JPH10256673A - 光半導体素子及びその製造方法 - Google Patents
光半導体素子及びその製造方法Info
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- JPH10256673A JPH10256673A JP6897897A JP6897897A JPH10256673A JP H10256673 A JPH10256673 A JP H10256673A JP 6897897 A JP6897897 A JP 6897897A JP 6897897 A JP6897897 A JP 6897897A JP H10256673 A JPH10256673 A JP H10256673A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＺｎＯの温室における紫外光のレーザー発振
現象に基づく光半導体素子を提供する。 【解決手段】 原子レベルで制御された酸化物エピタキ
シャル薄膜成長に有効なレーザー分子線エピタキシ−法
を用いて、サファイヤｃ面基板上に作製されたＺｎＯ薄
膜は、Ｘ線ロッキングカーブの半値幅は０．１°と非常
に高い結晶性を有している。その薄膜はｎ型でキャリア
密度は４×１０17／ｃｍ3 である。薄膜作製時の酸素圧
力を１０-6Ｔｏｒｒに固定した条件で作製した薄膜は、
原子間力顕微鏡像像に見られるように、ウルツ鉱型の晶
癖を反映し、六角柱状のサイズの揃ったナノ結晶が緻密
に充填した構造をもつ。一つ一つのナノ結晶上には、一
ユニットセル高さ（０．５ｎｍ）のステップによるスパ
イラル構造が見られることから、熱力学的平衡に近い条
件で成長していることが示唆される。成長条件の制御に
より、ナノ結晶の横方向のサイズは５０ｎｍ〜２５０ｎ
ｍ程度の間で制御できる。
現象に基づく光半導体素子を提供する。 【解決手段】 原子レベルで制御された酸化物エピタキ
シャル薄膜成長に有効なレーザー分子線エピタキシ−法
を用いて、サファイヤｃ面基板上に作製されたＺｎＯ薄
膜は、Ｘ線ロッキングカーブの半値幅は０．１°と非常
に高い結晶性を有している。その薄膜はｎ型でキャリア
密度は４×１０17／ｃｍ3 である。薄膜作製時の酸素圧
力を１０-6Ｔｏｒｒに固定した条件で作製した薄膜は、
原子間力顕微鏡像像に見られるように、ウルツ鉱型の晶
癖を反映し、六角柱状のサイズの揃ったナノ結晶が緻密
に充填した構造をもつ。一つ一つのナノ結晶上には、一
ユニットセル高さ（０．５ｎｍ）のステップによるスパ
イラル構造が見られることから、熱力学的平衡に近い条
件で成長していることが示唆される。成長条件の制御に
より、ナノ結晶の横方向のサイズは５０ｎｍ〜２５０ｎ
ｍ程度の間で制御できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光半導体素子に係
り、特に、発光素子、レーザー素子、カラー表示素子及
びその製造方法に関するものである。
り、特に、発光素子、レーザー素子、カラー表示素子及
びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、青色・紫外領域の発光素子で実用
されているもの、もしくは実用が期待されている材料
は、主にIII 族−窒化物、II族−セレン化物・硫化物の
化合物半導体のみである。以下、その各種の発光素子に
ついて説明する。
されているもの、もしくは実用が期待されている材料
は、主にIII 族−窒化物、II族−セレン化物・硫化物の
化合物半導体のみである。以下、その各種の発光素子に
ついて説明する。
【０００３】（１）〔III 族−窒化物〕としての（Ａｌ
−Ｇａ−Ｉｎ）Ｎ混晶系の場合は、 （ａ）欠陥密度が非常に多いにもかかわらず発光する。
その発光波長は、３９０〜４３０ｎｍである。 （ｂ）発光波長４５０ｎｍの青色発光ダイオードはすで
に実用化されている。 （ｃ）発光波長４０８ｎｍの青色レーザーダイオードの
室温連続発振が報告されている。 といった特徴を持っている。
−Ｇａ−Ｉｎ）Ｎ混晶系の場合は、 （ａ）欠陥密度が非常に多いにもかかわらず発光する。
その発光波長は、３９０〜４３０ｎｍである。 （ｂ）発光波長４５０ｎｍの青色発光ダイオードはすで
に実用化されている。 （ｃ）発光波長４０８ｎｍの青色レーザーダイオードの
室温連続発振が報告されている。 といった特徴を持っている。
【０００４】（２）〔II族−セレン化物・硫黄物〕とし
ての（Ｚｎ−Ｃｄ−Ｍｇ）（Ｓｅ−Ｓ）混晶系の場合
は、 （ａ）ＧａＡｓ基板との格子整合がよく、成長も低温で
行うことができる。 （ｂ）発光波長４３０〜５００ｎｍである。 といった特徴を持っている。
ての（Ｚｎ−Ｃｄ−Ｍｇ）（Ｓｅ−Ｓ）混晶系の場合
は、 （ａ）ＧａＡｓ基板との格子整合がよく、成長も低温で
行うことができる。 （ｂ）発光波長４３０〜５００ｎｍである。 といった特徴を持っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、III 族
−窒化物、II族−セレン化物・硫化物の化合物半導体で
は、酸素の混入は大きな問題となる。また、個別的に
は、 （１）（Ａｌ−Ｇａ−Ｉｎ）Ｎ混晶系の場合は、 （ａ）作製に高温（〜１２００℃）を要する。
−窒化物、II族−セレン化物・硫化物の化合物半導体で
は、酸素の混入は大きな問題となる。また、個別的に
は、 （１）（Ａｌ−Ｇａ−Ｉｎ）Ｎ混晶系の場合は、 （ａ）作製に高温（〜１２００℃）を要する。
【０００６】（ｂ）サファイヤ基板と劈開性が相違し、
共振器端面の形成が困難である。 （ｃ）格子整合する適当な基板がない。 （ｄ）活性層がＩｎ添加ＧａＮであり、発光波長が長く
なる。 （ｅ）レーザー発振閾値が大きい。 （２）（Ｚｎ−Ｃｄ−Ｍｇ）（Ｓｅ−Ｓ）混晶系の場合
は、 （ａ）発光寿命が短い。
共振器端面の形成が困難である。 （ｃ）格子整合する適当な基板がない。 （ｄ）活性層がＩｎ添加ＧａＮであり、発光波長が長く
なる。 （ｅ）レーザー発振閾値が大きい。 （２）（Ｚｎ−Ｃｄ−Ｍｇ）（Ｓｅ−Ｓ）混晶系の場合
は、 （ａ）発光寿命が短い。
【０００７】（ｂ）非常に長い研究期間（１９８０年
〜）での進歩を考えると、実用化は困難である。 といった問題点を持っていた。本発明は、上記問題点を
除去し、酸化亜鉛（ＺｎＯ）の温室における紫外光のレ
ーザー発振現象に基づく光半導体素子を提供することを
目的とする。
〜）での進歩を考えると、実用化は困難である。 といった問題点を持っていた。本発明は、上記問題点を
