JPH10296646A - 挾持具 - Google Patents
挾持具Info
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- JPH10296646A JPH10296646A JP10915997A JP10915997A JPH10296646A JP H10296646 A JPH10296646 A JP H10296646A JP 10915997 A JP10915997 A JP 10915997A JP 10915997 A JP10915997 A JP 10915997A JP H10296646 A JPH10296646 A JP H10296646A
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- pinchedly
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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Abstract
(57)【要約】
【課題】被挾持物体を繰り返し挾持したとしても破損す
ることなく、長期間にわたって使用でき、かつ被挾持物
体に悪影響を及ぼすことなく静電気を逃がすことが可能
な挾持具を提供する。 【解決手段】挾持具１の少なくとも被挟持物体10と接す
る挾持部２を、曲げ強度７００ＭＰａ以上でかつ体積固
有抵抗値が１０6 〜１０9 Ω・ｃｍである非磁性の部分
安定化ジルコニアセラミックスで形成する。
ることなく、長期間にわたって使用でき、かつ被挾持物
体に悪影響を及ぼすことなく静電気を逃がすことが可能
な挾持具を提供する。 【解決手段】挾持具１の少なくとも被挟持物体10と接す
る挾持部２を、曲げ強度７００ＭＰａ以上でかつ体積固
有抵抗値が１０6 〜１０9 Ω・ｃｍである非磁性の部分
安定化ジルコニアセラミックスで形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも被挾持
物体を挾持する挾持部が、静電気除去効果を有する非磁
性の部分安定化ジルコニアセラミックスからなるピンセ
ットの如き挾持具に関するものである。
物体を挾持する挾持部が、静電気除去効果を有する非磁
性の部分安定化ジルコニアセラミックスからなるピンセ
ットの如き挾持具に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えば、半導体装置やＭＲヘッド
等の部品、あるいは電子部品等の被挟持物体を取り扱う
ピンセットの如き挾持具は、被挾持物体と接する挾持部
を含む挾持具全体を、ステンレスなどの金属や塩化ビニ
ールなどの合成樹脂により形成したものがあった。
等の部品、あるいは電子部品等の被挟持物体を取り扱う
ピンセットの如き挾持具は、被挾持物体と接する挾持部
を含む挾持具全体を、ステンレスなどの金属や塩化ビニ
ールなどの合成樹脂により形成したものがあった。
【０００３】しかしながら、金属製の挾持具は、導電性
が高すぎるために導通短絡による取り扱い事故不良や金
属打痕による異物が被挾持物体に付着したり、混入する
恐れがあり、さらには磁気を帯び易いため、半導体装置
やＭＲヘッド等の部品、あるいは電子部品等の被挟持物
体に悪影響を与えるといった問題があり、合成樹脂製の
挾持具においては、耐熱性、耐食性、耐摩耗性が低いと
いった問題があった。
が高すぎるために導通短絡による取り扱い事故不良や金
属打痕による異物が被挾持物体に付着したり、混入する
恐れがあり、さらには磁気を帯び易いため、半導体装置
やＭＲヘッド等の部品、あるいは電子部品等の被挟持物
体に悪影響を与えるといった問題があり、合成樹脂製の
挾持具においては、耐熱性、耐食性、耐摩耗性が低いと
いった問題があった。
【０００４】これらに対し、本件出願人は挾持具を、優
れた耐熱性、耐食性、耐摩耗性を有する高強度の部分安
定化ジルコニアセラミックスにより形成することを提案
している（特公平４−４５３００号公報参照）。
れた耐熱性、耐食性、耐摩耗性を有する高強度の部分安
定化ジルコニアセラミックスにより形成することを提案
している（特公平４−４５３００号公報参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする問題点】ところで、半導体装
置やＭＲヘッド等の部品、あるいは電子部品等の被挟持
物体を取り扱う挾持具においては、被挾持物体が静電気
により悪影響を受ける恐れがあることから、静電気を逃
がすために適度な導電性を有する材質により形成するこ
とが要求されているが、通常、部分安定化ジルコニアセ
ラミックスは絶縁材料であるために導通短絡による不具
合は解消できる反面、静電気を逃がし難いといった問題
点があった。
置やＭＲヘッド等の部品、あるいは電子部品等の被挟持
物体を取り扱う挾持具においては、被挾持物体が静電気
により悪影響を受ける恐れがあることから、静電気を逃
がすために適度な導電性を有する材質により形成するこ
とが要求されているが、通常、部分安定化ジルコニアセ
ラミックスは絶縁材料であるために導通短絡による不具
合は解消できる反面、静電気を逃がし難いといった問題
点があった。
【０００６】そこで、本件出願人は、静電気を容易に除
去できるようにするために、部分安定化ジルコニアセラ
ミックスからなる挾持具の表面に１０2 〜１０6 Ω・ｃ
ｍ程度の体積固有抵抗を有する導電性膜を被覆したもの
を提案している（実公平５−２３０３号公報参照）。
去できるようにするために、部分安定化ジルコニアセラ
ミックスからなる挾持具の表面に１０2 〜１０6 Ω・ｃ
ｍ程度の体積固有抵抗を有する導電性膜を被覆したもの
を提案している（実公平５−２３０３号公報参照）。
【０００７】しかしながら、このような挾持具は、導電
性膜の体積固有抵抗が１０2 〜１０6 Ω・ｃｍ程度と低
すぎ、静電気が一気に除去されることから、大気摩擦に
よる超高電圧の放電作用を起こすことがあり、その結
果、挾持した半導体装置やＭＲヘッド等の部品、あるい
は電子部品等の被挾持物体に悪影響を及ぼす恐れがあっ
た。
性膜の体積固有抵抗が１０2 〜１０6 Ω・ｃｍ程度と低
