JPH11160703A - Display device - Google Patents

Display device

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Publication number
JPH11160703A
JPH11160703A JP9337907A JP33790797A JPH11160703A JP H11160703 A JPH11160703 A JP H11160703A JP 9337907 A JP9337907 A JP 9337907A JP 33790797 A JP33790797 A JP 33790797A JP H11160703 A JPH11160703 A JP H11160703A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
display device
reflection
substrate
light
Prior art date
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Pending
Application number
JP9337907A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masataka Matsute
雅隆 松手
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP9337907A priority Critical patent/JPH11160703A/en
Publication of JPH11160703A publication Critical patent/JPH11160703A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve display contrast by suppressing unwanted reflection on a display device. SOLUTION: This display device is composed of a light transmissive front side substrate 1 opposed to a observer 100, a rear side substrate 2 bonded through a prescribed gap to the front side substrate 1, and an electro-optic material 3 such as a liquid crystal held in the gap between both the substrates. The front side substrate 1 is divided into an outer layer part 4 and an inner layer part 5. The outer later part 4 contains a transparent substrate 6 composed of glass or the like and its refractive index is relatively low. The inner layer part 5 contains a transparent electrode 10 for impressing voltage to the electro- optic material 3 and its refractive index is relatively high. Then, a reflection- proof film 15 is interposed between the outer layer part 4 and the inner layer part 5 and has a refractive index just between the outer and inner layer parts 4 and 5 for suppressing the unwanted reflection.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は液晶等の電気光学物
質を表示媒体に用いた表示装置に関する。より詳しく
は、表示装置に入射する外光の反射防止構造に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display device using an electro-optical material such as a liquid crystal as a display medium. More specifically, the present invention relates to an anti-reflection structure for external light incident on a display device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、薄型及び軽量の表示装置として液
晶ディスプレイが広く用いられている。近年の情報通信
の発展により情報携帯端末(PDA)やモバイルパーソ
ナルコンピュータ用の表示装置は、軽量で且つ低消費電
力であることに加え、カラー化、高精細化及び高画質化
も要求されている。これらの要求に答える表示装置とし
ては反射型のカラー液晶ディスプレイが最も適してお
り、現在盛んに開発が行われている。従来のモノクロ反
射型液晶表示装置は偏光板を2枚使用する方式が一般的
である。これをカラー化する場合2枚の偏光板に加えて
カラーフィルタを表示装置に装着する必要がある。しか
しながら、カラーフィルタを用いると外光の利用効率が
数%と低くなる為、表示画面が暗くなり実用に耐えられ
るものではなかった。現在は、偏光板を1枚にした方式
や、偏光板を全く使用しない方式の液晶表示装置の開発
が行われている段階である。しかしながら、未だ十分満
足できる特性のディスプレイデバイスは得られていな
い。現状では、1枚偏光板を用いる駆動方式として、液
晶の複屈折性を利用したSTN、R−TN、R−OCB
が知られている。しかしながら、STNモード等は単純
マトリックス駆動ができる利点を有するが、画質や応答
速度の点で劣る。一方、偏光板なしの方式として種々の
ゲストホスト(GH)モードが提案されている。ゲスト
ホストモードは一般に明るさの点で優れているが信頼性
が十分でない。以上の様に、各モード一長一短があり、
反射型液晶表示装置は開発途上にあるといえる。
2. Description of the Related Art Conventionally, liquid crystal displays have been widely used as thin and lightweight display devices. 2. Description of the Related Art In recent years, information display devices for personal digital assistants (PDAs) and mobile personal computers have been required to be lightweight, have low power consumption, and also have high color, high definition, and high image quality. . A reflective color liquid crystal display is most suitable as a display device that meets these requirements, and is being actively developed at present. A conventional monochrome reflective liquid crystal display device generally uses two polarizing plates. In order to colorize this, it is necessary to attach a color filter to the display device in addition to the two polarizing plates. However, when a color filter is used, the utilization efficiency of external light is reduced to several percent, so that the display screen becomes dark and cannot be put to practical use. At present, the development of a liquid crystal display device using a single polarizing plate or a method using no polarizing plate is being conducted. However, a display device having sufficiently satisfactory characteristics has not yet been obtained. At present, STN, R-TN, and R-OCB utilizing the birefringence of liquid crystal are used as driving methods using one polarizing plate.
It has been known. However, the STN mode or the like has an advantage that simple matrix driving can be performed, but is inferior in image quality and response speed. On the other hand, various guest-host (GH) modes have been proposed as methods without a polarizing plate. The guest host mode is generally excellent in brightness but not reliable. As mentioned above, each mode has its advantages and disadvantages,
It can be said that the reflection type liquid crystal display device is under development.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】図9は従来の1枚偏光
板方式の表示装置を示す模式的な断面図である。この表
示装置は観察者100に対面する光透過性の前側基板1
と、所定の間隙を介して前側基板1に接合する後側基板
2と、両者の間隙に保持された液晶等の電気光学物質3
とからなる。前側基板1は外層部4と内層部5とに分か
れている。外層部4はガラス等の透明基体6を含み比較
的屈折率が小さい。透明基体6の上面には位相差板7や
偏光子8が装着されている。又、透明基体6の下面には
カラーフィルタ9が形成されている。内層部5は電気光
学物質3に電圧を印加する透明電極10を含み比較的屈
折率が大きい。透明電極10の表面は配向膜11により
被覆されている。後側基板2はガラス板等の上に光反射
層22、電極20、配向膜21を順に下から積層した構
造を有する。
FIG. 9 is a schematic sectional view showing a conventional display device of a single-polarizer type. This display device is a light-transmitting front substrate 1 facing an observer 100.
And a rear substrate 2 joined to the front substrate 1 via a predetermined gap, and an electro-optical material 3 such as a liquid crystal held in the gap between the two.
Consists of The front substrate 1 is divided into an outer layer 4 and an inner layer 5. The outer layer portion 4 includes a transparent substrate 6 such as glass and has a relatively small refractive index. A retardation plate 7 and a polarizer 8 are mounted on the upper surface of the transparent substrate 6. A color filter 9 is formed on the lower surface of the transparent substrate 6. The inner layer portion 5 includes a transparent electrode 10 for applying a voltage to the electro-optical material 3, and has a relatively large refractive index. The surface of the transparent electrode 10 is covered with an alignment film 11. The rear substrate 2 has a structure in which a light reflection layer 22, an electrode 20, and an alignment film 21 are sequentially stacked on a glass plate or the like from below.

【0004】このような構成を有する反射型表示装置で
は特に前側基板1の各層の界面で生じる不要反射が問題
である。反射型表示装置で外光を効率よく利用する為に
は後側基板2の光反射層22での反射以外は極力抑制す
る必要がある。図示する様に、前側基板1に入射した光
は、偏光子8、位相差板7、透明基体6、カラーフィル
タ9、透明電極10及び配向膜11を介して液晶等の電
気光学物質3に進入する。この場合、屈折率の小さい媒
体から大きい媒体へ入射する際、界面で不要な反射が起
きる。この不要反射は各媒体の屈折率によって決まる。
特に、空気層と偏光子8の界面及びカラーフィルタ9と
透明電極10の界面における反射は大きく、表示装置と
して評価した場合、コントラストの低下を招き画質を落
とす原因となっている。空気層と偏光子8との間の界面
の反射に関しては、反射防止膜(ARコート)が施され
た偏光板が市販されており、これを用いることで問題は
解消する。しかしながら、カラーフィルタ9と透明電極
10との間の界面の反射には何ら対策が取られていない
のが現状であり、解決すべき課題となっている。なお、
モノクロの反射型表示装置ではカラーフィルタ9がない
為、透明基体6と透明電極10との間の界面の不要反射
が問題となる。
In the reflective display device having such a configuration, there is a problem in particular that unnecessary reflection occurs at the interface between the layers of the front substrate 1. In order to efficiently use external light in the reflection type display device, it is necessary to minimize reflection other than reflection on the light reflection layer 22 of the rear substrate 2. As shown in the figure, the light incident on the front substrate 1 enters the electro-optical material 3 such as a liquid crystal through a polarizer 8, a retardation plate 7, a transparent substrate 6, a color filter 9, a transparent electrode 10, and an alignment film 11. I do. In this case, when light enters from a medium having a small refractive index to a medium having a large refractive index, unnecessary reflection occurs at an interface. This unnecessary reflection is determined by the refractive index of each medium.
In particular, the reflection at the interface between the air layer and the polarizer 8 and the interface between the color filter 9 and the transparent electrode 10 is large, and when evaluated as a display device, the contrast is lowered and the image quality is reduced. Regarding the reflection at the interface between the air layer and the polarizer 8, a polarizing plate provided with an antireflection film (AR coating) is commercially available, and the use of this plate solves the problem. However, at present, no measures are taken against reflection at the interface between the color filter 9 and the transparent electrode 10, and this is a problem to be solved. In addition,
Since the monochrome reflective display device does not have the color filter 9, unnecessary reflection at the interface between the transparent substrate 6 and the transparent electrode 10 becomes a problem.

