JPH10280156A - Plasma cvd device - Google Patents

Plasma cvd device

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Publication number
JPH10280156A
JPH10280156A JP9051397A JP9051397A JPH10280156A JP H10280156 A JPH10280156 A JP H10280156A JP 9051397 A JP9051397 A JP 9051397A JP 9051397 A JP9051397 A JP 9051397A JP H10280156 A JPH10280156 A JP H10280156A
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JP
Japan
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film
plasma
discharge port
electrode
roller
Prior art date
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Pending
Application number
JP9051397A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Ryoichi Hiratsuka
亮一 平塚
Yasunori Kin
康憲 金
Hiroshi Hayashi
弘志 林
Atsuhiro Abe
淳博 阿部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
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Publication of JPH10280156A publication Critical patent/JPH10280156A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plasma CVD device by which the productivity in the formation of protective coating film can be improved. SOLUTION: A protective coating film forming device 44 is provided with a plasma generating tube 46 having an emitting port 48 feeding gaseous substance forming a protective coating film and a film feeding/winding mechanism 13 having a freely rotatable roller 18 in which an electrode cylindrical face 16 is arranged closely to the emitting port 48. The emitting port 48 is opened along the running direction of a film so as to be formed within the film width, and all edges forming the emitting port 48 are crossed in the longitudinal direction of the film. In this way, even in the case the pressure of reactive gas in the plasma generating tube 46 is increased and the density of plasma formed on the edges of the emitting port 48 is made high, the protective coating film can be formed without thermally damaging the film 12.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体層上
に保護膜を成膜するプラズマCVD装置に関し、更に詳
しくは、保護膜を成膜する生産性が向上するようにした
プラズマCVD装置に関するものである。
The present invention relates to a plasma CVD apparatus for forming a protective film on a magnetic recording medium layer, and more particularly, to a plasma CVD apparatus for improving the productivity of forming a protective film. Things.

【0002】[0002]

【従来の技術】磁気テープなどの磁気記録媒体には、磁
性塗料をフィルム等の非磁性体上に塗布、乾燥させてな
る塗布型の磁気記録媒体が広く使用されてきた。磁性塗
料とは、塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体、ポリエス
テル樹脂、ウレタン樹脂等の有機バインダ内に、酸化物
磁性粉末や合金磁性粉末等の粉末磁性塗料を分散させた
ものである。近年では、高密度の磁気記録を行うことが
できる高密度磁気記録媒体が要求され、メッキ、真空蒸
着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の
薄膜形成手段により、Co−Ni合金、Co−Cr合
金、又はCo−Oからなる酸化コバルト等の強磁性金属
材料をフィルムに直接に成膜した、いわゆる金属磁性薄
膜型の磁気記録媒体が注目されてきている。金属磁性薄
膜型の磁気記録媒体(以下、簡単のため単に磁気記録媒
体又は媒体と言う)は、(1)抗磁力や角形比の点で優
れ、(2)磁性層の厚みを薄くすることができ、(3)
記録減磁や再生による磨耗量が小さく、(4)短波長で
の電磁変換特性に優れており、(5)磁性材料の充填密
度を高めることが可能である等の数々の利点を有してい
る。
2. Description of the Related Art As a magnetic recording medium such as a magnetic tape, a coating type magnetic recording medium in which a magnetic paint is applied on a non-magnetic material such as a film and dried is widely used. The magnetic paint is obtained by dispersing a powder magnetic paint such as an oxide magnetic powder or an alloy magnetic powder in an organic binder such as a vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, a polyester resin, or a urethane resin. In recent years, a high-density magnetic recording medium capable of performing high-density magnetic recording has been demanded, and a Co—Ni alloy, a Co—Cr alloy has been formed by thin film forming means such as plating, vacuum evaporation, sputtering, and ion plating. A magnetic recording medium of a so-called metal magnetic thin film type, in which a ferromagnetic metal material such as an alloy or cobalt oxide made of Co—O is directly formed on a film, has attracted attention. A magnetic recording medium of a metal magnetic thin film type (hereinafter simply referred to as a magnetic recording medium or a medium for simplicity) is excellent in (1) in terms of coercive force and squareness, and (2) it is possible to reduce the thickness of a magnetic layer. Yes, (3)
It has a number of advantages such as a small amount of wear due to recording demagnetization and reproduction, (4) excellent electromagnetic conversion characteristics at short wavelengths, and (5) it is possible to increase the packing density of magnetic materials. I have.

【0003】磁気記録媒体は、益々高密度化される傾向
にあり、これに伴い、表面の平坦化が要求されている。
ところで、媒体が平坦化されると、磁気記録ヘッドと媒
体との間の摩擦力が増大し、媒体に働くせん断力が増大
する。このため、媒体の耐久性を向上させる必要があ
り、この対策として、媒体の表面に保護膜が成膜されて
いることが多い。
[0003] Magnetic recording media tend to be more and more dense, and accordingly, flattening of the surface is required.
Meanwhile, when the medium is flattened, the frictional force between the magnetic recording head and the medium increases, and the shear force acting on the medium increases. For this reason, it is necessary to improve the durability of the medium, and as a countermeasure, a protective film is often formed on the surface of the medium.

