JPH10213796A

JPH10213796A - 液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置

Info

Publication number: JPH10213796A
Application number: JP1802197A
Authority: JP
Inventors: Yasuhiro Matsushima; 康浩松島
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1997-01-31
Filing date: 1997-01-31
Publication date: 1998-08-11

Abstract

(57)【要約】【課題】液晶表示装置のカラーフィルタを形成するた
めの信号入力端子数が少なく、画素電極を利用してカラ
ーフィルタ及び遮光膜を形成すること。【解決手段】少なくともゲートバスラインとソースバ
スラインとスイッチング素子アレイと該スイッチング素
子アレイに対応して形成された画素電極を形成した基板
に、画素電極形成後画素電極上部に絶縁膜を形成する工
程と、絶縁膜に第１のコンタクトホールを形成し第１の
コンタクトホール開口部に画素電極を利用して第１のカ
ラーフィルタを形成する工程と、絶縁膜に第２のコンタ
クトホールを形成し第２のコンタクトホール開口部に画
素電極を利用して第２のカラーフィルタを形成する工程
と、絶縁膜に第３のコンタクトホールを形成し第３のコ
ンタクトホール開口部に画素電極を利用して第３のカラ
ーフィルタを形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置及びそ
の製造方法に関するものであり、より詳しくはＴＦＴ基
板側にカラーフィルタを形成した液晶表示装置及びその
製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、薄膜トランジスタを液晶駆動用の
スイッチング素子として用いるアクティブマトリクス型
液晶表示装置の開発が活発に行われている。

【０００３】一例として、液晶表示装置の平面模式図を
図８に示す。ガラス基板または石英基板等の絶縁基板３
１上にゲートドライバ３２、ソースドライバ３３及びＴ
ＦＴ（ＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）ア
レイ部３４が配置されている。ゲートドライバ３２は、
シフトレジスタ３２ａ及びバッファ３２ｂから構成され
る。ソースドライバ３３は、シフトレジスタ３３ａと、
バッファ３３ｂと、ビデオライン３８のサンプリングを
行うアナログスイッチ３９とから構成される。ＴＦＴア
レイ部３４には、ゲートドライバ３２から延びる複数の
平行するゲートバスライン１１６が配設されている。ソ
ースドライバ３３からは複数のソースバスライン１２０
がゲートバスライン１１６に直交して配設されている。
そしてゲートバスライン１１６に平行して、付加容量共
通配線１１４が配設されている。２本のゲートバスライ
ン１１６、ソースバスライン１２０及び付加容量共通配
線１１４に囲まれた矩形の領域には、ＴＦＴ３５、画素
３６及び付加容量３７が設けられている。ＴＦＴ３５の
ゲート電極は、ゲートバスライン１１６に接続され、ソ
ース電極はソースバスライン１２０に接続されている。
ＴＦＴ３５のドレイン電極に接続された画素電極と対向
基板上の対向電極との間に液晶が封入され、画素３６が
構成されている。また、付加容量共通配線１１４は対向
電極と同じ電位の電極に接続されている。

