JPH10218696A - 多成分系セラミックス材料およびペロブスカイト型ｐｚｔ結晶 - Google Patents
多成分系セラミックス材料およびペロブスカイト型ｐｚｔ結晶Info
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- JPH10218696A JPH10218696A JP9021848A JP2184897A JPH10218696A JP H10218696 A JPH10218696 A JP H10218696A JP 9021848 A JP9021848 A JP 9021848A JP 2184897 A JP2184897 A JP 2184897A JP H10218696 A JPH10218696 A JP H10218696A
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- Japan
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- pzt
- ceramic material
- perovskite
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来技術による同位体制御セラミックス材料
では、構造材としての性質、つまり材料の硬度が異なる
点にのみしか言及しておらず、誘電率、その他の電気機
械的性質等に与える同位体効果については検討されてい
ないのが課題であった。 【解決手段】 多成分系セラミックス材料の構成元素の
うち、少なくとも１元素については、該元素の安定同位
体のうち特定の質量数をもつ同位体が９０パーセント以
上含有されることとする。
では、構造材としての性質、つまり材料の硬度が異なる
点にのみしか言及しておらず、誘電率、その他の電気機
械的性質等に与える同位体効果については検討されてい
ないのが課題であった。 【解決手段】 多成分系セラミックス材料の構成元素の
うち、少なくとも１元素については、該元素の安定同位
体のうち特定の質量数をもつ同位体が９０パーセント以
上含有されることとする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多結晶セラミック
ス材料で、その発現機能を最大限引き出すべく組成制
御、とりわけ構成元素の同位体比制御がなされた多結晶
セラミックス材料に関わる。
ス材料で、その発現機能を最大限引き出すべく組成制
御、とりわけ構成元素の同位体比制御がなされた多結晶
セラミックス材料に関わる。
【０００２】
【従来の技術】セラミックス材料の有する機能性を最大
限に発揮させるためには、その組成制御や不純物制御が
必要であることは言うまでもないことである。一般にこ
こでいう組成制御とは、着目しているセラミックス材料
を構成する成分の存在割合を意味し、その最小単位は元
素である。ところで、近年、材料の物性や発現機能はこ
れらの元素を更に同位体レベルの組成の違いで、制御で
きることが明らかに成りつつある。例えば、特開平０５
−１９４０８９に示されているように、ダイヤモンドを
構成する炭素同位体比を制御し、質量数が１３であるＣ
-13のみからなる人工的に製造されたダイヤモンドは、
天然に存在するＣ-12を同位体主成分とするものと比べ
硬度や熱伝導率が異なる。これはセラミックスではなく
単一元素からなる結晶例、即ち単結晶であるが、多成分
系セラミックスに関するものでは、例えば、特開昭０２
−１６０６７０に示されたものがある。これは対象材料
としてはホウ素系セラミックスに限定されたもので、ホ
ウ素同位体比の制御でやはり材料硬度を改善しようとい
うものである。
限に発揮させるためには、その組成制御や不純物制御が
必要であることは言うまでもないことである。一般にこ
こでいう組成制御とは、着目しているセラミックス材料
を構成する成分の存在割合を意味し、その最小単位は元
素である。ところで、近年、材料の物性や発現機能はこ
れらの元素を更に同位体レベルの組成の違いで、制御で
きることが明らかに成りつつある。例えば、特開平０５
−１９４０８９に示されているように、ダイヤモンドを
構成する炭素同位体比を制御し、質量数が１３であるＣ
-13のみからなる人工的に製造されたダイヤモンドは、
天然に存在するＣ-12を同位体主成分とするものと比べ
硬度や熱伝導率が異なる。これはセラミックスではなく
単一元素からなる結晶例、即ち単結晶であるが、多成分
