JPH10242083A - Dicing method - Google Patents

Dicing method

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Publication number
JPH10242083A
JPH10242083A JP4203397A JP4203397A JPH10242083A JP H10242083 A JPH10242083 A JP H10242083A JP 4203397 A JP4203397 A JP 4203397A JP 4203397 A JP4203397 A JP 4203397A JP H10242083 A JPH10242083 A JP H10242083A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dicing
ultraviolet
semiconductor wafer
frame
tape
Prior art date
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Application number
JP4203397A
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Japanese (ja)
Inventor
Takashi Mori
俊 森
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Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
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Publication date
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Publication of JPH10242083A publication Critical patent/JPH10242083A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To slightly lower the adhesion of a dicing tape to prevent fine breaks around grooves of a tape and wafer during adhering. SOLUTION: After carrying a frame 12 out of a cassette 21, it is positioned on an ultraviolet irradiator 31 during carrying to a chuck table 26, and slightly irradiated with ultraviolet rays to slightly lower the adhesion of an ultraviolet setting type dicing tape 11 to about 1200g/25mm measured according to JIS Z0237, as well as to lower the flexibility, thus stabilizing the hold condition of a semiconductor wafer 10. The frame 12 holding the semiconductor wafer after the ultraviolet irradiation is carried to and vacuum-held with the table 26 by the revolution of a first conveyer 25.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハの
ダイシング方法に関するもので、詳しくは、半導体ウェ
ーハを保持するためのテープとして紫外線硬化型ダイシ
ング用テープを使用し、この紫外線硬化型ダイシング用
テープに対してダイシング前に紫外線を僅かに照射する
ことにより、ダイシングにより形成されるチップの品質
の向上を図ったダイシング方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for dicing a semiconductor wafer, and more particularly, to an ultraviolet-curable dicing tape used as a tape for holding a semiconductor wafer. On the other hand, the present invention relates to a dicing method in which the quality of a chip formed by dicing is improved by slightly irradiating ultraviolet rays before dicing.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体ウェーハWのダイシングを行う図
5に示したダイシング装置20においては、半導体ウェ
ーハ10を粘着テープ11を介して保持したフレーム1
2は、カセット21内に25枚程収容されて、カセット
載置領域22に載置される。そして、カセット21内に
収容されたフレーム12は、ウェーハ搬出入手段23に
よってフレーム領域24まで搬出され、その後、第一の
搬送手段25の旋回動によってチャックテーブル26ま
で搬送され、吸引保持される。
2. Description of the Related Art In a dicing apparatus 20 shown in FIG. 5 for dicing a semiconductor wafer W, a frame 1 holding a semiconductor wafer 10 via an adhesive tape 11 is used.
2 are stored in the cassette mounting area 22 while about 25 sheets are accommodated in the cassette 21. Then, the frame 12 stored in the cassette 21 is carried out to the frame area 24 by the wafer carrying-in / out means 23, and thereafter, is carried to the chuck table 26 by the turning movement of the first carrying means 25, and is suction-held.

【0003】チャックテーブル26に吸引保持された半
導体ウェーハ10は、チャックテーブル26の移動によ
ってアライメント手段27の直下に位置付けされると、
半導体ウェーハ10の面に形成されたIC等の半導体チ
ップを区画するストリートと称する切削ラインと、該ス
トリートを切削するブレード28との位置合わせを行う
ためのパターンマッチング等の画像処理がアライメント
手段27によって行われ、アライメントが遂行される。
When the semiconductor wafer 10 sucked and held by the chuck table 26 is positioned immediately below the alignment means 27 by the movement of the chuck table 26,
Image processing such as pattern matching for aligning a cutting line called a street for dividing a semiconductor chip such as an IC formed on the surface of the semiconductor wafer 10 with a blade 28 for cutting the street is performed by the alignment means 27. The alignment is performed.

【0004】上記アライメントがなされると、チャック
テーブル26は、ブレード28が挿着された切削領域ま
で移動し、該切削領域においてチャックテーブル26に
保持されたフレーム12に保持された半導体ウェーハ1
0のストリートは、ブレード28により切削されて、ダ
イシングが遂行される。
When the alignment is performed, the chuck table 26 moves to a cutting area where the blade 28 is inserted, and in the cutting area, the semiconductor wafer 1 held by the frame 12 held by the chuck table 26 is moved.
The 0 street is cut by the blade 28 to perform dicing.

【0005】ダイシングが完了すると、チャックテーブ
ル26は、ダイシング前に半導体ウェーハ10が第一の
搬送手段25によって搬送された位置まで戻る。そし
て、チャックテーブル26の吸引力が解除され、半導体
ウェーハ10を保持したフレーム12は、第二の搬送手
段29によって吸着され、洗浄兼スピン乾燥領域30ま
で搬送されて、洗浄、スピン乾燥が行われる。
When the dicing is completed, the chuck table 26 returns to the position where the semiconductor wafer 10 was transferred by the first transfer means 25 before dicing. Then, the suction force of the chuck table 26 is released, and the frame 12 holding the semiconductor wafer 10 is sucked by the second transfer means 29 and transferred to the cleaning / spin drying area 30, where cleaning and spin drying are performed. .

