JPH10232497A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
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- JPH10232497A JPH10232497A JP9053971A JP5397197A JPH10232497A JP H10232497 A JPH10232497 A JP H10232497A JP 9053971 A JP9053971 A JP 9053971A JP 5397197 A JP5397197 A JP 5397197A JP H10232497 A JPH10232497 A JP H10232497A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70566—Polarisation control
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
Abstract
(57)【要約】
【課題】２重露光を行っているにも拘らず露光時間が２
倍とならず、しかも光の利用効率も十分に高い露光装置
を提供する。 【解決手段】第１のレチクルＲ1上のパターンと第２の
レチクルＲ2上のパターンによってウエハＷに転写しよ
うとするパターンを構成し、両レチクルＲ1，Ｒ2上の両
パターンを投影光学系ＰＬによってウエハＷに投影する
露光装置において、両レチクルＲ1，Ｒ2を透過した光束
を統合用偏光ビームスプリッターＰＢに入射し、且つ、
統合用偏光ビームスプリッターＰＢによって両光束が統
合されるように、統合用偏光ビームスプリッターＰＢに
入射する時点での両光束の偏光状態を、第１のレチクル
Ｒ1を透過した光束はＰ偏光となり、第２のレチクルＲ2
を透過した光束はＳ偏光となるように構成した。
倍とならず、しかも光の利用効率も十分に高い露光装置
を提供する。 【解決手段】第１のレチクルＲ1上のパターンと第２の
レチクルＲ2上のパターンによってウエハＷに転写しよ
うとするパターンを構成し、両レチクルＲ1，Ｒ2上の両
パターンを投影光学系ＰＬによってウエハＷに投影する
露光装置において、両レチクルＲ1，Ｒ2を透過した光束
を統合用偏光ビームスプリッターＰＢに入射し、且つ、
統合用偏光ビームスプリッターＰＢによって両光束が統
合されるように、統合用偏光ビームスプリッターＰＢに
入射する時点での両光束の偏光状態を、第１のレチクル
Ｒ1を透過した光束はＰ偏光となり、第２のレチクルＲ2
を透過した光束はＳ偏光となるように構成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レチクル上の微細
なパターンをウエハに転写する露光装置に関し、特に、
２枚のレチクルを同時に照明することにより、レチクル
を交換することなく２重露光を実現することができる露
光装置に関するものである。
なパターンをウエハに転写する露光装置に関し、特に、
２枚のレチクルを同時に照明することにより、レチクル
を交換することなく２重露光を実現することができる露
光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光学系の分解能Δｒは、０．６１λ／Ｎ
Ａ（λ：露光波長、ＮＡ：開口数）で与えらる。したが
ってウエハに塗布したレジスト上に、微細なパターンを
焼き付ける半導体露光装置においては、集積度向上のた
めに、露光波長λを短くすることと、光学系の開口数Ｎ
Ａを大きくすることに多大な努力が払われてきた。しか
しながら、光学系の開口数ＮＡを大きくすることは、必
然的にレンズ径を大きくすることに繋がり、大口径のレ
ンズに付随する収差を補正するためには、レンズ枚数を
増加させなければならない。他方、露光波長λについて
は、現在、ｉ線（λ＝３６５ｎｍ）からＫｒＦ（λ＝２
４８ｎｍ）、ＡｒＦ（λ＝１９３ｎｍ）に移行しつつあ
り、短波長化による分解能は着実に向上している。しか
し、石英、蛍石などの硝材の光学性能や寿命、あるいは
光源の信頼性や安定性、寿命などのいくつかの問題を抱
えている。これらの硝材と光源の問題により、λ＝１９
３ｎｍを越えた短波長化は当分望めそうもない。
Ａ（λ：露光波長、ＮＡ：開口数）で与えらる。したが
ってウエハに塗布したレジスト上に、微細なパターンを
焼き付ける半導体露光装置においては、集積度向上のた
めに、露光波長λを短くすることと、光学系の開口数Ｎ
Ａを大きくすることに多大な努力が払われてきた。しか
しながら、光学系の開口数ＮＡを大きくすることは、必
然的にレンズ径を大きくすることに繋がり、大口径のレ
ンズに付随する収差を補正するためには、レンズ枚数を
増加させなければならない。他方、露光波長λについて
は、現在、ｉ線（λ＝３６５ｎｍ）からＫｒＦ（λ＝２
４８ｎｍ）、ＡｒＦ（λ＝１９３ｎｍ）に移行しつつあ
り、短波長化による分解能は着実に向上している。しか
し、石英、蛍石などの硝材の光学性能や寿命、あるいは
光源の信頼性や安定性、寿命などのいくつかの問題を抱
えている。これらの硝材と光源の問題により、λ＝１９
３ｎｍを越えた短波長化は当分望めそうもない。
【０００３】光学系のもつ解像力を最大限に利用して細
かなパターンをレジスト上で実現させようという試み
も、露光装置の開発と共に古くから行われてきている。
周期的な構造をもつパターンでは、光学系によってパタ
ーンの基本周期さえ再現できれば、レジストの非線形な
露光特性を利用して、光学系のもつ理論分解能に近い細
かなパターンをレジスト上で実現することができる。す
なわちレチクルパターンが微細なときには、レジスト上
での露光量分布は、レチクル上での光透過率分布と相似
にはならない。しかし図７に示すように、レチクルパタ
ーンが微細であっても、透光部と遮光部とが周期的に繰
り返すパターンのときには、レジスト上での露光量分布
は、レチクル上での光透過率分布と相似にならないもの
の、少なくとも周期的パターンとはなる。したがって露
光量Ｉについてのしきい値Ｉthを活用することにより、