系セラミックスに関するものでは、例えば、特開昭０２
−１６０６７０に示されたものがある。これは対象材料
としてはホウ素系セラミックスに限定されたもので、ホ
ウ素同位体比の制御でやはり材料硬度を改善しようとい
うものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
従来技術による同位体制御セラミックス材料では、構造
材としての性質、つまり材料の硬度が異なる点にのみし
か言及してない。即ち、対象としている材料、とりわけ
セラミックスにおける他の性質（熱（電気）伝導、誘電
率、その他の電気機械的性質等）に与える同位体効果に
ついては、全く検討されていないという問題点があっ
た。このような同位体効果について鋭意研究を行ったと
ころ、多成分系セラミックスにおいて、その同位体含有
率を制御すると、それまでの天然同位体比で構成された
ものに比べ、いろいろな性質が大きく異なるといった現
象が見いだされのである。
従来技術による同位体制御セラミックス材料では、構造
材としての性質、つまり材料の硬度が異なる点にのみし
か言及してない。即ち、対象としている材料、とりわけ
セラミックスにおける他の性質（熱（電気）伝導、誘電
率、その他の電気機械的性質等）に与える同位体効果に
ついては、全く検討されていないという問題点があっ
た。このような同位体効果について鋭意研究を行ったと
ころ、多成分系セラミックスにおいて、その同位体含有
率を制御すると、それまでの天然同位体比で構成された
ものに比べ、いろいろな性質が大きく異なるといった現
象が見いだされのである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の多成分系セラミ
ックス材料は、その構成元素のうち、少なくとも１元素
については、該元素の安定同位体のうち特定の質量数を
もつ同位体が９０パーセント以上含有されることを特徴
とする。また本発明の多成分系セラミックス材料は、任
意の元素Ａ、Ｂ及び酸素（Ｏ）から成り、一般式ＡＢＯ
3で表される多成分系セラミックス材料において、Ａ、
Ｂ、及びＯのそれぞれが、単一の安定同位体を９０パー
セント以上含有していることを特徴とする。また本発明
のペロブスカイト型チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）結
晶は、構成元素である鉛（Ｐｂ）、ジルコニウム（Ｚ
ｒ）、チタン（Ｔｉ）、及び酸素（Ｏ）の全ての元素に
対して、それぞれの元素が単一の安定同位体を９０パー
セント以上含有することを特徴とする。また本発明のＰ
ＺＴ結晶は、前記記載のＰＺＴ結晶において、マグネシ
ウム（Ｍｇ）、ニオブ（Ｎｂ）の両方若しくはいずれか
一方を添加し、該ＰＺＴ結晶のＴｉ（Ｚｒ）サイト置換
してなる結晶構造であることを特徴とする。また本発明
のＰＺＴ結晶は、前記記載のＰＺＴ結晶において、前記
Ｍｇ、Ｎｂそれぞれの元素について単一の安定同位体を
９０パーセント以上含有することを特徴とする。
ックス材料は、その構成元素のうち、少なくとも１元素
については、該元素の安定同位体のうち特定の質量数を
もつ同位体が９０パーセント以上含有されることを特徴
とする。また本発明の多成分系セラミックス材料は、任
意の元素Ａ、Ｂ及び酸素（Ｏ）から成り、一般式ＡＢＯ
3で表される多成分系セラミックス材料において、Ａ、
Ｂ、及びＯのそれぞれが、単一の安定同位体を９０パー
セント以上含有していることを特徴とする。また本発明
のペロブスカイト型チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）結
晶は、構成元素である鉛（Ｐｂ）、ジルコニウム（Ｚ
ｒ）、チタン（Ｔｉ）、及び酸素（Ｏ）の全ての元素に
対して、それぞれの元素が単一の安定同位体を９０パー
セント以上含有することを特徴とする。また本発明のＰ
ＺＴ結晶は、前記記載のＰＺＴ結晶において、マグネシ
ウム（Ｍｇ）、ニオブ（Ｎｂ）の両方若しくはいずれか
一方を添加し、該ＰＺＴ結晶のＴｉ（Ｚｒ）サイト置換
してなる結晶構造であることを特徴とする。また本発明
のＰＺＴ結晶は、前記記載のＰＺＴ結晶において、前記
Ｍｇ、Ｎｂそれぞれの元素について単一の安定同位体を
９０パーセント以上含有することを特徴とする。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の詳細を実施例に
て説明する。
て説明する。
【０００６】（実施例１）シリコンウエハー（直径４イ
