JPH10289889A - Substrate treatment apparatus - Google Patents

Substrate treatment apparatus

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JPH10289889A
JPH10289889A JP9934597A JP9934597A JPH10289889A JP H10289889 A JPH10289889 A JP H10289889A JP 9934597 A JP9934597 A JP 9934597A JP 9934597 A JP9934597 A JP 9934597A JP H10289889 A JPH10289889 A JP H10289889A
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JP
Japan
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rotation
wafer
substrate
roller
cleaning
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JP9934597A
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Japanese (ja)
Inventor
Atsushi Sawada
敦史 澤田
Yasuhiko Okuda
康彦 奥田
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH10289889A publication Critical patent/JPH10289889A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate treatment apparatus capable of automatically detecting that the rotation of the substrate is stopped and of subsequently treating the substrate in a good manner. SOLUTION: This wafer cleaning apparatus is provided with a rotation state detection part 100 for detecting the rotation state of a central driven roller 13b out of three driven rollers 13 rotating with the rotation of a wafer W. If the rotation of the driven roller 13b is stopped, a rotation stop signal is outputted from the rotation state detection part 100 to a determination part 111. The determination part 111 determines whether or not the continuous output time of the rotation stop signal reaches a predetermined set time, using a timer 112. If the continuous output time reaches the predetermined set time, then the determination part 111 determines that the rotation of the wafer W is stopped and executes cycle stop processing to make treatment following the cleaning treatment continue and treatment prior to the cleaning treatment, and executes alarm generating processing for generating an alarm.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハなど
のほぼ円形の基板に対して処理を施すための基板処理装
置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substantially circular substrate such as a semiconductor wafer.

【0002】[0002]

【背景技術】半導体装置の製造工程には、半導体ウエハ
(以下、単に「ウエハ」という。)の表面に成膜やエッ
チングなどの処理を繰り返し施して微細パターンを形成
していく工程が含まれる。微細加工のためにはウエハ自
体の表面およびウエハ表面に形成された薄膜の表面を清
浄に保つ必要があるから、必要に応じてウエハの洗浄が
行われる。たとえば、ウエハの表面上に形成された薄膜
を研磨剤を用いて研磨した後には、研磨剤(スラリー)
がウエハ表面に残留しているから、このスラリーを除去
する必要がある。
2. Description of the Related Art A semiconductor device manufacturing process includes a process of forming a fine pattern by repeatedly performing processes such as film formation and etching on the surface of a semiconductor wafer (hereinafter, simply referred to as “wafer”). For fine processing, the surface of the wafer itself and the surface of the thin film formed on the wafer surface must be kept clean. Therefore, the wafer is cleaned as necessary. For example, after polishing a thin film formed on the surface of a wafer using an abrasive, the abrasive (slurry)
It is necessary to remove this slurry because the residue remains on the wafer surface.

【0003】図10は、上述のようなウエハの洗浄を行
うためのウエハ洗浄装置の構成例を示す平面図であり、
図11は、図10に示される構成を図10のZ方向から
見た側面図である。このウエハ洗浄装置は、ウエハWの
両面をスクラブ洗浄してスラリーを除去するためのもの
で、ウエハWの端面に当接してウエハWを水平に保持
し、かつ回転させる3つの保持ローラ251,252お
よび253と、これら保持ローラ251,252および
253によって保持されたウエハWの両面を洗浄する両
面洗浄装置210とを備えている。
FIG. 10 is a plan view showing a configuration example of a wafer cleaning apparatus for performing the above-described wafer cleaning.
FIG. 11 is a side view of the configuration shown in FIG. 10 viewed from the Z direction in FIG. This wafer cleaning device is for scrubbing both surfaces of the wafer W to remove slurry, and has three holding rollers 251 and 252 that abut against an end surface of the wafer W to horizontally hold and rotate the wafer W. And 253, and a double-side cleaning device 210 for cleaning both surfaces of the wafer W held by the holding rollers 251, 252 and 253.

【0004】3つの保持ローラ251,252および2
53は、支持部261,262および263に鉛直軸ま
わりの回転が自在であるように支持されたローラ軸27
1,272および273にそれぞれ固定されている。こ
のうち、保持ローラ251は、モータMで発生された駆
動力が駆動ベルトVを介して伝達される駆動ローラであ
り、残りの保持ローラ252および253は、ウエハW
の回転に伴って回転する従動ローラである。
[0004] Three holding rollers 251, 252 and 2
53 is a roller shaft 27 supported by the supporting portions 261, 262 and 263 so as to be rotatable around a vertical axis.
1, 272 and 273, respectively. Of these, the holding roller 251 is a driving roller to which the driving force generated by the motor M is transmitted via the driving belt V, and the remaining holding rollers 252 and 253 are the wafer W
It is a driven roller that rotates with the rotation of.

【0005】両面洗浄装置210は、保持ローラ25
1,252および253によって保持されているウエハ
Wの上面および下面をそれぞれ洗浄するための上面洗浄
部材214および下面洗浄部材217を備えている。上
面および下面洗浄部材214および217は、保持ロー
ラ251,252および253に干渉しないように、ウ
エハWの表面領域の一部を覆うように配置されている。
上面および下面洗浄部材214および217は、それぞ
れ、ほぼ円形のベース板212および215を備えてい
る。ベース板212および215の下面および上面に
は、それぞれ、洗浄ブラシ213および216が固設さ
れている。洗浄ブラシ213および216のほぼ中央に
は、それぞれ、洗浄液が吐出されるノズル220および
221が配設されている。
[0005] The double-sided cleaning device 210 includes a holding roller 25.
An upper surface cleaning member 214 and a lower surface cleaning member 217 for cleaning the upper surface and the lower surface of the wafer W held by 1, 252 and 253, respectively, are provided. The upper and lower cleaning members 214 and 217 are arranged so as to cover a part of the surface area of the wafer W so as not to interfere with the holding rollers 251, 252 and 253.
The upper and lower cleaning members 214 and 217 include substantially circular base plates 212 and 215, respectively. Cleaning brushes 213 and 216 are fixed to the lower and upper surfaces of the base plates 212 and 215, respectively. At substantially the center of the cleaning brushes 213 and 216, nozzles 220 and 221 for discharging the cleaning liquid are disposed, respectively.

【0006】洗浄が行われる際には、保持ローラ25
1,252および253にウエハWが保持された状態で
駆動ローラ251に駆動力が与えられ、ウエハWが回転
させられる。そして、この状態のウエハWの上面および
下面にそれぞれ洗浄ブラシ213および216が接触し
た状態で、図示しない回転駆動機構によって上側および
下側洗浄部材214および217が高速に回転させら
れ、さらに、ノズル220および221から洗浄液が吐
出される。このようにして、ウエハWの上面および下面
がスクラブ洗浄される。
When cleaning is performed, the holding roller 25
A driving force is applied to the driving roller 251 in a state where the wafer W is held on the wafers 1, 252 and 253, and the wafer W is rotated. In a state where the cleaning brushes 213 and 216 are in contact with the upper surface and the lower surface of the wafer W in this state, the upper and lower cleaning members 214 and 217 are rotated at a high speed by a rotation drive mechanism (not shown). The cleaning liquid is discharged from and 221. Thus, the upper surface and the lower surface of the wafer W are scrub-cleaned.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】上述のウエハ洗浄装置
では、両面洗浄装置210がウエハWの表面領域の一部
を覆うように配置されており、ウエハWが回転すること
によってウエハWの両面全域を洗浄するようになってい
る。したがって、何らかの理由によってウエハWの回転
が停止すると、ウエハWを良好に洗浄することができな
い。
In the above-described wafer cleaning apparatus, the double-side cleaning apparatus 210 is disposed so as to cover a part of the surface area of the wafer W, and the entire area of both sides of the wafer W is rotated by rotating the wafer W. Is to be cleaned. Therefore, if the rotation of the wafer W stops for some reason, the wafer W cannot be cleaned well.

【0008】たとえば、駆動ベルトVが切れるなど、ウ
エハWを回転させる機構に機械的故障が発生した場合に
は、ウエハWの回転は停止する。その結果、洗浄ブラシ
213および216によってスクラブされるのはウエハ
Wの表面領域の一部のみとなるから、残りの表面領域は
未洗浄のままとなる。また、駆動ローラ251に駆動力
が伝達されていても、駆動ローラ251からウエハWに
与えられる回転力f1がウエハWの回転を妨げる抵抗力よ
りも小さい場合には、駆動ローラ251が空転し、ウエ
ハWの回転が停止する。具体的には、ウエハWの回転を
妨げる抵抗力としては、従動ローラ252および253
からウエハWに与えられる抵抗力f2、ならびに洗浄ブラ
シ213および216がウエハWの表面に押しつけられ
ることによってウエハWに与えられる抵抗力f3があり、
下記(1) 式に示すように、これら2種類の抵抗力f2およ
びf3の和が回転力f1よりも大きければ、ウエハWの回転
は停止する。その結果、ウエハWの表面全体を洗浄する
ことができなくなる。
[0008] For example, when a mechanical failure occurs in the mechanism for rotating the wafer W, such as when the drive belt V is cut, the rotation of the wafer W is stopped. As a result, only a part of the surface region of the wafer W is scrubbed by the cleaning brushes 213 and 216, and the remaining surface region remains uncleaned. Even if the driving force is transmitted to the driving roller 251, if the rotation force f1 applied to the wafer W from the driving roller 251 is smaller than the resistance force that hinders the rotation of the wafer W, the driving roller 251 idles, The rotation of the wafer W stops. Specifically, the resistance that hinders the rotation of wafer W includes driven rollers 252 and 253.
And the resistance f3 applied to the wafer W by the cleaning brushes 213 and 216 being pressed against the surface of the wafer W, and
As shown in the following equation (1), if the sum of these two types of resistance forces f2 and f3 is larger than the rotation force f1, the rotation of the wafer W is stopped. As a result, the entire surface of the wafer W cannot be cleaned.

【0009】f1<f2+f3 …(1) この(1) 式を満足するケースとしては、たとえば、洗浄
に用いられた洗浄液が駆動ローラ251のウエハWとの
当接面に付着する場合が挙げられる。すなわち、この場
合にはウエハWが滑り、駆動ローラ251が空転する。
その結果、回転力f1が低下する。
F1 <f2 + f3 (1) A case where the expression (1) is satisfied is, for example, a case where the cleaning liquid used for cleaning adheres to the contact surface of the drive roller 251 with the wafer W. That is, in this case, the wafer W slides, and the drive roller 251 idles.
As a result, the rotational force f1 decreases.

