JPH10226892A

JPH10226892A - プラズマエッチング方法及びその装置

Info

Publication number: JPH10226892A
Application number: JP9049863A
Authority: JP
Inventors: Michihiko Yanagisawa; 道彦柳澤; Shinya Iida; 進也飯田; Yasuhiro Horiike; 靖浩堀池
Original assignee: SpeedFam Co Ltd
Current assignee: SpeedFam Co Ltd
Priority date: 1997-02-18
Filing date: 1997-02-18
Publication date: 1998-08-25
Anticipated expiration: 2017-02-18
Also published as: JP3917703B2; US6159388A

Abstract

(57)【要約】【課題】相対厚部の実際のエッチング量を測定しなが
らエッチングすることで、平坦度品質のばらつきのない
ウエハを量産することができるプラズマエッチング方法
及びその装置を提供することを目的としている。【解決手段】プラズマ発生器２の導管２０をウエハ１
１０の相対厚部１１１上に位置させ、活性種ガスＧを相
対厚部１１１に噴射することでエッチングする。この
際、測定器３のレーザ変位計３０からレーザ光Ｌ０を発
振して、相対厚部１１１からの反射光Ｌ１と反射板３２
からの反射光Ｌ２との干渉状態を観測し、この干渉状態
の周期的変化をカウントする。そして、そのカウント数
ｍと、所望エッチング量をレーザ光の半波長で除した整
数値とが一致したときに、活性種ガスＧの相対厚部１１
１に対するエッチングを終了する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、被エッチング物
の表面の相対厚部分を局所的にエッチングするプラズマ
エッチング方法及びその装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】シリコンウエハなどの被エッチング物の
表面をエッチングする技術として、被エッチング物をプ
ラズマ励起した活性種ガス又はイオン中にさらして、そ
の表面全体を研削又は研磨する技術や、マスクによって
保護された部分以外を活性種ガスでエッチングして回路
パターンを形成する技術が数多く知られている。

【０００３】近年では、被エッチング物の表面全体をエ
ッチングする技術に替えて、シリコンウエハやＳＯＩ
（シリコン・オン・インシュレータ）などの被エッチン
グ物の表面上にある相対厚部に対して、局所的なエッチ
ングを行い、被エッチング物を薄くしたり（シンニン
グ）、表面を平坦化して、ＴＴＶ（Total Thickness Va
riation）やＬＴＶ（Local Thickness Variation）とい
った形状変動を改善する技術が考案されている（例え
ば、特開平６−５５７１号公報記載の技術）。

【０００４】図２０は、このような従来の技術の原理を
示す概略図である。図２０において、符号１００はプラ
ズマ発生部であり、プラズマ発生部１００で発生したプ
ラズマ中の活性種ガスＧを、ノズル１０１から被エッチ
ング物としてのウエハ１１０の表面に噴射する。ウエハ
１１０はステージ１２０上に載置固定されており、ステ
ージ１２０を水平方向に移動させることで、ウエハ１１
０の表面のうち規定厚さよりも相対的に厚い部分（以
下、「相対厚部」という）１１１をノズル１０１の真下
に導く。これにより、活性種ガスＧをノズル１０１から
凸状の相対厚部１１１に噴射し、相対厚部１１１を局所
的にエッチングすることで、ウエハ１１０の表面を平坦
化する。しかしながら、ウエハ１１０上の相対厚部１１
１の厚さは一様ではなく、多種多様である。このため、
相対厚部１１１の厚さに対応して、ノズル１０１の滞在
時間を制御する技術が考案されている（例えば特開平５
−１６００７４号公報記載の技術）。この技術は、ま
ずウエハ１１０の全表面にわたって、相対厚部１１１の
位置と厚みとを測定して、そのデータを作る。そして、
このデータを、相対厚部１１１の位置やエッチング処理
後にその相対厚部１１１が所望の平坦度になるようなノ
ズル１０１の滞在時間を示す位置ー滞在時間地図に変換
する。しかる後、この位置ー滞在時間地図に基づいて、
ステージ１２０を制御し、ノズル１０１を所定の相対厚
部１１１の真上まで移動させて、所定の時間だけ滞在さ
せることで、この相対厚部１１１を所望エッチング量だ
けエッチングする。すなわち、厚みが大きい相対厚部１
１１の場合には、ノズル１０１の滞在時間を長くして、
エッチング量を多くし、厚みが小さい相対厚部１１１の
場合には、ノズル１０１の滞在時間を短くして、エッチ
ング量を少なくすることで、ウエハ１１０全体の平坦化
を行っている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記した従来
の技術では、プラズマパラメータ等の周囲環境の変動に
よって、期待通りの平坦化を達成することができないと
いう問題がある。すなわち、上記従来の技術では、ノズ
ル１０１から噴射される活性種ガスＧによるエッチング
反応の速度が一定であり、単位時間当りのエッチング量
即ちエッチング速度が常に一定であるとの前提に立って
いる。しかしながら、実際には、プラズマパラメータな
どの周囲環境は変動することが多く、活性種ガスＧの密
度やウエハ１１０の表面での反応速度が変動する。この
ためノズル１０１によるエッチング速度も上記周囲環境
によって変動することとなり、同じ滞在時間でありなが
ら、ある時はエッチング速度が大きく、ある時はエッチ
ング速度が小さくなるという事態が発生する。このこと
は、量産レベルにおいて、処理ウエハ１１０のＴＴＶや
ＬＴＶといった平坦度品質のばらつきとなって現れてき
てしまう。

【０００６】この発明は上述した課題を解決するために
なされたもので、相対厚部の実際のエッチング量を測定
しながらエッチングすることで、平坦度品質のばらつき
のないウエハを量産することができるプラズマエッチン
グ方法及びその装置を提供することを目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明は、プラズマ発生部の噴射口を被エッチン
グ物の所定の相対厚部に対向させ、活性種ガスを噴射口
から噴射して、相対厚部を平坦にエッチングするプラズ
マエッチング方法において、相対厚部の実際のエッチン
グ量をレーザ光で測定する第１の過程と、エッチング量
が予め定められた所定値に達したときに、相対厚部のエ
ッチングを止める第２の過程とを具備する構成とした。
かかる構成により、活性種ガスをプラズマ発生部の噴射
口から被エッチング物の相対厚部に噴射してエッチング
していくと、相対厚部の表面が削られて変位していく。
すると、第１の過程において、相対厚部表面のエッチン
グ量が測定され、このエッチング量が予め定められた所
定値に達すると、第２の過程において、この相対厚部の
エッチングが止められる。

