JPH10213553A - Ｘ線によるプリント基板の検査方法及びその装置 - Google Patents
Ｘ線によるプリント基板の検査方法及びその装置Info
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- JPH10213553A JPH10213553A JP9018458A JP1845897A JPH10213553A JP H10213553 A JPH10213553 A JP H10213553A JP 9018458 A JP9018458 A JP 9018458A JP 1845897 A JP1845897 A JP 1845897A JP H10213553 A JPH10213553 A JP H10213553A
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- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 極端な高密度，狭ピッチ部品も正確に半田付
け状態の良否（半田ブリッジの有無）の判定が行える方
法及びその装置を提供する。 【解決手段】 電子部品３の複数のリードがそれぞれラ
ンド上に半田付けされたプリント基板４にＸ線２を照射
し，その透過量分布データの最大値，及びその前後の極
小値より所定の透過量分布幅を演算し，該透過量分布幅
が所定値以上であれば半田ブリッジがあると判定するよ
うに構成される。また，あるランドの近傍からＸ線照射
位置の走査を開始し，明らかな半田ブリッジのみを検出
できるレベルに設定された所定の閾値以上のレベルの透
過量分布データを連続して検出する限り上記走査を続
け，上記走査が隣のランドにまで至ればリード間の半田
ブリッジがあると判定する。
け状態の良否（半田ブリッジの有無）の判定が行える方
法及びその装置を提供する。 【解決手段】 電子部品３の複数のリードがそれぞれラ
ンド上に半田付けされたプリント基板４にＸ線２を照射
し，その透過量分布データの最大値，及びその前後の極
小値より所定の透過量分布幅を演算し，該透過量分布幅
が所定値以上であれば半田ブリッジがあると判定するよ
うに構成される。また，あるランドの近傍からＸ線照射
位置の走査を開始し，明らかな半田ブリッジのみを検出
できるレベルに設定された所定の閾値以上のレベルの透
過量分布データを連続して検出する限り上記走査を続
け，上記走査が隣のランドにまで至ればリード間の半田
ブリッジがあると判定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，Ｘ線によるプリン
ト基板の検査方法及びその装置に係り，詳しくはプリン
ト基板に実装された電子部品の半田付け状態の良否（半
田ブリッジの有無）の判定を行う方法及びその装置に関
するものである。
ト基板の検査方法及びその装置に係り，詳しくはプリン
ト基板に実装された電子部品の半田付け状態の良否（半
田ブリッジの有無）の判定を行う方法及びその装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線の透過画像によって電子部品の半田
付け状態を検査する方法については，例えば特開平５−
１１０２４４号公報に開示されたもの（以下，第１の従
来技術という）がある。その検査項目の中で，特に半田
ブリッジの有無を図１に示すような装置Ａ０を用いて判
定する場合について以下説明する。図１に示す如く，装
置Ａ０では，Ｘ線源１からのＸ線２が電子部品３を実装
したプリント基板４に照射される。このときプリント基
板４はＸＹテーブル５上で適宜移動されてその全体にＸ
線照射される。その透過Ｘ線６がＸ線検出器７により検
出されて計算機８0 に伝送される。そして，ここでまず
必要な画像処理が施される。その結果，例えば図９
（ａ），（ｂ）中のＢ−ｈに示すような透過画像が得ら
れる。次に，この透過画像に基づいて半田ブリッジの有
無の判定が行われる。例えば電子部品２のうち，図９
（ａ）のＡ−ｈに示すようなチップ部品の半田ブリッジ
Ｓａの有無の判定は次のように行われる。即ち，図９
（ａ）のＢ−ｈに示すように，２つのチップ部品の間に
検査ラインＮＢが設定される。図９（ａ）のＣ−ｈは検
査ラインＮＢ上の濃度分布ＧＬｈを示す。この濃度分布
ＧＬｈにおいて設定した境界濃度レベルＢＬが図９
（ａ）のＤ−ｈに示す判定式を満足すれば，半田ブリッ
ジＳａが存在すると判定される。一方，図９（ｂ）のＡ
−ｈに示すようなＩＣ部品の半田ブリッジＳａの有無の
判定は次のように行われる。即ち，図９（ｂ）のＢ−ｈ
に示すようにリードとリードとの間に検査ラインＮＢが
設定される。以下チップ部品の場合と同様にして半田ブ
リッジＳａの有無が判定される（図９（ｂ）のＣ−ｈ，
Ｄ−ｈ参照）。従来は，このようにしてプリント基板に
実装された電子部品の半田付け検査を行っていた。
付け状態を検査する方法については，例えば特開平５−
１１０２４４号公報に開示されたもの（以下，第１の従
来技術という）がある。その検査項目の中で，特に半田
ブリッジの有無を図１に示すような装置Ａ０を用いて判
定する場合について以下説明する。図１に示す如く，装
置Ａ０では，Ｘ線源１からのＸ線２が電子部品３を実装
したプリント基板４に照射される。このときプリント基
板４はＸＹテーブル５上で適宜移動されてその全体にＸ
線照射される。その透過Ｘ線６がＸ線検出器７により検
出されて計算機８0 に伝送される。そして，ここでまず
必要な画像処理が施される。その結果，例えば図９
（ａ），（ｂ）中のＢ−ｈに示すような透過画像が得ら
れる。次に，この透過画像に基づいて半田ブリッジの有
無の判定が行われる。例えば電子部品２のうち，図９
（ａ）のＡ−ｈに示すようなチップ部品の半田ブリッジ
Ｓａの有無の判定は次のように行われる。即ち，図９
（ａ）のＢ−ｈに示すように，２つのチップ部品の間に
検査ラインＮＢが設定される。図９（ａ）のＣ−ｈは検
査ラインＮＢ上の濃度分布ＧＬｈを示す。この濃度分布
ＧＬｈにおいて設定した境界濃度レベルＢＬが図９
（ａ）のＤ−ｈに示す判定式を満足すれば，半田ブリッ
ジＳａが存在すると判定される。一方，図９（ｂ）のＡ
−ｈに示すようなＩＣ部品の半田ブリッジＳａの有無の
判定は次のように行われる。即ち，図９（ｂ）のＢ−ｈ
に示すようにリードとリードとの間に検査ラインＮＢが
設定される。以下チップ部品の場合と同様にして半田ブ
リッジＳａの有無が判定される（図９（ｂ）のＣ−ｈ，
Ｄ−ｈ参照）。従来は，このようにしてプリント基板に
実装された電子部品の半田付け検査を行っていた。
【０００３】ところが，上記のような装置Ａ０を用いた
プリント基板検査方法では，半田ブリッジの有無の判定
率がチップ部品，ＩＣ部品ともに検査ラインＮＢを設定
する精度に多大に依存している。その一方で電子部品の
高密度実装化，ＩＣ部品のリード間狭ピッチ化が進んで
おり，基板の歪み，Ｘ線の放射角の影響により検査ライ
ンＮＢを精度よく設定することが困難となっている。こ
のため，上記のような方法では半田ブリッジの有無の誤
判定を招きかねない。そこで，発明者らは，高密度，狭
ピッチ部品も正確に半田付け状態の良否（半田ブリッジ
の有無）の判定が行える方法及び装置（以下，第２の従
来技術という）を開発した。以下，上記第２の従来技術
について詳述する。上記第２の従来技術に係るＸ線によ
るプリント基板検査方法は，電子部品の複数のリードが
それぞれランド上に半田付けされたプリント基板にＸ線