【0010】また、上記(1) 式を満足する他のケースと
しては、洗浄液ミストが従動ローラ252および253
のローラ軸272および273に付着して結晶化した
り、パーティクルが従動ローラ252および253のロ
ーラ軸272および273に付着したりする場合が挙げ
られる。すなわち、この場合には、従動ローラ252お
よび253の回転が鈍くなるから、抵抗力f2が増大す
る。
In another case satisfying the above expression (1), the cleaning liquid mist is applied to the driven rollers 252 and 253.
And the particles adhere to the roller shafts 272 and 273 of the driven rollers 252 and 253, or crystallize. That is, in this case, since the rotation of the driven rollers 252 and 253 becomes slow, the resistance f2 increases.

【0011】さらに、上記(1) 式を満足するさらに他の
ケースとしては、洗浄ブラシ213および216を新し
いものに交換した結果、洗浄ブラシ213および216
のウエハWの表面に対する押しつけ力が増大する場合が
挙げられる。すなわち、この場合には、抵抗力f3が増大
する。このように、ウエハWの回転が停止している場合
には、ウエハWを良好に洗浄することができないので、
何らかの対策が必要である。
Further, as another case satisfying the above expression (1), as a result of replacing the cleaning brushes 213 and 216 with new ones, the cleaning brushes 213 and 216 can be obtained.
May increase the pressing force against the surface of the wafer W. That is, in this case, the resistance f3 increases. As described above, when the rotation of the wafer W is stopped, the wafer W cannot be cleaned well,
Some action is needed.

【0012】しかしながら、上述のウエハ洗浄装置には
ウエハWの回転が停止していることを検出する機構は備
えられていないから、ウエハWの回転が停止していて
も、所定の処理時間が経過すれば、次の工程のためにウ
エハWが取り出されるようになっている。そのため、ウ
エハWの低品質化を招くおそれがあるという問題があっ
た。
However, since the above-described wafer cleaning apparatus is not provided with a mechanism for detecting that the rotation of the wafer W is stopped, even if the rotation of the wafer W is stopped, a predetermined processing time elapses. Then, the wafer W is taken out for the next step. Therefore, there is a problem that the quality of the wafer W may be reduced.

【0013】そこで、本発明の目的は、上述の技術的課
題を解決し、基板の回転停止を自動的に検出でき、その
結果基板を良好に処理できる基板処理装置を提供するこ
とである。
It is an object of the present invention to solve the above-mentioned technical problems and to provide a substrate processing apparatus capable of automatically detecting the stop of the rotation of the substrate and, as a result, satisfactorily processing the substrate.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段および発明の効果】上記目
的を達成するための請求項1記載の発明は、回転駆動力
を発生する回転駆動源と、回転駆動源からの回転駆動力
を基板に伝達する駆動ローラを含み、ほぼ円形の基板の
端面に当接してその基板を保持する保持ローラと、基板
の回転に従って回転する従動ローラと、従動ローラの回
転状態を検出し、回転が停止している場合に、回転停止
信号を出力する回転状態検出手段とを含むことを特徴と
する基板処理装置である。
Means for Solving the Problems and Effects of the Invention According to the first aspect of the present invention, there is provided a rotary driving source for generating a rotary driving force, and a rotary driving force from the rotary driving source is applied to a substrate. Including a driving roller for transmitting, a holding roller that abuts against an end surface of a substantially circular substrate to hold the substrate, a driven roller that rotates according to the rotation of the substrate, and detects a rotation state of the driven roller, and the rotation is stopped. And a rotation state detection unit that outputs a rotation stop signal when the rotation is stopped.

【0015】本発明では、従動ローラの回転状態が検出
され、回転が停止していると検出された場合には、回転
停止信号が出力される。従動ローラは、基板の回転に従
って回転するものであるから、基板の回転が停止してい
る場合には、当該従動ローラの回転も停止する。したが
って、本発明によれば、基板の回転停止を確実に検出す
ることができる。
In the present invention, the rotation state of the driven roller is detected, and when the rotation is detected to be stopped, a rotation stop signal is output. Since the driven roller rotates according to the rotation of the substrate, when the rotation of the substrate is stopped, the rotation of the driven roller is also stopped. Therefore, according to the present invention, it is possible to reliably detect the rotation stop of the substrate.

【0016】そのため、たとえば複数枚の基板を順次処
理する装置に本発明を適用する場合において、基板の回
転停止が検出されたときに、当該装置における処理を停
止させれば、その後に処理が施される予定であった基板
に対して不十分な処理が施されるのを未然に防止するこ
とができる。よって、装置を正常に戻した後に未処理の
基板を処理するようにすれば、いずれの基板に対しても
良好な処理を施すことができる。
Therefore, for example, when the present invention is applied to an apparatus for sequentially processing a plurality of substrates, if the rotation of the substrate is detected and the processing in the apparatus is stopped, the processing is thereafter performed. Insufficient processing can be prevented from being performed on the substrate that is to be performed. Therefore, if an unprocessed substrate is processed after the apparatus is returned to a normal state, it is possible to perform favorable processing on any substrate.

【0017】請求項2記載の発明は、上記回転状態検出
手段からの回転停止信号の連続出力時間と予め定める設
定時間とを比較し、回転停止信号の連続出力時間が上記
設定時間に達したことに応答して、エラー信号を出力す
る出力時間比較部をさらに含むことを特徴とする請求項
1に記載の基板処理装置である。オリエンテーションフ
ラットやノッチなどの切欠き部を周縁部に有する基板が
処理対象である場合、従動ローラに上記切欠き部が掛か
ったとき、当該従動ローラの回転は、基板が正常に回転
しているにもかかわらず、一時的に停止する。
According to the present invention, the continuous output time of the rotation stop signal from the rotation state detecting means is compared with a predetermined time, and the continuous output time of the rotation stop signal reaches the set time. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising an output time comparison unit that outputs an error signal in response to the output signal. When a substrate having a notch such as an orientation flat or a notch in a peripheral portion is to be processed, when the notch is applied to a driven roller, the driven roller rotates while the substrate is rotating normally. Nevertheless, stop temporarily.

【0018】本発明では、このような場合に基板の回転
が停止しているものと誤って検出される可能性を排除す
るために、回転停止信号の連続出力時間と設定時間とが
比較される。この場合、設定時間を、切欠き部が従動ロ
ーラを通過するのに十分な時間に設定しておけば、基板
の回転が停止しているのか、切欠き部が従動ローラを通
過しているだけなのかを識別することができる。すなわ
ち、基板の回転停止を確実に検出できる。そのため、切
欠き部を周縁部に有する基板が処理対象であっても、上
記請求項1記載の発明と同様の効果を奏する。
In the present invention, the continuous output time of the rotation stop signal is compared with the set time in order to eliminate the possibility that the rotation of the substrate is erroneously detected as being stopped in such a case. . In this case, if the set time is set to a time sufficient for the notch to pass through the driven roller, the rotation of the substrate is stopped or only the notch passes through the driven roller. Can be identified. That is, the stop of the rotation of the substrate can be reliably detected. Therefore, even if the substrate having the notch in the peripheral portion is the object to be processed, the same effects as those of the first aspect of the invention can be obtained.

【0019】請求項3記載の発明は、上記基板は、その
周縁部に切欠きを有するものであり、上記従動ローラ
は、上記切欠き部の幅よりも広い間隔だけあけて配置さ
れた一対の従動ローラを含み、上記回転状態検出手段
は、上記一対の従動ローラの回転状態をそれぞれ検出
し、対応する従動ローラの回転が停止している場合に回
転停止信号をそれぞれ出力する一対の回転状態検出セン
サを有するものであることを特徴とする請求項1または
請求項2に記載の基板処理装置である。
According to a third aspect of the present invention, the substrate has a notch in a peripheral portion thereof, and the driven roller has a pair of a pair of rollers arranged at intervals larger than the width of the notch. A pair of rotation state detecting means for detecting a rotation state of the pair of driven rollers and outputting a rotation stop signal when the rotation of the corresponding driven roller is stopped. The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2, further comprising a sensor.

【0020】回転状態が検出される一対の従動ローラ
は、基板の周縁部に形成された切欠き部の幅よりも大き
な間隔を有するものであるから、当該一対の従動ローラ
に切欠き部が同時に掛かることはない。したがって、回
転状態検出手段により回転停止信号がそれぞれ出力され
たか否かを判断基準とすれば、基板の回転が停止してい
るのか、切欠き部が従動ローラを通過しているだけなの
かを確実に識別することができる。そのため、切欠き部
を有する基板が処理対象であっても、上記請求項1記載
の発明と同様の効果を奏する。
Since the pair of driven rollers whose rotational state is detected has an interval larger than the width of the notch formed in the peripheral portion of the substrate, the notch is simultaneously formed in the pair of driven rollers. It will not hang. Therefore, based on whether or not a rotation stop signal has been output by the rotation state detection means, whether the rotation of the substrate has stopped or whether the notch portion has just passed through the driven roller can be reliably determined. Can be identified. Therefore, even if the substrate having the notch portion is a processing target, the same effect as that of the first aspect of the invention can be obtained.

【0021】なお、上記従動ローラは、請求項4に記載
のように、上記駆動ローラとともに、基板の端面に当接
してその基板を保持する保持ローラであってもよい。請
求項5記載の発明は、上記回転状態検出手段によって回
転状態が検出される従動ローラは、上記保持ローラに保
持された基板の端面に対して近接/離反可能なものであ
り、当該従動ローラを、上記保持ローラに保持された基
板の端面に向けて付勢するための付勢手段をさらに含む
ことを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の
基板処理装置である。
The driven roller may be, together with the driving roller, a holding roller that abuts on an end surface of the substrate and holds the substrate. According to a fifth aspect of the present invention, the driven roller whose rotation state is detected by the rotation state detecting means is capable of approaching / separating from the end face of the substrate held by the holding roller. 4. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising: urging means for urging the end surface of the substrate held by the holding roller.

