JPH10223931A - 発光ダイオード及びその製造方法 - Google Patents
発光ダイオード及びその製造方法Info
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- JPH10223931A JPH10223931A JP2822597A JP2822597A JPH10223931A JP H10223931 A JPH10223931 A JP H10223931A JP 2822597 A JP2822597 A JP 2822597A JP 2822597 A JP2822597 A JP 2822597A JP H10223931 A JPH10223931 A JP H10223931A
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- type epitaxial
- conductivity type
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の発光ダイオードは、光の出射が素子を
構成する電極によって妨げられていた。この問題を回避
する構造としては非常に高価な半球状のドーム面を有す
る素子しかなかった。 【解決手段】 第１導電型半導体基板１の上に、第１導
電型エピタキシャル層２が積層され、この上に第１導電
型側の電極部５が形成され、この電極部５を除いて第１
導電型エピタキシャル層２の上に第１の第２導電型エピ
タキシャル層３、第２の第２導電型エピタキシャル層４
が順次積層され、この上に第２導電型側の電極部６が形
成されてなることを特徴とする。
構成する電極によって妨げられていた。この問題を回避
する構造としては非常に高価な半球状のドーム面を有す
る素子しかなかった。 【解決手段】 第１導電型半導体基板１の上に、第１導
電型エピタキシャル層２が積層され、この上に第１導電
型側の電極部５が形成され、この電極部５を除いて第１
導電型エピタキシャル層２の上に第１の第２導電型エピ
タキシャル層３、第２の第２導電型エピタキシャル層４
が順次積層され、この上に第２導電型側の電極部６が形
成されてなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオードに
関し、特に表示パネルの光源等に使用される高輝度Ｇａ
Ｐ発光ダイオードに関する。
関し、特に表示パネルの光源等に使用される高輝度Ｇａ
Ｐ発光ダイオードに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＰ発光ダイオードとして一般に、赤
色発光及び緑色発光のものがある。屋外発光用としては
Ｎ（窒素）ドープのＧａＰ（Ｎ：ＧａＰ）からなる緑色
発光ダイオードが主流である。この緑色系のＮ：ＧａＰ
発光ダイオードの高輝度化の手法としては、その発光機
構が間接遷移であるために結晶品位の向上が重要であ
り、特にｐｎ接合近傍についての結晶性向上が第１に挙
げられる。
色発光及び緑色発光のものがある。屋外発光用としては
Ｎ（窒素）ドープのＧａＰ（Ｎ：ＧａＰ）からなる緑色
発光ダイオードが主流である。この緑色系のＮ：ＧａＰ
発光ダイオードの高輝度化の手法としては、その発光機
構が間接遷移であるために結晶品位の向上が重要であ
り、特にｐｎ接合近傍についての結晶性向上が第１に挙
げられる。
【０００３】ＧａＰ発光ダイオードは発光波長に対して
結晶の光吸収量が小さく、結晶全体から外へ光が放射さ
れることから、外部光取出効率の向上も高輝度化の手法
の１つに挙げられる。
結晶の光吸収量が小さく、結晶全体から外へ光が放射さ
れることから、外部光取出効率の向上も高輝度化の手法
の１つに挙げられる。
【０００４】しかし、結晶品位を向上させるためにキャ
リア濃度を抑える必要から、結晶サイズに対する電流拡
がりが悪くなり、極端な場合は電極下のみ発光すること
になり、外部光取出効率が小さくなるという問題点を有
している。
リア濃度を抑える必要から、結晶サイズに対する電流拡
がりが悪くなり、極端な場合は電極下のみ発光すること
になり、外部光取出効率が小さくなるという問題点を有
している。
【０００５】図５を参照し、従来技術について具体的に
説明する。図５（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、従来例に
よる発光ダイオードの発光強度分布図及び発光ダイオー