を照射し，その透過量データに基づいてリード間の半田
ブリッジの有無を判定する点で上記第１の従来技術と同
様である。しかし，本方法では，あるランドの近傍から
Ｘ線照射位置の走査を開始し，所定の閾値以上のレベル
の透過量分布データを連続して検出する限り上記走査を
続け，上記走査が隣のランドにまで至ればリード間の半
田ブリッジがあると判定する点で上記第１の従来技術と
異なる。以下，上記方法を適用可能な装置であって，上
記半田ブリッジの有無の判定をする第２のブリッジ判定
手段を具備し，更にリード間の半田ブリッジの有無を判
定するための領域の自動設定を行う検査領域設定手段を
具備する装置Ａについて説明する。
プリント基板検査方法では，半田ブリッジの有無の判定
率がチップ部品，ＩＣ部品ともに検査ラインＮＢを設定
する精度に多大に依存している。その一方で電子部品の
高密度実装化，ＩＣ部品のリード間狭ピッチ化が進んで
おり，基板の歪み，Ｘ線の放射角の影響により検査ライ
ンＮＢを精度よく設定することが困難となっている。こ
のため，上記のような方法では半田ブリッジの有無の誤
判定を招きかねない。そこで，発明者らは，高密度，狭
ピッチ部品も正確に半田付け状態の良否（半田ブリッジ
の有無）の判定が行える方法及び装置（以下，第２の従
来技術という）を開発した。以下，上記第２の従来技術
について詳述する。上記第２の従来技術に係るＸ線によ
るプリント基板検査方法は，電子部品の複数のリードが
それぞれランド上に半田付けされたプリント基板にＸ線
を照射し，その透過量データに基づいてリード間の半田
ブリッジの有無を判定する点で上記第１の従来技術と同
様である。しかし，本方法では，あるランドの近傍から
Ｘ線照射位置の走査を開始し，所定の閾値以上のレベル
の透過量分布データを連続して検出する限り上記走査を
続け，上記走査が隣のランドにまで至ればリード間の半
田ブリッジがあると判定する点で上記第１の従来技術と
異なる。以下，上記方法を適用可能な装置であって，上
記半田ブリッジの有無の判定をする第２のブリッジ判定
手段を具備し，更にリード間の半田ブリッジの有無を判
定するための領域の自動設定を行う検査領域設定手段を
具備する装置Ａについて説明する。
【０００４】以下，図１，図２，及び図４を参照しつつ
装置Ａを用いて複数のリードを有する電子部品の一例で
あるＩＣ部品を実装したプリント基板を検査する場合に
ついてステップＳ１，Ｓ２，…順に説明する。装置Ａで
は，Ｘ線源１からのＸ線２がＩＣ部品３を実装したプリ
ント基板４に照射される。このときプリント基板４はＸ
Ｙテーブル５上で適宜移動されてその全体にＸ線照射さ
れる。その透過Ｘ線６（透過量分布データに相当）はＸ
線検出器７により検出されて計算機８（検査領域設定手
段，第２のブリッジ判定手段に相当）に伝送される。そ
して，ここでまず必要な画像処理が施される。その結
果，例えば図４（ａ），（ｂ）に示すようなＸ線透過画
像が取得される（Ｓ１′）。この内，（ａ）は正常なＩ
Ｃ部品についての画像例であり，（ｂ）は半田ブリッジ
のあるＩＣ部品についての画像例である。上記透過画像
は設定閾値で基板部が０，ランド部及び半田部が１とな
るように２値化される（Ｓ２′）。上記２値化処理に
は，図４（ｅ），（ｆ）に示す透過量分布データを用い
る。図４（ｅ）は図４（ａ）に，図４（ｆ）は図４
（ｂ）にそれぞれ対応する。半田が載っている部分はＸ
線透過量が小さくなるため，正常に半田付けされたＩＣ
部品では，図４（ｅ）に示すように各ランドの位置での
み透過量分布データが小さくなるが，ランド間に半田ブ
リッジが有る場合には，図４（ｆ）に示すようにランド
間の位置においてもランド上と同等或いはそれ以下の透
過量を示す。従って，図中に示すような設定閾値Ｘを用
いて透過画像の２値化を行うと，図４（ｃ），図４
（ｄ）に示すような２値画像が得られる。
装置Ａを用いて複数のリードを有する電子部品の一例で
あるＩＣ部品を実装したプリント基板を検査する場合に
ついてステップＳ１，Ｓ２，…順に説明する。装置Ａで
は，Ｘ線源１からのＸ線２がＩＣ部品３を実装したプリ
ント基板４に照射される。このときプリント基板４はＸ
Ｙテーブル５上で適宜移動されてその全体にＸ線照射さ
れる。その透過Ｘ線６（透過量分布データに相当）はＸ
線検出器７により検出されて計算機８（検査領域設定手
段，第２のブリッジ判定手段に相当）に伝送される。そ
して，ここでまず必要な画像処理が施される。その結
果，例えば図４（ａ），（ｂ）に示すようなＸ線透過画
像が取得される（Ｓ１′）。この内，（ａ）は正常なＩ
Ｃ部品についての画像例であり，（ｂ）は半田ブリッジ
のあるＩＣ部品についての画像例である。上記透過画像
は設定閾値で基板部が０，ランド部及び半田部が１とな
るように２値化される（Ｓ２′）。上記２値化処理に
は，図４（ｅ），（ｆ）に示す透過量分布データを用い
る。図４（ｅ）は図４（ａ）に，図４（ｆ）は図４
（ｂ）にそれぞれ対応する。半田が載っている部分はＸ
線透過量が小さくなるため，正常に半田付けされたＩＣ
部品では，図４（ｅ）に示すように各ランドの位置での
み透過量分布データが小さくなるが，ランド間に半田ブ
リッジが有る場合には，図４（ｆ）に示すようにランド
間の位置においてもランド上と同等或いはそれ以下の透
過量を示す。従って，図中に示すような設定閾値Ｘを用
いて透過画像の２値化を行うと，図４（ｃ），図４
（ｄ）に示すような２値画像が得られる。
【０００５】続いて，上記検査領域設定手段によって検
査領域の自動設定が行われる（Ｓ３′）。この検査領域
の設定には，予め上記検査領域設定手段に対して教示さ
れたランド位置，ランドサイズ等よりなる教示データ
（例えば図４（ｃ），（ｄ）中の１′〜６′で示す値）
が用いられ，図４（ｃ），（ｄ）に示すような半田ブリ
ッジ検査領域が自動設定される（Ｓ３′）。ここで，リ
ードピッチが比較的広い場合には上記教示データのみを
用いた検査領域設定で実用上十分であるが，リードピッ
チが狭くなってくると，上記教示データと実際のプリン
ト基板上の配置位置の誤差が無視できなくなり，上記教
示データのみによる検査領域設定方法では正確な設定が
できない場合が考えられる。このように，リードピッチ
が狭く，検査領域の高精度な設定を必要とする場合に
は，図４（ｅ），（ｆ）に示すようなピーク位置（Ｐ
１，Ｐ２）情報によって上記設定された検査領域を調整
する。以下，その方法について図５を用いて説明する。
図５（ａ）はランド上に配置されたＩＣ部品のＸ線透過
画像である。まず，同図中の断面Ａの位置における透過
量分布データが検出される。図５（ｃ）にその一部を示
す。同図に示すように，通常はリード位置と透過量分布
のピーク値（Ｐ３，Ｐ４）の位置が一致するため，各リ
ードのピーク位置Ｐｉ（ｉ＝１，２，…）を求め，隣接
ピーク位置（Ｐｉ，Ｐｉ＋１）間を検査領域とすること
により，精度良く検査領域の設定を行うことができる。
即ち，各ピーク位置から教示データのＩＣリードピッチ
間隔の幅，ランド長さの領域が検査領域として設定さ
れ，これによって確実に各リードの間を走査することが
できる。しかしながら，上記断面Ａ上に半田ブリッジが
存在する場合には，リード位置と透過量分布データのピ
ーク位置とは一致せず，以上の方法では誤った検査領域
設定を行ってしまう。従ってこのような場合には，例え
ば上記断面Ａの位置を図５（ａ）のヒール方向に移動さ
せなければならないが，この判断はリード数と透過量分
布データのピーク数との比較によって行うことができ
る。本検査方法においては，各リード間が確実に走査で
