JPH10214718A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH10214718A JPH10214718A JP9016588A JP1658897A JPH10214718A JP H10214718 A JPH10214718 A JP H10214718A JP 9016588 A JP9016588 A JP 9016588A JP 1658897 A JP1658897 A JP 1658897A JP H10214718 A JPH10214718 A JP H10214718A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】磁気効率の向上を図った磁気記録媒体を提供し
ようとすること。 【解決手段】磁気記録媒体の基板１上に、該基板面と概
ね同方向に磁束を通過させるヨーク層３と、該ヨーク層
３の上面に形成される磁気記録層４とを具備する磁気記
録媒体において、上記磁気記録層４とヨーク層３とが一
体不可分に形成され、それらの境界部分５で、いずれか
一方の層に向かって他方の層の組成が漸減する構成によ
り両者の境界部分が形成されている磁気記録媒体。
ようとすること。 【解決手段】磁気記録媒体の基板１上に、該基板面と概
ね同方向に磁束を通過させるヨーク層３と、該ヨーク層
３の上面に形成される磁気記録層４とを具備する磁気記
録媒体において、上記磁気記録層４とヨーク層３とが一
体不可分に形成され、それらの境界部分５で、いずれか
一方の層に向かって他方の層の組成が漸減する構成によ
り両者の境界部分が形成されている磁気記録媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、コンピュータの外
部記憶装置である磁気記録装置や音楽、画像の記憶に使
用される磁気記録媒体に関する。
部記憶装置である磁気記録装置や音楽、画像の記憶に使
用される磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録媒体は、音楽や画像のデータの
記録媒体のみならず、コンピュータの外部記憶装置とし
ても広く用いられている。例えばコンピュータの外部記
憶装置について考察してみると、近年磁気記録装置にお
いて高密度記録を可能にするため、記録方式や記録媒体
において様々な工夫がなされている。一例として、記録
方式では従来の長手記録に対して垂直記録方式が提案さ
れている。また、記録媒体では材質と磁気特性の異なる
２層或いは３層の媒体が一部に用いられている。
記録媒体のみならず、コンピュータの外部記憶装置とし
ても広く用いられている。例えばコンピュータの外部記
憶装置について考察してみると、近年磁気記録装置にお
いて高密度記録を可能にするため、記録方式や記録媒体
において様々な工夫がなされている。一例として、記録
方式では従来の長手記録に対して垂直記録方式が提案さ
れている。また、記録媒体では材質と磁気特性の異なる
２層或いは３層の媒体が一部に用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】下層に軟磁性のパーマ
ロイ等の磁性膜を形成して、その上層に硬磁性のＣｏー
Ｃｒ系膜を形成してなる垂直記録媒体の場合、硬磁性膜
が下層の結晶性の影響を受け、膜面に対して垂直異方性
を持ちにくいために、合金組成やスパッタリング諸条件
を厳しく管理して成膜している。或いは、このような下
層の影響を除くために上層と下層の界面に薄いバッファ
層を設けることが行われているが、いずれの場合にも、
工程数が増えるだけでなく磁気的な効率を著しく下げる
ことになり、記録再生効率や信号対ノイズ比の低下や記
録磁化状態の安定性を損なう要因となっている。本発明
は上記問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、
