JP2020173193A - Wafer rotation detecting method, and wafer rotation detecting system - Google Patents

Wafer rotation detecting method, and wafer rotation detecting system Download PDF

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Abstract

To provide a wafer rotation detecting method and a wafer rotation detecting system with which it is possible to detect the rotation of a wafer in a cleaning process by a simple technique.SOLUTION: In a wafer cleaning process where a wafer W is cleaned while rotating the wafer W by a drive roller 1 that rotates the wafer W, the rotation of slave rollers 2, 3, 4 that rotate following the rotation of the wafer W is detected by a detection unit and the rotation of the wafer W is detected. A wafer W rotation detecting system comprises a driver roller 1 for rotating the wafer W, slave rollers 2, 3, 4 that rotate following the rotation of the wafer W, and a detection unit for detecting the rotation of the slave rollers 2, 3, 4, the detection unit detecting the rotation of the slave rollers 2, 3, 4 and detecting the rotation of a wafer 2.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、ウェーハの回転検出方法及びウェーハの回転検出システムに関するものである。 The present invention relates to a wafer rotation detection method and a wafer rotation detection system.

従来、ウェーハの製造においては、ウェーハの清浄度を高めるための洗浄工程が行われている（例えば、特許文献１）。洗浄工程においては、ウェーハを横置きまたは縦置きにするなどしてウェーハの表裏端面に目掛けてノズル等を設置しウェーハを回転させながらノズル等を介し洗浄液等を供給して、ウェーハ表裏端面の異物等を除去している。 Conventionally, in the manufacture of wafers, a cleaning step for improving the cleanliness of the wafer has been performed (for example, Patent Document 1). In the cleaning process, a nozzle or the like is installed on the front and back end surfaces of the wafer by placing the wafer horizontally or vertically, and the cleaning liquid or the like is supplied through the nozzle or the like while rotating the wafer to supply the cleaning liquid or the like to the front and back end surfaces of the wafer. Foreign matter is removed.

しかしながら、洗浄工程において、何らかの原因でウェーハの回転が停止してしまうと、ウェーハの表裏面や端面に汚れが残留してしまい、発塵源が形成されるおそれがある。このため、洗浄工程においては、ウェーハの回転を監視することが望まれる。 However, if the rotation of the wafer is stopped for some reason in the cleaning process, dirt may remain on the front and back surfaces and end surfaces of the wafer, and a dust generation source may be formed. Therefore, it is desirable to monitor the rotation of the wafer in the cleaning process.

特開２０１３−２４３２１９号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2013-243219

これに対し、ウェーハにレーザを照射し、レーザセンサを用いて、ウェーハが回転している場合にレーザが周期的にノッチ部を通過するのを検知することで、ウェーハの回転を監視することも考えられる。
しかしながら、洗浄工程においては、洗浄液等の飛沫が常に生じていること等に起因して、ウェーハの回転状態に対して誤検出が生じるおそれがある。 On the other hand, it is also possible to monitor the rotation of the wafer by irradiating the wafer with a laser and using a laser sensor to detect that the laser periodically passes through the notch when the wafer is rotating. Conceivable.
However, in the cleaning step, there is a possibility that erroneous detection may occur with respect to the rotational state of the wafer due to the fact that the cleaning liquid or the like is constantly splashed.

そこで、本発明は、簡易な手法で、洗浄工程において、ウェーハの回転を正確に検出することができる、ウェーハの回転検出方法及びウェーハの回転検出システムを提供することを目的とする。 Therefore, an object of the present invention is to provide a wafer rotation detection method and a wafer rotation detection system that can accurately detect the rotation of a wafer in a cleaning process by a simple method.

本発明の要旨構成は、以下の通りである。
（１）本発明のウェーハの回転検出方法は、
ウェーハを回転させる駆動ローラにより前記ウェーハを回転させながら、前記ウェーハを洗浄する、ウェーハ洗浄工程において、
検出部により、前記ウェーハの回転に追従して回転するスレーブローラの回転状態を検出して、前記ウェーハの回転を検出することを特徴とする。 The gist structure of the present invention is as follows.
(1) The wafer rotation detection method of the present invention is
In a wafer cleaning process in which the wafer is cleaned while the wafer is rotated by a drive roller that rotates the wafer.
The detection unit detects the rotation state of the slave roller that rotates following the rotation of the wafer, and detects the rotation of the wafer.

（２）本発明のウェーハの回転検出方法では、
前記スレーブローラに、前記スレーブローラの回転にさらに追従して回転するサブローラが連結され、
前記サブローラの周上のいずれかの位置に、切り欠き部が設けられ、
照射されたレーザが前記サブローラの前記切り欠き部を所定の周期で通過するか否かに基づいて、前記ウェーハの回転を検出することが好ましい。 (2) In the wafer rotation detection method of the present invention,
A sub-roller that further follows the rotation of the slave roller is connected to the slave roller, and is connected to the slave roller.
A notch is provided at any position on the circumference of the sub roller.
It is preferable to detect the rotation of the wafer based on whether or not the irradiated laser passes through the notch portion of the subroller at a predetermined cycle.

（３）上記（２）において、前記サブローラの前記切り欠き部の最大径は、前記ウェーハのノッチ部の深さより大きいことが好ましい。
ここで、「サブローラの切り欠き部の最大径」とは、平面視において、切り欠き部により区画されるサブローラのエッジ部、及び、切り欠き部が形成されていないと仮定した場合にサブローラの外縁となる仮想線（実際のサブローラの外縁を除く）からなる閉じた線内の２点間の距離のうち最大となる場合の該２点間の距離をいうものとする。
また、「ノッチ部の深さ」とは、ウェーハの平面視において、ノッチ部により区画されるウェーハのエッジ部から、ノッチ部が形成されていないと仮定した場合にウェーハの外縁となる仮想線（実際のウェーハの外縁を除く）までの距離を、ウェーハの径方向に計測した際に最大となる場合の該距離をいうものとする。 (3) In the above (2), it is preferable that the maximum diameter of the notch portion of the sub roller is larger than the depth of the notch portion of the wafer.
Here, the "maximum diameter of the notch portion of the sub roller" means the edge portion of the sub roller partitioned by the notch portion and the outer edge of the sub roller when it is assumed that the notch portion is not formed in a plan view. It means the distance between two points in the closed line consisting of the virtual line (excluding the outer edge of the actual sub-roller) when it becomes the maximum.
Further, the "depth of the notch portion" is a virtual line that becomes the outer edge of the wafer when it is assumed that the notch portion is not formed from the edge portion of the wafer partitioned by the notch portion in the plan view of the wafer. It means the distance when the distance to (excluding the outer edge of the actual wafer) is the maximum when measured in the radial direction of the wafer.

（４）本発明のウェーハの回転検出方法では、
前記スレーブローラの周上のいずれかの位置に、切り欠き部が設けられ、
照射されたレーザが前記スレーブローラの前記切り欠き部を所定の周期で通過するか否かに基づいて、前記ウェーハの回転を検出することが好ましい。 (4) In the wafer rotation detection method of the present invention,
A notch is provided at any position on the circumference of the slave roller.
It is preferable to detect the rotation of the wafer based on whether or not the irradiated laser passes through the notch portion of the slave roller at a predetermined cycle.

（５）上記（４）において、前記スレーブローラの前記切り欠き部の最大径は、前記ウェーハのノッチ部の深さより大きいことが好ましい。
ここで、「スレーブローラの切り欠き部の最大径」とは、平面視において、切り欠き部により区画されるスレーブローラのエッジ部、及び、切り欠き部が形成されていないと仮定した場合にスレーブローラの外縁となる仮想線（実際のスレーブローラの外縁を除く）からなる閉じた線内の２点間の距離のうち最大となる場合の該２点間の距離をいうものとする。 (5) In the above (4), it is preferable that the maximum diameter of the notch portion of the slave roller is larger than the depth of the notch portion of the wafer.
Here, the "maximum diameter of the notch portion of the slave roller" is defined as the edge portion of the slave roller partitioned by the notch portion and the slave when it is assumed that the notch portion is not formed in a plan view. It means the distance between two points when it is the maximum among the distances between two points in a closed line consisting of virtual lines (excluding the outer edge of the actual slave roller) which are the outer edges of the rollers.

（６）上記（２）〜（５）のいずれかにおいて、前記検出部は、透過型レーザセンサであることが好ましい。 (6) In any of the above (2) to (5), the detection unit is preferably a transmission type laser sensor.

（７）本発明のウェーハの回転検出方法では、
前記スレーブローラに、前記スレーブローラの回転にさらに追従して回転するサブローラが連結され、前記サブローラは、前記サブローラの回転状態の情報をエンコードするエンコーダを備え、
前記エンコーダによりエンコードされた前記サブローラの回転状態の情報に基づいて、前記ウェーハの回転を検出することが好ましい。 (7) In the wafer rotation detection method of the present invention,
A sub-roller that further follows the rotation of the slave roller is connected to the slave roller, and the sub-roller includes an encoder that encodes information on the rotation state of the sub-roller.
It is preferable to detect the rotation of the wafer based on the information on the rotation state of the subroller encoded by the encoder.

（８）上記（７）において、前記検出部は、前記エンコーダによりエンコードされた前記サブローラの回転状態の情報を受信する受信部と、
前記受信部により受信した前記情報をデコードするデコーダと、を備えることが好ましい。 (8) In the above (7), the detection unit includes a receiving unit that receives information on the rotational state of the subroller encoded by the encoder.
It is preferable to include a decoder that decodes the information received by the receiving unit.

（９）本発明のウェーハの回転検出方法では、
前記スレーブローラは、前記スレーブローラの回転状態の情報をエンコードするエンコーダを備え、
前記エンコーダによりエンコードされた前記スレーブローラの回転状態の情報に基づいて、前記ウェーハの回転を検出することが好ましい。 (9) In the wafer rotation detection method of the present invention,
The slave roller includes an encoder that encodes information on the rotational state of the slave roller.
It is preferable to detect the rotation of the wafer based on the information on the rotation state of the slave roller encoded by the encoder.

（１０）上記（９）において、
前記検出部は、前記エンコーダによりエンコードされた前記スレーブローラの回転状態の情報を受信する受信部と、
前記受信部により受信した前記情報をデコードするデコーダと、を備えることが好ましい。 (10) In (9) above,
The detection unit includes a receiving unit that receives information on the rotation state of the slave roller encoded by the encoder.
It is preferable to include a decoder that decodes the information received by the receiving unit.

