JPH10270170A - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子Info
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- JPH10270170A JPH10270170A JP9068578A JP6857897A JPH10270170A JP H10270170 A JPH10270170 A JP H10270170A JP 9068578 A JP9068578 A JP 9068578A JP 6857897 A JP6857897 A JP 6857897A JP H10270170 A JPH10270170 A JP H10270170A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
Landscapes
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機層で発せられた光がガラス基板を通して
外界に出射するときの光損失を低減した有機エレクトロ
ルミネッセンス素子を提供する。 【解決手段】 ガラス基板１と、このガラス基板１上に
形成された透明なホール注入電極２と、このホール注入
電極２上に形成された有機層３と、この有機層３上に形
成された電子注入電極４とから成る有機エレクトロルミ
ネッセンス素子において、前記ガラス基板１の光出射側
面に、前記有機層３からの出射光に対する前記光出射面
の反射率を低下させるＡＲコート５を形成した。
外界に出射するときの光損失を低減した有機エレクトロ
ルミネッセンス素子を提供する。 【解決手段】 ガラス基板１と、このガラス基板１上に
形成された透明なホール注入電極２と、このホール注入
電極２上に形成された有機層３と、この有機層３上に形
成された電子注入電極４とから成る有機エレクトロルミ
ネッセンス素子において、前記ガラス基板１の光出射側
面に、前記有機層３からの出射光に対する前記光出射面
の反射率を低下させるＡＲコート５を形成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機エレクトロル
ミネッセンス（ＥＬ）素子に関する。
ミネッセンス（ＥＬ）素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）
素子は、透明ガラス基板上に、ホール注入電極、有機
層、電子注入電極を順次積層した構造を有するものであ
り、新しい自発光型素子として期待されている。そし
て、前記有機層の構造としては、ホール輸送層と発光
層とから成る構造（ＳＨ−Ａ構造）、発光層と電子注
入層とから成る構造（ＳＨ−Ｂ構造）、ホール輸送層
と発光層と電子注入層とから成る構造（ＤＨ構造）が知
られている。そして、前記ホール注入電極としては、Ａ
ｕ（金）やＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）のような
仕事関数の大きな電極材料を用い、電子注入電極として
は、Ｍｇのような仕事関数の小さな電極材料を用いてい
る。また、前記ホール輸送層としてはｐ型半導体の性質
を有する有機材料が用いられ、電子輸送層としてはｎ型
半導体の性質を有する有機材料が用いられている。
素子は、透明ガラス基板上に、ホール注入電極、有機
層、電子注入電極を順次積層した構造を有するものであ
り、新しい自発光型素子として期待されている。そし
て、前記有機層の構造としては、ホール輸送層と発光
層とから成る構造（ＳＨ−Ａ構造）、発光層と電子注
入層とから成る構造（ＳＨ−Ｂ構造）、ホール輸送層
と発光層と電子注入層とから成る構造（ＤＨ構造）が知
られている。そして、前記ホール注入電極としては、Ａ
ｕ（金）やＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）のような
仕事関数の大きな電極材料を用い、電子注入電極として
は、Ｍｇのような仕事関数の小さな電極材料を用いてい
る。また、前記ホール輸送層としてはｐ型半導体の性質
を有する有機材料が用いられ、電子輸送層としてはｎ型
半導体の性質を有する有機材料が用いられている。
【０００３】そして、上記発光層は、前記ＳＨ−Ａ構造
においては、ｎ型半導体の性質を有する材料が用いら
れ、ＳＨ−Ｂ構造においては、ｐ型半導体の性質を有す
る材料が用いられ、ＤＨ構造においては、中性に近い性
質を有する材料が用いられる。いずれにしても、ホール
注入電極から注入されたホールと電子注入電極から注入
された電子とが、発光層とホール（又は電子）輸送層の
界面、および発光層内で再結合して発光するという原理
に基づいている。従って、発光機構が「衝突励起型発
光」である無機エレクトロルミネッセンス素子と比べ