【0006】洗浄兼スピン乾燥領域30において半導体
ウェーハ10の洗浄、スピン乾燥が行われた後、半導体
ウェーハ10は、第一の搬送手段25の旋回動によって
フレーム領域24まで搬送され、ウェーハ搬出入手段2
3によってカセット21内の所定場所に搬入されて一連
のダイシング作業が終了する。
After the semiconductor wafer 10 has been washed and spin-dried in the washing / spin-drying area 30, the semiconductor wafer 10 is transferred to the frame area 24 by the turning movement of the first transfer means 25, and the wafer loading / unloading means is provided. 2
By 3, it is carried into a predetermined place in the cassette 21, and a series of dicing operations is completed.

【0007】このようにダイシングが行われると、半導
体ウェーハ10は個々のチップに分割されるが、各チッ
プは依然として粘着テープ11を介してフレーム12に
保持されているため、粘着テープ11の粘着力によって
バラバラにならず、半導体ウェーハ10全体としてダイ
シング前の形状が維持されている。従って、ダイシング
後は、個々のチップを粘着テープ11から剥離させてピ
ックアップする工程が必要となる。
When dicing is performed in this manner, the semiconductor wafer 10 is divided into individual chips. Since each chip is still held on the frame 12 via the adhesive tape 11, the adhesive strength of the adhesive tape 11 Accordingly, the shape before dicing is maintained as a whole of the semiconductor wafer 10. Therefore, after dicing, a step of picking up individual chips from the adhesive tape 11 is required.

【0008】個々のチップの粘着テープ11からの剥離
を容易とするための一つの手法として、粘着テープに紫
外線硬化型ダイシング用テープを用いる手法が周知とな
っている。この手法によれば、ダイシング後に紫外線硬
化型ダイシング用テープに紫外線(UV)を十分に照射
することにより、接着力を充分に低下させることがで
き、接着力の低下により、次の工程で遂行されるチップ
のピックアップ作業も円滑に行うことができるのであ
る。
As one method for facilitating the separation of the individual chips from the adhesive tape 11, a method using an ultraviolet-curable dicing tape as the adhesive tape is well known. According to this method, the adhesive force can be sufficiently reduced by sufficiently irradiating the ultraviolet-curable dicing tape with ultraviolet rays (UV) after dicing, and the adhesive is reduced in the next step due to the reduced adhesive force. The chip picking operation can be performed smoothly.

【0009】上記紫外線の照射をダイシングの一連の工
程で連続して行う場合は、ダイシング装置20におい
て、紫外線照射ユニット31aまたは31bを設けるこ
とによって、生産性を向上させることができる。
When the irradiation of the ultraviolet rays is performed continuously in a series of dicing steps, the productivity can be improved by providing an ultraviolet irradiation unit 31a or 31b in the dicing apparatus 20.

【0010】紫外線照射ユニット31aを配設させた場
合には、洗浄兼スピン乾燥領域30において洗浄及びス
ピン乾燥を終了したダイシング済の半導体ウェーハ10
を、第一の搬送手段25を用いてチャックテーブル26
からフレーム領域24に旋回させる過程において、紫外
線照射ユニット31aの直上に半導体ウェーハ10を位
置付けて紫外線の照射を行うことができる。
When the ultraviolet irradiation unit 31a is provided, the diced semiconductor wafer 10 which has been washed and spin-dried in the washing and spin-drying area 30 is used.
To the chuck table 26 using the first transfer means 25.
In the process of turning to the frame region 24 from above, the semiconductor wafer 10 can be positioned just above the ultraviolet irradiation unit 31a and the ultraviolet irradiation can be performed.

【0011】一方、紫外線照射ユニット31bを配設さ
せた場合には、ダイシング済の半導体ウェーハ10を紫
外線照射ユニット31bの上部に搬送するための手段、
例えば、図6に示すような紫外線照射用搬送手段40を
設けることが必要となる。
On the other hand, when the ultraviolet irradiation unit 31b is provided, means for transferring the diced semiconductor wafer 10 to an upper portion of the ultraviolet irradiation unit 31b;
For example, it is necessary to provide an ultraviolet irradiation transfer means 40 as shown in FIG.

