JPH10300773A - 加速度センサならびに角加速度センサおよびそれらの製造方法 - Google Patents
加速度センサならびに角加速度センサおよびそれらの製造方法Info
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- JPH10300773A JPH10300773A JP10753797A JP10753797A JPH10300773A JP H10300773 A JPH10300773 A JP H10300773A JP 10753797 A JP10753797 A JP 10753797A JP 10753797 A JP10753797 A JP 10753797A JP H10300773 A JPH10300773 A JP H10300773A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 大口径ウエハを使用して、製造歩留まりが高
く、検出感度および信頼性に優れた加速度センサを実現
する。 【解決手段】 支持枠部と、変位可能な少なくとも１個
の重り部および該重り部を前記支持枠部と連結する梁部
からなるセンサ構造体が基板シリコン上に絶縁層を介し
て形成されている薄膜シリコンに形成されている加速度
センサである。センサ構造体と基板シリコンの間の絶縁
層は除去されており、梁部は互いに平行な２本の梁から
なり、重り部は平行な２本の梁によって支持枠部に連結
され、平行な２本の梁のそれぞれの表面に少なくとも２
個の半導体ストレインゲージが形成されている。
く、検出感度および信頼性に優れた加速度センサを実現
する。 【解決手段】 支持枠部と、変位可能な少なくとも１個
の重り部および該重り部を前記支持枠部と連結する梁部
からなるセンサ構造体が基板シリコン上に絶縁層を介し
て形成されている薄膜シリコンに形成されている加速度
センサである。センサ構造体と基板シリコンの間の絶縁
層は除去されており、梁部は互いに平行な２本の梁から
なり、重り部は平行な２本の梁によって支持枠部に連結
され、平行な２本の梁のそれぞれの表面に少なくとも２
個の半導体ストレインゲージが形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、自動車、航空機、
医療、計測、校正など、広範囲の分野において用いられ
る加速度センサ、角加速度センサおよびその製造方法に
関する。
医療、計測、校正など、広範囲の分野において用いられ
る加速度センサ、角加速度センサおよびその製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】図１８に従来の加速度センサの一例とし
て、特許第２５５１６２５号に開示された半導体加速度
センサを示す。図１８において（ａ）は斜視図、（ｂ）
はそのＣＣ線断面図である。この半導体加速度センサ
は、シリコン単結晶基板をエッチング加工して、支持枠
１、重り部２ａ、２ｂ、重り部２ａと２ｂを連結する梁
部３ａ、重り部２ａ、重り部２ｂと支持枠をそれぞれ連
結する梁部３ｂ、３ｃを形成し、梁部の上にゲージ抵抗
４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄを設けてそれらでホイートスト
ーンブリッジを構成したものである。図１８（ｂ）の矢
印で示す方向に加速度が働くとゲージ抵抗の抵抗値が変
化するのを利用して加速度を計測する。
て、特許第２５５１６２５号に開示された半導体加速度
センサを示す。図１８において（ａ）は斜視図、（ｂ）
はそのＣＣ線断面図である。この半導体加速度センサ
は、シリコン単結晶基板をエッチング加工して、支持枠
１、重り部２ａ、２ｂ、重り部２ａと２ｂを連結する梁
部３ａ、重り部２ａ、重り部２ｂと支持枠をそれぞれ連
結する梁部３ｂ、３ｃを形成し、梁部の上にゲージ抵抗
４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄを設けてそれらでホイートスト
ーンブリッジを構成したものである。図１８（ｂ）の矢
印で示す方向に加速度が働くとゲージ抵抗の抵抗値が変
化するのを利用して加速度を計測する。
【０００３】この種の半導体加速度センサでは、一般的
に、シリコン基板を裏側から深くエッチング加工して３
００μｍから４００μｍ程度の厚肉の重り部と１０μｍ
から５０μｍ程度の薄肉の梁部を形成している。シリコ
ン基板としては、一般に４インチウエハが多く用いられ
ている。その理由は以下のとおりである。すなわち、梁
部を薄くするために基板を深くエッチングする必要があ
り、加工時間からくる生産性上の制約から、ウエハの厚
さは薄い方が有利である。重り部の厚さに相当する３０
０μｍから４００μｍ程度の厚さでプロセス上で取り扱
い可能なウエハの寸法は４インチ程度であり、これ以上
の５インチや６インチの大口径ウエハの取り扱いはかな
り困難である。さらに、図１８（ｂ）に示すように、薄
肉の、共振点の低い梁部が多数形成されたダイシング前
のウエハは剛性が低く、衝撃が加わるとセンサ部あるい
はウエハ自身の共振現象が発生し易く、梁部に過大な変
位、応力が働く危険がある。従って、ウエハの寸法には
取り扱い上限界があった。
に、シリコン基板を裏側から深くエッチング加工して３
００μｍから４００μｍ程度の厚肉の重り部と１０μｍ
から５０μｍ程度の薄肉の梁部を形成している。シリコ
ン基板としては、一般に４インチウエハが多く用いられ
ている。その理由は以下のとおりである。すなわち、梁
部を薄くするために基板を深くエッチングする必要があ
り、加工時間からくる生産性上の制約から、ウエハの厚
さは薄い方が有利である。重り部の厚さに相当する３０
０μｍから４００μｍ程度の厚さでプロセス上で取り扱
い可能なウエハの寸法は４インチ程度であり、これ以上
の５インチや６インチの大口径ウエハの取り扱いはかな
り困難である。さらに、図１８（ｂ）に示すように、薄
肉の、共振点の低い梁部が多数形成されたダイシング前
のウエハは剛性が低く、衝撃が加わるとセンサ部あるい
はウエハ自身の共振現象が発生し易く、梁部に過大な変
位、応力が働く危険がある。従って、ウエハの寸法には
取り扱い上限界があった。
【０００４】しかしながら、半導体加速度センサの場
合、そのコストのほとんどがチップサイズとウエハサイ
ズで決まってしまう。例えば、同等の技術レベルで加速
度センサを製造する場合、ウエハサイズが大きければ、
１回のバッチ工程で処理できるチップ数が多く、当然チ
ップ単価は安くなる。しかし、上述した従来技術では、
使用できるウエハサイズに限界があり、コストの引き下
げはチップサイズの減少に求めるしかないが、チップサ
イズの減少にも、感度の低下、製造歩留まりの低下など
から限界がある。さらに、今後、半導体ウエハの大口径
化が進み、４インチウエハの供給が減少することも予想
される。仮に、５インチまたは６インチ等の大口径ウエ
ハでこの様な加速度センサを実現するには、６００μｍ
から７００μｍ程度の厚さのシリコン基板から１０μｍ
〜３０μｍの厚さの梁部を形成しなければならず、エッ
チング加工時間の増加だけでなく、製造歩留まりの低下
の原因となる。
合、そのコストのほとんどがチップサイズとウエハサイ
ズで決まってしまう。例えば、同等の技術レベルで加速
度センサを製造する場合、ウエハサイズが大きければ、
１回のバッチ工程で処理できるチップ数が多く、当然チ
ップ単価は安くなる。しかし、上述した従来技術では、
使用できるウエハサイズに限界があり、コストの引き下
げはチップサイズの減少に求めるしかないが、チップサ
イズの減少にも、感度の低下、製造歩留まりの低下など
から限界がある。さらに、今後、半導体ウエハの大口径
化が進み、４インチウエハの供給が減少することも予想
される。仮に、５インチまたは６インチ等の大口径ウエ
ハでこの様な加速度センサを実現するには、６００μｍ
から７００μｍ程度の厚さのシリコン基板から１０μｍ
〜３０μｍの厚さの梁部を形成しなければならず、エッ
チング加工時間の増加だけでなく、製造歩留まりの低下
の原因となる。
【０００５】図１９に従来の他の加速度センサの一例と
して、特開平８−２４８０５８号に開示されている加速
度センサの要部（櫛形電極部）を模式的に示す。この加
速度センサは第１の層（支持プレート）、その上の絶縁
層である第２の層およびさらにその上に被着された第３
の層からなる３層系、例えばＳＯＩ（シリコンオンイン
シュレータ）ウエハまたはエピタキシーポリシリコンウ
エハ（単結晶シリコン基板上に絶縁層を介して第３の層
としてポリシリコンを成長させたもの）を用いたもので
ある。第３の層には、変位可能な質量体（第１の支持
体）１１が形成され、第１の支持体は直角方向に伸びる
複数の第１のプレート１２を有して櫛形構造をなし、一
方、第１の支持体１１の両側に第１の支持体と並行に形
成された第２の支持体１３，１３は直角方向に伸びる複
数の第２のプレート１４を有して櫛形構造をなしてい
る。変位可能な質量体および複数の第１のプレートの下
部の絶縁層はエッチング除去され、質量体および複数の
第１のプレートは第１の層に平行に変位可能である。複
数の第２のプレートの下部の絶縁層は同様にエッチング
除去されているが、第２の支持体１３，１３の下部の絶
縁層は存在しており、従って、複数の第２のプレートは
変位不能とされている。複数の第１のプレート１２と複
数の第２のプレート１４はそれぞれ櫛形電極を構成し、
変位可能な質量体が第１のプレートと直角の方向に変位
すると容量が変化することを利用して加速度を計測す
る。これらの櫛形電極を外部回路へ導く導体路は第２の
層（絶縁層）によって第１の層から電気的に絶縁され、
さらに切欠部によって第３の層から電気的に絶縁される
構造である。
して、特開平８−２４８０５８号に開示されている加速
度センサの要部（櫛形電極部）を模式的に示す。この加
速度センサは第１の層（支持プレート）、その上の絶縁
層である第２の層およびさらにその上に被着された第３
の層からなる３層系、例えばＳＯＩ（シリコンオンイン
シュレータ）ウエハまたはエピタキシーポリシリコンウ
エハ（単結晶シリコン基板上に絶縁層を介して第３の層
としてポリシリコンを成長させたもの）を用いたもので
ある。第３の層には、変位可能な質量体（第１の支持
体）１１が形成され、第１の支持体は直角方向に伸びる
複数の第１のプレート１２を有して櫛形構造をなし、一
方、第１の支持体１１の両側に第１の支持体と並行に形
成された第２の支持体１３，１３は直角方向に伸びる複
数の第２のプレート１４を有して櫛形構造をなしてい
る。変位可能な質量体および複数の第１のプレートの下
部の絶縁層はエッチング除去され、質量体および複数の
第１のプレートは第１の層に平行に変位可能である。複
数の第２のプレートの下部の絶縁層は同様にエッチング
除去されているが、第２の支持体１３，１３の下部の絶
縁層は存在しており、従って、複数の第２のプレートは
変位不能とされている。複数の第１のプレート１２と複
数の第２のプレート１４はそれぞれ櫛形電極を構成し、
変位可能な質量体が第１のプレートと直角の方向に変位
すると容量が変化することを利用して加速度を計測す
る。これらの櫛形電極を外部回路へ導く導体路は第２の
層（絶縁層）によって第１の層から電気的に絶縁され、
さらに切欠部によって第３の層から電気的に絶縁される
構造である。
【０００６】この種の櫛形電極を用いる容量型の加速度
センサでは、容量変化を大きくして感度を増加させるた
めに、可動電極（第１のプレート）と固定電極（第２の
プレート）とのギャップを１〜５μｍのレベルで形成す
る必要がある。しかしながら、対向する第１のプレート
と第２のプレートの間の容量だけでなく、これらの櫛形
構造が形成されている第３の層と支持プレート（第１の
層）との寄生容量があり、これらが総合して初期容量と
なる。一方、変位（加速度）の検出に際しては、櫛形構
造の対向する第１および第２のプレートの容量変化のみ
が検出されるので、初期容量に対する容量変化が少な
く、従って、センサの感度を高くすることが難しい。さ
らに、この加速度センサは絶縁層をエッチングして多数
のセンサを形成した後、個別チップに分割するためのダ
イシング工程などで、櫛形電極間のギャップへの異物の