ンチ、厚み２５０ミクロン）上にスパッタによりＰｔを
厚み０．２ミクロン形成させたものを用意し、これを後
に使用する基板とした。次に、異なる同位体比に制御さ
れたＰｂ及びＴｉに対して、これらを所定濃度含有する
ゾル溶液を調整した。このゾル溶液を先に用意した基板
上にスピンコートし、１８０℃オーブンで１０分間乾燥
後、４００℃オーブンで３０分間脱脂を行った。さらに
電気炉内で大気中４５０℃で３０分間焼成を行い結晶化
した。基板上に得られた膜状のチタン酸鉛、ＰｂＴｉＯ
3（ＰＴ）の厚みを測定したところ、膜厚は１ミクロン
であった。Ｘ線回折により結晶性を調べたところ、ペロ
ブスカイト型結晶であることが判明した。
ンチ、厚み２５０ミクロン）上にスパッタによりＰｔを
厚み０．２ミクロン形成させたものを用意し、これを後
に使用する基板とした。次に、異なる同位体比に制御さ
れたＰｂ及びＴｉに対して、これらを所定濃度含有する
ゾル溶液を調整した。このゾル溶液を先に用意した基板
上にスピンコートし、１８０℃オーブンで１０分間乾燥
後、４００℃オーブンで３０分間脱脂を行った。さらに
電気炉内で大気中４５０℃で３０分間焼成を行い結晶化
した。基板上に得られた膜状のチタン酸鉛、ＰｂＴｉＯ
3（ＰＴ）の厚みを測定したところ、膜厚は１ミクロン
であった。Ｘ線回折により結晶性を調べたところ、ペロ
ブスカイト型結晶であることが判明した。
【０００７】ＰＴ薄膜の電気特性を評価するため、得ら
れたＰＴ薄膜の上部に０．１ミクロンのＰｔ電極をスパ
ッタにより形成した。
れたＰＴ薄膜の上部に０．１ミクロンのＰｔ電極をスパ
ッタにより形成した。
【０００８】表１には、今回作製した同位体比の異なる
試料に対して得られた特性評価結果を示す。
試料に対して得られた特性評価結果を示す。
【０００９】これより、セラミックス（ＰＴ）を構成す
る元素の同位体比で、特性が大きく異なることが明かと
なった。ＰＴは圧電体であり、その特性を示す圧電定数
（ｄ31）が大きな値をとることが必要とされる。表１よ
り、Ｐｂ及びＴｉの両者がそれぞれの同位体比におい
て、単一同位体比が９０パーセント以上（酸素（Ｏ）は
天然同位体比でＯ-16が９９．７６パーセント）のと
き、ｄ31の値が大きく、ＰＴの圧電体としての性質が優
れていることが明かとなった。
る元素の同位体比で、特性が大きく異なることが明かと
なった。ＰＴは圧電体であり、その特性を示す圧電定数
（ｄ31）が大きな値をとることが必要とされる。表１よ
り、Ｐｂ及びＴｉの両者がそれぞれの同位体比におい
て、単一同位体比が９０パーセント以上（酸素（Ｏ）は
天然同位体比でＯ-16が９９．７６パーセント）のと
き、ｄ31の値が大きく、ＰＴの圧電体としての性質が優
れていることが明かとなった。
【００１０】
【表１】
【００１１】（実施例２）シリコンウエハー（直径４イ
ンチ、厚み２５０ミクロン）上にスパッタによりＰｔを
厚み０．２ミクロン形成させたものを用意し、これを後
に使用する基板とした。次に、異なる同位体比に制御さ
れたＰｂ、Ｔｉ及びＺｒに対して、これらを所定濃度含
有するゾル溶液を調整した。このゾル溶液を先に用意し
た基板上にスピンコートし、１８０℃オーブンで１０分
間乾燥後、４００℃オーブンで３０分間脱脂を行った。
さらに電気炉内で大気中５００℃で３０分間焼成を行い
結晶化した。基板上に得られた膜状のチタン酸ジルコン
酸鉛、Ｐｂ（ＺｒxＴｉ(1-x)）Ｏ3（ＰＺＴ）の厚みを
測定したところ、膜厚は１ミクロンであった。Ｘ線回折
により結晶性を調べたところ、ペロブスカイト型結晶で
あることが判明した。
ンチ、厚み２５０ミクロン）上にスパッタによりＰｔを
厚み０．２ミクロン形成させたものを用意し、これを後
に使用する基板とした。次に、異なる同位体比に制御さ
れたＰｂ、Ｔｉ及びＺｒに対して、これらを所定濃度含
有するゾル溶液を調整した。このゾル溶液を先に用意し
た基板上にスピンコートし、１８０℃オーブンで１０分
間乾燥後、４００℃オーブンで３０分間脱脂を行った。
さらに電気炉内で大気中５００℃で３０分間焼成を行い
結晶化した。基板上に得られた膜状のチタン酸ジルコン
酸鉛、Ｐｂ（ＺｒxＴｉ(1-x)）Ｏ3（ＰＺＴ）の厚みを
測定したところ、膜厚は１ミクロンであった。Ｘ線回折
により結晶性を調べたところ、ペロブスカイト型結晶で
あることが判明した。
【００１２】ＰＺＴ薄膜の電気特性を評価するため、得
られたＰＺＴ薄膜の上部に０．１ミクロンのＰｔ電極を
スパッタにより形成した。
られたＰＺＴ薄膜の上部に０．１ミクロンのＰｔ電極を