て、有機エレクトロルミネッセンス素子は低電圧で発光
が可能といった特徴を有し、このことが表示素子として
期待される理由となっている。
においては、ｎ型半導体の性質を有する材料が用いら
れ、ＳＨ−Ｂ構造においては、ｐ型半導体の性質を有す
る材料が用いられ、ＤＨ構造においては、中性に近い性
質を有する材料が用いられる。いずれにしても、ホール
注入電極から注入されたホールと電子注入電極から注入
された電子とが、発光層とホール（又は電子）輸送層の
界面、および発光層内で再結合して発光するという原理
に基づいている。従って、発光機構が「衝突励起型発
光」である無機エレクトロルミネッセンス素子と比べ
て、有機エレクトロルミネッセンス素子は低電圧で発光
が可能といった特徴を有し、このことが表示素子として
期待される理由となっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】有機エレクトロルミネ
ッセンス素子は、前述したごとく、板状のガラス基板／
ＩＴＯ／有機層／陰極（有機層で発せられた光を反射さ
せるミラーとしても機能する）といった構造であり、有
機層で発せられた光がＩＴＯを経て板状ガラス基板から
外部に放出されるのであるが、光学的に光の損失が大き
いという欠点を有している。
ッセンス素子は、前述したごとく、板状のガラス基板／
ＩＴＯ／有機層／陰極（有機層で発せられた光を反射さ
せるミラーとしても機能する）といった構造であり、有
機層で発せられた光がＩＴＯを経て板状ガラス基板から
外部に放出されるのであるが、光学的に光の損失が大き
いという欠点を有している。
【０００５】即ち、図５に示しているように、屈折率が
ｎ1 の第１媒質と屈折率がｎ2 の第２媒質（ｎ1 ＞
ｎ2 ）とが界面で接するとき、ｎ1 中の光源Ａから発し
た光のうち、θ＝ｓｉｎ-1（ｎ1 ／ｎ2 ）で定まる入射
角より大きい角度で界面に入射した光は、全反射によっ
て第２媒質（ｎ2 ）に進入することはできない。前記有
機層およびＩＴＯの屈折率が１．５〜１．７、板状ガラ
ス基板の屈折率が１．５であり、これらは略同等で前記
第１媒質に相当し、空気の屈折率は１．０であり、第２
媒質に相当する。よって、第１媒質に相当する有機層や
ＩＴＯ内に閉じ込められてしまう光が多くなり、光学的
に光の損失が大きくなる。
ｎ1 の第１媒質と屈折率がｎ2 の第２媒質（ｎ1 ＞
ｎ2 ）とが界面で接するとき、ｎ1 中の光源Ａから発し
た光のうち、θ＝ｓｉｎ-1（ｎ1 ／ｎ2 ）で定まる入射
角より大きい角度で界面に入射した光は、全反射によっ
て第２媒質（ｎ2 ）に進入することはできない。前記有
機層およびＩＴＯの屈折率が１．５〜１．７、板状ガラ
ス基板の屈折率が１．５であり、これらは略同等で前記
第１媒質に相当し、空気の屈折率は１．０であり、第２
媒質に相当する。よって、第１媒質に相当する有機層や
ＩＴＯ内に閉じ込められてしまう光が多くなり、光学的
に光の損失が大きくなる。
【０００６】この発明は、上記の事情に鑑み、有機層で
発せられた光がガラス基板を通して外界に出射するとき
の光損失を低減することができる有機エレクトロルミネ
ッセンス素子を提供することを目的とする。
発せられた光がガラス基板を通して外界に出射するとき
の光損失を低減することができる有機エレクトロルミネ
ッセンス素子を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明の有機エレクト
ロルミネッセンス素子は、上記の課題を解決するため
に、ガラス基板と、このガラス基板上に形成された透明
な第１電極と、この透明な第１電極上に形成された有機
層と、この有機層上に形成された第２電極とから成る有
機エレクトロルミネッセンス素子において、前記ガラス
基板の光出射面に、前記有機層からの出射光に対する前
記光出射面の反射率を低下させる反射防止膜を形成した
ことを特徴とする。
ロルミネッセンス素子は、上記の課題を解決するため
に、ガラス基板と、このガラス基板上に形成された透明
な第１電極と、この透明な第１電極上に形成された有機
層と、この有機層上に形成された第２電極とから成る有
機エレクトロルミネッセンス素子において、前記ガラス
基板の光出射面に、前記有機層からの出射光に対する前
記光出射面の反射率を低下させる反射防止膜を形成した
ことを特徴とする。
【０００８】上記の構成であれば、有機層で発せられた
光が素子内に閉じ込められてしまうのを防止できる。即
ち、反射防止膜をガラス基板と空気との界面に設ける
と、有機層から出射した光が、ガラス（反射防止膜）／
空気界面において反射するのＷをある程度抑制すること
ができる。従って、外部取り出し光強度が向上し、結果
的に輝度特性が向上する。
光が素子内に閉じ込められてしまうのを防止できる。即
ち、反射防止膜をガラス基板と空気との界面に設ける
と、有機層から出射した光が、ガラス（反射防止膜）／