きること，即ち検査領域の設定が正確に行われているこ
とが必要条件である。上記検査領域の設定方法としては
様々なものが適用可能であるが，上記ピーク値によるリ
ード位置認識方法が最も簡単且つ確実な方法であると考
えられる。以上のようにして，検査領域の設定（Ｓ３）
が行われる。
査領域の自動設定が行われる（Ｓ３′）。この検査領域
の設定には，予め上記検査領域設定手段に対して教示さ
れたランド位置，ランドサイズ等よりなる教示データ
（例えば図４（ｃ），（ｄ）中の１′〜６′で示す値）
が用いられ，図４（ｃ），（ｄ）に示すような半田ブリ
ッジ検査領域が自動設定される（Ｓ３′）。ここで，リ
ードピッチが比較的広い場合には上記教示データのみを
用いた検査領域設定で実用上十分であるが，リードピッ
チが狭くなってくると，上記教示データと実際のプリン
ト基板上の配置位置の誤差が無視できなくなり，上記教
示データのみによる検査領域設定方法では正確な設定が
できない場合が考えられる。このように，リードピッチ
が狭く，検査領域の高精度な設定を必要とする場合に
は，図４（ｅ），（ｆ）に示すようなピーク位置（Ｐ
１，Ｐ２）情報によって上記設定された検査領域を調整
する。以下，その方法について図５を用いて説明する。
図５（ａ）はランド上に配置されたＩＣ部品のＸ線透過
画像である。まず，同図中の断面Ａの位置における透過
量分布データが検出される。図５（ｃ）にその一部を示
す。同図に示すように，通常はリード位置と透過量分布
のピーク値（Ｐ３，Ｐ４）の位置が一致するため，各リ
ードのピーク位置Ｐｉ（ｉ＝１，２，…）を求め，隣接
ピーク位置（Ｐｉ，Ｐｉ＋１）間を検査領域とすること
により，精度良く検査領域の設定を行うことができる。
即ち，各ピーク位置から教示データのＩＣリードピッチ
間隔の幅，ランド長さの領域が検査領域として設定さ
れ，これによって確実に各リードの間を走査することが
できる。しかしながら，上記断面Ａ上に半田ブリッジが
存在する場合には，リード位置と透過量分布データのピ
ーク位置とは一致せず，以上の方法では誤った検査領域
設定を行ってしまう。従ってこのような場合には，例え
ば上記断面Ａの位置を図５（ａ）のヒール方向に移動さ
せなければならないが，この判断はリード数と透過量分
布データのピーク数との比較によって行うことができ
る。本検査方法においては，各リード間が確実に走査で
きること，即ち検査領域の設定が正確に行われているこ
とが必要条件である。上記検査領域の設定方法としては
様々なものが適用可能であるが，上記ピーク値によるリ
ード位置認識方法が最も簡単且つ確実な方法であると考
えられる。以上のようにして，検査領域の設定（Ｓ３）
が行われる。
【０００６】続いて，上記設定された検査領域に対する
走査が開始される（Ｓ４′）。図４（ｃ）に示す主走査
方向への走査を繰り返しながら，副走査方向へ走査を進
めてゆく。一回の主走査中に半田レベル１，即ち設定閾
値以上の値が存在する限り，走査は主走査方向，及び副
走査方向へ継続される。また存在しなければ走査は中止
され，半田ブリッジ無（正常）と判定される（Ｓ
５′）。副走査方向への走査が継続され，現在の走査領
域が隣のランド領域に到達すれば，半田ブリッジ有（不
良）と判定される（Ｓ６′）。隣のランド領域への到達
は，上述の教示データを基に判定することができる。な
お，以上の説明では複数のリードを有するＩＣ部品を対
象としたが，検査領域が複数のチップ部品にまたがる場
合等においても同様の検査が適用できることはいうまで
もない。この場合の対象透過画像，及び２値画像を図３
に示す（透過量分布データは省略）。図３（ａ）は正常
なチップ部品についての画像例，図３（ｂ）は半田ブリ
ッジが隣接するチップ部品との間に存在する場合の画像
例であり，図３（ｃ），（ｄ）はそれぞれ図３（ａ），
（ｂ）対応する２値画像である。図中１〜６に示す数字
は，検査領域の設定に用いる教示データの例である。ま
た検査処理については上記ＩＣ部品の場合と全く同様に
行うことができる（図２のＳ１〜Ｓ６）。このように，
第２の従来技術に係る方法及び装置では，ランド間の一
断面位置における検査ではなく，ランド間の２次元領域
を半田ブリッジ検査領域として走査し，隣接ランド間の
半田による接続，非接続を判定することによって検査さ
れる。従って，基板の歪み，Ｘ線の放射角，教示データ
の精度等の影響に左右されることなく半田ブリッジの有
無を判定することができる。その結果，高密度，狭いピ
ッチ部品も正確に半田付け状態の良否（半田ブリッジの
有無）の判定を行うことができる。尚，上記各実施の形
態及び実施例では透過画像を２値化した上で，その２値
化画像に対して検査領域を設定して走査を行っている
が，必ずしも２値化する必要はなく，透過画像に対して
直接検査領域を設定して走査を行い，所定の閾値以上の
レベルが存在するかどうかを調べればよい。尚，以上の
説明では，計算機８に画像処理機能を持たせたが，実使
用に際しては，計算機とは別個に画像処理装置を設けて
もよい。
走査が開始される（Ｓ４′）。図４（ｃ）に示す主走査
方向への走査を繰り返しながら，副走査方向へ走査を進
めてゆく。一回の主走査中に半田レベル１，即ち設定閾
値以上の値が存在する限り，走査は主走査方向，及び副
走査方向へ継続される。また存在しなければ走査は中止
され，半田ブリッジ無（正常）と判定される（Ｓ
５′）。副走査方向への走査が継続され，現在の走査領
域が隣のランド領域に到達すれば，半田ブリッジ有（不
良）と判定される（Ｓ６′）。隣のランド領域への到達
は，上述の教示データを基に判定することができる。な
お，以上の説明では複数のリードを有するＩＣ部品を対
象としたが，検査領域が複数のチップ部品にまたがる場
合等においても同様の検査が適用できることはいうまで
もない。この場合の対象透過画像，及び２値画像を図３
に示す（透過量分布データは省略）。図３（ａ）は正常
なチップ部品についての画像例，図３（ｂ）は半田ブリ
ッジが隣接するチップ部品との間に存在する場合の画像
例であり，図３（ｃ），（ｄ）はそれぞれ図３（ａ），
（ｂ）対応する２値画像である。図中１〜６に示す数字
は，検査領域の設定に用いる教示データの例である。ま
た検査処理については上記ＩＣ部品の場合と全く同様に
行うことができる（図２のＳ１〜Ｓ６）。このように，
第２の従来技術に係る方法及び装置では，ランド間の一
断面位置における検査ではなく，ランド間の２次元領域
を半田ブリッジ検査領域として走査し，隣接ランド間の
半田による接続，非接続を判定することによって検査さ
れる。従って，基板の歪み，Ｘ線の放射角，教示データ
の精度等の影響に左右されることなく半田ブリッジの有
無を判定することができる。その結果，高密度，狭いピ
ッチ部品も正確に半田付け状態の良否（半田ブリッジの
有無）の判定を行うことができる。尚，上記各実施の形
態及び実施例では透過画像を２値化した上で，その２値
化画像に対して検査領域を設定して走査を行っている
が，必ずしも２値化する必要はなく，透過画像に対して
直接検査領域を設定して走査を行い，所定の閾値以上の
レベルが存在するかどうかを調べればよい。尚，以上の
説明では，計算機８に画像処理機能を持たせたが，実使
用に際しては，計算機とは別個に画像処理装置を設けて
もよい。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが，上記第２の
従来技術には以下のような問題点があった。ＩＣ部品等
のリードピッチが図４（ａ），（ｂ）に示すよりも更に