除去し、酸化亜鉛（ＺｎＯ）の温室における紫外光のレ
ーザー発振現象に基づく光半導体素子を提供することを
目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕光半導体素子において、ＺｎＯを添加した薄膜を
発光層とするようにしたものである。 〔２〕上記〔１〕記載の光半導体素子において、前記薄
膜に存在する粒界を共振器として利用するとともに、室
温での励起子によるレーザー発振を可能にするようにし
たものである。
成するために、 〔１〕光半導体素子において、ＺｎＯを添加した薄膜を
発光層とするようにしたものである。 〔２〕上記〔１〕記載の光半導体素子において、前記薄
膜に存在する粒界を共振器として利用するとともに、室
温での励起子によるレーザー発振を可能にするようにし
たものである。
【０００９】〔３〕上記〔１〕又は〔２〕記載の光半導
体素子において、前記薄膜は、レーザー分子線エピタキ
シー法によるＺｎＯ六角柱ナノクリスタル薄膜である。 〔４〕上記〔１〕記載の光半導体素子において、前記発
光層から発生した紫外光または青色光を励起光とし、蛍
光層を発光せしめるカラー表示を可能とするようにした
ものである。
体素子において、前記薄膜は、レーザー分子線エピタキ
シー法によるＺｎＯ六角柱ナノクリスタル薄膜である。 〔４〕上記〔１〕記載の光半導体素子において、前記発
光層から発生した紫外光または青色光を励起光とし、蛍
光層を発光せしめるカラー表示を可能とするようにした
ものである。
【００１０】〔５〕光半導体素子の製造方法において、
レーザー分子線エピタキシー法により、サファイヤｃ面
基板上にＺｎＯを添加した薄膜からなる発光層を形成す
るようにしたものである。 〔６〕光半導体素子の製造方法において、サファイヤｃ
面基板上にＺｎＯを添加した薄膜を形成する際、ナノク
リスタルのサイズと密度を決定する核生成工程とこの核
を成長させる工程に分離して薄膜を形成するようにした
ものである。
レーザー分子線エピタキシー法により、サファイヤｃ面
基板上にＺｎＯを添加した薄膜からなる発光層を形成す
るようにしたものである。 〔６〕光半導体素子の製造方法において、サファイヤｃ
面基板上にＺｎＯを添加した薄膜を形成する際、ナノク
リスタルのサイズと密度を決定する核生成工程とこの核
を成長させる工程に分離して薄膜を形成するようにした
ものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を詳細
に説明する。光機能性酸化物としては、固体レーザー結
晶やフォトリフラクティブ結晶といったいわゆる「光学
結晶」がその代表的なものである。その多くは、バンド
ギャップが４ｅＶ以上の絶縁体であり、強誘電性・圧電
性磁性を利用して電気・光・磁気・音により光を制御し
得る機能を有する。
に説明する。光機能性酸化物としては、固体レーザー結
晶やフォトリフラクティブ結晶といったいわゆる「光学
結晶」がその代表的なものである。その多くは、バンド
ギャップが４ｅＶ以上の絶縁体であり、強誘電性・圧電
性磁性を利用して電気・光・磁気・音により光を制御し
得る機能を有する。
【００１２】ここで取り扱う光機能性酸化物は、半導体
としての光機能、すなわちキャリアの結合による光子の
生成という機能をもつものである。本発明は、ＺｎＯの
温室における紫外光のレーザー発振現象を呈する光半導
体素子を得るようにしたものである。以下、本発明の実
施例について詳細に説明する。
としての光機能、すなわちキャリアの結合による光子の
生成という機能をもつものである。本発明は、ＺｎＯの
温室における紫外光のレーザー発振現象を呈する光半導
体素子を得るようにしたものである。以下、本発明の実
施例について詳細に説明する。
【００１３】ＺｎＯは、紫外光領域に吸収端（Ｅg ＝
３．２ｅＶ）をもつワイドギャップII−VI族半導体酸化
物である。光記録密度の向上を目指した青色・紫外領域
の化合物半導体レーザーの材料として研究されているII
I 族ナイトライド及びII族セレナイド・サイルファイド
と比較した物性パラメーターを表１に示す。
３．２ｅＶ）をもつワイドギャップII−VI族半導体酸化
物である。光記録密度の向上を目指した青色・紫外領域
の化合物半導体レーザーの材料として研究されているII
I 族ナイトライド及びII族セレナイド・サイルファイド
と比較した物性パラメーターを表１に示す。
【００１４】
【表１】
【００１５】これらの材料と比較すると、例えば同じウ
ルツ鉱に属するＧａＮとはバンドギャップや格子定数な
どの点で類似であるが、注目すべき点は、ＺｎＯの励起
子の結合エネルギー（Ｅb ex）が６０ｍｅＶと極めて大
きいことである。励起子とは結晶中に励起される素励起
単位であり、水素原子のように一対の電子とホールから
形成されている。励起子は、ボーズ粒子であるため、非
常に高効率のレーザーダイオードが実現されるとして期
待されている。低温では励起子の再結合による発光過程
が支配的であるが、室温では熱エネルギー（２４ｍｅ
Ｖ）により、弱い結合の励起子は存在できなくなる。
ルツ鉱に属するＧａＮとはバンドギャップや格子定数な
どの点で類似であるが、注目すべき点は、ＺｎＯの励起
子の結合エネルギー（Ｅb ex）が６０ｍｅＶと極めて大
きいことである。励起子とは結晶中に励起される素励起
単位であり、水素原子のように一対の電子とホールから
形成されている。励起子は、ボーズ粒子であるため、非
常に高効率のレーザーダイオードが実現されるとして期
待されている。低温では励起子の再結合による発光過程
が支配的であるが、室温では熱エネルギー（２４ｍｅ
Ｖ）により、弱い結合の励起子は存在できなくなる。
【００１６】その結果、例えばＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ
系赤色半導体レーザーがそうであるように、レーザー発
光過程は、解離した電子とホールの高密度状態（エレク
トロン−ホール・プラズマ）により支配される。この観
点からＺｎＯの非常に大きい励起子結合力は、デバイス
応用上だけでなく励起子系の物性研究という点からも魅
力的である。実際、低温におけるＺｎＯの励起子発光及
びレーザー発振はかなり研究されてきているが、室温で
の励起子によるレーザー発振の報告例はなかった。
系赤色半導体レーザーがそうであるように、レーザー発
光過程は、解離した電子とホールの高密度状態（エレク
トロン−ホール・プラズマ）により支配される。この観
点からＺｎＯの非常に大きい励起子結合力は、デバイス