侵入の問題があり、あるいは、センサの使用中にセンサ
部に働いている静電力のために実装されている他部品か
ら異物が侵入するなどの問題がある。侵入する異物の大
きさによっては、櫛形電極の動きを妨げてしまうことが
あり、電極の動きを妨げない程度の大きさの異物の場合
でも、異物の材質によっては櫛形電極間の容量を変化さ
せてしまうことがある。さらに、エピタキシーポリシリ
コンウエハを用いる場合は、ポリシリコンがＣＶＤ装置
などの成膜装置によって生成されるものであるため、外
観寸法は同じであっても、内部応力や破壊応力などの機
械的特性にばらつきが発生し、センサの信頼性に欠ける
という問題があった。
センサでは、容量変化を大きくして感度を増加させるた
めに、可動電極（第１のプレート）と固定電極（第２の
プレート）とのギャップを１〜５μｍのレベルで形成す
る必要がある。しかしながら、対向する第１のプレート
と第２のプレートの間の容量だけでなく、これらの櫛形
構造が形成されている第３の層と支持プレート（第１の
層）との寄生容量があり、これらが総合して初期容量と
なる。一方、変位（加速度）の検出に際しては、櫛形構
造の対向する第１および第２のプレートの容量変化のみ
が検出されるので、初期容量に対する容量変化が少な
く、従って、センサの感度を高くすることが難しい。さ
らに、この加速度センサは絶縁層をエッチングして多数
のセンサを形成した後、個別チップに分割するためのダ
イシング工程などで、櫛形電極間のギャップへの異物の
侵入の問題があり、あるいは、センサの使用中にセンサ
部に働いている静電力のために実装されている他部品か
ら異物が侵入するなどの問題がある。侵入する異物の大
きさによっては、櫛形電極の動きを妨げてしまうことが
あり、電極の動きを妨げない程度の大きさの異物の場合
でも、異物の材質によっては櫛形電極間の容量を変化さ
せてしまうことがある。さらに、エピタキシーポリシリ
コンウエハを用いる場合は、ポリシリコンがＣＶＤ装置
などの成膜装置によって生成されるものであるため、外
観寸法は同じであっても、内部応力や破壊応力などの機
械的特性にばらつきが発生し、センサの信頼性に欠ける
という問題があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上述
した従来の問題、すなわち １）単体の単結晶シリコンウエハを用いた加速度センサ
では、ウエハ厚さの厚い大口径のウエハ使用が困難であ
る、 ２）ＳＯＩウエハあるいはエピタキシーポリシリコンウ
エハを用いた容量型の場合は、 ａ）センサの感度を高くすることが難しいこと、 ｂ）絶縁層を除去した後のダイシング工程で、センサ構
造体への異物の侵入が起こり得 ること、 ｃ）小さな異物の侵入によって検出容量が変化するこ
と、 ｄ）センサ構造体の機械的な特性に関する信頼性が低い
こと、 を解決することにある。
した従来の問題、すなわち １）単体の単結晶シリコンウエハを用いた加速度センサ
では、ウエハ厚さの厚い大口径のウエハ使用が困難であ
る、 ２）ＳＯＩウエハあるいはエピタキシーポリシリコンウ
エハを用いた容量型の場合は、 ａ）センサの感度を高くすることが難しいこと、 ｂ）絶縁層を除去した後のダイシング工程で、センサ構
造体への異物の侵入が起こり得 ること、 ｃ）小さな異物の侵入によって検出容量が変化するこ
と、 ｄ）センサ構造体の機械的な特性に関する信頼性が低い
こと、 を解決することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ために、本発明による加速度センサは、支持枠部と、変
位可能な少なくとも１個の重り部および該重り部を前記
支持枠部と連結する梁部からなるセンサ構造体とが基板
シリコン上に絶縁層を介して形成された薄膜シリコンに
形成されている加速度センサにおいて、前記センサ構造
体と前記基板シリコンの間の前記絶縁層は除去されてお
り、前記梁部は互いに平行な複数組の梁からなり、前記
重り部は該平行な複数組の梁によって前記支持枠部に連
結され、前記平行な複数組の梁のうちの少なくとも１組
の梁の表面に少なくとも２個の半導体ストレインゲージ
が形成されていることを特徴とする。
ために、本発明による加速度センサは、支持枠部と、変
位可能な少なくとも１個の重り部および該重り部を前記
支持枠部と連結する梁部からなるセンサ構造体とが基板
シリコン上に絶縁層を介して形成された薄膜シリコンに
形成されている加速度センサにおいて、前記センサ構造
体と前記基板シリコンの間の前記絶縁層は除去されてお
り、前記梁部は互いに平行な複数組の梁からなり、前記
重り部は該平行な複数組の梁によって前記支持枠部に連
結され、前記平行な複数組の梁のうちの少なくとも１組
の梁の表面に少なくとも２個の半導体ストレインゲージ
が形成されていることを特徴とする。
【０００９】ここで、好ましくは、前記重り部が１個で
あり、前記平行な複数組の梁は該重り部の４隅部に突出
して形成され、複数組の梁の表面にはそれぞれ４個の半
導体ゲージが形成されてホイートストーンブリッジを構
成している。あるいは、好ましくは前記重り部が２個で
あり、前記平行な複数組の梁は前記２個の重り部と前記
支持枠部の間および前記２個の重り部の間に形成され、
前記平行な複数組の梁のうちの前記２個の重り部の一方
と前記支持枠部との間の梁の少なくとも一つ、前記２個
の重り部の他方と前記支持枠部との間の梁の少なくとも
一つおよび前記２個の重り部の間の梁のそれぞれの表面
に少なくとも１個の半導体ゲージが形成されてホイート
ストーンブリッジを構成している。
あり、前記平行な複数組の梁は該重り部の４隅部に突出
して形成され、複数組の梁の表面にはそれぞれ４個の半
導体ゲージが形成されてホイートストーンブリッジを構
成している。あるいは、好ましくは前記重り部が２個で
あり、前記平行な複数組の梁は前記２個の重り部と前記
支持枠部の間および前記２個の重り部の間に形成され、
前記平行な複数組の梁のうちの前記２個の重り部の一方
と前記支持枠部との間の梁の少なくとも一つ、前記２個
の重り部の他方と前記支持枠部との間の梁の少なくとも
一つおよび前記２個の重り部の間の梁のそれぞれの表面
に少なくとも１個の半導体ゲージが形成されてホイート
ストーンブリッジを構成している。
【００１０】また、好ましくは、前記梁部の厚さは前記
重り部の厚さより薄い。
重り部の厚さより薄い。
【００１１】さらに、本発明による加速度センサは、支
持枠部と、表面に磁性薄膜が形成された変位可能な重り
部および該重り部を前記支持枠部と連結する梁部からな
るセンサ構造体が基板シリコン上に絶縁層を介して形成
された薄膜シリコンに形成され、前記センサ構造体と前
記基板シリコンの間の前記絶縁層は除去されており、前
記重り部の周辺の支持枠部上に重り部を囲んでコイルが
形成されていることを特徴とする。
持枠部と、表面に磁性薄膜が形成された変位可能な重り
部および該重り部を前記支持枠部と連結する梁部からな
るセンサ構造体が基板シリコン上に絶縁層を介して形成
された薄膜シリコンに形成され、前記センサ構造体と前
記基板シリコンの間の前記絶縁層は除去されており、前
記重り部の周辺の支持枠部上に重り部を囲んでコイルが
形成されていることを特徴とする。
【００１２】さらにまた、本発明による加速度センサ
は、支持枠部と、それぞれ表面に磁性薄膜が形成された
変位可能な重り部および該重り部を前記支持枠部と連結
する梁部からなる複数のセンサ構造体が基板シリコン上
に絶縁層を介して形成された薄膜シリコンに形成され、
前記複数のセンサ構造体と前記基板シリコンの間の前記
絶縁層は除去されており、前記それぞれの重り部の周辺
の支持枠部上に重り部を囲んでそれぞれコイルが形成さ
れ、前記複数のコイルが直列に接続されていることを特
徴とする。
は、支持枠部と、それぞれ表面に磁性薄膜が形成された
変位可能な重り部および該重り部を前記支持枠部と連結
する梁部からなる複数のセンサ構造体が基板シリコン上
に絶縁層を介して形成された薄膜シリコンに形成され、
前記複数のセンサ構造体と前記基板シリコンの間の前記
絶縁層は除去されており、前記それぞれの重り部の周辺
の支持枠部上に重り部を囲んでそれぞれコイルが形成さ
れ、前記複数のコイルが直列に接続されていることを特
徴とする。
【００１３】ここで、前記それぞれ複数のセンサ構造体
および前記直列に接続された複数の検出コイルからな
り、センサ構造体および検出コイルの数が異なる複数の
センサ群が同一の半導体チップに形成されていることが
好適である。
および前記直列に接続された複数の検出コイルからな
り、センサ構造体および検出コイルの数が異なる複数の
センサ群が同一の半導体チップに形成されていることが
好適である。
【００１４】上述した加速度センサにおいて、自己診断
を行うための手段をさらに具え手いることが望ましく、
また、加速度センサが形成されている半導体チップに増
幅回路およびディジタル調整回路が形成されていること
が望ましい。
を行うための手段をさらに具え手いることが望ましく、
また、加速度センサが形成されている半導体チップに増
幅回路およびディジタル調整回路が形成されていること
が望ましい。
【００１５】本発明による角加速度センサは、第１の支
持枠部と、それぞれ表面に磁性薄膜が形成された変位可
能な第１の重り部および該第１の重り部を前記第１の支
持枠部と連結する第１の梁部からなる複数の第１のセン
サ構造体が基板シリコン上に絶縁層を介して形成された
薄膜シリコンに形成され、前記複数の第１のセンサ構造
体と前記基板シリコンの間の前記絶縁層は除去されてお
り、前記第１の重り部のそれぞれの周辺の第１の支持枠
部上に第１の重り部を囲んでそれぞれ第１の検出コイル
が形成され、前記複数の第１の検出コイルが直列に接続
されている第１のセンサ群と、第２の支持枠部と、それ
ぞれ表面に磁性薄膜が形成された変位可能な第２の重り
部および該第２の重り部を前記第２の支持枠部と連結す
る第２の梁部からなる複数の第２のセンサ構造体が前記
基板シリコン上に絶縁層を介して形成された前記薄膜シ
リコンに形成され、前記複数の第２のセンサ構造体と前
記基板シリコンの間の前記絶縁層は除去されており、前
記第２の重り部のそれぞれの周辺の第２の支持枠部上に
第２の重り部を囲んでそれぞれ第２の検出コイルが形成
され、前記複数の第２の検出コイルが直列に接続されて
いる第２のセンサ群とが同一の半導体チップ上に形成さ
れ、前記第１のセンサ群と第２のセンサ群のセンサ構造
体の数は等しく、前記第１のセンサ群と第２のセンサ群
は検出軸を対称軸として対称に配置され、前記検出軸の
周りの角加速度が発生したときに、前記第１および第２
のセンサ群の複数の第１および第２の検出コイルに流れ
る電流が同じ方向となるように前記第１および第２のセ
ンサ群の第１および第２の検出コイルは閉ループを構成
し、前記複数の第１および第２の検出コイルからの信号
を増幅する手段および前記複数の検出コイルからの出力
を積分して角速度信号を出力する手段を備えたことを特
徴とする。
持枠部と、それぞれ表面に磁性薄膜が形成された変位可
能な第１の重り部および該第１の重り部を前記第１の支
持枠部と連結する第１の梁部からなる複数の第１のセン
サ構造体が基板シリコン上に絶縁層を介して形成された
薄膜シリコンに形成され、前記複数の第１のセンサ構造
体と前記基板シリコンの間の前記絶縁層は除去されてお
り、前記第１の重り部のそれぞれの周辺の第１の支持枠
部上に第１の重り部を囲んでそれぞれ第１の検出コイル
が形成され、前記複数の第１の検出コイルが直列に接続
されている第１のセンサ群と、第２の支持枠部と、それ
ぞれ表面に磁性薄膜が形成された変位可能な第２の重り
部および該第２の重り部を前記第２の支持枠部と連結す
る第２の梁部からなる複数の第２のセンサ構造体が前記
基板シリコン上に絶縁層を介して形成された前記薄膜シ
リコンに形成され、前記複数の第２のセンサ構造体と前
記基板シリコンの間の前記絶縁層は除去されており、前
記第２の重り部のそれぞれの周辺の第２の支持枠部上に
第２の重り部を囲んでそれぞれ第２の検出コイルが形成
され、前記複数の第２の検出コイルが直列に接続されて
いる第２のセンサ群とが同一の半導体チップ上に形成さ
れ、前記第１のセンサ群と第２のセンサ群のセンサ構造
体の数は等しく、前記第１のセンサ群と第２のセンサ群