【0022】本発明では、回転状態が検出される従動ロ
ーラは、基板の端面に向けて付勢されているから、基板
に形成された切欠き部を通過する場合、当該切欠き部に
追随し、切欠き部においても基板の端面との当接状態が
維持される。したがって、たとえ切欠き部を有する基板
が処理対象であても、従動ローラは、基板が回転してい
る限り回転する。そのため、切欠き部の通過時において
も、基板が回転していれば、回転停止信号が出力される
ことはない。したがって、回転停止信号が出力されるの
を基板の回転停止時に限定できるから、基板が回転して
いるか否かを確実に判定できる。よって、切欠き部を有
する基板が処理対象であっても、上記請求項1記載の発
明と同様の効果を奏する。
According to the present invention, since the driven roller whose rotational state is detected is urged toward the end face of the substrate, it follows the notch when passing through the notch formed in the substrate. Also, the contact state with the end face of the substrate is maintained in the notch. Therefore, even if the substrate having the notch is to be processed, the driven roller rotates as long as the substrate rotates. Therefore, even when passing through the notch, if the substrate is rotating, the rotation stop signal is not output. Therefore, the output of the rotation stop signal can be limited to when the rotation of the substrate is stopped, so that it can be reliably determined whether the substrate is rotating. Therefore, even if the substrate having the notch portion is a processing target, the same effect as that of the first aspect of the invention can be obtained.

【0023】請求項6記載の発明は、上記保持ローラに
保持された基板の両面を洗浄するための両面洗浄手段を
さらに含むことを特徴とする請求項1ないし5のいずれ
かに記載の基板処理装置である。本発明によれば、何ら
かの原因で基板の回転が停止された場合であっても、そ
の後に洗浄処理が施される予定であった基板に対して不
十分な洗浄処理が施されるのを未然に防止し、基板の両
面全域を良好に洗浄することができる。
According to a sixth aspect of the present invention, the substrate processing apparatus according to any one of the first to fifth aspects, further comprising a double-side cleaning means for cleaning both surfaces of the substrate held by the holding roller. Device. According to the present invention, even when the rotation of the substrate is stopped for some reason, it is possible to prevent the insufficient cleaning processing from being performed on the substrate to be subsequently subjected to the cleaning processing. And the entire area of both surfaces of the substrate can be satisfactorily cleaned.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】以下では、本発明の実施の形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発
明の第1実施形態の基板処理装置であるウエハ洗浄装置
の構成を示す平面図である。また、図2は、図1のII-I
I 断面図であり、一部を省略し、かつ一部を概念的に示
している。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a wafer cleaning apparatus which is a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a sectional view taken along the line II-I of FIG.
I is a cross-sectional view, partly omitted and partly conceptually shown.

【0025】この装置は、ウエハWの表面に形成された
薄膜を研磨するCMP(Chemical Mechanical Polishin
g) 処理が行われた後にウエハWの表面に残っているス
ラリーおよび余分な薄膜を除去するためのもので、側壁
1,2,3および4によって囲まれた平面視においてほ
ぼ矩形の処理室5と、この処理室5内においてウエハW
を水平に保持し、かつ回転させることができるウエハ保
持装置6と、ウエハ保持装置6により保持されたウエハ
Wの上面および下面に洗浄液供給ノズル7,8から洗浄
液を供給しつつウエハWの上面および下面をスクラブ洗
浄するためのディスク型の両面洗浄装置9とを備えてい
る。
This apparatus uses a CMP (Chemical Mechanical Polishing) method for polishing a thin film formed on the surface of a wafer W.
g) For removing slurry and excess thin film remaining on the surface of the wafer W after the processing is performed, the processing chamber 5 having a substantially rectangular shape in plan view surrounded by the side walls 1, 2, 3, and 4. And the wafer W in the processing chamber 5
Holding device 6 that can hold and rotate the wafer horizontally, and the upper surface and the lower surface of the wafer W while supplying the cleaning liquid from the cleaning liquid supply nozzles 7 and 8 to the upper and lower surfaces of the wafer W held by the wafer holding device 6. And a disk-type double-side cleaning device 9 for scrubbing the lower surface.

【0026】ウエハ保持装置6は、処理室5の側壁2お
よび4に対して直交する方向(以下「保持方向」とい
う。)Aに関して対向配置された一対の保持ハンド1
0,30を有している。保持ハンド10,30は、保持
方向Aに沿って移動可能なもので、ベース取付部11,
31に取り付けられたベース部12,32と、ベース部
12,32の上方に配置され、ウエハWを保持するため
の各々3つの保持ローラ13,33とをそれぞれ有して
いる。これらの保持ローラ13,33は、ウエハWの端
面形状に対応した円周上に配置されている。ウエハW
は、保持ローラ13,33の側面にその端面が当接した
状態で保持される。
The wafer holding device 6 includes a pair of holding hands 1 that are opposed to each other in a direction A (hereinafter, referred to as a “holding direction”) orthogonal to the side walls 2 and 4 of the processing chamber 5.
0,30. The holding hands 10 and 30 are movable in the holding direction A, and the base mounting portions 11 and
It has base portions 12 and 32 attached to 31, and three holding rollers 13 and 33, respectively, which are arranged above the base portions 12 and 32 and hold the wafer W. These holding rollers 13 and 33 are arranged on a circumference corresponding to the shape of the end surface of the wafer W. Wafer W
Is held in a state where the end surfaces thereof abut against the side surfaces of the holding rollers 13 and 33.

【0027】ベース取付部11,31は、保持方向Aに
沿って長く形成されたハンド軸15,35の一端に連結
されており、ハンド軸15,35の他端は、側壁2,4
に形成された穴14,34を挿通して側壁2,4の外側
まで延びている。側壁4の外側に設けられた取付板36
上には、保持方向Aに沿って突出したり引っ込んだりで
きるロッド38を有するシリンダ37が固定されてい
る。ハンド軸35の他端は、このロッド38に連結板3
9を介して取り付けられている。つまり、ロッド38が
突出したり引っ込んだりすることにより、保持ハンド3
0が保持方向Aに沿って移動できるようになっている。
The base mounting portions 11 and 31 are connected to one ends of hand shafts 15 and 35 formed long in the holding direction A, and the other ends of the hand shafts 15 and 35 are connected to the side walls 2 and 4.
, And extend to the outside of the side walls 2 and 4 through the holes 14 and 34 formed in the holes. Mounting plate 36 provided outside sidewall 4
Above is fixed a cylinder 37 having a rod 38 which can be protruded or retracted along the holding direction A. The other end of the hand shaft 35 is connected to the rod 38 by the connecting plate 3.
9 is attached. That is, when the rod 38 projects or retracts, the holding hand 3
0 can move along the holding direction A.

【0028】側壁2の外側に設けられた取付板16上に
は、保持方向Aに沿って突出したり引っ込んだりできる
ロッド18を有するシリンダ17が固定されている。ロ
ッド18には、反対側に穴(図示せず)が形成された連
結板19の一端が連結されている。ハンド軸15の側壁
2の外側に引き出された側の端部には、連結軸50が結
合されている。連結軸50は、連結板19の穴を挿通し
ており、その先端部には、連結板19の側壁2の外側に
向かう移動を規制するための規制部51が形成されてい
る。連結板19とハンド軸15との間には、コイルばね
52が連結軸50に巻き付くように取り付けられてい
る。すなわち、ハンド軸15がコイルばね52によって
側壁2の内側に向かう方向に付勢されている。
On a mounting plate 16 provided outside the side wall 2, a cylinder 17 having a rod 18 which can be protruded or retracted in the holding direction A is fixed. One end of a connecting plate 19 having a hole (not shown) formed on the opposite side is connected to the rod 18. A connecting shaft 50 is connected to an end of the hand shaft 15 on the side drawn out of the side wall 2. The connecting shaft 50 is inserted through a hole of the connecting plate 19, and a restricting portion 51 for restricting the movement of the connecting plate 19 toward the outside of the side wall 2 is formed at the distal end. A coil spring 52 is attached between the connecting plate 19 and the hand shaft 15 so as to wind around the connecting shaft 50. That is, the hand shaft 15 is urged by the coil spring 52 in a direction toward the inside of the side wall 2.

【0029】この構成により、ロッド18が突出すれ
ば、連結板19が規制部51に当たって連結軸50およ
びハンド軸15を引っ張る。その結果、保持ハンド10
は、側壁2の外側に向かって移動する。一方、ロッド1
8が引っ込むと、連結板19が側壁2の内側に向けて移
動する。このとき、この連結板19の移動力がコイルば
ね52を介してハンド軸15に伝達されるから、ハンド
軸15は側壁2の内側に向けて押し込まれる。その結
果、保持ハンド10は、側壁2の内側に向かって移動す
る。
With this configuration, when the rod 18 projects, the connecting plate 19 hits the regulating portion 51 and pulls the connecting shaft 50 and the hand shaft 15. As a result, the holding hand 10
Move toward the outside of the side wall 2. On the other hand, rod 1
When 8 is retracted, the connecting plate 19 moves toward the inside of the side wall 2. At this time, since the moving force of the connecting plate 19 is transmitted to the hand shaft 15 via the coil spring 52, the hand shaft 15 is pushed toward the inside of the side wall 2. As a result, the holding hand 10 moves toward the inside of the side wall 2.

【0030】以上のように、シリンダ17,37を駆動
することによって、保持ハンド10,30を保持方向A
に沿って移動させることができる。したがって、保持ハ
ンド10,30を保持方向Aに沿って互いに反対方向に
進退させることができ、これによりウエハWを保持ロー
ラ13,33の間で挾持したり、この挾持を解放したり
することができる。
As described above, by driving the cylinders 17, 37, the holding hands 10, 30 are held in the holding direction A.
Can be moved along. Therefore, the holding hands 10 and 30 can be moved back and forth in the opposite direction along the holding direction A, thereby holding the wafer W between the holding rollers 13 and 33 and releasing the holding. it can.