ド素子の縦断面図である。図５（ｂ）に示すように、従
来の発光ダイオードは、ｎ型ＧａＰ単結晶１００の上
に、ｎ型エピタキシャル層１０１、第１のｐ型エピタキ
シャル層１０２、第２のｐ型エピタキシャル層１０３を
順次積層し、第２ｐ型エピタキシャル層１０３の上面に
ｐ側電極１０４を、また、ｎ型ＧａＰ単結晶１００の下
面にｎ側電極１０５を形成している。
説明する。図５（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、従来例に
よる発光ダイオードの発光強度分布図及び発光ダイオー
ド素子の縦断面図である。図５（ｂ）に示すように、従
来の発光ダイオードは、ｎ型ＧａＰ単結晶１００の上
に、ｎ型エピタキシャル層１０１、第１のｐ型エピタキ
シャル層１０２、第２のｐ型エピタキシャル層１０３を
順次積層し、第２ｐ型エピタキシャル層１０３の上面に
ｐ側電極１０４を、また、ｎ型ＧａＰ単結晶１００の下
面にｎ側電極１０５を形成している。
【０００６】このような構造における発光強度の大きさ
は、図５（ａ）に示すように、略中央部に向かって大き
くなっていく。しかしながら、素子の上面中央部にはｐ
側電極１０４を形成しているので、ｎ型エピタキシャル
層１０１及び第１のｐ型エピタキシャル層１０２間のｐ
ｎ接合から出射される光の一部がこのｐ側電極１０４に
よって遮られ、外部に出射することがない。従って、図
５（ａ）のように素子中央部の発光強度が低下する傾向
が見られる。
は、図５（ａ）に示すように、略中央部に向かって大き
くなっていく。しかしながら、素子の上面中央部にはｐ
側電極１０４を形成しているので、ｎ型エピタキシャル
層１０１及び第１のｐ型エピタキシャル層１０２間のｐ
ｎ接合から出射される光の一部がこのｐ側電極１０４に
よって遮られ、外部に出射することがない。従って、図
５（ａ）のように素子中央部の発光強度が低下する傾向
が見られる。
【０００７】これに対して、特開昭５８−１４２５８３
号には、ＧａＡｌＡｓ系で半球状のドーム面を有する発
光ダイオードが提案されている。
号には、ＧａＡｌＡｓ系で半球状のドーム面を有する発
光ダイオードが提案されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような半球状のドーム面を有する素子を作製するには、
生産コストが非常に高価になるという問題がある。
ような半球状のドーム面を有する素子を作製するには、
生産コストが非常に高価になるという問題がある。
【０００９】そこで、本発明の目的は、上記のような半
球状のドーム面を有する形状ではなく、従来の製法から
も大幅な変更なく、電極によって光の出射が妨げられな
い発光ダイオードを実現することにある。
球状のドーム面を有する形状ではなく、従来の製法から
も大幅な変更なく、電極によって光の出射が妨げられな
い発光ダイオードを実現することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明による発光ダイオードは、第１導電型半導体基
板の上に、第１導電型エピタキシャル層が積層され、該
第１導電型エピタキシャル層の上に第１導電型側の電極
部が形成され、該電極部を除いて前記第１導電型エピタ
キシャル層の上に第１の第２導電型エピタキシャル層、
第２の第２導電型エピタキシャル層が順次積層され、該
第２の第２導電型エピタキシャル層の上に第２導電型側
の電極部が形成されてなることを特徴とする。
に本発明による発光ダイオードは、第１導電型半導体基
板の上に、第１導電型エピタキシャル層が積層され、該
第１導電型エピタキシャル層の上に第１導電型側の電極
部が形成され、該電極部を除いて前記第１導電型エピタ
キシャル層の上に第１の第２導電型エピタキシャル層、
第２の第２導電型エピタキシャル層が順次積層され、該
第２の第２導電型エピタキシャル層の上に第２導電型側
の電極部が形成されてなることを特徴とする。
【００１１】具体的には、ｎ型ＧａＰ基板の上に、ｎ型
エピタキシャル層が積層され、該ｎ型エピタキシャル層
の上にカソード電極部が形成され、該カソード電極部を
除いて前記ｎエピタキシャル層の上に第１のｐ型エピタ
キシャル層、第２のｐ型エピタキシャル層が順次積層さ
れ、該第２のｐ型エピタキシャル層の上にアノード電極
部が形成されてなることを特徴とする。
エピタキシャル層が積層され、該ｎ型エピタキシャル層
の上にカソード電極部が形成され、該カソード電極部を