【0005】[0005]

【課題を解決する為の手段】上述した従来の技術の課題
を解決する為に以下の手段を講じた。即ち、本発明に係
る表示装置は基本的な構成として、観察者に対面する光
透過性の前側基板と、所定の間隙を介して該前側基板に
接合する後側基板と、該間隙に保持された電気光学物質
とを含んでいる。前記前側基板は外層部と内層部に分か
れている。外層部は透明基体を含み比較的屈折率が小さ
い。内層部は該電気光学物質に電圧を印加する透明電極
を含み比較的屈折率が大きい。特徴事項として、該外層
部と内層部の間に反射防止膜が介在している。本反射防
止膜は不要反射を抑制する為に外層部と内層部の中間の
屈折率を有する。
Means for Solving the Problems In order to solve the above-mentioned problems of the prior art, the following measures have been taken. That is, the display device according to the present invention has, as a basic configuration, a light-transmitting front substrate facing an observer, a rear substrate joined to the front substrate via a predetermined gap, and held in the gap. Electro-optic material. The front substrate is divided into an outer layer portion and an inner layer portion. The outer layer portion includes a transparent substrate and has a relatively small refractive index. The inner layer portion includes a transparent electrode for applying a voltage to the electro-optical material and has a relatively large refractive index. As a characteristic feature, an antireflection film is interposed between the outer layer portion and the inner layer portion. The antireflection film has an intermediate refractive index between the outer layer and the inner layer in order to suppress unnecessary reflection.

【0006】好ましくは、前記反射防止膜は屈折率が
1.6ないし1.8の無機誘電体薄膜である。前記無機
誘電体薄膜は膜厚が例えば75nmないし90nmの範
囲に設定されている。あるいは、前記反射防止膜は屈折
率が1.6ないし1.7の有機樹脂膜を用いることもで
きる。前記有機樹脂膜は膜厚が例えば80nmないし9
0nmに設定されている。
[0006] Preferably, the antireflection film is an inorganic dielectric thin film having a refractive index of 1.6 to 1.8. The thickness of the inorganic dielectric thin film is set, for example, in the range of 75 nm to 90 nm. Alternatively, an organic resin film having a refractive index of 1.6 to 1.7 can be used as the antireflection film. The organic resin film has a thickness of, for example, 80 nm to 9 nm.
It is set to 0 nm.

【0007】本発明の一実施態様では、前記外層部は該
透明基体に形成されたカラーフィルタを含んでおり、前
記反射防止膜は該カラーフィルタと該透明電極の間に介
在し且つ両者に面接合している。好ましくは、前記外層
部は該透明基体に支持された光散乱層を含む。又好まし
くは、前記後側基板は該前側基板から入射した光を反射
する光反射層を有する。場合によっては、前記光反射層
の表面に屈折率が異なる少くとも2層の誘電体薄膜を重
ねた反射増強膜を配する様にしてもよい。好ましくは、
前記光反射層は該前側基板から入射した光を拡散的に反
射する拡散反射面を有する。本発明の一実施例では、前
記後側基板には画素電極及びこれを駆動するスイッチン
グ素子が集積的に形成されており、前記前側基板に形成
された該透明電極は該電気光学物質を介して該画素電極
に対面する対向電極となる。
In one embodiment of the present invention, the outer layer portion includes a color filter formed on the transparent substrate, and the antireflection film is interposed between the color filter and the transparent electrode and is in contact with both. I agree. Preferably, the outer layer portion includes a light scattering layer supported on the transparent substrate. Also preferably, the rear substrate has a light reflecting layer for reflecting light incident from the front substrate. In some cases, a reflection enhancing film in which at least two dielectric thin films having different refractive indices are stacked on the surface of the light reflecting layer may be arranged. Preferably,
The light reflection layer has a diffuse reflection surface that diffusely reflects light incident from the front substrate. In one embodiment of the present invention, a pixel electrode and a switching element for driving the pixel electrode are integrally formed on the rear substrate, and the transparent electrode formed on the front substrate is formed through the electro-optical material. It becomes a counter electrode facing the pixel electrode.

【0008】本発明によれば、観察者に対面する前側基
板において、比較的屈折率の低い外層部と比較的屈折率
の高い内層部との間に中間層として反射防止膜を設け、
界面で起こる反射を抑制している。係る構成により、本
発明の表示装置では外光を効率よく利用することができ
る様になる。
According to the present invention, an antireflection film is provided as an intermediate layer between an outer layer having a relatively low refractive index and an inner layer having a relatively high refractive index on the front substrate facing the observer.
The reflection occurring at the interface is suppressed. With such a configuration, the display device of the present invention can efficiently use external light.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明の実施
の形態を詳細に説明する。図1は本発明に係る表示装置
の基本的な構成を示す模式的な断面図である。図示する
様に、本表示装置は観察者100に対面する光透過性の
前側基板1と、所定の間隙を介して前側基板1に接合す
る後側基板2と、両者の間隙に保持された液晶等の電気
光学物質3とを含むフラットパネル構造を有する。前側
基板1は外層部4と内層部5とに分かれている。外層部
4はガラス等からなる透明基体6を含み比較的屈折率が
小さい。透明基体6の外面には位相差板7と偏光子8が
装着されている。透明基体6の下面にはカラーフィルタ
9が形成されている。内層部5は電気光学物質3に電圧
を印加する透明電極10を含み比較的屈折率が大きい。
透明電極10の表面は配向膜11で被覆されている。一
方、後側基板2はガラス板等からなり電極20が形成さ
れている。電極20の表面は配向膜21によって被覆さ
れている。特徴事項として、前側基板1の外層部4と内
層部5の間に反射防止膜15が介在している。この反射
防止膜15は屈折率が小さい外層部4と屈折率が大きい
内層部5との間で中間の屈折率を有しており、不要反射
Zを抑制することができる。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic sectional view showing a basic configuration of a display device according to the present invention. As shown in the drawing, the display device includes a light-transmitting front substrate 1 facing an observer 100, a rear substrate 2 bonded to the front substrate 1 through a predetermined gap, and a liquid crystal held in the gap between the two. And a flat panel structure including the electro-optical material 3. The front substrate 1 is divided into an outer layer 4 and an inner layer 5. The outer layer portion 4 includes a transparent substrate 6 made of glass or the like, and has a relatively small refractive index. A retardation plate 7 and a polarizer 8 are mounted on the outer surface of the transparent base 6. A color filter 9 is formed on the lower surface of the transparent substrate 6. The inner layer portion 5 includes a transparent electrode 10 for applying a voltage to the electro-optical material 3, and has a relatively large refractive index.
The surface of the transparent electrode 10 is covered with an alignment film 11. On the other hand, the rear substrate 2 is made of a glass plate or the like, and has electrodes 20 formed thereon. The surface of the electrode 20 is covered with an alignment film 21. As a characteristic feature, an antireflection film 15 is interposed between the outer layer 4 and the inner layer 5 of the front substrate 1. The antireflection film 15 has an intermediate refractive index between the outer layer portion 4 having a small refractive index and the inner layer portion 5 having a large refractive index, and can suppress unnecessary reflection Z.

【0010】一実施態様では、反射防止膜15は屈折率
が1.6ないし1.8の無機誘電体薄膜を用いることが
できる。この場合、無機誘電体薄膜は好ましくは膜厚が
75nmないし90nmに設定されている。この値で
は、誘電体薄膜の膜厚方向の光学光路n・dがλ/4程
度になる。但し、nは誘電体薄膜の屈折率であり、dは
誘電体薄膜の物理的な膜厚であり、λは入射光の波長で
ある。本発明の他の実施態様では、反射防止膜15は屈
折率が1.6ないし1.7の有機樹脂膜を用いる。上記
と同様の理由により、有機樹脂膜は膜厚が80nmない
し90nmに設定されている。
In one embodiment, the anti-reflection film 15 can be an inorganic dielectric thin film having a refractive index of 1.6 to 1.8. In this case, the thickness of the inorganic dielectric thin film is preferably set to 75 nm to 90 nm. With this value, the optical optical path n · d in the thickness direction of the dielectric thin film is about λ / 4. Here, n is the refractive index of the dielectric thin film, d is the physical thickness of the dielectric thin film, and λ is the wavelength of the incident light. In another embodiment of the present invention, the anti-reflection film 15 uses an organic resin film having a refractive index of 1.6 to 1.7. For the same reason as described above, the thickness of the organic resin film is set to 80 nm to 90 nm.

