JPH10232109A

JPH10232109A - 光変位センサー

Info

Publication number: JPH10232109A
Application number: JP34575096A
Authority: JP
Inventors: Akio Watanabe; 章夫渡辺
Original assignee: Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority date: 1996-12-25
Filing date: 1996-12-25
Publication date: 1998-09-02

Abstract

(57)【要約】【課題】従来と同等の精度が得られる低コストな光変位
センサーを提供すること。【解決手段】広帯域光源１から出射された光波は、偏光
解消子３によって無偏光化され、単一モード光ファイバ
ー型３ｄＢカプラー５に導かれ、そこで二分される。二
分された一方の光波は、参照光として、位相変調機能と
偏光子機能とを有する光導波路位相変調素子７から該３
ｄＢカプラー５に戻ってくる。他方の光波は、測定光と
して、レンズ１４を経て被測定物から該３ｄＢカプラー
５に戻ってくる。参照光と測定光の位相差に応じて、信
号光が受光器１６に送られ、狭帯域フィルター２０を透
過し受光素子２１に入射するようになっている。そし
て、参照光と測定光の光路長差を、狭帯域フィルター２
０の帯域幅で決まる干渉長以下とすることによって、光
導波路１０や光ファイバー６，１２の端面を垂直にで
き、斜めに加工しなくて済むようになっている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光学的干渉によっ
て被測定物の変位測定を行うための光変位センサーに関
する。

【０００２】

【従来の技術】光学的干渉計には、マイケルソン干渉計
やマッハツェンダー干渉計等の原理を利用したものがあ
る。そして、それらの干渉計を、ニオブ酸リチウム（Li
NbO₃）やタンタル酸リチウム（LiTaO₃）等の電気光学結
晶基板に構成するようにした場合には、小型であって、
その後の複雑な光学系の位置合わせを必要としない光変
位センサーを得ることが可能となる。そこで、光導波路
を用いている従来の光変位センサーの概略を、図３を用
いて説明する。

【０００３】この従来例においては、半導体レーザ３１
から出た光波は、偏波保持光ファイバー３２によって、
光導波路素子３３に形成された入射ポート３４に導か
れ、該素子内の光導波路型３ｄＢカプラー３５によって
光導波路３６，３７に二分される。光導波路３６に導か
れた光波は参照光とされ、ミラー３８で反射されて光導
波路型３ｄＢカプラー３５に戻る。他方、光導波路３７
に導かれた光波は測定光とされ、端面３９から出射され
た後、レンズ４０の端面４１に入射し、被測定物に集光
される。そして、被測定物によって反射された測定光
は、レンズ４０を経て光導波路素子３３に入射し、光導
波路型３ｄＢカプラー３５に戻る。

【０００４】そこで、光導波路型３ｄＢカプラー３５
は、参照光と測定光の位相差に応じて、光波を入射ポー
ト３４と信号出力ポート４２とに振り分ける。信号出力
ポート４２に振り分けられた光波は、マルチモード光フ
ァイバー４３に導かれて受光器４４に入射する。受光器
４４に入射した光波（以下、信号光という）は、参照光
と測定光との位相差の情報を有しているため、以後、こ
の信号光の強度を検出することによって被測定物の変位
を求めるようにしている。尚、光導波路素子３３内に
は、参照光と測定光との位相差を正確に得られるように
するために、光導波路３６に対して位相変調用電極４５
が設けられている。

【０００５】ところで、上記した入射ポート３４の端面
は斜めに形成されている。もし、この入射ポート３４の
端面が光導波路に対して垂直に形成されていたとする
と、上記のようにして光導波路型３ｄＢカプラー３５か
ら入射ポート３４に向けて振り分けられた光波の一部
が、この端面で反射され、再び、光導波路型３ｄＢカプ
ラー３５に向かうことになってしまい、最終的には、信
号光とは別の干渉信号になってしまう。このよな多重反
射の影響による干渉信号は測定ノイズとなるため、極力
少なくする必要がある。そこで、入射ポート３４の端面
は、その端面での反射光が光導波路に戻らないように、
光導波路に対して斜めに形成しているのである。