応用上だけでなく励起子系の物性研究という点からも魅
力的である。実際、低温におけるＺｎＯの励起子発光及
びレーザー発振はかなり研究されてきているが、室温で
の励起子によるレーザー発振の報告例はなかった。
【００１７】原子レベルで制御された酸化物エピタキシ
ャル薄膜成長に有効なレーザー分子線エピタキシ−法
（ＭＢＥ）を用いて、サファイヤｃ面基板上に作製され
たＺｎＯ薄膜は、Ｘ線ロッキングカーブの半値幅は０．
１°と非常に高い結晶性を有している。薄膜はｎ型で、
キャリア密度は４×１０17／ｃｍ3 であった。薄膜作製
時の酸素圧力を１０-6Ｔｏｒｒに固定した条件で作製し
た薄膜は、図１に示す原子間力顕微鏡像（ＡＦＭ）像に
見られるように、ウルツ鉱型の晶癖を反映し、六角柱状
のサイズの揃ったナノ結晶が緻密に充填した構造をも
つ。一つ一つのナノ結晶上には、一ユニットセル高さ
（０．５ｎｍ）のステップによるスパイラル構造が見ら
れることから、熱力学的平衡に近い条件で成長している
ことが示唆される。成長条件の制御により、ナノ結晶の
横方向のサイズは７０ｎｍ〜２５０ｎｍ程度の間で制御
できる。なお、図１においては、膜厚が２００ｎｍの薄
膜のＺｎＯナノ結晶のＡＦＭ像（１μｍ×１μｍ）を示
している。ナノ結晶の平均サイズはおよそ２５０ｎｍで
ある。図のエリアは、１００ｎｍ×１００ｎｍ、図の外
の矢印は結晶の方位を示している。結晶の方位は薄膜表
面の６角形の方位と正確に一致している。
ャル薄膜成長に有効なレーザー分子線エピタキシ−法
（ＭＢＥ）を用いて、サファイヤｃ面基板上に作製され
たＺｎＯ薄膜は、Ｘ線ロッキングカーブの半値幅は０．
１°と非常に高い結晶性を有している。薄膜はｎ型で、
キャリア密度は４×１０17／ｃｍ3 であった。薄膜作製
時の酸素圧力を１０-6Ｔｏｒｒに固定した条件で作製し
た薄膜は、図１に示す原子間力顕微鏡像（ＡＦＭ）像に
見られるように、ウルツ鉱型の晶癖を反映し、六角柱状
のサイズの揃ったナノ結晶が緻密に充填した構造をも
つ。一つ一つのナノ結晶上には、一ユニットセル高さ
（０．５ｎｍ）のステップによるスパイラル構造が見ら
れることから、熱力学的平衡に近い条件で成長している
ことが示唆される。成長条件の制御により、ナノ結晶の
横方向のサイズは７０ｎｍ〜２５０ｎｍ程度の間で制御
できる。なお、図１においては、膜厚が２００ｎｍの薄
膜のＺｎＯナノ結晶のＡＦＭ像（１μｍ×１μｍ）を示
している。ナノ結晶の平均サイズはおよそ２５０ｎｍで
ある。図のエリアは、１００ｎｍ×１００ｎｍ、図の外
の矢印は結晶の方位を示している。結晶の方位は薄膜表
面の６角形の方位と正確に一致している。
【００１８】図２にはナノ結晶のサイズの分布のヒスト
グラムを示している。薄膜の厚さが２００ｎｍの場合、
平均値として２５７ｎｍのサイズで、その広がりが３７
％と、非常にサイズの揃ったナノ結晶で構成されてい
る。つまり、ＡＦＭ像から六角形ナノクリスタルのサイ
ズ分布を求めた。サイズのバラッキ具合をナノクリスタ
ルの平均サイズ（φaverage ）で割った値Δφは、３
７．３％であり、他の手法（ＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ）で作
られた他の物質（ＧａＡｓ，ＧａＮ，ＩｎＡｓ，ｅｔ
ｃ）のサイズのバラッキに関する一般的に報告されてい
る値に比して、固定度が、より小さい値になっている。
グラムを示している。薄膜の厚さが２００ｎｍの場合、
平均値として２５７ｎｍのサイズで、その広がりが３７
％と、非常にサイズの揃ったナノ結晶で構成されてい
る。つまり、ＡＦＭ像から六角形ナノクリスタルのサイ
ズ分布を求めた。サイズのバラッキ具合をナノクリスタ
ルの平均サイズ（φaverage ）で割った値Δφは、３
７．３％であり、他の手法（ＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ）で作
られた他の物質（ＧａＡｓ，ＧａＮ，ＩｎＡｓ，ｅｔ
ｃ）のサイズのバラッキに関する一般的に報告されてい
る値に比して、固定度が、より小さい値になっている。
【００１９】図３にはナノ結晶のサイズの膜厚依存性を
示す。膜厚が厚くなるにつれて、ナノ結晶のサイズが７
０ｎｍ程度から徐々に大きくなっている。このような薄
膜は、繰り返し使用したＺｎＯターゲットを使用した場
合に形成できる。このＺｎＯターゲットの表面は、Ｚｎ
Ｏが一部還元されて、表面に亜鉛金属が析出している。
ＺｎＯターゲットが未使用である場合には、図３の
（Ｉ）で示したように、更に小さい（５０ｎｍ）ナノ結
晶を形成できる。この（Ｉ）に関しては、工夫された作
製方法で作製された複数の薄膜のサイズを示している。
（Ｉ）のエリアに入る膜だけが、後に述べる励起子−励
起子発光（Ｐ∞発光）を示す。点線は通常の方法で作ら
れた膜のナノクリスタルサイズの膜厚に対する変化を示
している。
示す。膜厚が厚くなるにつれて、ナノ結晶のサイズが７
０ｎｍ程度から徐々に大きくなっている。このような薄
膜は、繰り返し使用したＺｎＯターゲットを使用した場
合に形成できる。このＺｎＯターゲットの表面は、Ｚｎ
Ｏが一部還元されて、表面に亜鉛金属が析出している。
ＺｎＯターゲットが未使用である場合には、図３の
（Ｉ）で示したように、更に小さい（５０ｎｍ）ナノ結
晶を形成できる。この（Ｉ）に関しては、工夫された作
製方法で作製された複数の薄膜のサイズを示している。
（Ｉ）のエリアに入る膜だけが、後に述べる励起子−励
起子発光（Ｐ∞発光）を示す。点線は通常の方法で作ら
れた膜のナノクリスタルサイズの膜厚に対する変化を示
している。
【００２０】この薄膜のＡＦＴ像（１μｍ×１μｍ）を
図４に、この粒子のサイズとヒストグラムを図５に示
す。この図５は図１及び図２と同様である。異なる点
は、膜厚が５０ｎｍであり、平均サイズが４５ｎｍで、
分布が３３％とナノサイズ結晶のサイズを微小化できる
点である。この効果は、十分酸化された粒子が基板上に
供給された場合、表面での拡散距離が小さく高粒度な粒
子が形成されるのに対し、十分に酸化されていない金属
亜鉛原子が主に供給される場合、表面での拡散距離が長
くなり、粗な粒子形式が形成されると共に、薄膜の膜厚
を増していくうちに粒子が融合していることで説明でき
る。
図４に、この粒子のサイズとヒストグラムを図５に示
す。この図５は図１及び図２と同様である。異なる点
は、膜厚が５０ｎｍであり、平均サイズが４５ｎｍで、
分布が３３％とナノサイズ結晶のサイズを微小化できる
点である。この効果は、十分酸化された粒子が基板上に
供給された場合、表面での拡散距離が小さく高粒度な粒