（１１）本発明のウェーハの回転検出方法では、
前記スレーブローラに、前記スレーブローラの回転にさらに追従して回転するサブローラが連結され、前記サブローラの周上のいずれかの位置に、光を反射する反射部を設け、
前記サブローラの反射部により反射された光を所定の周期で受光するか否かに基づいて、前記ウェーハの回転を検出することが好ましい。 (11) In the wafer rotation detection method of the present invention,
A sub-roller that further follows the rotation of the slave roller is connected to the slave roller, and a reflecting portion that reflects light is provided at any position on the circumference of the sub-roller.
It is preferable to detect the rotation of the wafer based on whether or not the light reflected by the reflecting portion of the subroller is received at a predetermined cycle.

（１２）本発明のウェーハの回転検出方法では、
前記スレーブローラの周上のいずれかの位置に、光を反射する反射部を設け、
前記スレーブローラの反射部により反射された光を所定の周期で受光するか否かに基づいて、前記ウェーハの回転を検出することが好ましい。 (12) In the wafer rotation detection method of the present invention,
A reflecting portion that reflects light is provided at any position on the circumference of the slave roller.
It is preferable to detect the rotation of the wafer based on whether or not the light reflected by the reflecting portion of the slave roller is received at a predetermined cycle.

（１３）上記（１１）又は（１２）において、前記検出部は、前記反射部に向けて照射されて、前記反射部により反射された光を検出することが好ましい。 (13) In the above (11) or (12), it is preferable that the detection unit is irradiated toward the reflection unit and detects the light reflected by the reflection unit.

（１４）本発明のウェーハの回転検出システムは、
ウェーハを回転させる駆動ローラと、
前記ウェーハの回転に追従して回転するスレーブローラと、
前記スレーブローラの回転を検出する、検出部と、を備え、
前記検出部は、前記スレーブローラの回転を検出して、前記ウェーハの回転を検出することを特徴とする。 (14) The wafer rotation detection system of the present invention is
A drive roller that rotates the wafer,
A slave roller that rotates following the rotation of the wafer,
A detection unit that detects the rotation of the slave roller is provided.
The detection unit is characterized in that it detects the rotation of the slave roller and detects the rotation of the wafer.

本発明によれば、簡易な手法で、洗浄工程において、ウェーハの回転を正確に検出することができる、ウェーハの回転検出方法及びウェーハの回転検出システムを提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a wafer rotation detection method and a wafer rotation detection system that can accurately detect the rotation of a wafer in a cleaning process by a simple method.

本発明の第１の実施形態にかかるウェーハの回転検出システムの概要図である。It is a schematic diagram of the rotation detection system of the wafer which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態にかかるウェーハの回転検出システムに用いられる、スレーブローラ、サブローラ、透過型レーザ照射装置、及び検出部を示す、概略図である。It is a schematic diagram which shows the slave roller, the sub roller, the transmission type laser irradiation apparatus, and the detection part used in the rotation detection system of the wafer which concerns on 1st Embodiment of this invention. 切り欠きの寸法について説明するための図である。It is a figure for demonstrating the dimension of a notch. 本発明の第２の実施形態にかかるウェーハの回転検出システムの概要図である。It is a schematic diagram of the rotation detection system of the wafer which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施形態にかかるウェーハの回転検出システムに用いられる、スレーブローラ、サブローラ、エンコーダ、及び検出部を示す、概略図である。It is the schematic which shows the slave roller, the sub roller, the encoder, and the detection part used in the rotation detection system of the wafer which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第３の実施形態にかかるウェーハの回転検出システムの概要図である。It is a schematic diagram of the rotation detection system of the wafer which concerns on 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第３の実施形態にかかるウェーハの回転検出システムに用いられる、スレーブローラ、サブローラ、光照射装置、反射部、及び検出部を示す、概略図である。It is the schematic which shows the slave roller, the sub roller, the light irradiation apparatus, the reflection part, and the detection part used in the rotation detection system of the wafer which concerns on 3rd Embodiment of this invention.

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に例示説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

（第１の実施形態）
＜ウェーハの回転検出システム（第１の実施形態）＞
図１は、本発明の第１の実施形態にかかるウェーハの回転検出システムの概要図である。
図１に示すように、このウェーハの回転検出システム１００は、駆動ローラ１と、スレーブローラ２、３、４と、サブローラ２ａ、３ａ、４ａと、抑えローラ５と、透過型レーザ照射装置６、７、８と、検出部９、１０、１１と、支持台１２と、を備えている。 (First Embodiment)
<Wafer rotation detection system (first embodiment)>
FIG. 1 is a schematic view of a wafer rotation detection system according to the first embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 1, the wafer rotation detection system 100 includes a drive roller 1, slave rollers 2, 3 and 4, sub rollers 2a, 3a and 4a, a suppression roller 5, and a transmission type laser irradiation device 6. It includes 7, 8 and detection units 9, 10 and 11, and a support base 12.

駆動ローラ１は、ウェーハＷを回転させるローラである。図１に示す例では、駆動ローラ１は、１つ設けられている。駆動ローラ１は、図示しないモータ等により回転するように構成され、この駆動モータ１が回転する力により、ウェーハＷも回転するように構成される。なお、駆動ローラ１は、モータを備えているため、ウェーハＷに位置ずれ等が生じた場合には、ウェーハＷの回転が停止している場合でも、駆動ローラ１はモータにより回転する。
図示例では、駆動ローラ１は、ウェーハＷを保持する保持台１２により区画される凹部の角部に設けられているが、この場合に限定されず、様々な配置とすることができる。また、駆動ローラ１の個数も１つに限定されず、複数個とすることもできる。 The drive roller 1 is a roller that rotates the wafer W. In the example shown in FIG. 1, one drive roller 1 is provided. The drive roller 1 is configured to be rotated by a motor or the like (not shown), and the wafer W is also configured to be rotated by the rotating force of the drive motor 1. Since the drive roller 1 includes a motor, when the wafer W is displaced, the drive roller 1 is rotated by the motor even when the rotation of the wafer W is stopped.
In the illustrated example, the drive rollers 1 are provided at the corners of the recesses partitioned by the holding base 12 for holding the wafer W, but the present invention is not limited to this case, and various arrangements can be made. Further, the number of drive rollers 1 is not limited to one, and may be a plurality.

スレーブローラ２、３、４は、ウェーハＷの回転に追従して回転するように構成されている。スレーブローラ２、３、４は、この例ではモータ等を有さず、ウェーハＷと接していることにより、ウェーハＷが回転するとスレーブローラ２、３、４も回転し、また、ウェーハＷの回転が停止するとスレーブローラ２、３、４の回転も停止するように構成されている。
図示例では、３つのスレーブローラ２、３、４は、ウェーハＷの図示下方向（重力の力の方向）に１箇所と、両側方に１箇所ずつ配置されているが、スレーブローラは１つ以上備えていれば良く、また、様々な配置とすることができる。 The slave rollers 2, 3 and 4 are configured to rotate following the rotation of the wafer W. In this example, the slave rollers 2, 3 and 4 do not have a motor or the like and are in contact with the wafer W. Therefore, when the wafer W rotates, the slave rollers 2, 3 and 4 also rotate, and the wafer W rotates. Is configured to stop the rotation of the slave rollers 2, 3 and 4 when
In the illustrated example, the three slave rollers 2, 3 and 4 are arranged at one location in the downward direction (direction of the force of gravity) shown in the wafer W and one location on each side, but there is only one slave roller. It suffices to have the above, and various arrangements can be made.

サブローラ２ａ、３ａ、４ａは、スレーブローラ２、３、４のそれぞれに連結され、それぞれスレーブローラ２、３、４の回転にさらに追従して回転する。サブローラ２ａ、３ａ、４ａは、この例ではモータ等を有さず、それぞれ、スレーブローラ２、３、４が回転するとサブローラ２ａ、３ａ、４ａも回転し、また、スレーブローラ２、３、４の回転が停止するとサブローラ２ａ、３ａ、４ａの回転も停止するように構成されている。
従って、ウェーハＷ、各スレーブローラ２、３、４、及び各サブローラ２ａ、３ａ、４ａの回転は、同期する（ウェーハＷが回転していると、各スレーブローラ２、３、４、及び各サブローラ２ａ、３ａ、４ａも回転し、かつ、ウェーハＷが回転を停止すると、各スレーブローラ２、３、４、及び各サブローラ２ａ、３ａ、４ａの回転も停止する）。
図示例では、３つのスレーブローラ２、３、４のそれぞれに、サブローラ２ａ、３ａ、４ａを設けているが、第１の実施形態において、サブローラは、１つ以上設ければ良い。
図示例では、サブローラ２ａ、３ａ、４ａは、それぞれ、スレーブローラ２、３、４に、同軸上に設けられている。また、図示例では、サブローラ２ａ、３ａ、４ａの径は、それぞれが連結されているスレーブローラ２、３、４の径より大きい。なお、サブローラ２ａ、３ａ、４ａの径及びスレーブローラ２、３、４の径は、ウェーハＷの径より小さく、ウェーハＷの径の０．０５〜０．２倍程度である。 The sub rollers 2a, 3a, and 4a are connected to the slave rollers 2, 3, and 4, respectively, and rotate following the rotation of the slave rollers 2, 3, and 4, respectively. The sub rollers 2a, 3a, and 4a do not have a motor or the like in this example, and when the slave rollers 2, 3, and 4 rotate, the sub rollers 2a, 3a, and 4a also rotate, and the slave rollers 2, 3, and 4 also rotate. When the rotation is stopped, the rotation of the sub rollers 2a, 3a and 4a is also stopped.
Therefore, the rotations of the wafer W, the slave rollers 2, 3, 4 and the sub rollers 2a, 3a, 4a are synchronized (when the wafer W is rotating, the slave rollers 2, 3, 4, and the sub rollers are rotated. 2a, 3a, 4a also rotate, and when the wafer W stops rotating, the rotation of the slave rollers 2, 3, 4, and the sub rollers 2a, 3a, 4a also stops).
In the illustrated example, sub-rollers 2a, 3a, and 4a are provided in each of the three slave rollers 2, 3, and 4, but in the first embodiment, one or more sub-rollers may be provided.
In the illustrated example, the sub rollers 2a, 3a, and 4a are coaxially provided on the slave rollers 2, 3, and 4, respectively. Further, in the illustrated example, the diameters of the sub rollers 2a, 3a, and 4a are larger than the diameters of the slave rollers 2, 3, and 4 to which they are connected. The diameters of the sub rollers 2a, 3a and 4a and the diameters of the slave rollers 2, 3 and 4 are smaller than the diameter of the wafer W and are about 0.05 to 0.2 times the diameter of the wafer W.

