JPH10255471A - Semiconductor memory - Google Patents

Semiconductor memory

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Publication number
JPH10255471A
JPH10255471A JP9053432A JP5343297A JPH10255471A JP H10255471 A JPH10255471 A JP H10255471A JP 9053432 A JP9053432 A JP 9053432A JP 5343297 A JP5343297 A JP 5343297A JP H10255471 A JPH10255471 A JP H10255471A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
read
semiconductor memory
data
circuit
write
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP9053432A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takahiko Nakajima
孝彦 中嶋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPH10255471A publication Critical patent/JPH10255471A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To unnecessitate time division of control to a semiconductor memory and to obtain a system simplified and making good use of operation performance of the semiconductor memory, by enabling read-operation and write- operation from a different system to be carried out asynchronously during read-operation of the semiconductor memory. SOLUTION: Read-operation and write-operation from a device such as a CPU and the like in a system are performed with non-asynchronism during read-operation. A memory cell storing data by a read/write address input circuit 2 is selected, a read/write control circuit 4 reads out data from a memory cell for a data input/output circuit 3 at the time of read-operation, and writes data in the memory cell at the time of write-operation. Also, a read-control circuit 7 reads out data from a memory cell selected by a read-address input circuit 5, and sends out it to a data output circuit 6.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、リード動作専用の
アドレス入力回路及びデータ出力回路を有する半導体メ
モリー装置に関する。
The present invention relates to a semiconductor memory device having an address input circuit and a data output circuit dedicated to a read operation.

【0002】[0002]

【従来の技術】通常、SRAMなどの半導体メモリー装
置は、基本的にリード及びライト動作用のアドレス入力
回路を1組か、リードとライトそれぞれ専用のアドレス
入力回路を各々1組しか持っていない。そのため、半導
体メモリー装置のリード動作中にシステム上の別系統か
らのリード動作またはライト動作を行おうとした場合、
その複数の系統からの半導体メモリー装置への制御動作
を時分割する必要があるため、時分割のための回路が必
要となり、システムの複雑化や規模の増大を招き、また
時分割することで、その半導体メモリー装置の持つ動作
速度を最大限に活かすことが困難であった。
2. Description of the Related Art Normally, a semiconductor memory device such as an SRAM basically has only one set of address input circuits for read and write operations or one set of address input circuits dedicated to read and write operations. Therefore, if a read operation or a write operation from another system on the system is attempted during the read operation of the semiconductor memory device,
Since it is necessary to time-divide the control operations from the plurality of systems to the semiconductor memory device, a circuit for time-sharing is required, and the system becomes complicated and the scale is increased. It has been difficult to make the most of the operation speed of the semiconductor memory device.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、半導
体メモリー装置のリード動作中に、システム上別系統か
らのリード及びライト動作が非同期に行えるようにする
ことで、半導体メモリー装置に対する制御の時分割を不
要とし、システムの簡素化と半導体メモリー装置のもつ
動作性能を活かしたシステムを実現することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to make it possible to asynchronously perform read and write operations from another system on a system during a read operation of a semiconductor memory device, thereby controlling the control of the semiconductor memory device. An object of the present invention is to realize a system that does not require time division, simplifies the system, and utilizes the operation performance of a semiconductor memory device.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】上記目的は、リード動作
専用のアドレス入力回路とデータ出力回路を設けること
によって達成できる。
The above object can be achieved by providing an address input circuit and a data output circuit dedicated to a read operation.

【0005】[0005]

【作用】本発明の上記構成によれば、半導体メモリー装
置にリード動作のアドレス入力回路とデータ出力回路を
設ける事によって、半導体メモリー装置のリード動作中
に、システム上の別系統からのリード及びライト動作が
非同期に行うことができるようになる。
According to the above construction of the present invention, by providing an address input circuit and a data output circuit for a read operation in a semiconductor memory device, reading and writing from another system in the system during a read operation of the semiconductor memory device. The operation can be performed asynchronously.

【0006】[0006]

【発明の実施の形態】以下、本発明について実施例にも
とづいて、図面を参照して詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail based on embodiments with reference to the drawings.

【0007】図1は、半導体メモリー装置を示す構成図
である。1は半導体メモリー装置を構成するメモリーセ
ルである。リード/ライトアドレス入力回路2によりデ
ータを格納するメモリーセルを選択し、リード/ライト
制御回路4がリード動作時はデータ入出力回路3に対し
メモリーセルからデータを読みだし、またライト動作時
はデータをメモリーセルに書き込む。
FIG. 1 is a configuration diagram showing a semiconductor memory device. Reference numeral 1 denotes a memory cell constituting a semiconductor memory device. A memory cell for storing data is selected by the read / write address input circuit 2, and the read / write control circuit 4 reads data from the memory cell to the data input / output circuit 3 during a read operation, and reads data from the memory cell during a write operation. Is written to the memory cell.

【0008】また、リードアドレス入力回路5により選
択されたメモリーセルからリード制御回路7はデータを
読みだし、データ出力回路6に送出する。
The read control circuit 7 reads data from the memory cell selected by the read address input circuit 5 and sends the data to the data output circuit 6.

