JPH1028842A - ガスの浄化方法及び装置 - Google Patents

ガスの浄化方法及び装置

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ガス中の有害物質特に窒素酸化物の全割合
を、湯合によつては水及び/又は水蒸気の存在下でなる
べく200℃以下の供給で減少できる方法及び装置を提
供する。 【構成】 浄化すべきガスから、50ないし300℃な
るべく50ないし150℃の温度範囲で少なくとも一部
の範囲において、窒素酸化物特にNO及びNOを少な
くとも一部抜取る。窒素酸化物を抜取るため、貯蔵材料
及び貯蔵材料用担体材料から形成される一時貯蔵装置2
が使用され、この一時貯蔵装置2は特に化学式Ag・C
uAlの組成をAlマトリツクス中に持
ち、この組成はスピネル又はスピネル状であり、x線ス
ペクトル中に特有のスピネル線を持つている。抜取られ
たガスは、100℃以上の温度で触媒すべきガスへ再び
引渡され、続いて触媒還元される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、工業で使用されかつこ
こでは公知であると想定されるガスの浄化方法及び装置
に関する。
【0002】
【従来の技術】廃ガス技術において、窒素酸化物を還元
するため、一般化学式、金属(I)金属(II)Al
又は金属(I)酸化物・金属(II)酸化物・Al
を持つ触媒活性のあるスピネル及び/又はスピネ
ル状組成を使用することが公知である。しかしその触媒
作用は、大抵は約150℃以上ではじめて始まる。この
ような材料が例えば特に内燃機関の排気ガスの浄化に使
用されると、始動段階における窒素酸化物の減少は僅か
で、この物質の排出は大きい。更にこれらの材料は、水
及び/又は水蒸気の存在下で、窒素酸化物に関して少な
くとも減少した効果を示す。
【0002】国際出願公開第W094/02244号明
細書から、亜酸化窒素を分解するため使用される銀含有
担体触媒及びその製造方法が公知である。窒素酸化物に
関する使用特に200℃以下の温度におけるその貯蔵
は、この刊行物から公知ではない。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、ガス
中の有害物質特に窒素酸化物の全割合を、場合によつて
は水及び/又は水蒸気の存在下でなるべく200℃以下
の温度で減少できる方法及び装置を開発することであ
る。
【0004】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
本発明によれば、50ないし300℃の温度範囲で少な
くとも一部の範囲においてガスから一時貯蔵装置により
窒素酸化物を抜取り、100℃以上の温度で処理すべき
ガスへ再び引渡し、続いて触媒還元する。
【0005】これにより有害物質の全割合が低下せしめ
られる。窒素酸化物の抜取りは、好都合なように多孔質
でその内部にガス流通路を持つ一時貯蔵装置によつて行
うのが有利で、この一時貯蔵装置は少なくとも2つの材
料即ち窒素酸化物用貯蔵材料及び担体材料から形成され
ている。
【0006】目的にかなうように選ばれる担体材料は、
窒素酸化物を貯蔵する温度範囲で炭化水素に関して貯蔵
作用を持つと共に、窒素酸化物に関して物質に特有な反
応温度の値以上で触媒活性作用を持つている。これは、
炭化水素で運転される内燃機関、発電所又はガソリン機
関又はデイーゼル機関において、本発明による方法又は
一時貯蔵装置を使用する除、特に有利である。
【0007】有利なように担体材料により、炭化水素を
利用して窒素酸化物の触媒還元が行われる反応温度以上
の温度で、貯蔵されている炭化水素が再びガスへ引渡さ
れる。
【0008】この場合担体材料の反応温度が、窒素酸化
物を貯蔵する温度範囲又はその上限以下にあると、貯蔵
材料の貯蔵作用が低下する時に窒素酸化物の還元作用が
増大するので、好都合である。
【0009】一時貯蔵装置の貯蔵材料用担体材料とし
て、化学式CuMeAlによるスピネル及び
/又はスピネル状の組成を使用するのが有利である。な
