JPH10261248A

JPH10261248A - 記録媒体、及び記録再生装置

Info

Publication number: JPH10261248A
Application number: JP8438197A
Authority: JP
Inventors: Takehiko Kawasaki; 岳彦川崎; Tsutomu Ikeda; 勉池田
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1997-03-18
Filing date: 1997-03-18
Publication date: 1998-09-29

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、真空排気装置などの大掛かりな設備
を必要とせずに大気中からの吸着水の影響を低減し、安
定した記録再生を行うことができ、エラーレートを低減
した走査型プローブ顕微鏡の原理を応用した記録再生装
置等に用いる記録媒体、及び該記録媒体を備えた記録再
生装置を提供することを目的としている。【解決手段】本発明は、走査型プローブ顕微鏡の原理を
応用した記録再生装置等に用いる記録媒体であって、該
記録媒体は基板上に積層された記録部材からなり、該記
録部材が少なくとも金単結晶からなる電極層を有し、該
電極層が基板上の薄膜ヒーター上に絶縁層を介して形成
されていることを特徴とするものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、走査型プローブ顕
微鏡の原理を応用した記録再生装置等に用いる高密度の
記録再生に用いる記録媒体、及び記録再生装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、原子スケールの空間分解能を持つ
表面観察顕微鏡として、走査型トンネル顕微鏡（以下Ｓ
ＴＭとする）あるいは原子間力顕微鏡（以下ＡＦＭとす
る）等の、走査型プローブ顕微鏡（以下ＳＰＭとする）
と総称される装置が実用化されている。さらにこれらＳ
ＰＭは微小な探針が試料表面に原子レベルでアクセスで
きるため、微小領域に情報を書き込む記録再生装置への
応用が考えられている。このような記録再生装置におい
て、記録方法としては、探針と記録媒体の間に電圧を印
加して、局所的に記録媒体の導電性や表面形状を変化さ
せるなどの方法がある。ＳＰＭを応用した記録再生装置
によれば記録ビットが極めて微小にでき、高密度の情報
記録再生を実現できる。

【０００３】このようなＳＰＭを応用して探針と記録媒
体との間に電圧を印加し高密度の記録を行う装置では、
記録ビットが極めて微小になるため、用いられる記録媒
体には非常に高い平滑性を持つ表面の安定な下地電極が
必要である。この電極として従来用いられていたものと
しては、マイカ上に真空蒸着法によって形成した金薄膜
（Ｊ．Ａ．ＤｅＲｏｓｅ，Ｔ．Ｔｈｕｎｄａｔ，Ｌ．
Ａ．ＮａｇａｈａｒａａｎｄＳ．Ｍ．Ｌｉｎｄｓａ
ｙＳｕｒｆ．Ｓｃｉ．２５６，１０２−１０８（１９
９１））がある。この金薄膜は、マイカ上に金がエピタ
キシャル成長しやすい事を利用したもので、比較的平滑
な（１１１）結晶面を有する金薄膜が得られる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例の記録媒体、及び記録再生装置においては、次に述
べるような問題点があった。

【０００５】ＳＰＭを応用した大気中での記録再生にお
いては、大気中から記録媒体表面に水分が吸着し、この
吸着水が表面張力によって近接した探針との間に集まる
という現象が見られる事が知られている。この吸着水の
量は、気温や湿度あるいはその変動等の条件によって変
化し、記録あるいは再生の安定性に大きな悪影響を与え
エラーレートを増大させる大きな原因となっていた。こ
のような吸着水を低減する方法としては、記録再生装置
全体を真空槽内に入れて真空中で記録再生を行うといっ
た方法がある。しかしながら、この方法では真空排気装
置などの大掛かりな設備が必要となってしまう。他の方
法としては、記録媒体を裏面から加熱して局所的に周囲
の大気よりも高い温度にすることが考えられる。しかし
ながら、この方法では電極層に従来例の真空蒸着法によ
って形成した金薄膜を用いた場合、基板として用いるマ
イカが絶縁物であるため熱伝導性が低く、さらに熱伝導
の向上を計るためにマイカの薄層化を計る場合も機械的
な劈開によるため限界があり、加熱効率が低かった。ま
たここで得られる金薄膜の平滑性は、１μｍ単位の面積
で見ると凹凸の高低差が数ｎｍと大きく、より平滑な電
極層が求められていた。

