JPH10224016A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 簡単な装置構成で大型化した基板の表面の全
面に亘ってイオン化した気体を供給できて、基板を十分
に除電すること。 【解決手段】 基板処理用のチャンバ２の空間２ａの底
部には、基板１０を水平に支持して基板１０に加熱処理
を施すためのプレート４が配置されている。チャンバ２
の空間２ａの上部には、基板１０の表面ＷＳを除電する
イオナイザ６が配置されている。このイオナイザ６は、
チャンバ２の空間２ｃ、２ｄにそれぞれ配置したスライ
ドガイド８及びリニアモータ９により、基板１０の表面
ＷＳに平行な方向ＣＤに沿って移動可能となっている。
プレート４による加熱処理の際、及び基板１０をプレー
ト４から剥離してからプレート４の上方位置に上昇させ
基板１０をチャンバ２から取り出すまでの間において、
噴射口６ｂからイオン化気体ＩＧを噴射させつつイオナ
イザ６を移動させることにより、噴射口６ｂから噴射さ
れるイオン化気体ＩＧを比較的大型の基板１０の全表面
ＷＳに到達させることができ、基板１０全体の除電を十
分に達成することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示パネル用
ガラス基板、半導体ウェハ、半導体製造用のマスク基板
等の基板を、プレート、チャック等の基板保持部材上に
保持しつつ、この基板に過熱、冷却、レジスト塗布、密
着強化剤（ＨＭＤＳ）塗布、洗浄、現像等の所定の処理
を施す基板処理装置に関し、特に処理終了後に基板を基
板保持部材から剥離する際の剥離帯電を効果的に防止す
る基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、上述の剥離帯電を防止する装置と
して、例えば特開平７−３１２３３７号公報に開示され
た装置がある。この装置では、加熱処理される基板が収
納されるチャンバ内に設けられた基板載置用プレート上
に水平に載置された基板の表面に、この基板の対向する
２辺の端部上方に設けられた２つのイオナイザからのイ
オン化された気体を基板の表面にほぼ平行な方向であ
り、かつ基板の中央側方向に向かって噴射して供給する
ことにより、この基板を電気的に中和させて剥離帯電を
防止する。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、
基板のサイズが大型化する傾向にあり、上述の装置で
は、このように大型化した基板の表面全体に亘って、イ
オン化した気体を供給できず、基板を十分に電気的に中
和することができないという問題が発生する。

【０００４】この問題を解決するため、基板の上方に設
置するイオナイザの数を単に増加させ、基板の表面全体
に亘ってイオン化した気体を供給して対応することが考
えられるが、この場合、装置の構成が複雑になるととも
に装置コストも増大するという別の問題が発生する。

【０００５】本発明の目的は、上述のような点に鑑み、
簡単な装置構成で大型化した基板の表面の全面に亘って
イオン化した気体を供給できて、基板を電気的に十分に
中和することができる基板処理装置を提供することにあ
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の基板処理装置は、支持手段によって基板
を支持しつつ、基板に所定の処理を行う基板処理装置に
おいて、イオン化された気体が噴射される噴射口を有す
るイオナイザ本体と、支持手段によって支持され固定さ
れた基板に対して、噴射口からイオン化された気体を噴
射させつつ、イオナイザ本体を基板の表面に沿って移動
させるイオナイザ移動手段と、を備えたことを特徴とす
る。

【０００７】また、請求項２の基板処理装置は、噴射口
が基板の表面に平行な所定の方向に沿ってイオナイザ本
体に複数設けられるとともに、イオナイザ移動手段がイ
オナイザ本体をこの所定の方向に略垂直な方向に直線的
に移動させることを特徴とする。

【０００８】また、請求項３の基板処理装置は、それぞ
れ異なる方向に向けてイオン化された気体を噴射する複
数の噴射口がイオナイザ本体に複数設けられるととも
に、イオナイザ移動手段がイオナイザ本体を支持手段に
よって支持された基板の表面に直交する回転軸回りに回
転させることを特徴とする。

【０００９】また、請求項４の基板処理装置は、噴射口
が基板の表面に平行な所定の方向に沿ってイオナイザ本
体に複数設けられるとともに、イオナイザ移動手段がイ
オナイザ本体を支持手段によって支持された基板の表面
に直交する回転軸回りで揺動させることを特徴とする。