【０００４】通常、対向基板の内面には、画素電極の隙
間からの光漏れを防止するためのブラックマトリクス
と、それぞれの画素電極に対応して赤色カラーフィルタ
（Ｒ）、緑色カラーフィルタ（Ｇ）、青色カラーフィル
タ（Ｂ）とが形成され、その上部には透明導電膜によっ
て対向電極が形成されている。このように、対向基板に
ブラックマトリクス及びカラーフィルタを形成した場合
には、ＴＦＴ基板と対向基板との貼り合わせにおいて貼
り合わせずれが生じるため、その分ブラックマトリクス
を大きく形成しておく必要が有り、開口率が低下する。
また、対向基板にカラーフィルタを形成する場合、寸法
精度が良いカラーフィルタを形成する必要が有るため、
例えばフォトリソグラフィー工程が必要となりコスト高
となってしまう。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】また、この問題を解決
するために、特開平５−５８７４号公報に示されるよう
に、ＴＦＴ基板側にカラーフィルタを形成することが示
されている。これは、フォトリソグラフィー工程を用い
ず、画素電極上にＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の電着
カラーフィルタを形成するものである。この従来例は、
画素電極に電圧を印加するためにゲートバスラインに順
次走査電圧を印加し、これに同期させて所定の画素電極
に対応するソースバスラインに電着カラーフィルタを形
成するための電圧を印加している。このようにして、各
ゲートバスラインを順次選択するごとに、選択したゲー
トバスラインに接続された画素電極のうち所定の画素電
極のみにソースバスラインから電圧が印加され、電圧の
印加された画素電極上には電着カラーフィルタが形成さ
れる。このように、多くの信号をこれらの駆動回路に入
力する必要があり、カラーフィルタ形成のための工程が
煩雑なものとなっていた。

【０００６】また、特開平３−８７７０２号公報には同
一着色を意図する群ごとに一括して電圧を印加しカラー
フィルタを形成することが示されている。ここで示され
るように、電着カラーフィルタ形成時に、少なくともゲ
ートバスラインとＲの画素に対応するソースバスライン
とＧの画素に対応するソースバスラインとＢの画素に対
応するソースバスラインとは互いに分離されている必要
があり、カラーフィルタ形成用の信号の入力を行うため
の３つの信号入力端子が必要となる。従って、Ｒ、Ｇ、
Ｂそれぞれのカラーフィルタ形成工程において、別々の
信号入力端子に信号を入力する必要があり、２色目と３
色目のカラーフィルタの形成において入力端子を変更す
る必要があった。

【０００７】さらには、従来例において、ＴＦＴ上部に
遮光膜を形成する方法については考慮されていない。

【０００８】本発明は、上記問題点を解決するためのも
のであり、カラーフィルタを形成するための信号入力端
子数が少なく、画素電極を利用して簡便にカラーフィル
タ、さらには遮光膜を形成した液晶表示装置及びその製
造方法に関するものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、少なくともゲ
ートバスラインとソースバスラインとスイッチング素子
アレイと該スイッチング素子アレイに対応して形成され
た画素電極及びカラーフィルタとを備えた第１の基板及
び対向電極が形成された第２の基板を備え、第１及び第
２の基板間には液晶材料を挟持してなる液晶表示装置の
製造方法において、画素電極形成後画素電極上部に絶縁
膜を形成する工程と、前記絶縁膜に第１のコンタクトホ
ールを形成し第１のコンタクトホール開口部に画素電極
を利用して第１のカラーフィルタを形成する工程と、前
記絶縁膜に第２のコンタクトホールを形成し第２のコン
タクトホール開口部に画素電極を利用して第２のカラー
フィルタを形成する工程と、前記絶縁膜に第３のコンタ
クトホールを形成し第３のコンタクトホール開口部に画
素電極を利用して第３のカラーフィルタを形成する工程
とを含むことを特徴とし、それによって上記目的が達成
される。

【００１０】また、画素電極を利用して遮光膜を形成す
る工程をさらに含むことが好ましい。

【００１１】さらに、遮光膜を形成する工程は、カラー
フィルタを形成する工程よりも前の工程であることが好
ましい。

【００１２】本発明は、少なくともゲートバスラインと
ソースバスラインとスイッチング素子アレイと該スイッ
チング素子アレイに対応して形成された画素電極及びカ
ラーフィルタとを備えた第１の基板及び対向電極が形成
された第２の基板を備え、第１及び第２の基板間には液
晶材料を挟持してなる液晶表示装置において、画素電極
を囲むように設けられた絶縁膜と、該絶縁膜に囲まれた
画素電極上に形成されたカラーフィルタとを備え、それ
によって上記目的が達成される。