ぜならばこのようなスピネル及び/又はスピネル状の組
成は、約150℃以上の高い温度で、窒素酸化物に関し
てかなりの触媒作用を持つているからである。この場合
低い温度では、ガスから窒素酸化物のみならず炭化水素
も少なくとも一部抜取られ、それにより全有害物質排出
の減少が実現される。
【0010】内燃機関の排気系において、一時貯蔵装置
は有利なようにフイルタ体として使用され、担体材料の
反応温度以下の温度ではNO及び炭化水素の貯蔵を行
い、反応温度以上の温度では炭化水素の酸化及び窒素酸
化物の還元を行い、後者の温度範囲で、前もつて貯蔵さ
れている炭化水素及び窒素酸化物のガスへの引渡しが行
われる。
【0011】この場合酸化及び還元及び炭化水素の一時
貯蔵は、場合によつては前記の物質及び/又は元素とは
別の物質及び/又は元素を持つ担体材料により引継が
れ、NOの一時貯蔵は貯蔵材料により行われる。
【0012】それ以外の有効な構成は従属請求項からわ
かる。更に図面に示されている実施例に基いて、本発明
を以下に説明する。
【0013】
【実施例】図1にはガスの処理装置として浄化装置が示
され、そのフイルタ体として構成される一時貯蔵装置2
は、特に乗用車のガソリン機関の排気ガス管路9に組込
まれている。多孔質一時貯蔵装置2は、とりわけ貯蔵材
料及び貯蔵材料用担体材料から形成されている。
【0014】貯蔵材料として第1及び/又は第8副族の
1つ以上の金属及び/又はその1つ以上の金属化合物特
に酸化物及び/又はその1つ以上の合金が選はれる。
【0015】本実施例では、一時貯蔵装置は一般化学式
Ag・CuAlの銀を含む組成物であり、国際出
願公開第W094/02244号明細書から公知の方法
により担体材料から製造される。ここで貯蔵材料として
銀が使用され、CuAlが担体材料である。一時
貯蔵装置2は、窒素酸化物含有ガスには145℃以下の
温度で窒素酸化物が恐らく吸着により貯蔵され、145
℃以上で再び遊離される。
【0016】排気ガス中に無視できない割合の水が存在
する場合にも、この過程が行われる、という事情は特に
興味のあることである。この驚くべき効果は、図4によ
る線図から明らかである。
【0017】図4による線図の測定のために、貯蔵材料
及び担体材料から成りかつペレツトで押出される多孔質
組成物が、加熱可能な反応装置内で、約30000l/
hの流速を持つガス流にさらされた。ガスの組成は次の
通りであつた。即ちAr+800ppm NO+800
ppm C+100%HO。比較のため水の存
在下で他のスピネル挙動も示している線図から、145
℃以下でNOの貯蔵が明らかに認められる。更に145
℃以上でNO濃度が導入された800ppmNOの割合
を越えて増大していることは、前に貯蔵されていたNO
が再び放出されることを示している。燃焼の際水が生ず
るので、貯蔵材料のこの性質は重要な意味を持つてい
る。
【0018】一時貯蔵装置2は流通路4を持ち、浄化す
べき排気ガスがこの流通路4を通つて流れ、わかり易く
するためここでは流通路4が直線通路として示されてい
る。
【0019】流通路4を通つて流れる排気ガスはとりわ
け炭化水素を含み、触媒作用する担体材料の特定の反応
温度以上でこの炭化水素は、同様に排気ガス中に存在す
る窒素酸化物、この場合特にNO及びNOに対する還
元剤として役立つ。しかし特定の処理区間後に炭化水素
は消費されるので、一時貯蔵装置2は有害物質に対する
触媒作用に関して飽和せしめられる。
【0020】浄化装置の一時貯蔵装置2内で有害物質の
引続く還元が可能であるようにするため、触媒として作
用する狙体材料及び貯蔵材料から成る一時貯蔵装置2
が、2つの流通路4の間に、還元剤用供給装置の添加通
路3を持つている。添加通路3は供給装置の図示しない
貯蔵槽に接続されている。添加通路3は目的にかなうよ
うに適当な安全手段を介して自動車のタンク通気部に接
続されているので、特にタンクのガス空間が貯蔵槽を形
成している。
【0021】盲穴状添加通路3は、排気ガスの流れ方向
1に見て、ガス流入側で閉鎖されており、ガス流出側で