レチクル上での光透過率分布と相似なレジストの膜厚分
布を得ることができる。
かなパターンをレジスト上で実現させようという試み
も、露光装置の開発と共に古くから行われてきている。
周期的な構造をもつパターンでは、光学系によってパタ
ーンの基本周期さえ再現できれば、レジストの非線形な
露光特性を利用して、光学系のもつ理論分解能に近い細
かなパターンをレジスト上で実現することができる。す
なわちレチクルパターンが微細なときには、レジスト上
での露光量分布は、レチクル上での光透過率分布と相似
にはならない。しかし図７に示すように、レチクルパタ
ーンが微細であっても、透光部と遮光部とが周期的に繰
り返すパターンのときには、レジスト上での露光量分布
は、レチクル上での光透過率分布と相似にならないもの
の、少なくとも周期的パターンとはなる。したがって露
光量Ｉについてのしきい値Ｉthを活用することにより、
レチクル上での光透過率分布と相似なレジストの膜厚分
布を得ることができる。
【０００４】周期性を持たない孤立パターンに対して
は、周期性パターンをもつレチクルと、周期性パターン
のうちの特定の孤立パターンを選択するレチクルとの都
合２枚のレチクルを用意して、２重露光を行うことによ
り、光学系の理論分解能に近い分解能を達成することが
出来る。図８にこの方法に用いるレチクルを示す。第１
のレチクルＲ1のパターンは、図８の（ａ）に示すよう
に、投影光学系の光軸ｚと直交する平面内のｘ方向に、
透光部１ａと遮光部１ｂとが周期的に繰り返すように形
成されている。また、第２のレチクルＲ2の透光部２ａ
は、図８の（ｂ）に示すように、第１のレチクルパター
ンの透光部１ａのうち、所望の１又は複数の透光部１ａ
を十分にカバーし、その他の透光部１ａは十分にカバー
しないように形成されている。こうして図８の（ｃ）に
示すように、第１のレチクルパターンの透光部１ａのう
ち、第２のレチクルパターンの透光部２ａによって選択
された部分が、２枚のレチクルの透光部１ａ，２ａの共
通透光部Ｂとなる。この共通透光部Ｂは、以下のように
してレジストパターンとなる。
は、周期性パターンをもつレチクルと、周期性パターン
のうちの特定の孤立パターンを選択するレチクルとの都
合２枚のレチクルを用意して、２重露光を行うことによ
り、光学系の理論分解能に近い分解能を達成することが
出来る。図８にこの方法に用いるレチクルを示す。第１
のレチクルＲ1のパターンは、図８の（ａ）に示すよう
に、投影光学系の光軸ｚと直交する平面内のｘ方向に、
透光部１ａと遮光部１ｂとが周期的に繰り返すように形
成されている。また、第２のレチクルＲ2の透光部２ａ
は、図８の（ｂ）に示すように、第１のレチクルパター
ンの透光部１ａのうち、所望の１又は複数の透光部１ａ
を十分にカバーし、その他の透光部１ａは十分にカバー
しないように形成されている。こうして図８の（ｃ）に
示すように、第１のレチクルパターンの透光部１ａのう
ち、第２のレチクルパターンの透光部２ａによって選択
された部分が、２枚のレチクルの透光部１ａ，２ａの共
通透光部Ｂとなる。この共通透光部Ｂは、以下のように
してレジストパターンとなる。
【０００５】すなわち、２枚のレチクルＲ1，Ｒ2を用い
てレジストを個別に露光する。その際、各レジストパタ
ーンの透光部１ａ，２ａを透過する各回の露光量は、レ
ジストのしきい値Ｉthの１／２よりも若干大きく、Ｉth
よりも十分に小さい程度、すなわち、例えばしきい値Ｉ
thの６７％程度とする。この結果図９に示すように、１
枚だけのレジストパターンの透光部を透過し、他の１枚
のレジストパターンでは遮光部となる１回露光部Ａの露
光量は、レジストの露光量しきい値Ｉthの６７％程度と
なり、すなわちしきい値Ｉthを十分に下回る。しかるに
各レジストパターンの透光部をすべて透過する２回露光
部、すなわち共通透光部Ｂの露光量は、レジストの露光
量しきい値Ｉthの１３４％程度となり、すなわちしきい
値Ｉthを十分に上回る。
てレジストを個別に露光する。その際、各レジストパタ
ーンの透光部１ａ，２ａを透過する各回の露光量は、レ
ジストのしきい値Ｉthの１／２よりも若干大きく、Ｉth
よりも十分に小さい程度、すなわち、例えばしきい値Ｉ
thの６７％程度とする。この結果図９に示すように、１
枚だけのレジストパターンの透光部を透過し、他の１枚
のレジストパターンでは遮光部となる１回露光部Ａの露
光量は、レジストの露光量しきい値Ｉthの６７％程度と
なり、すなわちしきい値Ｉthを十分に下回る。しかるに
各レジストパターンの透光部をすべて透過する２回露光
部、すなわち共通透光部Ｂの露光量は、レジストの露光
量しきい値Ｉthの１３４％程度となり、すなわちしきい
値Ｉthを十分に上回る。
【０００６】そこで図１０（ａ）に示すように、レジス
ト露光量Ｉがしきい値Ｉth以下では現像後のレジストが
膜として残り、レジスト露光量Ｉがしきい値Ｉth以上で
は現像によってレジストが消滅するポジレジストを用い
たときには、同図（ｂ）に示すように、共通透光部Ｂの
レジストが微細な開口３として除去されたレジストパタ
ーンを得ることができる。また図１１（ａ）に示すよう
に、レジスト露光量Ｉがしきい値Ｉth以上では現像後の
レジストが膜として残り、レジスト露光量Ｉがしきい値
Ｉth以下では現像によってレジストが消滅するネガレジ
ストを用いたときには、同図（ｂ）に示すように、共通
透光部Ｂのレジストが微細な島４として残るレジストパ
ターンを得ることができる。
ト露光量Ｉがしきい値Ｉth以下では現像後のレジストが
膜として残り、レジスト露光量Ｉがしきい値Ｉth以上で
は現像によってレジストが消滅するポジレジストを用い
たときには、同図（ｂ）に示すように、共通透光部Ｂの
レジストが微細な開口３として除去されたレジストパタ
ーンを得ることができる。また図１１（ａ）に示すよう
に、レジスト露光量Ｉがしきい値Ｉth以上では現像後の
レジストが膜として残り、レジスト露光量Ｉがしきい値
Ｉth以下では現像によってレジストが消滅するネガレジ
ストを用いたときには、同図（ｂ）に示すように、共通