【0004】保護膜は、主として、カーボン膜、ダイヤ
モンドライクカーボン膜(以下、DLC膜と言う)、石
英ガラス(SiO2)膜及びジルコニア(ZrO2)膜
で、このうちの一部は、既に実用化されている。これら
の保護膜は、スパッタリング法やCVD(Chemic
al Vapor Deposition)法により成
膜されているが、成膜速度の点でCVD法が優れている
ので、保護膜は、プラズマCVD法により成膜されてい
ることが多い。尚、成膜時の放電方式は、装置構成が簡
易で、成膜時での温度制御をし易いDC(直流)放電方
式が多い。
The protective film is mainly a carbon film, a diamond-like carbon film (hereinafter, referred to as a DLC film), a quartz glass (SiO 2 ) film, and a zirconia (ZrO 2 ) film. Has been These protective films are formed by sputtering or CVD (Chemic).
Although the film is formed by the Al Vapor Deposition method, the CVD method is superior in terms of the film forming speed. Therefore, the protective film is often formed by the plasma CVD method. In addition, as a discharge method at the time of film formation, there are many DC (direct current) discharge methods which have a simple apparatus configuration and facilitate temperature control at the time of film formation.

【0005】図4(a)及び(b)は、それぞれ、フィ
ルムに保護膜を成膜する従来のプラズマCVD装置の構
成を示す側面断面図及び矢視I−Iから見た部分拡大平
面図である。従来のプラズマCVD装置10は、フィル
ム12を一定速度で送給して巻き取るフィルム送給/巻
き取り機構13と、フィルム送給/巻き取り機構13の
下方に近接して配置され、フィルム12の被成膜面に向
けて、保護膜形成用の反応ガスをプラズマ化したガス
(以下、プラズマガスと言う)を供給するプラズマ発生
管14とを備えている。
FIGS. 4 (a) and 4 (b) are a side sectional view and a partially enlarged plan view taken along line II, respectively, showing the structure of a conventional plasma CVD apparatus for forming a protective film on a film. is there. The conventional plasma CVD apparatus 10 includes a film feeding / rewinding mechanism 13 for feeding and winding the film 12 at a constant speed, and a film feeding / rewinding mechanism 13 disposed below and close to the film feeding / rewinding mechanism 13. A plasma generation tube 14 is provided for supplying a gas (hereinafter, referred to as a plasma gas) obtained by converting a reactive gas for forming a protective film into a plasma toward the film formation surface.

【0006】フィルム送給/巻き取り機構13は、円筒
面16の全周にわたり電極が形成されている回転自在な
円筒状ローラ18と、ローラ状に巻かれたフィルムを支
えるロール26と、保護膜が成膜されたフィルムを巻き
取る巻き取りローラ22とを備えていて、保護膜の被成
膜面とは反対側の面でフィルムを電極円筒面16に面接
触させつつローラ18を回転して、フィルムを長手方向
に一定速度で走行させる機構を有している。
The film feeding / rewinding mechanism 13 includes a rotatable cylindrical roller 18 having electrodes formed all around the cylindrical surface 16, a roll 26 for supporting a film wound in a roller shape, and a protective film. And a take-up roller 22 that winds up the film on which the film is formed, and rotates the roller 18 while bringing the film into surface contact with the electrode cylindrical surface 16 on the surface opposite to the surface on which the protective film is formed. And a mechanism for running the film at a constant speed in the longitudinal direction.

【0007】プラズマ発生管14は、筒状体として形成
され、反応ガスを導入する導入口20を筒状体の一方の
端部に有する。また、ローラ18の電極円筒面16に対
面し、プラズマ化された反応ガスをフィルムの被成膜面
に放出する放出口24を筒状体の他方の端部に有する。
筒状体の材質は、電気的に絶縁性である。プラズマ発生
管14は、更に、導入口20から導入した反応ガスをプ
ラズマ化する電極30を導入口20と放出口24との間
に備えている。電極30には、電圧を供給するDC電源
34が接続されている。放出口24は、プラズマCVD
装置10の側面から見ると、図1(a)に示すように、
ローラ18の電極円筒面16に対応するような上に凹の
円弧状で、円筒面16に近接している。放出口24は、
矢視I−Iから見た平面図では、図1(b)に示すよう
に矩形状である。プラズマCVD装置10は、更に、フ
ィルム送給機構13及びプラズマ発生14とを収容する
チャンバ38と、チャンバ38を真空吸引する排気系統
40とを備えている。
The plasma generating tube 14 is formed as a cylindrical body and has an inlet 20 for introducing a reaction gas at one end of the cylindrical body. Further, a discharge port 24 facing the electrode cylindrical surface 16 of the roller 18 and discharging the plasma-converted reaction gas to the surface on which the film is formed is provided at the other end of the cylindrical body.
The material of the tubular body is electrically insulating. The plasma generating tube 14 further includes an electrode 30 between the inlet 20 and the outlet 24 for converting the reaction gas introduced from the inlet 20 into plasma. A DC power supply 34 for supplying a voltage is connected to the electrode 30. The discharge port 24 is plasma CVD
When viewed from the side of the device 10, as shown in FIG.
The roller 18 has a concave arc shape corresponding to the electrode cylindrical surface 16 of the roller 18 and is close to the cylindrical surface 16. The outlet 24 is
In the plan view seen from the arrow II, it is rectangular as shown in FIG. The plasma CVD apparatus 10 further includes a chamber 38 for accommodating the film feeding mechanism 13 and the plasma generator 14, and an exhaust system 40 for evacuating the chamber 38 by vacuum.