【００１０】また、請求項５の基板処理装置は、支持手
段によって支持された基板の表面とほぼ平行な方向に向
かって、イオン化された気体が噴射口から噴射されるこ
とを特徴とする。

【００１１】

【発明の実施の形態】

〔第１実施形態〕図１は、本発明に係る第１実施形態の
基板処理装置を説明する図である。図１（ａ）は、装置
の平面構造を示し、図１（ｂ）は、図１（ａ）の装置の
Ａ−Ａ矢視断面構造を示す。この装置は、基板１０の周
囲に密閉された空間２ａを形成するチャンバ２と、チャ
ンバ２の空間２ａ内で支持手段として基板１０を水平に
支持・固定するとともに基板１０に加熱処理を施すため
のプレート４と、チャンバ２の空間２ａ内の上部に移動
可能に配置されて基板１０の表面ＷＳを除電するイオナ
イザ６と、イオナイザ６を基板１０の表面ＷＳに沿って
移動させる移動手段であるスライドガイド８及びリニア
モータ９とで構成されている。

【００１２】チャンバ２の正面には、チャンバ２の空間
２ａ内への基板１０の搬入及びチャンバ２外への基板１
０の搬出を行うための搬出入口２ｂが設けられている。

【００１３】チャンバ２内の空間２ａの底部に設けたプ
レート４には、図示を省略するが、多数の吸着孔が設け
られており、吸引ユニットによってプレート４上面で基
板１０を吸着保持することができるようになっている。
また、プレート４には、その上面から上下方向に出退自
在なリフトピン４ａが設けられており、プレート４の上
方位置に基板１０を支持することができるようになって
いる。

【００１４】チャンバ２内の空間２ａの上部に配置され
たイオナイザ６は、基板１０の表面ＷＳに平行な方向Ｅ
Ｆに延びる細長い直方体形状の本体部分６ａ（イオナイ
ザ本体）を備えており、その長手方向に沿った側面には
４個の噴射口６ｂが突設されている。噴射口６ｂは、正
イオン化した気体を噴射する２個の正イオン噴射口６ｐ
と、負イオン化した気体を噴射する２個の負イオン噴射
口６ｍとが交互に配置されて構成されている。正イオン
噴射口６ｐの中央には、針状の電極６ｒが設けられ、こ
の電極６ｒに電源から直流の正電圧が印加されると、電
極６ｒ先端部付近の気体が正イオン化される。また、負
イオン噴射口６ｍの中央にも、正イオン噴射口６ｐと同
様の電極６ｒが設けられ、この電極６ｒに電源から直流
の負電圧が印加されると、電極先端部付近の気体が負イ
オン化される。一方、イオナイザ６の本体部分６ａ内部
には、図示を省略するが、ガス源からの窒素ガスを噴射
口６ｂに導くガス供給システムが組み込まれており、噴
射口６ｂ（６ｐ，６ｍ）の電極に電圧を印加すると、窒
素ガスをイオン化したイオン化気体（正イオン化した気
体及び負イオン化した気体）が、噴射口６ｂの正面方
向、すなわち基板１０の表面ＷＳに平行な方向ＥＦ（噴
射口６ｂが配列された本体部分６ａの長手方向）に垂直
な方向ＣＤに向かって噴射される。また、本体部分６ａ
の内部には、上述の正イオン噴射口６ｐ及び負イオン噴
射口６ｍにそれぞれ設けられた電極に正電圧又は負電圧
を印加する時間をそれぞれ制御する、すなわち、正イオ
ン噴射口６ｐから正イオン化した気体を噴射する正イオ
ン噴射時間と、負イオン噴射口６ｍから負イオン化した
気体を噴射する負イオン噴射時間とをそれぞれ制御する
噴射時間制御部５０が設けられている。

【００１５】チャンバ２の両側部には、スライドガイド
８及びリニアモータ９を収納する空間２ｃ、２ｄが設け
られている。

【００１６】空間２ｃ内に配置されたスライドガイド８
は、方向ＣＤに沿って延びるガイドレール８ａとこのガ
イドレール８ａ上を摺動する摺動部８ｂとを備える。こ
の摺動部８ｂから延びるアーム８ｃは、隔壁２１に形成
したスリットＳを通ってイオナイザ６の本体部分６ａの
一端に固定されている。