【０００８】この発明に係るプラズマエッチング装置
は、プラズマ励起した活性種ガスを被エッチング物の所
定の相対厚部に噴射する噴射口を有したプラズマ発生部
と、相対厚部の実際のエッチング量をレーザ光で測定す
る測定部と、測定部で測定される実際のエッチング量と
予め定められた所定値とを比較し、エッチング量と所定
値とが一致したときに、相対厚部に対するエッチング動
作をとめる制御部とを具備する構成とした。かかる構成
により、プラズマ励起した活性種ガスがプラズマ発生部
の噴射口から被エッチング物の所定相対厚部に噴射され
ると、相対厚部がエッチングされ、その表面が変位して
いく。すると、このエッチング量が測定部によって測定
される。そして、この測定部で測定されたエッチング量
と予め定められた所定値とが制御部によって比較され、
これらが一致すると、この相対厚部に対するエッチング
動作が止められる。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。（第１の実施形態）図１は、この発明の第１の実施形態
に係るプラズマエッチング装置の構成図である。このプ
ラズマエッチング装置は、真空ポンプ１０により内部が
約１Ｔｏｒｒに保たれた処理室１内に設けられたプラズ
マ発生器２（プラズマ発生部）と、このプラズマ発生器
２に組み付けられた測定器３（測定部）と、Ｘ−Ｙ駆動
機構４（移動機構）と、制御器５（制御部）とを具備し
ている。

【００１０】プラズマ発生器２は、石英で形成された導
管２０と、供給管２１を通じて導管２０にガスを供給す
るガス供給装置２２と、導管２０に取り付けられたマイ
クロ波発振器２３とを有している。具体的には、導管２
０が、筐体２ａ内に固定されており、その噴射口２０ａ
をステージ４０側に向けている。そして、ガス供給装置
２２は、調整弁２２ａ−１，２２ａ−２，２２ａ−３を
有したボンベ２２−１，２２−２，２２−３を備えてお
り、各ボンベ２２−１，２２−２，２２−３内には、Ｃ
Ｆ４（四ふっ化炭素），Ｏ2（酸素），Ａr（アルゴン）
の各ガスが収納されている。また、マイクロ波発振器２
３は、出力５００Ｗのマグネトロンであり、発生させた
マイクロ波を導波管２３ａを介して導管２０内のプラズ
マ領域に向けて照射することができる。なお、符号２３
ｂは、マイクロ波の位相を調整するためのチューナであ
る。これにより、所定の組成比のＣＦ４とＯ2とＡrとの
混合ガスを導管２０内に供給し、マイクロ波発振器２３
によって、所定パワーのマイクロ波を導管２０内のプラ
ズマ発生領域に照射すると、活性種ガスであるＦガスＧ
を含んだプラズマが発生し、ＦガスＧが下流に流れる。
すなわち、導管２０は、ＦガスＧを噴射口２０ａから被
エッチング物であるウエハ１１０の表面に向けて噴射
し、ウエハ１１０をエッチングする。

【００１１】測定器３は、図２に示すように、上記Ｆガ
スＧによるエッチング時に、ウエハ１１０の相対厚部１
１１表面のエッチング量を測定するための機器である。
具体的には、レーザ変位計３０（第１のレーザ変位計）
と、このレーザ変位計３０に対向した状態で導管２０の
真上に４５度傾けられて配設されたハーフミラー３１
と、このハーフミラー３１の裏側にレーザ変位計３０と
対向するように配設された反射板３２とで構成されてい
る。

【００１２】このレーザ変位計３０は、波長λが６３０
ｎｍ（ナノメータ）であるＨｅ−Ｎｅ（ヘリウム−ネオ
ン）レーザ光を送受光し、受光したレーザ光Ｌ１，Ｌ２
による干渉状態の周期的変化の回数を測定する計器であ
る。ここで、レーザ変位計３０の機能を詳しく述べてお
く。レーザ変位計３０からレーザ光Ｌ０を発振すると、
レーザ光Ｌ０がハーフミラー３１で反射されてウエハ１
１０の相対厚部１１１に向かう。また、レーザ光Ｌ０の
一部は、ハーフミラー３１を透過して反射板３２に向か
う。そして、相対厚部１１１に至ったレーザ光Ｌ０は、
相対厚部１１１の表面で反射され、その反射光Ｌ１がハ
ーフミラー３１を介してレーザ変位計３０に戻る。一
方、反射板３２に至ったレーザ光Ｌ０は、反射板３２で
反射され、その反射光Ｌ２がハーフミラー３１を通って
レーザ変位計３０に戻る。このため、レーザ変位計３０
では、反射光Ｌ１と反射光Ｌ２との干渉光が受光される
こととなる。反射光Ｌ１と反射光Ｌ２とによる干渉状態
は、相対厚部１１１の表面のエッチング量に応じて変化
していく。

【００１３】図３は相対厚部１１１の変位と反射光Ｌ
１，Ｌ２の干渉状態との関係を示す模式図であり、図４
は干渉状態の周期的変化を示す干渉縞図である。初期状
態で、図３の（ａ）に示すように、受光された反射光Ｌ
１と反射光Ｌ２との位相が完全に一致しているとする
と、反射光Ｌ１と反射光Ｌ２との干渉光の明るさは最大
となる。レーザ変位計３０と反射板３２との間の光路長
は常に一定であるので、上記状態から、図３の（ｂ）に
示すように、相対厚部１１１の表面がエッチングによっ
てレーザ光の半波長分だけ下方に変位したとすると、反
射光Ｌ１の位相が反射光Ｌ２から半波長分シフトする。
この結果、反射光Ｌ１との反射光Ｌ２との干渉光の明る
さは最小となる。そして、図３の（ｃ）に示すように、
相対厚部１１１表面がさらに半波長分変位すると、反射
光Ｌ１と反射光Ｌ２との位相が再び一致し、干渉光の明
るさが最大となる。すなわち、反射光Ｌ１と反射光Ｌ２
とによる干渉光は、半波長の周期で明と暗とを繰り返す
こととなる。

