JPH10232356A - 光制御素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ポリマ−導波路等をマルチモードで伝搬する光
を信号として、トランジスタとして機能する新規構造の
光制御素子を実現すること 【解決手段】表面に光の反射面１ａを有するダイヤフラ
ム１と、光Si１を導入し反射面に光を照射する導入路６
と、反射面から反射された光を受光し、その光So１を導
出する導出路７と、制御光Sc１を受光してその光の熱エ
ネルギーによりダイヤフラムを屈曲変位させる駆動手段
２、３、４と、駆動手段に制御光Sc１を導入する制御光
導入路５とを有し、制御光Sc１に応じて屈曲変位するダ
イヤフラム１により導入路６から導出路７に伝搬する光
を制御する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光を、制御光でオン
オフ制御するスイッチ素子、制御光で増幅、変調する増
幅素子、変調素子等の全光型の光制御素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、ベース、エミッタ、コレクタに対
応する３個の電極を持ち、ベースに与える制御信号によ
り、エミッタ、コレクタ間を流れる電流の大きさを制御
するトランジスタがある。このトランジスタにおいて、
電気信号を全て光信号に置換して、制御光で光の伝搬を
制御する、いわば、光トランジスタとも呼ばれる全光型
の光制御素子が知られている。

【０００３】その１つとして、ＬｉＮｂＯ₃ 基板にＴｉ
拡散光導波路を形成し、電気光学効果を利用して光を変
調するマハツェンダー型又は方向性結合器型の光変調器
が知られている。この光変調器では、ＬｉＮｂＯ₃ 基板
に直接作製されたアモルファスシリコンから成る光検出
器により外部からの制御光が受光されて光電効果により
電気信号に変換される。この電気信号が導波路部に設け
た電極に印加されることで、電気光学効果により導波路
内を伝播する導波光が変調される。又、アモルファスシ
リコンの光電効果の代わりに、半導体斜め蒸着膜の異常
光起電力効果を利用したものが提案されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、これらの素子
では、導波路内を伝搬する光は、シングルモ−ド伝搬、
単色光、かつ、可干渉の条件を満たす光、即ち、通常は
レーザ光でなければならないという制約があった。そこ
で本発明の目的は、ポリマ−導波路等をマルチモードで
伝搬する光を信号として、トランジスタとして機能する
新規構造の光制御素子を実現することである。又、他の
目的は、光アクチュエータの駆動が可能な程度のパワー
伝送回路や自動車内光ＬＡＮ等において、使用可能なト
ランジスタとして機能する光制御素子及びその素子を用
いた論理回路を実現することである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、表面に光の反
射面を有するダイヤフラムと、光を導入し反射面に光を
照射する導入路と、反射面から反射された光を受光し、
その光を導出する導出路と、制御光を受光してその光エ
ネルギーを熱エネルギーに変換し、その熱エネルギーに
よりダイヤフラムを屈曲変位させる駆動手段と、駆動手
段に制御光を導入する制御光導入路とを有し、制御光に
応じて屈曲変位するダイヤフラムにより導入路から導出
路に伝搬する光を制御する光制御素子である。

【０００６】又、本発明の他の特徴は、駆動手段が、ダ
イヤフラムにより外部と隔離された室と、この室に充填
され制御光の光エネルギーを熱エネルギーに変換してそ
の熱エネルギーにより膨張又は収縮する体積可変部材と
から成ることを特徴とする。即ち、体積可変部材は、１
つの物質で光エネルギーを熱エネルギーに変換する機能
と、熱エネルギーにより膨張又は収縮する機能とを有す
るもの、又は、それらの機能がそれぞれ別々の物質で達
成されるものを含む。又、他の特徴は、上記の体積可変
部材が制御光の光エネルギーを熱エネルギーに変換する
光熱変換部材と、体積可変部材が熱エネルギーにより膨
張又は収縮する熱伸縮部材とから成ることを特徴とす
る。又、他の特徴は、駆動手段は、ダイヤラフムと熱伸
縮部材とを兼ねるバイメタルと、このバイメタルの裏面
に配設された光を吸収して発熱する光熱変換部材とから
成ることを特徴とする。さらに、他の特徴は、上記構成
の光制御素子を第１光制御素子、第２光制御素子と２組
用いて、第１光制御素子の出力光の一部を第２光制御素
子の制御光として帰還させ、第２光制御素子の出力光の
一部を第１光制御素子の制御光として帰還させたマルチ
バイプレータ光素子である。上記の発明において、ダイ
ヤフラムとしては、シリコン基板の微細加工により形成
されたシリコンダイヤフラム、金属ダイヤフラム、ゴム
製ダイヤラム、バイメタルダイヤフラム等が使用可能で
ある。