【0012】この紫外線搬送手段40は、カセット載置
領域22に載置したカセット21の開口部側の近傍から
紫外線照射ユニット31bの近傍にかけて設けた基部4
2と、基部42をPQ方向に摺動する搬送部43と、垂
直方向に上下する上下動部44と、上下動部44の先端
に設けた吸着部45とから構成されている。
The ultraviolet transport means 40 includes a base 4 provided from the vicinity of the opening of the cassette 21 mounted on the cassette mounting area 22 to the vicinity of the ultraviolet irradiation unit 31b.
2, a transport unit 43 that slides on the base 42 in the PQ direction, a vertical moving unit 44 that moves up and down in the vertical direction, and a suction unit 45 provided at the tip of the vertical moving unit 44.

【0013】第一の搬送手段25の旋回動により洗浄及
びスピン乾燥領域30から搬送されてフレーム領域24
に載置されたフレーム12は、上下動部44が降下する
ことによって吸着部45によって吸着される。そして、
吸着状態を維持したまま、上下動部44を若干上昇さ
せ、搬送部43をP方向に移動させて紫外線照射ユニッ
ト31bの直上に位置付け、必要であれば上下動部44
若干降下させることによって、紫外線硬化型ダイシング
用テープ11に紫外線が充分に照射され、接着力が弱ま
る。
[0013] The frame area 24 is conveyed from the washing and spin-drying area 30 by the turning movement of the first conveying means 25.
The frame 12 placed on the frame 12 is sucked by the suction unit 45 when the vertically moving unit 44 descends. And
While maintaining the suction state, the vertically moving section 44 is slightly raised, and the transport section 43 is moved in the P direction to be positioned immediately above the ultraviolet irradiation unit 31b.
By slightly lowering the adhesive, the ultraviolet curing type dicing tape 11 is sufficiently irradiated with ultraviolet rays, and the adhesive strength is weakened.

【0014】紫外線の照射後は、搬送部43をQ方向に
摺動させると共に、上下動部44を降下させ、吸着部4
5による吸着を解除して再びフレーム領域24にフレー
ム12を載置する。そして、ダイシング後の半導体ウェ
ーハ10を粘着力の弱まった紫外線硬化型ダイシング用
テープ11により保持したフレーム12は、搬出入手段
23によって、カセット21内に収容される。
After the irradiation of the ultraviolet rays, the transport section 43 is slid in the Q direction, and the vertically moving section 44 is lowered, so that the suction section 4 is moved.
5 and the frame 12 is placed on the frame area 24 again. Then, the frame 12 holding the diced semiconductor wafer 10 by the ultraviolet-curing dicing tape 11 having weakened adhesive force is accommodated in the cassette 21 by the carrying-in / out means 23.

【0015】[0015]

【発明が解決しようとする課題】上述の従来例のよう
に、粘着テープとして紫外線硬化型ダイシング用テープ
を用いた場合でも、ダイシング時には紫外線の照射が未
だ行われていないため、半導体ウェーハは、紫外線硬化
型ダイシング用テープの強力な粘着力により保持されて
いる。
Even when an ultraviolet-curable dicing tape is used as the adhesive tape as in the above-mentioned conventional example, the semiconductor wafer is exposed to the ultraviolet light because dicing has not yet been performed. It is held by the strong adhesive force of the curable dicing tape.

【0016】また、紫外線硬化型ダイシング用テープ
は、粘着力の低下に伴って柔軟性も低下し、硬化すると
いう性質を有しており、紫外線照射前の粘着力が強力な
ときは、柔軟性も高くなっている。従って、この柔軟性
が原因となって、ダイシング時の半導体ウェーハの保持
状態が不安定になるという問題がある。
The UV-curable dicing tape also has the property that the flexibility decreases with the decrease in the adhesive strength, and that the tape is cured. Is also higher. Therefore, there is a problem that the holding state of the semiconductor wafer during dicing becomes unstable due to this flexibility.

【0017】この不安定な保持状態は、ストリートの切
削時に、図7に示すチップ50のように細かな欠け(チ
ッピング)51が生ずる原因となっており、このチッピ
ング51は、チップ50がICパッケージにパッケージ
ングされる際に割れの原因となったり、パッケージング
後の電流のオン/オフの断続によってクラックが生じた
りする原因となったりするものである。
This unstable holding state causes a small chipping (chipping) 51 as shown in FIG. 7 when cutting the street, and this chipping 51 is caused by the chip 50 having an IC package. This may cause cracking when packaged, or cause cracks due to intermittent ON / OFF of current after packaging.

【0018】従って、従来のダイシングにおいては、半
導体ウェーハを安定的に保持することによりチッピング
を減少させ、チップの品質の向上を図ることに解決しな
ければならない課題を有している。
Therefore, the conventional dicing has a problem to be solved in that chipping is reduced by stably holding the semiconductor wafer and chip quality is improved.