子が形成されるのに対し、十分に酸化されていない金属
亜鉛原子が主に供給される場合、表面での拡散距離が長
くなり、粗な粒子形式が形成されると共に、薄膜の膜厚
を増していくうちに粒子が融合していることで説明でき
る。
【００２１】微細な粒子薄膜を得る方法として、以下の
ような方法がある。 （１）表面が十分に酸化されているＺｎＯターゲットを
使用する方法以外に、以下の方法も使用可能である。 （２）ターゲットの表面状態によらず、薄膜作製時の酸
素圧力を１０-5〜１Ｔｏｒｒの範囲で選択し、１ｎｍ程
度の薄膜を形成し、任意の密度で核生成を行い、後に残
りの薄膜を１０-6〜１０-3Ｔｏｒｒで形成し、高品質ナ
ノ結晶を形成する。ナノ結晶の融合の速度は、二段階目
の酸素圧力で制御する。
ような方法がある。 （１）表面が十分に酸化されているＺｎＯターゲットを
使用する方法以外に、以下の方法も使用可能である。 （２）ターゲットの表面状態によらず、薄膜作製時の酸
素圧力を１０-5〜１Ｔｏｒｒの範囲で選択し、１ｎｍ程
度の薄膜を形成し、任意の密度で核生成を行い、後に残
りの薄膜を１０-6〜１０-3Ｔｏｒｒで形成し、高品質ナ
ノ結晶を形成する。ナノ結晶の融合の速度は、二段階目
の酸素圧力で制御する。
【００２２】図４に示した５０ｎｍ程度のナノ粒子薄膜
の断面の形状（透過電子顕微鏡像）を図６に示す。この
図は、六角形の辺に平行な方向の断面を見ており、図中
の矢印は、粒界（ｇｒａｉｎ ｂｏｕｎｄａｒｉｅｓ）
のある位置を示している。粒界の位置は、図３のＡＦＭ
像で黒く見える部分に対応しており、図４及び図６から
ナノクリスタルの形は厚さ５０ｎｍ、横方向のサイズが
５０ｎｍの六角柱のボックス状であることがわかる。
の断面の形状（透過電子顕微鏡像）を図６に示す。この
図は、六角形の辺に平行な方向の断面を見ており、図中
の矢印は、粒界（ｇｒａｉｎ ｂｏｕｎｄａｒｉｅｓ）
のある位置を示している。粒界の位置は、図３のＡＦＭ
像で黒く見える部分に対応しており、図４及び図６から
ナノクリスタルの形は厚さ５０ｎｍ、横方向のサイズが
５０ｎｍの六角柱のボックス状であることがわかる。
【００２３】このように、個々のナノ結晶の境界に、基
板面と垂直に明瞭な粒界が形成されている。この粒界が
形成される原因を以下に述べる。ＺｎＯとサファイアｃ
面の原子の配列は、図７のように、１８％のミスマッチ
を有する。しかし、ＺｎＯの１１格子とサファイアの１
３格子、あるいはＺｎＯの５格子とサファイアの６格子
を比べると、そのミスマッチは０．０８５％又は１．４
％と非常に小さくなる。
板面と垂直に明瞭な粒界が形成されている。この粒界が
形成される原因を以下に述べる。ＺｎＯとサファイアｃ
面の原子の配列は、図７のように、１８％のミスマッチ
を有する。しかし、ＺｎＯの１１格子とサファイアの１
３格子、あるいはＺｎＯの５格子とサファイアの６格子
を比べると、そのミスマッチは０．０８５％又は１．４
％と非常に小さくなる。
【００２４】このような基板と薄膜のそれぞれの格子間
距離の公倍数の繰り返し周期を持つマッチングはハイヤ
ーオーダーエピタキシーと呼ばれ、Ｓｉ基板上へのＴｉ
Ｎ薄膜の形成等で報告されているが、酸化物と酸化物の
界面での報告例はない。ハイヤーオーダーエピタキシー
での粒界の発生機構を図８に示す。説明を簡単にするた
め、基板結晶の３格子に対して、膜結晶の４格子がマッ
チングした図で示す。基板上に、ハイヤーオーダーエピ
タキシー条件を満たした核がランダムに発生して、それ
らの核が横方向に成長する時、粒同士がぶつかる。この
時、核と核の公倍数のとり方の位相には相関がないの
で、公倍数の端数の隙間が生じる。この隙間は結晶格子
が乱れて粒界となる。それぞれの粒は方向関係が完全に
一致しているが、横方向の位置がずれている。この粒界
は、後述するように、エキシトンの閉じ込め障壁として
機能し、レーザー共振器のミラーを構成する。
距離の公倍数の繰り返し周期を持つマッチングはハイヤ
ーオーダーエピタキシーと呼ばれ、Ｓｉ基板上へのＴｉ
Ｎ薄膜の形成等で報告されているが、酸化物と酸化物の
界面での報告例はない。ハイヤーオーダーエピタキシー
での粒界の発生機構を図８に示す。説明を簡単にするた
め、基板結晶の３格子に対して、膜結晶の４格子がマッ
チングした図で示す。基板上に、ハイヤーオーダーエピ
タキシー条件を満たした核がランダムに発生して、それ
らの核が横方向に成長する時、粒同士がぶつかる。この
時、核と核の公倍数のとり方の位相には相関がないの
で、公倍数の端数の隙間が生じる。この隙間は結晶格子
が乱れて粒界となる。それぞれの粒は方向関係が完全に
一致しているが、横方向の位置がずれている。この粒界
は、後述するように、エキシトンの閉じ込め障壁として
機能し、レーザー共振器のミラーを構成する。
【００２５】この薄膜は、室温において、紫外光領域に
おいて明瞭な励起子発光を示した。図９にＮｄ：ＹＡＧ
１／３波長レーザー（３５５ｎｍ，３０ｐｓｅｃ）によ
る光励起−発光スペクトルを示す。発光スペクトルは、
励起パワーの増大と共に、自由励起子発光（Ｅex）、つ
いで励起子−励起子（Ｐ2 ）自然発光を示し、その後
に、閾値強度（Ｉth）、２４ｋＷ／ｃｍ2 からポンピン
グ強度の８乗で強度が増大する強い発光（Ｐ∞）、そし
てＩth＝５５ｋＷ／ｃｍ2 から５乗で強度が増大する発
光（Ｎ）によるスペクトルの飽和を示している。
おいて明瞭な励起子発光を示した。図９にＮｄ：ＹＡＧ
１／３波長レーザー（３５５ｎｍ，３０ｐｓｅｃ）によ
る光励起−発光スペクトルを示す。発光スペクトルは、
励起パワーの増大と共に、自由励起子発光（Ｅex）、つ
いで励起子−励起子（Ｐ2 ）自然発光を示し、その後
に、閾値強度（Ｉth）、２４ｋＷ／ｃｍ2 からポンピン
グ強度の８乗で強度が増大する強い発光（Ｐ∞）、そし
てＩth＝５５ｋＷ／ｃｍ2 から５乗で強度が増大する発
光（Ｎ）によるスペクトルの飽和を示している。
【００２６】Ｐ2 及びＰ∞発光線は、励起子と励起子の
衝突・散乱過程を伴う励起子の再結合による発光により
説明できる。ｎ＝１の状態にある二つの励起子が衝突
し、一つの励起子がｎ＝２（Ｐ2 発光）もしくは、ｎ＝
∞（Ｐ∞発光）の状態にたたき上げられ、残ったもう一
つの励起子が再結合して発光する。Ｎ発光線は、励起強
度の増大と共にレッドシフトとブロードニングを示すこ
とより、前述のエレクトロン−ホール・プラズマ発光で
あると考えられる。
衝突・散乱過程を伴う励起子の再結合による発光により
説明できる。ｎ＝１の状態にある二つの励起子が衝突