【0011】好ましくは、外層部4は透明基体6に形成
されたカラーフィルタ9を含んでおり、カラー表示装置
が得られる。この場合、反射防止膜15は屈折率が小さ
なカラーフィルタ9と屈折率が大きな透明電極10との
間に介在し、且つ両者に面接合している。好ましくは、
後側基板2は前側基板1から入射した光を反射する光反
射層を有しており、反射型表示装置が得られる。図示の
例では、電極20を金属膜等で形成し、光反射層と兼ね
ることができる。場合によっては、光反射層の表面に屈
折率が異なる少くとも2層の誘電体薄膜を重ねた反射増
強膜を配することができる。前側基板1の反射防止膜1
5に加え、後側基板2に反射防止膜を設けることで、入
射光の利用効率が一層改善できる。一実施例では、光反
射層は前側基板1から入射した光を拡散的に反射する拡
散反射面を有しており、所謂ホワイトペーパーの外観を
呈することができる。場合によっては、拡散反射面に代
えて鏡面反射面を用いることもできる。この時には、前
側基板1の透明基体6に光散乱層を配することが好まし
い。本表示装置をアクティブマトリクス型とする場合に
は、後側基板の電極20をパタニングして画素電極に加
工するとともに、これを駆動する薄膜トランジスタ等の
スイッチング素子を集積的に形成する。この場合、前側
基板1に形成された透明電極10は電気光学物質3を介
して画素電極に対面する対向電極となる。
Preferably, the outer layer portion 4 includes a color filter 9 formed on the transparent substrate 6, so that a color display device can be obtained. In this case, the antireflection film 15 is interposed between the color filter 9 having a small refractive index and the transparent electrode 10 having a large refractive index, and is surface-bonded to both. Preferably,
The rear substrate 2 has a light reflection layer that reflects light incident from the front substrate 1, and a reflective display device is obtained. In the illustrated example, the electrode 20 is formed of a metal film or the like, and can also serve as a light reflection layer. In some cases, a reflection enhancing film in which at least two dielectric thin films having different refractive indexes are stacked on the surface of the light reflecting layer can be arranged. Antireflection film 1 of front substrate 1
By providing an antireflection film on the rear substrate 2 in addition to 5, the utilization efficiency of incident light can be further improved. In one embodiment, the light reflection layer has a diffuse reflection surface that diffusely reflects light incident from the front substrate 1, and can exhibit the appearance of a so-called white paper. In some cases, a specular reflection surface may be used instead of the diffuse reflection surface. At this time, it is preferable to dispose a light scattering layer on the transparent substrate 6 of the front substrate 1. When the present display device is of an active matrix type, the electrode 20 on the rear substrate is patterned to be processed into a pixel electrode, and a switching element such as a thin film transistor for driving the electrode is integrally formed. In this case, the transparent electrode 10 formed on the front substrate 1 becomes a counter electrode facing the pixel electrode via the electro-optical material 3.

【0012】カラーフィルタ9は透明樹脂にRGB3原
色の色素を画素分割的に分散したものであり、その屈折
率n0は例えば1.54である。透明電極10はITO
等の透明導電膜からなり、その屈折率n2は1.84程
度である。カラーフィルタ9と透明電極10の間に介在
する反射防止膜15はその屈折率をn1とし物理的な膜
厚をdとする。カラーフィルタ9と透明電極10との間
の界面での反射率は垂直入射光に対しn1・d=λ/4
又はこの奇数倍となる時最小である。但し、λは垂直入
射光の波長を表わしている。即ち、反射防止膜15の光
学光路n1・dが実質的に入射光の四分の一波長に相当
すると、多重干渉により入射光の反射率が最小になる。
この場合の反射率Rは以下の数式により表わされる。
The color filter 9 is obtained by dispersing dyes of the three primary colors RGB in a transparent resin in a pixel-division manner, and has a refractive index n0 of, for example, 1.54. The transparent electrode 10 is made of ITO
, And the refractive index n2 is about 1.84. The antireflection film 15 interposed between the color filter 9 and the transparent electrode 10 has a refractive index n1 and a physical film thickness d. The reflectance at the interface between the color filter 9 and the transparent electrode 10 is n1 · d = λ / 4 for vertically incident light.
Or it is the minimum when it becomes an odd multiple of this. Here, λ represents the wavelength of the vertically incident light. That is, when the optical path n1 · d of the antireflection film 15 substantially corresponds to a quarter wavelength of the incident light, the reflectance of the incident light becomes minimum due to the multiple interference.
The reflectance R in this case is represented by the following equation.

【数1】 上記数式から明らかな様に、反射防止膜15の屈折率n
1がカラーフィルタ9の屈折率n0と透明電極10の屈
折率n2の積の平方根と等しくなると、反射率Rは実質
的に0になり、ほぼ不要な界面反射を抑制することがで
きる。n0=1.54及びn2=1.84を代入して計
算すると、反射防止膜15の屈折率n1を1.68とす
ることにより、ほぼ無反射状態が得られる。一般的に
は、n1がn0とn2の間にある場合、反射率は常に反
射防止膜がない場合よりも小さくなる。以上により、カ
ラーフィルタ9と透明電極10の間に反射防止膜15を
設けることで、外光の不要反射を除くことが可能にな
る。なお、カラーフィルタ9がない場合にはガラス等か
らなる透明基体6と透明電極10との間に中間の屈折率
を有する反射防止膜15を介在させればよい。波長λを
視感度の高い555nmで代表すると、理想的には膜厚
dが80nm程度で屈折率n1が1.68の光学材料を
成膜して反射防止膜15とすればよいことが判る。反射
防止膜15としては無機誘電体薄膜もしくは有機樹脂膜
を用いることができる。無機誘電体薄膜としてはSi
O,CeF3 ,Al2 3 ,MgO,ThO2 等が選択
可能である。
(Equation 1) As is apparent from the above equation, the refractive index n of the antireflection film 15
When 1 becomes equal to the square root of the product of the refractive index n0 of the color filter 9 and the refractive index n2 of the transparent electrode 10, the reflectance R becomes substantially 0, and almost unnecessary interface reflection can be suppressed. By calculating by substituting n0 = 1.54 and n2 = 1.84, an almost non-reflective state can be obtained by setting the refractive index n1 of the antireflection film 15 to 1.68. Generally, when n1 is between n0 and n2, the reflectivity is always lower than without the anti-reflection coating. As described above, by providing the antireflection film 15 between the color filter 9 and the transparent electrode 10, unnecessary reflection of external light can be eliminated. When the color filter 9 is not provided, an antireflection film 15 having an intermediate refractive index may be interposed between the transparent substrate 6 made of glass or the like and the transparent electrode 10. If the wavelength λ is represented by 555 nm having high visibility, it can be understood that the antireflection film 15 is ideally formed by forming an optical material having a thickness d of about 80 nm and a refractive index n1 of 1.68. As the antireflection film 15, an inorganic dielectric thin film or an organic resin film can be used. Si as the inorganic dielectric thin film
O, CeF 3 , Al 2 O 3 , MgO, ThO 2 and the like can be selected.

【0013】図2は本発明に係る表示装置の第1実施例
を示す模式的な部分断面図である。本実施例は液晶を電
気光学物質として用いた1枚偏光板タイプの液晶ディス
プレイである。この液晶ディスプレイはカラー表示がで
き反射型であり且つアクティブマトリクス方式を採用し
ている。他の実施例及び比較例も全て同様である。前側
基板1と後側基板2の間には電気光学物質として液晶3
aが保持されている。前側基板1はガラス等からなる透
明基体6を用いており、その上面には偏光板8、位相差
板(位相差フィルム)7及び光散乱層(光散乱フィル
ム)12が積層されている。偏光子(偏光板)8はその
表面が無反射コート(AR)で被覆されている。透明基
体6の下面にはRGB3原色に分かれたカラーフィルタ
9が形成されている。以上の各層が外層部4に含まれ
る。前側基板1は更に内層部5を含んでおり、ITO等
からなる透明電極(対向電極)10とポリイミドフィル
ム等からなる配向膜11が形成されている。後側基板2
はガラス板等からなりその表面にスイッチング素子とし
て薄膜トランジスタ24が集積的に形成されている。各
薄膜トランジスタ24は絶縁膜23で覆われており、そ
の上に画素電極20aが形成されている。各画素電極2
0aは同じくポリイミド等からなる配向膜21で被覆さ
れている。前側基板1と後側基板2の間に液晶3aが保
持されている。
FIG. 2 is a schematic partial sectional view showing a first embodiment of the display device according to the present invention. This embodiment is a one-polarizer type liquid crystal display using a liquid crystal as an electro-optical material. This liquid crystal display is of a reflection type capable of color display and employs an active matrix system. The same applies to all other examples and comparative examples. A liquid crystal 3 is provided between the front substrate 1 and the rear substrate 2 as an electro-optical material.
a is held. The front substrate 1 uses a transparent substrate 6 made of glass or the like, and a polarizing plate 8, a retardation film (retardation film) 7, and a light scattering layer (light scattering film) 12 are laminated on the upper surface thereof. The surface of the polarizer (polarizing plate) 8 is covered with an anti-reflection coat (AR). On the lower surface of the transparent substrate 6, a color filter 9 divided into three primary colors of RGB is formed. Each of the above layers is included in the outer layer portion 4. The front substrate 1 further includes an inner layer portion 5, on which a transparent electrode (counter electrode) 10 made of ITO or the like and an alignment film 11 made of a polyimide film or the like are formed. Rear substrate 2
Is formed of a glass plate or the like, on the surface of which a thin film transistor 24 is integrally formed as a switching element. Each thin film transistor 24 is covered with an insulating film 23, and a pixel electrode 20a is formed thereon. Each pixel electrode 2
Reference numeral 0a is also covered with an alignment film 21 made of polyimide or the like. A liquid crystal 3a is held between the front substrate 1 and the rear substrate 2.