【０００６】そこで、本発明は上記従来のものにおける
課題を解決し、真空排気装置などの大掛かりな設備を必
要とせずに大気中からの吸着水の影響を低減し、安定し
た記録再生を行うことができ、エラーレートを低減した
走査型プローブ顕微鏡の原理を応用した記録再生装置等
に用いる記録媒体、及び該記録媒体を備えた記録再生装
置を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の記録媒体は、走査型プローブ顕微鏡の原理
を応用した記録再生装置等に用いる記録媒体であって、
該記録媒体は基板上に積層された記録部材からなり、該
記録部材が少なくとも金単結晶からなる電極層を有し、
該電極層が基板上の薄膜ヒーター上に絶縁層を介して形
成されていることを特徴としている。また、本発明の記
録媒体は、その絶縁層が、０．１μｍないし１μｍの厚
さであることを特徴としている。また、本発明の記録媒
体は、その記録部材が、金単結晶からなる電極層上に記
録層を積層してなることを特徴としている。また、本発
明の記録媒体は、その金単結晶が、金のハロゲン化物を
溶解した成長溶液を過飽和状態に移行させて金のハロゲ
ン化物を分解処理し、絶縁層上に析出成長させたもので
あることを特徴としている。さらに、本発明の記録再生
装置は、上記した本発明のいずれかの記録媒体を備え、
該記録媒体の薄膜ヒーターに通電するためのヒーター電
源と、導電性の探針と、記録媒体と探針の相対的な変位
を検出する手段と、記録媒体と探針を相対的に走査する
手段と、記録媒体と探針の間に電圧を印加する手段と、
記録媒体と探針の間に流れるトンネル電流を検知する手
段とを有することを特徴としている。

【０００８】

【発明の実施の形態】上記した本発明の構成によれば、
真空排気装置などの大掛かりな設備を必要とせずに、大
気中からの吸着水の影響を低減し、安定した記録再生が
行えるとともに、エラーレートを低減した記録媒体、及
び記録再生装置を提供することができる。以下に、本発
明の実施の形態を、図に基づいて説明する。図１は、本
発明の記録媒体の断面図であり、１は基板、２は薄膜ヒ
ーター、３は絶縁層、４はシード、５は金単結晶、６は
記録層である。金単結晶５は電極層であり、記録層６と
ともに記録部材を構成する。基板１としては、薄膜ヒー
ター２よりも電気抵抗率が十分に高いものであれば用い
ることができる。例としては、石英ガラス等の絶縁体
や、シリコンなどの半導体に酸化皮膜を形成したものな
どを用いることができる。薄膜ヒーター２としては、通
常発熱抵抗体として用いられるものであればさまざまの
材料を用いることができる。例えば、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ等
の高融点でかつ電気抵抗率の大きな金属、あるいはニク
ロム系等の合金、窒化タンタル等の化合物が好適であ
る。このような材料を、スパッタリングなどの方法で薄
膜化し、フォトリソグラフィーやリフトオフなどにより
適当な形状に加工する。薄膜ヒーター２の形状として
は、記録部材を均一に加熱できるものであれば特に限定
されず、正方形や長方形等とすることができるが、特に
図３に示したようなミアンダー型のパターンが、発熱の
均一性の面で好ましい。