【０００６】同様のことは光ファイバーの端面でも生じ
るため、偏波保持光ファイバー３２の端面４６も斜めに
している。しかしながら、光導波路と光ファイバーは屈
折率が異なるため、両者の端面を同じ角度で研磨する
と、半導体レーザ３１から出射した光波は、光ファイバ
ー３２の端面４６と入射ポート３４の端面とで屈折し、
入射ポート３４に入射しない。そこで、両者の屈折角を
同じにし、偏波保持光ファイバー３２からの光波を低損
失で入射ポート３４に入射させるようにするために、通
常は、偏波保持光ファイバー３２を、入射ポート３４に
対して斜めに配置することによって調整している。

【０００７】他方、信号出力ポート４２においても、端
面が垂直になっていると、反射光が多重反射して測定ノ
イズになるため、その端面を斜めに形成しているし、マ
ルチモード光ファイバー４３の端面４７も斜めに形成し
ている。同様に、測定光を出射する光導波路素子３３の
端面３９からの反射光、及びレンズ４０の入射端面４１
からの反射光も夫々測定ノイズになるのを避けるため
に、夫々の端面３９，４１を斜めに形成している。この
ように、光学部品の接続面を斜めに形成し、接続面での
反射光が元の光路に戻らないように対策を施すことが、
高精度な光変位センサーを実現する上での必須の条件と
なっている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上記した従来例におい
て、各光ファイバー３２，４３の端面４６，４７を斜め
に加工するためには、それらの光ファイバー３２，４３
をＶ溝基板４８に整列して固定し、Ｖ溝基板４８ごと研
磨する。そして、そのＶ溝基板４８と共に光導波路素子
３３に固定することになる。そこで、その加工作業を図
４を用いて説明する。尚、図４（ａ）は各光ファイバー
３２，４３とＶ溝基板４８の取り付け構成を示す説明図
であり、図４（ｂ）は図４（ａ）に示したＶ溝基板４８
の右側面図である。

【０００９】先ず、光ファイバー３２，４３をＶ溝基板
４８のＶ溝４８ａ，４８ｂ内に取り付ける必要がある
が、そのためには光ファイバー３２，４３を薬品に浸漬
して被覆３２ａ，４３ａを剥離し、心線３２ｂ，４３ｂ
を夫々独立に調整機器にチャックして、顕微鏡の観察下
において各Ｖ溝４８ａ，４８ｂに納め、接着することに
なる。このとき、偏波保持光ファイバー３２はＸ軸，Ｙ
軸，Ｚ回転軸の３軸、マルチモード光ファイバー４３は
Ｘ軸，Ｙ軸の２軸、両者で合計５軸の調整が必要にな
る。また、偏波保持光ファイバー３２及び／又はマルチ
モード光ファイバー４３の巻き癖が顕著である場合に
は、両光ファイバー３２，４３を並行に調整するための
Ｙ回転軸、及び両光ファイバー３２，４３とＶ溝４８
ａ，４８ｂとを並行に調整するためのＹ回転軸の２軸の
調整が必要となる。そのため、調整機器は非常に複雑に
なり、また組立作業は非常に煩雑となって作業時間が長
くかかっている。

【００１０】また、精度よく研磨するためにはＶ溝基板
４８を、ワックスで治具に張りつける必要があるが、こ
のＶ溝基板４８は極めて細かい部品であるため、その張
りつけ作業が容易ではない。更に、研磨後、光導波路素
子３３にワックスで固定するに際しては、偏波保持光フ
ァイバー３２及び／又はマルチモード光ファイバー４３
に巻き癖があり且つＶ溝基板４８が小さくて軽いため、
固定面を整列させるのが容易ではなく、その固定作業が
極めて煩雑である。

【００１１】他方、光導波路３７の端面３９から屈折し
て出射した光波を、光導波路素子３３の長手方向と平行
にするためには、レンズ４０の入射端面４１で屈折させ
るなどの対策が必要になってくる。そのため、従来にお
いては、レンズ４０を実装するに際し、レンズ４０を回
転させるなどして調整し、取り付けていていたが、この
よな調整作業を行わなければならないことから生産性が
非常に悪くなっている。

【００１２】以上のように、半導体レーザを使用した従
来の干渉計においては、不要且つ弊害な反射光を低減す
るために、各接続部の端面を斜めに加工する必要があ
り、また光導波路素子に光導波路型３ｄＢカプラーを集
積化すると、接続に高価なＶ溝基板を必要とすることな
どによって、設備費，部材費，加工工数，組立工数を大
きくし、それらがコストアップの大きな要因になってし
まうという問題点があった。