【0008】従来のプラズマCVD装置10を用いてフ
ィルム被成膜面に保護膜を成膜するには、ローラ状で、
中心の孔径がロール26の径と同じであるように巻かれ
た、保護膜の成膜されていないフィルム12をロール2
6にセットする。そして、フィルムを引き出して、フィ
ルム被成膜面が放出口24に対面するように電極円筒面
16によりフィルム面を保持し、巻取りロール22にフ
ィルム端部を掛止する。フィルム12の被成膜面には、
磁気記録媒体層が形成されている。次いで、チャンバ3
8を排気系統40により真空吸引し、チャンバ38内を
所定圧力にする。次いで、反応ガスをプラズマ発生管1
4に所定の流量で導入し、巻取りロール22を回転させ
て、フィルム12を一定速度で送給/巻き取りつつ、D
C電源34により電極30に直流電圧を印加してプラズ
マガスを生成し、プラズマCVD法によりフィルム被成
膜面に保護膜を成膜する。
In order to form a protective film on a film-forming surface using a conventional plasma CVD apparatus 10, a roller-like
The film 12 on which the protective film is not formed and wound so that the center hole diameter is equal to the diameter of the roll 26 is
Set to 6. Then, the film is pulled out, the film surface is held by the electrode cylindrical surface 16 such that the film deposition surface faces the discharge port 24, and the film end is hooked to the winding roll 22. On the deposition surface of the film 12,
A magnetic recording medium layer is formed. Next, chamber 3
8 is evacuated by the exhaust system 40 to make the inside of the chamber 38 a predetermined pressure. Next, the reaction gas is supplied to the plasma generation tube 1.
4, the film 12 is fed at a predetermined flow rate, and the winding roll 22 is rotated to feed / wind the film 12 at a constant speed.
A DC voltage is applied to the electrode 30 by the C power source 34 to generate a plasma gas, and a protective film is formed on the film-formed surface by the plasma CVD method.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のプラ
ズマCVD装置では、フィルムの送給速度を上げて生産
性を上げようとすると、反応ガスのガス圧力を上げて、
保護膜の成膜速度を上げる必要がある。しかし、反応ガ
ス圧力を20Pa以上にして成膜すると、フィルムに皺等
の損傷が生じるので、生産性を上げることができないと
いう問題があった。以上のような事情に照らして、本発
明の目的は、保護膜を成膜することの生産性が向上する
ようにしたプラズマCVD装置を提供することである。
By the way, in the conventional plasma CVD apparatus, when the film feeding speed is increased to increase the productivity, the gas pressure of the reaction gas is increased.
It is necessary to increase the deposition rate of the protective film. However, when the film is formed at a reaction gas pressure of 20 Pa or more, damage such as wrinkles occurs in the film, and there is a problem that productivity cannot be increased. In view of the circumstances as described above, an object of the present invention is to provide a plasma CVD apparatus capable of improving the productivity of forming a protective film.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明者は、プラズマ発
生管14の放出口24は、矢視I−Iから見た平面図で
は、図4(b)に示すように矩形状であり、放出口24
を形成している縁の一部は、フィルム長手方向、すなわ
ちフィルム走行方向Uに対して平行に形成されている縁
(以下、平行縁と言う)42であることに着眼した。更
に、フィルムに保護膜を成膜するとき、平行縁42及び
他の縁41に、それぞれ、プラズマシース43a、bが
形成されていることにも着眼した。そして、フィルム被
成膜面のうち平行縁42上に位置する部分は、放出口2
4の上を通過する過程で、常にプラズマシース43aに
接触しており、一方、フィルム被成膜面のプラズマシー
ス43bに接触している時間は、一瞬であることにも着
眼した。そして、反応ガスのガス圧力が高いと、シース
内のプラズマ密度が高くなり、この結果、プラズマシー
ス43aに接触しているフィルム被成膜面部分(以下、
フィルム接触面部分と言う)に、フィルムの熱変形によ
る皺等の損傷が発生していることを突き止めた。本発明
者は、保護膜の縁近傍では、保護膜の膜厚が均一である
必要のないことに着目し、フィルム走行方向Uに非平行
な縁のみから放出口24を形成することにより、フィル
ム接触面部分での、単位面積あたりのシースに接触して
いる最大時間を大幅に短縮することを考えつき、本発明
を完成するに至った。
According to the present inventors, the discharge port 24 of the plasma generating tube 14 has a rectangular shape as shown in FIG. Outlet 24
It has been noted that a part of the edge forming is an edge (hereinafter, referred to as a parallel edge) 42 formed in parallel with the film longitudinal direction, that is, the film running direction U. Furthermore, when forming the protective film on the film, it was noted that plasma sheaths 43a and 43b were formed on the parallel edge 42 and the other edge 41, respectively. The portion of the film deposition surface located on the parallel edge 42 is the discharge port 2
It was also noted that, during the process of passing over the sample No. 4, it was always in contact with the plasma sheath 43 a, while it was in contact with the plasma sheath 43 b on the film deposition surface for a moment. When the gas pressure of the reaction gas is high, the plasma density in the sheath increases, and as a result, a film deposition surface portion (hereinafter, referred to as a portion) in contact with the plasma sheath 43a.
(Referred to as a film contact surface portion) was found to have damage such as wrinkles due to thermal deformation of the film. The present inventor has paid attention to the fact that the film thickness of the protective film does not need to be uniform near the edge of the protective film, and by forming the discharge port 24 only from the edge that is not parallel to the film running direction U, the film The present inventors have conceived to greatly reduce the maximum time of contact with the sheath per unit area at the contact surface, and have completed the present invention.

