JPH10242057A - 縦型ｃｖｄ装置 - Google Patents
縦型ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH10242057A JPH10242057A JP4092397A JP4092397A JPH10242057A JP H10242057 A JPH10242057 A JP H10242057A JP 4092397 A JP4092397 A JP 4092397A JP 4092397 A JP4092397 A JP 4092397A JP H10242057 A JPH10242057 A JP H10242057A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inner tube
- component
- cvd apparatus
- vertical
- elements
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/08—Reaction chambers; Selection of materials therefor
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 インナーチューブの取付け・取外しが容易な
縦型ＣＶＤ装置を提供する。 【解決手段】 内外二重構造を成すインナーチューブお
よびアウターチューブを備えた縦型ＣＶＤ装置におい
て、前記インナーチューブは上下方向に複数の要素に分
割可能に構成され、隣接する要素は熱膨張係数が互いに
異なる材料で構成されていることを特徴とする。
縦型ＣＶＤ装置を提供する。 【解決手段】 内外二重構造を成すインナーチューブお
よびアウターチューブを備えた縦型ＣＶＤ装置におい
て、前記インナーチューブは上下方向に複数の要素に分
割可能に構成され、隣接する要素は熱膨張係数が互いに
異なる材料で構成されていることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＶＤ（Chemical
Vapor Deposition）装置に関するものであり、さらに
詳しくは、縦型ＣＶＤ装置のインナーチューブの構造に
係わるものである。
Vapor Deposition）装置に関するものであり、さらに
詳しくは、縦型ＣＶＤ装置のインナーチューブの構造に
係わるものである。
【０００２】
【従来の技術】ＣＶＤ装置の１つに縦型ＣＶＤ装置があ
る。この縦型ＣＶＤ装置は、例えば特開平5-190468号公
報に示すように、内外二重構造を成すインナーチューブ
およびアウターチューブを備え、アウターチューブの周
りはヒーターによって覆われている。そして、インナー
チューブおよびアウターチューブの下端開口はキャップ
にて覆われ、インナーチューブとキャップとによって区
画された領域に反応室が構成されている。さらに、反応
室内にはターンテーブルが設けられ、このターンテーブ
ル上にはサセプタが設置されている。そして、このサセ
プタには多数枚のウェーハが保持できるようになってい
る。なお、インナーチューブ内外は、インナーチューブ
に設けられた開口によって連通されている。
る。この縦型ＣＶＤ装置は、例えば特開平5-190468号公
報に示すように、内外二重構造を成すインナーチューブ
およびアウターチューブを備え、アウターチューブの周
りはヒーターによって覆われている。そして、インナー
チューブおよびアウターチューブの下端開口はキャップ
にて覆われ、インナーチューブとキャップとによって区
画された領域に反応室が構成されている。さらに、反応
室内にはターンテーブルが設けられ、このターンテーブ
ル上にはサセプタが設置されている。そして、このサセ
プタには多数枚のウェーハが保持できるようになってい
る。なお、インナーチューブ内外は、インナーチューブ
に設けられた開口によって連通されている。
【０００３】この縦型ＣＶＤ装置では、反応室内のサセ
プタに多数枚のウェーハを保持させた後、反応室内に臨
む複数のガス供給パイプから、必要なガスを供給し、反
応室内でガスを反応させて、ウェーハ上に所望のＣＶＤ
薄膜を形成するようになっている。なお、余剰のガスは
ガス排気口から排気される。
プタに多数枚のウェーハを保持させた後、反応室内に臨