は検出軸を対称軸として対称に配置され、前記検出軸の
周りの角加速度が発生したときに、前記第１および第２
のセンサ群の複数の第１および第２の検出コイルに流れ
る電流が同じ方向となるように前記第１および第２のセ
ンサ群の第１および第２の検出コイルは閉ループを構成
し、前記複数の第１および第２の検出コイルからの信号
を増幅する手段および前記複数の検出コイルからの出力
を積分して角速度信号を出力する手段を備えたことを特
徴とする。
【００１６】本発明による加速度センサの製造方法は、
下記工程、（ａ）基板シリコン、ＳｉＯ2 層および薄膜
シリコンからなるＳＯＩウエハを作製する工程、（ｂ）
前記薄膜シリコンの、半導体ストレーンゲージに対応す
る位置に不純物をイオン注入して拡散抵抗を形成し、さ
らに前記薄膜シリコンに回路構成に必要なデバイス形成
する工程、（ｃ）前記ウエハの全面に保護膜を設け、パ
ターニングおよびエッチングにより、前記薄膜シリコン
を貫通する貫通孔を開け、重り部と周囲に残された支持
枠部につながる梁部を形成する工程、（ｄ）前記貫通孔
を形成するための保護膜はそのまま残し、ウエットエッ
チングによって、前記重り部および梁部の下部のＳｉＯ
2 層をエッチング除去する工程、（ｅ）前記保護膜を除
去し、前記ウエハの全面にレジストを塗布する工程、
（ｆ）ダイシングによって、前記ウエハの厚さを少し残
してチップを分割するためのスリットを形成する工程、
（ｇ）Ｏ2 プラズマによって前記ウエハ上の前記レジス
トを灰化して除去する工程、（ｈ）前記スリットに応力
を集中させてチップを分割する工程、を有することを特
徴とする。
下記工程、（ａ）基板シリコン、ＳｉＯ2 層および薄膜
シリコンからなるＳＯＩウエハを作製する工程、（ｂ）
前記薄膜シリコンの、半導体ストレーンゲージに対応す
る位置に不純物をイオン注入して拡散抵抗を形成し、さ
らに前記薄膜シリコンに回路構成に必要なデバイス形成
する工程、（ｃ）前記ウエハの全面に保護膜を設け、パ
ターニングおよびエッチングにより、前記薄膜シリコン
を貫通する貫通孔を開け、重り部と周囲に残された支持
枠部につながる梁部を形成する工程、（ｄ）前記貫通孔
を形成するための保護膜はそのまま残し、ウエットエッ
チングによって、前記重り部および梁部の下部のＳｉＯ
2 層をエッチング除去する工程、（ｅ）前記保護膜を除
去し、前記ウエハの全面にレジストを塗布する工程、
（ｆ）ダイシングによって、前記ウエハの厚さを少し残
してチップを分割するためのスリットを形成する工程、
（ｇ）Ｏ2 プラズマによって前記ウエハ上の前記レジス
トを灰化して除去する工程、（ｈ）前記スリットに応力
を集中させてチップを分割する工程、を有することを特
徴とする。
【００１７】本発明による角加速度センサの製造方法
は、下記工程、（ａ）基板シリコン、ＳｉＯ2 層および
薄膜シリコンからなるＳＯＩウエハを準備する工程、
（ｂ）前記薄膜シリコンの、半導体ストレーンゲージに
対応する位置に不純物をイオン注入して拡散抵抗を形成
し、重り部に対応する位置に磁性薄膜を形成し、前記磁
性薄膜を囲んで検出コイルを形成し、さらに前記薄膜シ
リコンに回路構成に必要なデバイス形成する工程、
（ｃ）前記ウエハの全面に保護膜を設け、パターニング
およびエッチングにより、前記薄膜シリコンを貫通する
貫通孔を開け、重り部と周囲に残された支持枠部につな
がる梁部を形成する工程、（ｄ）前記貫通孔を形成する
ための保護膜はそのまま残し、ウエットエッチングによ
って、前記重り部および梁部の下部のＳｉＯ2 層をエッ
チング除去する工程、（ｅ）前記保護膜を除去し、前記
ウエハの全面にレジストを塗布する工程、（ｆ）ダイシ
ングによって、前記ウエハの厚さを少し残してチップを
分割するためのスリットを形成する工程、（ｇ）Ｏ2 プ
ラズマによって前記ウエハ上の前記レジストを灰化して
除去する工程、（ｈ）前記スリットに応力を集中させて
チップを分割する工程、を有することを特徴とする。
は、下記工程、（ａ）基板シリコン、ＳｉＯ2 層および
薄膜シリコンからなるＳＯＩウエハを準備する工程、
（ｂ）前記薄膜シリコンの、半導体ストレーンゲージに
対応する位置に不純物をイオン注入して拡散抵抗を形成
し、重り部に対応する位置に磁性薄膜を形成し、前記磁
性薄膜を囲んで検出コイルを形成し、さらに前記薄膜シ
リコンに回路構成に必要なデバイス形成する工程、
（ｃ）前記ウエハの全面に保護膜を設け、パターニング
およびエッチングにより、前記薄膜シリコンを貫通する
貫通孔を開け、重り部と周囲に残された支持枠部につな
がる梁部を形成する工程、（ｄ）前記貫通孔を形成する
ための保護膜はそのまま残し、ウエットエッチングによ
って、前記重り部および梁部の下部のＳｉＯ2 層をエッ
チング除去する工程、（ｅ）前記保護膜を除去し、前記
ウエハの全面にレジストを塗布する工程、（ｆ）ダイシ
ングによって、前記ウエハの厚さを少し残してチップを
分割するためのスリットを形成する工程、（ｇ）Ｏ2 プ
ラズマによって前記ウエハ上の前記レジストを灰化して
除去する工程、（ｈ）前記スリットに応力を集中させて
チップを分割する工程、を有することを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明においては、加速度センサ
にＳＯＩ（シリコンオンインシュレータ）ウエハを用い
る。ＳＯＩウエハ成形技術として、再結晶化法、エピタ
キシャル成長法（ＳＯＳなど）、絶縁層埋込法（ＳＩＭ
ＯＸなど）、貼合法など、幾つかの方法が公知である
が、本発明に好適に適用可能なＳＯＩウエハは、酸化膜
を利用した直接接合技術によって成形される。すなわ
ち、厚さ５００〜７００μｍの第１のシリコン基板（支
持用基板）の表面を鏡面に研磨し、同じ口径の第２のシ
リコン基板（可動部形成用基板）の表面に厚さ数μｍの
酸化膜を形成し、これら２枚の基板を重ね合わせ、密着
させて酸化雰囲気中で加熱させることにより、２枚の基
板を接合させる。ついで、第２の基板を研磨および精密
鏡面研磨して接着面と対向する表面の酸化膜を除去する
とともに、第２の基板の厚さを所定の厚さ、例えば５〜
１０μｍ、とすることによって、所望のＳＯＩウエハが
得られる。
にＳＯＩ（シリコンオンインシュレータ）ウエハを用い
る。ＳＯＩウエハ成形技術として、再結晶化法、エピタ
キシャル成長法（ＳＯＳなど）、絶縁層埋込法（ＳＩＭ
ＯＸなど）、貼合法など、幾つかの方法が公知である
が、本発明に好適に適用可能なＳＯＩウエハは、酸化膜
を利用した直接接合技術によって成形される。すなわ
ち、厚さ５００〜７００μｍの第１のシリコン基板（支
持用基板）の表面を鏡面に研磨し、同じ口径の第２のシ
リコン基板（可動部形成用基板）の表面に厚さ数μｍの
酸化膜を形成し、これら２枚の基板を重ね合わせ、密着
させて酸化雰囲気中で加熱させることにより、２枚の基
板を接合させる。ついで、第２の基板を研磨および精密
鏡面研磨して接着面と対向する表面の酸化膜を除去する
とともに、第２の基板の厚さを所定の厚さ、例えば５〜
１０μｍ、とすることによって、所望のＳＯＩウエハが
得られる。
【００１９】この様にして得られたＳＯＩウエハに一括
して多数個の加速度センサを形成する。具体的には、第
２のシリコン基板に、重り部と梁部からなる可動部とそ
れを支持する支持枠部を有し、梁部に半導体ストレイン
ゲージが形成されたセンサ部、増幅回路、ディジタル調
整回路、配線および入出力端子などを形成し、可動部の
下部の絶縁層（犠牲酸化膜）をエッチング除去し、しか
る後に、ウエハを個別チップにダイシングして多数の加
速度センサを作製することができる。
して多数個の加速度センサを形成する。具体的には、第
２のシリコン基板に、重り部と梁部からなる可動部とそ
れを支持する支持枠部を有し、梁部に半導体ストレイン
ゲージが形成されたセンサ部、増幅回路、ディジタル調
整回路、配線および入出力端子などを形成し、可動部の
下部の絶縁層（犠牲酸化膜）をエッチング除去し、しか
る後に、ウエハを個別チップにダイシングして多数の加
速度センサを作製することができる。
【００２０】本発明による加速度センサは、薄肉の可動
部は厚肉の第１のシリコン基板上の第２のシリコン基板
に形成されているので、大口径ウエハの使用に伴う強度
上の問題はない。特に、センサ部の寸法が小さく、４０
〜８０ｋＨｚ程度の高周波領域に共振点があり、第１の
シリコン基板として厚さ５００〜７００μｍのウエハを
使用しているので、ウエハ自身の共振によって薄い梁部
に過大な変位または応力が働くこともない。そのため、
５インチ、６インチまたは８インチの大口径ウエハを用
いて多数のセンサを一括して作製することができる。
部は厚肉の第１のシリコン基板上の第２のシリコン基板
に形成されているので、大口径ウエハの使用に伴う強度
上の問題はない。特に、センサ部の寸法が小さく、４０
〜８０ｋＨｚ程度の高周波領域に共振点があり、第１の
シリコン基板として厚さ５００〜７００μｍのウエハを
使用しているので、ウエハ自身の共振によって薄い梁部
に過大な変位または応力が働くこともない。そのため、
５インチ、６インチまたは８インチの大口径ウエハを用
いて多数のセンサを一括して作製することができる。
【００２１】
【実施例】実施例１ 図１および図２に本発明の加速度センサの第１の実施例
を示す。図１（ａ）は加速度センサの上面図、図１
（ｂ）はそのａ−ａ線に沿った断面図であり、図２
（ａ）はセンサ部の拡大上面図、図２（ｂ）はそのｂ−
ｂ線に沿った断面図である。
を示す。図１（ａ）は加速度センサの上面図、図１
（ｂ）はそのａ−ａ線に沿った断面図であり、図２
（ａ）はセンサ部の拡大上面図、図２（ｂ）はそのｂ−
ｂ線に沿った断面図である。
【００２２】図１（ａ）に示すように、基板シリコン１
００と薄膜シリコン１０１との間に電気的分離および犠
牲層となるＳｉＯ2 層１０２が形成されているチップ
の、薄膜シリコン１０１にはチップの中心部に配置され
たセンサ部１０３、ディジタル調整回路１０４、アナロ
グ増幅回路１０５、入出力端子１０６およびディジタル
調整用端子１０７が形成されている。アナログ増幅回路
１０５はセンサ部１０３の出力を増幅するためのもの、
ディジタル調整回路１０４はセンサの感度補正および温
度補正などを行うための回路であり、例えばＲＯＭによ
って構成される。ディジタル調整用端子１０７はそのた
めのデータをディジタル調整回路１０４に入力するため
の端子である。
００と薄膜シリコン１０１との間に電気的分離および犠
牲層となるＳｉＯ2 層１０２が形成されているチップ
の、薄膜シリコン１０１にはチップの中心部に配置され
たセンサ部１０３、ディジタル調整回路１０４、アナロ
グ増幅回路１０５、入出力端子１０６およびディジタル
調整用端子１０７が形成されている。アナログ増幅回路
１０５はセンサ部１０３の出力を増幅するためのもの、
ディジタル調整回路１０４はセンサの感度補正および温
度補正などを行うための回路であり、例えばＲＯＭによ
って構成される。ディジタル調整用端子１０７はそのた
めのデータをディジタル調整回路１０４に入力するため
の端子である。
【００２３】図２（ａ）に示すように、センサ部１０３
は、重り部１１０、その４隅の突起部（梁部）１１１ａ
1 ，１１１ａ2 ，１１１ｂ1 ，１１１ｂ2 、からなり、
重り部１１０は４隅の突起部（梁部）１１１ａ1 ，１１
１ａ2 ，１１１ｂ1 ，１１１ｂ2 を介して周囲の支持枠
部１１２と一体化されている。この構造は、重り部１１
０がその両側の平行な２組の梁部、すなわち突起部１１
１ａ1 ，１１１ａ2 を含む第１の梁部および突起部１１
１ｂ1 ，１１１ｂ2 を含む第２の梁部によって支持枠部
１１２に支持されている構造であるる。１０８は第２の
シリコン基板を貫く貫通孔であり、これらの貫通孔を利
用し、湿式エッチングによって、重り部１１０および梁
部１１１ａ1 ，１１１ａ2 ，１１１ｂ1 ，１１１ｂ2 の
下部のＳｉＯ2 層１０２をエッチング除去している（図
１（ｂ）、図２（ｂ）参照）。その結果、重り部１１０
および第１、第２の梁部はその表面に対して垂直な方向
に変位可能になっている。重り部１１０と梁部１１１ａ
1 ，１１１ａ2 ，１１１ｂ1 ，１１１ｂ2 の厚さは等し
く、例えば５μｍであり、重り部１１０の寸法は、例え