【０００９】さらに、薄膜ヒーター２上に積層する記録
部材との電気的な絶縁を保つために、絶縁層３を設け
る。絶縁層３の材料としては、薄膜ヒーター２よりも電
気抵抗率が十分に高いものであれば用いることができ
る。例としては、ＳｉＯ₂や窒化シリコン等が好まし
い。この絶縁層３は、薄膜ヒーター２で発生した熱を効
率よく金単結晶５及び記録層６に伝導させるために、電
気的な絶縁が保てる範囲で可能な限り薄いものとするこ
とが好ましい。好ましい厚さとしては、０．１μｍない
し１μｍとする。さらに、絶縁層３上に、金単結晶５を
以下のように形成する。特開平５−２０１７９３号公報
に、金のヨウ化物等のハロゲン化物の溶液から基材表面
に金単結晶を析出させる方法が開示されている。この方
法は、まず金のハロゲン化物溶液を加熱によるハロゲン
成分の揮発や還元材の添加等によって過飽和状態に移行
させる。これによって金のハロゲン化物が分解し、金が
基材上に核として析出し、核形成密度が低い状態のまま
核が自己整合的に成長する。核は基材表面に対して縦方
向：横方向が１：１００ないし１：２００程度のアスペ
クト比で成長し、平板状の結晶となる。こうして基材表
面方向への粒径が５００μｍないし４ｍｍ程度の平板状
の金単結晶を形成できる。このようにして形成した金単
結晶の表面はきわめて平滑であり、ＳＴＭによる表面観
察によれば表面の凹凸が５μｍ□内で０．５ｎｍ以下の
ものを作製できる。またこの平板状の金単結晶は、電子
線回折等による分析によれば基材面に対して結晶の（１
１１）面が平行で、ほぼ無欠陥のものを作製できる。ま
た、この方法によれば、多様な材料の基材上に金単結晶
を形成できる。たとえば、ＳｉＯ₂、窒化シリコン、Ｓ
ｉＣ、Ａｌ₂Ｏ₂等の絶縁体、Ｓｉ等の半導体、Ｔｉ等の
導電体などを用いることができる。これらはスパッタリ
ング等の方法で薄層化が容易である。

【００１０】以上述べてきたように、この方法によれ
ば、非常に薄い絶縁層上にも非常に高い平滑性を持つ表
面の安定な電極層を形成することができる。このような
金単結晶５を絶縁層３上に形成するが、その際、薄膜ヒ
ーター２の上にあたる位置にあらかじめシード４を形成
しておくことで、金単結晶５を薄膜ヒーター２の上に形
成できる。シード４には、絶緑層３に対して相対的に核
発生密度の高い材料を用いる。一例としては、Ａｕが好
ましく用いられる。このような金単結晶５からなる電極
層上に、記録層６を設ける。記録層６は、探針からの電
圧印加等によって局所的に特性の変化を起こすことがで
きて、かつ高い平滑性、均一性を持つものであれば用い
ることができる。好ましいものの例を以下にあげる。第
１の例として、ラングミュアーブロジェット（ＬＢ）法
を用いて形成したポリイミドやＳＯＡＺ（ビス−ｎ−オ
クチルスクアリリウムアズレン）等の有機薄膜があげら
れる。このような材料は、探針−記録層−下部電極の間
にしきい値以上の電圧（５Ｖ〜１０Ｖ程度）を印加する
と記録層の導電性が変化し、再生用のバイアス電圧
（０．０１Ｖ〜２Ｖ程度）を印加した際に流れる電流が
増大するものである。第２の例として、ＧｅＴｅ、Ｇａ
Ｓｂ、ＳｎＴｅ等の非晶質薄膜材料があげられる。この
材料は、探針−記録層−下部電極の間に電圧を印加し、
流れる電流により発生する熱により、非晶質から結晶質
への相転移を起こさせるものである。これにより材料の
導電性が変化し、再生用のバイアス電圧を印加した際に
流れる電流が増大するものである。第３の例として、Ｚ
ｎやＷ、Ｓｉ、ＧａＡｓ等の酸化性金属、半導体材料が
挙げられる。この材料は、探針−記録層−下部電極の間
に電圧を印加すると、流れる電流により発生する熱によ
り、大気中の酸素等と反応して表面に酸化膜が形成され
る。このため、材料表面の接触抵抗が変化し、再生用の
バイアス電圧を印加した際に流れる電流が増大するもの
である。また、金単結晶５に探針から直接電圧を印加し
て表面形状を変化させ記録を行うこともできる。この場
合は特別な記録層を設けなくてもかまわない。

【００１１】図４に、本発明の記録再生装置の例を示
す。図４の例は、ＳＰＭとしてＡＦＭを応用した例であ
る。１は基板、２は薄膜ヒーター、３は絶縁層、４はシ
ード、５は金単結晶、６は記録層、７は探針、８はカン
チレバー、９はカンチレバー基板、１０は記録媒体駆動
装置、１１は半導体レーザー、１２はレーザー光、１３
は４分割フォトダイオード、１４は変位検出回路、１５
はトンネル電流検出回路、１６は電圧印加回路、１７は
駆動制御回路、１８はヒーター電源、１９は制御用コン
ピュータ、２０は記録ビットである。探針７は記録媒体
との間に電圧を印加するために導電性を持つ必要があ
る。このため、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ等の金属で作製するか、
あるいはシリコンなどの半導体や窒化シリコンなどの絶
縁体で作製した後にこれら金属をコートして用いる。本
発明においては、記録再生時、あるいは記録再生を行う
直前にヒーター電源１８より薄膜ヒーター２に通電する
ことによって、記録媒体表面を所望の温度に上昇させ、
周囲の気温より高くすることで大気中からの水分の吸着
を大幅に低減することができる。さらに本発明において
は、薄膜ヒーター２で発生した熱を、効率よく金単結晶
５及び記録層６よりなる記録部材に伝導させることがで
き、加熱効率を高くすることができる。