【0019】[0019]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の手段として、本発明は、少なくとも、半導体ウェーハ
を紫外線硬化型ダイシング用テープを介してフレームに
配設する工程と、半導体ウェーハをダイシングする前
に、紫外線硬化型ダイシング用テープに紫外線を僅かに
照射する工程と、該紫外線硬化型ダイシング用テープの
接着剤が僅かに硬化した状態でダイシングを遂行するダ
イシング工程とを含むダイシング方法、及び、少なくと
も、半導体ウェーハを紫外線硬化型ダイシング用テープ
を介してフレームに配設する工程と、該フレームに配設
された半導体ウェーハをカセットに収納し、ダイシング
装置のカセット載置領域に載置する工程と、フレームに
配設された半導体ウェーハをカセットから搬出し、ダイ
シングを遂行するまでの間に紫外線硬化型ダイシング用
テープに紫外線を僅かに照射する工程と、該紫外線硬化
型ダイシング用テープの粘着性が僅かに硬化した状態で
ダイシングを遂行するダイシング工程とを含むダイシン
グ方法を提供するものである。
As means for solving the above problems, the present invention provides at least a step of arranging a semiconductor wafer on a frame via an ultraviolet curing type dicing tape, and dicing the semiconductor wafer. Before, a step of slightly irradiating the ultraviolet-curable dicing tape with ultraviolet light, and a dicing method including a dicing step of performing dicing in a state where the adhesive of the ultraviolet-curable dicing tape is slightly cured, and At least, a step of disposing a semiconductor wafer on a frame via an ultraviolet-curing dicing tape, and a step of storing the semiconductor wafer disposed on the frame in a cassette and mounting the semiconductor wafer on a cassette mounting area of a dicing apparatus. Unloading the semiconductor wafers placed on the frame from the cassette and performing dicing. A step of slightly irradiating the ultraviolet-curable dicing tape with ultraviolet light during the dicing step, and a dicing step of performing dicing in a state where the adhesiveness of the ultraviolet-curable dicing tape is slightly cured. Things.

【0020】また、ダイシング工程が終了した後に、紫
外線硬化型ダイシング用テープに紫外線を充分照射して
接着力を充分低下させる工程を含むこと、紫外線を僅か
に照射する工程では、JIS Z0237に準ずる接着
力が、略1200g/25mmに低下するようにしたこ
と、を付加的要件として含むものである。
Further, after the dicing step is completed, a step of sufficiently irradiating the ultraviolet curing type dicing tape with ultraviolet rays to sufficiently lower the adhesive force is included. In the step of slightly irradiating the ultraviolet rays, an adhesive conforming to JIS Z0237 is used. The additional requirement that the force be reduced to approximately 1200 g / 25 mm is included.

【0021】半導体ウェーハをダイシングする前に、紫
外線硬化型ダイシング用テープに紫外線を僅かに照射す
る工程を含むことにより、紫外線硬化型ダイシング用テ
ープの接着力が低下し、これに伴い柔軟性も低下して硬
化するので、切削時に半導体ウェーハのテープと接着し
ている面(裏面)の溝周辺に生じる細かな欠け(チッピ
ング)が生じることがなく、チップの品質を向上させる
ことができる。
Before the dicing of the semiconductor wafer, the step of slightly irradiating the ultraviolet-curable dicing tape with ultraviolet light is included, whereby the adhesive force of the ultraviolet-curable dicing tape is reduced, and the flexibility is also reduced. As a result, chipping does not occur around the groove on the surface (back surface) of the semiconductor wafer that is bonded to the tape during cutting, and chip quality can be improved.

【0022】また、紫外線硬化型ダイシング用テープ
は、僅かに硬化しているため、ダイシングによるビビリ
振動も少なく、半導体ウェーハの表面に形成される切削
溝の周辺にもチッピングが生じにくく、チップの品質を
より向上させることができる。
Further, since the ultraviolet-curing dicing tape is slightly hardened, chatter vibration due to dicing is small, chipping hardly occurs around a cutting groove formed on the surface of the semiconductor wafer, and chip quality is reduced. Can be further improved.

【0023】更に、フレームに配設された半導体ウェー
ハをカセットから搬出し、ダイシングを遂行するまでの
間に紫外線硬化型ダイシング用テープに紫外線を僅かに
照射する工程を含むことにより、一連の工程内において
紫外線の僅かな照射を効率的に行うことができる。
Further, a step of unloading the semiconductor wafer disposed on the frame from the cassette and slightly irradiating the ultraviolet-curable dicing tape with ultraviolet light until the dicing is carried out includes a step of performing a series of steps. In this case, slight irradiation of ultraviolet light can be efficiently performed.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て、図1に示すフローチャートを参照して詳細に説明す
る。なお、本発明に係るダイシング方法の実施に当たっ
ては、従来の技術で説明したダイシング装置20がその
まま使用できるので、図5及び図6を参照して説明する
こととする。
Next, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the flowchart shown in FIG. In implementing the dicing method according to the present invention, since the dicing apparatus 20 described in the related art can be used as it is, description will be given with reference to FIGS.