狭くなると，Ｘ線の透過量分布データは実際の分布と異
なった形状を示すようになる。即ち，図６（ａ）に示す
ＩＣ部品（２値画像）のＢ−Ｂ断面における透過量分布
データが図６（ｃ）であるとき，図６（ａ）に示すＩＣ
部品のリードピッチを図６（ｂ）のように狭くしていく
と，透過量分布データは図６（ｄ）に示すようになり，
ランド間位置Ｃは基板部であるにもかかわらずその透過
量データが実際の値よりもＧg だけ小さく表されてしま
う。これは，リードピッチが極端に狭くなることによっ
てＸ線画像の干渉によるボケが生じることによる。この
ような狭ピッチＩＣ部品に対して，図６に示すような閾
値Ｙを用いて上記第２の従来技術による判定を行うと，
図６（ｂ）は半田ブリッジ有りと判定されてしまう。そ
こで，図６（ｂ）の様な狭ピッチＩＣの場合にも正しい
判定を行うには，閾値を図４（ｄ）に示すＧthの範囲に
設定しなければならない。しかし，リードピッチが図６
（ｂ）よりも更に狭くなってくると，それに従って上記
Ｇthの範囲も更に狭くなるため，閾値をＧthの範囲に正
確に設定することが非常に困難となる。本発明は，上記
事情に鑑みてなされたものであり，その目的とするとこ
ろは，極端な高密度，狭ピッチ部品でも正確に半田付け
状態の良否（半田ブリッジの有無）の判定が行える方法
及びその装置を提供することである。
従来技術には以下のような問題点があった。ＩＣ部品等
のリードピッチが図４（ａ），（ｂ）に示すよりも更に
狭くなると，Ｘ線の透過量分布データは実際の分布と異
なった形状を示すようになる。即ち，図６（ａ）に示す
ＩＣ部品（２値画像）のＢ−Ｂ断面における透過量分布
データが図６（ｃ）であるとき，図６（ａ）に示すＩＣ
部品のリードピッチを図６（ｂ）のように狭くしていく
と，透過量分布データは図６（ｄ）に示すようになり，
ランド間位置Ｃは基板部であるにもかかわらずその透過
量データが実際の値よりもＧg だけ小さく表されてしま
う。これは，リードピッチが極端に狭くなることによっ
てＸ線画像の干渉によるボケが生じることによる。この
ような狭ピッチＩＣ部品に対して，図６に示すような閾
値Ｙを用いて上記第２の従来技術による判定を行うと，
図６（ｂ）は半田ブリッジ有りと判定されてしまう。そ
こで，図６（ｂ）の様な狭ピッチＩＣの場合にも正しい
判定を行うには，閾値を図４（ｄ）に示すＧthの範囲に
設定しなければならない。しかし，リードピッチが図６
（ｂ）よりも更に狭くなってくると，それに従って上記
Ｇthの範囲も更に狭くなるため，閾値をＧthの範囲に正
確に設定することが非常に困難となる。本発明は，上記
事情に鑑みてなされたものであり，その目的とするとこ
ろは，極端な高密度，狭ピッチ部品でも正確に半田付け
状態の良否（半田ブリッジの有無）の判定が行える方法
及びその装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の第１の発明による方法は，電子部品の複数のリードが
それぞれランド上に半田付けされたプリント基板にＸ線
を照射し，その透過量分布データに基づいてリード間の
半田ブリッジの有無を判定する方法において，上記透過
量分布データの最大値，及びその前後の極小値より所定
の透過量分布幅を演算し，該所定の透過量分布幅が所定
値以上であれば半田ブリッジがあると判定することを特
徴とするＸ線によるプリント基板検査方法として構成さ
れている。これによって，極端な高密度，狭ピッチ部品
の半田付け状態の良否（半田ブリッジの有無）の判定を
正確に行うことができる。また，第２の発明による方法
は，電子部品の複数のリードがそれぞれランド上に半田
付けされたプリント基板にＸ線を照射し，その透過量分
布データに基づいてリード間の半田ブリッジの有無を判
定する方法において，あるランドの近傍からＸ線照射位
置の走査を開始し，明らかな半田ブリッジのみを検出で
きるレベルに設定された所定の閾値以上のレベルの透過
量分布データを連続して検出する限り上記走査を続け，
上記走査が隣のランドにまで至ればリード間の半田ブリ
ッジがあると判定し，上記判定によって半田ブリッジな
しとされた場合に，上記透過量分布データの最大値，及
びその前後の極小値より所定の透過量分布幅を演算し，
該所定の透過量分布幅が所定値以上であれば半田ブリッ
ジがあると判定することを特徴とするＸ線によるプリン
ト基板検査方法である。これによって，極端な高密度，
狭ピッチ部品に対する半田付け状態の良否（半田ブリッ
ジの有無）の判定の処理を正確かつ高速に行うことがで
きると共に，その処理の高速化と判断の正確化を高いレ
ベルで両立させることができる。なお，上記所定の透過
量分布幅としては，例えば半値幅を用いることができ
る。また，上記電子部品の複数のリードは，個別の電子
部品よりなるものでもよい。
の第１の発明による方法は，電子部品の複数のリードが
それぞれランド上に半田付けされたプリント基板にＸ線
を照射し，その透過量分布データに基づいてリード間の
半田ブリッジの有無を判定する方法において，上記透過
量分布データの最大値，及びその前後の極小値より所定
の透過量分布幅を演算し，該所定の透過量分布幅が所定
値以上であれば半田ブリッジがあると判定することを特
徴とするＸ線によるプリント基板検査方法として構成さ
れている。これによって，極端な高密度，狭ピッチ部品
の半田付け状態の良否（半田ブリッジの有無）の判定を
正確に行うことができる。また，第２の発明による方法
は，電子部品の複数のリードがそれぞれランド上に半田
付けされたプリント基板にＸ線を照射し，その透過量分
布データに基づいてリード間の半田ブリッジの有無を判
定する方法において，あるランドの近傍からＸ線照射位
置の走査を開始し，明らかな半田ブリッジのみを検出で
きるレベルに設定された所定の閾値以上のレベルの透過
量分布データを連続して検出する限り上記走査を続け，
上記走査が隣のランドにまで至ればリード間の半田ブリ
ッジがあると判定し，上記判定によって半田ブリッジな
しとされた場合に，上記透過量分布データの最大値，及
びその前後の極小値より所定の透過量分布幅を演算し，
該所定の透過量分布幅が所定値以上であれば半田ブリッ
ジがあると判定することを特徴とするＸ線によるプリン
ト基板検査方法である。これによって，極端な高密度，
狭ピッチ部品に対する半田付け状態の良否（半田ブリッ
ジの有無）の判定の処理を正確かつ高速に行うことがで
きると共に，その処理の高速化と判断の正確化を高いレ
ベルで両立させることができる。なお，上記所定の透過
量分布幅としては，例えば半値幅を用いることができ
る。また，上記電子部品の複数のリードは，個別の電子
部品よりなるものでもよい。
【０００９】また，上記目的を達成するために第１の発
明による装置は，電子部品の複数のリードがそれぞれラ
ンド上に半田付けされたプリント基板にＸ線を照射し，
その透過量分布データに基づいてリード間の半田ブリッ
ジの有無を判定する装置において，上記透過量分布デー
タの最大値，及びその前後の極小値より所定の透過量分
布幅を演算し，該所定の透過量分布幅が所定値以上であ
れば半田ブリッジがあると判定する第１のブリッジ判定
手段を具備してなることを特徴とするＸ線によるプリン
ト基板検査装置として構成されている。これによって，
極端な高密度，狭ピッチ部品の半田付け状態の良否（半
田ブリッジの有無）の判定を正確に行うことができる。
また，第２の発明による装置は，電子部品の複数のリー
ドがそれぞれランド上に半田付けされたプリント基板に
Ｘ線を照射し，その透過量分布データに基づいてリード