【0011】上記目的を達成するために、本発明に係る
プラズマCVD装置は、テープ状フィルムに形成された
磁気記録媒体層上にプラズマCVD法により保護膜を長
手方向に連続的に成膜するプラズマCVD装置であっ
て、円筒面全周にわたり電極を有する回転自在な円筒状
ローラを有し、保護膜の被成膜面とは反対側の面でフィ
ルムを電極円筒面に面接触させつつローラを回転して、
フィルムを長手方向に一定速度で走行させるようにした
フィルム送給機構と、筒状体として形成され、保護膜形
成用の反応ガスを導入する導入口を筒状体の一方の端部
に、ローラの電極円筒面に対面し、プラズマ化された反
応ガスをフィルムの被成膜面に放出する放出口を筒状体
の他方の端部に、ローラの電極に対向し、導入口から導
入した反応ガスをプラズマ化する電極を導入口と放出口
との間に備えるプラズマ発生装置と、フィルム送給機構
と、フィルム送給機構のローラの電極円筒面に対して放
出口を近接して配置したプラズマ発生装置とを収容する
チャンバとを備え、放出口は、フィルムの走行方向に沿
って開口し、筒状体の長手方向に沿って投影した放出口
の投影面がフィルム走行面内に位置し、かつ放出口の開
口全周にわたり開口縁がフィルムの走行方向に交差して
いることを特徴としている。
In order to achieve the above object, a plasma CVD apparatus according to the present invention is a plasma CVD apparatus for continuously forming a protective film in a longitudinal direction on a magnetic recording medium layer formed on a tape-like film by a plasma CVD method. A CVD apparatus having a rotatable cylindrical roller having electrodes over the entire circumference of a cylindrical surface, and bringing the film into surface contact with the electrode cylindrical surface on the surface opposite to the surface on which the protective film is to be formed. Rotate
A film feeding mechanism configured to allow the film to travel at a constant speed in the longitudinal direction, and an inlet formed as a cylindrical body and introducing a reactive gas for forming a protective film is provided at one end of the cylindrical body with a roller. A discharge port, which faces the electrode cylindrical surface and discharges a plasma-formed reaction gas to the surface on which the film is to be formed, is provided at the other end of the cylindrical body. A plasma generator having an electrode for converting gas into plasma between an inlet and an outlet, a film feeding mechanism, and a plasma having an emission port arranged close to an electrode cylindrical surface of a roller of the film feeding mechanism. A chamber accommodating the generator and the discharge port is opened along the running direction of the film, the projection surface of the discharge port projected along the longitudinal direction of the cylindrical body is located in the film running surface, And open all around the outlet opening Edge is characterized by intersecting the traveling direction of the film.

【0012】本明細書では、円弧状などの湾曲した縁
は、フィルム長手方向に交差していると解釈する。放出
口の向きは、どの向きにも限定しなく、上下左右何れの
方向に向いていてもよい。フィルムは、例えばポリエス
テル、ポリアミドやポリイミドである。保護膜の成膜の
ためにプラズマ発生装置に導入する反応ガスは、一般
に、炭化水素系のガスである。
In the present specification, a curved edge such as an arc shape is interpreted as intersecting in the longitudinal direction of the film. The direction of the discharge port is not limited to any direction, and may be in any of up, down, left, and right directions. The film is, for example, polyester, polyamide or polyimide. The reaction gas introduced into the plasma generator for forming the protective film is generally a hydrocarbon-based gas.

【0013】フィルム被成膜面に形成されている磁気記
録媒体層は、強磁性金属材料を含む金属からなり、例え
ば、Fe、Co、Ni等の単一組成からなる強磁性金属
や、Fe−Co,Co−O、Fe−Co−Ni、Fe−
Cu、Co−Cu、Co−Au、Co−Pt、Mn−B
i、Mn−Al、Fe−Cr、Co−Cr、Ni−C
r、Fe−Co−Cr、Co−Ni−Cr、Fe−Co
−Ni−Cr等の強磁性合金である。磁気記録媒体層
は、単層膜で構成されていても多層膜で構成されていて
もよい。フィルムと磁気記録媒体層との間に、潤滑剤を
有する層や、付着力の向上又は抗磁力の制御のための中
間層が形成されていてもよい。磁気記録媒体層が多層膜
で構成される場合、膜と膜との間に、上記と同様の中間
層が形成されていてもよい。また、耐食性改善のため
に、磁気記録媒体層の表面に酸化物層が形成されていて
もよい。磁気記録媒体は、例えば、真空蒸着法、イオン
プレーティング法やスパッタ法などのPVD(Physical
Vapor Deposition)法により、フィルムの被成膜面に
形成されている。
The magnetic recording medium layer formed on the surface on which the film is formed is made of a metal containing a ferromagnetic metal material, for example, a ferromagnetic metal having a single composition such as Fe, Co, Ni, or the like. Co, Co-O, Fe-Co-Ni, Fe-
Cu, Co-Cu, Co-Au, Co-Pt, Mn-B
i, Mn-Al, Fe-Cr, Co-Cr, Ni-C
r, Fe-Co-Cr, Co-Ni-Cr, Fe-Co
-A ferromagnetic alloy such as Ni-Cr. The magnetic recording medium layer may be composed of a single layer film or a multilayer film. Between the film and the magnetic recording medium layer, a layer having a lubricant or an intermediate layer for improving adhesion or controlling coercive force may be formed. When the magnetic recording medium layer is composed of a multilayer film, an intermediate layer similar to the above may be formed between the films. Further, an oxide layer may be formed on the surface of the magnetic recording medium layer for improving corrosion resistance. The magnetic recording medium is, for example, a PVD (Physical Deposition) method such as a vacuum evaporation method, an ion plating method, and a sputtering method.
It is formed on the surface on which the film is to be formed by a vapor deposition method.