ば８５０μｍ×６００μｍ、梁部の幅は、例えば３０μ
ｍである。梁部１１１ａ1 ，１１１ａ2 ，１１１ｂ1 ，
１１１ｂ2 の両端部のそれぞれの支持枠部側および重り
部側に、すなわち合計８個の半導体ストレインゲージ１
１３ａ，１１３ｂ，１１３ｃ，１１３ｄ，１１３ｅ，１
１３ｆ，１１３ｇ，１１３ｈ、が不純物拡散によって形
成されている。１１４はこれらのストレインゲージを結
ぶ配線で、８個のストレインゲージによってホイートス
トーンブリッジが形成されている。このホイートストー
ンブリッジは定電圧電源ＶｃｃおよびグラウンドＧＮＤ
に接続され、その出力Ｖ＋、Ｖ−は増幅回路１０５に導
かれる。
は、重り部１１０、その４隅の突起部（梁部）１１１ａ
1 ，１１１ａ2 ，１１１ｂ1 ，１１１ｂ2 、からなり、
重り部１１０は４隅の突起部（梁部）１１１ａ1 ，１１
１ａ2 ，１１１ｂ1 ，１１１ｂ2 を介して周囲の支持枠
部１１２と一体化されている。この構造は、重り部１１
０がその両側の平行な２組の梁部、すなわち突起部１１
１ａ1 ，１１１ａ2 を含む第１の梁部および突起部１１
１ｂ1 ，１１１ｂ2 を含む第２の梁部によって支持枠部
１１２に支持されている構造であるる。１０８は第２の
シリコン基板を貫く貫通孔であり、これらの貫通孔を利
用し、湿式エッチングによって、重り部１１０および梁
部１１１ａ1 ，１１１ａ2 ，１１１ｂ1 ，１１１ｂ2 の
下部のＳｉＯ2 層１０２をエッチング除去している（図
１（ｂ）、図２（ｂ）参照）。その結果、重り部１１０
および第１、第２の梁部はその表面に対して垂直な方向
に変位可能になっている。重り部１１０と梁部１１１ａ
1 ，１１１ａ2 ，１１１ｂ1 ，１１１ｂ2 の厚さは等し
く、例えば５μｍであり、重り部１１０の寸法は、例え
ば８５０μｍ×６００μｍ、梁部の幅は、例えば３０μ
ｍである。梁部１１１ａ1 ，１１１ａ2 ，１１１ｂ1 ，
１１１ｂ2 の両端部のそれぞれの支持枠部側および重り
部側に、すなわち合計８個の半導体ストレインゲージ１
１３ａ，１１３ｂ，１１３ｃ，１１３ｄ，１１３ｅ，１
１３ｆ，１１３ｇ，１１３ｈ、が不純物拡散によって形
成されている。１１４はこれらのストレインゲージを結
ぶ配線で、８個のストレインゲージによってホイートス
トーンブリッジが形成されている。このホイートストー
ンブリッジは定電圧電源ＶｃｃおよびグラウンドＧＮＤ
に接続され、その出力Ｖ＋、Ｖ−は増幅回路１０５に導
かれる。
【００２４】図３に加速度検出回路のブロック図を示
す。８個の半導体ストレインゲージ１１３ａ，１１３
ｂ，１１３ｃ，１１３ｄ，１１３ｅ，１１３ｆ，１１３
ｇ，１１３ｈによって構成されるホイートストーンブリ
ッジの出力Ｖ＋、Ｖ−が増幅回路１０５に入力され増幅
される。図２（ｂ）の矢印方向に加速度が働くと、重り
部側のストレインゲージ１１３ｂ，１１３ｃ，１１３
ｆ，１１３ｇには圧縮応力が働いて抵抗値が下がり、支
持枠部側のストレインゲージ１１３ａ，１１３ｄ，１１
３ｅ，１１３ｈには引張応力が働いて抵抗値が上がる。
その結果ホイートストーンブリッジから加速度の大きさ
に応じたセンサ出力が得られ、増幅回路１０５で増幅さ
れる。また、ディジタル調整回路１０４から感度補正の
ためのデータＶｇ、感度の温度特性を補正するためのデ
ータＴＣＳおよびオフセット電圧Ｖｏｆｆ（加速度を印
加しない状態でのセンサ出力）とオフセット電圧のずれ
を補正するためのデータΔＶｏｆｆが増幅回路１０５に
入力される。増幅回路１０５の出力はハイパスフィルタ
１１６、ローパスフィルタ１１７を通して出力Ｖｏｕｔ
が得られる。この様にして、必要に応じて補正された検
出結果をブリッジ出力電圧Ｖｏｕｔとして取り出すこと
ができる。ハイパスフィルタ１１６およびローパスフィ
ルタ１１７は外部回路でもよく、それらの周波数応答領
域の調整部分などをディジタル調整回路１０４に組み込
んでもよい。
す。８個の半導体ストレインゲージ１１３ａ，１１３
ｂ，１１３ｃ，１１３ｄ，１１３ｅ，１１３ｆ，１１３
ｇ，１１３ｈによって構成されるホイートストーンブリ
ッジの出力Ｖ＋、Ｖ−が増幅回路１０５に入力され増幅
される。図２（ｂ）の矢印方向に加速度が働くと、重り
部側のストレインゲージ１１３ｂ，１１３ｃ，１１３
ｆ，１１３ｇには圧縮応力が働いて抵抗値が下がり、支
持枠部側のストレインゲージ１１３ａ，１１３ｄ，１１
３ｅ，１１３ｈには引張応力が働いて抵抗値が上がる。
その結果ホイートストーンブリッジから加速度の大きさ
に応じたセンサ出力が得られ、増幅回路１０５で増幅さ
れる。また、ディジタル調整回路１０４から感度補正の
ためのデータＶｇ、感度の温度特性を補正するためのデ
ータＴＣＳおよびオフセット電圧Ｖｏｆｆ（加速度を印
加しない状態でのセンサ出力）とオフセット電圧のずれ
を補正するためのデータΔＶｏｆｆが増幅回路１０５に
入力される。増幅回路１０５の出力はハイパスフィルタ
１１６、ローパスフィルタ１１７を通して出力Ｖｏｕｔ
が得られる。この様にして、必要に応じて補正された検
出結果をブリッジ出力電圧Ｖｏｕｔとして取り出すこと
ができる。ハイパスフィルタ１１６およびローパスフィ
ルタ１１７は外部回路でもよく、それらの周波数応答領
域の調整部分などをディジタル調整回路１０４に組み込
んでもよい。
【００２５】本実施例では、重り部１１０はその両側に
形成された平行な二つの梁部１１１ａ、１１１ｂによっ
て支持枠部１１２に変位可能に支持されているが、これ
によって、図１８に示した従来において生じ得る梁部の
ねじれ変形による測定誤差を防ぐことができる。さら
に、本実施例においてはブリッジの一辺に２個のストレ
インゲージを配した構成としているので、センサの感度
を高めることができる。また、本発明においては、半導
体ストレインゲージでホイートストーンブリッジを構成
しているので、センサ部１０３と基板シリコン１００と
の間に重り部の動きを妨げない程度の大きさの異物が侵
入しても、容量型の場合と異なってセンサの特性に及ぶ
影響は少ない。
形成された平行な二つの梁部１１１ａ、１１１ｂによっ
て支持枠部１１２に変位可能に支持されているが、これ
によって、図１８に示した従来において生じ得る梁部の
ねじれ変形による測定誤差を防ぐことができる。さら
に、本実施例においてはブリッジの一辺に２個のストレ
インゲージを配した構成としているので、センサの感度
を高めることができる。また、本発明においては、半導
体ストレインゲージでホイートストーンブリッジを構成
しているので、センサ部１０３と基板シリコン１００と
の間に重り部の動きを妨げない程度の大きさの異物が侵
入しても、容量型の場合と異なってセンサの特性に及ぶ
影響は少ない。
【００２６】さらに、本実施例は加速度センサの性能が
正常か否かを確認する機能、すなわちセルフチェック機
能を備えている。これは、基板シリコン１００として比
抵抗の小さいシリコンを用い、その裏面に設けた電極１
１５（図３においては、説明の便宜上センサの表面にあ
るように示してある）に外部から電圧Ｖｓｅｌｆを印加
して基板シリコン１００と薄膜シリコン１０１との間に
電位差を発生させ、それによる静電力によってセンサ１
０３を変位させ、その時のブリッジからの出力を検出す
ることによって行われる。基板シリコン１００と薄膜シ
リコン１０１とのギャップはその間のＳｉＯ2 層の厚さ
によって決定される。換言すれば、ＳＯＩウエハを作製
する際にＳｉＯ2 層の厚さを制御することによって、ギ
ャップの寸法を容易に制御できる。従って、印加する電
圧によって生じる静電力の大きさを容易に、かつ正確に
計算できるので、電極１１５に印加する交流あるいは直
流電圧の大きさとセンサ出力の関係を調べることによっ
て自己診断（セルフチェック）が可能である。もちろ
ん、重り部、梁部からなる可動部の寸法は設計時に決定
されているので、基板シリコンと接触しない範囲の変位
を重り部に生じさせるための電圧範囲も容易に決定でき
る。
正常か否かを確認する機能、すなわちセルフチェック機
能を備えている。これは、基板シリコン１００として比
抵抗の小さいシリコンを用い、その裏面に設けた電極１
１５（図３においては、説明の便宜上センサの表面にあ
るように示してある）に外部から電圧Ｖｓｅｌｆを印加
して基板シリコン１００と薄膜シリコン１０１との間に
電位差を発生させ、それによる静電力によってセンサ１
０３を変位させ、その時のブリッジからの出力を検出す
ることによって行われる。基板シリコン１００と薄膜シ
リコン１０１とのギャップはその間のＳｉＯ2 層の厚さ
によって決定される。換言すれば、ＳＯＩウエハを作製
する際にＳｉＯ2 層の厚さを制御することによって、ギ
ャップの寸法を容易に制御できる。従って、印加する電
圧によって生じる静電力の大きさを容易に、かつ正確に
計算できるので、電極１１５に印加する交流あるいは直
流電圧の大きさとセンサ出力の関係を調べることによっ
て自己診断（セルフチェック）が可能である。もちろ
ん、重り部、梁部からなる可動部の寸法は設計時に決定
されているので、基板シリコンと接触しない範囲の変位
を重り部に生じさせるための電圧範囲も容易に決定でき
る。
【００２７】次に、上述した実施例の製造方法を図４を
参照して説明する。図４は図２（ａ）のｃ−ｃに沿った
断面を示している。
参照して説明する。図４は図２（ａ）のｃ−ｃに沿った
断面を示している。
【００２８】（ａ）先に説明した直接貼合法によって作
製された基板シリコン１００、ＳｉＯ2 層１０２および
薄膜シリコン１０１からなるＳＯＩウエハを準備する。
本実施例においては、口径６インチのウエハを用い、基
板シリコン１００、ＳｉＯ2層１０２および薄膜シリコ
ン１０１の厚さはそれぞれ６２５μｍ、１μｍ、および
５μｍとした。この状態で、薄膜シリコン１０１の、半
導体ストレーンゲージ１０８ａ〜１０８ｈに対応する位
置にボロンまたはリンをイオン注入し、拡散抵抗を形成
する。ディジタル調整回路１０４、アナログ増幅回路１
０５、端子１０６および１０７、配線その他の回路構成
に必要なデバイスもこの段階で薄膜シリコン１０１に形
成しておく。
製された基板シリコン１００、ＳｉＯ2 層１０２および
薄膜シリコン１０１からなるＳＯＩウエハを準備する。
本実施例においては、口径６インチのウエハを用い、基
板シリコン１００、ＳｉＯ2層１０２および薄膜シリコ
ン１０１の厚さはそれぞれ６２５μｍ、１μｍ、および
５μｍとした。この状態で、薄膜シリコン１０１の、半
導体ストレーンゲージ１０８ａ〜１０８ｈに対応する位
置にボロンまたはリンをイオン注入し、拡散抵抗を形成
する。ディジタル調整回路１０４、アナログ増幅回路１
０５、端子１０６および１０７、配線その他の回路構成
に必要なデバイスもこの段階で薄膜シリコン１０１に形
成しておく。
【００２９】（ｂ）ウエハ全面に保護膜を設け、パター
ニングおよびエッチング（ウェットあるいはドライエッ
チング）により、薄膜シリコン１０１を貫通する貫通孔
１０８を開け、重り部と周囲に残された支持枠部につな
がる梁部を形成する。その際、重り部にも貫通孔１０８
を形成しておく。
ニングおよびエッチング（ウェットあるいはドライエッ
チング）により、薄膜シリコン１０１を貫通する貫通孔
１０８を開け、重り部と周囲に残された支持枠部につな
がる梁部を形成する。その際、重り部にも貫通孔１０８
を形成しておく。
【００３０】（ｃ）貫通孔１０８形成のための保護膜は
そのまま残し、バッファフッ酸（ＨＦ＋ＮＨ4 Ｆ）を用
いたウエットエッチングによって、重り部および梁部の
下部のＳｉＯ2 層１０２をエッチング除去する。
そのまま残し、バッファフッ酸（ＨＦ＋ＮＨ4 Ｆ）を用
いたウエットエッチングによって、重り部および梁部の
下部のＳｉＯ2 層１０２をエッチング除去する。
【００３１】（ｄ）保護膜を除去し、スピナーを用い、
改めてウエハ全面にレジスト１１８を塗布する。このレ
ジストは次のダイシング工程においてセンサ部および回
路を保護するとともに、センサ部と基板シリコンの間に
形成されたギャップに異物が侵入するのを防ぐためのも
のである。
改めてウエハ全面にレジスト１１８を塗布する。このレ
ジストは次のダイシング工程においてセンサ部および回
路を保護するとともに、センサ部と基板シリコンの間に
形成されたギャップに異物が侵入するのを防ぐためのも
のである。