すぎ、静電気が一気に除去されることから、大気摩擦に
よる超高電圧の放電作用を起こすことがあり、その結
果、挾持した半導体装置やＭＲヘッド等の部品、あるい
は電子部品等の被挾持物体に悪影響を及ぼす恐れがあっ
た。
【０００８】
【問題点を解決するための手段】そこで、本発明は上記
問題に鑑み、少なくとも被挟持物体と接する挾持部を、
曲げ強度７００ＭＰａ以上でかつ体積固有抵抗値が１０
6 〜１０9 Ω・ｃｍである部分安定化ジルコニアセラミ
ックスにより形成したことを特徴とするものである。
問題に鑑み、少なくとも被挟持物体と接する挾持部を、
曲げ強度７００ＭＰａ以上でかつ体積固有抵抗値が１０
6 〜１０9 Ω・ｃｍである部分安定化ジルコニアセラミ
ックスにより形成したことを特徴とするものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を説明す
る。
る。
【００１０】図１は本発明に係る挾持具１の一実施形態
を示す図で、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図であり、
先端が鋭利に尖った一対の挾持部２を、曲げ強度７００
ＭＰａ以上でかつ体積固有抵抗値（以下、抵抗値と称
す。）が１０6 〜１０9 Ω・ｃｍである非磁性の部分安
定化ジルコニアセラミックスにより形成し、後端部を互
いに接合した弾性材料からなる一対の握り部材３の先端
にそれぞれネジ４でもって接合したものである。なお、
図１に示す挾持具１では、挾持部２と握り部材３とをネ
ジ４により接合した例を示したが、導電性接着剤により
接合しても良く、さらには挾持部２に係合凸部を、握り
部材３に係合凹部をそれぞれ形成し、両者の凸部と凹部
を係合させて固定したものでも良い。また、握り部材３
には、金属等からなる細長い板状体をＵ字状やＶ字状に
折り曲げて形成したものを用いることもできる。
を示す図で、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図であり、
先端が鋭利に尖った一対の挾持部２を、曲げ強度７００
ＭＰａ以上でかつ体積固有抵抗値（以下、抵抗値と称
す。）が１０6 〜１０9 Ω・ｃｍである非磁性の部分安
定化ジルコニアセラミックスにより形成し、後端部を互
いに接合した弾性材料からなる一対の握り部材３の先端
にそれぞれネジ４でもって接合したものである。なお、
図１に示す挾持具１では、挾持部２と握り部材３とをネ
ジ４により接合した例を示したが、導電性接着剤により
接合しても良く、さらには挾持部２に係合凸部を、握り
部材３に係合凹部をそれぞれ形成し、両者の凸部と凹部
を係合させて固定したものでも良い。また、握り部材３
には、金属等からなる細長い板状体をＵ字状やＶ字状に
折り曲げて形成したものを用いることもできる。
【００１１】そして、この挟持具１により被挟持物体
（不図示）を挟持するには、人の手で握り部材３に押圧
力を加えれば、各握り部材３がそれぞれ弾性変形し、そ
の先端に各々固定された挾持部２でもって被挾持物体を
挾持するようになっている。
（不図示）を挟持するには、人の手で握り部材３に押圧
力を加えれば、各握り部材３がそれぞれ弾性変形し、そ
の先端に各々固定された挾持部２でもって被挾持物体を
挾持するようになっている。
【００１２】ところで、挾持部２を構成する部分安定化
ジルコニアセラミックスの曲げ強度を７００ＭＰａ以上
とするのは、被挾持物体を挾持するごとに大きな曲げ応
力が加わるからであり、特に、挾持部２の形状が図１に
示すような鋭利に尖ったものであると、曲げ強度が７０
０ＭＰａ未満では曲げ応力に屈して破損するからであ
る。
ジルコニアセラミックスの曲げ強度を７００ＭＰａ以上
とするのは、被挾持物体を挾持するごとに大きな曲げ応
力が加わるからであり、特に、挾持部２の形状が図１に
示すような鋭利に尖ったものであると、曲げ強度が７０
０ＭＰａ未満では曲げ応力に屈して破損するからであ
る。
【００１３】また、部分安定化ジルコニアセラミックス
の抵抗値を１０6 〜１０9 Ω・ｃｍとしたのは、抵抗値
が１０9 Ω・ｃｍより大きいと、絶縁性が高いために静
電気除去効果が得られないからであり、逆に、抵抗値が
１０6 Ω・ｃｍより小さくなると、挾持部２に溜まった
静電気が一気に逃げるため、大気摩擦による放電作用の
発生を防ぐことができないからである。
の抵抗値を１０6 〜１０9 Ω・ｃｍとしたのは、抵抗値
が１０9 Ω・ｃｍより大きいと、絶縁性が高いために静
電気除去効果が得られないからであり、逆に、抵抗値が
１０6 Ω・ｃｍより小さくなると、挾持部２に溜まった
静電気が一気に逃げるため、大気摩擦による放電作用の
発生を防ぐことができないからである。
【００１４】従って、抵抗値を１０6 〜１０9 Ω・ｃｍ
と適度な導電性を持たせることで、静電気を徐々に逃が
すことができ、導通短絡による取り扱い事故不良を生じ
ることなく静電気を除去することができる。
と適度な導電性を持たせることで、静電気を徐々に逃が
すことができ、導通短絡による取り扱い事故不良を生じ
ることなく静電気を除去することができる。
【００１５】さらに、上記部分安定化ジルコニアセラミ
ックスは非磁性としてあるため、磁気を帯びることがな
く、半導体装置やＭＲヘッド等の部品、あるいは電子部
品等の被挾持物体を挾持したとしてもこれらに悪影響を
与えることがない。
ックスは非磁性としてあるため、磁気を帯びることがな
く、半導体装置やＭＲヘッド等の部品、あるいは電子部
品等の被挾持物体を挾持したとしてもこれらに悪影響を
与えることがない。
【００１６】このような曲げ強度７００ＭＰａ以上でか
つ体積固有抵抗値が１０6 〜１０9Ω・ｃｍである非磁
性の部分安定化ジルコニアセラミックスとしては、導電
性付与剤として、Ｆｅ2 Ｏ3 ，Ｃｒ2 Ｏ3 ，ＮｉＯ，Ｃ
ｏ3 Ｏ4 のうち一種以上を１０〜３５重量％の範囲で含
有するか、あるいはＴｉＣ，ＷＣ，ＴａＣなどの炭化物
のうち一種以上を１０〜２５重量％の範囲で含有し、残
部がＹ2 Ｏ3 ，ＣａＯ，ＭｇＯ，ＣｅＯ2 等の安定化剤
により部分安定化されたジルコニアからなり、焼結体中
における全ジルコニア量に対し、単斜晶以外のジルコニ