【0031】なお、参照符号20,40は、保持ハンド
10,30の移動とともに伸縮可能なベローズである。
ベローズ20,40は、両面洗浄装置9の洗浄液供給ノ
ズル7,8からウエハWに供給される洗浄液およびその
雰囲気が、ハンド軸15,35に影響を与えないように
するためのものであるとともに、上記洗浄液や雰囲気が
処理室5の外部に漏れるのを防ぐためのものである。さ
らに、ベローズ20,40は、シリンダ17,37のロ
ッド18,38やハンド軸15,35から発生するパー
ティクルが処理室5の内部に侵入するのを防止する。
Reference numerals 20 and 40 denote bellows that can expand and contract with the movement of the holding hands 10 and 30.
The bellows 20 and 40 are for preventing the cleaning liquid supplied from the cleaning liquid supply nozzles 7 and 8 of the double-sided cleaning apparatus 9 to the wafer W and the atmosphere thereof from affecting the hand shafts 15 and 35. This is for preventing the cleaning liquid and the atmosphere from leaking out of the processing chamber 5. Furthermore, the bellows 20 and 40 prevent particles generated from the rods 18 and 38 of the cylinders 17 and 37 and the hand shafts 15 and 35 from entering the processing chamber 5.

【0032】保持ローラ13,33は、ウエハWを保持
した状態で回転させるために、ベース部12,32に回
転可能に設けられている。すなわち、保持ローラ13,
33は、ベース部12,32に鉛直軸まわりの回転が自
在であるように支持されたローラ軸21,41の上端に
固定されている。ウエハWを回転させるために必要な駆
動力は、保持ローラ33に与えられるようになってい
る。すなわち、3つの保持ローラ33のうち中央の保持
ローラ33bには、側壁2の外側に設けられたモータ取
付板42に取り付けられたモータMの駆動力がベルト4
3を介して伝達されるようになっている。さらに、中央
の保持ローラ33bに伝達されてきた駆動力は、ベルト
44,45を介して他の2つの保持ローラ33a,33
cにも伝達されるようになっている。
The holding rollers 13 and 33 are rotatably provided on the base portions 12 and 32 so as to rotate while holding the wafer W. That is, the holding roller 13,
33 is fixed to the upper ends of the roller shafts 21 and 41 supported by the base portions 12 and 32 so as to be rotatable around a vertical axis. The driving force required to rotate the wafer W is given to the holding roller 33. That is, the driving force of the motor M mounted on the motor mounting plate 42 provided outside the side wall 2 is applied to the belt 4 by the central holding roller 33b of the three holding rollers 33.
3 is transmitted. Further, the driving force transmitted to the central holding roller 33b is applied to the other two holding rollers 33a, 33 via the belts 44, 45.
c.

【0033】以上の構成により、モータMによって中央
の保持ローラ33bが駆動されると、保持ローラ33b
が回転し、これに伴って他の2つの保持ローラ33a,
33cも回転する。その結果、保持ローラ13,33に
保持されているウエハWは回転する。このとき、保持ロ
ーラ13は、ウエハWの回転に従動して回転する。この
ようにして、ウエハWは保持ローラ13,33に保持さ
れた状態で回転方向Bに沿って回転する。この場合にお
けるウエハWの回転速度は、たとえば約10〜20(回
転/分)である。
With the above configuration, when the central holding roller 33b is driven by the motor M, the holding roller 33b
Rotates, and the other two holding rollers 33a,
33c also rotates. As a result, the wafer W held by the holding rollers 13 and 33 rotates. At this time, the holding roller 13 rotates following the rotation of the wafer W. Thus, the wafer W is rotated along the rotation direction B while being held by the holding rollers 13 and 33. The rotation speed of wafer W in this case is, for example, about 10 to 20 (rotation / minute).

【0034】このように、保持ローラ33はウエハWに
回転力を与えるのに対して、保持ローラ13はウエハW
の回転に伴って回転するだけである。そこで、以下で
は、便宜上、保持ローラ33を「駆動ローラ33」、保
持ローラ13を「従動ローラ13」ということにする。
両面洗浄装置9は、ウエハ保持装置6により保持された
ウエハWの上方および下方に配置された上面洗浄部60
および下面洗浄部80を備えている。上面洗浄部60お
よび下面洗浄部80は、それぞれ、保持ハンド10,3
0に干渉しない位置に、ウエハWの中心部から周縁部に
至るウエハWの表面領域であって、全表面領域の一部を
覆うように設けられた洗浄用ブラシ66,68を備えて
いる。
As described above, while the holding roller 33 applies a rotational force to the wafer W, the holding roller 13
It only rotates with the rotation of. Therefore, hereinafter, the holding roller 33 is referred to as a “drive roller 33” and the holding roller 13 is referred to as a “driven roller 13” for convenience.
The double-sided cleaning device 9 includes an upper surface cleaning unit 60 disposed above and below the wafer W held by the wafer holding device 6.
And a lower surface cleaning unit 80. The upper surface cleaning unit 60 and the lower surface cleaning unit 80 are respectively provided with the holding hands 10 and 3.
Cleaning brushes 66 and 68 provided so as to cover a part of the entire surface area of the surface of the wafer W from the center to the peripheral edge of the wafer W at positions not interfering with zero.

【0035】上面洗浄部60および下面洗浄部80は、
ウエハWに対向する側に取付面61,81を有するベー
ス部62,82と、ベース部62,82に取り付けられ
た回転軸63,83とを有し、回転駆動部64,84に
より鉛直方向に沿う回転軸線Oを中心に回転方向Cに沿
って回転できるようにされている。さらに、上面洗浄部
60および下面洗浄部80は、それぞれ、昇降駆動部6
5,85によって上下方向に移動できるようになってい
る。これにより、ウエハ洗浄時においてはウエハWを上
面洗浄部60および下面洗浄部80で挟み込むことがで
き、また、ウエハ洗浄後においては、ウエハWから上面
洗浄部60および下面洗浄部80を離すことができるよ
うになっている。
The upper surface cleaning unit 60 and the lower surface cleaning unit 80
It has base portions 62 and 82 having mounting surfaces 61 and 81 on the side facing the wafer W, and rotating shafts 63 and 83 mounted on the base portions 62 and 82, and is vertically driven by rotation driving portions 64 and 84. It is configured to be able to rotate along a rotation axis C along the rotation direction C. Further, the upper surface cleaning unit 60 and the lower surface cleaning unit 80 are respectively
5, 85 can be moved up and down. Accordingly, the wafer W can be sandwiched between the upper surface cleaning unit 60 and the lower surface cleaning unit 80 during the wafer cleaning, and the upper surface cleaning unit 60 and the lower surface cleaning unit 80 can be separated from the wafer W after the wafer cleaning. I can do it.

【0036】上面ベース部62および下面ベース部82
の各取付面61,81には、洗浄用ブラシ66,86が
設けられている。洗浄用ブラシ66,86の中央付近に
は、ウエハWに洗浄液を供給するための洗浄液供給ノズ
ル7,8がそれぞれ配置されている。洗浄液供給ノズル
7,8には、洗浄用パイプ67,87が連結されてい
る。洗浄用パイプ67,87は、回転軸63,83内に
回転しないように挿通されており、その他端には、三方
弁68,88を介して、フッ酸、硝酸、塩酸、リン酸、
酢酸、アンモニアなどの薬液が図示しない薬液タンクか
ら導かれる薬液供給路69,89、および図示しない純
水タンクから純水が導かれる純水供給路70,90が接
続されている。この構成により、三方弁68,88の切
換えを制御することによって、洗浄用パイプ67,87
に薬液および純水を選択的に供給でき、したがって洗浄
液供給ノズル7,8から薬液および純水を選択的に吐出
させることができる。
Upper base 62 and lower base 82
Cleaning brushes 66, 86 are provided on the respective mounting surfaces 61, 81. In the vicinity of the center of the cleaning brushes 66, 86, cleaning liquid supply nozzles 7, 8 for supplying a cleaning liquid to the wafer W are arranged, respectively. Cleaning pipes 67 and 87 are connected to the cleaning liquid supply nozzles 7 and 8. The cleaning pipes 67 and 87 are inserted into the rotating shafts 63 and 83 so as not to rotate, and the other end is connected to the other ends through three-way valves 68 and 88, such as hydrofluoric acid, nitric acid, hydrochloric acid, phosphoric acid,
Chemical supply paths 69 and 89 through which a chemical such as acetic acid and ammonia are led from a chemical tank (not shown) and pure water supply paths 70 and 90 through which pure water is led from a pure water tank (not shown) are connected. With this configuration, by controlling the switching of the three-way valves 68 and 88, the cleaning pipes 67 and 87 are controlled.
The cleaning solution supply nozzles 7 and 8 can selectively discharge the chemical solution and pure water from the cleaning solution supply nozzles 7 and 8.

【0037】次に、ウエハWをスクラブ洗浄する際の基
本的な動作について説明する。洗浄前においては、保持
ハンド10,30はウエハWを保持する保持位置から退
避した待機位置で待機し、かつ上面洗浄部60および下
面洗浄部80はウエハWを洗浄する洗浄位置から退避し
た待機位置で待機している。前工程が終了し図示しない
搬送アームによってウエハWが搬送されてくると、シリ
ンダ17,37のロッド18,38が引っ込む。その結
果、保持ハンド10,30は互いに近づく。これによ
り、ウエハWがその端面において保持ローラ13,33
に保持される。この場合、保持ハンド10に取り付けら
れているハンド軸15は、コイルばね52によって側壁
2の内側に向かう方向に付勢されているから、ウエハW
は、保持ローラ13,33によって確実にチャックされ
る。
Next, a basic operation for scrub cleaning the wafer W will be described. Before cleaning, the holding hands 10 and 30 stand by at the standby position retracted from the holding position for holding the wafer W, and the upper surface cleaning unit 60 and the lower surface cleaning unit 80 stand by at the standby position retracted from the cleaning position for cleaning the wafer W. Waiting at. When the wafer W is transferred by the transfer arm (not shown) after the previous process is completed, the rods 18 and 38 of the cylinders 17 and 37 are retracted. As a result, the holding hands 10, 30 approach each other. As a result, the wafer W is held at its end face by the holding rollers 13, 33.
Is held. In this case, the hand shaft 15 attached to the holding hand 10 is urged by the coil spring 52 in the direction toward the inside of the side wall 2.
Is reliably chucked by the holding rollers 13 and 33.

