JPH10289927A - 回路板 - Google Patents
回路板Info
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- JPH10289927A JPH10289927A JP9032004A JP3200497A JPH10289927A JP H10289927 A JPH10289927 A JP H10289927A JP 9032004 A JP9032004 A JP 9032004A JP 3200497 A JP3200497 A JP 3200497A JP H10289927 A JPH10289927 A JP H10289927A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesive
- circuit board
- resin composition
- connection terminal
- connection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
Abstract
(57)【要約】
【課題】 接続部での接続抵抗の増大や接着剤の剥離が
なく、接続信頼性が大幅に向上する回路板を提供する。 【解決手段】 フェノキシ樹脂、アクリルゴムを酢酸エ
チルに溶解し溶液を得た。マイクロカプセル型潜在性硬
化剤を含有する液状エポキシこの溶液に加え、撹拌し、
溶融シリカ、ニッケル粒子フィルム塗工用溶液を得、溶
液から接着フィルムを作製した。接着フィルムをＮｉ／
ＡｕめっきＣｕ回路プリント基板に貼付け、接着フィル
ム１側にチップを対向し、チップのバンプとＮｉ／Ａｕ
めっきＣｕ回路プリント基板の位置あわせを行い、加
熱、加圧を行い接続を行う。
なく、接続信頼性が大幅に向上する回路板を提供する。 【解決手段】 フェノキシ樹脂、アクリルゴムを酢酸エ
チルに溶解し溶液を得た。マイクロカプセル型潜在性硬
化剤を含有する液状エポキシこの溶液に加え、撹拌し、
溶融シリカ、ニッケル粒子フィルム塗工用溶液を得、溶
液から接着フィルムを作製した。接着フィルムをＮｉ／
ＡｕめっきＣｕ回路プリント基板に貼付け、接着フィル
ム１側にチップを対向し、チップのバンプとＮｉ／Ａｕ
めっきＣｕ回路プリント基板の位置あわせを行い、加
熱、加圧を行い接続を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばフリップチ
ップ実装方式により半導体チップを基板と接着剤で接着
固定すると共に両者の電極同士を電気的に接続するた回
路板に関する。
ップ実装方式により半導体チップを基板と接着剤で接着
固定すると共に両者の電極同士を電気的に接続するた回
路板に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体実装分野では、低コスト化・高精
化に対応した新しい実装形態としてＩＣチップを直接プ
リント基板やフレキシブル配線板に搭載するフリップチ
ップ実装が注目されている。フリップチップ実装方式と
しては、チップの端子にはんだバンプを設け、はんだ接
続を行う方式や導電性接着剤を介して電気的接続を行う
方式が知られている。これらの方式では、接続するチッ
プと基板の熱膨張係数差に基づくストレスが、各種環境
下に曝した場合、接続界面で発生し接続信頼性が低下す
るという問題がある。このため、接続界面のストレスを
緩和する目的で一般にエポキシ樹脂系のアンダフィル材
をチップ／基板の間隙に注入する方式が検討されてい
る。しかし、このアンダフィルの注入工程は、プロセス
を煩雑化し、生産性、コストの面で不利になるという問
題がある。このような問題を解決すべく最近では、異方
導電性と封止機能を有する異方導電性接着剤を用いたフ
リップチップ実装が、プロセス簡易性という観点から注
目されている。
化に対応した新しい実装形態としてＩＣチップを直接プ
リント基板やフレキシブル配線板に搭載するフリップチ
ップ実装が注目されている。フリップチップ実装方式と
しては、チップの端子にはんだバンプを設け、はんだ接
続を行う方式や導電性接着剤を介して電気的接続を行う
方式が知られている。これらの方式では、接続するチッ
プと基板の熱膨張係数差に基づくストレスが、各種環境
下に曝した場合、接続界面で発生し接続信頼性が低下す
るという問題がある。このため、接続界面のストレスを
緩和する目的で一般にエポキシ樹脂系のアンダフィル材
をチップ／基板の間隙に注入する方式が検討されてい
る。しかし、このアンダフィルの注入工程は、プロセス
を煩雑化し、生産性、コストの面で不利になるという問
題がある。このような問題を解決すべく最近では、異方
導電性と封止機能を有する異方導電性接着剤を用いたフ
リップチップ実装が、プロセス簡易性という観点から注
目されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、チップ
を異方導電接着剤を介して直接基板に搭載する場合、温
度サイクル試験下ではチップと基板の熱膨張係数差に基
づくストレスが接続部において生じ、熱衝撃試験、ＰＣ
Ｔ試験、はんだバス浸漬試験などの信頼性試験を行うと
接続抵抗の増大や接着剤の剥離が生じるという問題があ
る。また、チップの接続端子に突起電極が形成されてい
る場合では、信頼性試験においてチップと基板の熱膨張
係数差に基づくストレスが突起電極とチップ界面に集中
し、突起電極がチップ電極界面から剥離し、導通不良が
生じるという問題がある。本発明は、接続部での接続抵
抗の増大や接着剤の剥離がなく、接続信頼性が大幅に向
上する回路板を提供するものである。
を異方導電接着剤を介して直接基板に搭載する場合、温
度サイクル試験下ではチップと基板の熱膨張係数差に基
づくストレスが接続部において生じ、熱衝撃試験、ＰＣ