磁気効率の向上と製造プロセスの簡略化を目的とした新
規な磁気記録媒体を提供しようとするものである。
ロイ等の磁性膜を形成して、その上層に硬磁性のＣｏー
Ｃｒ系膜を形成してなる垂直記録媒体の場合、硬磁性膜
が下層の結晶性の影響を受け、膜面に対して垂直異方性
を持ちにくいために、合金組成やスパッタリング諸条件
を厳しく管理して成膜している。或いは、このような下
層の影響を除くために上層と下層の界面に薄いバッファ
層を設けることが行われているが、いずれの場合にも、
工程数が増えるだけでなく磁気的な効率を著しく下げる
ことになり、記録再生効率や信号対ノイズ比の低下や記
録磁化状態の安定性を損なう要因となっている。本発明
は上記問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、
磁気効率の向上と製造プロセスの簡略化を目的とした新
規な磁気記録媒体を提供しようとするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記本発明の目的を達成
するために、本発明は、基本的に、磁気記録媒体の基板
上に、該基板面と概ね同方向に磁束を通過させるヨーク
層と、該ヨーク層の上面に形成される磁気記録層とを具
備する磁気記録媒体において、上記磁気記録層とヨーク
層とが一体不可分に形成され、それらの境界部分で、い
ずれか一方の層に向かって他方の層の組成が漸減する構
成により両者の境界部分が形成されている磁気記録媒体
を提供する。
するために、本発明は、基本的に、磁気記録媒体の基板
上に、該基板面と概ね同方向に磁束を通過させるヨーク
層と、該ヨーク層の上面に形成される磁気記録層とを具
備する磁気記録媒体において、上記磁気記録層とヨーク
層とが一体不可分に形成され、それらの境界部分で、い
ずれか一方の層に向かって他方の層の組成が漸減する構
成により両者の境界部分が形成されている磁気記録媒体
を提供する。
【０００５】更に具体的に述べれば、本発明において、
異方性を発生させる物質は炭素、窒素、硼素の内の少な
くとも１種類である。
異方性を発生させる物質は炭素、窒素、硼素の内の少な
くとも１種類である。
【０００６】また、磁気記録層の厚みは、磁気記録層境
界部分ヨーク層全体の厚みのほぼ２〜５０％であると都
合がよい。
界部分ヨーク層全体の厚みのほぼ２〜５０％であると都
合がよい。
【０００７】本発明の磁気記録層とヨーク層とが一体不
可分に形成された磁気記録媒体の構成原理は以下のよう
である。例えばスパッタリング法によりＳｍ2 Ｆｅ17合
金膜を結晶のＣ面（００１）が基板面に平行になるよう
形成した後、窒素、炭素或いは硼素原子を膜内に表面か
ら適当の厚みを持って侵入させる。これにより、合金膜
上層は強い結晶磁気異方性を示すようになり、軟磁性の
Ｓｍ2 Ｆｅ17から硬磁性のＳｍ2 Ｆｅ17Ｎ3 に変化し
て、膜面に対して垂直方向の異方性を持つ磁気記録層と
なる。
可分に形成された磁気記録媒体の構成原理は以下のよう
である。例えばスパッタリング法によりＳｍ2 Ｆｅ17合
金膜を結晶のＣ面（００１）が基板面に平行になるよう
形成した後、窒素、炭素或いは硼素原子を膜内に表面か
ら適当の厚みを持って侵入させる。これにより、合金膜
上層は強い結晶磁気異方性を示すようになり、軟磁性の
Ｓｍ2 Ｆｅ17から硬磁性のＳｍ2 Ｆｅ17Ｎ3 に変化し
て、膜面に対して垂直方向の異方性を持つ磁気記録層と
なる。
【０００８】この例のように、合金の結晶構造と成分組
成を適切に選定し、且つ窒素などの軽元素を合金の一部
に侵入させることによって、硬軟両磁性と異方性を制御
した磁性膜の生成が可能となる。この種の合金の磁気物
性変化については、例えば、J.M.D.Coey, J. Magn. Mag
n. Mater., 87, L251, (1990) に記載されている。
成を適切に選定し、且つ窒素などの軽元素を合金の一部
に侵入させることによって、硬軟両磁性と異方性を制御