空気界面において反射するのＷをある程度抑制すること
ができる。従って、外部取り出し光強度が向上し、結果
的に輝度特性が向上する。
【０００９】前記反射防止膜は、２種以上の材料から成
る膜が積層されて成るものであってもよい。また、前記
反射防止膜は、ＴｉＯ2 からなる第１膜とＳｉＯ2 から
成る第２膜が積層されて成るものであってもよい。
る膜が積層されて成るものであってもよい。また、前記
反射防止膜は、ＴｉＯ2 からなる第１膜とＳｉＯ2 から
成る第２膜が積層されて成るものであってもよい。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
【００１１】図１は、この発明にかかる有機エレクトロ
ルミネッセンス素子を示した縦断側面図である。この図
では、有機層の具体的構造を特定せずに示している。透
明な板状ガラス基板１上には、ホール注入電極２、有機
層３、電子注入電極４がこの順に積層されているととも
に、前記板状ガラス基板１の光出射面に、前記有機層３
からの出射光に対する前記光出射面の反射率を低下させ
るＡＲ（アンチリフレクション）コート５を成膜して成
る。
ルミネッセンス素子を示した縦断側面図である。この図
では、有機層の具体的構造を特定せずに示している。透
明な板状ガラス基板１上には、ホール注入電極２、有機
層３、電子注入電極４がこの順に積層されているととも
に、前記板状ガラス基板１の光出射面に、前記有機層３
からの出射光に対する前記光出射面の反射率を低下させ
るＡＲ（アンチリフレクション）コート５を成膜して成
る。
【００１２】図２は、有機層の具体的構造を特定して示
した有機エレクトロルミネッセンス素子の断面図であ
る。透明な板状ガラス基板１１上には、インジウム−ス
ズ酸化物（ＩＴＯ）から成るホール注入電極１２（陽
極）が形成されており、このホール注入電極１２上に
は、下記の化学式（１）で示されるＭＴＤＡＴＡから成
る膜厚が５００Åの第１ホール輸送層１３、および下記
の化学式（２）で示されるαＮＰＤから成る膜厚が２０
０Åの第２ホール輸送層１４が順次形成されている。
した有機エレクトロルミネッセンス素子の断面図であ
る。透明な板状ガラス基板１１上には、インジウム−ス
ズ酸化物（ＩＴＯ）から成るホール注入電極１２（陽
極）が形成されており、このホール注入電極１２上に
は、下記の化学式（１）で示されるＭＴＤＡＴＡから成
る膜厚が５００Åの第１ホール輸送層１３、および下記
の化学式（２）で示されるαＮＰＤから成る膜厚が２０
０Åの第２ホール輸送層１４が順次形成されている。
【００１３】
【化１】
【００１４】
【化２】
【００１５】そして、前記第２ホール輸送層１４上に
は、下記の化学式（３）で示されるＢｅＢｑ2 から成る
膜厚が５００Åの発光層１５が形成されている。
は、下記の化学式（３）で示されるＢｅＢｑ2 から成る
膜厚が５００Åの発光層１５が形成されている。
【００１６】
【化３】
【００１７】前記発光層１５上には、ＡｌＬｉ合金から
成る膜厚が２０００Åの電子注入電極１６（陰極）、及
び膜厚が２００００Åの金属保護膜（Ａｌ）１７が順に
形成されている。
成る膜厚が２０００Åの電子注入電極１６（陰極）、及
び膜厚が２００００Åの金属保護膜（Ａｌ）１７が順に
形成されている。
【００１８】そして、前記板状ガラス基板１１の光出射
面には、前記発光層１５からの出射光に対する前記光出
射面の反射率を低下させるＡＲコート１８が塗布されて
いる。前記ＡＲコート１８の詳細については後述する。
面には、前記発光層１５からの出射光に対する前記光出
射面の反射率を低下させるＡＲコート１８が塗布されて
いる。前記ＡＲコート１８の詳細については後述する。
【００１９】次に、上記図２の有機エレクトロルミネッ
センス素子の製造方法について簡単に説明する。まず、
板状ガラス基板上にホール注入電極となるインジウム−
スズ酸化物（ＩＴＯ）を形成し、当該基板を中性洗剤に
より洗浄した後、アセトン中で２０分間、エタノール中
で２０分間、それぞれ超音波洗浄を行う。次いで、この
洗浄済み基板を沸騰したエタノール中に約１分間浸し、
取り出して直ぐに送風乾燥を行った。その後、前記のＩ
ＴＯ上に前記化学式（１）で示されるＭＴＤＡＴＡを真
空蒸着し、その上に前記化学式（２）で示されるαＮＰ
Ｄを蒸着した。これにより、ホール輸送層が得られる。
次に、前記αＮＰＤ上にＢｅＢｑ2 を真空蒸着して発光
層を形成する。そして、ＡｌＬｉから成る電子注入電
極、及びＡｌから成る金属保護を順次形成する。なお、
上述の蒸着においては、いずれも真空度１×１０-6Ｔｏ
ｒｒ、基板温度制御無しの条件下で行った。
センス素子の製造方法について簡単に説明する。まず、
板状ガラス基板上にホール注入電極となるインジウム−
スズ酸化物（ＩＴＯ）を形成し、当該基板を中性洗剤に