Ｔ試験、はんだバス浸漬試験などの信頼性試験を行うと
接続抵抗の増大や接着剤の剥離が生じるという問題があ
る。また、チップの接続端子に突起電極が形成されてい
る場合では、信頼性試験においてチップと基板の熱膨張
係数差に基づくストレスが突起電極とチップ界面に集中
し、突起電極がチップ電極界面から剥離し、導通不良が
生じるという問題がある。本発明は、接続部での接続抵
抗の増大や接着剤の剥離がなく、接続信頼性が大幅に向
上する回路板を提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の回路板は、第一
の接続端子を有する第一の回路部材と、第二の接続端子
を有する第二の回路部材とを、第一の接続端子と第二の
接続端子を対向して配置し、前記対向配置した第一の接
続端子と第二の接続端子の間に接着剤を介在させ、加熱
加圧して前記対向配置した第一の接続端子と第二の接続
端子を電気的に接続させた回路板であって、前記接着剤
が、接着剤樹脂組成物１００重量部に無機質充填材を１
０〜２００重量部含有してなる接着剤であることを特徴
とするものである。
の接続端子を有する第一の回路部材と、第二の接続端子
を有する第二の回路部材とを、第一の接続端子と第二の
接続端子を対向して配置し、前記対向配置した第一の接
続端子と第二の接続端子の間に接着剤を介在させ、加熱
加圧して前記対向配置した第一の接続端子と第二の接続
端子を電気的に接続させた回路板であって、前記接着剤
が、接着剤樹脂組成物１００重量部に無機質充填材を１
０〜２００重量部含有してなる接着剤であることを特徴
とするものである。
【０００５】無機質充填材の平均粒径は３ミクロン以下
が好ましく、接着剤には無機充填材の平均粒径に比べて
平均粒径の大きい導電粒子が０．１〜３０体積％含有さ
れていても良い。接着剤樹脂組成物は硬化後の４０℃で
の弾性率が３０〜１５００ＭＰａであるものが好まし
く、接着剤樹脂組成物は少なくともエポキシ樹脂、アク
リルゴム、潜在性硬化剤を含有し、フィルム状である回
路部材接続用接着剤が好ましい。アクリルゴムは、その
分子中にグリシジルエーテル基を含有しているものが使
用される。
が好ましく、接着剤には無機充填材の平均粒径に比べて
平均粒径の大きい導電粒子が０．１〜３０体積％含有さ
れていても良い。接着剤樹脂組成物は硬化後の４０℃で
の弾性率が３０〜１５００ＭＰａであるものが好まし
く、接着剤樹脂組成物は少なくともエポキシ樹脂、アク
リルゴム、潜在性硬化剤を含有し、フィルム状である回
路部材接続用接着剤が好ましい。アクリルゴムは、その
分子中にグリシジルエーテル基を含有しているものが使
用される。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明において用いられる回路部
材として半導体チップ、プリント基板、ポリイミドやポ
リエステルを基材としたフレキシル配線板があげられ
る。半導体チップや基板の電極パッド上には、めっきで
形成されるバンプや金ワイヤの先端をトーチ等により溶
融させ、金ボールを形成し、このボールを電極パッド上
に圧着した後、ワイヤを切断して得られるワイヤバンプ
などの突起電極を設け、接続端子として用いることがで
きる。
材として半導体チップ、プリント基板、ポリイミドやポ
リエステルを基材としたフレキシル配線板があげられ
る。半導体チップや基板の電極パッド上には、めっきで
形成されるバンプや金ワイヤの先端をトーチ等により溶
融させ、金ボールを形成し、このボールを電極パッド上
に圧着した後、ワイヤを切断して得られるワイヤバンプ
などの突起電極を設け、接続端子として用いることがで
きる。
【０００７】本発明において用いられる接着剤樹脂組成
物としては、エポキシ樹脂とイミダゾール系、ヒドラジ
ド系、三フッ化ホウ素−アミン錯体、スルホニウム塩、
アミンイミド、ポリアミンの塩、ジシアンジアミド等の
潜在性硬化剤の混合物が用いられ、回路部材の熱膨張係
数差に基づくストレスを緩和するためには、接着後の４
０℃での弾性率が３０〜１５００ＭＰａの接着剤樹脂組
成物が好ましい。例えば、接続時の良好な流動性や高接
続信頼性を得られる接着剤樹脂組成物として、エポキシ
樹脂とイミダゾール系、ヒドラジド系、三フッ化ホウ素
−アミン錯体、スルホニウム塩、アミンイミド、ポリア
ミンの塩、ジシアンジアミド等の潜在性硬化剤の混合物
に、接着後の４０℃での弾性率が３０〜１５００ＭＰａ
になるようにアクリルゴムを配合した接着剤があげられ
る。接着フィルム硬化物の弾性率は、例えば、レオロジ
（株）製レオスペクトラＤＶＥ−４（引っぱりモード、
周波数１０Ｈｚ、５℃／ｍｉｎで昇温）を使用して測定
できる。
物としては、エポキシ樹脂とイミダゾール系、ヒドラジ
ド系、三フッ化ホウ素−アミン錯体、スルホニウム塩、
アミンイミド、ポリアミンの塩、ジシアンジアミド等の
潜在性硬化剤の混合物が用いられ、回路部材の熱膨張係
数差に基づくストレスを緩和するためには、接着後の４
０℃での弾性率が３０〜１５００ＭＰａの接着剤樹脂組
成物が好ましい。例えば、接続時の良好な流動性や高接
続信頼性を得られる接着剤樹脂組成物として、エポキシ
樹脂とイミダゾール系、ヒドラジド系、三フッ化ホウ素
−アミン錯体、スルホニウム塩、アミンイミド、ポリア
ミンの塩、ジシアンジアミド等の潜在性硬化剤の混合物
に、接着後の４０℃での弾性率が３０〜１５００ＭＰａ
になるようにアクリルゴムを配合した接着剤があげられ
る。接着フィルム硬化物の弾性率は、例えば、レオロジ
（株）製レオスペクトラＤＶＥ−４（引っぱりモード、
周波数１０Ｈｚ、５℃／ｍｉｎで昇温）を使用して測定
できる。
【０００８】本発明で用いるアクリルゴムとしては、ア
クリル酸、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル
またはアクリロニトリルのうち少なくともひとつをモノ
