JPH10294480A - アモルファスシリコン系太陽電池の製造方法 - Google Patents
アモルファスシリコン系太陽電池の製造方法Info
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- JPH10294480A JPH10294480A JP9104165A JP10416597A JPH10294480A JP H10294480 A JPH10294480 A JP H10294480A JP 9104165 A JP9104165 A JP 9104165A JP 10416597 A JP10416597 A JP 10416597A JP H10294480 A JPH10294480 A JP H10294480A
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Abstract
(57)【要約】
【課題】 弱いグロー放電プラズマにおいても目的とす
る広い光学バンドギャップを有するｐ層用ｐ型アモルフ
ァスシリコンカーボンの製造方法を供給することを目的
とする。 【解決手段】 ｉ層にアモルファスシリコン系薄膜を含
有するｐ−ｉ−ｎ接合型太陽電池の製造方法において、
ｐ層となるｐ型アモルファスシリコンカーバイドを作製
するに際し、原料ガスにおけるシリコン原子数と炭素原
子数の和に対するシリコン原子数の割合を０．１〜０．
３とすること特徴とする。
る広い光学バンドギャップを有するｐ層用ｐ型アモルフ
ァスシリコンカーボンの製造方法を供給することを目的
とする。 【解決手段】 ｉ層にアモルファスシリコン系薄膜を含
有するｐ−ｉ−ｎ接合型太陽電池の製造方法において、
ｐ層となるｐ型アモルファスシリコンカーバイドを作製
するに際し、原料ガスにおけるシリコン原子数と炭素原
子数の和に対するシリコン原子数の割合を０．１〜０．
３とすること特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はアモルファスシリコ
ン系太陽電池の製造方法に関する。
ン系太陽電池の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ｐ層にシリコンカーバイドを用いたｐ−
ｉ−ｎ接合型太陽電池は、シラン（ＳiＨ4）とハイドロ
カーボンをプラズマ分解して得られるアモルファスシリ
コンカーバイドのｐ型ドープ薄膜をｐ層に用いることに
より、効率が向上することが知られている（特許第２５
３０４０８号、以下、従来例という）。
ｉ−ｎ接合型太陽電池は、シラン（ＳiＨ4）とハイドロ
カーボンをプラズマ分解して得られるアモルファスシリ
コンカーバイドのｐ型ドープ薄膜をｐ層に用いることに
より、効率が向上することが知られている（特許第２５
３０４０８号、以下、従来例という）。
【０００３】図５は、従来例における原料ガスの組成を
ＳixＣ1-xとしたとき、ｘを変えた場合の太陽電池の効
率を示す。図５において横軸ｘは、原料ガスにおけるシ
リコン原子数と炭素原子数の和に対するシリコン原子数
の割合を表す。例えば、シランを８モル、メタン（ＣＨ
4）を２モルで混合した原料ガスの場合には、ｘ＝８／
（２＋８）＝０．８であり、Ｓi0.8Ｃ0.2で表される。
ＳixＣ1-xとしたとき、ｘを変えた場合の太陽電池の効
率を示す。図５において横軸ｘは、原料ガスにおけるシ
リコン原子数と炭素原子数の和に対するシリコン原子数
の割合を表す。例えば、シランを８モル、メタン（ＣＨ
4）を２モルで混合した原料ガスの場合には、ｘ＝８／
（２＋８）＝０．８であり、Ｓi0.8Ｃ0.2で表される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前述した従来例では、
図５に示すように、０．５≦ｘ≦０．９５の範囲におい
て、確かにある程度の効率向上が認められる。
図５に示すように、０．５≦ｘ≦０．９５の範囲におい
て、確かにある程度の効率向上が認められる。
【０００５】しかしながら、我々の研究の結果、従来例
のｘの範囲（０．５≦ｘ≦０．９５）では、太陽電池用
ｐ層として望まれるｐ層物性値は得られないことが判明
した。通常、発電に寄与しないｐ層での光吸収を抑制
し、効率を向上するには、光学的バンドギャップを２．
０ｅＶ以上とすることが必要とされているのは良く知ら
れている。従来例のｘの範囲でこの光学的バンドギャッ
プを達成するためには、グロー放電を発生させる高周波