【0038】その後、回転駆動部64,84によって上
面洗浄部60および下面洗浄部80が回転させられる。
これと同時に、三方弁68,88によって薬液供給路6
9,89と洗浄用パイプ67,87とが接続される。そ
の結果、洗浄液供給ノズル7,8から薬液がそれぞれウ
エハWの上面および下面に供給される。その後、モータ
Mが駆動され、保持ローラ33が回転駆動される。これ
に伴って、ウエハWが低速回転する。さらに、昇降駆動
部65,85によって上面洗浄部60および下面洗浄部
80を互いに近づく方向に移動させられる。その結果、
保持ローラ13,33に保持されているウエハWは、洗
浄用ブラシ66,86によって挟み込まれ、洗浄用ブラ
シ66,86によりウエハWの上面および下面が擦られ
る。
Thereafter, the upper surface cleaning unit 60 and the lower surface cleaning unit 80 are rotated by the rotation driving units 64 and 84.
At the same time, the three-way valves 68 and 88 cause the
9, 89 and the cleaning pipes 67, 87 are connected. As a result, the chemical liquid is supplied from the cleaning liquid supply nozzles 7 and 8 to the upper and lower surfaces of the wafer W, respectively. Thereafter, the motor M is driven, and the holding roller 33 is driven to rotate. Along with this, the wafer W rotates at a low speed. Further, the upper and lower cleaning units 60 and 80 are moved in directions approaching each other by the lifting and lowering driving units 65 and 85. as a result,
The wafer W held by the holding rollers 13 and 33 is sandwiched between the cleaning brushes 66 and 86, and the upper and lower surfaces of the wafer W are rubbed by the cleaning brushes 66 and 86.

【0039】このようにして、ウエハWの上面および下
面が薬液が供給されつつ洗浄用ブラシ66,86によっ
てスクラブ洗浄される。薬液によるスクラブ洗浄が終了
すると、昇降駆動部65,85によって上面洗浄部60
および下面洗浄部80が互いにウエハWから離反する方
向に移動させられ、ウエハWから洗浄用ブラシ66,8
6が離れる。その後、三方弁68,88によって洗浄用
パイプ67,87と純水供給路70,90とが接続され
る。その結果、洗浄液供給ノズル7,8から純水が供給
され、ウエハWの上面および下面に残留している薬液等
が洗い流される。
In this manner, the upper and lower surfaces of the wafer W are scrub-cleaned by the cleaning brushes 66 and 86 while the chemical solution is supplied. When the scrub cleaning with the chemical solution is completed, the upper and lower drive units 65 and 85 drive the upper surface cleaning unit 60.
The lower surface cleaning unit 80 is moved in a direction away from the wafer W, and the cleaning brushes 66 and 8 are separated from the wafer W.
6 leaves. Thereafter, the three-way valves 68 and 88 connect the cleaning pipes 67 and 87 to the pure water supply paths 70 and 90. As a result, pure water is supplied from the cleaning liquid supply nozzles 7 and 8, and the chemical liquid and the like remaining on the upper and lower surfaces of the wafer W are washed away.

【0040】ところで、「発明が解決しようとする課
題」の項でも説明したように、ウエハWの回転が停止す
ると、ウエハWの表面全域を両面洗浄装置9が一様に洗
浄できなくなる。そこで、この実施形態にかかるウエハ
洗浄装置には、ウエハWの回転停止を自動的に検出し、
その結果ウエハWの回転が停止している場合には、適切
な処置を施すための構成が採用されている。
As described in the section "Problems to be Solved by the Invention", when the rotation of the wafer W is stopped, the entire surface of the wafer W cannot be uniformly cleaned by the double-side cleaning device 9. Therefore, the wafer cleaning apparatus according to this embodiment automatically detects the rotation stop of the wafer W,
As a result, when the rotation of the wafer W is stopped, a configuration for performing an appropriate treatment is adopted.

【0041】ウエハWの回転が停止した場合、駆動ロー
ラ33はモータMからの駆動力によって回転し続ける
(空転する)のに対して、従動ローラ13は停止する。
したがって、回転停止検出および必要な処置を施すため
の構成は、従動ローラ13に関連して設けられている。
図3は、従動ローラ13に関連する構成を示す図であ
る。従動ローラ13aのローラ軸21aは、ベース部1
2に形成された挿通穴26aを通ってベース部12の下
端部付近に形成された空間25まで延ばされており、挿
通穴26aに配置された2つの軸受27a,28aを介
してベース部12に回転自在に支持されている。他の2
つの保持ローラ13b,13cのローラ軸21b,21
cも同様に、挿通穴26b,26cを通って空間25ま
で延ばされ、かつ挿通穴26b,26cに配置された2
つの軸受27b,28b:27c,28cを介してベー
ス部12に回転自在に支持されている。
When the rotation of the wafer W is stopped, the driving roller 33 continues to rotate (runs idle) by the driving force from the motor M, whereas the driven roller 13 stops.
Therefore, the configuration for detecting the rotation stop and performing the necessary measures is provided in relation to the driven roller 13.
FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration related to the driven roller 13. The roller shaft 21a of the driven roller 13a is
2 extends to a space 25 formed near the lower end of the base portion 12 through an insertion hole 26a formed in the base portion 12, and through two bearings 27a and 28a arranged in the insertion hole 26a. It is supported rotatably. The other two
Roller shafts 21b, 21 of the two holding rollers 13b, 13c
c also extends to the space 25 through the insertion holes 26b and 26c, and is disposed in the insertion holes 26b and 26c.
The two bearings 27b and 28b are rotatably supported by the base portion 12 via 27c and 28c.

【0042】中央のローラ軸21bの下端付近には、当
該ローラ軸21bの回転状態を検出するための回転状態
検出部100が備えられている。回転状態検出部100
は、ローラ軸21bに取り付けられたスリット板101
と、スリット板101の周縁部を挟むように対向配置さ
れた投光部103および受光部104を有する透過型の
光電センサ102とを含む。スリット板101は、図4
の概略斜視図に示すように、その周縁部に複数のスリッ
トSLが所定間隔ごとに形成された円板状部材である。
Near the lower end of the central roller shaft 21b, there is provided a rotation state detector 100 for detecting the rotation state of the roller shaft 21b. Rotation state detection unit 100
Is a slit plate 101 attached to the roller shaft 21b.
And a transmissive photoelectric sensor 102 having a light projecting unit 103 and a light receiving unit 104 arranged to face each other with the peripheral edge of the slit plate 101 interposed therebetween. As shown in FIG.
Is a disk-shaped member having a plurality of slits SL formed at predetermined intervals on a peripheral portion thereof.

【0043】従動ローラ13bが回転している場合、す
なわちローラ軸21bが回転している場合には、投光部
103から照射される光は、断続的にスリットSLを通
過するから、受光部104にて断続的に受光される。こ
の場合、受光部104からはパルス信号(以下「回転信
号」という。)が出力される。一方、従動ローラ13b
の回転が停止している場合、すなわちローラ軸21bが
停止している場合には、受光部104では、光を受光し
ている状態が継続するか、光を受光しない状態が継続す
るかのいずれかであるから、受光部104からはハイレ
ベルまたはローレベルの連続信号(以下「回転停止信
号」という。)が出力される。回転信号および回転停止
信号は、制御部110の判定部111に与えられるよう
になっている。
When the driven roller 13b is rotating, that is, when the roller shaft 21b is rotating, the light emitted from the light projecting unit 103 intermittently passes through the slit SL. Is intermittently received. In this case, a pulse signal (hereinafter, referred to as a “rotation signal”) is output from the light receiving unit 104. On the other hand, the driven roller 13b
When the rotation of is stopped, that is, when the roller shaft 21b is stopped, the light receiving unit 104 continues to receive light or not to receive light. Therefore, the light receiving unit 104 outputs a high-level or low-level continuous signal (hereinafter, referred to as a “rotation stop signal”). The rotation signal and the rotation stop signal are provided to the determination unit 111 of the control unit 110.

【0044】判定部111は、光電センサ102から出
力される信号に基づいて、ウエハWが回転しているか否
かを判定するためのものである。回転信号が出力されて
いる場合には、ウエハWが正常に回転していると考える
ことができるから、判定部111では何らの処理も行わ
れない。一方、回転停止信号が出力されると、判定部1
11は、まず、当該回転停止信号が予め定める設定時間
t0にわたって連続して出力されるか否かを判別する処理
を実行する。すなわち、判定部111は、回転停止信号
が与えられたことに応答して、タイマ112をセットす
る。タイマ112は、上記設定時間t0をカウントダウン
し、カウントダウン終了とともにカウントアップ信号を
判定部111に出力するものである。判定部111は、
回転停止信号が連続して出力されている状況においてタ
イマ112からカウントアップ信号が与えられた場合、
ウエハWの回転が停止していると判定する。一方、判定
部111は、タイマ112をセットした後に回転信号が
与えられると、タイマ112をリセットする。
The determination section 111 determines whether or not the wafer W is rotating based on a signal output from the photoelectric sensor 102. When the rotation signal is output, it can be considered that the wafer W is rotating normally, and therefore, the determination unit 111 does not perform any processing. On the other hand, when the rotation stop signal is output, the determination unit 1
Reference numeral 11 denotes a preset time determined by the rotation stop signal.
A process for determining whether or not the output is continuous over t0 is executed. That is, the determination unit 111 sets the timer 112 in response to the rotation stop signal being given. The timer 112 counts down the set time t0, and outputs a count-up signal to the determination unit 111 upon completion of the countdown. The determination unit 111
When a count-up signal is given from the timer 112 while the rotation stop signal is continuously output,
It is determined that the rotation of the wafer W has stopped. On the other hand, when a rotation signal is given after setting the timer 112, the determination unit 111 resets the timer 112.