【００１３】また、前記画素電極を利用して形成された
遮光膜を備えることが好ましい。

【００１４】さらに、隣り合う画素電極の分離はゲート
バスライン及びソースバスライン上で行われることが好
ましい。

【００１５】以下、上記構成による作用について説明を
行う。

【００１６】本発明は、少なくともゲートバスラインと
ソースバスラインとスイッチング素子アレイと該スイッ
チング素子アレイに対応して形成された画素電極及びカ
ラーフィルタとを備えた第１の基板及び対向電極が形成
された第２の基板を備え、第１及び第２の基板間には液
晶材料を挟持してなる液晶表示装置の製造方法におい
て、画素電極形成後画素電極上部に絶縁膜を形成する工
程と、前記絶縁膜に第１のコンタクトホールを形成し第
１のコンタクトホール開口部に画素電極を利用して第１
のカラーフィルタを形成する工程と、前記絶縁膜に第２
のコンタクトホールを形成し第２のコンタクトホール開
口部に画素電極を利用して第２のカラーフィルタを形成
する工程と、前記絶縁膜に第３のコンタクトホールを形
成し第３のコンタクトホール開口部に画素電極を利用し
て第３のカラーフィルタを形成する工程とを含むことを
特徴としているので、カラーフィルタ形成用の入力端子
は１つでよく、全面点灯を行うことによって、Ｒ、Ｇ、
Ｂのカラーフィルタを形成することができる。従って、
２色目と３色目のカラーフィルタの形成において入力端
子を変更する必要がない。

【００１７】また、画素電極を利用して遮光膜を形成す
る工程をさらに含むので、対向基板に遮光膜を形成する
必要はない。また高価なフォトリソグラフィーによるプ
ロセスを使用する必要がなく、簡便に遮光膜の形成を行
うことができる。

【００１８】さらに、遮光膜を形成する工程は、カラー
フィルタを形成する工程よりも前の工程であるので、全
面点灯を行って遮光膜の形成を行った際に、ＴＦＴの不
良部分は遮光膜が形成されない。従って、この工程はＴ
ＦＴの検査工程を兼ねることとなり、不良が判明した場
合にはこれを修正し良品とすることも可能である。

【００１９】本発明は、少なくともゲートバスラインと
ソースバスラインとスイッチング素子アレイと該スイッ
チング素子アレイに対応して形成された画素電極及びカ
ラーフィルタとを備えた第１の基板及び対向電極が形成
された第２の基板を備え、第１及び第２の基板間には液
晶材料を挟持してなる液晶表示装置において、画素電極
を囲むように設けられた絶縁膜と、該絶縁膜に囲まれた
画素電極上に形成されたカラーフィルタとを備えている
ので、絶縁膜を形成せずにカラーフィルタを形成した場
合には画素電極とカラーフィルタとの段差が生じ、後の
工程において段差による配向膜の段切れ、さらにはラビ
ング工程において段差による配向むらが生じるが、絶縁
膜によってカラーフィルタの段差が低減されるのでこう
いったことは起こらない。

【００２０】また、前記画素電極を利用して形成された
遮光膜を備えているので、対向基板のＴＦＴに対応し、
ＴＦＴに入射する光を遮光する遮光膜を形成する必要は
ない。対向基板にブラックマトリクス及びカラーフィル
タを形成した場合には、ＴＦＴ基板と対向基板との貼り
合わせにおいて貼り合わせずれが生じるため、その分ブ
ラックマトリクスを大きく形成しておく必要が有り、開
口率が低下するがこういったことは起こらない。

【００２１】さらに、隣り合う画素電極の分離はゲート
バスライン及びソースバスライン上で行われているの
で、配線が遮光膜の役割をもち、かつＴＦＴ上部に遮光
膜も存在するので、対向基板に遮光パターンは不要とな
る。従って、対向基板には透明導電膜のみ形成しておけ
ばよく、対向基板の形成プロセスが簡略化される。

