electronics Nv | 低圧気体放電ランプ及びバックライト用装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3692705B2 (ja) | 2005-09-07 |
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