抑えローラ５は、ウェーハＷの回転を安定させるものである。図示例では、ウェーハＷの図示上方に１個設けられているが、抑えローラ５の個数は限定されず、配置も様々なものとすることができる。 The holding roller 5 stabilizes the rotation of the wafer W. In the illustrated example, one is provided above the drawing of the wafer W, but the number of the holding rollers 5 is not limited, and the arrangement can be various.

透過型レーザ照射装置６、７、８は、レーザ光を拡大して照射することができる装置であり、任意の既知の装置を用いることができる。
本例では、３つ全てのサブローラ２ａ、３ａ、４ａの回転（従って、３つ全てのスレーブローラ２、３、４の回転）を検出するために、３つの透過型レーザ照射装置６、７、８を設けているが、第１の実施形態では、透過型レーザ照射装置の個数は１個以上とすることができる。 The transmission type laser irradiation devices 6, 7, and 8 are devices capable of magnifying and irradiating the laser beam, and any known device can be used.
In this example, in order to detect the rotation of all three sub-rollers 2a, 3a, 4a (thus, the rotation of all three slave rollers 2, 3, 4), the three transmissive laser irradiation devices 6, 7, Although 8 is provided, in the first embodiment, the number of transmission type laser irradiation devices can be one or more.

検出部９、１０、１１は、スレーブローラ２、３、４の回転を検出するように構成されている。本例では、検出部７は、透過型レーザセンサである。検出部７は、後述するように、サブローラ２ａ、３ａ、４ａの回転を検出して、スレーブローラ２、３、４の回転を検出することができる。
本例では、３つ全てのサブローラ２ａ、３ａ、４ａの回転（従って、３つ全てのスレーブローラ２、３、４の回転）を検出するために、３つの検出部９、１０、１１を設けているが、検出部は１個以上設けていれば良く、該検出部により、１個以上のサブローラの回転（従って、スレーブローラの回転）を検出すれば良い。 The detection units 9, 10 and 11 are configured to detect the rotation of the slave rollers 2, 3 and 4. In this example, the detection unit 7 is a transmission type laser sensor. As will be described later, the detection unit 7 can detect the rotation of the sub rollers 2a, 3a, 4a and detect the rotation of the slave rollers 2, 3, and 4.
In this example, three detection units 9, 10 and 11 are provided in order to detect the rotation of all three sub rollers 2a, 3a and 4a (thus, the rotation of all three slave rollers 2, 3 and 4). However, one or more detection units may be provided, and the detection unit may detect the rotation of one or more sub-rollers (hence, the rotation of the slave rollers).

支持台１２は、ウェーハＷを回転可能に固定支持するものである。本例では、図示しない固定手段等をさらに備え、該固定手段により、ウェーハＷが位置ずれしないように固定している。 The support base 12 rotatably and fixedly supports the wafer W. In this example, a fixing means (not shown) or the like is further provided, and the wafer W is fixed by the fixing means so as not to be displaced.

図２は、本発明の第１の実施形態にかかるウェーハの回転検出システムに用いられる、スレーブローラ、サブローラ、透過型レーザ照射装置、及び検出部を示す、概略図である。図２においては、スレーブローラ２、サブローラ２ａ、透過型レーザ照射装置６、及び検出部９を代表して示している。
図２に示すように、本例では、サブローラ２ａは、スレーブローラ２に同軸上に連結され、そして、サブローラ２ａは、スレーブローラ２が回転すると回転し、また、スレーブローラ２の回転が停止するとサブローラ２ａ、３ａ、４ａの回転も停止するように構成されている。 FIG. 2 is a schematic view showing a slave roller, a sub roller, a transmission type laser irradiation device, and a detection unit used in the wafer rotation detection system according to the first embodiment of the present invention. In FIG. 2, the slave roller 2, the sub roller 2a, the transmission type laser irradiation device 6, and the detection unit 9 are shown as representatives.
As shown in FIG. 2, in this example, the sub roller 2a is coaxially connected to the slave roller 2, and the sub roller 2a rotates when the slave roller 2 rotates, and when the rotation of the slave roller 2 stops. The rotation of the sub rollers 2a, 3a, and 4a is also stopped.

図２に示すように、本例では、サブローラ２ａは、該サブローラ２ａの周上の１箇所に、平面視で略半円状の、サブローラ２ａの軸方向に貫通する切り欠き部２ｂを有している。
そして、本例では、透過型レーザ照射装置６は、サブローラ２ａの軸方向に、サブローラ２ａの外周領域の周上の所定の箇所に、レーザを照射することができるように配置されている。
本例では、検出部９は、透過型レーザ照射装置６により照射されるレーザの経路上に位置する。これにより、サブローラ２ａの軸回りの回転時に、サブローラ２ａの外周領域の周上の所定の箇所に上記の切り欠き部２ｂが位置した際（図示の状態）には、検出部９（透過型レーザセンサ）は、照射されたレーザを検出し、サブローラ２ａの外周領域の周上の所定の箇所に、上記の切り欠き部２ｂ以外の部分が位置した際には、検出部９（透過型レーザセンサ）は、照射されたレーザを検出しないこととなる。
従って、ウェーハＷが回転している場合には、スレーブローラ２及びサブローラ２ａも回転するため、検出部９は、照射されたレーザを所定の周期で検出することになり、一方で、ウェーハＷの回転が停止している場合には、スレーブローラ２及びサブローラ２ａの回転も停止するため、検出部９は、レーザを（上記所定の周期超の期間にわたって）検出しないこととなる（なお、偶々、切り欠き部２ｂの位置が周上のレーザの通過位置で停止した場合には、検出部９は、レーザを連続的に検出することになる）。
このようにして、検出部９により、照射されたレーザを所定の周期で検出している場合には、ウェーハＷが回転しているものとし、一方で、検出部９により照射されたレーザを一定以上の期間検出しない場合（あるいは連続的に検出する場合）に、ウェーハＷの回転が停止しているものとすることにより、ウェーハＷの回転を検出することができる。
この場合、上記の一定以上の期間は、様々に設定することができ、例えば、ウェーハＷの回転の停止を早期に検出した場合には、上記所定の周期の１周期分以上、あるいは、２〜５周期分以上を一定以上の期間として設定することができる。あるいは、ウェーハＷが回転しているにも関わらず、ウェーハＷの回転が停止しているとの誤検出を抑制するためには、例えば２０周期分以上の期間を一定以上の期間として設定することもできる。
このようにして、検出部９、１０、１１は、照射されたレーザを所定の周期で検出するか否かに基づいて、サブローラ２ａ、３ａ、４ａの回転を検出する（従って、スレーブローラ２、３、４の回転を検出する）ことができる。よって、検出部９、１０、１１は、ウェーハＷの回転に追従して回転するスレーブローラ２、３、４の回転状態を検出して、ウェーハＷの回転を検出することができる。 As shown in FIG. 2, in this example, the sub-roller 2a has a notch 2b penetrating in the axial direction of the sub-roller 2a, which is substantially semicircular in a plan view, at one position on the circumference of the sub-roller 2a. ing.
Then, in this example, the transmission type laser irradiation device 6 is arranged so that the laser can be irradiated to a predetermined position on the circumference of the outer peripheral region of the sub roller 2a in the axial direction of the sub roller 2a.
In this example, the detection unit 9 is located on the path of the laser irradiated by the transmission type laser irradiation device 6. As a result, when the notch 2b is located at a predetermined position on the circumference of the outer peripheral region of the sub roller 2a when the sub roller 2a is rotated around the axis (in the state shown in the figure), the detection unit 9 (transmission type laser) The sensor) detects the irradiated laser, and when a portion other than the notch portion 2b is located at a predetermined position on the circumference of the outer peripheral region of the sub roller 2a, the detection unit 9 (transmission type laser sensor) ) Does not detect the irradiated laser.
Therefore, when the wafer W is rotating, the slave roller 2 and the sub roller 2a also rotate, so that the detection unit 9 detects the irradiated laser at a predetermined cycle, while the wafer W When the rotation is stopped, the rotation of the slave roller 2 and the sub roller 2a is also stopped, so that the detection unit 9 does not detect the laser (for a period exceeding the predetermined period) (it should be noted that by chance). When the position of the notch portion 2b stops at the passing position of the laser on the circumference, the detection unit 9 continuously detects the laser).
In this way, when the detection unit 9 detects the irradiated laser at a predetermined cycle, it is assumed that the wafer W is rotating, while the laser irradiated by the detection unit 9 is constant. When the rotation of the wafer W is not detected for the above period (or when it is continuously detected), the rotation of the wafer W can be detected by assuming that the rotation of the wafer W is stopped.
In this case, the above-mentioned period of a certain period or more can be set in various ways. For example, when the stoppage of the rotation of the wafer W is detected at an early stage, it is one cycle or more of the above-mentioned predetermined cycle, or 2 to 2. Five cycles or more can be set as a certain period or more. Alternatively, in order to suppress erroneous detection that the rotation of the wafer W is stopped even though the wafer W is rotating, for example, a period of 20 cycles or more is set as a certain period or more. You can also.
In this way, the detection units 9, 10 and 11 detect the rotation of the sub-rollers 2a, 3a and 4a based on whether or not the irradiated laser is detected at a predetermined cycle (thus, the slave rollers 2, 3 or 4 rotations can be detected). Therefore, the detection units 9, 10 and 11 can detect the rotation of the wafer W by detecting the rotational state of the slave rollers 2, 3 and 4 that rotate following the rotation of the wafer W.