【0045】このように、回転停止信号が出力されてか
ら設定時間t0が経過するまでウエハWの回転が停止して
いると判定するのを待ち、かつ設定時間t0が経過するま
での間に回転信号が出力された場合にタイマ112をリ
セットするようにしているのは、ウエハWの周縁部に切
欠き部が形成されている場合を考慮しているからであ
る。すなわち、ウエハWの周縁部にオリエンテーション
フラット(以下「オリフラ」という。)またはノッチが
形成されている場合、図5(a) および(b) にそれぞれ示
すように、オリフラOFまたはノッチNが従動ローラ1
3bに掛かると、従動ローラ13bの回転は、ウエハW
が正常に回転しているにもかかわらず一時的に停止する
からである。したがって、設定時間t0としては、切欠き
部が従動ローラ13bを通過するのに要する時間以上に
設定する必要がある。この場合、設定すべき時間をオリ
フラに対応させておけば、ノッチの幅は通常オリフラの
幅よりも狭いから、周縁部にノッチおよびオリフラのい
ずれが形成されていても、判定処理を正常に行うことが
できる。
As described above, it waits until it is determined that the rotation of the wafer W is stopped until the set time t0 elapses after the rotation stop signal is output, and the rotation is continued until the set time t0 elapses. The reason why the timer 112 is reset when the signal is output is that a case where a notch is formed in the peripheral portion of the wafer W is taken into consideration. That is, when an orientation flat (hereinafter, referred to as “orientation flat”) or a notch is formed on the peripheral portion of the wafer W, as shown in FIGS. 5A and 5B, the orientation flat OF or the notch N is driven by the driven roller. 1
3b, the rotation of the driven roller 13b rotates the wafer W
Is temporarily stopped even though it is rotating normally. Therefore, it is necessary to set the set time t0 to be longer than the time required for the notch to pass through the driven roller 13b. In this case, if the time to be set is made to correspond to the orientation flat, the width of the notch is usually smaller than the width of the orientation flat, so that the determination process is normally performed regardless of whether the notch or the orientation flat is formed in the peripheral portion. be able to.

【0046】判定部111は、ウエハWの回転が停止し
ていると判定すると、サイクル停止指令部113にエラ
ー信号を出力する。サイクル停止指令部113は、この
エラー信号の入力に応答して、サイクル停止処理を実行
する。具体的には、当該ウエハ洗浄装置におけるスクラ
ブ洗浄処理よりも後に行われる工程をそのまま継続させ
るとともに、スクラブ洗浄処理よりも前に行われる工程
を停止させる。
When determining section 111 determines that rotation of wafer W is stopped, determination section 111 outputs an error signal to cycle stop command section 113. The cycle stop command unit 113 executes a cycle stop process in response to the input of the error signal. Specifically, the process performed after the scrub cleaning process in the wafer cleaning apparatus is continued as it is, and the process performed before the scrub cleaning process is stopped.

【0047】ここに、スクラブ洗浄処理よりも前に行わ
れる工程としては、CMP処理が考えられる。また、ス
クラブ洗浄処理よりも後に行われる工程としては、ウエ
ハWの上面のみをさらに洗浄して清浄度を高めるための
上面洗浄処理、およびウエハWを乾燥させるためのスピ
ンドライ処理が考えられる。したがって、サイクル停止
処理が行われる結果、当該ウエハ洗浄装置によって正常
にスクラブ洗浄されたウエハWは、そのまま上面洗浄処
理およびスピンドライ処理が施される。一方、当該ウエ
ハ洗浄装置においてスクラブ洗浄処理がまだ施されてい
ないウエハWについては、以後の処理の実行が禁止され
る。これにより、ウエハWに対して不十分なスクラブ洗
浄処理が施されるのを未然に防止することができるとと
もに、スクラブ洗浄処理処理が良好に施されたウエハW
については、その後の処理を遂行することができる。
Here, as a process performed before the scrub cleaning process, a CMP process can be considered. Further, as a process performed after the scrub cleaning process, an upper surface cleaning process for further cleaning only the upper surface of the wafer W to increase cleanliness, and a spin dry process for drying the wafer W can be considered. Therefore, as a result of performing the cycle stop process, the wafer W that has been normally scrub-cleaned by the wafer cleaning apparatus is subjected to the upper surface cleaning process and the spin dry process as it is. On the other hand, for the wafer W that has not been subjected to the scrub cleaning processing in the wafer cleaning apparatus, execution of the subsequent processing is prohibited. Accordingly, it is possible to prevent the insufficient scrub cleaning process from being performed on the wafer W beforehand, and it is possible to prevent the wafer W that has been properly subjected to the scrub cleaning process.
For, the subsequent processing can be performed.

【0048】また、判定部111は、警報発生部114
にもエラー信号を出力する。警報発生部114は、この
エラー信号の入力に応答して、警報発生処理を実行す
る。すなわち、警報発生部114は、LEDランプおよ
び警告音発生器などの警報器115を駆動し、当該ウエ
ハ洗浄装置においてウエハWの回転が停止され、サイク
ル停止処理が実行されたことをユーザに報知する。これ
により、ユーザは、たとえばウエハWの回転が停止した
原因を迅速に調べることができるから、装置をいち早く
正常に動作するように復帰させることができる。そのた
め、生産性の向上を図ることができる。
Further, the judgment unit 111 includes an alarm generation unit 114
Also outputs an error signal. The alarm generation section 114 executes an alarm generation process in response to the input of the error signal. That is, the alarm generation unit 114 drives the alarm 115 such as an LED lamp and an alarm sound generator, and notifies the user that the rotation of the wafer W is stopped in the wafer cleaning apparatus and the cycle stop processing is executed. . This allows the user to quickly investigate, for example, the cause of the stoppage of the rotation of the wafer W, and thus can promptly return the apparatus to normal operation. Therefore, productivity can be improved.

【0049】以上のように第1実施形態によれば、従動
ローラ13bの回転状態を検出し、回転が停止している
場合には、サイクル停止処理など必要な処理を行うよう
にしているから、不十分なスクラブ洗浄処理が実行され
るのを未然に防止することができる。したがって、ウエ
ハWの品質を低下させることを回避できる。そのため、
半導体装置の歩留まりを向上できる。
As described above, according to the first embodiment, the rotation state of the driven roller 13b is detected, and if the rotation is stopped, necessary processing such as cycle stop processing is performed. It is possible to prevent insufficient scrub cleaning processing from being executed. Therefore, it is possible to avoid lowering the quality of the wafer W. for that reason,
The yield of semiconductor devices can be improved.

【0050】また、従動ローラ13bの回転停止を検出
してから設定時間t0が経過した後にウエハWの回転が停
止していると判定するようにしているから、従動ローラ
13bにオリフラなどの切欠き部が掛かって従動ローラ
13bの回転が一時的に停止しても、この状態をウエハ
Wの回転が停止していると誤判断するのを防止できる。
そのため、信頼性の高い装置を提供することができる。
Since it is determined that the rotation of the wafer W has stopped after the set time t0 has elapsed since the detection of the rotation stop of the driven roller 13b, the driven roller 13b has a notch such as an orientation flat. Even if the rotation of the driven roller 13b is temporarily stopped due to the application of the part, it is possible to prevent this state from being erroneously determined that the rotation of the wafer W is stopped.
Therefore, a highly reliable device can be provided.

【0051】なお、回転状態を検出する従動ローラを、
上述のように1つではなく、たとえば2つ以上としても
よい。この場合、それぞれの従動ローラ13について回
転停止信号の連続出力時間が設定時間t0以上であるか否
かを判別し、判別結果がすべて肯定であるときに、ウエ
ハWの回転が停止していると判定するようにしてもよ
い。この構成によれば、たとえばいずれかの従動ローラ
13に対応する光電センサが故障して回転停止信号を連
続的に出力していても、ウエハWの回転状態を誤検出す
ることがない。また、いずれか1つでも肯定である場合
に、ウエハWの回転が停止していると判定するようにし
てもよい。この場合には、ウエハWの回転停止の可能性
がある場合や光電センサの故障の可能性のある場合をで
きるだけ検知することができる。
The driven roller for detecting the rotation state is
The number is not limited to one as described above, but may be, for example, two or more. In this case, it is determined whether or not the continuous output time of the rotation stop signal is equal to or longer than the set time t0 for each driven roller 13, and when all the determination results are positive, it is determined that the rotation of the wafer W is stopped. The determination may be made. According to this configuration, for example, even if the photoelectric sensor corresponding to one of the driven rollers 13 fails and continuously outputs the rotation stop signal, the rotation state of the wafer W is not erroneously detected. Further, when any one of them is affirmative, it may be determined that the rotation of the wafer W is stopped. In this case, it is possible to detect as much as possible a case where the rotation of the wafer W may be stopped or a case where there is a possibility of a failure of the photoelectric sensor.

【0052】図6は、本発明の第2実施形態の基板処理
装置であるウエハ洗浄装置におけるウエハ保持装置の構
成を簡単に示す平面図である。また、図7は、このウエ
ハ保持装置の従動ローラ13に関連する構成を示す図で
ある。図6および図7において、図1および図3と同じ
機能部分については、それぞれ、同一の参照符号を使用
する。
FIG. 6 is a plan view simply showing the configuration of a wafer holding device in a wafer cleaning device which is a substrate processing device according to a second embodiment of the present invention. FIG. 7 is a diagram showing a configuration related to the driven roller 13 of the wafer holding device. 6 and 7, the same reference numerals are used for the same functional parts as in FIGS. 1 and 3, respectively.

【0053】上記第1実施形態では、回転停止信号の連
続出力時間を設定時間t0と比較することで、従動ローラ
13bの回転の一時的な停止をウエハWの回転停止と誤
判定するのを回避しているのに対して、この第2実施形
態では、所定間隔だけ空けて配置された2つの従動ロー
ラ13aおよび13bの回転状態を検出し、これら2つ
の従動ローラ13aおよび13bの回転状態に基づい
て、上記のような誤判定を回避するようにしている。
In the first embodiment, by comparing the continuous output time of the rotation stop signal with the set time t0, it is possible to avoid the erroneous determination that the temporary stop of the rotation of the driven roller 13b is the rotation stop of the wafer W. On the other hand, in the second embodiment, the rotation state of the two driven rollers 13a and 13b arranged at a predetermined interval is detected, and based on the rotation state of the two driven rollers 13a and 13b. Thus, the erroneous determination as described above is avoided.

