JPH10294516A - レーザダイオードアナログ光変調制御回路及びアナログ光伝送方式 - Google Patents
レーザダイオードアナログ光変調制御回路及びアナログ光伝送方式Info
- Publication number
- JPH10294516A JPH10294516A JP9103322A JP10332297A JPH10294516A JP H10294516 A JPH10294516 A JP H10294516A JP 9103322 A JP9103322 A JP 9103322A JP 10332297 A JP10332297 A JP 10332297A JP H10294516 A JPH10294516 A JP H10294516A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- laser diode
- control circuit
- constant
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 レーザダイオードのアナログ変調において、
光出力とともに光変調度を一定に保つことのできる制御
回路の提供にある。 【解決手段】 レーザダイオード（ＬＤ）３２の光出力
及び温度はＡＰＣ回路３４、ＡＴＣ回路３５によって制
御され、光出力が一定に制御される。ＲＦ制御回路３３
は、ＬＤバイアス電流をＡＰＣ回路３４から検出し、こ
の変動量によってＲＦアンプ３１のゲインを調整する。
これによりＡＰＣ回路３４、ＡＴＣ回路３５で生じたバ
イアス電流の誤差をＲＦ制御回路３３によってＲＦ入力
レベルを変化させて補正し、光変調度を一定に保つこと
が可能となる。
光出力とともに光変調度を一定に保つことのできる制御
回路の提供にある。 【解決手段】 レーザダイオード（ＬＤ）３２の光出力
及び温度はＡＰＣ回路３４、ＡＴＣ回路３５によって制
御され、光出力が一定に制御される。ＲＦ制御回路３３
は、ＬＤバイアス電流をＡＰＣ回路３４から検出し、こ
の変動量によってＲＦアンプ３１のゲインを調整する。
これによりＡＰＣ回路３４、ＡＴＣ回路３５で生じたバ
イアス電流の誤差をＲＦ制御回路３３によってＲＦ入力
レベルを変化させて補正し、光変調度を一定に保つこと
が可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザダイオード
のアナログ光変調の制御回路及びそれを利用したアナロ
グ光伝送方式に関するものである。
のアナログ光変調の制御回路及びそれを利用したアナロ
グ光伝送方式に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】レーザダイオード（ＬＤ）の光強度をＲ
Ｆ信号で直接変調して伝送を行うアナログ光伝送方式で
は、光信号の変調の深さを示す光変調度（ＯＭＩ）が重
要なパラメータとなる。
Ｆ信号で直接変調して伝送を行うアナログ光伝送方式で
は、光信号の変調の深さを示す光変調度（ＯＭＩ）が重
要なパラメータとなる。
【０００３】図１は、発光素子であるレーザダイオード
（ＬＤ）のバイアス回路を単純化して示したものであ
る。ＬＤ１２へのＲＦ電力入力レベルをＰin、ＬＤ１２
の入力インピーダンス１１をＲLD、ＬＤ１２のバイアス
電流をＩb、しきい値電流をＩthとすると、光変調度の
定義は数１のようになる。
（ＬＤ）のバイアス回路を単純化して示したものであ
る。ＬＤ１２へのＲＦ電力入力レベルをＰin、ＬＤ１２
の入力インピーダンス１１をＲLD、ＬＤ１２のバイアス
電流をＩb、しきい値電流をＩthとすると、光変調度の
定義は数１のようになる。
【０００４】
【数１】
【０００５】この数１の式において、しきい値電流Ｉth
及びインピーダンスＲLDは各ＬＤ１２において固有の値
（一定値）をとることから、光変調度はバイアス電流Ｉ
b及びＲＦ電力入力レベルＰinに依存することがわか
る。
及びインピーダンスＲLDは各ＬＤ１２において固有の値
（一定値）をとることから、光変調度はバイアス電流Ｉ
b及びＲＦ電力入力レベルＰinに依存することがわか
る。
【０００６】また、受光側のＲＦ受信レベルは、発光側
の光変調度及び発光レベル（光出力）の２乗に比例す
る。このため、受信レベルを一定にする場合、光変調度
と光出力を一定に保つことが不可欠である。
の光変調度及び発光レベル（光出力）の２乗に比例す
る。このため、受信レベルを一定にする場合、光変調度
と光出力を一定に保つことが不可欠である。
【０００７】ここで、レーザダイオードＬＤのバイアス
電流−光出力特性の温度に対する一般的な変化状況を図
２に示す。これより、温度変化に対して光出力を一定に