第１の実施形態において、上記の切り欠き部２ｂの形状は、様々なものとすることができ、上記のような平面視で、略半円状とすることもできるし、他にも例えば、平面視で、三角形状、四角形状、他の多角形状、円形状、楕円形状等とすることもできる。
また、上記の切り欠き部２ｂの最大径は、（ウェーハＷがノッチ部を有する場合）ウェーハＷのノッチ部の深さより大きいことが好ましい。切り欠き部２ｂには、洗浄工程における洗浄液等の飛沫が付着し、表面張力により膜を形成して、レーザの検出精度を低下される場合があることが判明した。そこで、切り欠き部２ｂの最大径をウェーハＷのノッチ部の深さより大きくすることにより、膜が形成されにくくなって、検出部９、１０、１１によるレーザの検出精度を高めることができるからである。同様の理由により、切り欠き部２ｂの最大径を、透過型レーザのレーザ光径の１．５〜２．５倍とすることが好ましい。
図３は、切り欠き２ｂの寸法について説明するための図である。上記の切り欠き部２ｂの大きさは、特には限定されないが、例えば、図示のように、幅ｗ（平面視で、深さに直交する方向の最大長さ）を３．５〜６ｍｍ、深さｈ（ウェーハＷの径方向の最大長さ）を３．５〜６ｍｍとすることができる。
このような寸法とすることによっても、切り欠き部２ｂに膜が形成されにくくなり、検出部９、１０、１１によるレーザの検出精度を高めることができる。 In the first embodiment, the shape of the cutout portion 2b can be various, and can be made substantially semicircular in a plan view as described above. In plan view, it can be triangular, quadrangular, other polygonal, circular, elliptical, or the like.
Further, the maximum diameter of the notch portion 2b is preferably larger than the depth of the notch portion of the wafer W (when the wafer W has a notch portion). It has been found that droplets of a cleaning liquid or the like in the cleaning step may adhere to the cutout portion 2b to form a film due to surface tension, which may reduce the detection accuracy of the laser. Therefore, by making the maximum diameter of the notch portion 2b larger than the depth of the notch portion of the wafer W, it becomes difficult for the film to be formed, and the laser detection accuracy by the detection portions 9, 10 and 11 can be improved. is there. For the same reason, it is preferable that the maximum diameter of the notch portion 2b is 1.5 to 2.5 times the laser light diameter of the transmissive laser.
FIG. 3 is a diagram for explaining the dimensions of the notch 2b. The size of the notch portion 2b is not particularly limited, but for example, as shown in the figure, the width w (the maximum length in the direction orthogonal to the depth in a plan view) is 3.5 to 6 mm, and the depth is The h (maximum length of the wafer W in the radial direction) can be 3.5 to 6 mm.
With such a size, it becomes difficult for a film to be formed in the notch portion 2b, and the laser detection accuracy by the detection portions 9, 10 and 11 can be improved.

本例では、３つのスレーブローラ２、３、４の全てに、切り欠き部２ｂ、３ｂ、４ｂを有するサブローラ２ａ、３ａ、４ａを設け、検出部９、１０、１１により、サブローラ２ａ、３ａ、４ａの回転（従って、スレーブローラ２、３、４の回転）を検出して、ウェーハＷの回転を検出している。
このような場合には、いずれか１つにおいて、ウェーハＷの回転が停止したものと検出された場合に、ウェーハＷの回転が停止したものと判断することができる。一方で、ウェーハＷが回転しているにも関わらず、ウェーハＷの回転が停止しているとの誤検出を抑制するためには、いずれか複数において、ウェーハＷの回転が停止したものと検出された場合に、ウェーハＷの回転が停止したものと判断することもできる。 In this example, sub-rollers 2a, 3a, 4a having notches 2b, 3b, and 4b are provided in all three slave rollers 2, 3, and 4, and sub-rollers 2a, 3a, are provided by detection units 9, 10, and 11. The rotation of the wafer W is detected by detecting the rotation of 4a (hence, the rotation of the slave rollers 2, 3 and 4).
In such a case, when it is detected that the rotation of the wafer W has stopped in any one of them, it can be determined that the rotation of the wafer W has stopped. On the other hand, in order to suppress the false detection that the rotation of the wafer W is stopped even though the wafer W is rotating, it is detected that the rotation of the wafer W has stopped in any one or more of them. If this is the case, it can be determined that the rotation of the wafer W has stopped.

なお、切り欠き部が各サブローラに設けられている場合において、各切り欠き部の形状や大きさは、同一とすることもできるが、互いに異ならせることもできる。 When the notch portions are provided in each sub-roller, the shapes and sizes of the notch portions can be the same, but can be different from each other.

以上のように、第１の実施形態においては、ウェーハの回転検出システム１００は、ウェーハＷを回転させる駆動ローラ１と、ウェーハＷの回転に追従して回転するスレーブローラ２、３、４と、スレーブローラ２、３、４の回転を検出する、検出部９、１０、１１と、を備え、検出部９、１０、１１は、スレーブローラ２、３、４の回転を検出して（照射されたレーザが所定の周期で通過するか否かに基づいて、サブローラ２ａ、３ａ、４ａの回転を検出することによる）、ウェーハＷの回転を検出する。 As described above, in the first embodiment, the wafer rotation detection system 100 includes a drive roller 1 that rotates the wafer W, and slave rollers 2, 3, and 4 that rotate following the rotation of the wafer W. The detection units 9, 10 and 11 for detecting the rotation of the slave rollers 2, 3 and 4 are provided, and the detection units 9, 10 and 11 detect the rotation of the slave rollers 2, 3 and 4 (irradiated). The rotation of the wafer W is detected (by detecting the rotation of the sub rollers 2a, 3a, 4a) based on whether or not the laser passes through in a predetermined cycle.

＜ウェーハの回転検出方法（第１の実施形態）＞
第１の実施形態においては、ウェーハの回転検出方法は、ウェーハＷを回転させる駆動ローラ１により、ウェーハＷを回転させながらウェーハＷを洗浄する、ウェーハ洗浄工程において、検出部９、１０、１１により、ウェーハＷの回転に追従して回転するスレーブローラ２、３、４の回転を検出して（照射されたレーザが所定の周期で通過するか否かに基づいて、サブローラ２ａ、３ａ、４ａの回転を検出することによる）、ウェーハＷの回転を検出する。
以下、第１の実施形態の作用効果について説明する。 <Wafer rotation detection method (first embodiment)>
In the first embodiment, the wafer rotation detection method is performed by the detection units 9, 10 and 11 in the wafer cleaning step in which the wafer W is cleaned while rotating the wafer W by the drive roller 1 that rotates the wafer W. , The rotation of the slave rollers 2, 3 and 4 that rotate following the rotation of the wafer W is detected (based on whether or not the irradiated laser passes in a predetermined cycle, the sub rollers 2a, 3a, 4a The rotation of the wafer W is detected (by detecting the rotation).
Hereinafter, the action and effect of the first embodiment will be described.

第１の実施形態にかかるウェーハの回転検出システムによれば、検出部９、１０、１１は、スレーブローラ２、３、４の回転を検出して（照射されたレーザが所定の周期で通過するか否かに基づいて、サブローラ２ａ、３ａ、４ａの回転を検出することによる）に基づいて、ウェーハＷの回転を検出することができる。
照射されたレーザがウェーハＷのノッチ部を所定の周期で通過するか否かによりウェーハＷの回転を検出する場合には、ウェーハＷの径が大きいため単位時間当たりの回転数が少なく、また、ノッチ部のサイズが規格等によって定められており通常小さいことから、ノッチ部に液膜が形成されやすく、照射されたレーザがノッチ部を通過するタイミングであっても、検出部がレーザを検出することができない場合があり、ウェーハＷの回転が停止したものと誤検出する場合があった。
これに対し、第１の実施形態にかかるウェーハの回転検出システムでは、照射されたレーザが、サブローラ２ａ、３ａ、４ａに設けた切り欠き部２ｂ、３ｂ、４ｂを所定の周期で通過するか否かにより、サブローラ２ａ、３ａ、４ａの回転を検出している。サブローラ２ａ、３ａ、４ａの径はウェーハＷの径より小さく、単位時間の回転数が多いため、切り欠き部２ｂ、３ｂ、４ｂに液膜が形成されにくく、上記のような誤検出を抑制して、ウェーハＷの回転を正確に検出することができる。
さらに、第１の実施形態では、（スレーブローラ２、３、４ではなく）サブローラ２ａ、３ａ、４ａに、切り欠き部２ｂ、３ｂ、４ｂを設けているため、切り欠き部２ｂ、３ｂ、４ｂと、レーザの発光位置（本例では透過型レーザ照射装置６の位置）やレーザの受光位置（本例では検出部９、１０、１１の位置）との距離を容易に調整することができ、これによりセンシング距離を近づける（１０ｃｍ以下とすることが好ましく、８ｃｍ以下とすることがより好ましく、６ｃｍ以下とすることがさらに好ましい）等して、検出部９、１０、１１によるレーザの検出精度を高めることができる。
また、本例では、サブローラ２ａ、３ａ、４ａの切り欠き部２ｂ、３ｂ、４ｂの最大径は、ウェーハＷのノッチ部の深さより大きいため、より一層、膜が形成されにくくなっている。
さらに、ウェーハＷのノッチ部の場合と異なり、サブローラ２ａ、３ａ、４ａに設ける切り欠き部２ｂ、３ｂ、４ｂは形状や寸法を調整することも容易であり、例えば上記のように、幅ｗを３．５〜６ｍｍ、深さｈを３．５〜６ｍｍとし、及び／又は、平面視半円状の形状とすることにより、さらに膜が形成されにくくなっている。
以上のように、第１の実施形態のウェーハの回転検出システムによれば、（大掛かりな装置等を必要とせず）簡易な手法で、洗浄工程において、ウェーハの回転を正確に検出することができる。 According to the wafer rotation detection system according to the first embodiment, the detection units 9, 10 and 11 detect the rotation of the slave rollers 2, 3 and 4 (the irradiated laser passes through in a predetermined cycle). The rotation of the wafer W can be detected based on (by detecting the rotation of the sub-rollers 2a, 3a, 4a) based on whether or not.
When the rotation of the wafer W is detected by whether or not the irradiated laser passes through the notch portion of the wafer W at a predetermined cycle, the number of rotations per unit time is small because the diameter of the wafer W is large, and the rotation speed is small. Since the size of the notch is determined by standards and is usually small, a liquid film is likely to be formed on the notch, and the detection unit detects the laser even when the irradiated laser passes through the notch. In some cases, it may not be possible, and it may be erroneously detected that the rotation of the wafer W has stopped.
On the other hand, in the wafer rotation detection system according to the first embodiment, whether or not the irradiated laser passes through the notches 2b, 3b, and 4b provided in the sub rollers 2a, 3a, and 4a at a predetermined cycle. Therefore, the rotation of the sub rollers 2a, 3a, and 4a is detected. Since the diameters of the sub rollers 2a, 3a, and 4a are smaller than the diameter of the wafer W and the number of rotations per unit time is large, it is difficult for a liquid film to be formed in the notches 2b, 3b, and 4b, and the above-mentioned false detection is suppressed. Therefore, the rotation of the wafer W can be accurately detected.
Further, in the first embodiment, the sub-rollers 2a, 3a, and 4a (rather than the slave rollers 2, 3, and 4) are provided with the notches 2b, 3b, and 4b, so that the notches 2b, 3b, and 4b are provided. The distance between the laser emission position (the position of the transmission type laser irradiation device 6 in this example) and the laser reception position (the positions of the detection units 9, 10 and 11 in this example) can be easily adjusted. As a result, the sensing distance is brought closer (preferably 10 cm or less, more preferably 8 cm or less, further preferably 6 cm or less), and the laser detection accuracy by the detection units 9, 10 and 11 is improved. Can be enhanced.
Further, in this example, since the maximum diameter of the cutout portions 2b, 3b, and 4b of the sub rollers 2a, 3a, and 4a is larger than the depth of the notch portion of the wafer W, it is more difficult to form a film.
Further, unlike the case of the notch portion of the wafer W, the cutout portions 2b, 3b, and 4b provided in the sub rollers 2a, 3a, and 4a can easily adjust the shape and dimensions, and the width w can be adjusted as described above. By setting 3.5 to 6 mm, a depth h of 3.5 to 6 mm, and / or a semicircular shape in a plan view, it is more difficult to form a film.
As described above, according to the wafer rotation detection system of the first embodiment, the rotation of the wafer can be accurately detected in the cleaning process by a simple method (without requiring a large-scale device or the like). ..