【0014】本発明により、フィルム接触面部分での、
単位面積あたりのプラズマシースに接触している最大時
間が、従来に比べて大幅に短縮されるので、保護膜成膜
時の反応ガス圧力を100Pa程度にまで上げてプラズマ
密度が上昇しても、フィルムに皺等の熱損傷が生じるこ
とはない。よって、保護膜の成膜速度を従来に比べて遥
かに高くすることができ、生産性が向上する。
According to the present invention, at the film contact surface portion,
Since the maximum time in contact with the plasma sheath per unit area is significantly reduced as compared to the conventional method, even if the plasma density is increased by increasing the reaction gas pressure at the time of forming the protective film to about 100 Pa, There is no thermal damage such as wrinkles on the film. Therefore, the deposition rate of the protective film can be made much higher than before, and the productivity is improved.

【0015】好適には、放出口の投影面が、台形、平行
四辺形及び少なくともフィルムの走行方向に延びる開口
縁が曲線辺からなる図形の何れかである。これにより、
フィルム被成膜面が放出口からのガス状物質により成膜
されている時間は、フィルム幅方向の両端の縁近傍以外
では均一であるので、保護膜の膜厚も均一である。
[0015] Preferably, the projection surface of the discharge port is any of a trapezoid, a parallelogram, and a figure in which at least an opening edge extending in the running direction of the film is a curved side. This allows
The time during which the film deposition surface is formed with the gaseous substance from the discharge port is uniform except near the edges at both ends in the film width direction, so that the thickness of the protective film is also uniform.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下に、実施例を挙げ、添付図面
を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつより詳細
に説明する。実施例 本実施例は、本発明に係るプラズマCVD装置の一実施
例である。図1(a)及び(b)は、それぞれ、本実施
例のプラズマCVD装置の構成を示す側面図及び矢視I
I−IIから見た部分平面拡大図である。本実施例のプ
ラズマCVD装置44では、プラズマ発生管46の放出
口48の形状が、従来のプラズマCVD装置10の放出
口24に比べて異なる。図1では、図4と同じ部品には
同じ符号を付してその説明を省略する。電極30は金網
状であり、反応ガスが通過し易く、電極全面にわたり均
一な電界を生じさせることが可能で、しかも、柔軟性を
有する。電極30の材質は、例えば銅や金である。ま
た、DC電源34は、電極30に、0.5kV〜2kVの直
流電圧を印加することが可能である。ローラ18の直径
は、1mである。ローラ18と巻取りロール22との間
には、フィルム12の進行経路を規制する棒状の支持体
45aが設けられており、ローラ18とロール26との
間にも、同様の支持体45bが設けられている。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. Embodiment This embodiment is an embodiment of a plasma CVD apparatus according to the present invention. 1A and 1B are a side view and an arrow I, respectively, showing the configuration of the plasma CVD apparatus of the present embodiment.
FIG. 2 is an enlarged partial plan view as viewed from I-II. In the plasma CVD apparatus 44 of the present embodiment, the shape of the discharge port 48 of the plasma generating tube 46 is different from that of the discharge port 24 of the conventional plasma CVD apparatus 10. In FIG. 1, the same components as those in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. The electrode 30 has a wire mesh shape, easily allows a reaction gas to pass therethrough, can generate a uniform electric field over the entire surface of the electrode, and has flexibility. The material of the electrode 30 is, for example, copper or gold. The DC power supply 34 can apply a DC voltage of 0.5 kV to 2 kV to the electrode 30. The diameter of the roller 18 is 1 m. Between the roller 18 and the take-up roll 22, there is provided a rod-shaped support 45a for regulating the traveling path of the film 12, and between the roller 18 and the roll 26, a similar support 45b is provided. Have been.

【0017】放出口48の縁形状の平面図は、図1
(b)に示すように、フィルム12の中心線を含みフィ
ルム12に直交する中心面53に対して対称な台形で、
フィルム12の走行方向Uに直交する上辺50a及び底
辺50bを有しており、台形の斜辺に相当する縁52
a、bは、フィルム12の走行方向Uに交差している。
上辺50aの長さl1は50cm、底辺50bの長さl2
60cmであり、中心面53の両側では、底辺50bと上
辺50aとの長さ差は、何れもl3=5cmになるように形
成されている。また、上辺50aと底辺50bとの距離
(台形高さ)hは、40cmであるが、30cmでもよい。
A plan view of the edge shape of the discharge port 48 is shown in FIG.
As shown in (b), a trapezoid including a center line of the film 12 and being symmetrical with respect to a center plane 53 orthogonal to the film 12,
An edge 52 having a top side 50a and a bottom side 50b orthogonal to the running direction U of the film 12, and corresponding to the oblique side of a trapezoid.
a and b intersect with the running direction U of the film 12.
The length l 1 of the top side 50a is 50 cm, the length l 2 of the bottom side 50b is 60 cm, and on both sides of the center plane 53, the difference in length between the bottom side 50b and the top side 50a is l 3 = 5 cm. Is formed. Further, the distance (trapezoid height) h between the top side 50a and the bottom side 50b is 40 cm, but may be 30 cm.