除いて前記ｎエピタキシャル層の上に第１のｐ型エピタ
キシャル層、第２のｐ型エピタキシャル層が順次積層さ
れ、該第２のｐ型エピタキシャル層の上にアノード電極
部が形成されてなることを特徴とする。
【００１２】このように、本発明の発光ダイオードは、
半導体基板側には電極が形成されておらず、この基板側
から素子としての光が出射されるので、従来のように電
極に光が妨げられることがなく光度を向上できる。
半導体基板側には電極が形成されておらず、この基板側
から素子としての光が出射されるので、従来のように電
極に光が妨げられることがなく光度を向上できる。
【００１３】ここで、第１導電型半導体基板のキャリア
濃度は１×１０17ｃｍ-3以下であることを特徴とする。
濃度は１×１０17ｃｍ-3以下であることを特徴とする。
【００１４】このように、半導体基板には電極を形成し
ないので、従来、基板に電極を形成するために限界があ
った半導体基板のキャリア濃度の下限をさらに低くで
き、基板の結晶品位の向上を図れる。上記のようなキャ
リア濃度とすることによって、光度をさらに向上でき
る。
ないので、従来、基板に電極を形成するために限界があ
った半導体基板のキャリア濃度の下限をさらに低くで
き、基板の結晶品位の向上を図れる。上記のようなキャ
リア濃度とすることによって、光度をさらに向上でき
る。
【００１５】上記発光ダイオードの製造方法としては、
第１導電型半導体基板の上に、第１導電型エピタキシャ
ル層、第１の第２導電型エピタキシャル層、第２の第２
導電型エピタキシャル層を順次、積層する第１工程と、
前記第２の第２導電型エピタキシャル層の上に第２導電
型側の電極を形成する第２工程と、前記第１の第２導電
型エピタキシャル層、第２の第２導電型エピタキシャル
層の一部を前記第１導電型エピタキシャル層に達するま
でエッチング除去する第３工程と、前記エッチング除去
によって露出させた第１導電型エピタキシャル層上に第
１導電型側の電極を形成する第４工程とを、含むことを
特徴とする。
第１導電型半導体基板の上に、第１導電型エピタキシャ
ル層、第１の第２導電型エピタキシャル層、第２の第２
導電型エピタキシャル層を順次、積層する第１工程と、
前記第２の第２導電型エピタキシャル層の上に第２導電
型側の電極を形成する第２工程と、前記第１の第２導電
型エピタキシャル層、第２の第２導電型エピタキシャル
層の一部を前記第１導電型エピタキシャル層に達するま
でエッチング除去する第３工程と、前記エッチング除去
によって露出させた第１導電型エピタキシャル層上に第
１導電型側の電極を形成する第４工程とを、含むことを
特徴とする。
【００１６】具体的には、ｎ型ＧａＰ基板の上に、ｎ型
エピタキシャル層、第１のｐ型エピタキシャル層、第２
のｐ型エピタキシャル層を順次、積層する第１工程と、
前記第２のｐ型エピタキシャル層の上にアノード電極部
を形成する第２工程と、前記第１のｐ型エピタキシャル
層及び第２のｐ型エピタキシャル層の一部を前記ｎ型エ
ピタキシャル層に達するまでエッチング除去する第３工
程と、前記エッチング除去によって露出させたｎ型エピ
タキシャル層上にカソード電極部を形成する第４工程と
を、含むことを特徴とする。
エピタキシャル層、第１のｐ型エピタキシャル層、第２
のｐ型エピタキシャル層を順次、積層する第１工程と、
前記第２のｐ型エピタキシャル層の上にアノード電極部
を形成する第２工程と、前記第１のｐ型エピタキシャル
層及び第２のｐ型エピタキシャル層の一部を前記ｎ型エ
ピタキシャル層に達するまでエッチング除去する第３工
程と、前記エッチング除去によって露出させたｎ型エピ
タキシャル層上にカソード電極部を形成する第４工程と
を、含むことを特徴とする。
【００１７】ここで、前記第３工程のエッチングは、前
記第２工程で形成される第２導電型用の電極を用いる電
解エッチングであることを特徴とする。
記第２工程で形成される第２導電型用の電極を用いる電
解エッチングであることを特徴とする。
【００１８】このように、電解エッチングを用いている
ので、任意のエッチング条件でｐ層あるいはｎ層を選択
的にエッチングできるため、均一にｐ層あるいはｎ層を
除去することが可能となり良好な電極を形成できる。
ので、任意のエッチング条件でｐ層あるいはｎ層を選択
的にエッチングできるため、均一にｐ層あるいはｎ層を
除去することが可能となり良好な電極を形成できる。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明の特徴は、発光ダイオード