【００１２】

【実施例】以下に、本発明を実施例について説明する。［実施例１］図１に実施例１の記録媒体の断面図を示
す。１は基板、２は薄膜ヒーター、３は絶縁層、４はシ
ード、５は金単結晶、６は記録層である。続いて、図２
ａからｅに、本実施例の記録媒体の作製工程を示す。本
実施例の記録媒体は、以下のようにして作製した。ま
ず、第１の工程として、図２ａに示したように、基板１
上に薄膜ヒーター２を形成した。基板１としては石英ガ
ラスを用いた。また、薄膜ヒーター２は、基板１上にＷ
をスパッタリング法により０．５μｍ堆積した後、フォ
トリソグラフィーにより２００μｍ幅のミアンダー型に
パターニングして形成した。このようにして作製した薄
膜ヒーターの斜視図を図３に示す。

【００１３】続いて第２の工程として、図２ｂに示した
ように、絶縁層３を形成した。絶縁層３は、ＳｉＯ₂を
スパッタリング法により１μｍ堆積して形成した。続い
て第３の工程として、図２ｃに示したように、次工程の
金単結晶析出のためのシード４を形成した。シード４
は、絶縁層３上にスパッタリング法によりＣｒを５ｎ
ｍ、Ａｕを１００ｎｍ順に堆積した後、フォトリソグラ
フィーにより１０μｍ×１０μｍの大きさにパターニン
グして形成した。続いて第４の工程として、図２ｄに示
したように、金単結晶５を形成した。本実施例において
は、金のハロゲン化物を溶解した溶液を過飽和状態に移
行させて金のハロゲン化物を分解処理し基材上に金の結
晶を析出成長させた。まず蒸留水１リットルにヨウ化カ
リウム８０ｇおよびヨウ素１２ｇを投入して攪拌溶解さ
せ、さらに金３ｇを溶解し、金のヨウ化物を溶解した溶
液を作製した。これを分取し、成長容器に満たした。さ
らに溶液を８０℃に昇温し、上記の薄膜ヒーター２、絶
縁層３、シード４を形成した基板を溶液に投入した。こ
のようにすることで、溶液中からのヨウ素成分の揮発を
促進して溶液を過飽和状態に移行させ、シード４上から
金の結晶を析出成長させることができた。約３日の間結
晶の成長を行ったところ、径が約４ｍｍの平板状の金単
結晶が析出した。続いて第５の工程として、図２ｅに示
したように、記録層６を形成した。記録層６は、ＬＢ
（ラングミュア−ブロジェット）法を利用してポリイミ
ド膜を３ｎｍの厚さに形成した。以上の工程で記録媒体
を作製した。

【００１４】続いて、図４に、本実施例の記録媒体を用
いた記録再生装置の概略図を示す。本実施例の記録再生
装置は、ＳＰＭの一種であるＡＦＭの原理を応用したも
のである。１は基板、２は薄膜ヒーター、３は絶縁層、
４はシード、５は金単結晶、６は記録層、７は探針、８
はカンチレバー、９はカンチレバー基板、１０は記録媒
体駆動装置、１１は半導体レーザー、１２はレーザー
光、１３は４分割フォトダイオード、１４は変位検出回
路、１５はトンネル電流検出回路、１６は電圧印加回
路、１７は駆動制御回路、１８はヒーター電源、１９は
制御用コンピュータ、２０は記録ビットである。本実施
例の探針７、カンチレバー８、カンチレバー基板９より
なる記録再生用プローブには記録媒体への電圧印加が行
えるように導電性を持たせた。本実施例においては、探
針７及びカンチレバー８は窒化シリコンで形成し、さら
に表面にスパッタリング法によりＴｉ５ｎｍ、Ｐｔ１０
０ｎｍを積層して導電性を持たせたものを用いた。