貯蔵槽に接続されている。有効な還元剤としてアンモニ
アがよく、自動車に使用するのに炭化水素がよいことが
わかつた。
【0022】還元剤を供給するため、還元剤はガス流出
側で流入し、多孔質で毛管作用のある一時貯蔵装置2を
通つて流通路4へ拡散し、そこで蒸発し、それにより一
部浄化されている排気ガスにおいて還元剤の濃度が高め
られる。
【0023】一時貯蔵装置2内で行われる炭化水素の濃
度の増大により、前浄化された排気ガス中に残つている
有害物質は、一時貯蔵装置2を排気ガスが更に通る間に
更に還元され、それにより浄化装置全体において排気ガ
スが一層よく浄化される。有害物質の減少は、一酸化炭
素及び/又は炭化水素の濃度に関しても有利に行われ
る。
【0024】供給される還元剤の量が多すぎないように
するため、供給装置が計量装置(図示せず)例えば容積
形ポンプを持つのがよく、それにより還元剤の添加を精
確に計量することができる。
【0025】添加通路3は、一時貯蔵装置2の外周から
始まつて、排気ガスの流れ方向1に対して直角に一時貯
蔵装置2の中心まで形成することもできる。この図示し
ない実施例は、ただ1つの添加通路3で複数の流通路4
へ同時に還元剤を供給することができる。更にここで、
1つ又は複数の添加通路3へ一時貯蔵装置2の外周から
還元剤を簡単に供給できることが有利である。
【0026】多孔質に構成される一時貯蔵装置2では、
好ましいように、供給装置が一時貯蔵装置2の周曲側に
設けられるノズル特に環状ノズルを持ち、このノズルを
通つて還元剤が、一時貯蔵装置2を通る排気ガスの流れ
方向1に対してなるべく直角に流出可能である。多孔質
一時貯蔵装置2の細孔を通つて流れる排気ガスの方向に
おけるなるべくガス状の還元剤の移送も、同様に一時貯
蔵装置2の細孔を通して行われる。
【0027】還元剤の添加は、一時貯蔵装置2の飽和長
に相当する処理区間の後で行われるのがよく、この飽和
長はガスの通る区間に相当し、流れ方向1に見てこの区
間の後で、一時貯蔵装飾2の担体材料に有害物資減少の
飽和特に窒素酸化物の還元の飽和がおこる。
【0028】図2には別の浄化装置が示され、その一時
貯蔵装置2も同様に内燃機関特にガソリン機関又は希薄
混合気で運転されるガソリン機関の排気ガス管路9に設
けられている。しかし余分な反覆を避けるため、この実
施例と図1による実施例との相違にのみ立入ることにす
る。
【0029】図2による実施例では、供給装置は、排気
ガスを通される一時貯蔵装置2の前でガス流入側に設け
られて還元剤を霧化する霧化ノズル5を持つている。こ
の霧化ノズル5は、少なくとも飽和長に相当する特定の
深さだけ一時貯蔵装置2へ侵入した後に始めて滴が一時
貯蔵装置2中で完全に蒸発するような大きさの滴で還元
剤が霧化されるように、霧化ノズル5が寸法を定められ
ている。このような滴の大きさは例えば経験的に求める
ことができる。従つて一時貯蔵装置2内における還元剤
の再度の添加は、一時貯蔵装置2内における滴の蒸発に
よつて行われる。
【0030】図3には浄化装置の別の実施例が示されて
いるが、余分な反覆を避けるため、この実施例と図1に
よる実施例との相違について立入ることにする。
【0031】図3による実施例では、一時貯蔵装置2は
フイルタカスケードのように3分割して構成されてい
る。排気ガスを通されかつ多孔質に構成される一時貯蔵
装置2の部分体7,7′,7″は空間的に互いに離さ
れ、排気ガスの流れ方向1に前後に設けられている。流
れ方向1に測つた部分体7,7′,7″の長さは、有利
なように一時貯蔵装置2の担体材料の飽和長に相当して
いる。
【0032】一時貯蔵装置2の部分体7,7′,7″の
間に設けられる中間空間8,8′には、供給装置に付属
するノズル5及び6が設けられている。第1の中間空間
8では縁側に設けられて半径方向内方へ流出を行う環状
ノズル6、及び第2の中間空間8′では中心に開口する
霧化ノズル5から、還元剤がそれぞれの中間空間8,
8′へ流入し、既に一部浄化された排気ガスと混合す
る。従つて中間空間8,8′は一種の混合室と解釈する