電力を増大し、ハイドロカーボン系ガスの分解効率を高
める必要がある。
のｘの範囲（０．５≦ｘ≦０．９５）では、太陽電池用
ｐ層として望まれるｐ層物性値は得られないことが判明
した。通常、発電に寄与しないｐ層での光吸収を抑制
し、効率を向上するには、光学的バンドギャップを２．
０ｅＶ以上とすることが必要とされているのは良く知ら
れている。従来例のｘの範囲でこの光学的バンドギャッ
プを達成するためには、グロー放電を発生させる高周波
電力を増大し、ハイドロカーボン系ガスの分解効率を高
める必要がある。
【０００６】しかしながらこの場合、ｐ型のアモルファ
スシリコンカーボン膜単層膜では目標とする物性値を達
成できるがセル（太陽電池）に適用した場合、下地層と
なるＳnＯ2或いはＩＴＯ等の透明導電膜が強いグロー放
電に曝されて還元され、金属が析出する為、結果として
セルの効率向上はできない。本発明は、上述した従来技
術に鑑みてなされたものであり、弱いグロー放電プラズ
マにおいても目的とする広い光学的バンドギャップを有
するｐ層用ｐ型アモルファスシリコンカーボンを備えた
アモルファスシリコン系太陽電池の製造方法を供給する
ことを目的とする。
スシリコンカーボン膜単層膜では目標とする物性値を達
成できるがセル（太陽電池）に適用した場合、下地層と
なるＳnＯ2或いはＩＴＯ等の透明導電膜が強いグロー放
電に曝されて還元され、金属が析出する為、結果として
セルの効率向上はできない。本発明は、上述した従来技
術に鑑みてなされたものであり、弱いグロー放電プラズ
マにおいても目的とする広い光学的バンドギャップを有
するｐ層用ｐ型アモルファスシリコンカーボンを備えた
アモルファスシリコン系太陽電池の製造方法を供給する
ことを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】斯かる目的を達成する本
発明のアモルファスシリコン系太陽電池の製造方法は、
ｉ層にアモルファスシリコン系薄膜を含有するｐ−ｉ−
ｎ接合型太陽電池の製造方法において、ｐ層となるｐ型
アモルファスシリコンカーバイドを作製するに際し、原
料ガスにおけるシリコン原子数と炭素原子数の和に対す
るシリコン原子数の割合を０．１〜０．３とすることを
特徴とする。
発明のアモルファスシリコン系太陽電池の製造方法は、
ｉ層にアモルファスシリコン系薄膜を含有するｐ−ｉ−
ｎ接合型太陽電池の製造方法において、ｐ層となるｐ型
アモルファスシリコンカーバイドを作製するに際し、原
料ガスにおけるシリコン原子数と炭素原子数の和に対す
るシリコン原子数の割合を０．１〜０．３とすることを
特徴とする。
【０００８】〔作用〕我々の実験によると、原料ガス組
成をＳixＣ1-xにおけるｘ＝０．１〜０．３の範囲にお
いて、ｐ型アモルファスシリコンカーボンを製作する
と、このｐ型アモルファスシリコンカーボンは弱い高周
波電力にて広い光学的バンドギャップを有することが確
認された。このため、このｐ型アモルファスシリコンカ
ーボンをｐ層としてセル（太陽電池）に適用すると、下
地層の変質を防止することができ、太陽電池の変換効率
を向上することができる。
成をＳixＣ1-xにおけるｘ＝０．１〜０．３の範囲にお
いて、ｐ型アモルファスシリコンカーボンを製作する
と、このｐ型アモルファスシリコンカーボンは弱い高周
波電力にて広い光学的バンドギャップを有することが確
認された。このため、このｐ型アモルファスシリコンカ
ーボンをｐ層としてセル（太陽電池）に適用すると、下
地層の変質を防止することができ、太陽電池の変換効率
を向上することができる。
【０００９】尚、ｘ＝０．２〜０．４％、且つ、膜厚が
８０〜１８０Åとすると、効率８％以上が達成される。
更に、ｘ＝０．２〜０．３％、且つ、膜厚が１００〜１
５０Åとすると、効率９％以上とすることができる。
８０〜１８０Åとすると、効率８％以上が達成される。
更に、ｘ＝０．２〜０．３％、且つ、膜厚が１００〜１
５０Åとすると、効率９％以上とすることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施例を図面を基
に説明する。本発明の一実施例に係るアモルファスシリ
コン系太陽電池の製造に適用されるプラズマＣＶＤ（Ch
emical Vapour Deposition：化学気相蒸着法）装置を図
２に示す。
に説明する。本発明の一実施例に係るアモルファスシリ
コン系太陽電池の製造に適用されるプラズマＣＶＤ（Ch