【0014】上述した様に、前側基板1はガラス等の透
明基材6を用いて構成されており、光の入射側に配置さ
れている。透明基材6の液晶3a側にはマイクロカラー
フィルタ9、ITO等の透明導電膜からなる対向電極1
0、ポリイミド等からなる配向膜11が形成されてい
る。透明基体6の観察者側には偏光子8、位相差板7及
び光散乱層12を配置してある。特徴事項として、カラ
ーフィルタ9と透明電極10との間に反射防止膜15を
介在させている。本実施例では、この反射防止膜15は
蒸着もしくはスパッタリングで形成される無機誘電体薄
膜を用いている。具体的には、無機材料としてSiOを
用いた。
As described above, the front substrate 1 is formed using the transparent substrate 6 such as glass, and is disposed on the light incident side. On the liquid crystal 3a side of the transparent base material 6, a micro color filter 9, a counter electrode 1 made of a transparent conductive film such as ITO,
0, an alignment film 11 made of polyimide or the like is formed. On the viewer side of the transparent substrate 6, a polarizer 8, a retardation plate 7, and a light scattering layer 12 are arranged. As a feature, an antireflection film 15 is interposed between the color filter 9 and the transparent electrode 10. In this embodiment, the antireflection film 15 uses an inorganic dielectric thin film formed by vapor deposition or sputtering. Specifically, SiO was used as the inorganic material.

【0015】後側基板2には液晶3a側から順に配向膜
21及び画素電極20aが形成されている。本実施例で
はこの画素電極20aがアルミニウム等の蒸着膜からな
り光反射層を兼ねている。この光反射層はほぼ鏡面反射
するので、これを緩和する為前側基板1に光散乱層12
を配している。各画素電極20aは二酸化シリコン等の
絶縁膜23を介して対応する薄膜トランジスタ24のド
レイン電極に電気接続している。薄膜トランジスタ24
は例えばボトムゲート構造を有しており、下から順にゲ
ート電極、ゲート絶縁膜及び半導体薄膜を重ねた積層構
造である。半導体薄膜は、例えば多結晶シリコン等から
なり、ゲート電極と整合するチャネル領域は上側からス
トッパによって保護されている。この薄膜トランジスタ
を覆う絶縁膜23には一対のコンタクトホールが形成さ
れており、ソース電極及びドレイン電極に連通してい
る。ドレイン電極はコンタクトホールを介して画素電極
20aに接続されている。これによって薄膜トランジス
タ24のドレイン電極と画素電極20aは同電位になっ
ている。ソース電極にはビデオ信号等の信号電圧が供給
されるようになっている。
On the rear substrate 2, an alignment film 21 and a pixel electrode 20a are formed in this order from the liquid crystal 3a side. In this embodiment, the pixel electrode 20a is formed of a vapor-deposited film of aluminum or the like and also serves as a light reflection layer. Since this light reflection layer is almost specularly reflected, the light scattering layer 12
Is arranged. Each pixel electrode 20a is electrically connected to a corresponding drain electrode of the thin film transistor 24 via an insulating film 23 such as silicon dioxide. Thin film transistor 24
Has a bottom gate structure, for example, and has a laminated structure in which a gate electrode, a gate insulating film, and a semiconductor thin film are stacked in order from the bottom. The semiconductor thin film is made of, for example, polycrystalline silicon or the like, and a channel region matching the gate electrode is protected from above by a stopper. A pair of contact holes are formed in the insulating film 23 covering the thin film transistor, and communicate with the source electrode and the drain electrode. The drain electrode is connected to the pixel electrode 20a via a contact hole. Thus, the drain electrode of the thin film transistor 24 and the pixel electrode 20a have the same potential. A signal voltage such as a video signal is supplied to the source electrode.

【0016】前側基板1と後側基板2はスペーサを介し
て互いに接合しており、両者の間隙寸法は例えば3μm
に制御されている。液晶3aは屈折率異方性が小さい
(Δn=0.074)p型のネマティック液晶を用いて
いる。このネマティック液晶3aは上下の配向膜11及
び21によってツイスト配向されている。上下の電極1
0,20a間に電圧を印加するとツイストネマティック
液晶3aは垂直配向に移行する。本表示装置は、電圧無
印加の時液晶3aが基板と平行になっており黒を表示す
る。電圧印加状態では液晶3aが基板に対して垂直に配
向して白を表示する複屈折モードである。本方式では入
射光を偏光子8で直線偏光に変換した後、位相差板7と
液晶3aとの組み合わせにより、入射時と出射時で各々
四分の一波長分の位相差を生じさせ、出射時に偏光板8
で吸光する。通常、波長分散を考慮して位相差板7によ
り全可視波長範囲で位相差が四分の一波長となる様に補
償している。
The front substrate 1 and the rear substrate 2 are joined to each other via a spacer, and the gap between them is, for example, 3 μm.
Is controlled. As the liquid crystal 3a, a p-type nematic liquid crystal having a small refractive index anisotropy (Δn = 0.0074) is used. The nematic liquid crystal 3a is twist-aligned by the upper and lower alignment films 11 and 21. Upper and lower electrodes 1
When a voltage is applied between 0 and 20a, the twisted nematic liquid crystal 3a shifts to vertical alignment. In this display device, when no voltage is applied, the liquid crystal 3a is parallel to the substrate and displays black. In the voltage application state, the liquid crystal 3a is in a birefringence mode in which the liquid crystal 3a is oriented perpendicular to the substrate and displays white. In this method, after the incident light is converted into linearly polarized light by the polarizer 8, a phase difference of a quarter wavelength is generated at the time of incidence and at the time of emission, respectively, by the combination of the phase difference plate 7 and the liquid crystal 3a. Sometimes polarizing plate 8
Absorb light. Normally, the wavelength difference is compensated by the phase difference plate 7 so that the phase difference becomes a quarter wavelength in the entire visible wavelength range.

【0017】次に、本発明の第2実施例を説明する。第
2実施例は前述した第1実施例と基本的に同一の構造を
有するので、図2を参照しながら説明する。第2実施例
では反射防止膜15として無機誘電体薄膜を用いている
が、第1実施例のSiOに代えて、Al2 3 を用いて
いる。Al2 3 を真空蒸着又はスパッタリングでカラ
ーフィルタ9の上に成膜した。その厚みは70nmない
し90nmである。
Next, a second embodiment of the present invention will be described. The second embodiment has basically the same structure as the first embodiment described above, and will be described with reference to FIG. Although the inorganic dielectric thin film is used as the antireflection film 15 in the second embodiment, Al 2 O 3 is used instead of SiO in the first embodiment. Al 2 O 3 was formed on the color filter 9 by vacuum evaporation or sputtering. Its thickness is between 70 nm and 90 nm.

【0018】図3を参照して本発明の第3実施例を説明
する。基本的には図2に示した第1実施例と同様であ
り、対応する部分には対応する参照番号を付して理解を
容易にしている。特徴事項として、後側基板2に反射増
強膜25を設けている。画素電極20aは例えばアルミ
ニウムからなりその反射率は90%程度である。この上
に反射増強膜25を重ねることで、反射率が97%まで
高くなる。この反射増強膜25は例えば屈折率が異なる
少くとも2層の誘電体薄膜を重ねた構造となっている。
以下具体的に第3実施例を説明する。前側基板1はガラ
ス板等の透明基体6を用いており、光の入射側に配置さ
れる。透明基体6の液晶3a側にはカラーフィルタ9、
入射光の反射を低減させる為の反射防止膜15、ITO
等の透明導電膜からなる透明電極10、ポリイミド等か
らなる配向膜11が形成されている。透明基体6の入射
側には偏光板8、位相差板7、光散乱層12を配置して
いる。反射防止膜15としては第1実施例と同様にSi
Oを使用した。後側基板2には液晶3a側に配向膜21
及び光反射型の画素電極20aが形成されている。画素
電極20aは絶縁膜23を介して薄膜トランジスタ24
のドレイン電極に接続している。画素電極20a上に、
ZnSとMgF2 のλ/4膜を2層にコーティングして
反射増強膜25としている。前側基板1と後側基板2は
両者の間にスペーサが散布されており所定の間隙を介し
て互いに接合している。この間隙寸法は例えば3μmで
ある。間隙にはp型のネマティック液晶3aが保持され
ている。
A third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Basically, it is the same as the first embodiment shown in FIG. 2, and corresponding parts are denoted by corresponding reference numerals to facilitate understanding. As a characteristic matter, a reflection enhancing film 25 is provided on the rear substrate 2. The pixel electrode 20a is made of, for example, aluminum and has a reflectance of about 90%. By overlaying the reflection enhancing film 25 thereon, the reflectance increases to 97%. The reflection enhancing film 25 has a structure in which at least two dielectric thin films having different refractive indexes are stacked.
Hereinafter, the third embodiment will be specifically described. The front substrate 1 uses a transparent substrate 6 such as a glass plate and is disposed on the light incident side. A color filter 9 is provided on the liquid crystal 3a side of the transparent substrate 6.
Anti-reflection film 15 for reducing reflection of incident light, ITO
A transparent electrode 10 made of a transparent conductive film such as a polyimide film, and an alignment film 11 made of a polyimide or the like are formed. A polarizing plate 8, a retardation plate 7, and a light scattering layer 12 are arranged on the incident side of the transparent substrate 6. The anti-reflection film 15 is made of Si as in the first embodiment.
O was used. The rear substrate 2 has an alignment film 21 on the liquid crystal 3a side.
And a light reflection type pixel electrode 20a. The pixel electrode 20a is connected to the thin film transistor 24 via the insulating film 23.
Connected to the drain electrode. On the pixel electrode 20a,
The reflection enhancement film 25 is formed by coating two layers of a λ / 4 film of ZnS and MgF 2 . Spacers are scattered between the front substrate 1 and the rear substrate 2 and are joined to each other with a predetermined gap. This gap size is, for example, 3 μm. A p-type nematic liquid crystal 3a is held in the gap.

