JPH10301140A - Liquid crystal display device - Google Patents

Liquid crystal display device

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JPH10301140A
JPH10301140A JP9107288A JP10728897A JPH10301140A JP H10301140 A JPH10301140 A JP H10301140A JP 9107288 A JP9107288 A JP 9107288A JP 10728897 A JP10728897 A JP 10728897A JP H10301140 A JPH10301140 A JP H10301140A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
bus line
display device
electrode
pixel electrode
Prior art date
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Application number
JP9107288A
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Japanese (ja)
Inventor
Mutsumi Nakajima
睦 中島
Kazuhide Ueda
和秀 植田
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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Publication of JPH10301140A publication Critical patent/JPH10301140A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal display device which generates no domain, has no unevenness in grittiness, and is excellent in display quality, in a wide temperature range. SOLUTION: Gate bus lines 12 formed in a matrix, a gate insulating film 20, a source bus line 11, TFTs 13, picture element electrodes 14 are provided on a transparent insulating substrate 10 like glass, etc., and a voltage is applied to these picture element electrodes 14 via TFTs 13. On the part where domain is generated, additional electrodes 25a, 25b branched from the source bus lines 11a, 11b are provided between the gate bus line 12 and the picture element electrode 14 in parallel with the gate bus line 11. Thus, by providing an additional electrode 25, it is possible to shield the picture element electrode 14 against a lateral electric field from the gate bus line 12. Therefore, there is no turbulence in orientation of liquid crystal molecules, and no domain is observed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、画素毎に薄膜トラ
ンジスタなどのスイッチング素子を有するアクティブマ
トリクス型の液晶表示装置に関するものである。
The present invention relates to an active matrix type liquid crystal display device having a switching element such as a thin film transistor for each pixel.

【0002】[0002]

【従来の技術】図5に、従来の液晶表示装置のアクティ
ブマトリクス基板の平面図を示し、図6に、そのB−B
断面図を示す。
2. Description of the Related Art FIG. 5 is a plan view of an active matrix substrate of a conventional liquid crystal display device, and FIG.
FIG.

【0003】図5、図6において、ガラスなどの透明性
絶縁性の基板30の上に、マトリクス状に形成されたゲ
ートバスライン32、ゲート絶縁膜40、ソースバスラ
イン31、スイッチング素子として薄膜トランジスタ
(以下、TFTと略称する。)33、画素電極34が設
けられ、この画素電極34にはTFT33を介してソー
スバスライン31から電圧が印加される。さらに、画素
電極34の上から、ポリイミドからなる配向膜38を形
成し、ラビングによって配向処理される。このようにし
てアクティブマトリクス基板45が作製される。
In FIG. 5 and FIG. 6, a gate bus line 32, a gate insulating film 40, a source bus line 31, and a thin film transistor (a thin film transistor as a switching element) formed in a matrix on a transparent insulating substrate 30 such as glass. Hereinafter, this is abbreviated as TFT.) 33 and a pixel electrode 34 are provided, and a voltage is applied to the pixel electrode 34 from the source bus line 31 via the TFT 33. Further, an alignment film 38 made of polyimide is formed on the pixel electrode 34, and the alignment is performed by rubbing. Thus, the active matrix substrate 45 is manufactured.

【0004】ガラスなどの透明性絶縁性の基板30の上
に、TFT33の遮光と画素電極34からの光もれを遮
光するための遮光膜36が設けられ、その上に対向電極
37が形成されている。その対向電極37の上から、ポ
リイミドからなる配向膜38を形成し、ラビングによっ
て配向処理される。このようにして対向基板35が作製
される。
On a transparent insulating substrate 30 such as glass, a light-shielding film 36 for shielding light from the TFT 33 and light from the pixel electrode 34 is provided, and a counter electrode 37 is formed thereon. ing. An alignment film 38 made of polyimide is formed on the counter electrode 37, and is subjected to an alignment process by rubbing. Thus, the counter substrate 35 is manufactured.

【0005】このアクティブマトリクス基板45と対向
基板35とを貼り合わせ、その基板間に液晶を充填させ
た液晶層39を設けて、液晶表示装置を作製する。
[0005] The active matrix substrate 45 and the opposing substrate 35 are bonded to each other, and a liquid crystal layer 39 filled with liquid crystal is provided between the substrates to manufacture a liquid crystal display device.