【００１４】ところで、相対厚部１１１の表面は、半波
長単位ではなく、連続的に変位していくものである。す
なわち、反射光Ｌ１の位相が反射光Ｌ２から漸次ずれて
いく。したがって、初期状態時（図３の（ａ）参照）に
おける反射光Ｌ１と反射光Ｌ２との干渉光が図４の
（ａ）に示す最外リングＲ１を形成しているとすると、
リングＲ１は、図４の（ｂ）に示すように、相対厚部１
１１表面の変位に伴って漸次暗くなっていき、相対厚部
１１１表面が半波長だけ変位すると、図４の（ｃ）に示
すように、リングＲ１が最も暗くなり、隣のリングＲ２
が最も明るくなる。そして、相対厚部１１１表面が更に
変位すると、リングＲ１が再び明るくなり出し（図４の
（ｂ））、一波長分変位した時点で最も明るくなる（図
４の（ａ））。レーザ変位計３０は、例えば上記リング
Ｒ１の明るさを電圧に変換する光電変換部を有している
（図示省略）。

【００１５】図５は、光電変換部の出力電圧波形図であ
る。上記したように、リングＲ１の明るさは半波長周期
で連続的に変化するので、図５に示すように、光電変換
部の出力電圧が、「２Ｐλ／２〜（２Ｐ＋１）λ／２」
の区間で減少し、「（２Ｐ＋１）λ／２〜（２Ｐ＋２）
λ／２」の区間で増加することとなる。但し、Ｐは整数
である。そこでレーザ変位計３０には、光電変換部の出
力電圧が有する最大電圧値Ｑ１と最小電圧値Ｑ２とを検
出して、そのパルスを出力する回路（図示省略）と、カ
ウンタ３０ａ（図２参照）とが設けられている。カウン
タ３０ａは、上記回路からのパルスをカウントして、そ
のカウント数ｍを出力するためのものである。

【００１６】一方、図１において、Ｘ−Ｙ駆動機構４
は、図示しないサーボモータにより、筐体２ａをＸ−Ｙ
方向（図１の左右方向及び図１の紙面に垂直な方向）に
移動させて、プラズマ発生器２の導管２０を所定個所に
位置決めするための周知の機構であり、このＸ−Ｙ駆動
機構４は、制御器５によって上記測定器３と共に制御さ
れる。

【００１７】制御器５は、図６に示すように、ＣＰＵ５
０と、ＣＰＵ５０にバス接続されたドライバ５１，ＲＯ
Ｍ５２，ＲＡＭ５３とを備え、インターフェース５４
（図６中「ＩＦ」と記す）を介して測定器３のレーザ変
位計３０とＸ−Ｙ駆動機構４とに接続されている（図１
参照）。

【００１８】ドライバ５１は、フロッピィディスクや光
磁気ディスクなどの記録媒体５５のデータを再生可能な
駆動装置であり、このドライバ５１に使用される記録媒
体５５には、ウエハ１１０に存在する各相対厚部１１１
のデータが予め収納されている。図７は、記録媒体５５
に収納された相対厚部１１１のデータを示す概略図であ
る。Ｎ個の相対厚部がウエハ１１０の表面に存在する場
合には、各相対厚部１１１の位置データと高さに対応し
た整数値データとが記録媒体５５に収納されている。具
体的には、図７の（ａ）に示すように、ｎ（≦Ｎ）番目
の相対厚部１１１については、その位置をＸ−Ｙ座標で
示す位置データＰnと、一点鎖線で示す基準面Ｂからの
高さΔＨｎに対応した整数値データＨnとが、一つのレ
コードとして記録され、このようなレコードが、図７の
（ｂ）に示すように、１〜Ｎ番目の相対厚部１１１につ
いて記録媒体５５に複数記録されている。整数値データ
Ｈｎは、図１及び図２に示したレーザ変位計３０のレー
ザ光の半波長λ／２で相対厚部１１１の高さΔＨｎを除
して得た整数値である。ところで、相対厚部１１１の高
さΔＨｎは、必ずしもレーザ光の半波長λ／２の整数倍
とはならない。このため、この実施形態では、半波長λ
／２に積算したときに、高さΔＨｎに最も近くなる整数
値を整数値データＨｎとして記録しておくものとする。

【００１９】ＣＰＵ５０は、ＰＡＭ５３を介して読み出
した記録媒体５５内のデータとレーザ変位計３０からの
カウント数ｍとに基づいて、測定器３のレーザ変位計３
０とＸ−Ｙ駆動機構４とを制御する機能を有している。
このようなＣＰＵ５０の実行プログラムはＲＯＭ５２に
格納されており、ＣＰＵ５０はこの実行プログラムに基
づいて種々の制御を行う。

【００２０】ここで、制御器５の制御機能について詳し
く述べる。図８は、制御器５の制御機能を示すフローチ
ャート図である。制御器５のＣＰＵ５０は、記録媒体５
５に記録されたｎ番目の相対厚部１１１のレコードから
位置データＰnを読み込んで（ステップＳ１，Ｓ２）、
図２に示す導管２０がこの相対厚部１１１の真上に来
て、噴射口２２ａがこの相対厚部１１１に対向するよう
に、Ｘ−Ｙ駆動機構４を高速に制御するＸ−Ｙ制御信号
Ｃ１を出力する（ステップＳ３）。続いて、整数値デー
タＨｎを記録媒体５５から読み込み（ステップＳ４）、
レーザ変位計３０のカウンタ３０ａをリセットさせると
共にレーザ変位計３０を作動させる変位計制御信号Ｃ２
をレーザ変位計３０に出力する（ステップＳ５）。そし
て、カウンタ３０ａから入力されるカウント数ｍと読み
込んだ整数値データＨｎとを比較し、これらが一致した
か否かを判断する（ステップＳ６）。入力されたカウン
ト数ｍが整数値データＨｎと未だ一致していない場合に
は、カウント数ｍの入力と上記比較とを継続する（ステ
ップＳ６のＮＯ）。また、カウント数ｍが整数値データ
Ｈｎと一致した場合には、レーザ変位計３０の動作を停
止させる変位計制御信号Ｃ３をレーザ変位計３０に出力
する（ステップＳ６のＹＥＳ，ステップＳ７）。しかる
後、当該ｎ番目の相対厚部１１１が最後の相対厚部１１
１か否か判断する（ステップＳ８）。そして、当該相対
厚部１１１が最後のものでない場合には、次の相対厚部
１１１を対象として、その位置データＰnを読み込み、
Ｘ−Ｙ駆動機構４を高速制御して、以後、上記と同様の
処理を実行する（ステップＳ８のＮＯ，Ｓ９，Ｓ２〜Ｓ
８）。また、当該ｎ番目の相対厚部１１１が最後のもの
である場合には、処理を終了する（ステップＳ８のＹＥ
Ｓ）。