【００１７】空間２ｄ内に配置されたリニアモータ９
は、方向ＣＤに沿って延びるモータレール９ａとこのモ
ータレール９ａ上を移動する移動部９ｂとを備える。移
動部９ｂから延びるアーム９ｃは、隔壁２１に形成した
スリットを通って本体部分６ａの他端に固定されてい
る。

【００１８】これらスライドガイド８及びリニアモータ
９により、本体部分６ａは、リニアモータ９への入力信
号に応じ、基板１０の表面ＷＳに平行な状態を保って、
方向ＥＦ（噴射口６ｂが配列された本体部分６ａの長手
方向）に垂直な方向ＣＤに沿って往復移動することにな
る。

【００１９】図２は、イオナイザ６による基板１０の除
電状態を説明する図である。図２（ａ）に示すように、
イオナイザ６が基板の一方側の端部１０ａ上方にある場
合、イオナイザ６に設けた噴射口６ｂから噴射されたイ
オン化気体ＩＧは、キャリアガス（窒素ガス）によって
そのほとんどが噴射口６ｂの前方側に進むが、基板１０
が大きいため基板１０の他方側の端部１０ｂの表面ＷＳ
までは十分に除電することができない。なお、イオナイ
ザ６から噴射されたイオン化気体ＩＧの一部は、基板１
０の端部１０ａに分布する電荷にひかれて噴射口６ｂの
後方側にも回り込むので、イオナイザ６の直下や後方に
も到達し、基板１０の端部１０ａの表面ＷＳを十分に除
電することができる。

【００２０】次に、図２（ｂ）に示すように、イオナイ
ザ６が基板１０中央部上方に移動した場合、イオナイザ
６に設けた噴射口６ｂから噴射されたイオン化気体ＩＧ
は、そのほとんどが噴射口６ｂの前方側に進み、基板１
０の他方側の端部１０ｂの表面ＷＳを十分に除電するこ
とができる。また、イオナイザ６から噴射されたイオン
化気体ＩＧの一部は、噴射口６ｂの後方側にも回り込
み、基板１０の中央部の表面ＷＳを十分に除電すること
ができる。

【００２１】したがって、イオナイザ６を方向ＣＤに沿
って図２（ａ）から図２（ｂ）の範囲で移動させること
により、基板１０全体の表面ＷＳを十分に除電すること
ができる。イオナイザ６の移動範囲は、噴射口６ｂの端
面を基準とすると、図示のように、基板１０の端部１０
ａのエッジからの距離がαの場合からβの場合までとな
る。前者の距離αは、イオン化気体ＩＧが噴射口６ｂの
後方側に到達する距離以下に設定する。また、後者の距
離βは、基板１０のエッジ間距離γからイオン化気体Ｉ
Ｇが噴射口６ｂの前方側に到達する距離を差し引いた値
以上に設定する。

【００２２】以下、図１の装置の動作について説明す
る。例えばレジスト塗布処理が終了した基板１０は、図
示を省略する基板搬送ロボットによって、搬出入口２ｂ
を介してチャンバ２内に搬入される。このとき、リフト
ピン４ａを上昇させておき、上記搬送ロボットによって
搬送されてきた基板１０をリフトピン４ａで支持し、基
板搬入を完了する。

【００２３】次に、リフトピン４ａを降下させ、基板１
０をプレート４の上面に載置する。そして、吸引ユニッ
トを動作させて基板１０をプレート４上に吸着固定した
後、基板１０をプレート４とともに加熱してレジストを
乾燥固化する。

【００２４】そして、加熱処理が完了すると、吸引ユニ
ットを停止させて基板１０の吸着を解除し、リフトピン
４ａを動作させて基板１０をプレート４の上方位置に上
昇させる。その後、搬送装置によりチャンバ２から基板
１０を取り出し、次の処理装置に搬送する。

【００２５】上述の加熱処理の際、及び基板１０をプレ
ート４から剥離してからプレート４の上方位置に上昇さ
せた基板１０をチャンバ２から取り出すまでの間におい
て、イオナイザ６を動作させる。すなわち、イオナイザ
６を方向ＣＤに沿って図２（ａ）の位置から図２（ｂ）
の位置に移動させつつ、その噴射口６ｂからイオン化気
体を噴射させる。これにより、基板１０全体の表面ＷＳ
が電気的にほぼ均一に中和されて基板１０の除電が達成
される。この際、より均一な除電を達成するため、イオ
ナイザ６を方向ＣＤに沿って往復移動させることもでき
る。また、イオナイザ６を方向ＣＤに移動させる速度
は、一定であってもよいが、図２に示す移動範囲の両端
側で移動速度を低下させて、基板１０の端部１０ａ、１
０ｂを重点的に除電することも可能である。