する場合、バイアス電流Ｉbを変化させなければならな
い。このため、バイアス電流−光出力特性を一定にする
ためには、ＬＤの温度を一定に保つ必要があることが分
かる。
電流−光出力特性の温度に対する一般的な変化状況を図
２に示す。これより、温度変化に対して光出力を一定に
する場合、バイアス電流Ｉbを変化させなければならな
い。このため、バイアス電流−光出力特性を一定にする
ためには、ＬＤの温度を一定に保つ必要があることが分
かる。
【０００８】これらのことから、従来のアナログ光伝送
に用いるＬＤ制御回路は、一般には図５に示す回路が利
用されている。即ち、制御回路は、光出力制御回路（Ａ
ｕｔｏｍａｔｉｃ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ；ＡＰ
Ｃ回路）５７と温度制御回路（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｔ
ｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌ；ＡＴＣ回路）
５６から構成されている。
に用いるＬＤ制御回路は、一般には図５に示す回路が利
用されている。即ち、制御回路は、光出力制御回路（Ａ
ｕｔｏｍａｔｉｃ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ；ＡＰ
Ｃ回路）５７と温度制御回路（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｔ
ｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌ；ＡＴＣ回路）
５６から構成されている。
【０００９】ＡＰＣ回路５７は光出力を一定に保つよう
制御を行う回路で、ＬＤモジュール５１内蔵のフォトダ
イオード（ＰＤ）５４によってＬＤ５５の光出力をモニ
タし、ＬＤ５５のバイアス電流を変えることによって制
御を行う回路である。
制御を行う回路で、ＬＤモジュール５１内蔵のフォトダ
イオード（ＰＤ）５４によってＬＤ５５の光出力をモニ
タし、ＬＤ５５のバイアス電流を変えることによって制
御を行う回路である。
【００１０】また、ＡＴＣ回路５６はＬＤモジュール５
１内（ＬＤチップ）の温度を一定に保つよう制御を行う
回路で、ＬＤチップの温度をＬＤモジュール４１に内蔵
されたサーミスタ抵抗５２により検出し、この検出され
た温度を一定に保つようＬＤモジュール５１に内臓され
たペルチェ素子５３によって制御を行う回路である。
１内（ＬＤチップ）の温度を一定に保つよう制御を行う
回路で、ＬＤチップの温度をＬＤモジュール４１に内蔵
されたサーミスタ抵抗５２により検出し、この検出され
た温度を一定に保つようＬＤモジュール５１に内臓され
たペルチェ素子５３によって制御を行う回路である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】これらのＡＰＣ回路、
ＡＴＣ回路は、バイアス電流Ｉbを一定に保つよう制御
を行う回路である。これにより光出力が一定に保たれ
る。一方光変調度を一定に保つには、ＬＤのＲＦ電力入
力レベルＰinを制御することが必要不可欠である。ま
た、ＬＤ光出力を一定に保ちかつ光変調度を一定に保つ
ためには、温度変化に対してバイアス電流Ｉbを一定に
しなければならず、非常に精度が高い複雑な制御回路を
用いる必要があり、高コストとなる。更に、ＡＴＣ回路
の場合、特に低温時、高温時にはそれに対応する加熱冷
却能力が必要となるため、消費電流が増大し、使用部品
の大型化、放熱等の問題もあった。
ＡＴＣ回路は、バイアス電流Ｉbを一定に保つよう制御
を行う回路である。これにより光出力が一定に保たれ
る。一方光変調度を一定に保つには、ＬＤのＲＦ電力入
力レベルＰinを制御することが必要不可欠である。ま
た、ＬＤ光出力を一定に保ちかつ光変調度を一定に保つ
ためには、温度変化に対してバイアス電流Ｉbを一定に
しなければならず、非常に精度が高い複雑な制御回路を
用いる必要があり、高コストとなる。更に、ＡＴＣ回路
の場合、特に低温時、高温時にはそれに対応する加熱冷
却能力が必要となるため、消費電流が増大し、使用部品
の大型化、放熱等の問題もあった。
【００１２】本発明の目的は、光出力とともに光変調度
を一定に保つことのできる制御回路を提供することにあ
る。
を一定に保つことのできる制御回路を提供することにあ
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、レーザダ
イオードの光出力を制御する回路とレーザダイオードの
光変調度を制御する回路とを備えたことによって達成さ
れる。
イオードの光出力を制御する回路とレーザダイオードの