した磁性膜の生成が可能となる。この種の合金の磁気物
性変化については、例えば、J.M.D.Coey, J. Magn. Mag
n. Mater., 87, L251, (1990) に記載されている。
【０００９】本発明に係わる成膜方法については、スパ
ッタリング、蒸着、メッキ、レーザーデポジション、Ｃ
ＶＤ等を用いることができる。窒素原子などの侵入は、
窒素ガス中での合金成膜、ガス窒素化、イオン打ち込み
による。
ッタリング、蒸着、メッキ、レーザーデポジション、Ｃ
ＶＤ等を用いることができる。窒素原子などの侵入は、
窒素ガス中での合金成膜、ガス窒素化、イオン打ち込み
による。
【００１０】本発明における合金膜は、ランタナイド族
の希土類元素の単独又は複合と、鉄とを必須元素として
含み、更に合金の結晶構造の安定化や磁気特性の調整の
ために、強磁性のＣｏやＮｉ或いは他の遷移元素を含む
ことも可能である。このような合金の結晶構造は、Ｔｈ
2 Ｚｎ17，Ｔｈ2 Ｎｉ17，ＴｂＣｕ7 ，ＴｈＭｎ12，Ｒ
3 （Ｆｅ，Ｍ）29型など、各種の例を取り得る。
の希土類元素の単独又は複合と、鉄とを必須元素として
含み、更に合金の結晶構造の安定化や磁気特性の調整の
ために、強磁性のＣｏやＮｉ或いは他の遷移元素を含む
ことも可能である。このような合金の結晶構造は、Ｔｈ
2 Ｚｎ17，Ｔｈ2 Ｎｉ17，ＴｂＣｕ7 ，ＴｈＭｎ12，Ｒ
3 （Ｆｅ，Ｍ）29型など、各種の例を取り得る。
【００１１】上記のように構成した磁気記録媒体は、硬
軟両磁性膜境界面での乱れがないために、平滑性に優れ
るだけでなく従来の二層膜にみられる磁気的なギャップ
も生じないために記録再生特性や信号対ノイズ比が高
く、かつ記録磁化状態の安定性にも優れる。
軟両磁性膜境界面での乱れがないために、平滑性に優れ
るだけでなく従来の二層膜にみられる磁気的なギャップ
も生じないために記録再生特性や信号対ノイズ比が高
く、かつ記録磁化状態の安定性にも優れる。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に本発明の一実施形態を、図面
を用いて詳細に説明する。図１は、本発明に係る磁気記
録媒体の部分断面図である。図１において、１はガラス
からなる基板である。該基板１の上面には、磁気媒体層
２が形成されている。該磁気媒体層２は基板上に被着さ
れたヨーク層３と表面の磁気記録層４とその間に形成さ
れている境界部分５とからなる。
を用いて詳細に説明する。図１は、本発明に係る磁気記
録媒体の部分断面図である。図１において、１はガラス
からなる基板である。該基板１の上面には、磁気媒体層
２が形成されている。該磁気媒体層２は基板上に被着さ
れたヨーク層３と表面の磁気記録層４とその間に形成さ
れている境界部分５とからなる。
【００１３】基板１は、機械的強度が高く、温度変化に
より膨張収縮が小さいＳｉＯ2 系のガラスが使用され
る。ヨーク層３は、軟磁性体からなるか、あるいは基板
１の平面方向に磁気異方性の軸が揃った強磁性体からな
り、いずれも該基板１の平面と同方向に磁束を通過させ
ることができるように構成されている。磁気記録層４
は、ヨーク層３が軟磁性体からなるときあるいは基板１
の平面方向に軸が揃った強磁性体からなるときには、基
板１の平面に対して垂直方向の異方性を持たせることが
でき、また、ヨーク層３が軟磁性体からなるときには基
板１の平面方向に異方性を持たせることもでき、いずれ
にせよ優れた硬磁気特性を示す磁気記録層である。境界
部分５は明確にヨーク層３と磁気記録層４とが面で隔離
されているわけではなく、双方が入り交った状態となっ
ており、それらの境界部分において、いずれか一方の層
に向かって他方の層の組成が漸減する構成により両者の
境界部分が形成されているが、その詳細については後に
詳細に説明する。なお、磁気記録層の厚みは、磁気記録
層境界部分ヨーク層全体の厚みのほぼ２〜５０％であ
る。
より膨張収縮が小さいＳｉＯ2 系のガラスが使用され