【００２１】次に、この実施形態のプラズマエッチング
装置が示す動作について説明する。なお、この動作は、
請求項１及び請求項２のプラズマエッチング方法を具体
的に達成するものでもある。ここでは、理解を容易にす
るため、図９に示すように、２個の相対厚部１１１−
１，１１１−２を有したシリコンウエハ１１０を平坦化
する動作について説明する。このシリコンウエハ１１０
を測定したところ、相対厚部１１１−１，１１１−２の
位置と高さは、（Ｐ1，ΔＨ1）、（Ｐ2，ΔＨ2）であっ
た（図７参照）。そこで、高さΔＨ１，ΔＨ２を、図２
に示すレーザ変位計３０のレーザ光の半波長λ／２で除
した整数値データＨ１，Ｈ２に変換して、相対厚部１１
１−１，１１１−２のレコード（Ｐ１，Ｈ１），（Ｐ
２，Ｈ２）を記録媒体５５に記録しておく。

【００２２】まず、この記録媒体５５を、図６に示す制
御器５のドライバ５１にセットし、図１に示すプラズマ
発生器２と制御器５とを駆動させると、ＦガスＧが噴射
口２０ａから１１０側に噴射されると共に、相対厚部１
１１−１のレコードから位置データＰ1がＣＰＵ５０に
読み込まれて、Ｘ−Ｙ制御信号Ｃ１が制御器５からＸ−
Ｙ駆動機構４に出力される。これにより、位置データＰ
1に基づいて、Ｘ−Ｙ駆動機構４が図１に示す筐体２ａ
を高速移動させ、図９の（ａ）に示すように、導管２０
を相対厚部１１１−１の真上に位置させる。これと同時
に、制御器５において、相対厚部１１１−１の整数値デ
ータＨ１が記録媒体５５から読み込まれ、変位計制御信
号Ｃ２が制御器５からレーザ変位計３０に出力される。
これにより、カウンタ３０ａがリセットされると共にレ
ーザ変位計３０が作動される。

【００２３】かかるレーザ変位計３０の作動によって、
図２に示したように、レーザ光Ｌ０がレーザ変位計３０
から発振され、相対厚部１１１−１からの反射光Ｌ１と
反射板３２からの反射光Ｌ２とがレーザ変位計３０側に
向い、これらの干渉光がレーザ変位計３０で受光され
る。この初期状態において、相対厚部１１１−１による
反射光Ｌ１と反射光Ｌ２との位相が、図３の（ａ）に示
したように一致していたとすると、図５に示した最初の
最大電圧値Ｑ１を示すパルスがカウンタ３０ａに入力さ
れ、「１」のカウント数ｍがカウンタ３０ａから制御器
５に出力される。そして、導管２０からの活性種ガスＧ
による相対厚部１１１−１のエッチングが進み、相対厚
部１１１−１の表面が半波長λ／２だけ削られると、最
初の最小電圧値Ｑ２を示すパルスがカウンタ３０ａに入
力され、「２」のカウント数ｍがカウンタ３０ａから制
御器５に出力される。このようにして、相対厚部１１１
−１のエッチングが進むに従って、制御器５に出力され
るカウント数ｍが増加する。

【００２４】一方、制御器５では、レーザ変位計３０か
ら漸次送られてくるカウント数ｍと整数値データＨ１と
が随時比較され、これらが一致すると、変位計制御信号
Ｃ３が制御器５からレーザ変位計３０に出力され、レー
ザ変位計３０の動作が停止される。

【００２５】しかる後、相対厚部１１１−２が対象とさ
れ、相対厚部１１１−２の位置データＰ2が読み込まれ
る。これにより、図９の（ｂ）に示すように、導管２０
が相対厚部１１１−２の真上に高速移動され、以後、上
記相対厚部１１１−１と同様の処理動作が実行される。

【００２６】このようなプラズマエッチング装置におい
て、６インチのシリコンウエハ１１０を処理したとこ
ろ、ＴＴＶやＬＴＶが、平均０．５μｍから０．１３μ
ｍに向上し、そのバラツキも標準偏差で０．０２以下で
あり、ウエハ平坦化の装置として十分な性能を発揮し
た。

【００２７】このように、この実施形態のプラズマエッ
チング装置によれば、制御器５において、レーザ変位計
３０からのカウント数ｍと整数値データＨｎとを比較し
ながら、即ち、相対厚部１１１の実際のエッチング量を
モニタリングしながら、エッチングする構成であるの
で、プラズマ発生器２の環境が変動し、活性種ガスＧの
密度が変動した場合においても、相対厚部１１１を所望
の高さだけ高精度でエッチングすることができ、この結
果、平坦化品質にばらつきがない高品質のウエハ１１０
を製造することができる。

【００２８】なお、この実施形態では、光電変換部にお
ける最大電圧値Ｑ１，最小電圧値Ｑ２の発生数をカウン
タ３０ａでカウントし、そのカウント数ｍと整数値デー
タＨｎとが一致したときに、相対厚部１１１が「整数値
データＨｎ×λ／２」だけエッチングされたと仮定する
構成であるので、若干の誤差が発生する。すなわち、導
管２０が相対厚部１１１の真上に位置した初期状態で
は、反射光Ｌ１と反射光Ｌ２との位相が完全に一致して
いるか又は半波長λ／２以内でずれている。このため、
相対厚部１１１を実際にエッチングする量は「整数値デ
ータＨｎ×λ／２」よりも半波長λ／２以内の量だけ足
らず、その分誤差が発生する。しかし、この実施形態の
レーザ変位計３０から発振するレーザ光の波長λは６３
０ｎｍであり、かなり短い。したがって、半波長３１５
ｎｍの誤差は許容範囲と考えられる。また、レーザ光の
波長λを短くすることで、誤差を極小にすることがで
き、高精度なエッチングが可能となる。