emical Vapour Deposition：化学気相蒸着法）装置を図
２に示す。
【００１１】図２において、１は反応容器、２は基板加
熱ヒータ、３は基板、４は基板支持台、５は原料ガスの
ガス供給管、６はガス排気管、７はラダー電極、８は電
極支持台、９は高周波電源、１０はインピーダンス整合
器、１１は電力供給ケーブルを示す。
熱ヒータ、３は基板、４は基板支持台、５は原料ガスの
ガス供給管、６はガス排気管、７はラダー電極、８は電
極支持台、９は高周波電源、１０はインピーダンス整合
器、１１は電力供給ケーブルを示す。
【００１２】反応容器１はＳＵＳＵ３０４製で、この中
で基板３は基板支持台４に保持され、基板加熱ヒータ５
により所定の温度まで加熱される。原料ガスはガス供給
管５より反応容器１内に導入され、ガス排気管６を介し
て図示を省略した真空ポンプにより排出される。反応容
器１内の圧力は図示を省略した真空ポンプの前にある開
閉バルブの開度を調節し、排気の弁開度を調整すること
で所定の圧力に制御される。
で基板３は基板支持台４に保持され、基板加熱ヒータ５
により所定の温度まで加熱される。原料ガスはガス供給
管５より反応容器１内に導入され、ガス排気管６を介し
て図示を省略した真空ポンプにより排出される。反応容
器１内の圧力は図示を省略した真空ポンプの前にある開
閉バルブの開度を調節し、排気の弁開度を調整すること
で所定の圧力に制御される。
【００１３】プラズマ生成用のラダー電極７は電極支持
台８により保持され、１３．５６ＭＨｚの高周波電力が
高周波電源９よりインピーダンス整合器１０、電力供給
ケーブル１１を介して供給され、プラズマを発生させ
る。
台８により保持され、１３．５６ＭＨｚの高周波電力が
高周波電源９よりインピーダンス整合器１０、電力供給
ケーブル１１を介して供給され、プラズマを発生させ
る。
【００１４】本発明の一実施例に係るアモルファスシリ
コン太陽電池を図１に示す。本実施例に係る太陽電池
は、光入射側よりガラス基板１２、透明電極１３、ｐ層
１４、ｐ／ｉ界面層１５、ｉ層１６、ｎ層１７、裏面金
属電極１８より構成される。ｐ層１４は後述する条件で
製作したｐ型アモルファスシリコンを用いる。
コン太陽電池を図１に示す。本実施例に係る太陽電池
は、光入射側よりガラス基板１２、透明電極１３、ｐ層
１４、ｐ／ｉ界面層１５、ｉ層１６、ｎ層１７、裏面金
属電極１８より構成される。ｐ層１４は後述する条件で
製作したｐ型アモルファスシリコンを用いる。
【００１５】ｉ層１６にはシラン１００％のガスを使用
し、圧力３０〜１５０ｍＴｏｒｒでグロー放電分解して
製作した欠陥密度が１×１０15個／ｃｃ以下の真性アモ
ルファスシリコンを用いる。ｎ層１７にはリン等のIII
属の元素でドーピングしたｎ型アモルファスシリコンを
用いる。
し、圧力３０〜１５０ｍＴｏｒｒでグロー放電分解して
製作した欠陥密度が１×１０15個／ｃｃ以下の真性アモ
ルファスシリコンを用いる。ｎ層１７にはリン等のIII
属の元素でドーピングしたｎ型アモルファスシリコンを
用いる。
【００１６】ｐ／ｉ界面層１５は真性アモルファスシリ
コンカーボン或いは真性アモルファスシリコンのどちら
でもよいが光学的バンドギャップが１．９０ｅＶ以上あ
ることが好ましい。
コンカーボン或いは真性アモルファスシリコンのどちら
でもよいが光学的バンドギャップが１．９０ｅＶ以上あ
ることが好ましい。
【００１７】以上の層を上述したプラズマＣＶＤ装置に
て製作した後、真空蒸着法にて銀を蒸着し裏面金属電極
１８を形成した後、ＡＭ（air mass）１．５、１００ｍ
Ｗ／ｃｍ2のソーラーシミュレータにて太陽電池特性を
調べた。尚、ｐ層１４以外のアモルファス層の膜厚構成
はｐ／ｉ界面層１５が１００Å、ｉ層１６が３０００
Å、ｎ層１７が３００Åである。本実施例では、ｐ層と
なるｐ型アモルファスシリコンカーバイドは、以下の製
作条件で作製した。
て製作した後、真空蒸着法にて銀を蒸着し裏面金属電極
１８を形成した後、ＡＭ（air mass）１．５、１００ｍ
Ｗ／ｃｍ2のソーラーシミュレータにて太陽電池特性を
調べた。尚、ｐ層１４以外のアモルファス層の膜厚構成
はｐ／ｉ界面層１５が１００Å、ｉ層１６が３０００
Å、ｎ層１７が３００Åである。本実施例では、ｐ層と
なるｐ型アモルファスシリコンカーバイドは、以下の製
作条件で作製した。