より洗浄した後、アセトン中で２０分間、エタノール中
で２０分間、それぞれ超音波洗浄を行う。次いで、この
洗浄済み基板を沸騰したエタノール中に約１分間浸し、
取り出して直ぐに送風乾燥を行った。その後、前記のＩ
ＴＯ上に前記化学式（１）で示されるＭＴＤＡＴＡを真
空蒸着し、その上に前記化学式（２）で示されるαＮＰ
Ｄを蒸着した。これにより、ホール輸送層が得られる。
次に、前記αＮＰＤ上にＢｅＢｑ2 を真空蒸着して発光
層を形成する。そして、ＡｌＬｉから成る電子注入電
極、及びＡｌから成る金属保護を順次形成する。なお、
上述の蒸着においては、いずれも真空度１×１０-6Ｔｏ
ｒｒ、基板温度制御無しの条件下で行った。
【００２０】前記ＡＲコート１８は、前記の板ガラス基
板１１上に予め形成しておいても良いが、この実施の形
態では、上述の素子形成工程の後に形成した。前記ＡＲ
コート１８及び図１のＡＲコート５は、いわゆる多層膜
の構造を有しており、光の干渉により反射を軽減する。
具体的には、屈折率が異なる各種の無機化合物（ＳｉＯ
2 、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 など）を、各層が膜厚０．１〜
０．２μｍ程度（より具体的な膜厚については後に記述
している。）となるように形成している。このようなＡ
Ｒコートの各層は、電子ビーム蒸着法やスパッタ法によ
り作製することができる。
板１１上に予め形成しておいても良いが、この実施の形
態では、上述の素子形成工程の後に形成した。前記ＡＲ
コート１８及び図１のＡＲコート５は、いわゆる多層膜
の構造を有しており、光の干渉により反射を軽減する。
具体的には、屈折率が異なる各種の無機化合物（ＳｉＯ
2 、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 など）を、各層が膜厚０．１〜
０．２μｍ程度（より具体的な膜厚については後に記述
している。）となるように形成している。このようなＡ
Ｒコートの各層は、電子ビーム蒸着法やスパッタ法によ
り作製することができる。
【００２１】図３は、ＡＲコート１８の具体的な積層構
造を示している。このＡＲコート１８は、板状ガラス基
板１１の光出射側の面から順に、第１のＴｉＯ2 層（膜
厚１１０１Å，λ／２ｎ）、第１のＳｉＯ2 層（膜厚１
８３０Å，λ／２ｎ）、第２のＴｉＯ2 層（膜厚１１０
１Å，λ／２ｎ）、第２のＳｉＯ2 層（膜厚９１５Å，
λ／４ｎ）が順に形成されて成るものである。なお、ｎ
は屈折率を表し、λは有機エレクトロルミネッセンス素
子の発光波長を表している。ここで、低反射膜即ちＡＲ
コートを作成するためには、λ／２ｎ膜の形成後にλ／
４ｎ膜を設ける必要がある。光の位相を逆転させるため
にλ／４ｎ膜を形成しており、λ／４ｎ膜がないと低反
射膜とはならず、逆に高反射膜となる。
造を示している。このＡＲコート１８は、板状ガラス基
板１１の光出射側の面から順に、第１のＴｉＯ2 層（膜
厚１１０１Å，λ／２ｎ）、第１のＳｉＯ2 層（膜厚１
８３０Å，λ／２ｎ）、第２のＴｉＯ2 層（膜厚１１０
１Å，λ／２ｎ）、第２のＳｉＯ2 層（膜厚９１５Å，
λ／４ｎ）が順に形成されて成るものである。なお、ｎ
は屈折率を表し、λは有機エレクトロルミネッセンス素
子の発光波長を表している。ここで、低反射膜即ちＡＲ
コートを作成するためには、λ／２ｎ膜の形成後にλ／
４ｎ膜を設ける必要がある。光の位相を逆転させるため
にλ／４ｎ膜を形成しており、λ／４ｎ膜がないと低反
射膜とはならず、逆に高反射膜となる。
【００２２】上記のＡＲコート１８は、図２の有機エレ
クトロルミネッセンス素子が緑色発光をなすことに鑑み
て構成されたものである。ここで、緑を中心とした可視
光の範囲は、λ＝３８００〜６２００Åとなり、その
中心部分、即ち図２の有機エレクトロルミネッセンス素
子の緑色光を取り出すと、λ＝４２００〜５８００Å
となる。ＴｉＯ2 （ｎ＝２．２６）とＳｉＯ2 （ｎ＝
１．４２）を用いる場合、λ／２ｎ膜の膜厚は、につ
いてはそれぞれ８０５〜１３１３Å，１３３８〜２１８
３Åとなり、についてはそれぞれ８９０〜１２２９
Å，１４７９〜２０４２となる。これに基づき、ＡＲコ
ート１８のＴｉＯ2 層については膜厚１１０１Åとし、
ＳｉＯ2 層については膜厚１８３０Åとしている。
クトロルミネッセンス素子が緑色発光をなすことに鑑み
て構成されたものである。ここで、緑を中心とした可視
光の範囲は、λ＝３８００〜６２００Åとなり、その
中心部分、即ち図２の有機エレクトロルミネッセンス素
子の緑色光を取り出すと、λ＝４２００〜５８００Å
となる。ＴｉＯ2 （ｎ＝２．２６）とＳｉＯ2 （ｎ＝
１．４２）を用いる場合、λ／２ｎ膜の膜厚は、につ
いてはそれぞれ８０５〜１３１３Å，１３３８〜２１８
３Åとなり、についてはそれぞれ８９０〜１２２９