【0019】図4は第1比較例を示す模式的な部分断面
図である。基本的には図2に示した第1実施例と同様で
あり、対応する部分には対応する参照番号を付してあ
る。この第1比較例はカラーフィルタ9と透明電極10
が直接接触しており、両者の界面に何ら反射防止膜が介
在していない。以下具体的にこの第1比較例を説明す
る。前側基板1はガラス板等の透明基体6からなり、光
の入射側に配置されている。透明基体6の液晶3a側に
はカラーフィルタ9、ITO等の透明導電膜からなる透
明電極10、ポリイミド等からなる配向膜11が形成さ
れている。透明基体6の入射側には偏光板8、位相差板
7及び光散乱層12が配置されている。後側基板2には
液晶3a側に配向膜21及び光反射性の画素電極20a
が配置されている。画素電極20aは絶縁膜23を介し
て薄膜トランジスタ24のドレイン電極に接続してい
る。前側基板1と後側基板2はスペーサを介して互いに
接合しており、両者の間隙寸法は3μmに設定されてい
る。この間隙にはツイスト配向されたネマティック液晶
3aが保持されている。
FIG. 4 is a schematic partial sectional view showing a first comparative example. Basically, it is the same as the first embodiment shown in FIG. 2, and corresponding parts are denoted by corresponding reference numerals. In this first comparative example, a color filter 9 and a transparent electrode 10 were used.
Are in direct contact with each other, and no antireflection film is interposed at the interface between them. Hereinafter, the first comparative example will be specifically described. The front substrate 1 is made of a transparent substrate 6 such as a glass plate and is arranged on the light incident side. On the liquid crystal 3a side of the transparent substrate 6, a color filter 9, a transparent electrode 10 made of a transparent conductive film such as ITO, and an alignment film 11 made of polyimide or the like are formed. A polarizing plate 8, a retardation plate 7, and a light scattering layer 12 are arranged on the incident side of the transparent substrate 6. The rear substrate 2 has an alignment film 21 and a light-reflective pixel electrode 20a on the liquid crystal 3a side.
Is arranged. The pixel electrode 20a is connected to the drain electrode of the thin film transistor 24 via the insulating film 23. The front substrate 1 and the rear substrate 2 are joined to each other via a spacer, and the gap between them is set to 3 μm. In this gap, a nematic liquid crystal 3a that is twist-oriented is held.

【0020】図5は本発明に係る表示装置の第4実施例
を示す模式的な部分断面図である。基本的には図2に示
した第1実施例と同様な構造を有しており、対応する部
分には対応する参照番号を付して理解を容易にしてい
る。異なる点は、第1実施例が前側基板1に光散乱層1
2を配した前方散乱型であるのに対し、本実施例は後側
基板2に拡散反射面を設けた後方散乱型である。以下第
4実施例を具体的に説明する。前側基板1は透明基体6
からなり、光の入射側に配置されている。透明基体6の
液晶3a側にはカラーフィルタ9、入射光の反射を低減
させる為の反射防止膜15、ITO等の透明導電膜から
なる透明電極10、ポリイミド等からなる配向膜11が
形成されている。反射防止膜15としては第1実施例と
同様にSiOの蒸着膜又はスパッタ膜を用いた。後側基
板2には薄膜トランジスタ24の上に絶縁膜23を介し
て光反射層22が形成されている。この光反射層22は
アルミニウム等の蒸着膜からなる。絶縁膜23はアクリ
ル樹脂等からなりフォトリソグラフィにより凹凸が形成
されている。この為、光反射層22も凹凸をなしてお
り、光拡散面を構成する。この光反射層22は画素毎に
細分化されており絶縁膜23を介して薄膜トランジスタ
24のドレイン電極に電気接続されている。凹凸を有す
る光反射層22の上にはアクリル樹脂等からなる平坦化
膜26が塗工されている。この平坦化膜26の上に画素
電極20aが形成されている。画素電極20aは平坦化
膜26及び絶縁膜23に開口したコンタクトホールを介
して対応する薄膜トランジスタ24のドレイン電極に電
気接続している。画素電極20aはポリイミド等の配向
膜21により被覆されている。前側基板1と後側基板2
はスペーサを介して互いに接合しており、両者の間隙に
屈折率異方性の小さいp型のネマティック液晶3aが保
持されている。間隙寸法は3μm程度である。以上の様
に、本実施例は後側基板2に光拡散面を設ける一方、前
側基板1から光散乱層12を除去している。なお、以上
に説明した第1実施例ないし第4実施例では、反射防止
膜15を構成する無機誘電体薄膜はその膜厚が80nm
に設定されている。
FIG. 5 is a schematic partial sectional view showing a fourth embodiment of the display device according to the present invention. Basically, it has a structure similar to that of the first embodiment shown in FIG. 2, and corresponding parts are denoted by corresponding reference numerals to facilitate understanding. The first embodiment is different from the first embodiment in that the light scattering layer 1
In contrast to the forward-scattering type in which the second substrate 2 is disposed, the present embodiment is a back-scattering type in which a diffuse reflection surface is provided on the rear substrate 2. Hereinafter, the fourth embodiment will be described in detail. The front substrate 1 is a transparent substrate 6
And is arranged on the light incident side. On the liquid crystal 3a side of the transparent substrate 6, a color filter 9, an antireflection film 15 for reducing the reflection of incident light, a transparent electrode 10 made of a transparent conductive film such as ITO, and an alignment film 11 made of polyimide or the like are formed. I have. As the antireflection film 15, an SiO vapor deposition film or a sputtered film was used as in the first embodiment. On the rear substrate 2, a light reflection layer 22 is formed on a thin film transistor 24 via an insulating film 23. The light reflection layer 22 is made of a deposited film of aluminum or the like. The insulating film 23 is made of an acrylic resin or the like, and has irregularities formed by photolithography. For this reason, the light reflection layer 22 is also uneven, forming a light diffusion surface. The light reflection layer 22 is subdivided for each pixel, and is electrically connected to the drain electrode of the thin film transistor 24 via the insulating film 23. A flattening film 26 made of acrylic resin or the like is applied on the light reflection layer 22 having the unevenness. The pixel electrode 20a is formed on the flattening film 26. The pixel electrode 20a is electrically connected to the drain electrode of the corresponding thin film transistor 24 via a contact hole opened in the planarizing film 26 and the insulating film 23. The pixel electrode 20a is covered with an alignment film 21 such as polyimide. Front substrate 1 and rear substrate 2
Are connected to each other via a spacer, and a p-type nematic liquid crystal 3a having a small refractive index anisotropy is held in a gap between the two. The gap size is about 3 μm. As described above, in this embodiment, the light scattering layer 12 is removed from the front substrate 1 while the light diffusion surface is provided on the rear substrate 2. In the first to fourth embodiments described above, the inorganic dielectric thin film constituting the antireflection film 15 has a thickness of 80 nm.
Is set to

【0021】図6は第2比較例を示す模式的な部分断面
図である。基本的には、この第2比較例は図5に示した
第4実施例と同様であり、対応する部分には対応する参
照番号を付して理解を容易にしている。異なる点は、反
射防止膜が用いられておらず、カラーフィルタ9と透明
電極10が直接接触していることである。以下本比較例
を説明する。前側基板1はガラス等の透明基体6からな
り光の入射側に配置される。透明基体6の液晶3a側に
はカラーフィルタ9、透明電極10、配向膜11が形成
されている。後側基板2には薄膜トランジスタ24の上
に絶縁膜23を介して光反射層22が形成されている。
絶縁膜23の表面は凹凸をなしている為、光反射層22
は光拡散面となっている。光反射層22は画素毎に細分
化されており、対応する薄膜トランジスタ24のドレイ
ン電極に接続している。光反射層22の上には凹凸を平
坦化する為の平坦化膜26が形成されており、その上に
ITO等からなる透明な画素電極20aが形成されてい
る。画素電極20aは平坦化膜26を介して対応する光
反射層22に接続されているとともに、対応する薄膜ト
ランジスタ24のドレイン電極に接続されている。画素
電極20aの上にはポリイミド等からなる配向膜21が
形成されている。前側基板1と後側基板2はスペーサを
介して互いに接合しており、両者の間に屈折率異方性の
小さいp型のネマティック液晶3aが保持されている。
両基板の間隙寸法は3μmである。
FIG. 6 is a schematic partial sectional view showing a second comparative example. Basically, the second comparative example is the same as the fourth embodiment shown in FIG. 5, and corresponding portions are denoted by corresponding reference numerals to facilitate understanding. The difference is that the antireflection film is not used and the color filter 9 and the transparent electrode 10 are in direct contact. Hereinafter, this comparative example will be described. The front substrate 1 is made of a transparent substrate 6 such as glass and is disposed on the light incident side. On the liquid crystal 3a side of the transparent base 6, a color filter 9, a transparent electrode 10, and an alignment film 11 are formed. On the rear substrate 2, a light reflection layer 22 is formed on a thin film transistor 24 via an insulating film 23.
Since the surface of the insulating film 23 is uneven, the light reflecting layer 22
Is a light diffusion surface. The light reflection layer 22 is subdivided for each pixel, and is connected to the drain electrode of the corresponding thin film transistor 24. A flattening film 26 for flattening irregularities is formed on the light reflection layer 22, and a transparent pixel electrode 20a made of ITO or the like is formed thereon. The pixel electrode 20a is connected to the corresponding light reflection layer 22 via the flattening film 26 and to the corresponding drain electrode of the thin film transistor 24. An alignment film 21 made of polyimide or the like is formed on the pixel electrode 20a. The front substrate 1 and the rear substrate 2 are joined to each other via a spacer, and a p-type nematic liquid crystal 3a having a small refractive index anisotropy is held between them.
The gap between the two substrates is 3 μm.