む複数のガス供給パイプから、必要なガスを供給し、反
応室内でガスを反応させて、ウェーハ上に所望のＣＶＤ
薄膜を形成するようになっている。なお、余剰のガスは
ガス排気口から排気される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ウェーハ上
にＣＶＤ薄膜を形成する際、インナーチューブの内外面
にもＣＶＤ薄膜が付着堆積される。この場合、特に、Ｃ
ＶＤ薄膜が不純物を含有したシリコンＣＶＤ薄膜である
と、下記のような問題が生じることになる。すなわち、
ウェーハ上にシリコン単結晶薄膜を形成する場合、イン
ナーチューブに付着していた不純物が反応室内に飛び出
し、これがウェーハ上のシリコン単結晶薄膜中に取り込
まれ、シリコン単結晶薄膜の不純物濃度のプロファイル
に支承を来すという問題があった。そこで、インナーチ
ューブを備えた縦型ＣＶＤ装置においては、時々、イン
ナーチューブを取り外し、その洗浄を行っている。しか
し、ウェーハの大口径化、量産化等に伴って、縦型ＣＶ
Ｄ装置のインナーチューブも内外径、長さが大きくな
り、重量も嵩む方向にある。特に、インナーチューブに
高純度シリコンカーバイド（ＳｉＣ）等のインナーチュ
ーブを用いる場合には重量が嵩む。そのため、インナー
チューブの取付け・取外しが容易ではなくなってきてい
る。そのため、作業性が悪く、インナーチューブの取付
け・取外しを行う際に、インナーチューブ端を装置にぶ
つけたりしてインナーチューブを破損する危険性があっ
た。インナーチューブに高価な高純度ＳｉＣ等のインナ
ーチューブを用いる場合には、その損害が大きい。本発
明は、かかる点に鑑みなされたもので、インナーチュー
ブの取付け・取外しが容易な縦型ＣＶＤ装置を提供する
ことを目的としている。
にＣＶＤ薄膜を形成する際、インナーチューブの内外面
にもＣＶＤ薄膜が付着堆積される。この場合、特に、Ｃ
ＶＤ薄膜が不純物を含有したシリコンＣＶＤ薄膜である
と、下記のような問題が生じることになる。すなわち、
ウェーハ上にシリコン単結晶薄膜を形成する場合、イン
ナーチューブに付着していた不純物が反応室内に飛び出
し、これがウェーハ上のシリコン単結晶薄膜中に取り込
まれ、シリコン単結晶薄膜の不純物濃度のプロファイル
に支承を来すという問題があった。そこで、インナーチ
ューブを備えた縦型ＣＶＤ装置においては、時々、イン
ナーチューブを取り外し、その洗浄を行っている。しか
し、ウェーハの大口径化、量産化等に伴って、縦型ＣＶ
Ｄ装置のインナーチューブも内外径、長さが大きくな
り、重量も嵩む方向にある。特に、インナーチューブに
高純度シリコンカーバイド（ＳｉＣ）等のインナーチュ
ーブを用いる場合には重量が嵩む。そのため、インナー
チューブの取付け・取外しが容易ではなくなってきてい
る。そのため、作業性が悪く、インナーチューブの取付
け・取外しを行う際に、インナーチューブ端を装置にぶ
つけたりしてインナーチューブを破損する危険性があっ
た。インナーチューブに高価な高純度ＳｉＣ等のインナ
ーチューブを用いる場合には、その損害が大きい。本発
明は、かかる点に鑑みなされたもので、インナーチュー
ブの取付け・取外しが容易な縦型ＣＶＤ装置を提供する
ことを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の縦型ＣＶ
Ｄ装置は、インナーチューブとアウターチューブとを備
える縦型ＣＶＤ装置において、前記インナーチューブが
上下方向に複数の要素に分割可能となっており、その隣
接する要素が熱膨張係数が異なる材料で構成されている
ことを特徴とする。この縦型ＣＶＤ装置によれば、イン
ナーチューブが上下方向に複数の要素に分割できるよう
になっているので、インナーチューブの要素個々の重量
はあまり嵩むことはなくなる。したがって、要素毎にイ
ンナーチューブを分割して取り付けたり、取り外したり
することができるので、インナーチューブの取付け・取
外しが極めて容易となる。この場合、隣接する要素が熱
膨張係数が異なる材料で構成されているので、インナー
チューブを室温まで冷却した時に、インナーチューブ内
外に付着するＣＶＤ薄膜が要素境界で裂けるので、要素
同士がＣＶＤ薄膜で結合されてしまうという問題がなく
なり、その取外しが容易に行えることになる。また、イ
ンナーチューブが上下方向に複数の要素に分割できるよ