第１の実施形態にかかるウェーハの回転検出方法によれば、検出部９、１０、１１により、ウェーハＷの回転に追従して回転するスレーブローラ２、３、４の回転を検出する（照射されたレーザが所定の周期で通過するか否かに基づいて、サブローラ２ａ、３ａ、４ａの回転を検出することによる）に基づいて、ウェーハＷの回転を検出している。
よって同様に、第１の実施形態のウェーハの回転検出方法によれば、簡易な手法で、洗浄工程において、ウェーハの回転を正確に検出することができる。 According to the wafer rotation detection method according to the first embodiment, the detection units 9, 10 and 11 detect (irradiate) the rotation of the slave rollers 2, 3 and 4 that rotate following the rotation of the wafer W. The rotation of the wafer W is detected based on (by detecting the rotation of the sub-rollers 2a, 3a, 4a) based on whether or not the laser passes through in a predetermined cycle.
Therefore, similarly, according to the wafer rotation detection method of the first embodiment, the rotation of the wafer can be accurately detected in the cleaning step by a simple method.

＜第１の実施形態の変形例＞
上記第１の実施形態は、種々の変形が可能である。一例としては、サブローラ２ａ、３ａ、４ａを設けることなく、スレーブローラ２、３、４の周上のいずれかの位置に、切り欠き部２ｂ、３ｂ、４ｂが設けられ、照射されたレーザがスレーブローラ２、３、４の切り欠き部２ｂ、３ｂ、４ｂを所定の周期で通過するか否かに基づいて（スレーブローラ２、３、４の回転を検出することにより）、ウェーハＷの回転を検出することもできる。
この場合でも、簡易な手法で、洗浄工程において、ウェーハの回転を正確に検出することができる。
この場合も、スレーブローラ２、３、４の切り欠き部２ｂ、３ｂ、４ｂの最大径は、ウェーハＷのノッチ部の深さより大きいことが好ましい。同様の理由により、切り欠き部２ｂの最大径を、透過型レーザのレーザ光径の１．５〜２．５倍とすることが好ましい。
また、この場合も、切り欠き部２ｂの形状は、様々なものとすることができ、上記のように、平面視で略半円状にすることもでき、他にも例えば、平面視で、三角形状、四角形状、他の多角形状、円形状、楕円形状等とすることもできる。
また、一例としては、切り欠き部２ｂ、３ｂ、４ｂの寸法は、幅ｗを３．５〜６ｍｍ、深さｈを３．５〜６ｍｍとすることができる。
また、この場合も、検出部９、１０、１１は、透過型レーザセンサとすることが好ましい。 <Modified example of the first embodiment>
The first embodiment can be modified in various ways. As an example, notches 2b, 3b, and 4b are provided at any position on the circumference of the slave rollers 2, 3, and 4 without providing the sub rollers 2a, 3a, and 4a, and the irradiated laser is a slave. The rotation of the wafer W is performed based on whether or not the notches 2b, 3b, and 4b of the rollers 2, 3, and 4 pass through the notches 2b, 3b, and 4b in a predetermined cycle (by detecting the rotation of the slave rollers 2, 3, and 4). It can also be detected.
Even in this case, the rotation of the wafer can be accurately detected in the cleaning process by a simple method.
Also in this case, it is preferable that the maximum diameter of the cutout portions 2b, 3b, 4b of the slave rollers 2, 3 and 4 is larger than the depth of the notch portion of the wafer W. For the same reason, it is preferable that the maximum diameter of the notch portion 2b is 1.5 to 2.5 times the laser light diameter of the transmissive laser.
Further, also in this case, the shape of the notch portion 2b can be various, and as described above, it can be made substantially semicircular in a plan view. It can also be triangular, quadrangular, other polygonal, circular, elliptical or the like.
Further, as an example, the dimensions of the cutout portions 2b, 3b, and 4b can be 3.5 to 6 mm in width w and 3.5 to 6 mm in depth h.
Further, also in this case, it is preferable that the detection units 9, 10 and 11 are transmission type laser sensors.

（第２の実施形態）
＜ウェーハの回転検出システム（第２の実施形態）＞
図４は、本発明の第２の実施形態にかかるウェーハの回転検出システムの概要図である。図５は、本発明の第２の実施形態にかかるウェーハの回転検出システムに用いられる、スレーブローラ、サブローラ、エンコーダ、及び検出部を示す、概略図である。図５においては、スレーブローラ２、サブローラ２ａ、エンコーダ１３、及び検出部１６を代表して示している。
図４、５に示すように、このウェーハの回転検出システム２００は、駆動ローラ１と、スレーブローラ２、３、４と、サブローラ２ａ、３ａ、４ａと、抑えローラ５と、エンコーダ１３、１４、１５と、検出部１６、１７、１８と、を備えている。 (Second Embodiment)
<Wafer rotation detection system (second embodiment)>
FIG. 4 is a schematic view of a wafer rotation detection system according to a second embodiment of the present invention. FIG. 5 is a schematic view showing a slave roller, a sub roller, an encoder, and a detection unit used in the wafer rotation detection system according to the second embodiment of the present invention. In FIG. 5, the slave roller 2, the sub roller 2a, the encoder 13, and the detection unit 16 are shown as representatives.
As shown in FIGS. 4 and 5, the wafer rotation detection system 200 includes a drive roller 1, slave rollers 2, 3 and 4, sub rollers 2a, 3a and 4a, a suppression roller 5, and encoders 13 and 14. A 15 and detection units 16, 17, and 18 are provided.

駆動ローラ１、スレーブローラ２、３、４、サブローラ２ａ、３ａ、４ｂ、抑えローラ５の構成については（第２の実施形態では、サブローラ２ａ、３ａ、４ａに切り欠き部２ｂ、３ｂ、４ｂが設けられていないことを除いて）、図１に示した第１の実施形態と同様であるため、説明を省略する。 Regarding the configuration of the drive roller 1, the slave rollers 2, 3, 4, the sub rollers 2a, 3a, 4b, and the holding roller 5 (in the second embodiment, the notches 2b, 3b, and 4b are formed in the sub rollers 2a, 3a, and 4a. Since it is the same as the first embodiment shown in FIG. 1 (except that it is not provided), the description thereof will be omitted.

エンコーダ１３、１４、１５は、サブローラ２ａ、３ａ、４ａの回転状態の情報をエンコードするものであり、各サブローラ２ａ、３ａ、４ａに設けられている。このエンコーダは、例えば、回転の機械的変位量を電気信号に変換する、ロータリーエンコーダとすることができる。 The encoders 13, 14 and 15 encode information on the rotational state of the sub rollers 2a, 3a and 4a, and are provided on the sub rollers 2a, 3a and 4a. This encoder can be, for example, a rotary encoder that converts the amount of mechanical displacement of rotation into an electric signal.

本例では、検出部１６、１７、１８は、エンコーダ１３、１４、１５によりエンコードされたサブローラ２ａ、３ａ、４ａの回転状態の情報を受信する受信部（不図示）と、受信部により受信した情報をデコードするデコーダ（不図示）と、を備える。 In this example, the detection units 16, 17, and 18 are received by a receiving unit (not shown) that receives information on the rotation state of the sub rollers 2a, 3a, and 4a encoded by the encoders 13, 14, and 15, and a receiving unit. It includes a decoder (not shown) that decodes information.

以上のように、第２の実施形態においては、ウェーハの回転検出システム２００は、ウェーハＷを回転させる駆動ローラ１と、ウェーハＷの回転に追従して回転するスレーブローラ２、３、４と、スレーブローラ２、３、４の回転を検出する、検出部９、１０、１１と、を備え、検出部１６、１７、１８は、スレーブローラ２、３、４の回転を検出して（エンコーダ１３、１４、１５によりエンコードされた、サブローラ２ａ、３ａ、４ａの回転状態の情報を受信部により受信し、デコーダによりデコードして、サブローラ２ａ、３ａ、４ａの回転を検出することによる）、ウェーハＷの回転を検出する。 As described above, in the second embodiment, the wafer rotation detection system 200 includes a drive roller 1 that rotates the wafer W, and slave rollers 2, 3, and 4 that rotate following the rotation of the wafer W. The detection units 9, 10 and 11 for detecting the rotation of the slave rollers 2, 3 and 4 are provided, and the detection units 16, 17 and 18 detect the rotation of the slave rollers 2, 3 and 4 (encoder 13). , 14, 15 the rotation state information of the sub rollers 2a, 3a, 4a is received by the receiving unit, decoded by the decoder, and the rotation of the sub rollers 2a, 3a, 4a is detected), the wafer W. Detects rotation.

