JPH10249237A - Air purifying apparatus, method for cleaning hermetically closed space using the same and hermetically closed space - Google Patents

Air purifying apparatus, method for cleaning hermetically closed space using the same and hermetically closed space

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JPH10249237A
JPH10249237A JP7920297A JP7920297A JPH10249237A JP H10249237 A JPH10249237 A JP H10249237A JP 7920297 A JP7920297 A JP 7920297A JP 7920297 A JP7920297 A JP 7920297A JP H10249237 A JPH10249237 A JP H10249237A
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space
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an air purifying apparatus widening an effective area permitting free work to obtain an ultra-clean space, a method for purifying a hermetically closed space using the purifying apparatus and the hermetically closed space. SOLUTION: In an air purifying apparatus equipped with an ultraviolet source, a photon discharge material and an electric field setting and charge particles collecting electrode material, the box body 13 surrounded by an outer frame is provided and the ultraviolet source 2 and the photon discharge material 3 are arranged to the central part of the box body 13 and electrode materials 4-1-4-3 are provided to the outer peripheral part thereof to be integrated therewith and an air inflow port is provided to the lower part of the central part of the box body 3 and an air outflow port is provided to the outer peripheral side surface part thereof. In this purifying apparatus, a photocatalyst can be arranged to the irradiation surface irradiated with ultraviolet rays in the box body 13 and the purifying apparatus is arranged to the ceiling part of a hermetically closed space so that the air inflow part is turned downwardly and air in the hermetically closed space is passed through this apparatus to be purified.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、気体の清浄化に係り、
特に、密閉空間中の気体を清浄化するための清浄装置
と、その装置を用いる密閉空間の清浄方法及び密閉空間
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to gas purification.
In particular, the present invention relates to a cleaning device for purifying gas in a closed space, a method for cleaning a closed space using the device, and a closed space.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の技術を、半導体製造工場における
クリーンルームの空気清浄を例にとり、以下説明する。
クリーンルームにおける空間の清浄化は従来HEPAや
ULPAフィルタを用いる方式により行われてきた。こ
の方式はこれまでのクリーンルームやクリーングース、
クリーンベンチなどの清浄には効果的であり、広く実用
化されている。ところが、この方式による微粒子除去
は、原理的にフィルタに微粒子を含む気体を送気させる
必要があるため、次のような問題点があった。 (1)強制通気するので微粒子が発生する場合があり、
この場合到達クリーン度(超清浄空間の創出)には限界
があった。 (2)圧力損失が高くなるので、運転コストが高くなっ
た。 (3)また、最近ではフィルタは使い方によってボロン
などのガス状物質が発生してしまい、2次汚染源となる
ことや、超微粒子の捕集性能に限界があるといわれてい
る。
2. Description of the Related Art The prior art will be described below by taking air purification in a clean room in a semiconductor manufacturing plant as an example.
Conventionally, the cleaning of the space in the clean room has been performed by a method using a HEPA or ULPA filter. This method is the traditional clean room and clean goose,
It is effective for cleaning benches and other cleans, and is widely used. However, the removal of fine particles by this method has the following problems since it is necessary in principle to supply a gas containing fine particles to a filter. (1) Particles may be generated due to forced ventilation,
In this case, there is a limit to the attainable cleanliness (creation of an ultra-clean space). (2) Since the pressure loss increases, the operating cost increases. (3) Recently, it has been said that a gaseous substance such as boron is generated depending on how the filter is used, so that the filter becomes a secondary pollution source, and there is a limit in the performance of collecting ultrafine particles.

【0003】このような背景に対して、本発明者らは、
光電子放出材に紫外線を照射することにより光電子を発
生させて空間を清浄化する方法や装置については、すで
に提案している(例えば、特公平3−5859号、特公
平6−34941号、特公平7−110342号、特公
平6−74909号、特公平6−74910号、特公平
8−211号各公報)。これらの方法や装置は、利用分
野、装置種類、構造、形状、要求性能によっては十分な
効果で実施し得るが、今だ改良の余地があった。次に、
改良点について、従来技術を例に説明する。従来の技術
を半導体工場におけるウェハ保管庫(ストッカ)中の空
気清浄を例に図9を用いて説明する。
[0003] Against such a background, the present inventors have proposed:
Methods and apparatuses for purifying a space by generating photoelectrons by irradiating a photoelectron emitting material with ultraviolet rays have already been proposed (for example, Japanese Patent Publication No. 3-5859, Japanese Patent Publication No. 6-34941, and Japanese Patent Publication No. Nos. 7-110342, JP-B-6-74909, JP-B-6-74910 and JP-B8-211). These methods and apparatuses can be implemented with sufficient effects depending on the field of use, type of apparatus, structure, shape, and required performance, but there is still room for improvement. next,
Improvements will be described with reference to the prior art. A conventional technique will be described with reference to FIG. 9 by taking an example of cleaning air in a wafer storage (stocker) in a semiconductor factory.

【0004】図9において、密閉空間であるウェハ保管
庫1中の空気清浄は、紫外線ランプ2、光電子放出材
(紫外線照射窓の石英ガラスに光電子放出性物質として
Au50Åを被覆したもの)3、電極4により実施され
る。すなわち、光電子放出材3と電極4の間に電場を形
成した状態で光電子放出材3に紫外線を照射すると光電
子放出材3から光電子5が放出される。ここでウェハ保
管庫1中の微粒子6は、紫外線ランプ、光電子放出材
3、電極4よりなる微粒子の荷電捕集部Cにおいて、上
述の光電子5により荷電され、荷電微粒子7となり、該
荷電微粒子7は電極4に捕集され、ウェハ保管庫1中は
高清浄化される。8a、8b、8cは、紫外線ランプ2
による荷電・捕集部Cの温度上昇に伴い生じる保管庫1
中の空気の流れを示し、この流れにより保管庫1中の微
粒子6は、効果的に荷電・捕集部Cに移動し、荷電・捕
集される。9はウェハキャリヤ、10はウェハ、11は
反射面である。このように、微粒子の荷電捕集部(C)
がウェハ保管庫1の片側に設置されると、被清浄空間に
おける収納面積(作業有効面積)Bが狭くなる問題があ
った。
[0004] In FIG. 9, the air in the wafer storage 1, which is an enclosed space, is cleaned by an ultraviolet lamp 2, a photoelectron emitting material (quartz glass of an ultraviolet irradiation window coated with Au 50 ° as a photoelectron emitting material) 3, electrodes 4 is performed. That is, when the photoelectron emission material 3 is irradiated with ultraviolet rays in a state where an electric field is formed between the photoelectron emission material 3 and the electrode 4, the photoelectrons 5 are emitted from the photoelectron emission material 3. Here, the fine particles 6 in the wafer storage 1 are charged by the above-mentioned photoelectrons 5 in the fine particle charge collecting section C composed of an ultraviolet lamp, a photoelectron emitting material 3 and an electrode 4 to become charged fine particles 7. Are collected by the electrode 4 and the inside of the wafer storage 1 is highly purified. 8a, 8b, 8c are ultraviolet lamps 2
Storage 1 caused by temperature rise of charging / collecting section C
This shows the flow of air inside, and by this flow, the fine particles 6 in the storage 1 are effectively moved to the charging / collecting unit C and charged / collected. 9 is a wafer carrier, 10 is a wafer, and 11 is a reflection surface. As described above, the fine particle charge collection unit (C)
Is installed on one side of the wafer storage 1, there is a problem that the storage area (effective work area) B in the space to be cleaned becomes narrow.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は、上
記問題点を解決し、光電子を用いる清浄化においても自
由に作業できる有効面積を広げることができ、しかも超
清浄空間が得られる気体の清浄装置と、それを用いた密
閉空間の清浄方法及び密閉空間を提供することを課題と
する。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention solves the above-mentioned problems, and can increase the effective area in which cleaning can be performed freely even in photoelectron cleaning. It is an object to provide a cleaning device, a method for cleaning a closed space using the same, and a closed space.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では、紫外線源と、光電子放出材と、電場設
定及び荷電粒子捕集用電極材とを備えてなる気体の清浄
装置において、外枠で囲んだ箱体を有し、該箱体の中央
部に紫外線源と光電子放出材を配備し、その外周部に前
記電極材を設けて一体化すると共に、前記箱体の中央部
下方に気体の流入口を有し、外周側面部に気体の流出口
を有することとしたものである。前記気体の清浄装置に
おいて、箱体内の紫外線が照射される照射面、例えば、
紫外線源、荷電粒子捕集用電極材、箱体等の紫外線の照
射面に、光触媒を配することができ、また、前記捕集用
電極材は、流出口に向って気体の流れに沿って設置する
のが良い。また、本発明では、密閉空間中の気体を清浄
化する方法において、該密閉空間の天井部に、前記の気
体の清浄装置を気体の流入口を下方に向けて設置して密
閉空間中の気体を該装置に通すことを特徴とする密閉空
間の清浄方法としたものであり、更に、前記の気体の清
浄装置を、天井部に気体の流入口を下方に向けて設置し
たことを特徴とする密閉空間としたものである。
According to the present invention, there is provided a gas cleaning apparatus comprising an ultraviolet ray source, a photoelectron emitting material, and an electrode for setting an electric field and collecting charged particles. A box surrounded by an outer frame, an ultraviolet light source and a photoelectron emission material are provided at the center of the box, and the electrode material is provided and integrated at the outer periphery thereof, and a lower part of the center of the box is provided. And a gas outlet on the outer peripheral side surface. In the gas cleaning device, an irradiation surface to which ultraviolet light in the box is irradiated, for example,
An ultraviolet light source, a charged particle collecting electrode material, a photocatalyst can be disposed on an ultraviolet irradiation surface of a box or the like, and the collecting electrode material follows a gas flow toward an outlet. It is good to install. Further, according to the present invention, in the method for purifying gas in an enclosed space, the gas purifying device is installed on a ceiling of the enclosed space with the gas inlet facing downward, and the gas in the enclosed space is removed. Through the device, and a method for cleaning an enclosed space, wherein the gas cleaning device is installed on the ceiling with the gas inlet facing downward. It is a closed space.

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】本発明は、次の4つの知見に基づ
いて発明されたものである。 (1)空間の清浄化は、これまでフィルタを用いる方式
により行われてきた。この方式は、フィルタに被清浄空
気をファンにより強制通気するため、原理的には次のよ
うな課題がある。 (a)強制通気による粒子状物質やガス状物質の発生。 (b)清浄化空気が空間的で強制通気(循環)されるの
で、空間に収納された品物(例、ウェハ)は、該空気流
に順次暴露されるので、汚染が加速される。 (c)強制通気するので清浄度を高くするにつれて、圧
力損失が増加し、運転コストが高くなる。 (d)通常の空気(外気)中には、ガス状有害成分とし
てNOx、SOx、HClのような酸性ガス、アンモニ
ア、アミンのようなアルカリ性ガス及び炭化水素(H.
C.)と呼ばれる有機性ガスが存在し、現状のフィルタ
では、これらのガス状有害成分の捕集はできないので、
これらの有害ガスは空間中に導入されてしまい、空間に
おける新たな汚染源(汚染原因)になる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention has been made based on the following four findings. (1) The cleaning of the space has been performed by a method using a filter. This method has the following problems in principle because the air to be cleaned is forcibly ventilated to the filter by a fan. (A) Generation of particulate matter and gaseous matter by forced ventilation. (B) Since the cleaning air is spatially and forcedly circulated (circulated), the articles (eg, wafers) contained in the space are sequentially exposed to the air flow, thereby accelerating the contamination. (C) As the cleanliness is increased due to forced ventilation, the pressure loss increases and the operating cost increases. (D) In ordinary air (outside air), acidic gases such as NOx, SOx, and HCl, alkaline gases such as ammonia and amine, and hydrocarbons (H.
C. ) Exists, and the current filters cannot collect these gaseous harmful components.
These harmful gases are introduced into the space and become a new source of pollution (a cause of pollution) in the space.