透光部Ｂのレジストが微細な島４として残るレジストパ
ターンを得ることができる。
【０００７】しかして以上の工程において、第１のレチ
クルパターンは、ｘ方向に透光部１ａと遮光部１ｂとが
周期的に繰り返すように形成されており、したがってこ
のパターンを光学系の理論分解能に匹敵するほどに細か
く形成しても、レジストパターンにその周期を再現する
ことができる。他方、第２のレチクルＲ2のパターンの
透光部２ａには周期性がないから、光学系の理論分解能
に匹敵するほどに細かく形成することはできないが、第
１のレチクルパターンの透光部１ａのうち、所望の透光
部１ａを十分にカバーし、その他の透光部１ａを十分に
カバーしないように形成すれば足りるのであるから、光
学系の理論分解能に匹敵するほどに細かく形成する必要
がない。それ故、２重露光を行うことにより、光学系の
理論分解能に匹敵するほどに細かい孤立レジストパター
ンを形成することができる。
クルパターンは、ｘ方向に透光部１ａと遮光部１ｂとが
周期的に繰り返すように形成されており、したがってこ
のパターンを光学系の理論分解能に匹敵するほどに細か
く形成しても、レジストパターンにその周期を再現する
ことができる。他方、第２のレチクルＲ2のパターンの
透光部２ａには周期性がないから、光学系の理論分解能
に匹敵するほどに細かく形成することはできないが、第
１のレチクルパターンの透光部１ａのうち、所望の透光
部１ａを十分にカバーし、その他の透光部１ａを十分に
カバーしないように形成すれば足りるのであるから、光
学系の理論分解能に匹敵するほどに細かく形成する必要
がない。それ故、２重露光を行うことにより、光学系の
理論分解能に匹敵するほどに細かい孤立レジストパター
ンを形成することができる。
【０００８】図１２に上記２重露光法を実現するための
露光装置の一例を示す。この露光装置では、第１のレチ
クルＲ1を用いて１回目の露光を行い、次いでレチクル
を交換した後に、第２のレチクルＲ2を用いて２回目の
露光を行うものである。また図１３に上記２重露光法を
実現するための露光装置の他の一例を示す。この露光装
置では、２つの光源Ｓ1、Ｓ2を用意し、両レチクル
Ｒ1，Ｒ2を透過した光束をハーフミラーＨＭによって統
合することにより、２重露光を同時にインコヒーレント
に行うものである。
露光装置の一例を示す。この露光装置では、第１のレチ
クルＲ1を用いて１回目の露光を行い、次いでレチクル
を交換した後に、第２のレチクルＲ2を用いて２回目の
露光を行うものである。また図１３に上記２重露光法を
実現するための露光装置の他の一例を示す。この露光装
置では、２つの光源Ｓ1、Ｓ2を用意し、両レチクル
Ｒ1，Ｒ2を透過した光束をハーフミラーＨＭによって統
合することにより、２重露光を同時にインコヒーレント
に行うものである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかるに上記図１２に
示した露光装置では、レチクルＲ1，Ｒ2を交換して２度
露光することが必須であるので、１つのレジストパター
ンを得るのに２倍の時間を要するという欠点がある。ま
た上記図１３に示した露光装置では、図１２の露光装置
と比較して、露光時間が半分で済むという長所がある。
しかしながら、ハーフミラーＨＭを使用していることか
ら、半分の光を捨てなければならないという欠点があ
る。したがって本発明は、２重露光を行っているにも拘
らず露光時間が２倍とならず、しかも光の利用効率も十
分に高い露光装置を提供することを課題とする。
示した露光装置では、レチクルＲ1，Ｒ2を交換して２度
露光することが必須であるので、１つのレジストパター
ンを得るのに２倍の時間を要するという欠点がある。ま
た上記図１３に示した露光装置では、図１２の露光装置
と比較して、露光時間が半分で済むという長所がある。
しかしながら、ハーフミラーＨＭを使用していることか
ら、半分の光を捨てなければならないという欠点があ
る。したがって本発明は、２重露光を行っているにも拘
らず露光時間が２倍とならず、しかも光の利用効率も十
分に高い露光装置を提供することを課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、偏光光学系を
利用することによって、上記課題を解決したものであ
り、すなわち、第１のレチクル上のパターンと第２のレ
チクル上のパターンによってウエハに転写しようとする
パターンを構成し、両レチクル上の両パターンを投影光
学系によってウエハに投影する露光装置において、両レ
チクルを透過した光束を統合用偏光ビームスプリッター
に入射し、且つ、統合用偏光ビームスプリッターによっ
て両光束が統合されるように、統合用偏光ビームスプリ
ッターに入射する時点での両光束の偏光状態を、第１の
レチクルを透過した光束はＰ偏光となり、第２のレチク
ルを透過した光束はＳ偏光となるように構成したことを
特徴とする露光装置である。
利用することによって、上記課題を解決したものであ
り、すなわち、第１のレチクル上のパターンと第２のレ
チクル上のパターンによってウエハに転写しようとする
パターンを構成し、両レチクル上の両パターンを投影光
学系によってウエハに投影する露光装置において、両レ
チクルを透過した光束を統合用偏光ビームスプリッター
に入射し、且つ、統合用偏光ビームスプリッターによっ
て両光束が統合されるように、統合用偏光ビームスプリ
ッターに入射する時点での両光束の偏光状態を、第１の
レチクルを透過した光束はＰ偏光となり、第２のレチク
ルを透過した光束はＳ偏光となるように構成したことを
特徴とする露光装置である。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面によっ
て説明する。図１は本発明による露光装置の第１実施例
を示す。第１の光源Ｓ1は、光の偏光状態が紙面内にあ
るＰ偏光を発生するように配置されており、このＰ偏光
によって第１のレチクルＲ1を照明している。他方、第
２の光源Ｓ2は、光の偏光状態が紙面と垂直方向にある
Ｓ偏光を発生するように配置されており、このＳ偏光に