【0022】図7は本発明に係る表示装置の第5実施例
を示す模式的な部分断面図である。基本的には図2に示
した第1実施例と同一であり、対応する部分には対応す
る参照番号を付してある。異なる点は、反射防止膜15
aが無機誘電体薄膜ではなく有機樹脂膜からなることで
ある。無機誘電体薄膜は反射防止膜として優れた特性を
示すが、成膜の為スパッタ工程が必要となりプロセス数
が増える等量産に適さない場合もある。スパッタ工程は
バッチ処理になる為オンライン加工から外れることにな
る。そこで、本実施例では量産性並びに生産性に優れた
有機樹脂膜を塗工することで反射防止膜15aとしてい
る。以下本実施例を説明する。前側基板1はガラス等の
透明基体6からなり光の入射側に配置される。透明基体
6の液晶3a側にはマイクロカラーフィルタ9、入射光
の不要反射を低減させる為の反射防止膜15a、IXO
等からなる透明電極10、ポリイミド等からなる配向膜
11が形成されている。反射防止膜15aは有機樹脂膜
からなり、本実施例ではポリイミドを塗工している。塗
工方法としてはスピンコート、印刷、ディッピング等が
ある。有機樹脂膜の膜厚は87nmに設定してある。こ
の膜厚は以下の実施例でも同様である。基本的には反射
防止膜15aの膜厚はその光学光路がλ/4となる様に
設定される。λは例えば560nmが選ばれる。実際に
は斜め入射成分を考慮する必要がある為膜厚dよりも光
路の方が長くなる。そこで、本実施例では有機樹脂膜の
実際の膜厚dは87nmとした。一方後側基板2には液
晶3aに面してポリイミド配向膜21及び反射性の画素
電極20aが形成されている。アルミニウム等からなる
反射性の画素電極20aは絶縁膜23を介して対応する
薄膜トランジスタ24のドレイン電極に接続している。
前側基板1と後側基板2はスペーサを介して互いに接合
しており、両者の間隙にp型のネマティック液晶3aが
封入されている。両基板の間隙寸法は3μmである。
FIG. 7 is a schematic partial sectional view showing a fifth embodiment of the display device according to the present invention. Basically, it is the same as the first embodiment shown in FIG. 2, and the corresponding parts are denoted by the corresponding reference numerals. The difference is that the anti-reflection film 15
"a" is not an inorganic dielectric thin film but an organic resin film. Although the inorganic dielectric thin film exhibits excellent properties as an antireflection film, a sputtering step is required for film formation, and the number of processes is increased, which is not suitable for equal mass production in some cases. Since the sputtering process is a batch process, it deviates from online processing. Therefore, in this embodiment, the antireflection film 15a is formed by applying an organic resin film having excellent mass productivity and productivity. Hereinafter, this embodiment will be described. The front substrate 1 is made of a transparent substrate 6 such as glass and is disposed on the light incident side. On the liquid crystal 3a side of the transparent substrate 6, a micro color filter 9, an antireflection film 15a for reducing unnecessary reflection of incident light, IXO
And an alignment film 11 made of polyimide or the like. The anti-reflection film 15a is made of an organic resin film, and is coated with polyimide in this embodiment. The coating method includes spin coating, printing, dipping and the like. The thickness of the organic resin film is set to 87 nm. This film thickness is the same in the following examples. Basically, the film thickness of the antireflection film 15a is set so that its optical path is λ / 4. As λ, for example, 560 nm is selected. Actually, since the oblique incidence component needs to be considered, the optical path is longer than the film thickness d. Therefore, in this embodiment, the actual thickness d of the organic resin film is set to 87 nm. On the other hand, a polyimide alignment film 21 and a reflective pixel electrode 20a are formed on the rear substrate 2 so as to face the liquid crystal 3a. The reflective pixel electrode 20 a made of aluminum or the like is connected to the corresponding drain electrode of the thin film transistor 24 via the insulating film 23.
The front substrate 1 and the rear substrate 2 are joined to each other via a spacer, and a p-type nematic liquid crystal 3a is sealed in a gap between the two. The gap between the two substrates is 3 μm.

【0023】続いて本発明の第6実施例を説明する。基
本的には図7に示した第5実施例と同様であり、図7を
参照して第6実施例を説明する。第5実施例と異なる点
は、反射防止膜15aを構成する有機樹脂膜として、ポ
リイミドに代え紫外線硬化型のアクリル樹脂を用いてい
ることである。前側基板1はガラス等の透明基体6から
なり光の入射側に配置される。透明基体6の液晶3a側
にはカラーフィルタ9、入射光の不要反射を低減させる
為の反射防止膜15a、IXO等からなる透明電極1
0、ポリイミドからなる配向膜11が形成されている。
透明基体6の入射側には偏光板8、位相差フィルム7、
光散乱層12を配置している。従って前方散乱型であ
る。反射防止膜15aとして用いられる紫外線硬化型ア
クリル系樹脂の膜厚は87nmである。後側基板2には
液晶3aに面してポリイミドからなる配向膜21及びア
ルミニウムからなる画素電極20aが形成されている。
画素電極20aは絶縁膜23を介して薄膜トランジスタ
24のドレイン電極に接続している。前側基板1と後側
基板2はスペーサを介して互いに接合しており、両者の
間隙にp型のネマティック液晶が封入されている。間隙
寸法は3μmである。
Next, a sixth embodiment of the present invention will be described. This is basically the same as the fifth embodiment shown in FIG. 7, and the sixth embodiment will be described with reference to FIG. The difference from the fifth embodiment is that an ultraviolet-curable acrylic resin is used instead of polyimide as the organic resin film constituting the antireflection film 15a. The front substrate 1 is made of a transparent substrate 6 such as glass and is disposed on the light incident side. On the liquid crystal 3a side of the transparent substrate 6, a color filter 9, an antireflection film 15a for reducing unnecessary reflection of incident light, a transparent electrode 1 made of IXO, etc.
0, an alignment film 11 made of polyimide is formed.
On the incident side of the transparent substrate 6, a polarizing plate 8, a retardation film 7,
The light scattering layer 12 is provided. Therefore, it is a forward scattering type. The thickness of the ultraviolet curable acrylic resin used as the antireflection film 15a is 87 nm. On the rear substrate 2, an alignment film 21 made of polyimide and a pixel electrode 20a made of aluminum are formed facing the liquid crystal 3a.
The pixel electrode 20a is connected to the drain electrode of the thin film transistor 24 via the insulating film 23. The front substrate 1 and the rear substrate 2 are joined to each other via a spacer, and a p-type nematic liquid crystal is sealed in a gap between the two. The gap size is 3 μm.

【0024】図8は本発明の第7実施例を示す模式的な
部分断面図である。図7に示した第5実施例及び第6実
施例は前方散乱型であるのに対し、本実施例は後方散乱
型である。前側基板1はガラス等の透明基体6を用いて
おり光の入射側に配置される。透明基体6には液晶3a
に面してカラーフィルタ9、入射光の反射を低減させる
為の反射防止膜15a、ITOからなる透明電極10、
ポリイミド等からなる配向膜11が形成されている。反
射防止膜15aは紫外線硬化型のアクリル系樹脂からな
る。後側基板2には薄膜トランジスタ24の上に絶縁膜
23を介して光反射層22が形成されている。絶縁膜2
3はアクリル樹脂からなりその表面がフォトリソグラフ
ィにより凹凸に加工されている。従ってアルミニウムか
らなる光反射層22は光拡散面をなしている。光反射層
22は画素に対応して細分化されており絶縁膜23を介
して対応する薄膜トランジスタ24のドレイン電極に接
続されている。光反射層22の凹凸は平坦化膜26によ
って平坦化されている。平坦化膜26の上にはITO等
からなる画素電極20aが配されている。画素電極20
aは平坦化膜26を介して対応する光反射層22に接続
しており、更に絶縁膜23に開口したコンタクトホール
を介して対応する薄膜トランジスタ24のドレイン電極
と電気接続している。画素電極20aの表面はポリイミ
ドからなる配向膜21によって被覆されている。前側基
板1と後側基板2は所定の間隙を介して互いに接合して
おり両者の間に屈折率異方性の小さいp型ネマティック
液晶3aが保持されている。間隙寸法は3μmである。
FIG. 8 is a schematic partial sectional view showing a seventh embodiment of the present invention. While the fifth and sixth embodiments shown in FIG. 7 are of the forward scattering type, this embodiment is of the back scattering type. The front substrate 1 uses a transparent substrate 6 such as glass and is disposed on the light incident side. The transparent substrate 6 has a liquid crystal 3a
, A color filter 9, an antireflection film 15 a for reducing reflection of incident light, a transparent electrode 10 made of ITO,
An alignment film 11 made of polyimide or the like is formed. The antireflection film 15a is made of an ultraviolet curable acrylic resin. On the rear substrate 2, a light reflection layer 22 is formed on a thin film transistor 24 via an insulating film 23. Insulating film 2
Reference numeral 3 is made of an acrylic resin, and its surface is processed into irregularities by photolithography. Therefore, the light reflection layer 22 made of aluminum forms a light diffusion surface. The light reflection layer 22 is subdivided corresponding to the pixel, and is connected to the drain electrode of the corresponding thin film transistor 24 via the insulating film 23. The unevenness of the light reflection layer 22 is flattened by the flattening film 26. A pixel electrode 20a made of ITO or the like is arranged on the flattening film 26. Pixel electrode 20
“a” is connected to the corresponding light reflection layer 22 via the flattening film 26, and is further electrically connected to the drain electrode of the corresponding thin film transistor 24 via the contact hole opened in the insulating film 23. The surface of the pixel electrode 20a is covered with an alignment film 21 made of polyimide. The front substrate 1 and the rear substrate 2 are bonded to each other with a predetermined gap therebetween, and a p-type nematic liquid crystal 3a having a small refractive index anisotropy is held between the two. The gap size is 3 μm.