＜ウェーハの回転検出方法（第２の実施形態）＞
第２の実施形態においては、ウェーハの回転検出方法は、ウェーハＷを回転させる駆動ローラ１により、ウェーハＷを回転させながらウェーハＷを洗浄する、ウェーハ洗浄工程において、検出部１６、１７、１８により、ウェーハＷの回転に追従して回転するスレーブローラ２、３、４の回転を検出して（エンコーダ１３、１４、１５によりエンコードされた、サブローラ２ａ、３ａ、４ａの回転状態の情報を受信部により受信し、デコーダによりデコードして、サブローラ２ａ、３ａ、４ａの回転を検出することによる）、ウェーハＷの回転を検出する。
以下、第２の実施形態の作用効果について説明する。 <Wafer rotation detection method (second embodiment)>
In the second embodiment, the wafer rotation detection method is performed by the detection units 16, 17, 18 in the wafer cleaning step in which the wafer W is cleaned while rotating the wafer W by the drive roller 1 that rotates the wafer W. , Detects the rotation of the slave rollers 2, 3 and 4 that rotate following the rotation of the wafer W (receives information on the rotation state of the sub rollers 2a, 3a and 4a encoded by the encoders 13, 14 and 15). (By detecting the rotation of the sub rollers 2a, 3a, 4a) and the rotation of the wafer W by decoding with the decoder.
Hereinafter, the action and effect of the second embodiment will be described.

第２の実施形態にかかるウェーハの回転検出システムによれば、検出部１６、１７、１８は、スレーブローラ２、３、４の回転を検出して（エンコーダ１３、１４、１５によりエンコードされた、サブローラ２ａ、３ａ、４ａの回転状態の情報を受信部により受信し、デコーダによりデコードして、サブローラ２ａ、３ａ、４ａの回転を検出することによる）、ウェーハＷの回転を検出することができる。
照射されたレーザがウェーハＷのノッチ部を所定の周期で通過するか否かによりウェーハＷの回転を検出する場合には、上述した原因により、ウェーハＷの回転が停止したものと誤検出する場合があった。
これに対し、第２の実施形態にかかるウェーハの回転検出システムでは、ノッチ部や切り欠き部ではなく、エンコーダ１３、１４、１５によりエンコードされた、サブローラ２ａ、３ａ、４ａの回転状態の情報に基づいて、サブローラ２ａ、３ａ、４ａの回転（従って、スレーブローラ２、３、４の回転）を検出しているため、上記のような原因による誤検出を生じさせることなく、ウェーハＷの回転を正確に検出することができる。
以上のように、第２の実施形態のウェーハの回転検出システムによっても、（大掛かりな装置等を用いることなく）簡易な手法で、洗浄工程において、ウェーハの回転を正確に検出することができる。 According to the wafer rotation detection system according to the second embodiment, the detection units 16, 17 and 18 detect the rotation of the slave rollers 2, 3 and 4 (encoded by the encoders 13, 14 and 15). Information on the rotation state of the sub rollers 2a, 3a, and 4a is received by the receiving unit, decoded by the decoder, and the rotation of the sub rollers 2a, 3a, and 4a is detected), and the rotation of the wafer W can be detected.
When the rotation of the wafer W is detected by whether or not the irradiated laser passes through the notch portion of the wafer W at a predetermined cycle, it is erroneously detected that the rotation of the wafer W has stopped due to the above-mentioned cause. was there.
On the other hand, in the wafer rotation detection system according to the second embodiment, the information on the rotation state of the sub-rollers 2a, 3a, and 4a encoded by the encoders 13, 14, and 15 is used instead of the notch portion and the notch portion. Based on this, since the rotations of the sub rollers 2a, 3a, and 4a (thus, the rotations of the slave rollers 2, 3, and 4) are detected, the rotation of the wafer W can be performed without causing erroneous detection due to the above-mentioned causes. It can be detected accurately.
As described above, even with the wafer rotation detection system of the second embodiment, the rotation of the wafer can be accurately detected in the cleaning process by a simple method (without using a large-scale device or the like).

第２の実施形態にかかるウェーハの回転検出方法によれば、検出部１６、１７、１８により、ウェーハＷの回転に追従して回転するスレーブローラ２、３、４の回転を検出して（エンコーダ１３、１４、１５によりエンコードされた、サブローラ２ａ、３ａ、４ａの回転状態の情報を受信部により受信し、デコーダによりデコードして、サブローラ２ａ、３ａ、４ａの回転を検出することによる）、ウェーハＷの回転を検出している。
よって同様に、第２の実施形態のウェーハの回転検出方法によれば、簡易な手法で、洗浄工程において、ウェーハの回転を正確に検出することができる。 According to the wafer rotation detection method according to the second embodiment, the detection units 16, 17, and 18 detect the rotation of the slave rollers 2, 3, and 4 that rotate following the rotation of the wafer W (encoder). The information on the rotation state of the sub rollers 2a, 3a and 4a encoded by 13, 14 and 15 is received by the receiving unit and decoded by the decoder to detect the rotation of the sub rollers 2a, 3a and 4a), the wafer. The rotation of W is detected.
Therefore, similarly, according to the wafer rotation detection method of the second embodiment, the rotation of the wafer can be accurately detected in the cleaning step by a simple method.

＜第２の実施形態の変形例＞
上記第２の実施形態は、種々の変形が可能である。一例としては、サブローラ２ａ、３ａ、４ａを設けることなく、スレーブローラ２、３、４が、スレーブローラ２、３、４の回転状態の情報をエンコードするエンコーダを備え、エンコーダによりエンコードされたスレーブローラ２、３、４の回転を検出して、ウェーハＷの回転を検出するように構成することもできる。
この場合、検出部は、エンコーダによりエンコードされたスレーブローラ２、３、４の回転状態の情報を受信する受信部と、受信部により受信した情報をデコードするデコーダと、を備えることが好ましい。
この場合でも、簡易な手法で、洗浄工程において、ウェーハの回転を正確に検出することができる。 <Modified example of the second embodiment>
The second embodiment can be modified in various ways. As an example, the slave rollers 2, 3 and 4 are provided with an encoder that encodes information on the rotational state of the slave rollers 2, 3 and 4 without providing the sub rollers 2a, 3a and 4a, and the slave rollers encoded by the encoder are provided. It can also be configured to detect the rotation of 2, 3 and 4 to detect the rotation of the wafer W.
In this case, it is preferable that the detection unit includes a receiving unit that receives information on the rotational state of the slave rollers 2, 3 and 4 encoded by the encoder, and a decoder that decodes the information received by the receiving unit.
Even in this case, the rotation of the wafer can be accurately detected in the cleaning process by a simple method.

（第３の実施形態）
＜ウェーハの回転検出システム（第３の実施形態）＞
図６は、本発明の第３の実施形態にかかるウェーハの回転検出システムの概要図である。図７は、本発明の第３の実施形態にかかるウェーハの回転検出システムに用いられる、スレーブローラ、サブローラ、光照射装置、反射部、及び検出部を示す、概略図である。図７においては、スレーブローラ２、サブローラ２ａ、光照射装置１９、反射部２２、及び検出部２７を代表して示している。
図６、７に示すように、このウェーハの回転検出システム３００は、駆動ローラ１と、スレーブローラ２、３、４と、サブローラ２ａ、３ａ、４ａと、抑えローラ５と、光照射装置１９、２０、２１と、反射部２２、２３、２４と、検出部２５、２６、２７と、を備えている。 (Third Embodiment)
<Wafer rotation detection system (third embodiment)>
FIG. 6 is a schematic view of a wafer rotation detection system according to a third embodiment of the present invention. FIG. 7 is a schematic view showing a slave roller, a sub roller, a light irradiation device, a reflection unit, and a detection unit used in the wafer rotation detection system according to the third embodiment of the present invention. In FIG. 7, the slave roller 2, the sub roller 2a, the light irradiation device 19, the reflection unit 22, and the detection unit 27 are shown as representatives.
As shown in FIGS. 6 and 7, the wafer rotation detection system 300 includes a drive roller 1, slave rollers 2, 3 and 4, sub rollers 2a, 3a and 4a, a suppression roller 5, and a light irradiation device 19. It includes 20, 21, reflecting units 22, 23, 24, and detecting units 25, 26, 27.

駆動ローラ１、スレーブローラ２、３、４、サブローラ２ａ、３ａ、４ｂ、抑えローラ５の構成については（第３の実施形態においては、サブローラ２ａ、３ａ、４ａに切り欠き部２ｂ、３ｂ、４ｂが設けられていないことを除いて）、図１に示した第１の実施形態と同様であるため、説明を省略する。 Regarding the configuration of the drive roller 1, the slave rollers 2, 3, 4, the sub rollers 2a, 3a, 4b, and the holding roller 5 (in the third embodiment, the notches 2b, 3b, 4b in the sub rollers 2a, 3a, 4a). Since it is the same as the first embodiment shown in FIG. 1 (except that the above is not provided), the description thereof will be omitted.

光照射装置１９、２０、２１は、サブローラ２ａ、３ａ、４ａの周上の所定の位置に光を照射するものであり、光を照射する任意の既知の装置とすることができる。 The light irradiation devices 19, 20, and 21 irradiate light at predetermined positions on the circumferences of the sub rollers 2a, 3a, and 4a, and can be any known device that irradiates light.

反射部２２、２３、２４は、それぞれ、サブローラ２ａ、３ａ、４ａの周上のいずれかの位置に設けられ、光照射装置１９、２０、２１から照射された光を反射することができるものである。反射部２２、２３、２４は、任意の既知のミラーとすることができる。 The reflecting portions 22, 23, and 24 are provided at any positions on the circumferences of the sub rollers 2a, 3a, and 4a, respectively, and can reflect the light emitted from the light irradiating devices 19, 20, and 21. is there. The reflecting portions 22, 23, 24 can be any known mirror.

検出部２５、２６、２７は、反射部２２、２３、２４により反射された光を検出するものである。検出部２５、２６、２７は、光を検出することのできる任意の既知のユニットとすることができる。
光照射装置１９、２０、２１、反射部２２、２３、２４、及び検出部２５、２６、２７は、反射部２２、２３、２４に照射された光が、検出部２５、２６、２７により受光することができるような位置関係とすれば良く、様々な配置とすることができる。 The detection units 25, 26, 27 detect the light reflected by the reflection units 22, 23, 24. The detection units 25, 26, 27 can be any known unit capable of detecting light.
In the light irradiation devices 19, 20, 21, the reflection units 22, 23, 24, and the detection units 25, 26, 27, the light irradiated to the reflection units 22, 23, 24 is received by the detection units 25, 26, 27. The positional relationship may be set so that it can be arranged in various ways.