ア量が９０％以上、好ましくは９５％以上であるものが
良い。
つ体積固有抵抗値が１０6 〜１０9Ω・ｃｍである非磁
性の部分安定化ジルコニアセラミックスとしては、導電
性付与剤として、Ｆｅ2 Ｏ3 ，Ｃｒ2 Ｏ3 ，ＮｉＯ，Ｃ
ｏ3 Ｏ4 のうち一種以上を１０〜３５重量％の範囲で含
有するか、あるいはＴｉＣ，ＷＣ，ＴａＣなどの炭化物
のうち一種以上を１０〜２５重量％の範囲で含有し、残
部がＹ2 Ｏ3 ，ＣａＯ，ＭｇＯ，ＣｅＯ2 等の安定化剤
により部分安定化されたジルコニアからなり、焼結体中
における全ジルコニア量に対し、単斜晶以外のジルコニ
ア量が９０％以上、好ましくは９５％以上であるものが
良い。
【００１７】即ち、ジルコニアの結晶状態には立方晶、
正方晶、単斜晶の３つの状態があり、特に正方晶ジルコ
ニアは外部応力に対し、応力誘軌変態を受けて単斜晶ジ
ルコニアに相変態し、この時に生じる体積膨張によって
単斜晶ジルコニアの周囲に微小なマイクロクラックを形
成して外部応力の進行を阻止できるため、ジルコニアセ
ラミックスの強度を高めることができるのであるが、単
斜晶以外のジルコニア量が９０％未満であると、導電性
付与剤を含有することによる強度劣化により、曲げ強度
を７００ＭＰａ以上とすることができないからである。
正方晶、単斜晶の３つの状態があり、特に正方晶ジルコ
ニアは外部応力に対し、応力誘軌変態を受けて単斜晶ジ
ルコニアに相変態し、この時に生じる体積膨張によって
単斜晶ジルコニアの周囲に微小なマイクロクラックを形
成して外部応力の進行を阻止できるため、ジルコニアセ
ラミックスの強度を高めることができるのであるが、単
斜晶以外のジルコニア量が９０％未満であると、導電性
付与剤を含有することによる強度劣化により、曲げ強度
を７００ＭＰａ以上とすることができないからである。
【００１８】なお、ジルコニアの平均結晶粒子径が０．
５μｍより大きくなると、曲げ強度や硬度等の機械的特
性が大きく低下し、逆に０．２μｍ未満とすることは製
造上難しい。従って、ジルコニアの平均結晶粒子径は
０．２〜０．５μｍとすることが良い。
５μｍより大きくなると、曲げ強度や硬度等の機械的特
性が大きく低下し、逆に０．２μｍ未満とすることは製
造上難しい。従って、ジルコニアの平均結晶粒子径は
０．２〜０．５μｍとすることが良い。
【００１９】また、導電性付与剤として、Ｆｅ2 Ｏ3 、
Ｃｒ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、Ｃｏ3 Ｏ4 のうち一種以上を用い
た場合において、これら導電性付与剤の含有量を１０〜
３５重量％としたのは、１０重量％未満では抵抗値を下
げる効果が小さく、１０9 Ω・ｃｍ以下とすることがで
きないからであり、逆に、３５重量％より多くなると、
挾持具１として要求される曲げ強度７００ＭＰａ以上を
満足することができず、また、抵抗値が１０6 Ω・ｃｍ
未満となり、さらには磁性を生じる恐れがあるからであ
る。
Ｃｒ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、Ｃｏ3 Ｏ4 のうち一種以上を用い
た場合において、これら導電性付与剤の含有量を１０〜
３５重量％としたのは、１０重量％未満では抵抗値を下
げる効果が小さく、１０9 Ω・ｃｍ以下とすることがで
きないからであり、逆に、３５重量％より多くなると、
挾持具１として要求される曲げ強度７００ＭＰａ以上を
満足することができず、また、抵抗値が１０6 Ω・ｃｍ
未満となり、さらには磁性を生じる恐れがあるからであ
る。
【００２０】また、導電性付与剤として、ＴｉＣ，Ｗ
Ｃ，ＴａＣなどの炭化物のうち一種以上を用いた場合に
おいても、これら導電性付与剤の含有量が１０重量％未
満では抵抗値を１０9 Ω・ｃｍ以下とすることができ
ず、逆に、２５重量％より多くなると、抵抗値が１０6
Ω・ｃｍ未満となり、さらには磁性を生じる恐れがある
からである。
Ｃ，ＴａＣなどの炭化物のうち一種以上を用いた場合に
おいても、これら導電性付与剤の含有量が１０重量％未
満では抵抗値を１０9 Ω・ｃｍ以下とすることができ
ず、逆に、２５重量％より多くなると、抵抗値が１０6
Ω・ｃｍ未満となり、さらには磁性を生じる恐れがある
からである。
【００２１】なお、これら導電性付与剤の平均結晶粒子
径が大き過ぎると部分安定化ジルコニアセラミックスの
曲げ強度や硬度等の機械的特性が低下するため、５μｍ
以下、好ましくは３μｍ以下とすることが良い。
径が大き過ぎると部分安定化ジルコニアセラミックスの
曲げ強度や硬度等の機械的特性が低下するため、５μｍ
以下、好ましくは３μｍ以下とすることが良い。
【００２２】さらに、上記ジルコニア及び導電性付与剤
以外に、焼成温度抑制剤を３重量％以下の範囲で含有さ
せても良い。焼成温度抑制剤としては、導電性付与剤
に、Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｃｒ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、Ｃｏ3 Ｏ4 を用
いる場合、Ｃａ，Ｋ，Ｎａ，Ｍｇ，Ｚｎ，Ｓｃなどの酸
化物を含有すれば良く、電性付与剤に、ＴｉＣ，ＷＣ，
ＴａＣなどの炭化物を用いる場合、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ
2 を含有すれば良い。
以外に、焼成温度抑制剤を３重量％以下の範囲で含有さ
せても良い。焼成温度抑制剤としては、導電性付与剤
に、Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｃｒ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、Ｃｏ3 Ｏ4 を用
いる場合、Ｃａ，Ｋ，Ｎａ，Ｍｇ，Ｚｎ，Ｓｃなどの酸
化物を含有すれば良く、電性付与剤に、ＴｉＣ，ＷＣ，
ＴａＣなどの炭化物を用いる場合、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ
2 を含有すれば良い。
【００２３】これらの焼成温度抑制剤を３重量％以下の