よって第２のレチクルＲ2を照明している。両レチクル
Ｒ1，Ｒ2をそれぞれ透過した光束は、Ｐ偏光を透過しＳ
偏光を反射する統合用偏光ビームスプリッターＰＢによ
って統合されている。その後両光束は、投影光学系ＰＬ
によって、両レチクルＲ1，Ｒ2に描画したパターンの像
をウエハＷ上に結像している。
て説明する。図１は本発明による露光装置の第１実施例
を示す。第１の光源Ｓ1は、光の偏光状態が紙面内にあ
るＰ偏光を発生するように配置されており、このＰ偏光
によって第１のレチクルＲ1を照明している。他方、第
２の光源Ｓ2は、光の偏光状態が紙面と垂直方向にある
Ｓ偏光を発生するように配置されており、このＳ偏光に
よって第２のレチクルＲ2を照明している。両レチクル
Ｒ1，Ｒ2をそれぞれ透過した光束は、Ｐ偏光を透過しＳ
偏光を反射する統合用偏光ビームスプリッターＰＢによ
って統合されている。その後両光束は、投影光学系ＰＬ
によって、両レチクルＲ1，Ｒ2に描画したパターンの像
をウエハＷ上に結像している。
【００１２】理想的に出来た偏光ビームスプリッター
は、入射するＰ偏光を１００％透過し、Ｓ偏光を１００
％反射する特性を有する。したがってハーフミラーに代
えてこの偏光ビームスプリッターＰＢを用いることによ
り、光の利用効率を５０％からほぼ１００％に向上させ
ることができる。更に、第１のレチクルＲ1を通過した
光と第２のレチクルＲ2を通過した光は、異なる光源
Ｓ1，Ｓ2からの光であり、しかも両光束は偏光状態が直
交しているから、お互いに干渉することがなく、すなわ
ちインコヒーレントとなっている。したがって２重露光
を行っているにも拘らず、露光時間が２倍とならず、し
かも光の利用効率も十分に高い露光装置となっている。
は、入射するＰ偏光を１００％透過し、Ｓ偏光を１００
％反射する特性を有する。したがってハーフミラーに代
えてこの偏光ビームスプリッターＰＢを用いることによ
り、光の利用効率を５０％からほぼ１００％に向上させ
ることができる。更に、第１のレチクルＲ1を通過した
光と第２のレチクルＲ2を通過した光は、異なる光源
Ｓ1，Ｓ2からの光であり、しかも両光束は偏光状態が直
交しているから、お互いに干渉することがなく、すなわ
ちインコヒーレントとなっている。したがって２重露光
を行っているにも拘らず、露光時間が２倍とならず、し
かも光の利用効率も十分に高い露光装置となっている。
【００１３】次に図２は第２実施例を示す。上記第１実
施例では２つの光源Ｓ1，Ｓ2を用いたが、この第２実施
例は１つの光源Ｓを用いたものである。すなわち、光源
Ｓは、光の偏光状態が紙面と４５°傾斜した直線偏光を
発生するように配置されている。４５°傾斜した直線偏
光は、分割用偏光ビームスプリッターＢＳによって、こ
の分割用偏光ビームスプリッターＢＳを透過するＰ偏光
と、分割用偏光ビームスプリッターＢＳで反射するＳ偏
光とに分割されている。以降は上記第１実施例と同様
に、Ｐ偏光とＳ偏光はそれぞれ第１のレチクルＲ1と第
２のレチクルＲ2を照明した後、統合用偏光ビームスプ
リッターＰＢによって統合され、投影光学系ＰＬを介し
てウエハＷ上に結像している。
施例では２つの光源Ｓ1，Ｓ2を用いたが、この第２実施
例は１つの光源Ｓを用いたものである。すなわち、光源
Ｓは、光の偏光状態が紙面と４５°傾斜した直線偏光を
発生するように配置されている。４５°傾斜した直線偏
光は、分割用偏光ビームスプリッターＢＳによって、こ
の分割用偏光ビームスプリッターＢＳを透過するＰ偏光
と、分割用偏光ビームスプリッターＢＳで反射するＳ偏
光とに分割されている。以降は上記第１実施例と同様
に、Ｐ偏光とＳ偏光はそれぞれ第１のレチクルＲ1と第
２のレチクルＲ2を照明した後、統合用偏光ビームスプ
リッターＰＢによって統合され、投影光学系ＰＬを介し
てウエハＷ上に結像している。
【００１４】この第２実施例においても、偏光ビームス
プリッターＢＳ，ＰＢを用いることにより、光の利用効
率がほぼ１００％となる。また１つの光源Ｓを用いてい
るにもかかわらず、第１のレチクルＲ1を通過した光と
第２のレチクルＲ2を通過した光は、お互いの振動方向
が直交しているために干渉することはなく、インコヒー
レントな結像を同時に実現することができる。すなわち
この第２実施例の特徴は、光の利用効率がほぼ１００％
であることに加えて、光源が１つであることにある。
プリッターＢＳ，ＰＢを用いることにより、光の利用効
率がほぼ１００％となる。また１つの光源Ｓを用いてい
るにもかかわらず、第１のレチクルＲ1を通過した光と
第２のレチクルＲ2を通過した光は、お互いの振動方向
が直交しているために干渉することはなく、インコヒー
レントな結像を同時に実現することができる。すなわち
この第２実施例の特徴は、光の利用効率がほぼ１００％
であることに加えて、光源が１つであることにある。
【００１５】次に図３は第３実施例を示す。上記第１及
び第２実施例では両レチクルＲ1，Ｒ2をそれぞれＰ偏光
とＳ偏光で照明したが、この第３実施例は両レチクルＲ
1，Ｒ2を共にＰ偏光で照明したものである。すなわち、
光源Ｓは、光の偏光状態が紙面内にあるＰ偏光を発生す
るように配置されており、このＰ偏光はハーフミラーＨ
Ｍによって２分割された後に、それぞれ両レチクル
Ｒ1，Ｒ2を照明している。第１のレチクルＲ1を照明し
たＰ偏光は、偏光状態を維持したまま統合用偏光ビーム
スプリッターＰＢに入射している。他方、第２のレチク
ルＲ2を照明したＰ偏光は、１／２波長板Ｈを透過する
ことによってＳ偏光に変換されてから、統合用偏光ビー
ムスプリッターＰＢに入射している。この第３実施例の
構成によっても、第２実施例と同様に、光の利用効率が
ほぼ１００％であり、しかも光源が１つですむ露光装置
を得ることができる。
び第２実施例では両レチクルＲ1，Ｒ2をそれぞれＰ偏光
とＳ偏光で照明したが、この第３実施例は両レチクルＲ
1，Ｒ2を共にＰ偏光で照明したものである。すなわち、
光源Ｓは、光の偏光状態が紙面内にあるＰ偏光を発生す
るように配置されており、このＰ偏光はハーフミラーＨ
Ｍによって２分割された後に、それぞれ両レチクル