光変調度を制御する回路とを備えたことによって達成さ
れる。
【００１４】更に上記の目的は、光変調度を一定に保つ
よう、レーザダイオードの光出力を制御する回路ととも
にレーザダイオードの入力の前段のＲＦアンプのゲイン
の制御又はＲＦアッテネータの減衰量の制御をして光変
調度を制御する回路を備えたことによって達成される。
よう、レーザダイオードの光出力を制御する回路ととも
にレーザダイオードの入力の前段のＲＦアンプのゲイン
の制御又はＲＦアッテネータの減衰量の制御をして光変
調度を制御する回路を備えたことによって達成される。
【００１５】上記の手段によれば、レーザダイオードの
光出力を制御する回路、即ちＡＰＣ回路、ＡＴＣ回路に
よりバイアス電流を制御して光出力を一定に保つことが
できる。
光出力を制御する回路、即ちＡＰＣ回路、ＡＴＣ回路に
よりバイアス電流を制御して光出力を一定に保つことが
できる。
【００１６】また、これと同時にレーザダイオードのＲ
Ｆ電力入力レベルの制御、即ち、入力の前段のＲＦアン
プのゲインを制御する回路によりバイアス電流による誤
差をＲＦ電力入力レベルを変更制御して補正することに
より光変調度を一定に保つことができる。
Ｆ電力入力レベルの制御、即ち、入力の前段のＲＦアン
プのゲインを制御する回路によりバイアス電流による誤
差をＲＦ電力入力レベルを変更制御して補正することに
より光変調度を一定に保つことができる。
【００１７】また上記の他の手段によれば、レーザダイ
オードの光出力を制御する回路でバイアス電流を制御し
て光出力を一定に保つことができると同時に、レーザダ
イオードの入力の前段のＲＦアッテネータの減衰量を制
御する回路によりバイアス電流による誤差をＲＦ電力入
力レベルを変更制御して補正することにより光変調度を
一定に保つことができる。
オードの光出力を制御する回路でバイアス電流を制御し
て光出力を一定に保つことができると同時に、レーザダ
イオードの入力の前段のＲＦアッテネータの減衰量を制
御する回路によりバイアス電流による誤差をＲＦ電力入
力レベルを変更制御して補正することにより光変調度を
一定に保つことができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
により説明する。
により説明する。
【００１９】本発明は、ＡＰＣ回路、ＡＴＣ回路に加え
て、ＲＦ電力入力レベルを制御する回路を設けることに
よって、簡単に高精度に光変調度を一定に保つ回路の提
供ができるものである。
て、ＲＦ電力入力レベルを制御する回路を設けることに
よって、簡単に高精度に光変調度を一定に保つ回路の提
供ができるものである。
【００２０】図３は、本発明の一実施形態を示し、アン
プのゲインを制御することによってＬＤへのＲＦ入力レ
ベルを調整し、光変調度を一定に保つＬＤ制御回路のブ
ロック図である。ＬＤ３２の光出力及び温度はＡＰＣ回
路３４、ＡＴＣ回路３５によってそれぞれ制御され、光
出力は一定に制御される。ここでＲＦ制御回路３３はＬ
Ｄバイアス電流をＡＰＣ回路３４から検出し、この変動
量によってＲＦアンプ３１のゲインを調整するものであ
る。これによりＡＰＣ回路３４、ＡＴＣ回路３５で生じ
たバイアス電流の誤差を、ＲＦ制御回路３３によってＲ
Ｆ入力レベルを変化させることによって補正することに
より高い精度で光変調度を一定に保つことが可能とな
る。また、光変調度一定という観点では、ＡＴＣ回路を
除去した場合についてもこれらの制御が実現できる。
プのゲインを制御することによってＬＤへのＲＦ入力レ
ベルを調整し、光変調度を一定に保つＬＤ制御回路のブ
ロック図である。ＬＤ３２の光出力及び温度はＡＰＣ回
路３４、ＡＴＣ回路３５によってそれぞれ制御され、光
出力は一定に制御される。ここでＲＦ制御回路３３はＬ
Ｄバイアス電流をＡＰＣ回路３４から検出し、この変動
量によってＲＦアンプ３１のゲインを調整するものであ
る。これによりＡＰＣ回路３４、ＡＴＣ回路３５で生じ
たバイアス電流の誤差を、ＲＦ制御回路３３によってＲ
Ｆ入力レベルを変化させることによって補正することに
より高い精度で光変調度を一定に保つことが可能とな
る。また、光変調度一定という観点では、ＡＴＣ回路を
除去した場合についてもこれらの制御が実現できる。
【００２１】図４は、ＲＦのアッテネータの減衰量を調
整することによってＬＤへのＲＦ入力レベルを調整し、
光変調度を一定に保つＬＤ制御回路の実施形態を示すブ
ロック図である。ＬＤ４３の光出力、温度はＡＰＣ回路
４５、ＡＴＣ回路４６によってそれぞれ制御される。こ
こでＲＦ制御回路４４はＬＤバイアス電流をＡＰＣ回路
４５から検出し、この変動量によってアッテネータ４２
の減衰量を調整するものである。これによっても同様