マー成分とした重合体または共重合体があげられ、中で
もグリシジルエーテル基を含有するグリシジルアクリレ
ートやグリシジルメタクリレートを含む共重合体系アク
リルゴムが好適に用いられる。これらアクリルゴムの分
子量は、接着剤の凝集力を高める点から２０万以上が好
ましい。アクリルゴムの接着剤中の配合量は、１５ｗｔ
％以下であると接着後の４０℃での弾性率が１５００Ｍ
Ｐａを越えてしまい、また４０ｗｔ％以上になると低弾
性率化は図れるが接続時の溶融粘度が高くなり接続電極
界間、または接続電極と導電粒子界面の溶融接着剤の排
除性が低下するため、接続電極間または接続電極と導電
粒子間の電気的導通を確保できなくなる。このため、ア
クリル配合量としては１５〜４０ｗｔ％が好ましい。接
着剤に配合されたこれらのアクリルゴムは、ゴム成分に
起因する誘電正接のピーク温度が４０〜６０℃付近にあ
るため、接着剤の低弾性率化を図ることができる。ま
た、接着剤にはフィルム形成性をより容易にするために
フェノキシ樹脂などの熱可塑性樹脂を配合することもで
きる。特に、フェノキシ樹脂は、エポキシ樹脂と構造が
類似しているため、エポキシ樹脂との相溶性、接着性に
優れるなどの特徴を有するので好ましい。フィルム形成
は、これら少なくともエポキシ樹脂、アクリルゴム、フ
ェノキシ樹脂、潜在性硬化剤からなる接着剤樹脂組成物
と導電粒子を有機溶剤に溶解あるいは分散により液状化
して、剥離性基材上に塗布し、硬化剤の活性温度以下で
溶剤を除去することにより行われれる。この時用いる溶
剤は、芳香族炭化水素系と含酸素系の混合溶剤が材料の
溶解性を向上させるため好ましい。
クリル酸、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル
またはアクリロニトリルのうち少なくともひとつをモノ
マー成分とした重合体または共重合体があげられ、中で
もグリシジルエーテル基を含有するグリシジルアクリレ
ートやグリシジルメタクリレートを含む共重合体系アク
リルゴムが好適に用いられる。これらアクリルゴムの分
子量は、接着剤の凝集力を高める点から２０万以上が好
ましい。アクリルゴムの接着剤中の配合量は、１５ｗｔ
％以下であると接着後の４０℃での弾性率が１５００Ｍ
Ｐａを越えてしまい、また４０ｗｔ％以上になると低弾
性率化は図れるが接続時の溶融粘度が高くなり接続電極
界間、または接続電極と導電粒子界面の溶融接着剤の排
除性が低下するため、接続電極間または接続電極と導電
粒子間の電気的導通を確保できなくなる。このため、ア
クリル配合量としては１５〜４０ｗｔ％が好ましい。接
着剤に配合されたこれらのアクリルゴムは、ゴム成分に
起因する誘電正接のピーク温度が４０〜６０℃付近にあ
るため、接着剤の低弾性率化を図ることができる。ま
た、接着剤にはフィルム形成性をより容易にするために
フェノキシ樹脂などの熱可塑性樹脂を配合することもで
きる。特に、フェノキシ樹脂は、エポキシ樹脂と構造が
類似しているため、エポキシ樹脂との相溶性、接着性に
優れるなどの特徴を有するので好ましい。フィルム形成
は、これら少なくともエポキシ樹脂、アクリルゴム、フ
ェノキシ樹脂、潜在性硬化剤からなる接着剤樹脂組成物
と導電粒子を有機溶剤に溶解あるいは分散により液状化
して、剥離性基材上に塗布し、硬化剤の活性温度以下で
溶剤を除去することにより行われれる。この時用いる溶
剤は、芳香族炭化水素系と含酸素系の混合溶剤が材料の
溶解性を向上させるため好ましい。
【０００９】本発明に用いられる無機質充填材として
は、特に限定するものではなく、例えば、溶融シリカ、
結晶質シリカ、ケイ酸カルシウム、アルミナ、炭酸カル
シウム等の粉体があげられる。無機充填材の配合量は、
接着剤樹脂組成物１００重量部に対して１０〜２００重
量部であり、熱膨張係数を低下させるには配合量が大き
いほど効果的であるが、多量に配合すると接着性や接続
部での接着剤の排除性低下に基づく導通不良が発生し、
配合量が小さいと熱膨張係数を充分低下できないため、
２０〜９０重量部が好ましい。また、その平均粒径は、
接続部での導通不良を防止する目的で３ミクロン以下に
するのが好ましい。また接続時の樹脂の流動性の低下及
びチップのパッシベーション膜のダメージを防ぐ目的で
球状フィラを用いることが望ましい。
は、特に限定するものではなく、例えば、溶融シリカ、
結晶質シリカ、ケイ酸カルシウム、アルミナ、炭酸カル
シウム等の粉体があげられる。無機充填材の配合量は、
接着剤樹脂組成物１００重量部に対して１０〜２００重
量部であり、熱膨張係数を低下させるには配合量が大き
いほど効果的であるが、多量に配合すると接着性や接続
部での接着剤の排除性低下に基づく導通不良が発生し、
配合量が小さいと熱膨張係数を充分低下できないため、
２０〜９０重量部が好ましい。また、その平均粒径は、
接続部での導通不良を防止する目的で３ミクロン以下に
するのが好ましい。また接続時の樹脂の流動性の低下及
びチップのパッシベーション膜のダメージを防ぐ目的で
球状フィラを用いることが望ましい。
【００１０】本発明の接着剤には、チップのバンプや回
路電極の高さばらつきを吸収するために、異方導電性を
積極的に付与する目的で導電粒子を分散することもでき
る。本発明において導電粒子は例えばＡｕ、Ｎｉ、Ａ
ｇ、Ｃｕ、Ｗやはんだなどの金属粒子またはこれらの金
属粒子表面に金やパラジウムなどの薄膜をめっきや蒸着
によって形成した金属粒子であり、ポリスチレン等の高
分子の球状の核材にＮｉ、Ｃｕ、Ａｕ、はんだ等の導電
層を設けた導電粒子を用いることができる。粒径は基板
の電極の最小の間隔よりも小さいことが必要で、電極の
高さばらつきがある場合、高さばらつきよりも大きいこ
とが好ましく、かつ無機質充填材の平均粒径より大きい
ことが好ましく、１μｍ〜１０μｍが好ましい。また、