る。ヨーク層３は、軟磁性体からなるか、あるいは基板
１の平面方向に磁気異方性の軸が揃った強磁性体からな
り、いずれも該基板１の平面と同方向に磁束を通過させ
ることができるように構成されている。磁気記録層４
は、ヨーク層３が軟磁性体からなるときあるいは基板１
の平面方向に軸が揃った強磁性体からなるときには、基
板１の平面に対して垂直方向の異方性を持たせることが
でき、また、ヨーク層３が軟磁性体からなるときには基
板１の平面方向に異方性を持たせることもでき、いずれ
にせよ優れた硬磁気特性を示す磁気記録層である。境界
部分５は明確にヨーク層３と磁気記録層４とが面で隔離
されているわけではなく、双方が入り交った状態となっ
ており、それらの境界部分において、いずれか一方の層
に向かって他方の層の組成が漸減する構成により両者の
境界部分が形成されているが、その詳細については後に
詳細に説明する。なお、磁気記録層の厚みは、磁気記録
層境界部分ヨーク層全体の厚みのほぼ２〜５０％であ
る。
【００１４】基板１は上述のようにガラスにより構成す
ることもできるが、図２に示すように、基板６をアルミ
ニウムにより構成することもできる。この場合、基板６
と磁気媒体層２との間に非磁性の金属からなる下地膜７
を形成し、アルミ基板表面の欠陥を補修すると同時に磁
気媒体層２と基板６間に生じる物理的ひずみを吸収させ
るように構成するとよい。
ることもできるが、図２に示すように、基板６をアルミ
ニウムにより構成することもできる。この場合、基板６
と磁気媒体層２との間に非磁性の金属からなる下地膜７
を形成し、アルミ基板表面の欠陥を補修すると同時に磁
気媒体層２と基板６間に生じる物理的ひずみを吸収させ
るように構成するとよい。
【００１５】
【実施例】次に本発明の実施例を説明する。 実施例１、ガラスからなる基板の上面にスパッタリング
法により、Ｓｍ2 Ｆｅ17膜（下層膜）を真空の雰囲気で
被着する。この膜は軟磁性を示す。この膜が形成された
後、窒素雰囲気で上記膜の上にＳｍ2 Ｆｅ17をスパッタ
して、およその組成がＳｍ2 Ｆｅ17Ｎ3 の上層膜を形成
する。このとき、Ｓｍ2 Ｆｅ17結晶のＣ面（００１）が
基板面と平行になるように形成する。この上層膜の被着
動作の初期において、加熱された前記Ｓｍ2 Ｆｅ17の下
層膜の表面に窒素が薄く侵入すると共に、以後被着され
てゆくＳｍ2 Ｆｅ17膜（上層膜）の中に窒素が侵入し、
膜面に対して垂直方向の異方性を持つ磁気記録層とな
る。このようにして形成された磁気記録媒体は、図３に
示すように、Ｓｍ2 Ｆｅ17の下層膜は軟磁性を示して磁
束を通すヨーク層３を形成し、Ｓｍ2 Ｆｅ17Ｎ3 の上層
膜は窒素が侵入することにより硬磁性を示し、膜面と垂
直方向の異方性を示す磁気記録層４を形成する。また、
ヨーク層３と磁気記録層４とは一体不可分に形成され、
それらの境界部分５では、いずれか一方の層に向かって
他方の層の組成が漸減する構成を持っている。
法により、Ｓｍ2 Ｆｅ17膜（下層膜）を真空の雰囲気で
被着する。この膜は軟磁性を示す。この膜が形成された
後、窒素雰囲気で上記膜の上にＳｍ2 Ｆｅ17をスパッタ
して、およその組成がＳｍ2 Ｆｅ17Ｎ3 の上層膜を形成
する。このとき、Ｓｍ2 Ｆｅ17結晶のＣ面（００１）が
基板面と平行になるように形成する。この上層膜の被着
動作の初期において、加熱された前記Ｓｍ2 Ｆｅ17の下
層膜の表面に窒素が薄く侵入すると共に、以後被着され
てゆくＳｍ2 Ｆｅ17膜（上層膜）の中に窒素が侵入し、
膜面に対して垂直方向の異方性を持つ磁気記録層とな
る。このようにして形成された磁気記録媒体は、図３に
示すように、Ｓｍ2 Ｆｅ17の下層膜は軟磁性を示して磁
束を通すヨーク層３を形成し、Ｓｍ2 Ｆｅ17Ｎ3 の上層
膜は窒素が侵入することにより硬磁性を示し、膜面と垂
直方向の異方性を示す磁気記録層４を形成する。また、
ヨーク層３と磁気記録層４とは一体不可分に形成され、