し、一つの励起子がｎ＝２（Ｐ2 発光）もしくは、ｎ＝
∞（Ｐ∞発光）の状態にたたき上げられ、残ったもう一
つの励起子が再結合して発光する。Ｎ発光線は、励起強
度の増大と共にレッドシフトとブロードニングを示すこ
とより、前述のエレクトロン−ホール・プラズマ発光で
あると考えられる。
【００２７】ナノ結晶のサイズが２５０ｎｍ程度と大き
い場合の発生スペクトルを図１０に示す。レーザー発振
が起こるＩthは６２ｋＷ／ｃｍ2 と非常に大きい。ま
た、Ｐ2 やＰ∞発光が観測されず、いきなり、Ｎ発光が
起こっている。効率の良いＰ∞発光は、ナノ結晶のサイ
ズを４０〜６０ｎｍに制御した時にのみ観測された。
い場合の発生スペクトルを図１０に示す。レーザー発振
が起こるＩthは６２ｋＷ／ｃｍ2 と非常に大きい。ま
た、Ｐ2 やＰ∞発光が観測されず、いきなり、Ｎ発光が
起こっている。効率の良いＰ∞発光は、ナノ結晶のサイ
ズを４０〜６０ｎｍに制御した時にのみ観測された。
【００２８】また、レーザー発振の閾値が非常に小さい
こととナノ結晶サイズが大きい時はＰ∞発光は見られな
いことより、ナノ結晶によるキャリア（励起子）の閉じ
込めによる振動子強度の増大が起きていると推測でき
る。Ｐ∞発光は、薄膜の横方向からスペクトルをとって
も明瞭に観測される。このときポンピングレーザーは物
理的な端面より内側の薄膜だけを励起しており、人工的
な共振ミラーは存在していない。
こととナノ結晶サイズが大きい時はＰ∞発光は見られな
いことより、ナノ結晶によるキャリア（励起子）の閉じ
込めによる振動子強度の増大が起きていると推測でき
る。Ｐ∞発光は、薄膜の横方向からスペクトルをとって
も明瞭に観測される。このときポンピングレーザーは物
理的な端面より内側の薄膜だけを励起しており、人工的
な共振ミラーは存在していない。
【００２９】図１１にＴＥ（⊥ｃ）及びＴＭ（／／ｃ）
偏光で測定されたＰ∞発光スペクトルを示す。つまり、
Ｐ∞発光を横方向から見た時のスペクトルであり、Ｉth
＝２４ｋＷ／ｃｍ2 を示している。発光線は、ＴＥ偏光
への強い集中と細かくスプリットしたスペクトル構造を
示している。図１２に示しているように、スプリット間
隔（ΔＥ）は、励起している領域の長さ（励起長：Ｌ）
に依存して変化する。これは、Ｐ∞発光が励起領域の両
端をミラーとする縦モードキャビティーからのレーザー
発振であることを示している。
偏光で測定されたＰ∞発光スペクトルを示す。つまり、
Ｐ∞発光を横方向から見た時のスペクトルであり、Ｉth
＝２４ｋＷ／ｃｍ2 を示している。発光線は、ＴＥ偏光
への強い集中と細かくスプリットしたスペクトル構造を
示している。図１２に示しているように、スプリット間
隔（ΔＥ）は、励起している領域の長さ（励起長：Ｌ）
に依存して変化する。これは、Ｐ∞発光が励起領域の両
端をミラーとする縦モードキャビティーからのレーザー
発振であることを示している。
【００３０】図１３にレーザー発振強度の角度依存性を
示す。円板状の基板にナノ結晶を形成し、試料を回転さ
せてレーザー光強度を測定した。励起領域が六角柱結晶
粒界を共振器ミラーとして利用できる場合は強い発光が
観測できるのに対し、３０°ずれた場合は発光が弱くな
る。これは、粒界が共振器ミラーとして作用しているこ
とを示している。
示す。円板状の基板にナノ結晶を形成し、試料を回転さ
せてレーザー光強度を測定した。励起領域が六角柱結晶
粒界を共振器ミラーとして利用できる場合は強い発光が
観測できるのに対し、３０°ずれた場合は発光が弱くな
る。これは、粒界が共振器ミラーとして作用しているこ
とを示している。
【００３１】励起領域の両端が共振器を構成するミラー
として作用する起源は、以下のように説明される。励起
されている領域は、キャリア密度が大きいため屈折率が
励起されていない部分よりも大きくなる。励起領域のエ
ッジでは、励起強度は連続的に変化しており、薄膜の屈
折率の同様な分布をしていると考えられる。ある屈折率
閾値を仮定すると、屈折率連続変化領域にあるナノ結晶
列とナノ結晶列の粒界面でのみ光の反射が起こり、両側
の端面間にファプリ・ペロー共振器が形成される。
として作用する起源は、以下のように説明される。励起
されている領域は、キャリア密度が大きいため屈折率が
励起されていない部分よりも大きくなる。励起領域のエ
ッジでは、励起強度は連続的に変化しており、薄膜の屈
折率の同様な分布をしていると考えられる。ある屈折率
閾値を仮定すると、屈折率連続変化領域にあるナノ結晶
列とナノ結晶列の粒界面でのみ光の反射が起こり、両側
の端面間にファプリ・ペロー共振器が形成される。
【００３２】断面ＴＥＭ観察から粒界は、基板・薄膜界
面から表面までｃ軸に平衡に形成されていることから、
ナノ結晶の粒界面が高い平行度と反射率を持ったミラー
面として機能していると考えられる。この自己形成キャ
ビティーミラーは、劈開もしくはエッチングによるミラ
ー形成プロセスを必要としないだけでなく、ダイオード
に適当な形状の電極をつけることによって、任意に活性
領域を選べ、また、共振器を設置できるという利点を与
えることができる。
面から表面までｃ軸に平衡に形成されていることから、
ナノ結晶の粒界面が高い平行度と反射率を持ったミラー
面として機能していると考えられる。この自己形成キャ
ビティーミラーは、劈開もしくはエッチングによるミラ
ー形成プロセスを必要としないだけでなく、ダイオード
に適当な形状の電極をつけることによって、任意に活性
領域を選べ、また、共振器を設置できるという利点を与
えることができる。
【００３３】以上に示した励起子レーザー発振閾値の温
度依存性を図１４に示す。膜厚５０ｎｍの薄膜につい
て、結晶温度に対する横方向Ｐ∞発光の閾値励起強度の
値をプロットしており、縦軸はＬｏｇスケールを示して
いる。この図から明らかなように、温度が室温（３００
Ｋ）以上に上昇すると、閾値は徐々に増加するが、３８
０Ｋ（１００℃）程度までは、励起子発生のレーザー発
振が観測された。このグラフの傾きから、特性温度は、
１５７Ｋとなり、ＺｎＳｅの１２４Ｋより大きくレーザ
ー材料として優れていることがわかる。
度依存性を図１４に示す。膜厚５０ｎｍの薄膜につい
て、結晶温度に対する横方向Ｐ∞発光の閾値励起強度の
値をプロットしており、縦軸はＬｏｇスケールを示して
いる。この図から明らかなように、温度が室温（３００
Ｋ）以上に上昇すると、閾値は徐々に増加するが、３８
０Ｋ（１００℃）程度までは、励起子発生のレーザー発
振が観測された。このグラフの傾きから、特性温度は、
１５７Ｋとなり、ＺｎＳｅの１２４Ｋより大きくレーザ