【００２２】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について以下
に説明する。

【００２３】（実施の形態１）図１に本発明の実施形態
における画素２個分のレイアウト図を、図２に図１にお
けるＡ−Ａの断面図を示す。以下、図１及び図２に従っ
て、本発明のＴＦＴ作製工程を説明する。従来例と同様
に絶縁基板１０上に活性層となる多結晶シリコン薄膜１
１を４０ｎｍ〜８０ｎｍの厚さで形成した。次に、スパ
ッタリングまたはＣＶＤ法を用いて、ゲート絶縁膜１３
をＳｉＯ₂またはＳｉＮxにより８０ｎｍの厚さで形成し
た。次に、斜線部の付加容量領域１１Ａにリンイオンを
注入し、この部分の低抵抗化を行った。この斜線部は付
加容量下部電極となる。次に、付加容量上部電極１４及
びゲート電極１６をＡｌまたは多結晶シリコンを用いて
形成した。

【００２４】次に、この薄膜トランジスタの導電型を決
定するために、ゲート電極１６上方からゲート電極１６
をマスクとして、リンイオンを１×１０¹⁵（ｃｍ^-2）で
注入し、活性層のゲート電極１６下部にノンドープのチ
ャンネル部１２を形成し、チャンネル部１２以外の領域
は高濃度の不純物領域とした。ＴＦＴの活性層におい
て、チャンネル部１２近傍に低濃度不純物領域またはノ
ンドープ領域を設けて、ＴＦＴのオフ時にリーク電流が
少ない構造としてもよい。次に、第１の層間絶縁膜１５
を全面に形成後、コンタクトホール１８及びコンタクト
ホール１９の形成を行った。次に、ソースバスライン２
０及びドレイン電極２１をＡｌなどの低抵抗の金属を用
いて形成した。次に、第２の層間絶縁膜２４を形成する
が、本発明においては透明な感光性の有機膜をスピンコ
ート法により形成した。また、本実施の形態において
は、この液晶パネルを透過型液晶表示装置として使用す
るため、第２の層間絶縁膜２４の材質としては着色のあ
る有機材料ではなく、透明なアクリル樹脂を使用した。

【００２５】次に、ドレイン電極２１上の第２の層間絶
縁膜２４にコンタクトホール２３を形成し、コンタクト
ホール２３を覆って画素電極２５をＩＴＯなどの透明導
電膜材料によって形成した。この画素電極２５は少なく
とも液晶パネルの開口部に形成される。

【００２６】次に、この画素電極２５を利用して電着カ
ラーフィルタ３１の形成を行う。

【００２７】本実施の形態における画素電極形成後の電
着カラーフィルタの形成方法を図３及び図４を用いて説
明する。図３及び図４は、図１のＡ−Ａ断面図における
液晶表示装置の製造方法を示した工程図である。なお、
図３及び図４は一連の連続した製造工程を示している。

【００２８】まず、図３（ａ）に示すように、画素電極
上部に絶縁膜３０を形成し、さらに図３（ｂ）に示すよ
うに、Ｒに対応する画素電極２５Ｒの上部の絶縁膜３０
をエッチングによって除去した。