【００２６】この際、イオナイザ６の本体部分６ａの内
部に設けられた噴射時間制御部５０によって、正イオン
噴射口６ｐにプラス電圧を、正イオン噴射口６ｐにマイ
ナス電圧をそれぞれ交互に印加することとしている。こ
れにより、正イオン噴射口６ｐ及び負イオン噴射口６ｍ
から、正イオン化した気体及び負イオン化した気体を一
定時間間隔で個別かつ交互に噴射させることができる。
このように、正イオン噴射口６ｐ及び負イオン噴射口６
ｍから、正イオン化した気体及び負イオン化した気体を
交互に噴射させることにより、正イオン化した気体及び
負イオン化した気体が、各噴射口６ｐ、６ｍの近傍で互
いに中和されることを抑制でき、正イオン化した気体及
び負イオン化した気体を基板１０の表面に効率よく供給
することができる。

【００２７】この実施形態では、噴射口６ｂが本体部分
６ａの長手方向（方向ＥＦ）に沿って複数設けられてい
るので、イオナイザ６から噴射されるイオン化気体ＩＧ
に一様な流れを形成することができ、基板１０全体を比
較的均一に除電することができる。

【００２８】なお、この実施形態では、基板１０の短辺
がイオナイザ６の本体部分６ａの長手方向と平行になる
ように配置しているが、基板１０の長辺側がイオナイザ
６の本体部分６ａの長手方向と平行になるように配置し
てもよい。この場合、イオナイザ６の本体部分６ａを移
動させる距離が減少し、比較的大型の基板１０であって
も比較的迅速に除電することができる。

【００２９】〔第２実施形態〕図３は、本発明に係る第
２実施形態の基板処理装置を説明する図である。図３
（ａ）は、装置の平面構造を示し、図３（ｂ）は、図３
（ａ）の装置のＡ−Ａ矢視断面構造を示す。この基板処
理装置は、第１実施形態の基板処理装置の変形例であ
り、同様の部分には同一の符号を付して重複説明を省略
する。

【００３０】この装置では、イオナイザ６を基板１０の
表面ＷＳに沿って移動させる移動手段として、スライド
ガイド８、８０とシリンダ８１とを用いている。すなわ
ち、第１実施形態の図１に示すリニアモータ９を、アー
ム８０ｃによってイオナイザ６の本体部分６ａの他端に
取り付けられ、同図に示すスライドガイド８と同一の構
造のスライドガイド８０と、スライドガイド８０の摺動
部８０ｂをガイドレール８０ａ上で往復移動するシリン
ダ８１とに置き換え、イオナイザ６を図示の実線の位置
と点線の位置との間で移動させる。このため、移動手段
を簡易な構造とすることができる。

【００３１】〔第３実施形態〕図４は、本発明に係る第
３実施形態の基板処理装置を説明する図である。図４
（ａ）は、装置の正面構造を示し、図４（ｂ）は、装置
の平面構造を示す。この基板処理装置は、第１実施形態
の基板処理装置の変形例である。

【００３２】この装置では、チャンバ２上部に空間２ｅ
を設け、この空間２ｅ内に、イオナイザ６を基板１０の
表面ＷＳに沿って移動させる移動手段としてスライドガ
イド８３とネジ駆動機構９３とを配置している。スライ
ドガイド８３は、摺動部８３ｂ及びガイドレール８３ａ
を備え、第１実施形態のスライドガイド８と同様の構造
を有しており、ネジ駆動機構９３は、ボールネジ９３ａ
と、これに螺合する被駆動体９３ｂと、ボールネジ９３
ａを回転させて被駆動体９３ｂをボールネジ９３ａの軸
方向に往復移動させる電動モータ９３ｃとを備える。ス
ライドガイド８３とネジ駆動機構９３との間には、ビー
ム３０が架け渡されており、その中央位置からスリット
２ｇを通って下向きに延びる支持体３１の下端には、イ
オナイザ６の本体部分６ａが固定されている。