ー材料として優れていることがわかる。
【００３４】図１５にＧａＮとＺｎＯにおけるレーザー
発振閾値の推移を示す。ＧａＮ系レーザーダイオードで
は、薄膜の品質向上、量子井戸やクラッド層といった構
造を採用して年々閾値は低減している。本発明による自
然形成されたＺｎＯナノ結晶薄膜のレーザー発振閾値
は、その最良値よりも小さい。従って、ＺｎＯ薄膜は、
短波長レーザー材料として非常に有望であると言える。
発振閾値の推移を示す。ＧａＮ系レーザーダイオードで
は、薄膜の品質向上、量子井戸やクラッド層といった構
造を採用して年々閾値は低減している。本発明による自
然形成されたＺｎＯナノ結晶薄膜のレーザー発振閾値
は、その最良値よりも小さい。従って、ＺｎＯ薄膜は、
短波長レーザー材料として非常に有望であると言える。
【００３５】ガリウム砒素ダブルヘテロレーザーダイオ
ードが現在、コンパクトディスクのピックアップレーザ
ー等に応用され、最もポピュラーなレーザーダイオード
である。実際に実用化することのできるレーザー閾値の
目安として挙げている。励起子発光を積極的に利用した
レーザーダイオードの発振閾値は、これを超えると予想
されている。今後ＺｎＯのダイオードにダブルヘテロ構
造や光閉じ込め構造を併用することで、更に励起子発光
の効率を上げることができと思われる。
ードが現在、コンパクトディスクのピックアップレーザ
ー等に応用され、最もポピュラーなレーザーダイオード
である。実際に実用化することのできるレーザー閾値の
目安として挙げている。励起子発光を積極的に利用した
レーザーダイオードの発振閾値は、これを超えると予想
されている。今後ＺｎＯのダイオードにダブルヘテロ構
造や光閉じ込め構造を併用することで、更に励起子発光
の効率を上げることができと思われる。
【００３６】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、種々の変更や応用が考えられる。たとえ
ば、ＺｎＯの添加に代えて、マグネシウムもしくはカド
ミウムを添加するようにしてもよい。更に、ＺｎＯ薄膜
から紫外光発光を利用すると、以下のようなカラーディ
スプレーが形成できる。
のではなく、種々の変更や応用が考えられる。たとえ
ば、ＺｎＯの添加に代えて、マグネシウムもしくはカド
ミウムを添加するようにしてもよい。更に、ＺｎＯ薄膜
から紫外光発光を利用すると、以下のようなカラーディ
スプレーが形成できる。
【００３７】従来は、青、緑、赤の三基本色の発生ダイ
オードを組み合わせることで、カラーディスプレーが形
成されてきたために、非常に多数のダイオードを用いて
ディスプレーを組み立てる工程が必要であった。ＺｎＯ
からは紫外光の発光が得られるため、大面積のディスプ
レー用基板上に多数のＺｎＯ紫外光発光ダイオードを集
積して形成し、各素子に青、緑、赤の蛍光層を付加し、
ＺｎＯダイオードからの紫外光励起により蛍光層を発光
せしめることで、カラーディスプレーが形成できる。Ｚ
ｎＯは６００℃以下の低温でも結晶成長が可能であるた
め、ガラス基板等の安価で大面積の基板が使用可能とな
る利点もある。
オードを組み合わせることで、カラーディスプレーが形
成されてきたために、非常に多数のダイオードを用いて
ディスプレーを組み立てる工程が必要であった。ＺｎＯ
からは紫外光の発光が得られるため、大面積のディスプ
レー用基板上に多数のＺｎＯ紫外光発光ダイオードを集
積して形成し、各素子に青、緑、赤の蛍光層を付加し、
ＺｎＯダイオードからの紫外光励起により蛍光層を発光
せしめることで、カラーディスプレーが形成できる。Ｚ
ｎＯは６００℃以下の低温でも結晶成長が可能であるた
め、ガラス基板等の安価で大面積の基板が使用可能とな
る利点もある。
【００３８】なお、本発明は、青色から紫外光領域で発
光する光半導体素子（ＬＥＤ、レーザーダイオード）、
光記憶ディスク（ＣＤ、ＭＯ、ＤＶＤ）のビックアップ
用レーザー、発光ダイオードを用いたフラットパネルデ
ィスプレイ、発光ダイオードを用いた信号機等の表示
部、殺菌灯等の照明等に用いる光半導体素子として、広
汎な適用分野を有する。
光する光半導体素子（ＬＥＤ、レーザーダイオード）、
光記憶ディスク（ＣＤ、ＭＯ、ＤＶＤ）のビックアップ
用レーザー、発光ダイオードを用いたフラットパネルデ
ィスプレイ、発光ダイオードを用いた信号機等の表示
部、殺菌灯等の照明等に用いる光半導体素子として、広
汎な適用分野を有する。
【００３９】また、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００４０】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、 （１）レーザー発振のための共振器の作製が不要であ
り、構造が簡単な光半導体素子を得ることができる。 （２）ダイオードに電極をとるだけで、活性領域を任意
に形成することができる。
よれば、 （１）レーザー発振のための共振器の作製が不要であ
り、構造が簡単な光半導体素子を得ることができる。 （２）ダイオードに電極をとるだけで、活性領域を任意
に形成することができる。
【００４１】（３）室温で励起子−励起子散乱過程によ
りレーザー発振する。 （４）半導体レーザー素子のレーザー発振閾値を著しく
低減化することができる。
りレーザー発振する。 （４）半導体レーザー素子のレーザー発振閾値を著しく
低減化することができる。
【図１】本発明の実施例を示す膜厚２００ｎｍのＺｎＯ
ナノクリスタル薄膜の原子間力顕微鏡像を示す図であ
る。
ナノクリスタル薄膜の原子間力顕微鏡像を示す図であ
る。
【図２】本発明の実施例を示す膜厚２００ｎｍのＺｎＯ
薄膜におけるナノクリスタルサイズの分布状態を示す図
である。
薄膜におけるナノクリスタルサイズの分布状態を示す図
である。
【図３】本発明の実施例を示す膜厚とナノクリスタルサ
イズの関係を示す図である。
イズの関係を示す図である。
【図４】本発明の実施例を示す膜厚５０ｎｍのＺｎＯナ
ノクリスタル薄膜の原子間力顕微鏡像を示す図である。
ノクリスタル薄膜の原子間力顕微鏡像を示す図である。
【図５】本発明の実施例を示す膜厚５０ｎｍのＺｎＯ薄
膜におけるナノクリスタルサイズの分布を示す図であ
る。
膜におけるナノクリスタルサイズの分布を示す図であ
る。
【図６】本発明の実施例を示す膜厚５０ｎｍのＺｎＯ薄
膜の断面透過型電子顕微鏡像を示す図である。
膜の断面透過型電子顕微鏡像を示す図である。
【図７】本発明の実施例を示すＺｎＯ薄膜とサファイア
基板の界面模式図（ハイヤーオーダーエピタキシー）で