ことができる。中間空間8,8′で還元剤を添加される
排気ガスは、有害物質を更に減少するため次の部分体
7′又は7″へ送られる。
【0033】すべての実施例において、担体材料はスピ
ネルであり、本発明においてスピネルとは、一般化学式
の材料を意味し、この材料は、少なくとも
微視的に、面心に設けられる酸素イオン及び四面体及び
八面体の空格子点を持つ結晶又は結晶状の立方格子構造
を持ち、四面体空格子点にはA粒子及び50%までのB
粒子が設けられ、八面体空格子点には残りのB粒子が設
けられている。ここでA粒子又はB粒子はその結晶学的
配置のみを意味する。
【0034】本発明において、化学量論比以下の化合物
及び/又は組成物もスピネルとみなされ、Bがマ
トリツクスとして、機能し、x線スペクトルにおいてこ
れらの化合物及び/又は組成物は特有のスペクトル線を
持ち、正式の組成AのスピネルはB
トリツクス中に存在するので、正式にAa(1−x)
の化学量論比が生ずる。物質的な点でA粒子及び
B粒子は互いに異なつていてもよい。
【0035】担体材料として使用されるスピネルにおい
て、A粒子はA群Mg,Ca,Mn,Fe,Ni,C
o,Cu,Zn,Sn及びTiの1つ以上の元素であ
り、B粒子はB群Al,Ga,In,Co,Fe,C
r,Mn,Cu,Zn,Sn,Ti及びNiの1つ以上
の元索である。しかし注意すべきことは、排除群Mn,
Fe及びCoの元素のいずれも同時にA粒子及びB粒子
であり得ないことである。
【0036】この場合少なくともスピネル状の次の組成
が特に目的にかなつていることがわかつた。(MgC
u)Al,(CuCu)Al,(CuZ
n)Al,(CoZn)CuAl,(Zn
Cu)AlとWO及び/又はV及び/又
はTiOとの混合物、この場合特にMg0.5Cu
0.5Al,Cu0.5Cu0.5Al
Cu0.5Zn0.5Al,Co0.25Zn
0.25Cu0.5Alの組成、又はその10%
WO及び/又は6%V及び/又は84%TiO
及び/又はAlとの混合物。
【0037】更に担体材料として使用されるスピネル
に、触媒活性元素パラジウム、白金、ロジウム、ルテニ
ウム、オスミウム、イリジウム、レニウム及び/又はラ
ンタン、セリウム、バナジウム、チタン、ニオブ、モリ
ブデン、タングステンのような希土類元索、及び/又は
その塩及び/又はその酸化物を添加するとよいことがわ
かつた。
【0038】上述した材料の若干又はその組合わせにつ
いて、以下の例で更に説明する。
【0039】例1)担体材料用スピネルとして、特に組
成Cu0.5Cu0.5Alの銅を含浸される銅
−アルミニウムスピネルが使用される。スピネルの製造
は、ドイツ連邦共和国特許出願公開第43014709
号明細書から公知のような方法で行われる。温度に関係
するNO−CO線図を記録するために、銅で含浸さ
れるCuAlスピネルの10gの破片が、垂直に
設けられる石英反応器(直径20mm,高さ約500m
m)へ入れられ、試料を露出するためその中央にガス透
過性フリツトが設けられる。堆積高さは約15mmであ
る。石英反応器の周りに炉が設けられて、反応器中間部
分を約100mmの長さにわたつて加熱し、その際55
0℃までの温度が得られる。
【0040】担体材料を通して1時間当り約10000
の空間速度で、1000ppmのNO、1000ppm
のプロペン、10%の酸素及び残部は担体ガスとしての
アルゴンから成る混合ガスが導かれる。反応器の下でガ
ス検出器によりNO濃度が測定され、検出の前に万一形
成されるNOはコンバータで酸化窒素NOに還元され
る。同時にCOへの炭化水素の酸化が、ガス検出器に
よるCO含有量の測定によつて観祭される。
【0041】スピネルの測定の結果として、NO割合及
びCO割合の推移が温度の関数として得られる。温長
の上昇と共にNO(NO)濃度の著しい減少が認めら
れ、この濃度は276ないし294℃で最低点に達し、
続いて再び増大する。銅を含浸されるCuAl
ついては、約200℃以上でNO濃度の著しい減少が
観察され、同時に、CO濃度の増大で示されるよう