間の半田ブリッジの有無を判定する装置において，ある
ランドの近傍からＸ線照射位置の走査を開始し，明らか
な半田ブリッジのみを検出できるレベルに設定された所
定の閾値以上のレベルの透過量分布データを連続して検
出する限り上記走査を続け，上記走査が隣のランドにま
で至ればリード間の半田ブリッジがあると判定する第２
のブリッジ判定手段と，上記第２のブリッジ判定手段に
よって半田ブリッジなしと判定された場合に，上記透過
量分布データの最大値，及びその前後の極小値より所定
の透過量分布幅を演算し，該所定の透過量分布幅が所定
値以上であれば半田ブリッジがあると判定する第３のブ
リッジ判定手段とを具備してなることを特徴とするＸ線
によるプリント基板検査装置である。これによって，極
端な高密度，狭ピッチ部品に対する半田付け状態の良否
（半田ブリッジの有無）の判定の処理を正確かつ高速に
行うことができると共に，その処理の高速化と判断の正
確化を高いレベルで両立させることができる。なお，上
記所定の透過量分布幅としては，例えば半値幅を用いる
ことができる。また，上記電子部品の複数のリードは，
個別の電子部品よりなるものでもよい。
明による装置は，電子部品の複数のリードがそれぞれラ
ンド上に半田付けされたプリント基板にＸ線を照射し，
その透過量分布データに基づいてリード間の半田ブリッ
ジの有無を判定する装置において，上記透過量分布デー
タの最大値，及びその前後の極小値より所定の透過量分
布幅を演算し，該所定の透過量分布幅が所定値以上であ
れば半田ブリッジがあると判定する第１のブリッジ判定
手段を具備してなることを特徴とするＸ線によるプリン
ト基板検査装置として構成されている。これによって，
極端な高密度，狭ピッチ部品の半田付け状態の良否（半
田ブリッジの有無）の判定を正確に行うことができる。
また，第２の発明による装置は，電子部品の複数のリー
ドがそれぞれランド上に半田付けされたプリント基板に
Ｘ線を照射し，その透過量分布データに基づいてリード
間の半田ブリッジの有無を判定する装置において，ある
ランドの近傍からＸ線照射位置の走査を開始し，明らか
な半田ブリッジのみを検出できるレベルに設定された所
定の閾値以上のレベルの透過量分布データを連続して検
出する限り上記走査を続け，上記走査が隣のランドにま
で至ればリード間の半田ブリッジがあると判定する第２
のブリッジ判定手段と，上記第２のブリッジ判定手段に
よって半田ブリッジなしと判定された場合に，上記透過
量分布データの最大値，及びその前後の極小値より所定
の透過量分布幅を演算し，該所定の透過量分布幅が所定
値以上であれば半田ブリッジがあると判定する第３のブ
リッジ判定手段とを具備してなることを特徴とするＸ線
によるプリント基板検査装置である。これによって，極
端な高密度，狭ピッチ部品に対する半田付け状態の良否
（半田ブリッジの有無）の判定の処理を正確かつ高速に
行うことができると共に，その処理の高速化と判断の正
確化を高いレベルで両立させることができる。なお，上
記所定の透過量分布幅としては，例えば半値幅を用いる
ことができる。また，上記電子部品の複数のリードは，
個別の電子部品よりなるものでもよい。
【００１０】
【作用】本発明に係る第１の装置では，Ｘ線が，電子部
品を実装したプリント基板に照射され，透過量分布デー
タが検出される。そして第１のブリッジ判定手段におい
て，上記透過量分布データの最大値，及びその前後の極
小値が求められ，上記最大値，その前後の極小値，及び
透過量分布データから求められた半値幅が所定値よりも
大きい場合に半田ブリッジ有りと判断される。これによ
って，極端な高密度，狭ピッチ部品の半田付け状態の良
否（半田ブリッジの有無）の判定を正確に行うことがで
きる。また，本発明に係る第２の装置では，Ｘ線が，電
子部品を実装したプリント基板に照射され，透過量分布
データが検出される。その走査を，ある検査ランド近傍
から開始し，明らかな半田ブリッジのみを検出できるレ
ベルに設定された所定の閾値以上のレベルの透過量分布
データを連続して検出する限り上記走査を続ける。そし
て，現在の走査が隣のランドに到達すれば，第２のブリ
ッジ判定手段において半田ブリッジ有（不良）と判定さ
れる。そして，上記判定によって半田ブリッジなしとさ
れた場合に，第３のブリッジ判定手段によって上記第１
の装置と同様の処理を行う。これによって，極端な高密
度，狭ピッチ部品に対する半田付け状態の良否（半田ブ
リッジの有無）の判定の処理を正確かつ高速に行うこと
ができると共に，その処理の高速化と判断の正確化を高
いレベルで両立させることができる。
品を実装したプリント基板に照射され，透過量分布デー
タが検出される。そして第１のブリッジ判定手段におい
て，上記透過量分布データの最大値，及びその前後の極
小値が求められ，上記最大値，その前後の極小値，及び
透過量分布データから求められた半値幅が所定値よりも
大きい場合に半田ブリッジ有りと判断される。これによ
って，極端な高密度，狭ピッチ部品の半田付け状態の良
否（半田ブリッジの有無）の判定を正確に行うことがで
きる。また，本発明に係る第２の装置では，Ｘ線が，電
子部品を実装したプリント基板に照射され，透過量分布
データが検出される。その走査を，ある検査ランド近傍
から開始し，明らかな半田ブリッジのみを検出できるレ
ベルに設定された所定の閾値以上のレベルの透過量分布
データを連続して検出する限り上記走査を続ける。そし
て，現在の走査が隣のランドに到達すれば，第２のブリ
ッジ判定手段において半田ブリッジ有（不良）と判定さ
れる。そして，上記判定によって半田ブリッジなしとさ
れた場合に，第３のブリッジ判定手段によって上記第１
の装置と同様の処理を行う。これによって，極端な高密
度，狭ピッチ部品に対する半田付け状態の良否（半田ブ
リッジの有無）の判定の処理を正確かつ高速に行うこと
ができると共に，その処理の高速化と判断の正確化を高
いレベルで両立させることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下添付図面を参照して，本発明
の実施の形態及び実施例につき説明し，本発明の理解に
供する。尚，以下の実施の形態及び実施例は，本発明を
具体化した一例であって，本発明の技術的範囲を限定す
る性格のものではない。ここに，図１は本発明の実施の
形態及び実施例に係るＸ線によるプリント基板検査装置
Ａの概略構成を示す模式図（従来技術と共用），図２は
検査装置Ａの動作手順を示すフロー図，図３はチップ部
品での検査例を示す説明図，図４はＩＣ部品での検査例
を示す説明図，図５はＩＣ部品での領域設定例を示す説
明図，図６はＩＣ部品の狭ピッチ化による透過量分布デ
ータの変化を示す説明図，図７は検査装置Ａ′の動作手
順を示すフロー図，図８は狭ピッチＩＣ部品での検査例
を示す説明図である。以下，本実施の形態に係るＸ線に
よるプリント基板検査方法を適用可能な装置であって，
検査領域の設定を行う検査領域設定手段と，一回目の半
田ブリッジの有無の判定をする第２のブリッジ判定手段
と，二回目の半田ブリッジの有無の判定をする第３のブ
リッジ判定手段とを具備する装置Ａ′について説明す
る。以下，図１，図７及び図８を参照しつつ本装置Ａ′
を用いて電子部品の一例であるＩＣ部品を実装したプリ
ント基板を検査する場合について順を追って説明する。
なお，図８において，図８（ａ），（ｂ）は正常な半田
付け状態のＩＣ部品の２値画像，図８（ｃ），（ｄ）は
半田ブリッジのあるＩＣ部品の２値画像であり，図８