【0054】さらに具体的には、この第2実施形態で
は、2つの従動ローラ13aおよび13bは、図6に示
すように、オリフラOFの幅doよりも広い間隔d1だけ空
けて配置されている。従動ローラ13aのローラ軸21
aの下端部付近には、図7に示すように、従動ローラ1
3bの下端部付近に設けられている回転状態検出部10
0と同様の構成の回転状態検出部150が設けられてい
る。すなわち、回転状態検出部150は、ローラ軸21
aの下端部付近に取り付けられたスリット板151と、
スリット板151の周縁部を挟んで対向する投光部15
3および受光部154を有する光電センサ152を含
む。各回転状態検出部100および150の光電センサ
102および152から出力される回転信号および回転
停止信号は、いずれも、制御部160の判定部161に
与えられるようになっている。
More specifically, in the second embodiment, as shown in FIG. 6, the two driven rollers 13a and 13b are arranged at an interval d1 wider than the width do of the orientation flat OF. Roller shaft 21 of driven roller 13a
a near the lower end of the driven roller 1 as shown in FIG.
Rotation state detection unit 10 provided near the lower end of 3b
A rotation state detection unit 150 having the same configuration as that of the rotation state detection unit 150 is provided. That is, the rotation state detection unit 150
a slit plate 151 attached near the lower end of
The light projecting unit 15 opposed to the slit plate 151 across the peripheral edge thereof
3 and a photoelectric sensor 152 having a light receiving section 154. Both the rotation signal and the rotation stop signal output from the photoelectric sensors 102 and 152 of the rotation state detection units 100 and 150 are provided to the determination unit 161 of the control unit 160.

【0055】判定部161は、各光電センサ102およ
び152の両方から回転停止信号が出力された場合に限
って、ウエハWの回転が停止していると判定するもので
ある。すなわち、上述のように、2つの従動ローラ13
aおよび13bはオリフラOFの幅d0よりも広い間隔d1
だけ空けて配置されているから、ウエハWの周縁部にノ
ッチNまたはオリフラOFなどの切欠き部が形成されて
いる場合でも、当該切欠き部が2つの従動ローラ13a
および13bに同時にかかることはない。したがって、
ウエハWが正常に回転していれば、回転停止信号が各光
電センサ102および152の両方から出力されること
はない。したがって、2つの光電センサ102および1
52の両方から回転停止信号が出力された場合には、ウ
エハWの回転が停止していると判定することができる。
The determination unit 161 determines that the rotation of the wafer W is stopped only when the rotation stop signal is output from both the photoelectric sensors 102 and 152. That is, as described above, the two driven rollers 13
a and 13b are intervals d1 wider than the width d0 of the orientation flat OF.
Even when a notch N or a notch such as an orientation flat OF is formed in the peripheral portion of the wafer W, the notch is formed by two driven rollers 13a.
And 13b at the same time. Therefore,
If the wafer W is rotating normally, no rotation stop signal is output from both the photoelectric sensors 102 and 152. Therefore, the two photoelectric sensors 102 and 1
If the rotation stop signal is output from both of the two, it can be determined that the rotation of the wafer W has stopped.

【0056】以上のようにこの第2実施形態によって
も、ウエハWの回転が停止しているか否かを確実に判定
することができるから、信頼性の高い装置を提供するこ
とができる。なお、上述のように、2つの従動ローラ1
3aおよび13bに関連して設けられた各光電センサ1
02および152の両方から回転停止信号が出力された
ことに応答して直ちにウエハWの回転が停止していると
判定するようにしてもよいが、たとえば、各光電センサ
102および152の両方から回転停止信号が連続して
出力される時間が設定時間t0を経過した場合に、ウエハ
Wの回転停止を判定するようにしてもよい。この構成に
よれば、ウエハWの回転停止を一層確実に判定できる。
As described above, according to the second embodiment as well, it is possible to reliably determine whether or not the rotation of the wafer W is stopped, so that a highly reliable apparatus can be provided. As described above, the two driven rollers 1
Each photoelectric sensor 1 provided in connection with 3a and 13b
It may be determined that the rotation of the wafer W has stopped immediately in response to the output of the rotation stop signal from both of the photoelectric sensors 102 and 152. The rotation stop of the wafer W may be determined when the time during which the stop signal is continuously output exceeds the set time t0. According to this configuration, the stop of the rotation of the wafer W can be more reliably determined.

【0057】図8は、本発明の第3実施形態の基板処理
装置であるウエハ洗浄装置におけるウエハ保持装置の構
成を示す平面図である。また、図9は、このウエハ保持
装置の従動ローラに関連する構成を示す図である。図8
および図9において、図1および図3と同じ機能部分に
ついては、それぞれ、同一の参照符号を使用する。上記
第1および第2実施形態では、ウエハWの周縁部に形成
された切欠き部が従動ローラ13に掛かると当該従動ロ
ーラ13の回転が一時的に停止することを前提として、
ウエハWの回転停止の誤判定の回避を行う構成について
説明している。しかし、この第3実施形態では、切欠き
部が掛かっても回転が停止しないようにされた従動ロー
ラ13dを追加し、当該従動ローラ13dの回転状態を
検出することによって、ウエハWの回転停止の誤判定を
回避しようとしている。
FIG. 8 is a plan view showing a configuration of a wafer holding device in a wafer cleaning apparatus which is a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention. FIG. 9 is a diagram showing a configuration related to a driven roller of the wafer holding device. FIG.
9 and FIG. 9, the same reference numerals are used for the same functional portions as those in FIG. 1 and FIG. In the first and second embodiments, on the assumption that the rotation of the driven roller 13 is temporarily stopped when the notch formed in the peripheral portion of the wafer W is engaged with the driven roller 13.
The configuration for avoiding the erroneous determination of the rotation stop of the wafer W is described. However, in the third embodiment, the rotation of the wafer W is stopped by adding a driven roller 13d that is not stopped from rotating even when the notch is engaged, and by detecting the rotation state of the driven roller 13d. You are trying to avoid a misjudgment.

【0058】さらに具体的には、図9に示すように、支
点軸170に回動自在に取り付けられたローラ保持部1
71の所定位置には、ローラ軸172が回転可能に支持
されている。ローラ軸172の上端には、従動ローラ1
3dが取り付けられている。ローラ軸172は、ローラ
保持部171に形成された挿通穴173を通ってローラ
保持部171の下端部付近に形成された空間174まで
延ばされており、挿通穴173に配置された2つの軸受
175aおよび175bを介してローラ保持部171に
回転自在に支持されている。
More specifically, as shown in FIG. 9, the roller holding unit 1 rotatably mounted on the fulcrum shaft 170 is provided.
At a predetermined position 71, a roller shaft 172 is rotatably supported. The driven roller 1 is provided at the upper end of the roller shaft 172.
3d is attached. The roller shaft 172 extends through an insertion hole 173 formed in the roller holding portion 171 to a space 174 formed near the lower end of the roller holding portion 171, and has two bearings disposed in the insertion hole 173. It is rotatably supported by the roller holder 171 via 175a and 175b.

【0059】ローラ保持部171の所定位置は、図8に
示すように、従動ローラ13dがウエハWの端面に向か
って付勢されるように、引っ張りコイルばね176によ
って引っ張られている。この場合における付勢力は、ウ
エハ保持装置6に保持され、かつ回転されているウエハ
Wの周縁部に形成された切欠き部が当該従動ローラ13
dに掛かった場合に、当該従動ローラ13dが切欠き部
に当接できる程度に設定されている。
The predetermined position of the roller holding portion 171 is pulled by a tension coil spring 176 such that the driven roller 13d is urged toward the end face of the wafer W as shown in FIG. In this case, the urging force is held by the wafer holding device 6, and the notch formed in the peripheral portion of the rotating wafer W is driven by the driven roller 13.
The distance d is set to such an extent that the driven roller 13d can abut on the notch when it hits the notch.

【0060】この構成により、オリフラOFを周縁部に
有するウエハWが処理対象である場合に、オリフラOF
が従動ローラ13dに達したときには、図8に二点鎖線
で示すように、オリフラOF以外のウエハWの周縁部が
従動ローラ13dに掛かっている場合における従動ロー
ラ13dの位置(実線で示す)よりもさらにウエハWの
中心WOに近い位置に移動し、オリフラOFに当接する。
すなわち、オリフラOFが従動ローラ13dに掛かって
も、当該従動ローラ13dはオリフラOFに追随し、当
該従動ローラ13dの回転が停止しないようにされてい
る。
According to this configuration, when the wafer W having the orientation flat OF at the periphery is to be processed, the orientation flat OF
Has reached the driven roller 13d, as shown by a two-dot chain line in FIG. 8, the position of the driven roller 13d (shown by a solid line) when the peripheral portion of the wafer W other than the orientation flat OF is hung on the driven roller 13d. Further moves to a position near the center WO of the wafer W and contacts the orientation flat OF.
That is, even if the orientation flat OF is applied to the driven roller 13d, the driven roller 13d follows the orientation flat OF so that the rotation of the driven roller 13d is not stopped.

【0061】ノッチを周縁部に有するウエハWが処理対
象である場合に、ノッチが従動ローラ13dに達したと
きも同様に、当該従動ローラ13dはノッチに追随し、
回転が停止しない。ローラ軸172の下端部付近には、
図9に示すように、上記第1実施形態においてローラ軸
21bに関連して設けられた回転状態検出部100と同
様の構成の回転状態検出部180が設けられている。す
なわち、この回転状態検出部180は、ローラ軸172
に取り付けられたスリット板181と、スリット板18
1の周縁部を挟むように対向配置された投光部183お
よび受光部184を有する透過型の光電センサ182と
を含む。光電センサ182の出力は、制御部190の判
定部191に与えられるようになっている。
When the notch reaches the driven roller 13d when the wafer W having the notch on the peripheral edge is to be processed, similarly, the driven roller 13d follows the notch,
The rotation does not stop. Near the lower end of the roller shaft 172,
As shown in FIG. 9, a rotation state detection unit 180 having the same configuration as the rotation state detection unit 100 provided in association with the roller shaft 21b in the first embodiment is provided. That is, the rotation state detection unit 180
Slit plate 181 attached to the
And a transmissive photoelectric sensor 182 having a light projecting unit 183 and a light receiving unit 184 that are arranged to face each other so as to sandwich the peripheral portion of the light emitting device 1. The output of the photoelectric sensor 182 is provided to the determination unit 191 of the control unit 190.

【0062】上述のように、回転状態が検出される従動
ローラ13dは、切欠き部が掛かっても、回転が停止す
ることがないから、光電センサ182から回転停止信号
が出力された場合には、ウエハWの回転が停止している
と考えることができる。つまり、回転停止信号が出力さ
れる場合を、ウエハWの回転が停止している場合に限定
できる。
As described above, the rotation of the driven roller 13d whose rotation state is detected does not stop even if the notch is engaged. Therefore, when the rotation stop signal is output from the photoelectric sensor 182, , It can be considered that the rotation of the wafer W is stopped. That is, the case where the rotation stop signal is output can be limited to the case where the rotation of the wafer W is stopped.