スパッタにより形成した。
【００１３】表２には、今回作製した同位体比の異なる
試料に対して得られた特性評価結果を示す。
試料に対して得られた特性評価結果を示す。
【００１４】これより、セラミックス（ＰＺＴ）を構成
する元素の同位体比で、特性が大きく異なることが明か
となった。ＰＺＴは圧電体であり、その特性を示す圧電
定数（ｄ31）が大きな値をとることが必要とされる。表
２より、Ｐｂ、ＴｉおよびＺｒの全てがそれぞれの同位
体比において、単一同位体比が９０パーセント以上（酸
素（Ｏ）は天然同位体比でＯ-16が９９．７６パーセン
ト）のとき、ｄ31の値が大きく、ＰＺＴの圧電体として
の性質が優れていることが明かとなった。
する元素の同位体比で、特性が大きく異なることが明か
となった。ＰＺＴは圧電体であり、その特性を示す圧電
定数（ｄ31）が大きな値をとることが必要とされる。表
２より、Ｐｂ、ＴｉおよびＺｒの全てがそれぞれの同位
体比において、単一同位体比が９０パーセント以上（酸
素（Ｏ）は天然同位体比でＯ-16が９９．７６パーセン
ト）のとき、ｄ31の値が大きく、ＰＺＴの圧電体として
の性質が優れていることが明かとなった。
【００１５】
【表２】
【００１６】（実施例３）シリコンウエハー（直径４イ
ンチ、厚み２５０ミクロン）上にスパッタによりＰｔを
厚み０．２ミクロン形成させたものを用意し、これを後
に使用する基板とした。次に、異なる同位体比に制御さ
れたＰｂ、Ｔｉ及びＺｒに対して、これらを所定濃度含
有する溶液を調整し、更に所定量のＭｇ、Ｎｂ（Ｎｂ／
Ｍｇ＝２、モル比）を添加しゾル溶液とした。このゾル
溶液を先に用意した基板上にスピンコートし、１８０℃
オーブンで１０分間乾燥後、４００℃オーブンで３０分
間脱脂を行った。さらに電気炉内で大気中５５０℃で３
０分間焼成を行い結晶化した。基板上に得られた膜状の
三成分系セラミックス、Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3-Ｐ
ｂＺｒＯ3-ＰｂＴｉＯ3（ＰＭＮ：ＰＺ：ＰＴ＝１０：
５０：４０、モル比）の厚みを測定したところ、膜厚は
１ミクロンであった。Ｘ線回折により結晶性を調べたと
ころ、ペロブスカイト型結晶であることが判明した。
ンチ、厚み２５０ミクロン）上にスパッタによりＰｔを
厚み０．２ミクロン形成させたものを用意し、これを後
に使用する基板とした。次に、異なる同位体比に制御さ
れたＰｂ、Ｔｉ及びＺｒに対して、これらを所定濃度含
有する溶液を調整し、更に所定量のＭｇ、Ｎｂ（Ｎｂ／
Ｍｇ＝２、モル比）を添加しゾル溶液とした。このゾル
溶液を先に用意した基板上にスピンコートし、１８０℃
オーブンで１０分間乾燥後、４００℃オーブンで３０分
間脱脂を行った。さらに電気炉内で大気中５５０℃で３
０分間焼成を行い結晶化した。基板上に得られた膜状の
三成分系セラミックス、Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3-Ｐ
ｂＺｒＯ3-ＰｂＴｉＯ3（ＰＭＮ：ＰＺ：ＰＴ＝１０：
５０：４０、モル比）の厚みを測定したところ、膜厚は
１ミクロンであった。Ｘ線回折により結晶性を調べたと
ころ、ペロブスカイト型結晶であることが判明した。
【００１７】このＰＭＮ-ＰＺ-ＰＴ薄膜の電気特性を評
価するため、得られた薄膜の上部に０．１ミクロンのＰ
ｔ電極をスパッタにより形成した。
価するため、得られた薄膜の上部に０．１ミクロンのＰ
ｔ電極をスパッタにより形成した。
【００１８】表３には、今回作製した同位体比の異なる
試料に対して得られた特性評価結果を示す。
試料に対して得られた特性評価結果を示す。
【００１９】これより、セラミックスを構成する元素の
同位体比で、特性が大きく異なることが明かとなった。
本実施例で作製したセラミックスは圧電体であり、その
特性を示す圧電定数（ｄ31）が大きな値をとることが必
要とされる。表３より、Ｐｂ、ＴｉおよびＺｒの全てが
それぞれの同位体比において、単一同位体比が９０パー
セント以上（酸素（Ｏ）は天然同位体比でＯ-16が９
９．７６パーセント）のとき、ｄ31の値が大きく、従っ
て圧電体としての性質が優れていることが明かとなっ
た。
同位体比で、特性が大きく異なることが明かとなった。
本実施例で作製したセラミックスは圧電体であり、その
特性を示す圧電定数（ｄ31）が大きな値をとることが必
要とされる。表３より、Ｐｂ、ＴｉおよびＺｒの全てが
それぞれの同位体比において、単一同位体比が９０パー