【００２９】次に、図３（ｃ）に示すように、アクティ
ブマトリクス基板をＲ用の電着溶液に浸漬し、画素電極
２５Ｒ上にカラーフィルタの電着を行うために、全ての
ゲート電極をオンさせると同時に、全てのソースバスラ
インに信号を入力した。これらの信号の入力方法として
は、静電気対策として表示部外部においてゲートバスラ
インを短絡させたゲート用ショートリング及びソースバ
スラインを短絡させたソース用ショートリングに電圧を
印加した。例えば、ゲートバスラインには１５Ｖ、ソー
スバスラインには５Ｖの電圧が印加されている。このゲ
ート用ショートリングとソース用ショートリングはカラ
ーフィルタ形成前後の工程において短絡されていること
が望ましい。このように電着カラーフィルタ形成部のみ
画素電極上部の絶縁膜３０が除去されているので、全面
点灯を行うことにより電着カラーフィルタの形成を行う
ことができる。従って、ドライバーを動作させて所定の
画素電極に電着用の信号を入力する必要がない。さら
に、ストライプ配列のカラーフィルタに電着カラーフィ
ルタを形成する場合には、Ｒ、Ｇ、Ｂそれぞれに対応す
る画素電極を短絡し、Ｒ用の画素電極、Ｇ用の画素電
極、Ｂ用の画素電極に順次電圧を印加しそれぞれの電着
カラーフィルタを形成することもできるが、この場合に
は３系列のショートリングとともにカラーフィルタ形成
用の信号の入力を行うための３つの信号入力端子が必要
となるが、本実施の形態においてはカラーフィルタ形成
用の入力端子として１つでよい。このようにしてＲの電
着カラーフィルタ３１Ｒを形成した。なお、一旦電着法
により形成したＲの電着カラーフィルタ３１Ｒは、ベー
キング処理を行うことにより、導電性を失う。

【００３０】次に、図４（ａ）に示すように、Ｇに対応
する画素電極２５Ｇの上部の絶縁膜３０をエッチングを
行い除去した。続いて、図４（ｂ）に示すように、Ｒと
同様にアクティブマトリクス基板をＧ用の電着溶液に浸
漬し、Ｒと同様にしてＧに対応する画素電極２５Ｇの上
部にＧの電着カラ−フィルタ３１Ｇを形成した。ここ
で、ゲートバスラインには１５Ｖ、ソースバスラインに
は５Ｖの電圧が印加されている。なお、先に形成したＲ
の電着カラーフィルタ３１Ｒはベーキング処理により導
電性を失っているので、Ｒの電着カラーフィルタ３１Ｒ
上にＧのカラーフィルタ３１Ｇが重なって付着すること
はない。さらに、Ｇの電着カラーフィルタ３１Ｇは、ベ
ーキング処理を行うことにより、導電性を失う。

【００３１】次に、図４（ｃ）に示すように、Ｒ、Ｇと
同様にＢの電着カラーフィルタ３１Ｂを形成し、３色の
電着カラーフィルタを完成させた。なお、先に形成した
Ｒ及びＧの電着カラーフィルタ３１Ｒ、３１Ｇはベーキ
ング処理により導電性を失っているので、Ｒ及びＧの電
着カラーフィルタ３１Ｒ、３１Ｇ上にＢの電着カラーフ
ィルタ３１Ｂが重なって付着することはない。さらに、
Ｂの電着カラーフィルタ３１Ｂは、ベーキング処理を行
うことにより、導電性を失う。

【００３２】一方、対向基板には少なくともＩＴＯによ
る対向電極が形成される。その後、ＴＦＴ基板及び対向
基板に配向処理が行われ、貼り合わされた後、基板間に
液晶が封入され液晶パネルが構成される。

【００３３】（実施の形態２）図５に、本発明の第２の
実施の形態の画素２個分のレイアウト図を示す。本実施
の形態においては、図５のＴＦＴの上部に遮光膜３２を
形成している。他の部分は図１と同様である。

【００３４】図６及び図７は、本発明の第２の実施の形
態による図５のＢ−Ｂ断面図における液晶表示装置の製
造方法を示した工程図である。なお、図６及び図７は一
連の連続した製造工程を示している。図６及び図７にお
いて、本発明の第２の実施の形態について説明する。本
実施の形態においては、画素電極を利用してＴＦＴに照
射される光を遮光する遮光膜の形成を行う。対向基板側
に遮光膜を形成した場合には、ＴＦＴ基板と対向基板と
の貼り合わせを行った際の貼り合わせずれを考慮して、
この分遮光膜を大きく形成しておく必要があり、このた
め開口率が低下する。しかしながら、ＴＦＴ基板側に遮
光膜を設けることによって、こういった問題は生じな
い。