Ｒ1，Ｒ2を照明している。第１のレチクルＲ1を照明し
たＰ偏光は、偏光状態を維持したまま統合用偏光ビーム
スプリッターＰＢに入射している。他方、第２のレチク
ルＲ2を照明したＰ偏光は、１／２波長板Ｈを透過する
ことによってＳ偏光に変換されてから、統合用偏光ビー
ムスプリッターＰＢに入射している。この第３実施例の
構成によっても、第２実施例と同様に、光の利用効率が
ほぼ１００％であり、しかも光源が１つですむ露光装置
を得ることができる。
【００１６】なお、上記第３実施例の別の態様として、
Ｓ偏光を発生するように光源Ｓを配置し、このＳ偏光を
ハーフミラーＨＭによって２分割し、２分割されたＳ偏
光によってそれぞれ両レチクルＲ1，Ｒ2を照明し、しか
る後に、第１のレチクルＲ1と統合用偏光ビームスプリ
ッターＰＢとの間に、透過光束がＰ偏光となるように１
／２波長板Ｈを介在させることもできる。
Ｓ偏光を発生するように光源Ｓを配置し、このＳ偏光を
ハーフミラーＨＭによって２分割し、２分割されたＳ偏
光によってそれぞれ両レチクルＲ1，Ｒ2を照明し、しか
る後に、第１のレチクルＲ1と統合用偏光ビームスプリ
ッターＰＢとの間に、透過光束がＰ偏光となるように１
／２波長板Ｈを介在させることもできる。
【００１７】また、任意の直線偏光を発生するように光
源Ｓを配置し、この直線偏光をハーフミラーＨＭによっ
て２分割し、２分割された直線偏光によってそれぞれ両
レチクルＲ1，Ｒ2を照明し、しかる後に、第１のレチク
ルＲ1と統合用偏光ビームスプリッターＰＢとの間に、
透過光束がＰ偏光となるように１／２波長板Ｈ1を介在
させ、第２のレチクルＲ2と統合用偏光ビームスプリッ
ターＰＢとの間に、透過光束がＳ偏光となるように１／
２波長板Ｈ2を介在させることもできる。なお任意の直
線偏光とは、直線偏光でありさえすれば良く、偏光面の
方向は問わないという意味である。
源Ｓを配置し、この直線偏光をハーフミラーＨＭによっ
て２分割し、２分割された直線偏光によってそれぞれ両
レチクルＲ1，Ｒ2を照明し、しかる後に、第１のレチク
ルＲ1と統合用偏光ビームスプリッターＰＢとの間に、
透過光束がＰ偏光となるように１／２波長板Ｈ1を介在
させ、第２のレチクルＲ2と統合用偏光ビームスプリッ
ターＰＢとの間に、透過光束がＳ偏光となるように１／
２波長板Ｈ2を介在させることもできる。なお任意の直
線偏光とは、直線偏光でありさえすれば良く、偏光面の
方向は問わないという意味である。
【００１８】次に図４と図５はそれぞれ第４実施例と第
５実施例を示す。上記第１〜第３実施例では、両レチク
ルＲ1，Ｒ2をＰ偏光又はＳ偏光、ないしは任意の直線偏
光で照明していたが、この第３実施例と第４実施例は、
両レチクルＲ1，Ｒ2を円偏光によって照明したものであ
る。すなわち先ず図４に示す第４実施例は、第１実施例
と同様に光源を２つ用いたものであり、第１の光源Ｓ1
と第２の光源Ｓ2からそれぞれ任意の直線偏光が発生し
ており、これらの直線偏光はそれぞれ１／４波長板
Ｑ1，Ｑ2に入射している。両１／４波長板Ｑ1，Ｑ2の進
相軸は、入射直線偏光の偏光面と４５°をなすように配
置されており、したがって入射直線偏光は両１／４波長
板Ｑ1，Ｑ2を透過することよって任意の円偏光に変換さ
れる。その後、これらの円偏光によって両レチクル
Ｒ1，Ｒ2を照明し、次いで両円偏光はそれぞれ１／４波
長板Ｑ3，Ｑ4によってＰ偏光とＳ偏光に変換され、しか
る後に両光束は統合用偏光ビームスプリッターＰＢによ
って統合されている。なお任意の円偏光とは、円偏光で
ありさえすれば良く、右回り円偏光でも左回り円偏光で
も構わないという意味である。
５実施例を示す。上記第１〜第３実施例では、両レチク
ルＲ1，Ｒ2をＰ偏光又はＳ偏光、ないしは任意の直線偏
光で照明していたが、この第３実施例と第４実施例は、
両レチクルＲ1，Ｒ2を円偏光によって照明したものであ
る。すなわち先ず図４に示す第４実施例は、第１実施例
と同様に光源を２つ用いたものであり、第１の光源Ｓ1
と第２の光源Ｓ2からそれぞれ任意の直線偏光が発生し
ており、これらの直線偏光はそれぞれ１／４波長板
Ｑ1，Ｑ2に入射している。両１／４波長板Ｑ1，Ｑ2の進
相軸は、入射直線偏光の偏光面と４５°をなすように配
置されており、したがって入射直線偏光は両１／４波長
板Ｑ1，Ｑ2を透過することよって任意の円偏光に変換さ
れる。その後、これらの円偏光によって両レチクル
Ｒ1，Ｒ2を照明し、次いで両円偏光はそれぞれ１／４波
長板Ｑ3，Ｑ4によってＰ偏光とＳ偏光に変換され、しか
る後に両光束は統合用偏光ビームスプリッターＰＢによ
って統合されている。なお任意の円偏光とは、円偏光で
ありさえすれば良く、右回り円偏光でも左回り円偏光で
も構わないという意味である。
【００１９】また図５に示す第５実施例は、第２及び第
３実施例と同様に光源を１つ用いたものであり、光源Ｓ
から発生した任意の直線偏光は、１／４波長板Ｑ1によ
って任意の円偏光に変換され、この円偏光はハーフミラ
ーＨＭによって２分割されている。２分割された各々の
円偏光は両レチクルＲ1，Ｒ2を照明し、次いで両円偏光
はそれぞれ１／４波長板Ｑ2，Ｑ3によってＰ偏光とＳ偏
光に変換され、しかる後に両光束は統合用偏光ビームス
プリッターＰＢによって統合されている。第１〜第３実
施例のように直線偏光によってレチクルＲ1，Ｒ2を照明
すると、レチクル上のパターンが直線偏光の偏光方向に
対してなす角度によって、透過特性に差を生じるおそれ
がある。しかるに第４及び第５実施例のように、円偏光
によってレチクルＲ1，Ｒ2を照明すると、レチクルの透
過特性はレチクルパターンの方向性に依存しなくなるか
ら、より好ましい。なお、一方のレチクルを任意の直線
偏光で照明し、他方のレチクルを任意の円偏光で照明す
ることもできるし、より一般的に、一方のレチクルを任
意の楕円偏光で照明し、他方のレチクルも任意の楕円偏
光で照明することもできる。
３実施例と同様に光源を１つ用いたものであり、光源Ｓ
から発生した任意の直線偏光は、１／４波長板Ｑ1によ
って任意の円偏光に変換され、この円偏光はハーフミラ
ーＨＭによって２分割されている。２分割された各々の