セント以上（酸素（Ｏ）は天然同位体比でＯ-16が９
９．７６パーセント）のとき、ｄ31の値が大きく、従っ
て圧電体としての性質が優れていることが明かとなっ
た。
【００２０】
【表３】
【００２１】（実施例４）シリコンウエハー（直径４イ
ンチ、厚み２５０ミクロン）上にスパッタによりＰｔを
厚み０．２ミクロン形成させたものを用意し、これを後
に使用する基板とした。次に、異なる同位体比に制御さ
れたＰｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍｇ及びＮｂに対して、これら
を所定濃度含有するゾル溶液を調整した。このゾル溶液
を先に用意した基板上にスピンコートし、１８０℃オー
ブンで１０分間乾燥後、４００℃オーブンで３０分間脱
脂を行った。さらに電気炉内で大気中５５０℃で３０分
間焼成を行い結晶化した。基板上に得られた膜状の三成
分系セラミックス、Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3-ＰｂＺ
ｒＯ3-ＰｂＴｉＯ3（ＰＭＮ：ＰＺ：ＰＴ＝１０：５
０：４０、モル比）の厚みを測定したところ、膜厚は１
ミクロンであった。Ｘ線回折により結晶性を調べたとこ
ろ、ペロブスカイト型結晶であることが判明した。この
ＰＭＮ-ＰＺ-ＰＴ薄膜の電気特性を評価するため、得ら
れた薄膜の上部に０．１ミクロンのＰｔ電極をスパッタ
により形成した。
ンチ、厚み２５０ミクロン）上にスパッタによりＰｔを
厚み０．２ミクロン形成させたものを用意し、これを後
に使用する基板とした。次に、異なる同位体比に制御さ
れたＰｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍｇ及びＮｂに対して、これら
を所定濃度含有するゾル溶液を調整した。このゾル溶液
を先に用意した基板上にスピンコートし、１８０℃オー
ブンで１０分間乾燥後、４００℃オーブンで３０分間脱
脂を行った。さらに電気炉内で大気中５５０℃で３０分
間焼成を行い結晶化した。基板上に得られた膜状の三成
分系セラミックス、Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3-ＰｂＺ
ｒＯ3-ＰｂＴｉＯ3（ＰＭＮ：ＰＺ：ＰＴ＝１０：５
０：４０、モル比）の厚みを測定したところ、膜厚は１
ミクロンであった。Ｘ線回折により結晶性を調べたとこ
ろ、ペロブスカイト型結晶であることが判明した。この
ＰＭＮ-ＰＺ-ＰＴ薄膜の電気特性を評価するため、得ら
れた薄膜の上部に０．１ミクロンのＰｔ電極をスパッタ
により形成した。
【００２２】表４には、今回作製した同位体比の異なる
試料に対して得られた特性評価結果を示す。
試料に対して得られた特性評価結果を示す。
【００２３】これより、セラミックスを構成する元素の
同位体比で、特性が大きく異なることが明かとなった。
本実施例で作製したセラミックスは圧電体であり、その
特性を示す圧電定数（ｄ31）が大きな値をとることが必
要とされる。表４より、Ｐｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍｇ及びＮ
ｂの全てがそれぞれの同位体比において、単一同位体比
が９０パーセント以上（酸素（Ｏ）は天然同位体比でＯ
-16が９９．７６パーセント）のとき、ｄ31の値が大き
く、従って圧電体としての性質が優れていることが明か
となった。
同位体比で、特性が大きく異なることが明かとなった。
本実施例で作製したセラミックスは圧電体であり、その
特性を示す圧電定数（ｄ31）が大きな値をとることが必
要とされる。表４より、Ｐｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍｇ及びＮ
ｂの全てがそれぞれの同位体比において、単一同位体比
が９０パーセント以上（酸素（Ｏ）は天然同位体比でＯ
-16が９９．７６パーセント）のとき、ｄ31の値が大き
く、従って圧電体としての性質が優れていることが明か
となった。
【００２４】
【表４】
【００２５】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、多成
分系セラミックスの構成元素の同位体比を制御すること
によって、これまでの天然同位体比とは性質の異なるセ
ラミックスが得られることが明かとなった。ＰＺＴをは
じめとする多成分セラミックス系圧電材料の構成元素の
同位体比を制御し、特に各構成元素の同位体に占める特