【００１３】本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたものであり、その目的とするところは、光
導波路や光ファイバーの端面を斜めに加工する必要がな
く、また、組立に際しては位置調整等の面倒な作業を必
要とせずに、従来と同等の精度が得られる低コストな光
変位センサーを提供することである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明における光変位センサーは、広帯域光源
と、偏光解消子と、単一モード光ファイバー型３ｄＢカ
プラーと、位相変調機能と偏光子機能とを有する光導波
路素子と、少なくとも一つの狭帯域フィルターと、受光
素子とを備え、参照光路と測定光路の光路長差が、前記
狭帯域フィルターの帯域幅で決まる干渉長以下であるよ
うにすることを特徴としている。

【００１５】

【発明の実施の形態】図１は、本来、本発明の実施例１
を示しているものであるが、これを用いて本発明の実施
の形態を説明する。広帯域光源１から出射された光波
は、光ファイバー２を通って、偏光解消子３に導かれ
る。偏光解消子３を通過した光波は、無偏光となり、入
力用光ファイバー４を通って、単一モード光ファイバー
型３ｄＢカプラー５内に導かれ、そこで二分され二つの
光ファイバーに振り分けられる。二分された一方の光波
は、参照光用光ファイバー６を通って光導波路位相変調
素子７の入出射ポート８に導かれる。

【００１６】尚、この参照光用光ファイバー６はキャピ
ラリー９によって光導波路位相変調素子７の光導波路１
０に接続されている。そして、この光導波路１０に導か
れた光波は、ミラー１１で反射されて参照光となり、単
一モード光ファイバー型３ｄＢカプラー５に戻ってく
る。二分されたもう一方の光波は、測定光用光ファイバ
ー１２に導かれて端面１３から出射され、レンズ１４に
よって被測定物に集光される。被測定物からの反射光は
測定光となり、レンズ１４，測定光用光ファイバー１２
を経て単一モード光ファイバー型３ｄＢカプラー５に戻
ってくる。

【００１７】単一モード光ファイバー型３ｄＢカプラー
５は、参照光のＴＥ成分と測定光のＴＥ成分の位相差に
応じて、光波のＴＥ成分を入力用光ファイバー４と信号
用光ファイバー１５とに振り分ける。このことはＴＭ成
分に対しても同じである。ところが、参照光光路と測定
光光路の複屈折のため、受光器１６に入射する信号のＴ
Ｅ成分とＴＭ成分とは同じ位相にならない。また、光導
波路位相変調素子７には、参照光と測定光の位相差を正
確に計測できるようにするために位相変調用電極１７が
作製されているが、光導波路１０においてＴＥ成分とＴ
Ｍ成分とに同じ位相の変調を加えることは困難である。

【００１８】そこで、本発明の光導波路位相変調素子７
は、一方の偏光成分だけに変調を加え、他方の偏光成分
を除去して測定信号が得られるようにするために、上記
の位相変調機能のほかに偏光子機能を有している。そし
て、偏光子機能を有するようにするためには、ニオブ酸
リチウム（LiNbO₃）やタンタル酸リチウム（LiTaO₃）基
板に、プロトン交換導波路を形成するのが簡単である。
しかし、偏光子機能を有しない光導波路上に、金属膜装
荷型偏光子を形成するようにしても差し支えない。

【００１９】また、本発明においては、上記したような
偏光解消子３と単一モード光ファイバー型３ｄＢカプラ
ー５を用いているが、その理由を、ここで説明してお
く。広帯域光源１から出射される光波は偏光しているた
め、それを直接、単一モード光ファイバー型３ｄＢカプ
ラー５に入射させ、偏光子機能を有する光導波路位相変
調素子７に導くと、光ファイバーを屈折させる応力や温
度環境の変化によって偏波変動を生じてしまい、光導波
路位相変調素子７の偏光子を通過できる偏光成分の強度
が変動し、測定誤差を生じさせる原因となってしまう。

【００２０】このような偏波変動を避けるためには、偏
波保持光ファイバーを用いることが考えられるが、偏波
保持光ファイバーを用いた３ｄＢカプラーは作製するの
が難しく、高価になってしまうという難点がある。加え
て、偏波保持光ファイバー型３ｄＢカプラーを用いる
と、偏波保持光ファイバーと光導波路位相変調素子７を
接続する際、偏波面を合わせる必要が生じ、接続作業が
複雑になってしまうという問題がある。