円偏光は両レチクルＲ1，Ｒ2を照明し、次いで両円偏光
はそれぞれ１／４波長板Ｑ2，Ｑ3によってＰ偏光とＳ偏
光に変換され、しかる後に両光束は統合用偏光ビームス
プリッターＰＢによって統合されている。第１〜第３実
施例のように直線偏光によってレチクルＲ1，Ｒ2を照明
すると、レチクル上のパターンが直線偏光の偏光方向に
対してなす角度によって、透過特性に差を生じるおそれ
がある。しかるに第４及び第５実施例のように、円偏光
によってレチクルＲ1，Ｒ2を照明すると、レチクルの透
過特性はレチクルパターンの方向性に依存しなくなるか
ら、より好ましい。なお、一方のレチクルを任意の直線
偏光で照明し、他方のレチクルを任意の円偏光で照明す
ることもできるし、より一般的に、一方のレチクルを任
意の楕円偏光で照明し、他方のレチクルも任意の楕円偏
光で照明することもできる。
【００２０】次に図６は第６実施例を示す。上記第１〜
第５実施例では、Ｐ偏光とＳ偏光によってウエハＷを２
重露光していたが、この第６実施例は、右回り円偏光と
左回り円偏光によってウエハＷを２重露光したものであ
る。すなわちこの第６実施例の構成は第５実施例と同様
であるが、第５実施例との相違点は、統合用偏光ビーム
スプリッターＰＢと投影光学系ＰＬとの間に１／４波長
板Ｑ4を介在させている点である。１／４波長板Ｑ4の進
相軸ないしは遅相軸の方向は、Ｐ偏光ないしはＳ偏光の
偏光面に対して４５°をなすように配置される。
第５実施例では、Ｐ偏光とＳ偏光によってウエハＷを２
重露光していたが、この第６実施例は、右回り円偏光と
左回り円偏光によってウエハＷを２重露光したものであ
る。すなわちこの第６実施例の構成は第５実施例と同様
であるが、第５実施例との相違点は、統合用偏光ビーム
スプリッターＰＢと投影光学系ＰＬとの間に１／４波長
板Ｑ4を介在させている点である。１／４波長板Ｑ4の進
相軸ないしは遅相軸の方向は、Ｐ偏光ないしはＳ偏光の
偏光面に対して４５°をなすように配置される。
【００２１】上記第１〜第５実施例のように直線偏光を
結像させると、像は偏光方位に起因する異方性をもつ。
しかるにこの第６実施例のように円偏光を結像させる
と、直線偏光に特有の結像異方性は現れないから好まし
い。なお、Ｐ偏光とＳ偏光は１／４波長板Ｑ4によって
互いに逆方向に回転する円偏光に変換されるが、互いに
逆方向に回転する円偏光は偏光状態が直交しているか
ら、インコヒーレントな結像を行う。
結像させると、像は偏光方位に起因する異方性をもつ。
しかるにこの第６実施例のように円偏光を結像させる
と、直線偏光に特有の結像異方性は現れないから好まし
い。なお、Ｐ偏光とＳ偏光は１／４波長板Ｑ4によって
互いに逆方向に回転する円偏光に変換されるが、互いに
逆方向に回転する円偏光は偏光状態が直交しているか
ら、インコヒーレントな結像を行う。
【００２２】また本実施例では、統合用偏光ビームスプ
リッターＰＢと投影光学系ＰＬとの間に１／４波長板Ｑ
4を配置したが、１／４波長板Ｑ4を配置する位置は、統
合用偏光ビームスプリッターＰＢとウエハＷとの間であ
れば良い。また本実施例は、前記第５実施例を基にした
例を示したが、第１〜第４実施例についても同様に、統
合用偏光ビームスプリッターＰＢとウエハＷとの間に１
／４波長板Ｑ4を配置することができる。
リッターＰＢと投影光学系ＰＬとの間に１／４波長板Ｑ
4を配置したが、１／４波長板Ｑ4を配置する位置は、統
合用偏光ビームスプリッターＰＢとウエハＷとの間であ
れば良い。また本実施例は、前記第５実施例を基にした
例を示したが、第１〜第４実施例についても同様に、統
合用偏光ビームスプリッターＰＢとウエハＷとの間に１
／４波長板Ｑ4を配置することができる。
【００２３】
【発明の効果】２重露光法は、半導体集積回路において
微細な加工を要求されるゲートやコンタクトホールなど
の孤立点加工において、魅力的な加工法であるにも拘わ
らず、２枚の異なるマスクを用意しなければならないこ
と、加工時間が通常の２倍必要であること、などの理由
で実用に供されることは稀であった。本発明は偏光光学
系を利用することにより、光の利用効率が低いという従
来からの問題点を解決し、そのほか、露光時間の短縮
（従ってスループットの向上）、光源の個数の減少など
を図ることができ、したがってゲートやコンタクトホー
ルどの微細な孤立点加工にも有用な手段となる。
微細な加工を要求されるゲートやコンタクトホールなど
の孤立点加工において、魅力的な加工法であるにも拘わ
らず、２枚の異なるマスクを用意しなければならないこ
と、加工時間が通常の２倍必要であること、などの理由
で実用に供されることは稀であった。本発明は偏光光学
系を利用することにより、光の利用効率が低いという従
来からの問題点を解決し、そのほか、露光時間の短縮
（従ってスループットの向上）、光源の個数の減少など
を図ることができ、したがってゲートやコンタクトホー
ルどの微細な孤立点加工にも有用な手段となる。
【図１】本発明の第１実施例を示す構成図
【図２】第２実施例を示す構成図
【図３】第３実施例を示す構成図
【図４】第４実施例を示す構成図
【図５】第５実施例を示す構成図
【図６】第６実施例を示す構成図
【図７】２重露光法の利点を示す説明図
【図８】２重露光法に用いる（ａ）第１のレチクルパタ
ーン、（ｂ）第２のレチクルパターン、及び（ｃ）レジ
スト露光量分布を示す平面図
ーン、（ｂ）第２のレチクルパターン、及び（ｃ）レジ
スト露光量分布を示す平面図
【図９】１回露光領域と、２回露光領域（共通透光部）
と、レジストの露光量しきい値との関係を示す説明図
と、レジストの露光量しきい値との関係を示す説明図
【図１０】（ａ）ポジレジストの膜厚特性を示す図と、
（ｂ）ポジレジストによるレジスト膜パターンを示す平
面図
（ｂ）ポジレジストによるレジスト膜パターンを示す平
面図
【図１１】（ａ）ネガレジストの膜厚特性を示す図と、
（ｂ）ネガレジストによるレジスト膜パターンを示す平
面図
（ｂ）ネガレジストによるレジスト膜パターンを示す平
面図
【図１２】従来技術を示す説明図
【図１３】別の従来技術を示す説明図