【0063】そこで、判定部190は、光電センサ18
2から回転停止信号が出力されると、ウエハWの回転が
停止していると判定し、回転停止信号の出力に応答して
サイクル停止指令部113および警報発生部114を制
御し、サイクル停止処理および警報発生処理を実行させ
る。以上のようにこの第3実施形態によっても、ウエハ
Wの回転が停止しているか否かを確実に判定することが
できる。したがって、上記第1および第2実施形態と同
様に、信頼性の高い装置を提供することができる。
Therefore, the determination unit 190 determines that the photoelectric sensor 18
2 outputs a rotation stop signal, determines that the rotation of the wafer W is stopped, controls the cycle stop command unit 113 and the alarm generation unit 114 in response to the output of the rotation stop signal, and performs a cycle stop process. And an alarm generation process. As described above, also according to the third embodiment, it is possible to reliably determine whether or not the rotation of the wafer W is stopped. Therefore, as in the first and second embodiments, a highly reliable device can be provided.

【0064】なお、この第3実施形態においても、回転
停止信号の連続出力時間が設定時間t0に達した場合に、
ウエハWの回転が停止していると判定するようにしても
よく、この場合、ウエハWの回転停止をより一層確実に
判定できる。また、上記第3 実施形態の当該構成にかえ
て、たとえば従動ローラ13bおよび回転状態検出部1
00をウエハWの中心WOに対して近接/離反可能な構成
とし、これらを引っ張りコイルばねでウエハWの端面に
向けて付勢するようにしてもよく、またオリフラの幅d0
よりも広い間隔d1だけ空けて配置された一対の従動ロー
ラ13aおよび13b、ならびに回転状態検出部100
および150をウエハWの中心WOに対して近接/離反可
能な構成とし、これらを各々個別に引っ張りコイルばね
でウエハWの端面に向けて付勢するようにしてもよい。
この場合であっても、回転停止信号の出力をウエハWの
回転停止状態に1対1に対応付けることができるから、
ウエハWの回転停止を確実に認識できる。
In the third embodiment also, when the continuous output time of the rotation stop signal reaches the set time t0,
It may be determined that the rotation of the wafer W has stopped, and in this case, the rotation stop of the wafer W can be more reliably determined. Further, instead of the configuration of the third embodiment, for example, the driven roller 13b and the rotation state detector 1
00 may be configured to be able to approach / separate from the center WO of the wafer W, and these may be urged toward the end face of the wafer W by a tension coil spring, and the width d0 of the orientation flat
A pair of driven rollers 13a and 13b spaced apart by an interval d1 wider than
And 150 may be configured to be able to approach / separate from the center WO of the wafer W, and may be individually urged toward the end face of the wafer W by a tension coil spring.
Even in this case, the output of the rotation stop signal can be associated one-to-one with the rotation stop state of the wafer W.
The rotation stop of the wafer W can be reliably recognized.

【0065】本発明の実施の形態の説明は以上のとおり
であるが、本発明は上述の実施形態に限定されるもので
はない。たとえば上記実施形態では、ウエハWを洗浄す
るための装置として、鉛直軸まわりに回転するブラシを
有するディスク型の両面洗浄装置9を例にとって説明し
ているが、たとえば鉛直軸にほぼ直交する水平軸まわり
にブラシが回転するロール型の両面洗浄装置を用いるよ
うにしてもよい。
Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above embodiments. For example, in the above-described embodiment, a disk-type double-side cleaning device 9 having a brush that rotates around a vertical axis is described as an example of a device for cleaning the wafer W. However, for example, a horizontal axis that is substantially perpendicular to the vertical axis is described. A roll-type double-side cleaning device around which a brush rotates may be used.

【0066】また、上記実施形態では、ウエハWを洗浄
する装置について本発明を適用する場合を例にとってい
るが、たとえばウエハWを回転させつつ処理を行う装置
であれば、本発明を適用することが可能である。さら
に、上記実施形態では、基板としてウエハWを例にとっ
て説明しているが、これに限定されることはなく、形状
がほぼ円形であれば基板として適用することができる。
In the above embodiment, the case where the present invention is applied to an apparatus for cleaning a wafer W is described as an example. However, the present invention is applicable to an apparatus for performing processing while rotating the wafer W. Is possible. Further, in the above embodiment, the wafer W is described as an example of the substrate, but the present invention is not limited to this, and the substrate can be applied as long as the shape is substantially circular.

【0067】その他、特許請求の範囲に記載された範囲
で種々の設計変更を施すことが可能である。
In addition, various design changes can be made within the scope described in the claims.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1実施形態の基板処理装置であるウ
エハ洗浄装置の構成を示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view illustrating a configuration of a wafer cleaning apparatus that is a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1のII-II 断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line II-II of FIG.

【図3】回転状態が検出される従動ローラに関連する構
成を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a configuration related to a driven roller whose rotation state is detected.

【図4】回転状態検出部の概略斜視図である。FIG. 4 is a schematic perspective view of a rotation state detection unit.

【図5】オリフラおよびノッチが回転状態が検出される
従動ローラに掛かっている状態を示す図である。
FIG. 5 is a diagram illustrating a state in which the orientation flat and the notch are hung on a driven roller whose rotation state is detected.

【図6】本発明の第2実施形態の基板処理装置であるウ
エハ洗浄装置の構成を示す平面図である。
FIG. 6 is a plan view illustrating a configuration of a wafer cleaning apparatus that is a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図7】回転状態が検出される従動ローラに関連する構
成を示す図である。
FIG. 7 is a diagram illustrating a configuration related to a driven roller whose rotation state is detected.

【図8】本発明の第3実施形態の基板処理装置であるウ
エハ洗浄装置の構成を示す平面図である。
FIG. 8 is a plan view illustrating a configuration of a wafer cleaning apparatus that is a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.

【図9】回転状態が検出される従動ローラに関連する構
成を示す図である。
FIG. 9 is a diagram showing a configuration related to a driven roller whose rotation state is detected.

【図10】ウエハの洗浄を行うための従来のウエハ洗浄
装置の構成を示す平面図である。
FIG. 10 is a plan view showing a configuration of a conventional wafer cleaning apparatus for cleaning a wafer.

【図11】図10に示した構成を図10のZ方向から見
た側面図である。
11 is a side view of the configuration shown in FIG. 10 as viewed from the Z direction in FIG. 10;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

9 両面洗浄装置(両面洗浄手段) 13 従動ローラ 33 駆動ローラ 100、150、180 回転状態検出部 111、161,194 判定部(出力時間比較部) 112 タイマ(出力時間比較部) 176 引っ張りコイルばね(付勢手段) W ウエハ(基板) 9 Double-sided cleaning device (double-sided cleaning means) 13 Driven roller 33 Drive roller 100, 150, 180 Rotational state detection unit 111, 161, 194 Judgment unit (output time comparison unit) 112 Timer (output time comparison unit) 176 Tension coil spring ( Biasing means) W wafer (substrate)

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】回転駆動力を発生する回転駆動源と、 回転駆動源からの回転駆動力を基板に伝達する駆動ロー
ラを含み、ほぼ円形の基板の端面に当接してその基板を
保持する保持ローラと、 基板の回転に従って回転する従動ローラと、 従動ローラの回転状態を検出し、回転が停止している場
合に、回転停止信号を出力する回転状態検出手段とを含
むことを特徴とする基板処理装置。
A rotating drive source for generating a rotating drive force, and a drive roller for transmitting the rotating drive force from the rotary drive source to the substrate, and holding the substrate in contact with an end surface of the substantially circular substrate. A substrate, comprising: a roller; a driven roller that rotates in accordance with the rotation of the substrate; and a rotation state detection unit that detects a rotation state of the driven roller and outputs a rotation stop signal when the rotation is stopped. Processing equipment.
【請求項2】上記回転状態検出手段からの回転停止信号
の連続出力時間と予め定める設定時間とを比較し、回転
停止信号の連続出力時間が上記設定時間に達したことに
応答して、エラー信号を出力する出力時間比較部をさら
に含むことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装
置。
2. The method according to claim 1, wherein a continuous output time of the rotation stop signal from the rotation state detecting means is compared with a predetermined time, and in response to the continuous output time of the rotation stop signal reaching the set time, an error is detected. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising an output time comparison unit that outputs a signal.
【請求項3】上記基板は、その周縁部に切欠きを有する
ものであり、 上記従動ローラは、上記切欠き部の幅よりも広い間隔だ
けあけて配置された一対の従動ローラを含み、 上記回転状態検出手段は、上記一対の従動ローラの回転
状態をそれぞれ検出し、対応する従動ローラの回転が停
止している場合に回転停止信号をそれぞれ出力する一対
の回転状態検出センサを有するものであることを特徴と
する請求項1または2に記載の基板処理装置。
3. The substrate has a notch in a peripheral portion thereof, and the driven roller includes a pair of driven rollers arranged at an interval wider than a width of the notch. The rotation state detection means has a pair of rotation state detection sensors that respectively detect the rotation state of the pair of driven rollers and output a rotation stop signal when the rotation of the corresponding driven roller is stopped. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein:
【請求項4】上記従動ローラは、上記駆動ローラととも
に、基板の端面に当接してその基板を保持する保持ロー
ラであることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか
に記載の基板処理装置。
4. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein said driven roller is a holding roller which, together with said driving roller, abuts on an end face of said substrate to hold said substrate. .
【請求項5】上記回転状態検出手段によって回転状態が
検出される従動ローラは、上記保持ローラに保持された
基板の端面に対して近接/離反可能なものであり、 当該従動ローラを、上記保持ローラに保持された基板の
端面に向けて付勢するための付勢手段をさらに含むこと
を特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の基板
処理装置。
5. A driven roller whose rotation state is detected by said rotation state detecting means is capable of approaching / separating from an end face of a substrate held by said holding roller, and said driven roller is held by said holding means. 4. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising: an urging unit for urging the substrate held by the roller toward an end surface of the substrate.
【請求項6】上記保持ローラに保持された基板の両面を
洗浄するための両面洗浄手段をさらに含むことを特徴と
する請求項1ないし5のいずれかに記載の基板処理装
置。
6. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a double-side cleaning means for cleaning both surfaces of the substrate held by the holding roller.
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