JPH10282521A - Reflection type liquid crystal display device - Google Patents
Reflection type liquid crystal display deviceInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、反射層による反射
率を高めて光の利用効率の向上を図った反射型液晶表示
装置に関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a reflection type liquid crystal display device in which the reflectivity of a reflection layer is increased to improve light use efficiency.
【0002】[0002]
【従来の技術】液晶カラーディスプレイ等の液晶表示装
置は、軽量、薄型といった優れた特徴があることから、
小型テレビ、ビデオカメラ、デジタルカメラ等のAV機
器や、ワープロ、パソコン等のOA機器のためのディス
プレイとして現在広く用いられている。ところが、従来
の液晶表示装置では、光の利用効率が数%と低いことか
らバックライトが必要となり、消費電力が高くなってし
まうといった改善すべき課題があった。このような課題
に対し、自然光を利用する反射型の液晶表示装置が提案
され、実用に供されている。2. Description of the Related Art A liquid crystal display device such as a liquid crystal color display has excellent features such as light weight and thinness.
Currently, it is widely used as a display for AV devices such as small televisions, video cameras, and digital cameras, and OA devices such as word processors and personal computers. However, in the conventional liquid crystal display device, there is a problem to be improved such that a backlight is required because light use efficiency is as low as several percent and power consumption is increased. In response to such a problem, a reflective liquid crystal display device using natural light has been proposed and put to practical use.
【0003】このような反射型液晶表示装置において
は、表示面を構成するパネルの透過率を高め、かつ反射
層の反射率を高めることが明るさを確保するための重要
な技術となっており、例えば透明電極の透過率を高める
といった試みがなされている。また、入射光を反射する
ための反射層については、反射特性的には銀(Ag)が
優れているものの、劣化や経済的考慮から一般的にはア
ルミニウム(Al)が用いられている。ところが、この
ようなAlなどからなる金属反射層は傷が付きやすく酸
化も起こるので、通常はシリコン酸化膜などの保護膜が
必要となる。In such a reflection type liquid crystal display device, increasing the transmittance of a panel constituting a display surface and increasing the reflectance of a reflection layer are important technologies for ensuring brightness. For example, attempts have been made to increase the transmittance of a transparent electrode. As for the reflection layer for reflecting incident light, although silver (Ag) is excellent in reflection characteristics, aluminum (Al) is generally used from the viewpoint of deterioration and economical considerations. However, such a metal reflective layer made of Al or the like is easily damaged and oxidized, so that a protective film such as a silicon oxide film is usually required.
【0004】また、反射型液晶表示装置として、二色性
色素を含有する液晶層を用いたゲストホストモードの装
置が知られている。この反射型ゲストホスト液晶表示装
置は、偏光子を用いないことによって透過率を高め、明
るさを高めるようにしたものである。A guest-host mode device using a liquid crystal layer containing a dichroic dye is known as a reflection type liquid crystal display device. This reflective guest-host liquid crystal display device is configured to increase the transmittance and the brightness by using no polarizer.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、反射型
液晶表示装置では、前述したように明るさを高めるべく
反射率向上が望まれているものの、その反射層上には、
保護膜の形成以外には反射率を上げる目的での成膜はな
されておらず、したがって明るさを十分に確保するまで
には至っていないのが実状である。また、反射型ゲスト
ホスト液晶表示装置においても、装置の構成要素となる
各層毎に吸収が起こるため、結果として光の利用効率、
すなわち反射率が低くなるといった課題がある。具体的
には、界面での反射やITO電極、液晶層、反射層など
で吸収が起こるのである。特に、反射層としては前述し
たように通常Alを用いているが、これの反射率は90
%程度であり、より高度な明るさを得るためには十分な
反射率とはいえないのである。However, in the reflection type liquid crystal display device, as described above, although it is desired to improve the reflectance in order to increase the brightness, the reflection layer is provided on the reflection layer.
Except for the formation of the protective film, no film is formed for the purpose of increasing the reflectivity, and thus, in reality, the brightness has not yet been sufficiently ensured. Also, in the reflection type guest-host liquid crystal display device, since absorption occurs in each layer as a constituent element of the device, as a result, light use efficiency,
That is, there is a problem that the reflectance is low. Specifically, reflection occurs at the interface and absorption occurs at the ITO electrode, the liquid crystal layer, the reflection layer, and the like. In particular, as described above, Al is usually used for the reflective layer, and the reflectivity thereof is 90%.
%, Which is not enough reflectance to obtain higher brightness.
【0006】本発明は前記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、反射層による反射率を向
上し、明るく高画質な表示を可能にする反射型液晶表示
装置を提供することにある。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a reflection type liquid crystal display device which improves the reflectance by a reflection layer and enables bright and high quality display. It is in.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明者は、前記課題を
解決するため鋭意研究を進めた結果、反射型液晶表示装
置における反射層に応用した例は知られていないもの
の、反射率を上げる目的で誘電体膜をオーバーコートす
る技術があることに考え到り、この技術を反射層に応用
するようにして本発明を完成した。Means for Solving the Problems The present inventor has made intensive studies to solve the above-mentioned problems. As a result, although no example is known in which the present invention is applied to a reflective layer in a reflective liquid crystal display device, the reflectance is increased. The inventors came to the conclusion that there was a technique for overcoating a dielectric film for the purpose, and completed the present invention by applying this technique to a reflective layer.
【0008】すなわち、本発明における請求項1記載の
反射型液晶表示装置では、透明電極を備えた透明基板
と、複数の画素電極およびこれら画素電極を駆動するス
イッチング素子を備えるとともに入射光を反射させる反
射層および1/4波長層を形成した対向基板とを所定の
間隙を介して対向させ、該間隙に二色性色素を含有する
液晶層を形成してなり、前記反射層が、凸凹面を有して
形成された金属膜と、屈折率の異なる複数種の誘電体薄
膜が前記金属膜の上に積層されて形成された積層膜と、
から構成されたことを前記課題の解決手段とした。That is, the reflection type liquid crystal display device according to the first aspect of the present invention includes a transparent substrate having a transparent electrode, a plurality of pixel electrodes and switching elements for driving the pixel electrodes, and reflects incident light. A reflective layer and a counter substrate on which a quarter-wave layer is formed are opposed to each other with a predetermined gap therebetween, and a liquid crystal layer containing a dichroic dye is formed in the gap. The reflective layer has an uneven surface. A metal film formed having, a laminated film formed by laminating a plurality of types of dielectric thin films having different refractive indexes on the metal film,
Is a means for solving the above problem.
【0009】この反射型液晶表示装置によれば、反射層
が、凸凹面を有して形成された金属膜と、屈折率の異な
る複数種の誘電体薄膜からなる積層膜とによって構成さ
れているので、例えば以下に述べる原理に基づいて積層
膜の構成を設定することにより、金属膜単層による反射
層の場合に比べ、その反射率を高めることが可能にな
る。According to this reflection type liquid crystal display device, the reflection layer is composed of a metal film formed with an uneven surface and a laminated film made of a plurality of types of dielectric thin films having different refractive indexes. Therefore, for example, by setting the configuration of the laminated film based on the principle described below, it is possible to increase the reflectance as compared with the case of a reflective layer composed of a single metal film.
【0010】一般に、薄膜により反射率Rを高めるため
には、以下に示す式(1)、式(2)を満足させるよう
にすればよいことが知られている。すなわち、図5に示
すように屈折率がn0 の薄膜T0 、屈折率がn1 の薄膜
T 1 、屈折率がn2 の薄膜T2 が入射側と反対の側から
この順に積層されている場合、 R=(n1 2 −n0 n2 /n1 2 +n0 n2 )2 …(1) n1 d1 =(λ/4)(2k+1) …(2) (ただし、d1 は薄膜T1 の厚さ、λは入射光の波長、
kは0または正の整数である。) ここで、T0 を金属膜とし、T2 が空気層(すなわちn
2 =1)であると考えた場合に、n1 >n0 であれば、
金属膜T0 と薄膜T1 とからなる積層膜の反射率Rは、
薄膜T1 がなく金属膜T0 単層の場合の反射率より高く
なる。Generally, in order to increase the reflectance R by using a thin film,
Is such that the following equations (1) and (2) are satisfied.
It is known that this should be done. That is, as shown in FIG.
So that the refractive index is n0Thin film T0, The refractive index is n1Thin film
T 1, The refractive index is nTwoThin film TTwoFrom the side opposite to the incident side
When stacked in this order, R = (n1 Two-N0nTwo/ N1 Two+ N0nTwo)Two ... (1) n1d1= (Λ / 4) (2k + 1) (2) (where d1Is a thin film T1, Λ is the wavelength of the incident light,
k is 0 or a positive integer. ) Where T0Is a metal film, and TTwoIs the air layer (ie, n
Two= 1), then n1> N0If,
Metal film T0And thin film T1The reflectance R of the laminated film consisting of
Thin film T1No metal film T0Higher than single layer reflectivity
Become.
【0011】また、T0 が金属膜である場合、この膜に
おいて吸収が起こるので、その屈折率は複素数で表さ
れ、n−ikとして扱われる。例えば金属膜T0 の上
に、屈折率がn1 の誘電体膜T1 と屈折率がn2 の誘電
体膜T2 とをそれぞれの膜厚が(λ/4)の厚さとなる
ように二層コーティングしたとき、その反射率は、 R=〔{1−(n1 /n2 )2 (n−ik)}/{1+
(n1 /n2 )2 (n−ik)}〕2 となる。Further, if T 0 is a metal film, since the absorption in this layer occurs, the refractive index is represented by a complex number, it is treated as n-ik. For example on the metal film T 0, as the dielectric film T 1 and the refractive index of the refractive index n 1, each of the film thickness and the dielectric film T 2 of the n 2 is the thickness of (λ / 4) when two-layer coating, the reflectivity, R = [{1- (n 1 / n 2 ) 2 (n-ik)} / {1+
(N 1 / n 2 ) 2 (n−ik)} 2 .
【0012】本発明における請求項2記載の反射型液晶
表示装置では、透明電極を備えた透明基板と、複数の画
素電極およびこれら画素電極を駆動するスイッチング素
子を備えるとともに入射光を反射させる反射層および1
/4波長層を形成した対向基板とを所定の間隙を介して
対向させ、該間隙に二色性色素を含有する液晶層を形成
してなり、前記反射層が、凸凹面を有して形成された凸
凹層と、屈折率の異なる複数種の誘電体薄膜が前記凸凹
層の上に多層積層されて形成された多層積層膜と、から
構成された前記課題の解決手段とした。According to a second aspect of the present invention, there is provided a reflective liquid crystal display device, comprising a transparent substrate having a transparent electrode, a plurality of pixel electrodes and a switching element for driving the pixel electrodes, and a reflective layer for reflecting incident light. And 1
A counter substrate having a wavelength layer formed thereon is opposed to the substrate via a predetermined gap, and a liquid crystal layer containing a dichroic dye is formed in the gap, and the reflective layer is formed to have an uneven surface. And a multilayer laminated film formed by laminating a plurality of types of dielectric thin films having different refractive indices on the irregular layer.
【0013】この反射型液晶表示装置によれば、反射層
が、凸凹面を有して形成された凸凹層と、屈折率の異な
る複数種の誘電体薄膜が前記凸凹層の上に多層積層され
て形成された多層積層膜とによって構成されているの
で、例えば以下に述べる原理に基づいて多層積層膜の構
成を設定することにより、反射層の反射率を高めること
が可能になる。According to this reflection type liquid crystal display device, the reflection layer is formed with a concave and convex surface, and a plurality of types of dielectric thin films having different refractive indices are laminated on the concave and convex layer. Therefore, the reflectance of the reflective layer can be increased by setting the configuration of the multilayer laminated film based on, for example, the principle described below.
【0014】誘電体薄膜を、屈折率が高い薄膜TH (屈
折率;nH )と、屈折率が低い薄膜TL (屈折率;
nL )との二種類(すなわち、nH >nL )とし、これ
ら二種類の薄膜を、 Ta /TH (TL TH )q /T0 {ただし、Ta は薄膜TH と薄膜TL とからなる多層積
層膜(TH (TL TH ) q )の上の層となる膜を表し、
T0 は前記多層積層膜の下地となる凸凹層(屈折率;n
0 )を表し、qは薄膜TH と薄膜TL との積層数、すな
わち正の整数を表す。)となるように交互に多層積層し
た場合に、反射率は、以下に示す式(3)で表される。 R=〔{1−(nH /nL )2q(nH /n0 )}/{1+(nH /nL )2q (nH /n0 )}〕2 …(3) したがって、このような式から求められる反射率が高い
値となるよう、前記多層積層膜の構成を適宜に設定して
作製することにより、反射率を向上させることができる
のである。The dielectric thin film is replaced with a thin film T having a high refractive index.H(Crown
Folding rate; nH) And a thin film T having a low refractive indexL(Refractive index;
nL) And two types (ie, nH> NL) And this
And two types of thin films, Ta/ TH(TLTH)q/ T0 {However, TaIs a thin film THAnd thin film TLMultilayer product consisting of
Layer film (TH(TLTH) q) Represents the film to be the layer above,
T0Represents an uneven layer (refractive index; n) serving as a base of the multilayer laminated film.
0), And q is the thin film THAnd thin film TLNumber of layers with sand
That is, it represents a positive integer. ).
In this case, the reflectance is represented by the following equation (3). R = [{1- (nH/ NL)2q(NH/ N0)} / {1+ (nH/ NL)2q (NH/ N0)}]Two (3) Therefore, the reflectance obtained from such an equation is high.
Value, so that the configuration of the multilayer laminated film is appropriately set.
By manufacturing, the reflectance can be improved
It is.
【0015】なお、前記多層膜(TH (TL TH )q )
中における繰り返し単位である(T L TH )の膜厚を該
繰り返し単位毎に変化させ、各繰り返し単位毎にねらい
とする光の波長を変えることにより、広い波長域に亘っ
て高反射率を得ることができる。すなわち、中心波長を
ずらした1/4波長型交互多層膜を重ねることにより、
広い波長域に亘って高反射率を得ることができるのであ
る。The multilayer film (TH(TLTH)q)
(T LTH)
Change for each repetition unit and aim for each repetition unit
By changing the wavelength of light, the
High reflectance can be obtained. That is, the center wavelength
By stacking the shifted quarter-wave type alternating multilayer films,
High reflectance can be obtained over a wide wavelength range.
You.
【0016】[0016]
【発明の実施の形態】以下、本発明の反射型液晶表示装
置を詳しく説明する。図1は、本発明の反射型液晶表示
装置の第1実施形態例を示す図であり、図1において符
号1はゲストホストモードの反射型液晶表示装置であ
る。この反射型液晶表示装置1は、アクティブマトリッ
クス方式を採用しマイクロカラーフィルターを内蔵した
フルカラー表示の装置であって、透明基板2と対向基板
3とが所定の間隙(例えば5μm)を介して互いに対向
した状態に配置され、構成されたものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a reflection type liquid crystal display device of the present invention will be described in detail. FIG. 1 is a diagram showing a first embodiment of the reflection type liquid crystal display device of the present invention. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a reflection type liquid crystal display device in a guest-host mode. The reflective liquid crystal display device 1 is a full-color display device employing an active matrix system and incorporating a micro color filter, in which a transparent substrate 2 and a counter substrate 3 are opposed to each other via a predetermined gap (for example, 5 μm). It is arranged and configured in a state where it has been set.
【0017】透明基板2は、ガラス等の透明基材からな
り、光の入射側に配置されるもので、その内面(対向基
板3側の面)側にはマイクロカラーフィルタ4、ITO
等の透明導電性膜からなる透明電極5、ポリイミド等か
らなる配向膜6がこの順に形成配置されている。ここ
で、マイクロカラーフィルタ4は、各画素毎に分割化さ
れ異なる色に着色されて形成されている。The transparent substrate 2 is made of a transparent base material such as glass and is disposed on the light incident side, and has a micro color filter 4 and an ITO on its inner surface (surface on the side of the opposing substrate 3).
A transparent electrode 5 made of a transparent conductive film such as a polyimide film and an alignment film 6 made of a polyimide or the like are formed and arranged in this order. Here, the micro color filter 4 is formed by being divided for each pixel and colored in different colors.
【0018】対向基板3は、ITO等の透明導電性膜か
らなる複数の画素電極7…、およびこれら画素電極7…
を駆動するスイッチング素子8…を備えたものである。
また、この対向基板3には、スイッチング素子8を覆う
層間絶縁膜9の上に反射層10が形成されている。この
反射層10は、個々の画素電極7に対応して細分化され
たもので、図2に示すように上面を凸凹面とした樹脂か
らなる凸凹層11の上のAlからなる金属膜12と、該
金属膜12の上に形成された積層膜13とから構成され
たものである。The counter substrate 3 includes a plurality of pixel electrodes 7 made of a transparent conductive film such as ITO, and these pixel electrodes 7.
Are provided with switching elements 8.
In addition, a reflection layer 10 is formed on the counter substrate 3 on an interlayer insulating film 9 covering the switching element 8. The reflective layer 10 is subdivided corresponding to the individual pixel electrodes 7, and as shown in FIG. 2, a metal film 12 made of Al on an uneven layer 11 made of a resin having an uneven upper surface. , And a laminated film 13 formed on the metal film 12.
【0019】凸凹層11は、樹脂膜の表層部が公知のリ
ソグラフィー技術により露光・現像処理されて所定形
状、例えば正方形状に分割され、さらに加熱されてこの
分割された表層部がリフロー処理されて形成されたもの
であり、図2に示したように凸部が略球面状に形成され
たものである。金属膜12は、この凸凹層11の表面に
Alが蒸着せしめられて形成されたものであり、このよ
うにして形成されたことによってその表面が凸凹面を有
したものとなっている。積層膜13は、この例では図2
に示すように誘電薄膜としてMgF2 膜14(屈折率;
1.38)とZnS膜15(屈折率;2.35)とが用
いられ、これらがこの順に、すなわち屈折率の大きいZ
nS膜15が上になるようにして蒸着され、積層されて
構成されたものである。The surface layer portion of the resin layer is exposed and developed by a known lithography technique to divide it into a predetermined shape, for example, a square shape, and further heated, and the divided surface layer portion is subjected to a reflow process. In this case, as shown in FIG. 2, the convex portion is formed in a substantially spherical shape. The metal film 12 is formed by depositing Al on the surface of the uneven layer 11, and the surface of the metal film 12 has an uneven surface. In this example, the laminated film 13 is formed as shown in FIG.
As shown in FIG. 2 , the MgF 2 film 14 (refractive index;
1.38) and a ZnS film 15 (refractive index; 2.35), which are in this order, that is, Z having a large refractive index.
The nS film 15 is deposited and stacked so that the nS film 15 faces upward.
【0020】この積層膜13において、各誘電薄膜(M
gF2 膜14、ZnS膜15)は、その厚さが100〜
350nm程度とされる。すなわち、一般に光の可視領
域の波長は400〜700nm程度であることから、そ
の下限である400nmの1/4波長である100nm
から、上限である700nmの1/2波長である350
nmの範囲に誘電体薄膜の厚さを設定することにより、
先に示した式(2)を光の可視領域内で満足させること
ができ、これにより反射率を高めることができるからで
ある。そして、このような構成のもとに反射層10は、
金属膜12が凸凹面を有していることによって散乱特性
を備え、これにより入射光の鏡面反射を防止して画質を
改善しているともに、金属膜12上に積層膜13が形成
されていることにより、金属膜12単層での反射率より
高い反射率を有するものとなっている。In this laminated film 13, each dielectric thin film (M
The gF 2 film 14 and the ZnS film 15) have a thickness of 100 to
It is about 350 nm. That is, since the wavelength of light in the visible region is generally about 400 to 700 nm, 100 nm which is a quarter wavelength of 400 nm which is the lower limit thereof.
From the above, 350 which is a half wavelength of 700 nm which is the upper limit
By setting the thickness of the dielectric thin film in the range of nm,
This is because the expression (2) shown above can be satisfied in the visible region of light, thereby increasing the reflectance. And under such a configuration, the reflection layer 10
Since the metal film 12 has an uneven surface, the metal film 12 has scattering characteristics, thereby preventing the specular reflection of the incident light and improving the image quality, and the laminated film 13 is formed on the metal film 12. Thus, the metal film 12 has a higher reflectance than the reflectance of the single layer.
【0021】この反射層10の上には、該反射層10、
前記スイッチング素子8を覆って平坦化層16が形成さ
れ、この平坦化層16の上にはポリイミド等からなる下
地配向層17が形成され、さらにこの下地配向層17の
上には1/4波長層18が形成されている。1/4波長
層18は、高分子液晶膜からなるもので、これの下層に
形成された前記下地配向層17によって一軸配向させら
れたものである。 1/4波長層18の上には、前記画
素電極7…が形成されており、この画素電極7…の上に
は、これを覆ってポリイミド等からなる配向膜19が形
成されている。On the reflection layer 10, the reflection layer 10,
A flattening layer 16 is formed so as to cover the switching element 8, a base alignment layer 17 made of polyimide or the like is formed on the flattening layer 16, and a 波長 wavelength is formed on the base alignment layer 17. A layer 18 is formed. The 波長 wavelength layer 18 is made of a polymer liquid crystal film, and is uniaxially oriented by the base orientation layer 17 formed below the polymer liquid crystal film. The pixel electrodes 7 are formed on the quarter wavelength layer 18, and an alignment film 19 made of polyimide or the like is formed on the pixel electrodes 7 so as to cover the pixel electrodes 7.
【0022】前記スイッチング素子8は、ボトムゲート
構造の薄膜トランジスタによって形成されたもので、下
から順にゲート電極20、ゲート絶縁膜21、半導体薄
膜22を重ねた積層構造のものである。半導体薄膜22
は、例えば多結晶シリコンから形成されたものであり、
ゲート電極20と整合するチャネル領域は上側からスト
ッパ23によって保護されている。The switching element 8 is formed by a thin film transistor having a bottom gate structure, and has a laminated structure in which a gate electrode 20, a gate insulating film 21, and a semiconductor thin film 22 are sequentially stacked from the bottom. Semiconductor thin film 22
Is, for example, formed from polycrystalline silicon,
The channel region that matches the gate electrode 20 is protected from above by a stopper 23.
【0023】また、このスイッチング素子7を覆う層間
絶縁膜9には、一対のコンタクトホール(図示略)が形
成されており、これらコンタクトホール内を埋め込んだ
状態でソース電極24、ドレイン電極25が形成されて
いる。これらソース電極24、ドレイン電極25は、ア
ルミニウムがパターニングされて形成されたものであ
る。特にドレイン電極25は、前記反射層10の金属膜
12に連続した状態に形成されており、これによって該
ドレイン電極25と金属膜12とは同電位になってい
る。また、前記画素電極7は、平坦化層16、1/4波
長層18を貫通して形成されたコンタクトホール26を
通じて、ドレイン電極25と電気接続している。したが
って、前記反射層10の金属膜12と画素電極7とは、
ドレイン電極25を介して同電位になっており、これに
よって反射層10と画素電極7との間に位置する平坦化
層16や1/4波長層18には、不要な電界が加わらな
いようになっている。一方、ソース電極24には、ビデ
オ信号等の信号電圧が供給されるようになっている。A pair of contact holes (not shown) are formed in the interlayer insulating film 9 covering the switching element 7, and a source electrode 24 and a drain electrode 25 are formed with the contact holes buried. Have been. The source electrode 24 and the drain electrode 25 are formed by patterning aluminum. In particular, the drain electrode 25 is formed so as to be continuous with the metal film 12 of the reflection layer 10, so that the drain electrode 25 and the metal film 12 have the same potential. Further, the pixel electrode 7 is electrically connected to the drain electrode 25 through a contact hole 26 formed through the flattening layer 16 and the quarter wavelength layer 18. Therefore, the metal film 12 of the reflective layer 10 and the pixel electrode 7
The same potential is applied via the drain electrode 25, so that an unnecessary electric field is not applied to the flattening layer 16 and the 波長 wavelength layer 18 located between the reflective layer 10 and the pixel electrode 7. Has become. On the other hand, a signal voltage such as a video signal is supplied to the source electrode 24.
【0024】前記透明基板2と対向基板3との間隙に
は、ゲストホスト液晶層27が設けられている。このゲ
ストホスト液晶層27は、負の誘電異方性を有するネマ
チック液晶28を主体とし、複合型の二色性色素29を
所定の割合で含有して構成されたものである。ここで、
このゲストホスト液晶層27は、透明基板2の配向膜
6、対向基板3の配向膜19の間に配置され、これら配
向膜6、19により、本例においては電圧無印加状態で
垂直配向させられ、電圧印加状態で水平配向に移行する
ようになっている。A guest host liquid crystal layer 27 is provided in a gap between the transparent substrate 2 and the counter substrate 3. The guest-host liquid crystal layer 27 is composed mainly of a nematic liquid crystal 28 having negative dielectric anisotropy and containing a complex type dichroic dye 29 at a predetermined ratio. here,
The guest host liquid crystal layer 27 is disposed between the alignment film 6 of the transparent substrate 2 and the alignment film 19 of the counter substrate 3, and is vertically aligned by the alignment films 6 and 19 in the present embodiment without applying a voltage. Then, the state shifts to the horizontal alignment in the state of voltage application.
【0025】このような構成の反射型液晶表示装置1に
あっては、反射層10が、凸凹面を有して形成された金
属膜12と、屈折率の異なる二種の誘電体薄膜(MgF
2 膜14とZnS膜15)からなる積層膜13とによっ
て構成されているので、金属膜12の単層で形成された
反射層に比べ、その反射率が高いものとなる。また、金
属膜12が凸凹面を有していることにより散乱特性を備
えているので、入射光の鏡面反射を防止して画質を改善
することができる。よって、この反射型液晶表示装置1
では、その表示を明るく高画質にすることができる。In the reflection type liquid crystal display device 1 having such a configuration, the reflection layer 10 is formed of a metal film 12 having an uneven surface, and two types of dielectric thin films (MgF
Since it is constituted by the laminated film 13 composed of the two films 14 and the ZnS film 15), the reflectivity thereof is higher than that of a reflective layer formed of a single layer of the metal film 12. In addition, since the metal film 12 has a scattering characteristic due to the unevenness, the image quality can be improved by preventing the specular reflection of incident light. Therefore, the reflection type liquid crystal display device 1
Then, the display can be made bright and high image quality.
【0026】なお、前記実施形態例では、ゲストホスト
液晶層27の配向状態を、電圧無印加状態で垂直配向
し、電圧印加状態で水平配向するように構成したが、本
発明はこれに限定されることなく、逆に、電圧無印加状
態で水平配向し、電圧印加状態で垂直配向するように構
成してもよい。また、前記実施形態例では、反射層10
における金属膜12の凸凹面を、該金属膜12を凸凹層
11の上に成膜することによって形成したが、他に例え
ば、平坦面に金属膜を形成した後、該金属膜の表層部を
酸あるいはアルカリで粗し、該金属膜の表面を凸凹面と
してもよい。In the above embodiment, the guest-host liquid crystal layer 27 is configured to be vertically aligned when no voltage is applied and horizontally when no voltage is applied. However, the present invention is not limited to this. Instead, it may be configured such that the liquid crystal molecules are horizontally aligned when no voltage is applied and vertically aligned when a voltage is applied. In the above embodiment, the reflection layer 10
The uneven surface of the metal film 12 was formed by forming the metal film 12 on the uneven layer 11. Alternatively, for example, after forming a metal film on a flat surface, the surface layer portion of the metal film may be formed. The surface of the metal film may be roughened with an acid or alkali.
【0027】さらに、前記実施形態例では、積層膜13
をMgF2 膜14とZnS膜15とから形成したが、本
発明はこれに限定されることなく、誘電体薄膜として、
Al 2 O3 (屈折率;1.62)、TiO2 (屈折率;
2.2〜2.7)、CdS(屈折率;2.6)、SiO
2 (屈折率;1.46)、CaF2 (屈折率;1.2
3)、MgO(屈折率;1.75)、ZrO2 (屈折
率;2.05)などを用いることもでき、また、これら
誘電体薄膜を二種でなく三種以上積層することもでき、
さらには、これら誘電体薄膜をそれぞれ複層ずつ積層す
ることもできる。Further, in the above embodiment, the laminated film 13
To MgFTwoAlthough formed from the film 14 and the ZnS film 15,
The invention is not limited to this, as a dielectric thin film,
Al TwoOThree(Refractive index; 1.62), TiOTwo(Refractive index;
2.2-2.7), CdS (refractive index; 2.6), SiO
Two(Refractive index; 1.46), CaFTwo(Refractive index; 1.2
3), MgO (refractive index; 1.75), ZrOTwo(refraction
Rate; 2.05) and the like.
Dielectric thin films can be laminated not two but three or more,
Further, each of these dielectric thin films is laminated in multiple layers.
You can also.
【0028】次に、本発明の反射型液晶表示装置の第2
実施形態例について説明する。この第2実施形態例が先
の第1実施形態例と異なるところは、反射層の構成にあ
る。すなわち、この第2実施形態例においては、図3に
示すように反射層30が、凸凹面を有して形成された凸
凹層31と、屈折率の異なる複数種の誘電体薄膜が前記
凸凹層31の上に多層積層されて形成された多層積層膜
32とから構成されたものとなっている。Next, the second embodiment of the reflection type liquid crystal display device of the present invention will be described.
An embodiment will be described. The difference between the second embodiment and the first embodiment lies in the configuration of the reflective layer. That is, in the second embodiment, as shown in FIG. 3, a reflective layer 30 is formed with a concave and convex surface, and a plurality of types of dielectric thin films having different refractive indexes are formed by the concave and convex layers. And a multi-layer film 32 formed by multi-layer stacking on the multi-layer film 31.
【0029】凸凹層31は、先の第1実施形態例におけ
る凸凹層11と同じもので、樹脂膜の表層部が露光・現
像処理され、さらに加熱によるリフロー処理がなされ
て、その凸部が略球面状に形成されたものである。多層
積層膜32は、この例では誘電薄膜としてAl2 O3 膜
(屈折率;1.62)とTiO2 膜(屈折率;2.2〜
2.7)とが、互いに交互に蒸着され、それぞれが多層
となるようにして積層され、構成されたものである。The uneven layer 31 is the same as the uneven layer 11 in the first embodiment. The surface layer of the resin film is exposed and developed, and further subjected to reflow processing by heating. It is formed in a spherical shape. In this example, the multilayer laminated film 32 is composed of an Al 2 O 3 film (refractive index: 1.62) and a TiO 2 film (refractive index: 2.2 to 2 ) as dielectric thin films.
2.7) are alternately vapor-deposited on each other, and are laminated and formed so as to be multilayered.
【0030】ここで、この多層積層膜32においても、
各誘電薄膜(Al2 O3 膜、TiO 2 膜)は、先の例と
同じ理由により、その厚さが100〜350nm程度と
される。また、各誘電体薄膜の積層回数、すなわち前記
式(3)のqについては、該式(3)から得られる反射
率Rが所望する値以上の大きい値となるように設定すれ
ばよい。さらに、多層積層膜32における繰り返し単位
となる、一組の誘電体薄膜からなる積層膜(Al2 O3
膜、TiO2 膜)について、その膜厚を該繰り返し単位
毎に変化させ、すなわち、中心波長をずらした1/4波
長型交互多層膜を重ね、各繰り返し単位毎にねらいとす
る光の波長を変えるようにしてもよく、その場合に、広
い波長域に亘って高反射率を得ることができる。Here, also in the multilayer laminated film 32,
Each dielectric thin film (AlTwoOThreeFilm, TiO TwoMembrane) with the previous example
For the same reason, the thickness is about 100-350 nm
Is done. The number of lamination of each dielectric thin film, that is,
Regarding q in the equation (3), the reflection obtained from the equation (3)
Set the rate R to be a larger value than the desired value.
I just need. Further, the repeating unit in the multilayer laminated film 32
Is a laminated film (Al) composed of a set of dielectric thin films.TwoOThree
Film, TiOTwoFilm), the film thickness of the repeating unit
Changed every time, ie, 1/4 wave shifted center wavelength
Overlay the long alternating multilayer film and aim for each repeating unit.
The wavelength of the light to be emitted.
High reflectance can be obtained over a wide wavelength range.
【0031】この第2実施形態例の反射型液晶表示装置
1にあっては、反射層30が、凸凹面を有して形成され
た凸凹層31と、屈折率の異なる複数種の誘電体薄膜が
多層積層されて形成された多層積層膜32とによって構
成されているので、従来のごとく金属膜の単層で形成さ
れた反射層に比べ、その反射率が高いものとなる。ま
た、反射層30が凸凹面を有した凸凹層31を下層に配
していることにより散乱特性を備えているので、入射光
の鏡面反射を防止して画質を改善することができる。よ
って、この反射型液晶表示装置では、その表示を明るく
高画質にすることができる。In the reflection type liquid crystal display device 1 according to the second embodiment, the reflection layer 30 has a plurality of types of dielectric thin films having different refractive indices from the uneven layer 31 formed with the uneven surface. Is formed by the multi-layered film 32 formed by multi-layer stacking, so that the reflectivity thereof is higher than that of a conventional reflecting layer formed of a single metal film. In addition, since the reflective layer 30 has a scattering property by disposing the uneven layer 31 having the uneven surface as a lower layer, it is possible to prevent specular reflection of incident light and improve image quality. Therefore, in this reflective liquid crystal display device, the display can be made bright and high image quality.
【0032】なお、この第2実施形態例においても、多
層積層膜32を構成する誘電体薄膜として、前記のMg
F2 やZnS、さらにはCdS、SiO2 、CaF2 、
MgO、ZrO2 などを用いることもでき、また、これ
ら誘電体薄膜を二種でなく三種以上積層することもでき
る。Incidentally, also in the second embodiment, the above-mentioned Mg thin film is used as the dielectric thin film constituting the multilayer laminated film 32.
F 2 and ZnS, furthermore CdS, SiO 2 , CaF 2 ,
MgO, ZrO 2 or the like can be used, and three or more kinds of these dielectric thin films can be laminated instead of two kinds.
【0033】(実験例)前記第1実施形態例の反射層1
0における各誘電体薄膜(MgF2 膜14、ZnS膜1
5)の厚さを以下のように変えて形成し、試料1〜4を
作製した。また、該誘電体薄膜を、MgF2 膜14に代
えてAl2 O3 膜とし、ZnS膜15に代えてTiO2
として、試料5を形成した。なお、これら試料1〜試料
5については、金属膜13上に各誘電体薄膜を形成し、
該各誘電体薄膜についてはそれぞれ一層ずつ形成した。
また、前記第2実施形態例における、反射層30の多層
積層膜を構成する各誘電体薄膜(Al2 O3 膜、TiO
2 膜)の厚さを以下のように変えて形成し、試料1〜4
を作製した。 試料1 膜種;MgF2 膜とZnS膜 厚さ;各120nm 試料2 膜種;MgF2 膜とZnS膜 厚さ;各140nm 試料3 膜種;MgF2 膜とZnS膜 厚さ;各160nm 試料4 膜種;MgF2 膜とZnS膜 厚さ;各180nm 試料5 膜種;Al2 O3 膜とTiO2 膜 厚さ;各140nm 試料6 膜種;Al2 O3 膜とTiO2 膜 厚さ;各140nm 繰り返し積層数;7回 試料7 膜種;Al2 O3 膜とTiO2 膜 厚さ;各140nm 繰り返し積層数;9回 試料8 膜種;Al2 O3 膜とTiO2 膜 厚さ;各140nm 繰り返し積層数;11回(Experimental example) Reflective layer 1 of the first embodiment.
0 each dielectric thin film (MgF 2 film 14, ZnS film 1
Samples 1 to 4 were prepared by changing the thickness of 5) as follows. Further, the dielectric thin film is made of Al 2 O 3 instead of the MgF 2 film 14 and TiO 2 is used instead of the ZnS film 15.
As a sample 5, a sample 5 was formed. In addition, about these sample 1-sample 5, each dielectric thin film is formed on the metal film 13,
Each of the dielectric thin films was formed one by one.
Further, in the second embodiment, each dielectric thin film (Al 2 O 3 film, TiO 2
The thickness of 2 film) is formed by changing as follows, Samples 1-4
Was prepared. Sample 1 Film type; MgF 2 film and ZnS film Thickness: 120 nm each Sample 2 Film type; MgF 2 film and ZnS film Thickness: 140 nm each Sample 3 Film type; MgF 2 film and ZnS film Thickness: 160 nm Sample 4 Film type; MgF 2 film and ZnS film Thickness: 180 nm each Sample 5 film type; Al 2 O 3 film and TiO 2 film thickness; 140 nm each Sample 6 film type; Al 2 O 3 film and TiO 2 film thickness; Number of repeated lamination of 140 nm; 7 times Sample 7 film type; Al 2 O 3 film and TiO 2 film thickness; Each of 140 nm repeated laminations: 9 times Sample 8 film type; Al 2 O 3 film and TiO 2 film thickness; Each 140nm repeated number of layers; 11 times
【0034】このようにして作製した試料1〜8につい
て、分光器(大塚電子株式会社製;瞬間マルチ測定シス
テム)によりその反射率を調べた。なお、この反射率の
測定については、分光測色法によりXYZ(Yxy)表
示系に基づいて行った。すなわち、複数のセンサで試料
から反射された光を分光し、各波長ごとの反射率を測定
する。そして、得られたデータをもとに積分計算を行っ
て三刺激値X、Y、Zの三つの値を算出し、これから反
射率を求めた。The reflectance of the samples 1 to 8 thus prepared was examined by a spectroscope (Otsuka Electronics Co., Ltd .; instantaneous multi-measurement system). The measurement of the reflectance was performed by a spectral colorimetric method based on an XYZ (Yxy) display system. That is, the light reflected from the sample is divided by a plurality of sensors, and the reflectance for each wavelength is measured. Then, integration calculation was performed based on the obtained data to calculate three values of tristimulus values X, Y, and Z, and the reflectance was determined from this.
【0035】また、比較のため、図1に示した反射型液
晶表示装置1における反射層10の構成から、積層膜1
3を除いた構成、すなわち凸凹層11およびAlからな
る金属膜12のみから構成された反射層についてもその
反射率を調べた。得られた結果を以下に示す。 以上の結果より、本発明の反射型液晶表示装置における
反射層は、従来のものに比べ反射率が高くなっているこ
とが確認された。For comparison, the structure of the reflective layer 10 in the reflective liquid crystal display device 1 shown in FIG.
The reflectivity was also examined for the configuration excluding No. 3, that is, the reflection layer composed only of the uneven layer 11 and the metal film 12 made of Al. The results obtained are shown below. From the above results, it was confirmed that the reflectance of the reflective layer in the reflective liquid crystal display device of the present invention was higher than that of the conventional one.
【0036】また、試料2の反射層と比較例の反射層に
ついて、光の波長ごとの反射率を調べ、得られた結果を
図4に示す。図4に示すように、試料2の反射層は40
0〜700nmの可視光領域全域に亘って、比較例のも
のより高い反射率を有していることが分かった。さら
に、このような試料1〜試料8の反射層を備えた反射型
液晶表示装置に、ビデオ信号を入力して映像を表示させ
たところ、比較例のものを備えた液晶表示装置に比べ、
鮮やかなフルカラーの動画を表示させることができ、コ
ントラストの高い画像を得ることができた。The reflectivity of each of the reflection layer of Sample 2 and the reflection layer of Comparative Example for each wavelength of light was examined, and the obtained results are shown in FIG. As shown in FIG.
It was found that it had a higher reflectance than that of the comparative example over the entire visible light region of 0 to 700 nm. Further, when a video signal was input to the reflection type liquid crystal display device provided with the reflection layer of Sample 1 to Sample 8 to display an image, compared with the liquid crystal display device provided with the comparative example,
Vivid full-color moving images could be displayed, and images with high contrast could be obtained.
【0037】[0037]
【発明の効果】以上説明したように本発明における請求
項1記載の反射型液晶表示装置は、反射層を、凸凹面を
有して形成された金属膜と、屈折率の異なる複数種の誘
電体薄膜からなる積層膜とによって構成したものである
から、金属膜単層による反射層の場合に比べてその反射
率を高めることができ、これにより優れた階調表現を可
能にすることができる。また、金属膜が凸凹面を有して
いることにより散乱特性を備えているので、入射光の鏡
面反射を防止して画質を改善することができる。よっ
て、この反射型液晶表示装置では、その表示を明るく高
画質にすることができる。As described above, in the reflection type liquid crystal display device according to the first aspect of the present invention, the reflection layer is made of a metal film having an uneven surface and a plurality of dielectric films having different refractive indexes. Since it is composed of a laminated film composed of a body thin film, its reflectance can be increased as compared with the case of a reflective layer composed of a single metal film, thereby enabling excellent gradation expression. . Further, since the metal film has a scattering characteristic due to the unevenness, it is possible to prevent specular reflection of incident light and improve image quality. Therefore, in this reflective liquid crystal display device, the display can be made bright and high image quality.
【0038】請求項2記載の反射型液晶表示装置は、反
射層を、凸凹面を有して形成された凸凹層と、屈折率の
異なる複数種の誘電体薄膜が前記凸凹層の上に多層積層
されて形成された多層積層膜とによって構成したもので
あるから、従来のごとく金属膜の単層で形成された反射
層に比べ、反射層の反射率を高めることができ、これに
より優れた階調表現を可能にすることができる。また、
反射層が凸凹面を有した凸凹層を下層に配していること
により散乱特性を備えているので、入射光の鏡面反射を
防止して画質を改善することができる。よって、この反
射型液晶表示装置では、その表示を明るく高画質にする
ことができる。According to a second aspect of the present invention, in the reflection type liquid crystal display device, the reflection layer is formed by forming a plurality of dielectric thin films having different refractive indexes on the uneven layer. Since it is composed of a multilayer laminated film formed by lamination, the reflectivity of the reflective layer can be increased as compared with a conventional reflective layer formed of a single layer of a metal film. A gradation expression can be made possible. Also,
Since the reflection layer has a scattering property by disposing a rough layer having a rough surface as a lower layer, it is possible to prevent specular reflection of incident light and improve image quality. Therefore, in this reflective liquid crystal display device, the display can be made bright and high image quality.
【図1】本発明の反射型液晶表示装置の第1実施形態例
の、概略構成を示す要部側断面図である。FIG. 1 is a side sectional view showing a schematic configuration of a main part of a first embodiment of a reflection type liquid crystal display device of the present invention.
【図2】図1に示した反射型液晶表示装置の反射層を説
明するための要部側断面図である。FIG. 2 is a side sectional view of a main part for describing a reflection layer of the reflection type liquid crystal display device shown in FIG.
【図3】本発明の反射型液晶表示装置の第2実施形態例
における、反射層を説明するための要部側断面図であ
る。FIG. 3 is a side sectional view of a principal part for describing a reflection layer in a second embodiment of the reflection type liquid crystal display device of the present invention.
【図4】本発明の反射層と比較例の反射層との、可視光
領域における反射率を示すグラフ図である。FIG. 4 is a graph showing the reflectance in the visible light region of the reflective layer of the present invention and the reflective layer of the comparative example.
【図5】本発明の作用を説明するための図である。FIG. 5 is a diagram for explaining the operation of the present invention.
1 反射型液晶表示装置 2 透明基板 3 対向
基板 5 透明電極 7 画素電極 8 スイッチング素子 10、30
反射層 11、31 凸凹層 12 金属膜 13 積層膜
14 MgF2 膜 15 ZnS膜 18 1/4波長層 27 ゲス
トホスト液晶層 29 二色性色素 32 多層積層膜DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Reflection type liquid crystal display device 2 Transparent substrate 3 Counter substrate 5 Transparent electrode 7 Pixel electrode 8 Switching element 10, 30
Reflecting layer 11, 31 Uneven layer 12 Metal film 13 Laminated film 14 MgF 2 film 15 ZnS film 18 Quarter wavelength layer 27 Guest host liquid crystal layer 29 Dichroic dye 32 Multi-layer laminated film
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【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成9年6月23日[Submission date] June 23, 1997
【手続補正1】[Procedure amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0014[Correction target item name] 0014
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【0014】誘電体薄膜を、屈折率が高い薄膜TH (屈
折率;nH )と、屈折率が低い薄膜TL (屈折率;
nL )との二種類(すなわち、nH >nL )とし、これ
ら二種類の薄膜を、 Ta /TH (TL TH )q /T0 {ただし、Ta は薄膜TH と薄膜TL とからなる多層積
層膜(TH (TL TH ) q )の上の層となる膜を表し、
T0 は前記多層積層膜の下地となる凸凹層(屈折率;n
0 )を表し、qは薄膜TH と薄膜TL との積層数、すな
わち正の整数を表す。)となるように交互に多層積層し
た場合に、反射率は、以下に示す式(3)で表される。 R=〔{1−(nH /nL )2q(nH 2 /n0 )}/{1+(nH /nL ) 2q (nH 2 /n0 )}〕2 …(3) したがって、このような式から求められる反射率が高い
値となるよう、前記多層積層膜の構成を適宜に設定して
作製することにより、反射率を向上させることができる
のである。The dielectric thin film is replaced with a thin film T having a high refractive index.H(Crown
Folding rate; nH) And a thin film T having a low refractive indexL(Refractive index;
nL) And two types (ie, nH> NL) And this
And two types of thin films, Ta/ TH(TLTH)q/ T0 {However, TaIs a thin film THAnd thin film TLMultilayer product consisting of
Layer film (TH(TLTH) q) Represents the film to be the layer above,
T0Represents an uneven layer (refractive index; n) serving as a base of the multilayer laminated film.
0), And q is the thin film THAnd thin film TLNumber of layers with sand
That is, it represents a positive integer. ).
In this case, the reflectance is represented by the following equation (3). R = [{1- (nH/ NL)2q(NH Two/ N0)} / {1+ (nH/ NL) 2q (NH Two/ N0)}]Two (3) Therefore, the reflectance obtained from such an equation is high.
Value, so that the configuration of the multilayer laminated film is appropriately set.
By manufacturing, the reflectance can be improved
It is.
【手続補正2】[Procedure amendment 2]
【補正対象書類名】図面[Document name to be amended] Drawing
【補正対象項目名】図1[Correction target item name] Fig. 1
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【図1】 FIG.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI G02F 1/1343 G02F 1/1343 1/137 500 1/137 500 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI G02F 1/1343 G02F 1/1343 1/137 500 1/137 500
Claims (2)
素電極およびこれら画素電極を駆動するスイッチング素
子を備えるとともに入射光を反射させる反射層および1
/4波長層を形成した対向基板とを所定の間隙を介して
対向させ、該間隙に二色性色素を含有する液晶層を形成
した反射型液晶表示装置であって、 前記反射層が、凸凹面を有して形成された金属膜と、屈
折率の異なる複数種の誘電体薄膜が前記金属膜の上に積
層されて形成された積層膜と、から構成されたことを特
徴とする反射型液晶表示装置。A transparent substrate provided with a transparent electrode; a plurality of pixel electrodes; and a reflective layer provided with a switching element for driving the pixel electrodes and reflecting incident light.
A reflection type liquid crystal display device in which a counter substrate on which a 波長 wavelength layer is formed is opposed to each other through a predetermined gap, and a liquid crystal layer containing a dichroic dye is formed in the gap. A reflective film comprising: a metal film having a surface; and a laminated film formed by laminating a plurality of types of dielectric thin films having different refractive indexes on the metal film. Liquid crystal display.
素電極およびこれら画素電極を駆動するスイッチング素
子を備えるとともに入射光を反射させる反射層および1
/4波長層を形成した対向基板とを所定の間隙を介して
対向させ、該間隙に二色性色素を含有する液晶層を形成
した反射型液晶表示装置であって、 前記反射層が、凸凹面を有して形成された凸凹層と、屈
折率の異なる複数種の誘電体薄膜が前記凸凹層の上に多
層積層されて形成された多層積層膜と、から構成された
ことを特徴とする反射型液晶表示装置。2. A transparent substrate having a transparent electrode, a plurality of pixel electrodes, and a reflective layer having a switching element for driving the pixel electrodes and reflecting incident light.
A reflection type liquid crystal display device in which a counter substrate on which a 波長 wavelength layer is formed is opposed to each other through a predetermined gap, and a liquid crystal layer containing a dichroic dye is formed in the gap. An uneven layer formed with a surface, and a multilayer laminated film formed by stacking a plurality of types of dielectric thin films having different refractive indices on the uneven layer. Reflective liquid crystal display.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9085453A JPH10282521A (en) | 1997-04-04 | 1997-04-04 | Reflection type liquid crystal display device |
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Publication Number | Publication Date |
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JPH10282521A true JPH10282521A (en) | 1998-10-23 |
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ID=13859312
Family Applications (1)
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