（ｅ）〜（ｈ）はそれぞれ図８（ａ）〜（ｄ）のＡ−Ａ
断面における透過量分布データである。
の実施の形態及び実施例につき説明し，本発明の理解に
供する。尚，以下の実施の形態及び実施例は，本発明を
具体化した一例であって，本発明の技術的範囲を限定す
る性格のものではない。ここに，図１は本発明の実施の
形態及び実施例に係るＸ線によるプリント基板検査装置
Ａの概略構成を示す模式図（従来技術と共用），図２は
検査装置Ａの動作手順を示すフロー図，図３はチップ部
品での検査例を示す説明図，図４はＩＣ部品での検査例
を示す説明図，図５はＩＣ部品での領域設定例を示す説
明図，図６はＩＣ部品の狭ピッチ化による透過量分布デ
ータの変化を示す説明図，図７は検査装置Ａ′の動作手
順を示すフロー図，図８は狭ピッチＩＣ部品での検査例
を示す説明図である。以下，本実施の形態に係るＸ線に
よるプリント基板検査方法を適用可能な装置であって，
検査領域の設定を行う検査領域設定手段と，一回目の半
田ブリッジの有無の判定をする第２のブリッジ判定手段
と，二回目の半田ブリッジの有無の判定をする第３のブ
リッジ判定手段とを具備する装置Ａ′について説明す
る。以下，図１，図７及び図８を参照しつつ本装置Ａ′
を用いて電子部品の一例であるＩＣ部品を実装したプリ
ント基板を検査する場合について順を追って説明する。
なお，図８において，図８（ａ），（ｂ）は正常な半田
付け状態のＩＣ部品の２値画像，図８（ｃ），（ｄ）は
半田ブリッジのあるＩＣ部品の２値画像であり，図８
（ｅ）〜（ｈ）はそれぞれ図８（ａ）〜（ｄ）のＡ−Ａ
断面における透過量分布データである。
【００１２】まず，上記第２の従来技術と同様の処理
（図２におけるＳ１〜Ｓ６）を行う。但し，その時の閾
値は明らかな半田ブリッジのみを検出できるレベルに設
定する。つまり，例えば図８の閾値ａを用いると，図８
（ｂ）に示すような狭ピッチＩＣ部品は半田ブリッジ有
りと判定されてしまうため，まず明らかなもののみを判
定できるように，例えば図８の閾値ｂを用いて判定を行
う。通常，半田部分の縦断面は中央部分が最も厚い形状
となっているため，半田ブリッジが有る場合の半田ブリ
ッジ位置でのＸ線透過量（図８（ｇ）のＭd ）は，半田
ブリッジが無い場合のリード位置でのＸ線透過量（図８
（ａ）のＭa ，図８（ｂ）のＭb ）よりも小さくなる。
従って，閾値ｂを用いた場合には，図８（ｄ）のような
明らかな半田ブリッジのみを検出できる。以上の処理に
よって半田ブリッジ有りと判断された場合には，ここで
処理は終了する。しかしながら，半田ブリッジが有る場
合でも，半田の厚さの違い等によって透過量のピーク値
の大きさには差が生じる。例えば，図８（ｃ），（ｄ）
のＡ−Ａ断面を示す図８（ｉ），（ｊ）のような半田の
厚さの違い等によって，透過量のピーク値は図８
（ｇ），（ｈ）のような差が出てくる。これによって，
閾値ｂを用いた場合には，上記判定では図８（ｃ）はブ
リッジ有りとは判断されないことになる。しかし，上記
半田の厚さの違い等によるピーク値の差は微小であり，
また上記半田ブリッジの有無による透過量分布データの
ピーク値の差も微小であり，更に図８（ｂ）を誤判定す
ることを避けなければならないため，上記閾値の設定は
困難であり，実際には例えば図８の閾値ｂのような設定
にならざるを得ない。この様な場合にも確実に図８
（ｃ）を半田ブリッジ有りと判断するため，上記判定に
よって半田ブリッジ無しと判断された場合（図８
（ａ），（ｂ），（ｃ）のような場合）には，引き続き
以下のように図７に示す処理を行う。まず，上記走査結
果を用いて，検査領域内での透過量分布データの最大値
（透過量の値でみると最小値）及びその位置（Ｍa ，Ｍ
b ，Ｍc ）を求める（Ｓ１１）。
（図２におけるＳ１〜Ｓ６）を行う。但し，その時の閾
値は明らかな半田ブリッジのみを検出できるレベルに設
定する。つまり，例えば図８の閾値ａを用いると，図８
（ｂ）に示すような狭ピッチＩＣ部品は半田ブリッジ有
りと判定されてしまうため，まず明らかなもののみを判
定できるように，例えば図８の閾値ｂを用いて判定を行
う。通常，半田部分の縦断面は中央部分が最も厚い形状
となっているため，半田ブリッジが有る場合の半田ブリ
ッジ位置でのＸ線透過量（図８（ｇ）のＭd ）は，半田
ブリッジが無い場合のリード位置でのＸ線透過量（図８
（ａ）のＭa ，図８（ｂ）のＭb ）よりも小さくなる。
従って，閾値ｂを用いた場合には，図８（ｄ）のような
明らかな半田ブリッジのみを検出できる。以上の処理に
よって半田ブリッジ有りと判断された場合には，ここで
処理は終了する。しかしながら，半田ブリッジが有る場
合でも，半田の厚さの違い等によって透過量のピーク値
の大きさには差が生じる。例えば，図８（ｃ），（ｄ）
のＡ−Ａ断面を示す図８（ｉ），（ｊ）のような半田の
厚さの違い等によって，透過量のピーク値は図８
（ｇ），（ｈ）のような差が出てくる。これによって，
閾値ｂを用いた場合には，上記判定では図８（ｃ）はブ
リッジ有りとは判断されないことになる。しかし，上記
半田の厚さの違い等によるピーク値の差は微小であり，
また上記半田ブリッジの有無による透過量分布データの
ピーク値の差も微小であり，更に図８（ｂ）を誤判定す
ることを避けなければならないため，上記閾値の設定は
困難であり，実際には例えば図８の閾値ｂのような設定
にならざるを得ない。この様な場合にも確実に図８
（ｃ）を半田ブリッジ有りと判断するため，上記判定に
よって半田ブリッジ無しと判断された場合（図８
（ａ），（ｂ），（ｃ）のような場合）には，引き続き
以下のように図７に示す処理を行う。まず，上記走査結
果を用いて，検査領域内での透過量分布データの最大値
（透過量の値でみると最小値）及びその位置（Ｍa ，Ｍ
b ，Ｍc ）を求める（Ｓ１１）。
【００１３】続いて，上記最大値の前後に存在する極小
値（透過量の値でみると極大値）及びその位置（Ｂa1，
Ｂa2，Ｂb1，Ｂb2，Ｂc1，Ｂc2）を求める（Ｓ１２）。
この極小値については，上記検査領域外に存在する場合
（Ｂa1，Ｂb1，Ｂc1，Ｂc2）もあるため，この場合には
再度検査領域外まで走査して検出する。そして上記最大
値，その前後の極小値，及び透過量分布データから半値
幅（Ｗ a ，Ｗb ，Ｗc ）を求める（Ｓ１３）。即ち，最
大値（例えばＭa ）とその前の極小値（例えばＢa2）及
び後の極小値（例えばＢa1）の中間値の位置（例えばＨ
a1，Ｈa2）をそれぞれ求め，上記２つの中間値の幅（例
えばＷa ）を半値幅とする。上記半値幅は，半田ブリッ
ジ無しの場合（図８（ｅ），（ｆ））と半田ブリッジ有
りの場合（図８（ｇ））ではその大きさが異なる。そこ
でその境界値となる所定の値Ｊを設定することができ
る。従って，上記半値幅Ｗa ，Ｗb ，Ｗc と上記所定値
Ｊとの大小関係によって，半田ブリッジの有無を判断す
る（Ｓ１４）。これによって，図８（ａ），（ｂ）は半
田ブリッジ無し，図８（ｃ）は半田ブリッジ有りと正し
く判断される。以上説明したように，本実施の形態に係
る検査方法及び装置では，まず上記第２の従来技術によ
る半田ブリッジの判定を明らかな半田ブリッジのみを検
出できるレベルに設定された閾値を用いて行い，上記判
定によって半田ブリッジなしとされた場合に，透過量分
布データの最大値，及びその前後の極小値より上記透過
量分布の半値幅を演算し，該半値幅が所定値以上であれ
ば半田ブリッジがあると判定するため，極狭いリードピ
ッチを持つ狭ピッチＩＣ部品等のように，リード間での
透過量分布データの値が実際よりも小さく検出される場