【００１５】続いて、本実施例の記録再生装置を用いた
記録再生方法について述べる。まず、ヒーター電源１８
より薄膜ヒーター２に通電し、不図示の微小熱電対によ
り記録媒体表面の温度をモニタし、８０℃となるように
薄膜ヒーターに通電する電流を設定した。なお、記録再
生を行った環境は、気温３０℃、湿度８５％であった。
次に、駆動制御回路１７によって記録媒体駆動装置１０
を駆動し、記録媒体表面と探針７先端をごく近接させ
た。記録媒体表面と探針７との間隔制御は、両者を極め
て近接した時に距離に応じて発生する力によって生じる
カンチレバー８のたわみを、半導体レーザー１１から照
射してカンチレバー裏面で反射されるレーザー光１２の
反射角の変位を４分割フォトダイオード１３、変位検出
回路１４を用いて検出し、カンチレバー８のたわみが一
定になるように記録媒体駆動装置１０を駆動して調節す
ることで行った。続いて、電圧印加回路１６により探針
７の先端と記録媒体の表面との間に電圧を印加し、記録
ビットの形成を行った。本実施例においては、探針７の
先端と記録媒体の表面との間に８Ｖの電圧をパルス状に
印加した。このようにすることで、記録層６に用いたポ
リイミド膜の導電性を局所的に変化させ、記録ビット２
０を形成した。このようにして形成した記録ビット２０
の再生は、電圧印加回路１６により探針７の先端と記録
媒体の表面との間に再生用のバイアス電圧を印加しなが
ら探針と記録媒体を相対的に走査し、流れる電流の局所
的な変化をトンネル電流検出回路１５によって検知して
行った。再生用のバイアス電圧は、本実施例では２Ｖと
した。以上のようにして記録・再生を行ったところ．約
１０ｎｍの大きさの導電性の変化した微小領域からなる
記録ビットを、約２０ｎｍ間隔で形成できた。このよう
な記録ビット２０を１０⁴個形成したが、ビットの欠損
は見られず、安定な記録・再生を行うことができた。

【００１６】［実施例２］図５に実施例２の記録媒体の
断面図を示す。１は基板、２は薄膜ヒーター、３は絶縁
層、４はシード、５は金単結晶である。続いて、図２ａ
からｄに、本実施例の記録媒体の作製工程を示す。本実
施例の記録媒体は、実施例１と同様にして基板１上に薄
膜ヒーター２、絶縁層３、金単結晶５を形成したもので
あり、特別な記録層を用いずに金単結晶よりなる電極層
５に探針から直接電圧を印加して表面形状を変化させ記
録を行うようにしたものである。

【００１７】続いて、図６に、本実施例の記録媒体を用
いた記録再生装置の概略図を示す。本実施例の記録再生
装置は、ＳＰＭの一種であるＡＦＭの原理を応用したも
のである。１は基板、２は薄膜ヒーター、３は絶縁層、
４はシード、５は金単結晶、７は探針、８はカンチレバ
ー、９はカンチレバー基板、１０は記録媒体駆動装置、
１１は半導体レーザー、１２はレーザー光、１３は４分
割フォトダイオード、１４は変位検出回路、１５はトン
ネル電流検出回路、１６は電圧印加回路、１７は駆動制
御回路、１８はヒーター電源、１９は制御用コンピュー
タ、２１は記録ビット（凸構造）、２２は記録ビット
（凹構造）である。本実施例の探針７、カンチレバー
８、カンチレバー基板９よりなる記録再生用プローブに
は記録媒体への電圧印加が行えるように導電性を持たせ
た。本実施例においては、探針７及びカンチレバー８は
窒化シリコンで形成し、さらに表面にスパッタリング法
によりＣｒ５ｎｍ、Ａｕ５００ｎｍを積層して導電性を
持たせたものを用いた。続いて、本実施例の記録再生装
置を用いた記録再生方法について述べる。まず、ヒータ
ー電源１８より薄膜ヒーター２に通電し、不図示の微小
熱電対により記録媒体表面の温度をモニタし、１５０℃
となるように薄膜ヒーターに通電する電流を設定した。
なお、記録再生を行った環境は、気温３０℃、湿度８５
％であった。次に、駆動制御回路１７によって記録媒体
駆動装置１０を駆動し、記録媒体表面と探針７先端をご
く近接させた。記録媒体表面と探針７との間隔制御は、
実施例１と同様に行った。続いて、電圧印加回路１６に
より探針７の先端と記録媒体の表面との間に電圧を印加
し、記録ビットの形成を行った。本実施例においては、
探針７の先端と記録媒体の表面との間に２Ｖの電圧をパ
ルス状に印加した。このようにすることで、探針７表面
のＡｕを電解蒸発させて金単結晶５表面に供給し、記録
ビット２１である微小な凸構造を形成した。また、同様
の電圧を極性を変えて印加することで、金単結晶５表面
をエッチングし、記録ビット２２である微小な凹構造を
形成した。このようにして、金単結晶５に探針から直接
電圧を印加して表面形状を局所的に変化させた。このよ
うにして形成した記録ビットの再生は、ＡＦＭの原理を
用いて記録媒体表面の形状を計測することで行った。以
上のようにして記録・再生を行ったところ、約１０ｎｍ
の大きさで表面形状の変化した微小領域からなる記録ビ
ット２１及び２２を、約２０ｎｍ間隔で形成できた。こ
のような記録ビットを１０⁴個形成したが、ビットの欠
損は見られず、安定な記録・再生を行うことができた。