が形成される基板の表面に電極が形成されていない構造
とすることによって、従来であれば電極によって妨げら
れていた光をすべて出射させることができ、光度を向上
できる点にある。さらに、基板に対して電極を形成しな
いことによって、従来、限界があった基板の低キャリア
濃度化を可能とでき、この両特徴の作用によって、さら
に大幅な光度向上を図れる点にある。
が形成される基板の表面に電極が形成されていない構造
とすることによって、従来であれば電極によって妨げら
れていた光をすべて出射させることができ、光度を向上
できる点にある。さらに、基板に対して電極を形成しな
いことによって、従来、限界があった基板の低キャリア
濃度化を可能とでき、この両特徴の作用によって、さら
に大幅な光度向上を図れる点にある。
【００２０】本発明の一実施例について、図１を参照し
て説明する。図１は本発明の一実施例による発光ダイオ
ードである。
て説明する。図１は本発明の一実施例による発光ダイオ
ードである。
【００２１】図１に示すように、ｎ型ＧａＰ単結晶基板
１に、ｎ型エピタキシャル層２（キャリア濃度〜２×１
０17ｃｍ-3）が積層されている。そして、この上に、少
なくとも後述のｎ側電極５を形成できる面積（図中、Ａ
部）を除いて第１のｐ型ＧａＰエピタキシャル層３（〜
２×１０16ｃｍ-3）を積層し、さらにこの上に第２のｐ
型ＧａＰエピタキシャル層４（〜１×１０16ｃｍ-3）を
積層している。そして、ｎ側電極５が前記のＡ部に、ま
たｐ側電極６が第２のｐ型ＧａＰエピタキシャル層４の
上に形成されている。
１に、ｎ型エピタキシャル層２（キャリア濃度〜２×１
０17ｃｍ-3）が積層されている。そして、この上に、少
なくとも後述のｎ側電極５を形成できる面積（図中、Ａ
部）を除いて第１のｐ型ＧａＰエピタキシャル層３（〜
２×１０16ｃｍ-3）を積層し、さらにこの上に第２のｐ
型ＧａＰエピタキシャル層４（〜１×１０16ｃｍ-3）を
積層している。そして、ｎ側電極５が前記のＡ部に、ま
たｐ側電極６が第２のｐ型ＧａＰエピタキシャル層４の
上に形成されている。
【００２２】ここで、各層の厚みは、ｎ型エピタキシャ
ル層２、ｐ型ＧａＰエピタキシャル層３、ｐ型ＧａＰエ
ピタキシャル層４の順に、５０μｍ、１５μｍ及び２０
μｍとしている。全厚みとしては、基板側の研磨により
約２８０μｍとしている。また、基板１の露出面を光取
り出し側とするために鏡面仕上げしている。
ル層２、ｐ型ＧａＰエピタキシャル層３、ｐ型ＧａＰエ
ピタキシャル層４の順に、５０μｍ、１５μｍ及び２０
μｍとしている。全厚みとしては、基板側の研磨により
約２８０μｍとしている。また、基板１の露出面を光取
り出し側とするために鏡面仕上げしている。
【００２３】上記構造において、素子としてｐｎ接合面
７からの発光は、図１の矢印Ｂに示すようにｎ型ＧａＰ
単結晶基板１側から外方へ出射される。従って、図５に
示すような従来構造とは異なり、電極によって光が妨げ
られることがない。
７からの発光は、図１の矢印Ｂに示すようにｎ型ＧａＰ
単結晶基板１側から外方へ出射される。従って、図５に
示すような従来構造とは異なり、電極によって光が妨げ
られることがない。
【００２４】図２（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、図１の
実施例による発光ダイオードの発光強度分布図及び発光
ダイオード素子の縦断面図である。この図２（ａ）と従
来構造の特性を示す図５（ａ）とを比較すれば明らかな
ように、本実施例のような構造をとることにより、素子
の略中央部においても発光強度が低下することはなく、
光度の向上を図れる。
実施例による発光ダイオードの発光強度分布図及び発光
ダイオード素子の縦断面図である。この図２（ａ）と従
来構造の特性を示す図５（ａ）とを比較すれば明らかな
ように、本実施例のような構造をとることにより、素子
の略中央部においても発光強度が低下することはなく、
光度の向上を図れる。
【００２５】しかも、従来構造であれば基板に電極を形
成する必要上、基板の光学的結晶品位の向上のためにキ
ャリア濃度を低くするには限界があったが、本実施例に
おいては、ｎ型ＧａＰ単結晶基板には電極を形成しない
構造なので、基板キャリア濃度を１×１０17ｃｍ-3以下
とすることができ、この結果、従来得られなかったよう
な良好な結晶品位を得ることができる。この基板の結晶
品位向上の効果のみで従来の基板（キャリア濃度〜６×
１０17ｃｍ-3）に比較して約１．３倍の光度の向上が図
れる。
成する必要上、基板の光学的結晶品位の向上のためにキ
ャリア濃度を低くするには限界があったが、本実施例に
おいては、ｎ型ＧａＰ単結晶基板には電極を形成しない
構造なので、基板キャリア濃度を１×１０17ｃｍ-3以下
とすることができ、この結果、従来得られなかったよう
な良好な結晶品位を得ることができる。この基板の結晶
品位向上の効果のみで従来の基板（キャリア濃度〜６×
１０17ｃｍ-3）に比較して約１．３倍の光度の向上が図
れる。
【００２６】これに、前述のように電極で光が妨げられ
ずに照射される点が加味されることによって、最終的に
本実施例の構造で、図２の実施例の構造に比較して約
１．５倍の光度の向上を図れることを確認した。
ずに照射される点が加味されることによって、最終的に
本実施例の構造で、図２の実施例の構造に比較して約
１．５倍の光度の向上を図れることを確認した。
【００２７】次に、上記構造の発光ダイオード１０の製
造方法について説明する。
造方法について説明する。
【００２８】まず、ｎ型ＧａＰ単結晶基板１に、ｎ型エ
ピタキシャル層２、ｐ型ＧａＰエピタキシャル層３、ｐ
型ＧａＰエピタキシャル層４の各層を液相エピタキシャ
ル成長によって積層形成する。この段階では、各層は同
面積のまま積まれたウエハ状態である。
ピタキシャル層２、ｐ型ＧａＰエピタキシャル層３、ｐ
型ＧａＰエピタキシャル層４の各層を液相エピタキシャ
ル成長によって積層形成する。この段階では、各層は同
面積のまま積まれたウエハ状態である。
【００２９】次に、ｐ型ＧａＰエピタキシャル層４に、
後工程でｐ側電極６となるところの、ＡｕＢｅ６’をま
ず全面に蒸着させる。このＡｕＢｅ６’のパターニング
は次工程で電解エッチングする必要上、後に説明する図
３（ａ）のように一端が連結された形状としている。そ
して、アロイングの後、このｐ側電極を次工程における
電解エッチングの電解質と絶縁させるため、ＳｉＯ2８
で保護する。なお、この保護膜８は次工程以降の各エッ
チャントに侵されない限り他の材料でもよい。
後工程でｐ側電極６となるところの、ＡｕＢｅ６’をま
ず全面に蒸着させる。このＡｕＢｅ６’のパターニング
は次工程で電解エッチングする必要上、後に説明する図
３（ａ）のように一端が連結された形状としている。そ
して、アロイングの後、このｐ側電極を次工程における
電解エッチングの電解質と絶縁させるため、ＳｉＯ2８
で保護する。なお、この保護膜８は次工程以降の各エッ
チャントに侵されない限り他の材料でもよい。
【００３０】次に、ｎ型エピタキシャル層２を露出させ
るための電解エッチングを行う。このモデルを図３を参
照して説明する。この電解エッチングの利点は、ｐ層、
ｎ層でエッチングレートが異なり、この実施例の場合で
あれば、ｐ型エピタキシャル層３、４のみを選択的にエ
ッチングできる点である。エッチング制御は、発生電流
によってモニターでき、例えば、ｐ型エピタキシャル層
３、４とｎ型エピタキシャル層２の境界では発生電流が
０となる。従って、この製法によればエッチングストッ
プ層が必要無く、ジャストエッチングが可能となる。
るための電解エッチングを行う。このモデルを図３を参
照して説明する。この電解エッチングの利点は、ｐ層、
ｎ層でエッチングレートが異なり、この実施例の場合で
あれば、ｐ型エピタキシャル層３、４のみを選択的にエ
ッチングできる点である。エッチング制御は、発生電流
によってモニターでき、例えば、ｐ型エピタキシャル層
３、４とｎ型エピタキシャル層２の境界では発生電流が
０となる。従って、この製法によればエッチングストッ
プ層が必要無く、ジャストエッチングが可能となる。
【００３１】ここでは、ｐ層のエッチングのために、Ｅ
ＤＴＡ−ＮａＯＨ溶液９を用い、第２のｐ型エピタキシ
ャル層４、次いで第１のｐ型エピタキシャル層３を、順
次エッチングしてｎ型エピタキシャル層を露出させた。
ＤＴＡ−ＮａＯＨ溶液９を用い、第２のｐ型エピタキシ
ャル層４、次いで第１のｐ型エピタキシャル層３を、順
次エッチングしてｎ型エピタキシャル層を露出させた。
【００３２】そして、ｎ側電極５形成前の処理は王水に
よって実施する。この時のエッチング深さは〜５μｍ程
度である。この後、ｎ側電極材料、例えばＡｕＳｉ、Ａ
ｕＳｉＮｉを形成させる。次いで、ｎ側電極５のパター
ニング、ｐ側電極上のＳｉＯ2８、ｎ側電極材料をエッ
チングさせ、ｎ側電極５のアロイング、チップ分割のた
めのダイシングを実施して個別の最終製品を得る。図４
は本実施例による発光ダイオードの発光ダイオードラン
プへの実装例である。図中、１１はリードフレーム、１
２は封止樹脂である。
よって実施する。この時のエッチング深さは〜５μｍ程
度である。この後、ｎ側電極材料、例えばＡｕＳｉ、Ａ
ｕＳｉＮｉを形成させる。次いで、ｎ側電極５のパター
ニング、ｐ側電極上のＳｉＯ2８、ｎ側電極材料をエッ
チングさせ、ｎ側電極５のアロイング、チップ分割のた
めのダイシングを実施して個別の最終製品を得る。図４
は本実施例による発光ダイオードの発光ダイオードラン
プへの実装例である。図中、１１はリードフレーム、１
２は封止樹脂である。
【００３３】以上のように、本実施例の製造方法によれ
ば、ｎ型エピタキシャル層を露出させるために電解エッ
チングを用いているので、任意のエッチング条件でｐ層
を選択的にエッチングできるため、均一にｐ層を除去す
ることが可能となり良好なｎ側電極を形成でき、素子特
性の向上に寄与できる。
ば、ｎ型エピタキシャル層を露出させるために電解エッ
チングを用いているので、任意のエッチング条件でｐ層
を選択的にエッチングできるため、均一にｐ層を除去す
ることが可能となり良好なｎ側電極を形成でき、素子特
性の向上に寄与できる。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の発光ダイ
オードによれば、ｐｎ接合面からの発光は、従来構造の
ように電極によって妨げられることなく基板側から外方
へ出射される。
オードによれば、ｐｎ接合面からの発光は、従来構造の
ように電極によって妨げられることなく基板側から外方
へ出射される。
【００３５】しかも、従来構造であれば基板に電極を形
成する必要上、基板の光学的結晶品位の向上のためにキ
ャリア濃度を低くするには限界があったが、本発明の発
光ダイオードは、基板に電極を形成しない構造なので、
基板キャリア濃度を低く設定することができ、この結
果、従来得られなかったような良好な結晶品位を得るこ
とができる。
成する必要上、基板の光学的結晶品位の向上のためにキ
ャリア濃度を低くするには限界があったが、本発明の発
光ダイオードは、基板に電極を形成しない構造なので、
基板キャリア濃度を低く設定することができ、この結
果、従来得られなかったような良好な結晶品位を得るこ
とができる。
【００３６】このように、電極によって光が妨げられな
い点及び基板の結晶品位を向上できた点の両点によっ
て、本発明によれば従来構造に比較して大幅な光度向上
が図れる。
い点及び基板の結晶品位を向上できた点の両点によっ
て、本発明によれば従来構造に比較して大幅な光度向上
が図れる。
【図１】本発明の一実施例による発光ダイオードの縦断
面図。
面図。
【図２】（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、本発明の一実施
例による発光ダイオードの発光輝度分布を示す図及び発
光ダイオードの縦断面図。
例による発光ダイオードの発光輝度分布を示す図及び発
光ダイオードの縦断面図。
【図３】（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、本発明の一実施
例による製造方法を説明すための図。
例による製造方法を説明すための図。
【図４】本発明の一実施例による発光ダイオードをラン
プに適用した状態を示す側面図。
プに適用した状態を示す側面図。
【図５】（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、従来例による発
光ダイオードの発光輝度分布を示す図及び発光ダイオー
ドの縦断面図。
光ダイオードの発光輝度分布を示す図及び発光ダイオー
ドの縦断面図。
１ 第１導電型半導体基板 ２ 第１導電型エピタキシャル層 ３ 第１の第２導電型エピタキシャル層 ４ 第２の第２導電型エピタキシャル層 ５ 第１導電型側の電極部（カソード） ６ 第２導電型側の電極部（アノード）
Claims (6)
- 【請求項１】 第１導電型半導体基板の上に、第１導電
型エピタキシャル層が積層され、該第１導電型エピタキ
シャル層の上に第１導電型側の電極部が形成され、該電
極部を除いて前記第１導電型エピタキシャル層の上に第
１の第２導電型エピタキシャル層、第２の第２導電型エ