【０００７】

【発明の作用及び効果】本発明では、ダイヤフラムは、
駆動手段により制御光の強度に応じて屈曲変位される。
このダイヤフラムの屈曲変位により、ダイヤフラムの反
射面の湾曲形状が変化し、その変化に応じて、導入路か
ら照射され反射面により反射された光の反射方向や光の
集光性が変化する。この結果、反射光が導出路において
受光されたり、受光されなくなったり、又は、受光され
る光量がダイヤフラムの屈曲変位に応じて変化する。こ
のような作用の結果、制御光の入力の有無に応じて、導
入路から導出路へ光を伝搬又は遮断させることができ
る。又、制御光の強度に応じて、導出路へ伝搬させる光
の強度を制御することができる。即ち、本光制御素子
は、電気回路におけるトランジスタと同様にディジタル
的にオンオフ制御させたり、アナログ的に光増幅器、光
変調器として作用する。このようにして、全光型の光制
御素子を構成することができる。

【０００８】又、駆動手段を、上記のように、ダイヤフ
ラムにより外部と隔離された室と、この室に充填された
体積可変部材とで構成することで、制御光の光エネルギ
ーに応じて体積可変部材の体積が変化し、ダイヤフラム
を上記のような光制御が可能なように湾曲制御すること
ができる。このようにして、構造簡単に光制御素子を構
成することができる。

【０００９】又、体積可変部材を、制御光の光エネルギ
ーを熱エネルギーに変換する光熱変換部材と、熱エネル
ギーにより膨張又は収縮する熱伸縮部材とで構成するこ
とで、エネルギー変換効率と熱変位効率とに関して、独
立に物質を選択できる結果、光エネルギーの強度に対す
るダイヤフラムの湾曲変位量の比率を大きくすることが
でき、制御性の良い光制御素子を実現できる。

【００１０】又、駆動手段を、ダイヤラフムと熱伸縮部
材とを兼ねるバイメタルと、このバイメタルの裏面に配
設された光を吸収して発熱する光熱変換部材とで構成す
ることで、極めて構造簡単な光制御素子を実現できる。
これらの光制御素子は、電気回路におけるトランジスタ
と同様な作用をする結果、トランジスタを組み合わせた
各種の論理回路、例えば、AND 回路、OR回路、NOR 回
路、NOT 回路、単安定、双安定、無安定のマルチバイブ
レータ回路、発振回路等を全光型で形成することができ
る。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明を具体的な実施例に
基づいて説明する。 第１実施例 図１は、本発明の具体的な実施例に係る光制御素子１０
０を示した構成図である。図１において、外面の反射面
１ａがアルミニウム等の高反射率物質でコートされたダ
イヤフラム１により、室２は外部と隔絶されている。室
２には熱エネルギーを受け膨張または収縮する熱伸縮部
材３が充填されており、その熱伸縮部材３の中央部には
光エネルギーを吸収して熱エネルギーを発散する光熱変
換部材４が配設されている。熱伸縮部材３と光熱変換部
材４とで、制御光の強度に応じて熱エネルギーにより体
積が変化する体積可変部材１０が構成されている。駆動
手段は室２と熱伸縮部材３と光熱変換部材４とで構成さ
れる。又、導入路を構成する入力光ファイバー６が、そ
の端面から放出された光Si1 がダイヤフラム１の反射面
１ａに入射するように配設され、導出路を構成する出力
光ファイバー７が、その端面がダイヤフラム１からの反
射光So1 を入力するように配設されている。ダイヤフラ
ム１が凹形状に湾曲している時、入力光ファイバー６か
ら出力光ファイバー７への光の伝搬が可能であり、ダイ
ヤフラム１が凸形状に湾曲している時、反射光So1 の収
光性がなく、入力光ファイバー６から出力光ファイバー
７への光の伝搬が出来ないように構成されている。又、
光熱変換部材４に制御光を照射するように、制御光導入
路を構成する制御光ファイバー５が配設されている。