【００３３】この第３実施形態では、ネジ駆動機構９３
の電動モータ９３ｃを駆動しつつ、イオナイザ６を動作
させる。すなわち、イオナイザ６を方向ＣＤに沿って移
動させつつ、その噴射口６ｂからイオン化気体を噴射さ
せる。これにより、基板１０全体の表面ＷＳが電気的に
ほぼ均一に中和される。

【００３４】なお、以上第１〜第３の実施形態におい
て、イオナイザ６を方向ＣＤに沿って直進させる手段と
してリニアモータ９、シリンダ８１、及びネジ駆動機構
９３を用いているが、これに代えて、例えばワイヤーや
ベルト等を用いることができる。図５はその一例を示し
たものであり、スライドガイド８４に案内されて方向Ｃ
Ｄに沿って設けられたガイドレール８４ａ上で移動可能
なイオナイザ６を、一対のプーリ９４ａと、これに掛け
渡されたベルト９４ｂと、プーリ９４ａを回転させる電
動モータ９４ｃとからなるベルト駆動機構９４によって
方向ＣＤに駆動する。

【００３５】〔第４実施形態〕図６は、本発明に係る第
４実施形態の基板処理装置を説明する図である。図６
（ａ）は、装置の平面構造を示し、図６（ｂ）は、装置
の側面構造を示す。

【００３６】この装置では、チャンバ２の空間２ａ内に
支持された基板１０の中央上方に単一のイオナイザ６１
が配置されており、このイオナイザ６１の円筒状の本体
部分６１ａの周囲側面には、イオン化気体ＩＧを噴射す
る４個の噴射口６１ｂが設けられている。これらの噴射
口６１ｂは、正イオン化した気体を噴射する２個の正イ
オン噴射口６ｐと、負イオン化した気体を噴射する２個
の負イオン噴射口６ｍとを交互に等間隔で配置した構成
となっている。イオナイザ６１の本体部分６１ａは、チ
ャンバ２外に配置した移動手段である電動モータ９５に
駆動されて、基板１０の表面ＷＳに垂直で基板１０の略
中心を通る回転軸の回りで回転する。

【００３７】この装置によれば、４個の噴射口６１ｂか
らイオン化気体ＩＧを噴射させつつ、イオナイザ６１を
その中心軸の回りに水平面内で回転させるので、イオナ
イザ６１から噴射されるイオン化気体ＩＧの分布を等方
的で均一なものとすることができ、基板１０全体を均一
に除電することができる。なお、この場合、噴射口６１
ｂの前方側に噴射されるイオン化気体ＩＧによって基板
１０の周囲部分が除電され、イオナイザ６１の噴射口６
１ｂから逆戻りするイオン化気体ＩＧによってイオナイ
ザ６１の直下の基板１０の表面ＷＳが除電される。

【００３８】〔第５実施形態〕図７は、本発明に係る第
５実施形態の基板処理装置を説明する図である。図７
（ａ）は、装置の平面構造を示し、図７（ｂ）は、装置
の側面構造を示す。

【００３９】この装置では、イオナイザ６を基板１０の
表面ＷＳに沿って移動させる移動手段として、回転支持
部材９６と電動モータ９７とを用いている。回転支持部
材９６は、イオナイザ６の本体部分６ａの一端側をアー
ム９６ｂを介して保持し、イオナイザ６を基板１０の表
面ＷＳに垂直な鉛直軸の回りに回転可能に枢支する。電
動モータ９７は、チャンバ２外下方に配置され回転支持
部材９６に回転可能に支持されたイオナイザ６を回転駆
動し、必要に応じてこれを揺動させる。

【００４０】この装置によれば、簡単な構造の移動手段
を用いてイオナイザ６を移動させつつ、６個の噴射口６
ｂからイオン化気体ＩＧを均一に噴射させて基板１０の
表面ＷＳ全体を除電することができる。

【００４１】以上、実施形態に即してこの発明を説明し
たが、この発明は上記実施形態に限定されるものではな
い。例えば、上記第１〜第３、及び第５の実施形態にお
いて、イオナイザ６の本体部分６ａの片側側面にのみ噴
射口６ｂを設けてイオン化気体ＩＧを噴射させている
が、本体部分６ａの両側面に噴射口６ｂを設けてもよ
い。図８は、その一例として、図７に示す第５実施形態
の基板処理装置を変形した場合を示したものであり、本
体部分６ａの両側面のそれぞれに、正イオン噴射口６ｐ
と負イオン噴射口６ｍとを交互に配置した構成となって
いる。これにより、イオナイザ６から噴射されるイオン
化気体ＩＧをより広い範囲まで到達させることができ、
イオナイザ６の移動量を少なくすることができる。