【0006】液晶表示装置は、画素電極34と対向電極
37間に液晶が充填された液晶層39にTFT33を介
して電圧を印加し、液晶分子を一様に垂直方向に傾ける
ことで、光学変調を起こし、各画素電極毎に光透過率を
制御している。
In the liquid crystal display device, a voltage is applied through a TFT 33 to a liquid crystal layer 39 filled with liquid crystal between a pixel electrode 34 and a counter electrode 37, and the liquid crystal molecules are uniformly tilted in the vertical direction to thereby perform optical modulation. And the light transmittance is controlled for each pixel electrode.

【0007】このように画素電極上の液晶分子を一様に
垂直方向に傾けるために、電圧無印加時には、ラビング
方向に依存して、液晶分子は基板面に垂直方向にわずか
に傾斜している。この角度はプレティルト角と呼ばれて
いる。
In order to uniformly tilt the liquid crystal molecules on the pixel electrode in the vertical direction as described above, when no voltage is applied, the liquid crystal molecules slightly tilt in the vertical direction to the substrate surface depending on the rubbing direction. . This angle is called the pretilt angle.

【0008】液晶層に印加電圧に応じて、各液晶分子は
プレティルト角の傾き回転方向に従って、垂直方向とな
るように一様に回転する。
In accordance with the voltage applied to the liquid crystal layer, each liquid crystal molecule uniformly rotates in the vertical direction according to the tilt rotation direction of the pretilt angle.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかし、アクティブマ
トリクス基板45には、液晶層39に電圧を印加するた
めの画素電極34の周囲に、ゲートバスライン32およ
びソースバスライン31が存在し、画素電極34の周辺
部に横方向の電界が発生している。この横方向の電界の
度合いにより、画素電極34の周辺の液晶分子の配向の
乱れによる透過率のムラが画素電極内で発生することが
知られている。このような領域は、一般にドメインと呼
ばれている。
However, the active matrix substrate 45 has a gate bus line 32 and a source bus line 31 around a pixel electrode 34 for applying a voltage to the liquid crystal layer 39. A lateral electric field is generated around the periphery of the. It is known that, due to the degree of the electric field in the horizontal direction, unevenness in transmittance occurs in the pixel electrode due to disorder in the alignment of liquid crystal molecules around the pixel electrode 34. Such a region is generally called a domain.

【0010】このように、ドメインが生じる液晶表示装
置に画像を表示させて画質を観察すると、ザラツキのム
ラが認められ、表示品位の大幅な低下をひきおこしてい
る。
[0010] As described above, when an image is displayed on a liquid crystal display device in which domains are generated and the image quality is observed, unevenness of roughness is recognized, which causes a significant decrease in display quality.

【0011】温度による依存性を確認した結果、常温で
はほとんどドメインが発生しない場合でも、40〜50
℃程度からドメインが発生し、温度の上昇とともにドメ
インによる表示品位の低下が顕著になる。
As a result of confirming the dependence on temperature, it was found that even when almost no domains were generated at room temperature, 40 to 50
Domains are generated from about ° C., and as the temperature increases, the display quality is significantly reduced by the domains.

【0012】液晶表示装置でのドメインの発生箇所を顕
微鏡観察すると、図7に示すように、特に画素電極34
がゲートバスライン32と平行となっている箇所(ドメ
イン発生箇所6)において、ドメインが画素電極34の
内側まではみだして存在することが確認された。一方、
画素電極34とソースバスライン31間の横方向の電界
では、ほとんどドメインが発生しないことが確認され
た。
Microscopic observation of the location where the domain occurs in the liquid crystal display device shows that, as shown in FIG.
It is confirmed that the domain extends to the inside of the pixel electrode 34 at the portion where is parallel to the gate bus line 32 (domain generation location 6). on the other hand,
It was confirmed that almost no domains were generated in the horizontal electric field between the pixel electrode 34 and the source bus line 31.

【0013】図8は、図6のB−B断面図のアクティブ
マトリクス基板45における画素電極34とゲートバス
ライン32との横方向の電界の説明するための概念図で
ある。画素電極34の電圧と、ゲートバスライン32の
電圧がそれぞれ異なるため、画素電極34とゲートバス
ライン32の間で横方向の電界が発生することにより、
液晶分子の配向の乱れが生じて、ドメインが観察され
る。
FIG. 8 is a conceptual diagram for explaining a horizontal electric field between the pixel electrode 34 and the gate bus line 32 in the active matrix substrate 45 in the BB sectional view of FIG. Since the voltage of the pixel electrode 34 and the voltage of the gate bus line 32 are different from each other, a horizontal electric field is generated between the pixel electrode 34 and the gate bus line 32.
Disorder in the alignment of liquid crystal molecules occurs, and domains are observed.