うになっているので、万一、要素の１つが破損しても、
その被害を最小限に抑えることができる。
Ｄ装置は、インナーチューブとアウターチューブとを備
える縦型ＣＶＤ装置において、前記インナーチューブが
上下方向に複数の要素に分割可能となっており、その隣
接する要素が熱膨張係数が異なる材料で構成されている
ことを特徴とする。この縦型ＣＶＤ装置によれば、イン
ナーチューブが上下方向に複数の要素に分割できるよう
になっているので、インナーチューブの要素個々の重量
はあまり嵩むことはなくなる。したがって、要素毎にイ
ンナーチューブを分割して取り付けたり、取り外したり
することができるので、インナーチューブの取付け・取
外しが極めて容易となる。この場合、隣接する要素が熱
膨張係数が異なる材料で構成されているので、インナー
チューブを室温まで冷却した時に、インナーチューブ内
外に付着するＣＶＤ薄膜が要素境界で裂けるので、要素
同士がＣＶＤ薄膜で結合されてしまうという問題がなく
なり、その取外しが容易に行えることになる。また、イ
ンナーチューブが上下方向に複数の要素に分割できるよ
うになっているので、万一、要素の１つが破損しても、
その被害を最小限に抑えることができる。
【０００６】請求項２記載の縦型ＣＶＤ装置は、請求項
１記載の縦型ＣＶＤ装置において、隣接する要素の一方
がＳｉＣで構成され、他方が透明石英で構成されている
ことを特徴とする。ＳｉＣ（炭化ケイ素）は物理的にも
化学的にも安定で、高温強度、熱伝導率のいずれも高
く、また熱膨張係数も４×１０-6／℃と低いため耐熱衝
撃性が高い。一方、透明石英の熱膨張係数は５．５〜
５．８×１０-7／℃で、やはり耐熱衝撃性が高い。した
がって、インナーチューブを室温まで冷却した時に、イ
ンナーチューブ内外に付着するＣＶＤ薄膜が要素境界で
裂けるので、要素同士がＣＶＤ薄膜で結合されてしまう
という問題がなくなり、その取外しが容易に行えること
になる。また、ＳｉＣと透明石英はコンタミネーション
の原因にもならないので、インナーチューブの材料とし
ては好適である。
１記載の縦型ＣＶＤ装置において、隣接する要素の一方
がＳｉＣで構成され、他方が透明石英で構成されている
ことを特徴とする。ＳｉＣ（炭化ケイ素）は物理的にも
化学的にも安定で、高温強度、熱伝導率のいずれも高
く、また熱膨張係数も４×１０-6／℃と低いため耐熱衝
撃性が高い。一方、透明石英の熱膨張係数は５．５〜
５．８×１０-7／℃で、やはり耐熱衝撃性が高い。した
がって、インナーチューブを室温まで冷却した時に、イ
ンナーチューブ内外に付着するＣＶＤ薄膜が要素境界で
裂けるので、要素同士がＣＶＤ薄膜で結合されてしまう
という問題がなくなり、その取外しが容易に行えること
になる。また、ＳｉＣと透明石英はコンタミネーション
の原因にもならないので、インナーチューブの材料とし
ては好適である。
【０００７】請求項３記載の縦型ＣＶＤ装置は、請求項
１または２記載の縦型ＣＶＤ装置において、隣接する要
素の当接面が内方へ向けて下り勾配を持つように傾斜し
て構成されていることを特徴とする。この縦型ＣＶＤ装
置によれば、隣接する要素の当接面が内方へ向けて下り
勾配をもっているので、下側の要素に上側の要素を単に
載せるだけで、位置合わせを厳格に行わないでも、自動
的に位置合わせができ、インナーチューブを簡単に組み
上げることができるという効果がある。
１または２記載の縦型ＣＶＤ装置において、隣接する要
素の当接面が内方へ向けて下り勾配を持つように傾斜し
て構成されていることを特徴とする。この縦型ＣＶＤ装
置によれば、隣接する要素の当接面が内方へ向けて下り
勾配をもっているので、下側の要素に上側の要素を単に
載せるだけで、位置合わせを厳格に行わないでも、自動
的に位置合わせができ、インナーチューブを簡単に組み
上げることができるという効果がある。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１には縦型ＣＶＤ装置の縦断面
が示されている。この縦型ＣＶＤ装置１は、内外２重構
造をなす透明石英製のインナーチューブ２とアウターチ
ューブ３とを備えている。そして、アウターチューブ３
の周りはヒーター４によって覆われている。
が示されている。この縦型ＣＶＤ装置１は、内外２重構
造をなす透明石英製のインナーチューブ２とアウターチ
ューブ３とを備えている。そして、アウターチューブ３