に、炭化水素がCOに分解される。NOの還元が行
われる温度区間は、材料の組成に応じて200ないし4
00℃である。
【0042】測定方法は対比可能なので、次の例におい
て、不必要な反覆を避けるため、生ずる相違についての
み述べる。
【0043】例2)担体材料用スピネルとして、特にM
0.5Cu0.5Alの組成のマグネシウム−
銅−アルミニウムスピネルが使用される。スピネルの製
造は、ドイツ連邦共和国特許出願公開第4301470
9号明細書から公知の方法と同じように有利に行われ
る。
【0044】NO割合の推移は、温度の上昇と共にNO
濃度の著しい減少を示し、この濃度は約320℃で最低
点に達する。
【0045】例3)担体材料としてスピネル構造を持つ
組成20%ZnO,16%CuO及び64%Al
の混合物が使用され、この混合物は以下の例3乃至7で
単にZnCuAlスピネルと称され、1.6重量
%のCeOを含浸されている。
【0046】ZnCuAlスピネルの測定の結果
として、温度の上昇と共にNO(NO)濃度の著しい
減少が生じ、この濃度は約430℃で最低点に達し、続
いて再び増大する。ZnCuAlスピネル+1.
6重量%CeOについては、約150℃以上でNO
度の激しい減少が観察され、CO濃度の増大で示され
るように、同時に炭化水素がCOに分解される。NO
の還元が行われる温度区間は、材料の組成に応じて1
50ないし500℃である。
【0047】例4)担体材料用スピネルとして、付加的
に8重量%CeOを持つ上記のZnCuAl
ピネルが使用される。このスピネルを製造するため、Z
nCuAlスピネルから出発し、このスピネルに
8重量%のCeOが含浸される。
【0048】8重量%のCeOで含浸されるZnCu
Alスピネルの測定の結果として、温度の上昇と
共にNO(NO)濃度の著しい減少が生じ、この濃度
は約300℃で最低点に達し、続いて再び増大する。
【0049】ZnCuAlスピネル+8重量%C
eOについて、約200℃以上でNO濃度の激しい
減少が観察され、CO濃度の増大により示されるよう
に、同時に炭化水素がCOに変換される。NOの還
元が行われる温度区間は、材料の組成に応じて200な
いし500℃である。
【0050】例5)担体材料用スピネルとして、今やタ
ングステン、バナジウム及びチタンの酸化物に混合され
る上述のZnCuAlスピネルが使用される。こ
の混合物は50重量%までZnCuAlスピネル
を含み、混合物の残りの50重量%は、5重量%のWO
、3重量%のV及び42重量%のTiOから
形成されている。
【0051】例5による測定の結果として、温度の上昇
と共にNO(NO)濃度の著しい減少が生じ、この濃
度は約240℃で最低点に達し、続いて再び増大する。
【0052】この混合物について約150℃以上でNO
の激しい減少が観察され、CO濃度の増大により示
されるように、同時に炭化水素がOに分解される。N
の還元が行われる温度区間は、材料の組成に応じて
150ないし500℃である。
【0053】例6)担体材料用スピネルとして、0.1
重量%のバナジウムを含浸される公知の組成のZnCu
Alスピネルが使用される。
【0054】例6によるスピネルの測定の結果として、
温度の上昇と共にNO(NO)濃度の著しい減少が生
じ、この濃度は約300℃で最低点に達し、続いて再び
増大する。
【0055】ZnCuAlスピネル+バナジウム
について、約170℃以上でNO濃度の激しい減少が
観察され、CO濃度の増大により示されるように、同
時に炭化水素がCOに分解される。NOの還元が行
われる温度区間は、材料の組成に応じて170ないし5
00℃である。
【0056】例7)担体材料用スピネルとして、0.5
重量%のパラジウムを含浸されるZnCuAl
ピネルが使用される。例7によるスピネルの測定の結果
として、温度の上昇と共にNO(NO)濃度の著しい
減少が生じ、この濃度は約280℃で最低点に達し、続
いて再び増大する。
【0057】ZnCuAlスピネル+0.5重量
%Pdについて、180℃以上でNO濃度の激しい減