光照射装置１９、２０、２１から照射された光は、反射部２２、２３、２４がサブローラ２ａ、３ａ、４ａの回転によって周上の所定の箇所に位置した際（図７の状態）に、反射部２２、２３、２４により反射される。従って、ウェーハＷが回転している場合（スレーブローラ２、３，４及びサブローラ２ａ、３ａ、４ａも回転している）には、検出部２５、２６、２７は、サブローラ２ａ、３ａ、４ａの回転による所定の周期で、（光照射装置１９、２０、２１から照射され）反射部２２、２３、２４により反射された光を受光することになる。一方で、ウェーハＷの回転が停止した場合（スレーブローラ２、３，４及びサブローラ２ａ、３ａ、４ａの回転も停止している）には、検出部９は、光を（上記所定の周期超の期間にわたって）受光しないこととなる（なお、偶々、反射部２２、２３、２４が、光照射装置１９、２０、２１が照射する光の通過位置で停止した場合には、検出部９は、光を連続的に受光することになる）。 The light emitted from the light irradiating devices 19, 20, and 21 is emitted when the reflecting portions 22, 23, and 24 are positioned at predetermined positions on the circumference by the rotation of the sub rollers 2a, 3a, and 4a (state in FIG. 7). It is reflected by the reflecting portions 22, 23, 24. Therefore, when the wafer W is rotating (slave rollers 2, 3, 4 and sub rollers 2a, 3a, 4a are also rotating), the detection units 25, 26, and 27 are the sub rollers 2a, 3a, and 4a. The light reflected by the reflecting units 22, 23, 24 (irradiated from the light irradiating devices 19, 20, 21) is received at a predetermined cycle by rotation. On the other hand, when the rotation of the wafer W is stopped (the rotation of the slave rollers 2, 3 and 4 and the sub rollers 2a, 3a and 4a is also stopped), the detection unit 9 emits light (exceeding the predetermined period). If the reflecting units 22, 23, and 24 accidentally stop at the passing positions of the light emitted by the light irradiating devices 19, 20, and 21, the detection unit 9 will not receive light (for the period of). It will receive light continuously).

以上のように、第３の実施形態においては、ウェーハの回転検出システム３００は、ウェーハＷを回転させる駆動ローラ１と、ウェーハＷの回転に追従して回転するスレーブローラ２、３、４と、スレーブローラ２、３、４の回転を検出する、検出部２５、２６、２７と、を備え、検出部２５、２６、２７は、スレーブローラ２、３、４の回転を検出して（反射部２２、２３、２４により反射された光を所定の周期で受光するか否かに基づいて、サブローラ２ａ、３ａ、４ａの回転を検出することによる）、ウェーハＷの回転を検出する。 As described above, in the third embodiment, the wafer rotation detection system 300 includes a drive roller 1 that rotates the wafer W, and slave rollers 2, 3, and 4 that rotate following the rotation of the wafer W. The detection units 25, 26, and 27 are provided to detect the rotation of the slave rollers 2, 3, and 4, and the detection units 25, 26, and 27 detect the rotation of the slave rollers 2, 3, and 4 (reflection unit). The rotation of the wafer W is detected (by detecting the rotation of the sub rollers 2a, 3a, 4a) based on whether or not the light reflected by 22, 23, 24 is received at a predetermined cycle.

＜ウェーハの回転検出方法（第３の実施形態）＞
第３の実施形態においては、ウェーハの回転検出方法は、ウェーハＷを回転させる駆動ローラ１により、ウェーハＷを回転させながらウェーハＷを洗浄する、ウェーハ洗浄工程において、検出部２５、２６、２７により、ウェーハＷの回転に追従して回転するスレーブローラ２、３、４の回転を検出して（反射部２２、２３、２４により反射された光を所定の周期で受光するか否かに基づいて、サブローラ２ａ、３ａ、４ａの回転を検出することによる）、ウェーハＷの回転を検出する。
以下、第３実施形態の作用効果について説明する。 <Wafer rotation detection method (third embodiment)>
In the third embodiment, the wafer rotation detection method is performed by the detection units 25, 26, 27 in the wafer cleaning step in which the wafer W is cleaned while rotating the wafer W by the drive roller 1 that rotates the wafer W. Detects the rotation of the slave rollers 2, 3 and 4 that rotate following the rotation of the wafer W (based on whether or not the light reflected by the reflecting units 22, 23, 24 is received at a predetermined cycle. , By detecting the rotation of the sub rollers 2a, 3a, 4a), the rotation of the wafer W is detected.
Hereinafter, the action and effect of the third embodiment will be described.

第３の実施形態にかかるウェーハの回転検出システムによれば、検出部２５、２６、２７は、スレーブローラ２、３、４の回転を検出して（反射部２２、２３、２４により反射された光を受光するか否かに基づいて、サブローラ２ａ、３ａ、４ａの回転を検出することによる）に基づいて、ウェーハＷの回転を検出することができる。
照射されたレーザがウェーハＷのノッチ部を所定の周期で通過するか否かによりウェーハＷの回転を検出する場合には、上述した原因により、ウェーハＷの回転が停止したものと誤検出する場合があった。
これに対し、第３の実施形態にかかるウェーハの回転検出システムでは、ノッチ部や切り欠き部ではなく、反射部２２、２３、２４により反射された光を所定の周期で受光するか否かに基づいて、サブローラ２ａ、３ａ、４ａの回転を検出している（従ってスレーブローラ２、３、４の回転を検出している）ため、上記のような膜が形成されることによる誤検出を生じさせることなく、ウェーハＷの回転を正確に検出することができる。
以上のように、第３の実施形態のウェーハの回転検出システムによれば、（大掛かりな装置等を用いることなく）簡易な手法で、洗浄工程において、ウェーハの回転を正確に検出することができる。 According to the wafer rotation detection system according to the third embodiment, the detection units 25, 26, and 27 have detected the rotation of the slave rollers 2, 3, and 4 (reflected by the reflection units 22, 23, 24). The rotation of the wafer W can be detected based on (by detecting the rotation of the sub rollers 2a, 3a, 4a) based on whether or not the light is received.
When the rotation of the wafer W is detected by whether or not the irradiated laser passes through the notch portion of the wafer W at a predetermined cycle, it is erroneously detected that the rotation of the wafer W has stopped due to the above-mentioned cause. was there.
On the other hand, in the wafer rotation detection system according to the third embodiment, whether or not to receive the light reflected by the reflecting portions 22, 23, 24 at a predetermined cycle instead of the notch portion or the notch portion. Based on this, the rotations of the sub rollers 2a, 3a, and 4a are detected (thus, the rotations of the slave rollers 2, 3, and 4 are detected), so that an erroneous detection occurs due to the formation of the film as described above. The rotation of the wafer W can be accurately detected without causing the wafer W to rotate.
As described above, according to the wafer rotation detection system of the third embodiment, the rotation of the wafer can be accurately detected in the cleaning process by a simple method (without using a large-scale device or the like). ..

第３の実施形態にかかるウェーハの回転検出方法によれば、検出部２５、２６、２７により、ウェーハＷの回転に追従して回転するスレーブローラ２、３、４の回転を検出して（反射部２２、２３、２４により反射された光を受光するか否かに基づいて、サブローラ２ａ、３ａ、４ａの回転を検出することによる）、ウェーハＷの回転を検出している。
よって同様に、第３の実施形態のウェーハの回転検出方法によれば、簡易な手法で、洗浄工程において、ウェーハの回転を正確に検出することができる。 According to the wafer rotation detection method according to the third embodiment, the detection units 25, 26, and 27 detect the rotation of the slave rollers 2, 3, and 4 that rotate following the rotation of the wafer W (reflection). The rotation of the wafer W is detected (by detecting the rotation of the sub rollers 2a, 3a, 4a) based on whether or not the light reflected by the portions 22, 23, and 24 is received.
Therefore, similarly, according to the wafer rotation detection method of the third embodiment, the rotation of the wafer can be accurately detected in the cleaning step by a simple method.

＜第３の実施形態の変形例＞
上記第３の実施形態は、種々の変形が可能である。一例としては、サブローラ２ａ、３ａ、４ａを設けることなく、スレーブローラ２、３、４の周上のいずれかの位置に、反射部２２、２３、２４を設け、スレーブローラ２、３、４の反射部２２、２３、２４により反射された光を所定の周期で受光するか否かに基づいて、ウェーハＷの回転を検出するように構成することもできる。
この場合も、光照射装置１９、２０、２１、反射部２２、２３、２４、及び検出部２５、２６、２７は、反射部２２、２３、２４に照射された光が、検出部２５、２６、２７により受光することができるような位置関係とすれば良く、様々な配置とすることができる。
この場合でも、簡易な手法で、洗浄工程において、ウェーハの回転を正確に検出することができる。 <Modified example of the third embodiment>
The third embodiment can be modified in various ways. As an example, without providing the sub rollers 2a, 3a, and 4a, the reflecting portions 22, 23, and 24 are provided at any position on the circumference of the slave rollers 2, 3, and 4, and the slave rollers 2, 3, and 4 are provided. It can also be configured to detect the rotation of the wafer W based on whether or not the light reflected by the reflecting units 22, 23, 24 is received at a predetermined cycle.
In this case as well, in the light irradiation devices 19, 20, 21, the reflecting units 22, 23, 24, and the detecting units 25, 26, 27, the light irradiated to the reflecting units 22, 23, 24 is the detection units 25, 26. , 27 may be arranged so that light can be received, and various arrangements can be made.
Even in this case, the rotation of the wafer can be accurately detected in the cleaning process by a simple method.

以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は、以下の実施例には何ら限定されるものではない。 Hereinafter, examples of the present invention will be described, but the present invention is not limited to the following examples.

本発明の効果を確かめるため、ウェーハの洗浄工程において、ウェーハの回転を発明例及び比較例にかかる手法で検出し、ウェーハが回転していないものと検出されてアラームが発報された際に、ウェーハの実際の回転を目視確認した。アラームが発報された際に、ウェーハが回転していた場合に誤検出とした。３５０００枚のウェーハに対して、上記の試験を行った。 In order to confirm the effect of the present invention, in the wafer cleaning step, the rotation of the wafer is detected by the method according to the invention example and the comparative example, and when it is detected that the wafer is not rotating and an alarm is issued, an alarm is issued. The actual rotation of the wafer was visually confirmed. When the alarm was issued, if the wafer was rotating, it was falsely detected. The above test was performed on 35,000 wafers.