【0008】(2)半導体、液晶などの先端産業分野で
は、従来粒子状物質の除去で十分であったものが、製品
の高品質化、精密化により(より高価な製品は、集積度
が密、すなわちより微細化、高精密化になり)、今後ガ
ス状物質の影響を強く受けるようになる。そこで、従来
問題にならなかったクリーンルーム空気濃度(ppbレ
ベルのような極低濃度)レベルのH.CやSO2 、HC
l、HF、NH3 などのガス状汚染物質の制御、除去が
必要になってきた(「第39回、応用物理学会予稿
集」、p86、1992春季、「空気清浄」第33巻、
第1号、p16〜21、1995、「ウルトラクリーン
テクノロジー」Vol.6、p29〜35、199
4)。これは、これらのガス状汚染物質の存在は、歩留
まり(生産性)を著しく低下させることが明らかになっ
たためである。 (a)今後の先端産業におけるクリーンルームは、粒子
状物質(微粒子)とガス状有害成分の同時除去が必要と
なる。
(2) In advanced industrial fields such as semiconductors and liquid crystals, removal of particulate matter has been sufficient in the past. However, due to higher quality and refinement of products (more expensive products have higher integration density). In other words, it becomes finer and higher precision), and will be strongly affected by gaseous substances in the future. Therefore, the H.O. level of the clean room air concentration (extremely low concentration such as ppb level) which has not been a problem in the past. C, SO 2 , HC
It has become necessary to control and remove gaseous pollutants such as l, HF, and NH 3 ("The 39th Annual Meeting of the Japan Society of Applied Physics", p86, Spring 1992, "Air Purification", Vol. 33,
No. 1, pp. 16-21, 1995, "Ultra Clean Technology" Vol. 6, p29-35,199
4). This is because the presence of these gaseous pollutants has been found to significantly reduce yield (productivity). (A) The clean room in the future advanced industry will require simultaneous removal of particulate matter (fine particles) and gaseous harmful components.

【0009】(b)上記のガス状有害成分はクリーンル
ーム内での作業やクリーンルーム構成材や器具類から発
生し、これらの発生ガスはたとえ極低濃度であっても、
クリーンルームは閉鎖系であり、閉じ込められるので
(最近クリーンルームは省エネの点で空気の循環使用の
比率が高い)、該濃度は徐々に高くなり、クリーンルー
ム内におけるウェハやガラス基板、基材に付着し、悪影
響を与えてしまう。上記のクリーンルーム内における有
害ガスの発生をH.Cを例に次に説明する。少なくとも
一部が有機物(高分子樹脂)で構成されるクリーンルー
ム環境では、該有機物から、極微量の有機性ガス(H.
C)が発生し、クリーンルーム空間中の収容物(ウェハ
やガラス基板などの原料、半製品)を汚染する。すなわ
ち、クリーンルーム空間では、少なくともその一部に有
機物(例、プラスチック容器、パッキン材、シール材、
接着材、壁面の材料等)を使用しており、該有機物から
極く微量の有機性ガスが発生する。例えば、シール材か
らはシロキサン、収納容器の材料であるプラスチック材
からはフタル酸エステルなどが発生する。
(B) The above-mentioned gaseous harmful components are generated from work in a clean room or from components and equipment of a clean room.
Since the clean room is a closed system and is confined (recently the clean room has a high rate of air circulation in terms of energy saving), the concentration gradually increases and adheres to wafers, glass substrates, and base materials in the clean room, It has an adverse effect. The generation of harmful gases in the above clean room is described in H. Next, C will be described as an example. In a clean room environment where at least a part is made of an organic substance (polymer resin), a trace amount of an organic gas (H.
C) occurs and contaminates the contents (raw materials such as wafers and glass substrates, semi-finished products) in the clean room space. That is, in a clean room space, at least a part thereof includes an organic substance (eg, a plastic container, a packing material, a sealing material,
Adhesive, wall material, etc.), and a very small amount of organic gas is generated from the organic matter. For example, siloxane is generated from the sealing material, and phthalic acid ester is generated from the plastic material that is the material of the storage container.

【0010】H.Cがウェハなどの基板に付着(吸着)
した場合の基板表面の汚染の度合いは、接触角(下記)
で表示できる。H.Cで汚染された基板の問題点を具体
例で説明すると、H.Cによるウェハ基板(貴重品)の
汚染は、基板とレジストとの親和性(なじみ)に影響を
与える。そして、親和性が悪くなると、レジストと膜厚
に影響を与えたり、基板とレジストとの密着性に影響を
与え、品質の低下や歩留まりの低下をもたらす。接触角
とは水によるぬれの接触角のことであり、基板表面の汚
染の程度を示すものである。すなわち、基板表面に疎水
性(油性)の物質を付着すると、その表面は水をはじき
返してぬれにくくなる。すると基板表面と水滴との接触
角は大きくなる。従って接触角が大きいと汚染度が高
く、逆に接触角が小さいと汚染度が低い。 (c)また、民生の分野でも、シックビルディングシン
ジロードにみられるように、これらの有機性ガス(例え
ば、アルデヒド、塩素含有H.C)、酸性ガス、塩基性
ガスの同時除去が必要になっている。
H. C adheres to substrate such as wafer (adsorption)
The degree of contamination on the substrate surface in the case of
Can be displayed with. H. The problem of the substrate contaminated with C will be described with a specific example. Contamination of the wafer substrate (valuables) by C affects the affinity (fit-in) between the substrate and the resist. When the affinity deteriorates, it affects the resist and the film thickness or the adhesion between the substrate and the resist, resulting in a decrease in quality and a decrease in yield. The contact angle is a contact angle of water wetting, and indicates the degree of contamination of the substrate surface. That is, when a hydrophobic (oil-based) substance is attached to the surface of the substrate, the surface repels water and becomes difficult to wet. Then, the contact angle between the substrate surface and the water droplet increases. Therefore, the contamination degree is high when the contact angle is large, and low when the contact angle is small. (C) Also in the field of consumer use, as seen in the thick building Shinji Road, it is necessary to simultaneously remove these organic gases (eg, aldehydes and chlorine-containing HC), acid gases, and basic gases. ing.

【0011】(3)病院、食品工業、医薬などにおける
各種菌類や、微生物類などが問題となる分野では、フィ
ルタを用いる清浄方式の場合、フィルタ上あるいは循環
系(フィルタとファン、その経路、その周辺)での各種
菌類や微生物類の増殖による二次汚染などの問題があ
る。 (4)空間において、荷電粒子捕集材を設置し、電場下
で光電子放出材に紫外線を照射することにより、光電子
を放出せしめると、空間中の粒子状物質は、空間中の空
気を強制通気(循環)することなく荷電・捕集され、空
気は超清浄化される。また、ガス状有害物質が問題にな
る分野では、光触媒を紫外線が照射される位置に設置す
ると、光触媒は光触媒作用を発揮し、空間中のガス状有
害成分は分解除去される。
(3) In a field where various fungi and microorganisms are problematic in hospitals, food industries, medicines, etc., in the case of a cleaning system using a filter, a filter or a circulation system (filter and fan, its path, its Peripheral) due to the proliferation of various fungi and microorganisms. (4) A charged particle trapping material is installed in the space, and photoelectrons are emitted by irradiating the photoelectron emitting material with ultraviolet light in an electric field, whereby the particulate matter in the space is forced through the air in the space. It is charged and collected without circulating, and the air is ultra-purified. In addition, in a field where gaseous harmful substances are a problem, if the photocatalyst is installed at a position irradiated with ultraviolet rays, the photocatalyst exerts a photocatalytic action, and gaseous harmful components in the space are decomposed and removed.

【0012】次に、本発明の夫々の構成について説明す
る。箱体の中央部に配備する光電子放出材は、後述紫外
線の照射により粒子状物質(微粒子、浮遊菌類、微生物
類)を荷電するための光電子の発生を行う目的で用い
る。光電子放出材は、紫外線の照射により光電子を放出
するものであれば何れでも良く、光電的な仕事関数が小
さなもの程好ましい、効果や経済性の面から、Ba,S
r,Ca,Y,Gd,La,Ce,Nd,Th,Pr,
Be,Zr,Fe,Ni,Zn,Cu,Ag,Pt,C
d,Pb,Al,C,Mg,Au,In,Bi,Nb,
Si,Ta,Ti,U,B,Eu,Sn,P,Wのいず
れか又はこれらの化合物又は合金又は混合物が好まし
く、これらは単独で又は二種以上を複合して用いられ
る。複合材としては、アマルガムの如く物理的な複合材
も用い得る。
Next, each configuration of the present invention will be described. The photoelectron emitting material provided at the center of the box is used for generating photoelectrons for charging particulate matter (fine particles, floating fungi, and microorganisms) by irradiation with ultraviolet rays described below. The photoelectron emitting material may be any material that emits photoelectrons by irradiating ultraviolet rays. The smaller the photoelectric work function, the better. From the viewpoints of effect and economy, Ba, S
r, Ca, Y, Gd, La, Ce, Nd, Th, Pr,
Be, Zr, Fe, Ni, Zn, Cu, Ag, Pt, C
d, Pb, Al, C, Mg, Au, In, Bi, Nb,
Any of Si, Ta, Ti, U, B, Eu, Sn, P and W, or a compound or alloy or a mixture thereof is preferable, and these are used alone or in combination of two or more. As the composite material, a physical composite material such as amalgam can be used.

【0013】例えば、化合物としては酸化物、ほう化
物、炭化物があり、酸化物にはBaO,SrO,Ca
O,Y2 5 ,Gd2 3 ,Nd2 3 ,ThO2 ,Z
rO2 ,Fe2 3 ,ZnO,CuO,Ag2 O,La
2 3 ,PtO,PbO,Al23 ,MgO,In2
3 ,BiO,NbO,BeOなどがあり、またほう化
物には、YB6 ,GdB6 ,LaB5 ,NdB6 ,Ce
6 ,EuB6 ,PrB6,ZrB2 などがあり、さら
に炭化物としてはUC,ZrC,TaC,TiC,Nb
C,WCなどがある。また、合金としては黄銅、青銅、
リン青銅、AgとMgとの合金(Mgが2〜20wt
%)、CuとBeとの合金(Beが1〜10wt%)及
びBaとAlとの合金を用いることができ、上記Agと
Mgとの合金、CuとBeとの合金及びBaとAlとの
合金が好ましい。酸化物は金属表面のみを空気中で加熱
したり、或いは薬品で酸化することによっても得ること
ができる。
For example, compounds include oxides, borides, and carbides, and oxides include BaO, SrO, and Ca.
O, Y 2 O 5 , Gd 2 O 3 , Nd 2 O 3 , ThO 2 , Z
rO 2 , Fe 2 O 3 , ZnO, CuO, Ag 2 O, La
2 O 3 , PtO, PbO, Al 2 O 3 , MgO, In 2
O 3, BiO, NbO, there is such as BeO, also in borides is, YB 6, GdB 6, LaB 5, NdB 6, Ce
B 6, EuB 6, PrB 6 , ZrB 2 include, as a further carbide UC, ZrC, TaC, TiC, Nb
C and WC. In addition, brass, bronze,
Phosphor bronze, alloy of Ag and Mg (Mg is 2 to 20 wt.
%), An alloy of Cu and Be (Be is 1 to 10 wt%), an alloy of Ba and Al, and an alloy of Ag and Mg, an alloy of Cu and Be, and an alloy of Ba and Al. Alloys are preferred. The oxide can also be obtained by heating only the metal surface in air or oxidizing it with a chemical.