【0025】ダイシングしようとする半導体ウェーハ1
0は、図2に示すように、紫外線硬化型ダイシング用テ
ープ11を介しフレーム12に配設し(ステップST
1)、このフレーム12は、カセット21に25枚程収
容されてカセット載置領域22に載置される(ステップ
ST2)。そして、カセット載置領域22に載置された
カセット21に収容されたフレーム12は、ウェーハ搬
出入手段23によってフレーム領域24まで搬出される
(ステップST3)。
Semiconductor wafer 1 to be diced
0 is disposed on the frame 12 via the ultraviolet curing type dicing tape 11 as shown in FIG.
1) The frame 12 is stored in the cassette mounting area 22 with about 25 sheets stored in the cassette 21 (step ST2). Then, the frame 12 housed in the cassette 21 placed in the cassette placement area 22 is carried out to the frame area 24 by the wafer carrying-in / out means 23 (step ST3).

【0026】次に、半導体ウェーハ10を保持したフレ
ーム12は、第一の搬送手段25に吸着され、第一の搬
送手段25が旋回動することによりチャックテーブル2
6まで搬送されて吸引保持されるが、紫外線照射ユニッ
ト31aを配設させた場合は、フレーム12は第一の搬
送手段25の旋回時、即ち、フレーム12をカセット2
1から搬出後、チャックテーブル26に搬送するまでの
間に、紫外線照射ユニット31aの上部に位置づけら
れ、このときに紫外線の照射を受けることができる(ス
テップST4)。
Next, the frame 12 holding the semiconductor wafer 10 is attracted to the first transfer means 25, and the first transfer means 25 pivots to rotate the chuck table 2.
6, the frame 12 is sucked and held. However, when the ultraviolet irradiation unit 31a is provided, the frame 12 is rotated when the first transfer unit 25 is turned, that is, the frame 12 is
After being unloaded from 1 and before being transported to the chuck table 26, it is positioned above the ultraviolet irradiation unit 31a, and can be irradiated with ultraviolet light at this time (step ST4).

【0027】紫外線硬化型ダイシング用テープ11は、
紫外線を充分照射することによって、例えばJIS規格
JIS Z0237に準ずる接着力測定で2400g/
25mmの接着力が30g/25mmまで低下するもの
であり、それに伴って柔軟性も低下する性質を有してい
る。
The ultraviolet curing type dicing tape 11 is
By sufficiently irradiating ultraviolet rays, for example, 2400 g / g in an adhesive force measurement according to JIS Z0237.
The adhesive strength of 25 mm is reduced to 30 g / 25 mm, and the flexibility is also reduced accordingly.

【0028】従って、ここで僅かに紫外線を照射するこ
とにより、紫外線硬化型ダイシング用テープ11の接着
力をJIS規格JIS Z0237に準ずる接着力測定
で略1200g/25mmに若干低下させると共に、柔
軟性も低下して適宜に硬化され、半導体ウェーハ10の
保持状態が安定化される。
Therefore, by slightly irradiating the ultraviolet rays, the adhesive force of the ultraviolet-curable dicing tape 11 is slightly reduced to approximately 1200 g / 25 mm by an adhesive force measurement according to JIS standard JIS Z0237, and the flexibility is also improved. The temperature is lowered and appropriately cured, and the holding state of the semiconductor wafer 10 is stabilized.

【0029】このように紫外線の照射を行った後、半導
体ウェーハ10を保持したフレーム12は、第一の搬送
手段25の旋回動によりチャックテーブル26に搬送さ
れて吸引保持される(ステップST5)。そして、半導
体ウェーハ10は、チャックテーブル26の移動によっ
てアライメント手段27の直下に位置付けられ、パター
ンマッチング等の画像処理によってストリートが検出さ
れ、切削ブレード28との精密位置合わせ(アライメン
ト)が遂行される。このアライメントが行われた半導体
ウェーハ10は、チャックテーブル26の移動によって
切削ブレード28の作用を受け、ストリートが切削され
ダイシングされる(ステップST6)。
After the irradiation of the ultraviolet rays, the frame 12 holding the semiconductor wafer 10 is transferred to the chuck table 26 by the revolving movement of the first transfer means 25 and is held by suction (step ST5). Then, the semiconductor wafer 10 is positioned immediately below the alignment means 27 by the movement of the chuck table 26, the street is detected by image processing such as pattern matching, and precise alignment (alignment) with the cutting blade 28 is performed. The semiconductor wafer 10 on which the alignment is performed is subjected to the action of the cutting blade 28 by the movement of the chuck table 26, and the street is cut and diced (step ST6).

【0030】このようにして全てのストリートが切削さ
れた半導体ウェーハ10は、図3に示したように、矩形
状に分割されて、個々のチップとなる。
The semiconductor wafer 10 from which all the streets have been cut in this way is divided into rectangular shapes as shown in FIG. 3 to become individual chips.