に、より高い精度で光変調度を一定に保つことが可能と
なる。ＡＴＣ回路を除去した場合についてもこれらの制
御が実現できる。
整することによってＬＤへのＲＦ入力レベルを調整し、
光変調度を一定に保つＬＤ制御回路の実施形態を示すブ
ロック図である。ＬＤ４３の光出力、温度はＡＰＣ回路
４５、ＡＴＣ回路４６によってそれぞれ制御される。こ
こでＲＦ制御回路４４はＬＤバイアス電流をＡＰＣ回路
４５から検出し、この変動量によってアッテネータ４２
の減衰量を調整するものである。これによっても同様
に、より高い精度で光変調度を一定に保つことが可能と
なる。ＡＴＣ回路を除去した場合についてもこれらの制
御が実現できる。
【００２２】本発明は、以上の手段により光出力と光変
調度を一定に保つことが可能となるから、レーザダイオ
ードの光強度をＲＦ信号で直接変調して伝送を行なうア
ナログ光伝送方式において、受光側の受信レベルを一定
に保った伝送制御をすることができる。
調度を一定に保つことが可能となるから、レーザダイオ
ードの光強度をＲＦ信号で直接変調して伝送を行なうア
ナログ光伝送方式において、受光側の受信レベルを一定
に保った伝送制御をすることができる。
【００２３】なお、本発明は、光変調度を一定に制御す
る場合に限らず、変調度を所定に制御する場合も有効で
ある。
る場合に限らず、変調度を所定に制御する場合も有効で
ある。
【００２４】
【発明の効果】以上のように、本発明の制御回路を用い
ることにより、従来よりも光変調度を精度高く一定に保
つ回路が実現可能となる。また、従来のＡＴＣ・ＡＰＣ
回路の消費電流を抑え、低コスト化が実現可能となる。
更に、ＲＦ制御部の操作により、光変調度を変えること
も容易に可能となる。
ることにより、従来よりも光変調度を精度高く一定に保
つ回路が実現可能となる。また、従来のＡＴＣ・ＡＰＣ
回路の消費電流を抑え、低コスト化が実現可能となる。
更に、ＲＦ制御部の操作により、光変調度を変えること
も容易に可能となる。
【図１】レーザダイオードのバイアス回路の概略図であ
る。
る。
【図２】レーザダイオードのバイアス電流対光出力特性
の、温度に対する一般的な変化特性図である。
の、温度に対する一般的な変化特性図である。
【図３】本発明の一実施形態のブロック図である。
【図４】本発明の他の実施形態のブロック図である。
【図５】従来のアナログ光変調における制御回路のブロ
ック図である。
ック図である。
３１，４１…ＲＦアンプ、３２，４３…ＬＤモジュー
ル、３３，４４…ＲＦ制御回路、３４，４５…ＡＰＣ回
路、３５，４６…ＡＴＣ回路。
ル、３３，４４…ＲＦ制御回路、３４，４５…ＡＰＣ回
路、３５，４６…ＡＴＣ回路。
Claims (4)
- 【請求項１】 レーザダイオードの光強度をＲＦ信号で
変調するアナログ光変調の制御回路において、レーザダ
イオードの光出力を制御する回路とレーザダイオードの
光変調度を制御する回路とを備えたことを特徴とするレ
ーザダイオードアナログ光変調制御回路。 - 【請求項２】 レーザダイオードの光強度をＲＦ信号で
変調するアナログ光変調の制御回路において、レーザダ
イオードの光出力を制御する回路とレーザダイオードの
入力の前段のＲＦアンプのゲインを制御して光変調度を
制御する回路を備えたことを特徴とするレーザダイオー
ドアナログ光変調制御回路。 - 【請求項３】 レーザダイオードの光強度をＲＦ信号で
変調するアナログ光変調の制御回路において、レーザダ
イオードの光出力を制御する回路とレーザダイオードの
入力の前段のＲＦアッテネータの減衰量を制御して光変
調度を制御する回路を備えたことを特徴とするレーザダ
イオードアナログ光変調制御回路。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいづれかに記載のレーザ
ダイオードアナログ光変調制御回路を備えたことを特徴
とするアナログ光伝送方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9103322A JPH10294516A (ja) | 1997-04-21 | 1997-04-21 | レーザダイオードアナログ光変調制御回路及びアナログ光伝送方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9103322A JPH10294516A (ja) | 1997-04-21 | 1997-04-21 | レーザダイオードアナログ光変調制御回路及びアナログ光伝送方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10294516A true JPH10294516A (ja) | 1998-11-04 |
Family