それらの境界部分５では、いずれか一方の層に向かって
他方の層の組成が漸減する構成を持っている。
【００１６】２実施例、ガラスからなる基板の上面にＮ
ｄＦｅ10Ｍｏ2 膜を真空蒸着法により被着する。該被着
後、基板ごとＮｄＦｅ10Ｍｏ2 膜をアセチレンガス中で
加熱して、該膜の表面に炭素を侵入させ、ＮｄＦｅ10Ｍ
ｏ2 Ｃ2 の上層膜を形成する。このとき、ＮｄＦｅ10Ｍ
ｏ2 結晶のＣ軸が基板と平行になるよう形成する。この
磁気記録媒体は、図４に示すように、ＮｄＦｅ10Ｍｏ2
の下層膜は、軟磁性を示して磁束を通すヨーク層３とな
る。また、ＮｄＦｅ10Ｍｏ2 Ｃ2 の上層膜は、炭素が侵
入することにより硬磁性で膜面と平行方向の異方性を持
った磁気記録層４を形成する。また、ヨーク層３と磁気
記録層４とは一体不可分に形成され、それらの境界部分
５では、いずれか一方の層に向かって他方の層の組成が
漸減する構成を持っている。
ｄＦｅ10Ｍｏ2 膜を真空蒸着法により被着する。該被着
後、基板ごとＮｄＦｅ10Ｍｏ2 膜をアセチレンガス中で
加熱して、該膜の表面に炭素を侵入させ、ＮｄＦｅ10Ｍ
ｏ2 Ｃ2 の上層膜を形成する。このとき、ＮｄＦｅ10Ｍ
ｏ2 結晶のＣ軸が基板と平行になるよう形成する。この
磁気記録媒体は、図４に示すように、ＮｄＦｅ10Ｍｏ2
の下層膜は、軟磁性を示して磁束を通すヨーク層３とな
る。また、ＮｄＦｅ10Ｍｏ2 Ｃ2 の上層膜は、炭素が侵
入することにより硬磁性で膜面と平行方向の異方性を持
った磁気記録層４を形成する。また、ヨーク層３と磁気
記録層４とは一体不可分に形成され、それらの境界部分
５では、いずれか一方の層に向かって他方の層の組成が
漸減する構成を持っている。
【００１７】実施例３、ガラスからなる基板の上面にス
パッタリング法により、Ｓｍ2 Ｆｅ17Ｎ3 膜を被着する
際に、最初真空の雰囲気でスパッタし、その後雰囲気中
に窒素を混入させ、その窒素濃度を徐々に増加させるこ
とにより、基板に近い部分は膜面に対して平行の異方性
を持った膜が形成され、中間は上層になるほど窒素濃度
の高いＳｍ2 Ｆｅ17Ｎx 膜が形成される。このときＳｍ
2 Ｆｅ17結晶のＣ面（００１）が基板面と平行になるよ
うに形成する。このため、図５に示すように、最下層膜
は基板と平行方向に異方性を示すヨーク層３となり、境
界部分５は下層膜から上層膜に向かって、異方性の方向
が水平から徐々に垂直方向に向き、最上層は基板に対し
てい垂直方向に異方性を示す磁気記録層４となる。
パッタリング法により、Ｓｍ2 Ｆｅ17Ｎ3 膜を被着する
際に、最初真空の雰囲気でスパッタし、その後雰囲気中
に窒素を混入させ、その窒素濃度を徐々に増加させるこ
とにより、基板に近い部分は膜面に対して平行の異方性
を持った膜が形成され、中間は上層になるほど窒素濃度
の高いＳｍ2 Ｆｅ17Ｎx 膜が形成される。このときＳｍ
2 Ｆｅ17結晶のＣ面（００１）が基板面と平行になるよ
うに形成する。このため、図５に示すように、最下層膜
は基板と平行方向に異方性を示すヨーク層３となり、境
界部分５は下層膜から上層膜に向かって、異方性の方向
が水平から徐々に垂直方向に向き、最上層は基板に対し
てい垂直方向に異方性を示す磁気記録層４となる。
【００１８】実施例４、この実施例も、ガラス基板上に
合金をスパッタ法により被着するが、スパッタの初期
に、窒素とアセチレンの混合ガスを流しながらＳｍＦｅ
10Ｗ2 ＮＣ膜基板上に形成し、途中で混合ガスの供給を
止め、上層にＳｍＦｅ10Ｗ2 膜を形成する。この場合、
ＴｈＭｎ12型結晶構造を持つＳｍＦｅ10Ｗ2 合金は、窒
素や炭素が侵入すると磁気的性質が硬磁性から軟磁性に
変わる。ＳｍＦｅ10Ｗ2 結晶のＣ面が基板面と平行に形
成することにより、図６に示すように、上層膜は硬磁性
となり膜面と垂直方向の異方性を示す磁気記録層４が形
成され、下層膜は軟磁性のヨーク層３となる。そして、
これらの中間の境界部分５では、いずれか一方の層に向