接着剤に分散される導電粒子量は、０．１〜３０体積％
であり、好ましくは０．２〜１５体積％である。本発明
のフィルム状接着剤の膜厚は、特に限定するものではな
いが、第一及び第二の回路部材間のギャップに比べ、厚
いほうが好ましく、一般にはギャップに対して５μｍ以
上厚い膜厚が望ましい。
路電極の高さばらつきを吸収するために、異方導電性を
積極的に付与する目的で導電粒子を分散することもでき
る。本発明において導電粒子は例えばＡｕ、Ｎｉ、Ａ
ｇ、Ｃｕ、Ｗやはんだなどの金属粒子またはこれらの金
属粒子表面に金やパラジウムなどの薄膜をめっきや蒸着
によって形成した金属粒子であり、ポリスチレン等の高
分子の球状の核材にＮｉ、Ｃｕ、Ａｕ、はんだ等の導電
層を設けた導電粒子を用いることができる。粒径は基板
の電極の最小の間隔よりも小さいことが必要で、電極の
高さばらつきがある場合、高さばらつきよりも大きいこ
とが好ましく、かつ無機質充填材の平均粒径より大きい
ことが好ましく、１μｍ〜１０μｍが好ましい。また、
接着剤に分散される導電粒子量は、０．１〜３０体積％
であり、好ましくは０．２〜１５体積％である。本発明
のフィルム状接着剤の膜厚は、特に限定するものではな
いが、第一及び第二の回路部材間のギャップに比べ、厚
いほうが好ましく、一般にはギャップに対して５μｍ以
上厚い膜厚が望ましい。
【００１１】
実施例１ フェノキシ樹脂５０ｇと、ブチルアクリレート（４０
部）、エチルアクリレート（３０部）、アクリロニトリ
ル（３０部）及びグリシジルメタクリレート（３部）を
共重合したアクリルゴム（分子量：８５万）１２５ｇを
酢酸エチル４００ｇに溶解し、３０％溶液を得た。つい
で、、マイクロカプセル型潜在性硬化剤を含有する液状
エポキシ（エポキシ当量１８５）３２５ｇをこの溶液に
加え、撹拌し、溶融シリカ（平均粒子径：０．５μｍ）
を接着剤樹脂組成物１００重量部に対して４０重量、さ
らにニッケル粒子（直径：３μｍ）を２ｖｏｌ％分散し
てフィルム塗工用溶液を得た。この溶液をセパレータ
（シリコーン処理したポリエチレンテレフタレートフィ
ルム、厚み４０μｍ）にロールコータで塗布し、１００
℃１０分乾燥し厚み４５μｍの接着フィルム１を作製し
た。なお、この接着フィルム１の溶融シリカ及びニッケ
ル粒子を除いた接着剤樹脂組成物のみの動的粘弾性測定
器で測定した４０℃の弾性率は、８００ＭＰａであっ
た。次に作製した接着フィルム１を用いて金バンプ（面
積：８０μｍｘ８０μｍ、スペース３０μｍ、高さ：１
５μｍ、バンプ数２８８）付きチップ（１０ｍｍｘ１０
ｍｍ、厚み：０．５ｍｍ）とＮｉ／ＡｕめっきＣｕ回路
プリント基板の接続を以下に示すように行った。接着フ
ィルム（１２ｍｍｘ１２ｍｍ）をＮｉ／ＡｕめっきＣｕ
回路プリント基板（電極高さ：２０μｍ、厚み：０．８
ｍｍ）に８０℃、１０ｋｇｆ／ｃｍ2で貼りつけた後、
セパレータを剥離し、チップのバンプとＮｉ／Ａｕめっ
きＣｕ回路プリント基板（厚み：０．８ｍｍ）の位置あ
わせを行った。ついで、１８０℃、３０ｇ／バンプ、２
０秒の条件でチップ上方から加熱、加圧を行い、本接続
を行った。本接続後の接続抵抗は、１バンプあたり最高
で６ｍΩ、平均で２ｍΩ、絶縁抵抗は１０8Ω以上であ
り、これらの値は−５５〜１２５℃の熱衝撃試験１００
０サイクル処理、ＰＣＴ試験（１２１℃、２気圧）２０
０時間、２６０℃のはんだバス浸漬１０秒後においても
変化がなく、良好な接続信頼性を示した。
部）、エチルアクリレート（３０部）、アクリロニトリ
ル（３０部）及びグリシジルメタクリレート（３部）を
共重合したアクリルゴム（分子量：８５万）１２５ｇを
酢酸エチル４００ｇに溶解し、３０％溶液を得た。つい
で、、マイクロカプセル型潜在性硬化剤を含有する液状
エポキシ（エポキシ当量１８５）３２５ｇをこの溶液に
加え、撹拌し、溶融シリカ（平均粒子径：０．５μｍ）
を接着剤樹脂組成物１００重量部に対して４０重量、さ
らにニッケル粒子（直径：３μｍ）を２ｖｏｌ％分散し
てフィルム塗工用溶液を得た。この溶液をセパレータ
（シリコーン処理したポリエチレンテレフタレートフィ
ルム、厚み４０μｍ）にロールコータで塗布し、１００
℃１０分乾燥し厚み４５μｍの接着フィルム１を作製し
た。なお、この接着フィルム１の溶融シリカ及びニッケ
ル粒子を除いた接着剤樹脂組成物のみの動的粘弾性測定
器で測定した４０℃の弾性率は、８００ＭＰａであっ
た。次に作製した接着フィルム１を用いて金バンプ（面
積：８０μｍｘ８０μｍ、スペース３０μｍ、高さ：１
５μｍ、バンプ数２８８）付きチップ（１０ｍｍｘ１０
ｍｍ、厚み：０．５ｍｍ）とＮｉ／ＡｕめっきＣｕ回路
プリント基板の接続を以下に示すように行った。接着フ
ィルム（１２ｍｍｘ１２ｍｍ）をＮｉ／ＡｕめっきＣｕ
回路プリント基板（電極高さ：２０μｍ、厚み：０．８
ｍｍ）に８０℃、１０ｋｇｆ／ｃｍ2で貼りつけた後、
セパレータを剥離し、チップのバンプとＮｉ／Ａｕめっ
きＣｕ回路プリント基板（厚み：０．８ｍｍ）の位置あ
わせを行った。ついで、１８０℃、３０ｇ／バンプ、２
０秒の条件でチップ上方から加熱、加圧を行い、本接続
を行った。本接続後の接続抵抗は、１バンプあたり最高
で６ｍΩ、平均で２ｍΩ、絶縁抵抗は１０8Ω以上であ
り、これらの値は−５５〜１２５℃の熱衝撃試験１００
０サイクル処理、ＰＣＴ試験（１２１℃、２気圧）２０
０時間、２６０℃のはんだバス浸漬１０秒後においても
変化がなく、良好な接続信頼性を示した。
【００１２】実施例２ フェノキシ樹脂５０ｇと、ブチルアクリレート（４０
部）、エチルアクリレート（３０部）、アクリロニトリ
ル（３０部）及びグリシジルメタクリレート（３部）を
共重合したアクリルゴム（分子量：８５万）１７５ｇを
酢酸エチル５２５ｇに溶解し、３０％溶液を得た。つい
で、、マイクロカプセル型潜在性硬化剤を含有する液状
エポキシ（エポキシ当量１８５）２７５ｇをこの溶液に