Ｓ、Ｓ1、Ｓ2…光源 Ｒ1、Ｒ2…レチクル ＰＢ…統合用偏光ビームスプリッター ＢＳ…分割用偏光ビームスプリッター ＨＭ…ハーフミラー Ｈ…１／２波長板 Ｑ1〜Ｑ4…１／４波長板 ＰＬ…投影光学系 Ｗ…ウエハ
Claims (8)
- 【請求項１】第１のレチクル上のパターンと第２のレチ
クル上のパターンによってウエハに転写しようとするパ
ターンを構成し、両レチクル上の前記両パターンを投影
光学系によって前記ウエハに投影する露光装置におい
て、 前記両レチクルを透過した光束を統合用偏光ビームスプ
リッターに入射し、且つ、 該統合用偏光ビームスプリッターによって前記両光束が
統合されるように、統合用偏光ビームスプリッターに入
射する時点での前記両光束の偏光状態を、前記第１のレ
チクルを透過した光束はＰ偏光となり、第２のレチクル
を透過した光束はＳ偏光となるように構成したことを特
徴とする露光装置。 - 【請求項２】前記第１のレチクルをＰ偏光によって照明
し、第２のレチクルをＳ偏光によって照明した、請求項
１記載の露光装置。 - 【請求項３】前記Ｐ偏光とＳ偏光は、単一の光源からの
直線偏光を分割用偏光ビームスプリッターによって分割
して生成したものである、請求項２記載の露光装置。 - 【請求項４】前記両レチクルを共にＰ偏光によって照明
し、前記第２のレチクルと前記統合用偏光ビームスプリ
ッターとの間に１／２波長板を介在させた、請求項１記
載の露光装置。 - 【請求項５】前記両レチクルを共にＳ偏光によって照明
し、前記第１のレチクルと前記統合用偏光ビームスプリ
ッターとの間に１／２波長板を介在させた、請求項１記
載の露光装置。 - 【請求項６】前記両レチクルを共に円偏光によって照明
し、前記両レチクルと前記統合用偏光ビームスプリッタ
ーとの間にそれぞれ１／４波長板を介在させた、請求項
１記載の露光装置。 - 【請求項７】前記両レチクルを照明する円偏光は、単一
の光源からの光束を分割して生成したものである、請求
項６記載の露光装置。 - 【請求項８】前記統合用偏光ビームスプリッターと前記
ウエハとの間に１／４波長板を介在させることにより、
前記ウエハに入射する時点での前記両光束を右回り円偏
光と左回り円偏光とに変換した、請求項１〜７のいずれ
か１項記載の露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9053971A JPH10232497A (ja) | 1997-02-20 | 1997-02-20 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9053971A JPH10232497A (ja) | 1997-02-20 | 1997-02-20 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10232497A true JPH10232497A (ja) | 1998-09-02 |
Family
ID=12957550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9053971A Pending JPH10232497A (ja) | 1997-02-20 | 1997-02-20 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10232497A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007066679A1 (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-14 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法、投影光学系及びデバイス製造方法 |
| WO2007094431A1 (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-23 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| WO2007094414A1 (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-23 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| WO2007094407A1 (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-23 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| WO2007108415A1 (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2007251151A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-09-27 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| JP2008047744A (ja) * | 2006-08-18 | 2008-02-28 | Nikon Corp | 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法 |
| JPWO2008007633A1 (ja) * | 2006-07-12 | 2009-12-10 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法 |
| US7782442B2 (en) | 2005-12-06 | 2010-08-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, projection optical system and device producing method |