【0009】図2は、本発明の一実施例として半導体メ
モリー装置を表示装置の制御システムに用いた場合の構
成図である。この表示装置の制御システムは、半導体メ
モリー装置12に格納された表示データを表示制御回路
11が周期的にリードし表示装置にデータを送出する。
また、この表示装置の制御システムに対し外部のCPU
13は、表示制御回路11が半導体メモリー装置12か
らデータをリードするタイミングとは関係なく、非同期
に入出力バッファ回路8と入出力制御回路9及び、デー
タレジスタ10を通して、半導体メモリー装置にデータ
のリード及びライトすることができる。そのため、この
半導体メモリー装置は2つ系統からの別別の制御を時分
割するための回路を設ける必要がなくなるため、システ
ムの簡略化を図ることがでる。
FIG. 2 is a block diagram showing a case where a semiconductor memory device is used in a control system of a display device as an embodiment of the present invention. In this display device control system, the display control circuit 11 periodically reads display data stored in the semiconductor memory device 12 and sends the data to the display device.
Also, an external CPU is required for the control system of the display device.
Reference numeral 13 denotes data read to the semiconductor memory device through the input / output buffer circuit 8, the input / output control circuit 9, and the data register 10 asynchronously regardless of the timing at which the display control circuit 11 reads data from the semiconductor memory device 12. And can be lighted. Therefore, in this semiconductor memory device, there is no need to provide a circuit for time-sharing another control from the two systems, so that the system can be simplified.

【0010】また、メモリー装置に対する制御を時分割
する従来の方法に比較して、半導体メモリー装置の持つ
動作性能をより効率的に活用することができるため、表
示装置に対し時間あたりに送出するデータ量を多くでき
る効果も有する。
In addition, since the operation performance of the semiconductor memory device can be more efficiently utilized as compared with the conventional method of time-sharing the control of the memory device, data transmitted to the display device per time can be utilized. It also has the effect of increasing the amount.

【0011】尚、ここに挙げた実施例はあくまでも一実
施例に過ぎず、メモリー装置に対し複数の制御が必要と
されるシステム全般に適用が可能であることは言うまで
もない。
It should be noted that the embodiment described here is merely an example, and it is needless to say that the embodiment can be applied to all systems that require a plurality of controls for the memory device.

【0012】[0012]

【発明の効果】以上に説明したように本発明は、リード
動作専用のアドレス入力回路とデータ出力専用回路を有
する構成により、この半導体メモリー装置がリード動作
中に、システム上のCPUなどのデバイスからのリード
及びライト動作が非同期に行うことができる。従来の半
導体メモリー装置に比較して、同時に複数の系統からの
リード動作を時分割することなく行うことができるた
め、半導体メモリー装置の動作性能を活かしたシステム
設計が可能となる。また、時分割のための回路が不要と
なり、システムの簡素化を図ることが可能となり、コス
ト面で有利となる。
As described above, according to the present invention, the semiconductor memory device is provided with a dedicated address input circuit and a dedicated data output circuit for a read operation. Read and write operations can be performed asynchronously. Compared with the conventional semiconductor memory device, read operations from a plurality of systems can be performed simultaneously without time division, so that a system design utilizing the operation performance of the semiconductor memory device can be realized. Further, a circuit for time division is not required, and the system can be simplified, which is advantageous in terms of cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例で半導体メモリー装置の構成図
である。
FIG. 1 is a configuration diagram of a semiconductor memory device according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明を表示装置の制御システムに用いた場合
の構成図である。
FIG. 2 is a configuration diagram when the present invention is used in a display device control system.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・メモリーセル 2・・・リード/ライトアドレス入力回路 3・・・データ入出力回路 4・・・リード/ライト制御回路 5・・・リードアドレス入力回路 6・・・データ出力回路 7・・・リード制御回路 8・・・入出力バッファ回路 9・・・入出力制御回路 10・・・データレジスタ回路 11・・・表示制御回路 12・・・半導体メモリー装置 13・・・CPU DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Memory cell 2 ... Read / write address input circuit 3 ... Data input / output circuit 4 ... Read / write control circuit 5 ... Read address input circuit 6 ... Data output circuit 7 ..Read control circuit 8 ... I / O buffer circuit 9 ... I / O control circuit 10 ... Data register circuit 11 ... Display control circuit 12 ... Semiconductor memory device 13 ... CPU

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】半導体メモリー装置において、従来のデー
タのライト動作及び、リード動作のためのアドレス入力
回路に加え、データのリード専用アドレス回路とデータ
出力回路を設ける事により、半導体メモリー装置のリー
ド動作中にCPUなどのシステム上の他のデバイスから
のリード動作及びライト動作を非同期に受け付けること
が可能になることによって、高速動作を実現することを
可能とした事を特徴とする半導体メモリー装置。
In a semiconductor memory device, a read-only address circuit and a data output circuit for data are provided in addition to a conventional address input circuit for a data write operation and a conventional data read operation. A semiconductor memory device wherein a high-speed operation can be realized by being able to asynchronously receive a read operation and a write operation from another device on a system such as a CPU.
JP9053432A 1997-03-07 1997-03-07 Semiconductor memory Withdrawn JPH10255471A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9053432A JPH10255471A (en) 1997-03-07 1997-03-07 Semiconductor memory

Applications Claiming Priority (1)

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JP9053432A JPH10255471A (en) 1997-03-07 1997-03-07 Semiconductor memory

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Publication Number Publication Date
JPH10255471A true JPH10255471A (en) 1998-09-25

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ID=12942693

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JP9053432A Withdrawn JPH10255471A (en) 1997-03-07 1997-03-07 Semiconductor memory

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Effective date: 20040511