合においても，正確な判断を行うことが可能である。
値（透過量の値でみると極大値）及びその位置（Ｂa1，
Ｂa2，Ｂb1，Ｂb2，Ｂc1，Ｂc2）を求める（Ｓ１２）。
この極小値については，上記検査領域外に存在する場合
（Ｂa1，Ｂb1，Ｂc1，Ｂc2）もあるため，この場合には
再度検査領域外まで走査して検出する。そして上記最大
値，その前後の極小値，及び透過量分布データから半値
幅（Ｗ a ，Ｗb ，Ｗc ）を求める（Ｓ１３）。即ち，最
大値（例えばＭa ）とその前の極小値（例えばＢa2）及
び後の極小値（例えばＢa1）の中間値の位置（例えばＨ
a1，Ｈa2）をそれぞれ求め，上記２つの中間値の幅（例
えばＷa ）を半値幅とする。上記半値幅は，半田ブリッ
ジ無しの場合（図８（ｅ），（ｆ））と半田ブリッジ有
りの場合（図８（ｇ））ではその大きさが異なる。そこ
でその境界値となる所定の値Ｊを設定することができ
る。従って，上記半値幅Ｗa ，Ｗb ，Ｗc と上記所定値
Ｊとの大小関係によって，半田ブリッジの有無を判断す
る（Ｓ１４）。これによって，図８（ａ），（ｂ）は半
田ブリッジ無し，図８（ｃ）は半田ブリッジ有りと正し
く判断される。以上説明したように，本実施の形態に係
る検査方法及び装置では，まず上記第２の従来技術によ
る半田ブリッジの判定を明らかな半田ブリッジのみを検
出できるレベルに設定された閾値を用いて行い，上記判
定によって半田ブリッジなしとされた場合に，透過量分
布データの最大値，及びその前後の極小値より上記透過
量分布の半値幅を演算し，該半値幅が所定値以上であれ
ば半田ブリッジがあると判定するため，極狭いリードピ
ッチを持つ狭ピッチＩＣ部品等のように，リード間での
透過量分布データの値が実際よりも小さく検出される場
合においても，正確な判断を行うことが可能である。
【００１４】
【実施例】上記実施の形態においては，まず上記第２の
従来技術に係る方法による判断をＳ１〜Ｓ６で行い，そ
の結果半田ブリッジ無しと判断された物に対してＳ１１
〜Ｓ１４による処理を行っている。こうすることによっ
て，まず最初の判断で図８（ｄ）のような明らかな半田
ブリッジを検出でき，この場合には上記Ｓ１１〜Ｓ１４
による処理を行う必要がないため，処理を高速に行うこ
とができる。しかしながら，明らかな半田ブリッジの個
数が極めて少ない場合には，上記のようなＳ１〜Ｓ６と
Ｓ１１〜Ｓ１４を分けて行う意味があまりない。また閾
値の設定が困難な場合もあり，該閾値の設定を誤ると図
８（ｆ）のような場合についても半田ブリッジ有りとい
う誤判定を行ってしまう可能性がある。そこで，上記Ｓ
１１〜Ｓ１４による処理を行わず，上記Ｓ１１〜Ｓ１４
による処理を全ての検査領域に対して行うようにするこ
とも可能である。この場合には，上記実施の形態の方法
に比べて処理速度は多少遅くなるものの，より正確な判
断を行うことが可能となる。なお，上記実施の形態及び
上記実施例では，最終的な半田ブリッジの有無の判定を
半値幅を用いて行っているが，これは半値幅（比率５０
％）に限られるものではなく，最も正確に判定できる任
意の比率（例えば３０％，７０％等）の分布幅を用いる
ことができる。
従来技術に係る方法による判断をＳ１〜Ｓ６で行い，そ
の結果半田ブリッジ無しと判断された物に対してＳ１１
〜Ｓ１４による処理を行っている。こうすることによっ
て，まず最初の判断で図８（ｄ）のような明らかな半田
ブリッジを検出でき，この場合には上記Ｓ１１〜Ｓ１４
による処理を行う必要がないため，処理を高速に行うこ
とができる。しかしながら，明らかな半田ブリッジの個
数が極めて少ない場合には，上記のようなＳ１〜Ｓ６と
Ｓ１１〜Ｓ１４を分けて行う意味があまりない。また閾
値の設定が困難な場合もあり，該閾値の設定を誤ると図
８（ｆ）のような場合についても半田ブリッジ有りとい
う誤判定を行ってしまう可能性がある。そこで，上記Ｓ
１１〜Ｓ１４による処理を行わず，上記Ｓ１１〜Ｓ１４
による処理を全ての検査領域に対して行うようにするこ
とも可能である。この場合には，上記実施の形態の方法
に比べて処理速度は多少遅くなるものの，より正確な判
断を行うことが可能となる。なお，上記実施の形態及び
上記実施例では，最終的な半田ブリッジの有無の判定を
半値幅を用いて行っているが，これは半値幅（比率５０
％）に限られるものではなく，最も正確に判定できる任
意の比率（例えば３０％，７０％等）の分布幅を用いる
ことができる。
【００１５】
【発明の効果】本発明に係る第１の方法は，電子部品の
複数のリードがそれぞれランド上に半田付けされたプリ
ント基板にＸ線を照射し，その透過量分布データに基づ
いてリード間の半田ブリッジの有無を判定する方法にお
いて，上記透過量分布データの最大値，及びその前後の
極小値より所定の透過量分布幅を演算し，該所定の透過
量分布幅が所定値以上であれば半田ブリッジがあると判
定するため，極端な高密度，狭ピッチ部品の半田付け状
態の良否（半田ブリッジの有無）の判定を正確に行うこ
とができる。更に第２の方法は，電子部品の複数のリー
ドがそれぞれランド上に半田付けされたプリント基板に
Ｘ線を照射し，その透過量分布データに基づいてリード
間の半田ブリッジの有無を判定する方法において，ある
ランドの近傍からＸ線照射位置の走査を開始し，明らか
な半田ブリッジのみを検出できるレベルに設定された所
定の閾値以上のレベルの透過量分布データを連続して検
出する限り上記走査を続け，上記走査が隣のランドにま
で至ればリード間の半田ブリッジがあると判定し，上記
判定によって半田ブリッジなしとされた場合に，上記透
過量分布データの最大値，及びその前後の極小値より上
記透過量分布の半値幅を演算し，該半値幅が所定値以上
であれば半田ブリッジがあると判定するため，極端な高
密度，狭ピッチ部品に対する半田付け状態の良否（半田
ブリッジの有無）の判定の処理を正確かつ高速に行うこ
とができると共に，その処理の高速化と判断の正確化を
高いレベルで両立させることができる。このように，基
板の歪み，Ｘ線の放射角，教示データの精度等の影響に
左右されることなく半田ブリッジの有無を判定すること
ができ，その結果，高密度，狭ピッチ部品も正確に半田
付け状態の良否（半田ブリッジの有無）の判定を行うこ
とができる。なお，本発明に係る装置については，上記
方法を装置として実現したものであり，上記方法と同様
の効果を得ることができる。
複数のリードがそれぞれランド上に半田付けされたプリ
ント基板にＸ線を照射し，その透過量分布データに基づ
いてリード間の半田ブリッジの有無を判定する方法にお
いて，上記透過量分布データの最大値，及びその前後の
極小値より所定の透過量分布幅を演算し，該所定の透過
量分布幅が所定値以上であれば半田ブリッジがあると判
定するため，極端な高密度，狭ピッチ部品の半田付け状
態の良否（半田ブリッジの有無）の判定を正確に行うこ
とができる。更に第２の方法は，電子部品の複数のリー
ドがそれぞれランド上に半田付けされたプリント基板に
Ｘ線を照射し，その透過量分布データに基づいてリード
間の半田ブリッジの有無を判定する方法において，ある
ランドの近傍からＸ線照射位置の走査を開始し，明らか
な半田ブリッジのみを検出できるレベルに設定された所
定の閾値以上のレベルの透過量分布データを連続して検
出する限り上記走査を続け，上記走査が隣のランドにま
で至ればリード間の半田ブリッジがあると判定し，上記
判定によって半田ブリッジなしとされた場合に，上記透
過量分布データの最大値，及びその前後の極小値より上