【００４２】また、上記それぞれの実施形態において、
イオナイザ６の本体部分６ａの側面に噴射口６ｂを設け
てイオン化気体ＩＧを水平方向に噴射させているが、本
体部分６ａの下面に噴射口６ｂを設けてもよい。つま
り、図９に示すように、イオナイザ６の噴射口６ｂを下
向きにし、基板１０の表面ＷＳに向けてイオン化気体Ｉ
Ｇを吹き付けつつ、イオナイザ６を基板１０の表面ＷＳ
に沿って移動させる。この場合も、基板１０全体の表面
ＷＳが除電される。また、図１０に示すように、イオナ
イザ６の本体部分６ａを傾斜させてその噴射口６ｂを斜
め下向きにし、この姿勢を保ったままでイオナイザ６を
基板１０の表面ＷＳに沿って移動させることもできる。
これによっても、基板１０全体の表面ＷＳが除電され
る。なお、図９、１０に示す構成において、図２に示す
水平噴射の構成と同じ範囲に亘ってイオン化された気体
を基板１０の表面ＷＳに供給するためには、基板１０の
表面ＷＳから本体部分６ａまでの寸法を比較的大きくし
なければならず、装置が大型化する。逆に、装置が大型
化を防止するため、基板１０の表面ＷＳから本体部分６
ａまでの寸法を図２と同一に保って十分な除電を達成す
るためには、本体部分６ａの基板１０表面に沿っての移
動距離を大きくしなければならない。言い換えれば、図
２のイオナイザ６のように水平噴射とした場合、噴射口
６ｂの前方に関しては、イオン化気体ＩＧの噴射の勢い
に応じて本体部分６ａから離れた広範囲に亘ってイオン
化気体ＩＧが到達するので、装置をコンパクトなものと
することができるとともに、大型の基板１０の全表面Ｗ
Ｓに亘ってイオン化気体ＩＧを迅速かつ十分に供給する
ことができる。

【００４３】また、上記それぞれの実施形態において、
移動するイオナイザ６によって除電される基板１０は、
水平に支持されているが、基板１０の姿勢は、水平に限
らず、鉛直にした縦型であってもよく、傾斜した姿勢で
あってもかまわない。この場合、イオナイザ６を基板１
０の姿勢に合わせて傾斜させるなどし、基板１０の表面
ＷＳに平行に移動させる。

【００４４】また、上記それぞれの実施形態は、基板１
０に加熱処理を施すための基板処理装置に関するもので
あるが、クーリングプレートユニットのような基板１０
に冷却処理を施す基板処理装置にも、図１〜図１０に例
示したイオナイザ６、６１及びその移動手段を適用でき
る。さらに、基板１０にレジスト塗布、密着強化剤塗
布、洗浄、現像等の諸処理を施す基板処理装置において
も、図１〜図１０に例示したイオナイザ６、６１及びそ
の移動手段を適用できる。なお、除電の対象となる基板
１０は、角型の液晶表示パネル用ガラス基板、半導体製
造用のマスク基板等のほか、略円形の半導体ウェハであ
ってもよい。

【００４５】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１の基板処理装置では、イオナイザ移動手段が、支持手
段によって支持され固定された基板に対して噴射口から
イオン化された気体を噴射させつつ、イオナイザ本体を
基板の表面に沿って移動させるので、イオナイザの噴射
口から噴射されるイオン化された気体の到達範囲が基板
の全表面に比較して狭い場合にも、イオナイザ本体の移
動により、噴射口から噴射されるイオン化された気体を
基板の全表面に到達させることができる。つまり、請求
項１の基板処理装置によれば、大型化した基板の全表面
に亘ってイオン化した気体を十分に供給することがで
き、基板全体の電気的中和すなわち基板全体の除電を十
分に達成することができる。

【００４６】また、請求項２の基板処理装置では、噴射
口が基板の表面に平行な所定の方向に沿ってイオナイザ
本体に複数設けられるとともに、イオナイザ移動手段が
イオナイザ本体をこの所定の方向に略垂直な方向に直線
的に移動させるので、基板全体が均一かつ効率的に除電
される。