【0018】プラズマCVD装置44を用いて、幅60
cmのフィルム12のフィルム被成膜面に保護膜を形成し
た方法を以下に記載する。本実施例では、フィルム被成
膜面には、予め、単層の磁気記録媒体層が、斜め方向か
ら蒸着される斜方蒸着によって形成されている。フィル
ム及び磁気記録媒体層の材質及び厚みを以下に示す。 フィルムの材質:PET(ポリエチレンテレフタレー
ト) フィルムの厚み:10μm 磁気記録媒体層の材質:Co(コバルト)80%、Ni
(ニッケル)20% 磁気記録媒体層の膜厚:200nm また、磁気記録媒体層の成膜条件を以下に示す。 入射角:45°〜90° 成膜時に使用したガス:酸素ガス 成膜時の真空度:2×10-2Pa
Using a plasma CVD apparatus 44, a width of 60
A method of forming a protective film on the film-forming surface of the film 12 having a thickness of 12 cm will be described below. In this embodiment, a single-layer magnetic recording medium layer is previously formed on the film deposition surface by oblique evaporation, which is evaporated in an oblique direction. The materials and thicknesses of the film and the magnetic recording medium layer are shown below. Film material: PET (polyethylene terephthalate) Film thickness: 10 μm Material of magnetic recording medium layer: Co (cobalt) 80%, Ni
(Nickel) 20% Film thickness of magnetic recording medium layer: 200 nm The film forming conditions of the magnetic recording medium layer are shown below. Incident angle: 45 ° to 90 ° Gas used during film formation: oxygen gas Vacuum degree during film formation: 2 × 10 −2 Pa

【0019】先ず、従来と同様にして、保護膜の成膜さ
れていないフィルム12をフィルム送給/巻き取り機構
13にセットした。次いで、チャンバ38を排気系統4
0により真空吸引し、チャンバ38内を所定圧力に減圧
した。次いで、保護膜形成用の反応ガスとしてエチレン
をプラズマ発生管14に導入し、フィルムの送給/巻き
取り速度を従来よりも遥かに速い13m/minの一定速度
になるようにして、巻取りロール22を回転させて放出
口48上にフィルム被成膜面を連続して供給しつつ、D
C電源34により電極30に直流電圧を供給し、プラズ
マCVD法によりフィルム被成膜面にDLC膜を成膜し
た。成膜条件を以下に示す。 プラズマ発生管46内に導入した反応ガス:エチレン チャンバ38内の反応ガス圧力:50Pa 反応ガスの導入流量:1.2SLM 電極30への印加電圧:DC1.0kV DLC膜の膜厚:10nm DLC膜の成膜後、フィルムに皺等の熱損傷は生じてい
なかった。
First, the film 12 on which the protective film was not formed was set in the film feeding / winding mechanism 13 in the same manner as in the prior art. Next, the chamber 38 is connected to the exhaust system 4.
Vacuum suction was performed using 0, and the pressure in the chamber 38 was reduced to a predetermined pressure. Next, ethylene is introduced into the plasma generating tube 14 as a reaction gas for forming a protective film, and the film feeding / winding speed is set to a constant speed of 13 m / min, which is much higher than the conventional speed. While continuously supplying the film deposition surface onto the discharge port 48 by rotating the
A DC voltage was supplied to the electrode 30 from the C power supply 34, and a DLC film was formed on the film formation surface by a plasma CVD method. The film forming conditions are shown below. Reaction gas introduced into the plasma generating tube 46: Reactant gas pressure in the ethylene chamber 38: 50Pa Reaction gas introduction flow rate: 1.2 SLM Voltage applied to the electrode 30: DC 1.0kV DLC film thickness: 10nm DLC film thickness After film formation, thermal damage such as wrinkles did not occur in the film.

【0020】尚、l3が5cmよりも短いと、フィルムの
走行方向Uにやや平行な縁が形成され、保護膜の成膜中
に、フィルムがプラズマシースにより損傷される虞があ
る。
If l 3 is shorter than 5 cm, an edge slightly parallel to the running direction U of the film is formed, and the film may be damaged by the plasma sheath during the formation of the protective film.

【0021】本実施例では、チャンバ38内の反応ガス
圧力を高くしてDLC膜をフィルム被成膜面に成膜して
いるので、保護膜の成膜速度が高く、従って、巻取りロ
ール22の巻き取り速度を高速にすることができる。よ
って、保護膜の生産性が、従来に比べ、遥かに高い。ま
た、放出口48を形成している上辺50aと下辺50b
との間隔が一定なので、保護膜の膜厚は、保護膜の縁近
傍以外では均一である。
In this embodiment, since the DLC film is formed on the surface on which the film is formed by increasing the reaction gas pressure in the chamber 38, the film forming speed of the protective film is high. Can be increased in winding speed. Therefore, the productivity of the protective film is much higher than before. Further, an upper side 50a and a lower side 50b forming the discharge port 48 are formed.
Is constant, the thickness of the protective film is uniform except in the vicinity of the edge of the protective film.