記透過量分布の半値幅を演算し，該半値幅が所定値以上
であれば半田ブリッジがあると判定するため，極端な高
密度，狭ピッチ部品に対する半田付け状態の良否（半田
ブリッジの有無）の判定の処理を正確かつ高速に行うこ
とができると共に，その処理の高速化と判断の正確化を
高いレベルで両立させることができる。このように，基
板の歪み，Ｘ線の放射角，教示データの精度等の影響に
左右されることなく半田ブリッジの有無を判定すること
ができ，その結果，高密度，狭ピッチ部品も正確に半田
付け状態の良否（半田ブリッジの有無）の判定を行うこ
とができる。なお，本発明に係る装置については，上記
方法を装置として実現したものであり，上記方法と同様
の効果を得ることができる。
【図１】 本発明の実施の形態及び実施例に係るＸ線に
よるプリント基板検査装置Ａの概略構成を示す模式図
（従来技術と共用）。
よるプリント基板検査装置Ａの概略構成を示す模式図
（従来技術と共用）。
【図２】 検査装置Ａの動作手順を示すフロー図。
【図３】 チップ部品での検査例を示す説明図。
【図４】 ＩＣ部品での検査例を示す説明図。
【図５】 ＩＣ部品での領域設定例を示す説明図。
【図６】 ＩＣ部品の狭ピッチ化による透過量分布デー
タの変化を示す説明図。
タの変化を示す説明図。
【図７】 検査装置Ａ′の動作手順を示すフロー図。
【図８】 狭ピッチＩＣ部品での検査例を示す説明図。
【図９】 従来装置Ａ０の基本原理等を示す説明図。
Ａ…プリント基板検査装置 ２…Ｘ線 ３…電子部品 ４…プリント基板 ６…透過Ｘ線 ８…計算機（第１，第２又は第３のブリッジ判定手段に
相当）
相当）
Claims (12)
- 【請求項１】 電子部品の複数のリードがそれぞれラン
ド上に半田付けされたプリント基板にＸ線を照射し，そ
の透過量分布データに基づいてリード間の半田ブリッジ
の有無を判定する方法において，上記透過量分布データ
の最大値，及びその前後の極小値より所定の透過量分布
幅を演算し，該所定の透過量分布幅が所定値以上であれ
ば半田ブリッジがあると判定することを特徴とするＸ線
によるプリント基板検査方法。 - 【請求項２】 上記所定の透過量分布幅が半値幅である
請求項１記載のＸ線によるプリント基板検査方法。 - 【請求項３】 上記電子部品の複数のリードが，個別の
電子部品よりなるものを含む請求項１又は２記載のＸ線
によるプリント基板検査方法。 - 【請求項４】 電子部品の複数のリードがそれぞれラン
ド上に半田付けされたプリント基板にＸ線を照射し，そ
の透過量分布データに基づいてリード間の半田ブリッジ
の有無を判定する方法において，あるランドの近傍から
Ｘ線照射位置の走査を開始し，明らかな半田ブリッジの
みを検出できるレベルに設定された所定の閾値以上のレ
ベルの透過量分布データを連続して検出する限り上記走
査を続け，上記走査が隣のランドにまで至ればリード間
の半田ブリッジがあると判定し，上記判定によって半田
ブリッジなしとされた場合に，上記透過量分布データの
最大値，及びその前後の極小値より所定の透過量分布幅
を演算し，該所定の透過量分布幅が所定値以上であれば
半田ブリッジがあると判定することを特徴とするＸ線に
よるプリント基板検査方法。 - 【請求項５】 上記所定の透過量分布幅が半値幅である
請求項４記載のＸ線によるプリント基板検査方法。 - 【請求項６】 上記電子部品の複数のリードが，個別の
電子部品よりなるものを含む請求項４又は５記載のＸ線
によるプリント基板検査方法。 - 【請求項７】 電子部品の複数のリードがそれぞれラン
ド上に半田付けされたプリント基板にＸ線を照射し，そ
の透過量分布データに基づいてリード間の半田ブリッジ
の有無を判定する装置において，上記透過量分布データ
の最大値，及びその前後の極小値より所定の透過量分布
幅を演算し，該所定の透過量分布幅が所定値以上であれ
ば半田ブリッジがあると判定する第１のブリッジ判定手
段を具備してなることを特徴とするＸ線によるプリント
基板検査装置。 - 【請求項８】 上記所定の透過量分布幅が半値幅である
請求項７記載のＸ線によるプリント基板検査装置。 - 【請求項９】 上記電子部品の複数のリードが，個別の
電子部品よりなるものを含む請求項７又は８記載のＸ線
によるプリント基板検査装置。 - 【請求項１０】 電子部品の複数のリードがそれぞれラ
ンド上に半田付けされたプリント基板にＸ線を照射し，
その透過量分布データに基づいてリード間の半田ブリッ
ジの有無を判定する装置において，あるランドの近傍か
らＸ線照射位置の走査を開始し，明らかな半田ブリッジ
のみを検出できるレベルに設定された所定の閾値以上の
レベルの透過量分布データを連続して検出する限り上記
走査を続け，上記走査が隣のランドにまで至ればリード
間の半田ブリッジがあると判定する第２のブリッジ判定
手段と，上記第２のブリッジ判定手段によって半田ブリ
ッジなしと判定された場合に，上記透過量分布データの
最大値，及びその前後の極小値より所定の透過量分布幅
を演算し，該所定の透過量分布幅が所定値以上であれば
半田ブリッジがあると判定する第３のブリッジ判定手段
とを具備してなることを特徴とするＸ線によるプリント
基板検査装置。 - 【請求項１１】 上記所定の透過量分布幅が半値幅であ
る請求項１０記載のＸ線によるプリント基板検査装置。 - 【請求項１２】 上記電子部品の複数のリードが，個別
の電子部品よりなるものを含む請求項１０又は１１記載
のＸ線によるプリント基板検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9018458A JPH10213553A (ja) | 1997-01-31 | 1997-01-31 | Ｘ線によるプリント基板の検査方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9018458A JPH10213553A (ja) | 1997-01-31 | 1997-01-31 | Ｘ線によるプリント基板の検査方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10213553A true JPH10213553A (ja) | 1998-08-11 |
Family
ID=11972196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9018458A Pending JPH10213553A (ja) | 1997-01-31 | 1997-01-31 | Ｘ線によるプリント基板の検査方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10213553A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007192598A (ja) * | 2006-01-17 | 2007-08-02 | Saki Corp:Kk | 被検査体の検査装置 |
-
1997
- 1997-01-31 JP JP9018458A patent/JPH10213553A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007192598A (ja) * | 2006-01-17 | 2007-08-02 | Saki Corp:Kk | 被検査体の検査装置 |
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