Å，１４７９〜２０４２となる。これに基づき、ＡＲコ
ート１８のＴｉＯ2 層については膜厚１１０１Åとし、
ＳｉＯ2 層については膜厚１８３０Åとしている。
【００２３】図４は、図３のＡＲコートの反射特性およ
び図２の有機エレクトロルミネッセンス素子の発光波長
特性を示したグラフであり、横軸には波長をとり、左側
縦軸には反射率をとり、右側縦軸には発光強度をとって
いる。
び図２の有機エレクトロルミネッセンス素子の発光波長
特性を示したグラフであり、横軸には波長をとり、左側
縦軸には反射率をとり、右側縦軸には発光強度をとって
いる。
【００２４】有機エレクトロルミネッセンス素子のホー
ル注入電極１２と電子注入電極１６をそれぞれプラス及
びマイナスに順バイアスして電圧を印加すると、当該素
子の発光層１５はＢｅＢｑ2 から成るため、緑色の光
（波長５１８ｎｍ）が得られることになる。そして、図
４から明らかなように、上記のＡＲコートは、上記緑色
の光に対して反射率を低くするような特性を有する。
ル注入電極１２と電子注入電極１６をそれぞれプラス及
びマイナスに順バイアスして電圧を印加すると、当該素
子の発光層１５はＢｅＢｑ2 から成るため、緑色の光
（波長５１８ｎｍ）が得られることになる。そして、図
４から明らかなように、上記のＡＲコートは、上記緑色
の光に対して反射率を低くするような特性を有する。
【００２５】図２の有機エレクトロルミネッセンス素子
の発光実験を行ったところ、電圧９Ｖで輝度３３００ｃ
ｄ／ｍ2 の高輝度の緑色発光が得られた。そして、比較
例として、ＡＲコートを有しない以外は図２と同一の構
造を有する素子で発光実験を行ったところ、電圧９Ｖで
輝度３３００ｃｄ／ｍ2 の緑色発光が得られた。即ち、
ＡＲコートを備えたことで、１０％の高輝度化が図れ
た。
の発光実験を行ったところ、電圧９Ｖで輝度３３００ｃ
ｄ／ｍ2 の高輝度の緑色発光が得られた。そして、比較
例として、ＡＲコートを有しない以外は図２と同一の構
造を有する素子で発光実験を行ったところ、電圧９Ｖで
輝度３３００ｃｄ／ｍ2 の緑色発光が得られた。即ち、
ＡＲコートを備えたことで、１０％の高輝度化が図れ
た。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、有機層で発せられた光がガラス基板を通して外界に
出射するときの光損失を低減し、有機エレクトロルミネ
ッセンス素子の発光の高輝度化が図れるという効果を奏
する。
ば、有機層で発せられた光がガラス基板を通して外界に
出射するときの光損失を低減し、有機エレクトロルミネ
ッセンス素子の発光の高輝度化が図れるという効果を奏
する。
【図１】この発明の有機層の具体的構造を特定していな
い有機エレクトロルミネッセンス素子の縦断側面図であ
る。
い有機エレクトロルミネッセンス素子の縦断側面図であ
る。
【図２】この発明の有機エレクトロルミネッセンス素子
を示す縦断側面図である。
を示す縦断側面図である。
【図３】この発明のＡＲコートの具体的構造を示す縦断
側面図である。
側面図である。
【図４】この発明のＡＲコートの反射特性および有機エ
レクトロルミネッセンス素子の発光波長特性を示したグ
ラフである。
レクトロルミネッセンス素子の発光波長特性を示したグ
ラフである。
【図５】屈折率が互いに異なる媒質の界面で生じる光全
反射の様子を説明する説明図である。
反射の様子を説明する説明図である。
１ 板状ガラス基板 ２ ホール注入電極 ３ 有機層 ４ 電子注入電極 ５ ＡＲコート １１ 板状ガラス基板 １２ ホール注入電極 １３ 第１ホール輸送層 １４ 第２ホール輸送層 １５ 発光層 １６ 電子注入電極 １８ ＡＲコート
Claims (3)
- 【請求項１】 ガラス基板と、このガラス基板上に形成
された透明な第１電極と、この透明な第１電極上に形成
された有機層と、この有機層上に形成された第２電極と
から成る有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記ガラス基板の光出射面に、前記有機層からの出射光
に対する前記光出射面の反射率を低下させる反射防止膜
を形成したことを特徴とする有機エレクトロルミネッセ
ンス素子。 - 【請求項２】 前記反射防止膜は、２種以上の材料から
成る膜が積層されて成ることを特徴とする請求項１に記
載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項３】 前記反射防止膜は、ＴｉＯ2 からなる第
１膜とＳｉＯ2 から成る第２膜が積層されて成ることを