【００３５】図６及び図７において、画素電極を形成
し、その後絶縁膜３０を形成するまでは実施の形態１と
同様である。（図６（ａ）に示す）次に、図６（ｂ）に示すように、ＴＦＴの上部の画素電
極において後に遮光膜が形成される領域の絶縁膜３０を
エッチングを行い除去した。

【００３６】次に、図６（ｃ）に示すように、このＴＦ
Ｔ基板を黒色用の電着液に浸漬し、全てのゲートをオン
し、全てのソースバスラインに信号を入力することによ
って絶縁膜３０のエッチングを行った領域に黒色の電着
カラーフィルタを形成し遮光膜３２とした。例えば、ゲ
ートバスラインには１５Ｖ、ソースバスラインには５Ｖ
の電圧を印加した。なお、遮光膜３２の黒色の電着カラ
ーフィルタは黒色顔料を分散させた樹脂を用いることが
できる。例えば、樹脂として、ポリエステル／メラニン
樹脂系アニオン型電着樹脂あるいはそれに黒色顔料を分
散させたものを用いることができるが、これに限定され
ず、カチオン型電着樹脂や他の着色顔料（赤、青、緑
等）、表面を正あるいは負の電荷に帯電させた顔料等を
使用することもできる。また、遮光膜３２は、ベーキン
グ処理を行うことにより、導電性を失う。

【００３７】次に、図６（ｄ）に示すように、Ｒに対応
する画素電極２５Ｒの上部の絶縁膜３０のエッチングを
行い除去した。

【００３８】次に、図６（ｅ）に示すように、アクティ
ブマトリクス基板をＲ用の電着溶液に浸漬し、全てのゲ
ート電極をオンさせると同時に全てのソースバスライン
に電着を行うための信号を入力し、実施の形態１と同様
にしてＲの電着カラーフィルタ３１Ｒを形成した。な
お、先に形成した遮光膜３２の黒色の電着カラーフィル
タはベーキング処理により導電性を失っているので、遮
光膜３２の黒色の電着カラーフィルタ上にＲの電着カラ
ーフィルタ３１Ｒが重なって付着することはない。さら
に、Ｒの電着カラーフィルタ３１Ｒは、ベーキング処理
を行うことにより、導電性を失う。

【００３９】次に、図７（ａ）に示すように、Ｇに対応
する画素電極２５Ｇの上部の絶縁膜３０のエッチングを
行い除去した。

【００４０】次に、図７（ｂ）に示すように、アクティ
ブマトリクス基板をＲと同様にＧ用の電着溶液に浸漬
し、全てのゲート電極をオンさせると同時に全てのソー
スバスラインに電着を行うための信号を入力し、実施の
形態１と同様にしてＧの電着カラ−フィルタ３１Ｇを形
成した。なお、先に形成したＲの電着カラーフィルタ３
１Ｒはベーキング処理により導電性を失っているので、
Ｒの電着カラーフィルタ３１Ｒ上にＧの電着カラーフィ
ルタ３１Ｇが重なって付着することはない。さらに、Ｇ
の電着カラーフィルタ３１Ｇも、ベーキング処理を行う
ことにより、導電性を失う。

【００４１】最後に、図７（ｃ）に示すように、Ｂの電
着カラーフィルタ３１ＢをＲ、Ｇと同様に形成し、Ｒ、
Ｇ、Ｂのカラーフィルタを完成させた。なお、先に形成
したＲ及びＧの電着カラーフィルタ３１Ｒ、３１Ｇはベ
ーキング処理により導電性を失っているので、Ｒ及びＧ
の電着カラーフィルタ３１Ｒ、３１Ｇ上にＢの電着カラ
ーフィルタ３１Ｂが重なって付着することはない。さら
に、Ｂの電着カラーフィルタ３１Ｂも、ベーキング処理
を行うことにより、導電性を失う。