定の同位体比を著しく大きくした場合、圧電特性を大幅
に向上させることが可能となった。
分系セラミックスの構成元素の同位体比を制御すること
によって、これまでの天然同位体比とは性質の異なるセ
ラミックスが得られることが明かとなった。ＰＺＴをは
じめとする多成分セラミックス系圧電材料の構成元素の
同位体比を制御し、特に各構成元素の同位体に占める特
定の同位体比を著しく大きくした場合、圧電特性を大幅
に向上させることが可能となった。
Claims (5)
- 【請求項１】 多成分系セラミックス材料において、そ
の構成元素のうち、少なくとも１元素については、該元
素の安定同位体のうち特定の質量数をもつ同位体が９０
パーセント以上含有されることを特徴とする多成分系セ
ラミックス材料。 - 【請求項２】 任意の元素Ａ、Ｂ及び酸素（Ｏ）から成
り、一般式ＡＢＯ3で表される多成分系セラミックス材
料において、Ａ、Ｂ、及びＯのそれぞれが、単一の安定
同位体を９０パーセント以上含有していることを特徴と
する多成分系セラミックス材料。 - 【請求項３】 ペロブスカイト型チタン酸ジルコン酸鉛
（ＰＺＴ）結晶において、構成元素である鉛（Ｐｂ）、
ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）、及び酸素
（Ｏ）の全ての元素に対して、それぞれの元素が単一の
安定同位体を９０パーセント以上含有することを特徴と
するペロブスカイト型ＰＺＴ結晶。 - 【請求項４】 請求項３記載のペロブスカイト型ＰＺＴ
結晶において、マグネシウム（Ｍｇ）、ニオブ（Ｎｂ）
の両方若しくはいずれか一方を添加し、該ＰＺＴ結晶の
Ｔｉ（Ｚｒ）サイト置換してなる結晶構造であることを
特徴とするペロブスカイト型ＰＺＴ結晶。 - 【請求項５】 請求項４記載のペロブスカイト型ＰＺＴ
結晶において、前記Ｍｇ、Ｎｂそれぞれの元素について
単一の安定同位体を９０パーセント以上含有することを
特徴とするペロブスカイト型ＰＺＴ結晶。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9021848A JPH10218696A (ja) | 1997-02-04 | 1997-02-04 | 多成分系セラミックス材料およびペロブスカイト型ｐｚｔ結晶 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9021848A JPH10218696A (ja) | 1997-02-04 | 1997-02-04 | 多成分系セラミックス材料およびペロブスカイト型ｐｚｔ結晶 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10218696A true JPH10218696A (ja) | 1998-08-18 |
Family
ID=12066527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9021848A Withdrawn JPH10218696A (ja) | 1997-02-04 | 1997-02-04 | 多成分系セラミックス材料およびペロブスカイト型ｐｚｔ結晶 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10218696A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004051761A3 (en) * | 2002-12-02 | 2004-11-25 | Inst Scient Res Inc | Isotopically enriched piezoelectric devices and method for making the same |
-
1997
- 1997-02-04 JP JP9021848A patent/JPH10218696A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004051761A3 (en) * | 2002-12-02 | 2004-11-25 | Inst Scient Res Inc | Isotopically enriched piezoelectric devices and method for making the same |
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