加え、撹拌し、溶融シリカ（平均粒子径：０．５μｍ）
を接着剤樹脂組成物１００重量部に対して６０重量、さ
らにニッケル粒子（直径：３μｍ）を２ｖｏｌ％分散し
てフィルム塗工用溶液を得た。この溶液をセパレータ
（シリコーン処理したポリエチレンテレフタレートフィ
ルム、厚み４０μｍ）にロールコータで塗布し、１００
℃、１０分乾燥し厚み４５μｍの接着フィルム２を作製
した。この接着フィルム２の溶融シリカ及びニッケル粒
子を除いた接着剤樹脂組成物のみの動的粘弾性測定器で
測定した４０℃の弾性率は、４００ＭＰａであった。次
に作製した接着フィルム２を用いて金バンプ（面積：８
０μｍｘ８０μｍ、スペース３０μｍ、高さ：１５μ
ｍ、バンプ数２８８）付きチップ（１０ｍｍｘ１０ｍ
ｍ）とＮｉ／ＡｕめっきＣｕ回路プリント基板（電極高
さ：２０μｍ、厚み：０．８ｍｍ）の接続を以下に示す
ように行った。接着フィルム（１２ｍｍｘ１２ｍｍ）を
Ｎｉ／ＡｕめっきＣｕ回路プリント基板に８０℃、１０
ｋｇｆ／ｃｍ2で貼りつけた後、セパレータを剥離し、
チップのバンプとＮｉ／ＡｕめっきＣｕ回路プリント基
板の位置あわせを行った。ついで、１７０℃、３０ｇ／
バンプ、２０秒の条件でチップ上方から加熱、加圧を行
い、本接続を行った。本接続後の接続抵抗は、１バンプ
あたり最高で１８ｍΩ、平均で８ｍΩ、絶縁抵抗は１０
8Ω以上であり、これらの値は−５５〜１２５℃の熱衝
撃試験１０００サイクル処理、ＰＣＴ試験（１２１℃、
２気圧）２００時間、２６０℃のはんだバス浸漬１０秒
後においても変化がなく、良好な接続信頼性を示した。
部）、エチルアクリレート（３０部）、アクリロニトリ
ル（３０部）及びグリシジルメタクリレート（３部）を
共重合したアクリルゴム（分子量：８５万）１７５ｇを
酢酸エチル５２５ｇに溶解し、３０％溶液を得た。つい
で、、マイクロカプセル型潜在性硬化剤を含有する液状
エポキシ（エポキシ当量１８５）２７５ｇをこの溶液に
加え、撹拌し、溶融シリカ（平均粒子径：０．５μｍ）
を接着剤樹脂組成物１００重量部に対して６０重量、さ
らにニッケル粒子（直径：３μｍ）を２ｖｏｌ％分散し
てフィルム塗工用溶液を得た。この溶液をセパレータ
（シリコーン処理したポリエチレンテレフタレートフィ
ルム、厚み４０μｍ）にロールコータで塗布し、１００
℃、１０分乾燥し厚み４５μｍの接着フィルム２を作製
した。この接着フィルム２の溶融シリカ及びニッケル粒
子を除いた接着剤樹脂組成物のみの動的粘弾性測定器で
測定した４０℃の弾性率は、４００ＭＰａであった。次
に作製した接着フィルム２を用いて金バンプ（面積：８
０μｍｘ８０μｍ、スペース３０μｍ、高さ：１５μ
ｍ、バンプ数２８８）付きチップ（１０ｍｍｘ１０ｍ
ｍ）とＮｉ／ＡｕめっきＣｕ回路プリント基板（電極高
さ：２０μｍ、厚み：０．８ｍｍ）の接続を以下に示す
ように行った。接着フィルム（１２ｍｍｘ１２ｍｍ）を
Ｎｉ／ＡｕめっきＣｕ回路プリント基板に８０℃、１０
ｋｇｆ／ｃｍ2で貼りつけた後、セパレータを剥離し、
チップのバンプとＮｉ／ＡｕめっきＣｕ回路プリント基
板の位置あわせを行った。ついで、１７０℃、３０ｇ／
バンプ、２０秒の条件でチップ上方から加熱、加圧を行
い、本接続を行った。本接続後の接続抵抗は、１バンプ
あたり最高で１８ｍΩ、平均で８ｍΩ、絶縁抵抗は１０
8Ω以上であり、これらの値は−５５〜１２５℃の熱衝
撃試験１０００サイクル処理、ＰＣＴ試験（１２１℃、
２気圧）２００時間、２６０℃のはんだバス浸漬１０秒
後においても変化がなく、良好な接続信頼性を示した。
【００１３】実施例３ フェノキシ樹脂５０ｇ、ブチルアクリレート（４０
部）、エチルアクリレート（３０部）、アクリロニトリ
ル（３０部）及びグリシジルメタクリレート（３部）を
共重合したアクリルゴム（分子量：８５万）１００ｇを
酢酸エチル３５０ｇに溶解し、３０％溶液を得た。つい
で、、マイクロカプセル型潜在性硬化剤を含有する液状
エポキシ（エポキシ当量１８５）３５０ｇをこの溶液に
加え、撹拌し、溶融シリカ（平均粒子径：０．５μｍ）
を接着剤樹脂組成物１００重量部に対して６０重量、さ
らにポリスチレン系核体（直径：５μｍ）の表面にＡｕ
層を形成した導電粒子を５ｖｏｌ％分散してフィルム塗
工用溶液を得た。この溶液をセパレータ（シリコーン処
理したポリエチレンテレフタレートフィルム、厚み４０
μｍ）にロールコータで塗布し、１００℃１０分乾燥し
厚み４５μｍの接着フィルム３を作製した。この接着フ
ィルム３の溶融シリカ及びニッケル粒子を除いた接着剤
樹脂組成物のみの動的粘弾性測定器で測定した４０℃の
弾性率は、１０００ＭＰａであった。次に作製した接着
フィルム３を用いて金バンプ（面積：８０μｍｘ８０μ
ｍ、スペース３０μｍ、高さ：１５μｍ、バンプ数２８
８）付きチップ（１０ｍｍｘ１０ｍｍ、厚み：０．５ｍ
ｍ）とＮｉ／ＡｕめっきＣｕ回路プリント基板（電極高
さ：２０μｍ、厚み：０．８ｍｍ）の接続を以下に示す
ように行った。接着フィルム３（１２ｍｍｘ１２ｍｍ）
をＮｉ／ＡｕめっきＣｕ回路プリント基板に８０℃、１
０ｋｇｆ／ｃｍ2で貼りつけた後、セパレータを剥離
し、チップのバンプとＮｉ／ＡｕめっきＣｕ回路プリン
ト基板の位置あわせを行った。ついで、１７０℃、３０
ｇ／バンプ、２０秒の条件でチップ上方から加熱、加圧
を行い、本接続を行った。接続抵抗は、１バンプあたり
最高で５ｍΩ、平均で１．５ｍΩ、絶縁抵抗は１０8Ω
以上であり、これらの値は−５５〜１２５℃の熱衝撃試
験１０００サイクル処理、ＰＣＴ試験（１２１℃、２気
圧）２００時間、２６０℃のはんだバス浸漬１０秒後に
おいても変化がなく、良好な接続信頼性を示した。
部）、エチルアクリレート（３０部）、アクリロニトリ
ル（３０部）及びグリシジルメタクリレート（３部）を
共重合したアクリルゴム（分子量：８５万）１００ｇを
酢酸エチル３５０ｇに溶解し、３０％溶液を得た。つい