範囲で含有させれば、焼成温度を下げてジルコニア及び
導電性付与剤の粒成長を抑えることができるため、曲げ
強度や硬度等の機械的特性を高めることができる。
範囲で含有させれば、焼成温度を下げてジルコニア及び
導電性付与剤の粒成長を抑えることができるため、曲げ
強度や硬度等の機械的特性を高めることができる。
【００２４】なお、上記曲げ強度は、ＪＩＳ−Ｒ１６０
１に基づくものであり、挟持部２より測定する場合は、
所定の形状に切断した試験片で３点曲げ試験により測定
する。この時、ＪＩＳで規定する寸法の試験片が得られ
ない場合は、ワイブル係数と有効体積を加味した公知の
手法によりＪＩＳに規定する試験片での曲げ強度に換算
すれば良い。
１に基づくものであり、挟持部２より測定する場合は、
所定の形状に切断した試験片で３点曲げ試験により測定
する。この時、ＪＩＳで規定する寸法の試験片が得られ
ない場合は、ワイブル係数と有効体積を加味した公知の
手法によりＪＩＳに規定する試験片での曲げ強度に換算
すれば良い。
【００２５】また、体積固有抵抗値については、ＪＩＳ
−Ｃ２１４１に規定する超絶縁抵抗計により測定すれば
良く、さらに非磁性であるか否かについては、振動試料
型磁力計により残留磁束密度を測定し、１４ガウス以下
であったものを非磁性と評価してある。
−Ｃ２１４１に規定する超絶縁抵抗計により測定すれば
良く、さらに非磁性であるか否かについては、振動試料
型磁力計により残留磁束密度を測定し、１４ガウス以下
であったものを非磁性と評価してある。
【００２６】一方、握り部材３を構成する材質として
は、挟持部２に溜まっている静電気を逃がし易くするた
めに、挟持部２を構成する部分安定化ジルコニアセラミ
ックスの抵抗値より小さい抵抗値を持ったものが良く、
好ましくは１０Ω・ｃｍ以下の抵抗値を有するものが良
い。具体的には、ステンレス、アルミニウム合金、黄銅
等の金属により形成すれば良い。
は、挟持部２に溜まっている静電気を逃がし易くするた
めに、挟持部２を構成する部分安定化ジルコニアセラミ
ックスの抵抗値より小さい抵抗値を持ったものが良く、
好ましくは１０Ω・ｃｍ以下の抵抗値を有するものが良
い。具体的には、ステンレス、アルミニウム合金、黄銅
等の金属により形成すれば良い。
【００２７】次に、図１に示す挾持具１の製造方法につ
いて説明する。
いて説明する。
【００２８】まず、挾持部２を作製するために、ＺｒＯ
2 粉末に対し、安定化剤としてＹ2Ｏ3 、ＣａＯ、Ｍｇ
Ｏ、ＣｅＯ2 を所定の範囲で添加する。例えば、Ｙ2 Ｏ
3 についてはＺｒＯ2 に対し３〜９ｍｏｌ％の範囲で、
ＣａＯについてはＺｒＯ2 に対し８〜１２ｍｏｌ％の範
囲で、ＭｇＯについてはＺｒＯ2 に対し１６〜２６ｍｏ
ｌ％の範囲で、ＣｅＯ2 については１０〜１６ｍｏｌ％
の範囲でそれぞれ添加すれば良く、これらの範囲で添加
すれば部分安定化ジルコニアとすることができる。
2 粉末に対し、安定化剤としてＹ2Ｏ3 、ＣａＯ、Ｍｇ
Ｏ、ＣｅＯ2 を所定の範囲で添加する。例えば、Ｙ2 Ｏ
3 についてはＺｒＯ2 に対し３〜９ｍｏｌ％の範囲で、
ＣａＯについてはＺｒＯ2 に対し８〜１２ｍｏｌ％の範
囲で、ＭｇＯについてはＺｒＯ2 に対し１６〜２６ｍｏ
ｌ％の範囲で、ＣｅＯ2 については１０〜１６ｍｏｌ％
の範囲でそれぞれ添加すれば良く、これらの範囲で添加
すれば部分安定化ジルコニアとすることができる。
【００２９】さらに、導電性付与剤として、Ｆｅ
2 Ｏ3 、Ｃｒ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、Ｃｏ3 Ｏ４のうち一種以
上を用いる時には１０〜３５重量％添加し、導電性付与
剤として、ＴｉＣ，ＷＣ，ＴａＣなどの炭化物のうち一
種以上を用いる時には１０〜２５重量％添加する。な
お、焼成温度を下げるため、導電性付与剤に、Ｆｅ２
Ｏ3 、Ｃｒ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、Ｃｏ3 Ｏ4 を用いる場合、
Ｃａ，Ｋ，Ｎａ，Ｍｇ，Ｚｎ，Ｓｃなどの酸化物を３重
量％以下の範囲で添加し、電性付与剤に、ＴｉＣ，Ｗ
Ｃ，ＴａＣなどの炭化物を用いる場合、Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｔ
ｉＯ2 を３重量％以下の範囲で添加しても良い。
2 Ｏ3 、Ｃｒ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、Ｃｏ3 Ｏ４のうち一種以
上を用いる時には１０〜３５重量％添加し、導電性付与
剤として、ＴｉＣ，ＷＣ，ＴａＣなどの炭化物のうち一
種以上を用いる時には１０〜２５重量％添加する。な
お、焼成温度を下げるため、導電性付与剤に、Ｆｅ２
Ｏ3 、Ｃｒ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、Ｃｏ3 Ｏ4 を用いる場合、
Ｃａ，Ｋ，Ｎａ，Ｍｇ，Ｚｎ，Ｓｃなどの酸化物を３重
量％以下の範囲で添加し、電性付与剤に、ＴｉＣ，Ｗ
Ｃ，ＴａＣなどの炭化物を用いる場合、Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｔ
ｉＯ2 を３重量％以下の範囲で添加しても良い。
【００３０】そして、これらの粉末を調合し、一軸加圧
成形法や射出成形法等の公知のセラミック成形法にて所
定の成形する。
成形法や射出成形法等の公知のセラミック成形法にて所
定の成形する。
【００３１】次に、得られた成形体を焼成するのである
が、導電性付与剤に、Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｃｒ2 Ｏ3 、Ｎｉ
Ｏ、Ｃｏ3 Ｏ4 を添加したものにおいては、酸化雰囲気
中にて１４５０〜１５５０℃の温度で１〜数時間焼成す
れば良く、さらに焼成温度抑制剤を添加したものにおい
ては、酸化雰囲気中にて１３５０〜１４５０℃の温度で
１〜数時間焼成すれば良い。
が、導電性付与剤に、Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｃｒ2 Ｏ3 、Ｎｉ
Ｏ、Ｃｏ3 Ｏ4 を添加したものにおいては、酸化雰囲気