【0022】矢視II−IIから見たプラズマ発生装置
46の放出口を示す拡大平面図が図2に示すような図
で、放出口48の平面形状が、内側に凹の円弧状の縁5
6a、bを斜辺52に代えて有している略四辺形状の放
出口55であってもよい。この場合、放出口55のう
ち、中心面53の両側で、中心面53に対する各々の最
長位置の縁点58a、bよりも、それぞれl3=5cm内
側に形成されている放出口領域では、フィルム長手方向
の開口幅dは、hと同じ40cmの均一な値である。プラ
ズマCVD装置44が、放出口55を備えていることに
より、放出口48を備えていることと同様の効果を奏す
ることができる。
FIG. 2 is an enlarged plan view showing the discharge port of the plasma generator 46 as viewed from the direction of arrows II-II, and the discharge port 48 has an arc-shaped edge 5 with a concave inside.
A substantially quadrangular discharge port 55 having 6a and 6b instead of the hypotenuse 52 may be used. In this case, the film is formed on both sides of the center plane 53 of the discharge port 55 at l 3 = 5 cm inside each of the longest edge points 58a and 58b with respect to the center plane 53. The opening width d in the longitudinal direction is a uniform value of 40 cm, which is the same as h. Since the plasma CVD apparatus 44 includes the emission port 55, the same effect as having the emission port 48 can be obtained.

【0023】また、矢視II−IIから見たプラズマ発
生装置46の放出口を示す拡大平面図が図3に示すよう
な図で、放出口48の平面形状が、フィルム幅方向に互
いに平行な辺を有する平行四辺形である放出口62であ
ってもよい。この場合、放出口62のうち、中心面53
の両側で、中心面53に対する各々の最長位置の縁点6
6a、bよりも、それぞれl3=5cm内側に形成されて
いる放出口領域では、フィルム長手方向の開口幅dは、
放出口55と同様、hと同じ40cmの均一な値である。
プラズマCVD装置44が、放出口62を備えているこ
とにより、放出口48を備えていることと同様の効果を
奏することができる。
FIG. 3 is an enlarged plan view showing the discharge port of the plasma generator 46 as viewed from the direction of arrows II-II, and the plane shapes of the discharge ports 48 are parallel to each other in the film width direction. The outlet 62 may be a parallelogram having sides. In this case, the central surface 53 of the outlet 62
On each side of each of the longest edge points 6 with respect to the center plane 53
The opening width d in the longitudinal direction of the film in the outlet region formed on the inner side of l 3 = 5 cm from each of 6a and b is:
As in the case of the discharge port 55, it is a uniform value of 40 cm, the same as h.
By providing the plasma CVD apparatus 44 with the discharge port 62, the same effect as having the discharge port 48 can be obtained.

【0024】[0024]

【発明の効果】本発明によれば、テープ状フィルムに形
成された磁気記録媒体層上に、保護膜を長手方向に連続
的に成膜するプラズマ発生装置の放出口は、フィルムの
走行方向に沿って、フィルム幅内に形成されているよう
に開口し、かつ、放出口を形成している縁は、全てフィ
ルム長手方向に交差している。これにより、放出口の縁
に形成されるプラズマシースに接触するフィルム被成膜
面部分での、単位面積あたりのシースに接触している最
大時間長さは、従来に比べて大幅に短縮される。よっ
て、保護膜成膜時の反応ガス圧力を上げ、シース内のプ
ラズマ密度が高くなっても、フィルムに皺等の熱損傷が
生じることを回避できるので、保護膜の成膜速度を上げ
ることができる。よって、フィルムの送給速度を上げる
ことができ、生産性が向上する。好適には、フィルムの
長手方向の開口幅が、フィルム幅方向の両端の縁近傍以
外では均一である。これにより、フィルム被成膜面が放
出口からのガス状物質により成膜されている時間は、フ
ィルム幅方向の両端の縁近傍以外では均一であるので、
保護膜の膜厚も均一である。
According to the present invention, the discharge port of the plasma generator for continuously forming the protective film on the magnetic recording medium layer formed on the tape-like film in the longitudinal direction is provided in the running direction of the film. Along, the edges forming an opening within the film width and forming the outlet are all intersecting in the longitudinal direction of the film. As a result, the maximum length of time in contact with the sheath per unit area in the film deposition surface portion in contact with the plasma sheath formed at the edge of the discharge port is significantly reduced as compared with the conventional case. . Therefore, even if the reaction gas pressure at the time of forming the protective film is increased, and even if the plasma density in the sheath is increased, it is possible to avoid the occurrence of thermal damage such as wrinkles on the film. it can. Therefore, the feeding speed of the film can be increased, and the productivity is improved. Preferably, the opening width in the longitudinal direction of the film is uniform except near the edges at both ends in the film width direction. Accordingly, the time during which the film deposition surface is formed by the gaseous substance from the discharge port is uniform except for the vicinity of the edges at both ends in the film width direction.
The thickness of the protective film is also uniform.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1(a)及び(b)は、それぞれ、実施例の
プラズマCVD装置の構成を示す側面図、及び矢視II
−IIから見たプラズマ発生管の放出口の平面拡大図で
ある。
FIGS. 1A and 1B are a side view showing a configuration of a plasma CVD apparatus according to an embodiment, and an arrow II, respectively.
FIG. 2 is an enlarged plan view of a discharge port of a plasma generation tube viewed from −II.

【図2】実施例の別のプラズマ発生管の放出口の部分平
面拡大図である。
FIG. 2 is an enlarged partial plan view of a discharge port of another plasma generating tube of the embodiment.

【図3】実施例の別のプラズマ発生管の放出口の部分平
面拡大図である。
FIG. 3 is an enlarged partial plan view of a discharge port of another plasma generating tube of the embodiment.