で、、マイクロカプセル型潜在性硬化剤を含有する液状
エポキシ（エポキシ当量１８５）３５０ｇをこの溶液に
加え、撹拌し、溶融シリカ（平均粒子径：０．５μｍ）
を接着剤樹脂組成物１００重量部に対して６０重量、さ
らにポリスチレン系核体（直径：５μｍ）の表面にＡｕ
層を形成した導電粒子を５ｖｏｌ％分散してフィルム塗
工用溶液を得た。この溶液をセパレータ（シリコーン処
理したポリエチレンテレフタレートフィルム、厚み４０
μｍ）にロールコータで塗布し、１００℃１０分乾燥し
厚み４５μｍの接着フィルム３を作製した。この接着フ
ィルム３の溶融シリカ及びニッケル粒子を除いた接着剤
樹脂組成物のみの動的粘弾性測定器で測定した４０℃の
弾性率は、１０００ＭＰａであった。次に作製した接着
フィルム３を用いて金バンプ（面積：８０μｍｘ８０μ
ｍ、スペース３０μｍ、高さ：１５μｍ、バンプ数２８
８）付きチップ（１０ｍｍｘ１０ｍｍ、厚み：０．５ｍ
ｍ）とＮｉ／ＡｕめっきＣｕ回路プリント基板（電極高
さ：２０μｍ、厚み：０．８ｍｍ）の接続を以下に示す
ように行った。接着フィルム３（１２ｍｍｘ１２ｍｍ）
をＮｉ／ＡｕめっきＣｕ回路プリント基板に８０℃、１
０ｋｇｆ／ｃｍ2で貼りつけた後、セパレータを剥離
し、チップのバンプとＮｉ／ＡｕめっきＣｕ回路プリン
ト基板の位置あわせを行った。ついで、１７０℃、３０
ｇ／バンプ、２０秒の条件でチップ上方から加熱、加圧
を行い、本接続を行った。接続抵抗は、１バンプあたり
最高で５ｍΩ、平均で１．５ｍΩ、絶縁抵抗は１０8Ω
以上であり、これらの値は−５５〜１２５℃の熱衝撃試
験１０００サイクル処理、ＰＣＴ試験（１２１℃、２気
圧）２００時間、２６０℃のはんだバス浸漬１０秒後に
おいても変化がなく、良好な接続信頼性を示した。
【００１４】実施例４ フェノキシ樹脂５０ｇと、ブチルアクリレート（４０
部）、エチルアクリレート（３０部）、アクリロニトリ
ル（３０部）及びグリシジルメタクリレート（３部）を
共重合したアクリルゴム（分子量：８５万）１００ｇを
酢酸エチル３５０ｇに溶解し、３０％溶液を得た。つい
で、、マイクロカプセル型潜在性硬化剤を含有する液状
エポキシ（エポキシ当量１８５）３５０ｇ部をこの溶液
に加え、撹拌し、溶融シリカ（平均粒子径：０．５μ
ｍ）を接着剤樹脂組成物１００重量部に対して４０重
量、さらにポリスチレン系核体（直径：５μｍ）の表面
にＡｕ層を形成した導電粒子を５ｖｏｌ％分散してフィ
ルム塗工用溶液を得た。この溶液をセパレータ（シリコ
ーン処理したポリエチレンテレフタレートフィルム、厚
み４０μｍ）にロールコータで塗布し、１００℃１０分
乾燥し厚み４５μｍの接着フィルム４を作製した。この
接着フィルム４の溶融シリカ及びニッケル粒子を除いた
接着剤樹脂組成物のみの動的粘弾性測定器で測定した４
０℃の弾性率は、１０００ＭＰａであった。また、接着
フィルム４のＴＭＡ法で測定した１１０〜１３０℃の平
均熱膨張係数は１１１ｐｐｍであった。次に作製した接
着フィルム４を用いて金バンプ（面積：５０μｍｘ５０
μｍ、３６２バンプ、スペース：２０μｍ、高さ：１５
μｍ）付きチップ（１．７ｍｍｘ１７ｍｍ、厚み：０．
５ｍｍ）とＩＴＯ回路付ガラス基板（厚み：１．１ｍ
ｍ）の接続を以下に示すように行った。接着フィルム４
（１２ｍｍｘ ２ｍｍ）をＩＴＯ回路付ガラス基板に８
０℃、１０ｋｇｆ／ｃｍ2で貼りつけた後、セパレータ
を剥離し、チップのバンプとＩＴＯ回路付ガラス基板の
位置あわせを行った。ついで、１８０℃、４０ｇ／バン
プ、２０秒の条件でチップ上方から加熱、加圧を行い、
本接続を行った。接続抵抗は、１バンプあたり最高で１
５０ｍΩ、平均で８０ｍΩ、絶縁抵抗は１０8Ω以上で
あり、これらの値は−４０〜１００℃の熱衝撃試験１０
００サイクル処理、ＰＣＴ試験（１０５℃、１．２気
圧）１００時間においても変化がなく、良好な接続信頼
性を示した。
部）、エチルアクリレート（３０部）、アクリロニトリ
ル（３０部）及びグリシジルメタクリレート（３部）を
共重合したアクリルゴム（分子量：８５万）１００ｇを
酢酸エチル３５０ｇに溶解し、３０％溶液を得た。つい
で、、マイクロカプセル型潜在性硬化剤を含有する液状
エポキシ（エポキシ当量１８５）３５０ｇ部をこの溶液
に加え、撹拌し、溶融シリカ（平均粒子径：０．５μ
ｍ）を接着剤樹脂組成物１００重量部に対して４０重
量、さらにポリスチレン系核体（直径：５μｍ）の表面
にＡｕ層を形成した導電粒子を５ｖｏｌ％分散してフィ
ルム塗工用溶液を得た。この溶液をセパレータ（シリコ
ーン処理したポリエチレンテレフタレートフィルム、厚
み４０μｍ）にロールコータで塗布し、１００℃１０分
乾燥し厚み４５μｍの接着フィルム４を作製した。この
接着フィルム４の溶融シリカ及びニッケル粒子を除いた
接着剤樹脂組成物のみの動的粘弾性測定器で測定した４
０℃の弾性率は、１０００ＭＰａであった。また、接着
フィルム４のＴＭＡ法で測定した１１０〜１３０℃の平
均熱膨張係数は１１１ｐｐｍであった。次に作製した接
着フィルム４を用いて金バンプ（面積：５０μｍｘ５０
μｍ、３６２バンプ、スペース：２０μｍ、高さ：１５
μｍ）付きチップ（１．７ｍｍｘ１７ｍｍ、厚み：０．
５ｍｍ）とＩＴＯ回路付ガラス基板（厚み：１．１ｍ
ｍ）の接続を以下に示すように行った。接着フィルム４
（１２ｍｍｘ ２ｍｍ）をＩＴＯ回路付ガラス基板に８
０℃、１０ｋｇｆ／ｃｍ2で貼りつけた後、セパレータ
を剥離し、チップのバンプとＩＴＯ回路付ガラス基板の
位置あわせを行った。ついで、１８０℃、４０ｇ／バン
プ、２０秒の条件でチップ上方から加熱、加圧を行い、
本接続を行った。接続抵抗は、１バンプあたり最高で１
５０ｍΩ、平均で８０ｍΩ、絶縁抵抗は１０8Ω以上で
あり、これらの値は−４０〜１００℃の熱衝撃試験１０
００サイクル処理、ＰＣＴ試験（１０５℃、１．２気