【0031】また、紫外線照射ユニット31bを配設さ
せた場合は、第一の搬送手段25による搬送の過程では
半導体ウェーハ10に紫外線を照射することができない
ため、従来同様紫外線照射用搬送手段を設ける必要があ
る。なお、この紫外線照射用搬送手段としては、従来の
技術で示した紫外線照射用搬送手段40をそのまま使用
できるため、図6を参照して説明する。
When the ultraviolet irradiation unit 31b is provided, the semiconductor wafer 10 cannot be irradiated with ultraviolet rays in the course of the transfer by the first transfer means 25. There is a need. Note that, as the ultraviolet irradiation transfer means, the ultraviolet irradiation transfer means 40 shown in the prior art can be used as it is, and therefore, will be described with reference to FIG.

【0032】紫外線照射ユニット31bにより半導体ウ
ェーハ10を保持する紫外線硬化型ダイシング用テープ
11に紫外線を照射するためには、先ず、ウェーハ搬出
入手段23によってカセット21から取り出されてフレ
ーム領域24に載置された半導体ウェーハ10の直上に
吸着部45を移動させ、上下動部44を下降させて吸着
部45によって半導体ウェーハ10を吸着保持し、上下
動部44を上昇させる。
In order to irradiate the ultraviolet ray to the ultraviolet curing type dicing tape 11 holding the semiconductor wafer 10 by the ultraviolet irradiating unit 31b, first, it is taken out of the cassette 21 by the wafer carrying-in / out means 23 and placed in the frame area 24. The suction unit 45 is moved to a position directly above the semiconductor wafer 10, and the vertical moving unit 44 is lowered to hold the semiconductor wafer 10 by the suction unit 45, and the vertical moving unit 44 is raised.

【0033】そして半導体ウェーハ10を吸着保持した
まま搬送部43をP方向に摺動させて、半導体ウェーハ
10が紫外線照射ユニット31bの直上に位置付けされ
ると、半導体ウェーハ10を保持する紫外線硬化型ダイ
シング用テープ11に紫外線が僅かに照射される(ステ
ップST4)。紫外線の照射後は再び搬送部43をQ方
向に摺動させてフレーム領域24の直上にフレーム12
を位置づけし、上下動部44を下降させると共に、吸着
部45による吸着を解いて、フレーム12をフレーム領
域24に載置する。
Then, the conveying section 43 is slid in the P direction while holding the semiconductor wafer 10 by suction, and when the semiconductor wafer 10 is positioned directly above the ultraviolet irradiation unit 31b, ultraviolet curing dicing for holding the semiconductor wafer 10 is performed. UV light is slightly applied to the application tape 11 (step ST4). After the irradiation of the ultraviolet rays, the transport unit 43 is slid again in the Q direction to move the frame 12 directly above the frame region 24.
, The vertical moving unit 44 is lowered, the suction by the suction unit 45 is released, and the frame 12 is placed on the frame area 24.

【0034】その後は前記したのと同様に第一の搬送手
段25の旋回によってフレーム12がチャックテーブル
26に吸引保持され(ステップST5)、前記同様の手
順によってダイシングが遂行される(ステップST
6)。
Thereafter, the frame 12 is sucked and held on the chuck table 26 by turning the first transfer means 25 in the same manner as described above (step ST5), and dicing is performed in the same procedure as described above (step ST5).
6).

【0035】ダイシングが完了すると、チャックテーブ
ル26は、ダイシング前に第一の搬送手段25によって
半導体ウェーハ10が搬送されてきた位置まで戻る。そ
して、チャックテーブル26の吸引力が解除され、半導
体ウェーハ10を保持したフレーム12は、第二の搬送
手段29によって洗浄兼スピン乾燥領域30まで搬送さ
れ、洗浄、乾燥される。
When dicing is completed, the chuck table 26 returns to the position where the semiconductor wafer 10 has been transferred by the first transfer means 25 before dicing. Then, the suction force of the chuck table 26 is released, and the frame 12 holding the semiconductor wafer 10 is transported by the second transporting means 29 to the cleaning / spin drying area 30, where it is cleaned and dried.

【0036】なお、半導体ウェーハ10が個々のチップ
に分割された後も、各チップは依然として紫外線硬化型
ダイシング用テープ11を介してフレーム12に保持さ
れているため、紫外線硬化型ダイシング用テープ11の
粘着力によってバラバラにならず、半導体ウェーハ10
全体としてダイシング前の形状が維持されている。従っ
て、個々のチップを紫外線硬化型ダイシング用テープ1
1から剥離させてピックアップする前に紫外線硬化型ダ
イシング用テープ11に紫外線を十分に照射することに
より、接着力が充分に低下し、チップのピックアップを
円滑に行うことができる(ステップST7)。なお、こ
こでの紫外線の照射は、従来例と同様の手法により行う
ことができる。
Note that, even after the semiconductor wafer 10 is divided into individual chips, each chip is still held on the frame 12 via the ultraviolet-curing dicing tape 11. The semiconductor wafer 10 does not fall apart due to the adhesive force.
The shape before dicing is maintained as a whole. Therefore, the individual chips are coated with an ultraviolet-curable dicing tape 1
By sufficiently irradiating the ultraviolet-curable dicing tape 11 with ultraviolet rays before being separated and picked up from the substrate 1, the adhesive force is sufficiently reduced, and chips can be picked up smoothly (step ST7). The irradiation of the ultraviolet rays here can be performed by the same method as in the conventional example.