【0014】さらに他の方法としては使用前に加熱し、
表面に酸化層を形成して長期にわたって安定な酸化層を
得ることもできる。この例としてはMgとAgとの合金
を水蒸気中で300〜400℃の温度の条件下でその表
面に酸化膜を形成させることができ、この酸化薄膜は長
期間にわたって安定なものである。これらの物質は、バ
ルク状(固体状、板状)で、また適宜の母材(支持体)
へ付加して使用できる(特開平3−108698号公
報)。例えば、紫外線透過性物質の表面又は該表面近傍
に付加する(特公平7−93098号公報)こともでき
る。付加の方法は、紫外線の照射により光電子が放出さ
れれば何れでも良い。例えば、ガラス板上へコーティン
グして使用する方法、他の例として板状物質表面近傍へ
埋込んで使用する方法や板状物質上に付加し更にその上
に別の材料をコーティングして使用する方法、紫外線透
過性物質と光電子を放出する物質を混合して用いる方法
等がある。また、付加は、薄膜状に付加する方法、網
状、線状、粒状、島状、帯状に付加する方法等適宜用い
ることが出来る。
Still another method is to heat before use,
An oxide layer can be formed on the surface to obtain a stable oxide layer over a long period of time. As an example, an oxide film can be formed on the surface of an alloy of Mg and Ag in water vapor at a temperature of 300 to 400 ° C., and this oxide thin film is stable for a long period of time. These substances are in the form of bulk (solid, plate) and appropriate base material (support)
(Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-1088698). For example, it can be added to the surface of or near the surface of the ultraviolet ray transmitting substance (Japanese Patent Publication No. 7-93098). Any method can be used as long as photoelectrons are emitted by irradiation of ultraviolet rays. For example, a method of coating and using on a glass plate, a method of embedding near the surface of a plate material as another example, a method of adding on a plate material and further coating another material on the plate material for use And a method of using a mixture of an ultraviolet-permeable substance and a substance that emits photoelectrons. In addition, a method of adding in a thin film shape, a method of adding in a net shape, a linear shape, a granular shape, an island shape, a belt shape, or the like can be appropriately used.

【0015】光電子を放出する材料の付加の方法は、適
宜の材料の表面に周知の方法でコーティング、あるいは
付着させて作ることができる。例えば、イオンプレーテ
ィング法、スパッタリング法、蒸着法、CVD法、メッ
キによる方法、塗布による方法、スタンプ印刷による方
法、スクリーン印刷による方法を適宜用いることができ
る。薄膜の厚さは、紫外線照射により光電子が放出され
る厚さであれば良く、5Å〜5,000Å、通常20Å
〜500Åが一般的である。母材の使用形状は、板状、
プリーツ状、円筒状、棒状、線状、網状、繊維状、ハニ
カム状等、があり表面の形状を適宜凹凸状とし使用する
ことが出来る。また、凸部の先端を先鋭状あるいは球面
状とすることも出来る(特公平6−74908号公
報)。
A method of adding a material that emits photoelectrons can be made by coating or attaching a known material to the surface of an appropriate material. For example, an ion plating method, a sputtering method, an evaporation method, a CVD method, a plating method, a coating method, a stamp printing method, and a screen printing method can be appropriately used. The thickness of the thin film may be a thickness at which photoelectrons are emitted by ultraviolet irradiation, and may be 5 to 5,000, usually 20.
~ 500 ° is common. The shape of the base material used is plate,
There are pleated, cylindrical, rod-like, linear, net-like, fibrous, honeycomb-like shapes and the like, and the shape of the surface can be appropriately made uneven. Further, the tip of the convex portion may be sharp or spherical (Japanese Patent Publication No. 6-74908).

【0016】母材への薄膜の付加は、本発明者が既に提
案したように、1種類又は2種類以上の材料を1層又は
多層重ねて用いることができる。すなわち、薄膜を適宜
複数(複合)で使用し、2重構造あるいはそれ以上の多
重構造とすることができる(特開平4−152296号
公報)。これらの最適な形状や紫外線の照射により光電
子を放出する材料の種類や付加法、薄膜厚は、装置の種
類、規模、形状、光電子放出材の種類、母材の種類、後
述電場の強さ、かけ方、効果、経済性等で適宜予備試験
を行い決めることが出来る。前記光電子放出材を母材に
付加して使用する場合の母材は、前記した紫外線透過性
物質の他にセラミック、粘土、周知の金属材がある。ま
た、後述の光源の表面に上記光電子放出材を被覆(光源
と光電子放出材を一体化)して行うこともできる(特開
平4−243540号公報)。
For the addition of the thin film to the base material, one or two or more materials can be used in a single layer or in a multi-layered manner, as already proposed by the present inventors. That is, a plurality of thin films can be used as appropriate (composite) to form a double structure or a multi-layer structure of more than that (Japanese Patent Laid-Open No. 4-152296). The type and addition method of these optimal shapes and materials that emit photoelectrons by irradiation of ultraviolet rays, the thickness of the thin film, the type of device, the scale and shape, the type of photoelectron emitting material, the type of base material, the strength of the electric field described below, Preliminary tests can be performed as appropriate in consideration of how to apply, effect, economy, and the like. When the photoelectron emitting material is used in addition to the base material, the base material may be ceramic, clay, or a well-known metal material in addition to the above-described ultraviolet ray transmitting material. Alternatively, the surface of a light source described below can be coated with the above-mentioned photoelectron emitting material (the light source and the photoelectron emitting material are integrated) (Japanese Patent Laid-Open No. 4-243540).

【0017】光電子放出材への紫外線の照射による光電
子の発生は、光電子放出材(負極)と、後述の電極(正
極)間に電場(電界)を形成して行うと、光電子放出材
からの光電子発生が効果的に起こるので、電場下で行う
のが好ましい。電場の形成方法(構造)としては、荷電
部の形状、構造、適用分野、装置の種類或いは期待する
効果(精度)等によって適宜選択することが出来る。電
場の強さは、光電子放出材や母材への付加の種類等で適
宜決めることが出来、このことについては本発明者の別
の発明がある。電場の強さは、一般に0.1V/cm〜
2kV/cmである。電場用電極材は、不純物などの発
生がなく、導電性の材料であれば何れでも良く、後述の
荷電粒子捕集材と兼用ができ、同様の形状、材質(例、
SUS材、Cu−Zn材、W材)が好適に使用できる。
Generation of photoelectrons by irradiating the photoelectron emitting material with ultraviolet rays is performed by forming an electric field (electric field) between the photoelectron emitting material (negative electrode) and an electrode (positive electrode) described later. It is preferable to carry out under an electric field, since the generation occurs effectively. The method (structure) of forming the electric field can be appropriately selected depending on the shape and structure of the charged portion, the application field, the type of the device, the expected effect (accuracy), and the like. The intensity of the electric field can be determined as appropriate depending on the type of addition to the photoelectron emitting material or the base material, and this is another invention of the present inventors. The electric field strength is generally from 0.1 V / cm
2 kV / cm. The electrode material for the electric field may be any material as long as it does not generate impurities and the like and is a conductive material. The electrode material for the electric field can also be used as a charged particle collecting material described later, and has the same shape and material (eg,
SUS material, Cu-Zn material, W material) can be suitably used.

【0018】次に、光電子放出材から光電子放出のため
の照射源を説明する。該照射源は、光電子放出材と共に
箱体の中央部に設置でき、光電子放出材への照射により
光電子を放出させるもので、該照射により、該箱体内に
熱対流が発生するもの、また、コンパクトで安全に使用
できるものであれば何れでも良い。照射源としては、放
射線、レーザ、紫外線を発するものがある。この内、紫
外線が安全に使用でき、小型(コンパクト)化できるの
で好ましい。そして、光触媒を備える場合は、該光触媒
への照射により、光触媒が光触媒作用を発揮するもので
あれば良い。このような照射源としては、簡易な設置
と、効果(性能)の点で、紫外線が好ましい。該紫外線
の照射により、光電子放出材からの光電子放出による粒
子状物質の荷電・捕集、そして光触媒によるガス状有害
成分の分解・除去ができることが本発明の特徴の1つで
ある。
Next, an irradiation source for emitting photoelectrons from the photoelectron emitting material will be described. The irradiation source can be installed at the center of the box together with the photoelectron emitting material, and emits photoelectrons by irradiating the photoelectron emitting material. The irradiation generates thermal convection inside the box, and the compact. Any one can be used as long as it can be used safely. Irradiation sources include those that emit radiation, lasers, and ultraviolet light. Of these, ultraviolet rays are preferable because they can be used safely and can be made compact. When a photocatalyst is provided, any photocatalyst can be used as long as the photocatalyst exerts a photocatalytic action upon irradiation of the photocatalyst. As such an irradiation source, ultraviolet rays are preferable in terms of simple installation and effects (performance). One of the features of the present invention is that the irradiation of the ultraviolet rays enables charging and collection of particulate matter by photoelectron emission from the photoelectron emitting material, and decomposition and removal of gaseous harmful components by a photocatalyst.

【0019】このような紫外線源は、通常、水銀灯、水
素放電管、キセノン放電管、ライマン放電管などを適宜
使用出来る。光源の例としては、殺菌ランプ、ブラック
ライト、蛍光ケミカルランプ、UV−B紫外線ランプ、
キセノンランプがある。この内、殺菌ランプ(波長:2
54nm)は、粒子状物質に共存する浮遊菌類、微生物
類などに殺菌(滅菌)作用があることから利用分野によ
っては好ましい。即ち、紫外線源として殺菌ランプを用
いることにより、荷電粒子捕集材上に捕集された菌類や
微生物類は、該捕集材の近傍に設置された該ランプから
の紫外線(主波長:254nm)の照射を受け殺菌(滅
菌)される。耐UV性の強い菌類や微生物類(殺菌ラン
プの照射により殺菌(滅菌)が困難な菌類や微生物)は
前記のように本発明の捕集用電極材上に捕集され、近傍
の紫外線ランプ(254nm)の照射を受けるので、殺
菌(滅菌)が完全になる。これは本発明の特徴の一つで
ある。
As such an ultraviolet light source, a mercury lamp, a hydrogen discharge tube, a xenon discharge tube, a Lyman discharge tube or the like can be used as appropriate. Examples of the light source include a germicidal lamp, a black light, a fluorescent chemical lamp, a UV-B ultraviolet lamp,
There is a xenon lamp. Among them, a germicidal lamp (wavelength: 2
54 nm) is preferable depending on the field of use because it has a bactericidal (sterilizing) action on suspended fungi and microorganisms coexisting with the particulate matter. That is, by using a germicidal lamp as an ultraviolet light source, fungi and microorganisms collected on the charged particle collecting material can be irradiated with ultraviolet light (main wavelength: 254 nm) from the lamp installed near the collecting material. And sterilized (sterilized). Fungi and microorganisms having high UV resistance (fungi and microorganisms that are difficult to sterilize (sterilize) by irradiation with a germicidal lamp) are collected on the collecting electrode material of the present invention as described above, and a nearby ultraviolet lamp ( (254 nm), sterilization (sterilization) is completed. This is one of the features of the present invention.

【0020】次に、荷電粒子捕集用電極材について説明
する。荷電粒子捕集用電極材は、箱体の外周部に配さ
れ、光電子により荷電された粒子状物質を捕集するもの
であれば何れでも良く、周知の荷電粒子捕集用電極材が
使用できる。例えば、通常の荷電装置における集塵板、
集塵電極、各種の電極材、エレクトレット材、スチール
ウール電極、タングステンウール電極のようなウール状
構造のものがある。該捕集用電極材は、箱体内の紫外線
の左右に被処理空気が流れる方向に沿って設置する。こ
の設置の方法により荷電粒子(荷電粒子状物質)の捕集
が効果的となり、本発明の特徴の一つである。捕集用電
極材の形状は、板状、プリーツ状、円筒状、棒状、線
状、網状、繊維状、ハニカム状がある。
Next, the charged particle collecting electrode material will be described. The charged particle collecting electrode material is arranged on the outer periphery of the box, and may be any material that collects particulate matter charged by photoelectrons, and a well-known charged particle collecting electrode material can be used. . For example, a dust collecting plate in a normal charging device,
There are wool-like structures such as dust collection electrodes, various electrode materials, electret materials, steel wool electrodes, and tungsten wool electrodes. The collecting electrode material is provided along the direction in which the air to be processed flows to the left and right of the ultraviolet light in the box. This method of installation effectively collects charged particles (charged particulate matter), which is one of the features of the present invention. The shape of the collecting electrode material includes a plate shape, a pleated shape, a cylindrical shape, a rod shape, a linear shape, a net shape, a fiber shape, and a honeycomb shape.