【００４２】一方、対向基板には少なくともＩＴＯによ
る対向電極が形成される。その後、ＴＦＴ基板及び対向
基板に配向処理が行われ、貼り合わされた後、基板間に
液晶が封入され液晶パネルが構成される。

【００４３】実施の形態１及び実施の形態２において
は、半導体層として多結晶シリコンを使用しＴＦＴの構
造としてはコプラナー型のものを使用したが、本発明は
これに限るものではなく半導体層として他の半導体材料
を使用してもよく、ＴＦＴの構造として逆スタガーなど
他の構造を採用してもよい。また、実施の形態１と実施
の形態２におけるカラーフィルタの作製方法として電着
法を利用したが、他の方法として例えばミセル電解法が
利用できる。

【００４４】

【発明の効果】本発明は、少なくともゲートバスライン
とソースバスラインとスイッチング素子アレイと該スイ
ッチング素子アレイに対応して形成された画素電極及び
カラーフィルタとを備えた第１の基板及び対向電極が形
成された第２の基板を備え、第１及び第２の基板間には
液晶材料を挟持してなる液晶表示装置の製造方法におい
て、画素電極形成後画素電極上部に絶縁膜を形成する工
程と、前記絶縁膜に第１のコンタクトホールを形成し第
１のコンタクトホール開口部に画素電極を利用して第１
のカラーフィルタを形成する工程と、前記絶縁膜に第２
のコンタクトホールを形成し第２のコンタクトホール開
口部に画素電極を利用して第２のカラーフィルタを形成
する工程と、前記絶縁膜に第３のコンタクトホールを形
成し第３のコンタクトホール開口部に画素電極を利用し
て第３のカラーフィルタを形成する工程とを含むことを
特徴としているので、カラーフィルタ形成用の入力端子
は１つでよく全面点灯を行うことによってＲ、Ｇ、Ｂの
カラーフィルタを形成することができる。従って、２色
目と３色目のカラーフィルタの形成において入力端子を
変更する必要がない。

【００４５】また、画素電極を利用して遮光膜を形成す
る工程をさらに含むので、対向基板に遮光膜を形成する
必要はない。また高価なフォトリソグラフィーによるプ
ロセスを使用する必要がなく、簡便に遮光膜の形成を行
うことができる。

【００４６】さらに、遮光膜を形成する工程は、カラー
フィルタを形成する工程よりも前の工程であるので、全
面点灯を行って遮光膜の形成を行った際にＴＦＴの不良
部分は遮光膜が形成されない。従って、この工程はＴＦ
Ｔの検査工程を兼ねることとなり、不良が判明した場合
には、これを修正し良品とすることも可能である。

【００４７】本発明は、少なくともゲートバスラインと
ソースバスラインとスイッチング素子アレイと該スイッ
チング素子アレイに対応して形成された画素電極及びカ
ラーフィルタとを備えた第１の基板及び対向電極が形成
された第２の基板を備え、第１及び第２の基板間には液
晶材料を挟持してなる液晶表示装置において、画素電極
を囲むように設けられた絶縁膜と、該絶縁膜に囲まれた
画素電極上に形成されたカラーフィルタとを備えている
ので、絶縁膜を形成せずにカラーフィルタを形成した場
合には画素電極とカラーフィルタとの段差が生じ、後の
工程において段差による配向膜の段切れ、さらにはラビ
ング工程において段差による配向むらが生じるが、絶縁
膜によってカラーフィルタの段差が低減されるので、こ
の様なことは起こらない。

【００４８】また、前記画素電極を利用して形成された
遮光膜を備えているので、対向基板のＴＦＴに対応し、
ＴＦＴに入射する光を遮光する遮光膜を形成する必要は
ない。対向基板にブラックマトリクス及びカラーフィル
タを形成した場合には、ＴＦＴ基板と対向基板との貼り
合わせにおいて貼り合わせずれが生じるため、その分ブ
ラックマトリクスを大きく形成しておく必要が有り、開
口率が低下するが、この様なことは起こらない。