中にて１４５０〜１５５０℃の温度で１〜数時間焼成す
れば良く、さらに焼成温度抑制剤を添加したものにおい
ては、酸化雰囲気中にて１３５０〜１４５０℃の温度で
１〜数時間焼成すれば良い。
【００３２】一方、導電性付与剤に、ＴｉＣ，ＷＣ，Ｔ
ａＣなどの炭化物を添加したものにおいては、酸化雰囲
気中や真空雰囲気中、あるいは不活性ガス雰囲中にて１
５００〜１６５０℃の温度で１〜数時間焼成すれば良
く、さらに焼成温度抑制剤を添加したものにおいては、
酸化雰囲気中、真空雰囲気中、あるいは不活性ガス雰囲
中にて１４００〜１５００℃の温度で１〜数時間焼成す
れば良い。
ａＣなどの炭化物を添加したものにおいては、酸化雰囲
気中や真空雰囲気中、あるいは不活性ガス雰囲中にて１
５００〜１６５０℃の温度で１〜数時間焼成すれば良
く、さらに焼成温度抑制剤を添加したものにおいては、
酸化雰囲気中、真空雰囲気中、あるいは不活性ガス雰囲
中にて１４００〜１５００℃の温度で１〜数時間焼成す
れば良い。
【００３３】このような条件にて焼成すれば、焼結体中
における全ジルコニア量に対する単斜晶以外のジルコニ
ア量を９０％以上とすることができ、曲げ強度７００Ｍ
Ｐａ以上を有する部分安定化ジルコニアセラミックスと
することができる。
における全ジルコニア量に対する単斜晶以外のジルコニ
ア量を９０％以上とすることができ、曲げ強度７００Ｍ
Ｐａ以上を有する部分安定化ジルコニアセラミックスと
することができる。
【００３４】しかるのち、得られたジルコニアセラミッ
クスを必要に応じて適宜研削や研磨加工を施して先端が
鋭利に尖った挟持部２を製作する。
クスを必要に応じて適宜研削や研磨加工を施して先端が
鋭利に尖った挟持部２を製作する。
【００３５】そして、この挟持部２をステンレス、アル
ミニウム合金、黄銅といった金属からなる一対の握り部
材３の先端にネジ４でもってそれぞれ螺合固定すること
により製作することができる。
ミニウム合金、黄銅といった金属からなる一対の握り部
材３の先端にネジ４でもってそれぞれ螺合固定すること
により製作することができる。
【００３６】なお、安定化剤は粉末として添加する以外
に、予め共沈法などによりＺｒＯ2粉末中に所定の範囲
で固溶させておき、このＺｒＯ2 粉末と導電性付与剤と
を混合して製造することもできる。
に、予め共沈法などによりＺｒＯ2粉末中に所定の範囲
で固溶させておき、このＺｒＯ2 粉末と導電性付与剤と
を混合して製造することもできる。
【００３７】次に、本発明の他の実施形態を図２及び図
３に説明する。
３に説明する。
【００３８】図２の挾持具１１は、挾持部と握り部材と
を一体的に形成した一対の挟持部材１２を、曲げ強度７
００ＭＰａ以上でかつ体積固有抵抗値が１０6 〜１０9
Ω・ｃｍである非磁性の部分安定化ジルコニアセラミッ
クスにより形成し、これら一対の挟持部材１２の末端部
を当接させ、セラミックスからなる固定部材１３の凹部
１３ａ内に挿入し、導電性接着剤により接着固定したも
のであり、挟持部材１２の中央付近を手で押圧すること
により、部分安定化ジルコニアセラミックスからなる挟
持部材１２が弾性変形し、先端部で被挾持物体（不図
示）を挾持するようになっている。
を一体的に形成した一対の挟持部材１２を、曲げ強度７
００ＭＰａ以上でかつ体積固有抵抗値が１０6 〜１０9
Ω・ｃｍである非磁性の部分安定化ジルコニアセラミッ
クスにより形成し、これら一対の挟持部材１２の末端部
を当接させ、セラミックスからなる固定部材１３の凹部
１３ａ内に挿入し、導電性接着剤により接着固定したも
のであり、挟持部材１２の中央付近を手で押圧すること
により、部分安定化ジルコニアセラミックスからなる挟
持部材１２が弾性変形し、先端部で被挾持物体（不図
示）を挾持するようになっている。
【００３９】図３の挾持具２１は、挾持部と握り部材と
を一体的に形成した一対の挟持部材２２を、曲げ強度７
００ＭＰａ以上でかつ体積固有抵抗値が１０6 〜１０9
Ω・ｃｍである非磁性の部分安定化ジルコニアセラミッ
クスにより形成し、これら一対の挟持部材２２の末端部
を樹脂などの弾性材料からなる固定部材２３に挿入固定
したものであり、挟持部材２２の中央付近を手で押圧す
ることにより、固定部材２３及び挟持部材２２が弾性変
形し、挟持部材２２の先端部で被挾持物体（不図示）を
挾持するようになっている。
を一体的に形成した一対の挟持部材２２を、曲げ強度７
００ＭＰａ以上でかつ体積固有抵抗値が１０6 〜１０9
Ω・ｃｍである非磁性の部分安定化ジルコニアセラミッ
クスにより形成し、これら一対の挟持部材２２の末端部
を樹脂などの弾性材料からなる固定部材２３に挿入固定
したものであり、挟持部材２２の中央付近を手で押圧す
ることにより、固定部材２３及び挟持部材２２が弾性変
形し、挟持部材２２の先端部で被挾持物体（不図示）を
挾持するようになっている。
【００４０】これらの挾持具１１，２１は、いずれも被
挾持物体と接する挟持部材１２，２２が、曲げ強度７０
０ＭＰａ以上でかつ体積固有抵抗値が１０6 〜１０9 Ω
・ｃｍである非磁性の部分安定化ジルコニアセラミック
スからなるため、被挾持物体を繰り返し挟持したとして
も破損することがなく、また、静電気を徐々に逃がすこ
とができるため、大気との摩擦による放電や短絡事故等
を生じることがない。
挾持物体と接する挟持部材１２，２２が、曲げ強度７０
０ＭＰａ以上でかつ体積固有抵抗値が１０6 〜１０9 Ω
・ｃｍである非磁性の部分安定化ジルコニアセラミック
スからなるため、被挾持物体を繰り返し挟持したとして
も破損することがなく、また、静電気を徐々に逃がすこ
とができるため、大気との摩擦による放電や短絡事故等
を生じることがない。
【００４１】しかも、非磁性であることから、磁気を帯
びることもないため、半導体装置やＭＲヘッド等の部
品、あるいは電子部品等の被挾持物体を挾持したとして
もこれらに悪影響を及ぼすこともない。
びることもないため、半導体装置やＭＲヘッド等の部
品、あるいは電子部品等の被挾持物体を挾持したとして
もこれらに悪影響を及ぼすこともない。
【００４２】なお、本発明は、図１〜図３に示した実施
形態のもののみに限定されるものではなく、少なくとも
被挾持物体と接する挟持部が、曲げ強度７００ＭＰａ以