【0021】該捕集用電極材は、前記のごとく光電子放
出のための電場設定用電極材と兼用することができる。
兼用は清浄装置をコンパクト化するので好ましい。好適
な材料やその形状、設置方法は、利用の分野、装置形
状、規模、照射源の種類、形状、光電子放出のための電
場の掛け方、電極材の種類、要求性能などにより適宜予
備試験を行い決めることができる。次に、光触媒につい
て説明する。光触媒は、光電子放出材、紫外線源、荷電
粒子捕集材、外枠の少なくともいずれか1つの表面又は
その近傍の紫外線が照射される照射面に配され、紫外線
の照射により光触媒が光触媒作用を発揮し、ガス状有害
成分(有害ガス、臭気性ガス)を分解・除去するもので
あれば何れでも良い。
As described above, the collecting electrode material can also be used as an electric field setting electrode material for photoelectron emission.
The dual use is preferable because the cleaning device can be made compact. Suitable materials, their shapes, and installation methods are appropriately subjected to preliminary tests according to the field of use, device shape, scale, type and shape of irradiation source, method of applying an electric field for photoelectron emission, type of electrode material, required performance, etc. You can decide to do it. Next, the photocatalyst will be described. The photocatalyst is disposed on at least one surface of the photoelectron emitting material, the ultraviolet light source, the charged particle trapping material, and the outer frame or on the irradiation surface to which the ultraviolet light is irradiated, and the photocatalyst exerts a photocatalytic action by the irradiation of the ultraviolet light. However, any material may be used as long as it can decompose and remove gaseous harmful components (harmful gas, odorous gas).

【0022】光触媒は、通常、半導体材料が効果的であ
り、容易に入手出来、加工性も良いことから好ましい。
効果や経済性の面から、Se,Ge,Si,Ti,Z
n,Cu,Al,Sn,Ga,In,P,As,Sb,
C,Cd,S,Te,Ni,Fe,Co,Ag,Mo,
Sr,W,Cr,Ba,Pbのいずれか、又はこれらの
化合物、又は合金、又は酸化物が好ましく、これらは単
独で、また2種類以上を複合して用いる。例えば、元素
としてはSi,Ge,Se、化合物としてはAlP,A
lAs,GaP,AlSb,GaAs,InP,GaS
b,InAs,InSb,CdS,CdSe,ZnS,
MoS2 ,WTe2 ,Cr2 Te3 ,MoTe,Cu2
S,WS2 、酸化物としてはTiO2 ,Bi2 3 ,C
uO,Cu2 O,ZnO,MoO3 ,InO3 ,Ag2
O,PbO,SrTiO3 ,BaTiO3 ,Co
34 ,Fe2 3 ,NiOなどがある。
Photocatalysts are generally preferred because semiconductor materials are effective, are readily available, and have good workability.
From the viewpoint of effect and economy, Se, Ge, Si, Ti, Z
n, Cu, Al, Sn, Ga, In, P, As, Sb,
C, Cd, S, Te, Ni, Fe, Co, Ag, Mo,
Any of Sr, W, Cr, Ba, and Pb, or a compound, alloy, or oxide thereof is preferable, and these are used alone or in combination of two or more. For example, the elements are Si, Ge, Se, and the compounds are AlP, A
lAs, GaP, AlSb, GaAs, InP, GaS
b, InAs, InSb, CdS, CdSe, ZnS,
MoS 2 , WTe 2 , Cr 2 Te 3 , MoTe, Cu 2
S, WS 2 , oxides such as TiO 2 , Bi 2 O 3 , C
uO, Cu 2 O, ZnO, MoO 3 , InO 3 , Ag 2
O, PbO, SrTiO 3 , BaTiO 3 , Co
There are 3 O 4 , Fe 2 O 3 , NiO and the like.

【0023】光触媒は、適宜の母材上あるいは、前記光
電子放出材、紫外線源、荷電粒子捕集材、外枠の表面、
あるいはそれらの近傍の材料の表面上に、蒸着法、スパ
ッタリング法、焼結法、ゾル−ゲル法、塗布による方
法、焼付け塗装による方法などの周知の付加方法によ
り、適宜配することができる。配する光触媒の形状は、
薄膜状、線状、網状、帯状、くし状、粒状、島状などを
後述母材などにより適宜に選択し、用いることができ
る。即ち、光触媒の設置位置は、紫外線が照射される位
置であれば良く、次に例を挙げる。 (1)前記光電子放出材との一体化(特願平8−132
563号)があり、例を挙げると、 適宜の母材上の
光電子を放出する物質と光触媒とを付加する方法、
光電子を放出する物質上へ光触媒を付加する方法、
光触媒上へ光電子を放出する物質を付加する方法があ
る。このような構成は、光電子放出材への付着性ガス状
有害成分(例、非メタン炭化水素)を除去するので、利
用分野、光電子放出材の種類や形状によっては好まし
い。
The photocatalyst may be formed on a suitable base material or the photoelectron emitting material, ultraviolet light source, charged particle collecting material, surface of the outer frame,
Alternatively, it can be appropriately disposed on the surface of a material in the vicinity thereof by a known addition method such as a vapor deposition method, a sputtering method, a sintering method, a sol-gel method, a coating method, and a baking coating method. The shape of the photocatalyst to be distributed is
A thin film, a line, a net, a band, a comb, a grain, an island, or the like can be appropriately selected and used according to a base material described below. That is, the installation position of the photocatalyst may be any position where the ultraviolet ray is irradiated, and the following example will be given. (1) Integration with the photoelectron emission material (Japanese Patent Application No. 8-132)
No. 563), for example, a method of adding a photocatalyst and a substance which emits photoelectrons on an appropriate base material,
A method of adding a photocatalyst onto a material that emits photoelectrons,
There is a method of adding a substance that emits photoelectrons onto a photocatalyst. Such a configuration removes gaseous harmful components (eg, non-methane hydrocarbons) that adhere to the photoelectron emission material, and thus is preferable depending on the application field and the type and shape of the photoelectron emission material.

【0024】(2)前記電場用電極材との一体化(特願
平8−231290号)、あるいは該電場用電極材は荷
電粒子捕集用電極材と兼用できるので、荷電粒子捕集用
電極材との一体化がある。例を挙げると、SUS材へ網
状あるいは島状に光触媒を付加(SUSが正極)する方
法、セラミックへ膜状に光触媒を付加し、目のあらい網
状のSUS材で挟み込む(SUSが正極)方法がある。 (3)前記光触媒を、母材としてガラス、セラミック、
フッ素樹脂の表面に付加したり、光触媒を板状、網状、
繊維状、膜状などの適宜の材料に包み、又は挟み込んで
用いる方法がある。 (4)しゃへい材の設置を行う場合は、該しゃへい材表
面へ付加する方法がある。 (5)紫外線ランプ上へ被覆する方法((特願平8−3
1231号)、等がありこれらは、利用先、装置のタイ
プ、処理空気の条件(濃度)、要求性能等より適宜予備
試験を行い、決めることができる。前記光触媒として用
いるTiやZnは、例えば板状Tiを酸化することによ
り、光触媒とすることができるので、装置の種類によっ
ては好適に使用できる。
(2) Integration with the electrode material for electric field (Japanese Patent Application No. 8-231290), or the electrode material for electric field can be used also as the electrode material for charged particle collection. There is integration with the material. For example, a method of adding a photocatalyst in the form of a net or an island to a SUS material (SUS is a positive electrode), a method of adding a photocatalyst in the form of a film to a ceramic, and sandwiching the SUS material with a reticulated SUS material (SUS is a positive electrode). is there. (3) The photocatalyst is made of glass, ceramic,
Add a photocatalyst to the surface of fluororesin, plate-like, net-like,
There is a method of wrapping or sandwiching in an appropriate material such as a fibrous or film-like material. (4) When installing a shielding material, there is a method of adding it to the surface of the shielding material. (5) Coating method on an ultraviolet lamp ((Japanese Patent Application No. 8-3)
No. 1231), etc., and these can be determined by appropriately conducting preliminary tests based on the use destination, the type of the apparatus, the conditions (concentration) of the processing air, the required performance, and the like. Ti or Zn used as the photocatalyst can be used as a photocatalyst by, for example, oxidizing plate-like Ti, and thus can be suitably used depending on the type of the device.

【0025】また、光触媒作用の向上のために、上記光
触媒にPt,Ag,Pd,RuO2,Co3 4 の様な
物質を加えて使用することも出来る。該物質の添加は、
光触媒作用が促進されるので好ましい。これらは、一種
類又は複数組合せて用いることができる。通常、添加量
は、光触媒に対して、0.01〜10重量%であり、適
宜添加物質の種類や要求性能などにより、予備試験行い
適正濃度を選択することができる。添加の方法は、含浸
法、光還元法、スパッタ蒸着法、混練法など周知手段を
適宜用いることができる。本発明では、清浄装置から照
射される紫外線が、外部に悪影響を及ぼす可能性がある
場合には、該装置から紫外線が照射されないように、適
宜に該装置に遮蔽材(遮光材)を設置することができ
る。該遮蔽材を設置する場合には、遮蔽材の表面に、前
記光電子放出材及び/又は光触媒を付加することができ
る。
Further, in order to improve the photocatalytic action, a substance such as Pt, Ag, Pd, RuO 2 or Co 3 O 4 can be added to the above photocatalyst. The addition of the substance
It is preferable because the photocatalytic action is promoted. These can be used alone or in combination. Usually, the amount of addition is 0.01 to 10% by weight with respect to the photocatalyst, and an appropriate concentration can be selected by performing a preliminary test as appropriate depending on the type of the added substance and required performance. Well-known means such as an impregnation method, a photoreduction method, a sputter deposition method, and a kneading method can be appropriately used for the addition method. In the present invention, when ultraviolet rays emitted from the cleaning device may adversely affect the outside, a shielding material (light shielding material) is appropriately installed on the device so that the ultraviolet light is not emitted from the device. be able to. When the shielding material is provided, the photoelectron emitting material and / or photocatalyst can be added to the surface of the shielding material.

【0026】次に、外枠で囲んだ箱体について述べる。
箱体は、前記の光電子放出材と、紫外線源と電場設定及
び荷電粒子捕集用電極材とを一体化して収容できるもの
であり、そのうち、中央部に光電子放出材と紫外線源が
収容され、その外周部に荷電粒子捕集用電極材が収容さ
れており、また、該箱体の中央部の下方に気体の流入口
を有し、箱体の外周側面部に気体の流出口を有してい
る。該箱体の形状は、平面形状及び側面形状がそれぞ
れ、正方形、長方形、円形、楕円形等のいずれの形状の
ものでもよいが、天井部に設置して作業の邪魔にならな
い形状のものが良い。本発明で清浄装置を前記のような
構成の外枠を有する箱体としたのは、本装置が電場下で
紫外線の照射を行うので、(a)電場形成用電極材やそ
の周辺のカバーによる安全性の向上、(b)被清浄空間
への紫外線の直接照射を避けるための遮蔽材、及び、
(c)装置を一体化しカバーすることにより、被清浄空
間、特にその天井部への取り付け、取り外し、保守管理
の簡便性の向上ができるためである。
Next, a box surrounded by an outer frame will be described.
The box body is capable of integrally storing the photoelectron emitting material, an ultraviolet light source, an electric field setting and a charged particle collecting electrode material, and a photoelectron emitting material and an ultraviolet light source are housed in a central portion thereof, A charged particle collecting electrode material is accommodated in an outer peripheral portion thereof, and further, a gas inlet is provided below a central portion of the box, and a gas outlet is provided in an outer peripheral side portion of the box. ing. The shape of the box may be any of a square shape, a rectangular shape, a circular shape, an elliptical shape, and the like, each of which has a planar shape and a side surface shape. . In the present invention, the cleaning device is a box having an outer frame having the above-described configuration because the device irradiates ultraviolet rays in an electric field. Therefore, (a) the electrode material for forming an electric field and a peripheral cover are used. (B) shielding material for avoiding direct irradiation of ultraviolet rays to the space to be cleaned, and
(C) By integrating and covering the apparatus, the space to be cleaned, in particular, the installation / removal to / from the ceiling, and the ease of maintenance management can be improved.