【００１２】ダイヤフラムはシリコン(Si)、金属、ゴ
ム、又はバイメタルで構成できる。又、光熱変換部材４
は、例えば、カーボンファイバー等のように光を吸収し
て発熱する物質で構成できる。熱伸縮部材３は熱により
体積が増大又は減少する部材であれば良く、気体、液体
等の流体が望ましいが、固体でも使用できる。例えば、
フロン１１、フロン１１３、メタノール、エタノール等
の低沸点ガスが望ましい。又、ゲル状物質で構成しても
良い。

【００１３】尚、上記の光制御素子１００の製造方法
は、ダイヤフラムにシリコンを用いる場合には、シリコ
ン基板９の微細加工技術により形成することができる。
即ち、シリコン基板９の上面を酸化して酸化膜１０２を
形成し、その酸化膜１０２の上に反射面１ａを形成する
ためにアルミニウムを蒸着し、シリコン基板９の裏面か
らエッチングして酸化膜１０２をエッチングストップ層
として室２を形成する。その後、室２に光熱変換部材４
と熱伸縮部材３とを充填する。そして、ガラス基板８を
シリコン基板に接合する。そして、ガラス基板８に形成
された穴８１に制御光ファイバー５を挿入して取り付け
る。入力光ファイバー６、出力光ファイバー７の固定方
法は、ダイヤフラム１の屈曲変位する空間だけ部屋１０
４が形成されたガラス基板１０３をシリコン基板９の表
面に接合させれば良い。そして、そのガラス基板１０３
に所定角度で形成された孔１０５、１０６に入力光ファ
イバー６、出力光ファイバー７を、それぞれ、挿入して
固定する。尚、シリコン基板をエッチングして形成する
方法は、例えば、特開平５−２６１７０号公報に記載さ
れているように良く知られた方法である。

【００１４】次に、この光制御素子の作用を説明する。
制御光ファイバー５に制御光Sc１が供給されていない場
合には、ダイヤフラム１は図１に示すように、凹形状に
湾曲しているので、入力光ファイバー６から出力された
入力光Si１は、ダイヤフラム１の反射面１ａにより反射
及び集光され、出力光ファイバー７に入力されて、その
中を出力光So１として伝搬する。よって、この光制御素
子１００は、光トランジスタとしてオン状態を示す。

【００１５】次に、制御光ファイバー５に所定の強さの
制御光Sc１が供給されると、光熱変換部材４は制御光Sc
１の光エネルギーを吸収して熱エネルギーを発散する。
室２内に充填された熱伸縮部材３はこの熱エネルギーを
受け膨張し、ダイヤフラム１は外部空間に向かって凸状
に変形し、反射面１ｂのようになる。入力光ファイバー
６から出力された入力光Si１は、ダイヤフラム１の反射
面１ｂにより反射及び発散され、出力光ファイバー７に
入る光量は大幅に減少し、出力光So１として伝搬される
光量も無視できる量まで減少する。よって、この光制御
素子は、光トランジスタとしてオフ状態を示す。

【００１６】このように、制御光ファイバー５に供給さ
れる制御光Sc１によって、入力光ファイバー６から出力
光ファイバー７に伝達される光のオンオフ制御が可能に
なる。素子の大きさにもよるが、例えば、スイッチング
速度は５０m sec.程度である。しかも、光ファイバー
５，６，７はポリマー導波路等マルチモード用光ファイ
バーを用いることができるので、光アクチュエータの駆
動が可能な程度のパワー伝送回路や自動車車内光ＬＡＮ
の論理回路に本光制御素子１００を組み込むことが可能
になる。

【００１７】第２実施例 本実施例は、上記構成の光制御素子１００を複数用いた
光回路に関するものである。上記の構成の光制御素子１
００は光トランジスタとして機能する。従って、以下の
実施例において、制御光の入力端をベースＢ、光の入力
端をエミッタＥ、光の出力端をコレクタＣで示し、図１
の構成の光制御素子１００を図２に示すTr１、Tr２のよ
うに、機能図化して示す。又、以下、上記の構成の光制
御素子１００を光トランジスタとして参照する。