かって他方の層の組成が漸減する構成を持っている。
合金をスパッタ法により被着するが、スパッタの初期
に、窒素とアセチレンの混合ガスを流しながらＳｍＦｅ
10Ｗ2 ＮＣ膜基板上に形成し、途中で混合ガスの供給を
止め、上層にＳｍＦｅ10Ｗ2 膜を形成する。この場合、
ＴｈＭｎ12型結晶構造を持つＳｍＦｅ10Ｗ2 合金は、窒
素や炭素が侵入すると磁気的性質が硬磁性から軟磁性に
変わる。ＳｍＦｅ10Ｗ2 結晶のＣ面が基板面と平行に形
成することにより、図６に示すように、上層膜は硬磁性
となり膜面と垂直方向の異方性を示す磁気記録層４が形
成され、下層膜は軟磁性のヨーク層３となる。そして、
これらの中間の境界部分５では、いずれか一方の層に向
かって他方の層の組成が漸減する構成を持っている。
【００１９】実施例５、スパッタで、初期にＳｍーＦｅ
−Ｃｏ−Ｖターゲットを用いてＳｍＦｅ10ＣｏＶ組成の
膜を形成し、途中でＦｅ−Ｃｏ−Ｖターゲットを追加し
て２元同時スパッタを行い、且つ基板面に対して垂直方
向に磁場を加えて、上層膜にＳｍＦｅ8Ｃｏ2 Ｖ2 膜を
形成する。下層膜はＴｈＭｎ12型結晶構造を持つ硬磁性
のＳｍＦｅ10ＣｏＶ結晶のＣ軸が、基板面と平行になる
ように形成する。上層膜は硬磁性ＳｍＦｅ8 Ｃｏ2 Ｖ2
結晶のＣ軸が基板面に垂直になるように形成する。この
実施例では、図７に示すように、基板１の上層は基板面
と水平方向の異方性を示す硬磁性のヨーク層３が形成さ
れ、最上層膜は基板面に対して垂直方向に異方性を示す
硬磁性体の磁気記録層４を形成する。そして、これらの
中間の境界部分５では、いずれか一方の層に向かって他
方の層の組成が漸減する構成を持っている。
−Ｃｏ−Ｖターゲットを用いてＳｍＦｅ10ＣｏＶ組成の
膜を形成し、途中でＦｅ−Ｃｏ−Ｖターゲットを追加し
て２元同時スパッタを行い、且つ基板面に対して垂直方
向に磁場を加えて、上層膜にＳｍＦｅ8Ｃｏ2 Ｖ2 膜を
形成する。下層膜はＴｈＭｎ12型結晶構造を持つ硬磁性
のＳｍＦｅ10ＣｏＶ結晶のＣ軸が、基板面と平行になる
ように形成する。上層膜は硬磁性ＳｍＦｅ8 Ｃｏ2 Ｖ2
結晶のＣ軸が基板面に垂直になるように形成する。この
実施例では、図７に示すように、基板１の上層は基板面
と水平方向の異方性を示す硬磁性のヨーク層３が形成さ
れ、最上層膜は基板面に対して垂直方向に異方性を示す
硬磁性体の磁気記録層４を形成する。そして、これらの
中間の境界部分５では、いずれか一方の層に向かって他
方の層の組成が漸減する構成を持っている。
【００２０】実施例６、スパッタリング法で、基板上に
初期にＳｍ−Ｆｅターゲットを用いてＳｍ2 Ｆｅ17膜を
形成し、途中でＦｅ−Ｔｉターゲットを追加してＳｍ2
Ｆｅ17との２元同時スパッタを行い、上層にＳｍＦｅ11
Ｔｉ膜を形成する。このとき、軟磁性Ｓｍ2 Ｆｅ17結晶
のＣ面（００１）が、基板面と平行になるように形成す
る。硬磁性のＳｍＦｅ11Ｔｉ上層は、結晶のＣ軸が基板
面と平行になるように形成することにより、膜面と平行
方向の異方性を示す。よって、図８に示すように、最下
層は軟磁性のヨーク層３が形成され、最上層は基板面に
対して水平方向に異方性を示す強磁性体の磁気記録層４
が形成される。そして、これらの中間の境界部分５で
は、いずれか一方の層に向かって他方の層の組成が漸減
する構成を持っている。
初期にＳｍ−Ｆｅターゲットを用いてＳｍ2 Ｆｅ17膜を
形成し、途中でＦｅ−Ｔｉターゲットを追加してＳｍ2
Ｆｅ17との２元同時スパッタを行い、上層にＳｍＦｅ11
Ｔｉ膜を形成する。このとき、軟磁性Ｓｍ2 Ｆｅ17結晶
のＣ面（００１）が、基板面と平行になるように形成す
る。硬磁性のＳｍＦｅ11Ｔｉ上層は、結晶のＣ軸が基板
面と平行になるように形成することにより、膜面と平行
方向の異方性を示す。よって、図８に示すように、最下
層は軟磁性のヨーク層３が形成され、最上層は基板面に
対して水平方向に異方性を示す強磁性体の磁気記録層４
が形成される。そして、これらの中間の境界部分５で
