JPH10256210A - 半導体回路用洗浄剤及びそれを用いた半導体回路の製造方法 - Google Patents
半導体回路用洗浄剤及びそれを用いた半導体回路の製造方法Info
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- JPH10256210A JPH10256210A JP5772697A JP5772697A JPH10256210A JP H10256210 A JPH10256210 A JP H10256210A JP 5772697 A JP5772697 A JP 5772697A JP 5772697 A JP5772697 A JP 5772697A JP H10256210 A JPH10256210 A JP H10256210A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】無機質基体上に形成された金属素材層やフォト
レジストの側壁部に生成する堆積ポリマーを、金属素材
を腐食することなしに除去する半導体回路用洗浄剤及び
それを用いた超微細回路を有する半導体回路の製造方
法。 【解決手段】カルボン酸と水溶性有機溶剤と必要に応じ
さらに水とからなる半導体回路用洗浄組成物。
レジストの側壁部に生成する堆積ポリマーを、金属素材
を腐食することなしに除去する半導体回路用洗浄剤及び
それを用いた超微細回路を有する半導体回路の製造方
法。 【解決手段】カルボン酸と水溶性有機溶剤と必要に応じ
さらに水とからなる半導体回路用洗浄組成物。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各種液晶表示素子や半
導体素子等の電子回路装置を製造する際の半導体回路用
洗浄剤組成物であり、さらに、半導体回路用洗浄剤を用
いた半導体回路の製造方法に関する物である。
導体素子等の電子回路装置を製造する際の半導体回路用
洗浄剤組成物であり、さらに、半導体回路用洗浄剤を用
いた半導体回路の製造方法に関する物である。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体ウェハー上に形成される半
導体回路には、主にアルミニウムが使用され、近年、回
路の高集積化、微細化に伴い、エレクトロマイグレーシ
ョン、ストレスマイグレーション等が発生するため、ア
ルミニウムに微量のシリコン、銅等を添加したアルミニ
ウム合金（Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃ
ｕ）等を使用し、マイグレーションを抑制している。特
に近年では更なる回路の微細化に伴い、多様な金属素材
が用いられるようになってきている。一般的に使用され
ている半導体回路の製造工程は次の通りである。無機質
機体上に形成された金属素材層上にフォトレジストを塗
布し、フォトリソグラフにより微細なパターンを形成す
る。次いでこの半導体ウェハー全面にＵＶ光を照射して
レジスト膜を硬化させることにより、レジストパターン
の耐ドライエッチング性を向上させる。このレジストパ
ターンをマスクとして非マスク領域をドライエッチング
することにより微細回路を形成する。この際、ドライエ
ッチングガスとしてＣｌ2 、Ｃｌ2-ＢＣｌ3 等の塩素系
ガスや、ＣＦ4 、ＣＨ2 Ｆ2 、ＨＦ等のフッ素系ガスが
一般的に使用される。この時に形成された微細回路のパ
ターン側壁に、フォトレジストとドライエッチングガス
さらには被加工層金属素材との反応生成物であるフォト
レジスト残渣（以降、堆積ポリマーと表す）が生成す
る。従って堆積ポリマーの形成による異方性エッチング
で高度な選択的エッチングを行えることにより、微細な
加工を行うことが可能となったが、反面、この形成され
た堆積ポリマーが除去しにくいという問題が発生してき
た。さらに、ドライエッチング時に堆積ポリマーに取り
込まれたドライエッチングガスの成分であるハロゲン
が、エッチング終了後に大気中の水分と反応し、ハロゲ
ン化水素のような酸を発生して配線を形成する各種金属
成分を腐食し、断線等の問題を引き起こし多大な影響を
与えることが知られている。これらの腐食はアフターコ
ロージョンと呼ばれている（月刊 SEMICON NEWS 1988
年10月号 44項）。このアフターコロージョンの防止方
法として、ドライエッチング後にウェハーを加熱する方
法、あるいは多量の純水で洗浄する方法等があるがいず
れの方法も良好な結果は得られず、完全にアフターコロ
ージョンを回避することはできない（月刊 SEMICON NE
WS 同上）。従って、前記アフターコロージョンを回避
するには上記堆積ポリマーを完全に除去する必要があ
る。
導体回路には、主にアルミニウムが使用され、近年、回
路の高集積化、微細化に伴い、エレクトロマイグレーシ
ョン、ストレスマイグレーション等が発生するため、ア
ルミニウムに微量のシリコン、銅等を添加したアルミニ
ウム合金（Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃ
ｕ）等を使用し、マイグレーションを抑制している。特
に近年では更なる回路の微細化に伴い、多様な金属素材
が用いられるようになってきている。一般的に使用され
ている半導体回路の製造工程は次の通りである。無機質
機体上に形成された金属素材層上にフォトレジストを塗
布し、フォトリソグラフにより微細なパターンを形成す
る。次いでこの半導体ウェハー全面にＵＶ光を照射して
レジスト膜を硬化させることにより、レジストパターン
の耐ドライエッチング性を向上させる。このレジストパ
ターンをマスクとして非マスク領域をドライエッチング
することにより微細回路を形成する。この際、ドライエ
ッチングガスとしてＣｌ2 、Ｃｌ2-ＢＣｌ3 等の塩素系
ガスや、ＣＦ4 、ＣＨ2 Ｆ2 、ＨＦ等のフッ素系ガスが
一般的に使用される。この時に形成された微細回路のパ
ターン側壁に、フォトレジストとドライエッチングガス
さらには被加工層金属素材との反応生成物であるフォト
レジスト残渣（以降、堆積ポリマーと表す）が生成す
る。従って堆積ポリマーの形成による異方性エッチング
で高度な選択的エッチングを行えることにより、微細な
加工を行うことが可能となったが、反面、この形成され
た堆積ポリマーが除去しにくいという問題が発生してき
た。さらに、ドライエッチング時に堆積ポリマーに取り
込まれたドライエッチングガスの成分であるハロゲン
が、エッチング終了後に大気中の水分と反応し、ハロゲ
ン化水素のような酸を発生して配線を形成する各種金属
成分を腐食し、断線等の問題を引き起こし多大な影響を
与えることが知られている。これらの腐食はアフターコ
ロージョンと呼ばれている（月刊 SEMICON NEWS 1988
年10月号 44項）。このアフターコロージョンの防止方
法として、ドライエッチング後にウェハーを加熱する方
法、あるいは多量の純水で洗浄する方法等があるがいず
れの方法も良好な結果は得られず、完全にアフターコロ
ージョンを回避することはできない（月刊 SEMICON NE
WS 同上）。従って、前記アフターコロージョンを回避
するには上記堆積ポリマーを完全に除去する必要があ
る。
【０００３】上記堆積ポリマーを除去するために、酸性
有機溶剤レジスト洗浄液、あるいはアルカリ性有機溶剤
レジスト洗浄液等の洗浄液が使用されている。酸性有機
溶剤レジスト洗浄液としては、アルキルベンゼンスルホ
ン酸にフェノール化合物や塩素系溶剤、芳香族炭化水素
を添加した洗浄液が一般的に使用されているが、この洗
浄液を用いて100 ℃以上に加熱処理をしても堆積ポリマ
ーを完全に除去することはできない。また、これらの酸
性有機溶剤レジスト洗浄液は、水に対する溶解性が低い
ため、除去操作の後、水と相溶性の良いイソプロパノー
ルの如き有機溶剤で洗浄し、次いで水洗しなければなら
ず、工程が煩雑になる。一方、アルカリ性有機溶剤洗浄
液も上記の酸性洗浄液の場合と同様に100 ℃以上に加熱
しても堆積ポリマーを除去することがかなり困難であ
る。また、アルカリ性有機溶剤洗浄液は、水と混合する
と配線材料を著しく腐食するために、洗浄後は酸性有機
溶剤洗浄液と同様に水と相溶性の良いイソプロパノール
の如き有機溶剤で洗浄してから水洗しなければならな
い。このように酸性あるいはアルカリ性のいずれの洗浄
液を用いた場合でも、堆積ポリマーを完全に除去できな
いため、残存したハロゲンラジカルやイオンによるコロ
ージョンの発生は回避できない。
有機溶剤レジスト洗浄液、あるいはアルカリ性有機溶剤
レジスト洗浄液等の洗浄液が使用されている。酸性有機
溶剤レジスト洗浄液としては、アルキルベンゼンスルホ
ン酸にフェノール化合物や塩素系溶剤、芳香族炭化水素
を添加した洗浄液が一般的に使用されているが、この洗
浄液を用いて100 ℃以上に加熱処理をしても堆積ポリマ
ーを完全に除去することはできない。また、これらの酸
性有機溶剤レジスト洗浄液は、水に対する溶解性が低い
ため、除去操作の後、水と相溶性の良いイソプロパノー
ルの如き有機溶剤で洗浄し、次いで水洗しなければなら
ず、工程が煩雑になる。一方、アルカリ性有機溶剤洗浄
液も上記の酸性洗浄液の場合と同様に100 ℃以上に加熱
しても堆積ポリマーを除去することがかなり困難であ
る。また、アルカリ性有機溶剤洗浄液は、水と混合する
と配線材料を著しく腐食するために、洗浄後は酸性有機
溶剤洗浄液と同様に水と相溶性の良いイソプロパノール
の如き有機溶剤で洗浄してから水洗しなければならな
い。このように酸性あるいはアルカリ性のいずれの洗浄
液を用いた場合でも、堆積ポリマーを完全に除去できな
いため、残存したハロゲンラジカルやイオンによるコロ
ージョンの発生は回避できない。
【０００４】また、前記酸性有機溶剤洗浄液あるいはア
ルカリ性有機溶剤洗浄液を使用する洗浄方法とは別に、
ドライエッチング後、プラズマアッシングを行った後、
レジスト残渣をテトラメチルアンモニウムヒドロキシド
等の第四級アンモニウム水酸化物を含有する水溶液を使
用し、レジスト残渣を除去する方法がある（特開平4-48
633号）。しかしながらこの方法では、最近の超微細化
した半導体回路の堆積ポリマーを完全に除去することが
できない場合が増えている。従って、アフターコロージ
ョンを回避する目的で、堆積ポリマーを完全に除去可能
であり、更に配線を形成する各種金属素材を全く腐食し
ない半導体装置用洗浄剤による超微細回路パターンの形
成方法が要望されている。
ルカリ性有機溶剤洗浄液を使用する洗浄方法とは別に、
ドライエッチング後、プラズマアッシングを行った後、
レジスト残渣をテトラメチルアンモニウムヒドロキシド
等の第四級アンモニウム水酸化物を含有する水溶液を使
用し、レジスト残渣を除去する方法がある（特開平4-48
633号）。しかしながらこの方法では、最近の超微細化
した半導体回路の堆積ポリマーを完全に除去することが
できない場合が増えている。従って、アフターコロージ
ョンを回避する目的で、堆積ポリマーを完全に除去可能
であり、更に配線を形成する各種金属素材を全く腐食し
ない半導体装置用洗浄剤による超微細回路パターンの形
成方法が要望されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上の如く半導体回路
製造工程において、無機質機体上に形成された金属素材
層やフォトレジストの側壁部に生成する堆積ポリマーを
除去するために種々の方法が採られているが、アフター
コロージョンの発生等が課題であり、堆積ポリマーの除
去が容易で、しかもその際に微細パターンを形成する各
種金属素材を腐食しないような半導体回路洗浄剤が要望
されている。本発明者等は、上記のような従来技術の問
題点を解決し、ドライエッチング時に形成される堆積ポ
リマーを完全に除去することでアフターコロージョンを
回避でき、その際に超微細回路パターンを形成する各種
金属素材を全く腐食することのない半導体回路用洗浄
剤、及び超微細回路パターンを有する半導体回路の製造
方法を提供するものである。
製造工程において、無機質機体上に形成された金属素材
層やフォトレジストの側壁部に生成する堆積ポリマーを
除去するために種々の方法が採られているが、アフター
コロージョンの発生等が課題であり、堆積ポリマーの除
去が容易で、しかもその際に微細パターンを形成する各
種金属素材を腐食しないような半導体回路洗浄剤が要望
されている。本発明者等は、上記のような従来技術の問
題点を解決し、ドライエッチング時に形成される堆積ポ
リマーを完全に除去することでアフターコロージョンを
回避でき、その際に超微細回路パターンを形成する各種
金属素材を全く腐食することのない半導体回路用洗浄
剤、及び超微細回路パターンを有する半導体回路の製造
方法を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記従来
技術における種々の問題点を解決すべく鋭意検討を行
い、カルボン酸と水溶性有機溶剤、さらには必要に応じ
てカルボン酸と水溶性有機溶剤と水とを含有する新規半
導体回路用洗浄組成物がドライエッチング後のレジス
ト、ドライエッチング後のレジスト変成物及び堆積ポリ
マーを低温、短時間で完全に除去することができ、アフ
ターコロージョンの発生を回避し微細回路パターンを形
成できることを見出し本発明を成すに至った。
技術における種々の問題点を解決すべく鋭意検討を行
い、カルボン酸と水溶性有機溶剤、さらには必要に応じ
てカルボン酸と水溶性有機溶剤と水とを含有する新規半
導体回路用洗浄組成物がドライエッチング後のレジス
ト、ドライエッチング後のレジスト変成物及び堆積ポリ
マーを低温、短時間で完全に除去することができ、アフ
ターコロージョンの発生を回避し微細回路パターンを形
成できることを見出し本発明を成すに至った。
【０００７】
【発明実施の形態】本発明に用いられるカルボン酸は、
カルボキシル基を有する物質であればモノカルボン酸あ
るいはポリカルボン酸等のカルボン酸、さらにはオキシ
カルボン酸、アミノカルボン酸、ケトンカルボン酸、ア
ルデヒドカルボン酸等の置換カルボン酸も使用できる。
具体的には、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草
酸、ラウリル酸、パルミチン酸、ステアリン酸等の脂肪
族モノカルボン酸、蓚酸、マロン酸、琥珀酸、マレイン
酸、グルタル酸、アジピン酸、セバシン酸等の脂肪族ポ
リカルボン酸、安息香酸、トルイル酸等の芳香族モノカ
ルボン酸、フタル酸、トリメリット酸等の芳香族ポリカ
ルボン酸、グリコール酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸
等のオキシカルボン酸、ピルビン酸、レブリン酸等のケ
トンカルボン酸、グリオキシル酸等のアルデヒドカルボ
ン酸、グリシン、アラニン等のアミノ酸等が挙げられ
る。これらの酸のうち好ましくは、脂肪族ポリカルボン
酸とオキシカルボン酸であり、最も好ましくは脂肪族ポ
リカルボン酸である。またこれらの酸の２種またはそれ
以上の種類を組み合わせて使用することもでき、時には
好適である。上記カルボン酸は全容液中1 〜80重量％で
用いられる。該化合物濃度が該濃度範囲よりも低い場合
にはレジスト及び堆積ポリマーを除去できず該濃度範囲
より高い場合には金属配線素材への腐食が抑えきれなく
なる。
カルボキシル基を有する物質であればモノカルボン酸あ
るいはポリカルボン酸等のカルボン酸、さらにはオキシ
カルボン酸、アミノカルボン酸、ケトンカルボン酸、ア
ルデヒドカルボン酸等の置換カルボン酸も使用できる。
具体的には、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草
酸、ラウリル酸、パルミチン酸、ステアリン酸等の脂肪
族モノカルボン酸、蓚酸、マロン酸、琥珀酸、マレイン
酸、グルタル酸、アジピン酸、セバシン酸等の脂肪族ポ
リカルボン酸、安息香酸、トルイル酸等の芳香族モノカ
ルボン酸、フタル酸、トリメリット酸等の芳香族ポリカ
ルボン酸、グリコール酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸
等のオキシカルボン酸、ピルビン酸、レブリン酸等のケ
トンカルボン酸、グリオキシル酸等のアルデヒドカルボ
ン酸、グリシン、アラニン等のアミノ酸等が挙げられ
る。これらの酸のうち好ましくは、脂肪族ポリカルボン
酸とオキシカルボン酸であり、最も好ましくは脂肪族ポ
リカルボン酸である。またこれらの酸の２種またはそれ
以上の種類を組み合わせて使用することもでき、時には
好適である。上記カルボン酸は全容液中1 〜80重量％で
用いられる。該化合物濃度が該濃度範囲よりも低い場合
にはレジスト及び堆積ポリマーを除去できず該濃度範囲
より高い場合には金属配線素材への腐食が抑えきれなく
なる。
【０００８】本発明に用いられる有機溶剤としては、メ
タノール、エタノール、イソプロパノール、エチレング
リコール、グリセリン等のアルコール類、アセトン、メ
チルエチルケトン、メチルイソプロピルケトン等のケト
ン類、γ- ブチロラクトン等のラクトン類、乳酸メチ
ル、乳酸エチル等のエステル類、ホルムアミド、Ｎ- メ
チルホルムアミド、Ｎ，Ｎ- ジメチルホルムアミド、
Ｎ，Ｎ- ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ- ジエチルホル
ムアミド、Ｎ，Ｎ- ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチル
ピロリドン等の酸アミド類、アセトニトリル等のニトリ
ル類、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレ
ングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコー
ル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチ
レングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリ
コールモノメチルエテル、ジエチレングリコールジメチ
ルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテ
ル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル等のエー
テル類、スルホラン等のスルホン類、ジメチルスルホキ
シド等のスルホキシド類等が挙げられる。これらの中
で、Ｎ，Ｎ- ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ- ジメチル
アセトアミド、Ｎ−メチルピロリドンなどの酸アミド
類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類が特に
好適に使用される。これら水溶性有機溶剤は１種類若し
くはそれ以上の混合物として用いられ、その総量として
20〜95重量％、好ましくは30〜80重量％の濃度範囲で使
用される。水溶性有機溶剤の濃度が該範囲濃度外の場合
には、洗浄効果が低くレジスト及び堆積ポリマーの除去
が不完全となる。
タノール、エタノール、イソプロパノール、エチレング
リコール、グリセリン等のアルコール類、アセトン、メ
チルエチルケトン、メチルイソプロピルケトン等のケト
ン類、γ- ブチロラクトン等のラクトン類、乳酸メチ
ル、乳酸エチル等のエステル類、ホルムアミド、Ｎ- メ
チルホルムアミド、Ｎ，Ｎ- ジメチルホルムアミド、
Ｎ，Ｎ- ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ- ジエチルホル
ムアミド、Ｎ，Ｎ- ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチル
ピロリドン等の酸アミド類、アセトニトリル等のニトリ
ル類、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレ
ングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコー
ル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチ
レングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリ
コールモノメチルエテル、ジエチレングリコールジメチ
ルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテ
ル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル等のエー
テル類、スルホラン等のスルホン類、ジメチルスルホキ
シド等のスルホキシド類等が挙げられる。これらの中
で、Ｎ，Ｎ- ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ- ジメチル
アセトアミド、Ｎ−メチルピロリドンなどの酸アミド
類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類が特に
好適に使用される。これら水溶性有機溶剤は１種類若し
くはそれ以上の混合物として用いられ、その総量として
20〜95重量％、好ましくは30〜80重量％の濃度範囲で使
用される。水溶性有機溶剤の濃度が該範囲濃度外の場合
には、洗浄効果が低くレジスト及び堆積ポリマーの除去
が不完全となる。
【０００９】本発明に用いられる水の濃度は制限が無
く、カルボン酸、水溶液有機溶剤の濃度を勘案して添加
される。本発明の半導体回路用洗浄剤は、無機質基体を
ドライエッチング後、またはドライエッチング後の酸素
プラズマによる灰化処理後に被加工層上に残存するレジ
スト、レジスト変成物、堆積ポリマーを除去するために
使用される。本発明の半導体回路用洗浄剤を使用して堆
積ポリマーを除去する際、通常は常温で充分であるが、
必要に応じて適時加熱することは差し支えない。さら
に、本発明に使用するリンス液は、イソプロパノール等
のアルコール溶媒あるいはその他の有機溶媒を使用して
も何等問題はないが、敢えてこれらの有機溶媒を使用す
る必要はなく、超純水のみでリンスを行うことが可能で
ある。本発明の半導体集積回路または液晶表示装置の製
造において使用される無機質基体としては、シリコン、
ポリシリコン、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、アル
ミニウム、アルミニウム合金、チタン、チタン−タング
ステン、窒化チタン、タングステン、ガリウム−ヒ素、
ガリウム−リン、タンタル、ＩＴＯ（IndiumTin Oxide
）等が挙げられる。
く、カルボン酸、水溶液有機溶剤の濃度を勘案して添加
される。本発明の半導体回路用洗浄剤は、無機質基体を
ドライエッチング後、またはドライエッチング後の酸素
プラズマによる灰化処理後に被加工層上に残存するレジ
スト、レジスト変成物、堆積ポリマーを除去するために
使用される。本発明の半導体回路用洗浄剤を使用して堆
積ポリマーを除去する際、通常は常温で充分であるが、
必要に応じて適時加熱することは差し支えない。さら
に、本発明に使用するリンス液は、イソプロパノール等
のアルコール溶媒あるいはその他の有機溶媒を使用して
も何等問題はないが、敢えてこれらの有機溶媒を使用す
る必要はなく、超純水のみでリンスを行うことが可能で
ある。本発明の半導体集積回路または液晶表示装置の製
造において使用される無機質基体としては、シリコン、
ポリシリコン、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、アル
ミニウム、アルミニウム合金、チタン、チタン−タング
ステン、窒化チタン、タングステン、ガリウム−ヒ素、
ガリウム−リン、タンタル、ＩＴＯ（IndiumTin Oxide
）等が挙げられる。
【００１０】
【実施例】次に実施例により本発明を具体的に説明す
る。但し本発明はこれらの実施例により制限されるもの
ではない。
る。但し本発明はこれらの実施例により制限されるもの
ではない。
【００１１】実施例１〜４８ 図−１に、レジスト膜をマスクとしてドライエッチング
を行い、ＩＴＯ（インジウムースズ酸化物）配線体を形
成し、さらに酸素プラズマにより灰化処理を行った後の
半導体回路の一部分の断面図を示した。半導体回路基板
は、酸化膜（１）上に配線金属であるＩＴＯ（２）が形
成され、ＩＴＯ（２）上に、堆積ポリマー（３）が残存
している。表１に示す組成の半導体回路洗浄剤に、表１
に示す処理条件で浸積した後、超純水でリンスを行い、
乾燥後、電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察を行った。ＩＴＯ
（２）上の堆積ポリマーの剥離性のＳＥＭ観察による評
価を行った結果を表−１に示した。ＳＥＭ観察による判
断基準は次の通りである。
を行い、ＩＴＯ（インジウムースズ酸化物）配線体を形
成し、さらに酸素プラズマにより灰化処理を行った後の
半導体回路の一部分の断面図を示した。半導体回路基板
は、酸化膜（１）上に配線金属であるＩＴＯ（２）が形
成され、ＩＴＯ（２）上に、堆積ポリマー（３）が残存
している。表１に示す組成の半導体回路洗浄剤に、表１
に示す処理条件で浸積した後、超純水でリンスを行い、
乾燥後、電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察を行った。ＩＴＯ
（２）上の堆積ポリマーの剥離性のＳＥＭ観察による評
価を行った結果を表−１に示した。ＳＥＭ観察による判
断基準は次の通りである。
【００１２】
【表１】
【００１３】比較例１〜２０ 実施例と同様の方法で剥離性能を評価し、結果を表２に
示した。
示した。
【００１４】
【表２】
【００１５】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の半導体回路
洗浄剤は、ドライエッチングの際に形成したレジストの
堆積ポリマーに対する剥離性と配線金属に対する非腐食
性を高めることができるものであり、またアフターコロ
ージョン防止性と作業の簡便性等を備えた極めて優れた
特性を有するものである。
洗浄剤は、ドライエッチングの際に形成したレジストの
堆積ポリマーに対する剥離性と配線金属に対する非腐食
性を高めることができるものであり、またアフターコロ
ージョン防止性と作業の簡便性等を備えた極めて優れた
特性を有するものである。
【図１】実施例で作製した半導体回路の断面図である。
１；酸化膜 ２；ＩＴＯ（インジウムースズ酸化物） ３；堆積ポリマー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 青山 哲男 新潟県新潟市太夫浜新割182番地 三菱瓦 斯化学株式会社新潟研究所内
Claims (5)
- 【請求項１】 カルボン酸と水溶性有機溶剤とからなる
ことを特徴とする半導体回路用洗浄剤。 - 【請求項２】 カルボン酸、水溶性有機溶剤と水とから
なることを特徴とする半導体回路用洗浄剤。 - 【請求項３】 カルボン酸が脂肪族カルボン酸である請
求項１または２記載の半導体回路用洗浄剤。 - 【請求項４】 水溶性有機溶剤がスルホキシドまたは酸
アミドである請求項１または２記載の半導体回路用洗浄
剤。 - 【請求項５】 半導体回路の製造工程において、ドライ
エッチングの後、またはドライエッチングの後に灰化処
理を行った後に、請求項１または２記載の半導体回路用
洗浄剤を用いて洗浄することを特徴とする半導体回路の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05772697A JP4006548B2 (ja) | 1997-03-12 | 1997-03-12 | 半導体回路用洗浄剤及びそれを用いた半導体回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05772697A JP4006548B2 (ja) | 1997-03-12 | 1997-03-12 | 半導体回路用洗浄剤及びそれを用いた半導体回路の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10256210A true JPH10256210A (ja) | 1998-09-25 |
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