上でかつ体積固有抵抗値が１０6 〜１０9 Ω・ｃｍであ
る非磁性の部分安定化ジルコニアセラミックスにより形
成されたものであれば良い。
形態のもののみに限定されるものではなく、少なくとも
被挾持物体と接する挟持部が、曲げ強度７００ＭＰａ以
上でかつ体積固有抵抗値が１０6 〜１０9 Ω・ｃｍであ
る非磁性の部分安定化ジルコニアセラミックスにより形
成されたものであれば良い。
【００４３】（実施例）ここで、導電性付与剤の含有量
を変化させ、曲げ強度、体積固有抵抗値、ビッカース硬
度、残留磁束密度を異ならせた部分安定化ジルコニアセ
ラミックスからなる挟持部２を備えた図１の挟持具１を
試作し、挟持部２の破損の有無、静電気の除去度合い、
及び非磁性であるかどうかを測定した。
を変化させ、曲げ強度、体積固有抵抗値、ビッカース硬
度、残留磁束密度を異ならせた部分安定化ジルコニアセ
ラミックスからなる挟持部２を備えた図１の挟持具１を
試作し、挟持部２の破損の有無、静電気の除去度合い、
及び非磁性であるかどうかを測定した。
【００４４】本実験では、各挟持部２において最も薄い
部分の厚み幅を０．２ｍｍとし、肉厚０．５ｍｍの被挟
持物体を各挟持具１により挟持した時に挟持部２の先端
が欠けたものを×、欠けなかったものを○として破損の
有無を評価した。
部分の厚み幅を０．２ｍｍとし、肉厚０．５ｍｍの被挟
持物体を各挟持具１により挟持した時に挟持部２の先端
が欠けたものを×、欠けなかったものを○として破損の
有無を評価した。
【００４５】また、静電気の除去度合いについては、挟
持部２に１０００Ｖの電圧を印加し、握り部材３で電圧
とその降下時間を測定し、握り部材３での電圧値が１０
０Ｖとなるまでの降下時間が０．１〜２０秒の間にある
ものを○、それ以外のものを×として評価した。
持部２に１０００Ｖの電圧を印加し、握り部材３で電圧
とその降下時間を測定し、握り部材３での電圧値が１０
０Ｖとなるまでの降下時間が０．１〜２０秒の間にある
ものを○、それ以外のものを×として評価した。
【００４６】さらに、非磁性であるかどうかは、振動試
料型磁力計により残留磁束密度を測定し、１４ガウス以
下であったものを非磁性として評価した。
料型磁力計により残留磁束密度を測定し、１４ガウス以
下であったものを非磁性として評価した。
【００４７】各挟持部２を構成する部分安定化ジルコニ
アセラミックスの組成は表１に、上記部分安定化ジルコ
ニアセラミックスの特性及び結果は表２にそれぞれ示す
通りである。
アセラミックスの組成は表１に、上記部分安定化ジルコ
ニアセラミックスの特性及び結果は表２にそれぞれ示す
通りである。
【００４８】なお、上記部分安定化ジルコニアセラミッ
クスは、いずれもＺｒＯ2 に対しＹ2 Ｏ3 を３ｍｏｌ％
添加して部分安定化したものであり、導電性付与剤に
は、Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｃｒ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、Ｃｏ3 Ｏ4 Ｔｉ
Ｃ、ＷＣ、ＴａＣを使用した。
クスは、いずれもＺｒＯ2 に対しＹ2 Ｏ3 を３ｍｏｌ％
添加して部分安定化したものであり、導電性付与剤に
は、Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｃｒ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、Ｃｏ3 Ｏ4 Ｔｉ
Ｃ、ＷＣ、ＴａＣを使用した。
【００４９】また、握り部材３の材質にはステンレス
（ＳＵＳ３０４）を使用した。
（ＳＵＳ３０４）を使用した。
【００５０】
【表１】
【００５１】
【表２】
【００５２】この結果、まず、試料Ｎｏ．１〜７は導電
性付与剤としてＦｅ2 Ｏ3 を含有したものであるが、こ
のうち試料Ｎｏ．１は、Ｆｅ2 Ｏ3 の含有量が１０重量
％未満であるために抵抗値が１０9 Ω・ｃｍより大き
く、その結果、電圧が所定値になるまでに時間がかか
り、静電気除去効果が得られなかった。
性付与剤としてＦｅ2 Ｏ3 を含有したものであるが、こ
のうち試料Ｎｏ．１は、Ｆｅ2 Ｏ3 の含有量が１０重量
％未満であるために抵抗値が１０9 Ω・ｃｍより大き
く、その結果、電圧が所定値になるまでに時間がかか
り、静電気除去効果が得られなかった。
【００５３】また、試料Ｎｏ．６，７は、Ｆｅ2 Ｏ3 の
含有量が３５重量％より多く、単斜晶以外のジルコニア
量が全ジルコニア量に対して９０％未満であるために曲
げ強度が７００ＭＰａ未満であった。その為、被挾持物
体を挾持すると挾持部２に欠けが発生し、さらに抵抗値
が１０6 Ω・ｃｍより小さいことから短時間で電圧が所
定値にまで降下し、静電気が一気に逃げることが判っ
た。しかも、Ｆｅ2 Ｏ3の含有量が多いために磁性を有
していた。
含有量が３５重量％より多く、単斜晶以外のジルコニア
量が全ジルコニア量に対して９０％未満であるために曲
げ強度が７００ＭＰａ未満であった。その為、被挾持物
体を挾持すると挾持部２に欠けが発生し、さらに抵抗値
が１０6 Ω・ｃｍより小さいことから短時間で電圧が所
定値にまで降下し、静電気が一気に逃げることが判っ
た。しかも、Ｆｅ2 Ｏ3の含有量が多いために磁性を有
していた。
【００５４】これに対し、試料Ｎｏ．２〜５は、Ｆｅ2
Ｏ3 の含有量が１０〜３５重量％の範囲にあり、単斜晶
以外のジルコニア量が全ジルコニア量に対して９０％以
上であるため、非磁性で曲げ強度がいずれも７００ＭＰ
ａ以上と高く、また、抵抗値が１０6 〜１０9 Ω・ｃｍ
の範囲にあるため、被挾持物体を挾持しても挾持部２に
欠けは見られず、また、適度なスピードで静電気を除去
できることが判った。
Ｏ3 の含有量が１０〜３５重量％の範囲にあり、単斜晶
以外のジルコニア量が全ジルコニア量に対して９０％以
上であるため、非磁性で曲げ強度がいずれも７００ＭＰ
ａ以上と高く、また、抵抗値が１０6 〜１０9 Ω・ｃｍ
の範囲にあるため、被挾持物体を挾持しても挾持部２に
欠けは見られず、また、適度なスピードで静電気を除去
できることが判った。
【００５５】また、試料Ｎｏ．８〜１３は、導電性付与