【００３２】（ｅ）ダイシングによって、ウエハの厚さ
を少し残してチップを分割するためのスリット１１９を
形成する。
を少し残してチップを分割するためのスリット１１９を
形成する。
【００３３】（ｆ）Ｏ2 プラズマによってウエハ上のレ
ジストを灰化して除去する。
ジストを灰化して除去する。
【００３４】（ｇ）スリット１１９に応力を集中させる
冶具１１２０を用いてチップを分割する。
冶具１１２０を用いてチップを分割する。
【００３５】（ｈ）この様にして分割されたチップ１２
１が完成する。
１が完成する。
【００３６】この様にして大口径ウエハから多数の加速
度センサを一括して生産でき、しかも、製造工程中に基
板シリコンとセンサ可動部の間のギャップに異物が侵入
することを防ぐことができる。
度センサを一括して生産でき、しかも、製造工程中に基
板シリコンとセンサ可動部の間のギャップに異物が侵入
することを防ぐことができる。
【００３７】実施例２ 図５に本発明による加速度センサの第２の実施例を示
す。図５（ａ）は上面図であり、図５（ｂ）はセンサ部
の拡大図である。
す。図５（ａ）は上面図であり、図５（ｂ）はセンサ部
の拡大図である。
【００３８】基板シリコン１００と薄膜シリコン１０１
との間に電気的分離および犠牲層となるＳｉＯ2 層が形
成されているチップの、薄膜シリコン１０１にはチップ
の中心部に配置されたセンサ部２００、ディジタル調整
回路１０４、アナログ増幅回路１０５、入出力端子１０
６およびディジタル調整用端子１０７が形成されてい
る。本実施例が第１の実施例と異なるのは、センサ部の
構造と、それに伴う半導体ストレインゲージの配置であ
る。その他は第１の実施例と同様なので説明を省略す
る。
との間に電気的分離および犠牲層となるＳｉＯ2 層が形
成されているチップの、薄膜シリコン１０１にはチップ
の中心部に配置されたセンサ部２００、ディジタル調整
回路１０４、アナログ増幅回路１０５、入出力端子１０
６およびディジタル調整用端子１０７が形成されてい
る。本実施例が第１の実施例と異なるのは、センサ部の
構造と、それに伴う半導体ストレインゲージの配置であ
る。その他は第１の実施例と同様なので説明を省略す
る。
【００３９】センサ部２００は二つの重り部２０１ａ，
２０１ｂ、二つの重り部と支持枠部２１２と連結し、ま
た二つの重り部同士を連結する６個の連結部２１１ａ
1 ，２１１ａ2 ，２１１ａ3 ，２１１ｂ1 ，２１１ｂ
2 ，２１１ｂ3 からなっている。二つの重り部およびそ
の周囲には実施例１の重り部と同様に貫通孔１０８が設
けられており、二つの重り部と６個の連結部の下部のＳ
ｉＯ2 層はエッチング除去されている。従って、二つの
重り部は、連結部２１１ａ1 ，２１１ａ3 ，２１１ｂ
1 ，２１１ｂ3 を介して周囲の支持枠部２１２と一体化
され、紙面に垂直方向に変位可能になっている。この構
造は、二つの重り部２０１ａおよび２０１ｂが平行な２
組の梁部、すなわち連結部２１１ａ1 ，２１１ａ2 ，２
１１ａ3 を含む第１の梁部と連結部２１１ｂ1 ，２１１
ｂ2 ，２１１ｂ3 を含む第２の梁部によって支持枠部２
１２に支持された構造である。第１の梁部の連結部２１
１ａ1 ，２１１ａ3 上、および第２の梁部の連結部２１
１ｂ2 ，２１１ｂ3 上に、それぞれ半導体ストレインゲ
ージ２１３ａ，２１３ｂ，２１３ｃ，２１３ｄが不純物
拡散によって形成されている。感度を上げるために、梁
部の厚さは、好ましくは重り部の厚さ（薄膜シリコンの
厚さ）より薄くされる。本実施例においては、重り部の
厚さ５μｍに対して梁部の厚さを２μｍとした。本実施
例の加速度センサは第１の実施例と同様の工程で製作で
きる。ただし、梁部の厚さを薄くするには、上述の工程
（ａ）において、半導体ストレインゲージ、回路デバイ
スなどの形成の前に、パターンエッチングを行って、梁
部の厚さを薄くしておく。
２０１ｂ、二つの重り部と支持枠部２１２と連結し、ま
た二つの重り部同士を連結する６個の連結部２１１ａ
1 ，２１１ａ2 ，２１１ａ3 ，２１１ｂ1 ，２１１ｂ
2 ，２１１ｂ3 からなっている。二つの重り部およびそ
の周囲には実施例１の重り部と同様に貫通孔１０８が設
けられており、二つの重り部と６個の連結部の下部のＳ
ｉＯ2 層はエッチング除去されている。従って、二つの
重り部は、連結部２１１ａ1 ，２１１ａ3 ，２１１ｂ
1 ，２１１ｂ3 を介して周囲の支持枠部２１２と一体化
され、紙面に垂直方向に変位可能になっている。この構
造は、二つの重り部２０１ａおよび２０１ｂが平行な２
組の梁部、すなわち連結部２１１ａ1 ，２１１ａ2 ，２
１１ａ3 を含む第１の梁部と連結部２１１ｂ1 ，２１１
ｂ2 ，２１１ｂ3 を含む第２の梁部によって支持枠部２
１２に支持された構造である。第１の梁部の連結部２１
１ａ1 ，２１１ａ3 上、および第２の梁部の連結部２１
１ｂ2 ，２１１ｂ3 上に、それぞれ半導体ストレインゲ
ージ２１３ａ，２１３ｂ，２１３ｃ，２１３ｄが不純物
拡散によって形成されている。感度を上げるために、梁
部の厚さは、好ましくは重り部の厚さ（薄膜シリコンの
厚さ）より薄くされる。本実施例においては、重り部の
厚さ５μｍに対して梁部の厚さを２μｍとした。本実施
例の加速度センサは第１の実施例と同様の工程で製作で
きる。ただし、梁部の厚さを薄くするには、上述の工程
（ａ）において、半導体ストレインゲージ、回路デバイ
スなどの形成の前に、パターンエッチングを行って、梁
部の厚さを薄くしておく。
【００４０】図６に本実施例におけるホイートストーン
ブリッジ回路を示す。図５の重り部の厚さ方向に基板シ
リコンに向かう方向の加速度が働いたとき、梁部の、半
導体ストレインゲージ２１３ｂおよび２１３ｄが形成さ
れている部分には圧縮応力が働き、半導体ストレインゲ
ージ２１３ａおよび２１３ｃが形成されている部分には
引張応力が働く。従って、半導体ストレインゲージ２１
３ｂおよび２１３ｄの抵抗は下がり、半導体ストレイン
ゲージ２１３ａおよび２１３ｃの抵抗は上がる。これら
の作用によって、ホイートストーンブリッジ回路から加
速度変化に応じた電圧変化が出力される。
ブリッジ回路を示す。図５の重り部の厚さ方向に基板シ
リコンに向かう方向の加速度が働いたとき、梁部の、半
導体ストレインゲージ２１３ｂおよび２１３ｄが形成さ
れている部分には圧縮応力が働き、半導体ストレインゲ
ージ２１３ａおよび２１３ｃが形成されている部分には
引張応力が働く。従って、半導体ストレインゲージ２１
３ｂおよび２１３ｄの抵抗は下がり、半導体ストレイン
ゲージ２１３ａおよび２１３ｃの抵抗は上がる。これら
の作用によって、ホイートストーンブリッジ回路から加
速度変化に応じた電圧変化が出力される。
【００４１】図７に重り部を二つ有するセンサ部の他の
構成例を示す。図６に示したセンサ部と異なって、重り
部２０１ａ，２０１ｂは平行な３組の梁部、２１１ｃ1
と２１１ｃ2 、２１１ｄ1 と２１１ｄ2 、２１１ｅ1 と
２１１ｅ2 によって支持枠部に連結されている。重り部
２０１ａと２０１ｂは図６の例と同様に平行な二つの梁
部２１１ａと２１１ｂによって連結されている。そして
梁部２１１ｄ1 ，２１１ａ，２１１ｂ、および２１１ｄ
2 には半導体ストレインゲージ２１３ａ，２１３ｂ，２
１３ｃおよび２１３ｄが形成され、これらでホイートス
トーンブリッジを構成している。梁部の表面には加速度
によって応力が発生するため、配線の安定性を高めるた
めに、各ストレインゲージを結ぶ配線として通常のＡｌ
配線構造（シリコン上に絶縁層を介してＡｌ配線を設け
る）をとらず、拡散配線を用いることがある。この場
合、拡散配線はシート抵抗であり、その値は長さと幅に
よって決まる。図５に示した例では、重り部と支持枠部
を連結する梁部でストレインゲージが形成されている部
分は１本の梁の上に２本の配線が必要で、そのために配
線の幅が狭くなり、シート抵抗は高くなり、従ってその
分感度が低下する。これに対し、図７の例では各梁に設
けられる配線は１本ですみ、従って配線幅を広くするこ
とができ、そのために低抵抗の配線を構成することがで
きるので、感度の低下を少なくすることができる。
構成例を示す。図６に示したセンサ部と異なって、重り
部２０１ａ，２０１ｂは平行な３組の梁部、２１１ｃ1
と２１１ｃ2 、２１１ｄ1 と２１１ｄ2 、２１１ｅ1 と
２１１ｅ2 によって支持枠部に連結されている。重り部
２０１ａと２０１ｂは図６の例と同様に平行な二つの梁
部２１１ａと２１１ｂによって連結されている。そして
梁部２１１ｄ1 ，２１１ａ，２１１ｂ、および２１１ｄ
2 には半導体ストレインゲージ２１３ａ，２１３ｂ，２
１３ｃおよび２１３ｄが形成され、これらでホイートス
トーンブリッジを構成している。梁部の表面には加速度
によって応力が発生するため、配線の安定性を高めるた
めに、各ストレインゲージを結ぶ配線として通常のＡｌ
配線構造（シリコン上に絶縁層を介してＡｌ配線を設け
る）をとらず、拡散配線を用いることがある。この場
合、拡散配線はシート抵抗であり、その値は長さと幅に
よって決まる。図５に示した例では、重り部と支持枠部
を連結する梁部でストレインゲージが形成されている部
分は１本の梁の上に２本の配線が必要で、そのために配
線の幅が狭くなり、シート抵抗は高くなり、従ってその
分感度が低下する。これに対し、図７の例では各梁に設
けられる配線は１本ですみ、従って配線幅を広くするこ
とができ、そのために低抵抗の配線を構成することがで
きるので、感度の低下を少なくすることができる。
【００４２】なお、本実施例は、この様なホイートスト
ーンブリッジを構成するために同等のゲージ変化が得ら
れる組み合わせであればよく、図５および図６に示した
ゲージの配置およびゲージの組み合わせに限定されるも
のではない。
ーンブリッジを構成するために同等のゲージ変化が得ら
れる組み合わせであればよく、図５および図６に示した
ゲージの配置およびゲージの組み合わせに限定されるも
のではない。
【００４３】実施例３ 図８に本発明による加速度センサの第３の実施例を示
す。図８（ａ）は上面図であり、図８（ｂ）はそのｄ−
ｄ線に沿った断面図、図８（ｃ）は図８（ｂ）のセンサ
部の拡大図である。
す。図８（ａ）は上面図であり、図８（ｂ）はそのｄ−
ｄ線に沿った断面図、図８（ｃ）は図８（ｂ）のセンサ
部の拡大図である。
【００４４】第１の実施例と同様に、基板シリコン１０
０と薄膜シリコン１０１との間に電気的分離および犠牲
層となるＳｉＯ2 層１０２が形成されているチップの、
薄膜シリコン１０１にはセンサ部３００、ディジタル調
整回路１０４、アナログ増幅回路１０５、入出力端子１
０６およびディジタル調整用端子１０７が形成されてい
る。チップの中心部に配置されたセンサ部３００の下部
のＳｉＯ2 層１０２は実施例１、２と同様にエッチング
除去されている。後に説明するように、セルフチェック
のために、基板シリコン１００とセンサ部３００との間
に電圧を印加して、センサ部を変位させることができ
る。
０と薄膜シリコン１０１との間に電気的分離および犠牲
層となるＳｉＯ2 層１０２が形成されているチップの、
薄膜シリコン１０１にはセンサ部３００、ディジタル調
整回路１０４、アナログ増幅回路１０５、入出力端子１
０６およびディジタル調整用端子１０７が形成されてい
る。チップの中心部に配置されたセンサ部３００の下部
のＳｉＯ2 層１０２は実施例１、２と同様にエッチング
除去されている。後に説明するように、セルフチェック
のために、基板シリコン１００とセンサ部３００との間
に電圧を印加して、センサ部を変位させることができ
る。
【００４５】図９にセンサ部の拡大上面図を示す。セン
サ部３００は、真空蒸着法あるいはスパッタリング法な
どの薄膜作成技術を用いて、薄膜磁石であるＮｂＦｅＢ
系、あるいはＳｍＣｏ系等の磁性薄膜３０１が薄膜シリ
コン１０１の表面に形成された重り部（３０２）と、こ
の重り部と支持枠部１１２とを連結する弾性梁部３０３
からなっている。センサ部３００の下部のＳｉＯ2 層は
前述したように除去されており、また、センサ部の周囲
の薄膜シリコンも除去されて犠牲層エッチング用の貫通
孔１０８を形成しているので、磁性薄膜３０１を表面に
有する重り部３０２は弾性梁３０３を介して支持枠部と
一体化されており、重り部３０２に紙面に垂直な加速度