| US7830496B2 (en) | 2006-07-13 | 2010-11-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of exposing substrate with one polarization mask and at least two lights and apparatus for performing the same |
| US7875418B2 (en) | 2004-03-16 | 2011-01-25 | Carl Zeiss Smt Ag | Method for a multiple exposure, microlithography projection exposure installation and a projection system |
-
1997
- 1997-02-20 JP JP9053971A patent/JPH10232497A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7875418B2 (en) | 2004-03-16 | 2011-01-25 | Carl Zeiss Smt Ag | Method for a multiple exposure, microlithography projection exposure installation and a projection system |
| US8634060B2 (en) | 2004-03-16 | 2014-01-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method for a multiple exposure, microlithography projection exposure installation and a projection system |
| WO2007066679A1 (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-14 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法、投影光学系及びデバイス製造方法 |
| US7782442B2 (en) | 2005-12-06 | 2010-08-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, projection optical system and device producing method |
| WO2007094431A1 (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-23 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| WO2007094414A1 (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-23 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| WO2007094407A1 (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-23 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| JP2007251151A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-09-27 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| JP2007251153A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-09-27 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| JP2007251152A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-09-27 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| US8390779B2 (en) | 2006-02-16 | 2013-03-05 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
| US8027020B2 (en) | 2006-02-16 | 2011-09-27 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
| WO2007108415A1 (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JPWO2008007633A1 (ja) * | 2006-07-12 | 2009-12-10 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法 |
| US7830496B2 (en) | 2006-07-13 | 2010-11-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of exposing substrate with one polarization mask and at least two lights and apparatus for performing the same |
| JP2008047744A (ja) * | 2006-08-18 | 2008-02-28 | Nikon Corp | 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法 |
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