剤に、Ｃｒ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、Ｃｏ3Ｏ4 をそれぞ用いた
ものであるが、いずれもその含有量が１０〜３５重量％
の範囲にあり、単斜晶以外のジルコニア量が全ジルコニ
ア量に対して９０％以上であるため、曲げ強度がいずれ
も７００ＭＰａ以上と高く、また、抵抗値が１０6 〜１
０9 Ω・ｃｍの範囲にあった。その為、被挾持物体を挾
持しても挾持部２に欠けは見られず、また、適度なスピ
ードで静電気を除去することができた。
剤に、Ｃｒ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、Ｃｏ3Ｏ4 をそれぞ用いた
ものであるが、いずれもその含有量が１０〜３５重量％
の範囲にあり、単斜晶以外のジルコニア量が全ジルコニ
ア量に対して９０％以上であるため、曲げ強度がいずれ
も７００ＭＰａ以上と高く、また、抵抗値が１０6 〜１
０9 Ω・ｃｍの範囲にあった。その為、被挾持物体を挾
持しても挾持部２に欠けは見られず、また、適度なスピ
ードで静電気を除去することができた。
【００５６】一方、試料Ｎｏ．１４〜１７は、導電性付
与剤としてＴｉＣを含有したものであるが、このうち試
料Ｎｏ．１４は、ＴｉＣの含有量が１０重量％未満であ
るために抵抗値が１０9 Ω・ｃｍより大きく、充分な静
電気除去効果が得られなかった。
与剤としてＴｉＣを含有したものであるが、このうち試
料Ｎｏ．１４は、ＴｉＣの含有量が１０重量％未満であ
るために抵抗値が１０9 Ω・ｃｍより大きく、充分な静
電気除去効果が得られなかった。
【００５７】また、試料Ｎｏ．１７は、ＴｉＣの含有量
が２５重量％より多いために抵抗値が１０6 Ω・ｃｍよ
りも小さく、一気に静電気が逃げることが判った。しか
も、ＴｉＣの含有量が多いために磁性を有していた。
が２５重量％より多いために抵抗値が１０6 Ω・ｃｍよ
りも小さく、一気に静電気が逃げることが判った。しか
も、ＴｉＣの含有量が多いために磁性を有していた。
【００５８】これに対し、試料Ｎｏ．１５，１６は、Ｔ
ｉＣ含有量が１０〜２５重量％の範囲にあり、単斜晶以
外のジルコニア量が全ジルコニア量に対して９０％以上
であるため、曲げ強度をいずれも７００ＭＰａ以上とす
ることができ、また、抵抗値を１０6 〜１０9 Ω・ｃｍ
とすることができた。その為、被挾持物体を挾持しても
挾持部２に欠けが見られず、また、適度なスピードで静
電気を除去できることが判った。
ｉＣ含有量が１０〜２５重量％の範囲にあり、単斜晶以
外のジルコニア量が全ジルコニア量に対して９０％以上
であるため、曲げ強度をいずれも７００ＭＰａ以上とす
ることができ、また、抵抗値を１０6 〜１０9 Ω・ｃｍ
とすることができた。その為、被挾持物体を挾持しても
挾持部２に欠けが見られず、また、適度なスピードで静
電気を除去できることが判った。
【００５９】さらに、試料Ｎｏ．１８〜２１は、導電性
付与剤に、ＷＣ、ＴａＣをそれぞ用いたものであるが、
いずれもその含有量が１０〜２５重量％の範囲にあり、
単斜晶以外のジルコニア量が全ジルコニア量に対して９
０％以上であるため、曲げ強度をいずれも７００ＭＰａ
以上とすることができ、また、抵抗値を１０6 〜１０9
Ω・ｃｍとすることができた。その為、被挾持物体を挾
持しても挾持部２に欠けは見られず、また、適度なスピ
ードで静電気を除去することができた。
付与剤に、ＷＣ、ＴａＣをそれぞ用いたものであるが、
いずれもその含有量が１０〜２５重量％の範囲にあり、
単斜晶以外のジルコニア量が全ジルコニア量に対して９
０％以上であるため、曲げ強度をいずれも７００ＭＰａ
以上とすることができ、また、抵抗値を１０6 〜１０9
Ω・ｃｍとすることができた。その為、被挾持物体を挾
持しても挾持部２に欠けは見られず、また、適度なスピ
ードで静電気を除去することができた。
【００６０】この結果、導電性付与剤として、Ｆｅ2 Ｏ
3 、Ｃｒ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、Ｃｏ3 Ｏ4 を用いる場合、そ
の含有量を１０〜３５重量％とし、導電性付与剤とし
て、ＴｉＣ、ＷＣ、ＴａＣを用いる場合、その含有量を
１０〜２５重量％とすれば、曲げ強度７００ＭＰａ以上
でかつ体積固有抵抗値１０6 〜１０9 Ω・ｃｍである部
分安定化ジルコニアセラミックスを得ることができ、こ
の部分安定化ジルコニアセラミックスを用いて挾持部２
を形成すれば、欠けが少なくかつ適度なスピードで静電
気を除去することが可能な挾持具１を提供できることが
判る。
3 、Ｃｒ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、Ｃｏ3 Ｏ4 を用いる場合、そ
の含有量を１０〜３５重量％とし、導電性付与剤とし
て、ＴｉＣ、ＷＣ、ＴａＣを用いる場合、その含有量を
１０〜２５重量％とすれば、曲げ強度７００ＭＰａ以上
でかつ体積固有抵抗値１０6 〜１０9 Ω・ｃｍである部
分安定化ジルコニアセラミックスを得ることができ、こ
の部分安定化ジルコニアセラミックスを用いて挾持部２
を形成すれば、欠けが少なくかつ適度なスピードで静電
気を除去することが可能な挾持具１を提供できることが
判る。
【００６１】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、挾持具
の少なくとも被挟持物体と接する挾持部を、曲げ強度７
００ＭＰａ以上でかつ体積固有抵抗値が１０6 〜１０9
Ω・ｃｍである部分安定化ジルコニアセラミックスで形
成したことにより、被挟持物体を繰り返し挾持したとし
ても挾持部を破損することがなく、長期間にわたって使
用することができるとともに、静電気を徐々に逃がすこ
とができるため、導通短絡による取り扱い不良事故を生
じることなく、静電気を逃がすことができる。しかも、
非磁性であることから、磁気を帯びるとがないため、半
導体装置やＭＲヘッド等の部品、あるいは電子部品など
の被挟持物体を挾持したとしても悪影響を及ぼすことが
ない。
の少なくとも被挟持物体と接する挾持部を、曲げ強度７
００ＭＰａ以上でかつ体積固有抵抗値が１０6 〜１０9
Ω・ｃｍである部分安定化ジルコニアセラミックスで形