【００１８】基板温度：１３５℃ ＳiＨ4＋ＣＨ4＝１０ｓｃｃｍ ＳiＨ4／（ＳiＨ4＋ＣＨ4）＝０．１５〜０．６ Ｈ2＝７０ｓｃｃｍ ０．１％Ｂ2Ｈ6（Ｈべ一ス）＝３０ｓｃｃｍ Ｂ2Ｈ6／（ＳiＨ4＋ＣＨ4）＝０．２％ 圧力＝３００ｍＴｏｒｒ ＲＦパワー＝５Ｗ
【００１９】図３は、原料ガスの組成をＳixＣ1-xとし
たとき、ｘを変えた場合の太陽電池の効率を示す。図３
において、横軸ｘは、原料ガスにおけるシリコン原子数
と炭素原子数の和に対するシリコン原子数の割合を表
す。この図から判るように、ｘ＝０．５以上では変換効
率は８％以下であるのに対し、ｘを０．３以下のところ
で変換効率の最良点が見出され、０．２５で１０．２％
が得られる。
たとき、ｘを変えた場合の太陽電池の効率を示す。図３
において、横軸ｘは、原料ガスにおけるシリコン原子数
と炭素原子数の和に対するシリコン原子数の割合を表
す。この図から判るように、ｘ＝０．５以上では変換効
率は８％以下であるのに対し、ｘを０．３以下のところ
で変換効率の最良点が見出され、０．２５で１０．２％
が得られる。
【００２０】図４はｘ＝０．４及びｘ＝０．２５に固定
した条件で、ｐ層１４のバンドギャップが２．０ｅＶと
なるようにＲＦパワーを調整した条件にてｐ層１４の膜
厚と変換効率の関係を示したものである。尚、ｘ＝０．
４の条件にて光学的バンドギャップを２．０ｅＶ以上と
するための高周波電力の条件は１２Ｗであった。同図で
示すようにどの膜厚においてもｘ＝０．２５の場合の方
が効率が良いことが判る。
した条件で、ｐ層１４のバンドギャップが２．０ｅＶと
なるようにＲＦパワーを調整した条件にてｐ層１４の膜
厚と変換効率の関係を示したものである。尚、ｘ＝０．
４の条件にて光学的バンドギャップを２．０ｅＶ以上と
するための高周波電力の条件は１２Ｗであった。同図で
示すようにどの膜厚においてもｘ＝０．２５の場合の方
が効率が良いことが判る。
【００２１】また、図３と比べるとｘ＝０．４の場合は
高周波電力１２Ｗの図４の条件の方が光学的バンドギャ
ップが大きいにもかかわらず、効率が低いことが判る。
これは、単膜としては良い特性を得ているが、太陽電池
を積層した場合、大きな高周波電力条件では下地層であ
る透明電極１３のＳnＯ2が変質しているためである。
高周波電力１２Ｗの図４の条件の方が光学的バンドギャ
ップが大きいにもかかわらず、効率が低いことが判る。
これは、単膜としては良い特性を得ているが、太陽電池
を積層した場合、大きな高周波電力条件では下地層であ
る透明電極１３のＳnＯ2が変質しているためである。
【００２２】このように、従来例で規定されているｘの
条件ではｐ層にアモルファスシリコンカーバイドを用い
る有効性は十分に発揮できなかったが、本発明のよう
に、ｘの値を小さくすることで、小さい高周波電力にて
所望のｐ層特性が得られるようになった。この結果、太
陽電池に適用した場合に下地層を変質させることが無
く、高い変換効率を得ることができる。
条件ではｐ層にアモルファスシリコンカーバイドを用い
る有効性は十分に発揮できなかったが、本発明のよう
に、ｘの値を小さくすることで、小さい高周波電力にて
所望のｐ層特性が得られるようになった。この結果、太
陽電池に適用した場合に下地層を変質させることが無
く、高い変換効率を得ることができる。
【００２３】
【発明の効果】以上、実施例に基づいて具体的に説明し
たように、本発明によれば、ｉ層にアモルファスシリコ
ン系薄膜を含有するｐ−ｉ−ｎ接合型太陽電池の製造方
法において、ｐ層となるｐ型アモルファスシリコンカー
バイドを作製するに際し、原料ガスにおけるシリコン原
子数と炭素原子数の和に対するシリコン原子数の割合を
０．１〜０．３とするため、ｐ層に用いるｐ型アモルフ
ァスシリコンカーボンの光学的バンドギャップを広げ
て、下地層の変質を防止することができ、その結果、光
吸収・発電層であるｉ層に多くの光を入射可能となり効
率向上が可能となる。従って、本発明は、アモルファス
シリコン系太陽電池などの製造分野で工業的価値が大き
い。
たように、本発明によれば、ｉ層にアモルファスシリコ
ン系薄膜を含有するｐ−ｉ−ｎ接合型太陽電池の製造方
法において、ｐ層となるｐ型アモルファスシリコンカー
バイドを作製するに際し、原料ガスにおけるシリコン原
子数と炭素原子数の和に対するシリコン原子数の割合を
０．１〜０．３とするため、ｐ層に用いるｐ型アモルフ
ァスシリコンカーボンの光学的バンドギャップを広げ
て、下地層の変質を防止することができ、その結果、光
吸収・発電層であるｉ層に多くの光を入射可能となり効
率向上が可能となる。従って、本発明は、アモルファス