【００１８】図２は、光トランジスタTr１のエミッタＥ
に入力光ファイバー１６が接続され、コレクタＣに出力
光ファイバー１７が接続され、ベースＢに制御光ファイ
バー１５が接続されている。同様に、光トランジスタTr
２のエミッタＥ、コレクタＣ、ベースＢには、それぞ
れ、入力光ファイバー２６、出力光ファイバー２７、制
御光ファイバー２５が接続されている。出力光ファイバ
ー１７、２７には、それぞれ、光分岐器１２、２２が接
続されており、それらを介して、各コレクタＣからの出
力光So１、So２の一部が外部に光信号Sa１、Sa２として
出力できる構成となっている。そして、光トランジスタ
Tr１の出力光ファイバー１７と光トランジスタTr２の制
御光ファイバー２５とが接続されており、光トランジス
タTr２の出力光ファイバー２７と光トランジスタTr１の
制御光ファイバー１５とが接続されている。よって、光
トランジスタTr１のコレクタＣからの出力光So１の一部
は、光トランジスタTr２のベースＢに制御光Sc２として
帰還し、光トランジスタTr２のコレクタＣからの出力光
So２の一部は、光トランジスタTr１のベースＢに制御光
Sc１として帰還している。この回路は、電気回路で良く
知られた双安定マルチバイブレータに対応する光回路で
ある。

【００１９】次に、図２（ａ），（ｂ）を参照して、本
回路の作動について説明する。光トランジスタTr１、Tr
２、共に、ベースＢに光が入力されていない状態で、ダ
イヤフラム１１、１２は共に凹形状である。図２（ａ）
において、入力光Si２が光トランジスタTr２のエミッタ
Ｅに入射すると、ダイアフラム２１は凹形状であるの
で、反射光は出力光So２としてコレクタＣに集光され
る。その出力光So２は光分岐器２２で一部分岐され、外
部に光信号Sa２として出力される。以下、この出力状態
をオン出力または１出力と言う。出力光So２の残りは、
光トランジスタTr１のベースＢに対して制御光Sc１とし
て供給される。

【００２０】光トランジスタTr１は、この制御光Sc１の
光エネルギーを受けて、そのダイヤフラム１１が凸形状
となり、入力光Si１がそのエミッタＥに入力しても、反
射発散され、コレクタＣから出力光So1 が得られない。
よって、光分岐器１２を介して外部に光信号Sa１は出力
されない。以下、この出力をオフ出力または０出力と言
う。光トランジスタTr２のベースＢにも制御光Sc２は供
給されないので、そのダイアフラム２１は凹状態に保存
され、図２（ａ）の状態は安定状態として保持される。

【００２１】次に、入力光Si２が一定時間だけ遮断され
ると、光トランジスタTr１のベースＢへの制御光Sc１の
供給が停止されるため、光トランジスタTr１のダイアフ
ラム１１が凹状態に変化する。このため、光トランジス
タTr１のエミッタＥに入力した入力光Si１は、コレクタ
Ｃに集光されて、出力光So１として光分岐器１２におい
て、その一部が光信号Sa１として外部に出力される。即
ち、光トランジスタTr１はオン状態となる。また、出力
光So１の残りは、光トランジスタTr２のベースＢに制御
光Sc２として供給される。

【００２２】光トランジスタTr２は、この制御光Sc２の
光エネルギーを受けて、そのダイヤフラム２１が凸形状
に変化し、入力光Si２がそのエミッタＥに入力しても、
反射発散され、コレクタＣから出力光So２が得られな
い。よって、光分岐器２２を介して外部に光信号Sa２は
出力されない。即ち、光トランジスタTr２はオフ状態と
なり、図２（ｂ）の状態が安定状態として保持される。

【００２３】次に、図２（ｂ）の状態において、入力光
Si１が一定時間だけ遮断されると、光トランジスタTr２
のベースＢへの制御光Sc２の供給が停止されるため、光
トランジスタTr２のダイアフラム２１が凹状態に変化す
る。このため、光トランジスタTr２のエミッタＥに入力
した入力光Si２は、コレクタＣに集光されて、出力光So
２として光分岐器２７において、その一部が光信号Sa２
として外部に出力される。即ち、光トランジスタTr２は
オン状態に変化する。また、出力光So２の残りは、光ト
ランジスタTr１のベースＢに制御光Sc１として供給され
る。