【００１８】

【発明の効果】本発明は、以上のように、その記録媒体
が基板上に積層された記録部材からなり、該記録部材が
少なくとも金単結晶からなる電極層を有し、該電極層が
基板上の薄膜ヒーター上に絶縁層を介して形成されてい
るため、真空排気装置などの大掛かりな設備を必要とせ
ずに、大気中からの吸着水の影響を低減し、安定した記
録再生が行えるとともに、エラーレートを低減した記録
媒体を実現することが可能となり、この記録媒体を用い
て安定な記録・再生の行える記録再生装置を構成するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１の記録媒体の断面図である。

【図２】本発明の記録媒体の作製方法を示す図である。

【図３】本発明の記録媒体に用いる薄膜ヒーターの斜視
図である。

【図４】本発明の実施例１の記録再生装置の概略図であ
る。

【図５】本発明の実施例２の記録媒体の断面図である。

【図６】本発明の実施例２の記録再生装置の概略図であ
る。

【符号の説明】

１：基板２：薄膜ヒーター３：絶縁層４：シード５：金単結晶６：記録層７：探針８：カンチレバー９：カンチレバー基板１０：記録媒体駆動装置１１：半導体レーザー１２：レーザー光１３：４分割フォトダイオード１４：変位検出回路１５：トンネル電流検出回路１６：電圧印加回路１７：駆動制御回路１８：ヒーター電源１９：制御用コンピュータ２０：記録ビット２１：記録ビット（凸構造）２２：記録ビット（凹構造）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】走査型プローブ顕微鏡の原理を応用した記
録再生装置等に用いる記録媒体であって、該記録媒体は
基板上に積層された記録部材からなり、該記録部材が少
なくとも金単結晶からなる電極層を有し、該電極層が基
板上の薄膜ヒーター上に絶縁層を介して形成されている
ことを特徴とする記録媒体。
【請求項２】前記絶縁層が、０．１μｍないし１μｍの
厚さであることを特徴とする請求項１に記載の記録媒
体。
【請求項３】前記記録部材が、金単結晶からなる電極層
上に記録層を積層してなることを特徴とする請求項１ま
たは請求項２に記載の記録媒体。
【請求項４】前記金単結晶が、金のハロゲン化物を溶解
した成長溶液を過飽和状態に移行させて金のハロゲン化
物を分解処理し、絶縁層上に析出成長させたものである
ことを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に
記載の記録媒体。
【請求項５】走査型プローブ顕微鏡の原理を応用した記
録再生装置であって、請求項１〜請求項４のいずれか１
項に記載の記録媒体を備え、該記録媒体の薄膜ヒーター
に通電するためのヒーター電源と、導電性の探針と、記
録媒体と探針の相対的な変位を検出する手段と、記録媒
体と探針を相対的に走査する手段と、記録媒体と探針の
間に電圧を印加する手段と、記録媒体と探針の間に流れ
るトンネル電流を検知する手段とを有することを特徴と
する記録再生装置。