【0037】紫外線の照射後は、接着力の低下した紫外
線硬化型ダイシング用テープ11を介して半導体ウェー
ハ10を保持したフレーム12を、搬出入手段23によ
りカセット21の所定の位置に収容する(ステップST
8)。
After the irradiation with the ultraviolet rays, the frame 12 holding the semiconductor wafer 10 via the ultraviolet-curing dicing tape 11 having a reduced adhesive force is housed in a predetermined position of the cassette 21 by the carrying-in / out means 23 (step). ST
8).

【0038】以上のようにダイシングを行って形成され
た個々のチップは、切削前に僅かに紫外線を照射して柔
軟性を硬化させ、半導体ウェーハ10の保持状態を安定
化させてから切削したため、図4に示すチップ13のよ
うに、図7に示した従来のダイシング方法によって形成
されたチップ50と比較すると、紫外線硬化型ダイシン
グ用テープ11と接着されていた面(裏面)において、
チッピングが減少する。
The individual chips formed by dicing as described above were irradiated with a slight amount of ultraviolet light before cutting to harden the flexibility and stabilize the holding state of the semiconductor wafer 10, and then cut. As compared with the chip 50 formed by the conventional dicing method shown in FIG. 7, like the chip 13 shown in FIG. 4, the surface (back surface) bonded to the ultraviolet-curing dicing tape 11 has
Chipping is reduced.

【0039】また、半導体ウェーハ10の保持状態を安
定化させたため、ダイシング時のビビリ振動が少なく、
半導体ウェーハ10の表面に形成される切削溝の周辺に
もチッピングが生じにくくなる。
Further, since the holding state of the semiconductor wafer 10 is stabilized, chatter vibration during dicing is small,
Chipping hardly occurs around the cutting groove formed on the surface of the semiconductor wafer 10.

【0040】[0040]

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るダイ
シング方法は、半導体ウェーハをダイシングする前に、
紫外線硬化型ダイシング用テープに紫外線を僅かに照射
する工程を含むことにより、紫外線硬化型ダイシング用
テープの接着力が僅かに低下し、これに伴い柔軟性も低
下して硬化するので、切削時に半導体ウェーハのテープ
と接着している面(裏面)の溝周辺に生じる細かな欠け
(チッピング)が生じることがなく、チップの品質を向
上させることができる。従って、チップがパッケージン
グされる際に、割れたり、ON/OFFによる電流の断
続によるクラックが生じたりすることがなくなる。
As described above, the dicing method according to the present invention provides a method for dicing a semiconductor wafer before dicing.
By including the step of slightly irradiating the UV-curable dicing tape with UV light, the adhesive strength of the UV-curable dicing tape is slightly reduced, and as a result, the flexibility is also reduced and hardened. Fine chipping (chipping) does not occur around the groove on the surface (back surface) of the wafer that is bonded to the tape, and the quality of the chip can be improved. Therefore, when the chip is packaged, cracking and cracking due to intermittent current due to ON / OFF do not occur.

【0041】更に、フレームに配設された半導体ウェー
ハをカセットから搬出し、ダイシングを遂行するまでの
間に紫外線硬化型ダイシング用テープに紫外線を僅かに
照射する工程を含むことにより、一連の工程内において
紫外線の僅かな照射を効率的に行うことができ、チップ
の生産性を向上させることができる。
Further, a step of unloading the semiconductor wafer disposed on the frame from the cassette and slightly irradiating the ultraviolet-curing type dicing tape with ultraviolet light until the dicing is performed is included. In this case, slight irradiation of ultraviolet light can be efficiently performed, and chip productivity can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係るダイシング方法の実施の形態の一
例を示したフローチャート図である。
FIG. 1 is a flowchart showing an example of an embodiment of a dicing method according to the present invention.

【図2】同ダイシング方法による切削の対象となる半導
体ウェーハの保持状態を示す説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing a holding state of a semiconductor wafer to be cut by the dicing method.

【図3】同ダイシング方法による切削後の半導体ウェー
ハの状態を示す説明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing a state of a semiconductor wafer after cutting by the dicing method.

【図4】同ダイシング方法による切削して形成されたチ
ップの状態を示す説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram showing a state of a chip formed by cutting by the dicing method.