成したことにより、被挟持物体を繰り返し挾持したとし
ても挾持部を破損することがなく、長期間にわたって使
用することができるとともに、静電気を徐々に逃がすこ
とができるため、導通短絡による取り扱い不良事故を生
じることなく、静電気を逃がすことができる。しかも、
非磁性であることから、磁気を帯びるとがないため、半
導体装置やＭＲヘッド等の部品、あるいは電子部品など
の被挟持物体を挾持したとしても悪影響を及ぼすことが
ない。
【図１】本発明に係る挟持具の一実施形態を示す図であ
り、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図である。
り、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図である。
【図２】本発明に係る挟持具の他の実施形態を示す斜視
図である。
図である。
【図３】本発明に係る挟持具の他の実施形態を示す斜視
図である。
図である。
１・・・挾持具、 ２・・・挾持部、 ３・・・握り部
材、 ４・・・ネジ、11・・・挾持具、 12・・・挾持
部材、 13・・・固定部材、21・・・挾持具、 22・・
・挾持部材、 23・・・固定部材
材、 ４・・・ネジ、11・・・挾持具、 12・・・挾持
部材、 13・・・固定部材、21・・・挾持具、 22・・
・挾持部材、 23・・・固定部材
Claims (1)
- 【請求項１】少なくとも被挾持物体と接する挾持部を、
曲げ強度７００ＭＰａ以上でかつ体積固有抵抗値が１０
6 〜１０9 Ω・ｃｍである部分安定化ジルコニアセラミ
ックスにより形成したことを特徴とする挾持具。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10915997A JP3634939B2 (ja) | 1997-04-25 | 1997-04-25 | 挾持具 |
| US09/214,049 US6274524B1 (en) | 1997-04-25 | 1998-04-22 | Semiconductive zirconia sintering body and electrostatic removing member constructed by semiconductive zirconia sintering body |
| PCT/JP1998/001882 WO1998049121A1 (fr) | 1997-04-25 | 1998-04-22 | Agglomere de zircone semiconducteur et element eliminateur d'electricite statique comprenant un agglomere de zircone semiconducteur |
| US09/853,416 US6602813B2 (en) | 1997-04-25 | 2001-05-10 | Electrostatic removing member having semiconductive zirconia sintered body |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10915997A JP3634939B2 (ja) | 1997-04-25 | 1997-04-25 | 挾持具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10296646A true JPH10296646A (ja) | 1998-11-10 |
| JP3634939B2 JP3634939B2 (ja) | 2005-03-30 |
Family
ID=14503145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10915997A Expired - Fee Related JP3634939B2 (ja) | 1997-04-25 | 1997-04-25 | 挾持具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3634939B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6669871B2 (en) | 2000-11-21 | 2003-12-30 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | ESD dissipative ceramics |
-
1997
- 1997-04-25 JP JP10915997A patent/JP3634939B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6669871B2 (en) | 2000-11-21 | 2003-12-30 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | ESD dissipative ceramics |
| US7094718B2 (en) | 2000-11-21 | 2006-08-22 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | ESD dissipative ceramics |
| US7579288B2 (en) | 2000-11-21 | 2009-08-25 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Method of manufacturing a microelectronic component utilizing a tool comprising an ESD dissipative ceramic |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3634939B2 (ja) | 2005-03-30 |
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