【００４７】また、請求項３の基板処理装置では、それ
ぞれ異なる方向に向けてイオン化された気体を噴射する
複数の噴射口がイオナイザ本体に複数設けられるととも
に、イオナイザ移動手段がイオナイザ本体を支持手段に
よって支持された基板の表面に直交する回転軸回りに回
転させるので、噴射口から噴射されるイオン化された気
体がイオナイザ本体の周囲に均一に拡散し、基板全体が
均一かつ迅速に除電される。

【００４８】また、請求項４の基板処理装置では、噴射
口が基板の表面に平行な所定の方向に沿ってイオナイザ
本体に複数設けられるとともに、イオナイザ移動手段が
イオナイザ本体を支持手段によって支持された基板の表
面に直交する回転軸回りで揺動させるので、基板全体が
均一かつ効率的に除電される。

【００４９】また、請求項５の基板処理装置では、支持
手段によって支持された基板の表面とほぼ平行な方向に
向かってイオン化された気体が噴射口から噴射されるの
で、噴射口の前方に関しては、イオン化された気体の噴
射の勢いに応じてイオナイザ本体から離れた広範囲に亘
ってイオン化された気体が到達する。よって、基板の表
面からイオナイザ本体までの寸法を小さくでき、基板処
理装置をコンパクトなものとすることができるととも
に、大型の基板の全表面に亘ってイオン化した気体を十
分に供給することができ、大型の基板の除電を効果的に
達成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施形態の基板処理装置を上面及び裏面側
から見た構造を説明する図である。

【図２】図１の装置の動作を説明する図である。

【図３】第２実施形態の基板処理装置を上面及び裏面側
から見た構造を説明する図である。

【図４】第３実施形態の基板処理装置を正面及び上面側
から見た構造を説明する図である。

【図５】変形例を説明する図である。

【図６】第４実施形態の基板処理装置を上面及び側面側
から見た構造を説明する図である。

【図７】第５実施形態の基板処理装置を上面及び裏面側
から見た構造を説明する図である。

【図８】変形例を説明する図である。

【図９】変形例を説明する図である。

【図１０】変形例を説明する図である。

【符号の説明】

２ チャンバ ２ａ 密閉された空間 ４ プレート ４ａ リフトピン ６，６１ イオナイザ ６ｂ，６１ｂ 噴射口 ８，８０ スライドガイド ９ リニアモータ １０ 基板 ８１ シリンダ ９３ ネジ駆動機構 ９５、９７ 電動モータ ９６ 回転支持部材 ＩＧ イオン化気体 ＷＳ 基板表面

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 支持手段によって基板を支持しつつ、基
   板に所定の処理を行う基板処理装置において、 イオン化された気体が噴射される噴射口を有するイオナ
   イザ本体と、 支持手段によって支持され固定された基板に対して、噴
   射口からイオン化された気体を噴射させつつ、イオナイ
   ザ本体を基板の表面に沿って移動させるイオナイザ移動
   手段と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】 噴射口が基板の表面に平行な所定の方向
   に沿ってイオナイザ本体に複数設けられるとともに、イ
   オナイザ移動手段がイオナイザ本体をこの所定の方向に
   略垂直な方向に直線的に移動させることを特徴とする請
   求項１に記載の基板処理装置。
3. 【請求項３】 それぞれ異なる方向に向けてイオン化さ
   れた気体を噴射する複数の噴射口がイオナイザ本体に複
   数設けられるとともに、イオナイザ移動手段がイオナイ
   ザ本体を支持手段によって支持された基板の表面に直交
   する回転軸回りに回転させることを特徴とする請求項１
   に記載の基板処理装置。
4. 【請求項４】 噴射口が基板の表面に平行な所定の方向
   に沿ってイオナイザ本体に複数設けられるとともに、イ
   オナイザ移動手段がイオナイザ本体を支持手段によって
   支持された基板の表面に直交する回転軸回りで揺動させ
   ることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
5. 【請求項５】 支持手段によって支持された基板の表面
   とほぼ平行な方向に向かって、イオン化された気体が噴
   射口から噴射されることを特徴とする請求項１から請求
   項４のいずれかに記載の基板処理装置。