は、いずれか一方の層に向かって他方の層の組成が漸減
する構成を持っている。
【００２１】実施例７、スパッタでＮｄ−Ｆｅターゲッ
トを用いて基板面上にＮｄＦｅ7 膜を形成し、途中でＦ
ｅ−Ｂターゲットを追加して２元同時スパッタを行っ
て、上層にＮｄ2Ｆｅ14Ｂ膜を形成する。このとき、軟
磁性ＮｄＦｅ7 結晶のＣ面（００１）が、基板面と平行
になるように形成する。硬磁性のＮｄ2 Ｆｅ14Ｂ上層
は、結晶のＣ軸が基板面と垂直となるように形成するこ
とにより、基板面と垂直方向に異方性を示す。よって、
図９に示すように、最下層は軟磁性のヨーク層３が形成
され、最上層は基板面に対して垂直方向に異方性を示す
強磁性体の磁気記録層４が形成される。そして、これら
の中間の境界部分５では、いずれか一方の層に向かって
他方の層の組成が漸減する構成を持っている。
トを用いて基板面上にＮｄＦｅ7 膜を形成し、途中でＦ
ｅ−Ｂターゲットを追加して２元同時スパッタを行っ
て、上層にＮｄ2Ｆｅ14Ｂ膜を形成する。このとき、軟
磁性ＮｄＦｅ7 結晶のＣ面（００１）が、基板面と平行
になるように形成する。硬磁性のＮｄ2 Ｆｅ14Ｂ上層
は、結晶のＣ軸が基板面と垂直となるように形成するこ
とにより、基板面と垂直方向に異方性を示す。よって、
図９に示すように、最下層は軟磁性のヨーク層３が形成
され、最上層は基板面に対して垂直方向に異方性を示す
強磁性体の磁気記録層４が形成される。そして、これら
の中間の境界部分５では、いずれか一方の層に向かって
他方の層の組成が漸減する構成を持っている。
【００２２】以上、本発明を上述の実施形態ないし実施
例により説明したが、本発明の主旨の範囲内で種々の変
形や応用が可能であり、これらの変形や応用を本発明の
範囲から排除するものではない。
例により説明したが、本発明の主旨の範囲内で種々の変
形や応用が可能であり、これらの変形や応用を本発明の
範囲から排除するものではない。
【００２３】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明は、
磁気記録媒体の基板上に、該基板面と概ね同方向に磁束
を通過させるヨーク層と、該ヨーク層の上面に形成され
る磁気記録層とを具備する磁気記録媒体において、上記
磁気記録層とヨーク層とが一体不可分に形成され、それ
らの境界部分で、いずれか一方の層に向かって他方の層
の組成が漸減する構成により両者の境界部分が形成され
ている磁気記録媒体を提供することにより、境界面での
乱れがなく平滑性に優れ、磁気的なギャップも生じない
ために記録再生特性や信号対ノイズ比の向上に効果があ
る。さらに、二種の磁性層を成膜する必要がないために
製造が簡単になるという効果もある。
磁気記録媒体の基板上に、該基板面と概ね同方向に磁束
を通過させるヨーク層と、該ヨーク層の上面に形成され
る磁気記録層とを具備する磁気記録媒体において、上記
磁気記録層とヨーク層とが一体不可分に形成され、それ
らの境界部分で、いずれか一方の層に向かって他方の層
の組成が漸減する構成により両者の境界部分が形成され
ている磁気記録媒体を提供することにより、境界面での
乱れがなく平滑性に優れ、磁気的なギャップも生じない
ために記録再生特性や信号対ノイズ比の向上に効果があ
る。さらに、二種の磁性層を成膜する必要がないために
製造が簡単になるという効果もある。
【図１】図１は、本発明の磁気記録媒体の部分断面図で
ある。
ある。
【図２】図２は、本発明の他の磁気記録媒体の部分断面
図である。
図である。
【図３】図３は、本発明の第１の実施例を示す断面図で
ある。
ある。
【図４】図４は、本発明の第２の実施例を示す断面図で
ある。
ある。
【図５】図５は、本発明の第３の実施例を示す断面図で
ある。
ある。
【図６】図６は、本発明の第４の実施例を示す断面図で
ある。
ある。
【図７】図７は、本発明の第５の実施例を示す断面図で
ある。
ある。
【図８】図８は、本発明の第６の実施例を示す断面図で