【００２９】（第２の実施形態）この実施形態に係るプ
ラズマエッチング装置は、相対厚部表面のエッチング量
を連続的にモニタリングすることができる点が上記第１
の実施形態に係るプラズマエッチング装置と異なる。図
１０は、この実施形態に適用されるレーザ変位計のブロ
ック図であり、図１２はレーザ変位計における各関数の
波形図である。図１０に示すように、この実施形態にお
けるレーザ変位計６（第２のレーザ変位計）は、光電変
換部６０と基準関数格納部６１とシフト関数作成部６２
とエッチング量演算部６３とを具備している。

【００３０】光電変換部６０は、上記第１の実施形態の
レーザ変位計３０に適用された光電変換部と同じであ
り、反射光Ｌ１と反射光Ｌ２との干渉光の明るさに対応
した電圧Ｖを出力する部分である。

【００３１】基準関数格納部６１は、図１２の（ａ）に
示す一定の基準関数Ｖ０を格納した部分である。すなわ
ち、この実施形態では、図３の（ａ）に示すように、反
射光Ｌ１と反射光Ｌ２との位相が一致した場合に、光電
変換部６０から出力されるであろう電圧Ｖの波形を模し
た波形を基準関数Ｖ０として採用している。

【００３２】シフト関数作成部６２は、基準関数格納部
６１内の基準関数Ｖ０に基づいて図１２の（ｂ）や
（ｃ）に示すようなシフト関数Ｖ０′，シフト関数Ｖ
０″を作成する部分である。具体的には、光電変換部６
０からの電圧Ｖを入力し、最初の電圧値Ｖ１（初期値）
を基準関数格納部６１に記憶させて、最大電圧値Ｑ１又
は最小電圧値Ｑ２の入力を待つ。そして、最小電圧値Ｑ
２を最初に入力した場合には、基準関数格納部６１から
基準関数Ｖ０と電圧値Ｖ１とを読み出し、図１２の
（ａ）に示す基準関数Ｖ０の区間「０〜λ／２」内で最
小電圧値Ｑ２の手前に存在する電圧値Ｖ１に対応した値
αを求める。しかる後、基準関数Ｖ０を値αだけ左にシ
フトさせて、図１２の（ｂ）に示すシフト関数Ｖ０′を
作成する。すなわち、初期電圧値Ｖ１の入力以降に予想
される電圧Ｖとエッチング量との関係を示すシフト関数
Ｖ０′を作成する。また、最大電圧値Ｑ１を入力した場
合には、基準関数Ｖ０の上記区間内で最大電圧値Ｑ１の
手前に存在する電圧値Ｖ１に対応した値βを求め、基準
関数Ｖ０を値βだけ左にシフトさせて、図１２の（ｃ）
に示すシフト関数Ｖ０″を作成する。

【００３３】エッチング量演算部６３は、シフト関数作
成部６２からのシフト関数Ｖ０′又はシフト関数Ｖ０″
と光電変換部６０からの電圧Ｖとに基づいて、相対厚部
１１１の実際のエッチング量ｍ（ｖ）を演算して制御器
５に出力する部分である。具体的には、シフト関数Ｖ
０′がシフト関数作成部６２からエッチング量演算部６
３に入力された状況では、シフト関数Ｖ０′に対応した
電圧Ｖが漸次入力される。すなわち、電圧値Ｖ１を始点
として、シフト関数Ｖ０′の曲線上を図１２（ｂ）の右
側に進行する電圧Ｖの値がエッチング量演算部６３に入
力される。したがって、現時点で入力された電圧Ｖの値
をシフト関数Ｖ０′に当て嵌めることで、現時点のエッ
チング量ｍ（ｖ）を演算することができる。エッチング
量演算部６３は、このようにして求めたエッチング量ｍ
（ｖ）を制御器５に出力する。シフト関数Ｖ０″がシフ
ト関数作成部６２からエッチング量演算部６３に入力さ
れる場合も同様である。すなわち、相対厚部１１１のエ
ッチング進行に伴って増加し且つ相対厚部１１１の実際
の減少量を示すエッチング量ｍ（ｖ）が制御器５に出力
されるわけである。

【００３４】制御器５は、レーザ変位計６からのエッチ
ング量ｍ（ｖ）と記録媒体内の所定データとを比較し、
これらが一致したときにレーザ変位計６の作動を停止さ
せる部分であり、上記第１の実施形態の場合と同様の機
能を有する。図１１は、記録媒体へのレコード収納状態
を示す概略図である。図１１に示すように、記録媒体５
５′内には、各相対厚部１１１の位置データＰｎと基準
面Ｂからの実際の高さを示す高さデータΔＨｎとを組と
するレコードが相対厚部１１１の数だけ収納されてい
る。制御器５のＣＰＵ５０は、位置データＰｎの位置に
ある高さデータΔＨｎを記録媒体５５′から読み出し、
この高さデータΔＨｎと入力されるエッチング量ｍ
（ｖ）とを比較し、一致したときに、変位計制御信号Ｃ
３をレーザ変位計６に出力するようになっている。

【００３５】次に、この実施形態の要部の動作について
説明する。なお、この動作は、請求項１及び請求項３の
プラズマエッチング方法を具体的に達成するものでもあ
る。図１３は、レーザ変位計６の動作を示すフローチャ
ート図である。制御器５のＣＰＵ５０（図６参照）にお
いて、記録媒体５５′に記録されたｎ番目の相対厚部１
１１のレコードから位置データＰｎが読み込まれ、Ｘ−
Ｙ制御信号Ｃ１が制御器５からＸ−Ｙ駆動機構４に出力
されると、導管２０がこの相対厚部１１１の真上に位置
される。続いて、高さデータΔＨｎが記録媒体５５′か
ら読み込まれ、変位計制御信号Ｃ２が制御器５からレー
ザ変位計６に出力される。これにより、レーザ変位計６
が作動され（図１３のステップＳ１）、レーザ光が上記
相対厚部１１１の表面に照射される。そして、図１０に
示すように、相対厚部１１１からの反射光Ｌ１と反射光
Ｌ２との干渉光がレーザ変位計６の光電変換部６０に入
力されると、その明るさに対応した電圧Ｖがシフト関数
作成部６２とエッチング量演算部６３とに出力される
（ステップＳ２）。

【００３６】すると、シフト関数作成部６２において、
入力された電圧Ｖの最初の電圧値Ｖ１が基準関数格納部
６１に記憶された後、最大電圧値Ｑ１または最小電圧値
Ｑ２が入力されたか否かが判断される（ステップＳ３，
Ｓ４）。最小電圧値Ｑ２が最初に入力された場合には、
基準関数格納部６１の基準関数Ｖ０と電圧値Ｖ１とに基
づいて、シフト量αが決定されて、シフト関数Ｖ０′が
作成され（図１２の（ａ）及び（ｂ）参照）、また、最
大電圧値Ｑ１が最初に入力された場合には、シフト量β
が決定されて、シフト関数Ｖ０″（図１２の（ｃ）参
照）が作成される（ステップＳ４，Ｓ５又はＳ６）。こ
れにより、エッチング量演算部６３には、シフト関数作
成部６２からのシフト関数Ｖ０′又はシフト関数Ｖ０″
が入力されると共に光電変換部６０からの電圧Ｖが入力
され、これらに基づいて、現時点の相対厚部１１１の減
少量を示すエッチング量ｍ（ｖ）が演算され、制御器５
に出力される（ステップＳ７）。すると、制御器５のＣ
ＰＵ５０において、読み込んでおいた高さデータΔＨｎ
と入力されるエッチング量ｍ（ｖ）とが一致しているか
否かが判断され、これらが一致していると、変位計制御
信号Ｃ３が制御器５からレーザ変位計６に出力されて、
レーザ変位計６の作動が停止される（ステップＳ８，Ｓ
９）。

【００３７】このように、この実施形態のプラズマエッ
チング装置によれば、レーザ変位計６から連続的に出力
されるエッチング量ｍ（ｖ）と読み出された高さデータ
ΔＨｎとを制御器５で比較しながら、相対厚部１１１の
エッチングを行うので、高さデータΔＨｎに完全に一致
したエッチングが可能となり、極めて高精度なエッチン
グを達成することができる。その他の構成，作用効果は
上記第１の実施形態と同様であるので、その記載は省略
する。

【００３８】（第３の実施形態）図１４は、この発明の
第３の実施形態に係るプラズマエッチング装置の要部を
示すブロック図である。図１４に示すように、このプラ
ズマエッチング装置は、レーザ変位計７０と演算器７１
とでなる測定器７を有している。

【００３９】レーザ変位計７０は、ウエハ１１０の相対
厚部１１１表面迄の距離を測定可能な変位計であり、導
管２０の近傍に取り付けられている。具体的には、導管
２０の中心軸Ａに対して角度θだけ傾けて取り付けられ
ており、レーザ光Ｌを相対厚部１１１の傾斜面に照射す
ることで、この傾斜面迄の距離を測定し、その距離を示
す信号Ｓを演算器７１に出力するようになっている。

【００４０】演算器７１は、レーザ変位計７０からの信
号Ｓに基づいて、相対厚部１１１のエッチング量を演算
する機器である。図１５は、測定位置のエッチング量と
相対厚部頂点のエッチング量を示す相対厚部の概略図で
ある。図１５に示すように、相対厚部１１１が実線で示
す初期状態から破線で示す状態迄エッチングされると、
レーザ変位計７０からのレーザ光Ｌの照射位置が点ｑ０
から点ｑ１に変化するので、演算器７１はレーザ変位計
７０からの信号Ｓに基づいてその間の距離ｈを求める。
このとき、点ｑ０が中心軸Ａから「δｒ」だけ離れた位
置であったとすると、この位置のエッチング量Ｈ（δ
ｒ）は下記(1)式で表される。Ｈ（δｒ）＝ｈ／ｃｏｓθ ・・・(1) 次に、このエッチング量Ｈ（δｒ）に基づいて、相対厚
部１１１の頂点のエッチング量Ｈ（０）を求める。図１
５に示すように、一定時間内のエッチングにおいて、相
対厚部１１１の頂点のＨ（０）が最も大きく、相対厚部
１１１のすそ野に行くに従ってエッチング量が小さくな
っているのが判る。図１６はエッチング形状図であり、
演算器７１はこのエッチング形状図に基づいて上記エッ
チング量Ｈ（０），Ｈ（δｒ）とを求める。すなわち、
平坦なウエハ１１０を所定時間エッチングし、中心のエ
ッチング量Ｒ（０）とその周りのエッチング量との関係
を図１６に示すエッチング形状として予め得ておく。こ
のエッチング形状は、図１５に示す相対厚部１１１のエ
ッチング量の縮小版といえるものであるから、相対厚部
１１１の頂点のエッチング量Ｈ（０）とエッチング形状
図におけるエッチング量Ｒ（０）とが対応すると共に、
相対厚部１１１の頂点からの距離δｒだけ離れたレーザ
光Ｌの照射位置におけるエッチング量Ｈ（δｒ）とエッ
チング形状図におけるエッチング量Ｒ（δｒ）とが対応
する。したがって、下記(2)式が成立する。Ｈ（０）／Ｈ（δｒ）＝Ｒ（０）／Ｒ（δｒ）・・・(2) この結果、上記(1)及び(2)式から下記(3)式が求められ
る。Ｈ（０）＝Ｒ（０）・ｈ／Ｒ（δｒ）．ｃｏｓθ ・・・(3) ここで、Ｒ（０）は定数であり、Ｒ（δｒ）及びθはレ
ーザ光Ｌの照射位置及び照射角度であり、これらは予め
決定されているので、上記(3)式における変数はレーザ
光Ｌの照射位置の変位量ｈのみである。したがって、演
算器７１は、レーザ変位計７０からの信号Ｓに基づいて
変位量ｈを求め、この変位量ｈから上記(3)式を演算し
て相対厚部１１１頂点のエッチング量Ｈ（０）を求め、
このエッチング量Ｈ（０）を出力する。

【００４１】この実施形態においても、第２の実施形態
に用いられた記録媒体５５′が用いられており、制御器
５は、演算器７１からのＨ（０）と記録媒体５５′の高
さデータΔＨｎとを比較し、一致したときに、測定器７
の作動を止めるようになっている。その他の構成，作用
効果は上記第１及び第２の実施形態と同様であるので、
その記載は省略する。

【００４２】（第４の実施形態）図１７は、この発明の
第４の実施形態に係るプラズマエッチング装置の要部を
示すブロック図である。図１７に示すように、このプラ
ズマエッチング装置は、２つのレーザ変位計７０−１，
７０−２と演算器７２とでなる測定器７´を有してい
る。すなわち、角度θ１に傾けられたレーザ変位計７０
−１と角度θ２に傾けられたレーザ変位計７０−２とで
ウエハ１１０の点ｑ１と点ｑ２と迄の距離を測定すし、
エッチング時にその距離を示す信号Ｓ１，Ｓ２を演算器
７２に出力する。そして、演算器７２では、信号Ｓ１，
Ｓ２から点ｑ１，ｑ２の各エッチング量を求め、これら
のエッチング量の平均値を導管２０の中心軸Ａの部分の
エッチング量として、制御器５に出力する構成となって
いる。その他の構成，作用効果は上記第１ないし第３の
実施形態と同様であるので、その記載は省略する。

【００４３】なお、この発明は、上記実施形態に限定さ
れるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の
変形や変更が可能である。例えば、上記実施形態では、
プラズマエッチング装置の動作中は、常にＦガスＧを導
管２０から噴射する構成としたが、一の相対厚部から次
の相対厚部に移る間は、ＦガスＧの噴射を停止させる構
成としても良い。また、導管２０を石英で形成したがア
ルミナ，窒化珪素等のセラミックで形成することもでき
る。また、プラズマ発生部として、所定パワーのマイク
ロ波を導管２０内のプラズマ発生領域に照射して、活性
種ガスであるＦガスＧを含んだプラズマが発生するプラ
ズマ発生器２を適用したが、このプラズマ発生器２の代
わりに、例えば、高周波を用いた誘導結合プラズマ発生
器（ＩＣＰ）、容量結合プラズマ発生器、ヘリコン波を
用いたプラズマ発生器、ＥＣＲなどをも本発明のプラズ
マ発生部として適用することができる。また、プラズマ
発生用のガスとして、ＣＦ４，Ｏ2，Ａrの混合ガスを用
いたがＣＦ４に代えて、ＳＦ6（六ふっ化硫黄）等のフ
ルオロカーボン系ガスを用いても良い。また、上記第２
の実施形態では、基準関数Ｖ０として、図１２の（ａ）
に示すように、最大電圧値Ｑ１を初期値とする関数を採
用したが、これに限るものではなく、例えば、図１２の
（ａ）に示す関数の位相をλ／２だけシフトさせて、最
小電圧値Ｑ２を初期値とする関数を基準関数として採用
することができる。また、上記第３の実施形態では、レ
ーザ変位計７０を傾け、相対厚部１１１の傾斜面の所定
位置のエッチング量を測定する構成としたが、これは、
図１８の（ａ）に示すように、レーザ変位計７０を導管
２０内に配置して、相対厚部１１１の頂点のエッチング
量を直接測定したり、図１８の（ｂ）に示すように、レ
ーザ変位計７０を傾けて、相対厚部１１１の頂点のエッ
チング量を測定する構成とすることを除外するものでは
ない。また、上記実施形態では、凸状の相対厚部１１１
をエッチングする場合について説明したが、基準厚さよ
りも厚い凹状の厚部に対するエッチングについても適用
することができることは勿論である。また、ウエハだけ
でなくガラスなどについてもエッチングすることができ
る。さらに、上記各実施形態では、プラズマ発生器２を
Ｘ−Ｙ駆動機構４で移動させることにより、導管２０を
所望の相対厚部１１１上に位置させる構成としたが、図
１９に示すような構成とすることもできる。すなわち、
図１９に示すように、プラズマ発生器２を処理室１の外
側に組み付けて、導管２０を処理室１に固定した状態に
し、ステージ４０側をＸ−Ｙ駆動機構４によって移動さ
せることで、ウエハ１１０の所望の相対厚部１１１を導
管２０の真下に位置させる構成とすることができる。

【００４４】

【発明の効果】以上詳しく説明したように、この発明に
よれば、相対厚部に対する実際のエッチング量を測定し
ながらエッチングすることができる構成であるので、プ
ラズマパラメータ等の周囲環境が変動した場合において
も、相対厚部を所望の量だけエッチングすることがで
き、この結果被エッチング物に対してばらつきがない高
品質な平坦化が可能となるという優れた効果がある。特
に、請求項３，請求項８及び請求項９の発明によれば、
干渉光に対応した電気信号の初期値から予想される電気
信号とエッチング量との関係を示すシフト関数を作成
し、このシフト関数に変換された電気信号の値を当て嵌
めることで、相対厚部の実際のエッチング量を測定する
ことができる構成であるので、より高精度なエッチング
が可能となるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施形態に係るプラズマエッ
チング装置の構成図である。