【図5】一般的に使用されている半導体ウェーハを切削
するためのダイシング装置を示す斜視図である。
FIG. 5 is a perspective view showing a generally used dicing apparatus for cutting a semiconductor wafer.

【図6】一般的に使用されている半導体ウェーハを切削
するためのダイシング装置に備えた紫外線照射ユニット
及び紫外線照射用搬送手段を示す要部のみの斜視図であ
る。
FIG. 6 is a perspective view of only an essential part showing an ultraviolet irradiation unit and a conveyance means for ultraviolet irradiation provided in a dicing apparatus for cutting a semiconductor wafer which is generally used.

【図7】従来のダイシング方法により切削して形成され
たチップの状態を示す説明図である。
FIG. 7 is an explanatory view showing a state of a chip formed by cutting by a conventional dicing method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10:半導体ウェーハ 11:紫外線硬化型ダイシング
用テープ 12:フレーム 13:チップ 14:チッピング 20:ダイシング装置 21:カセット 22:カセッ
ト載置領域 23:搬出入手段 24:フレーム領域 25:第一の
搬送手段 26:チャックテーブル 27:アライメント手段 2
8:ブレード 29:第二の搬送手段 30:洗浄及びスピン乾燥領域 31a、31b:紫外線照射ユニット 40:紫外線照射用搬送手段 42:基部 43:搬送部 44:上下動部 45:吸着部 50:チップ 51:チッピング
Reference Signs List 10: semiconductor wafer 11: ultraviolet curing type dicing tape 12: frame 13: chip 14: chipping 20: dicing apparatus 21: cassette 22: cassette mounting area 23: carry-in / out means 24: frame area 25: first transport means 26: chuck table 27: alignment means 2
8: Blade 29: Second transport means 30: Cleaning and spin-drying area 31a, 31b: Ultraviolet irradiation unit 40: Ultraviolet irradiation transport means 42: Base 43: Transport unit 44: Vertical moving unit 45: Suction unit 50: Chip 51: Chipping

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】少なくとも、半導体ウェーハを紫外線硬化
型ダイシング用テープを介してフレームに配設する工程
と、前記半導体ウェーハをダイシングする前に、前記紫
外線硬化型ダイシング用テープに紫外線を僅かに照射す
る工程と、該紫外線硬化型ダイシング用テープの粘着性
が僅かに硬化した状態でダイシングを遂行するダイシン
グ工程とを含むダイシング方法。
At least a step of arranging a semiconductor wafer on a frame via an ultraviolet-curable dicing tape, and slightly irradiating the ultraviolet-curable dicing tape with ultraviolet light before dicing the semiconductor wafer. A dicing method, comprising: a step of performing dicing in a state where the adhesiveness of the ultraviolet-curable dicing tape is slightly cured.
【請求項2】少なくとも、半導体ウェーハを紫外線硬化
型ダイシング用テープを介してフレームに配設する工程
と、該フレームに配設された半導体ウェーハをカセット
に収納し、ダイシング装置のカセット載置領域に載置す
る工程と、前記フレームに配設された半導体ウェーハを
前記カセットから搬出し、ダイシングを遂行するまでの
間に前記紫外線硬化型ダイシング用テープに紫外線を僅
かに照射する工程と、該紫外線硬化型ダイシング用テー
プの粘着性が僅かに硬化した状態でダイシングを遂行す
るダイシング工程とを含むダイシング方法。
2. A process for disposing at least a semiconductor wafer on a frame via an ultraviolet-curing dicing tape, storing the semiconductor wafer disposed on the frame in a cassette, and disposing the semiconductor wafer in a cassette mounting area of a dicing apparatus. Placing the semiconductor wafer disposed on the frame from the cassette, and irradiating the ultraviolet-curable dicing tape with a small amount of ultraviolet light until dicing is performed; and A dicing step of performing dicing in a state where the adhesiveness of the mold dicing tape is slightly cured.
【請求項3】ダイシング工程が終了した後に、紫外線硬
化型ダイシング用テープに紫外線を充分照射して接着力
を充分低下させる工程を含む請求項1または2に記載の
ダイシング方法。
3. The dicing method according to claim 1, further comprising a step of sufficiently irradiating the ultraviolet-curable dicing tape with ultraviolet rays after the dicing step is completed to sufficiently reduce the adhesive strength.
【請求項4】紫外線を僅かに照射する工程では、JIS
Z0237に準ずる接着力が、略1200g/25m
mに低下するようにしたことを特徴とする請求項1、
2、または3に記載のダイシング方法。
4. The method according to claim 1, wherein the step of slightly irradiating the ultraviolet rays is performed according to JIS.
Adhesive force according to Z0237 is approximately 1200g / 25m
m, which is reduced to m.
4. The dicing method according to 2 or 3.
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