ある。
ある。
【図９】図９は、本発明の第７の実施例を示す断面図で
ある。
ある。
１・・・・・基板 ２・・・・・磁気媒体層 ３・・・・・ヨーク層 ４・・・・・磁気記録層 ５・・・・・境界部分 ６・・・・・基板 ７・・・・・下地膜
Claims (3)
- 【請求項１】磁気記録媒体の基板上に、該基板面と概ね
同方向に磁束を通過させるヨーク層と、該ヨーク層の上
面に形成される磁気記録層とを具備する磁気記録媒体に
おいて、 上記磁気記録層とヨーク層とが一体不可分に形成され、
それらの境界部分で、いずれか一方の層に向かって他方
の層の組成が漸減する構成により両者の境界部分が形成
されていることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】異方性を発生させる物質は炭素、窒素、硼
素の内の少なくとも１種類であることを特徴とする請求
項１に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】磁気記録層の厚みは、磁気記録層境界部分
ヨーク層全体の厚みのほぼ２〜５０％であることを特徴
とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9016588A JPH10214718A (ja) | 1997-01-30 | 1997-01-30 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9016588A JPH10214718A (ja) | 1997-01-30 | 1997-01-30 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10214718A true JPH10214718A (ja) | 1998-08-11 |
Family
ID=11920445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9016588A Pending JPH10214718A (ja) | 1997-01-30 | 1997-01-30 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10214718A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013047321A1 (ja) * | 2011-09-26 | 2013-04-04 | 山陽特殊製鋼株式会社 | 垂直磁気記録媒体における軟磁性薄膜層に用いる合金およびスパッタリングターゲット材並びに軟磁性薄膜層を有する垂直磁気記録媒体 |
-
1997
- 1997-01-30 JP JP9016588A patent/JPH10214718A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013047321A1 (ja) * | 2011-09-26 | 2013-04-04 | 山陽特殊製鋼株式会社 | 垂直磁気記録媒体における軟磁性薄膜層に用いる合金およびスパッタリングターゲット材並びに軟磁性薄膜層を有する垂直磁気記録媒体 |
| JP2013073635A (ja) * | 2011-09-26 | 2013-04-22 | Sanyo Special Steel Co Ltd | 垂直磁気記録媒体における軟磁性薄膜層に用いる合金およびスパッタリングターゲット材並びに軟磁性薄膜層を有する垂直磁気記録媒体。 |
| CN103875035A (zh) * | 2011-09-26 | 2014-06-18 | 山阳特殊制钢株式会社 | 在垂直磁记录介质上的软磁性薄膜层中使用的合金，溅射靶材，以及具有软磁性薄膜层的垂直磁记录介质 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |