JPH10249715A - 研磨装置 - Google Patents

研磨装置

Info

Publication number
JPH10249715A
JPH10249715A JP6745397A JP6745397A JPH10249715A JP H10249715 A JPH10249715 A JP H10249715A JP 6745397 A JP6745397 A JP 6745397A JP 6745397 A JP6745397 A JP 6745397A JP H10249715 A JPH10249715 A JP H10249715A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
surface plate
polishing
holder
wafer
link
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6745397A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomohisa Ishida
知久 石田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP6745397A priority Critical patent/JPH10249715A/ja
Publication of JPH10249715A publication Critical patent/JPH10249715A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】 装置の大型化、高価格化を抑えると共に、研
磨対象物の研磨面の研磨量の均一性を向上させて歩留ま
りを上げる研磨装置を提供する。 【解決手段】 定盤13上に「研磨部材」としての研磨
パッド14が設けられる一方、「研磨対象物」としての
ウエハ16がホルダー15に保持され、前記研磨パッド
14とウエハ16とを接触させて相対移動させると共
に、該両者の間に研磨剤を介在させて前記ウエハ16の
研磨を行う研磨装置11において、前記定盤13を平面
内で往復直線運動させる定盤駆動系を設けた。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、ウエハ等の研磨
対象物を研磨する研磨装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体製造において微細加工の線幅が細
くなるに従って、光リソグラフィの光源波長は短くな
り、開口数いわゆるNAも大きくなってきている。ま
た、半導体製造プロセスも工程が増加し、複雑となって
きており、半導体デバイスの表面形状は必ずしも平坦で
はなくなってきている。
【0003】表面における段差の存在は配線の段切れ、
局所的な抵抗値の増大などを招き、断線や電流容量の低
下等をもたらし、絶縁膜では耐圧劣化やリークの発生に
もつながる。また、こうした段差の存在は半導体露光装
置の焦点深度が実質的に浅くなってきていることを示し
ている。言い換えると、歩留まりと信頼性の向上、更に
高解像度化のための焦点深度のマージンの増加のために
半導体デバイス表面の平坦化が必要になってきた。
【0004】そこで、図6に示すような、研磨装置が提
案されている。これは、化学的機械的研磨(Chemical M
echanical Polishing又はChemical Mechanical Planari
zation)(以下「CMP」と称す。)技術を用いたもの
であり、この技術は、シリコンウエハの鏡面研磨法を基
に発展してきたものである。すなわち、回転駆動する定
盤1上に研磨パッド2が貼り付けられる一方、ホルダー
3に「研磨対象物」としてのウエハ4が保持され、この
ウエハ4が研磨パッド2上に接触されている。この状態
で、定盤1を回転駆動すると共に、ホルダー3に上方か
ら荷重をかけながら回転させると同時に横方向に平行移
動させる。かかる動作と共に、研磨剤吐出ノズル5から
研磨剤6を研磨パッド2上に吐出させて、この研磨剤6
を研磨面に供給して、ホルダー3に保持されたウエハ4
を平坦に研磨するようにしている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の回転定盤式の研磨装置では、ホルダー3に取
り付けられたウエハ4を剛性の高い定盤1に押し当てて
研磨するため、研磨均一性は比較的良好である反面、研
磨パッド2とウエハ4との相対速度は主にウエハ4から
定盤1の中心までの距離と回転角速度で決まるため、高
い均一性で研磨速度を上げてスループットを向上させる
ためには定盤1の半径はウエハ4の直径と同程度以上の
大きさが必要であった。ウエハ4のサイズに関しては、
大口径化の傾向が続き、2000年には12インチウエ
ハ(直径300mm)が量産に採用されるという予測が
ある。このような状況の下、研磨速度・スループットを
確保するためには定盤1もウエハサイズの大口径化に合
わせ、大型化する必要があり、平坦化研磨装置の大型
化、ひいては高価格化を招くという問題点がある。
【0006】この問題を解決する方策として、回転定盤
1を使用しない研磨方法がある。すなわち、図7に示す
ように、定盤1の代わりに研磨布が貼られたベルト8を
回転させ、このベルト8にホルダー3を押し当てて平坦
化研磨を行う。このベルト8は、矢印に示すように、一
方向のみ動くので、この研磨方式をリニア方式と呼ぶ。
このリニア式平坦化研磨装置では、ベルト8とウエハ4
の相対速度はベルト8を駆動する2つのドラム9の回転
速度で制御できるため、ベルト8の幅をウエハ4サイズ
よりやや広くすれば良く、ウエハ4サイズが大きくなっ
ても回転定盤式のように装置を大型化する必要はない。
【0007】しかしながら、このリニア式平坦化研磨装
置では、図7のように研磨布が貼られたベルト8が2つ
のドラム9に巻かれており、そのドラム9の中間の位置
にウエハ4が押し当てられて研磨されるため、回転定盤
方式に比べ、ベルト8とウエハ4との接触圧力が均一と
なる条件の範囲が狭く、結果として研磨均一性が劣り歩
留まりが悪い、という問題点があった。
【0008】そこで、この発明は、装置の大型化、高価
格化を抑えると共に、研磨対象物の研磨面の研磨量の均
一性を向上させて歩留まりを上げる研磨装置を提供する
ことを課題としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】かかる課題を達成するた
めに、請求項1に記載の発明は、定盤上に研磨部材が設
けられる一方、研磨対象物がホルダーに保持され、前記
研磨部材と研磨対象物とを接触させて相対移動させると
共に、該両者の間に研磨剤を介在させて前記研磨対象物
の研磨を行う研磨装置において、前記定盤を平面内で往
復直線運動させる定盤駆動系を設けた研磨装置としたこ
とを特徴としている。
【0010】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載
の構成に加え、前記定盤駆動系は、前記定盤を周期的に
移動させるように設定されたことを特徴とする。
【0011】請求項3に記載の発明は、請求項1又は2
に記載の構成に加え、前記ホルダーを平面内で、且つ、
前記定盤の移動方向と異なる方向に往復直線運動をさせ
るホルダー駆動系を設けたことを特徴とする。
【0012】請求項4に記載の発明は、請求項3に記載
の構成に加え、前記ホルダー駆動系は、前記ホルダーを
回転させるように設定されたことを特徴とする。
【0013】請求項5に記載の発明は、請求項3又は4
に記載の構成に加え、前記ホルダー駆動系と前記定盤駆
動系とは、それぞれ前記ホルダーと定盤とを同期させて
往復直線運動させるように設定されたことを特徴とす
る。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて説明する。
【0015】[発明の実施の形態1]図1、2には、こ
の発明の実施の形態1を示す。
【0016】まず構成について説明すると、図1中符号
11は、化学的機械的研磨(CMP)技術を用いた研磨
装置で、この研磨装置11は、ベース部材12上に往復
直線運動可能に定盤13が配設され、この定盤13上に
研磨パッド14が設けられる一方、ホルダー15に「研
磨対象物」であるウエハ16が保持されるようになって
いる。
【0017】そのホルダー15は、ホルダー駆動装置1
7に支持されて、このホルダー駆動装置17にて中心軸
を中心に回転駆動されると同時に、ウエハ16の全面を
研磨パッド14に所定の圧力で均一に接触させるように
設定されている。
【0018】一方、前記ベース部材12には、図中左右
方向に沿うレール溝12aが形成され、このレール溝1
2aに、定盤13から下方に突出されたガイド部13a
がスライド自在に挿入されている。
【0019】この定盤13は、例えばセラミックスのよ
うに剛性及び耐薬品性の高い材質のもので形成され、図
2に示すように、上方から見ると、長方形状を呈してい
る。この長方形状の幅Bは、ウエハ16の径Dより長く
形成され、長さLは、ウエハ16の径Dに定盤13の振
幅Loを加えた長さ以上に形成されている。
【0020】そして、そのガイド部13aに第1リンク
18の一端部が回転自在に接続され、この第1リンク1
8の他端部に第2リンク19の先端部が回転自在に接続
され、この第2リンク19がモータ20にて回転される
ことにより、定盤13がレール溝12aに案内されて、
平面上を図中左右方向に往復直線運動されるようになっ
ている。このモータ20は、制御装置21からの命令に
より駆動されるようになっている。これら第1,第2リ
ンク18,19やモータ20等で定盤13を平面内で往
復直線運動させる「定盤駆動系」が構成されている。
【0021】さらに、研磨パッド14上には、研磨剤を
吐出させる研磨剤供給装置22が設けられている。
【0022】次に、作用について説明する。
【0023】まず、ホルダー15に保持されたウエハ1
6を、研磨パッド14に接触させる。この状態で、ホル
ダー15に上方から荷重をかけながら、このホルダー1
5をホルダー駆動装置17により回転させる。一方、制
御装置21からの信号により、モータ20を駆動させ
て、第2リンク19を回転させることにより、第1リン
ク18を介して定盤13を任意の振幅Lo,角速度ω
o,位相φで往復直線運動させる。かかる動作と共に、
研磨剤供給装置22から研磨剤を研磨パッド14上に吐
出させることにより、ウエハ16の研磨層が研磨され
る。
【0024】このように定盤13を往復直線運動させる
ことにより、従来の図6に示すように定盤1を回転させ
るものと比較すると、定盤13の大きさを小さくでき
る。すなわち、高い均一性で研磨速度を上げてスループ
ットを向上させるためには、従来の回転式の定盤1で
は、定盤1とウエハ4との相対速度を確保すべく、この
定盤1の半径はウエハ4の直径と同程度以上の大きさが
必要であった。これに対して、この実施の形態1では、
定盤13を往復直線運動させることにより、定盤13の
速度はどの位置でも同じであることから、定盤13の大
きさを従来のように大きくすることなく、幅Bは最低
限、ウエハ16の径Dと略等しく、長さLは最低限、ウ
エハ16の径Dに振幅Loを加算した長さであれば良
い。してみれば、この振幅Loはウエハ16の径Dより
小さくできることから、従来の回転式の定盤1より、こ
の実施の形態1の定盤13の方が小型化でき、ひいて
は、研磨装置11自体の小型化にもつながる。
【0025】このように定盤13を小型化できるため、
従来よりも、ウエハ16との相対速度Voを速くするこ
とができる。つまり、従来のように定盤1が大きいと重
量が重くなり、相対速度Voを速くするためには、定盤
1の運動エネルギーが大きくなってしまうことから、こ
れに耐え得るだけの構造が必要となり、装置の重量増加
やコスト高等を招くので、それ程、定盤1の角速度ωo
を大きくできず、相対速度Voを大きくできない。これ
に対して、この実施の形態の定盤13は、上記のように
小型化できるため、重量も軽くなることから、運動エネ
ルギーを従来と同じにすると、従来よりも相対速度Vo
を大きくできる。
【0026】また、図7に示す従来例では、ドラム9を
用いているのに対し、この発明の実施の形態では、かか
るドラム9は不要であることから、研磨装置11の小型
化を図ることができる。
【0027】さらに、従来の循環式のベルト8を用いた
ものでは、ドラム9に巻回するのに柔軟性を持たせる必
要があるのに対し、この発明のように定盤13を往復直
線運動させることにより、ドラム9に巻回するため曲げ
る必要がないことから、定盤13に剛体を使用すること
ができる。従って、ウエハ16の全面の、研磨パッド1
4への接触圧力が均一となり、結果として研磨均一性が
向上し、歩留まりが向上することとなる。
【0028】[発明の実施の形態2]図3乃至図5に
は、この発明の実施の形態2を示す。
【0029】この実施の形態2は、ウエハ16を保持す
るホルダー24が、定盤13移動方向と直交する方向に
往復直線運動する点で実施の形態1と相違している。
【0030】すなわち、支柱25の上部から水平方向に
向けて支持部材26が突設され、図4に示すように、こ
の支持部材26に鳩尾形状のレール溝26aが形成さ
れ、このレール溝26aに、ホルダー24の上端部に設
けられたガイド部24aが往復直線運動方向にスライド
自在に嵌合されている。このガイド部24aには、第1
リンク29の一端部が回動自在に連結されると共に、こ
の第1リンク29の他端部が第2リンク30の先端部に
回動自在に連結され、この第2リンク30の基端部がモ
ータ31に連結されている。
【0031】このモータ31を駆動させることにより、
第2リンク30が回転されて、第1リンク29を介して
レール溝26aに案内されてホルダー24が往復直線運
動されるようになっている。これら第1,第2リンク2
9,30及びモータ31等で、ホルダー24を平面内
で、且つ、前記定盤13の移動方向(図5中Y方向)と
異なる方向(図5中X方向)に往復直線運動をさせる
「ホルダー駆動系」が構成されている。
【0032】そして、そのモータ31は、制御装置21
に接続されている。
【0033】このようにして定盤13がY方向に、ウエ
ハ16がX方向にそれぞれ往復直線運動されるように構
成され、更に、制御装置21により、Y方向,X方向に
それぞれ同じ振幅Lo,角速度ωo,位相φ、つまり、
定盤13とウエハ16とが同期して往復直線運動される
ようになっている。
【0034】このように定盤13をY方向にY=Loy×
sin(ωoy×t+φy)で、又、ウエハ16をX方向にX
=Lox×sin(ωox×t+φx)で、それぞれ単振動を同
期させて行わせることにより、相対速度Voは、振幅…
Loy=Lox=Lo 角速度…ωoy=ωox=ωo 位相…φ
y=φx=φoとすると、 Vo=Lo×ωo…(1) となり、定盤13とウエハ16とを同期させて往復直線
運動させることにより、研磨の時間変化及び方向依存性
も少なく研磨均一性がよい。
【0035】一方、図6に示す従来例の装置の相対速度
Vは、定盤1の回転中心からウエハ4の中心までの距離
をL 定盤1とホルダー3との回転速度が等しくr(角速度は
ω=2πr/60)とすると、 V=L×ω=L×2πr/60…(2) となる。
【0036】そこで、式(1),(2)より、LoがL
の1/m倍のとき、ωoをωのm倍以上とすることによ
り、Vo≧Vとなる。
【0037】すなわち、Loは極力小さい方が定盤13
の大きさも小さくなるため望ましいが、このLoを小さ
くすると、式(1)より、Voも小さくなってしまう。
しかし、定盤13を小型化できるため、運動エネルギー
との関係から従来のものよりωoを大きくできる。従っ
て、上述のようにVo≧Vとすることができるものであ
る。
【0038】また、ホルダー24は往復直線運動に加
え、回転運動をさせることもできる。これによれば、定
盤13とウエハ16とを同期させなくても、研磨量を平
均化させることができる。
【0039】さらに、この実施の形態2では、ウエハ1
6を保持するホルダー24の往復直線運動方向と、定盤
13の往復直線運動方向とが直交するようになっている
が、これに限らず、交差させる角度は、90°以外でも
良い。
【0040】なお、この発明の「定盤駆動系」,「ホル
ダー駆動系」は、上記各実施の形態のものに限らず、往
復直線運動させることができるものであれば、例えば、
クランクシャフトやカム等を用いることもできる。
【0041】
【発明の効果】以上説明してきたように、請求項1に記
載された発明によれば、定盤を往復直線運動させること
により、従来のように定盤を回転させるものと比較する
と、定盤の大きさを小さくでき、ひいては、研磨装置自
体の小型化にもつながる。また、このように定盤を小型
化できるため、従来よりも、ウエハとの相対速度を速く
することが可能となる。また、図7に示す従来例では、
ドラム9を用いているのに対し、この発明の実施の形態
では、かかるドラム9は不要であることから、研磨装置
の小型化を図ることができる。さらに、従来の循環式の
ベルト8を用いたものでは、ドラム9に巻回するのに柔
軟性を持たせる必要があるのに対し、この発明のように
定盤を往復直線運動させることにより、ドラム9に巻回
するため曲げる必要がないことから、定盤に剛体を使用
することができる。従って、ウエハの全面の、研磨部材
への接触圧力が均一となり、結果として研磨均一性が向
上し、歩留まりを向上させることができる。
【0042】請求項2に記載された発明によれば、請求
項1に記載の効果に加え、定盤を周期的に移動させるこ
とにより、安定した研磨性を得ることができる。
【0043】請求項3に記載された発明によれば、請求
項1又は2に記載の効果に加え、定盤の移動方向と異な
る方向にホルダーを往復直線運動させるようにしたた
め、研磨速度をより向上させることができる。
【0044】請求項4に記載された発明によれば、請求
項3に記載の効果に加え、ホルダーに更に回転運動をさ
せることにより、研磨量をより平均化させることができ
る。
【0045】請求項5に記載された発明によれば、請求
項3又は4に記載の効果に加え、ホルダーと定盤とを同
期させて往復直線運動させることにより、研磨速度の時
間変化及び方向依存性がなく、研磨均一性を良くでき
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の形態1に係る研磨装置の概略
正面図である。
【図2】同実施の形態1に係る定盤等の平面図である。
【図3】この発明の実施の形態2に係る研磨装置の概略
正面図である。
【図4】同実施の形態2に係る図1を矢印A方向から見
た図である。
【図5】同実施の形態2に係る定盤等の平面図である。
【図6】従来例を示す図で、(a)は研磨装置の概略正
面図、(b)は定盤等の平面図である。
【図7】他の従来例を示す図で、(a)は研磨装置の概
略正面図、(b)はベルト等の平面図である。
【符号の説明】
11 研磨装置 13 定盤 14 研磨パッド(研磨部材) 15,24 ホルダー 16 ウエハ(研磨対象物) 定盤駆動系 18 第1リンク 19 第2リンク 20 モータ ホルダー駆動系 29 第1リンク 30 第2リンク 31 モータ

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 定盤上に研磨部材が設けられる一方、研
    磨対象物がホルダーに保持され、前記研磨部材と研磨対
    象物とを接触させて相対移動させると共に、該両者の間
    に研磨剤を介在させて前記研磨対象物の研磨を行う研磨
    装置において、 前記定盤を平面内で往復直線運動させる定盤駆動系を設
    けたことを特徴とする研磨装置。
  2. 【請求項2】 前記定盤駆動系は、前記定盤を周期的に
    移動させるように設定されたことを特徴とする請求項1
    記載の研磨装置。
  3. 【請求項3】 前記ホルダーを平面内で、且つ、前記定
    盤の移動方向と異なる方向に往復直線運動をさせるホル
    ダー駆動系を設けたことを特徴とする請求項1又は2記
    載の研磨装置。
  4. 【請求項4】 前記ホルダー駆動系は、前記ホルダーを
    回転させるように設定されたことを特徴とする請求項3
    に記載の研磨装置。
  5. 【請求項5】 前記ホルダー駆動系と前記定盤駆動系と
    は、それぞれ前記ホルダーと定盤とを同期させて往復直
    線運動させるように設定されたことを特徴とする請求項
    3又は4に記載の研磨装置。
JP6745397A 1997-03-05 1997-03-05 研磨装置 Pending JPH10249715A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6745397A JPH10249715A (ja) 1997-03-05 1997-03-05 研磨装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6745397A JPH10249715A (ja) 1997-03-05 1997-03-05 研磨装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10249715A true JPH10249715A (ja) 1998-09-22

Family

ID=13345377

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6745397A Pending JPH10249715A (ja) 1997-03-05 1997-03-05 研磨装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10249715A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008049430A (ja) * 2006-08-24 2008-03-06 Sumitomo Metal Mining Co Ltd ウエハーの研磨方法
US7645182B2 (en) 2007-03-26 2010-01-12 Sae Magnetics (H.K.) Ltd. Apparatus and method for lapping slider using floating lapping head

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008049430A (ja) * 2006-08-24 2008-03-06 Sumitomo Metal Mining Co Ltd ウエハーの研磨方法
US7645182B2 (en) 2007-03-26 2010-01-12 Sae Magnetics (H.K.) Ltd. Apparatus and method for lapping slider using floating lapping head

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5542874A (en) Wafer polishing apparatus
US6500055B1 (en) Oscillating orbital polisher and method
EP0860239A2 (en) Apparatus and method for polishing a flat surface using a belted polishing pad
US5888126A (en) Polishing apparatus including turntable with polishing surface of different heights
US5429544A (en) Polishing apparatus for notch portion of wafer
US20020009959A1 (en) Polishing apparatus and method with belt drive system adapted to extend the lifetime of a refreshing polishing belt provided therein
KR20160128541A (ko) 기판 연마 장치
US5458529A (en) Apparatus for polishing notch portion of wafer
KR20030024867A (ko) 하부홈이 형성된 화학적 기계적 연마시스템
US5985090A (en) Polishing cloth and polishing apparatus having such polishing cloth
TWI409868B (zh) 研磨方法、研磨墊及研磨系統
US6913528B2 (en) Low amplitude, high speed polisher and method
JPH10249715A (ja) 研磨装置
JP2000218514A (ja) 研磨装置及び研磨方法
KR102453254B1 (ko) 순환 구동 유닛 및 이를 포함하는 기판 연마 장치
US6887130B2 (en) Chemical mechanical polishing apparatus
KR100494145B1 (ko) 화학기계적 연마장치 및 그를 이용한 웨이퍼 연마방법
JPH11291167A (ja) 研磨装置及び研磨方法
KR100219499B1 (ko) 씨.엠.피(cmp) 장치 및 그를 이용한 평탄화 방법
JPH08257901A (ja) トップリング装置
US6319103B1 (en) Chemical mechanical polishing apparatus
JP3326442B2 (ja) 研磨方法及びその装置
KR102515390B1 (ko) 기판 연마 장치
JPH11129155A (ja) Cmp研磨装置
JPH10113863A (ja) 研磨用ガイド装置の位置決め方法及びその装置並びに薄板状基板の研磨方法