が働くと弾性梁３０３が撓んで、重り部は変位可能であ
る。貫通孔１０８の周辺の支持枠上には、重り部を囲ん
で検出コイル３０４が薄膜技術によって形成されてい
る。
サ部３００は、真空蒸着法あるいはスパッタリング法な
どの薄膜作成技術を用いて、薄膜磁石であるＮｂＦｅＢ
系、あるいはＳｍＣｏ系等の磁性薄膜３０１が薄膜シリ
コン１０１の表面に形成された重り部（３０２）と、こ
の重り部と支持枠部１１２とを連結する弾性梁部３０３
からなっている。センサ部３００の下部のＳｉＯ2 層は
前述したように除去されており、また、センサ部の周囲
の薄膜シリコンも除去されて犠牲層エッチング用の貫通
孔１０８を形成しているので、磁性薄膜３０１を表面に
有する重り部３０２は弾性梁３０３を介して支持枠部と
一体化されており、重り部３０２に紙面に垂直な加速度
が働くと弾性梁３０３が撓んで、重り部は変位可能であ
る。貫通孔１０８の周辺の支持枠上には、重り部を囲ん
で検出コイル３０４が薄膜技術によって形成されてい
る。
【００４６】図１０は本実施例の動作原理を説明する図
である。図１０（ａ）に示すように、センサに加速度Ｇ
が働いて、重り部３０２が、従って磁性薄膜３０１が、
上方に変位した場合、磁性薄膜３０１の加速度の変化に
応じて検出コイル３０４にはレンツの法則に従って電流
Ｉが流れる。一方、図１０（ｂ）に示すように、磁性薄
膜３０１が下方に変位した場合、検出コイル３０４には
図１０（ａ）と逆方向の電流Ｉが流れる。この様にして
発生した誘導電流Ｉを積分回路などに入力して加速度
を、２段の積分回路に入力して速度を、３段の積分回路
に入力して変位を検出することができる。
である。図１０（ａ）に示すように、センサに加速度Ｇ
が働いて、重り部３０２が、従って磁性薄膜３０１が、
上方に変位した場合、磁性薄膜３０１の加速度の変化に
応じて検出コイル３０４にはレンツの法則に従って電流
Ｉが流れる。一方、図１０（ｂ）に示すように、磁性薄
膜３０１が下方に変位した場合、検出コイル３０４には
図１０（ａ）と逆方向の電流Ｉが流れる。この様にして
発生した誘導電流Ｉを積分回路などに入力して加速度
を、２段の積分回路に入力して速度を、３段の積分回路
に入力して変位を検出することができる。
【００４７】図１１に本実施例の製造方法を示す。図１
１は図８（ｂ）に対応する断面図である。
１は図８（ｂ）に対応する断面図である。
【００４８】（ａ）先に説明した直接貼合法によって作
製された基板シリコン１００、ＳｉＯ2 層１０２および
薄膜シリコン１０１からなるＳＯＩウエハを準備する。
この状態で、薄膜シリコン１０１の、重り部３０２に対
応する位置に真空蒸着法あるいはスパッタ法によって磁
性薄膜３０１を形成し、その周囲に検出コイルを形成す
る。図８に示したディジタル調整回路１０４、アナログ
増幅回路１０５、端子１０６および１０７、配線その他
の回路構成に必要なデバイスもこの段階で薄膜シリコン
１０１に形成しておく。
製された基板シリコン１００、ＳｉＯ2 層１０２および
薄膜シリコン１０１からなるＳＯＩウエハを準備する。
この状態で、薄膜シリコン１０１の、重り部３０２に対
応する位置に真空蒸着法あるいはスパッタ法によって磁
性薄膜３０１を形成し、その周囲に検出コイルを形成す
る。図８に示したディジタル調整回路１０４、アナログ
増幅回路１０５、端子１０６および１０７、配線その他
の回路構成に必要なデバイスもこの段階で薄膜シリコン
１０１に形成しておく。
【００４９】（ｂ）ウエハ全面に保護膜を設け、パター
ニングおよびエッチング（ウェットあるいはドライエッ
チング）により、薄膜シリコン１０１を貫通する貫通孔
１０８を開け、重り部３０２と支持枠部につながる弾性
梁部３０３を形成する。
ニングおよびエッチング（ウェットあるいはドライエッ
チング）により、薄膜シリコン１０１を貫通する貫通孔
１０８を開け、重り部３０２と支持枠部につながる弾性
梁部３０３を形成する。
【００５０】（ｃ）貫通孔１０８形成のための保護膜は
そのまま残し、バッファフッ酸を用いたウエットエッチ
ングによって、重り部および梁部の下部のＳｉＯ2 層１
０２をエッチング除去する。
そのまま残し、バッファフッ酸を用いたウエットエッチ
ングによって、重り部および梁部の下部のＳｉＯ2 層１
０２をエッチング除去する。
【００５１】（ｄ）保護膜を除去し、スピナーを用い、
改めてウエハ全面にレジスト１１８を塗布する。このレ
ジストは次のダイシング工程においてセンサ部および回
路を保護するとともに、センサ部と基板シリコンの間に
形成されたギャップに異物が侵入するのを防ぐためのも
のである。
改めてウエハ全面にレジスト１１８を塗布する。このレ
ジストは次のダイシング工程においてセンサ部および回
路を保護するとともに、センサ部と基板シリコンの間に
形成されたギャップに異物が侵入するのを防ぐためのも
のである。
【００５２】（ｅ）ダイシングによって、ウエハの厚さ
を少し残してチップを分割するためのスリット１１９を
形成する。
を少し残してチップを分割するためのスリット１１９を
形成する。
【００５３】（ｆ）Ｏ2 プラズマによってウエハ上のレ
ジストを灰化して除去する。
ジストを灰化して除去する。
【００５４】（ｇ）スリット１１７に応力を集中させる
冶具１２０を用いてチップを分割する。
冶具１２０を用いてチップを分割する。
【００５５】（ｈ）この様にして分割されたチップ１２
１が完成する。
１が完成する。
【００５６】この様にして大口径ウエハから多数の加速
度センサを一括して生産でき、しかも、製造工程中に基
板シリコンとセンサ可動部の間のギャップに異物が侵入
することを防ぐことができる。
度センサを一括して生産でき、しかも、製造工程中に基
板シリコンとセンサ可動部の間のギャップに異物が侵入
することを防ぐことができる。
【００５７】図１２にセンサ部の他の構成例を示す。磁
性薄膜３０１が表面に形成された重り部３０２は複数の
弾性梁３０３ａ，３０３ｂによって支持されている。こ
の場合、重り部３０２、従って磁性薄膜３０１の変位は
紙面に垂直方向の変位となる。
性薄膜３０１が表面に形成された重り部３０２は複数の
弾性梁３０３ａ，３０３ｂによって支持されている。こ
の場合、重り部３０２、従って磁性薄膜３０１の変位は
紙面に垂直方向の変位となる。
【００５８】実施例４ 図１３に本発明の加速度センサの第４の実施例を示す。
本実施例は第３の実施例のセンサ部を直列に接続したも
のである。１個のセンサの信号を増幅する場合、通常の
半導体ストレインゲージによるセンサや静電容量型のセ
ンサなどでは、増幅回路によって増幅することが一般的
である。しかしながら、本実施例の加速度センサの場
合、その原理的な特性により、複数のセンサを直列の連
結することで、連結したセンサ数だけセンサ信号を増幅
することが可能である。図１３（ａ）は多数個のセンサ
部３００を連結した低加速度用センサ４０１、図１３
（ｂ）は中程度の数のセンサ部３００を連結した中加速
度用センサ４０２、図１３（ｃ）は１個のセンサ部３０
０からなる高加速度用センサ４０３を示す。さらに、こ
れらの検出範囲の異なる複数のセンサを１個のチップ上
に作製し、複数のセンサの出力を切り換えて増幅器に入
力させるように構成しておけば、１個の加速度センサを
広い範囲の加速度の検出に使用することができる。
本実施例は第３の実施例のセンサ部を直列に接続したも
のである。１個のセンサの信号を増幅する場合、通常の
半導体ストレインゲージによるセンサや静電容量型のセ
ンサなどでは、増幅回路によって増幅することが一般的
である。しかしながら、本実施例の加速度センサの場
合、その原理的な特性により、複数のセンサを直列の連
結することで、連結したセンサ数だけセンサ信号を増幅
することが可能である。図１３（ａ）は多数個のセンサ
部３００を連結した低加速度用センサ４０１、図１３
（ｂ）は中程度の数のセンサ部３００を連結した中加速
度用センサ４０２、図１３（ｃ）は１個のセンサ部３０
０からなる高加速度用センサ４０３を示す。さらに、こ
れらの検出範囲の異なる複数のセンサを１個のチップ上
に作製し、複数のセンサの出力を切り換えて増幅器に入
力させるように構成しておけば、１個の加速度センサを
広い範囲の加速度の検出に使用することができる。
【００５９】図１４および図１５に本実施例の回路構成
例を示す。両図においては、簡単のために２個のセンサ
部の検出コイル３０４のみを図示してある。センサ部３
００の検出コイル３０４に誘起された誘導電流を電圧変
換用抵抗４１１によって電圧出力に変換し、ディジタル
調整回路１０４による調整機能を有する増幅回路１０
５、ハイパスフィルタ回路１１６、ローパスフィルタ回
路１１７などを経由して外部に出力している。図１４は
ディジタル調整回路１０４、増幅回路１０５がセンサ部
が形成されているチップ以外に設けられている例であ
り、図１５はこれらがセンサ部と同一チップに形成され
ている例である。
例を示す。両図においては、簡単のために２個のセンサ
部の検出コイル３０４のみを図示してある。センサ部３
００の検出コイル３０４に誘起された誘導電流を電圧変
換用抵抗４１１によって電圧出力に変換し、ディジタル
調整回路１０４による調整機能を有する増幅回路１０
５、ハイパスフィルタ回路１１６、ローパスフィルタ回
路１１７などを経由して外部に出力している。図１４は
ディジタル調整回路１０４、増幅回路１０５がセンサ部
が形成されているチップ以外に設けられている例であ
り、図１５はこれらがセンサ部と同一チップに形成され
ている例である。
【００６０】本実施例では、図８（ｃ）に示したよう
に、基板シリコン１００とセンサ部３００との間に電圧
を印加した時に発生する静電力によってセンサ部を動か
して、この時のセンサ部の動きに応じて検出コイルに誘
起される誘導電流を増幅回路１０５で増幅して出力する
ことによってセルフチェックが可能である。また、本実
施例では、通常の加速度検出とセルフチェックとを切り
換える切り換えスイッチ４１２，４１３を用いてセルフ
チェックを行うことも可能である。すなわち、通常の加
速度検出時には検出端子４１４，４１５に電流が流れ、
セルフチェック時にはセルフチェック用端子４１６に電
流が流れるように切り換える。セルフチェック時には、
検出コイル３０４にパルス出力を加えてセンサ部３００
にインパルス的な電磁力を与え重り部３０２を動かし、
その時の応答を増幅回路以降の回路で処理して確認する
ことによって、セルフチェックを行うことが可能であ
る。これらの方法によれば、簡単なセンサ構成によっ
て、セルフチェック機能を実現することができる。さら
に、以上の方法以外に、永久磁石あるいは電磁石をセン
サ部３００の近傍に配置し、外部からセンサ部に磁界を
与え、その磁界によってセンサ部３００が動く際に検出
コイル３０４に発生する誘導電流を検出してセルフチェ
ックを行うことも可能である。
に、基板シリコン１００とセンサ部３００との間に電圧
を印加した時に発生する静電力によってセンサ部を動か
して、この時のセンサ部の動きに応じて検出コイルに誘
起される誘導電流を増幅回路１０５で増幅して出力する
ことによってセルフチェックが可能である。また、本実
施例では、通常の加速度検出とセルフチェックとを切り
換える切り換えスイッチ４１２，４１３を用いてセルフ
チェックを行うことも可能である。すなわち、通常の加
速度検出時には検出端子４１４，４１５に電流が流れ、
セルフチェック時にはセルフチェック用端子４１６に電
流が流れるように切り換える。セルフチェック時には、
検出コイル３０４にパルス出力を加えてセンサ部３００
にインパルス的な電磁力を与え重り部３０２を動かし、
その時の応答を増幅回路以降の回路で処理して確認する
ことによって、セルフチェックを行うことが可能であ
る。これらの方法によれば、簡単なセンサ構成によっ
て、セルフチェック機能を実現することができる。さら
に、以上の方法以外に、永久磁石あるいは電磁石をセン
サ部３００の近傍に配置し、外部からセンサ部に磁界を
与え、その磁界によってセンサ部３００が動く際に検出
コイル３０４に発生する誘導電流を検出してセルフチェ
ックを行うことも可能である。
【００６１】なお、これらのセルフチェック機能を先の
第３の実施例の加速度センサに付与し得ることは言うま
でもない。
第３の実施例の加速度センサに付与し得ることは言うま