【図4】図4(a)及び(b)は、それぞれ、従来のプ
ラズマCVD装置の構成を示す側面図、及び矢視I−I
から見たプラズマ発生管の放出口の平面拡大図である。
4 (a) and 4 (b) are a side view showing a configuration of a conventional plasma CVD apparatus, and an arrow II, respectively.
FIG. 3 is an enlarged plan view of a discharge port of a plasma generation tube as viewed from above.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10……プラズマCVD装置、12……フィルム、13
……フィルム送給/巻き取り機構、14……プラズマ発
生管、16……電極円筒面、18……ローラ、20……
ガス導入口、22……巻取りロール、24……放出口、
26……ロール、30……電極、34……DC電源、3
8……チャンバと、40……排気系統、41……縁、4
2……平行縁、43a、b……プラズマシース、44…
…プラズマCVD装置、45a、b……支持体、46…
…プラズマ発生管、48……放出口、50a……上辺、
50b……底辺、52a、b……縁(斜辺)、53……
中心面、55……放出口、56a、b……縁、58a、
b……縁点、62……放出口、66a、b……縁点。
10: Plasma CVD device, 12: Film, 13
... Film feeding / winding mechanism, 14 Plasma generating tube, 16 Electrode cylindrical surface, 18 Roller, 20
Gas inlet, 22 ... take-up roll, 24 ... discharge outlet,
26: roll, 30: electrode, 34: DC power supply, 3
8 ... chamber and 40 ... exhaust system, 41 ... rim, 4
2 ... parallel edge, 43a, b ... plasma sheath, 44 ...
... Plasma CVD apparatus, 45a, b ... Support, 46 ...
... Plasma generating tube, 48 ... Emission port, 50a ...
50b ... bottom side, 52a, b ... edge (oblique side), 53 ...
Center plane, 55 ... outlet, 56a, b ... edge, 58a,
b ... edge, 62 ... outlet, 66a, b ... edge.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 阿部 淳博 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Inventor Atsuhiro Abe 6-7-35 Kita Shinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Inside Sony Corporation

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 テープ状フィルムに形成された磁気記録
媒体層上にプラズマCVD法により保護膜を長手方向に
連続的に成膜するプラズマCVD装置であって、 円筒面全周にわたり電極を有する回転自在な円筒状ロー
ラを有し、保護膜の被成膜面とは反対側の面でフィルム
を電極円筒面に面接触させつつローラを回転して、フィ
ルムを長手方向に一定速度で走行させるようにしたフィ
ルム送給機構と、 筒状体として形成され、保護膜形成用の反応ガスを導入
する導入口を筒状体の一方の端部に、ローラの電極円筒
面に対面し、プラズマ化された反応ガスをフィルムの被
成膜面に放出する放出口を筒状体の他方の端部に、ロー
ラの電極に対向し、導入口から導入した反応ガスをプラ
ズマ化する電極を導入口と放出口との間に備えるプラズ
マ発生装置と、 フィルム送給機構と、フィルム送給機構のローラの電極
円筒面に対して放出口を近接して配置したプラズマ発生
装置とを収容するチャンバとを備え、 放出口は、フィルムの走行方向に沿って開口し、筒状体
の長手方向に沿って投影した放出口の投影面がフィルム
走行面内に位置し、かつ放出口の開口全周にわたり開口
縁がフィルムの走行方向に交差していることを特徴とす
るプラズマCVD装置。
1. A plasma CVD apparatus for continuously forming a protective film in a longitudinal direction on a magnetic recording medium layer formed on a tape-like film by a plasma CVD method, comprising a rotary member having electrodes over the entire circumference of a cylindrical surface. It has a free-form cylindrical roller and rotates the roller while keeping the film in surface contact with the electrode cylindrical surface on the surface opposite to the surface on which the protective film is formed, so that the film runs at a constant speed in the longitudinal direction. A film feeding mechanism, which is formed as a cylindrical body, has an inlet for introducing a reactive gas for forming a protective film at one end of the cylindrical body, facing the electrode cylindrical surface of the roller, and is formed into plasma. A discharge port for discharging the reaction gas discharged to the film-forming surface of the film is provided at the other end of the tubular body, and an electrode for discharging the reaction gas introduced from the introduction port into plasma is disposed opposite the electrode of the roller. Plasma generation between outlet And a chamber for accommodating a film feed mechanism, and a plasma generator in which an emission port is arranged in close proximity to an electrode cylindrical surface of a roller of the film supply mechanism. The projection surface of the discharge port projected along the longitudinal direction of the tubular body is located in the film running surface, and the opening edge crosses the running direction of the film over the entire circumference of the opening of the discharge port. A plasma CVD apparatus.
【請求項2】 放出口の投影面が、台形、平行四辺形及
び少なくともフィルムの走行方向に延びる開口縁が曲線
辺からなる図形の何れかであることを特徴とする請求項
1に記載のプラズマCVD装置。
2. The plasma according to claim 1, wherein the projection surface of the discharge port is any of a trapezoid, a parallelogram, and a figure in which an opening edge extending at least in the running direction of the film is a curved side. CVD equipment.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009209381A (en) * 2008-02-29 2009-09-17 Fujifilm Corp Film-forming apparatus, gas barrier film, and method for producing gas barrier film
JP2013506761A (en) * 2009-10-02 2013-02-28 ピーピージー・インダストリーズ・オハイオ・インコーポレイテッド Non-orthogonal geometry for improved coating on substrates

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