【００２１】それ故、安価であって偏波面を考慮する必
要のない単一モード光ファイバー型３ｄＢカプラー５を
用い、その光ファイバーと光導波路位相変調素子７の接
続を簡単に行えるようにするためには、その光ファイバ
ー中で生じる偏波変動が悪影響を及ぼさない構成にする
必要がある。そのため、本発明においては、広帯域光源
１に偏光解消子２を接続して無偏光化している。このよ
うに無偏光化された光は、光ファイバー中で偏波変動が
生じてもＴＥ／ＴＭ成分の強度比が１：１で変わらない
ため、偏光子を通過する偏光成分の強度も変わらず、偏
波変動の影響が現れない。

【００２２】このようにして、単一モード光ファイバー
型３ｄＢカプラー５によって、信号用光ファイバー１５
に振り分けられた光波は、受光器１６に入射する。受光
器１０内においては、信号用光ファイバー１５の端面１
８から出射した光波が、レンズ１９によって平行光にさ
れ、狭帯域フィルター２０を経て受光素子２１に入射す
る。そして、受光素子２１で得られる干渉波形の位相か
ら、参照光と測定光の位相差が得られ、被測定物の変位
を求めることができる。尚、図１の受光器１６内には、
一つの狭帯域フィルター２０と受光素子２１を配置して
いるが、本発明は、透過波長帯域の異なる２枚以上の狭
帯域フィルターと、夫々の後段に受光素子を配置するよ
うにしてもよく、そのようにすることによって測定レン
ジを拡大することが可能になる。

【００２３】上記のように、本発明においては、光源に
広帯域光源を用い、受光器内に、少なくとも一つの狭帯
域フィルターを配置し且つその後段に受光素子を配置し
ているが、その理由を以下に詳しく説明する。従来の光
変位センサーにおいては、既に説明したように、光源に
半導体レーザを用いていた。半導体レーザから出力され
る光波は、可干渉長が長いため、端面を光導波路等の光
路に対して垂直にした場合には、端面で反射された光波
が干渉することになり、その結果ノイズとなっていた。

【００２４】ところが、本発明で用いる発光ダイオード
やスーパールミネッセントダイオードのような広帯域光
源から出力される光波は、可干渉長が短いため、端面を
垂直にしても、各端面で発生した不要な反射光が他の反
射光と干渉することがなく、ノイズとはならない。但
し、広帯域光源から出力される光波のスペクトル幅が広
すぎると、可干渉長が非常に狭くなり、参照光と測定光
の光路差長を精密に調整する必要が生じる。また、測定
レンジが非常に狭くなるという弊害も生じる。そこで、
本発明では、受光素子の前に狭帯域フィルターを配置す
ることで可干渉長を数百μｍとし、光路長調整を容易に
し、且つ、測定レンジの拡大を図っている。

【００２５】狭帯域フィルターは、透明ガラス基板に誘
電体多層膜を施すことによって作製することができる
が、帯域幅１ｎｍの狭帯域フィルターの場合、可干渉長
は数百μｍ程度となる。そこで、光ファイバーや光導波
路位相変調素子の端面を垂直に形成すると、参照光側光
路と測定光側光路においては、図１に示すように、入出
射ポート８で反射した光波Ｒ１、ミラー１１で反射した
光波Ｒ２、測定光用光ファイバー１２の端面１３で反射
した光波Ｍ１、被測定物で反射した光波Ｍ２の各反射光
が生じる。そして、これらの反射光の全ての組み合わせ
において、光波Ｒ２と光波Ｍ２の光学長差を、可干渉長
の数百μｍ以内に調整しておけば測定信号が得られるこ
とになるが、それ以外の反射光の光学長差は狭帯域フィ
ルターの帯域幅で決まる可干渉長に比べ充分大きな光学
長差となるため、測定信号に対して不要干渉信号（ノイ
ズ）とはならなくなる。