でもない。
【００６２】実施例５ 図１６に本発明の第５の実施例を示す。本実施例は、図
８に示した第３の実施例または図１３に示した第４の実
施例を二つ組み合わせて、角加速度を検出するようにし
たものである。検出軸５００の左右に、本実施例ではそ
れぞれ３個のセンサ３００Ｌ，３００Ｒが対称に配置さ
れている。検出軸５００の周りに角加速度が変化したと
き、例えば、左側のセンサでは重り部が上側に変位し、
右側のセンサでは重り部が下側に変位する。これらのセ
ンサは図１７に示すように、検出軸５００の周りに角加
速度の変化が発生したとき、左右のセンサアレイの検出
コイル３０４Ｌ，３０４Ｒに同じ方向の電流が流れるよ
うな閉ループを構成するように結線されている。そし
て、その電流を、第４の実施例と同様に、電圧変換用抵
抗４１１で電圧に変換して積分および増幅することによ
って検出軸５００の周りに発生する角加速度を検出する
角加速度検出センサとして使用できる。
８に示した第３の実施例または図１３に示した第４の実
施例を二つ組み合わせて、角加速度を検出するようにし
たものである。検出軸５００の左右に、本実施例ではそ
れぞれ３個のセンサ３００Ｌ，３００Ｒが対称に配置さ
れている。検出軸５００の周りに角加速度が変化したと
き、例えば、左側のセンサでは重り部が上側に変位し、
右側のセンサでは重り部が下側に変位する。これらのセ
ンサは図１７に示すように、検出軸５００の周りに角加
速度の変化が発生したとき、左右のセンサアレイの検出
コイル３０４Ｌ，３０４Ｒに同じ方向の電流が流れるよ
うな閉ループを構成するように結線されている。そし
て、その電流を、第４の実施例と同様に、電圧変換用抵
抗４１１で電圧に変換して積分および増幅することによ
って検出軸５００の周りに発生する角加速度を検出する
角加速度検出センサとして使用できる。
【００６３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
次のような利点がある。
次のような利点がある。
【００６４】１）大口径ウエハを使用して加速度センサ
を作製できるので、コストダウンが可能である。
を作製できるので、コストダウンが可能である。
【００６５】２）加速度センサが形成されている各チッ
プにウエハを分割するためのダイシング工程で、センサ
構造体への異物の侵入が減少し、製造工程において歩留
まりの高いセンサを実現することができる。
プにウエハを分割するためのダイシング工程で、センサ
構造体への異物の侵入が減少し、製造工程において歩留
まりの高いセンサを実現することができる。
【００６６】３）半導体ストレーンゲージまたは磁性薄
膜とコイルによる検出原理を採用しているので、センサ
構造体の動きを妨げない大きさの微少な異物がギャップ
内に存在してもセンサ信号に与える影響が少ない。その
ために、高信頼性の加速度センサを実現できる。
膜とコイルによる検出原理を採用しているので、センサ
構造体の動きを妨げない大きさの微少な異物がギャップ
内に存在してもセンサ信号に与える影響が少ない。その
ために、高信頼性の加速度センサを実現できる。
【００６７】４）測定範囲が広く、かつ高感度の加速度
センサを実現できる。
センサを実現できる。
【００６８】５）センサ構造体にバルクのシリコンを用
いているため、機械的特性の再現性があり、高信頼性の
加速度センサを実現できる。
いているため、機械的特性の再現性があり、高信頼性の
加速度センサを実現できる。
【００６９】６）角加速度センサへの適用が可能であ
る。
る。
【図１】本発明による加速度センサの第１の実施例を示
す図である。
す図である。
【図２】図１の加速度センサのセンサ部の拡大図であ
る。
る。
【図３】第１の実施例における加速度検出回路のブロッ
ク図である。
ク図である。
【図４】第１の実施例の製造法を説明する図である。
【図５】本発明による加速度センサの第２の実施例を示
す図である。
す図である。
【図６】第２の実施例におけるホイートストーンブリッ
ジ回路を示す図である。
ジ回路を示す図である。
【図７】センサ部の他の構成例を示す図である。
【図８】本発明による加速度センサの第３の実施例を示
す図である。
す図である。
【図９】図８の加速度センサのセンサ部の拡大図であ
る。
る。
【図１０】第３の実施例の動作原理を説明する図であ
る。
る。
【図１１】第３の実施例の製造法を説明する図である。
【図１２】第３の実施例におけるセンサ部の他の構成例
を示す図である。
を示す図である。
【図１３】本発明による加速度センサの第４の実施例を
示す図である。
示す図である。
【図１４】第４の実施例における回路構成の一例を示す
図である。
図である。
【図１５】第４の実施例における回路構成の他の例を示
す図である。
す図である。
【図１６】本発明の第５の実施例としての角加速度セン
サを示す図である。
サを示す図である。
【図１７】第５の実施例における回路構成の一例を示す
図である。
図である。
【図１８】従来の加速度センサの第１の例を示す図であ
る。
る。
【図１９】従来の加速度センサの第２の例を示す図であ
る。
る。
１ 支持枠 ２ａ，２ｂ 重り部 ３ａ，３ｂ，３ｃ 梁部 ４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ ゲージ抵抗 １１ 第１の支持体 １２ 第１のプレート １３ 第２の支持体 １４ 第２のプレート １００ 基板シリコン １０１ 薄膜シリコン １０２ 絶縁層（犠牲層） １０３ センサ部 １０４ ディジタル調整回路 １０５ アナログ増幅回路 １０６ 入出力端子 １０７ ディジタル調整端子 １０８ 貫通孔 １１０ 重り部 １１１ａ1 ，１１１ａ2 ，１１１ｂ1 ，１１１ｂ2 梁
部 １１２ 支持枠部 １１３ａ〜１１３ｈ 半導体ストレインゲージ １１４ 配線 １１５ 電極 １１６ ハイパスフィルタ １１７ ローパスフィルタ １１８ レジスト １１９ スリット １２０ 冶具 １２１ 完成したチップ ２００ センサ部 ２０１ａ，２０１ｂ 重り部 ２１１ａ1 ，２１１ａ2 ，２１１ａ3 ，２１１ｂ1 ，２
１１ｂ2 ，２１１ｂ3梁部 ２１２ 支持枠部 ２１３ａ〜２１３ｄ 半導体ストレインゲージ ３００ センサ部 ３０１ 磁性薄膜 ３０２ 重り部 ３０３，３０３ａ，３０３ｂ 弾性梁 ３０４ 検出コイル ４０１ 低加速度用センサ ４０２ 中加速度用センサ ４０３ 高加速度用センサ ４１１ 電圧変換用抵抗 ４１２，４１３ 切り換えスイッチ ４１４，４１５ 検出端子 ４１６ セルフチェック用端子 ５００ 回転軸
部 １１２ 支持枠部 １１３ａ〜１１３ｈ 半導体ストレインゲージ １１４ 配線 １１５ 電極 １１６ ハイパスフィルタ １１７ ローパスフィルタ １１８ レジスト １１９ スリット １２０ 冶具 １２１ 完成したチップ ２００ センサ部 ２０１ａ，２０１ｂ 重り部 ２１１ａ1 ，２１１ａ2 ，２１１ａ3 ，２１１ｂ1 ，２
１１ｂ2 ，２１１ｂ3梁部 ２１２ 支持枠部 ２１３ａ〜２１３ｄ 半導体ストレインゲージ ３００ センサ部 ３０１ 磁性薄膜 ３０２ 重り部 ３０３，３０３ａ，３０３ｂ 弾性梁 ３０４ 検出コイル ４０１ 低加速度用センサ ４０２ 中加速度用センサ ４０３ 高加速度用センサ ４１１ 電圧変換用抵抗 ４１２，４１３ 切り換えスイッチ ４１４，４１５ 検出端子 ４１６ セルフチェック用端子 ５００ 回転軸
Claims (12)
- 【請求項１】 支持枠部と、変位可能な少なくとも１個
の重り部および該重り部を前記支持枠部と連結する梁部
からなるセンサ構造体とが基板シリコン上に絶縁層を介
して形成された薄膜シリコンに形成されている加速度セ
ンサにおいて、前記センサ構造体と前記基板シリコンの
間の前記絶縁層は除去されており、前記梁部は互いに平
行な複数組の梁からなり、前記重り部は該平行な複数組
の梁によって前記支持枠部に連結され、前記平行な複数
組の梁のうちの少なくとも１組の梁の表面に少なくとも
２個の半導体ストレインゲージが形成されていることを
特徴とする加速度センサ。 - 【請求項２】 前記重り部が１個であり、前記平行な複
数組の梁は前記重り部の４隅部に突出して形成され、複
数組の梁の表面にはそれぞれ４個の半導体ゲージが形成
されてホイートストーンブリッジを構成していることを
特徴とする請求項１に記載の加速度センサ。 - 【請求項３】 前記重り部が２個であり、前記平行な複
数組の梁は前記２個の重り部と前記支持枠部の間および
前記２個の重り部の間に形成され、前記平行な複数組の
梁のうちの前記２個の重り部の一方と前記支持枠部との
間の梁の少なくとも一つ、前記２個の重り部の他方と前
記支持枠部との間の梁の少なくとも一つおよび前記２個
の重り部の間の梁のそれぞれの表面に少なくとも１個の
半導体ゲージが形成されてホイートストーンブリッジを
構成していることを特徴とする請求項１に記載の加速度
センサ。 - 【請求項４】 前記梁部の厚さが前記重り部の厚さより
薄いことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載
の加速度センサ。 - 【請求項５】 支持枠部と、表面に磁性薄膜が形成され
た変位可能な重り部および該重り部を前記支持枠部と連
結する梁部からなるセンサ構造体が基板シリコン上に絶
縁層を介して形成された薄膜シリコンに形成され、前記
センサ構造体と前記基板シリコンの間の前記絶縁層は除
去されており、前記重り部の周辺の支持枠部上に重り部
を囲んでコイルが形成されていることを特徴とする加速
度センサ。 - 【請求項６】 支持枠部と、それぞれ表面に磁性薄膜が
形成された変位可能な重り部および該重り部を前記支持
枠部と連結する梁部からなる複数のセンサ構造体が基板
シリコン上に絶縁層を介して形成された薄膜シリコンに
形成され、前記複数のセンサ構造体と前記基板シリコン
の間の前記絶縁層は除去されており、前記それぞれの重
り部の周辺の支持枠部上に重り部を囲んでそれぞれコイ
ルが形成され、前記複数のコイルが直列に接続されてい
ることを特徴とする加速度センサ。 - 【請求項７】 それぞれ請求項６に記載の前記複数のセ
ンサ構造体および前記直列に接続された複数の検出コイ
ルからなり、それぞれセンサ構造体および検出コイルの
数が異なる複数のセンサ群が同一の半導体チップに形成
されていることを特徴とする加速度センサ。 - 【請求項８】 請求項１から７のいずれかに記載の加速
度センサにおいて、自己診断を行うための手段をさらに
具えたことを特徴とする加速度センサ。 - 【請求項９】 請求項１から８のいずれかに記載の加速
度センサにおいて、前記加速度センサが形成されている
半導体チップに増幅回路およびディジタル調整回路が形
成されていることを特徴とする加速度センサ。 - 【請求項１０】 第１の支持枠部と、それぞれ表面に磁
性薄膜が形成された変位可能な第１の重り部および該第
１の重り部を前記第１の支持枠部と連結する第１の梁部
からなる複数の第１のセンサ構造体が基板シリコン上に
絶縁層を介して形成された薄膜シリコンに形成され、前
記複数の第１のセンサ構造体と前記基板シリコンの間の
前記絶縁層は除去されており、前記第１の重り部のそれ
ぞれの周辺の第１の支持枠部上に第１の重り部を囲んで
それぞれ第１の検出コイルが形成され、前記複数の第１
の検出コイルが直列に接続されている第１のセンサ群
と、第２の支持枠部と、それぞれ表面に磁性薄膜が形成
された変位可能な第２の重り部および該第２の重り部を
前記第２の支持枠部と連結する第２の梁部からなる複数
の第２のセンサ構造体が前記基板シリコン上に絶縁層を
介して形成された前記薄膜シリコンに形成され、前記複
数の第２のセンサ構造体と前記基板シリコンの間の前記
絶縁層は除去されており、前記第２の重り部のそれぞれ
の周辺の第２の支持枠部上に第２の重り部を囲んでそれ
ぞれ第２の検出コイルが形成され、前記複数の第２の検
出コイルが直列に接続されている第２のセンサ群とが同
一の半導体チップ上に形成され、前記第１のセンサ群と
第２のセンサ群のセンサ構造体の数は等しく、前記第１
のセンサ群と第２のセンサ群は検出軸を対称軸として対
称に配置され、前記検出軸の周りの角加速度が発生した
ときに、前記第１および第２のセンサ群の複数の第１お
よび第２の検出コイルに流れる電流が同じ方向となるよ