＜発明例＞
径３００ｍｍのウェーハを３５０００枚用意した。
図１に示したように、３つのスレーブローラのそれぞれにサブローラを設けた。そして、１つのサブローラに、幅４ｍｍ、深さ４ｍｍの切り欠き部を設け、１つの透過型レーザ照射装置（キーエンス社製ＬＶ−Ｓ７２）により照射されたレーザが、透過型レーザセンサにより所定の期間検出されない場合にアラームを発報するように設定した。センシング距離を７ｃｍとした。 <Invention example>
35,000 wafers with a diameter of 300 mm were prepared.
As shown in FIG. 1, a sub roller was provided for each of the three slave rollers. Then, one sub-roller is provided with a notch having a width of 4 mm and a depth of 4 mm, and the laser irradiated by one transmission type laser irradiation device (LV-S72 manufactured by KEYENCE CORPORATION) is subjected to a predetermined period by the transmission type laser sensor. It is set to issue an alarm when it is not detected. The sensing distance was 7 cm.

＜比較例＞
径３００ｍｍのウェーハを３５０００枚用意した。
幅３ｍｍ、深さ１ｍｍのノッチ部に対し、１つの透過型レーザ照射装置（キーエンス社製ＬＶ−ＮＨ１１０）により照射されたレーザが、透過型レーザセンサにより所定の期間検出されない場合にアラームを発報するように設定した。センシング距離を１５ｃｍとした。
以下の表１に評価結果を示している。 <Comparison example>
35,000 wafers with a diameter of 300 mm were prepared.
An alarm is issued when a laser irradiated by one transmissive laser irradiation device (LV-NH110 manufactured by KEYENCE) does not detect a notch with a width of 3 mm and a depth of 1 mm for a predetermined period of time by a transmissive laser sensor. I set it to. The sensing distance was 15 cm.
The evaluation results are shown in Table 1 below.

Figure 2020173193
Figure 2020173193

表１に示すように、比較例では０．０１％の誤検出率であったのに対し、発明例では、誤検出は発生しなかった。このことから、発明例によれば、簡易な手法で、洗浄工程において、ウェーハの回転を正確に検出することができたことがわかる。 As shown in Table 1, the false positive rate was 0.01% in the comparative example, whereas the false positive did not occur in the invention example. From this, it can be seen that, according to the invention example, the rotation of the wafer could be accurately detected in the cleaning process by a simple method.

１００：ウェーハの回転検出システム、
１：駆動ローラ、
２、３、４：スレーブローラ、
２ａ、３ａ、４ａ：サブローラ、
２ｂ、３ｂ、４ｂ：切り欠き部、
５：抑えローラ、
６、７、８：透過型レーザ照射装置、
９、１０、１１：検出部、
１２：保持台、
２００：ウェーハの回転検出システム、
１３、１４、１５：エンコーダ、
１６、１７、１８：検出部、
３００：ウェーハの回転検出システム、
１９、２０、２１：光照射装置、
２２、２３、２４：反射部、
２５、２６、２７：検出部、
Ｗ：ウェーハ、 100: Wafer rotation detection system,
1: Drive roller,
2, 3, 4: Slave roller,
2a, 3a, 4a: Subroller,
2b, 3b, 4b: Notch,
5: Holding roller,
6, 7, 8: Transmission laser irradiation device,
9, 10, 11: Detector,
12: Holding stand,
200: Wafer rotation detection system,
13, 14, 15: Encoder,
16, 17, 18: Detector,
300: Wafer rotation detection system,
19, 20, 21: Light irradiation device,
22, 23, 24: Reflector,
25, 26, 27: Detector,
W: Wafer,

Claims (14)

ウェーハを回転させる駆動ローラにより前記ウェーハを回転させながら、前記ウェーハを洗浄する、ウェーハ洗浄工程において、
検出部により、前記ウェーハの回転に追従して回転するスレーブローラの回転状態を検出して、前記ウェーハの回転を検出することを特徴とする、ウェーハの回転検出方法。 In a wafer cleaning process in which the wafer is cleaned while the wafer is rotated by a drive roller that rotates the wafer.
A method for detecting rotation of a wafer, which comprises detecting the rotation state of a slave roller that rotates following the rotation of the wafer by a detection unit to detect the rotation of the wafer. 前記スレーブローラに、前記スレーブローラの回転にさらに追従して回転するサブローラが連結され、
前記サブローラの周上のいずれかの位置に、切り欠き部が設けられ、
照射されたレーザが前記サブローラの前記切り欠き部を所定の周期で通過するか否かに基づいて、前記ウェーハの回転を検出する、請求項１に記載のウェーハの回転検出方法。 A sub-roller that further follows the rotation of the slave roller is connected to the slave roller, and is connected to the slave roller.
A notch is provided at any position on the circumference of the sub roller.
The wafer rotation detection method according to claim 1, wherein the rotation of the wafer is detected based on whether or not the irradiated laser passes through the notch portion of the sub roller at a predetermined cycle. 前記サブローラの前記切り欠き部の最大径は、前記ウェーハのノッチ部の深さより大きい、請求項２に記載のウェーハの回転検出方法。 The method for detecting rotation of a wafer according to claim 2, wherein the maximum diameter of the notch portion of the sub roller is larger than the depth of the notch portion of the wafer. 前記スレーブローラの周上のいずれかの位置に、切り欠き部が設けられ、
照射されたレーザが前記スレーブローラの前記切り欠き部を所定の周期で通過するか否かに基づいて、前記ウェーハの回転を検出する、請求項１に記載のウェーハの回転検出方法。 A notch is provided at any position on the circumference of the slave roller.
The wafer rotation detection method according to claim 1, wherein the rotation of the wafer is detected based on whether or not the irradiated laser passes through the notch portion of the slave roller at a predetermined cycle. 前記スレーブローラの前記切り欠き部の最大径は、前記ウェーハのノッチ部の深さより大きい、請求項４に記載のウェーハの回転検出方法。 The method for detecting rotation of a wafer according to claim 4, wherein the maximum diameter of the notch portion of the slave roller is larger than the depth of the notch portion of the wafer. 前記検出部は、透過型レーザセンサである、請求項２〜５のいずれか一項に記載のウェーハの回転検出方法。 The method for detecting rotation of a wafer according to any one of claims 2 to 5, wherein the detection unit is a transmission type laser sensor. 前記スレーブローラに、前記スレーブローラの回転にさらに追従して回転するサブローラが連結され、前記サブローラは、前記サブローラの回転状態の情報をエンコードするエンコーダを備え、
前記エンコーダによりエンコードされた前記サブローラの回転状態の情報に基づいて、前記ウェーハの回転を検出する、請求項１に記載のウェーハの回転検出方法。 A sub-roller that further follows the rotation of the slave roller is connected to the slave roller, and the sub-roller includes an encoder that encodes information on the rotation state of the sub-roller.
The wafer rotation detection method according to claim 1, wherein the rotation of the wafer is detected based on the information on the rotation state of the subroller encoded by the encoder. 前記検出部は、前記エンコーダによりエンコードされた前記サブローラの回転状態の情報を受信する受信部と、
前記受信部により受信した前記情報をデコードするデコーダと、を備える、請求項７に記載のウェーハの回転検出方法。 The detection unit includes a receiving unit that receives information on the rotation state of the subroller encoded by the encoder.
The method for detecting rotation of a wafer according to claim 7, further comprising a decoder that decodes the information received by the receiving unit. 前記スレーブローラは、前記スレーブローラの回転状態の情報をエンコードするエンコーダを備え、
前記エンコーダによりエンコードされた前記スレーブローラの回転状態の情報に基づいて、前記ウェーハの回転を検出する、請求項１に記載のウェーハの回転検出方法。 The slave roller includes an encoder that encodes information on the rotational state of the slave roller.
The wafer rotation detection method according to claim 1, wherein the rotation of the wafer is detected based on the information on the rotation state of the slave roller encoded by the encoder. 前記検出部は、前記エンコーダによりエンコードされた前記スレーブローラの回転状態の情報を受信する受信部と、
前記受信部により受信した前記情報をデコードするデコーダと、を備える、請求項９に記載のウェーハの回転検出方法。 The detection unit includes a receiving unit that receives information on the rotation state of the slave roller encoded by the encoder.
The method for detecting rotation of a wafer according to claim 9, further comprising a decoder that decodes the information received by the receiving unit. 前記スレーブローラに、前記スレーブローラの回転にさらに追従して回転するサブローラが連結され、前記サブローラの周上のいずれかの位置に、光を反射する反射部を設け、
前記サブローラの反射部により反射された光を所定の周期で受光するか否かに基づいて、前記ウェーハの回転を検出する、請求項１に記載のウェーハの回転検出方法。 A sub-roller that further follows the rotation of the slave roller is connected to the slave roller, and a reflecting portion that reflects light is provided at any position on the circumference of the sub-roller.
The method for detecting the rotation of a wafer according to claim 1, wherein the rotation of the wafer is detected based on whether or not the light reflected by the reflecting portion of the subroller is received at a predetermined cycle. 前記スレーブローラの周上のいずれかの位置に、光を反射する反射部を設け、
前記スレーブローラの反射部により反射された光を所定の周期で受光するか否かに基づいて、前記ウェーハの回転を検出する、請求項１に記載のウェーハの回転検出方法。 A reflecting portion that reflects light is provided at any position on the circumference of the slave roller.
The wafer rotation detection method according to claim 1, wherein the rotation of the wafer is detected based on whether or not the light reflected by the reflecting portion of the slave roller is received at a predetermined cycle. 前記検出部は、前記反射部に向けて照射されて、前記反射部により反射された光を検出する、請求項１１又は１２に記載のウェーハの回転検出方法。 The method for detecting rotation of a wafer according to claim 11 or 12, wherein the detection unit irradiates the reflection unit and detects the light reflected by the reflection unit. ウェーハを回転させる駆動ローラと、
前記ウェーハの回転に追従して回転するスレーブローラと、
前記スレーブローラの回転を検出する、検出部と、を備え、
前記検出部は、前記スレーブローラの回転を検出して、前記ウェーハの回転を検出することを特徴とする、ウェーハの回転検出システム。 A drive roller that rotates the wafer,
A slave roller that rotates following the rotation of the wafer,
A detection unit that detects the rotation of the slave roller is provided.
The detection unit is a wafer rotation detection system, which detects the rotation of the slave roller and detects the rotation of the wafer.
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