【００２６】

【実施例】

（実施例１）図１及び図２を用いて本発明の実施例１の
説明を行う。本実施例においては、広帯域光源１とし
て、中心波長８４０ｎｍ，スペクトル幅２０ｎｍのスー
パールミネッセントダイオード（ＳＬＤ）を用いた。ま
た、光ファイバー２には偏波保持光ファイバーを用い、
偏光解消子３には偏波保持光ファイバーを用いた。そし
て、光ファイバー２に偏光解消子３を接続するに当たっ
ては、光ファイバー２の偏光面に対して固有軸を４５度
傾けて偏光解消子３の光ファイバーを接続した。

【００２７】そのため、広帯域光源１から出射された光
波は、偏光解消子３によって無偏光となり、単一モード
光ファイバー型３ｄＢカプラー５に入射して二分され
る。そして、単一モード光ファイバー型３ｄＢカプラー
５の参照光用光ファイバー６に導かれた光波は、光導波
路位相変調素子７に形成された入出射ポート８に導か
れ、ミラー１１で反射された後、再び単一モード光ファ
イバー型３ｄＢカプラー５に導かれて参照光となる。

【００２８】光導波路位相変調素子７には、ニオブ酸リ
チウム結晶基板にプロトン交換法で光導波路１０が作製
されており、この光導波路１０の両側には、参照光と測
定光の位相差を正確に計れるようにするための位相変調
用電極１７が作製されている。尚、光導波路位相変調素
子７の物理的長さは３０ｍｍとした。ニオブ酸リチウム
の屈折率は波長８４０ｎｍで２．１７５であり、そのた
め光学長は６５．２５ｍｍとなる。光導波路位相変調素
子７の両端面は、光導波路１０に対して垂直に研磨され
ており、入出射ポート８には、ガラスのキャピラリー９
を用いて参照光用光ファイバー６が接続されている。

【００２９】この参照光用光ファイバー６を接続するに
際しては、光ファイバー用カッターで切断した参照光用
光ファイバー６を、図２に示すようにガラスのキャピラ
リー９に挿入する。そして、光導波路１０の端面にその
キャピラリー９を押しつけ状態にしておき、挿入した長
さを調整すると同時に参照光用光ファイバー６と光導波
路１０との位置合わせを行い、その後、紫外線硬化樹脂
によって固定した。このように、本実施例においては光
導波路１０に対してその端面を垂直に形成しているか
ら、参照光用光ファイバー６との接続に際しては、安価
なキャピラリー９を用いることが可能となり、しかも接
続作業が簡単となる。特に、接続する光ファイバー６が
単一モード光ファイバーであるため、光ファイバー６を
回転させて行うような位置合わせが不要となる。

【００３０】他方、単一モード光ファイバー型３ｄＢカ
プラー５の測定光用光ファイバー１２に導かれた光波
は、端面１３から出射してレンズ１４に入射する。その
場合、端面１３からレンズ１４の中心までの距離を４ｍ
ｍ、レンズ１４の直径を３ｍｍ、屈折率を１．６とする
と、レンズ１４の中心から測定光の焦点までの距離、即
ち被測定物までの距離は４ｍｍとなり、端面１３から被
測定物までの光学長は９．８ｍｍとなる。

【００３１】従って、図１に示すように、参照光側光路
の入出射ポート８の端面位置を基準点Ｌ１とし、測定光
側光路上において単一モード光ファイバー型３ｄＢカプ
ラー５からの光学長が基準点Ｌ１と同じになる点をＬ２
とすると、屈折率１．５７の光ファイバーを用いた場
合、Ｌ２から端面１３までの物理的長さを３５．３２ｍ
ｍとすれば、測定光側光路の光学長、即ち点２から被測
定物までの光学長は６５．２５ｍｍとなって、参照光側
光路の光学長と一致する。

【００３２】測定光側光路において、単一モード光ファ
イバー型３ｄＢカプラー５からの光学長が基準点Ｌ１と
同になる点は、上記したようにＬ２であるが、そこは測
定光用光ファイバー１２の内部の点であって、その近傍
には反射要因となるものが特にない。Ｌ２と最も近接し
た反射面は端面１３であるが、基準点Ｌ１との光学長差
は約５５．４５ｍｍである。逆に、参照光側光路におい
て、単一モード光ファイバー型３ｄＢカプラー５からの
光学長が端面１３と同じになる点は、光導波路１０中の
Ｌ３である。しかし、このＬ３の近傍にも反射要因とな
るものがない。Ｌ３と最も近接した反射面はミラー１１
であって、光学長差は９．８ｍｍである。