【0027】そして、本発明では、前記した清浄装置を
被清浄空間の天井部に設置することにより、紫外線源で
の加熱により気流が自然対流し、箱体の下部の流入口か
ら流入した被処理気体は、中央部に設置した紫外線照射
下での光電子放出材から放出される光電子により粒子が
荷電され、その周辺部に設置されている荷電粒子捕集用
電極材により捕集されて、清浄化された気体が箱体の外
周部側面に設けられた流出口から空間中に流出し、該空
間は清浄化される。本発明の密閉空間は、空気中は、も
ちろん、他の気体、例えば、N2 、Ar中においても同
様に清浄化できる。また、密閉空間中への本発明の清浄
装置の設置台数は、空間の大きさ、設置する清浄装置の
性能及びその空間の清浄度等により適宜予備試験を行い
選択できる。
In the present invention, by installing the above-described cleaning device on the ceiling of the space to be cleaned, the air flow naturally convects by heating with the ultraviolet light source, and the processing target flowing from the inflow port at the bottom of the box body. The gas is charged by the photoelectrons emitted from the photoelectron emitting material under ultraviolet irradiation set in the center, and the particles are charged by the charged particle collecting electrode material set in the periphery to be purified. The discharged gas flows out of the outlet provided on the outer peripheral side surface of the box into the space, and the space is cleaned. The enclosed space of the present invention can be similarly cleaned not only in the air but also in other gases such as N 2 and Ar. Further, the number of the cleaning apparatuses of the present invention installed in the closed space can be selected by conducting a preliminary test as appropriate according to the size of the space, the performance of the cleaning apparatus to be installed, the cleanliness of the space, and the like.

【0028】[0028]

【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
るが、本発明はこれに何ら限定されるものではない。 実施例1 クラス1000のクリーンルームの液晶工場における液
晶ガラス(基板)保管庫(ストッカ)1中の空気清浄を
図1を用いて説明する。図1において、密閉空間である
基板保管庫1中の空気清浄は、天井部に設置された、紫
外線ランプ2、光電子放出材3、荷電粒子捕集材(電
極)4-1、4-2、遮光材12、箱体13より成る本発明
の空気清浄装置Aにより実施される。液晶ガラス保管庫
1には、液晶ガラス基板10が収納された基板収納キャ
リア9の該保管庫1への出し入れなど、該保管庫1の開
閉によりクリーンルームより粒子状物質(微粒子)6が
侵入するが、該粒子状物質6は、本発明の空気清浄装置
Aにて荷電・捕集され、該基板10が収納された被清浄
空間Bは、クラス1よりも清浄な超清浄空間となる。
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described specifically with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. Example 1 Air cleaning in a liquid crystal glass (substrate) storage (stocker) 1 in a class 1000 clean room liquid crystal factory will be described with reference to FIG. In FIG. 1, air in a substrate storage 1 which is an enclosed space is cleaned by an ultraviolet lamp 2, a photoelectron emitting material 3, a charged particle collecting material (electrode) 4 -1 , 4 -2 , which is installed on a ceiling. The present invention is implemented by the air cleaning device A of the present invention including the light shielding material 12 and the box 13. The particulate matter (fine particles) 6 enters the liquid crystal glass storage 1 from the clean room by opening and closing the storage 1, such as taking the substrate storage carrier 9 storing the liquid crystal glass substrate 10 into and out of the storage 1. The particulate matter 6 is charged and collected by the air cleaning device A of the present invention, and the space B to be cleaned in which the substrate 10 is stored becomes an ultra-clean space that is cleaner than class 1.

【0029】即ち、光電子放出材3と電極4-1、4-2
間に電場を形成した状態で光電子放出材3に紫外線ラン
プ2からの紫外線を照射すると光電子放出材3から光電
子5が放出される。ここで液晶ガラス保管庫1中の微粒
子6は、紫外線ランプ2、光電子放出材3、電極4-1
-2よりなる微粒子の荷電捕集部Cにおいて上述の光電
子5により荷電され、荷電微粒子7となり、該荷電微粒
子7は電極4-1、4-2に捕集され、保管庫1中は超清浄
化される。電極4-1、4-2は、光電子放出材3から光電
子5の放出を効果的に行うための電場設定のための電極
材と、荷電粒子捕集材を兼ねている。ここで、光電子5
により荷電された荷電微粒子7は、空気の流れ8c〜8
aに沿って紫外線ランプ2の左右(4-1、4-2)に設置
された荷電粒子捕集材4-1、4-2により効率良く捕集さ
れる。荷電微粒子7の捕集材4-1、4-2を、空気の流れ
8c〜8aに沿って紫外線ランプ2の左右に設置するこ
とにより、圧力損失が少ない効果的な捕集が行われ、本
発明の特徴の1つである。
That is, when the photoelectron emitting material 3 is irradiated with ultraviolet rays from the ultraviolet lamp 2 in a state where an electric field is formed between the photoelectron emitting material 3 and the electrodes 4 -1 and 4 -2 , the photoelectrons 5 are emitted from the photo electron emitting material 3. Is done. Here, the fine particles 6 in the liquid crystal glass storage 1 are divided into an ultraviolet lamp 2, a photoelectron emitting material 3, an electrode 4 -1 ,
4 The charged collector C of the fine particles consisting -2 charged by photoelectrons 5 described above, next charged particles 7, the charged particles 7 is the collecting electrode 4 -1, 4 -2, Among stocker 1 Ultra It is cleaned. The electrodes 4 -1 and 4 -2 also serve as an electrode material for setting an electric field for effectively emitting the photoelectrons 5 from the photoelectron emitting material 3 and a charged particle collecting material. Here, the photoelectron 5
The charged fine particles 7 charged by the air flow 8c-8
left and right UV lamp 2 along a (4-1, 4 -2) to set up the charged particle collecting material 4 -1, is efficiently collected by 4 -2. By installing the collecting materials 4 -1 and 4 -2 of the charged fine particles 7 on the left and right sides of the ultraviolet lamp 2 along the air flows 8c to 8a, an effective collecting operation with a small pressure loss is performed. This is one of the features of the invention.

【0030】8a、8b、8cは、紫外線ランプ2によ
る本発明の清浄装置A内部の温度上昇に伴い生じる保管
庫1中の空気の流れを示し、この流れにより保管庫1中
の微粒子6は、効果的に荷電・捕集部Cに移動し、荷電
・捕集される。遮光材12は、紫外線ランプ2からの放
射紫外線の基板10への直接照射を防止するために設置
されている。微粒子6は、下方向から上方向の空気の流
れ8cにより、本発明の清浄装置Aに導入される。一
方、微粒子に荷電を与える光電子5は、光電子放出材3
より、上方向から下方向に放出されるので、微粒子6の
荷電効率(光電子5が、微粒子6に付着し、微粒子が電
荷を得る効率)は高くなり、本発明の特徴の1つであ
る。本保管庫1内に、液晶ガラス基板10を収納してお
くと、粒子状物質6による汚染が防止されるので、基板
上の回路(パターン)の断線や短絡が起こらず製品製造
における歩留まりが向上する。本例の紫外線ランプ2
は、殺菌ランプ、光電子放出材3はCu−ZnにAuメ
ッキしたもの、荷電粒子捕集材4-1、4-2は、SUS材
である。
8a, 8b and 8c show the flow of air in the storage 1 caused by the rise in the temperature inside the cleaning device A of the present invention by the ultraviolet lamp 2, and the fine particles 6 in the storage 1 It effectively moves to the charging / collecting section C and is charged / collected. The light shielding material 12 is provided to prevent the ultraviolet rays emitted from the ultraviolet lamp 2 from being directly irradiated on the substrate 10. The fine particles 6 are introduced into the cleaning device A of the present invention by the air flow 8c from the lower direction to the upper direction. On the other hand, the photoelectrons 5 that charge the fine particles are generated by the
Further, since the particles are emitted from the upper side to the lower side, the charging efficiency of the fine particles 6 (the efficiency with which the photoelectrons 5 adhere to the fine particles 6 and the fine particles obtain electric charges) increases, which is one of the features of the present invention. When the liquid crystal glass substrate 10 is stored in the storage 1, contamination by the particulate matter 6 is prevented, so that the circuit (pattern) on the substrate is not disconnected or short-circuited, and the yield in product manufacturing is improved. I do. UV lamp 2 of this example
Is a germicidal lamp, the photoelectron emitting material 3 is Cu-Zn plated with Au, and the charged particle collecting materials 4 -1 and 4 -2 are SUS materials.

【0031】実施例2 クラス1000のクリーンルームの半導体工場における
ウェハ保管庫(ストッカ)1中の空気清浄を図2を用い
説明する。図2において、密閉空間であるウェハ保管庫
1中の空気清浄は、天井部に設置された、紫外線ランプ
2、光電子放出材3、その表面に光触媒14が付加され
た荷電粒子捕集材(電極)4-1、4-2、遮光材12、箱
体13より成る本発明の空気清浄装置Aにより実施され
る。ウェハ保管庫1には、ウェハ10が収納されたウェ
ハキャリア9の該保管庫1への出し入れなど、該保管庫
1の開閉によりクリーンルームより粒子状物質(微粒
子)6及びガス状有害成分15(ここでは、ウェハに付
着するとウェハ表面の接触角を増加させる炭化水素
(例、フタル酸エステル)や解像不良(くもり)を生じ
させるNH3 )が侵入するが、該粒子状物質6は、本発
明の空気清浄装置Aにて荷電・捕集され、またガス状有
害成分15は紫外線ランプ2からの紫外線照射により光
触媒作用を発揮している光触媒14に接触し、分解、無
害化処理され、ウェハ10が収納された被清浄空間はB
は、ガス状有害成分が無害化処理(ウェハ10に対して
不活性ガス化)されたクラス1よりも清浄な超清浄空間
となる。
Embodiment 2 Air cleaning in a wafer storage (stocker) 1 in a semiconductor factory of a class 1000 clean room will be described with reference to FIG. In FIG. 2, air cleaning in a wafer storage 1 which is a closed space is performed by an ultraviolet lamp 2, a photo-electron emitting material 3, and a charged particle collecting material (electrode) to which a photocatalyst 14 is added on its surface, which is installed on the ceiling. This is implemented by the air purifying apparatus A of the present invention comprising 4 -1 , 4 -2 , the light shielding material 12 and the box 13. In the wafer storage 1, the particulate matter (particulates) 6 and the gaseous harmful component 15 (here) are opened and closed from the clean room by opening and closing the storage 1 such as loading and unloading of the wafer carrier 9 in which the wafer 10 is stored in the storage 1. in, hydrocarbons (e.g., phthalic acid ester) to increase the contact angle of the wafer surface when adhered to the wafer NH 3 causing or poor resolution (cloudiness)) but enters, the particulate material 6, the present invention The gaseous harmful component 15 is contacted with the photocatalyst 14 which is exerting a photocatalytic action by irradiation of ultraviolet rays from the ultraviolet lamp 2, is decomposed and detoxified, and the wafer 10 is charged. To be cleaned is B
Is an ultra-clean space that is cleaner than class 1 in which gaseous harmful components are detoxified (inert gasification of the wafer 10).