【0014】従って、ドメインを防止するためには、図
8に示す画素電極34とゲートバスライン32の横方向
の電界を緩和する必要がある。
Therefore, in order to prevent domains, it is necessary to reduce the electric field in the horizontal direction between the pixel electrode 34 and the gate bus line 32 shown in FIG.

【0015】液晶表示装置は通常常温で使用されるもの
の、明るい画面を得るためにバックライトの高輝度化が
図られ、バックライトの発熱により、液晶表示装置の温
度上昇が引き起こされる。
Although the liquid crystal display device is usually used at room temperature, the brightness of the backlight is increased to obtain a bright screen, and the heat generated by the backlight causes a rise in the temperature of the liquid crystal display device.

【0016】また、自動車等に搭載する場合には、80
℃程度以上の環境下でも、良好な表示品位が得られるこ
とが要求されている。
When mounted on a car or the like, 80
It is required that good display quality can be obtained even in an environment of about ° C or higher.

【0017】このように、常温はもちろんのこと高温状
態でも表示品位の低下を防止することが、液晶表示装置
の応用範囲を広げるために重要な課題となっている。
As described above, preventing deterioration of display quality not only at normal temperature but also at high temperature is an important issue for expanding the application range of the liquid crystal display device.

【0018】本発明は、上記問題点を解決するためにな
されたものであり、広い温度範囲にわたってドメインの
発生がなく、ザラツキのムラがなく、表示品位の優れた
液晶表示装置を提供するものである。
The present invention has been made in order to solve the above problems, and provides a liquid crystal display device which is free from domains over a wide temperature range, has no unevenness in roughness, and has excellent display quality. is there.

【0019】[0019]

【課題を解決するための手段】本発明は、走査配線と、
信号配線と、スイッチング素子と、該スイッチング素子
を介して電位が与えられる画素電極とが形成されたアク
ティブマトリクス基板と、対向電極が形成された対向基
板とが液晶層を介して対向配置されている液晶表示装置
において、前記走査配線と前記画素電極との間に、前記
信号配線から分岐した付加電極が形成されていることを
特徴とする。
According to the present invention, there is provided a scanning wiring,
An active matrix substrate on which a signal wiring, a switching element, a pixel electrode to which a potential is applied via the switching element is formed, and a counter substrate on which a counter electrode is formed are arranged to face each other via a liquid crystal layer. In the liquid crystal display device, an additional electrode branched from the signal wiring is formed between the scanning wiring and the pixel electrode.

【0020】上記構成による作用を説明する。画素電極
とゲートバスライン間に、ソースバスラインと電気的に
接続された電極を配置することで、ゲートバスラインか
らの横方向の電界をシールドすることができる。
The operation of the above configuration will be described. By disposing an electrode electrically connected to the source bus line between the pixel electrode and the gate bus line, a horizontal electric field from the gate bus line can be shielded.

【0021】その結果、画素電極内にドメインが発生す
るのを防止することができ、広い温度範囲にわたってド
メインの発生がなく、ザラツキにない表示品位の優れた
液晶表示装置を提供することができる。
As a result, a domain can be prevented from being generated in the pixel electrode, and a domain can be prevented from being generated over a wide temperature range, and a liquid crystal display device having excellent display quality without roughness can be provided.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について以下
に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below.

【0023】(実施形態1)図1は、本発明の実施形態
1の液晶表示装置のアクティブマトリクス基板の平面図
である。図2は、図1のA−A断面における液晶表示装
置の断面図である。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a plan view of an active matrix substrate of a liquid crystal display device according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device taken along the line AA in FIG.

【0024】図1、図2において、ガラスなどの透明性
絶縁性の基板10の上に、マトリクス状に形成された走
査配線であるゲートバスライン12、ゲート絶縁膜2
0、信号配線であるソースバスライン11a、11b、
スイッチング素子としてTFT13、画素電極14が設
けられ、この画素電極14にはTFT13を介してソー
スバスライン11から電圧が印加される。
In FIG. 1 and FIG. 2, a gate bus line 12 and a gate insulating film 2 which are scanning wirings formed in a matrix are formed on a transparent insulating substrate 10 such as glass.
0, source bus lines 11a, 11b,
A TFT 13 and a pixel electrode 14 are provided as switching elements, and a voltage is applied to the pixel electrode 14 from the source bus line 11 via the TFT 13.