【図２】測定器を示すブロック図である。

【図３】相対厚部の変位と反射の干渉状態との関係を示
す模式図である。

【図４】干渉状態の周期的変化を示す干渉縞図である。

【図５】光電変換部の出力電圧波形図である。

【図６】制御器のブロック図である。

【図７】記録媒体に収納するレコードを示す概略図であ
る。

【図８】制御器の制御機能を示すフローチャート図であ
る。

【図９】プラズマエッチング装置の動作を示す概略図で
ある。

【図１０】この発明の第２の実施形態に係るプラズマエ
ッチング装置に適用されるレーザ変位計のブロック図で
ある。

【図１１】記録媒体へのレコード収納状態を示す概略図
である。

【図１２】レーザ変位計における各関数の波形図であ
る。

【図１３】レーザ変位計の動作を示すフローチャート図
である。

【図１４】この発明の第３の実施形態に係るプラズマエ
ッチング装置の要部を示すブロック図である。

【図１５】測定位置のエッチング量と相対厚部頂点のエ
ッチング量を示す相対厚部の概略図である。

【図１６】エッチング形状図である。

【図１７】この発明の第４の実施形態に係るプラズマエ
ッチング装置の要部を示すブロック図である。

【図１８】発明の一変形例を示す構成図である。

【図１９】発明の他の変形例を示す構成図である。

【図２０】従来の技術を示す概略図である。

【符号の説明】

１・・・処理室、２・・・プラズマ発生器、３・・
・測定器、４・・・Ｘ−Ｙ駆動機構、５・・・制御
器、２０・・・導管、２０ａ・・・噴射口、３０・
・・レーザ変位計、３１・・・ハーフミラー、３２
・・・反射板、１１０・・・ウエハ、１１１・・・相
対厚部、Ｇ・・・Ｆガス、Ｌ０，Ｌ１，Ｌ２・・・
レーザ光。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】プラズマ発生部の噴射口を被エッチング
物の所定の相対厚部に対向させ、活性種ガスを上記噴射
口から噴射して、上記相対厚部を平坦にエッチングする
プラズマエッチング方法において、上記相対厚部の実際のエッチング量をレーザ光で測定す
る第１の過程と、上記エッチング量が予め定められた所定値に達したとき
に、上記相対厚部のエッチングを止める第２の過程と、を具備することを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項２】請求項１に記載のプラズマエッチング方
法において、上記第１の過程は、上記相対厚部を略平担化すべき所望エッチング量を所定
レーザ光の半波長で除した整数値を予め設定する過程
と、上記レーザ光を所定反射面と上記相対厚部表面とに照射
し、上記反射面からの反射光と上記相対厚部表面からの
反射光とによる干渉状態が上記相対厚部のエッチング量
に対応して周期的に変化する回数を測定する過程とを具
備し、上記第２の過程は、上記干渉状態の周期的変化の回数と上記整数値とが一致
したときに、上記相対厚部のエッチングを止める過程を
具備する、ことを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項３】請求項１に記載のプラズマエッチング方
法において、上記第１の過程は、上記相対厚部を略平担化すべき所望エッチング量を予め
設定する過程と、所定レーザ光を所定反射面と上記相対厚部表面とに照射
し、上記反射面からの反射光と上記相対厚部表面からの
反射光とによる干渉光を電気信号に変換する過程と、電気信号とエッチング量との関係を示す一定の基準関数
を設定し、この基準関数を、エッチング時における電気
信号の初期値に基づいて所定量シフトさせることで、予
想される電気信号とエッチング量との関係を示すシフト
関数を作成し、このシフト関数に漸次変換される電気信
号の値を当て嵌めることで、実際のエッチング量を求め
る過程とを具備し、上記第２の過程は、上記実際のエッチング量と上記所望エッチング量とがほ
ぼ一致したときに、上記相対厚部に対するエッチングを
止める過程を具備する、ことを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項４】プラズマ励起した活性種ガスを被エッチ
ング物の所定の相対厚部に噴射する噴射口を有したプラ
ズマ発生部と、上記相対厚部の実際のエッチング量をレーザ光で測定す
る測定部と、上記測定部で測定される実際のエッチング量と予め定め
られた所定値とを比較し、上記エッチング量と所定値と
が一致したときに、上記相対厚部に対するエッチング動
作をとめる制御部と、を具備することを特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項５】請求項４に記載のプラズマエッチング装
置において、上記測定部は、所定波長のレーザ光を所定反射面と上記相対厚部表面と
に照射して、上記反射面からの反射光と上記相対厚部表
面からの反射光とを受光し、これらの反射光による干渉
状態が上記相対厚部のエッチング量に対応して周期的に
変化する回数を測定するものであり、上記制御部は、上記相対厚部を略平担化すべき所望エッチング量を上記
レーザ光の半波長で除した整数値と上記測定部で測定さ
れた上記回数とが一致したときに、上記相対厚部のエッ
チングを止めるものである、ことを特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項６】請求項５に記載のプラズマエッチング装
置において、上記測定部は、上記レーザ光を送受光し、受光レーザ光による干渉状態
の周期的変化の回数を測定可能な第１のレーザ変位計
と、上記第１のレーザ変位計と上記プラズマ発生部の噴射口
との間に介設され、上記レーザ光を上記噴射口を介して
上記相対厚部に導くと共に、その反射光を上記噴射口を
介して上記第１のレーザ変位計に導くハーフミラーと、上記ハーフミラーを介して上記第１のレーザ変位計に対
向するように配設された反射板と、を具備することを特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項７】請求項５または請求項６に記載のプラズ
マエッチング装置において、上記被エッチング物又は上記噴射口のいずれかを移動可
能な移動機構を設け、上記制御部を、各相対厚部に対応した上記整数値とその
位置とのデータを記録した記録媒体と、上記位置データ
を読み出して、その位置の相対厚部に上記噴射口が対向
するように上記移動機構を制御すると共に上記測定部を
作動させ、上記整数値と測定部の上記回数とを比較し、
これらが一致したときに、上記測定部の動作を停止させ
ると共に、次の位置データを読み出して、その位置の相
対厚部に上記噴射口が対向するように上記移動機構を制
御する制御器とで構成した、ことを特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項８】請求項４に記載のプラズマエッチング装
置において、上記測定部は、所定レーザ光を所定反射面と上記相対厚部表面とに照射
し、上記反射面からの反射光と上記相対厚部表面からの
反射光とによる干渉光を電気信号に変換し、予め設定さ
れた電気信号とエッチング量との関係を示す一定の基準
関数を、エッチング時における電気信号の初期値に基づ
いて所定量シフトさせることで、予想される電気信号と
エッチング量との関係を示すシフト関数を作成し、この
シフト関数に漸次変換される電気信号の値を当て嵌める
ことで、実際のエッチング量を求めるものであり、上記制御部は、上記実際のエッチング量と上記所望エッチング量とがほ
ぼ一致したときに、上記相対厚部に対するエッチングを
止めるものである、ことを特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項９】請求項８に記載のプラズマエッチング装
置において、上記測定部は、受光レーザの干渉光を電気信号に変換する光電変換部，
電気信号とエッチング量との関係を示す一定の基準関数
を格納した基準関数格納部，上記光電変換部からの電気
信号の初期値に基づいて、上記基準関数を所定量シフト
させることで、以降に予想される電気信号とエッチング
量との関係を示すシフト関数を作成するシフト関数作成
部，及び、上記シフト関数に光電変換部からの電気信号
の値を当て嵌めることで実際のエッチング量を求めるエ
ッチング量演算部を有する第２のレーザ変位計と、上記第２のレーザ変位計と上記プラズマ発生部の噴射口
との間に介設され、上記レーザ光を上記噴射口を介して
上記相対厚部に導くと共に、その反射光を上記噴射口を
介して上記第２のレーザ変位計に導くハーフミラーと、上記ハーフミラーを介して上記第２のレーザ変位計に対
向するように配設された反射板と、を具備することを特徴とするプラズマエッチング装置。