ある。
基板の界面模式図（ハイヤーオーダーエピタキシー）で
ある。
【図８】本発明の実施例を示すインコヒーレント粒界の
発生に関する説明図である。
発生に関する説明図である。
【図９】本発明の実施例を示す膜厚５０ｎｍのＺｎＯナ
ノクリスタル薄膜における発光スペクトルを示す図であ
る。
ノクリスタル薄膜における発光スペクトルを示す図であ
る。
【図１０】本発明の実施例を示す膜厚２００ｎｍのＺｎ
Ｏナノクリスタル薄膜における発光スペクトルを示す図
である。
Ｏナノクリスタル薄膜における発光スペクトルを示す図
である。
【図１１】本発明の実施例を示すＰ∞発光の縦モード偏
光スペクトルを示す図である。
光スペクトルを示す図である。
【図１２】本発明の実施例を示すモード間隔と励起長の
関係を示す図である。
関係を示す図である。
【図１３】本発明の実施例を示すＰ∞発振強度の角度依
存性を示す図である。
存性を示す図である。
【図１４】本発明の実施例を示す結晶温度とレーザー発
振閾値の関係を示す図である。
振閾値の関係を示す図である。
【図１５】ＧａＮとＺｎＯにおけるレーザー発振閾値の
推移を示す図である。
推移を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 33/00 Ｈ０１Ｌ 33/00 Ｄ
Claims (6)
- 【請求項１】 光半導体素子において、酸化亜鉛を添加
した薄膜を発光層とすることを特徴とする光半導体素
子。 - 【請求項２】 請求項１記載の光半導体素子において、
前記薄膜に存在する粒界を共振器となし、室温での励起
子によるレーザー発振を可能にしたことを特徴とする光
半導体素子。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の光半導体素子にお
いて、前記薄膜は、レーザー分子線エピタキシー法によ
る酸化亜鉛六角柱ナノクリスタル薄膜である光半導体素
子。 - 【請求項４】 請求項１記載の光半導体素子において、
前記発光層から発生した紫外光または青色光を励起光と
し、蛍光層を発光せしめるカラー表示が可能な光半導体
素子。 - 【請求項５】 光半導体素子の製造方法において、レー
ザー分子線エピタキシー法により、サファイヤｃ面基板
上に酸化亜鉛を添加した薄膜からなる発光層を形成する
ことを特徴とする光半導体素子の製造方法。 - 【請求項６】 光半導体素子の製造方法において、サフ
ァイヤｃ面基板上に酸化亜鉛を添加した薄膜を形成する
際、ナノクリスタルのサイズと密度を決定する核生成工
程と該核を成長させる工程に分離して薄膜を形成するこ
とを特徴とする光半導体素子の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6897897A JP2996928B2 (ja) | 1997-03-07 | 1997-03-07 | 光半導体素子及びその製造方法 |
| US09/032,025 US6057561A (en) | 1997-03-07 | 1998-02-27 | Optical semiconductor element |
| RU98104020/28A RU2169413C2 (ru) | 1997-03-07 | 1998-03-05 | Оптический полупроводниковый элемент и способ его изготовления, оптический полупроводниковый элемент на основе оксида элемента ii группы и способ его изготовления |
| EP98104010A EP0863555A3 (en) | 1997-03-07 | 1998-03-06 | Optical semiconductor element and fabricating method therefor |
| EP05006124A EP1555698A1 (en) | 1997-03-07 | 1998-03-06 | Optical semiconductor element and fabricating method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6897897A JP2996928B2 (ja) | 1997-03-07 | 1997-03-07 | 光半導体素子及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10256673A true JPH10256673A (ja) | 1998-09-25 |
| JP2996928B2 JP2996928B2 (ja) | 2000-01-11 |
Family
ID=13389278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6897897A Expired - Fee Related JP2996928B2 (ja) | 1997-03-07 | 1997-03-07 | 光半導体素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP2996928B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001008229A1 (fr) * | 1999-07-26 | 2001-02-01 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | ELEMENT ELECTROLUMINESCENT A SEMI-CONDUCTEUR A BASE D'UN COMPOSE ZnO |
| KR20010070677A (ko) * | 2001-04-14 | 2001-07-27 | 김영창 | 증착온도에 따른 단파장 산화아연 발광소자의 제조방법 |
| JP2003046189A (ja) * | 2001-08-02 | 2003-02-14 | Sony Corp | 半導体レーザー素子及びその製造方法 |
| US6590336B1 (en) | 1999-08-31 | 2003-07-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Light emitting device having a polar plane piezoelectric film and manufacture thereof |