【0025】図7に示すドメイン発生箇所6において、
ソースバスライン11から分岐した付加電極25を、ゲ
ートバスライン12と画素電極14の間に、ゲートバス
ライン11と平行に設ける。具体的には、付加電極25
aはソースバスライン11aから分岐し、付加電極25
bはソースバスライン11bから分岐している。
At the domain occurrence location 6 shown in FIG.
An additional electrode 25 branched from the source bus line 11 is provided between the gate bus line 12 and the pixel electrode 14 in parallel with the gate bus line 11. Specifically, the additional electrode 25
a branches off from the source bus line 11a,
b branches off from the source bus line 11b.

【0026】実施形態1では、付加電極25a、25b
の長さは画素電極14の横幅より長く、付加電極25
a、25bと画素電極14およびゲートバスライン12
との隙間は3μmとし、各電極が重ならないように設定
した。
In the first embodiment, the additional electrodes 25a, 25b
Is longer than the width of the pixel electrode 14 and the additional electrode 25
a, 25b, pixel electrode 14 and gate bus line 12
Was set to 3 μm, and each electrode was set so as not to overlap.

【0027】さらに、画素電極14の上から、ポリイミ
ドからなる配向膜18を形成し、ラビングによって配向
処理される。このようにしてアクティブマトリクス基板
5が作製される。
Further, an alignment film 18 made of polyimide is formed on the pixel electrode 14 and is subjected to an alignment process by rubbing. Thus, the active matrix substrate 5 is manufactured.

【0028】ガラスなどの透明性絶縁性の基板10の上
に、TFT13の遮光と画素電極14からの光もれを遮
光するための遮光膜16が設けられ、その上に対向電極
17が形成されている。その対向電極17の上から、ポ
リイミドからなる配向膜18を形成し、ラビングによっ
て配向処理される。このようにして対向基板15が作製
される。
On a transparent insulating substrate 10 such as glass, a light-shielding film 16 for shielding light from the TFT 13 and light from the pixel electrode 14 is provided, and a counter electrode 17 is formed thereon. ing. An alignment film 18 made of polyimide is formed on the counter electrode 17 and subjected to an alignment process by rubbing. Thus, the counter substrate 15 is manufactured.

【0029】このアクティブマトリクス基板5と対向基
板15とを貼り合わせ、その基板間に液晶を充填させた
液晶層19を設けて、液晶表示装置を作製する。
The active matrix substrate 5 and the counter substrate 15 are bonded to each other, and a liquid crystal layer 19 filled with liquid crystal is provided between the substrates to manufacture a liquid crystal display device.

【0030】図3は、図1のA−A断面図のアクティブ
マトリクス基板5における画素電極14と、付加電極2
5bと、ゲートバスライン12との横方向の電界の関係
を説明するための概念図である。ゲートバスライン12
と、ソースバスライン11bから分岐した付加電極25
bとの間で、電圧がそれぞれ異なるため、ゲートバスラ
イン12と付加電極25bとの間で横方向の電界が発生
する。一方、画素電極14とソースバスライン11aか
ら分岐した付加電極25bとの間では、従来技術で説明
したように、横方向の電界の影響がほとんどない。付加
電極25aについては、付加電極25bと同様である。
FIG. 3 shows the pixel electrode 14 and the additional electrode 2 on the active matrix substrate 5 in the sectional view taken on line A--A in FIG.
FIG. 5 is a conceptual diagram for explaining a relationship between a horizontal electric field between the gate bus line and a gate bus line. Gate bus line 12
And the additional electrode 25 branched from the source bus line 11b.
Since the voltage differs between the gate bus line 12 and the additional electrode 25b, a horizontal electric field is generated between the gate bus line 12 and the additional electrode 25b. On the other hand, between the pixel electrode 14 and the additional electrode 25b branched from the source bus line 11a, as described in the related art, there is almost no influence of the horizontal electric field. The additional electrode 25a is the same as the additional electrode 25b.

【0031】このように、付加電極25を設けることに
より、画素電極14には、ゲートバスライン12からの
横方向の電界をシールドすることができる。従って、液
晶分子の配向の乱れがなく、ドメインが観察されない。
As described above, the provision of the additional electrode 25 enables the pixel electrode 14 to shield a horizontal electric field from the gate bus line 12. Accordingly, there is no disturbance in the alignment of the liquid crystal molecules, and no domains are observed.