少が観察され、CO濃度の増大により示されるよう
に、同時に炭化水素がCOに分解される。NOの還
元が行われる温度区域は、材料の組成に応じて180な
いし500℃である。
【0058】すべての例において、上述した温度区間
は、有利なように内燃機関の排気ガス管路に生ずる可能
性のある温度の範囲にある。
【0059】担体材料のために使用されるスピネルは、
比較的低い温度でも良好な反応性能を示し、更にこの反
応温度以下で炭化水素の良好な貯蔵性能を示すので、理
論空燃比で運転される内燃機関のいわゆる三元触媒にお
いて、特にHC及び/又はCO及び/又はNO排気ガ
ス触媒として使用するのに適している。
【0060】これらの担体材料についてのそれ以外の研
究の結果、更にNO,HO,CO及びHOに対
して高い安定度のあることもわかつた。
【図面の簡単な説明】
【図1】同時に一時貯蔵装置として構成される一時貯蔵
装置を持つ内燃機関の排気ガス浄化装置の縦断面図であ
る。
【図2】異なる一時貯蔵装置を持つ排気ガス浄化装置の
縦断面図である。
【図3】3分割の一時貯蔵装置を持つ排気ガス浄化装置
の縦断面図である。
【図4】温度に関係するNO濃度の線図である。
【符号の説明】
2 一時貯蔵装置 3 還元剤添加通路 4 排気ガス流通路
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 B01D 53/36 102H (71)出願人 591027307 バスフ アクチェンゲゼルシャフト BASF AKTIENGESELLSC HAFT ドイツ連邦共和国、6700、ルードウィッヒ スハーフェン、カール−ボッシュ−ストラ ーセ、38 (72)発明者 ヴアルテル・ベーグネル ドイツ連邦共和国レムゼツク・ネツカルハ ルデ24 (72)発明者 ロルフ−デイルク・ロイツハイム ドイツ連邦共和国ドルンシユタツト・ブル ツクネルシユトラーセ4 (72)発明者 マルテイン・ハルトヴエーク ドイツ連邦共和国エルバツハ・アム・ヴア ル5 (72)発明者 アンドレア・ザイボルト ドイツ連邦共和国ブラウシユタイン・ヒユ ーレンヴエーク16 (72)発明者 トーマス・フエツエル ドイツ連邦共和国シユパイエル・ヴオルム ゼル・ラントシユトラーセ144 (72)発明者 ベルント・モールスバツハ ドイツ連邦共和国ルートヴイヒスハーフエ ン・ウテシユトラーセ22

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 50ないし300℃の温度範囲で少なく
    とも一部の範囲においてガスから一時貯蔵装置(2)に
    より窒素酸化物を抜取り、100℃以上の温度で処理す
    べきガスへ再び引渡し、続いて触媒還元することを特徴
    とする、ガスの浄化方法。
  2. 【請求項2】 50ないし150℃の温度範囲で窒素酸
    化物を抜取ることを特徴とする、請求項1に記載の方
    法。
  3. 【請求項3】 150℃以上の温度で窒素酸化物を処理
    すべきガスへ再び引渡すことを特徴とする、請求項1に
    記載の方法。
  4. 【請求項4】 窒素酸化物がNO及びNOCから成る
    ことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
  5. 【請求項5】 処理すべきガスとして水及び水蒸気のう
    ち少なくとも1つを含むガスを使用することを特徴とす
    る、請求項1に記載の方法。
  6. 【請求項6】 貯蔵材料及び貯蔵材料用担体材料から成
    る一時貯蔵装置(2)がガス中に少なくとも一部設けら
    れ、貯蔵材料が1つ以上の金属及びその酸化物及びその
    合金のうち少なくとも1つから構成されていることを特
    徴とする、請求項1ないし4の1つに記載の方法を実施
    するための装置。
  7. 【請求項7】 貯蔵材料が、周期系の第1又は第8又は
    第1及び第8の副族の1つ以上の金属及びその酸化物及
    びその合金のうち少なくとも1つから成ることを特徴と