ピタキシャル層が順次積層され、該第２の第２導電型エ
ピタキシャル層の上に第２導電型側の電極部が形成され
てなることを特徴とする発光ダイオード。 - 【請求項２】 ｎ型ＧａＰ基板の上に、ｎ型エピタキシ
ャル層が積層され、該ｎ型エピタキシャル層の上にカソ
ード電極部が形成され、該カソード電極部を除いて前記
ｎエピタキシャル層の上に第１のｐ型エピタキシャル
層、第２のｐ型エピタキシャル層が順次積層され、該第
２のｐ型エピタキシャル層の上にアノード電極部が形成
されてなることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイ
オード。 - 【請求項３】 前記第１導電型半導体基板のキャリア濃
度は１×１０17ｃｍ-3以下であることを特徴とする請求
項１に記載の発光ダイオード。 - 【請求項４】 第１導電型半導体基板の上に、第１導電
型エピタキシャル層、第１の第２導電型エピタキシャル
層、第２の第２導電型エピタキシャル層を順次、積層す
る第１工程と、 前記第２の第２導電型エピタキシャル層の上に第２導電
型側の電極を形成する第２工程と、 前記第１の第２導電型エピタキシャル層及び第２の第２
導電型エピタキシャル層の一部を前記第１導電型エピタ
キシャル層に達するまでエッチング除去する第３工程
と、 前記エッチング除去によって露出させた第１導電型エピ
タキシャル層上に第１導電型側の電極を形成する第４工
程とを、含むことを特徴とする発光ダイオードの製造方
法。 - 【請求項５】 ｎ型ＧａＰ基板の上に、ｎ型エピタキシ
ャル層、第１のｐ型エピタキシャル層、第２のｐ型エピ
タキシャル層を順次、積層する第１工程と、 前記第２のｐ型エピタキシャル層の上にアノード電極部
を形成する第２工程と、 前記第１のｐ型エピタキシャル層及び第２のｐ型エピタ
キシャル層の一部を前記ｎ型エピタキシャル層に達する
までエッチング除去する第３工程と、 前記エッチング除去によって露出させたｎ型エピタキシ
ャル層上にカソード電極部を形成する第４工程とを、含
むことを特徴とする請求項４に記載の発光ダイオードの
製造方法。 - 【請求項６】 前記第３工程のエッチングは、前記第２
工程で形成される第２導電型用の電極を用いる電解エッ
チングであることを特徴とする請求項４に記載の発光ダ
イオードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2822597A JPH10223931A (ja) | 1997-02-13 | 1997-02-13 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2822597A JPH10223931A (ja) | 1997-02-13 | 1997-02-13 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10223931A true JPH10223931A (ja) | 1998-08-21 |
Family
ID=12242679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2822597A Pending JPH10223931A (ja) | 1997-02-13 | 1997-02-13 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10223931A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005026303A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光モジュール |
-
1997
- 1997-02-13 JP JP2822597A patent/JPH10223931A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005026303A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光モジュール |
| JP4735794B2 (ja) * | 2003-06-30 | 2011-07-27 | 信越半導体株式会社 | 発光モジュール |
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