の周りはヒーター４によって覆われている。
【０００９】インナーチューブ２とアウターチューブ３
の下部はステンレス製のキャップ５によって密閉されて
いる。また、インナーチューブ２によって画成される反
応室Ｒ内には、前記キャップ５を上下方向に貫通する支
持軸６が臨んでいる。支持軸６はベベルギア６ａ，６ｂ
を介して駆動モータＭに連結されている。この支持軸６
の上端には、特に限定はされないが、ステンレス製のタ
ーンテーブル７が支持されている。また、ターンテーブ
ル７上には透明石英製のサセプター８が支持されてい
る。サセプター８は、適当な間隔で上下方向に層状に配
列された多数のホルダー９を有している。そして、サセ
プター８の各ホルダー９には複数枚のウェーハ（図示せ
ず）がセット可能となっている。
の下部はステンレス製のキャップ５によって密閉されて
いる。また、インナーチューブ２によって画成される反
応室Ｒ内には、前記キャップ５を上下方向に貫通する支
持軸６が臨んでいる。支持軸６はベベルギア６ａ，６ｂ
を介して駆動モータＭに連結されている。この支持軸６
の上端には、特に限定はされないが、ステンレス製のタ
ーンテーブル７が支持されている。また、ターンテーブ
ル７上には透明石英製のサセプター８が支持されてい
る。サセプター８は、適当な間隔で上下方向に層状に配
列された多数のホルダー９を有している。そして、サセ
プター８の各ホルダー９には複数枚のウェーハ（図示せ
ず）がセット可能となっている。
【００１０】続いて、縦型ＣＶＤ装置１のインナーチュ
ーブ２について図２（ａ），（ｂ）を用いて説明すれ
ば、このインナーチューブ２は全体として鞘状に構成さ
れている。このインナーチューブ２はヘッド部品２ａ、
繋ぎ部品２ｂおよびベース部品２ｃによって構成されて
いる。ヘッド部品２ａ、繋ぎ部品２ｂおよびベース部品
２ｃは縦方向に積み上げられている。ヘッド部品２ａと
ベース部品２ｃは同一材料で構成されている。また、こ
のヘッド部品２ａとベース部品２ｃを繋ぐ繋ぎ部品（リ
ング部品）２ｂはヘッド部品２ａとベース部品２ｃとは
熱膨張係数が異なる材料によって構成されている。例え
ば、ヘッド部品２ａとベース部品２ｃが透明石英によっ
て構成されているときは、繋ぎ部品２ｂはＳｉＣによっ
て構成される。一方、ヘッド部品２ａとベース部品２ｃ
がＳｉＣによって構成されるときは、繋ぎ部品２ｂは透
明石英によって構成される。ちなみに、ＳｉＣ（炭化ケ
イ素）の熱膨張係数は４×１０-6／℃、透明石英の熱膨
張係数は５．５〜５．８×１０-7／℃である。このよう
にヘッド部品２ａとベース部品２ｃとの間に介在される
繋ぎ部品２ｂをヘッド部品２ａとベース部品２ｃとは熱
膨張係数が異なる材料で構成したのは、インナーチュー
ブ２内外面に付着するＣＶＤ薄膜に、インナーチューブ
２を冷却した時、亀裂が入りやすいようにするためであ
る。これにより、インナーチューブ２はＣＶＤ薄膜で結
合されることはなくなり、ヘッド部品２ａ、繋ぎ部品２
ｂおよびベース部品２ｃの取出しが容易となる。
ーブ２について図２（ａ），（ｂ）を用いて説明すれ
ば、このインナーチューブ２は全体として鞘状に構成さ
れている。このインナーチューブ２はヘッド部品２ａ、
繋ぎ部品２ｂおよびベース部品２ｃによって構成されて
いる。ヘッド部品２ａ、繋ぎ部品２ｂおよびベース部品
２ｃは縦方向に積み上げられている。ヘッド部品２ａと
ベース部品２ｃは同一材料で構成されている。また、こ
のヘッド部品２ａとベース部品２ｃを繋ぐ繋ぎ部品（リ
ング部品）２ｂはヘッド部品２ａとベース部品２ｃとは
熱膨張係数が異なる材料によって構成されている。例え
ば、ヘッド部品２ａとベース部品２ｃが透明石英によっ
て構成されているときは、繋ぎ部品２ｂはＳｉＣによっ
て構成される。一方、ヘッド部品２ａとベース部品２ｃ
がＳｉＣによって構成されるときは、繋ぎ部品２ｂは透
明石英によって構成される。ちなみに、ＳｉＣ（炭化ケ
イ素）の熱膨張係数は４×１０-6／℃、透明石英の熱膨
張係数は５．５〜５．８×１０-7／℃である。このよう
にヘッド部品２ａとベース部品２ｃとの間に介在される
繋ぎ部品２ｂをヘッド部品２ａとベース部品２ｃとは熱
膨張係数が異なる材料で構成したのは、インナーチュー
ブ２内外面に付着するＣＶＤ薄膜に、インナーチューブ
２を冷却した時、亀裂が入りやすいようにするためであ