ID=14350965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9103322A Pending JPH10294516A (ja) | 1997-04-21 | 1997-04-21 | レーザダイオードアナログ光変調制御回路及びアナログ光伝送方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10294516A (ja) |
-
1997
- 1997-04-21 JP JP9103322A patent/JPH10294516A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5974064A (en) | Temperature compensation of laser diodes | |
| EP0421674B1 (en) | Laser driver with temperature compensation | |
| US8345721B2 (en) | Method for driving optical transmitter | |
| US7269192B2 (en) | Optical transmitting module and a method for controlling the same | |
| US20040264523A1 (en) | Temperature compensation circuit to maintain ratio of monitor photodiode current to fiber coupled light in a laser | |
| US20010036210A1 (en) | Method and a coupling to change the wavelength of an optical transmitter in a system using wavelength division multiplexing | |
| US7236506B2 (en) | Method and apparatus for compensating for temperature characteristics of laser diode in optical communication system | |
| JP5007015B2 (ja) | レーザシステムを制御及び較正する方法及びシステム | |
| JP4103287B2 (ja) | Ｄｆｂレーザ駆動装置、ｄｆｂレーザ駆動方法、及び記憶媒体 | |
| JPH10294516A (ja) | レーザダイオードアナログ光変調制御回路及びアナログ光伝送方式 | |
| JP3488451B2 (ja) | 光送信器 | |
| US6697397B2 (en) | Wavelength compensated ALC loop | |
| JP2830794B2 (ja) | 光送信回路 | |
| JP2006005042A (ja) | 光送信器および光送信方法 | |
| JP2001217502A (ja) | レーザシステムをチャネル同調動作中に制御する方法 | |
| US6933475B2 (en) | Method and system for turning on an optical radiation source | |
| US6911629B2 (en) | Method and system for turning on an optical radiation source | |
| JP2573426B2 (ja) | バースト型光通信回路 | |
| JP2001197014A (ja) | 光送信器 | |
| JPH0837334A (ja) | レーザ波長制御装置 | |
| JP3743399B2 (ja) | レーザダイオード制御装置、及び制御方法 | |
| JPH11238932A (ja) | 半導体レーザ装置及びレーザ光受光装置 | |
| JP2000261090A (ja) | レーザ駆動回路 | |
| JPH10341056A (ja) | 光信号伝送装置 | |
| JPH11330600A (ja) | アナログ光変調方法とその回路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20031216 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060704 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20061128 |