【００４９】さらに、隣り合う画素電極の分離はゲート
バスライン及びソースバスライン上で行われているの
で、配線が遮光膜の役割をもち、かつＴＦＴ上部に遮光
膜も存在するので、対向基板に遮光パターンは不要とな
る。従って、対向基板には透明導電膜のみ形成しておけ
ばよく、対向基板の形成プロセスが簡略化される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１による液晶表示装置の画
素２個分の平面図である。

【図２】本発明の実施の形態１による液晶表示装置の画
素２個分の断面図である。

【図３】本発明の実施の形態１による液晶表示装置の製
造工程を示す図である。

【図４】本発明の実施の形態１による液晶表示装置の製
造工程を示す図である。

【図５】本発明の実施の形態２による液晶表示装置の画
素２個分の平面図である。

【図６】本発明の実施の形態２による液晶表示装置の製
造工程を示す図である。

【図７】本発明の実施の形態２による液晶表示装置の製
造工程を示す図である。

【図８】液晶表示装置の平面模式図である。

【符号の説明】

１０絶縁基板１１多結晶シリコン薄膜１２チャンネル部１３ゲート絶縁膜１４付加容量上部電極１５第１の層間絶縁膜１６ゲート電極１８コンタクトホール１９コンタクトホール２０ソースバスライン２１ドレイン電極２３コンタクトホール２４第２の層間絶縁膜２５画素電極２５Ｒ赤色に対応する画素電極２５Ｇ緑色に対応する画素電極２５Ｂ青色に対応する画素電極３０絶縁膜３１電着カラーフィルタ３１Ｒ赤色の電着カラーフィルタ３１Ｇ緑色の電着カラーフィルタ３１Ｂ青色の電着カラーフィルタ３２遮光膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくともゲートバスラインとソースバ
スラインとスイッチング素子アレイと該スイッチング素
子アレイに対応して形成された画素電極及びカラーフィ
ルタとを備えた第１の基板及び対向電極が形成された第
２の基板を備え、第１及び第２の基板間には液晶材料を
挟持してなる液晶表示装置の製造方法において、画素電極形成後画素電極上部に絶縁膜を形成する工程
と、前記絶縁膜に第１のコンタクトホールを形成し第１のコ
ンタクトホール開口部に画素電極を利用して第１のカラ
ーフィルタを形成する工程と、前記絶縁膜に第２のコンタクトホールを形成し第２のコ
ンタクトホール開口部に画素電極を利用して第２のカラ
ーフィルタを形成する工程と、前記絶縁膜に第３のコンタクトホールを形成し第３のコ
ンタクトホール開口部に画素電極を利用して第３のカラ
ーフィルタを形成する工程とを含む液晶表示装置の製造
方法。
【請求項２】画素電極を利用して遮光膜を形成する工
程をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の液晶表
示装置の製造方法。
【請求項３】遮光膜を形成する工程は、カラーフィル
タを形成する工程よりも前の工程であることを特徴とす
る請求項２記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】少なくともゲートバスラインとソースバ
スラインとスイッチング素子アレイと該スイッチング素
子アレイに対応して形成された画素電極及びカラーフィ
ルタとを備えた第１の基板及び対向電極が形成された第
２の基板を備え、第１及び第２の基板間には液晶材料を
挟持してなる液晶表示装置において、画素電極を囲むよ
うに設けられた絶縁膜と、該絶縁膜に囲まれた画素電極上に形成されたカラーフィ
ルタとを備えた液晶表示装置。
【請求項５】前記画素電極を利用して形成された遮光
膜を備えたことを特徴とする請求項４記載の液晶表示装
置。
【請求項６】隣り合う画素電極の分離はゲートバスラ
イン及びソースバスライン上で行われることを特徴とす
る請求項４または５記載の液晶表示装置。