る。これにより、インナーチューブ２はＣＶＤ薄膜で結
合されることはなくなり、ヘッド部品２ａ、繋ぎ部品２
ｂおよびベース部品２ｃの取出しが容易となる。
【００１１】インナーチューブ２のヘッド部品２ａと繋
ぎ部品２ｂとの当接部の構造を説明すれば、ヘッド部品
２ａの下端には、その内周寄りの部分が下方に突出する
ような環状段部２０が形成されている。一方、繋ぎ部品
２ｂ上面には前記ヘッド部品２ａ下端と相補的形状を持
つ段部２１が形成されている。また、インナーチューブ
２のベース部品２ｃの上端には、その外周寄りの部分が
上方に突出するような環状段部２２が形成されている。
一方、繋ぎ部品２ｂ下面には前記ベース部品２ｃ上端と
相補的形状を持つ段部２３が形成されている。
ぎ部品２ｂとの当接部の構造を説明すれば、ヘッド部品
２ａの下端には、その内周寄りの部分が下方に突出する
ような環状段部２０が形成されている。一方、繋ぎ部品
２ｂ上面には前記ヘッド部品２ａ下端と相補的形状を持
つ段部２１が形成されている。また、インナーチューブ
２のベース部品２ｃの上端には、その外周寄りの部分が
上方に突出するような環状段部２２が形成されている。
一方、繋ぎ部品２ｂ下面には前記ベース部品２ｃ上端と
相補的形状を持つ段部２３が形成されている。
【００１２】このように構成された縦型ＣＶＤ装置１に
よれば、インナーチューブ２が上下方向に３つに分割で
きるようになっているので、インナーチューブ２の要素
（ヘッド部品２ａ、繋ぎ部品２ｂおよびベース部品２
ｃ）の個々の重量はあまり嵩むことはない。したがっ
て、要素毎にインナーチューブ２を分割して取り付けた
り、取り外したりすることができるので、インナーチュ
ーブ２の取付け・取外しが極めて容易となる。この場
合、隣接する要素が熱膨張係数が異なる材料で構成され
ているので、インナーチューブ２を室温まで冷却した時
に、インナーチューブ２内外に付着するＣＶＤ薄膜が要
素境界で裂けるので、要素同士がＣＶＤ薄膜で結合され
てしまうという問題がなくなり、その取外しが容易に行
えることになる。また、インナーチューブ２が上下方向
に複数の要素に分割できるようになっているので、万
一、要素の１つが破損しても、その被害を最小限に抑え
ることができる。さらにまた、ＳｉＣと透明石英はコン
タミネーションの原因にもならないので、インナーチュ
ーブ２の材料としては好適である。
よれば、インナーチューブ２が上下方向に３つに分割で
きるようになっているので、インナーチューブ２の要素
（ヘッド部品２ａ、繋ぎ部品２ｂおよびベース部品２
ｃ）の個々の重量はあまり嵩むことはない。したがっ
て、要素毎にインナーチューブ２を分割して取り付けた
り、取り外したりすることができるので、インナーチュ
ーブ２の取付け・取外しが極めて容易となる。この場
合、隣接する要素が熱膨張係数が異なる材料で構成され
ているので、インナーチューブ２を室温まで冷却した時
に、インナーチューブ２内外に付着するＣＶＤ薄膜が要
素境界で裂けるので、要素同士がＣＶＤ薄膜で結合され
てしまうという問題がなくなり、その取外しが容易に行
えることになる。また、インナーチューブ２が上下方向
に複数の要素に分割できるようになっているので、万
一、要素の１つが破損しても、その被害を最小限に抑え
ることができる。さらにまた、ＳｉＣと透明石英はコン
タミネーションの原因にもならないので、インナーチュ
ーブ２の材料としては好適である。
【００１３】図３には第２実施形態の縦型ＣＶＤ装置に
おけるインナーチューブが示されている。このインナー
チューブ１０が第１実施形態の縦型ＣＶＤ装置１のイン
ナーチューブ２と異なる点は次の通りである。すなわ
ち、この第２実施形態に係るインナーチューブ１０は、
隣接する要素（ヘッド部品１０ａ、繋ぎ部品１０ｂおよ
びベース部品１０ｃ）の当接面が内方へ向けて下り勾配
を持つように傾斜して構成されている。この場合、第１
実施形態に係るインナーチューブ２と同様に、ヘッド部
品１０ａとベース部品１０ｃは同一材料で構成されてい
る。また、このヘッド部品１０ａとベース部品１０ｃを
繋ぐ繋ぎ部品１０ｂはヘッド部品１０ａとベース部品１
０ｃとは熱膨張係数が異なる材料によって構成されてい
る。例えば、ヘッド部品１０ａとベース部品１０ｃが透
明石英によって構成されているときは、繋ぎ部品１０ｂ
はＳｉＣによって構成される。一方、ヘッド部品１０ａ
とベース部品１０ｃがＳｉＣによって構成されるとき
は、繋ぎ部品１０ｂは透明石英によって構成される。
おけるインナーチューブが示されている。このインナー
チューブ１０が第１実施形態の縦型ＣＶＤ装置１のイン
ナーチューブ２と異なる点は次の通りである。すなわ
ち、この第２実施形態に係るインナーチューブ１０は、
隣接する要素（ヘッド部品１０ａ、繋ぎ部品１０ｂおよ
びベース部品１０ｃ）の当接面が内方へ向けて下り勾配
を持つように傾斜して構成されている。この場合、第１
実施形態に係るインナーチューブ２と同様に、ヘッド部
品１０ａとベース部品１０ｃは同一材料で構成されてい
る。また、このヘッド部品１０ａとベース部品１０ｃを
繋ぐ繋ぎ部品１０ｂはヘッド部品１０ａとベース部品１
０ｃとは熱膨張係数が異なる材料によって構成されてい
る。例えば、ヘッド部品１０ａとベース部品１０ｃが透
明石英によって構成されているときは、繋ぎ部品１０ｂ
はＳｉＣによって構成される。一方、ヘッド部品１０ａ
とベース部品１０ｃがＳｉＣによって構成されるとき
は、繋ぎ部品１０ｂは透明石英によって構成される。
【００１４】この縦型ＣＶＤ装置１によれば、隣接する
要素の当接面が内方へ向けて下り勾配をもっているの
で、下側の要素に上側の要素を単に載せるだけで、位置
合わせを厳格に行わないでも、自動的に位置合わせがで
き、インナーチューブ１０を簡単に組み上げることがで
きるという効果がある。
要素の当接面が内方へ向けて下り勾配をもっているの
で、下側の要素に上側の要素を単に載せるだけで、位置
合わせを厳格に行わないでも、自動的に位置合わせがで
き、インナーチューブ１０を簡単に組み上げることがで
きるという効果がある。
【００１５】以上、本発明の実施形態について説明した
が、本発明は、かかる実施形態には限定されず、その要
旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能である。
が、本発明は、かかる実施形態には限定されず、その要
旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能である。
【００１６】例えば、前記実施形態では、ヘッド部品２
ａ，１０ａとベース部品２ｃ，１０ｃが同一材料で構成
されているが、ヘッド部品２ａ，１０ａ、繋ぎ部品２
ｂ，１０ｂおよびベース部品２ｃ，１０ｃをそれぞれ熱
膨張係数の異なる材料で構成しても良い。
ａ，１０ａとベース部品２ｃ，１０ｃが同一材料で構成
されているが、ヘッド部品２ａ，１０ａ、繋ぎ部品２
ｂ，１０ｂおよびベース部品２ｃ，１０ｃをそれぞれ熱
膨張係数の異なる材料で構成しても良い。
【００１７】また、前記実施形態では、インナーチュー
ブ２，１０を３分割できるようにしているが、それ以上
の要素に分割可能に構成しても良いし、また、インナー
チューブ２，１０を上下２つの要素に分割可能に構成す
るようにしても良い。
ブ２，１０を３分割できるようにしているが、それ以上
の要素に分割可能に構成しても良いし、また、インナー
チューブ２，１０を上下２つの要素に分割可能に構成す
るようにしても良い。
【００１８】
【発明の効果】本願発明の代表的なものによれば、イン
ナーチューブとアウターチューブとを備える縦型ＣＶＤ
装置において、前記インナーチューブが上下方向に複数
の要素に分割可能となっており、その隣接する要素が熱
膨張係数が異なる材料で構成されているので、インナー
チューブの要素個々の重量はあまり嵩まないことにな
る。したがって、要素毎にインナーチューブを分割して
取り付けたり、取り外したりすることができるので、イ
ンナーチューブの取付け・取外しが極めて容易となる。
またこの場合、隣接する要素が熱膨張係数が異なる材料
で構成されているので、インナーチューブを室温まで冷
却した時に、インナーチューブ内外に付着するＣＶＤ薄
膜がひび割れを起こすので、要素同士がＣＶＤ薄膜で連
結されてしまうという問題がなくなり、その取外しが容
易に行えることになる。
ナーチューブとアウターチューブとを備える縦型ＣＶＤ
装置において、前記インナーチューブが上下方向に複数
の要素に分割可能となっており、その隣接する要素が熱
膨張係数が異なる材料で構成されているので、インナー
チューブの要素個々の重量はあまり嵩まないことにな
る。したがって、要素毎にインナーチューブを分割して
取り付けたり、取り外したりすることができるので、イ
ンナーチューブの取付け・取外しが極めて容易となる。
またこの場合、隣接する要素が熱膨張係数が異なる材料
で構成されているので、インナーチューブを室温まで冷
却した時に、インナーチューブ内外に付着するＣＶＤ薄
膜がひび割れを起こすので、要素同士がＣＶＤ薄膜で連
結されてしまうという問題がなくなり、その取外しが容
易に行えることになる。
【図１】本発明に係る縦型ＣＶＤ装置の第１実施形態の
縦断面図である。
縦断面図である。
【図２】本発明に係る縦型ＣＶＤ装置の第１実施形態の
インナーチューブの構成図である。
インナーチューブの構成図である。
【図３】本発明に係る縦型ＣＶＤ装置の第２実施形態の
インナーチューブの構成図である。
インナーチューブの構成図である。
１ 縦型ＣＶＤ装置 ２ インナーチューブ ２ａ ヘッド部品 ２ｂ 繋ぎ部品 ２ｃ ベース部品 ３ アウターチューブ
Claims (3)
- 【請求項１】 内外二重構造を成すインナーチューブお
よびアウターチューブを備えた縦型ＣＶＤ装置におい
て、前記インナーチューブは上下方向に複数の要素に分
割可能に構成され、隣接する要素は熱膨張係数が互いに
異なる材料で構成されていることを特徴とする縦型ＣＶ
Ｄ装置。 - 【請求項２】 隣接する要素の一方はＳｉＣで構成さ
れ、他方は透明石英で構成されていることを特徴とする
請求項１記載のＣＶＤ装置。 - 【請求項３】 隣接する要素の当接面は前記インナーチ
ューブの中心方向へ向かって下り勾配を持つように傾斜
して構成されていることを特徴とする請求項１または請
求項２記載のＣＶＤ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4092397A JPH10242057A (ja) | 1997-02-25 | 1997-02-25 | 縦型ｃｖｄ装置 |
| EP98301346A EP0863228A1 (en) | 1997-02-25 | 1998-02-24 | Vertical type CVD apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4092397A JPH10242057A (ja) | 1997-02-25 | 1997-02-25 | 縦型ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10242057A true JPH10242057A (ja) | 1998-09-11 |
Family
ID=12594030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4092397A Pending JPH10242057A (ja) | 1997-02-25 | 1997-02-25 | 縦型ｃｖｄ装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0863228A1 (ja) |
| JP (1) | JPH10242057A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108475618A (zh) * | 2015-10-27 | 2018-08-31 | 株式会社Eugene科技 | 衬底处理装置及用于组装套管组合件的方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5055834B2 (ja) * | 2006-05-17 | 2012-10-24 | 東洋製罐株式会社 | プラズマ処理用ガス供給管 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59107998A (ja) * | 1982-12-07 | 1984-06-22 | Fujitsu Ltd | 結晶成長装置 |
| FR2655772B1 (fr) * | 1989-12-08 | 1992-01-24 | Thomson Composants Microondes | Dispositif antipollution pour bati vertical de depot en phase gazeuse. |
-
1997
- 1997-02-25 JP JP4092397A patent/JPH10242057A/ja active Pending
-
1998
- 1998-02-24 EP EP98301346A patent/EP0863228A1/en not_active Ceased
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108475618A (zh) * | 2015-10-27 | 2018-08-31 | 株式会社Eugene科技 | 衬底处理装置及用于组装套管组合件的方法 |
| JP2018536985A (ja) * | 2015-10-27 | 2018-12-13 | ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド | 基板処理装置及びチューブ組立体の組立方法 |
| US10840118B2 (en) | 2015-10-27 | 2020-11-17 | Eugene Technology Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and method for assembling tube assembly |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0863228A1 (en) | 1998-09-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100269564B1 (ko) | 반도체웨이퍼처리용서셉터 | |
| JP3572247B2 (ja) | 半導体熱処理炉用ガス導入管 | |
| KR20140039987A (ko) | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 온도 검출 방법 | |
| JPH07153706A (ja) | サセプタ装置 | |
| JP5192137B2 (ja) | ウエハボート | |
| JP3596710B2 (ja) | 気相成長装置用サセプタ | |
| JPH10242057A (ja) | 縦型ｃｖｄ装置 | |
| US5573566A (en) | Method of making a quartz dome reactor chamber | |
| US11946158B2 (en) | Apparatus for growing a semiconductor wafer and associated manufacturing process | |
| JP2002033284A (ja) | 縦型ｃｖｄ用ウェハホルダー | |
| JP2001261375A (ja) | セラミックス被覆石英ガラス体 | |
| JPS63150912A (ja) | 薄膜生成装置 | |
| US20080093315A1 (en) | Support for Semiconductor Substrate | |
| JPS6318618A (ja) | サセプタ−用カバ− | |
| JPH01168030A (ja) | 減圧気相成長方法 | |
| JP3798136B2 (ja) | 基盤熱処理用支持治具 | |
| JP3171486B2 (ja) | 高周波誘導装置のサセプタホルダ | |
| US20030157453A1 (en) | Boat for heat treatment and vertical heat treatment apparatus | |
| JP2002289537A (ja) | ＣＶＤ―ＳｉＣ中空体縦型ウェハボート | |
| JP2559627B2 (ja) | ウエーハ保持装置、該装置を用いたウエーハ搬出入方法、主として該搬出入方法に使用する縦形ウエーハボート | |
| JP2004172374A (ja) | 保持治具、半導体ウェーハの製造装置、半導体基板及び保持治具の搭載方法 | |
| JP2000114182A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH0717791A (ja) | 単結晶引上装置 | |
| JPH07273050A (ja) | 真空熱処理炉用温度測定装置 | |
| JP2000243701A (ja) | 縦型気相成長装置 |