【００２４】光トランジスタTr１は、この制御光Sc１の
光エネルギーを受けて、そのダイヤフラム１１が凸形状
に変化し、入力光Si１がそのエミッタＥに入力しても、
反射発散され、コレクタＣから出力光So１が得られな
い。よって、光分岐器１２を介して外部に信号Sa１は出
力されない。即ち、光トランジスタTr１はｏｆｆ状態に
戻り、図２（ａ）の状態が安定状態として保持される。

【００２５】図２の回路構成を、図３のような４端子素
子として表す時、以上の動作状態は、図４に示すように
なる。図４に示されるように、入力光Si１，Si２を一定
時間遮断、即ち、オフパルスを光トランジスタTr１，Tr
２に入力することで、２つの安定状態が切り替わる光フ
リップフロップ回路（双安定マルチバイブレータ）が実
現される。

【００２６】図２において、オフパルスを用いずオンパ
ルスによってフリップフロップ動作を実現することも可
能である。即ち、図５（ａ）において、光トランジスタ
Tr１，Tr２のそれぞれのベースＢの入力回路にオンパル
スを入力するための光結合器１３、２３が設けられてい
る。図５（ａ）の状態、即ち、入力光Si１，Si２が共に
供給された状態で、光トランジスタTr１がオフ、光トラ
ンジスタTr２がオンとする。

【００２７】今、光トランジスタTr２のベースＢに外部
から補助制御光Sd２が一定時間だけ供給されると、ダイ
アフラム２１が凸状態となり、光トランジスタTr２はオ
フ状態となる。このため、入力光Si２はコレクタＣに出
力光So２として出力されない。そして、光トランジスタ
Tr１のベースＢへの制御光Sc１の供給が停止されるた
め、光トランジスタTr１のダイアフラム１１が凹状態と
なる。このため、光トランジスタTr１のエミッタＥに入
力した入力光Si１は、コレクタＣに集光されて、出力光
So１として光分岐器１２において、その一部が光信号Sa
１として外部に出力される。即ち、光トランジスタTr１
はオン状態となる。また、出力光So１の残りは、光トラ
ンジスタTr２のベースＢに制御光Sc２として供給され
る。

【００２８】光トランジスタTr２は、この制御光Sc２の
光エネルギーを受けて、補助制御光Sd２が遮断されて
も、そのダイヤフラム２１は凸形状を維持する。よっ
て、光分岐器２２を介して外部に光信号Sa２は出力され
ない。即ち、光トランジスタTr２はオフ状態を維持し、
図５（ｂ）の状態が安定状態として保持される。

【００２９】次に、光トランジスタTr１のベースＢに外
部から補助制御光Sd１が一定時間だけ供給されると、ダ
イアフラム１１が凸状態となり、光トランジスタTr１
は、オフ状態となる。このため、入力光Si１はコレクタ
Ｃに出力光So１として出力されない。又、光トランジス
タTr２のベースＢへの制御光Sc２の供給が停止されるた
め、光トランジスタTr２のダイアフラム２１が凹状態と
なる。このため、光トランジスタTr２のエミッタＥに入
力した入力光Si２は、コレクタＣに集光されて、出力光
So２として光分岐器２２において、その一部が光信号Sa
２として外部に出力される。即ち、光トランジスタTr２
はｏｎ状態となる。また、出力光So２の残りは、光トラ
ンジスタTr１のベースＢに制御光Sc１として供給され
る。

【００３０】光トランジスタTr１は、この制御光Sc１の
光エネルギーを受けて、補助制御光Sd１が遮断されて
も、そのダイヤフラム１１は凸形状を維持する。よっ
て、光分岐器１２を介して外部に信号Sa１は出力されな
い。即ち、光トランジスタTr１はオフ状態を維持し、図
５（ａ）の状態が安定状態として保持される。

【００３１】図５の回路構成を、図３の４端子素子とし
て表した場合の以上の動作状態を図６に示す。図６に示
されるように、オンパルス（一時的に１の光を入力）を
入れることにより、２つの安定状態が切り替わる光リッ
プフロップ回路が実現される。