圧）１００時間においても変化がなく、良好な接続信頼
性を示した。
【００１５】実施例５ フェノキシ樹脂５０ｇと、ブチルアクリレート（４０
部）、エチルアクリレート（３０部）、アクリロニトリ
ル（３０部）及びグリシジルメタクリレート（３部）を
共重合したアクリルゴム（分子量：８５万）１２５ｇを
酢酸エチル４００ｇに溶解し、３０％溶液を得た。つい
で、、マイクロカプセル型潜在性硬化剤を含有する液状
エポキシ（エポキシ当量１８５）３２５ｇをこの溶液に
加え、撹拌し、溶融シリカ（平均粒子径：０．５μｍ）
接着剤樹脂組成物１００重量部に対してを６０重量、さ
らにニッケル粒子（直径：５μｍ）を２ｖｏｌ％分散し
てフィルム塗工用溶液を得た。この溶液をセパレータ
（シリコーン処理したポリエチレンテレフタレートフィ
ルム、厚み４０μｍ）にロールコータで塗布し、１００
℃１０分乾燥し厚み４５μｍの接着フィルム５を作製し
た。この接着フィルム５の溶融シリカ及びニッケル粒子
を除いた接着剤樹脂組成物のみの動的粘弾性測定器で測
定した４０℃の弾性率は、８００ＭＰａであった。次に
作製した接着フィルム５を用いてバンプレスチップ（１
０ｍｍｘ１０ｍｍ、厚み：０．５ｍｍ、パッド電極：Ａ
ｌ、パッド径：１２０μｍ）と回路上にＮｉ／Ａｕめっ
きＣｕバンプ（直径：１００μｍ、スペース５０μｍ、
高さ：１５μｍ、バンプ数２００）を形成したＮｉ／Ａ
ｕめっきＣｕ回路プリント基板の接続を以下に示すよう
に行った。接着フィルム５（１２ｍｍｘ１２ｍｍ）をＮ
ｉ／ＡｕめっきＣｕ回路プリント基板（電極高さ：２０
μｍ、厚み：０．８ｍｍ）に８０℃、１０ｋｇｆ／ｃｍ
2で貼りつけた後、セパレータを剥離し、チップのＡｌ
パッドとＮｉ／ＡｕめっきＣｕバンプ付Ｎｉ／Ａｕめっ
きＣｕ回路プリント基板（厚み：０．８ｍｍ）の位置あ
わせを行った。ついで、１８０℃、３０ｇ／バンプ、２
０秒の条件でチップ上方から加熱、加圧を行い、本接続
を行った。本接続後の接続抵抗は、１バンプあたり最高
で８ｍΩ、平均で４ｍΩ、絶縁抵抗は１０8Ω以上であ
り、これらの値は−５５〜１２５℃の熱衝撃試験１００
０サイクル処理、ＰＣＴ試験（１２１℃、２気圧）２０
０時間、２６０℃のはんだバス浸漬１０秒後においても
変化がなく、良好な接続信頼性を示した。
部）、エチルアクリレート（３０部）、アクリロニトリ
ル（３０部）及びグリシジルメタクリレート（３部）を
共重合したアクリルゴム（分子量：８５万）１２５ｇを
酢酸エチル４００ｇに溶解し、３０％溶液を得た。つい
で、、マイクロカプセル型潜在性硬化剤を含有する液状
エポキシ（エポキシ当量１８５）３２５ｇをこの溶液に
加え、撹拌し、溶融シリカ（平均粒子径：０．５μｍ）
接着剤樹脂組成物１００重量部に対してを６０重量、さ
らにニッケル粒子（直径：５μｍ）を２ｖｏｌ％分散し
てフィルム塗工用溶液を得た。この溶液をセパレータ
（シリコーン処理したポリエチレンテレフタレートフィ
ルム、厚み４０μｍ）にロールコータで塗布し、１００
℃１０分乾燥し厚み４５μｍの接着フィルム５を作製し
た。この接着フィルム５の溶融シリカ及びニッケル粒子
を除いた接着剤樹脂組成物のみの動的粘弾性測定器で測
定した４０℃の弾性率は、８００ＭＰａであった。次に
作製した接着フィルム５を用いてバンプレスチップ（１
０ｍｍｘ１０ｍｍ、厚み：０．５ｍｍ、パッド電極：Ａ
ｌ、パッド径：１２０μｍ）と回路上にＮｉ／Ａｕめっ
きＣｕバンプ（直径：１００μｍ、スペース５０μｍ、
高さ：１５μｍ、バンプ数２００）を形成したＮｉ／Ａ
ｕめっきＣｕ回路プリント基板の接続を以下に示すよう
に行った。接着フィルム５（１２ｍｍｘ１２ｍｍ）をＮ
ｉ／ＡｕめっきＣｕ回路プリント基板（電極高さ：２０
μｍ、厚み：０．８ｍｍ）に８０℃、１０ｋｇｆ／ｃｍ
2で貼りつけた後、セパレータを剥離し、チップのＡｌ
パッドとＮｉ／ＡｕめっきＣｕバンプ付Ｎｉ／Ａｕめっ
きＣｕ回路プリント基板（厚み：０．８ｍｍ）の位置あ
わせを行った。ついで、１８０℃、３０ｇ／バンプ、２
０秒の条件でチップ上方から加熱、加圧を行い、本接続
を行った。本接続後の接続抵抗は、１バンプあたり最高
で８ｍΩ、平均で４ｍΩ、絶縁抵抗は１０8Ω以上であ
り、これらの値は−５５〜１２５℃の熱衝撃試験１００
０サイクル処理、ＰＣＴ試験（１２１℃、２気圧）２０
０時間、２６０℃のはんだバス浸漬１０秒後においても
変化がなく、良好な接続信頼性を示した。
【００１６】
【発明の効果】本発明の回路板によれば、従来の回路板
のように接着剤の熱膨張係数が大きくないため、チップ
と接着剤界面でのストレスを緩和できる他、さらに接着
樹脂組成物として４０℃での弾性率が３０〜１５００Ｍ
Ｐａである場合にはさらに接着樹脂組成物によって信頼
性試験において生じるストレスを吸収できるため、信頼
性試験後においても接続部での接続抵抗の増大や接着剤
の剥離がなく、接続信頼性が大幅に向上する。また、本
発明の回路板では、接着剤の熱膨張係数が小さくチップ
と接着剤界面でのストレスを緩和できることから、チッ
プの電極パッドに突起電極を設けた場合、温度サイクル
試験下での突起電極の電極パッドからの剥離を大幅に低
減できる。
のように接着剤の熱膨張係数が大きくないため、チップ
と接着剤界面でのストレスを緩和できる他、さらに接着
樹脂組成物として４０℃での弾性率が３０〜１５００Ｍ
Ｐａである場合にはさらに接着樹脂組成物によって信頼
性試験において生じるストレスを吸収できるため、信頼
性試験後においても接続部での接続抵抗の増大や接着剤
の剥離がなく、接続信頼性が大幅に向上する。また、本
発明の回路板では、接着剤の熱膨張係数が小さくチップ
と接着剤界面でのストレスを緩和できることから、チッ
プの電極パッドに突起電極を設けた場合、温度サイクル
試験下での突起電極の電極パッドからの剥離を大幅に低
減できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井坂 和博 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社筑波開発研究所内 (72)発明者 渡辺 治 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社筑波開発研究所内 (72)発明者 小島 和良 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社筑波開発研究所内
Claims (7)
- 【請求項１】 第一の接続端子を有する第一の回路部材
と、第二の接続端子を有する第二の回路部材とを、第一
の接続端子と第二の接続端子を対向して配置し、前記対
向配置した第一の接続端子と第二の接続端子の間に接着
剤を介在させ、加熱加圧して前記対向配置した第一の接
続端子と第二の接続端子を電気的に接続させた回路板で
あって、前記接着剤が、接着剤樹脂組成物１００重量部
に無機質充填材を１０〜２００重量部含有してなる接着
剤であることを特徴とする回路板。 - 【請求項２】 無機質充填材の平均粒径が３ミクロン以
下である請求項１記載の回路板。 - 【請求項３】 接着剤に前記無機充填材の平均粒径に比
べて平均粒径の大きい導電粒子が０．１〜３０体積％含
有されている請求項１及び２記載の回路板。 - 【請求項４】 接着剤樹脂組成物の硬化後の４０℃での
弾性率が３０〜１５００ＭＰａである請求項１〜３各項
記載の回路板。 - 【請求項５】 接着剤樹脂組成物が少なくともエポキシ
樹脂と、アクリルゴムと、潜在性硬化剤を含有する請求
項４記載の回路板。 - 【請求項６】 アクリルゴムが、その分子中にグリシジ
ルエーテル基を含有していることを特徴とする請求項５
記載の回路板。 - 【請求項７】 接着剤がフィルム状である請求項１〜６
記載の回路板。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9032004A JPH10289927A (ja) | 1997-02-14 | 1997-02-17 | 回路板 |
| US12/549,909 US20090314533A1 (en) | 1997-02-14 | 2009-08-28 | Adhesive for bonding circuit members, circuit board and process for its production |
| US13/166,591 US8273458B2 (en) | 1997-02-14 | 2011-06-22 | Adhesive for bonding circuit members, circuit board and process for its production |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3098497 | 1997-02-14 | ||
| JP9-30984 | 1997-02-14 | ||
| JP9032004A JPH10289927A (ja) | 1997-02-14 | 1997-02-17 | 回路板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10289927A true JPH10289927A (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=26369441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9032004A Pending JPH10289927A (ja) | 1997-02-14 | 1997-02-17 | 回路板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10289927A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08195414A (ja) * | 1995-01-12 | 1996-07-30 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| WO1996042107A1 (en) * | 1995-06-13 | 1996-12-27 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Semiconductor device, wiring board for mounting semiconductor and method of production of semiconductor device |
-
1997
- 1997-02-17 JP JP9032004A patent/JPH10289927A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08195414A (ja) * | 1995-01-12 | 1996-07-30 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| WO1996042107A1 (en) * | 1995-06-13 | 1996-12-27 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Semiconductor device, wiring board for mounting semiconductor and method of production of semiconductor device |
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