【0032】即ち、光電子放出材3と電極4-1、4-2
間に電場を形成した状態で光電子放出材3に紫外線ラン
プ2からの紫外線を照射すると光電子放出材3から光電
子5が放出される。ここでウェハ保管庫1中の微粒子6
は、紫外線ランプ、光電子放出材3、電極4-1、4-2
りなる微粒子の荷電捕集部Cにおいて、上述の光電子5
により荷電され、荷電微粒子7となり、該荷電微粒子7
は電極4-1、4-2に捕集され、ウェハ保管庫1中は超清
浄化される。電極4-1、4-2は、光電子放出材3から光
電子5の放出を効果的に行うための電場設定のための電
極材と、荷電粒子のための荷電粒子捕集材を兼ねてい
る。
That is, when the photoelectron emission material 3 is irradiated with ultraviolet rays from the ultraviolet lamp 2 in a state where an electric field is formed between the photoelectron emission material 3 and the electrodes 4 -1 and 4 -2 , the photoelectrons 5 are emitted from the photoelectron emission material 3. Is done. Here, the fine particles 6 in the wafer storage 1
The above-mentioned photoelectrons 5 are charged in the fine particle charge collecting section C composed of an ultraviolet lamp, a photoelectron emitting material 3 and electrodes 4 -1 and 4 -2.
To become charged fine particles 7, and the charged fine particles 7
Are collected by the electrodes 4 -1 and 4 -2, and are ultra-cleaned in the wafer storage 1. The electrodes 4 -1 and 4 -2 also serve as an electrode material for setting an electric field for effectively emitting the photoelectrons 5 from the photoelectron emitting material 3 and a charged particle collecting material for charged particles.

【0033】一方、ガス状有害成分15は、空気の流れ
8a、8b、8cにより、荷電粒子捕集材4-1、4-2
表面及びしゃ光材12の表面に付加された光触媒に接触
し無害化処理される。ここで、光電子5により荷電され
た荷電微粒子7は、空気の流れ8c〜8aに沿って紫外
線ランプ2の左右(4-1、4-2)に設置された荷電粒子
捕集材4-1、4-2により効率良く捕集される。荷電微粒
子7の捕集材4-1、4-2を、空気の流れ8c〜8aに沿
って紫外線ランプ2の左右に設置することにより、圧力
損失が少ない効果的な捕集が行われ、本発明の特徴の1
つである。また、ガス状有害成分15も、前記のごとく
紫外線ランプ2の左右(4-1、4-2)に設置された荷電
粒子捕集材4-1、4-2の表面及び遮光材12の表面に付
加された光触媒14に効率良く接触するので、圧力損失
が少ない効果的な処理が行われる。
On the other hand, the gaseous harmful component 15 comes into contact with the photocatalyst added to the surfaces of the charged particle trapping materials 4 -1 and 4 -2 and the surface of the light shielding material 12 by the air flows 8a, 8b and 8c. It is detoxified. Here, the charged fine particles 7 charged by the photoelectrons 5 are charged particle trapping materials 4 -1 , 4-1 installed on the right and left (4 -1 , 4 -2 ) of the ultraviolet lamp 2 along the air flows 8 c to 8 a. the 4 -2 is efficiently collected. By installing the collecting materials 4 -1 and 4 -2 of the charged fine particles 7 on the left and right sides of the ultraviolet lamp 2 along the air flows 8c to 8a, an effective collecting operation with a small pressure loss is performed. One of the features of the invention
One. In addition, the gaseous harmful component 15 also contains the surfaces of the charged particle trapping materials 4 -1 and 4 -2 and the surface of the light shielding material 12 installed on the left and right (4 -1 and 4 -2 ) of the ultraviolet lamp 2 as described above. Since the photocatalyst 14 is efficiently contacted with the photocatalyst 14, the effective treatment with a small pressure loss is performed.

【0034】8a、8b、8cは、紫外線ランプ2によ
る本発明の清浄装置A内部の温度上昇に伴い生じる保管
庫1中の空気の流れを示し、この流れにより保管庫1中
の微粒子6及びガス状有害成分15は、効果的に荷電・
捕集部Cに移動し、処理される。遮光材12は、紫外線
ランプ2からの放射紫外線のウェハ10への直接照射を
防止するために設置されている。微粒子6は、下方向か
ら上方向の空気の流れ8cにより、本発明の清浄装置A
に導入される。一方、微粒子に荷電を与える光電子5
は、光電子放出材3より、上方向から下方向に放出され
るので、微粒子6の荷電効率(光電子5が、微粒子6に
付着し、微粒子が荷電を得る効率)は高くなり、本発明
の特徴の1つである。光触媒によるガス状有害成分の処
理については、ガス状有害成分の濃度が極低濃度である
ことなどから詳細は不明であるが、炭化水素を例に次に
示す。
8a, 8b and 8c show the flow of air in the storage 1 caused by the rise in the temperature inside the cleaning device A of the present invention by the ultraviolet lamp 2, and the flow shows the fine particles 6 and the gas in the storage 1. Hazardous component 15 is effectively charged and
It moves to collection part C and is processed. The light-shielding member 12 is provided to prevent the ultraviolet rays emitted from the ultraviolet lamp 2 from being directly irradiated on the wafer 10. The fine particles 6 are separated from the cleaning device A of the present invention by the air flow 8c from below to above.
Will be introduced. On the other hand, photoelectrons 5 that charge microparticles 5
Is emitted from the photoelectron emitting material 3 from above to below, so that the charging efficiency of the microparticles 6 (the efficiency of the photoelectrons 5 adhering to the microparticles 6 and the microparticles getting charged) is increased, and the feature of the present invention. It is one of. The details of the treatment of the gaseous harmful component by the photocatalyst are unknown because the concentration of the gaseous harmful component is extremely low, and the like.

【0035】炭化水素(非メタン炭化水素、H.C)
は、基板によっては通常の空気中の濃度(例、一般外
気)でも汚染をもたらす。種々のH.Cのうち、接触角
を増大させる成分は基材の種類(ウエハ、ガラス材な
ど)や基板上の薄膜の種類・性状によって異なると考え
られる。本発明者は鋭意検討した結果、非メタン炭化水
素を指標として、これを光触媒による分解処理により
0.2ppm以下、好ましくは0.1ppm以下まで除
去すれば効果的であることがわかった。すなわち、通常
のクリーンルームにおける基板表面の接触角を増加させ
る有機性ガス(H.C)で共通して言えることは、高分
子量のH.Cが主であり、その構造として−CO、−C
OO結合(親水性を有する)を持つことである。この
H.Cは親水部(−CO、−COO結合部)を有する疎
水性物質(H.Cの基本構造の−C−C−の部分)と考
えることができる。
Hydrocarbons (non-methane hydrocarbons, HC)
Depending on the substrate, even a normal concentration in air (eg, general outside air) causes contamination. Various H. Among C, the component that increases the contact angle is considered to differ depending on the type of substrate (wafer, glass material, etc.) and the type and properties of the thin film on the substrate. As a result of intensive studies, the present inventor has found that it is effective to remove non-methane hydrocarbons to an index of 0.2 ppm or less, preferably 0.1 ppm or less by a photocatalytic decomposition treatment using the index as a parameter. That is, what can be said in common with the organic gas (HC) that increases the contact angle of the substrate surface in a normal clean room is that the high molecular weight H.C. C is mainly used, and its structure is -CO, -C
OO bond (having hydrophilicity). This H. C can be considered as a hydrophobic substance having a hydrophilic part (-CO, -COO bonding part) (a part of -C-C- in the basic structure of HC).

【0036】具体例で説明すると、通常のクリーンルー
ムにおけるウェハ基板などの基板の表面の接触角を増加
させる有機性ガスは、C16〜C20の高分子量H.C、例
えばフタル酸エステル、高級脂肪酸フェノール誘導体で
あり、これらの成分に共通することは化学的構造とし
て、−CO、−COO結合(親水性を有する)を持つ。
これらの汚染有機性ガスの起因は、高分子製品の可塑
剤、離型剤、酸化防止剤などであり、高分子製品の存在
する個所が発生源である(「空気清浄」第33巻、第1
号、p16〜21、1995)。光触媒によるこれらの
有機性ガスの処理メカニズムの詳細は不明であるが、次
のように推定できる。すなわち、これらの有機性ガスは
−CO、−COO結合の部分がウエハやガラス表面のO
H基と水素結合し、その上部は疎水面となり、結果とし
てウエハやガラス表面は疎水性になり、接触角が大きく
なり、その表面に成膜すると膜の付着力は弱い。
[0036] With reference to embodiments, the organic gas to increase the contact angle of the surface of the substrate such as a wafer substrate in a normal clean room, high molecular weight of C 16 -C 20 H. C, for example, a phthalic acid ester and a higher fatty acid phenol derivative. These components have a chemical structure of —CO and —COO bonds (having hydrophilicity) in common.
The cause of these contaminated organic gases is a plasticizer, a release agent, an antioxidant, and the like of the polymer product, and the place where the polymer product exists is a source (see “Air Purification”, Vol. 1
No., p16-21, 1995). The details of the mechanism of treatment of these organic gases by the photocatalyst are unknown, but can be estimated as follows. That is, in these organic gases, the -CO and -COO bond portions are O
A hydrogen bond is formed with the H group, and the upper surface thereof becomes a hydrophobic surface. As a result, the surface of the wafer or glass becomes hydrophobic, the contact angle becomes large, and when the film is formed on the surface, the adhesion of the film is weak.

【0037】有機性ガスが存在する雰囲気に光触媒を設
置すると、先ず、光触媒にウェハやガラス表面と同様に
有機性ガスがその表面に吸着し、次いで、その活性部で
ある−CO、−COO結合部が、光触媒への光の照射で
別の安定な形態に変換される。その結果として、有機性
ガスは安定な形態となり、ウエハやガラス基板上には付
着しないか、又は付着しても疎水性を示さない。本保管
庫1内に、ウェハ10を収納しておくと、粒子状物質6
及びガス状有害物質15による汚染が防止されるので、
ウェハ上の回路(パターン)の断線や短絡が起こらず、
ウェハ表面の接触角が増加さず(ウェハ上に成膜した膜
の付着力が強い)、解像不良が起こらないので、製品製
造における歩留まりが向上する。本例の紫外線ランプ2
は、殺菌ランプ、光電子放出材3はCu−ZnにAuメ
ッキしたもの、荷電粒子捕集材4-1、4-2は、SUS
材、光触媒はTiO2 である。
When a photocatalyst is installed in an atmosphere in which an organic gas is present, first, the organic gas is adsorbed on the surface of the photocatalyst in the same manner as the surface of a wafer or a glass, and then the active portions of the photocatalyst, -CO and -COO bonds, The part is converted to another stable form by irradiation of the photocatalyst with light. As a result, the organic gas is in a stable form, does not adhere to the wafer or the glass substrate, or does not exhibit hydrophobicity even if it adheres. When the wafers 10 are stored in the main storage 1, the particulate matter 6
And contamination by gaseous harmful substances 15 is prevented,
There is no disconnection or short circuit of the circuit (pattern) on the wafer,
Since the contact angle on the wafer surface does not increase (the adhesion of the film formed on the wafer is strong) and no resolution failure occurs, the yield in product manufacturing is improved. UV lamp 2 of this example
Is a germicidal lamp, the photoelectron emitting material 3 is Cu-Zn plated with Au, and the charged particle trapping materials 4 -1 and 4 -2 are SUS
Wood, photocatalyst is TiO 2.

【0038】実施例3 クラス10000のバイオロジカルクリーンルームにお
けるパスボックス(外部とクリーンルーム間に設置され
た器具類などの受け渡し装置)1中の空気清浄を、図3
を用い説明する。図3において、密閉空間であるパスボ
ックス1中の空気清浄は、天井部に設置された紫外線ラ
ンプ(殺菌ランプ)2、光電子放出材3、荷電粒子捕集
材(電極)4-1、4-2、箱体13より成る本発明の空気
清浄装置Aより実施される。パスボックス1には、クリ
ーンルームに搬入する器具類16のパスボックス1への
導入のたびに、外部から菌類、微生物類を含む粒子状物
質6が侵入するが、該菌類、微生物類を含む粒子状物質
6は、本発明の空気清浄装置Aにて荷電・捕集される。
ここで、該菌類、微生物類は本発明の荷電粒子捕集材4
-1、4-2に捕集されるので、極近傍の紫外線ランプ(殺
菌ランプ)2の照射を受け、完全に殺菌(滅菌)され
る。
Example 3 The air purification in the pass box (transfer device for instruments and the like installed between the outside and the clean room) 1 in the biological clean room of class 10000 is shown in FIG.
This will be described. 3, closed air cleaning of the pass box in 1 is a space, the installed ultraviolet lamp in the ceiling portion (germicidal lamp) 2, a photoelectron emitting material 3, the charged particle collecting material (electrode) 4 -1, 4 - 2. It is implemented by the air cleaning device A of the present invention comprising the box 13. Each time the instruments 16 carried into the clean room are introduced into the pass box 1, the particulate matter 6 containing fungi and microorganisms enters the pass box 1. The substance 6 is charged and collected by the air cleaning device A of the present invention.
Here, the fungi and microorganisms are the charged particle collecting material 4 of the present invention.
Since they are collected at -1 and 4-2 , they are irradiated with an ultraviolet lamp (germicidal lamp) 2 in the very vicinity and are completely sterilized (sterilized).

【0039】即ち、空中浮遊菌類や微生物類6は、先ず
パスボックスの空間でその一部が殺菌されるが、生き残
った菌類や微生物類、耐UV性のカビ類などは、本発明
の荷電粒子捕集材4-1、4-2に捕集され、殺菌線(殺菌
ランプからの254nm紫外線)の照射を受けるので、
完全に殺菌(滅菌)される。このようにして、器具類1
6が置かれた被清浄空間Bは、空中浮遊菌類、微生物
類、微粒子6が除去された超清浄空間となる。即ち、光
電子放出材3と電極4-1、4-2の間に電場を形成した状
態で光電子放出材3に紫外線ランプ2からの紫外線を照
射すると光電子放出材3から光電子5が放出される。こ
こでパスボックス1中の菌類、微生物類を含む粒子状物
質6は、紫外線ランプ2、光電子放出材3、電極4-1
-2よりなる粒子状物質の荷電捕集部Cにおいて、上述
の光電子5により荷電され、荷電粒子状物質7となり、
該粒子状物質7は、電極4-1、4-2に捕集され、パスボ
ックス1中は超清浄化される。
That is, the airborne fungi and microorganisms 6 are first partially killed in the space of the pass box, but surviving fungi and microorganisms, UV-resistant fungi and the like are charged particles of the present invention. Since they are collected by the collecting materials 4 -1 and 4 -2 and irradiated with a sterilizing line (254 nm ultraviolet light from a sterilizing lamp),
It is completely sterilized (sterilized). In this way, instruments 1
The to-be-cleaned space B where 6 is placed becomes an ultra-clean space from which airborne fungi, microorganisms and fine particles 6 have been removed. That is, when the photoelectron emission material 3 is irradiated with ultraviolet rays from the ultraviolet lamp 2 in a state where an electric field is formed between the photoelectron emission material 3 and the electrodes 4 -1 and 4 -2 , the photoelectrons 5 are emitted from the photoelectron emission material 3. Here, the particulate matter 6 containing fungi and microorganisms in the pass box 1 contains the ultraviolet lamp 2, the photoelectron emitting material 3, the electrode 4 -1 ,
4 The charged collector C of the particulate matter consisting -2 charged by photoelectrons 5 described above, the charged particulate matter 7, and the
The particulate matter 7 is collected by the electrodes 4 -1 and 4 -2, and is ultra-cleaned in the pass box 1.

【0040】電極4-1、4-2は、光電子放出材3から光
電子5の放出を効果的に行うための電場設定のための電
極材と、荷電粒子捕集材を兼ねている。ここで、光電子
5により荷電された荷電微粒子7は、空気の流れ8c〜
8aに沿って紫外線ランプ2の左右(4-1、4-2)に設
置された荷電粒子捕集材4-1、4-2により効率良く捕集
される。荷電微粒子7の捕集材4-1、4-2を、空気の流
れ8c〜8aに沿って紫外線ランプ2の左右に設置する
ことにより、圧力損失が少ない効果的な捕集が行われ、
本発明の特徴の1つである。8a、8b、8cは、紫外
線ランプ2による本発明の清浄装置A内部の温度上昇に
伴い生じるパスボックス1中の空気の流れを示し、この
流れによりパスボックス1中の菌類、微生物類を含む粒
子状物質6は、効果的に荷電・捕集部Cに移動し、荷電
・捕集される。
The electrodes 4 -1 and 4-2 also serve as an electrode material for setting an electric field for effectively emitting the photoelectrons 5 from the photoelectron emitting material 3 and a charged particle collecting material. Here, the charged fine particles 7 charged by the photoelectrons 5 form the air flows 8c to 8c.
The charged particle collecting materials 4 -1 and 4 -2 installed on the left and right sides (4 -1 and 4 -2 ) of the ultraviolet lamp 2 along 8a efficiently collect the particles. By installing the collecting materials 4 -1 and 4 -2 of the charged fine particles 7 on the left and right sides of the ultraviolet lamp 2 along the air flows 8 c to 8 a, effective collection with a small pressure loss is performed.
This is one of the features of the present invention. 8a, 8b and 8c show the flow of air in the pass box 1 caused by the rise in the temperature inside the cleaning device A of the present invention by the ultraviolet lamp 2, and the flow contains particles containing fungi and microorganisms in the pass box 1. The substance 6 effectively moves to the charging / collecting section C and is charged / collected.

【0041】菌類、微生物類を含む粒子状物質6は、下
方向から上方向への空気の流れ8cにより、本発明の清
浄装置Aに向かうので、向かう途中で殺菌ランプからの
殺菌線(254nm)の紫外線の照射を受けて効率よく
殺菌(滅菌)される。一方、生き残った菌類、微生物類
など(粒子状物質)は、粒子状物質に荷電を与える光電
子5が、光電子放出材3より、上方向から下方向に放出
されるので、該粒子状物質の荷電効率(光電子5が、粒
子状物質6に付着し、粒子状物質が電荷を得る効率)は
高くなり、本発明の特徴の1つである。本パスボックス
1を用いて、器具類(例、手術用具)16をクリーンル
ームに導入すると、該器具類16の菌類や微生物類から
の汚染が防止される。
The particulate matter 6 containing fungi and microorganisms is directed to the cleaning device A of the present invention by the air flow 8c from the downward direction to the upward direction. On the way, the sterilizing line (254 nm) from the sterilizing lamp is passed. And is efficiently sterilized (sterilized) by being irradiated with ultraviolet rays. On the other hand, surviving fungi, microorganisms, etc. (particulate matter) are charged from the photoelectron emitting material 3 from above to below because the photoelectrons 5 that charge the particulate matter are discharged from above. Efficiency (the efficiency at which the photoelectrons 5 adhere to the particulate matter 6 and the particulate matter obtains electric charges) increases, which is one of the features of the present invention. When instruments (eg, surgical instruments) 16 are introduced into a clean room using the present pass box 1, contamination of the instruments 16 from fungi and microorganisms is prevented.

【0042】実施例4 実施例1〜3における別の構造の空気清浄装置Aを、図
4〜7に示す。図4は、網状の光電子放出材3を用いる
点に特徴がある。図5は、図4の空気清浄装置Aにおい
て、光電子放出材3表面及び荷電粒子捕集材4-1、4-2
表面に、光触媒14を付加したものである。図6は、網
状の電極(荷電粒子捕集材)4-1、4-2を用いる点に特
徴がある。図6の空気清浄装置Aは、空中浮遊菌類や微
生物類の捕集・除去に、特に好ましい。図7は、紫外線
ランプ2の表面に光電子放出材3を被覆し、光電子放出
のための電極4-3と、荷電粒子捕集材4-1、4-2を、個
別に設置している点に特徴がある。図4〜図7におい
て、実施例1〜3における図1〜3と同一符号は、同じ
意味を示す。
Embodiment 4 FIGS. 4 to 7 show an air purifying apparatus A having another structure in Embodiments 1 to 3. FIG. FIG. 4 is characterized in that a reticulated photoelectron emitting material 3 is used. FIG. 5 shows the surface of the photoelectron emission material 3 and the charged particle trapping materials 4 -1 and 4 -2 in the air cleaning device A of FIG.
The photocatalyst 14 is added to the surface. FIG. 6 is characterized in that mesh electrodes (charged particle collecting material) 4 -1 and 4 -2 are used. The air cleaning device A of FIG. 6 is particularly preferable for collecting and removing airborne fungi and microorganisms. FIG. 7 shows that the surface of an ultraviolet lamp 2 is covered with a photoelectron emitting material 3, and an electrode 4-3 for photoelectron emission and charged particle trapping materials 4-1 , 4-2 are separately provided. There is a feature. 4 to 7, the same reference numerals as those in FIGS.

【0043】実施例5 図1に示した構成の保管庫に下記試料空気を入れ、紫外
線照射及び電極への電圧の印加を行い、荷電粒子捕集材
が、紫外線ランプの左右に設置された場合(本発明のも
の)、右側のみに設置された場合(比較用)について、
微粒子測定器を用い、保管庫内の微粒子濃度及びウェハ
・ゴミ検出装置を用い、ウェハ上に付着した微粒子数を
調べた。 保管庫の大きさ ; 80リットル 空気清浄装置 ; 下記光電子放出材、紫外線ラ
ンプ、荷電粒子捕集材(電極材)、遮光材を図1のごと
く構成し、保管庫天井面中央部に設置。 (1)光電子放出材:Cu−ZnにAuメッキしたも
の。 (2)紫外線ランプ:殺菌ランプ(10W)。 (3)荷電粒子捕集材:材質 SUS、電界200V/
cm。 (4)遮光材 :SUS材。 試料空気 ; 半導体工場(クラス1,00
0)のクリーンルーム空気。 ウエハ ; 5インチウエハ 微粒子測定器 ; パーティクルカウンター、光
散乱式、>0.1μm
Example 5 The following sample air was put into a storage having the structure shown in FIG. 1 and ultraviolet irradiation and application of voltage to the electrodes were performed. The charged particle trapping material was set on the left and right sides of the ultraviolet lamp. (Of the present invention), when installed only on the right side (for comparison)
Using a particle analyzer, the concentration of the particles in the storage and the number of particles adhering to the wafer were examined using a wafer / dust detector. Storage size; 80 liters Air purifier; Photoelectron emission material, UV lamp, charged particle collection material (electrode material) and light shielding material as shown in Fig. 1 and installed in the center of the ceiling of the storage room. (1) Photoemission material: Cu-Zn plated with Au. (2) UV lamp: sterilizing lamp (10 W). (3) Charged particle collecting material: Material SUS, electric field 200V /
cm. (4) Light shielding material: SUS material. Sample air; semiconductor factory (class 1,00
0) Clean room air. Wafer: 5 inch wafer Particle analyzer: Particle counter, light scattering type,> 0.1 μm

【0044】結果 結果を図8及び表1に示す。図8において、本発明のも
のを−〇−、比較として、荷電粒子捕集材を紫外線ラン
プの右側のみに設置したものを−△−、紫外線ランプの
照射がないもの(ブランク)を−●−で示す。図8中矢
印(↓)は、不検出(クラス1)を示す。表1に、ウェ
ハ上の微粒子数を示す。なお、微粒子数は、1ft3
の粒径0.1μm以上の粒子数(クラス)を示す。
Results The results are shown in FIG. In FIG. 8, the sample of the present invention is −〇−, for comparison, − △ − in which the charged particle trapping material is provided only on the right side of the ultraviolet lamp, and − ● − in which irradiation with the ultraviolet lamp is not performed (blank). Indicated by The arrow (↓) in FIG. 8 indicates non-detection (class 1). Table 1 shows the number of fine particles on the wafer. The number of fine particles indicates the number (class) of particles having a particle size of 0.1 μm or more in 1 ft 3 .