うに前記第１および第２のセンサ群の第１および第２の
検出コイルは閉ループを構成し、前記複数の第１および
第２の検出コイルからの信号を増幅する手段および前記
複数の検出コイルからの出力を積分して角速度信号を出
力する手段を備えたことを特徴とする角加速度センサ。 - 【請求項１１】 下記工程を有することを特徴とする加
速度センサの製造方法、 （ａ）基板シリコン、ＳｉＯ2 層および薄膜シリコンか
らなるＳＯＩウエハを準備する工程、 （ｂ）前記薄膜シリコンの、半導体ストレーンゲージに
対応する位置に不純物をイオン注入して拡散抵抗を形成
し、さらに前記薄膜シリコンに回路構成に必要なデバイ
ス形成する工程、 （ｃ）前記ウエハの全面に保護膜を設け、パターニング
およびエッチングにより、前記薄膜シリコンを貫通する
貫通孔を開け、重り部と周囲に残された支持枠部につな
がる梁部を形成する工程、 （ｄ）前記貫通孔を形成するための保護膜はそのまま残
し、ウエットエッチングによって、前記重り部および梁
部の下部のＳｉＯ2 層をエッチング除去する工程、 （ｅ）前記保護膜を除去し、前記ウエハの全面にレジス
トを塗布する工程、 （ｆ）ダイシングによって、前記ウエハの厚さを少し残
してチップを分割するためのスリットを形成する工程。 （ｇ）Ｏ2 プラズマによって前記ウエハ上の前記レジス
トを灰化して除去する工程、 （ｈ）前記スリットに応力を集中させてチップを分割す
る工程。 - 【請求項１２】下記工程を有することを特徴とする角加
速度センサの製造方法、 （ａ）基板シリコン、ＳｉＯ2 層および薄膜シリコンか
らなるＳＯＩウエハを準備する工程、 （ｂ）前記薄膜シリコンの、半導体ストレーンゲージに
対応する位置に不純物をイオン注入して拡散抵抗を形成
し、重り部に対応する位置に磁性薄膜を形成し、前記磁
性薄膜を囲んで検出コイルを形成し、さらに前記薄膜シ
リコンに回路構成に必要なデバイス形成する工程、 （ｃ）前記ウエハの全面に保護膜を設け、パターニング
およびエッチングにより、前記薄膜シリコンを貫通する
貫通孔を開け、重り部と周囲に残された支持枠部につな
がる梁部を形成する工程、 （ｄ）前記貫通孔を形成するための保護膜はそのまま残
し、ウエットエッチングによって、前記重り部および梁
部の下部のＳｉＯ2 層をエッチング除去する工程、 （ｅ）前記保護膜を除去し、前記ウエハの全面にレジス
トを塗布する工程、 （ｆ）ダイシングによって、前記ウエハの厚さを少し残
してチップを分割するためのスリットを形成する工程、 （ｇ）Ｏ2 プラズマによって前記ウエハ上の前記レジス
トを灰化して除去する工程、 （ｈ）前記スリットに応力を集中させてチップを分割す
る工程。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10753797A JP3284921B2 (ja) | 1997-04-24 | 1997-04-24 | 加速度センサならびに角加速度センサおよびそれらの製造方法 |
| DE19818060A DE19818060B4 (de) | 1997-04-24 | 1998-04-22 | Beschleunigungssensor, Winkelbeschleunigungssensor und Herstellverfahren für diese Sensoren |
| US09/241,096 US6332359B1 (en) | 1997-04-24 | 1999-02-01 | Semiconductor sensor chip and method for producing the chip, and semiconductor sensor and package for assembling the sensor |
| US09/956,969 US6632697B2 (en) | 1997-04-24 | 2001-09-21 | Semiconductor sensor chip and method for producing the chip, and semiconductor sensor and package for assembling the sensor |
| US09/957,241 US6494092B2 (en) | 1997-04-24 | 2001-09-21 | Semiconductor sensor chip and method for producing the chip, and semiconductor sensor and package for assembling the sensor |
| US09/957,504 US6446507B2 (en) | 1997-04-24 | 2001-09-21 | Semiconductor sensor chip and method for producing the chip, and semiconductor sensor and package for assembling the sensor |
| US09/957,242 US6564634B2 (en) | 1997-04-24 | 2001-09-21 | Semiconductor sensor chip and method for producing the chip, and semiconductor sensor and package for assembling the sensor |
| US09/957,503 US6526827B2 (en) | 1997-04-24 | 2001-09-21 | Semiconductor sensor chip and method for producing the chip, and semiconductor sensor and package for assembling the sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10753797A JP3284921B2 (ja) | 1997-04-24 | 1997-04-24 | 加速度センサならびに角加速度センサおよびそれらの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10300773A true JPH10300773A (ja) | 1998-11-13 |
| JP3284921B2 JP3284921B2 (ja) | 2002-05-27 |
Family
ID=14461712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10753797A Expired - Fee Related JP3284921B2 (ja) | 1997-04-24 | 1997-04-24 | 加速度センサならびに角加速度センサおよびそれらの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3284921B2 (ja) |
| DE (1) | DE19818060B4 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005538568A (ja) * | 2002-09-06 | 2005-12-15 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | センサ素子を備えた構成部材の製造方法 |
| JP2009053180A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-03-12 | Hitachi Metals Ltd | 加速度センサー |
| JP2009122041A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-06-04 | Ricoh Co Ltd | 複合センサー |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2218101B1 (de) * | 2007-12-06 | 2018-02-14 | Technische Universität Ilmenau | Silizium-keramik-verbundsubstrat und dessen herstellung |
| DE102014109701A1 (de) * | 2014-07-10 | 2016-01-14 | Epcos Ag | Sensor |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH077012B2 (ja) * | 1987-08-18 | 1995-01-30 | 富士通株式会社 | 加速度センサ |
| JP2551625B2 (ja) * | 1988-04-08 | 1996-11-06 | 株式会社フジクラ | 半導体加速度センサ |
| JP2861477B2 (ja) * | 1991-06-03 | 1999-02-24 | 株式会社デンソー | 半導体歪みセンサ |
| US5121180A (en) * | 1991-06-21 | 1992-06-09 | Texas Instruments Incorporated | Accelerometer with central mass in support |
| EP0524381A1 (de) * | 1991-07-22 | 1993-01-27 | Landis & Gyr Business Support AG | Mikrotechnisch hergestellte Sensorvorrichtung |
| DE4336774A1 (de) * | 1993-10-28 | 1995-05-04 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung von Strukturen |
| FR2732467B1 (fr) * | 1995-02-10 | 1999-09-17 | Bosch Gmbh Robert | Capteur d'acceleration et procede de fabrication d'un tel capteur |
-
1997
- 1997-04-24 JP JP10753797A patent/JP3284921B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-04-22 DE DE19818060A patent/DE19818060B4/de not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| JP2005538568A (ja) * | 2002-09-06 | 2005-12-15 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | センサ素子を備えた構成部材の製造方法 |
| JP2009053180A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-03-12 | Hitachi Metals Ltd | 加速度センサー |
| US8474318B2 (en) | 2007-07-27 | 2013-07-02 | Hitachi Metals, Ltd. | Acceleration sensor |
| JP2009122041A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-06-04 | Ricoh Co Ltd | 複合センサー |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19818060B4 (de) | 2008-04-30 |
| DE19818060A1 (de) | 1998-10-29 |
| JP3284921B2 (ja) | 2002-05-27 |
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