シリコン系太陽電池などの製造分野で工業的価値が大き
い。
【図１】本発明の一実施例に係る太陽電池の基本構成を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】本発明の一実施例の製造方法に適用されるプラ
ズマＣＶＤ装置の構成を示す構造図である。
ズマＣＶＤ装置の構成を示す構造図である。
【図３】本発明の一実施例における原料ガスの組成を変
えたときのアモルファスシリコンカーバイドの変換効率
を示すグラフである。
えたときのアモルファスシリコンカーバイドの変換効率
を示すグラフである。
【図４】光学的バンドギャップが同一になるＲＦパワー
条件で太陽電池を製作した場合のｐ型アモルファスシリ
コンカーボン層の膜厚とバンドギャップの関係を示すグ
ラフである。
条件で太陽電池を製作した場合のｐ型アモルファスシリ
コンカーボン層の膜厚とバンドギャップの関係を示すグ
ラフである。
【図５】従来例における原料ガスの組成を変えたときの
アモルファスシリコンカーバイドの変換効率を示すグラ
フである。
アモルファスシリコンカーバイドの変換効率を示すグラ
フである。
１ 反応容器 ２ 基板加熱ヒータ ３ 基板 ４ 基板支持台 ５ ガス供給管 ６ ガス排気管 ７ ラダー電極 ８ 電極支持台 ９ 高周波電源 １０ インピーダンス整合器 １１ 電力供給ケーブル １２ ガラス基板 １３ 透明電極 １４ ｐ層 １５ ｐ／ｉ界面層 １６ ｉ層 １７ ｎ層 １８ 裏面金属電極
フロントページの続き (72)発明者 森田 章二 長崎県長崎市深堀町５丁目717番１号 三 菱重工業株式会社長崎研究所内 (72)発明者 村田 正義 長崎県長崎市深堀町５丁目717番１号 三 菱重工業株式会社長崎研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 ｉ層にアモルファスシリコン系薄膜を含
有するｐ−ｉ−ｎ接合型太陽電池の製造方法において、
ｐ層となるｐ型アモルファスシリコンカーバイドを作製
するに際し、原料ガスにおけるシリコン原子数と炭素原
子数の和に対するシリコン原子数の割合を０．１〜０．
３とすることを特徴とするアモルファスシリコン系太陽
電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9104165A JPH10294480A (ja) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | アモルファスシリコン系太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9104165A JPH10294480A (ja) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | アモルファスシリコン系太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10294480A true JPH10294480A (ja) | 1998-11-04 |
Family
ID=14373446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9104165A Pending JPH10294480A (ja) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | アモルファスシリコン系太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10294480A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012190849A (ja) * | 2011-03-08 | 2012-10-04 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
-
1997
- 1997-04-22 JP JP9104165A patent/JPH10294480A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012190849A (ja) * | 2011-03-08 | 2012-10-04 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020122 |