【００３３】従って、狭帯域フィルター２０の帯域を、
可干渉長が９．８ｍｍと比較して充分短くなるように選
べば、不要な反射光Ｒ１，Ｍ１は、他の反射光Ｒ２，Ｍ
２と干渉してノイズとなることはない。本実施例では、
中心波長８４０ｎｍで透過帯域幅１ｎｍの狭帯域フィル
ターを用いたため、可干渉長は数百μｍであり、反射光
Ｒ２，Ｍ２に対して、それ以外の不要な反射光Ｒ１，Ｍ
１がノイズとなるようなことはなかった。

【００３４】また、このような本実施例の光変位センサ
ーを用いて変位測定を行ったところ、波長８４０ｎｍ，
スペクトル幅１ｎｍの半導体レーザを用いて測定した場
合と同等の効果が得られた。尚、本実施例は波長８４０
ｎｍの光波を用いているため、測定レンジの最大値は４
２０ｎｍである。

【００３５】（実施例２）上記したように、実施例１に
おいては、一枚の狭帯域フィルターを用いているが、本
実施例においては透過波長領域の異なる二枚の狭帯域フ
ィルターを用いることにした。そのため、図１における
受光器１６の内部構成が異なるだけであり、且つその内
部構成は図面を用いて説明するまでもなく理解すること
ができるので、本実施例については図面が用意されてい
ない。

【００３６】本実施例の受光器内においては、図１にお
けるレンズ１９の後段にハーフミラーを設置し、光路を
二分するようにしている。そして、一方の光波は、中心
波長８４０ｎｍでスペクトル幅１ｎｍの狭帯域フィルタ
ーを通過した後、また他方の光波は、中心波長８４２ｎ
ｍでスペクトル幅１ｎｍの狭帯域フィルターを通過した
後、夫々の受光素子に入射させるようにした。

【００３７】このような構成の本実施例によれば、波長
が８４０ｎｍと８４２ｎｍである二つの異なる光波を用
いているため、測定レンジの最大値は、それらの合成波
長の１／２となり、その値は１７７μｍとなる。このよ
うに、本実施例においては、近接した二つの波長を用い
ているため、実施例１に比較して、測定レンジのみが約
４２０倍に向上している。尚、波長が８４０ｎｍの光波
を用いているため、分解能は実施例１の場合と同等であ
る。

【００３８】

【発明の効果】上記のように、本発明の光変位センサー
は、光導波路や光ファイバーの端面を斜めに加工する必
要がなく、また、組立に際しては複雑な位置調整を必要
としないので、性能は従来と同等であるにもかかわらず
低コストの光変位センサーを得ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１の構成を示した説明図であ
る。

【図２】図１の一部の構成を詳細に示した説明図であ
る。

【図３】従来例の全体構成を示した説明図である。

【図４】図４（ａ）は図３の一部の構成を詳細に示した
説明図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）に示したＶ溝基
板の右側面図である。

【符号の説明】

１広帯域光源２光ファイバー３偏光解消子４入力用光ファイバー５単一モード光ファイバー型３ｄ
Ｂカプラー６参照光用光ファイバー７光導波路位相変調素子８入出射ポート９キャピラリー１０，３６，３７光導波路１１，３８ミラー１２測定光用光ファイバー１３，１８，３９，４１端面１４，１９，４０レンズ１５信号用光ファイバー１６，４４受光器１７，４５位相変調用電極２０狭帯域フィルター２１受光素子３１半導体レーザ３２偏波保持光ファイバー３２ａ，３３ａ被覆３２ｂ，３３ｂ心線３３光導波路素子３４入射ポート３５光導波路型３ｄＢカプラー４２信号出力ポート４３マルチモード光ファイバー４６，４７光ファイバーの端面４８Ｖ溝基板４８ａ，４８ｂＶ溝

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】広帯域光源と、偏光解消子と、単一モー
ド光ファイバー型３ｄＢカプラーと、位相変調機能と偏
光子機能とを有する光導波路素子と、少なくとも一つの
狭帯域フィルターと、受光素子とを備え、参照光路と測
定光路の光路長差が、前記狭帯域フィルターの帯域幅で
決まる干渉長以下であることを特徴とする光変位センサ
ー。