【0025】最後に本発明の第8実施例を説明する。基
本的には図8に示した第7実施例と同様であり、図8を
参照して説明する。異なる点は、反射防止膜15aを構
成する有機樹脂膜として紫外線硬化型のアクリル系樹脂
に代えポリイミド樹脂を用いたことである。前側基板1
はガラス等からなる透明基体6を用いており、光の入射
側に配置される。透明基体6の液晶3a側にはカラーフ
ィルタ9、入射光の反射を低減させる為の反射防止膜1
5a、ITOからなる透明電極10、ポリイミド等から
なる配向膜11が形成されている。前述した様に反射防
止膜15aはポリイミドの塗膜からなりその膜厚は87
nmである。後側基板2には薄膜トランジスタ24の上
に絶縁膜23を介してアルミニウムからなる光反射層2
2が設けてある。アクリル樹脂からなる絶縁膜23の表
面はフォトリソグラフィにより凹凸に加工されているの
で、光反射層22は光拡散面を構成している。光反射層
22は画素毎に細分化されており、絶縁膜23を介して
対応する薄膜トランジスタ24のドレイン電極に接続し
ている。光反射層22の上には平坦化膜26が形成され
ており、その上にITO等からなる画素電極20aが形
成されている。画素電極20a及び対応する光反射層2
2は同電位であり、両者とも対応する薄膜トランジスタ
24のドレイン電極に接続されている。画素電極20a
の表面はポリイミドからなる配向膜21により被覆され
ている。前側基板1と後側基板2はスペーサを介して互
いに接合しており、両者の間隙に屈折率異方性の小さい
p型ネマティック液晶が封入されている。間隙寸法は3
μmに設定されている。
Finally, an eighth embodiment of the present invention will be described. This is basically the same as the seventh embodiment shown in FIG. 8, and will be described with reference to FIG. The difference is that a polyimide resin is used as the organic resin film constituting the antireflection film 15a instead of the ultraviolet-curable acrylic resin. Front substrate 1
Uses a transparent substrate 6 made of glass or the like, and is disposed on the light incident side. On the liquid crystal 3a side of the transparent substrate 6, a color filter 9 and an antireflection film 1 for reducing reflection of incident light are provided.
5a, a transparent electrode 10 made of ITO, and an alignment film 11 made of polyimide or the like are formed. As described above, the antireflection film 15a is made of a polyimide coating and has a thickness of 87 mm.
nm. On the rear substrate 2, a light reflection layer 2 made of aluminum is formed on a thin film transistor 24 via an insulating film 23.
2 are provided. Since the surface of the insulating film 23 made of an acrylic resin is processed into irregularities by photolithography, the light reflecting layer 22 forms a light diffusing surface. The light reflection layer 22 is subdivided for each pixel, and is connected to the corresponding drain electrode of the thin film transistor 24 via the insulating film 23. A flattening film 26 is formed on the light reflection layer 22, and a pixel electrode 20a made of ITO or the like is formed thereon. Pixel electrode 20a and corresponding light reflection layer 2
2 has the same potential, and both are connected to the drain electrode of the corresponding thin film transistor 24. Pixel electrode 20a
Is covered with an alignment film 21 made of polyimide. The front substrate 1 and the rear substrate 2 are joined to each other via a spacer, and a p-type nematic liquid crystal having a small refractive index anisotropy is sealed in a gap between the two. The gap size is 3
It is set to μm.

【0026】第1実施例ないし第8実施例と第1比較例
及び第2比較例について表示コントラストを測定して相
対評価を行った。その結果を以下の表1に示す。
The display contrast of the first to eighth embodiments, the first comparative example, and the second comparative example was measured to make a relative evaluation. The results are shown in Table 1 below.

【表1】 [Table 1]

【0027】表示コントラストは黒表示の明るさに対す
る白表示の明るさの比で表わした。各実施例及び各比較
例について対応する図番を表中に示してある。第1比較
例は前方散乱型であり反射防止膜は用いていない。第1
実施例は前方散乱型であり反射防止膜としてSiOから
なる無機誘電体薄膜を用いている。第2実施例も前方散
乱型であり、反射防止膜としてAl2 3 からなる無機
誘電体薄膜を用いている。第3実施例も前方散乱型であ
り反射防止膜としてSiOからなる無機誘電体薄膜を用
いるとともに、反射増強膜を付加している。第2比較例
は後方散乱型であり反射防止膜は用いていない。第4実
施例は後方散乱型であり反射防止膜としてSiOからな
る無機誘電体薄膜を用いている。第5実施例は前方散乱
型であり反射防止膜としてポリイミドからなる有機樹脂
膜を用いている。第6実施例も前方散乱型であり反射防
止膜として紫外線硬化型アクリル系の有機樹脂膜を用い
ている。第7実施例は後方散乱型であり、反射防止膜と
して紫外線硬化型アクリル系の有機樹脂膜を用いてい
る。第8実施例も後方散乱型であり反射防止膜としてポ
リイミドからなる有機樹脂膜を用いている。
The display contrast was represented by the ratio of the brightness of white display to the brightness of black display. The corresponding figure numbers for each example and each comparative example are shown in the table. The first comparative example is a forward scattering type and does not use an antireflection film. First
The embodiment uses a forward scattering type inorganic thin film made of SiO as an antireflection film. The second embodiment is also of a forward scattering type, and uses an inorganic dielectric thin film made of Al 2 O 3 as an antireflection film. The third embodiment is also of the forward scattering type, uses an inorganic dielectric thin film made of SiO as an antireflection film, and adds a reflection enhancing film. The second comparative example is a back scattering type and does not use an antireflection film. The fourth embodiment is of a backscattering type and uses an inorganic dielectric thin film made of SiO as an antireflection film. The fifth embodiment is of a forward scattering type and uses an organic resin film made of polyimide as an antireflection film. The sixth embodiment is also of a forward scattering type and uses an ultraviolet-curable acrylic organic resin film as an antireflection film. The seventh embodiment is of a back scattering type, in which an ultraviolet curable acrylic organic resin film is used as an antireflection film. The eighth embodiment is also a back scattering type, and uses an organic resin film made of polyimide as an antireflection film.

【0028】第1比較例と第1実施例ないし第3実施例
を比較すれば明らかな様に、前方散乱型では反射防止膜
を設けることで表示コントラストが顕著に改善されてい
る。反射防止膜として無機誘電体薄膜を用いた場合第1
実施例と第2実施例の差から明らかな様に材料としては
SiOの方がAl2 3 よりも優れている。第1実施例
と第3実施例を比較すれば明らかな様に、前側基板の反
射防止膜に加え後側基板に反射増強膜を設けることで表
示コントラストが一層向上する。第2比較例と第4実施
例を比較すれば明らかな様に、後方散乱型でも反射防止
膜を設けることにより表示コントラストが向上する。但
し、改善の度合いは前方散乱型に比べ後方散乱型の方が
少ない。第1実施例ないし第4実施例の群と第5実施例
ないし第8実施例の群とを比較すると、反射防止膜とし
ては無機誘電体薄膜の方が有機樹脂膜よりも若干特性が
優れている。しかし生産性の観点からすると有機樹脂膜
の方が無機誘電体薄膜よりも優れている。
As is clear from the comparison between the first comparative example and the first to third embodiments, the display contrast is remarkably improved in the forward scattering type by providing an antireflection film. When an inorganic dielectric thin film is used as an antireflection film,
As is apparent from the difference between the embodiment and the second embodiment, SiO is superior to Al 2 O 3 as a material. As is clear from the comparison between the first embodiment and the third embodiment, the display contrast is further improved by providing the reflection enhancing film on the rear substrate in addition to the antireflection film on the front substrate. As is clear from the comparison between the second comparative example and the fourth embodiment, the display contrast is improved by providing the antireflection film even in the back scattering type. However, the degree of improvement is smaller in the backscattering type than in the forward scattering type. Comparing the group of the first to fourth embodiments with the group of the fifth to eighth embodiments, the inorganic dielectric thin film has slightly better characteristics as the antireflection film than the organic resin film. I have. However, from the viewpoint of productivity, the organic resin film is superior to the inorganic dielectric thin film.

【0029】[0029]

【発明の効果】反射型表示装置では紙の白さとこれに印
刷された文字の黒さとの間の様な高いコントラスト(1
0程度)が望まれている。その為には明るい白表示と暗
い黒表示が必要である。つまり白表示時の高い反射率と
黒表示時の低い反射率が望まれる。この為には入射光の
利用効率を高める必要がある。表示装置は多層構造を成
しており多くの界面が存在するが、特に空気層と偏光板
の界面及び透明基体層又はカラーフィルタ層と透明電極
層の界面では比較的大きい反射を示す。本発明は特に透
明電極の入射側界面に反射防止膜を設け、黒表示の引き
締まった高コントラストで高画質な表示画像を実現する
ものである。反射防止膜としては無機の誘電体薄膜を用
いており優れた特性を得ている。但し、量産性及び製造
コストの観点から無機誘電体薄膜に代えて有機樹脂膜を
用いることもできる。透明基体もしくはカラーフィルタ
と透明電極との間の界面における不要反射は反射型表示
装置に限られず透過型表示装置でも必ず存在するので、
黒表示を引き締める為の方法として本発明は広く応用す
ることができる。特に、表示装置の前側基板に光拡散層
を設置する前方散乱型では斜めに入射する光が増加する
ので反射防止膜が有効である。
In the reflection type display device, a high contrast (1) between the whiteness of the paper and the blackness of the characters printed thereon is obtained.
0) is desired. For that purpose, a bright white display and a dark black display are required. That is, a high reflectance in white display and a low reflectance in black display are desired. For this purpose, it is necessary to increase the utilization efficiency of incident light. The display device has a multilayer structure and has many interfaces. In particular, the interface exhibits relatively large reflection at the interface between the air layer and the polarizing plate and at the interface between the transparent substrate layer or the color filter layer and the transparent electrode layer. The present invention particularly provides an anti-reflection film at the interface of the transparent electrode on the incident side to realize a high-contrast, high-quality display image of black display. As the antireflection film, an inorganic dielectric thin film is used, and excellent characteristics are obtained. However, an organic resin film can be used instead of the inorganic dielectric thin film from the viewpoint of mass productivity and manufacturing cost. Unnecessary reflection at the interface between the transparent substrate or the color filter and the transparent electrode is not limited to the reflection type display device but always exists in the transmission type display device.
The present invention can be widely applied as a method for tightening black display. In particular, an antireflection film is effective in a forward scattering type in which a light diffusion layer is provided on a front substrate of a display device, because obliquely incident light increases.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る表示装置の基本的な構成を示す断
面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a basic configuration of a display device according to the present invention.

【図2】本発明の第1実施例及び第2実施例を示す断面
図である。
FIG. 2 is a sectional view showing a first embodiment and a second embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第3実施例を示す断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing a third embodiment of the present invention.

【図4】第1比較例を示す断面図である。FIG. 4 is a sectional view showing a first comparative example.

【図5】第4実施例を示す断面図である。FIG. 5 is a sectional view showing a fourth embodiment.

【図6】第2比較例を示す断面図である。FIG. 6 is a sectional view showing a second comparative example.

【図7】第5実施例及び第6実施例を示す断面図であ
る。
FIG. 7 is a sectional view showing a fifth embodiment and a sixth embodiment.

【図8】第7実施例及び第8実施例を示す断面図であ
る。
FIG. 8 is a sectional view showing a seventh embodiment and an eighth embodiment.

【図9】従来の表示装置を示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a conventional display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・前側基板、2・・・後側基板、3・・・電気光
学物質、3a・・・液晶、4・・・外層部、5・・・内
層部、6・・・透明基体、7・・・位相差板、8・・・
偏光子、9・・・カラーフィルタ、10・・・透明電
極、11・・・配向膜、12・・・光散乱層、15・・
・反射防止膜、15a・・・反射防止膜、20・・・電
極、20a・・・画素電極、21・・・配向膜、22・
・・光反射層、23・・・絶縁膜、24・・・薄膜トラ
ンジスタ、25・・・反射増強膜、26・・・平坦化膜
REFERENCE SIGNS LIST 1 front substrate, 2 rear substrate, 3 electro-optical material, 3 a liquid crystal, 4 outer layer portion, 5 inner layer portion, 6 transparent substrate, 7 ... Phase plate, 8 ...
Polarizer, 9 ... color filter, 10 ... transparent electrode, 11 ... alignment film, 12 ... light scattering layer, 15 ...
・ Anti-reflection film, 15a: an anti-reflection film, 20: an electrode, 20a: a pixel electrode, 21: an alignment film, 22 ・
..Light reflecting layer, 23 ... insulating film, 24 ... thin film transistor, 25 ... reflection enhancing film, 26 ... planarizing film

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 観察者に対面する光透過性の前側基板
と、所定の間隙を介して該前側基板に接合する後側基板
と、該間隙に保持された電気光学物質とを含む表示装置
であって、 前記前側基板は、透明基体を含み比較的屈折率が小さい
外層部と、該電気光学物質に電源を印加する透明電極を
含み比較的屈折率の大きい内層部と、該外層部と内層部
の間に介在し不要反射を抑制するために両者の中間の屈
折率を有する反射防止膜とを備えたことを特徴とする表
示装置。
1. A display device comprising: a light-transmitting front substrate facing an observer; a rear substrate joined to the front substrate via a predetermined gap; and an electro-optical material held in the gap. The front substrate includes an outer layer portion having a relatively small refractive index including a transparent substrate, an inner layer portion having a relatively large refractive index including a transparent electrode for applying power to the electro-optical material, and the outer layer portion and the inner layer. A display device having an antireflection film having a refractive index intermediate between the two so as to intervene between the portions to suppress unnecessary reflection.
【請求項2】 前記反射防止膜は屈折率が1.6ないし
1.8の無機誘電体薄膜であることを特徴とする請求項
1記載の表示装置。
2. The display device according to claim 1, wherein the antireflection film is an inorganic dielectric thin film having a refractive index of 1.6 to 1.8.
【請求項3】 前記無機誘電体薄膜は膜厚が75nmな
いし90nmであることを特徴とする請求項2記載の表
示装置。
3. The display device according to claim 2, wherein said inorganic dielectric thin film has a thickness of 75 nm to 90 nm.
【請求項4】 前記反射防止膜は屈折率が1.6ないし
1.7の有機樹脂膜であることを特徴とする請求項1記
載の表示装置。
4. The display device according to claim 1, wherein the anti-reflection film is an organic resin film having a refractive index of 1.6 to 1.7.
【請求項5】 前記有機樹脂膜は膜厚が80nmないし
90nmであることを特徴とする請求項4記載の表示装
置。
5. The display device according to claim 4, wherein said organic resin film has a thickness of 80 nm to 90 nm.
【請求項6】 前記外層部は該透明基体に形成されたカ
ラーフィルタを含んでおり、前記反射防止膜は該カラー
フィルタと該透明電極の間に介在し且つ両者に面接合し
ていることを特徴とする請求項1記載の表示装置。
6. The method according to claim 1, wherein the outer layer portion includes a color filter formed on the transparent substrate, and the antireflection film is interposed between the color filter and the transparent electrode and is surface-bonded to both. The display device according to claim 1, wherein:
【請求項7】 前記外層部は該透明基体に支持された光
散乱層を含むことを特徴とする請求項1記載の表示装
置。
7. The display device according to claim 1, wherein the outer layer portion includes a light scattering layer supported on the transparent substrate.
【請求項8】 前記後側基板は該前側基板から入射した
光を反射する光反射層を有することを特徴とする請求項
1記載の表示装置。
8. The display device according to claim 1, wherein the rear substrate has a light reflection layer for reflecting light incident from the front substrate.
【請求項9】 前記光反射層の表面に屈折率が異なる少
くとも二層の誘電体薄膜を重ねた反射増強膜が配されて
いることを特徴とする請求項8記載の表示装置。
9. The display device according to claim 8, wherein a reflection enhancing film in which at least two dielectric thin films having different refractive indexes are laminated is disposed on a surface of the light reflecting layer.
【請求項10】 前記光反射層は該前側基板から入射し
た光を拡散的に反射する拡散反射面を有することを特徴
とする請求項8記載の表示装置。
10. The display device according to claim 8, wherein the light reflection layer has a diffuse reflection surface that diffusely reflects light incident from the front substrate.
【請求項11】 前記後側基板には画素電極及びこれを
駆動するスイッチング素子が集積的に形成されており、
前記前側基板に形成された該透明電極は該電気光学物質
を介して該画素電極に対面する対向電極を構成すること
を特徴とする請求項1記載の表示装置。
11. A pixel electrode and a switching element for driving the pixel electrode are integrally formed on the rear substrate.
2. The display device according to claim 1, wherein the transparent electrode formed on the front substrate forms a counter electrode facing the pixel electrode via the electro-optical material.
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