【0032】実施形態1について、ドメインの発生を観
察した結果、80℃の環境下でもドメインの発生がなか
った。
In the first embodiment, as a result of observing the generation of the domain, no generation of the domain was found even in an environment of 80 ° C.

【0033】従って、広い温度範囲にわたっても、ドメ
インの発生がなく、ザラツキのムラがなく、表示品位の
優れた液晶表示装置が実現できる。
Therefore, even in a wide temperature range, a liquid crystal display device having no display domain, no unevenness of roughness, and excellent display quality can be realized.

【0034】(実施形態2)図4は、実施形態2の液晶
表示装置のアクティブマトリクス基板の平面図である。
(Embodiment 2) FIG. 4 is a plan view of an active matrix substrate of a liquid crystal display device of Embodiment 2.

【0035】実施形態2は実施形態1に対して、ソース
バスライン11から分岐した付加電極25の形状、分岐
形態、配置場所が異なる。それ以外は実施形態1と同じ
であるので、説明を省略する。
The second embodiment is different from the first embodiment in the shape, the branch form, and the location of the additional electrode 25 branched from the source bus line 11. Otherwise, the configuration is the same as that of the first embodiment, and the description is omitted.

【0036】図4において、ソースバスライン11c、
11dとゲートバスライン12に囲まれた画素電極14
に対して、付加電極25は、ソースバスライン11cか
ら分岐した付加電極25cと、ソースバスライン11d
から分岐した付加電極25d、25eから構成される。
In FIG. 4, the source bus lines 11c,
11d and pixel electrode 14 surrounded by gate bus line 12
On the other hand, the additional electrode 25 includes an additional electrode 25c branched from the source bus line 11c and a source bus line 11d.
And additional electrodes 25d and 25e branched from.

【0037】このように、付加電極25を設けることに
より、画素電極14は、ゲートバスライン12からの横
方向の電界をシールドすることができる。従って、液晶
分子の配向の乱れがなく、ドメインが観察されない。
By providing the additional electrode 25 as described above, the pixel electrode 14 can shield a horizontal electric field from the gate bus line 12. Accordingly, there is no disturbance in the alignment of the liquid crystal molecules, and no domains are observed.

【0038】実施形態2について、ドメインの発生を観
察した結果、80℃の環境下でもドメインの発生がなか
った。
As for the second embodiment, as a result of observing the generation of the domain, no generation of the domain was found even under the environment of 80 ° C.

【0039】従って、広い温度範囲にわたっても、ドメ
インの発生がなく、ザラツキのムラがなく、表示品位の
優れた液晶表示装置が実現できる。
Accordingly, even in a wide temperature range, a liquid crystal display device having no display domains, no unevenness in roughness, and excellent display quality can be realized.

【0040】なお、付加電極25のパターンは実施形態
1および実施形態2以外にも、さまざまなパターンが考
えられるため、付加電極25のパターンは実施形態に特
定するものではない。
Note that the pattern of the additional electrode 25 is not limited to the embodiment, since various patterns are conceivable besides the first and second embodiments.

【0041】[0041]

【発明の効果】画素電極とゲートバスライン間に、ソー
スバスラインと電気的に接続された付加電極を配置する
ことで、ゲートバスラインからの横方向の電界をシール
ドすることができる。
By arranging an additional electrode electrically connected to a source bus line between a pixel electrode and a gate bus line, a horizontal electric field from the gate bus line can be shielded.

【0042】その結果、画素電極内にドメインが発生す
るのを防止することができ、広い温度範囲にわたってド
メインの発生がなく、ザラツキにない表示品位の優れた
液晶表示装置を提供することができる。
As a result, it is possible to prevent a domain from being generated in the pixel electrode, and to provide a liquid crystal display device which has no domain generation over a wide temperature range and has excellent display quality without roughness.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施形態1の液晶表示装置のアクティブマトリ
クス基板の平面図である。
FIG. 1 is a plan view of an active matrix substrate of a liquid crystal display device according to a first embodiment.

【図2】図1のA−A断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line AA of FIG.

【図3】付加電極25とゲートバスライン12との横方
向の電界の関係を説明するための概念図である。
FIG. 3 is a conceptual diagram for explaining a relationship of a horizontal electric field between an additional electrode 25 and a gate bus line 12;

【図4】実施形態2の液晶表示装置のアクティブマトリ
クス基板の平面図である。
FIG. 4 is a plan view of an active matrix substrate of the liquid crystal display device according to the second embodiment.