【表1】 [Table 1]

【0045】実施例6 図3に示した構成の殺菌クリーンボックスに下記試料空
気を入れ、紫外線照射及び電極への電圧の印加を行い、
荷電粒子捕集材が、紫外線ランプの左右に設置された場
合(本発明のもの)、右側のみに設置された場合(比較
用)について、該空気中の浮遊菌、微生物の殺菌(滅
菌)及び微粒子除去効果について調べた。 クリーンボックスの大きさ ; 80リットル 空気清浄装置 ; 下記光電子放出材、紫外線ラ
ンプ、荷電粒子捕集材(電極材)を図3のごとく構成
し、保管庫天井面中央部に設置。 (1)光電子放出材:Cu−ZnにAuメッキしたも
の。 (2)紫外線ランプ:殺菌ランプ(10W)。 (3)荷電粒子捕集材:材質 SUS、電界200V/
cm。
Example 6 The following sample air was put into a sterilizing clean box having the structure shown in FIG. 3, and ultraviolet irradiation and application of voltage to the electrodes were performed.
When the charged particle collecting material is installed on the left and right sides of the ultraviolet lamp (of the present invention) or only on the right side (for comparison), sterilization (sterilization) of airborne bacteria and microorganisms in the air and The effect of removing fine particles was examined. Clean box size; 80 liters Air purifier; The following photoelectron emission material, ultraviolet lamp, and charged particle collecting material (electrode material) are configured as shown in Fig. 3 and installed in the center of the ceiling of the storage room. (1) Photoemission material: Cu-Zn plated with Au. (2) UV lamp: sterilizing lamp (10 W). (3) Charged particle collecting material: Material SUS, electric field 200V /
cm.

【0046】試料空気 ; 病院におけるク
リーンルーム(クラス10,000)の空気。 殺菌効果の測定 ; 殺菌クリーンボックス内空気
を、ULPAフィルタに通した高圧容器詰めN2 ガスを
用いて追い出し、該追い出しガスを寒天培地に吹き付
け、30℃で72時間培養した後のコロニー数を観察し
た。 微粒子濃度の測定 ; 上記測定と同様にして追い出
したガス中微粒子濃度をパーティクルカウンター(光散
乱式、>0.1μm)を用い計測した。
Sample air: air in a clean room (class 10,000) in a hospital. Measurement of bactericidal effect; air in sterilized clean box was expelled using N 2 gas packed in a high-pressure container passed through an ULPA filter, and the expelled gas was sprayed on an agar medium, and the number of colonies after culturing at 30 ° C for 72 hours was observed. did. Measurement of concentration of fine particles: The concentration of fine particles in the gas expelled in the same manner as above was measured using a particle counter (light scattering type,> 0.1 μm).

【0047】結果 結果を表2(コロニー数)、表3(微粒子濃度)に示
す。結果は、5回行った測定値を示す。
Results The results are shown in Table 2 (number of colonies) and Table 3 (concentration of fine particles). The results show the values measured five times.

【表2】 [Table 2]

【0048】[0048]

【表2】 [Table 2]

【0049】[0049]

【発明の効果】本発明によれば、次のような効果を奏す
ることができる。 1)紫外線照射により光電子放出材から光電子を放出さ
せ、該光電子により密閉空間中の粒子状物質に電荷を与
え、荷電・捕集する空間の清浄方式において、空間の天
井面に光電子放出材と、紫外線源と、その左右、周囲に
荷電粒子捕集材(電極)を設置し、外枠で囲んだ箱体内
に一体化して収容(ユニット化)したことにより、 (a)光電子により荷電された荷電粒子状物質は、前記
照射源からの照射により生じる空気の流れが、照射源の
左右、周囲に均一に起こるので、照射源の左右、周囲に
設置された荷電粒子捕集材により、効率良く捕集され、
空間は効果的に清浄化される。 (b)箱体内に一体化したことにより、取り扱い(取り
外し、取り付け、保守管理)が容易となった。また安全
性が向上した。 (c)(b)により既存の空間(被清浄空間)に簡単に
取り付けできるので、用途が広がった。 (d)天井部に取り付けすれば良いので、床面の作業面
積が全面にわたり使用できる(有効作業面積が広くなっ
た)。 (e)前記箱体は、用途によっては、遮蔽材の役目を兼
ねることができるので、用途が広がった。
According to the present invention, the following effects can be obtained. 1) In a cleaning method of a space in which photoelectrons are emitted from a photoelectron emitting material by irradiation of ultraviolet rays, charges are given to particulate matter in a closed space by the photoelectrons, and charged and collected, a photoelectron emitting material is provided on a ceiling surface of the space; By installing an ultraviolet light source and charged particle collecting materials (electrodes) on the left, right and surroundings, and integrating and storing (unitized) in a box surrounded by an outer frame, (a) charged by photoelectrons The particulate matter is efficiently trapped by the charged particle collecting material installed on the left, right, and around the irradiation source because the air flow generated by the irradiation from the irradiation source occurs uniformly on the left, right, and around the irradiation source. Gathered,
The space is effectively cleaned. (B) By being integrated in the box, handling (removal, installation, maintenance and management) is facilitated. Safety has also improved. (C) and (b) can be easily attached to an existing space (cleaned space), so that the use has been expanded. (D) The work area on the floor can be used over the entire surface because the work area may be attached to the ceiling (the effective work area is increased). (E) The use of the box has been expanded because it can also serve as a shielding material depending on the use.

【0050】2)前記ユニットにおいて、紫外線が照射
される位置に光触媒を付加(被覆)することにより、粒
子状物質に共存するガス状有害成分が同時に処理され
る。即ち、粒子とガスの同時除去が簡易にできるように
なり、用途が広がった。 3)前記のユニットにおける紫外線源として、殺菌ラン
プを用いることにより、 (a)空中浮遊菌類や微生物類の浮遊状態での殺菌は、
該菌や微生物の種類によっては完全には困難であるが、
本発明では菌や微生物類を荷電捕集し、長時間にわたり
捕集材近傍の殺菌ランプからの殺菌線の照射を行うの
で、殺菌(滅菌)効果が完全により、安全性が向上し
た。また、これにより増殖の心配がないので、安心して
使用できる装置となった。例えば、黒色胞子などのカビ
類は、耐UV性に強く、通常の空中浮遊状態では、完全
な殺菌は困難であるが、前記のごとく、本発明では効果
的な殺菌ができる。 (b)上記において、微粒子も同時除去できるので、菌
類や微生物類が除去された無菌、除塵空間(クラス1よ
りも清浄な無菌な超清浄空間)が効果的に創出された。
2) In the unit, by adding (coating) a photocatalyst to a position irradiated with ultraviolet rays, gaseous harmful components coexisting with the particulate matter are simultaneously treated. That is, simultaneous removal of particles and gas can be easily performed, and the use has been expanded. 3) By using a germicidal lamp as an ultraviolet light source in the unit, (a) sterilization in a floating state of airborne fungi and microorganisms is performed by:
Although it is completely difficult depending on the type of the fungus or microorganism,
According to the present invention, bacteria and microorganisms are charged and collected, and irradiation with a germicidal line from a germicidal lamp in the vicinity of the collecting material is performed for a long period of time. Therefore, the bactericidal (sterilizing) effect is complete and safety is improved. In addition, since there is no fear of multiplication, the device can be used with confidence. For example, molds such as black spores are highly resistant to UV and are difficult to completely sterilize in a normal airborne state, but as described above, effective sterilization can be performed in the present invention. (B) In the above, since the fine particles can be removed at the same time, a sterile and dust-free space from which fungi and microorganisms have been removed (a sterile ultra-clean space that is cleaner than class 1) has been effectively created.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の清浄装置を液晶ガラス保管庫に用いた
概略構成図。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram in which a cleaning device of the present invention is used for a liquid crystal glass storage.

【図2】本発明の別の清浄装置をウェハ保管庫に用いた
概略構成図。
FIG. 2 is a schematic configuration diagram in which another cleaning apparatus of the present invention is used for a wafer storage.

【図3】本発明のたの清浄装置をパスボックスに用いた
概略構成図。
FIG. 3 is a schematic configuration diagram in which a cleaning device according to the present invention is used for a pass box.

【図4】本発明の清浄装置の一例を示す概略構成図。FIG. 4 is a schematic configuration diagram showing an example of a cleaning device of the present invention.

【図5】本発明の清浄装置の一例を示す概略構成図。FIG. 5 is a schematic configuration diagram showing an example of a cleaning device of the present invention.

【図6】本発明の清浄装置の一例を示す概略構成図。FIG. 6 is a schematic configuration diagram showing an example of a cleaning device of the present invention.

【図7】本発明の清浄装置の一例を示す概略構成図。FIG. 7 is a schematic configuration diagram showing an example of the cleaning device of the present invention.

【図8】本発明の結果を示す保持時間(h)による微粒
子数(ft3 )の変化を示すグラフ。
FIG. 8 is a graph showing the change in the number of fine particles (ft 3 ) depending on the retention time (h) showing the results of the present invention.

【図9】公知の清浄装置を用いたウェハ保管庫の概略構
成図。
FIG. 9 is a schematic configuration diagram of a wafer storage using a known cleaning device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1:密閉空間、2:紫外線ランプ、3:光電子放出材、
-1、4-2、4-3:荷電粒子捕集材(電極)、5:光電
子、6:微粒子、7:荷電微粒子、8:空気の流れ、
9:収納キャリヤ、10:基板(ガラス、ウェハ)、1
1:反射面、12:遮光材、13:箱体、14:光触
媒、15:ガス状有害成分、16:器具類、A:空気清
浄装置、B:被清浄空間、C:荷電捕集部
1: enclosed space, 2: ultraviolet lamp, 3: photoemission material,
4 -1 , 4 -2 , 4 -3 : charged particle collecting material (electrode), 5: photoelectron, 6: fine particle, 7: charged fine particle, 8: air flow,
9: storage carrier, 10: substrate (glass, wafer), 1
1: reflective surface, 12: light shielding material, 13: box, 14: photocatalyst, 15: gaseous harmful component, 16: instruments, A: air cleaning device, B: space to be cleaned, C: charge collection unit

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 紫外線源と、光電子放出材と、電場設定
及び荷電粒子捕集用電極材とを備えてなる気体の清浄装
置において、外枠で囲んだ箱体を有し、該箱体の中央部
に紫外線源と光電子放出材を配備し、その外周部に前記
電極材を設けて一体化すると共に、前記箱体の中央部下
方に気体の流入口を有し、外周側面部に気体の流出口を
有することを特徴とする気体の清浄装置。
1. A gas cleaning apparatus comprising an ultraviolet light source, a photoelectron emitting material, and an electrode material for setting an electric field and collecting charged particles, comprising a box surrounded by an outer frame. An ultraviolet light source and a photoelectron emitting material are provided at the center, and the electrode material is provided and integrated at the outer periphery thereof, and a gas inflow port is provided below the center of the box body. A gas purifier having an outlet.
【請求項2】 前記清浄装置において、箱体内の紫外線
が照射される照射面に光触媒を配することを特徴とする
請求項1記載の気体の清浄装置。
2. The gas cleaning apparatus according to claim 1, wherein a photocatalyst is disposed on an irradiation surface of the box body to be irradiated with ultraviolet rays.
【請求項3】 前記捕集用電極材は、流出口に向って気
体の流れに沿って設置されていることを特徴とする請求
項1又は2記載の気体の清浄装置。
3. The gas cleaning apparatus according to claim 1, wherein the collecting electrode material is provided along a gas flow toward an outlet.
【請求項4】 密閉空間中の気体を清浄化する方法にお
いて、該密閉空間の天井部に、請求項1、2又は3記載
の気体の清浄装置を気体の流入口を下方に向けて設置し
て、密閉空間中の気体を該装置に通すことを特徴とする
密閉空間の清浄方法。
4. A method for purifying gas in an enclosed space, wherein the gas purifying device according to claim 1, 2 or 3 is installed on a ceiling of the enclosed space with the gas inlet directed downward. And passing the gas in the enclosed space through the device.
【請求項5】 請求項1、2又は3記載の気体の清浄装
置を、天井部に気体の流入口を下方に向けて設置したこ
とを特徴とする密閉空間。
5. A closed space, wherein the gas purifying apparatus according to claim 1, 2 or 3, is installed in a ceiling with a gas inlet directed downward.
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