    する、請求項6に記載の装置。
  8. 【請求項8】 貯蔵材料が銀を含んでいることを特徴と
    する、請求項7に記載の装置。
  9. 【請求項9】 貯蔵材料及び担体材料から成る一時貯蔵
    装置(2)が、スピネル及びスピネル状の形式のうち少
    なくとも1つの形式で結晶する一般化学式Ag・Cu
    MeAlの組成を持ち、ここでMeは2価の金
    属、x及びyは0と1との間の値、x+y≦1であるこ
    とを特徴とする、請求項7に記載の装置。
  10. 【請求項10】 担体材料が窒素酸化物に対して触媒還
    元作用することを特徴とする、請求項6に記載の装置。
  11. 【請求項11】 担体材料が一般化学式A
    はA酸化物・B酸化物(A及びBは金属)を持ち、かつ
    少なくとも微視的に、面心に設けられる酸索原子と四面
    体及び八面体の空格子点を持つ結晶又は結晶状の立方格
    子構造を持ち、四面体空格子点にA粒子及び50%まで
    のB粒子が設けられ、八面体空格子点に残りのB粒子が
    設けられ、a+b≦3及びa,b>0であることを特徴
    とする、請求項6に記載の装置。
  12. 【請求項12】 担体材料が触媒活性を持ち、かつB
    マトリックス中に一般化学式Aa(1−x)
    の化学量論比以下の組成を持ち、組成がスピネル又は
    スピネル状であり、組成がx線スペクトル中に特有のス
    ピネル線を持ち、a+b<3,a,b>0及び0≦x<
    1であることを特徴とする、請求項6に記載の装置。
  13. 【請求項13】 A粒子がA群Mg,Ca,Mn,F
    e,Ni,Co,Cu,Zn,Sn及びTiの元素であ
    り、B粒子がB群Al,Ga,In,Co,Fe,C
    r,Mn,Cu,Zn,Sn,Ti及びNiの元素であ
    ることを特徴とする、請求項11又は12に記載の装
    置。
  14. 【請求項14】 A粒子がA群Mg,Ca,Mn,F
    e,Ni,Co,Cu,Zn,Sn及びTiの元素であ
    り、B粒子がB群Al,Ga,In,Co,Fe,C
    r,Mn,Cu,Zn,Sn,Ti及びNiの元素であ
    り、排除群Mn,Fe及びCoのA粒子及びB粒子に対
    して、それぞれ使用されるA粒子及びB粒子が同じでな
    いことを特徴とする、請求項11又は12に記載の装
    置。
  15. 【請求項15】 担体材料が化学式Ala1(1−x)
    A2a2(1−x)の材料であり、Al粒子及
    びA2粒子がA群の粒子であり、a1+a2+b≦3,
    a1,a2,b>0,0≦x<1であることを特徴とす
    る、請求項14に記載の装置。
  16. 【請求項16】 担体材料が化学式Ala1(1−x)
    A2a2(1−x)の材料であり、Al粒子及
    びA2粒子がA群の粒子であり、a1+a2≦1,a
    1,a2>0,0≦x<1であることを特徴とする、請
    求項13に記載の装置。
  17. 【請求項17】 担体材料が化学式Al
    0.5(1−x)A20.5(1−x)の材料
    であり、0≦x<1であることを特徴とする、請求項1
    3に記載の装置。
  18. 【請求項18】 担体材料から形成される担体本体が不
    均一触媒として構成され、担体本体が、パラジウム、白
    金、ロジウム、ルテニウム、オスミウム、イリジウム、
    レニウムのような1つ以上の触媒活性元素、及びランタ
    ン、セリウム、バナジウム、チタン、ニオブ、モリブデ
    ン、タングステンのような希土類元素、及びその塩、及
    びその酸化物のうち1つを含んでいることを特徴とす
    る、請求項11又は12に記載の装置。
  19. 【請求項19】 一時貯蔵装欄(2)がその内部にガス
    流通路を持つていることを特徴とする、請求項6に記載
    の装置。
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