【図5】従来技術の液晶表示装置のアクティブマトリク
ス基板の平面図である。
FIG. 5 is a plan view of an active matrix substrate of a conventional liquid crystal display device.

【図6】図5のB−B断面図である。FIG. 6 is a sectional view taken along line BB of FIG. 5;

【図7】ドメインの発生箇所を示した図である。FIG. 7 is a diagram showing locations where domains occur.

【図8】画素電極34とゲートバスライン32との横方
向の電界の関係を説明するための概念図である。
FIG. 8 is a conceptual diagram for explaining a relationship of a horizontal electric field between a pixel electrode and a gate bus line.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

5 45 アクティブマトリクス基板 6 ドメイン発生箇所 10 30 基板 11 31 ソースバスライン 12 32 ゲートバスライン 13 33 TFT 14 34 画素電極 15 35 対向基板 16 36 遮光膜 17 37 対向電極 18 38 配向膜 19 39 液晶層 20 40 ゲート絶縁膜 25 付加電極 5 45 Active matrix substrate 6 Domain generation location 10 30 Substrate 11 31 Source bus line 12 32 Gate bus line 13 33 TFT 14 34 Pixel electrode 15 35 Opposite substrate 16 36 Light shielding film 17 37 Opposite electrode 18 38 Alignment film 19 39 Liquid crystal layer 20 40 gate insulating film 25 additional electrode

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 走査配線と、信号配線と、スイッチング
素子と、該スイッチング素子を介して電位が与えられる
画素電極とが形成されたアクティブマトリクス基板と、
対向電極が形成された対向基板とが液晶層を介して対向
配置されている液晶表示装置において、 前記走査配線と前記画素電極との間に、前記信号配線か
ら分岐した付加電極が形成されていることを特徴とする
液晶表示装置。
An active matrix substrate on which a scanning wiring, a signal wiring, a switching element, and a pixel electrode to which a potential is applied via the switching element are formed;
In a liquid crystal display device in which a counter substrate on which a counter electrode is formed is disposed to face through a liquid crystal layer, an additional electrode branched from the signal wiring is formed between the scanning wiring and the pixel electrode. A liquid crystal display device characterized by the above-mentioned.
JP9107288A 1997-04-24 1997-04-24 Liquid crystal display device Pending JPH10301140A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9107288A JPH10301140A (en) 1997-04-24 1997-04-24 Liquid crystal display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9107288A JPH10301140A (en) 1997-04-24 1997-04-24 Liquid crystal display device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10301140A true JPH10301140A (en) 1998-11-13

Family

ID=14455303

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100546542B1 (en) * 1999-03-15 2006-01-26 산요덴키가부시키가이샤 Vertical alignment type liquid crystal display apparatus
KR100627107B1 (en) * 1999-07-31 2006-09-25 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Multi-Domain Liquid Crystal Display Device and Method of Fabricating the same
KR100724484B1 (en) 2005-02-24 2007-06-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Liquid crystal display device and fabrication method thereof
US7830483B2 (en) 2005-05-25 2010-11-09 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
US8941011B2 (en) 2011-08-16 2015-01-27 Samsung Display Co., Ltd. Flexible substrates and method of manufacturing the same
US9007289B2 (en) 2010-10-07 2015-04-14 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor array panel and liquid crystal display

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100546542B1 (en) * 1999-03-15 2006-01-26 산요덴키가부시키가이샤 Vertical alignment type liquid crystal display apparatus
KR100627107B1 (en) * 1999-07-31 2006-09-25 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Multi-Domain Liquid Crystal Display Device and Method of Fabricating the same
US7859631B2 (en) 1999-07-31 2010-12-28 Lg Display Co., Ltd. Multi-domain liquid crystal display device with slit and auxiliary electrode line
KR100724484B1 (en) 2005-02-24 2007-06-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Liquid crystal display device and fabrication method thereof
US7830483B2 (en) 2005-05-25 2010-11-09 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
US9007289B2 (en) 2010-10-07 2015-04-14 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor array panel and liquid crystal display
US8941011B2 (en) 2011-08-16 2015-01-27 Samsung Display Co., Ltd. Flexible substrates and method of manufacturing the same
US9480165B2 (en) 2011-08-16 2016-10-25 Samsung Display Co., Ltd. Flexible substrates and method of manufacturing the same

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