特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06857897A JP3374035B2 (ja) | 1997-03-21 | 1997-03-21 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06857897A JP3374035B2 (ja) | 1997-03-21 | 1997-03-21 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10270170A true JPH10270170A (ja) | 1998-10-09 |
| JP3374035B2 JP3374035B2 (ja) | 2003-02-04 |
Family
ID=13377806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06857897A Expired - Lifetime JP3374035B2 (ja) | 1997-03-21 | 1997-03-21 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3374035B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002122702A (ja) * | 2000-10-17 | 2002-04-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学フィルム、及び表示素子 |
| US6476550B1 (en) | 1998-03-27 | 2002-11-05 | Nec Corporation | Organic Electroluminescent device with a defraction grading and luminescent layer |
| JP2003031374A (ja) * | 2001-07-17 | 2003-01-31 | Sony Corp | 有機電界発光素子 |
| WO2003026356A1 (fr) * | 2001-09-12 | 2003-03-27 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Substrat transparent utilisant un element electroluminescent organique et element |
| JP2005339927A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Pentax Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2012527084A (ja) * | 2009-05-13 | 2012-11-01 | ネオビューコロン カンパニー，リミテッド | 有機電界発光素子およびその製造方法 |
-
1997
- 1997-03-21 JP JP06857897A patent/JP3374035B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| EP1435761A1 (en) * | 2001-09-12 | 2004-07-07 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT−USE TRANSPARENT SUBSTRATE AND ELEMENT |
| KR100863171B1 (ko) * | 2001-09-12 | 2008-10-13 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 유기 일렉트로루미네선스 소자용 투명성 기판 및 소자 |
| EP1435761A4 (en) * | 2001-09-12 | 2010-03-10 | Nissan Chemical Ind Ltd | ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENTS USE TRANSPARENCY SUBSTRATE AND ELEMENT |
| JP2005339927A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Pentax Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2012527084A (ja) * | 2009-05-13 | 2012-11-01 | ネオビューコロン カンパニー，リミテッド | 有機電界発光素子およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3374035B2 (ja) | 2003-02-04 |
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