【００３２】第３実施例 次に、第３実施例の回路について説明する。図７（ａ）
において、光トランジスタTr３のエミッタＥに入力光フ
ァイバー３６が接続され、コレクタＣに出力光ファイバ
ー３７が接続されている。そして、出力光ファイバー３
７はベースＢに接続された制御光ファイバー３５に接続
されている。

【００３３】光トランジスタTr３のコレクタＣからの出
力光So３は光分岐器３２により一部が分岐されて外部に
光信号Sa３として出力される。出力光So３の残りの信号
は制御光Sc３としてベースＢに帰還している。この帰還
する制御光Sc３は、ダイヤフラム３１を凸形状に湾曲さ
せるに十分な強度を有する。

【００３４】入力光Si３が存在しない時には、図７
（ｂ）に示すように、光トランジスタTr３のダイヤフラ
ム３１は凹形状に湾曲している。この状態で、入力光Si
３をエミッタＥに入射させると、光トランジスタTr３の
エミッタＥに供給された入力光Si３は、コレクタＣに反
射集光され、光分岐器３２により一部分岐されて、外部
に光信号Sa３として出力される。又、残りの信号は制御
光Sc３としてベースＢに帰還するので、光トランジスタ
Tr３のダイヤフラム３１は凸形状に変化し、図７（ａ）
に示す状態となる。この結果、光トランジスタTr３のエ
ミッタＥに供給された入力光Si３は、発散反射されるた
めコレクタＣに供給されず、コレクタＣから出力光So３
が出力されない。よって、光分岐器３２で分岐され、外
部に出力される光信号Sa３も零となる。同時に、光トラ
ンジスタTr３のベースＢに供給される制御光Sc３の強度
も零となるため、光トランジスタTr３のダイヤフラム３
１が凹状態に変化し、図７（ｂ）に示す状態に戻る。こ
のように、図７（ａ）と図７（ｂ）に示す状態が繰り返
され、外部に出力される光信号Sa３は発振信号となる。

【００３５】このようにして、電気回路における正帰還
型の発振器に対応した光発振器を得ることができる。振
動周波数は光トランジスタの大きさにもよるが、例え
ば、２０Ｈｚ程度の振動光を得ることができる。

【００３６】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の具体的な実施例に係る光制御素子を示
した構成図。

【図２】本発明の具体的な実施例に係る光制御素子を応
用した双安定マルチバイブレータを示した回路図。

【図３】双安定マルチバイブレータを４端子網で示した
回路図。

【図４】双安定マルチバイブレータの動作特性を示した
表図。

【図５】他の構成の双安定マルチバイブレータを示した
回路図。

【図６】その双安定マルチバイブレータの動作特性を示
した表図。

【図７】光発振回路の構成を示した回路図。

【符号の説明】

１，１１，２１，３１…ダイヤフラム １ａ，１ｂ…反射面 ２…室 ３…熱伸縮部材 ４…光熱変換部材 ５，１５，２５，３５…制御光ファイバー ６，１６，２６，３６…入力光ファイバー ７，１７，２７，３７…出力光ファイバー ８，１０３…ガラス基板 ９…シリコン基板 １０…体積可変部材 １２，２２，３２…光分岐器 １００…光制御素子 １０２…酸化膜 １０４…空室 Tr１，Tr２，Tr３…光トランジスタ Si１，Si２，Si３…入力光 So１，So２，So３…出力光 Sc１，Sc２，Sc３…制御光 Sa１，Sa２，Sa３…光信号

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 表面に光の反射面を有するダイヤフラム
   と、 光を導入し前記反射面に光を照射する導入路と、 前記反射面から反射された光を受光し、その光を導出す
   る導出路と、 制御光を受光してその光エネルギーを熱エネルギーに変
   換し、その熱エネルギーにより前記ダイヤフラムを屈曲
   変位させる駆動手段と、 前記駆動手段に前記制御光を導入する制御光導入路とを
   有し、 前記制御光に応じて屈曲変位する前記ダイヤフラムによ
   り前記導入路から前記導出路に伝搬する光を制御するこ
   とを特徴とする光制御素子。