| US6593596B1 (en) | 1998-09-25 | 2003-07-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and method for adjusting the luminous intensity thereof |
| US6878962B1 (en) | 1999-03-25 | 2005-04-12 | Japan Science And Technology Corp. | Semiconductor device |
| US7423512B1 (en) | 1997-10-31 | 2008-09-09 | Nanogram Corporation | Zinc oxide particles |
| JP2008297551A (ja) * | 2008-07-08 | 2008-12-11 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 紫外線発光体用酸化亜鉛ナノ微粒子及び該ナノ微粒子が分散した溶液 |
| JP2010263083A (ja) * | 2009-05-07 | 2010-11-18 | Murata Mfg Co Ltd | 光半導体素子 |
-
1997
- 1997-03-07 JP JP6897897A patent/JP2996928B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
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| US6987029B2 (en) | 1999-07-26 | 2006-01-17 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | ZnO based compound semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
| US7605012B2 (en) | 1999-07-26 | 2009-10-20 | National Institute of Advanced Industrial Science & Tech. | ZnO based compound semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
| EP1199755A1 (en) * | 1999-07-26 | 2002-04-24 | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology | ZnO COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND PRODUCTION METHOD THEREOF |
| US6674098B1 (en) | 1999-07-26 | 2004-01-06 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | ZnO compound semiconductor light emitting element |
| EP1199755A4 (en) * | 1999-07-26 | 2004-10-20 | Nat Inst Of Advanced Ind Scien | ZNO COMPOSITE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND ITS PRODUCTION METHOD |
| WO2001008229A1 (fr) * | 1999-07-26 | 2001-02-01 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | ELEMENT ELECTROLUMINESCENT A SEMI-CONDUCTEUR A BASE D'UN COMPOSE ZnO |
| EP1912298A1 (en) * | 1999-07-26 | 2008-04-16 | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology | ZnO based compound semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
| DE10042911B4 (de) * | 1999-08-31 | 2005-12-22 | Murata Mfg. Co., Ltd., Nagaokakyo | Lichtemittierende Vorrichtung mit einer lichtemittierenden Schicht mit einer polaren Ebene |
| US6590336B1 (en) | 1999-08-31 | 2003-07-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Light emitting device having a polar plane piezoelectric film and manufacture thereof |
| KR20010070677A (ko) * | 2001-04-14 | 2001-07-27 | 김영창 | 증착온도에 따른 단파장 산화아연 발광소자의 제조방법 |
| JP2003046189A (ja) * | 2001-08-02 | 2003-02-14 | Sony Corp | 半導体レーザー素子及びその製造方法 |
| JP2008297551A (ja) * | 2008-07-08 | 2008-12-11 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 紫外線発光体用酸化亜鉛ナノ微粒子及び該ナノ微粒子が分散した溶液 |
| JP2010263083A (ja) * | 2009-05-07 | 2010-11-18 | Murata Mfg Co Ltd | 光半導体素子 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2996928B2 (ja) | 2000-01-11 |
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